JP2001052593A - Fuse and its manufacture - Google Patents

Fuse and its manufacture

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JP2001052593A
JP2001052593A JP11225795A JP22579599A JP2001052593A JP 2001052593 A JP2001052593 A JP 2001052593A JP 11225795 A JP11225795 A JP 11225795A JP 22579599 A JP22579599 A JP 22579599A JP 2001052593 A JP2001052593 A JP 2001052593A
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Japan
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metal film
fuse
film
fuse element
copper
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JP11225795A
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Japanese (ja)
Inventor
Norika Yamauchi
のりか 山内
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Daito Tsushinki KK
Original Assignee
Daito Tsushinki KK
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a fuse avoiding a rapid break tendency, and allowing improvement in manufacturing property and adhesion of a fuse element, and provide a manufacturing method therefor. SOLUTION: In this manufacturing method, a polyimide film having a sputtered film formed by sputtering copper is thermocompression-bonded onto one side of a glass cloth resin substrate 2 to form a highly adhesive polyimide resin layer 3, then a laminated fuse element is formed by etching the sputtered film in a prescribed fuse pattern to form a highly adhesive first metal film 5, and forming a second metal film 6 by tin electroplating on the upper surface of the first metal film 5 through a third metal film 8 formed by nickel plating. Next, a protective layer 13 is formed such that the protective layer 13 covers a narrow part of the fuse element 7, and cross-sectionally U-shaped electrodes 11, 11 are formed in both end parts uncovered with the protective layer 13 from the fuse element 7 to the rear surface side. Thereby, the polyimide resin layer 3 prevents thermal dissipation to prevent a rapid fusion, and improves adhesion of the fuse element 7. This manufacturing method can improve a manufacturing property.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、溶断性能および製
造性を向上するヒューズおよびその製造方法に関する。
The present invention relates to a fuse for improving fusing performance and manufacturability, and a method for manufacturing the fuse.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年では、各種電気機器の小型軽量の要
請に伴って電気部品を高密度に実装した回路基板が望ま
れており、ヒューズにおいても面実装されるチップ状の
各種構造が知られている。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been a demand for a circuit board on which electric components are mounted at a high density in accordance with the demand for small and light electric devices, and various chip-like structures in which fuses are surface-mounted are known. ing.

【0003】この従来のチップ状のヒューズは、例えば
図5に示すような特表平9−510824号公報に記載
の構成が知られている。
[0003] The structure of this conventional chip-shaped fuse is known, for example, from Japanese Patent Publication No. 9-510824 as shown in FIG.

【0004】この図5に示す特表平9−510824号
公報に記載のヒューズ20は、プリント回路基板として使
用されているガラス繊維などにて補強されたエポキシ樹
脂板やポリイミド樹脂板を支持基板21とし、この支持基
板21上に導電膜にて形成された所定のヒューズパターン
が形成されている。
The fuse 20 described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-510824 shown in FIG. 5 uses an epoxy resin plate or a polyimide resin plate reinforced with glass fiber or the like, which is used as a printed circuit board, as a support substrate 21. A predetermined fuse pattern made of a conductive film is formed on the support substrate 21.

【0005】このヒューズパターンの形成は、プリント
回路基板として使用されているエポキシ樹脂板やポリイ
ミド樹脂板に設けられている銅箔をエッチング処理して
全面的に除去し、銅などの金属をエポキシ樹脂板やポリ
イミド樹脂板の表面に無電解めっきによる導電膜生成処
理にて所定のヒューズパターンで再形成する。ここで、
銅は、各種めっきの下地金属としてその取扱が容易であ
るが、融点が高くヒューズエレメントとして利用するこ
とができない。そこで、このヒューズパターンを構成す
る再形成した銅の金属上に、スポット的に錫をめっきに
て積層形成し、銅単体より低い融点温度を有する箇所を
設けたヒューズエレメント22が形成される。
[0005] This fuse pattern is formed by etching a copper foil provided on an epoxy resin plate or a polyimide resin plate used as a printed circuit board, removing the entire surface, and removing a metal such as copper from the epoxy resin plate. A predetermined fuse pattern is formed again on the surface of the plate or polyimide resin plate by a conductive film forming process by electroless plating. here,
Copper is easy to handle as a base metal for various platings, but has a high melting point and cannot be used as a fuse element. Therefore, on the re-formed copper metal constituting the fuse pattern, tin is laminated by spot plating to form a fuse element 22 having a portion having a melting point lower than that of copper alone.

【0006】また、ヒューズ20には、ヒューズエレメン
ト22の各端部から支持基板21の裏面側に亘って導電化処
理された電極23,23が設けられている。さらに、支持基
板21の表面には、ヒューズエレメント22を覆うように、
保護層24が設けられている。
[0006] The fuse 20 is provided with electrodes 23, 23 that have been subjected to a conductive treatment from each end of the fuse element 22 to the back surface of the support substrate 21. Further, on the surface of the support substrate 21, so as to cover the fuse element 22,
A protective layer 24 is provided.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
5に示すような特表平9−510824号公報に記載の
ものでは、ヒューズエレメント22を形成する際、ヒュー
ズエレメント22の支持基板21との密着性を増大させるた
めにエッチング処理および導電膜生成処理による再形成
を行うので、製造工程が煩雑とり、製造性の向上が図れ
ない。さらに、導電膜生成処理が高価で管理が煩雑な無
電解めっきによるため、製造コストの低減および製造性
の向上が図れないとともに、再形成されるヒューズエレ
メント22のエポキシ樹脂板やポリイミド樹脂板との密着
性は十分ではない。
However, in the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-510824 as shown in FIG. 5, when the fuse element 22 is formed, the fuse element 22 adheres to the support substrate 21. Since the re-forming is performed by the etching process and the conductive film generation process in order to increase the productivity, the manufacturing process is complicated and the productivity cannot be improved. Further, since the electroconductive plating is expensive and the management is complicated by electroless plating, the manufacturing cost cannot be reduced and the productivity cannot be improved, and the fuse element 22 to be re-formed with the epoxy resin plate or the polyimide resin plate cannot be improved. Adhesion is not enough.

【0008】さらに、ヒューズエレメント22を無電解め
っきにて形成するため、厚さ寸法にばらつきを生じやす
くなって所定の素子抵抗値が得られにくくなり、溶断時
間にばらつきを生じて安定した特性が得られないととも
に、無電解めっきではめっきするための金属種に制限が
あり、所定の素子抵抗値となるヒューズエレメント22の
形成に制約が生じる。
Further, since the fuse element 22 is formed by electroless plating, the thickness tends to vary, making it difficult to obtain a predetermined element resistance value. In addition to this, in electroless plating, there are restrictions on the types of metals to be plated, and there are restrictions on the formation of the fuse element 22 having a predetermined element resistance value.

【0009】そして、一旦金属箔をエッチングにより剥
離するため、廃液の処理および管理が煩雑となるととも
に、剥離された金属を回収する作業が煩雑となりコスト
の増大を生じる。
[0009] Since the metal foil is once peeled off by etching, the treatment and management of the waste liquid become complicated, and the work of collecting the peeled metal becomes complicated, resulting in an increase in cost.

【0010】また、プリント回路基板用のエポキシ樹脂
板やポリイミド樹脂板は、ガラス繊維などにて強化され
ているため、熱伝導に差が生じてヒューズエレメント22
の溶断特性上、速断化傾向にある問題がある。
Further, since the epoxy resin plate or the polyimide resin plate for the printed circuit board is reinforced with glass fiber or the like, a difference occurs in heat conduction, so that the fuse element 22 is hardened.
However, there is a problem that there is a tendency for rapid cutting due to the fusing characteristics of the.

【0011】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、速断化傾向が回避されヒューズエレメントの密着性
および製造性が向上するヒューズおよびその製造方法を
提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a fuse and a method for manufacturing the fuse, in which the tendency of rapid cutting is avoided and the adhesion and manufacturability of the fuse element are improved.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】請求項1記載のヒューズ
は、絶縁基板と、この絶縁基板の上面に設けられたポリ
イミド樹脂層と、このポリイミド樹脂層の上面にヒュー
ズパターンを構成して設けられたヒューズエレメント
と、このヒューズエレメントに電気的に接続され前記絶
縁基板の裏面に亘って設けられた一対の電極とを具備し
たものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a fuse comprising an insulating substrate, a polyimide resin layer provided on an upper surface of the insulating substrate, and a fuse pattern formed on the upper surface of the polyimide resin layer. And a pair of electrodes electrically connected to the fuse element and provided over the back surface of the insulating substrate.

【0013】そして、絶縁基板の上面にポリイミド樹脂
層を設け、このポリイミド樹脂層の上面に、絶縁基板の
裏面に亘って設けられる一対の電極が電気的に接続され
所定のヒューズパターンを構成するヒューズエレメント
を設けるため、ポリイミド樹脂層にてヒューズエレメン
トの溶断の際の熱が絶縁基板を通じて放散されることを
抑制するので、例えば強度および加工性などに優れたガ
ラス繊維などのセラミックス材料が混入された絶縁基板
を用いても熱の放散抑制により速断化傾向を回避すると
ともに、例えばポリイミド樹脂層に密着性の良好な金属
膜を形成し、この金属膜上にヒューズエレメント材を積
層形成することにより、密着性が高いヒューズエレメン
トが従来のエッチング処理および導電膜再形成処理を行
う必要なく容易に形成され、製造性が向上する。
A polyimide resin layer is provided on the upper surface of the insulating substrate, and a pair of electrodes provided over the back surface of the insulating substrate are electrically connected to the upper surface of the polyimide resin layer to form a predetermined fuse pattern. Since the element is provided, the polyimide resin layer suppresses the heat at the time of blowing the fuse element from being dissipated through the insulating substrate. For example, a ceramic material such as glass fiber having excellent strength and workability is mixed. By using an insulating substrate, heat dissipation can be suppressed to prevent the tendency to be rapidly broken by suppressing heat dissipation.For example, by forming a metal film having good adhesion to a polyimide resin layer and laminating a fuse element material on this metal film, Fuse element with high adhesion can be easily used without the need for conventional etching and conductive film reforming Made is, manufacturability is improved.

【0014】請求項2記載のヒューズは、請求項1記載
のヒューズにおいて、ヒューズエレメントは、ポリイミ
ド樹脂層の上面にヒューズパターンを構成して設けられ
た第1の金属膜と、この金属膜上にヒューズエレメント
材にて積層形成された第2の金属膜とを備えたものであ
る。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the fuse according to the first aspect, wherein the fuse element comprises a first metal film provided in a fuse pattern on the upper surface of the polyimide resin layer; A second metal film laminated with a fuse element material.

【0015】そして、ポリイミド樹脂層の上面に所定の
ヒューズパターンを構成して設けた第1の金属膜上にヒ
ューズエレメント材にて第2の金属膜を積層形成してヒ
ューズエレメントを形成するため、密着性の高いヒュー
ズエレメントが容易に形成される。
A fuse element is formed by laminating a second metal film with a fuse element material on a first metal film provided with a predetermined fuse pattern on the upper surface of the polyimide resin layer. A fuse element having high adhesion is easily formed.

【0016】請求項3記載のヒューズは、請求項2記載
のヒューズにおいて、第2の金属膜は、低融点金属にて
第1の金属膜の一対の電極間の略中央に積層形成された
ものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the fuse according to the second aspect, wherein the second metal film is formed of a low melting point metal at substantially the center between the pair of electrodes of the first metal film. It is.

【0017】そして、第2の金属膜を低融点金属にて第
1の金属膜の一対の電極間の略中央に積層形成するた
め、第1の金属膜が一対の電極間の略中央で確実に溶断
し、安定した特性が得られる。
Further, since the second metal film is formed of a low melting point metal at substantially the center between the pair of electrodes of the first metal film, the first metal film is surely formed substantially at the center between the pair of electrodes. And stable characteristics are obtained.

【0018】請求項4記載のヒューズは、請求項2また
は3記載のヒューズにおいて、第1の金属膜は、銅で、
第2の金属膜は、錫、鉛、アンチモン、アルミニウム、
亜鉛、ビスマス、これら金属の少なくとも2種類からな
る合金、錫−銅合金、錫−銀合金、銅−銀合金から選択
された低融点金属であるものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the fuse according to the second or third aspect, the first metal film is made of copper;
The second metal film is made of tin, lead, antimony, aluminum,
It is a low melting point metal selected from zinc, bismuth, an alloy composed of at least two of these metals, a tin-copper alloy, a tin-silver alloy, and a copper-silver alloy.

【0019】そして、銅にて形成される第1の金属膜
に、錫、鉛、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、ビスマ
ス、これら金属の少なくとも2種類からなる合金、錫−
銅合金、錫−銀合金、銅−銀合金から選択された低融点
金属の第2の金属膜を積層形成するため、ポリイミド樹
脂層との密着性が高く下地として取扱が容易な第1の金
属膜の銅に対して、錫、鉛、アンチモン、アルミニウ
ム、亜鉛、ビスマス、これら金属の少なくとも2種類か
らなる合金、錫−銅合金、錫−銀合金、銅−銀合金から
選択された低融点金属の第2の金属膜が安定して積層形
成されるので、ヒューズエレメント材の第2の金属膜が
所定のヒューズパターンで確実に安定して形成され、安
定した特性が得られる。
Then, tin, lead, antimony, aluminum, zinc, bismuth, an alloy composed of at least two kinds of these metals, tin-
Since the second metal film of a low melting point metal selected from a copper alloy, a tin-silver alloy, and a copper-silver alloy is formed by lamination, the first metal which has high adhesion to the polyimide resin layer and is easy to handle as a base Low melting point metal selected from tin, lead, antimony, aluminum, zinc, bismuth, alloys composed of at least two of these metals, tin-copper alloy, tin-silver alloy, copper-silver alloy with respect to copper in the film Is stably laminated, the second metal film of the fuse element material is formed stably with a predetermined fuse pattern, and stable characteristics are obtained.

【0020】請求項5記載のヒューズは、請求項2ない
し4いずれか一記載のヒューズにおいて、第1の金属膜
は、厚さ寸法が6μm以下であるものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the fuse according to any one of the second to fourth aspects, the first metal film has a thickness of 6 μm or less.

【0021】そして、第1の金属膜の厚さ寸法を6μm
以下とするため、第1の金属膜を下地としての機能を有
しかつヒューズエレメントの溶断特性に影響を及ぼさな
い薄膜に形成され、小型化が図れる。
The thickness of the first metal film is set to 6 μm
For the following reason, the first metal film is formed as a thin film having a function as a base and not affecting the fusing characteristics of the fuse element, thereby achieving miniaturization.

【0022】請求項6記載のヒューズは、請求項1ない
し5いずれか一記載のヒューズにおいて、絶縁基板は、
プリプレグ材が熱圧着によるポリイミド樹脂層の形成の
際に硬化されて形成され、ポリイミド樹脂層は、ポリイ
ミドフィルムが前記プリプレグ材に熱圧着されて形成さ
れたものである。
A fuse according to claim 6 is the fuse according to any one of claims 1 to 5, wherein the insulating substrate is
The prepreg material is formed by being cured when the polyimide resin layer is formed by thermocompression bonding. The polyimide resin layer is formed by thermocompression bonding a polyimide film to the prepreg material.

【0023】そして、プリプレグ材にポリイミドフィル
ムを熱圧着してプリプレグ材の部分が絶縁基板となりポ
リイミドフィルムの部分がポリイミド樹脂層となるた
め、絶縁基板とポリイミド樹脂層との高い密着性が得ら
れる。
Then, the polyimide film is thermocompression-bonded to the prepreg material, so that the prepreg material portion becomes the insulating substrate and the polyimide film portion becomes the polyimide resin layer, so that high adhesion between the insulating substrate and the polyimide resin layer can be obtained.

【0024】請求項7記載のヒューズは、請求項1ない
し6いずれか一記載のヒューズにおいて、ヒューズエレ
メントを覆う保護層を備えたものである。
A fuse according to a seventh aspect is the fuse according to any one of the first to sixth aspects, further comprising a protective layer covering the fuse element.

【0025】そして、ヒューズエレメントを覆う保護層
を設けるため、衝撃や衝突などの外力からヒューズエレ
メントが保護され、安定した特性が得られるとともに、
溶断の際に生じる金属蒸気にて周囲に悪影響を与えるこ
とを防止する。
Since the protective layer is provided to cover the fuse element, the fuse element is protected from external force such as impact or collision, and stable characteristics can be obtained.
Prevents metal vapor generated during fusing from adversely affecting the surroundings.

【0026】請求項8記載のヒューズは、請求項7記載
のヒューズにおいて、保護層は、シリコーン樹脂である
ものである。
The fuse according to claim 8 is the fuse according to claim 7, wherein the protective layer is a silicone resin.

【0027】そして、保護層としての柔かいシリコーン
樹脂を用いるため、外部からの衝撃によるヒューズエレ
メントの損傷を確実に防止するとともに、ヒューズエレ
メントの溶断の際に発生するアークが外部に放出するこ
とを防止し、安定して確実に金属膜の溶断による一対の
電極間が開放し、安定した特性が得られる。
Since the soft silicone resin is used as the protective layer, the fuse element is surely prevented from being damaged by an external impact, and the arc generated when the fuse element is blown is prevented from being released to the outside. Then, the gap between the pair of electrodes is opened stably and reliably by fusing the metal film, and stable characteristics are obtained.

【0028】請求項9記載のヒューズの製造方法は、一
面に第1の金属膜が設けられたポリイミドフィルムを前
記第1の金属膜を上方に向けて絶縁基板上に熱圧着し、
前記第1の金属膜を所定のヒューズパターンにエッチン
グし、このエッチングされた第1の金属膜の上面に第2
の金属膜をめっきにより形成するものである。
According to a ninth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a fuse, a polyimide film having a first metal film provided on one surface is thermocompression-bonded on an insulating substrate with the first metal film facing upward.
The first metal film is etched into a predetermined fuse pattern, and a second fuse film is formed on the upper surface of the etched first metal film.
Is formed by plating.

【0029】そして、一面に設けられた第1の金属膜を
上方に向けてポリイミドフィルムを絶縁基板上に熱圧着
し、第1の金属膜を所定のヒューズパターンにエッチン
グ処理した後に、第1の金属膜の上面に第2の金属膜を
めっき形成してヒューズエレメントを形成するため、ヒ
ューズエレメントの溶断の際の熱が熱圧着にて設けられ
たポリイミドフィルムにより絶縁基板を用いても熱の放
散抑制にて速断化傾向を回避するとともに、密着性が高
いヒューズエレメントが得られるヒューズが、従来のエ
ッチング処理および導電膜再形成処理を行う必要なく容
易に形成され、製造性が向上する。
Then, a polyimide film is thermocompression-bonded on an insulating substrate with the first metal film provided on one surface facing upward, and the first metal film is etched into a predetermined fuse pattern. Since the fuse element is formed by plating the second metal film on the upper surface of the metal film, the heat when the fuse element is blown is dissipated even when an insulating substrate is used by a polyimide film provided by thermocompression bonding. In addition to avoiding the tendency of rapid disconnection by suppression, a fuse that can provide a fuse element with high adhesion can be easily formed without the necessity of performing a conventional etching process and a conductive film re-forming process, thereby improving manufacturability.

【0030】請求項10記載のヒューズの製造方法は、
請求項9記載のヒューズの製造方法において、第2の金
属膜は、低融点金属にて第1の金属膜の一対の電極間の
略中央に積層形成するものである。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a fuse, comprising:
In the method of manufacturing a fuse according to the ninth aspect, the second metal film is formed of a low melting point metal at a substantially central portion between the pair of electrodes of the first metal film.

【0031】そして、第2の金属膜を低融点金属にて第
1の金属膜の一対の電極間の略中央に積層形成するた
め、第1の金属膜が一対の電極間の略中央で確実に溶断
し、安定した特性のヒューズが得られる。
Since the second metal film is formed of a low melting point metal at substantially the center between the pair of electrodes of the first metal film, the first metal film is surely formed substantially at the center between the pair of electrodes. And a fuse having stable characteristics can be obtained.

【0032】請求項11記載のヒューズの製造方法は、
請求項9または10記載のヒューズの製造方法におい
て、第1の金属膜は、銅で、第2の金属膜は、錫、鉛、
アンチモン、アルミニウム、亜鉛、ビスマス、これら金
属の少なくとも2種類からなる合金、錫−銅合金、錫−
銀合金、銅−銀合金から選択された低融点金属であるも
のである。
[0032] A method of manufacturing a fuse according to claim 11 is as follows.
The method for manufacturing a fuse according to claim 9, wherein the first metal film is made of copper, and the second metal film is made of tin, lead,
Antimony, aluminum, zinc, bismuth, alloys of at least two of these metals, tin-copper alloys, tin-
It is a low melting point metal selected from a silver alloy and a copper-silver alloy.

【0033】そして、銅にて形成される第1の金属膜
に、錫、鉛、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、ビスマ
ス、これら金属の少なくとも2種類からなる合金、錫−
銅合金、錫−銀合金、銅−銀合金から選択された低融点
金属の第2の金属膜を積層形成するため、ポリイミド樹
脂層との密着性が高く下地として取扱が容易な第1の金
属膜の銅に対して、錫、鉛、アンチモン、アルミニウ
ム、亜鉛、ビスマス、これら金属の少なくとも2種類か
らなる合金、錫−銅合金、錫−銀合金、銅−銀合金から
選択された低融点金属の第2の金属膜が安定して積層形
成されるので、ヒューズエレメント材の第2の金属膜が
所定のヒューズパターンで確実に安定して形成され、安
定した特性が得られる。
Then, tin, lead, antimony, aluminum, zinc, bismuth, an alloy comprising at least two of these metals, tin-
Since the second metal film of a low melting point metal selected from a copper alloy, a tin-silver alloy, and a copper-silver alloy is formed by lamination, the first metal which has high adhesion to the polyimide resin layer and is easy to handle as a base Low melting point metal selected from tin, lead, antimony, aluminum, zinc, bismuth, alloys composed of at least two of these metals, tin-copper alloy, tin-silver alloy, copper-silver alloy with respect to copper in the film Is stably laminated, the second metal film of the fuse element material is formed stably with a predetermined fuse pattern, and stable characteristics are obtained.

【0034】[0034]

【発明の実施の形態】以下、本発明のヒューズの実施の
一形態の構成を図面を参照して説明する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view of a fuse according to an embodiment of the present invention.

【0035】図1において、1はヒューズで、このヒュ
ーズ1は、ガラスクロスおよび熱硬化性樹脂を含有する
略長方形板状の絶縁基板としてのガラスクロス樹脂基板
2を有している。なお、絶縁基板としては、ガラスクロ
ス樹脂基板2に限らず、例えばアルミナやガラスなどの
セラミックス材料にて形成した基板や合成樹脂にて形成
した基板、セラミックス材料と合成樹脂との複合材料に
て形成した基板など、絶縁性のいずれのものでもでき
る。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a fuse. The fuse 1 has a glass cloth resin substrate 2 as a substantially rectangular plate-like insulating substrate containing glass cloth and a thermosetting resin. The insulating substrate is not limited to the glass cloth resin substrate 2 and may be, for example, a substrate formed of a ceramic material such as alumina or glass, a substrate formed of a synthetic resin, or a composite material of a ceramic material and a synthetic resin. Any insulating material such as a substrate that has been made can be used.

【0036】そして、ガラスクロス樹脂基板2は、例え
ばガラスクロスにエポキシ樹脂やポリイミド樹脂、フッ
素樹脂、ポリフェニレンエーテルを変成させて熱硬化性
を持たせた樹脂を含浸させたもので、回路基板用に流通
しているプリプレグを使用することができる。なお、特
に、ポリイミド樹脂およびポリフェニレンエーテル樹脂
を用いたものが、高い耐熱性の物性をもつことから好ま
しい。
The glass cloth resin substrate 2 is, for example, a glass cloth impregnated with a resin obtained by modifying epoxy resin, polyimide resin, fluorine resin, or polyphenylene ether to have a thermosetting property. Commercially available prepregs can be used. In particular, those using a polyimide resin and a polyphenylene ether resin are preferable because they have high heat-resistant properties.

【0037】また、このガラスクロス樹脂基板2の上面
には、ポリイミド樹脂層3が薄膜形成されている。この
ポリイミド樹脂層3は、例えばポリイミドフィルム3aが
ガラスクロス樹脂基板2に熱圧着されることにより形成
される。すなわち、ガラスクロス樹脂基板2がガラスク
ロスに熱硬化性樹脂が含浸されたプリプレグ構造である
ことから、縦寸法が1m、横寸法が1mの大きなガラス
クロス樹脂基板2でも熱プレスにより容易に熱圧着され
て貼り合わされる。
On the upper surface of the glass cloth resin substrate 2, a polyimide resin layer 3 is formed as a thin film. The polyimide resin layer 3 is formed, for example, by thermocompression bonding a polyimide film 3a to the glass cloth resin substrate 2. That is, since the glass cloth resin substrate 2 has a prepreg structure in which a thermosetting resin is impregnated into a glass cloth, even a large glass cloth resin substrate 2 having a vertical dimension of 1 m and a horizontal dimension of 1 m can be easily thermocompressed by hot pressing. And bonded together.

【0038】さらに、ポリイミド樹脂層3の上面には、
所定のヒューズパターン、例えば一部である中間部分が
幅狭の狭隘部4となる帯状にガラスクロス樹脂基板2の
長手方向に沿って第1の金属膜5が形成されている。こ
の第1の金属膜5は、例えば銅がスパッタリングによ
り、下地材としての機能を有しかつヒューズ特性に影響
を与えない必要最小限の厚さ寸法である6μm以下、特
に1μm以下、具体的には0.25μmの薄膜状に形成
されている。そして、ヒューズパターンとなる狭隘部4
は、例えばフォトエッチングにより形成される。なお、
第1の金属膜5は、金属蒸着、接着剤による貼り合わ
せ、無電解めっきなどにて形成してもよい。また、接着
剤を用いて貼り合わせる場合、有機系や無機系などいず
れのものでもよいが、特にシリコーン樹脂系接着剤が好
ましい。すなわち、シリコーン樹脂の高耐熱性により、
狭隘部4が通電時や電流遮断時に発熱しても、ポリイミ
ド樹脂層3への熱の伝達を抑制できポリイミド樹脂層3
の熱劣化を防止できる。
Further, on the upper surface of the polyimide resin layer 3,
A first metal film 5 is formed along a longitudinal direction of the glass cloth resin substrate 2 in a predetermined fuse pattern, for example, in a band shape in which an intermediate portion, which is a part, becomes a narrow portion 4. The first metal film 5 has a required minimum thickness dimension of 6 μm or less, particularly 1 μm or less, which has a function as a base material and does not affect fuse characteristics by sputtering of copper, for example. Are formed in a 0.25 μm thin film. And the narrow part 4 which becomes a fuse pattern
Is formed by, for example, photoetching. In addition,
The first metal film 5 may be formed by metal deposition, bonding with an adhesive, electroless plating, or the like. In the case of bonding using an adhesive, any of an organic type and an inorganic type may be used, but a silicone resin type adhesive is particularly preferable. That is, due to the high heat resistance of the silicone resin,
Even if the narrow portion 4 generates heat when energizing or interrupting current, the transfer of heat to the polyimide resin layer 3 can be suppressed.
Can be prevented from being thermally degraded.

【0039】そしてさらに、第1の金属膜5の上面に
は、第2の金属膜6が積層形成されている。この第2の
金属膜6は、例えば錫、鉛、アンチモン、アルミニウ
ム、亜鉛、ビスマス、あるいは、これら金属の少なくと
も2種類からなる合金、あるいは、錫−銅合金、錫−銀
合金、銅−銀合金から選択されたヒューズエレメント材
となる低融点の金属にて、めっき処理などにより形成さ
れる。そして、これら第1の金属膜5および第2の金属
膜6にてヒューズエレメント7が構成される。
Further, on the upper surface of the first metal film 5, a second metal film 6 is formed by lamination. The second metal film 6 is made of, for example, tin, lead, antimony, aluminum, zinc, bismuth, or an alloy composed of at least two of these metals, or a tin-copper alloy, a tin-silver alloy, or a copper-silver alloy Is formed by plating or the like with a low melting point metal to be a fuse element material selected from the group consisting of: The first metal film 5 and the second metal film 6 constitute a fuse element 7.

【0040】なお、第1の金属膜5の形成に銅を用い、
第2の金属膜6の形成に錫を用いる場合、銅と錫との相
互拡散作用により合金化するおそれがあるため、この場
合には、第1の金属膜5と第2の金属膜6との間に、第
3の金属膜8を積層形成するとよい。この第3の金属膜
8は、例えば第1の金属膜5および第2の金属膜6と相
互拡散作用により合金化せず、銅と錫との相互拡散作用
による合金化を防止するニッケルなどの金属が、下地材
としての機能を有しかつヒューズ特性に影響を与えない
必要最小限の厚さ寸法である1μm以下、例えば0.2
5μmの薄膜状にめっき処理などにて形成される。な
お、この第3の金属膜8は、第1の金属膜5および第2
の金属膜6との相互拡散作用による合金化を生じない材
料を用いる場合には、製造性やコストの点で設けない。
The first metal film 5 is formed of copper,
When tin is used for forming the second metal film 6, alloying may occur due to the interdiffusion between copper and tin. In this case, the first metal film 5 and the second metal film 6 In between, the third metal film 8 may be formed by lamination. The third metal film 8 does not alloy with the first metal film 5 and the second metal film 6 due to the interdiffusion action, but is made of nickel or the like that prevents alloying due to the interdiffusion action between copper and tin. The metal has a required minimum thickness of 1 μm or less, for example, 0.2 μm, which has a function as a base material and does not affect fuse characteristics.
It is formed into a thin film of 5 μm by plating or the like. Note that the third metal film 8 is formed of the first metal film 5 and the second metal film 5.
When a material that does not cause alloying due to the interdiffusion with the metal film 6 is used, it is not provided in terms of manufacturability and cost.

【0041】また、ガラスクロス樹脂基板2の裏面に
は、長手方向の両端に位置して幅方向に帯状の電解銅箔
9が一対設けられている。この電解銅箔9は、例えば薄
膜シート状の銅の電解箔9aが熱圧着により接着された後
にエッチング処理により中間部が除去されてガラスクロ
ス樹脂基板2の長手方向の両端部に離間して位置するよ
うに一対形成される。なお、ガラスクロス樹脂基板2が
ガラスクロスに熱硬化性樹脂が含浸されたプリプレグ構
造であることから、電解銅箔9は縦寸法が1m、横寸法
が1mの大きなガラスクロス樹脂基板2でも熱プレスに
より容易に熱圧着されて貼り合わされる。
On the back surface of the glass cloth resin substrate 2, a pair of strip-shaped electrolytic copper foils 9 are provided in the width direction at both ends in the longitudinal direction. The electrolytic copper foil 9 is, for example, a thin film sheet-shaped copper electrolytic foil 9a adhered by thermocompression bonding, and then an intermediate portion is removed by an etching process so as to be spaced apart at both longitudinal ends of the glass cloth resin substrate 2. And a pair is formed. Since the glass cloth resin substrate 2 has a prepreg structure in which a glass cloth is impregnated with a thermosetting resin, the electrolytic copper foil 9 has a length of 1 m and a width of 1 m. And easily bonded by thermocompression bonding.

【0042】さらに、ガラスクロス樹脂基板2の長手方
向の両端には、第2の金属膜6の両端部、すなわちヒュ
ーズパターンとなる狭隘部4が位置しない幅広の両端部
からガラスクロス樹脂基板2の長手方向の端面および裏
面の電解銅箔9に亘って、例えば無電解めっきにより断
面略コ字状のめっき層10が形成されている。そして、電
解銅箔9およびめっき層10にて電極11が構成される。な
お、めっき層10は、導電ペーストを印刷やディップなど
にて層状に形成して硬化させるなどしてもよい。さら
に、めっき層10の表面に、半田めっきを施してもよい。
Further, at both ends in the longitudinal direction of the glass cloth resin substrate 2, both ends of the second metal film 6, that is, wide ends where the narrow portion 4 serving as a fuse pattern is not located, are separated from the glass cloth resin substrate 2. A plating layer 10 having a substantially U-shaped cross section is formed by, for example, electroless plating over the electrolytic copper foil 9 on the end face and the back face in the longitudinal direction. The electrode 11 is composed of the electrolytic copper foil 9 and the plating layer 10. The plating layer 10 may be formed by forming a conductive paste into a layer by printing, dipping, or the like, and curing the layer. Further, the surface of the plating layer 10 may be subjected to solder plating.

【0043】さらに、ガラスクロス樹脂基板2の表面側
の電極11,11間には、ヒューズエレメント7を覆うよう
に絶縁性の保護層13が設けられている。この保護層13
は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン
樹脂などの熱硬化性樹脂がスクリーン印刷やエッチング
などにて形成されている。
Further, an insulating protective layer 13 is provided between the electrodes 11 on the surface side of the glass cloth resin substrate 2 so as to cover the fuse element 7. This protective layer 13
Is formed of a thermosetting resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, or a silicone resin by screen printing or etching.

【0044】なお、保護層13は、例えばガラスクロス樹
脂基板2の上面にシリコーン樹脂層を設け、このシリコ
ーン樹脂層の上面に熱硬化性樹脂である第2保護層とな
るエポキシ樹脂層を被覆形成した2層構造などの複数層
を積層形成した構造でもよい。なお、この外層側にエポ
キシ樹脂、内層側にシリコーン樹脂を設けることによ
り、柔らかく接着強度が比較的大きくないシリコーン樹
脂により外部からの衝撃およびヒューズエレメント7と
なる狭隘部4の溶断時の衝撃を吸収して狭隘部4の損傷
を防止でき、シリコーン樹脂が高強度のエポキシ樹脂に
より保護されてシリコーン樹脂の衝撃による損傷も防止
できるとともに、酸素などの気体や水分を透過しやすい
シリコーン樹脂をエポキシ樹脂にて被覆することにより
長期に亘って狭隘部4の劣化を防止できる。
As the protective layer 13, for example, a silicone resin layer is provided on the upper surface of the glass cloth resin substrate 2, and an epoxy resin layer serving as a second protective layer which is a thermosetting resin is formed on the upper surface of the silicone resin layer. A structure formed by laminating a plurality of layers, such as a two-layer structure described above, may be used. By providing an epoxy resin on the outer layer side and a silicone resin on the inner layer side, a soft silicone resin having a relatively low adhesive strength absorbs an external impact and an impact at the time of fusing the narrow portion 4 serving as the fuse element 7. To prevent damage to the narrow portion 4 and protect the silicone resin with a high-strength epoxy resin to prevent damage due to the impact of the silicone resin. By covering the narrow portion 4, deterioration of the narrow portion 4 can be prevented for a long period of time.

【0045】そして、2層構造において、第1保護層
は、シリコーン樹脂に限らず、耐熱性に優れ、ヒューズ
エレメント7との接着強度が余り強くなく軟質の合成樹
脂であれば、他のいずれの合成樹脂でもよい。さらに、
第2保護層は、エポキシ樹脂に限らず、機械的強度が高
く気体や水分を透過不可能な合成樹脂であれば他のいず
れの合成樹脂でもよい。
In the two-layer structure, the first protective layer is not limited to the silicone resin, but may be made of any other soft synthetic resin which is excellent in heat resistance, has a very low adhesive strength to the fuse element 7 and is not soft. Synthetic resin may be used. further,
The second protective layer is not limited to an epoxy resin, and may be any other synthetic resin having high mechanical strength and impermeable to gas or moisture.

【0046】次に、上記チップ状のヒューズ1を製造す
る工程を説明する。
Next, a process for manufacturing the chip-shaped fuse 1 will be described.

【0047】まず、図3に示すように、あらかじめ例え
ば熱硬化性樹脂がガラスクロスに含浸されて形成された
略長方形の平板状のガラスクロス樹脂板15の一面側に、
あらかじめ一面に例えば銅がスパッタリングにて薄膜状
に形成されたスパッタ膜16が設けられたポリイミドフィ
ルム3aを上方であるガラスクロス樹脂板15に対して反対
側に位置させて重ね合わせるとともに、ガラスクロス樹
脂板15の他面側に、銅の電解箔17を重ね合わせる。そし
て、この積層する状態で熱プレスして、互いに熱圧着す
る。
First, as shown in FIG. 3, a substantially rectangular flat glass cloth resin plate 15 formed by impregnating a glass cloth with a thermosetting resin in advance, for example,
A polyimide film 3a provided with a sputtered film 16 in which a thin film is formed in advance by, for example, copper sputtering is placed on the upper side of the glass cloth resin plate 15 on the side opposite to the glass cloth resin plate 15 and overlapped. A copper electrolytic foil 17 is overlaid on the other surface of the plate 15. Then, they are hot-pressed in the state of being laminated, and are thermocompression-bonded to each other.

【0048】次に、スパッタ膜16を所定のヒューズパタ
ーンとなるように化学的なエッチング処理を施して第1
の金属膜5を形成する。さらに、裏面側に位置する電解
箔17を同様に化学的なエッチング処理により所定の間隔
で対向する帯状、すなわち複数条のスリット状のパター
ンの電解銅箔9を形成する。
Next, the sputtered film 16 is subjected to a chemical etching process so as to have a predetermined fuse pattern, and the first
Is formed. Further, the electrolytic foil 17 located on the back side is similarly subjected to a chemical etching process to form an electrolytic copper foil 9 having a band shape facing at a predetermined interval, that is, a plurality of slit-like patterns.

【0049】この後、錫などの低融点金属を例えば電気
めっきにて第1の金属膜5の上面に積層形成し、第2の
金属膜6を形成して第1の金属膜5とにてヒューズエレ
メント7を構成する。
Thereafter, a low-melting point metal such as tin is laminated on the upper surface of the first metal film 5 by, for example, electroplating, and a second metal film 6 is formed. The fuse element 7 is configured.

【0050】なお、例えば第1の金属膜6を銅にて形成
し、第2の金属膜6を錫にて形成する場合、銅と錫との
相互拡散作用により合金化するおそれがある。このよう
な相互拡散作用により第1の金属膜5と第2の金属膜6
とが合金化するおそれがある場合には、第2の金属膜6
を形成する前に、第1の金属膜5の上面に相互拡散作用
を示さない例えばニッケルなどの金属をめっきして第3
の金属膜8を形成し、この第3の金属膜8の上面に第2
の金属膜6を形成する。
When, for example, the first metal film 6 is formed of copper and the second metal film 6 is formed of tin, alloying may occur due to the interdiffusion between copper and tin. By such an interdiffusion effect, the first metal film 5 and the second metal film 6
When there is a risk that the second metal film 6
Before the formation of the third metal film 5, the upper surface of the first metal film 5 is plated with a metal such as nickel, which does not exhibit an interdiffusion effect.
Is formed, and a second metal film 8 is formed on the upper surface of the third metal film 8.
Is formed.

【0051】さらに、ガラスクロス樹脂板15の表面側に
位置して帯状にヒューズエレメント7の狭隘部4を覆う
ように帯状、例えはシリコーン樹脂を厚さ寸法が40μ
mにスクリーン印刷した後、約120℃の雰囲気に2時
間暴露して加熱硬化し、保護層13を形成する。
Further, a belt-like shape, for example, a silicone resin having a thickness of 40 μm, which is located on the surface side of the glass cloth resin plate 15 and covers the narrow portion 4 of the fuse element 7 in a belt-like shape.
After screen printing, a protective layer 13 is formed by exposing to an atmosphere of about 120 ° C. for 2 hours and heat-curing.

【0052】次に、スリット状の電解銅箔9の幅方向の
中央位置で長手方向に沿って切断して短冊状の短冊物を
切り出す。なお、ガラスクロス樹脂板15は、セラミック
スやガラスのように脆くないので容易に切断できる。そ
して、この切断により得られた短冊物の切断面、表面側
の第2の金属膜6の両端側および裏面側の電解銅箔9に
亘って例えば無電解めっきおよび電解めっきの組み合わ
せにより表面から切断面および裏面に亘る断面略コ字状
のめっき層10を形成して電解銅箔9とにて電極を構成す
る。すなわち、短冊物の保護層13にて被覆されていない
端部部分である露出する両端部および電解銅箔9に無電
解銅めっきを施す。または、短冊物の切断面に例えば導
電ペーストを塗布した面にディップ処理し、切断面およ
び露出した第2の電極膜6,6および電解銅箔9に塗布
印刷し、約200℃の雰囲気に約30分暴露して加熱硬
化し、断面略コ字状のめっき層10を形成してもよい。
Next, the strip-shaped electrolytic copper foil 9 is cut along the longitudinal direction at the center position in the width direction to cut out a strip-shaped strip. The glass cloth resin plate 15 can be easily cut because it is not brittle like ceramics and glass. Then, the cut surface of the strip obtained by this cutting, the both ends of the second metal film 6 on the front surface side, and the electrolytic copper foil 9 on the rear surface side are cut from the surface by, for example, a combination of electroless plating and electrolytic plating. An electrode is formed with the electrolytic copper foil 9 by forming a plating layer 10 having a substantially U-shaped cross section over the surface and the back surface. That is, electroless copper plating is applied to the exposed end portions, which are the end portions not covered with the protective layer 13 of the strip, and the electrolytic copper foil 9. Alternatively, the cut surface of the strip is dipped on a surface coated with, for example, a conductive paste, and the cut surface and the exposed second electrode films 6 and 6 and the electrolytic copper foil 9 are applied and printed. Exposure for 30 minutes and heat curing may form the plating layer 10 having a substantially U-shaped cross section.

【0053】この後、短冊物を幅方向にヒューズエレメ
ント7の狭隘部4間の中央位置で、例えば長さ寸法が略
2mm、幅寸法が略1.25mm、厚さ寸法が略0.5
mmのチップ状に切断する。そして、例えば保護層13の
上面に電気特性などの文字や記号などをマーキングし
て、表面実装型のヒューズ1を得る。
Thereafter, the strip is placed at the center between the narrow portions 4 of the fuse element 7 in the width direction, for example, the length is approximately 2 mm, the width is approximately 1.25 mm, and the thickness is approximately 0.5.
Cut into mm-shaped chips. Then, for example, characters or symbols such as electric characteristics are marked on the upper surface of the protective layer 13 to obtain the surface-mounted fuse 1.

【0054】上述したように、ヒューズ特性に影響を与
えない必要最小限の厚さ寸法で第1の金属膜5となるス
パッタ膜16を設けたポリイミドフィルム3aをガラスクロ
ス樹脂板15に熱圧着し、第1の金属膜5を下地としてヒ
ューズエレメント材の低融点金属を積層して第2の金属
膜6を形成してヒューズエレメント7とするため、従来
のように、ヒューズエレメント7とガラスクロス樹脂基
板2との密着性を向上させるためにガラスクロス樹脂基
板2上に設けられた銅箔を全面的にエッチング処理した
後に無電解めっきによる導電膜生成処理にて、後工程で
錫が積層形成される所定のヒューズパターンで銅を再形
成する工程が不要で、製造性を向上できるとともに、ポ
リイミド樹脂層3にてヒューズエレメント7の溶断の際
の熱がガラスクロス樹脂基板2を通じて放散されること
を抑制できるので、例えば強度および加工性などに優れ
たガラス繊維などのセラミックス材料が混入されたガラ
スクロス樹脂板15を用いても熱の放散抑制により速断化
傾向を回避できる。
As described above, the polyimide film 3a provided with the sputtered film 16 serving as the first metal film 5 with the necessary minimum thickness dimension which does not affect the fuse characteristics is thermocompression-bonded to the glass cloth resin plate 15. Since the second metal film 6 is formed by laminating a low melting point metal of the fuse element material with the first metal film 5 as a base, the fuse element 7 and the glass cloth resin are formed as in the related art. After the copper foil provided on the glass cloth resin substrate 2 is entirely etched to improve the adhesion to the substrate 2, tin is laminated and formed in a later step by a conductive film generation process by electroless plating. This eliminates the need for a step of re-forming copper with a predetermined fuse pattern, thereby improving the manufacturability and reducing the heat generated when the fuse element 7 is blown off by the glass cloth. Since the radiation through the resin substrate 2 can be suppressed, for example, even if a glass cloth resin plate 15 mixed with a ceramic material such as glass fiber having excellent strength and workability is used, the tendency to quickly break due to the suppression of heat radiation is reduced. Can be avoided.

【0055】そして、ポリイミドフィルム3aの所定のヒ
ューズパターンにエッチングした金属膜上に電解めっき
にてヒューズエレメント7を形成するので、めっき厚の
ばらつきが生じにくく、素子抵抗値のばらつきが低減し
て一定の溶断時間が容易に得られ、安定した特性が得ら
れるとともに、金属種の制約があまりなく連続処理可能
な電解めっきによるため、設定する素子抵抗値の範囲を
拡大でき、溶断特性の異なる各種品質のヒューズ1を容
易に形成でき、生産性も向上できる。
Since the fuse element 7 is formed by electrolytic plating on the metal film etched on the predetermined fuse pattern of the polyimide film 3a, variation in plating thickness is less likely to occur, and variation in element resistance is reduced. Fusing time can be easily obtained, stable characteristics can be obtained, and the electroplating that can be continuously processed with few restrictions on metal types can expand the range of element resistance values to be set. Fuse 1 can be easily formed, and the productivity can be improved.

【0056】さらに、所定のヒューズパターンにエッチ
ングするため、剥離される金属の量が低減し、廃液の処
理および管理が容易となり、製造コストの低減も図れ
る。
Further, since the etching is performed to the predetermined fuse pattern, the amount of the metal to be peeled is reduced, the treatment and management of the waste liquid are facilitated, and the manufacturing cost can be reduced.

【0057】また、銅にて形成される第1の金属膜5
に、錫、鉛、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、ビスマ
ス、これら金属の少なくとも2種類からなる合金、錫−
銅合金、錫−銀合金、銅−銀合金から選択された低融点
金属の第2の金属膜6を積層形成するため、ポリイミド
樹脂層3との密着性が高く下地として取扱が容易な第1
の金属膜5の銅に対して、錫、鉛、アンチモン、アルミ
ニウム、亜鉛、ビスマス、これら金属の少なくとも2種
類からなる合金、錫−銅合金、錫−銀合金、銅−銀合金
から選択された低融点金属の第2の金属膜6が安定して
積層形成でき、ヒューズエレメント材の第2の金属膜が
所定のヒューズパターンで確実に安定して形成でき、安
定した特性を得ることができる。
The first metal film 5 formed of copper
And tin, lead, antimony, aluminum, zinc, bismuth, alloys of at least two of these metals, tin-
Since the second metal film 6 of a low-melting metal selected from a copper alloy, a tin-silver alloy, and a copper-silver alloy is formed by lamination, the first metal film has high adhesion to the polyimide resin layer 3 and is easy to handle as a base.
Is selected from tin, lead, antimony, aluminum, zinc, bismuth, alloys composed of at least two of these metals, tin-copper alloy, tin-silver alloy, and copper-silver alloy The second metal film 6 of the low melting point metal can be stably laminated, and the second metal film of the fuse element material can be reliably and stably formed with a predetermined fuse pattern, so that stable characteristics can be obtained.

【0058】そして、銅にて形成される第1の金属膜5
と錫にて形成される第2の金属膜6との間にニッケルに
て形成される第3の金属膜8を形成するため、第1の金
属膜5の銅と第2の金属膜6の錫とが相互拡散作用によ
り合金化することを防止して密着性の低下を防止でき、
安定した特性のヒューズ1を得ることができる。
Then, the first metal film 5 formed of copper
To form a third metal film 8 made of nickel between the first metal film 5 and the second metal film 6 made of tin. Prevents alloying of tin and tin by interdiffusion, preventing a decrease in adhesion.
Fuse 1 having stable characteristics can be obtained.

【0059】さらに、第1の金属膜5の厚さ寸法を6μ
m以下に設定するため、下地としての機能を有しかつヒ
ューズエレメントの溶断特性に影響を及ぼさない薄膜に
形成でき、小型化できる。
Further, the thickness of the first metal film 5 is set to 6 μm.
Since it is set to m or less, it can be formed into a thin film which has a function as a base and does not affect the fusing characteristics of the fuse element, and can be reduced in size.

【0060】また、第1の金属膜5をスパッタリングに
よりポリイミド樹脂層3の上面に設けるため、各種めっ
きの下地としての機能を有しかつヒューズエレメント7
の溶断特性に影響を及ぼさない薄膜状に容易に形成でき
るとともに、スパッタリングによりポリイミド樹脂層3
の表面に微細な凹凸が形成されてこの凹凸上に第1の金
属膜5が形成されることとなるので、第1の金属膜5の
密着性を向上でき、安定した特性が容易に得られ、製造
性も向上できる。
Further, since the first metal film 5 is provided on the upper surface of the polyimide resin layer 3 by sputtering, the first metal film 5 has a function as a base for various platings and has a function as a fuse element 7.
Can be easily formed into a thin film that does not affect the fusing characteristics of the polyimide resin layer 3 by sputtering.
Since fine irregularities are formed on the surface of the first metal film 5 and the first metal film 5 is formed on the irregularities, the adhesion of the first metal film 5 can be improved, and stable characteristics can be easily obtained. Also, manufacturability can be improved.

【0061】そして、プリプレグ構造の未熱硬化のガラ
スクロス樹脂基板2であるガラスクロス樹脂板10にポリ
イミドフィルム3aを熱圧着して、硬化したガラスクロス
樹脂基板2にポリイミド樹脂層3を一体的に形成するた
め、ポリイミド樹脂層3の高い密着性が得られるととも
に、熱プレスするのみで容易に形成でき、製造性を向上
できる。
Then, a polyimide film 3a is thermocompression-bonded to a glass cloth resin plate 10 which is an unheat-cured glass cloth resin substrate 2 having a prepreg structure, and the polyimide resin layer 3 is integrally formed on the cured glass cloth resin substrate 2. Since the polyimide resin layer 3 is formed, high adhesion of the polyimide resin layer 3 is obtained, and the polyimide resin layer 3 can be easily formed only by hot pressing, so that the productivity can be improved.

【0062】また、保護層13を設けるため、衝撃や衝突
などの外力からヒューズエレメント7を保護でき、安定
した特性が得られるとともに、溶断の際に生じる金属蒸
気にて周囲に悪影響を与えることを防止できる。
Further, since the protective layer 13 is provided, the fuse element 7 can be protected from an external force such as an impact or a collision, so that stable characteristics can be obtained and the surroundings are adversely affected by metal vapor generated at the time of fusing. Can be prevented.

【0063】さらに、保護膜13を熱硬化性樹脂にて形成
したため、ヒューズエレメント7を被覆固定でき、外部
からの応力によりヒューズエレメント7が損傷するなど
を防止できる。
Furthermore, since the protective film 13 is formed of a thermosetting resin, the fuse element 7 can be covered and fixed, and damage to the fuse element 7 due to external stress can be prevented.

【0064】また、熱硬化性樹脂のシリコーン樹脂を用
いて保護膜13を形成するため、外部からの衝撃によるヒ
ューズエレメント7の損傷を防止できるとともに、ヒュ
ーズエレメント7の溶断の際に発生するアークが外部に
放出することを防止でき、ヒューズエレメント7の溶断
による一対の電極11,11間を安定して確実に開放でき、
安定した特性が得られる。
Further, since the protective film 13 is formed by using a silicone resin as a thermosetting resin, damage to the fuse element 7 due to an external impact can be prevented, and an arc generated when the fuse element 7 is blown can be prevented. It can be prevented from being released to the outside, and the gap between the pair of electrodes 11, 11 due to the fusing of the fuse element 7 can be stably and reliably opened.
Stable characteristics can be obtained.

【0065】一方、電極11,11をガラスクロス樹脂基板
2のヒューズエレメント7が設けられた側と反対側であ
る裏面に亘って断面略コ字状に設けたため、電極11,11
のガラスクロス樹脂基板2との接合強度が増大して接合
性を向上でき、電極11,11の剥離などの損傷を防止でき
る。
On the other hand, since the electrodes 11, 11 are provided in a substantially U-shaped cross section over the back surface of the glass cloth resin substrate 2 opposite to the side on which the fuse element 7 is provided, the electrodes 11, 11 are provided.
The bonding strength with the glass cloth resin substrate 2 can be increased, the bonding property can be improved, and damage such as peeling of the electrodes 11, 11 can be prevented.

【0066】一方、ガラスクロスおよび熱硬化性樹脂を
含有し安価で入手が容易な高強度のガラスクロス樹脂基
板2を用いたため、脆くなく高速で切断などの加工が容
易で生産性を向上できるとともに、熱伝導率が低いので
周囲の温度による特性のばらつきやヒューズエレメント
7を構成する狭隘部4の発熱により回路基板の実装箇所
から脱落することを防止できるとともに、ヒューズエレ
メント7の通電時や溶断による電流遮断時の発熱により
ガラスクロス樹脂基板2が炭化するなどの損傷を防止で
き、溶断特性のばらつき、遮断性能の低下、溶断後の絶
縁抵抗の低下を防止でき、信頼性を向上できる。
On the other hand, since the high-strength glass cloth resin substrate 2 which is inexpensive and easily available and contains glass cloth and thermosetting resin is used, processing such as cutting at high speed is easy, and productivity can be improved. Since the thermal conductivity is low, it is possible to prevent the characteristics from fluctuating due to the ambient temperature and to prevent the fuse element 7 from falling off from the mounting portion of the circuit board due to heat generated by the narrow portion 4 constituting the fuse element 7. Damage such as carbonization of the glass cloth resin substrate 2 due to heat generated at the time of current interruption can be prevented, variation in fusing characteristics, reduction in breaking performance, and reduction in insulation resistance after fusing can be prevented, and reliability can be improved.

【0067】なお、上記実施の形態において、必要に応
じて1個のヒューズ1に複数の狭隘部4を設けてもよ
い。
In the above embodiment, a plurality of narrow portions 4 may be provided in one fuse 1 as needed.

【0068】さらに、第1の金属膜5として銅を用いて
説明したが、下地としての機能を有しかつヒューズ特性
に影響を与えないいずれの金属でもよい。なお、各種め
っきの下地金属として取扱が容易な銅が好ましい。
Further, although the description has been made using copper as the first metal film 5, any metal which has a function as a base and does not affect the fuse characteristics may be used. In addition, easy-to-handle copper is preferable as a base metal for various platings.

【0069】また、第2の金属膜6としては、いずれの
低融点金属にて形成してもよく、特に錫、鉛、アンチモ
ン、アルミニウム、亜鉛、ビスマス、これら金属の少な
くとも2種類からなる合金、錫−銅合金、錫−銀合金、
銅−銀合金から選択された低融点金属が好ましい。
The second metal film 6 may be formed of any low melting point metal, particularly, tin, lead, antimony, aluminum, zinc, bismuth, an alloy comprising at least two of these metals, Tin-copper alloy, tin-silver alloy,
A low melting point metal selected from a copper-silver alloy is preferred.

【0070】そして、第2の金属膜6は、第1の金属膜
5の長手方向の略中央、すなわち両端に設けられた一対
の電極間の略中央にのみ設けてもよい。この構成によれ
ば、第1の金属膜5の略中間位置で確実に溶断されて安
定した特性を得ることができるとともに、第2の金属膜
6を設ける領域が小さくなり、材料量が少なくなり、コ
ストも低減できる。
The second metal film 6 may be provided substantially only at the center of the first metal film 5 in the longitudinal direction, that is, substantially at the center between a pair of electrodes provided at both ends. According to this configuration, the first metal film 5 can be reliably blown at a substantially intermediate position and stable characteristics can be obtained, and the area where the second metal film 6 is provided is reduced, and the amount of material is reduced. Also, the cost can be reduced.

【0071】[0071]

【実施例】上記実施の形態により形成したヒューズ1に
ついて、溶断試験による溶断状況を観察した。
EXAMPLE The fuse 1 formed according to the above-described embodiment was observed for its fusing condition by a fusing test.

【0072】なお、試料としては、上記実施の形態と同
様に作製したものを用いた。
Note that a sample manufactured in the same manner as in the above embodiment was used.

【0073】すなわち、ガラスクロス樹脂板15として
は、ガラスクロスに熱硬化性に変成されたポリフェニレ
ンエーテル樹脂を含浸させた厚さ寸法が0.4mmのプ
リプレグであるガラスクロス樹脂板(東芝ケミカル株式
会社製 商品名:TLP-596-DA)を用い、スパッタ膜16が
設けられたポリイミドフィルム3aとしては、スパッタ膜
16の厚さ寸法が約0.25μm、厚さ寸法が約50μm
のもの(三井化学株式会社製 商品名:エッチャーフレ
ックス EAF−SANU2(025))、銅の電解箔
17としては、厚さ寸法が約18μmのもの(JIS-C-6513
で規定)を用い、さらにエッチングによりヒューズパタ
ーンを形成した。また、第2の金属膜6としては、錫を
電気めっきにより厚さ寸法を約20μmで形成した。さ
らに、第3の金属膜8としては、ニッケルめっきにて厚
さ寸法を約0.5μmで形成した。さらに、保護層13
は、シリコーン樹脂(信越化学工業株式会社製 商品
名:KE1831)を用いてスクリーン印刷し、熱硬化して形
成した。そして、縦寸法が約1.25mm、横寸法が約
2mmの試料となるヒューズ1を切り出した。
That is, the glass cloth resin plate 15 is a glass cloth resin plate (Toshiba Chemical Co., Ltd.) which is a prepreg having a thickness of 0.4 mm in which a glass cloth is impregnated with a thermosetting polyphenylene ether resin. Product name: TLP-596-DA), and the polyimide film 3a provided with the sputtered film 16 is a sputtered film.
16 thickness dimension is about 0.25μm, thickness dimension is about 50μm
(Trade name: Etcherflex EAF-SANU2 (025), manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.), electrolytic copper foil
17 has a thickness of about 18 μm (JIS-C-6513
And a fuse pattern was formed by etching. Further, as the second metal film 6, tin was formed to a thickness of about 20 μm by electroplating. Further, the third metal film 8 was formed to a thickness of about 0.5 μm by nickel plating. Furthermore, the protective layer 13
Was formed by screen printing using a silicone resin (trade name: KE1831 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and thermosetting. Then, a fuse 1 serving as a sample having a vertical dimension of about 1.25 mm and a horizontal dimension of about 2 mm was cut out.

【0074】また、比較試料として、銅貼りプリント配
線用基板(JIS-C-6490で規定のFCL-GI 18-18、厚さ寸法
0.4mm)の銅をエッチングにより全面的に剥離し、
この銅を剥離したプリント配線用基板の一面に銅めっき
を同様のヒューズパターンで無電解めっきして第1の金
属膜5を形成し、このめっきにて形成した第1の金属膜
5の上面に、同様にニッケルめっきによる第3の金属膜
8および錫の電気めっきによる第2の金属膜6を形成す
るとともに電極11および保護層13をそれぞれ設け同様の
形状に切り出して比較試料のヒューズとした。
As a comparative sample, copper on a copper-clad printed wiring board (FCL-GI 18-18 specified in JIS-C-6490, thickness 0.4 mm) was completely peeled off by etching.
Copper plating is electrolessly plated on one surface of the printed wiring board with a similar fuse pattern to form a first metal film 5 on the one surface of the printed wiring board, and the upper surface of the first metal film 5 formed by this plating is formed on the first metal film 5. Similarly, a third metal film 8 was formed by nickel plating and a second metal film 6 was formed by electroplating tin, and an electrode 11 and a protective layer 13 were provided respectively.

【0075】そして、リフローソルダリングにより標準
試験基板にそれぞれ面実装し、面実装した各試料で溶断
試験を行った結果、図4に示すように、従来の構造の比
較試料では速断化傾向を示したが、上記実施例のもので
は溶断までの時間が長くなり、速断化が防止された。
Then, as a result of performing a fusing test on each sample surface-mounted on a standard test board by reflow soldering, as shown in FIG. However, in the case of the above-mentioned embodiment, the time until the melting was long, and the rapid cutting was prevented.

【0076】さらに、比較試料のものではヒューズエレ
メントの溶断時の熱によってガラスクロス樹脂基板に相
当するプリント配線用基板が燃焼したが、実施例のもの
ではガラスクロス樹脂基板2の燃焼は生じなかった。
Further, in the case of the comparative sample, the printed wiring board corresponding to the glass cloth resin substrate was burned by the heat at the time of blowing the fuse element, but in the case of the embodiment, the glass cloth resin substrate 2 did not burn. .

【0077】さらに、実施例のものでは、ポリイミドフ
イルム3aの剥離も認められなかった。
Further, in the case of the example, peeling of the polyimide film 3a was not recognized.

【0078】次に、第1の金属膜5の厚さ寸法と溶断と
の関係について実験した。
Next, an experiment was conducted on the relationship between the thickness of the first metal film 5 and the fusing.

【0079】なお、試料としては、ポリイミドフィルム
3aの厚さ寸法が約0.25μmのスパッタ膜16上に、銅
膜を5μmとなるように電解めっきしたもの、および、
銅膜を7μmとなるように電解めっきしたものを用い、
上記実施例と同様に作製したヒューズ1を用いた。
The sample was a polyimide film
A copper film electroplated to a thickness of 5 μm on a sputtered film 16 having a thickness of 3a of about 0.25 μm, and
Using a copper film electrolytically plated so as to have a thickness of 7 μm,
Fuse 1 manufactured in the same manner as in the above example was used.

【0080】そして、同様に溶断試験を行った結果、銅
膜を5μm形成したものでは、上記実施例と同様に、溶
断までの時間が比較例よりも長くなり、速断化を防止で
きた。また、ガラスクロス樹脂基板2の燃焼も生じなか
った。一方、銅膜を7μm形成したものでは、溶断に至
るまでにガラスクロス樹脂基板2の燃焼を生じた。この
ため、第1の金属膜である銅膜の厚さ寸法は、6μm以
下にするとよいことがわかる。
As a result of the same fusing test, when the copper film was formed to a thickness of 5 μm, the time until fusing was longer than that in the comparative example, as in the above-mentioned example, and the rapid cutting was prevented. Further, the glass cloth resin substrate 2 did not burn. On the other hand, when the copper film was formed in a thickness of 7 μm, the glass cloth resin substrate 2 was burned before the fusing. Therefore, it is understood that the thickness of the copper film as the first metal film is preferably set to 6 μm or less.

【0081】さらに、第3の金属膜8による溶断性につ
いて実験した。
Further, an experiment was conducted on the fusing property of the third metal film 8.

【0082】なお、試料としては、第3の金属膜8を設
けずに、第2の金属膜6として鉛−錫合金(鉛90%、
錫10%)を電気めっきにて厚さ寸法を約20μmで形
成した以外は、上記実施例と同様に形成したものを用い
た。
As a sample, a lead-tin alloy (90% lead, 90% lead) was used as the second metal film 6 without providing the third metal film 8.
Tin (10%) was formed in the same manner as in the above example, except that the thickness was about 20 μm by electroplating.

【0083】そして、同様に溶断試験を行った結果、上
記実施例と同様に、溶断までの時間が比較例よりも長く
なり、速断化を防止できた。また、ガラスクロス樹脂基
板2の燃焼も生じなかった。
Then, as a result of performing a fusing test in the same manner as in the above example, the time until fusing was longer than that of the comparative example, so that rapid cutting could be prevented. Further, the glass cloth resin substrate 2 did not burn.

【0084】[0084]

【発明の効果】請求項1記載のヒューズによれば、絶縁
基板の上面にポリイミド樹脂層を設け、このポリイミド
樹脂層の上面に所定のヒューズパターンを構成するヒュ
ーズエレメントを設けるため、ポリイミド樹脂層にてヒ
ューズエレメントの溶断の際の熱が絶縁基板を通じて放
散されることを抑制でき、例えば強度および加工性など
に優れたガラス繊維などのセラミックス材料が混入され
た絶縁基板を用いても熱の放散抑制により速断化傾向を
回避できるとともに、例えばポリイミド樹脂層に密着性
の良好な金属膜を形成し、この金属膜上にヒューズエレ
メント材を積層形成することにより、密着性が高いヒュ
ーズエレメントが従来のエッチング処理および導電膜再
形成処理を行う必要なく容易に形成でき、製造性を向上
できる。
According to the fuse of the present invention, a polyimide resin layer is provided on the upper surface of the insulating substrate, and a fuse element constituting a predetermined fuse pattern is provided on the upper surface of the polyimide resin layer. This prevents the heat generated when the fuse element is blown from being radiated through the insulating substrate.For example, even when using an insulating substrate mixed with a ceramic material such as glass fiber, which has excellent strength and workability, the heat dissipation can be suppressed. In addition to avoiding the tendency of rapid cutting, for example, by forming a metal film with good adhesion on a polyimide resin layer and laminating a fuse element material on this metal film, a fuse element with high adhesion can be etched by conventional etching. It can be easily formed without performing the processing and the conductive film reforming processing, and the productivity can be improved.

【0085】請求項2記載のヒューズによれば、請求項
1記載のヒューズの効果に加え、ポリイミド樹脂層の上
面に所定のヒューズパターンで設けた第1の金属膜上
に、ヒューズエレメント材にて第2の金属膜を積層形成
してヒューズエレメントを形成するため、密着性の高い
ヒューズエレメントを容易に形成できる。
According to the fuse of the second aspect, in addition to the effect of the fuse of the first aspect, a fuse element material is formed on the first metal film provided in a predetermined fuse pattern on the upper surface of the polyimide resin layer. Since the fuse element is formed by laminating the second metal film, a fuse element having high adhesion can be easily formed.

【0086】請求項3記載のヒューズによれば、請求項
2記載のヒューズの効果に加え、第2の金属膜を低融点
金属にて第1の金属膜の略中央に積層形成するため、第
1の金属膜が略中央で確実に溶断でき、安定した特性を
得ることができる。
According to the fuse of the third aspect, in addition to the effect of the fuse of the second aspect, the second metal film is formed of a low melting point metal at substantially the center of the first metal film. The one metal film can be reliably blown at substantially the center, and stable characteristics can be obtained.

【0087】請求項4記載のヒューズによれば、請求項
2または3記載のヒューズの効果に加え、銅の第1の金
属膜に、錫、鉛、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、ビ
スマス、これら金属の少なくとも2種類からなる合金、
錫−銅合金、錫−銀合金、銅−銀合金から選択された低
融点金属の第2の金属膜を積層形成するため、ポリイミ
ド樹脂層との密着性が高く下地として取扱が容易な第1
の金属膜の銅に対して、錫、鉛、アンチモン、アルミニ
ウム、亜鉛、ビスマス、これら金属の少なくとも2種類
からなる合金、錫−銅合金、錫−銀合金、銅−銀合金か
ら選択された低融点金属の第2の金属膜を安定して積層
形成でき、ヒューズエレメント材の第2の金属膜が所定
のヒューズパターンで確実に安定して形成でき、安定し
た特性を得ることができる。
According to the fuse of the fourth aspect, in addition to the effect of the fuse of the second or third aspect, tin, lead, antimony, aluminum, zinc, bismuth, or the like of the metal is formed on the first metal film of copper. An alloy of at least two types,
Since the second metal film of a low melting point metal selected from a tin-copper alloy, a tin-silver alloy, and a copper-silver alloy is formed by lamination, the first metal film having high adhesion to the polyimide resin layer and easy to handle as a base is provided.
With respect to copper of the metal film, tin, lead, antimony, aluminum, zinc, bismuth, an alloy composed of at least two of these metals, a tin-copper alloy, a tin-silver alloy, and a copper-silver alloy. The second metal film of the melting point metal can be stably laminated, and the second metal film of the fuse element material can be reliably and stably formed with a predetermined fuse pattern, so that stable characteristics can be obtained.

【0088】請求項5記載のヒューズによれば、請求項
2ないし4いずれか一記載のヒューズの効果に加え、第
1の金属膜の厚さ寸法を6μm以下とするため、第1の
金属膜を下地としての機能を有しかつヒューズエレメン
トの溶断特性に影響を及ぼさない薄膜に形成でき、小型
化できる。
According to the fuse of the fifth aspect, in addition to the effect of the fuse of the second aspect, the thickness of the first metal film is set to 6 μm or less. Can be formed into a thin film having a function as a base and not affecting the fusing characteristics of the fuse element, and can be reduced in size.

【0089】請求項6記載のヒューズによれば、請求項
1ないし5いずれか一記載のヒューズの効果に加え、プ
リプレグ材にポリイミドフィルムを熱圧着してプリプレ
グ材の部分が絶縁基板となりポリイミドフィルムの部分
がポリイミド樹脂層となるため、絶縁基板とポリイミド
樹脂層との高い密着性が得られ、安定した品質が得られ
る。
According to the fuse of the sixth aspect, in addition to the effect of the fuse according to any one of the first to fifth aspects, a polyimide film is thermocompression-bonded to the prepreg material, so that the prepreg material portion becomes an insulating substrate and the polyimide film is formed. Since the portion becomes the polyimide resin layer, high adhesion between the insulating substrate and the polyimide resin layer is obtained, and stable quality is obtained.

【0090】請求項7記載のヒューズによれば、請求項
1ないし6いずれか一記載のヒューズの効果に加え、ヒ
ューズエレメントを覆う保護層を設けるため、衝撃や衝
突などの外力からヒューズエレメントを保護でき、安定
した特性が得られるとともに、溶断の際に生じる金属蒸
気にて周囲に悪影響を与えることを防止できる。
According to the fuse according to the seventh aspect, in addition to the effect of the fuse according to any one of the first to sixth aspects, since a protective layer covering the fuse element is provided, the fuse element is protected from external force such as impact or collision. As a result, stable characteristics can be obtained, and adverse effects on the surroundings due to metal vapor generated at the time of fusing can be prevented.

【0091】請求項8記載のヒューズによれば、請求項
7記載のヒューズの効果に加え、保護層としての柔かい
シリコーン樹脂を用いるため、外部からの衝撃によるヒ
ューズエレメントの損傷を確実に防止できるとともに、
ヒューズエレメントの溶断の際に発生するアークが外部
に放出することを防止でき、安定して確実に金属膜の溶
断による一対の電極間を開放でき、安定した特性が得ら
れる。
According to the fuse of the eighth aspect, in addition to the effect of the fuse of the seventh aspect, since a soft silicone resin is used as the protective layer, damage to the fuse element due to external impact can be reliably prevented. ,
The arc generated when the fuse element is blown can be prevented from being released to the outside, and the pair of electrodes can be stably and reliably opened by blowing the metal film, so that stable characteristics can be obtained.

【0092】請求項9記載のヒューズの製造方法によれ
ば、一面の第1の金属膜を上方に向けてポリイミドフィ
ルムを絶縁基板上に熱圧着し、第1の金属膜を所定のヒ
ューズパターンにエッチング処理した後に、第1の金属
膜の上面に第2の金属膜をめっき形成してヒューズエレ
メントを形成するため、ヒューズエレメントの溶断の際
の熱が熱圧着にて設けたポリイミドフィルムにより絶縁
基板を用いても熱の放散抑制効果により速断化傾向を回
避できるとともに、密着性が高いヒューズエレメントが
得られるヒューズが、従来のエッチング処理および導電
膜再形成処理を行う必要なく容易に形成でき、製造性を
向上できる。
According to the fuse manufacturing method of the ninth aspect, the polyimide film is thermocompression-bonded on the insulating substrate with the first metal film on one side facing upward, and the first metal film is formed into a predetermined fuse pattern. After the etching process, the second metal film is formed by plating on the upper surface of the first metal film to form a fuse element. Even when using a fuse, it is possible to avoid the tendency of rapid disconnection due to the effect of suppressing heat dissipation, and to easily form a fuse capable of obtaining a fuse element with high adhesion without performing the conventional etching process and conductive film reforming process. Performance can be improved.

【0093】請求項10記載のヒューズの製造方法によ
れば、請求項9記載のヒューズの製造方法の効果に加
え、第2の金属膜を低融点金属にて第1の金属膜の略中
央に積層形成するため、第1の金属膜が略中央で確実に
溶断でき、安定した特性のヒューズを得ることができ
る。
According to the method for manufacturing a fuse according to the tenth aspect, in addition to the effect of the method for manufacturing a fuse according to the ninth aspect, the second metal film is formed of a low melting point metal at substantially the center of the first metal film. Since the first metal film is formed by lamination, the first metal film can be reliably blown at substantially the center, and a fuse having stable characteristics can be obtained.

【0094】請求項11記載のヒューズの製造方法によ
れば、請求項9または10記載のヒューズの製造方法の
効果に加え、銅の第1の金属膜に、錫、鉛、アンチモ
ン、アルミニウム、亜鉛、ビスマス、これら金属の少な
くとも2種類からなる合金、錫−銅合金、錫−銀合金、
銅−銀合金から選択された低融点金属の第2の金属膜を
積層形成するため、ポリイミド樹脂層との密着性が高く
下地として取扱が容易な第1の金属膜の銅に対して、
錫、鉛、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、ビスマス、
これら金属の少なくとも2種類からなる合金、錫−銅合
金、錫−銀合金、銅−銀合金から選択された低融点金属
の第2の金属膜を安定して積層形成でき、ヒューズエレ
メント材の第2の金属膜が所定のヒューズパターンで確
実に安定して形成でき、安定した特性のヒューズを得る
ことができる。
According to the method of manufacturing a fuse according to the eleventh aspect, in addition to the effect of the method of manufacturing a fuse according to the ninth or tenth aspect, tin, lead, antimony, aluminum, zinc is formed on the first metal film of copper. , Bismuth, alloys of at least two of these metals, tin-copper alloys, tin-silver alloys,
Since a second metal film of a low melting point metal selected from a copper-silver alloy is formed by lamination, adhesion to the polyimide resin layer is high and copper of the first metal film which is easy to handle as a base is formed.
Tin, lead, antimony, aluminum, zinc, bismuth,
A second metal film of a low-melting-point metal selected from at least two of these metals, a tin-copper alloy, a tin-silver alloy, and a copper-silver alloy can be stably laminated, and the second metal film of the fuse element material can be formed. The second metal film can be formed stably with a predetermined fuse pattern, and a fuse having stable characteristics can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のヒューズの実施の一形態を示す断面図
である。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a fuse according to the present invention.

【図2】同上平面図である。FIG. 2 is a plan view of the same.

【図3】同上ヒューズの製造における熱圧着の工程を説
明する説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view illustrating a thermocompression bonding step in the manufacture of the fuse.

【図4】同上ヒューズの溶断状況を説明するグラフであ
る。
FIG. 4 is a graph illustrating a state of blowing the fuse.

【図5】従来例のヒューズを示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a conventional fuse.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ヒューズ 2 ガラスクロス樹脂基板 3 ポリイミド樹脂層 3a ポリイミドフィルム 5 第1の金属膜 6 第2の金属膜 7 ヒューズエレメント 8 第3の金属膜 11 電極 13 保護層 Reference Signs List 1 fuse 2 glass cloth resin substrate 3 polyimide resin layer 3a polyimide film 5 first metal film 6 second metal film 7 fuse element 8 third metal film 11 electrode 13 protective layer

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板と、 この絶縁基板の上面に設けられたポリイミド樹脂層と、 このポリイミド樹脂層の上面にヒューズパターンを構成
して設けられたヒューズエレメントと、 このヒューズエレメントに電気的に接続され前記絶縁基
板の裏面に亘って設けられた一対の電極とを具備したこ
とを特徴とするヒューズ。
An insulating substrate; a polyimide resin layer provided on an upper surface of the insulating substrate; a fuse element provided on the upper surface of the polyimide resin layer by forming a fuse pattern; And a pair of electrodes connected over the back surface of the insulating substrate.
【請求項2】 ヒューズエレメントは、ポリイミド樹脂
層の上面にヒューズパターンを構成して設けられた第1
の金属膜と、 この金属膜上にヒューズエレメント材にて積層形成され
た第2の金属膜とを備えたことを特徴とした請求項1記
載のヒューズ。
2. A fuse element comprising: a first fuse element formed on a top surface of a polyimide resin layer by forming a fuse pattern;
2. The fuse according to claim 1, further comprising: a metal film formed by: a second metal film laminated on the metal film with a fuse element material.
【請求項3】 第2の金属膜は、低融点金属にて第1の
金属膜の一対の電極間の略中央に積層形成されたことを
特徴とした請求項2記載のヒューズ。
3. The fuse according to claim 2, wherein the second metal film is formed of a low-melting-point metal at substantially the center between the pair of electrodes of the first metal film.
【請求項4】 第1の金属膜は、銅で、 第2の金属膜は、錫、鉛、アンチモン、アルミニウム、
亜鉛、ビスマス、これら金属の少なくとも2種類からな
る合金、錫−銅合金、錫−銀合金、銅−銀合金から選択
された低融点金属であることを特徴とした請求項2また
は3記載のヒューズ。
4. The first metal film is made of copper, and the second metal film is made of tin, lead, antimony, aluminum,
4. The fuse according to claim 2, wherein the fuse is a low melting point metal selected from zinc, bismuth, an alloy of at least two of these metals, a tin-copper alloy, a tin-silver alloy, and a copper-silver alloy. .
【請求項5】 第1の金属膜は、厚さ寸法が6μm以下
であることを特徴とした請求項2ないし4いずれか一記
載のヒューズ。
5. The fuse according to claim 2, wherein the first metal film has a thickness of 6 μm or less.
【請求項6】 絶縁基板は、プリプレグ材が熱圧着によ
るポリイミド樹脂層の形成の際に硬化されて形成され、 ポリイミド樹脂層は、ポリイミドフィルムが前記プリプ
レグ材に熱圧着されて形成されたことを特徴とした請求
項1ないし5いずれか一記載のヒューズ。
6. The insulating substrate is formed by curing a prepreg material during the formation of a polyimide resin layer by thermocompression bonding. The polyimide resin layer is formed by thermocompression bonding of a polyimide film to the prepreg material. The fuse according to any one of claims 1 to 5, characterized in that:
【請求項7】 ヒューズエレメントを覆う保護層を備え
たことを特徴とした請求項1ないし6いずれか一記載の
ヒューズ。
7. The fuse according to claim 1, further comprising a protective layer covering the fuse element.
【請求項8】 保護層は、シリコーン樹脂であることを
特徴とする請求項7記載のヒューズ。
8. The fuse according to claim 7, wherein the protective layer is a silicone resin.
【請求項9】 一面に第1の金属膜が設けられたポリイ
ミドフィルムを前記第1の金属膜を上方に向けて絶縁基
板上に熱圧着し、 前記第1の金属膜を所定のヒューズパターンにエッチン
グし、 このエッチングされた第1の金属膜の上面に第2の金属
膜をめっきにより形成することを特徴とするヒューズの
製造方法。
9. A polyimide film having a first metal film provided on one surface is thermocompression-bonded on an insulating substrate with the first metal film facing upward, and the first metal film is formed into a predetermined fuse pattern. Etching, and forming a second metal film by plating on the upper surface of the etched first metal film.
【請求項10】 第2の金属膜は、低融点金属にて第1
の金属膜の一対の電極間の略中央に積層形成することを
特徴とする請求項9記載のヒューズの製造方法。
10. The second metal film is made of a low-melting metal and is made of a first metal.
10. The method of manufacturing a fuse according to claim 9, wherein the metal film is formed by lamination substantially at the center between the pair of electrodes.
【請求項11】 第1の金属膜は、銅で、 第2の金属膜は、錫、鉛、アンチモン、アルミニウム、
亜鉛、ビスマス、これら金属の少なくとも2種類からな
る合金、錫−銅合金、錫−銀合金、銅−銀合金から選択
された低融点金属であることを特徴とする請求項9また
は10記載のヒューズの製造方法。
11. The first metal film is made of copper, and the second metal film is made of tin, lead, antimony, aluminum,
11. The fuse according to claim 9, wherein the fuse is a low melting point metal selected from zinc, bismuth, an alloy of at least two of these metals, a tin-copper alloy, a tin-silver alloy, and a copper-silver alloy. Manufacturing method.
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