JP2001044580A - 混成集積回路装置 - Google Patents
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント基板に発光素子が取り付けられた光
照射装置の放熱性を改善すると同時に、発光効率、軽薄
短小を実現する。 【解決手段】 金属基板１１の上には、Ｎｉが被着され
たＣｕパターンを形成し、この上に発光素子１０を直列
回路で実装し、この直列接続された金属基板を並列接続
する。Ｎｉは、耐食性に優れ、光反射効率も優れている
ので、基板表面自身が反射板として活用できる。またレ
ンズ３７を発光素子それぞれに形成することで発射効率
をより改善させることができる。また混成集積回路基板
の一領域に回路が構成された場合、この空き領域には、
位置認識用のマーク５３、流れ止め５７が設けられ、こ
の領域もＮｉを被覆して反射手段とする。
照射装置の放熱性を改善すると同時に、発光効率、軽薄
短小を実現する。 【解決手段】 金属基板１１の上には、Ｎｉが被着され
たＣｕパターンを形成し、この上に発光素子１０を直列
回路で実装し、この直列接続された金属基板を並列接続
する。Ｎｉは、耐食性に優れ、光反射効率も優れている
ので、基板表面自身が反射板として活用できる。またレ
ンズ３７を発光素子それぞれに形成することで発射効率
をより改善させることができる。また混成集積回路基板
の一領域に回路が構成された場合、この空き領域には、
位置認識用のマーク５３、流れ止め５７が設けられ、こ
の領域もＮｉを被覆して反射手段とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、混成集積回路装置
であり、また発光素子を複数個実装させた光照射装置に
関するものである。
であり、また発光素子を複数個実装させた光照射装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】まず光を大量に照射する必要がある場
合、一般には電灯等が用いられている。しかし、軽薄短
小および省電力を目的として、図６の様にプリント基板
１に光素子２を実装させる場合がある。
合、一般には電灯等が用いられている。しかし、軽薄短
小および省電力を目的として、図６の様にプリント基板
１に光素子２を実装させる場合がある。
【０００３】この光素子は、半導体で形成された発光ダ
イオード（Light Emitting Diode）が主ではあるが、他
に半導体レーザ等も考えられる。
イオード（Light Emitting Diode）が主ではあるが、他
に半導体レーザ等も考えられる。
【０００４】この発光ダイオード２は、２本のリード
３，４が用意され、一方のリード３には、発光ダイオー
ドチップ５の裏面（アノードまたはカソード）が半田等
で固着され、他方のリード４は、前記チップ表面の電極
（カソードまたはアノード）と金属細線６を介して電気
的に接続されている。また前記リード３，４、チップ５
および金属細線６を封止する透明な樹脂封止体７がレン
ズも兼ねて形成されている。
３，４が用意され、一方のリード３には、発光ダイオー
ドチップ５の裏面（アノードまたはカソード）が半田等
で固着され、他方のリード４は、前記チップ表面の電極
（カソードまたはアノード）と金属細線６を介して電気
的に接続されている。また前記リード３，４、チップ５
および金属細線６を封止する透明な樹脂封止体７がレン
ズも兼ねて形成されている。
【０００５】一方、プリント基板１には、前記発光ダイ
オード２に電源を供給するための電極８，９が設けら
れ、ここに設けられたスルーホールに前記リードが挿入
され、半田等を介して前記発光ダイオード２が実装され
ている。
オード２に電源を供給するための電極８，９が設けら
れ、ここに設けられたスルーホールに前記リードが挿入
され、半田等を介して前記発光ダイオード２が実装され
ている。
【０００６】例えば、特開平９−２５２６５１号公報に
は、この発光ダイオードを用いた光照射装置が説明され
ている。
は、この発光ダイオードを用いた光照射装置が説明され
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た発光素子２は、樹脂封止体７、リード３，４等が組み
込まれたパッケージで成るため、発光素子を大量に実装
した場合、基板１のサイズが大きい、重量がある等の問
題があった。また基板自身の放熱性が悪いために、装置
全体として温度上昇を来す問題があった。そのため、発
光素子である半導体チップ自身も温度上昇し、駆動能力
を低下させる問題があった。
た発光素子２は、樹脂封止体７、リード３，４等が組み
込まれたパッケージで成るため、発光素子を大量に実装
した場合、基板１のサイズが大きい、重量がある等の問
題があった。また基板自身の放熱性が悪いために、装置
全体として温度上昇を来す問題があった。そのため、発
光素子である半導体チップ自身も温度上昇し、駆動能力
を低下させる問題があった。
【０００８】また発光ダイオード５は、チップの側面ま
たは裏面からも光が発光し、基板１側に向かう光が存在
する。しかし基板１がプリント基板で成るため、効率の
高い照射ができない問題もあった。
たは裏面からも光が発光し、基板１側に向かう光が存在
する。しかし基板１がプリント基板で成るため、効率の
高い照射ができない問題もあった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みて成され、発光ダイオードの保護回路を構成する導
電パターン表面を、光反射に優れた金属材料とすること
で前記発光ダイオードの発射光の反射効率を向上させる
ことができる。
鑑みて成され、発光ダイオードの保護回路を構成する導
電パターン表面を、光反射に優れた金属材料とすること
で前記発光ダイオードの発射光の反射効率を向上させる
ことができる。
【００１０】また保護回路を構成する導電パターンおよ
びまたは半導体素子で囲まれた空き領域に、アイランド
状の導電パターンを設け、この導電パターン表面を、光
反射に優れた金属材料とすることで発光ダイオードから
出る光の反射効率を向上させることができる。
びまたは半導体素子で囲まれた空き領域に、アイランド
状の導電パターンを設け、この導電パターン表面を、光
反射に優れた金属材料とすることで発光ダイオードから
出る光の反射効率を向上させることができる。
【００１１】また保護回路を構成する半導体素子は、ダ
イボンド、またはワイヤーボンディングされるため、ボ
ンダーがマークを認識して位置合わせしている。このマ
ーク表面も光反射に優れた金属材料とすることで、反射
効率の向上が実現できる。
イボンド、またはワイヤーボンディングされるため、ボ
ンダーがマークを認識して位置合わせしている。このマ
ーク表面も光反射に優れた金属材料とすることで、反射
効率の向上が実現できる。
【００１２】更には、前記半導体素子には、半導体素子
劣化防止を目的として樹脂が塗布され、硬化されてい
る。この硬化前の樹脂は、流動性を有するため、予期せ
ぬ場所まで流れてしまう。例えばチップ抵抗にまで流
れ、硬化することにより抵抗値の変動を起こしたり、配
線の上まで流れ、硬化することにより配線がはがれたり
する問題があった。その流れを防止するパターンが空き
領域に設けられているため、このパターン上に光反射に
優れた金属材料とすることで発光ダイオードから出る光
の反射効率を向上させることができる。
劣化防止を目的として樹脂が塗布され、硬化されてい
る。この硬化前の樹脂は、流動性を有するため、予期せ
ぬ場所まで流れてしまう。例えばチップ抵抗にまで流
れ、硬化することにより抵抗値の変動を起こしたり、配
線の上まで流れ、硬化することにより配線がはがれたり
する問題があった。その流れを防止するパターンが空き
領域に設けられているため、このパターン上に光反射に
優れた金属材料とすることで発光ダイオードから出る光
の反射効率を向上させることができる。
【００１３】以上述べたように、特にＡｌ主材料とする
基板を採用することで、放熱性、軽重量性、加工性を実
現でき、しかも反射効率の高い混成集積回路装置が実現
できる。
基板を採用することで、放熱性、軽重量性、加工性を実
現でき、しかも反射効率の高い混成集積回路装置が実現
できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図３、図
４および図５を用い説明する。特にここでは、発光ダイ
オード１０の接続について説明する。
４および図５を用い説明する。特にここでは、発光ダイ
オード１０の接続について説明する。
【００１５】まず例えばプレス（カット）により打ち抜
かれた金属から成る混成集積回路基板１１がある。この
混成集積回路基板１１は、Ａｌ、ＣｕやＦｅ等が考えら
れる。
かれた金属から成る混成集積回路基板１１がある。この
混成集積回路基板１１は、Ａｌ、ＣｕやＦｅ等が考えら
れる。
【００１６】ここで混成集積回路基板として金属基板を
用いた理由は、発光素子から発生する熱を効率良く外部
に放出する事、発光素子の温度上昇を防止することによ
り、駆動能力を向上させる事、また基板の平坦性から、
上方向以外に発光される光を効率よく基板１１で反射さ
せて上方へ向かわせる事、また実装上のビス止め孔加
工、放物面等の湾曲加工性等に優れる事等からである。
またセラミックやプリント基板も考えられるが、セラミ
ック基板は、衝撃に弱く、またプリント基板は、放熱性
の点で劣る。しかしこれらも必要によっては、当然採用
されても良い。
用いた理由は、発光素子から発生する熱を効率良く外部
に放出する事、発光素子の温度上昇を防止することによ
り、駆動能力を向上させる事、また基板の平坦性から、
上方向以外に発光される光を効率よく基板１１で反射さ
せて上方へ向かわせる事、また実装上のビス止め孔加
工、放物面等の湾曲加工性等に優れる事等からである。
またセラミックやプリント基板も考えられるが、セラミ
ック基板は、衝撃に弱く、またプリント基板は、放熱性
の点で劣る。しかしこれらも必要によっては、当然採用
されても良い。
【００１７】本発明では、加工性、軽量性が考慮されて
Ａｌが採用されている。この場合、その表面は、絶縁性
向上から、陽極酸化により酸化物が形成され、この上に
絶縁性樹脂１２が形成されてもよい。また前記酸化膜は
省略されても良し、これ以外の膜を化学的に反応させて
生成させても良い。Ａｌ表面は、平坦性を有するため、
前記絶縁性樹脂との接着性を向上させるために粗面１３
を機械的に、または化学的に生成させた方が良い。
Ａｌが採用されている。この場合、その表面は、絶縁性
向上から、陽極酸化により酸化物が形成され、この上に
絶縁性樹脂１２が形成されてもよい。また前記酸化膜は
省略されても良し、これ以外の膜を化学的に反応させて
生成させても良い。Ａｌ表面は、平坦性を有するため、
前記絶縁性樹脂との接着性を向上させるために粗面１３
を機械的に、または化学的に生成させた方が良い。
【００１８】またＡｌ基板１１の裏面は、機械的に弱い
ため傷が付きやすく、耐蝕性も無い。そのため必要によ
り絶縁性樹脂１４を被覆しても良い。
ため傷が付きやすく、耐蝕性も無い。そのため必要によ
り絶縁性樹脂１４を被覆しても良い。
【００１９】ここで混成集積回路基板１１は、この上に
設けられる第１の電極１５、第２の電極１６との短絡を
考慮し全面に絶縁性樹脂１２が被着されている。ここで
第１の電極１５、第２の電極１６は、発光ダイオードを
直列に接続するので、連結電極とも呼称する。
設けられる第１の電極１５、第２の電極１６との短絡を
考慮し全面に絶縁性樹脂１２が被着されている。ここで
第１の電極１５、第２の電極１６は、発光ダイオードを
直列に接続するので、連結電極とも呼称する。
【００２０】ここでこの絶縁性樹脂膜１２は、発光ダイ
オードから発生する熱を金属基板１１に伝達させる場
合、熱抵抗材料となる。そのため、できるだけその熱抵
抗を下げるため、Ｓｉ酸化膜、酸化アルミニウム等のフ
ィラーを混入させた絶縁性樹脂を採用する。また酸化ア
ルミニウムの方が熱抵抗が低下することは言うまでもな
い。
オードから発生する熱を金属基板１１に伝達させる場
合、熱抵抗材料となる。そのため、できるだけその熱抵
抗を下げるため、Ｓｉ酸化膜、酸化アルミニウム等のフ
ィラーを混入させた絶縁性樹脂を採用する。また酸化ア
ルミニウムの方が熱抵抗が低下することは言うまでもな
い。
【００２１】また導電パターンは、前記連結電極１５、
１６も含み、例えばＣｕ箔より成り、配線、チップのラ
ンド、ボンデイング用のパッド、必要によっては外部リ
ード用の固着パッド等として機能し、第１の電極１５に
はベアの発光ダイオード１５が設けられる。ここで発光
ダイオードチップの裏面は、カソードタイプとアノード
タイプの２種類があり、図１では、アノードタイプであ
る。これは電源の向きを変えるだけで、アノードタイプ
も実現できる。そして前記発光ダイオード表面の電極と
前記第２の電極１６は、金属細線１７で接続されてい
る。従って、第１の配線２６から第２の配線２７の間
は、複数の発光ダイオード１０が前記連結電極を介して
直列接続されている。
１６も含み、例えばＣｕ箔より成り、配線、チップのラ
ンド、ボンデイング用のパッド、必要によっては外部リ
ード用の固着パッド等として機能し、第１の電極１５に
はベアの発光ダイオード１５が設けられる。ここで発光
ダイオードチップの裏面は、カソードタイプとアノード
タイプの２種類があり、図１では、アノードタイプであ
る。これは電源の向きを変えるだけで、アノードタイプ
も実現できる。そして前記発光ダイオード表面の電極と
前記第２の電極１６は、金属細線１７で接続されてい
る。従って、第１の配線２６から第２の配線２７の間
は、複数の発光ダイオード１０が前記連結電極を介して
直列接続されている。
【００２２】ここで金属基板は、光照射装置として機能
させるため、発光ダイオード１０を複数個点在させ、こ
れらの駆動回路および／または保護回路は、図３では、
外付けで実現しているが、これら駆動回路および／また
は保護回路を図４のＣの様に金属基板１１に実装させて
も良い。この場合、基板の周辺、特に角部およびその近
傍に配線、ランド、ボンデイング用のパッド、外部との
電気的接続パッド等がパターニングされ、配線間はチッ
プコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、ト
ランジスタ、ダイオード、ＩＣ等が設けられて実現され
る。ここでは、パッケージされた素子が実装されても良
いが、ベアチップの方が、放熱性、実装面積の点から優
れる。これらは、全てを総称して回路素子と呼ぶ。
させるため、発光ダイオード１０を複数個点在させ、こ
れらの駆動回路および／または保護回路は、図３では、
外付けで実現しているが、これら駆動回路および／また
は保護回路を図４のＣの様に金属基板１１に実装させて
も良い。この場合、基板の周辺、特に角部およびその近
傍に配線、ランド、ボンデイング用のパッド、外部との
電気的接続パッド等がパターニングされ、配線間はチッ
プコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、ト
ランジスタ、ダイオード、ＩＣ等が設けられて実現され
る。ここでは、パッケージされた素子が実装されても良
いが、ベアチップの方が、放熱性、実装面積の点から優
れる。これらは、全てを総称して回路素子と呼ぶ。
【００２３】この回路素子は半田等のロウ材や銀ペース
ト等を介して電気的に固着され、あるいは印刷抵抗がス
クリーン印刷等で形成されている。また中には、前記半
導体チップと配線を電気的に接続するため、チップ上の
電極とボンディング用パッドとの間には金属細線１７が
電気的に接続され、パッドには、必要があれば、半田を
介して外部リードが電気的に接続されている。また実装
上の問題から、基板の両側に少なくとも２個のビス止め
孔が設けられても良い。
ト等を介して電気的に固着され、あるいは印刷抵抗がス
クリーン印刷等で形成されている。また中には、前記半
導体チップと配線を電気的に接続するため、チップ上の
電極とボンディング用パッドとの間には金属細線１７が
電気的に接続され、パッドには、必要があれば、半田を
介して外部リードが電気的に接続されている。また実装
上の問題から、基板の両側に少なくとも２個のビス止め
孔が設けられても良い。
【００２４】ここで後述するが、図２の様に、混成集積
回路基板１１をマトリックス状に配置するため、第１の
配線２６の両端には、接続エリア１８〜２１を、第２の
配線２７の両端には、接続エリア２２〜２５を設けてい
る。このエリアは、接続手段２９、３０が金属細線であ
れば、ボンデイングエリアであり、ロウ材で固着できる
リードであれば、ロウ材の形成エリアである。
回路基板１１をマトリックス状に配置するため、第１の
配線２６の両端には、接続エリア１８〜２１を、第２の
配線２７の両端には、接続エリア２２〜２５を設けてい
る。このエリアは、接続手段２９、３０が金属細線であ
れば、ボンデイングエリアであり、ロウ材で固着できる
リードであれば、ロウ材の形成エリアである。
【００２５】また金属基板１１上のＣｕのパターンは、
絶縁性フレキシブルシートに貼り合わされ、このフレキ
シブルシートが混成集積回路基板に貼り合わされる事で
実現されても良い。
絶縁性フレキシブルシートに貼り合わされ、このフレキ
シブルシートが混成集積回路基板に貼り合わされる事で
実現されても良い。
【００２６】更に図３の具体的構造を説明する。
【００２７】前述したとおり、金属基板１１の全面には
絶縁性樹脂１２の膜が被着され、図では、第１の電極１
５、第２の電極１６以外に、アイランド状の反射用電極
３１〜３６を設けている。もちろんショートが考慮さ
れ、お互い所定の間隔で離間されている。ここでは、前
述した駆動回路および／または保護回路が実装されな
い。また前記回路、前記第１の配線２６、第２の配線２
７を除いて、金属基板１１の実質全領域を２種類の連結
電極１５、１６で占有させても良い。
絶縁性樹脂１２の膜が被着され、図では、第１の電極１
５、第２の電極１６以外に、アイランド状の反射用電極
３１〜３６を設けている。もちろんショートが考慮さ
れ、お互い所定の間隔で離間されている。ここでは、前
述した駆動回路および／または保護回路が実装されな
い。また前記回路、前記第１の配線２６、第２の配線２
７を除いて、金属基板１１の実質全領域を２種類の連結
電極１５、１６で占有させても良い。
【００２８】例えば、第１の電極１５ａまたは第１の電
極１６ａは、反射用電極３１と一体で良いが、間にアイ
ランド状の電極３１を設けることで、耐電圧特性の向上
が可能となる。
極１６ａは、反射用電極３１と一体で良いが、間にアイ
ランド状の電極３１を設けることで、耐電圧特性の向上
が可能となる。
【００２９】この第１の電極１５、第２の電極１６は、
Ｃｕの表面にＮｉが被着されている。これは、Ｃｕの酸
化防止、および酸化により光反射効率が低下するため、
比較的酸化されにくく、光反射性に優れ、また金属細線
とのボンディング性が考慮され、光沢性のあるＮｉやＡ
ｕが採用されている。またここでは、コストの面からＮ
ｉが採用され、また金属基板１１の実質全域は、実質光
沢性のあるＮｉが被着され、光反射板として活用され
る。ここでＮｉは、銅より成る導電パターンの上にメッ
キ等形成されるが、導電パターン自身を前記材料で構成
しても良い。またボンディングポイントは、ボンディン
グ可能な材料（Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ）が形成され、
それ以外を光を反射しやすい材料、例えば銀や白金でカ
バーしても良い。ここでは、アルミ配線をボンデイング
しているので、その表面はＮｉが採用されている。
Ｃｕの表面にＮｉが被着されている。これは、Ｃｕの酸
化防止、および酸化により光反射効率が低下するため、
比較的酸化されにくく、光反射性に優れ、また金属細線
とのボンディング性が考慮され、光沢性のあるＮｉやＡ
ｕが採用されている。またここでは、コストの面からＮ
ｉが採用され、また金属基板１１の実質全域は、実質光
沢性のあるＮｉが被着され、光反射板として活用され
る。ここでＮｉは、銅より成る導電パターンの上にメッ
キ等形成されるが、導電パターン自身を前記材料で構成
しても良い。またボンディングポイントは、ボンディン
グ可能な材料（Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ）が形成され、
それ以外を光を反射しやすい材料、例えば銀や白金でカ
バーしても良い。ここでは、アルミ配線をボンデイング
しているので、その表面はＮｉが採用されている。
【００３０】一方、Ｎｉが採用された場合、ベアチップ
状の発光ダイオード１０は、第１の電極１５とのコンタ
クト抵抗が考慮され、ランドの固着領域に相当するＮｉ
のみを取り除き、銀ペーストや半田等の導電性固着材を
介してＣｕと電気的に固着される方が反射効率の向上を
実現できる。ただし固着性を考慮し、このランド全域
は、Ｎｉが被着されないようにしても良い。
状の発光ダイオード１０は、第１の電極１５とのコンタ
クト抵抗が考慮され、ランドの固着領域に相当するＮｉ
のみを取り除き、銀ペーストや半田等の導電性固着材を
介してＣｕと電気的に固着される方が反射効率の向上を
実現できる。ただし固着性を考慮し、このランド全域
は、Ｎｉが被着されないようにしても良い。
【００３１】また発光ダイオード１０と第２の電極１６
は、チップ表面の電極と金属細線１７を介して接続され
ている。一般に、金属細線としてＡｌが採用される場合
は、超音波を使ったボンディングでＮｉと接続すること
ができる。
は、チップ表面の電極と金属細線１７を介して接続され
ている。一般に、金属細線としてＡｌが採用される場合
は、超音波を使ったボンディングでＮｉと接続すること
ができる。
【００３２】更には、図５の様に、少なくとも発光ダイ
オード１０を封止するように光透過性の樹脂が設けられ
る。これはレンズ３７として採用するものであり、効率
良く基板から上方に発射させるため、凸状に形成されて
いる。レンズ３７の材料は、発射光に対して透明な樹脂
であれば良く、ここではシリコーン樹脂やエポキシ樹脂
等が採用される。両者は、共に加熱硬化型で、加熱硬化
時の粘度が小さいため、レンズとして好ましい半球形状
に安定して形成できない。シリコーン樹脂は、元々液状
で、加熱硬化時もその粘度は、あまり変わらない。また
エポキシ樹脂は、加熱硬化時にその粘度が低下する。そ
のため、本発明では、図５のように、発光ダイオード１
０を囲むように、流れ防止手段３６を形成している。
オード１０を封止するように光透過性の樹脂が設けられ
る。これはレンズ３７として採用するものであり、効率
良く基板から上方に発射させるため、凸状に形成されて
いる。レンズ３７の材料は、発射光に対して透明な樹脂
であれば良く、ここではシリコーン樹脂やエポキシ樹脂
等が採用される。両者は、共に加熱硬化型で、加熱硬化
時の粘度が小さいため、レンズとして好ましい半球形状
に安定して形成できない。シリコーン樹脂は、元々液状
で、加熱硬化時もその粘度は、あまり変わらない。また
エポキシ樹脂は、加熱硬化時にその粘度が低下する。そ
のため、本発明では、図５のように、発光ダイオード１
０を囲むように、流れ防止手段３６を形成している。
【００３３】エポキシ樹脂は、熱により徐々に黄変する
が、シリコーン樹脂は、この変色が少ない。またエポキ
シ樹脂は、濡れ性が良く、逆にシリコーン樹脂は、はじ
きやすい性質を持つ。また硬化後のシリコーン樹脂は、
ゴム状またはゲル状であり、エポキシ樹脂に比べて回路
素子の接続手段である金属細線へのストレスが少ない。
が、シリコーン樹脂は、この変色が少ない。またエポキ
シ樹脂は、濡れ性が良く、逆にシリコーン樹脂は、はじ
きやすい性質を持つ。また硬化後のシリコーン樹脂は、
ゴム状またはゲル状であり、エポキシ樹脂に比べて回路
素子の接続手段である金属細線へのストレスが少ない。
【００３４】つまり流れ防止手段としてシリコーン樹脂
を使うと、ここに貯められた樹脂（シリコーン樹脂やエ
ポキシ樹脂）は、はじきやすく表面張力によりレンズ状
に形成される。逆にエポキシ樹脂を流れ防止手段として
使用すると濡れ性が良いため、レンズ形状になりにく
い。このレンズは、約１００度〜１５０度で仮硬化し、
再度１５０度１時間で完全硬化させる。
を使うと、ここに貯められた樹脂（シリコーン樹脂やエ
ポキシ樹脂）は、はじきやすく表面張力によりレンズ状
に形成される。逆にエポキシ樹脂を流れ防止手段として
使用すると濡れ性が良いため、レンズ形状になりにく
い。このレンズは、約１００度〜１５０度で仮硬化し、
再度１５０度１時間で完全硬化させる。
【００３５】また、レンズのサイズにより、金属細線１
７の途中から第２の電極１６との接続部までを樹脂封止
体で覆わず構成しても良いし、また図５の様に完全に覆
っても良い。完全に覆えば、光集光能力の向上と同時に
金属細線の接続部の信頼性も向上させることができる。
７の途中から第２の電極１６との接続部までを樹脂封止
体で覆わず構成しても良いし、また図５の様に完全に覆
っても良い。完全に覆えば、光集光能力の向上と同時に
金属細線の接続部の信頼性も向上させることができる。
【００３６】更に、レンズを２段に形成しても良い。こ
れはレンズの指向性を高めるために実施されている。例
えば、二段にするため、ともに濡れ性の少ないシリコー
ン樹脂が採用されている。特に濡れ性が悪くなければレ
ンズ形状が実現できないからである。
れはレンズの指向性を高めるために実施されている。例
えば、二段にするため、ともに濡れ性の少ないシリコー
ン樹脂が採用されている。特に濡れ性が悪くなければレ
ンズ形状が実現できないからである。
【００３７】一方、通称半田レジストと呼ばれる樹脂膜
を全面に形成することがある。この場合、できるだけ光
沢性のある膜を選択すれば、Ｎｉと同様に反射膜として
活用できる。ただし、発光ダイオードの固着領域、金属
細線の接続部は、当然取り除かれる。透明であれば、Ｎ
ｉが主たる反射剤として機能し、色が付いているなら
ば、できるだけ反射効率の優れた白から成る膜が好まし
い。
を全面に形成することがある。この場合、できるだけ光
沢性のある膜を選択すれば、Ｎｉと同様に反射膜として
活用できる。ただし、発光ダイオードの固着領域、金属
細線の接続部は、当然取り除かれる。透明であれば、Ｎ
ｉが主たる反射剤として機能し、色が付いているなら
ば、できるだけ反射効率の優れた白から成る膜が好まし
い。
【００３８】以上、図３、図４は、点線の矢印で示すよ
うに、第１の電極１５と第２の電極１６との間に、発光
ダイオード１０…が直列接続されているものである。
うに、第１の電極１５と第２の電極１６との間に、発光
ダイオード１０…が直列接続されているものである。
【００３９】例えば、並列タイプであれば、金属細線１
７のコンタクト抵抗、チップのコンタクト抵抗がばらつ
く。従って、数ある発光ダイオード１０の内、コンタク
ト抵抗の少ない発光ダイオードに電流が集中し、特定の
発光ダイオードが異常に明るかったり、また破壊に至っ
たりする問題があるからである。
７のコンタクト抵抗、チップのコンタクト抵抗がばらつ
く。従って、数ある発光ダイオード１０の内、コンタク
ト抵抗の少ない発光ダイオードに電流が集中し、特定の
発光ダイオードが異常に明るかったり、また破壊に至っ
たりする問題があるからである。
【００４０】そのため図３、図４のように、第１の配線
２６と第２の配線電極２７との間に発光ダイオード１０
…を直列接続させ、発光ダイオード１０…に通過する電
流値を一定にさせた。
２６と第２の配線電極２７との間に発光ダイオード１０
…を直列接続させ、発光ダイオード１０…に通過する電
流値を一定にさせた。
【００４１】ここで前説明と同様に、電極を金属基板の
実質全域に配置させて反射板とすること、レンズを採用
すること、ダイボンド領域のＮｉを取り除く等のポイン
トは、ここでも採用される。
実質全域に配置させて反射板とすること、レンズを採用
すること、ダイボンド領域のＮｉを取り除く等のポイン
トは、ここでも採用される。
【００４２】図３で説明すれば、第１の配線２６と第２
の配線２７との間には、Ｅ２〜Ｅ１２の１１枚の連結電
極が形成されている。ただしＥ１とＥ１３は、第１の配
線２６、第２の配線２７と一体であるので、第１の配
線、第２の配線とし、連結電極と区別している。
の配線２７との間には、Ｅ２〜Ｅ１２の１１枚の連結電
極が形成されている。ただしＥ１とＥ１３は、第１の配
線２６、第２の配線２７と一体であるので、第１の配
線、第２の配線とし、連結電極と区別している。
【００４３】まず１番目の電極Ｅ１に発光ダイオードＬ
ＥＤ１のアノード（またはカソード）と成るチップ裏面
を固着し、カソード（またはアノード）側の電極と２番
目の電極Ｅ２を金属細線１７で接続している。また２番
目の電極Ｅ２には、２番目の発光ダイオードＬＥＤ２の
チップ裏面が固着され、チップ表面の電極と３番目の電
極Ｅ３が金属細線で接続している。更には、３番目の電
極Ｅ３には、３番目の発光ダイオードＬＥＤ３のチップ
裏面が固着され、チップ表面の電極と４番目の電極Ｅ４
が接続される。この様にして、順々に直列接続され、Ｎ
番目の電極Ｅ（Ｎ）にはＮ番目の発光ダイオードＬＥＤ
（Ｎ）のチップ裏面が接続され、最終的にはチップ表面
の電極と（Ｎ＋１）番目の電極Ｅ（Ｎ＋１）の電極が金
属細線を介して接続される。
ＥＤ１のアノード（またはカソード）と成るチップ裏面
を固着し、カソード（またはアノード）側の電極と２番
目の電極Ｅ２を金属細線１７で接続している。また２番
目の電極Ｅ２には、２番目の発光ダイオードＬＥＤ２の
チップ裏面が固着され、チップ表面の電極と３番目の電
極Ｅ３が金属細線で接続している。更には、３番目の電
極Ｅ３には、３番目の発光ダイオードＬＥＤ３のチップ
裏面が固着され、チップ表面の電極と４番目の電極Ｅ４
が接続される。この様にして、順々に直列接続され、Ｎ
番目の電極Ｅ（Ｎ）にはＮ番目の発光ダイオードＬＥＤ
（Ｎ）のチップ裏面が接続され、最終的にはチップ表面
の電極と（Ｎ＋１）番目の電極Ｅ（Ｎ＋１）の電極が金
属細線を介して接続される。
【００４４】このような接続形態を繰り返して直列接続
が実現されている。この場合も、銅箔から成る電極を反
射板とするため、Ｅ１〜Ｅ（Ｎ＋１）の電極表面にはＮ
ｉが被覆され、基板全域を実質反射板とするために、
（Ｎ＋１）個の電極で完全に覆われるようにパターニン
グされるか、またはこの電極で全てが覆われない場合
は、空き領域にアイランド状の反射電極３１〜３５が設
けられている。もちろんそれぞれがパターン的に分離さ
れるように若干の隙間はある。
が実現されている。この場合も、銅箔から成る電極を反
射板とするため、Ｅ１〜Ｅ（Ｎ＋１）の電極表面にはＮ
ｉが被覆され、基板全域を実質反射板とするために、
（Ｎ＋１）個の電極で完全に覆われるようにパターニン
グされるか、またはこの電極で全てが覆われない場合
は、空き領域にアイランド状の反射電極３１〜３５が設
けられている。もちろんそれぞれがパターン的に分離さ
れるように若干の隙間はある。
【００４５】この構造によれば、直列接続された発光ダ
イオードのそれぞれに流れる電流は、理論的には同じ値
を取るので、全ての発光ダイオードは、同じように光
る。
イオードのそれぞれに流れる電流は、理論的には同じ値
を取るので、全ての発光ダイオードは、同じように光
る。
【００４６】ところが、途中のどれかが破壊され、電流
が流れなくなると、全ての発光ダイオードは、発光を停
止してしまう。
が流れなくなると、全ての発光ダイオードは、発光を停
止してしまう。
【００４７】そのため、図２の様に、Ｖcライン４１と
ＧＮＤライン４２との間に基板を並列接続させている。
ＧＮＤライン４２との間に基板を並列接続させている。
【００４８】本来、例えば１２０個（Ｍ個）の発光ダイ
オードで光照射装置を実現したい場合、例えば１０
（Ｓ）分割し、１２（Ｍ／Ｓ）個の発光ダイオードが直
列接続された金属基板を１０（Ｓ）枚用意し、これを並
列接続する。また図４の金属基板を採用すれば、保護回
路となる定電流回路Ｃが設けられることで、全ての発光
ダイオードの電流容量を統一させることができる。図３
でも、定電流回路を採用できるが、この場合、発光ダイ
オードの入力側または出力側に外付けで設けなければ成
らない。
オードで光照射装置を実現したい場合、例えば１０
（Ｓ）分割し、１２（Ｍ／Ｓ）個の発光ダイオードが直
列接続された金属基板を１０（Ｓ）枚用意し、これを並
列接続する。また図４の金属基板を採用すれば、保護回
路となる定電流回路Ｃが設けられることで、全ての発光
ダイオードの電流容量を統一させることができる。図３
でも、定電流回路を採用できるが、この場合、発光ダイ
オードの入力側または出力側に外付けで設けなければ成
らない。
【００４９】以上、発光ダイオードが直列接続された複
数の金属基板は、定電流回路により、電流値が決められ
るため、全ての発光ダイオードの明るさは、統一され、
且つ金属基板個々の明るさも統一される。また混成集積
回路基板の発光ダイオードの内、どれかが破壊しても、
残りの基板が並列接続されているので、照射装置として
その機能を維持することができ、しかも壊れた金属基板
のみを取り替えればよいので、最小限の修復ですむ。
数の金属基板は、定電流回路により、電流値が決められ
るため、全ての発光ダイオードの明るさは、統一され、
且つ金属基板個々の明るさも統一される。また混成集積
回路基板の発光ダイオードの内、どれかが破壊しても、
残りの基板が並列接続されているので、照射装置として
その機能を維持することができ、しかも壊れた金属基板
のみを取り替えればよいので、最小限の修復ですむ。
【００５０】一方、混成集積回路基板１１の上下側辺に
それぞれ一本づつ配線２６、２７が設けられ、電源ライ
ンとなっている。そしてそれぞれは、左端から右端に延
在させている。つまり図２の様に、横に混成集積回路基
板１１を複数並列接続させるために、第１の配線２６と
第２の配線２７を混成集積回路基板の右側辺から左側辺
まで延在させている。その結果、混成集積回路基板１１
ａの第１の配線２６（または第２の配線２７）の右端２
２と混成集積回路基板１１ｂの第１の配線２６（または
第２の配線２７）の左端１８とを最短距離で接続するこ
とができる。ここでは接続手段２９として金属細線を採
用している。また接続手段は、半田等のロウ材により固
着可能なリードでも良い。
それぞれ一本づつ配線２６、２７が設けられ、電源ライ
ンとなっている。そしてそれぞれは、左端から右端に延
在させている。つまり図２の様に、横に混成集積回路基
板１１を複数並列接続させるために、第１の配線２６と
第２の配線２７を混成集積回路基板の右側辺から左側辺
まで延在させている。その結果、混成集積回路基板１１
ａの第１の配線２６（または第２の配線２７）の右端２
２と混成集積回路基板１１ｂの第１の配線２６（または
第２の配線２７）の左端１８とを最短距離で接続するこ
とができる。ここでは接続手段２９として金属細線を採
用している。また接続手段は、半田等のロウ材により固
着可能なリードでも良い。
【００５１】また仮に、この複数枚の混成集積回路基板
１１…を一枚で実現した場合、前述したように発光ダイ
オードの故障による修復ができないばかりか、接続手段
の固着が装置で自動でできない問題、または設備的に大
がかりになる問題が発生する。後者は、言うまでもな
く、混成集積回路基板として大きな基板となり、チップ
を実装するマウンター、金属細線をボンディングするボ
ンダーは、作業範囲が広い大がかりな装置を必要とす
る。また混成集積回路基板が大きいと、その熱容量が大
きいために、基板自身の温度が上昇しづらくなる。その
結果、半田付け性、ボンデイング性が低下する問題が発
生する。
１１…を一枚で実現した場合、前述したように発光ダイ
オードの故障による修復ができないばかりか、接続手段
の固着が装置で自動でできない問題、または設備的に大
がかりになる問題が発生する。後者は、言うまでもな
く、混成集積回路基板として大きな基板となり、チップ
を実装するマウンター、金属細線をボンディングするボ
ンダーは、作業範囲が広い大がかりな装置を必要とす
る。また混成集積回路基板が大きいと、その熱容量が大
きいために、基板自身の温度が上昇しづらくなる。その
結果、半田付け性、ボンデイング性が低下する問題が発
生する。
【００５２】しかし、本願は、並列接続構造で複数枚の
混成集積回路基板に分けてあるため、前記装置の作業性
も従来通りで良く、更には基板が小さいために個々の混
成集積回路基板の温度を上昇させることもでき、半田付
け性、ホンディング性も改善される。
混成集積回路基板に分けてあるため、前記装置の作業性
も従来通りで良く、更には基板が小さいために個々の混
成集積回路基板の温度を上昇させることもでき、半田付
け性、ホンディング性も改善される。
【００５３】また、中心線５０に対して、第１の配線２
６または第２の配線２７が左右対称に形成されている。
６または第２の配線２７が左右対称に形成されている。
【００５４】これは図２の様に、マトリックス状に配置
した場合にメリットがでる。
した場合にメリットがでる。
【００５５】ここでは、図面の都合上、２行、２列で説
明する。つまり一行目の混成集積回路基板１１ａ、１１
ｂは、第１の配線２６を上側辺に配置し、２行目の混成
集積回路基板１１ｃ、１１ｄは、第１の配線２７を下側
辺に配置している。これは、Ｖｃｃライン４１とＧＮＤ
ライン４２の総合計本数を減らす為に、混成集積回路基
板を１８０度反転させている。図２では、４本必要なと
ころを３本で実現できる。
明する。つまり一行目の混成集積回路基板１１ａ、１１
ｂは、第１の配線２６を上側辺に配置し、２行目の混成
集積回路基板１１ｃ、１１ｄは、第１の配線２７を下側
辺に配置している。これは、Ｖｃｃライン４１とＧＮＤ
ライン４２の総合計本数を減らす為に、混成集積回路基
板を１８０度反転させている。図２では、４本必要なと
ころを３本で実現できる。
【００５６】また反転させた際、混成集積回路基板１１
ｂの接続領域２５と混成集積回路基板１１ｄの接続領域
２２が、縦軸方向に対して位置が一致するように構成さ
れている。これは中心線に対して左右対称に形成される
ことで実現される。
ｂの接続領域２５と混成集積回路基板１１ｄの接続領域
２２が、縦軸方向に対して位置が一致するように構成さ
れている。これは中心線に対して左右対称に形成される
ことで実現される。
【００５７】こうすれば、混成集積回路基板１１ｂの接
続エリア２５（または接続エリア２４）と混成集積回路
基板１１ｄの接続エリア２２（または接続エリア２３）
は、位置が一致し、接続手段３０を介して、上下に接続
することができる。
続エリア２５（または接続エリア２４）と混成集積回路
基板１１ｄの接続エリア２２（または接続エリア２３）
は、位置が一致し、接続手段３０を介して、上下に接続
することができる。
【００５８】このことは、混成集積回路基板１１ｂの接
続エリア２２（または接続エリア２３）と混成集積回路
基板１１ｄの接続エリア２５（または接続エリア２４）
は、位置が一致し、接続手段３０を介して、上下に接続
することができる。
続エリア２２（または接続エリア２３）と混成集積回路
基板１１ｄの接続エリア２５（または接続エリア２４）
は、位置が一致し、接続手段３０を介して、上下に接続
することができる。
【００５９】またここで配線２６、２７の両端にそれぞ
れ２つづつ接続エリアを設けている。ここでは混成集積
回路基板１１を２行２列で配置しているので特に必要と
しないが、横方向に混成集積回路基板を更に増やした場
合、横方向に接続する接続手段２９は、それぞれの混成
集積回路基板に接続されるが、縦方向に接続手段３０で
接続されないものが出てくる。図２では、接続手段３０
により、ＧＮＤとして固定されているが、余ったエリア
を利用して縦方向にも接続すれば、より安定した電位に
固定させることができる。
れ２つづつ接続エリアを設けている。ここでは混成集積
回路基板１１を２行２列で配置しているので特に必要と
しないが、横方向に混成集積回路基板を更に増やした場
合、横方向に接続する接続手段２９は、それぞれの混成
集積回路基板に接続されるが、縦方向に接続手段３０で
接続されないものが出てくる。図２では、接続手段３０
により、ＧＮＤとして固定されているが、余ったエリア
を利用して縦方向にも接続すれば、より安定した電位に
固定させることができる。
【００６０】ここで配線２６、２７に四角形で示した理
由は、銅配線の上に、金属細線を接続手段として活用す
る場合は、Ｎｉが被覆され、リードか採用される場合
は、ロウ材が被覆されるからであり、その領域を示し
た。つまり接続手段により、ロウ材やＮｉの被覆領域を
示している。
由は、銅配線の上に、金属細線を接続手段として活用す
る場合は、Ｎｉが被覆され、リードか採用される場合
は、ロウ材が被覆されるからであり、その領域を示し
た。つまり接続手段により、ロウ材やＮｉの被覆領域を
示している。
【００６１】また混成集積回路基板１１は、上辺をＶｃ
ｃに、下辺をＧＮＤにするため、列方向を奇数列に配置
している。図４を参照すれば判るように、第１の配線２
６から下の第２の配線２７に接続するには、４つの発光
ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ４の列が奇数列設けられな
いと、簡略されたパターンと成らない。偶数列でも下の
第２の配線２７に接続できるが、終端は、第１の配線２
６側になるため、そこから第２の配線までをつなぐ余分
な配線が必要となる。
ｃに、下辺をＧＮＤにするため、列方向を奇数列に配置
している。図４を参照すれば判るように、第１の配線２
６から下の第２の配線２７に接続するには、４つの発光
ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥＤ４の列が奇数列設けられな
いと、簡略されたパターンと成らない。偶数列でも下の
第２の配線２７に接続できるが、終端は、第１の配線２
６側になるため、そこから第２の配線までをつなぐ余分
な配線が必要となる。
【００６２】以上、比較的サイズの小さい混成集積回路
基板１１を並列に、また必要によってはマトリックス状
に配置することで、全体の照射装置としてのサイズを任
意に設定できる。また矩形以外でも、この混成集積回路
基板を順番に配置し、並列接続することにより、実現が
可能となる。
基板１１を並列に、また必要によってはマトリックス状
に配置することで、全体の照射装置としてのサイズを任
意に設定できる。また矩形以外でも、この混成集積回路
基板を順番に配置し、並列接続することにより、実現が
可能となる。
【００６３】また図４の図番Ｃで示した領域にも特徴を
有する。この部分を拡大したのが図１である。前述した
ように、この領域は、駆動回路や保護回路が形成される
部分である。
有する。この部分を拡大したのが図１である。前述した
ように、この領域は、駆動回路や保護回路が形成される
部分である。
【００６４】図番５０は、トランジスタ、５１がツェナ
ーダイオード、５２がチップ抵抗である。また５３は、
前記半導体素子５０、５１のダイボンデイングの際に用
いられる位置認識用のマークである。また５４，５５
は、半導体素子の劣化を防止する目的で塗布された封止
樹脂である。５６は、アイランド状に形成された導電パ
ターンで、前記封止樹脂５４の流れ止めと成っている。
５７も、封止樹脂５５の流れ止めである。また５８は、
反射効率の向上のために設けられた導電パターンであ
る。
ーダイオード、５２がチップ抵抗である。また５３は、
前記半導体素子５０、５１のダイボンデイングの際に用
いられる位置認識用のマークである。また５４，５５
は、半導体素子の劣化を防止する目的で塗布された封止
樹脂である。５６は、アイランド状に形成された導電パ
ターンで、前記封止樹脂５４の流れ止めと成っている。
５７も、封止樹脂５５の流れ止めである。また５８は、
反射効率の向上のために設けられた導電パターンであ
る。
【００６５】この流れ止めは、以下の作用がある。つま
り樹脂が配線の上に流れると硬化時に配線がはがれる。
またチップ抵抗等の上に流れると抵抗値の変動を生じ
る。また組立の順序によっては、半田固着性、ボンディ
ング性の劣化にもつながる。これらの問題を防止する目
的で設けられている。
り樹脂が配線の上に流れると硬化時に配線がはがれる。
またチップ抵抗等の上に流れると抵抗値の変動を生じ
る。また組立の順序によっては、半田固着性、ボンディ
ング性の劣化にもつながる。これらの問題を防止する目
的で設けられている。
【００６６】ここの第１の特徴は、前記マーク５３上も
反射効率の優れた金属を被覆する事で、マークと反射板
を兼ね備えさせた点である。更に第２の特徴は、樹脂流
れ止め用のランドも流れ止めと反射板を兼ね備えさせた
点である。従ってこれらは、別々に構成する必要が無く
なり、パターン配置の効率が向上される。
反射効率の優れた金属を被覆する事で、マークと反射板
を兼ね備えさせた点である。更に第２の特徴は、樹脂流
れ止め用のランドも流れ止めと反射板を兼ね備えさせた
点である。従ってこれらは、別々に構成する必要が無く
なり、パターン配置の効率が向上される。
【００６７】特に封止樹脂５４、５５は、硬化前では流
動性を有し、流れてしまう。この流れは予測できず、流
れ止めに封止樹脂が当接してその流れが止まる。もちろ
ん全ての封止樹脂が流れ止めに当接して、流れが止まる
わけではなく、手前で止まることもある。
動性を有し、流れてしまう。この流れは予測できず、流
れ止めに封止樹脂が当接してその流れが止まる。もちろ
ん全ての封止樹脂が流れ止めに当接して、流れが止まる
わけではなく、手前で止まることもある。
【００６８】従って、回路Ｃが形成される領域の空き領
域、ここでは配線６０や半導体素子で囲まれた空き領域
に、反射手段を設けたので、より反射効率が向上するこ
とになる。
域、ここでは配線６０や半導体素子で囲まれた空き領域
に、反射手段を設けたので、より反射効率が向上するこ
とになる。
【００６９】また回路Ｃの形成箇所、形成数は、限定さ
れない。従って混成集積回路基板に点在して設けられる
場合、これらの反射板を回路の中に構成することは、反
射効率の向上の点で非常な効果を有する。
れない。従って混成集積回路基板に点在して設けられる
場合、これらの反射板を回路の中に構成することは、反
射効率の向上の点で非常な効果を有する。
【００７０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、発光ダ
イオードの保護回路を構成する導電パターン表面を、光
反射に優れた金属材料とすることで前記発光ダイオード
の発射光の反射効率を向上させることができる。
イオードの保護回路を構成する導電パターン表面を、光
反射に優れた金属材料とすることで前記発光ダイオード
の発射光の反射効率を向上させることができる。
【００７１】また保護回路を構成する導電パターンおよ
びまたは半導体素子で囲まれた空き領域に、アイランド
状の導電パターンを設け、この導電パターン表面を、光
反射に優れた金属材料とすることで発光ダイオードから
出る光の反射効率を向上させることができる。
びまたは半導体素子で囲まれた空き領域に、アイランド
状の導電パターンを設け、この導電パターン表面を、光
反射に優れた金属材料とすることで発光ダイオードから
出る光の反射効率を向上させることができる。
【００７２】また保護回路を構成する半導体素子は、ダ
イボンド、またはワイヤーボンディングされるため、ボ
ンダーがマークを認識して位置合わせしている。このマ
ーク表面も光反射に優れた金属材料とすることで、反射
効率の向上が実現できる。
イボンド、またはワイヤーボンディングされるため、ボ
ンダーがマークを認識して位置合わせしている。このマ
ーク表面も光反射に優れた金属材料とすることで、反射
効率の向上が実現できる。
【００７３】更には、前記半導体素子には、半導体素子
劣化防止を目的として樹脂が塗布され、硬化されてい
る。この硬化前の樹脂は、流動性を有するため、予期せ
ぬ場所まで流れてしまう。例えばチップ抵抗にまで流
れ、硬化することにより抵抗値の変動を起こしたり、配
線の上まで流れ、硬化することにより配線がはがれたり
する問題があった。その流れを防止するパターンが空き
領域に設けられているため、このパターン上に光反射に
優れた金属材料とすることで発光ダイオードから出る光
の反射効率を向上させることができる。
劣化防止を目的として樹脂が塗布され、硬化されてい
る。この硬化前の樹脂は、流動性を有するため、予期せ
ぬ場所まで流れてしまう。例えばチップ抵抗にまで流
れ、硬化することにより抵抗値の変動を起こしたり、配
線の上まで流れ、硬化することにより配線がはがれたり
する問題があった。その流れを防止するパターンが空き
領域に設けられているため、このパターン上に光反射に
優れた金属材料とすることで発光ダイオードから出る光
の反射効率を向上させることができる。
【００７４】以上述べたように、特にＡｌ主材料とする
基板を採用することで、放熱性、軽重量性、加工性を実
現でき、しかも反射効率の高い混成集積回路装置が実現
できる。
基板を採用することで、放熱性、軽重量性、加工性を実
現でき、しかも反射効率の高い混成集積回路装置が実現
できる。
【図１】本発明の実施の形態である混成集積回路装置の
部分図である。
部分図である。
【図２】本発明の実施の形態である混成集積回路装置の
図である。
図である。
【図３】混成集積回路基板を説明する図である。
【図４】混成集積回路基板を説明する図である。
【図５】混成集積回路基板を説明する断面図である。
【図６】従来の照射装置を説明する図である。
１０ 発光ダイオード １１ 混成集積回路基板 １２ 絶縁性樹脂 ２６ 第１の配線 ２７ 第２の配線 ３７ レンズ ５３ マーク ５６，５７ 流れ止め
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０５Ｋ 1/18 Ａ (72)発明者 小林 義幸 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4E351 AA14 BB01 BB18 BB35 BB38 DD04 DD06 DD19 GG04 GG15 GG20 5E336 AA01 BB01 CC04 CC08 CC57 5E338 AA02 AA16 AA18 BB61 BB63 BB75 CC01 CC07 CC10 CD03 DD12 DD32 DD36 EE02 EE22 EE43 EE60
Claims (7)
- 【請求項１】 混成集積回路基板に設けられた第１の配
線と、前記第１の配線と対向して設けられた第２の配線
と、前記第１の配線と前記第２の配線との間に直列接続
されて設けられた複数の発光ダイオードとを有する混成
集積回路装置であり、 前記混成集積回路基板の一領域には、前記発光ダイオー
ドの保護回路が実装され、保護回路を構成する導電パタ
ーン表面は光を反射する膜で成ることを特徴とした混成
集積回路装置。 - 【請求項２】 混成集積回路基板に設けられた第１の配
線と、前記第１の配線と対向して設けられた第２の配線
と、前記第１の配線と前記第２の配線との間に直列接続
されて設けられた複数の発光ダイオードとを有する混成
集積回路装置であり、 前記混成集積回路基板の一領域には、前記発光ダイオー
ドの保護回路が実装され、保護回路を構成する導電パタ
ーンおよび／または半導体素子で囲まれた空き領域に
は、アイランド状の導電パターンが設けられ、前記アイ
ランド状の導電パターン表面は光を反射する膜で成るこ
とを特徴とした混成集積回路装置。 - 【請求項３】 前記アイランド状の導電パターンは、位
置合わせマークである請求項２に記載の混成集積回路装
置。 - 【請求項４】 前記アイランド状の導電パターンは、樹
脂の流れ止め防止に活用される請求項２に記載の混成集
積回路装置。 - 【請求項５】 金属基板と絶縁処理されて設けられ、前
記金属基板に設けられた第１の配線と、前記第１の配線
と対向して設けられた第２の配線と、前記第１の配線と
前記第２の配線との間に設けられた複数の連結電極と、
前記第１の配線と前記第２の配線との間に直列接続する
ように、前記第１の配線と前記連結電極の間、前記連結
電極間および前記連結電極と前記第２の配線との間に接
続された複数の発光ダイオードとを有する混成集積回路
装置であり、 前記金属基板の一領域には、前記発光ダイオードの保護
回路が実装され、保護回路を構成する導電パターンおよ
び／または半導体素子で囲まれた空き領域には、アイラ
ンド状の導電パターンが設けられ、 前記第１の配線、前記連結電極、前記第２の配線および
前記アイランド状の導電パターン表面は、光を反射する
膜で成ることを特徴とした混成集積回路装置。 - 【請求項６】 前記膜は、銅より成る導電パターンの上
に形成されたＡｕ、Ｎｉまたは半田より成る膜である請
求項５に記載の混成集積回路装置。 - 【請求項７】 前記保護回路を構成する半導体素子に
は、前記半導体素子を封止する樹脂が設けられ、前記樹
脂は、前記アイランド状の導電パターンと当接している
請求項５に記載の混成集積回路装置
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21526099A JP4342046B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 金属基板型の発光装置 |
| US09/536,921 US6548832B1 (en) | 1999-06-09 | 2000-03-28 | Hybrid integrated circuit device |
| EP00302598A EP1059667A3 (en) | 1999-06-09 | 2000-03-29 | Hybrid integrated circuit device |
| EP00302613A EP1059678A2 (en) | 1999-06-09 | 2000-03-29 | Hybrid integrated circuit device |
| EP00302599A EP1059668A3 (en) | 1999-06-09 | 2000-03-29 | Hybrid integrated circuit device |
| KR10-2000-0016793A KR100418165B1 (ko) | 1999-06-09 | 2000-03-31 | 혼성 집적 회로 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21526099A JP4342046B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 金属基板型の発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001044580A true JP2001044580A (ja) | 2001-02-16 |
| JP4342046B2 JP4342046B2 (ja) | 2009-10-14 |
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ID=16669373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21526099A Expired - Fee Related JP4342046B2 (ja) | 1999-06-09 | 1999-07-29 | 金属基板型の発光装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4342046B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003258313A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Rohm Co Ltd | Ｌｅｄチップを使用した発光装置の構造及び製造方法 |
| JP2007258374A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板 |
-
1999
- 1999-07-29 JP JP21526099A patent/JP4342046B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003258313A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Rohm Co Ltd | Ｌｅｄチップを使用した発光装置の構造及び製造方法 |
| JP2007258374A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4342046B2 (ja) | 2009-10-14 |
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