JP2001050726A - Ic external appearance inspection method - Google Patents

Ic external appearance inspection method

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JP2001050726A
JP2001050726A JP11228723A JP22872399A JP2001050726A JP 2001050726 A JP2001050726 A JP 2001050726A JP 11228723 A JP11228723 A JP 11228723A JP 22872399 A JP22872399 A JP 22872399A JP 2001050726 A JP2001050726 A JP 2001050726A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To detect a foreign substance even when defective form of an external appearance exists by detecting the position of a tie bar cut-off part connecting with a lead, masking the tie bar cut-off part, and by such constitution that a foreign substance between the leads around the cut-off part is detected. SOLUTION: A specified lead 201 part in an IC image 102 of an IC photographed by a camera is set as an image processing territory, and it is designated by a data working range window 104. The detecting range of leads is limited by a lead detecting range window 105 to extract a lead 201. The tie bar cut-off part 220 of the lead 201 in the window 104 is detected, and a tie bar cut-off part mask window 106 is set. The window 106 cuts the window 106 projecting parts of the respective leads 201, and a least square line passing through the lead 201 projecting parts is drawn to mask the tie bar cut-off parts 220. The lead edge parts are detected from the lead parts except the mask territory of the window 106, and a projection graph is drawn. The defective form part projection data 108 of the graph shows existence of IC defective form such as a foreign substance 107 between the leads 201.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ICの外観形状を
検査するIC外観検査方法に属し、特にICリード周辺
の異物やICパッケージ(半導体装置)周辺の樹脂バリ
の存在を検査するために用いるIC外観検査方法に属す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC appearance inspection method for inspecting an external appearance of an IC, and more particularly to an IC appearance inspection method for inspecting the presence of foreign matter around an IC lead and resin burrs around an IC package (semiconductor device). It belongs to the IC appearance inspection method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のリード検査装置としては、特開平
8-15166号公報に、半導体装置のリードを相互に
連結しているダイバー切断部の切断状態を検査するもの
が記載されている。このリード検査装置では、支持手段
によって半導体装置を所定位置に支持し、この支持手段
に支持される半導体装置のリードをその平面方向からC
CDカメラによって観察する。そしてカメラに観測され
た画像から複数のリードのダイバー切断部の部位を幅方
向に検出してリードの中心位置の数と間隔とからなる検
出データを得ている。
2. Description of the Related Art As a conventional lead inspection apparatus, Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 8-15166 discloses an apparatus for inspecting a cutting state of a diver cutting portion connecting leads of a semiconductor device. In this lead inspection apparatus, a semiconductor device is supported at a predetermined position by a support means, and a lead of the semiconductor device supported by the support means is moved from its plane direction to C.
Observe with a CD camera. Then, the diver cutting portions of the plurality of leads are detected in the width direction from the image observed by the camera to obtain detection data including the number and intervals of the center positions of the leads.

【0003】検出データは非切断部位を幅方向に検出し
て同様の項目で構成される標準データと比較してその結
果を出力する画像処理手段とを有している。
The detected data has image processing means for detecting a non-cut portion in the width direction, comparing the detected data with standard data composed of similar items, and outputting the result.

【0004】従来のIC外観検査方法の具体例を図6
(a)乃至図6(c)を参照して説明する。図6(a)
は背景画像500上のIC画像をX軸、Y軸に基づきカ
メラにより撮影した画像である。図6(b)はドット数
を示している。図6(c)は理論値を示している。
FIG. 6 shows a specific example of a conventional IC appearance inspection method.
This will be described with reference to FIGS. FIG. 6 (a)
Is an image obtained by photographing the IC image on the background image 500 with the camera based on the X axis and the Y axis. FIG. 6B shows the number of dots. FIG. 6C shows theoretical values.

【0005】リード検出範囲ウインドー602は、図6
(a)に示したように、タイバー切断部610が存在し
ない範囲に限定して設定される。リード600間に異物
601、603が存在した場合、投影グラフ上にはリー
ド検出範囲ウインドー602内にある異物603のみが
図6(b)に示した不良形状部分投影データ604とし
て検出され、図6(c)に示したリード投影領域607
の上でも形状不良投影領域606のみがリード投影領域
の許容幅を越えたという形で検出される。
The lead detection range window 602 is shown in FIG.
As shown in (a), the setting is limited to a range where the tie bar cutting portion 610 does not exist. When the foreign matter 601 and 603 exist between the leads 600, only the foreign matter 603 in the lead detection range window 602 is detected on the projection graph as the defective shape portion projection data 604 shown in FIG. 6B. The lead projection area 607 shown in FIG.
Above, only the poorly shaped projection area 606 is detected as exceeding the allowable width of the lead projection area.

【0006】ここで、タイバー切断部610付近にある
異物601はリード検出範囲ウインドー602の外であ
り、投影グラフでもリード投影領域でも検出されない。
なお、図6(b)中の符号605は、投影グラフ判断基
準レベルを示している。
Here, the foreign matter 601 near the tie bar cutting portion 610 is outside the lead detection range window 602, and is not detected in the projection graph or the lead projection area.
Reference numeral 605 in FIG. 6B indicates a projection graph determination reference level.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、タイバ
ー切断部610付近にある異物601は、リード検出範
囲ウインドー602の外にあり、投影グラフによっても
リード投影領域によても検出することができない。した
がって、従来のリード外観検査方法においては、ダイバ
ー切断部610付近のICリード形状不良を検出できな
いということである。
However, the foreign matter 601 near the tie bar cutting portion 610 is outside the lead detection range window 602, and cannot be detected by the projection graph or the lead projection area. Therefore, in the conventional lead appearance inspection method, an IC lead shape defect near the diver cutting portion 610 cannot be detected.

【0008】それ故に本発明の課題は、タイバー切断部
付近のIC形状不良や樹脂バリを容易に検出することが
できるIC外観検査方法を提供することにある。
It is therefore an object of the present invention to provide an IC appearance inspection method capable of easily detecting an IC shape defect or resin burr near a tie bar cut portion.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、リード
の異物の存在を検査するIC外観検査方法において、半
導体装置の前記リードを相互に連結しているタイバー切
断部の位置を検出し、該タイバー切断部をマスクするこ
とで、前記タイバー切断部周辺の前記リード間に存在す
る異物の検出を行うことを特徴とするIC外観検査方法
が得られる。
According to the present invention, there is provided an IC appearance inspection method for inspecting the presence of foreign matter in a lead, wherein a position of a tie bar cut portion connecting the leads of the semiconductor device is detected. By masking the cut portion of the tie bar, an IC appearance inspection method can be obtained, wherein a foreign substance existing between the leads around the cut portion of the tie bar is detected.

【0010】[0010]

【作用】本発明は、ICの外観形状、特にICリードの
異物の存在を検査するには、タイバー切断部の位置を検
出し、タイバー切断部を正確にマスクすることで、タイ
バー切断部周辺のリード間異物の検出が可能となる。
According to the present invention, in order to inspect the external shape of an IC, in particular, the presence of foreign matter on an IC lead, the position of the tie-bar cut portion is detected and the tie-bar cut portion is accurately masked. It is possible to detect foreign matter between leads.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1(a)乃至図1(d)は、ICリ
ードの異物の存在を検査するIC外観検査方法の第1の
実施の形態例を示している。図1(a)は、X軸、Y軸
に基づき投影したIC画像を示している。図1(b)は
リード検出範囲ウインドーを示している。図1(c)
は、ドット数及び不良形状部分投影データを示してい
る。図1(d)は、理論値及び形状不良投影領域を示し
ている。
1 (a) to 1 (d) show a first embodiment of an IC appearance inspection method for inspecting the presence of foreign matter on an IC lead. FIG. 1A shows an IC image projected based on the X axis and the Y axis. FIG. 1B shows a lead detection range window. FIG. 1 (c)
Indicates the number of dots and defective shape partial projection data. FIG. 1D shows a theoretical value and a shape defective projection area.

【0012】図1(a)を参照して、第1の実施の形態例
におけるIC外観検査方法では、ICパッケージ(半導
体装置)100を撮影したIC撮影画像101を採用し
ている。IC撮影画像101は背景画像103上のIC
画像102をカメラにより撮影した画像であり、ICを
カメラで撮影しIC画像102を検出している。データ
加工範囲ウインドー104は、IC画像102中の特定
のリード201部分を画像処理する領域として指定する
ウインドーであり、IC画像102から所定の数のリー
ド201のみを切り分け抽出する。
Referring to FIG. 1A, the IC appearance inspection method according to the first embodiment employs an IC photographed image 101 photographing an IC package (semiconductor device) 100. The IC image 101 is an IC on the background image 103.
This is an image obtained by shooting the image 102 with a camera, and the IC image 102 is detected by shooting an IC with the camera. The data processing range window 104 is a window for designating a specific lead 201 portion in the IC image 102 as a region for image processing. The data processing range window 104 cuts out and extracts only a predetermined number of leads 201 from the IC image 102.

【0013】図1(b)に示すリード検出範囲ウインド
ー105は、広く範囲を指定したデータ加工範囲ウイン
ドー104中で、パターンマッチング等の検出手段にリ
ード201の存在範囲を狭く指定するウインドーであ
り、データ加工範囲ウインドー104中でICリードの
検出範囲に範囲を制限してリード201の抽出を行う。
A lead detection range window 105 shown in FIG. 1 (b) is a window for designating a narrower range of the lead 201 to a detecting means such as pattern matching in a data processing range window 104 in which a range is broadly specified. The lead 201 is extracted by limiting the range to the detection range of the IC lead in the data processing range window 104.

【0014】図1(b)において、データ加工範囲ウイ
ンドー104中に捉えられたリード201に対し、リー
ド201のタイバー切断部220を検出し、タイバー切
断部マスクウインドー106を設定する。ICに外観上
の不具合がある場合、例えばリード201間の異物10
7がリード201上に付着していることがある。タイバ
ー切断部マスクウインドー106は、リード検出範囲ウ
インドー105内の各リード201上からタイバー切断
部仮定範囲を切り出して各リード201のタイバー切断
部仮定中心位置を検出し、一辺内の全リード201上か
ら、ある範囲内のタイバー切断部仮定中心位置を切り分
け、それらの点を通過するタイバー切断部中心最小二乗
直線をひき、各リード201の中間点を通るタイバー切
断部120中心最小二乗直線上の座標をタイバー部中心
座標を中心にマスク領域を発生させたウインドーであ
る。
In FIG. 1B, the tie bar cutting portion 220 of the lead 201 is detected for the lead 201 captured in the data processing range window 104, and the tie bar cutting portion mask window 106 is set. If there is a defect in the appearance of the IC, for example, the foreign matter 10 between the leads 201
7 may adhere to the lead 201. The tie bar cutting portion mask window 106 cuts out the tie bar cutting portion assumed range from each lead 201 in the lead detection range window 105, detects the tie bar cutting portion assumed center position of each lead 201, and displays the tie bar cutting portion assumed center position on all the leads 201 in one side. , A tie bar cutting portion assumed center position within a certain range is cut out, a tie bar cutting portion center least square line passing through those points is drawn, and coordinates on the tie bar cutting portion 120 center least square line passing through the intermediate point of each lead 201 are obtained. Is a window in which a mask area is generated around the tie bar center coordinates.

【0015】図1(c)において、リード検出範囲ウイ
ンドー105中に捉えられたICリード画像から、タイ
バー切断部マスクウインドー106でマスクしている領
域を除くリードの部分をエッジ抽出処理により、リード
エッジ部分を検出し、X軸の各座標毎にY軸方向に輝度
値を累積させてグラフ化した投影グラフを描画してい
る。
In FIG. 1 (c), from the IC lead image captured in the lead detection range window 105, the lead portion excluding the area masked by the tie bar cutting portion mask window 106 is read by edge extraction processing. An edge portion is detected, and a projection graph is drawn by accumulating luminance values in the Y-axis direction for each coordinate on the X-axis and forming a graph.

【0016】図1(c)に示す不良形状部分投影データ
108は、リード検出範囲ウインドー5内のタイバー切
断部マスクウインドー106によりマスクされた範囲を
除く各リード201をエッジ抽出処理した後、X軸上の
各座標毎にY軸方向に輝度値を累積させた時の、各リー
ド201の輝度値の累積波形を示す。
The defective-shape portion projection data 108 shown in FIG. 1C is obtained by performing edge extraction processing on each lead 201 excluding the area masked by the tie bar cutting portion mask window 106 in the lead detection range window 5, FIG. 6 shows a cumulative waveform of the luminance value of each lead 201 when the luminance value is accumulated in the Y-axis direction for each coordinate on the axis.

【0017】また、不良形状部分投影データ108は、
投影された、リード201毎の形状を示すグラフ中で、
リード201間の異物107等のIC形状不良を反映
し、その不良の存在を示す投影データである。投影グラ
フ判断基準レベル値109はリードの存在範囲を示すた
めのスレッシュホールドレベルを示す。
The defective shape partial projection data 108 is
In the projected graph showing the shape of each lead 201,
The projection data reflects an IC shape defect such as the foreign matter 107 between the leads 201 and indicates the existence of the defect. The projection graph criterion level value 109 indicates a threshold level for indicating a range in which a lead exists.

【0018】図1(d)に示すリード投影領域110
は、図1(c)に示した不良形状部分投影データ108
に於いて投影グラフ判断基準レベル値109に達してい
る部分を論理値1とし、達していない部分を論理値0と
した場合に、各リードのX軸上の存在する領域を示す。
The lead projection area 110 shown in FIG.
Is the defective shape partial projection data 108 shown in FIG.
In FIG. 7, when a portion reaching the projection graph determination reference level value 109 is set to the logical value 1 and a portion not reaching the logical value is set to the logical value 0, the area on the X-axis of each lead is shown.

【0019】また、リード投影領域110は、リード2
01間の異物107をリード幅分に形状不良投影領域1
11が加わった幅で出力するため、幅が規定範囲を越え
ることからリード形状不良の存在を検出する。
The lead projection area 110 is the lead 2
01 is defective in the projection area 1 by the lead width.
Since the output is performed with the width to which 11 is added, the presence of the lead shape defect is detected because the width exceeds the specified range.

【0020】このようにして、各リード201のタイバ
ー切断部マスクウインドー106の突出部分を切り出
し、ICパッケージ100上の各辺のリード201の突
出部分を通過する最小二乗直線を引くことでタイバー切
断部220の並びを特定し、各リード201のタイバー
切断部220をマスクしているので、リード201間の
異物107がタイバー切断部220周辺に存在しても、
リード形状不良として検出できる。
In this manner, the tie bar cutting portion of each lead 201 is cut out, and the protruding portion of the mask window 106 is cut out, and the least square line passing through the protruding portion of each side of the lead 201 on the IC package 100 is drawn to cut the tie bar. Since the arrangement of the parts 220 is specified and the tie bar cutting parts 220 of each lead 201 are masked, even if the foreign matter 107 between the leads 201 exists around the tie bar cutting parts 220,
It can be detected as a lead shape defect.

【0021】図1(d)において、このグラフで示した
リード投影領域110は、図1(c)に示す投影グラフ
の各リード201を示すデータが投影グラフ判断基準レ
ベル値109に達している部分を論理値1、達していな
い部分を論理値0とした時の、X軸方向の投影グラフの
検出論理値から、各リード201が存在している範囲を
示す。
In FIG. 1D, the lead projection area 110 shown in this graph is a portion where the data indicating each lead 201 of the projection graph shown in FIG. Is the logical value of 1 and the logical value of the portion not reached is the logical value 0, the range in which each lead 201 exists is shown from the detected logical value of the projection graph in the X-axis direction.

【0022】リード201間の異物107が存在する場
合、本グラフ上の形状不良投影領域111の部分として
グラフに表現される。
When the foreign matter 107 exists between the leads 201, the foreign matter 107 is represented on the graph as a part of the shape defect projection area 111 on the graph.

【0023】次に、図2(a)においては、リード20
1から、背景画像103とリード201との境界部分を
検出するとリードエッジ部202が検出される。図2
(b)において、リードエッジ部202のX軸方向に微
分したdX成分を検出するdX−Yグラフを表示してい
る。図2(c)において、dX−Yグラフ上のドットを
dX軸の各座標毎にY軸方向に累積したヒストグラム図
を描き、そのグラフ上のドット数が最大となるdX値で
あるドットピーク値203を求めている。
Next, in FIG.
From 1, when a boundary portion between the background image 103 and the lead 201 is detected, the lead edge portion 202 is detected. FIG.
3B, a dXY graph for detecting a dX component differentiated in the X-axis direction of the lead edge portion 202 is displayed. In FIG. 2 (c), a histogram diagram in which dots on the dX-Y graph are accumulated in the Y-axis direction for each coordinate of the dX-axis is drawn, and a dot peak value which is a dX value at which the number of dots on the graph becomes maximum. 203.

【0024】図2(d)においては、図2(b)のdX
−Y図上で、ドットピーク値203を中心にdX値がプ
ラス側にまでの幅で許容したプラス側有効範囲205
と、マイナス側にnまでの幅で許容したマイナス側有効
範囲204の二つの値の間にあるリードエッジ座標だけ
を有効データとして登録している。
In FIG. 2D, dX shown in FIG.
On the −Y diagram, the plus side effective range 205 where the dX value is allowed to be on the plus side with respect to the dot peak value 203.
And only the read edge coordinates between two values of the minus effective range 204 allowed on the minus side with a width up to n are registered as effective data.

【0025】図2(e)においては、図2(d)で登録
したリードエッジ座標だけを対象として図2(a)のX
−Y座標上で最小2乗直線であるリードエッジ最小2乗
直線209を引く。この直線(Y=αX+β)をX軸の
プラス側に一定量シフトした直線(Y=αX+β+m)
であるプラス側リードエッジ許容幅208と、同様に直
線209(Y=αX+β)をX軸のマイナス側に一定量
シフトした直線(Y=αX+β−m)であるマイナス側
リードエッジ許容幅(直線)207とを設定する。
In FIG. 2E, only the read edge coordinates registered in FIG.
-A lead edge least square line 209 which is a least square line on the Y coordinate is drawn. A straight line (Y = αX + β + m) obtained by shifting this straight line (Y = αX + β) by a fixed amount to the plus side of the X axis.
, And a negative lead edge allowable width (straight line) which is a straight line (Y = αX + β−m) obtained by shifting the straight line 209 (Y = αX + β) to the minus side of the X axis by a fixed amount. 207 is set.

【0026】これらの直線の許容幅207,208に挟
まれて領域をリードの長手方向の直線部分と見なし、そ
の直線領域上で許容幅(直線)207,208から外れ
た連続領域であるタイバー切断部仮定範囲206をタイ
バー切断部220が存在する領域と見なす。
A region sandwiched between the allowable widths 207 and 208 of these straight lines is regarded as a linear portion in the longitudinal direction of the lead, and a tie bar cutting which is a continuous region deviating from the allowable widths (straight lines) 207 and 208 on the linear region is performed. The part assumed range 206 is regarded as an area where the tie bar cutting part 220 exists.

【0027】これら図2(a)〜図2(e)で検出した
リードの長手方向の直線領域とタイバー切断部220が
存在する領域の検出を1本のリード201の左右で行
い、更にリード検出範囲ウインドー105内の全てのリ
ード201に付いて同様に検出を行う。
The detection of the linear region in the longitudinal direction of the lead and the region where the tie bar cutting portion 220 exists, which is detected in FIGS. 2A to 2E, is performed on the left and right of one lead 201. The same detection is performed for all the leads 201 in the range window 105.

【0028】次に、図3(a)乃至図3(c)について
説明する。図3(a)において、図2で検出したリード
201の長手方向の直線領域とタイバー切断部220が
存在する領域の情報を元にタイバー切断部仮定範囲20
6のY軸方向の中間位置にあるリードエッジ座標をタイ
バー切断部仮定中心位置301と設定する。これを全リ
ード201に関して設定していく。この時、リード20
1間の異物107等のリード形状不良が存在した場合も
同様にタイバー切断部220の候補としてリード間異物
中心位置302が検出される。
Next, FIGS. 3A to 3C will be described. In FIG. 3A, a tie bar cutting portion assumed range 20 is determined based on information on the linear region in the longitudinal direction of the lead 201 and the region where the tie bar cutting portion 220 exists, which is detected in FIG.
The lead edge coordinates at the intermediate position in the Y-axis direction of No. 6 are set as the assumed center position 301 of the tie bar cutting portion. This is set for all leads 201. At this time, lead 20
Similarly, when there is a lead shape defect such as one foreign substance 107, the inter-lead foreign substance center position 302 is detected as a candidate for the tie bar cutting unit 220.

【0029】図3(b)において、図3(a)で検出さ
れた全てのタイバー切断部220の候補中心位置をY軸
の座標毎のX軸方向に候補中心位置点の数を累積させた
グラフ上にプロットする。このグラフ上でドット数の連
続が最大となる部分を検出し、そのドットの集合の連続
範囲をタイバー切断部仮定中心位置有効範囲303とし
て切り出す。この時リード201間の異物107等のリ
ード形状不良は、タイバー切断部220の近くに無い限
り、図3(b)に示したグラフ上のタイバー切断部仮定
中心位置有効範囲303から外れた位置に検出される。
In FIG. 3B, the candidate center positions of all the tie bar cutting sections 220 detected in FIG. 3A are accumulated in the X-axis direction for each Y-axis coordinate. Plot on a graph. A portion where the continuation of the number of dots is maximum is detected on this graph, and a continuation range of the set of dots is cut out as a tie bar cutting portion assumed center position effective range 303. At this time, if the lead shape defect such as the foreign matter 107 between the leads 201 is not near the tie bar cutting portion 220, the lead shape defect is located at a position outside the tie bar cutting portion assumed center position effective range 303 on the graph shown in FIG. Is detected.

【0030】図3(c)においては、図3(b)でタイ
バー切断部仮定中心位置有効範囲303中に存在するタ
イバー切断部仮定中心位置301全てを対象とした最小
2乗直線であるタイバー切断部中心位置最小2乗直線3
05を引く。
In FIG. 3C, the tie bar cutting is a least-squares straight line for all the tie bar cutting part assumed center positions 301 existing in the tie bar cutting part assumed center position effective range 303 in FIG. 3B. Part center position least squares straight line 3
Subtract 05.

【0031】各リード201上で左右のタイバー切断部
仮定中心位置301のX軸上に於ける中点で且つタイバ
ー切断部中心位置最小2乗直線305上の点をタイバー
部中心座標304と定義し、検出範囲内の全リード20
1について求める。
A point on the X-axis of the assumed center position 301 of the left and right tie bar cutting portions on each lead 201 and a point on the least squares straight line 305 of the center position of the tie bar cutting portion is defined as a tie bar portion center coordinate 304. , All leads 20 within the detection range
Ask about 1.

【0032】各リード201上のタイバー切断部中心座
標304を中心に予め設定されたx1ドット×y1ドッ
トの範囲のタイバー切断部マスクウインドー106を対
象となる全リードについて設定する。
The tie bar cutting portion mask window 106 in the range of x1 dot × y1 dot which is set in advance around the tie bar cutting portion center coordinates 304 on each lead 201 is set for all the target leads.

【0033】次に、図4について説明する。図1(b)
で設定されたタイバー切断部マスクウインドー106を
検出対象外領域とし、リード検出範囲ウインドー105
内のリード画像に対し、エッジ抽出処理を行ったのが図
4のエッジ抽出処理後画像になる。
Next, FIG. 4 will be described. FIG. 1 (b)
The tie bar cutting portion mask window 106 set in the above is set as a non-detection target region, and the lead detection range window 105
The image after the edge extraction processing in FIG. 4 is obtained by performing the edge extraction processing on the lead image in FIG.

【0034】以上詳細に実施例の構成を述べたが、図1
(c)の投影処理、図1(d)の論理値グラフ化、図2
(c)のヒストグラム化、図3(b)のヒストグラム
化、図4のエッジ抽出処理は、当業者にとってよく知ら
れており、また本発明とは直接関係しないので、その詳
細な構成は省略する。
The configuration of the embodiment has been described in detail above.
FIG. 1C shows the projection processing, FIG.
The histogram conversion shown in FIG. 3C, the histogram conversion shown in FIG. 3B, and the edge extraction processing shown in FIG. 4 are well known to those skilled in the art, and are not directly related to the present invention. .

【0035】第1の実施の形態例におけるIC概観検査
方法の動作を図1(b)乃至図4を参照しながら説明す
る。
The operation of the IC appearance inspection method according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.

【0036】図1(b)でリード検出範囲ウインドー1
05内に捉えた各リードは図2(a)でリードの左右そ
れぞれに分けて、リードエッジを検出し、図2(b)で
はそのX座標の微分データを検出し図2(c)で微分デ
ータの中からリードの直線部分を示すX方向の変移量の
突出点を検出する。
FIG. 1B shows the lead detection range window 1.
Each lead captured in 05 is divided into the left and right sides of the lead in FIG. 2 (a), and the lead edge is detected. In FIG. 2 (b), the differential data of the X coordinate is detected, and the differential is detected in FIG. 2 (c). A protruding point of the amount of displacement in the X direction indicating a linear part of the lead is detected from the data.

【0037】図2(d)は、検出したX方向変移量の突
出点を中心としリード201の直線範囲と見なす範囲を
特定する。図2(e)で特定された直線範囲上のデータ
を使って最小2乗直線を引き、リード201上の直線と
見なせる範囲を指定して、その範囲外の部分をタイバー
切断部仮定範囲206として検出する。
FIG. 2D specifies a range around the projected point of the detected X-direction displacement amount, which is regarded as a linear range of the lead 201. A least-squares straight line is drawn using the data on the straight line range specified in FIG. 2E, a range that can be regarded as a straight line on the lead 201 is designated, and a portion outside the range is set as a tie bar cutting section assumed range 206. To detect.

【0038】図3(a)でタイバー切断部仮定中心位置
301としてタイバー切断部220の候補点を全てプロ
ットし、図3(b)で検出したドットのX軸方向のヒス
トグラムからタイバー切断部220が存在する位置をド
ットの連続した山として特定し、タイバー切断部220
が存在する範囲を限定することで他のノイズ成分となる
リード形状不良を切り分ける。
In FIG. 3A, all candidate points of the tie bar cutting unit 220 are plotted as the assumed center position 301 of the tie bar cutting unit, and the tie bar cutting unit 220 determines the X-axis direction histogram of the dots detected in FIG. 3B. The existing position is specified as a continuous mountain of dots, and the tie bar cutting unit 220
By limiting the range in which there is, a lead shape defect that becomes another noise component is identified.

【0039】図3(c)で先に特定されたタイバー切断
部仮定中心位置有効範囲303内に有るタイバー切断部
仮定中心位置301のみを有効ドットとして最小2乗直
線を引き、タイバー切断部220と、リード201間の
異物107等のリード形状不良とを切り分ける。タイバ
ー部中心座標304をタイバー切断部中心最小2乗直線
とタイバー切断部220の左右のエッジ点から特定し、
その点を中心に図1(b)に示すタイバー切断部マスク
ウインドーを対象範囲内の全リード201に設定する。
The least square straight line is drawn by using only the tie bar cutting portion assumed center position 301 within the effective range 303 of the tie bar cutting portion assumed center position previously specified in FIG. Then, the lead shape defect such as the foreign matter 107 between the leads 201 is separated. The tie bar part center coordinates 304 are specified from the tie bar cutting part center least square line and the left and right edge points of the tie bar cutting part 220,
The tie-bar cutting portion mask window shown in FIG. 1B is set on all the leads 201 within the target range with that point as the center.

【0040】タイバー切断部をマスクした上で、図4で
リード検出範囲ウインドー105内をエッジ抽出処理
し、リード及びリード形状不良の輪郭部分を浮き上がら
せる。
After masking the cut portion of the tie bar, an edge extraction process is performed in the lead detection range window 105 in FIG. 4 to raise the outline of the lead and the defective lead shape.

【0041】図1(c)で検出したエッジ抽出画像をY
軸方向に累積し投影グラフを得る。
The edge extracted image detected in FIG.
Accumulate in the axial direction to obtain a projection graph.

【0042】この時、タイバー切断部220はマスクさ
れているため、タイバー切断部220と同じX座標位置
付近に張り出しているタイバー切断部220周辺のリー
ド201間の異物107であっても、投影画像上に検出
可能となる。
At this time, since the tie bar cutting portion 220 is masked, even if the foreign matter 107 between the leads 201 around the tie bar cutting portion 220 protrudes near the same X coordinate position as the tie bar cutting portion 220, the projection image Above.

【0043】投影グラフ上の投影グラフ判断基準レベル
値109に達するか否かで、図1(d)に各リードの投
影領域110を検出し、各リード201毎の投影領域1
10の幅が規定範囲を越えているか否かでリード201
間の異物107の存在を検出できる。以上の処理を、リ
ード201の有る各辺単位で実施する。
FIG. 1D shows the detection of the projection area 110 of each lead based on whether or not the projection graph judgment reference level 109 on the projection graph has been reached.
The lead 201 is determined based on whether or not the width of the reference numeral 10 exceeds the specified range.
It is possible to detect the presence of the foreign matter 107 between them. The above process is performed for each side of the lead 201.

【0044】図5(a)乃至図5(d)は、本発明のI
Cが外観検査方法の第2の実施の形態例を示している。
なお、第2の実施の形態例による基本的構成は、第1の
実施の形態例と同様であり、第1の実施の形態例の構成
にさらに他のICリード形状不良、特にICパッケージ
のモールド部分の樹脂バリ504について外観検査がで
きるように工夫されている。
FIGS. 5 (a) to 5 (d) show the I of the present invention.
C shows a second embodiment of the appearance inspection method.
The basic configuration according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and the configuration of the first embodiment further differs from the configuration of the first embodiment in terms of other IC lead shape defects, in particular, IC package molding. The device is designed so that the appearance of the resin burr 504 can be inspected.

【0045】図5(a)において、ICパッケージ10
0の位置を把握するICパッケージ位置検出領域503
をパッケージ100左上と右下の位置に設定している。
ICパッケージ位置検出領域503の検出したICパッ
ケージ100の位置を基準に、樹脂バリマスク範囲50
5を設定している。それ以外の部分は先に説明した第1
の実施の形態例と同様である。
In FIG. 5A, the IC package 10
IC package position detection area 503 for grasping the position of 0
Are set at the upper left and lower right positions of the package 100.
Based on the position of the IC package 100 detected by the IC package position detection area 503, the resin
5 is set. Other parts are the first described above.
This is the same as the embodiment.

【0046】次に、図5(a)乃至図5(d)を参照し
て,第2の実施の形態例におけるIC外観検査方法の動
作について説明する。
Next, the operation of the IC appearance inspection method according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.

【0047】図5に(a)おいて、ICパッケージ10
0上のモールド部分の端部に樹脂バリ504が存在する
場合、パターンマッチング処理により予め登録されたI
Cパッケージ100の左上と右下のモデル画像とマッチ
ングする位置にそれぞれ、ICパッケージ位置検出領域
503が設定され、ICパッケージ100の位置を正確
に検出する。左上と右下で検出したICパッケージ10
0の位置に基づいて樹脂バリマスク範囲505が設定さ
れ、マスク範囲内の樹脂バリ504は許容される設定と
なっている。
In FIG. 5A, the IC package 10
In the case where the resin burr 504 exists at the end of the mold portion on the zero, the I registered in advance by the pattern matching process
An IC package position detection area 503 is set at a position matching the upper left and lower right model images of the C package 100, and the position of the IC package 100 is accurately detected. IC package 10 detected at upper left and lower right
The resin burr mask range 505 is set based on the position of 0, and the resin burr 504 within the mask range is set to be allowed.

【0048】図5(b)において、リード検出範囲ウイ
ンドー506は樹脂バリマスク範囲505の範囲内を検
出しない設定となっている。樹脂バリ504の樹脂バリ
マスク範囲505内にかかる部分は検出対象外となる。
In FIG. 5B, the lead detection range window 506 is set so as not to detect the area within the resin burr mask range 505. The portion of the resin burr 504 within the resin burr mask range 505 is not detected.

【0049】また、先の実施例と同様に設定されたタイ
バー切断部マスクウインドー507内にかかる樹脂バリ
504もまた検出対象外となる。この時、樹脂バリ50
4は画像としての輝度が半田メッキされているリード2
01と比べて低いため、リードエッジ検出に関しては影
響を及ぼさない。
Further, the resin burr 504 in the tie bar cutting portion mask window 507 set in the same manner as in the previous embodiment is also excluded from detection. At this time, the resin burr 50
4 is a lead 2 whose brightness as an image is plated with solder.
Since it is lower than 01, it has no effect on the read edge detection.

【0050】図5(c)において、上の二つのマスク領
域外に存在する樹脂バリ504部分については、先の実
施例と同様に不良形状部分投影データ509の形で検出
される。
In FIG. 5C, the resin burr 504 existing outside the upper two mask regions is detected in the form of defective shape part projection data 509 as in the previous embodiment.

【0051】図5(d)において、樹脂バリ504が存
在する部分のリード投影領域512は、樹脂バリ504
の部分が形状不良投影領域511の形で検出され、2リ
ード分のリード投影領域が1つにつながっており、設定
されたリード投影領域の許容幅を越えていることから、
ICリード形状不良の存在が検出される。
In FIG. 5D, the lead projection area 512 where the resin burr 504 is present is
Is detected in the form of the shape-defective projection area 511, and the lead projection area for two leads is connected to one, and exceeds the allowable width of the set lead projection area.
The presence of an IC lead shape defect is detected.

【0052】このように、第1及び第2の実施の形態例
では、タイバー切断部やICパッケージ付近の樹脂バリ
をマスクしているので、タイバー切断部220やICパ
ッケージ、そして許容範囲内の樹脂バリ504を誤認識
することなく、樹脂バリ検査が可能である。
As described above, in the first and second embodiments, since the resin burrs near the tie bar cutting portion and the IC package are masked, the tie bar cutting portion 220, the IC package, and the resin within an allowable range are masked. The resin burr inspection can be performed without erroneously recognizing the burr 504.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、以下に記載するような効果を奏する。
As described above, the present invention has the following effects.

【0054】第1の効果としては、タイバー切断部をマ
スクして検査しているので、タイバー切断部周辺に外観
形状不良が存在しても検出できることにある。
The first effect is that since the inspection is performed by masking the tie-bar cut portion, it is possible to detect even the appearance defect in the vicinity of the tie-bar cut portion.

【0055】第2の効果としては、タイバー切断部位置
を各IC毎に検出してマスクする領域を設定しているの
で、タイバー切断部位置が各IC毎にズレてもタイバー
切断部をICリード形状不良と誤認識せずに検査できる
ことにある。
The second effect is that the position of the tie-bar cutting portion is detected for each IC and the area to be masked is set. Inspection can be performed without erroneously recognizing a shape defect.

【0056】第3の効果としては、タイバー切断部位置
を各辺に並んだリード全体のタイバー切断部の並び状況
から検出するので、あるリードのタイバー部近辺にIC
リード形状不良が存在する場合でも、ICリード形状不
良をタイバー部と誤認識して不良を見逃すことなく検査
できることにある。
The third effect is that the position of the tie bar cutting portion is detected from the arrangement of the tie bar cutting portions of the entire lead arranged on each side.
Even when a lead shape defect exists, an IC lead shape defect is erroneously recognized as a tie bar portion, and the defect can be inspected without missing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のIC外観検査方法の第1の実施の形態
を示し、(a)はIC投影画像を示し、(b)はリード
検出ウインドーを示し、(c)はドット数及び不良形状
部分投影データの図を示し、(d)は理論値及び形状不
良投影領域を示す図である。
1A and 1B show a first embodiment of an IC appearance inspection method of the present invention, wherein FIG. 1A shows an IC projection image, FIG. 1B shows a lead detection window, and FIG. FIG. 3D is a diagram showing partial projection data, and FIG. 4D is a diagram showing a theoretical value and a shape-defective projection region.

【図2】本発明のIC外観検査方法の第1の実施の形態
を示し、(a)はリードエッジ部を示す図であり、
(b)はリードエッジ部のX軸方向に微分したdX成分
を検出するdX−Yグラフを表示した投影図であり、
(c)はdX−Yグラフ上のドットをdX軸の各座標毎
にY軸方向に累積したヒストグラム図であり、(d)は
(b)のdX−Y図上で、プラス側有効範囲とマイナス
側有効範囲とを示す図であり、(e)は、(d)で登録
したリードエッジ座標だけを対象として(a)のX−Y
座標上で最小2乗直線であるリードエッジ最小2乗直
線、プラス側リードエッジ許容幅、マイナス側リードエ
ッジ許容幅を示す図である。
2A and 2B show a first embodiment of an IC appearance inspection method according to the present invention, and FIG. 2A is a diagram showing a lead edge portion;
(B) is a projection view displaying a dX-Y graph for detecting a dX component differentiated in the X-axis direction of the lead edge portion,
(C) is a histogram diagram in which dots on the dX-Y graph are accumulated in the Y-axis direction for each coordinate of the dX-axis, and (d) is a plus-side effective range on the dXY diagram of (b). It is a figure which shows the negative side effective range, (e) is XY of (a) targeting only the lead edge coordinate registered at (d).
It is a figure which shows the lead edge least square line which is a minimum square line on a coordinate, the plus side lead edge allowable width, and the minus side lead edge allowable width.

【図3】本発明のIC外観検査方法の第1の実施の形態
を示し、(a)はタイバー切断部仮定中心位置及びリー
ド間異物中心位置を示す図であり、(b)はドットの集
合の連続範囲をタイバー切断部仮定中心位置有効範囲を
示す図であり、(c)はダイバー切断部中心位置最小2
乗直線及びタイバー部中心座標を示す図である。
3A and 3B show a first embodiment of an IC appearance inspection method according to the present invention, in which FIG. 3A is a diagram showing an assumed center position of a tie bar cut portion and a center position of foreign matter between leads, and FIG. (C) is a diver cutting part center position minimum 2
It is a figure which shows a square and a tie-bar part center coordinate.

【図4】本発明のIC外観検査方法の第1の実施の形態
を示し、エッジ抽出処理後画像を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an IC appearance inspection method according to the first embodiment of the present invention and illustrating an image after edge extraction processing.

【図5】本発明のIC外観検査方法の第2の実施の形態
を示し、(a)はIC画像を示し、(b)はリード検出
ウインドーを示し、(c)はドット数及び不良形状部分
投影データを示し、(d)は理論値及び形状不良投影領
域を示す図である。
5A and 5B show a second embodiment of the IC appearance inspection method of the present invention, wherein FIG. 5A shows an IC image, FIG. 5B shows a lead detection window, and FIG. FIG. 3D shows projection data, and FIG. 4D is a diagram showing a theoretical value and a shape defective projection area.

【図6】本発明のIC外観検査方法の第2の実施の形態
を示し、(a)は背景画像上のIC画像をX軸、Y軸に
基づきカメラにより撮影した画像であり、(b)はドッ
ト数を示し、(c)は理論値を示す図である。
6A and 6B show a second embodiment of an IC appearance inspection method according to the present invention, wherein FIG. 6A is an image obtained by photographing an IC image on a background image by a camera based on X and Y axes, and FIG. Shows the number of dots, and (c) shows a theoretical value.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 IC撮影画像 102 IC画像 103 背景画像 104 データ加工範囲ウインドー 105,602 リード検出範囲ウインドー 106 タイバー切断部マスクウインドー 107,601、603 異物 108 不良形状部分投影データ 109 投影グラフ判断基準レベル値 111 形状不良投影領域 201,606 リード 203 ドットピーク値 205 プラス側有効範囲 204 マイナス側有効範囲 206 タイバー切断部仮定範囲 207 マイナス側リードエッジ許容幅 208 プラス側リードエッジ許容幅 220,610 タイバー切断部 301 タイバー切断部仮定中心位置 302 リード間異物中心位置 303 タイバー切断部仮定中心位置有効範囲 304 タイバー部中心座標 305 タイバー切断部中心位置最小2乗直線 503 ICパッケージ位置検出領域 504 樹脂バリ 505 樹脂バリマスク範囲 506 リード検出範囲ウインドー 604 不良形状部分投影データ 607 リード投影領域 Reference Signs List 101 IC photographed image 102 IC image 103 Background image 104 Data processing range window 105, 602 Lead detection range window 106 Tie bar cut portion mask window 107, 601, 603 Foreign matter 108 Defective shape partial projection data 109 Projection graph judgment reference level value 111 Shape Poor projection area 201,606 Lead 203 Dot peak value 205 Positive side effective range 204 Minus side effective range 206 Assumed range of tie bar cutting part 207 Minus side lead edge allowable width 208 Positive side lead edge allowable width 220,610 Tie bar cutting part 301 Tie bar cutting Assumed center position of part 302 Center position of foreign matter between leads 303 Effective range of assumed center position of tie bar cutting part 304 Center coordinate of tie bar part 305 Least square straight line of center position of tie bar cutting part 503 C Package position detection region 504 resin burr 505 resin Barimasuku range 506 read the detection range window 604 defective shape partial projection data 607 read projection region

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA02 AA03 AA12 AA17 AA49 AA51 CC27 FF04 FF42 QQ00 QQ03 QQ04 QQ13 QQ17 QQ18 QQ21 QQ25 QQ27 QQ28 QQ29 QQ32 QQ36 QQ37 QQ38 QQ43 QQ45 QQ51 RR05 2G051 AA61 AA62 AB01 AB20 CA04 EA08 EA14 EA23 EB01 EB02 EC02 ED01 ED07 ED23  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F-term (reference) 2F065 AA02 AA03 AA12 AA17 AA49 AA51 CC27 FF04 FF42 QQ00 QQ03 QQ04 QQ13 QQ17 QQ18 QQ21 QQ25 QQ27 QQ28 QQ29 QQ32 QQ36 QQ37 QQ38 QQ43 AQA QEA EA1A EB01 EB02 EC02 ED01 ED07 ED23

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 リード間や半導体装置周辺に存在する異
物を検査するIC外観検査方法において、前記リードを
相互に連結しているタイバー切断部の位置を検出し、該
タイバー切断部をマスクすることで、前記タイバー切断
部周辺の前記異物の検出を行うことを特徴とするIC外
観検査方法。
In an IC appearance inspection method for inspecting foreign matter existing between leads and around a semiconductor device, a position of a tie bar cut portion connecting the leads is detected, and the tie bar cut portion is masked. And detecting the foreign matter in the vicinity of the cut portion of the tie bar.
【請求項2】 請求項1記載のIC外観検査方法におい
て、前記タイバー切断部をマスクした上で、前記リード
の存在範囲を指定するリード検出範囲ウインドー内をエ
ッジ抽出処理し、前記リード及びリード形状不良の輪郭
部分を検出したエッジ抽出画像を累積した投影グラフ上
の投影グラフ判断基準レベル値に達するか否かでリード
投影領域を検出し、前記リード毎の前記投影領域の幅が
規定範囲を越えているか否かで前記異物の存在を検出す
ることを特徴とするIC外観検査方法。
2. The IC appearance inspection method according to claim 1, wherein, after masking the tie bar cutting portion, an edge extraction process is performed in a lead detection range window for designating an existing range of the lead, and the lead and the lead shape are formed. A lead projection area is detected based on whether or not a projection graph judgment reference level value on a projection graph on which an edge extracted image in which a defective contour portion has been detected is accumulated is detected, and the width of the projection area for each lead exceeds a specified range. Detecting the presence of the foreign matter based on whether or not the IC is present.
【請求項3】 請求項2記載のIC外観検査方法におい
て、前記リード検出範囲ウインドー内に捉えた前記リー
ドの左右それぞれに分けてリードエッジを検出してX座
標の微分データを検出し、該微分データの中から前記リ
ードの直線部分を示すX方向の変移量の突出点を検出
し、検出した該X方向変移量の突出点を中心とし前記リ
ードの直線範囲と見なす範囲を特定し、特定された前記
直線範囲上のデータを使って最小2乗直線を引き、前記
リード上の直線と見なせる範囲を指定して該範囲外の部
分をタ前記イバー切断部仮定範囲として検出し、該ダイ
バー切断部仮定中心位置として前記タイバー切断部の候
補点を全てプロットし、検出したドットの前記X軸方向
のヒストグラムから前記タイバー切断部が存在する位置
をドットの連続した山として特定し、前記タイバー切断
部が存在する範囲を限定することで他のノイズ成分とな
るリード形状不良を切り分け、先に特定された前記タイ
バー切断部仮定中心位置有効範囲内に有る前記タイバー
切断部仮定中心位置のみを有効ドットとして最小2乗直
線を引き、前記タイバー切断部と前記異物及び前記リー
ド形状不良とを切り分け、タイバー部中心座標をタイバ
ー切断部中心最小2乗直線と前記タイバー切断部の左右
のエッジ点とから特定し、その点を中心にタイバー切断
部マスクウインドーを対象範囲内の全リードに設定する
ことを特徴とするIC外観検査方法。
3. The method of claim 2, wherein the X-coordinate differential data is detected by detecting a lead edge for each of the left and right sides of the lead captured in the lead detection range window. A protruding point of the displacement in the X direction indicating a linear portion of the lead is detected from the data, and a range to be regarded as a linear range of the lead is specified with the protruding point of the detected displacement in the X direction as a center. A least-squares straight line is drawn using the data on the straight line range, a range that can be regarded as a straight line on the lead is specified, and a portion outside the range is detected as the diver cutting portion assumed range. All the candidate points of the tie-bar cutting portion are plotted as the assumed center position, and the position where the tie-bar cutting portion exists is determined from the histogram of the detected dots in the X-axis direction. The tie-bar cutting portion located within the effective range of the tie-bar cutting portion assumed center position previously specified is separated by limiting the range in which the tie-bar cutting portion is present, thereby isolating a lead shape defect that is another noise component. A least-squares straight line is drawn using only the assumed center position as an effective dot, the tie-bar cutting portion is separated from the foreign matter and the lead shape defect, and the tie-bar center coordinate is set to the tie-bar cutting portion center least-squares straight line and the tie-bar cutting portion An IC appearance inspection method characterized by specifying from left and right edge points, and setting a tie bar cut portion mask window to all leads within a target range around the point.
【請求項4】 請求項2記載のIC外観検査方法におい
て、前記リード検出範囲ウインドーは、広く範囲を指定
したデータ加工範囲ウインドー中で、タパーンマッチン
グ等の検出手段にリードの存在範囲を狭く指定するウイ
ンドーであり、データ加工範囲ウインドー中で前記リー
ドの検出範囲に範囲を制限して前記リードの抽出を行う
ことを特徴とするIC外観検査方法。
4. The IC appearance inspection method according to claim 2, wherein said lead detection range window is narrowly designated by a detection means such as tapan matching in a data processing range window having a wide range designated. An IC appearance inspection method, wherein the lead is extracted by limiting the range of the lead detection range in the data processing range window.
【請求項5】 請求項1記載のIC外観検査方法におい
て、前記半導体装置上のモールド部分の端部に前記樹脂
バリが存在する場合、パターンマッチング処理により予
め登録された前記半導体装置の左上と右下のモデル画像
とマッチングする位置にそれぞれ位置検出領域を設定
し、左上と右下で検出した前記半導体装置の位置に基づ
いて樹脂バリマスク範囲を設定することを特徴とするI
C外観検査方法。
5. The IC appearance inspection method according to claim 1, wherein when the resin burr exists at an end of a mold portion on the semiconductor device, an upper left and a right of the semiconductor device registered in advance by a pattern matching process. A position detection region is set at a position matching the lower model image, and a resin burr mask range is set based on the position of the semiconductor device detected at the upper left and lower right.
C appearance inspection method.
【請求項6】 請求項5記載のIC外観検査方法におい
て、前記樹脂バリが存在する部分の前記リード投影領域
が、前記樹脂バリ部分が形状不良投影領域の形で検出さ
れることを特徴とするIC外観検査方法。
6. The IC appearance inspection method according to claim 5, wherein the lead projection area of the portion where the resin burr is present is detected in the form of a defective shape projection region of the resin burr portion. IC appearance inspection method.
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