JP2001042785A - Packaging structure of ic chip, liquid crystal device and electronic apparatus - Google Patents
Packaging structure of ic chip, liquid crystal device and electronic apparatusInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にICチッ
プを実装して成るICチップの実装構造に関する。ま
た、本発明は、そのICチップの実装構造を用いて構成
される液晶装置に関する。また、本発明は、その液晶装
置を用いて構成される電子機器に関する。The present invention relates to an IC chip mounting structure in which an IC chip is mounted on a substrate. The present invention also relates to a liquid crystal device configured using the mounting structure of the IC chip. Further, the present invention relates to an electronic device including the liquid crystal device.
【0002】[0002]
【従来の技術】現在、携帯電話機、携帯情報端末機等と
いった各種の電子機器において液晶装置が広く用いられ
ている。多くの場合は、文字、数字、絵柄等といった像
を表示するためにその液晶装置が用いられている。2. Description of the Related Art At present, liquid crystal devices are widely used in various electronic devices such as portable telephones and portable information terminals. In many cases, the liquid crystal device is used to display images such as characters, numbers, and patterns.
【0003】この液晶装置は、一般に、一方の基板に形
成した走査電極と他方の基板に形成したデータ電極とを
ドットマトリクス状の複数の点で交差させることによっ
て画素を形成し、それらの画素に印加する電圧を選択的
に変化させることによって当該画素に属する液晶を通過
する光を変調し、もって、文字等といった像を表示す
る。また、ドットマトリクス状の点画素に加えて又はそ
れに加えて、適宜の数字、絵柄等のパターン状電極が各
基板に形成されることもある。In this liquid crystal device, pixels are generally formed by intersecting scanning electrodes formed on one substrate with data electrodes formed on the other substrate at a plurality of points in a dot matrix. By selectively changing the applied voltage, light passing through the liquid crystal belonging to the pixel is modulated, thereby displaying an image such as a character. In addition, in addition to or in addition to the dot pixels in the dot matrix shape, a pattern-shaped electrode such as an appropriate numeral or picture may be formed on each substrate.
【0004】この液晶装置においては、一般に、液晶駆
動用ICによって走査電極に走査電圧を印加し、さらに
データ電極にデータ電圧を印加することにより、選択さ
れた各画素部分を通過する光を変調し、もって、いずれ
か一方の基板の外側に文字、数字等といった像を表示す
る。In this liquid crystal device, in general, a scanning voltage is applied to a scanning electrode by a liquid crystal driving IC and a data voltage is further applied to a data electrode to modulate light passing through each selected pixel portion. Thus, an image such as a character or a number is displayed outside one of the substrates.
【0005】液晶駆動用ICすなわちICチップを液晶
装置に接続する方法には、従来から種々の方法が知られ
ている。例えば、可撓性を備えた比較的薄い可撓性プリ
ント基板(FPC:Flexible Printed Circuit)にIC
チップを実装してICチップの実装構造を形成し、その
ICチップの実装構造を液晶装置の構成要素である基板
に接続するという、いわゆるCOF(Chip On FPC(Fle
xible Printed Circuit))方式が知られている。Various methods for connecting a liquid crystal driving IC, that is, an IC chip to a liquid crystal device have been conventionally known. For example, an IC is mounted on a relatively thin flexible printed circuit (FPC).
A chip is mounted to form an IC chip mounting structure, and the mounting structure of the IC chip is connected to a substrate which is a component of a liquid crystal device, so-called COF (Chip On FPC (Fle)).
xible Printed Circuit)) method is known.
【0006】また、液晶装置を構成する基板にICチッ
プを直接に実装する構造の、いわゆるCOG(Chip On
Glass)方式も知られている。この場合には、液晶装置
そのものがICチップの実装構造の構成要素の1つとい
うことになる。Further, a so-called COG (Chip On Chip) having a structure in which an IC chip is directly mounted on a substrate constituting a liquid crystal device.
Glass) method is also known. In this case, the liquid crystal device itself is one of the components of the mounting structure of the IC chip.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】今、COF方式の実装
構造を例に挙げれば、このCOF方式の実装構造は、例
えば図5に示すように、ベース層61上に金属膜パター
ン62を形成してFPC68を作製し、そのFPC68
の適所にICチップ69をACF64を用いて実装する
ことによって作製される。If the mounting structure of the COF system is taken as an example, the mounting structure of the COF system is formed by forming a metal film pattern 62 on a base layer 61 as shown in FIG. To produce an FPC 68,
By mounting the IC chip 69 in an appropriate position using the ACF 64.
【0008】金属膜パターン62の内側の先端は、IC
チップ69が実装される領域であってそのICチップ6
9とほぼ同じ大きさの領域であるIC実装領域Jに集め
られ、ICチップ69の能動面69aに形成されたバン
プ63がそれらの金属膜パターン62の先端にACF6
4によって導電接続される。[0008] The tip inside the metal film pattern 62 is an IC.
The area where the chip 69 is mounted and the IC chip 6
9, the bumps 63 formed on the active surface 69a of the IC chip 69 have the ACF6 on the tip of the metal film pattern 62.
4 for conductive connection.
【0009】従来の実装構造においては、図6(a)に
示すように、金属膜パターン62の先端縁がバンプ63
の端辺とほぼ一致するように、それらの金属膜パターン
62の形状及び寸法が規定されていた。また、金属膜パ
ターン62は、一般に、エッチング、電解メッキ等とい
ったパターニング処理によって希望のパターンに形成さ
れるが、そのパターニング処理の際、金属膜パターン6
2の先端部は面取り状態、例えば丸みを帯びた面取り状
態のような先細り形状62aに形成されることが多い。In the conventional mounting structure, as shown in FIG.
The shapes and dimensions of the metal film patterns 62 are defined so as to substantially coincide with the ends of the metal film patterns 62. Further, the metal film pattern 62 is generally formed into a desired pattern by a patterning process such as etching, electrolytic plating, or the like.
In many cases, the distal end of the taper 2 is formed in a chamfered state, for example, a tapered shape 62a in a rounded chamfered state.
【0010】また、上記のパターニング処理によって形
成される金属膜パターン62の先端部は、図6(b)に
示すように、テーパ状に削り取られた薄肉の断面形状6
2bとなることもある。以上のような、金属膜パターン
62に関する先細り形状62a及びテーパ状断面62b
のため、従来の実装構造においては、ICチップ側のバ
ンプ63と基板側の金属膜パターン62との間の接続信
頼性が低くなるという問題があった。Further, as shown in FIG. 6B, the tip of the metal film pattern 62 formed by the above-mentioned patterning process has a thin sectional shape 6 which is cut off in a tapered shape.
2b. As described above, the tapered shape 62a and the tapered cross section 62b of the metal film pattern 62
Therefore, the conventional mounting structure has a problem that the connection reliability between the bump 63 on the IC chip side and the metal film pattern 62 on the substrate side is reduced.
【0011】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、ICチップと基板との間に信頼性の高い
導電接続状態を実現することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to realize a highly reliable conductive connection between an IC chip and a substrate.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】(1) 上記の目的を達
成するため、本発明に係るICチップの実装構造は、I
C側端子を備えたICチップを基板側端子を備えた基板
上に前記IC側端子と前記基板側端子とが導電接続する
ように実装して成るICチップの実装構造において、前
記基板側端子は前記IC側端子を越えて前記ICチップ
の中心方向へ延びるように形成されることを特徴とす
る。Means for Solving the Problems (1) In order to achieve the above object, the mounting structure of the IC chip according to the present invention is as follows.
In an IC chip mounting structure in which an IC chip having a C-side terminal is mounted on a substrate having a substrate-side terminal so that the IC-side terminal and the substrate-side terminal are conductively connected, the substrate-side terminal is It is formed so as to extend toward the center of the IC chip beyond the IC side terminal.
【0013】この実装構造によれば、基板側端子がIC
側端子を越えてICチップの中心方向へ延びるように形
成されるので、基板側端子の先細り部及びテーパ状断面
部を避けて、基板側端子の幅及び膜厚が十分に大きくて
一定である部分をIC側端子に接続することができ、こ
の結果、信頼性の高い導電接続状態を得ることができ
る。According to this mounting structure, the substrate side terminal is an IC.
Since it is formed so as to extend toward the center of the IC chip beyond the side terminal, the width and thickness of the substrate side terminal are sufficiently large and constant, avoiding the tapered portion and the tapered cross-section of the substrate side terminal. The portion can be connected to the IC side terminal, and as a result, a highly reliable conductive connection state can be obtained.
【0014】(2) 上記構成のICチップの実装構造
において、前記基板は可撓性ベース層に基板側端子とし
ての金属膜パターンを形成した基板、すなわちFPC
(Flexible Printed Circuit)とすることができる。F
PCは可撓性を有するが故にその上に形成した金属膜パ
ターンの位置が変化し易い。従って、このFPCにIC
チップを実装しようとすると、金属膜パターンの位置が
変化してその金属膜パターンとIC側端子との間の導電
接続がうまくとれないという事態が生じ易い。しかしな
がら、上記(1)のような構成を採用すれば、そのよう
なFPCに対しても十分に信頼性の高い導電接続状態を
得ることができる。(2) In the mounting structure of an IC chip having the above structure, the substrate is a substrate in which a metal film pattern as a substrate-side terminal is formed on a flexible base layer, ie, an FPC.
(Flexible Printed Circuit). F
Since the PC has flexibility, the position of the metal film pattern formed thereon is easily changed. Therefore, this FPC has IC
When a chip is mounted, a situation is likely to occur in which the position of the metal film pattern changes and the conductive connection between the metal film pattern and the IC side terminal cannot be made well. However, if the configuration as described in (1) above is employed, a sufficiently reliable conductive connection state can be obtained even for such an FPC.
【0015】(3) 上記構成のICチップの実装構造
において、前記基板と前記ICチップとは異方性導電接
着物質によって導電接続することができる。(3) In the IC chip mounting structure having the above-mentioned structure, the substrate and the IC chip can be conductively connected by an anisotropic conductive adhesive.
【0016】異方性導電接着物質とは、接着物質の中に
導電粒子を分散状態で含ませることにより、一対の端子
間を異方性を持たせて電気的に一括接続するために用い
られる導電性のある接着物質である。接着物質が接着性
の高分子樹脂フィルムであれば、いわゆるACF(Anis
otropic Conductive Film:異方性導電膜)が形成さ
れ、他方、接着物質がペースト状の接着剤であれば、い
わゆるACA(Anisotropic Conductive Adhesive:異
方性導電接着剤)が形成される。The anisotropic conductive adhesive material is used for electrically connecting the pair of terminals anisotropically by including conductive particles in a dispersed state in the adhesive material. It is a conductive adhesive substance. If the adhesive substance is an adhesive polymer resin film, a so-called ACF (Anis)
When an adhesive substance is a paste-like adhesive, a so-called ACA (Anisotropic Conductive Adhesive: anisotropic conductive adhesive) is formed.
【0017】異方性導電接着物質を用いる場合には、そ
の中に含まれる導電粒子によってIC側端子と基板側端
子との間が導電接続される。よって、理想的には、それ
らの端子間にできるだけ多くの導電粒子が捕獲されるこ
とが望ましい。このことに関し、従来の実装構造のよう
に、基板側端子の先細り部62a(図6(a))及びテ
ーパ状断面部62b(図6(b))がIC側端子と重な
るような構造では、IC側端子と基板側端子との間に捕
獲される導電粒子の数、すなわち導電粒子の捕獲率が低
くなり、それ故、信頼性の高い導電接続状態を得ること
が難しい場合がある。When an anisotropic conductive adhesive is used, the conductive particles contained therein make conductive connection between the IC side terminal and the substrate side terminal. Therefore, it is ideally desirable that as many conductive particles as possible be captured between the terminals. In this regard, in a structure in which the tapered portion 62a (FIG. 6A) and the tapered cross-section 62b (FIG. 6B) of the substrate-side terminal overlap the IC-side terminal as in the conventional mounting structure, The number of conductive particles captured between the IC-side terminal and the substrate-side terminal, that is, the capture rate of the conductive particles is reduced, and therefore, it may be difficult to obtain a highly reliable conductive connection state.
【0018】これに対し、上記(1)のように、基板側
端子がIC側端子を越えてICチップの中心方向へ延び
るように設定すれば、基板側端子の先細り部及びテーパ
状断面部を避けて、基板側端子の幅及び膜厚が十分に大
きくて一定である部分をIC側端子に接続することがで
き、その結果、基板側端子とIC側端子との間における
導電粒子の捕獲率を高く維持することができ、それ故、
信頼性の高い導電接続状態を得ることができる。On the other hand, if the substrate side terminal is set so as to extend in the center direction of the IC chip beyond the IC side terminal as in the above (1), the tapered portion and the tapered cross section of the substrate side terminal can be formed. By avoiding this, a portion where the width and thickness of the substrate-side terminal is sufficiently large and constant can be connected to the IC-side terminal, and as a result, the capture rate of the conductive particles between the substrate-side terminal and the IC-side terminal Can be kept high and therefore
A highly reliable conductive connection state can be obtained.
【0019】(4) 上記構成のICチップの実装構造
に関しては、前記基板側端子が前記IC側端子を越えて
延びる長さをΔLとし、前記IC側端子の前記基板側端
子の長さ方向に相当する長さをLとするとき、それらの
寸法をΔL≧L/5に設定することが望ましい。この寸
法設定によれば、基板側端子の幅及び膜厚が十分に大き
くて一定である部分を、IC側端子に対する導電接続部
分として確実に対応させることができる。(4) Regarding the mounting structure of the IC chip having the above configuration, the length of the substrate side terminal extending beyond the IC side terminal is set to ΔL, and the length of the IC side terminal in the length direction of the substrate side terminal is determined. Assuming that the corresponding length is L, it is desirable to set those dimensions to ΔL ≧ L / 5. According to this dimension setting, a portion where the width and the film thickness of the substrate-side terminal are sufficiently large and constant can be reliably corresponded as a conductive connection portion to the IC-side terminal.
【0020】(5) 上記構成のICチップの実装構造
に関しては、前記基板側端子として幅の異なる複数種類
のものが形成されることがある。このような構造の実装
構造においては、それらの基板側端子がIC側端子を越
えて延びる長さを、それらの基板側端子の幅に反比例し
た長さ寸法に設定することが望ましい。こうすれば、基
板側端子の延在寸法を必要以上に大きくしなくても十分
な導電接続状態を得ることができる。(5) With regard to the mounting structure of the IC chip having the above-described structure, a plurality of types having different widths may be formed as the substrate-side terminals. In the mounting structure having such a structure, it is desirable that the length of the board side terminal extending beyond the IC side terminal is set to a length dimension inversely proportional to the width of the board side terminal. In this case, a sufficient conductive connection state can be obtained without increasing the extension of the substrate-side terminal more than necessary.
【0021】(6) 次に、本発明に係る液晶装置は、
互いに対向する一対の基板と、それらの基板の間に封入
される液晶と、前記一対の基板の少なくとも1つに接続
されるICチップの実装構造とを有し、そのICチップ
の実装構造は上記(1)から(5)記載のICチップの
実装構造であることを特徴とする。(6) Next, the liquid crystal device according to the present invention comprises:
A pair of substrates facing each other, a liquid crystal sealed between the substrates, and a mounting structure of an IC chip connected to at least one of the pair of substrates. It is a mounting structure of the IC chip described in (1) to (5).
【0022】(7) 次に、本発明に係る電子機器は、
液晶装置と、その液晶装置を収容する筐体とを有する電
子機器において、前記液晶装置は上記(6)記載の液晶
装置によって構成されることを特徴とする。このような
電子機器としては、例えば携帯電話機、携帯情報端末機
等が考えられる。(7) Next, the electronic device according to the present invention
In an electronic apparatus including a liquid crystal device and a housing for accommodating the liquid crystal device, the liquid crystal device includes the liquid crystal device described in (6). As such an electronic device, for example, a mobile phone, a portable information terminal, or the like can be considered.
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係るICチップの実装構造の実施形態を、ICチッ
プとしての液晶駆動用ICをFPC上に実装する場合を
例に挙げて説明する。また、本発明に係る液晶装置の実
施形態を、COF方式の液晶装置を例に挙げて説明す
る。また、本発明に係る電子機器の実施形態を携帯電話
機を例に挙げて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of an IC chip mounting structure according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings, taking as an example a case where a liquid crystal driving IC as an IC chip is mounted on an FPC. explain. An embodiment of a liquid crystal device according to the present invention will be described by taking a COF type liquid crystal device as an example. Embodiments of an electronic device according to the present invention will be described using a mobile phone as an example.
【0024】(第1実施形態)図1は、本発明に係るI
Cチップの実装構造及び液晶装置のそれぞれの一実施形
態を示している。ここに示す液晶装置1は、液晶パネル
2にICチップの実装構造3を実装し、さらに必要に応
じて、バックライト等といった照明装置(図示せず)そ
の他の付帯機器を付設することによって形成される。(First Embodiment) FIG.
1 illustrates one embodiment of a mounting structure of a C chip and a liquid crystal device. The liquid crystal device 1 shown here is formed by mounting an IC chip mounting structure 3 on a liquid crystal panel 2 and, if necessary, attaching a lighting device (not shown) such as a backlight or other auxiliary equipment. You.
【0025】液晶パネル2は、互いに対向する一対の基
板4a及び4bを有し、これらの基板はシール材6によ
ってそれらの周囲が互いに接着される。これらの基板4
a及び4bは、例えばガラス等といった硬質な光透過性
材料や、プラスチック等といった可撓性を有する光透過
性材料等によって形成された基板素材に電極その他の必
要要素を形成することによって作製される。The liquid crystal panel 2 has a pair of substrates 4a and 4b facing each other, and these substrates are adhered to each other by a sealing material 6 around them. These substrates 4
a and 4b are manufactured by forming electrodes and other necessary elements on a substrate material formed of a hard light-transmitting material such as glass or a flexible light-transmitting material such as plastic. .
【0026】図2において、第1基板4aを構成する基
板素材7aの液晶側表面、すなわち第2基板4bに対向
する面には、例えばコモン電極として作用する第1電極
8aが所定のパターンに形成され、その上にオーバーコ
ート層9aが形成され、さらにその上に配向膜11aが
形成される。また、基板素材7aの外側表面には偏光板
12aが貼着される。In FIG. 2, for example, a first electrode 8a acting as a common electrode is formed in a predetermined pattern on a liquid crystal side surface of a substrate material 7a constituting the first substrate 4a, that is, a surface facing the second substrate 4b. Then, an overcoat layer 9a is formed thereon, and an alignment film 11a is further formed thereon. A polarizing plate 12a is attached to the outer surface of the substrate material 7a.
【0027】第1基板4aに対向する第2基板4bを構
成する基板素材7bの液晶側表面、すなわち第1基板4
aに対向する面には、例えばセグメント電極として作用
する第2電極8bが所定のパターンに形成され、その上
にオーバーコート層9bが形成され、さらにその上に配
向膜11bが形成される。また、基板素材7bの外側表
面には偏光板12bが貼着される。The liquid crystal side surface of the substrate material 7b constituting the second substrate 4b facing the first substrate 4a, ie, the first substrate 4
On the surface facing a, for example, a second electrode 8b acting as a segment electrode is formed in a predetermined pattern, an overcoat layer 9b is formed thereon, and an alignment film 11b is further formed thereon. A polarizing plate 12b is attached to the outer surface of the substrate material 7b.
【0028】第1電極8a及び第2電極8bは、例えば
ITO(Indium Tin Oxide)等といった光透過性材料に
よって1000オングストローム程度の厚さに形成さ
れ、オーバーコート層9a及び9bは、例えば酸化珪
素、酸化チタン又はそれらの混合物等によって800オ
ングストローム程度の厚さに形成され、そして配向膜1
1a及び11bは、例えばポリイミド系樹脂によって8
00オングストローム程度の厚さに形成される。The first electrode 8a and the second electrode 8b are formed of a light transmitting material such as ITO (Indium Tin Oxide) to a thickness of about 1000 Å, and the overcoat layers 9a and 9b are formed of, for example, silicon oxide. The alignment film 1 is formed of titanium oxide or a mixture thereof to a thickness of about 800 Å.
1a and 11b are made of, for example, polyimide resin
It is formed to a thickness of about 00 Å.
【0029】第1電極8aは、図1に示すように、複数
の直線パターンを互いに平行に配列することによって、
いわゆるストライプ状に形成され、一方、第2電極8b
は上記第1電極8aに交差するように複数の直線パター
ンを互いに平行に配列することによって、やはりストラ
イプ状に形成される。これらの電極8aと電極8bとが
ドットマトリクス状に交差する複数の点が、像を表示す
るための画素を形成する。そして、それらの複数の画素
によって区画形成される領域が、文字等といった像を表
示するための表示領域となる。As shown in FIG. 1, the first electrode 8a is formed by arranging a plurality of linear patterns in parallel with each other.
It is formed in a so-called stripe shape, while the second electrode 8b
Is also formed in a stripe shape by arranging a plurality of linear patterns parallel to each other so as to intersect the first electrode 8a. A plurality of points where the electrodes 8a and the electrodes 8b intersect in a dot matrix form pixels for displaying an image. The area defined by the plurality of pixels is a display area for displaying an image such as a character.
【0030】以上のようにして形成された第1基板4a
及び第2基板4bのいずれか一方の液晶側表面には、図
2に示すように、複数のスペーサ13が分散され、さら
にいずれか一方の基板の液晶側表面にシール材6が例え
ば印刷等によって図1に示すように枠状に設けられる。
このシール材6の内部には図2に示すように導通材14
が分散される。また、シール材6の一部には図1に示す
ように液晶注入口6aが形成される。The first substrate 4a formed as described above
As shown in FIG. 2, a plurality of spacers 13 are dispersed on one liquid crystal side surface of the second substrate 4b, and a sealing material 6 is further formed on the liquid crystal side surface of one of the substrates by, for example, printing. It is provided in a frame shape as shown in FIG.
As shown in FIG.
Are distributed. Further, a liquid crystal injection port 6a is formed in a part of the sealing material 6, as shown in FIG.
【0031】両基板4a及び4bの間にはスペーサ13
によって保持される均一な寸法、例えば5μm程度の間
隙、いわゆるセルギャップが形成され、液晶注入口6a
を通してそのセルギャップ内に液晶16が注入され、そ
の注入の完了後、液晶注入口6aが樹脂等によって封止
される。A spacer 13 is provided between the substrates 4a and 4b.
A uniform gap, for example, a gap of about 5 μm, that is, a so-called cell gap held by the liquid crystal injection port 6a is formed.
The liquid crystal 16 is injected into the cell gap through the through hole, and after the injection is completed, the liquid crystal injection port 6a is sealed with a resin or the like.
【0032】図1において、第1基板4aは第2基板4
bの外側へ張り出す基板張出し部4cを有し、第1基板
4a上の第1電極8aはその基板張出し部4cへ直接に
延び出て配線パターン17となっている。また、第2基
板4b上の第2電極8bは、シール材6の内部に分散し
た導通材14(図2参照)を介して、基板張出し部4c
上の配線パターン17に接続している。In FIG. 1, the first substrate 4a is a second substrate 4
The first electrode 8a on the first substrate 4a extends directly to the substrate overhang 4c to form a wiring pattern 17. The second electrode 8b on the second substrate 4b is connected to the substrate overhanging portion 4c via the conductive material 14 (see FIG. 2) dispersed inside the sealing material 6.
It is connected to the upper wiring pattern 17.
【0033】各電極8a及び8b、それから延びる配線
パターン17は、実際には極めて狭い間隔で多数本がそ
れぞれの基板4a及び4bの表面全域に形成されるが、
図1では構造を分かり易く示すために実際の間隔よりも
広い間隔でそれらの電極等を模式的に図示し、さらに一
部の電極の図示は省略してある。また、液晶が封入され
る領域内に形成される電極8a及び8bは、直線状に形
成されることに限られず、適宜のパターン状に形成され
ることもある。In practice, a large number of the electrodes 8a and 8b and the wiring patterns 17 extending from the electrodes 8a and 8b are formed at very narrow intervals over the entire surface of each of the substrates 4a and 4b.
In FIG. 1, the electrodes and the like are schematically illustrated at intervals larger than the actual intervals in order to clearly show the structure, and some of the electrodes are not illustrated. Further, the electrodes 8a and 8b formed in the region where the liquid crystal is sealed are not limited to being formed linearly, but may be formed in an appropriate pattern.
【0034】図1において、ICチップの実装構造3
は、FPC18の上にICチップとしての液晶駆動用I
C19を実装することによって形成される。また、FP
C18は、例えばポリイミド系樹脂によって形成された
可撓性を有するベース層21の上に、例えばエッチング
によって基板側端子としての金属膜パターン22を形成
することによって作製されている。In FIG. 1, an IC chip mounting structure 3
Is a liquid crystal driving IC as an IC chip on the FPC 18.
It is formed by mounting C19. Also, FP
C18 is manufactured by forming a metal film pattern 22 as a substrate-side terminal by, for example, etching on a flexible base layer 21 formed of, for example, a polyimide resin.
【0035】一般的なFPCには3層構造のFPCと2
層構造のFPCがあることが知られている。3層構造の
FPCは、ベース層の上に接着剤層を介して金属膜パタ
ーンを形成することによって作製され、ベース層、接着
剤層及び金属膜パターンの各層によって3層構造が形成
される。また、2層構造のFPCは、ベース層の上にス
パッタ、ロールコート等といった成膜法によって金属膜
を形成した後、エッチング等といったパターニング処理
によってその金属膜を所定パターンに形成することによ
って作製され、ベース層及び金属膜パターンの両層によ
って2層構造が形成される。本実施形態で用いるFPC
18は2層構造のFPCである。A general FPC includes a three-layer FPC and a two-layer FPC.
It is known that there is a layered FPC. An FPC having a three-layer structure is manufactured by forming a metal film pattern on a base layer with an adhesive layer interposed therebetween, and each of the base layer, the adhesive layer, and the metal film pattern forms a three-layer structure. An FPC having a two-layer structure is manufactured by forming a metal film on a base layer by a film forming method such as sputtering or roll coating, and then forming the metal film in a predetermined pattern by a patterning process such as etching. , A base layer and a metal film pattern form a two-layer structure. FPC used in this embodiment
Reference numeral 18 denotes a two-layer FPC.
【0036】図1において、金属膜パターン22の内部
領域側の先端は、液晶駆動用IC19を装着するための
領域であってそのICチップ19の大きさとほぼ同じ大
きさの領域であるIC実装領域Jに集められる。液晶駆
動用IC19は、その能動面19aにIC側端子として
の複数のバンプ23を有する。In FIG. 1, the tip of the metal film pattern 22 on the side of the internal area is an area for mounting the liquid crystal driving IC 19 and an area substantially equal in size to the IC chip 19. Collected by J. The liquid crystal driving IC 19 has a plurality of bumps 23 as IC-side terminals on its active surface 19a.
【0037】液晶駆動用IC19をFPC18に実装す
るに際しては、異方性導電接着物質としてのACF24
をIC実装領域Jに貼着し、そのACF24に液晶駆動
用IC19の能動面19aを貼着してACF24をFP
C18に仮装着し、さらに加熱された圧着ヘッド(図示
せず)で液晶駆動用IC19を押し付けることにより、
液晶駆動用IC19を加熱及び加圧する。これにより、
液晶駆動用IC19がFPC18のIC実装領域Jに接
着される。When mounting the liquid crystal driving IC 19 on the FPC 18, the ACF 24 as an anisotropic conductive adhesive is used.
Is adhered to the IC mounting area J, the active surface 19a of the liquid crystal driving IC 19 is adhered to the ACF 24, and the ACF 24 is
By temporarily mounting the liquid crystal driving IC 19 with a heated pressure bonding head (not shown),
The liquid crystal driving IC 19 is heated and pressed. This allows
The liquid crystal driving IC 19 is bonded to the IC mounting area J of the FPC 18.
【0038】ACF24は、図2に示すように、樹脂フ
ィルム26の中に導電粒子27を分散して含ませること
によって形成されており、液晶駆動用IC19のバンプ
23は導電粒子27によってFPC18の金属膜パター
ン22に導電接続される。そして、このようにして作製
されたICチップの実装構造3は、ACF28によって
液晶パネル2の基板張出し部4cに接続され、このと
き、ACF28の内部に含まれる導電粒子によって、実
装構造側の金属膜パターン22aと液晶パネル側の配線
パターン17との導電接続が達成される。As shown in FIG. 2, the ACF 24 is formed by dispersing conductive particles 27 in a resin film 26, and the bumps 23 of the liquid crystal driving IC 19 are formed by the conductive particles 27 by the metal of the FPC 18. It is conductively connected to the film pattern 22. The mounting structure 3 of the IC chip manufactured in this manner is connected to the substrate overhanging portion 4c of the liquid crystal panel 2 by the ACF 28, and at this time, the conductive film contained in the ACF 28 causes the metal film on the mounting structure side to be connected. Conductive connection between the pattern 22a and the wiring pattern 17 on the liquid crystal panel side is achieved.
【0039】以上のように構成された本実施形態の液晶
装置1によれば、液晶駆動用IC19によって、第1電
極8a又は第2電極8bのいずれか一方に対して行ごと
に走査電圧を印加し、さらにそれらの電極の他方に対し
て表示画像に基づいたデータ電圧を画素ごとに印加する
ことにより、両電圧の印加によって選択された各画素部
分を通過する光を変調し、もって、基板4a又は4bの
外側に文字、数字等といった像を表示する。According to the liquid crystal device 1 of the present embodiment configured as described above, the scanning voltage is applied to either the first electrode 8a or the second electrode 8b by the liquid crystal driving IC 19 for each row. Further, by applying a data voltage based on the display image to the other of the electrodes for each pixel, the light passing through each pixel portion selected by the application of both voltages is modulated, and thus the substrate 4a Alternatively, an image such as a character or a number is displayed outside 4b.
【0040】図3(a)は図1において矢印Aで示す部
分を拡大して示している。また、図3(b)は図3
(a)のB−B線に従った断面構造を示している。これ
らの図に示す通り、金属膜パターン22は、液晶駆動用
IC19のバンプ23を越えて液晶駆動用IC19の中
心方向へ寸法ΔLだけ延びるように形成されている。FIG. 3A is an enlarged view of a portion indicated by an arrow A in FIG. Further, FIG.
3A illustrates a cross-sectional structure taken along line BB. As shown in these figures, the metal film pattern 22 is formed so as to extend beyond the bumps 23 of the liquid crystal driving IC 19 by the dimension ΔL toward the center of the liquid crystal driving IC 19.
【0041】液晶駆動用IC19の先端部はその形成過
程において、その角部が面取りされた状態の先細り形状
22aになることが多い。また、その先端部がテーパ状
に細くなる断面状態22bになることもある。特に、本
実施形態のように金属膜パターン22をエッチングによ
って形成したときには、その先細り形状22aが顕著に
現れ、またテーパ状断面22bになることもある。In the forming process, the tip of the liquid crystal driving IC 19 often becomes a tapered shape 22a with its corners chamfered. In addition, the tip portion may be in a cross-sectional state 22b in which the end portion becomes tapered. In particular, when the metal film pattern 22 is formed by etching as in the present embodiment, the tapered shape 22a is conspicuously formed, and the tapered cross section 22b may be formed.
【0042】よって、何等の措置を講じることなく図6
(a)及び図6(b)に示す従来の実装構造のように、
金属膜パターン22の先端をバンプ23の辺端に一致さ
せていたのでは、金属膜パターン22とバンプ23との
有効重なり面積が小さくなり、それ故、ACF24内の
導電粒子27の捕獲数が減少し、その結果、金属膜パタ
ーン22とバンプ23との導電接続状態が悪くなるおそ
れがある。また、図6(b)に示すように、金属膜パタ
ーン22の先端部に形成されるテーパ状断面22bの存
在により、導電粒子27の捕獲数が減少してバンプ23
と金属膜パターン22との間の導電接続状態が悪くなる
おそれもある。Therefore, without taking any measures, FIG.
(A) and the conventional mounting structure shown in FIG.
If the tip of the metal film pattern 22 is aligned with the side edge of the bump 23, the effective overlapping area between the metal film pattern 22 and the bump 23 is reduced, and therefore the number of captured conductive particles 27 in the ACF 24 is reduced. As a result, the conductive connection between the metal film pattern 22 and the bumps 23 may be deteriorated. Also, as shown in FIG. 6B, the presence of the tapered cross-section 22b formed at the tip of the metal film pattern 22 reduces the number of captured conductive particles 27 and reduces the number of bumps 23.
There is also a possibility that the conductive connection between the metal film pattern 22 and the metal film pattern 22 is deteriorated.
【0043】これに対し図3(a)及び図3(b)に示
す本実施形態のように、金属膜パターン22をバンプ2
3を越えて液晶駆動用IC19の中心方向へ延在させれ
ば、図3(a)に示すように金属膜パターン22の先端
の先細り部22aを避けて、金属膜パターン22の幅が
十分に大きくて一定である部分をバンプ23に接続する
ことができ、さらに、図3(b)に示すように、薄肉で
あるテーパ状断面部22bを避けて、金属膜パターン2
2の厚さが十分に大きくて一定である部分をバンプ23
に接続することができる。この結果、金属膜パターン2
2とバンプ23との間に十分な数の導電粒子27を介在
させることができ、それ故、それらの間に信頼性の高い
導電接続状態を得ることができる。On the other hand, as in the present embodiment shown in FIGS. 3A and 3B, the metal film pattern 22 is
3 and extends in the direction of the center of the liquid crystal driving IC 19, the width of the metal film pattern 22 is sufficiently reduced to avoid the tapered portion 22a at the tip of the metal film pattern 22 as shown in FIG. A large and constant portion can be connected to the bump 23. Further, as shown in FIG. 3B, the metal film pattern 2
The portion where the thickness of 2 is sufficiently large and constant is the bump 23
Can be connected to As a result, the metal film pattern 2
A sufficient number of conductive particles 27 can be interposed between 2 and the bumps 23, so that a highly reliable conductive connection state can be obtained between them.
【0044】なお、発明者の実験によれば、図3におい
て、金属膜パターン22がバンプ23を越えて延びる長
さをΔLとし、バンプ23の金属膜パターン22の延在
方向の長さをLとするとき、 ΔL≧L/5 となるように金属膜パターン22の延在寸法ΔLを規定
すると、金属膜パターン22の幅及び膜厚が十分に大き
くて一定である部分をバンプ23に確実に接続できるこ
とが分かった。According to the experiment of the inventor, in FIG. 3, the length of the metal film pattern 22 extending beyond the bump 23 is represented by ΔL, and the length of the bump 23 in the extending direction of the metal film pattern 22 is represented by L. When the extension dimension ΔL of the metal film pattern 22 is defined so that ΔL ≧ L / 5, a portion where the width and the film thickness of the metal film pattern 22 are sufficiently large and constant is reliably formed on the bump 23. I found that I could connect.
【0045】ところで、図1において、FPC18を構
成する金属膜パターン22の幅は全ての金属膜パターン
22に関して同じであるとは限らない。例えば、液晶駆
動用IC19の出力側に接続される金属膜パターン22
aの幅が狭く、液晶駆動用IC19の入力側に接続され
る金属膜パターン22bの幅がそれよりも広く形成され
ることがある。In FIG. 1, the width of the metal film pattern 22 constituting the FPC 18 is not always the same for all the metal film patterns 22. For example, the metal film pattern 22 connected to the output side of the liquid crystal driving IC 19
The width of “a” is narrow, and the width of the metal film pattern 22b connected to the input side of the liquid crystal driving IC 19 may be formed wider than that.
【0046】このような場合には、幅の狭い金属膜パタ
ーン22aに関する延在寸法ΔLを、幅の広い金属膜パ
ターン22bに関する延在寸法ΔLに比べて長く設定、
すなわち金属膜パターン22がバンプ23を越えて延び
る長さΔLを金属膜パターン22の幅寸法に反比例する
ように設定することが望ましい。こうすれば、幅の広い
金属膜パターン22の延在寸法ΔLを必要以上に大きく
しなくても十分な導電接続状態を得ることができる。In such a case, the extension dimension ΔL for the narrow metal film pattern 22a is set longer than the extension dimension ΔL for the wide metal film pattern 22b.
That is, it is desirable to set the length ΔL of the metal film pattern 22 extending beyond the bump 23 so as to be inversely proportional to the width dimension of the metal film pattern 22. In this way, a sufficient conductive connection state can be obtained without increasing the extension dimension ΔL of the wide metal film pattern 22 more than necessary.
【0047】(第2実施形態)図4は、本発明に係る電
子機器の一実施形態である携帯電話機の一実施形態を示
している。ここに示す携帯電話機50は、アンテナ5
1、スピーカ52、液晶装置60、キースイッチ53、
マイクロホン54等といった各種構成要素を筐体として
の外装ケース56に格納することによって構成される。
また、外装ケース56の内部には、上記の各構成要素の
動作を制御するための制御回路を搭載した制御回路基板
57が設けられる。液晶装置60は図1に示した液晶装
置1によって構成できる。(Second Embodiment) FIG. 4 shows an embodiment of a portable telephone which is an embodiment of the electronic apparatus according to the present invention. The mobile phone 50 shown here has an antenna 5
1, speaker 52, liquid crystal device 60, key switch 53,
It is configured by storing various components such as a microphone 54 in an outer case 56 as a housing.
Further, inside the outer case 56, a control circuit board 57 on which a control circuit for controlling the operation of each of the above components is mounted is provided. The liquid crystal device 60 can be constituted by the liquid crystal device 1 shown in FIG.
【0048】この携帯電話機50では、キースイッチ5
3及びマイクロホン54を通して入力される信号や、ア
ンテナ51によって受信した受信データ等が制御回路基
板57上の制御回路へ入力される。そしてその制御回路
は、入力した各種データに基づいて液晶装置60の表示
面内に数字、文字、絵柄等といった像を表示し、さら
に、アンテナ51から送信データを送信する。In this portable telephone 50, the key switch 5
The signal input through the microphone 3 and the microphone 54, the data received by the antenna 51, and the like are input to the control circuit on the control circuit board 57. Then, the control circuit displays an image such as a number, a character, or a picture on the display surface of the liquid crystal device 60 based on the various input data, and further transmits transmission data from the antenna 51.
【0049】(その他の実施形態)以上、好ましい実施
形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明
の範囲内で種々に改変できる。(Other Embodiments) The present invention has been described with reference to the preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the embodiments, and various modifications may be made within the scope of the invention described in the claims. Can be modified.
【0050】図1の実施形態では、ICチップの実装構
造3を構成する金属膜パターン22をエッチングによっ
てパターニングするものとしたが、金属膜パターン22
の先端部が面取り状に先細り形状になったり、テーパ状
に薄くなったりすることが考えられるその他の任意のパ
ターニング処理を採用する場合にも本発明を適用でき
る。In the embodiment of FIG. 1, the metal film pattern 22 constituting the IC chip mounting structure 3 is patterned by etching.
The present invention can also be applied to a case where any other patterning process is considered in which the tip of the is tapered in a chamfered shape or becomes thinner in a tapered shape.
【0051】また、図1に示すICチップの実装構造3
は単なる一例であって、その外観形状や、金属膜パター
ンの形状等は希望に応じて種々に改変できる。また、F
PC18に搭載するチップ部品も必要に応じて種々のも
の、例えば液晶駆動用IC以外のICチップや抵抗、コ
ンデンサその他のチップ部品を選定できる。The mounting structure 3 of the IC chip shown in FIG.
Is merely an example, and the external shape, the shape of the metal film pattern, and the like can be variously modified as desired. Also, F
A variety of chip components to be mounted on the PC 18 can be selected as needed, for example, an IC chip other than the liquid crystal driving IC, a resistor, a capacitor, and other chip components.
【0052】[0052]
【発明の効果】本発明に係るICチップの実装構造、液
晶装置及び電子機器によれば、金属膜パターン等といっ
た基板側端子がバンプ等といったIC側端子を越えてI
Cチップの中心方向へ延びるように形成されるので、基
板側端子の先細り部及びテーパ状断面部を避けて、基板
側端子の幅及び膜厚が十分に大きくて一定である部分を
IC側端子に接続することができ、この結果、信頼性の
高い導電接続状態を得ることができる。According to the mounting structure of the IC chip, the liquid crystal device, and the electronic apparatus according to the present invention, the terminal on the substrate such as a metal film pattern extends beyond the terminal on the IC such as a bump.
Since it is formed so as to extend in the center direction of the C chip, a portion where the width and thickness of the substrate side terminal is sufficiently large and constant is avoided, avoiding the tapered portion and the tapered cross section of the substrate side terminal. , And as a result, a highly reliable conductive connection state can be obtained.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】本発明に係るICチップの実装構造及び液晶装
置の一実施形態を一部分解して示す斜視図である。FIG. 1 is a partially exploded perspective view showing an embodiment of an IC chip mounting structure and a liquid crystal device according to the present invention.
【図2】図1のICチップの実装構造及び液晶装置のそ
れぞれの主要部の断面構造を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a mounting structure of the IC chip of FIG. 1 and a cross-sectional structure of each main part of the liquid crystal device.
【図3】IC側端子と基板側端子と間の導電接続部を示
す図であり、(a)はその平面図であり、(b)はその
断面図である。3A and 3B are diagrams showing a conductive connection portion between an IC-side terminal and a substrate-side terminal, where FIG. 3A is a plan view and FIG. 3B is a cross-sectional view thereof.
【図4】本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯
電話機の一実施形態を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing an embodiment of a mobile phone which is an embodiment of the electronic apparatus according to the present invention.
【図5】従来のICチップの実装構造の一例を一部分解
して示す斜視図である。FIG. 5 is a partially exploded perspective view showing an example of a conventional mounting structure of an IC chip.
【図6】IC側端子と基板側端子と間の従来の導電接続
部を示す図であり、(a)はその平面図であり、(b)
はその断面図である。6A and 6B are diagrams showing a conventional conductive connection between an IC terminal and a substrate terminal, FIG. 6A is a plan view thereof, and FIG.
Is a sectional view thereof.
1 液晶装置 2 液晶パネル 3 ICチップの実装構造 4a,4b 基板 4c 基板張出し部 8a,8b 電極 16 液晶 17 配線パターン 18 FPC(基板) 19 液晶駆動用IC(ICチップ) 19a 能動面 21 ベース層 22 金属膜パターン(基板側端子) 22a 先細り部 22b テーパ状断面部 23 バンプ(IC側端子) 24 ACF J IC実装領域 L バンプ長さ ΔL 基板側端子の延在長さ Reference Signs List 1 liquid crystal device 2 liquid crystal panel 3 mounting structure of IC chip 4a, 4b substrate 4c substrate overhanging portion 8a, 8b electrode 16 liquid crystal 17 wiring pattern 18 FPC (substrate) 19 liquid crystal driving IC (IC chip) 19a active surface 21 base layer 22 Metal film pattern (substrate side terminal) 22a Tapered portion 22b Tapered cross section 23 Bump (IC side terminal) 24 ACF J IC mounting area L Bump length ΔL Extension length of substrate side terminal
フロントページの続き Fターム(参考) 2H092 GA48 GA49 GA50 GA51 GA52 GA55 GA57 HA04 HA26 MA10 MA17 NA25 NA27 PA02 PA03 RA10 5E319 AC03 BB16 5F044 KK03 KK12 LL09 5G435 AA14 AA16 BB12 EE40 EE43 KK09 LL07 Continued on the front page F-term (reference) 2H092 GA48 GA49 GA50 GA51 GA52 GA55 GA57 HA04 HA26 MA10 MA17 NA25 NA27 PA02 PA03 RA10 5E319 AC03 BB16 5F044 KK03 KK12 LL09 5G435 AA14 AA16 BB12 EE40 EE43 KK09 LL07
Claims (7)
端子を備えた基板上に前記IC側端子と前記基板側端子
とが互いに導電接続するように実装して成るICチップ
の実装構造において、 前記基板側端子は、前記IC側端子を越えて前記ICチ
ップの中心方向へ延びるように形成されることを特徴と
するICチップの実装構造。1. A mounting structure of an IC chip comprising an IC chip having an IC terminal mounted on a substrate having a substrate terminal so that the IC terminal and the substrate terminal are conductively connected to each other. The mounting structure of an IC chip, wherein the substrate-side terminal is formed so as to extend toward the center of the IC chip beyond the IC-side terminal.
ース層に前記基板側端子としての金属膜パターンを形成
して成ることを特徴とするICチップの実装構造。2. The mounting structure of an IC chip according to claim 1, wherein said substrate is formed by forming a metal film pattern as said substrate side terminal on a flexible base layer.
板と前記ICチップとは異方性導電接着物質によって導
電接続されることを特徴とするICチップの実装構造。3. The mounting structure of an IC chip according to claim 1, wherein the substrate and the IC chip are conductively connected by an anisotropic conductive adhesive.
れか1つにおいて、前記基板側端子が前記IC側端子を
越えて延びる長さをΔLとし、前記IC側端子の前記基
板側端子の長さ方向に相当する長さをLとするとき、 ΔL≧L/5 であることを特徴とするICチップの実装構造。4. The device according to claim 1, wherein a length of the substrate-side terminal extending beyond the IC-side terminal is ΔL, and a length of the IC-side terminal is the length of the substrate-side terminal. Where L is the length corresponding to the vertical direction, and ΔL ≧ L / 5.
れか1つにおいて、前記基板側端子は幅の異なる複数種
類が形成され、それらの基板側端子が前記IC側端子を
越えて延びる長さは、それらの基板側端子の幅に反比例
することを特徴とするICチップの実装構造。5. The device according to claim 1, wherein a plurality of types of the substrate-side terminals having different widths are formed, and the substrate-side terminals extend beyond the IC-side terminals. Is an IC chip mounting structure characterized by being inversely proportional to the width of these board-side terminals.
基板の間に封入される液晶と、前記一対の基板の少なく
とも1つに接続されるICチップの実装構造とを有し、
そのICチップの実装構造は請求項1から請求項5の少
なくともいずれか1つに記載のICチップの実装構造で
あることを特徴とする液晶装置。6. A pair of substrates facing each other, a liquid crystal sealed between the substrates, and a mounting structure of an IC chip connected to at least one of the pair of substrates,
A liquid crystal device, wherein the mounting structure of the IC chip is the mounting structure of the IC chip according to at least one of claims 1 to 5.
体とを有する電子機器において、前記液晶装置は請求項
6記載の液晶装置によって構成されることを特徴とする
電子機器。7. An electronic device comprising a liquid crystal device and a housing for accommodating the liquid crystal device, wherein the liquid crystal device is constituted by the liquid crystal device according to claim 6.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP22175799A JP3820812B2 (en) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | IC chip mounting structure, liquid crystal device and electronic device |
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EP1391922A2 (en) * | 2002-08-21 | 2004-02-25 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device mounting method, semiconductor device mounting structure, electro optical device, electro-optical device manufacturing method and electronic device |
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