JP3434744B2 - IC appearance inspection method - Google Patents

IC appearance inspection method

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JP3434744B2
JP3434744B2 JP22872399A JP22872399A JP3434744B2 JP 3434744 B2 JP3434744 B2 JP 3434744B2 JP 22872399 A JP22872399 A JP 22872399A JP 22872399 A JP22872399 A JP 22872399A JP 3434744 B2 JP3434744 B2 JP 3434744B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ICの外観形状を
検査するIC外観検査方法に属し、特にICリード周辺
の異物やICパッケージ(半導体装置)周辺の樹脂バリ
の存在を検査するために用いるIC外観検査方法に属す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC appearance inspection method for inspecting the appearance shape of an IC, and is particularly used for inspecting the presence of foreign matter around IC leads and the presence of resin burr around IC packages (semiconductor devices). It belongs to the IC visual inspection method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のリード検査装置としては、特開平
8-15166号公報に、半導体装置のリードを相互に
連結しているタイバー切断部の切断状態を検査するもの
が記載されている。このリード検査装置では、支持手段
によって半導体装置を所定位置に支持し、この支持手段
に支持される半導体装置のリードをその平面方向からC
CDカメラによって観察する。そしてカメラに観測され
た画像から複数のリードのタイバー切断部の部位を幅方
向に検出してリードの中心位置の数と間隔とからなる検
出データを得ている。
2. Description of the Related Art As a conventional lead inspection apparatus, JP-A-8-15166 discloses an apparatus for inspecting a cutting state of a tie bar cutting portion connecting leads of a semiconductor device to each other. In this lead inspection apparatus, the semiconductor device is supported at a predetermined position by the supporting means, and the lead of the semiconductor device supported by the supporting means is C from the plane direction.
Observe with a CD camera. Then, the tie bar cut portions of a plurality of leads are detected in the width direction from the image observed by the camera to obtain detection data consisting of the number of center positions of the leads and the intervals.

【0003】検出データは非切断部位を幅方向に検出し
て同様の項目で構成される標準データと比較してその結
果を出力する画像処理手段とを有している。
The detection data has an image processing means for detecting a non-cut portion in the width direction, comparing it with standard data composed of similar items, and outputting the result.

【0004】従来のIC外観検査方法の具体例を図6
(a)乃至図6(c)を参照して説明する。図6(a)
は背景画像500上のIC画像をX軸、Y軸に基づきカ
メラにより撮影した画像である。図6(b)はドット数
を示している。図6(c)は論理値を示している。
A concrete example of a conventional IC appearance inspection method is shown in FIG.
This will be described with reference to (a) to FIG. 6 (c). Figure 6 (a)
Is an image of the IC image on the background image 500 taken by a camera based on the X axis and the Y axis. FIG. 6B shows the number of dots. FIG. 6C shows a logical value .

【0005】リード検出範囲ウインドー602は、図6
(a)に示したように、タイバー切断部610が存在し
ない範囲に限定して設定される。リード600間に異物
601、603が存在した場合、投影グラフ上にはリー
ド検出範囲ウインドー602内にある異物603のみが
図6(b)に示した不良形状部分投影データ604とし
て検出され、図6(c)に示したリード投影領域607
の上でも形状不良投影領域606のみがリード投影領域
607の許容幅を越えたという形で検出される。
The lead detection range window 602 is shown in FIG.
As shown in (a), the tie bar cutting section 610 is set to be limited to a range where it does not exist. When foreign matter 601 and 603 exist between the leads 600, only the foreign matter 603 within the lead detection range window 602 is detected as the defective shape partial projection data 604 shown in FIG. 6B on the projection graph. The lead projection area 607 shown in FIG.
Even on the top, only the defective projection area 606 is the lead projection area.
It is detected that the allowable width of 607 is exceeded.

【0006】ここで、タイバー切断部610付近にある
異物601はリード検出範囲ウインドー602の外であ
り、投影グラフでもリード投影領域607でも検出され
ない。なお、図6(b)中の符号605は、投影グラフ
判断基準レベルを示している。
Here, the foreign matter 601 near the tie bar cutting section 610 is outside the lead detection range window 602 and is not detected in the projection graph or the lead projection area 607 . The reference numeral 605 in FIG. 6B indicates a projection graph determination reference level.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、タイバ
ー切断部610付近にある異物601は、リード検出範
囲ウインドー602の外にあり、投影グラフによっても
リード投影領域607によても検出することができな
い。したがって、従来のリード外観検査方法において
は、タイバー切断部610付近のICリード形状不良を
検出できないということである。
However, the foreign matter 601 near the tie bar cutting section 610 is outside the lead detection range window 602 and cannot be detected by the projection graph or the lead projection area 607 . Therefore, the conventional lead appearance inspection method cannot detect an IC lead shape defect near the tie bar cutting portion 610.

【0008】それ故に本発明の課題は、タイバー切断部
付近のIC形状不良や樹脂バリを容易に検出することが
できるIC外観検査方法を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide an IC appearance inspection method capable of easily detecting a defective IC shape and resin burr near the tie bar cut portion.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、リード
間や半導体装置周辺に存在する異物を検査するIC外観
検査方法において、前記リードを相互に連結しているタ
イバー切断部の位置を検出し、前記タイバー切断部をマ
スクした上で、前記リードの存在範囲を指定するリード
検出範囲ウインドー内をエッジ抽出処理し、前記リード
及びリード形状不良の輪郭部分を検出したエッジ抽出画
像を累積した投影グラフ上の投影グラフ判断基準レベル
値に達するか否かでリード投影領域を検出し、前記リー
ド毎の前記リード投影領域の幅が規定範囲を越えている
か否かで前記異物の存在を検出することを特徴とするI
C外観検査方法が得られる。
According to the present invention, in the IC appearance inspection method for inspecting foreign matter existing between leads or around a semiconductor device, the position of a tie bar cutting portion interconnecting the leads is detected. and, after masking the tie bar cutting unit, lead to specify the existing range of the lead
The lead is processed by edge extraction processing in the detection range window.
And edge extraction image that detected the outline part of the lead shape defect
Projection graph judgment reference level on the projection graph with accumulated images
The lead projection area is detected depending on whether or not the value is reached, and the lead projection area is detected.
The width of the lead projection area for each card exceeds the specified range.
I is characterized by detecting the presence of the foreign matter depending on whether
A C visual inspection method can be obtained.

【0010】[0010]

【作用】本発明は、ICの外観形状、特にICリードの
異物の存在を検査するには、タイバー切断部の位置を検
出し、タイバー切断部を正確にマスクすることで、タイ
バー切断部周辺のリード間異物の検出が可能となる。
The present invention detects the position of the tie bar cutting portion and accurately masks the tie bar cutting portion in order to inspect the external appearance of the IC, especially the presence of foreign matter on the IC lead. Foreign matter between leads can be detected.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1(a)乃至図1(d)は、IC
リードの異物の存在を検査するIC外観検査方法の第1
の実施の形態例を示している。図1(a)は、X軸、Y
軸に基づき投影したIC画像を示している。図1(b)
はリード検出範囲ウインドーを示している。図1(c)
は、ドット数及び不良形状部分投影データを示してい
る。図1(d)は、論理値及び形状不良投影領域を示し
ている。
1 (a) to 1 (d) show an IC.
The first IC appearance inspection method for inspecting the presence of foreign matter on leads
The example of embodiment of is shown. FIG. 1A shows the X axis and the Y axis.
The IC image projected based on the axis is shown. Figure 1 (b)
Indicates the lead detection range window. Figure 1 (c)
Indicates the number of dots and defective shape partial projection data. FIG. 1D shows the logical value and the defective shape projection area.

【0012】図1(a)を参照して、第1の実施の形態
例におけるIC外観検査方法では、ICパッケージ(半
導体装置)100を撮影したIC撮影画像101を採用
している。IC撮影画像101は背景画像103上のI
C画像102をカメラにより撮影した画像であり、IC
をカメラで撮影しIC画像102を検出している。デー
タ加工範囲ウインドー104は、IC画像102中の特
定のリード201部分を画像処理する領域として指定す
るウインドーであり、IC画像102から所定の数のリ
ード201のみを切り分け抽出する。
Referring to FIG. 1A, the IC appearance inspection method according to the first embodiment employs an IC photographed image 101 obtained by photographing an IC package (semiconductor device) 100. The IC captured image 101 is I on the background image 103.
C image 102 is an image taken by a camera,
Is photographed by the camera and the IC image 102 is detected. The data processing range window 104 is a window that designates a specific lead 201 portion in the IC image 102 as an area for image processing, and cuts and extracts only a predetermined number of leads 201 from the IC image 102.

【0013】図1(b)に示すリード検出範囲ウインド
ー105は、広く範囲を指定したデータ加工範囲ウイン
ドー104中で、パターンマッチング等の検出手段にリ
ード201の存在範囲を狭く指定するウインドーであ
り、データ加工範囲ウインドー104中でICリードの
検出範囲に範囲を制限してリード201の抽出を行う。
The lead detection range window 105 shown in FIG. 1 (b) is a window for narrowing the existing range of the lead 201 in the detection means such as pattern matching in the data processing range window 104 in which a wide range is specified. The lead 201 is extracted by limiting the range to the IC lead detection range in the data processing range window 104.

【0014】図1(b)において、データ加工範囲ウイ
ンドー104中に捉えられたリード201に対し、リー
ド201のタイバー切断部220を検出し、タイバー切
断部マスクウインドー106を設定する。ICに外観上
の不具合がある場合、例えばリード201間の異物10
7がリード201上に付着していることがある。タイバ
ー切断部マスクウインドー106は、リード検出範囲ウ
インドー105内の各リード201上からタイバー切断
部仮定範囲を切り出して各リード201のタイバー切断
部仮定中心位置を検出し、一辺内の全リード201上か
ら、ある範囲内のタイバー切断部仮定中心位置を切り分
け、それらの点を通過するタイバー切断部中心最小二乗
直線をひき、各リード201の中間点を通るタイバー切
断部中心最小二乗直線上の座標をタイバー部中心座標を
中心にマスク領域を発生させたウインドーである。
In FIG. 1B, the tie bar cutting portion 220 of the lead 201 is detected for the lead 201 captured in the data processing range window 104, and the tie bar cutting portion mask window 106 is set. When the IC has a defect in appearance, for example, the foreign matter 10 between the leads 201
7 may be attached on the lead 201. The tie bar cutting part mask window 106 cuts out the tie bar cutting part assumed range from each lead 201 in the lead detection range window 105, detects the tie bar cutting part assumed center position of each lead 201, and detects all the leads 201 within one side. From the above, the assumed center position of the tie bar cutting part within a certain range is divided, a tie bar cutting part center least square straight line passing through those points is drawn, and the coordinates on the tie bar cutting part center least square line passing through the midpoint of each lead 201 are calculated. This is a window in which a mask area is generated around the center coordinates of the tie bar portion.

【0015】図1(c)において、リード検出範囲ウイ
ンドー105中に捉えられたICリード画像から、タイ
バー切断部マスクウインドー106でマスクしている領
域を除くリードの部分をエッジ抽出処理により、リード
エッジ部分を検出し、X軸の各座標毎にY軸方向に輝度
値を累積させてグラフ化した投影グラフを描画してい
る。
In FIG. 1 (c), from the IC lead image captured in the lead detection range window 105, the lead portion excluding the area masked by the tie bar cutting portion mask window 106 is read by edge extraction processing. An edge portion is detected and luminance values are accumulated in the Y-axis direction for each X-axis coordinate to draw a projection graph.

【0016】図1(c)に示す不良形状部分投影データ
108は、リード検出範囲ウインドー105内のタイバ
ー切断部マスクウインドー106によりマスクされた範
囲を除く各リード201をエッジ抽出処理した後、X軸
上の各座標毎にY軸方向に輝度値を累積させた時の、各
リード201の輝度値の累積波形を示す。
The defective shape partial projection data 108 shown in FIG. 1C is subjected to edge extraction processing on each lead 201 excluding the area masked by the tie bar cutting portion mask window 106 in the lead detection area window 105 , and then X The cumulative waveform of the brightness value of each lead 201 when the brightness value is accumulated in the Y-axis direction for each coordinate on the axis is shown.

【0017】また、不良形状部分投影データ108は、
投影された、リード201毎の形状を示すグラフ中で、
リード201間の異物107等のIC形状不良を反映
し、その不良の存在を示す投影データである。投影グラ
フ判断基準レベル値109はリードの存在範囲を示すた
めのスレッシュホールドレベルを示す。
The defective shape partial projection data 108 is
In the graph showing the shape of each projected lead 201,
It is projection data that reflects an IC shape defect such as the foreign substance 107 between the leads 201 and indicates the existence of the defect. The projection graph determination reference level value 109 indicates a threshold level for indicating the existence range of the lead.

【0018】図1(d)に示すリード投影領域110
は、図1(c)に示した不良形状部分投影データ108
に於いて投影グラフ判断基準レベル値109に達してい
る部分を論理値1とし、達していない部分を論理値0と
した場合に、各リード201のX軸上の存在する領域を
示す。
The lead projection area 110 shown in FIG.
Is the defective shape partial projection data 108 shown in FIG.
In the case where the portion that has reached the projection graph determination reference level value 109 is a logical value 1 and the portion that has not reached the projected graph determination reference level value 109 is a logical value 0, an area existing on the X axis of each lead 201 is shown.

【0019】また、リード投影領域110は、リード2
01間の異物107をリード幅分に形状不良投影領域1
11が加わった幅で出力するため、幅が規定範囲を越え
ることからリード形状不良の存在を検出する。
Further, the lead projection area 110 is formed by the lead 2
The foreign matter 107 in the area 01 is projected onto the lead width by the shape defect projection area 1
Since the output is performed with the width added with 11, the presence of the lead shape defect is detected because the width exceeds the specified range.

【0020】このようにして、各リード201のタイバ
ー切断部マスクウインドー106の突出部分を切り出
し、ICパッケージ100上の各辺のリード201の突
出部分を通過する最小二乗直線を引くことでタイバー切
断部220の並びを特定し、各リード201のタイバー
切断部220をマスクしているので、リード201間の
異物107がタイバー切断部220周辺に存在しても、
リード形状不良として検出できる。
In this way, the protruding portion of the tie bar cutting portion mask window 106 of each lead 201 is cut out, and the least square straight line passing through the protruding portion of the lead 201 on each side of the IC package 100 is drawn to cut the tie bar. Since the arrangement of the parts 220 is specified and the tie bar cutting part 220 of each lead 201 is masked, even if the foreign matter 107 between the leads 201 exists around the tie bar cutting part 220,
It can be detected as a lead shape defect.

【0021】図1(d)において、このグラフで示した
リード投影領域110は、図1(c)に示す投影グラフ
の各リード201を示すデータが投影グラフ判断基準レ
ベル値109に達している部分を論理値1、達していな
い部分を論理値0とした時の、X軸方向の投影グラフの
検出論理値から、各リード201が存在している範囲を
示す。
In FIG. 1D, the lead projection area 110 shown by this graph is a portion where the data showing each lead 201 of the projection graph shown in FIG. 1C has reached the projection graph judgment reference level value 109. Indicates the range in which each lead 201 exists from the detected logical value of the projection graph in the X-axis direction, where is a logical value 1 and the portion that has not reached is a logical value 0.

【0022】リード201間の異物107が存在する場
合、本グラフ上の形状不良投影領域111の部分として
グラフに表現される。
When the foreign matter 107 between the leads 201 exists, it is represented in the graph as a portion of the shape defect projection area 111 on this graph.

【0023】次に、図2(a)においては、リード20
1から、背景画像103とリード201との境界部分を
検出するとリードエッジ部202が検出される。図2
(b)において、リードエッジ部202のX軸方向に微
分したdX成分を検出するdX−Yグラフを表示してい
る。図2(c)において、dX−Yグラフ上のドットを
dX軸の各座標毎にY軸方向に累積したヒストグラム図
を描き、そのグラフ上のドット数が最大となるdX値で
あるドットピーク値203を求めている。
Next, in FIG. 2A, the lead 20
From 1, the lead edge portion 202 is detected when the boundary portion between the background image 103 and the lead 201 is detected. Figure 2
In (b), a dX-Y graph for detecting a dX component differentiated in the X-axis direction of the lead edge portion 202 is displayed. In FIG. 2C, a histogram diagram in which dots on the dX-Y graph are accumulated in the Y-axis direction for each coordinate on the dX axis is drawn, and the dot peak value that is the dX value that maximizes the number of dots on the graph. Seeking 203.

【0024】図2(d)においては、図2(b)のdX
−Y図上で、ドットピーク値203を中心にdX値がプ
ラス側にまでの幅で許容したプラス側有効範囲205
と、マイナス側にnまでの幅で許容したマイナス側有効
範囲204の二つの値の間にあるリードエッジ座標だけ
を有効データとして登録している。
In FIG. 2D, dX in FIG.
On the Y diagram, the plus-side effective range 205, which is the width of the dot peak value 203 and the dX value up to the plus side, is allowed.
Then, only the lead edge coordinates lying between the two values of the negative side effective range 204, which is allowed by the width up to n on the negative side, are registered as valid data.

【0025】図2(e)においては、図2(d)で登録
したリードエッジ座標だけを対象として図2(a)のX
−Y座標上で最小2乗直線であるリードエッジ最小2乗
直線209を引く。このリードエッジ最小2乗直線(Y
=αX+β)をX軸のプラス側に一定量シフトした直線
(Y=αX+β+m)であるプラス側リードエッジ許容
幅208と、同様にリードエッジ最小2乗直線209
(Y=αX+β)をX軸のマイナス側に一定量シフトし
た直線(Y=αX+β−m)であるマイナス側リードエ
ッジ許容幅(直線)207とを設定する。
In FIG. 2 (e), only the lead edge coordinates registered in FIG. 2 (d) are targeted, and X in FIG. 2 (a) is selected.
-Draw the lead edge least squares line 209 which is the least squares line on the Y coordinate. This lead edge least squares line (Y
= ΑX + β) is a straight line (Y = αX + β + m), which is a straight line (Y = αX + β + m) obtained by shifting the positive side of the X axis by a certain amount, and the lead edge least squares line 209 is similarly formed
A minus side lead edge allowable width (straight line) 207 which is a straight line (Y = αX + β-m) obtained by shifting (Y = αX + β) to the minus side of the X axis by a predetermined amount is set.

【0026】これらの直線の許容幅207,208に挟
まれて領域をリードの長手方向の直線部分と見なし、そ
の直線領域上で許容幅(直線)207,208から外れ
た連続領域であるタイバー切断部仮定範囲206をタイ
バー切断部220が存在する領域と見なす。
A region sandwiched by the permissible widths 207 and 208 of these straight lines is regarded as a straight line portion in the longitudinal direction of the lead, and tie bar cutting which is a continuous region outside the permissible widths (straight lines) 207 and 208 on the straight line region. The hypothetical range 206 is regarded as a region where the tie bar cutting part 220 exists.

【0027】これら図2(a)〜図2(e)で検出した
リードの長手方向の直線領域とタイバー切断部220が
存在する領域の検出を1本のリード201の左右で行
い、更にリード検出範囲ウインドー105内の全てのリ
ード201に付いて同様に検出を行う。
The linear region in the longitudinal direction of the lead and the region where the tie bar cutting portion 220 exists are detected on the left and right sides of one lead 201 as shown in FIGS. 2 (a) to 2 (e), and further lead detection is performed. The same detection is performed for all the leads 201 in the range window 105.

【0028】次に、図3(a)乃至図3(c)について
説明する。図3(a)において、図2で検出したリード
201の長手方向の直線領域とタイバー切断部220が
存在する領域の情報を元にタイバー切断部仮定範囲20
6のY軸方向の中間位置にあるリードエッジ座標をタイ
バー切断部仮定中心位置301と設定する。これを全リ
ード201に関して設定していく。この時、リード20
1間の異物107等のリード形状不良が存在した場合も
同様にタイバー切断部220の候補としてリード間異物
中心位置302が検出される。
Next, FIGS. 3A to 3C will be described. In FIG. 3A, the tie bar cutting portion assumed range 20 is based on the information of the linear region in the longitudinal direction of the lead 201 detected in FIG. 2 and the region where the tie bar cutting portion 220 exists.
The lead edge coordinate at the intermediate position in the Y-axis direction of 6 is set as the assumed center position 301 of the tie bar cutting portion. This is set for all leads 201. At this time, the lead 20
Even when a lead shape defect such as the foreign matter 107 between 1 is present, the inter-lead foreign matter center position 302 is similarly detected as a candidate for the tie bar cutting section 220.

【0029】図3(b)において、図3(a)で検出さ
れた全てのタイバー切断部220の候補中心位置をY軸
の座標毎のX軸方向に候補中心位置点の数を累積させた
グラフ上にプロットする。このグラフ上でドット数の連
続が最大となる部分を検出し、そのドットの集合の連続
範囲をタイバー切断部仮定中心位置有効範囲303とし
て切り出す。この時リード201間の異物107等のリ
ード形状不良は、タイバー切断部220の近くに無い限
り、図3(b)に示したグラフ上のタイバー切断部仮定
中心位置有効範囲303から外れた位置に検出される。
In FIG. 3B, the candidate center positions of all the tie bar cutting portions 220 detected in FIG. 3A are accumulated in the number of candidate center position points in the X-axis direction for each Y-axis coordinate. Plot on the graph. The part where the number of dots is the largest is detected on this graph, and the continuous range of the set of dots is cut out as the tie bar cutting portion assumed center position effective range 303. At this time, unless the lead shape defect such as the foreign matter 107 between the leads 201 is near the tie bar cutting portion 220, the lead shape defect is located outside the tie bar cutting portion hypothetical center position effective range 303 on the graph shown in FIG. 3B. To be detected.

【0030】図3(c)においては、図3(b)でタイ
バー切断部仮定中心位置有効範囲303中に存在するタ
イバー切断部仮定中心位置301全てを対象とした最小
2乗直線であるタイバー切断部中心位置最小2乗直線3
05を引く。
In FIG. 3 (c), the tie bar cutting which is the least squares line for all the assumed tie bar cutting part center positions 301 existing in the tie bar cutting part hypothetical center position effective range 303 in FIG. 3 (b). Center position of least square line 3
Subtract 05.

【0031】各リード201上で左右のタイバー切断部
仮定中心位置301のX軸上に於ける中点で且つタイバ
ー切断部中心位置最小2乗直線305上の点をタイバー
部中心座標304と定義し、検出範囲内の全リード20
1について求める。
A point on the least square line 305 of the center position of the tie bar cutting part center position on the X axis of the left and right assumed tie bar cutting part center position 301 on each lead 201 is defined as the tie bar part center coordinate 304. , All leads within the detection range 20
Ask about 1.

【0032】各リード201上のタイバー部中心座標3
04を中心に予め設定されたx1ドット×y1ドットの
範囲のタイバー切断部マスクウインドー106を対象と
なる全リードについて設定する。
The tie bar over part center coordinates 3 on each lead 201
A tie bar cutting portion mask window 106 in a range of x1 dot × y1 dot set in advance around 04 is set for all target leads.

【0033】次に、図4について説明する。図1(b)
で設定されたタイバー切断部マスクウインドー106を
検出対象外領域とし、リード検出範囲ウインドー105
内のリード画像に対し、エッジ抽出処理を行ったのが図
4のエッジ抽出処理後画像になる。
Next, FIG. 4 will be described. Figure 1 (b)
The tie bar cutting portion mask window 106 set in step 3 is set as the non-detection area, and the lead detection range window 105 is set.
The image after edge extraction processing in FIG. 4 is obtained by performing edge extraction processing on the lead image inside.

【0034】以上詳細に実施例の構成を述べたが、図1
(c)の投影処理、図1(d)の論理値グラフ化、図2
(c)のヒストグラム化、図3(b)のヒストグラム
化、図4のエッジ抽出処理は、当業者にとってよく知ら
れており、また本発明とは直接関係しないので、その詳
細な構成は省略する。
The configuration of the embodiment has been described in detail above.
FIG. 2C is a projection process, FIG. 1D is a logical value graph, and FIG.
The histogram formation of (c), the histogram formation of FIG. 3 (b), and the edge extraction processing of FIG. 4 are well known to those skilled in the art, and since they are not directly related to the present invention, their detailed configuration will be omitted. .

【0035】第1の実施の形態例におけるIC概観検査
方法の動作を図1(b)乃至図4を参照しながら説明す
る。
The operation of the IC overview inspection method according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.

【0036】図1(b)でリード検出範囲ウインドー1
05内に捉えた各リードは図2(a)でリード201
左右それぞれに分けて、リードエッジ部202を検出
し、図2(b)ではそのX座標の微分データを検出し図
2(c)で微分データの中からリードの直線部分を示す
X方向の変移量の突出点を検出する。
In FIG. 1B, the lead detection range window 1
Each lead captured in 05 is divided into the left and right sides of the lead 201 in FIG. 2A, the lead edge portion 202 is detected, and the differential data of the X coordinate is detected in FIG. ), The protruding point of the shift amount in the X direction indicating the straight line portion of the lead is detected from the differential data.

【0037】図2(d)は、検出したX方向変移量の突
出点を中心としリード201の直線範囲と見なす範囲を
特定する。図2(e)で特定された直線範囲上のデータ
を使って最小2乗直線を引き、リード201上の直線と
見なせる範囲を指定して、その範囲外の部分をタイバー
切断部仮定範囲206として検出する。
FIG. 2D specifies a range which is regarded as a linear range of the lead 201 with the projected point of the detected X-direction displacement amount as the center. A least-squares straight line is drawn using the data on the straight line range identified in FIG. 2E, a range that can be regarded as a straight line on the lead 201 is designated, and a portion outside the range is set as the tie bar cutting portion assumed range 206. To detect.

【0038】図3(a)でタイバー切断部仮定中心位置
301としてタイバー切断部220の候補点を全てプロ
ットし、図3(b)で検出したドットのX軸方向のヒス
トグラムからタイバー切断部220が存在する位置をド
ットの連続した山として特定し、タイバー切断部220
が存在する範囲を限定することで他のノイズ成分となる
リード形状不良を切り分ける。
In FIG. 3A, all the candidate points of the tie bar cutting part 220 are plotted as the assumed center position 301 of the tie bar cutting part, and the tie bar cutting part 220 is determined from the histogram of dots detected in FIG. 3B in the X-axis direction. The existing position is specified as a continuous mountain of dots, and the tie bar cutting unit 220
By limiting the range in which exists, the lead shape defect that becomes another noise component is separated.

【0039】図3(c)で先に特定されたタイバー切断
部仮定中心位置有効範囲303内に有るタイバー切断部
仮定中心位置301のみを有効ドットとしてタイバー切
断部中心位置最小2乗直線305を引き、タイバー切断
部220と、リード201間の異物107等のリード形
状不良とを切り分ける。タイバー部中心座標304をタ
イバー切断部位置中心最小2乗直線305とタイバー切
断部220の左右のエッジ点から特定し、その点を中心
に図1(b)に示すタイバー切断部マスクウインドーを
対象範囲内の全リード201に設定する。
FIG. 3 (c) in the tie bar off only tie bar cutting unit assumes a central position 301 within the tie bar cutting unit assumes a central position scope 303 identified above as effective dots
A least square line 305 of the center position of the breaking portion is drawn to separate the tie bar cutting portion 220 from the lead shape defect such as the foreign material 107 between the leads 201. The tie bar center coordinates 304 are specified from the least square straight line 305 of the tie bar cutting position position and the left and right edge points of the tie bar cutting section 220, and the tie bar cutting section mask window shown in FIG. Set to all leads 201 within the range.

【0040】タイバー切断部をマスクした上で、図4で
リード検出範囲ウインドー105内をエッジ抽出処理
し、リード及びリード形状不良の輪郭部分を浮き上がら
せる。
After the tie bar cutting portion is masked, the lead detection range window 105 is subjected to edge extraction processing in FIG. 4 to raise the outline of the lead and the lead shape defect.

【0041】図1(c)で検出したエッジ抽出画像をY
軸方向に累積し投影グラフを得る。
The edge extraction image detected in FIG.
Accumulate in the axial direction to obtain a projection graph.

【0042】この時、タイバー切断部220はマスクさ
れているため、タイバー切断部220と同じX座標位置
付近に張り出しているタイバー切断部220周辺のリー
ド201間の異物107であっても、投影画像上に検出
可能となる。
At this time, since the tie bar cutting part 220 is masked, even if there is a foreign matter 107 between the leads 201 around the tie bar cutting part 220 which is projected near the same X coordinate position as the tie bar cutting part 220, a projected image is obtained. Will be detectable on top.

【0043】投影グラフ上の投影グラフ判断基準レベル
値109に達するか否かで、図1(d)に各リード投影
領域110を検出し、各リード201毎のリード投影領
域110の幅が規定範囲を越えているか否かでリード2
01間の異物107の存在を検出できる。以上の処理
を、リード201の有る各辺単位で実施する。
Each lead projection area 110 is detected in FIG. 1D depending on whether the projection graph judgment reference level value 109 on the projection graph is reached, and the lead projection area 110 of each lead 201 is detected. Lead 2 depending on whether the width exceeds the specified range
The presence of the foreign matter 107 between 01 can be detected. The above process is performed for each side of the lead 201.

【0044】図5(a)乃至図5(d)は、本発明のI
Cが外観検査方法の第2の実施の形態例を示している。
なお、第2の実施の形態例による基本的構成は、第1の
実施の形態例と同様であり、第1の実施の形態例の構成
にさらに他のICリード形状不良、特にICパッケージ
のモールド部分の樹脂バリ504について外観検査がで
きるように工夫されている。
5 (a) to 5 (d) show I of the present invention.
C shows the second embodiment of the appearance inspection method.
The basic configuration according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and further another IC lead shape defect, particularly the mold of the IC package, is added to the configuration of the first embodiment. The resin burr 504 in the portion is devised so that the appearance can be inspected.

【0045】図5(a)において、ICパッケージ10
0の位置を把握するICパッケージ位置検出領域503
をパッケージ100左上と右下の位置に設定している。
ICパッケージ位置検出領域503の検出したICパッ
ケージ100の位置を基準に、樹脂バリマスク範囲50
5を設定している。それ以外の部分は先に説明した第1
の実施の形態例と同様である。
In FIG. 5A, the IC package 10
IC package position detection area 503 for grasping the position of 0
Are set at the upper left and lower right positions of the package 100.
Based on the position of the IC package 100 detected by the IC package position detection area 503, the resin burr mask range 50
5 is set. The other part is the first described above
This is the same as the embodiment described above.

【0046】次に、図5(a)乃至図5(d)を参照し
て,第2の実施の形態例におけるIC外観検査方法の動
作について説明する。
Next, the operation of the IC visual inspection method in the second embodiment will be described with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (d).

【0047】図5に(a)おいて、ICパッケージ10
0上のモールド部分の端部に樹脂バリ504が存在する
場合、パターンマッチング処理により予め登録されたI
Cパッケージ100の左上と右下のモデル画像とマッチ
ングする位置にそれぞれ、ICパッケージ位置検出領域
503が設定され、ICパッケージ100の位置を正確
に検出する。左上と右下で検出したICパッケージ10
0の位置に基づいて樹脂バリマスク範囲505が設定さ
れ、マスク範囲内の樹脂バリ504は許容される設定と
なっている。
In FIG. 5A, the IC package 10
When the resin burr 504 is present at the end of the mold part on the 0, the I registered in advance by the pattern matching process is used.
The IC package position detection areas 503 are set at positions matching the upper left and lower right model images of the C package 100, respectively, and the position of the IC package 100 is accurately detected. IC package 10 detected in the upper left and lower right
The resin burr mask range 505 is set based on the position of 0, and the resin burr 504 within the mask range is set to be allowable.

【0048】図5(b)において、リード検出範囲ウイ
ンドー506は樹脂バリマスク範囲505の範囲内を検
出しない設定となっている。樹脂バリ504の樹脂バリ
マスク範囲505内にかかる部分は検出対象外となる。
In FIG. 5B, the lead detection range window 506 is set so as not to detect the inside of the resin burr mask range 505. The portion of the resin burr 504 that falls within the resin burr mask range 505 is outside the detection target.

【0049】また、先の実施例と同様に設定されたタイ
バー切断部マスクウインドー507内にかかる樹脂バリ
504もまた検出対象外となる。この時、樹脂バリ50
4は画像としての輝度が半田メッキされているリード2
01と比べて低いため、リードエッジ部202の検出に
関しては影響を及ぼさない。
Further, the resin burr 504 which is set in the mask window 507 of the tie bar cutting portion, which is set as in the previous embodiment, is also not detected. At this time, the resin burr 50
4 is a lead 2 whose image brightness is solder-plated
Since it is lower than 01, it does not affect the detection of the lead edge portion 202 .

【0050】図5(c)において、上の二つのマスク領
域外に存在する樹脂バリ504部分については、先の実
施例と同様に不良形状部分投影データ509の形で検出
される。
In FIG. 5C, the resin burr 504 portion existing outside the upper two mask areas is detected in the form of defective shape partial projection data 509 as in the previous embodiment.

【0051】図5(d)において、樹脂バリ504が存
在する部分のリード投影領域512は、樹脂バリ504
の部分が形状不良投影領域511の形で検出され、2リ
ード分のリード投影領域512が1つにつながってお
り、設定されたリード投影領域512の許容幅を越えて
いることから、ICリード形状不良の存在が検出され
る。
In FIG. 5D, the lead projection area 512 in the portion where the resin burr 504 exists is the resin burr 504.
Is detected in the form of a defective projection area 511, two lead projection areas 512 for two leads are connected to each other, and the set allowable width of the lead projection area 512 is exceeded. The presence of defects is detected.

【0052】このように、第1及び第2の実施の形態例
では、タイバー切断部220やICパッケージ付近の樹
脂バリ504をマスクしているので、タイバー切断部2
20やICパッケージ、そして許容範囲内の樹脂バリ5
04を誤認識することなく、樹脂バリ検査が可能であ
る。
As described above, in the first and second embodiments, the tie bar cutting portion 220 and the resin burr 504 near the IC package are masked, so that the tie bar cutting portion 2 is removed.
20 and IC package, and resin burr 5 within the allowable range
The resin burr inspection can be performed without erroneously recognizing 04.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、以下に記載するような効果を奏する。
As described above, the present invention has the following effects.

【0054】第1の効果としては、タイバー切断部をマ
スクして検査しているので、タイバー切断部周辺に外観
形状不良が存在しても検出できることにある。
The first effect is that since the tie bar cut portion is masked for inspection, it is possible to detect even if there is an external appearance defect around the tie bar cut portion.

【0055】第2の効果としては、タイバー切断部位置
を各IC毎に検出してマスクする領域を設定しているの
で、タイバー切断部位置が各IC毎にズレてもタイバー
切断部をICリード形状不良と誤認識せずに検査できる
ことにある。
As a second effect, since the position of the tie bar cutting portion is detected and masked for each IC, an area for masking is set. It is to be able to inspect without erroneously recognizing a defective shape.

【0056】第3の効果としては、タイバー切断部
置を各辺に並んだリード全体のタイバー切断部の並び状
況から検出するので、リードのタイバー切断近辺に
ICリード形状不良が存在する場合でも、ICリード形
状不良をタイバー切断部と誤認識して不良を見逃すこと
なく検査できることにある。
[0056] As a third effect, and detects the position <br/> location of the tie bar cutting portion of a sequence status of the tie bar cutting portion of the entire aligned read on each side, in the vicinity of the tie bar cutting portion of rie de Even if there is an IC lead shape defect, the IC lead shape defect can be erroneously recognized as a tie bar cut portion and can be inspected without missing the defect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のIC外観検査方法の第1の実施の形態
を示し、(a)はIC投影画像を示し、(b)はリード
検出ウインドーを示し、(c)はドット数及び不良形状
部分投影データの図を示し、(d)は論理値及び形状不
良投影領域を示す図である。
FIG. 1 shows a first embodiment of an IC appearance inspection method of the present invention, (a) shows an IC projected image, (b) shows a lead detection window, and (c) shows the number of dots and defective shape. The figure of partial projection data is shown, (d) is a figure showing a logical value and a poor-shaped projection field.

【図2】本発明のIC外観検査方法の第1の実施の形態
を示し、(a)はリードエッジ部を示す図であり、
(b)はリードエッジ部のX軸方向に微分したdX成分
を検出するdX−Yグラフを表示した投影図であり、
(c)はdX−Yグラフ上のドットをdX軸の各座標毎
にY軸方向に累積したヒストグラム図であり、(d)は
(b)のdX−Y図上で、プラス側有効範囲とマイナス
側有効範囲とを示す図であり、(e)は、(d)で登録
したリードエッジ座標だけを対象として(a)のX−Y
座標上で最小2乗直線であるリードエッジ最小2乗直
線、プラス側リードエッジ許容幅、マイナス側リードエ
ッジ許容幅を示す図である。
FIG. 2 shows a first embodiment of an IC appearance inspection method of the present invention, in which (a) is a view showing a lead edge portion,
(B) is a projection view displaying a dX-Y graph for detecting a dX component differentiated in the X-axis direction of the lead edge portion,
(C) is a histogram diagram in which dots on the dX-Y graph are accumulated in the Y-axis direction for each coordinate of the dX-axis, and (d) is a positive side effective range on the dX-Y diagram of (b). It is a figure which shows a negative side effective range, (e) is an XY of (a) targeting only the lead edge coordinate registered by (d).
It is a figure which shows the lead edge least squares line which is a least square straight line on a coordinate, plus side lead edge permissible width, and minus side lead edge permissible width.

【図3】本発明のIC外観検査方法の第1の実施の形態
を示し、(a)はタイバー切断部仮定中心位置及びリー
ド間異物中心位置を示す図であり、(b)はドットの集
合の連続範囲をタイバー切断部仮定中心位置有効範囲を
示す図であり、(c)はタイバー切断部中心位置最小2
乗直線及びタイバー部中心座標を示す図である。
3A and 3B show a first embodiment of an IC appearance inspection method of the present invention, FIG. 3A is a diagram showing an assumed center position of a tie bar cutting portion and a center position of a foreign substance between leads, and FIG. 3B is a set of dots. It is a figure which shows the continuous range of the tie bar cutting part hypothetical center position effective range, (c) is a tie bar cutting part center position minimum 2
It is a figure which shows a straight line and a tie bar part center coordinate.

【図4】本発明のIC外観検査方法の第1の実施の形態
を示し、エッジ抽出処理後画像を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the first embodiment of the IC visual inspection method of the present invention, showing an image after edge extraction processing.

【図5】本発明のIC外観検査方法の第2の実施の形態
を示し、(a)はIC画像を示し、(b)はリード検出
ウインドーを示し、(c)はドット数及び不良形状部分
投影データを示し、(d)は論理値及び形状不良投影領
域を示す図である。
5A and 5B show a second embodiment of an IC appearance inspection method of the present invention, FIG. 5A shows an IC image, FIG. 5B shows a lead detection window, and FIG. 5C shows a dot number and a defective shape portion. It shows projection data, (d) is a figure which shows a logical value and a poor-shaped projection area.

【図6】従来のIC外観検査方法を示し、(a)は背景
画像上のIC画像をX軸、Y軸に基づきカメラにより撮
影した画像であり、(b)はドット数を示し、(c)は
論理値を示す図である。
6A and 6B show a conventional IC appearance inspection method, in which FIG. 6A is an image of an IC image on a background image taken by a camera based on the X axis and Y axis, FIG. 6B shows the number of dots, and FIG. ) Is
It is a figure which shows a logical value .

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101,501 IC撮影画像 102,502 IC画像 103,500 背景画像 104 データ加工範囲ウインドー 105,506,602 リード検出範囲ウインドー 106,507 タイバー切断部マスクウインドー 107,601、603 異物 108,509,604 不良形状部分投影データ 109 投影グラフ判断基準レベル値 111,511,606 形状不良投影領域 201,600 リード 203 ドットピーク値 205 プラス側有効範囲 204 マイナス側有効範囲 206 タイバー切断部仮定範囲 207 マイナス側リードエッジ許容幅 208 プラス側リードエッジ許容幅 220,610 タイバー切断部 301 タイバー切断部仮定中心位置 302 リード間異物中心位置 303 タイバー切断部仮定中心位置有効範囲 304 タイバー部中心座標 305 タイバー切断部中心位置最小2乗直線 503 ICパッケージ位置検出領域 504 樹脂バリ 505 樹脂バリマスク範囲 604 不良形状部分投影データ110,512, 607 リード投影領域101 , 501 IC photographed image 102 , 502 IC image 103 , 500 background image 104 Data processing range window 105, 506, 602 Lead detection range window 106 , 507 Tie bar cutting part mask window 107 , 601, 603 Foreign matter 108 , 509, 604 Defective shape partial projection data 109 Projection graph judgment reference level values 111 , 511, 606 Shape defective projection area 201 , 600 Lead 203 Dot peak value 205 Positive side effective range 204 Negative side effective range 206 Tie bar cutting assumption range 207 Negative side lead edge Allowable width 208 Positive lead edge allowable width 220,610 Tie bar cutting part 301 Tie bar cutting part assumed center position 302 Lead-to-lead foreign substance center position 303 Tie bar cutting part assumed center position Effective range 304 Tie bar Part center coordinate 305 tie bar cutting portion center position the least squares straight line 503 IC package position detection region 504 resin burr 505 resin Barimasuku range 604 defective shape portion projection data 110,512, 607 lead the projection region

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−166899(JP,A) 特開 平8−15166(JP,A) 特開 平9−49715(JP,A) 特開 平9−213858(JP,A) 特開 昭60−165750(JP,A) 特開 平8−14845(JP,A) 特開 昭61−35303(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01B 11/00 - 11/30 G01N 21/88 H01L 21/66 Continuation of the front page (56) Reference JP-A-11-166899 (JP, A) JP-A-8-15166 (JP, A) JP-A-9-49715 (JP, A) JP-A-9-213858 (JP , A) JP 60-165750 (JP, A) JP 8-14845 (JP, A) JP 61-35303 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB Name) G01B 11/00-11/30 G01N 21/88 H01L 21/66

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 リード間や半導体装置周辺に存在する異
物を検査するIC外観検査方法において、前記リードを
相互に連結しているタイバー切断部の位置を検出し、
タイバー切断部をマスクした上で、前記リードの存在
範囲を指定するリード検出範囲ウインドー内をエッジ抽
出処理し、前記リード及びリード形状不良の輪郭部分を
検出したエッジ抽出画像を累積した投影グラフ上の投影
グラフ判断基準レベル値に達するか否かでリード投影領
域を検出し、前記リード毎の前記リード投影領域の幅が
規定範囲を越えているか否かで前記異物の存在を検出す
ことを特徴とするIC外観検査方法。
1. A IC appearance inspection method for inspecting the foreign substance existing around the lead and between the semiconductor device detects the position of the tie bar cutting portion which connects the lead to each other, before
In terms of masking the serial tie bar cutting section, the presence of the lead
Edge extraction is performed within the lead detection range window that specifies the range.
The lead and the outline of the lead shape defect.
Projection on the projection graph by accumulating detected edge extraction images
Lead projection area depending on whether or not the graph judgment reference level value is reached
Area, and the width of the lead projection area for each lead is
Detects the presence of the foreign matter by checking whether it exceeds the specified range.
IC appearance inspection method characterized by that.
【請求項2】 請求項1記載のIC外観検査方法におい
て、前記リード検出範囲ウインドー内に捉えた前記リー
ドの左右それぞれに分けてリードエッジ部を検出してX
座標の微分データを検出し、該微分データの中から前記
リードの直線部分を示すX方向の変移量の突出点を検出
し、検出した該X方向変移量の前記突出点を中心とし前
記リードの直線範囲と見なす範囲を特定し、特定された
前記直線範囲上のデータを使ってリードエッジ最小2乗
直線を引き、前記リード上の直線と見なせる範囲を指定
して該範囲外の部分をタイバー切断部仮定範囲として検
出し、タイバー切断部仮定中心位置として前記タイバー
切断部の候補点を全てプロットし、検出したドットの前
記X軸方向のヒストグラムから前記タイバー切断部が存
在する位置を前記ドットの連続した山として特定し、前
記タイバー切断部が存在する範囲を限定することで他の
ノイズ成分となるリード形状不良を切り分け、先に特定
された前記タイバー切断部仮定中心位置のタイバー切断
部仮定中心位置有効範囲内に有る前記タイバー切断部仮
定中心位置のみを有効ドットとしてタイバー切断部中心
位置最小2乗直線を引き、前記タイバー切断部と前記異
物及び前記リード形状不良とを切り分け、タイバー部中
心座標を前記タイバー切断部中心位置最小2乗直線と前
記タイバー切断部の左右のエッジ点とから特定し、その
点を中心にタイバー切断部マスクウインドーを対象範囲
内の全リードに設定することを特徴とするIC外観検査
方法。
2. The IC appearance inspection method according to claim 1, wherein the lead captured within the lead detection range window is used.
X on the left and right sides of the
The differential data of the coordinates is detected, and from the differential data, the
Detects the protruding point of the displacement amount in the X direction, which indicates the straight part of the lead
Then, the detected X-direction displacement amount
The range that is considered to be the linear range of the lead is specified and
Least square of the lead edge using the data on the straight line range
Draw a straight line and specify the range that can be regarded as a straight line on the lead
Then, the part outside this range is detected as the tie bar cutting part assumed range.
The tie bar as the assumed center position of the cutting and tie bar cutting part
Plot all candidate points of the cutting part,
The tie bar cutting part is present from the histogram in the X-axis direction.
Specify the existing position as a continuous mountain of the dots,
By limiting the range where the tie bar cutting part exists, other
Isolate lead shape defects that are noise components and identify them first
Tie bar cutting at the assumed center position of the tie bar cutting part
Part tentative cutting center position within the effective range
Only the fixed center position is used as an effective dot Center of the tie bar cutting part
Draw a line of least squares for the position, and
In the tie bar part by separating the product and the lead shape defect
The center of the coordinate is the front of the least square line of the tie bar cutting center position.
Specify from the left and right edge points of the tie bar cutting part, and
Scope of tie bar cutting part mask window centered on points
IC visual inspection method characterized by setting all leads in the
【請求項3】 請求項記載のIC外観検査方法におい
て、前記リード検出範囲ウインドーは、広く範囲を指定
したデータ加工範囲ウインドー中で、パターンマッチン
グ等の検出手段に前記リードの存在範囲を狭く指定する
ウインドーであり、前記データ加工範囲ウインドー中で
前記リードの検出範囲に範囲を制限して前記リードの抽
出を行うことを特徴とするIC外観検査方法。
3. The IC appearance inspection method according to claim 1 , wherein the lead detection range window specifies a wide range.
Pattern matching within the data processing range window
Specify the lead existence range as narrow as detection means such as
It is a window and within the data processing range window
The lead is extracted by limiting the range to the lead detection range.
A method for inspecting IC appearance, which is characterized in that
【請求項4】 請求項記載のIC外観検査方法におい
て、前記半導体装置上のモールド部分の端部に樹脂バリ
が存在する場合、パターンマッチング処理により予め登
録された前記半導体装置の左上と右下のモデル画像とマ
ッチングする位置にそれぞれ位置検出領域を設定し、左
上と右下で検出した前記半導体装置の位置に基づいて樹
脂バリマスク範囲を設定することを特徴とするIC外観
検査方法。
4. The IC appearance inspection method according to claim 1 , wherein a resin burr is provided at an end of a mold portion on the semiconductor device.
If it exists, it is registered in advance by pattern matching processing.
A model image of the upper left and lower right of the semiconductor device recorded and
Set the position detection area for each position to
Based on the position of the semiconductor device detected at the top and bottom right
An IC appearance inspection method characterized by setting a grease burr mask range .
【請求項5】 請求項記載のIC外観検査方法におい
て、前記樹脂バリが存在する部分の前記リード投影領域
が、前記樹脂バリ部分が形状不良投影領域の形で検出さ
れることを特徴とするIC外観検査方法。
5. The IC appearance inspection method according to claim 4 , wherein the lead projection region in a portion where the resin burr is present.
However, the resin burr is detected in the shape of the defective projection area.
An IC appearance inspection method characterized by being performed.
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