JP2001043327A - 非接触icカードの有無検出回路 - Google Patents
非接触icカードの有無検出回路Info
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Abstract
PICCとの間でデータの送受信を行う非接触結合装置
(PCD)における簡素な構成のPICCの有無検出回
路を提供する。 【解決手段】 非接触ICカードの有無検出回路は、非
接触ICカードに出力されるキャリア信号を受信するア
ンテナと、前記アンテナを介して受信したキャリア信号
を整流してその直流成分を検出する直流検出手段と、前
記直流検出手段によって検出された直流成分のレベルを
判定して前記直流成分のレベルが所定範囲内にあるとき
には前記非接触ICカードがRFフィールド内に存在す
ると判定するレベル判定手段と、で構成する。
Description
(以降では、「PICC (Proximity IC Card)」と称
す)に関し、特にPICCへのデータの書き込みとPI
CCからのデータの読み込みとを行うPICCリード/
ライト装置(PICC−R/W)におけるPICCの有
無検出回路に関する。
al Organization for Standardization)/IEC(Inter
national Electrotechnical Commission) 14443に
規定されており、ここでは本願発明との関連から上記P
ICC−R/W等の非接触結合装置(以降、「PCD
(Proximity Coupling Device)」と称す)とPICCと
の間の電力及び双方向通信を提供するフィールドの性質
と特性とを規定したPICC通信インタフェースのタイ
プBについて簡単に説明する。
に有効な電力を供給するため、PCDからPICCへキ
ャリア(fc=13.56MHz)が送出される。PI
CCでは受信したキャリアを整流し、内部回路の動作に
必要な電源を作成する。
28)で前記キャリアの振幅値を10%ASK (Amplit
ude Shift Keying) 変調することにより、PICCへデ
ータを送信する。
の16分の1の周波数(fs=fc/16)で負荷変調
することによりサブキャリア(fs=847KHz)を
生成し、そのサブキャリアの位相をデータビット速度1
06Kbps(fc/128)でBPSK (Binary Pha
se Shift Keying) 変調することにより、PCDへデー
タを送信する。
たものである。図1の例では、カード本体10の内部に
CPU部11及びRF部12を構成する2つのチップが
組み込まれており、またカード本体10の周囲にはコイ
ル状に巻かれたアンテナ(AT)13が配置されてい
る。CPU部11はいわゆるワンチップタイプのコンピ
ュータで構成され、そこにはCPU(中央演算処理装
置)、メモリROM、RAM、及びEEPROM、そし
て入出力インターフェイス(I/O)等が含まれる。
インタフェースの一構成例を示している。上記(2)で
述べたPCDからPICCへの通信では、PCDの変調
部(MOD)20によりキャリア(fc=13.56M
Hz)の振幅値を10%ASK変調した信号が出力アン
プ22、23及びアンテナ24を解してPICCへ送信
される。
CDへの通信では、図1のRF部12の一部を構成する
PICCの変調部(MOD)29からの制御によってR
F信号の受信負荷27が可変され、その負荷変調(結果
的にAM (Amplitude Modulation) 変調となる)によっ
て生成されるサブキャリア(fs=847KHz)にさ
らに2値の位相情報(0度又は180度)を与えるBP
SK変調が行われる。
の13)を解してPCDへ送信される。実際には、図2
に示すようにPCDが出力するキャリアで前記負荷変調
(BPSK変調を含む)されたものを、PCD自身がそ
の検波部(DET)21で検出することになる。
信範囲内に存在することを確認するために用いる。例え
ば、光センサ部25はPDCのカード検出器に取り付け
られ、そのカード挿入部を通過するPICCやカードス
ロットに置かれたPICCをフォトダイオード等の光部
品を使って検出する。
構成では、PICCが通信範囲内に存在することを確認
する手段が、データの送受信回路とは別個の光部品を使
った回路として設けられていた。そのため、部品コスト
が上昇しさらに実装スーペスが制限されるという問題が
あった。しかしながら、近年PICCが普及し、その適
用分野も広範に渡り、PICCに限らずPICCリード
/ライト装置についても極力小型化し且つローコスト化
を図ることが強く要望されている。それには、先ず部品
点数を可能な限り低減する必要がある。
CCの検出手段では、例えばPICCの変わりに鉄板等
を使用してもPICC有りと判断される。この場合、前
記鉄板等のような導電体・磁性体の存在によりRFフィ
ールド内の空間インピーダンスが異常に低下し、その結
果、PICCリード/ライト装置は過度のキャリア出力
を行い、それにより出力後の電子部品が損傷するという
問題があった。
以外の導電体・磁性体とを識別するためのカード識別用
の専用回路26も別途設けられていた。これは、上述し
た部品コストを上昇させ、実装スーペスを制限するとい
う問題をさらに助長するものであった。
鑑み、従来のようにPICC有無検出回路25及びPI
CC識別回路25’等の専用回路を別途設けるのではな
く、データ送受信部における既存の検波部(DET)2
1の回路と一体的に構成した簡素な回路を使ってPIC
Cの有無検出を行い、同時にPICCの識別をも行うP
ICCの有無検出回路を提供することにある。
ICカードに出力されるキャリア信号を受信するアンテ
ナと、前記アンテナを介して受信したキャリア信号を整
流し、その直流成分を検出する直流検出手段と、前記直
流検出手段によって検出された直流成分のレベルを判定
し、前記直流成分のレベルが所定範囲内にあるときに、
前記非接触ICカードがRFフィールド内に存在すると
判定するレベル判定手段と、で構成する非接触ICカー
ドの有無検出回路が提供される。
重畳された非接触ICカードからのサブキャリア信号を
検出する検波回路であって、前記検波回路は前記受信し
たキャリア信号の整流出力として前記直流成分とそれに
重畳したサブキャリア信号とを出力する。
して受信したキャリア信号に所定の直流バイアス電位を
与えるバイアス回路と、前記バイアス点において前記ア
ンテナからの受信信号を整流することにより、前記キャ
リア信号の直流成分及びそれに重畳したサブキャリア信
号を抽出する整流回路と、前記バイアス点において前記
抽出した直流成分及びサブキャリア信号を増幅する増幅
回路と、から成る。
回路からの直流成分のレベルが第1のレベル以上のとき
に非接触ICカードがRFフィールド内に存在しないと
判定し、第1のレベル以下であって第2のレベル以上の
ときに非接触ICカードがRFフィールド内に存在する
と判定し、そして第2のレベル以下のときに非接触IC
カード以外の物が存在すると判定する。
分のレベルが前記第1のレベル及び第2のレベル近傍の
場合においてレベル判定結果の変動を抑止するためシュ
ミット構成の閾値を有し、又はサブキャリ周期以上の判
定マスク用タイマー回路を有する。前記非接触ICカー
ドの有無検出回路は、非接触結合装置側に備えられる。
無検出回路の基本構成例を示したものである。図3に示
すように、本発明によるPICC有無検出回路30は、
既存の検波部21におけるサブキャリア検波用の回路
(カード検波回路部)21と、その検波の際に得られる
キャリア整流出力(DC)のレベル判定回路(電圧検出
回路)31とで構成される。ここでは、カード検波回路
部21からのキャリア整流出力を利用し、電圧検出回路
31でそのレベル判定を行うことにより、PICCの有
無及び識別判定を行う。
路30は、既存の検波部21にPICCの有無/識別判
定機能を付加したものと見ることができる。これから
は、1)サブキャリアである受信データ、2)カードの
有無信号、又は3)鉄板等の導電体・磁性体の存在によ
る異常信号、の全てが得られる。以下、本願発明の実施
例を通じて上記本願発明の動作について詳述する。
例を示したものである。また、図5には、図4のカード
検出回路部の入出力波形の一例を示している。図5の
(a)に示すように、PICCがPICCリード/ライ
ト装置との間で通信可能範囲にあり且つPICCから送
出する通信データが無い場合には、キャリア信号(fc
=13.56MHz)にBPSK変調の無いサブキャリ
ア(fs=847KHz)が重畳した信号がアンテナ2
4で受信される。
れた抵抗(R1及びR2)41及び42によって電源電
圧を分圧した固定バイアス電位VB を前記受信信号に与
える。この固定バイアス電位VB によりトランジスタ
(Tr1)44には常時微小なバイアス電流が流れ、ア
ンテナでの受信信号レベルの大小に係わらずトランジス
タ44の線形領域での動作が保証される。
び整流ダイオードとして動作し、抵抗(R4)45とコ
ンデンサ(C1)46とでキャリア信号(fc=13.
56MHz)の半波整流を行う整流回路を構成する。そ
の整流出力は、図5の(b)に示すように次段の増幅回
路で増幅され出力される。ここで、VDCとして示した直
流電位は後述するようにPICC有無の判断に用いられ
る。PICCがPICCリード/ライト装置との通信範
囲内にある場合とない場合とでは、アンテナ24の両端
に発生する信号受信電圧が異なり必然的に検波出力の直
流電位VDCも異なるからである。
は、空間インピーダンスが高くなってVDCも大きくな
る。2)一方、PICCがRFフィールド内に存在する
場合には所定範囲内の空間インピーダンスとなりVDCも
所定範囲内の値となる。3)また、鉄板等がRFフィー
ルド内に存在する場合は空間インピーダンスが極端に低
下して小さなVDCが得られる。なお、前記増幅回路の出
力信号の内のサブキャリ成分については、図示しない後
段の復調部において受信データとしてBPSK復調され
る。
を示したものである。また、図7及び図8には、前記電
圧検出回路部によってPICC有無判定が行われる代表
的な信号波形の一例を示している。図6に示した回路例
は、電圧検出回路部の機能動作及び回路規模を示すため
の例示であって、実際には同等な機能を有するIC、ト
ランジスタ回路、又はPLA等により構成される。
(図5の(b))は、それはそれぞれ異なる閾値V1及
びV2が与えられた比較器51及び52に入力される。
比較器51の閾値V1は、図7及び図8の(a)に示す
ようにPICC無し(>V1)とPICC有り(<V
1)との間の判定信号レベルを与える。また、比較器5
2の閾値V2は、図7及び図8の(b)に示すようにP
ICC有り(>V2)と鉄板等の異物(導電体、磁性体
等)を検出(<V2)との判定信号レベルを与える。
論理を示している。入力信号(図5の直流電位VDC)が
「V2<VDC<V1」の場合は、OM(カード有り)信
号が“1”となる。この場合、PICCがRFフィール
ド内に存在することを示しており、その空間インピーダ
ンスに応じた所定レベル範囲内のキャリア信号が受信さ
れる。その検波整流出力VDCは図7に示すようにV2<
VDC<V1の範囲内に収まり、そのキャリア信号にはP
ICCからのサブキャリ信号が重畳された信号が受信さ
れる。
(カード無し)信号が“1”となる。この場合、PIC
CがRFフィールド内に存在しないことを示しており、
空間インピーダンスが高くなって図8の(a)に示すよ
うに受信キャリア信号の検波整流出力VDCはV1以上の
値となる(V1<VDC)。また、RFフィールド外のP
ICCは起動しないことからPICCからのサブキャリ
信号は無く、受信キャリア信号の整流出力は略直流とな
る。
(異常)信号が“1”となる。ここでは、RFフィール
ド内に存在する鉄板等の異物(導電体、磁性体等)の存
在を空間インピーダンスの極端な低下によって検出す
る。図8の(b)に示すように受信キャリア信号の検波
整流出力VDCはV2以下の値となり(VDC<V2)、ま
たPICCからのサブキャリ信号は当然に存在しないこ
とから受信キャリア信号の整流出力は略直流となる。
ような極めて簡易な普通の電子回路でPICCの有無の
判断が可能となり、さらには異物(導電体、磁性体等)
の検出も可能である。前者の場合は光部品等のような特
別な回路を備える必要がなくなり、また後者の場合は異
物を検出するための特殊な回路等が不要となる。なお、
後者で異物(導電体、磁性体等)を検出した場合には、
その検出信号によりキャリア出力制限等の制御が行なわ
れ、過大電流により信号送信段の増幅器等が損傷するの
を防止する。
サブキャリが存在し且つ直流値VDCが閾値V1又はV2
近辺の場合には、図6の論理判定値が不安定になる恐れ
がある。これに対しては、閾値V1及びV2を簡易なシ
ュミット回路構成(V1’及びV2’)としたり、又は
サブキャリ周期分の判定マスクタイマ(T’)を設けて
一周期範囲内での論理判定値の変動を防止する等の措置
が適用可能である。
ICCリード/ライト装置において従来のようにPIC
C有無検出用の専用回路やPICC識別用の専用回路を
それぞれ別個に設けることなく、データ送受信部におけ
る既存の検波部(DET)21の回路と一体的に構成さ
れた簡素な回路を使ってPICCの有無検出を行い、同
時にPICCの識別を行うPICCの有無検出回路が提
供可能となる。
の検波部の整流信号を使用し、それに簡易な電子回路を
付加するだけで構成されるため、IC化やPLA等の使
用により検波部と一体化した回路構成が容易に実現で
き、部品点数、実装面積、及びコスト等の低減要求を十
分満足させることができる。
の一例を示した図である。
例を示した図である。
である。
示した図である。
ある。
の一例(1)を示した図である。
の一例(2)を示した図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 非接触ICカードに出力されるキャリア
信号を受信するアンテナと、 前記アンテナを介して受信したキャリア信号を整流し、
その直流成分を検出する直流検出手段と、 前記直流検出手段によって検出された直流成分のレベル
を判定し、前記直流成分のレベルが所定範囲内にあると
きに、前記非接触ICカードがRFフィールド内に存在
すると判定するレベル判定手段と、で構成することを特
長とする非接触ICカードの有無検出回路。 - 【請求項2】 前記直流検出手段は、前記キャリア信号
に重畳された非接触ICカードからのサブキャリア信号
を検出する検波回路であって、前記検波回路は前記受信
したキャリア信号の整流出力として前記直流成分とそれ
に重畳したサブキャリア信号とを出力する請求項1記載
の回路。 - 【請求項3】 前記検波回路は、前記アンテナを介して
受信したキャリア信号に所定の直流バイアス電位を与え
るバイアス回路と、 前記バイアス点において前記アンテナからの受信信号を
整流することにより、前記キャリア信号の直流成分及び
それに重畳したサブキャリア信号を抽出する整流回路
と、 前記バイアス点において前記抽出した直流成分及びサブ
キャリア信号を増幅する増幅回路と、から成る請求項2
記載の回路。 - 【請求項4】 前記レベル判定手段は、前記検波回路か
らの直流成分のレベルが第1のレベル以上のときに非接
触ICカードがRFフィールド内に存在しないと判定
し、第1のレベル以下であって第2のレベル以上のとき
に非接触ICカードがRFフィールド内に存在すると判
定し、そして第2のレベル以下のときに非接触ICカー
ド以外の物が存在すると判定する、請求項1〜3のいず
れか一つに記載の回路。 - 【請求項5】 前記レベル判定回路は、前記直流成分の
レベルが前記第1のレベル及び第2のレベル近傍の場合
においてレベル判定結果の変動を抑止するためシュミッ
ト構成の閾値を有する請求項4記載の回路。 - 【請求項6】 前記レベル判定回路は、前記直流成分の
レベルが前記第1のレベル及び第2のレベル近傍の場合
においてレベル判定結果の変動を抑止するためサブキャ
リ周期以上の判定マスク用タイマ回路を有する請求項4
記載の回路。 - 【請求項7】 前記非接触ICカードの有無検出回路
は、非接触結合装置側に備えられる請求項1記載の回
路。
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