JP2001042041A - 放射線シンチレータ装置およびその製造方法 - Google Patents
放射線シンチレータ装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造が容易で、分解能が向上した放射線シン
チレータ装置およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 放射線を可視光に変換する材料を基板面
１１に塗布して形成された柱状結晶２１のシンチレータ
層１２と、このシンチレータ層１２の柱状結晶２１間に
注入された光吸収材とを具備した放射線シンチレータ装
置において、光吸収材が柱状結晶２１間に気体状で拡散
注入されて形成されている。
チレータ装置およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 放射線を可視光に変換する材料を基板面
１１に塗布して形成された柱状結晶２１のシンチレータ
層１２と、このシンチレータ層１２の柱状結晶２１間に
注入された光吸収材とを具備した放射線シンチレータ装
置において、光吸収材が柱状結晶２１間に気体状で拡散
注入されて形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、検査対象を撮影し
た放射線による画像を可視画像に変換するために使用す
る放射線シンチレータ装置およびその製造方法に関す
る。
た放射線による画像を可視画像に変換するために使用す
る放射線シンチレータ装置およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】放射線シンチレータ装置は、医療診断装
置や非破壊検査装置などにおいて、Ｘ線やガンマ線など
の放射線で撮影した画像を可視画像に変換する画像変換
素子として使用されている。このような画像変換素子を
用いて画像変換を行う場合には、ある程度の画質の劣化
は避けられない。一方、医療診断装置や非破壊検査装置
などでは、良好な画質が要求され、画像変換素子には高
い分解能が求められている。そのため、分解能の改善な
ど、画像変換素子に対する画質の改善が重要な課題にな
っている。
置や非破壊検査装置などにおいて、Ｘ線やガンマ線など
の放射線で撮影した画像を可視画像に変換する画像変換
素子として使用されている。このような画像変換素子を
用いて画像変換を行う場合には、ある程度の画質の劣化
は避けられない。一方、医療診断装置や非破壊検査装置
などでは、良好な画質が要求され、画像変換素子には高
い分解能が求められている。そのため、分解能の改善な
ど、画像変換素子に対する画質の改善が重要な課題にな
っている。
【０００３】ところで、放射線で撮像した画像を可視画
像に変換する方法としては、これまで、いろいろな方法
が実用化されている。その代表的な例として、たとえ
ば、放射線で撮影した画像をスクリーン状の放射線シン
チレータ装置に投射し、放射線シンチレータ装置から出
力される可視光像を増幅し、ビデオ信号として取り出す
方法がある。
像に変換する方法としては、これまで、いろいろな方法
が実用化されている。その代表的な例として、たとえ
ば、放射線で撮影した画像をスクリーン状の放射線シン
チレータ装置に投射し、放射線シンチレータ装置から出
力される可視光像を増幅し、ビデオ信号として取り出す
方法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】放射線による画像をビ
デオ信号として取り出す場合、従来、イメージインテン
シファイア（以後ＩＩという）とテレビカメラとを組み
合わせた方法が用いられている。この方法は、通常のレ
ンズとＣＣＤ撮像素子とを組み合わせた可視光カメラと
比較すると、ＩＩを用いている関係から、ＩＩによる画
質の劣化がある。したがって、ＩＩとテレビカメラとを
組み合わせた方法は、通常の可視光像用のカメラを用い
た場合よりも画像の分解能が低下する。そのため、この
ような分解能の低下を防止するいくつかの方法が提案さ
れている。
デオ信号として取り出す場合、従来、イメージインテン
シファイア（以後ＩＩという）とテレビカメラとを組み
合わせた方法が用いられている。この方法は、通常のレ
ンズとＣＣＤ撮像素子とを組み合わせた可視光カメラと
比較すると、ＩＩを用いている関係から、ＩＩによる画
質の劣化がある。したがって、ＩＩとテレビカメラとを
組み合わせた方法は、通常の可視光像用のカメラを用い
た場合よりも画像の分解能が低下する。そのため、この
ような分解能の低下を防止するいくつかの方法が提案さ
れている。
【０００５】たとえば、シンチレータ層を蛍光体の柱状
結晶で構成し、そして、隣接する柱状結晶間に光吸収層
を設ける構造（特開昭６２−４３０４６号公報参照）、
あるいは、柱状結晶間に光反射物質の粉末を充填する構
造（特開昭５９−１２１７３３号公報参照）などであ
る。
結晶で構成し、そして、隣接する柱状結晶間に光吸収層
を設ける構造（特開昭６２−４３０４６号公報参照）、
あるいは、柱状結晶間に光反射物質の粉末を充填する構
造（特開昭５９−１２１７３３号公報参照）などであ
る。
【０００６】このような構造の放射線シンチレータ装置
は、光学的界面の機能が強調され、分解能が改善する。
しかし、シンチレータ層の柱状結晶の大きさが、要求さ
れる分解能（２０〜５０ｌｐ／ｃｍ、または、２５０〜
１００μｍ）よりも十分小さいことが必要で、たとえば
５０μｍ以下に設定される。また、放射線の吸収効率を
上げるために、ある程度の緻密性も必要とされる。この
ため、柱状結晶間の隙間も１μｍ以下と狭くなってい
る。
は、光学的界面の機能が強調され、分解能が改善する。
しかし、シンチレータ層の柱状結晶の大きさが、要求さ
れる分解能（２０〜５０ｌｐ／ｃｍ、または、２５０〜
１００μｍ）よりも十分小さいことが必要で、たとえば
５０μｍ以下に設定される。また、放射線の吸収効率を
上げるために、ある程度の緻密性も必要とされる。この
ため、柱状結晶間の隙間も１μｍ以下と狭くなってい
る。
【０００７】しかし、柱状結晶の大きさが小さく、同時
に、緻密性の高い構造を持つシンチレータ層の場合、光
吸収層の製造が容易でなく、分解能を向上させた放射線
シンチレータ装置の実現が困難になっている。
に、緻密性の高い構造を持つシンチレータ層の場合、光
吸収層の製造が容易でなく、分解能を向上させた放射線
シンチレータ装置の実現が困難になっている。
【０００８】本発明は、上記した欠点を解決し、製造が
容易で、分解能が向上した放射線シンチレータ装置およ
びその製造方法を提供することを目的とする。
容易で、分解能が向上した放射線シンチレータ装置およ
びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、放射線を可視
光に変換する材料を基板面に塗布して形成した柱状結晶
のシンチレータ層と、このシンチレータ層の前記柱状結
晶間に注入した光吸収材とを具備した放射線シンチレー
タ装置において、前記光吸収材を、前記柱状結晶間に気
体状で拡散注入して形成したことを特徴としている。
光に変換する材料を基板面に塗布して形成した柱状結晶
のシンチレータ層と、このシンチレータ層の前記柱状結
晶間に注入した光吸収材とを具備した放射線シンチレー
タ装置において、前記光吸収材を、前記柱状結晶間に気
体状で拡散注入して形成したことを特徴としている。
【００１０】また、本発明の放射線シンチレータ装置の
製造方法は、放射線を可視光に変換する材料を基板面に
塗布して柱状結晶のシンチレータ層を形成する第１工程
と、前記基板および前記シンチレータ層を加温し、前記
シンチレータ層の前記柱状結晶間に光吸収材の原料を気
体状で拡散注入する第２工程とからなっている。
製造方法は、放射線を可視光に変換する材料を基板面に
塗布して柱状結晶のシンチレータ層を形成する第１工程
と、前記基板および前記シンチレータ層を加温し、前記
シンチレータ層の前記柱状結晶間に光吸収材の原料を気
体状で拡散注入する第２工程とからなっている。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を説明する前
に、まず、放射線による画像を可視画像に変換するシン
チレータ層の光学的界面に、光吸収材を形成する本発明
の方法について説明する。
に、まず、放射線による画像を可視画像に変換するシン
チレータ層の光学的界面に、光吸収材を形成する本発明
の方法について説明する。
【００１２】物質には蒸気圧という物性がある。蒸気圧
はその物質の温度だけで決まり、周囲の自分自身の分圧
や、異種物質の分圧の影響をほとんど受けない。また、
蒸気圧は、その物質が蒸発もしくは昇華により、固体も
しくは液体から気体に変化する速さの尺度としても用い
られている。
はその物質の温度だけで決まり、周囲の自分自身の分圧
や、異種物質の分圧の影響をほとんど受けない。また、
蒸気圧は、その物質が蒸発もしくは昇華により、固体も
しくは液体から気体に変化する速さの尺度としても用い
られている。
【００１３】そして、１つの成分の気体物質と固体物質
が混在する系では、ある温度における固体の蒸気圧がｐ
で、気体の分圧Ｐがそれより高い場合（Ｐ＞ｐ）、周囲
の物質が昇華して新たに固体物質が析出する。逆に、Ｐ
＜ｐである場合、固体が昇華して気化する。Ｐ＝ｐの場
合は平衡し、固体化と気体化の昇華速度が等しくなり、
見かけ上、各相の量は変化しない。
が混在する系では、ある温度における固体の蒸気圧がｐ
で、気体の分圧Ｐがそれより高い場合（Ｐ＞ｐ）、周囲
の物質が昇華して新たに固体物質が析出する。逆に、Ｐ
＜ｐである場合、固体が昇華して気化する。Ｐ＝ｐの場
合は平衡し、固体化と気体化の昇華速度が等しくなり、
見かけ上、各相の量は変化しない。
【００１４】また、蒸気圧は温度が高いほど高くなる。
この性質を利用すれば、シンチレータ層の面方向の光学
的界面が１μｍ以下であっても、光吸収材を容易に注入
できる。たとえば、シンチレータ層を光吸収材の原料の
蒸気中に曝し、そして、シンチレータ層自身も、その表
面に光吸収材の原料が付着しない程度に加温する。この
ようにすれば、シンチレータ層の表面において、光吸収
材の蒸気に十分な蒸気圧が得られ、シンチレータ層の隙
間に入り込む前での昇華が防止される。その結果、光吸
収材がシンチレータ層の光学的界面内に良好に注入され
る。
この性質を利用すれば、シンチレータ層の面方向の光学
的界面が１μｍ以下であっても、光吸収材を容易に注入
できる。たとえば、シンチレータ層を光吸収材の原料の
蒸気中に曝し、そして、シンチレータ層自身も、その表
面に光吸収材の原料が付着しない程度に加温する。この
ようにすれば、シンチレータ層の表面において、光吸収
材の蒸気に十分な蒸気圧が得られ、シンチレータ層の隙
間に入り込む前での昇華が防止される。その結果、光吸
収材がシンチレータ層の光学的界面内に良好に注入され
る。
【００１５】この場合、光吸収材の原料としては、あま
り温度を上げなくても蒸気圧が十分に高いものが適して
いる。たとえば、温度が高くなると、光吸収材がシンチ
レータ層の結晶内部にまで拡散し、シンチレータ層の放
射線から可視光への変換効率が低下する。
り温度を上げなくても蒸気圧が十分に高いものが適して
いる。たとえば、温度が高くなると、光吸収材がシンチ
レータ層の結晶内部にまで拡散し、シンチレータ層の放
射線から可視光への変換効率が低下する。
【００１６】しかし、Ｘ線用ＩＩのような真空管の場
合、蒸気圧が高い物質は、真空管の中で再蒸発するとい
う問題がある。また、蒸気圧が高い物質は、耐酸化や吸
湿性など化学的に不安定なものが多い。そのため、蒸気
圧が高い物質をそのままシンチレータ層の中に残すこと
ができない。したがって、シンチレータ層の光学的界面
に注入された後に、化学的な処理などにより安定な光吸
収材となる物質が望まれる。この場合、光吸収材となる
原料には必ずしも光吸収性が要求されず、それだけ材料
の選択の幅が広がる。
合、蒸気圧が高い物質は、真空管の中で再蒸発するとい
う問題がある。また、蒸気圧が高い物質は、耐酸化や吸
湿性など化学的に不安定なものが多い。そのため、蒸気
圧が高い物質をそのままシンチレータ層の中に残すこと
ができない。したがって、シンチレータ層の光学的界面
に注入された後に、化学的な処理などにより安定な光吸
収材となる物質が望まれる。この場合、光吸収材となる
原料には必ずしも光吸収性が要求されず、それだけ材料
の選択の幅が広がる。
【００１７】本発明者は、上記した特性を考慮し、光吸
収材となる原料として、たとえば塩化鉄（ＦｅＣｌ3 ）
を見出した。図３は塩化鉄の蒸気圧曲線を示している。
横軸は温度（℃）、縦軸は圧力（ＴＯＲＲ）である。図
３から分かるように、塩化鉄の蒸気圧は、９０℃以下で
は１０-5ＴＯＲＲで、真空中でもあまり昇華しない。逆
に、塩化鉄の蒸気は９０℃以下の部分に付着しやすい性
質がある。一方、１５０℃では１０-2ＴＯＲＲ以上とな
り、真空中では活発に昇華する。逆に、１５０℃以上の
部分に付着しても昇華（析出）しにくい性質がある。ま
た、空気中で１２０℃で熱処理すると容易に酸化し、安
定な酸化鉄になる。酸化鉄は、空気中ではＦｅ2 Ｏ3
（茶色）ができやすいが、Ｆｅ3 Ｏ4 （黒色）でも光吸
収材として利用できる。
収材となる原料として、たとえば塩化鉄（ＦｅＣｌ3 ）
を見出した。図３は塩化鉄の蒸気圧曲線を示している。
横軸は温度（℃）、縦軸は圧力（ＴＯＲＲ）である。図
３から分かるように、塩化鉄の蒸気圧は、９０℃以下で
は１０-5ＴＯＲＲで、真空中でもあまり昇華しない。逆
に、塩化鉄の蒸気は９０℃以下の部分に付着しやすい性
質がある。一方、１５０℃では１０-2ＴＯＲＲ以上とな
り、真空中では活発に昇華する。逆に、１５０℃以上の
部分に付着しても昇華（析出）しにくい性質がある。ま
た、空気中で１２０℃で熱処理すると容易に酸化し、安
定な酸化鉄になる。酸化鉄は、空気中ではＦｅ2 Ｏ3
（茶色）ができやすいが、Ｆｅ3 Ｏ4 （黒色）でも光吸
収材として利用できる。
【００１８】上記した塩化鉄の性質を考慮し、たとえ
ば、シンチレータ層の光学的界面に光吸収材を注入する
注入工程では、シンチレータ層の温度を、光学的界面の
蒸気の入り口に相当する部分は１２０〜２００℃に設定
する。また、入り口と反対側の部分、すなわち基板に接
する部分は８５〜１２０℃に設定する。このような条件
にすれば、光吸収材の蒸気が光学的界面に染み込み、か
つ、温度が低い光学的界面の奥深い所で昇華（析出）さ
せることができる。その結果、光吸収材が、放射線シン
チレータの光学的界面内に十分に注入される。
ば、シンチレータ層の光学的界面に光吸収材を注入する
注入工程では、シンチレータ層の温度を、光学的界面の
蒸気の入り口に相当する部分は１２０〜２００℃に設定
する。また、入り口と反対側の部分、すなわち基板に接
する部分は８５〜１２０℃に設定する。このような条件
にすれば、光吸収材の蒸気が光学的界面に染み込み、か
つ、温度が低い光学的界面の奥深い所で昇華（析出）さ
せることができる。その結果、光吸収材が、放射線シン
チレータの光学的界面内に十分に注入される。
【００１９】ここで、本発明の実施形態について図１を
参照して説明する。図１は、シンチレータ層の光学的界
面に光吸収材を形成する製造工程の一部を断面で示して
いる。
参照して説明する。図１は、シンチレータ層の光学的界
面に光吸収材を形成する製造工程の一部を断面で示して
いる。
【００２０】符号１１はＡｌ基板で、Ａｌ基板１１にシ
ンチレータ層１２が付着している。また、Ａｌ基板１１
に接して冷却板１３が配置され、シンチレータ層１２に
接してグラファイト蒸気拡散板１４が配置されている。
冷却板１３およびグラファイト蒸気拡散板１４は、シン
チレータ層１２の両面の温度を制御する機能を有してい
る。そして、グラファイト蒸気拡散板１４に接して容器
１５が配置されている。容器１５は、グラファイト蒸気
拡散板１４と接する部分に空間１５ａが形成され、その
空間１５ａに、光吸収材の原料、たとえば塩化鉄１６が
収納されている。
ンチレータ層１２が付着している。また、Ａｌ基板１１
に接して冷却板１３が配置され、シンチレータ層１２に
接してグラファイト蒸気拡散板１４が配置されている。
冷却板１３およびグラファイト蒸気拡散板１４は、シン
チレータ層１２の両面の温度を制御する機能を有してい
る。そして、グラファイト蒸気拡散板１４に接して容器
１５が配置されている。容器１５は、グラファイト蒸気
拡散板１４と接する部分に空間１５ａが形成され、その
空間１５ａに、光吸収材の原料、たとえば塩化鉄１６が
収納されている。
【００２１】ここで、図１の円Ｒ内を拡大した構造を図
２に示している。図２では、図１に対応する部分には同
一の符号を付し、重複する説明を一部省略する。シンチ
レータ層１２は、ＮａＩを付活したＣｓＩ（沃化セシウ
ム）の蛍光体で形成され、Ａｌ基板１１への塗布によっ
て形成されている。また、膜厚ｔは５００μｍで、直径
Ｄが８μｍの柱状結晶２１が、Ａｌ基板１１面の広がり
に合わせて密に並んだ構造をしている。柱状結晶２１間
には光学的界面２２が形成されている。
２に示している。図２では、図１に対応する部分には同
一の符号を付し、重複する説明を一部省略する。シンチ
レータ層１２は、ＮａＩを付活したＣｓＩ（沃化セシウ
ム）の蛍光体で形成され、Ａｌ基板１１への塗布によっ
て形成されている。また、膜厚ｔは５００μｍで、直径
Ｄが８μｍの柱状結晶２１が、Ａｌ基板１１面の広がり
に合わせて密に並んだ構造をしている。柱状結晶２１間
には光学的界面２２が形成されている。
【００２２】そして、図１のように配置された構造全体
が、内部が真空になった真空槽中に配置される。そし
て、真空槽内を２００℃に加温する。このとき、光吸収
材の原料１６が蒸発し、グラファイト蒸気拡散板１４を
通り抜け外部へ出て行く。そして、光吸収材の原料１６
の一部がシンチレータ層１２に当たり、光学的界面２２
に拡散していく。この時点では、全体の温度が高いた
め、光吸収材の原料１６はどこにも昇華（析出）しな
い。
が、内部が真空になった真空槽中に配置される。そし
て、真空槽内を２００℃に加温する。このとき、光吸収
材の原料１６が蒸発し、グラファイト蒸気拡散板１４を
通り抜け外部へ出て行く。そして、光吸収材の原料１６
の一部がシンチレータ層１２に当たり、光学的界面２２
に拡散していく。この時点では、全体の温度が高いた
め、光吸収材の原料１６はどこにも昇華（析出）しな
い。
【００２３】次に、冷却板１３の温度を下げ、５時間か
けて８０℃にする。このとき、初期は光学的界面の奥深
くで原料１６が昇華（析出）する。その後、全体の温度
が低下するに伴い、表面側でも昇華（析出）するように
なる。
けて８０℃にする。このとき、初期は光学的界面の奥深
くで原料１６が昇華（析出）する。その後、全体の温度
が低下するに伴い、表面側でも昇華（析出）するように
なる。
【００２４】次に、全体の温度を下げ、原料１６の蒸気
の発生が止まり作業が終了する。
の発生が止まり作業が終了する。
【００２５】次に、光学的界面部分の原料１６が昇華し
たシンチレータ層１２の付着している基板１１をアニー
ル炉に入れ、１２０℃、５時間乾燥し、空気中でアニー
ルした。このとき、原料１６が酸化され、シンチレータ
層１２は深さ方向全体に亙って茶色に着色した。
たシンチレータ層１２の付着している基板１１をアニー
ル炉に入れ、１２０℃、５時間乾燥し、空気中でアニー
ルした。このとき、原料１６が酸化され、シンチレータ
層１２は深さ方向全体に亙って茶色に着色した。
【００２６】上記した方法で製造した放射線シンチレー
ション装置の分解能を評価した。その結果、医療診断に
最低必要とされる２０ｌｐ／ｃｍでのＣＴＦ（Contrast
Transfer Function）値が、従来は３５〜４０％であっ
たのに対し、発明では７０％と大幅に改善されていた。
また、発明の放射線シンチレーション装置をＸ線用ＩＩ
の入力蛍光面として用いた。このとき、入力面の像径が
２４０ｍｍ、出力面の像径が２５ｍｍの場合で、従来の
分解能が５６ｌｐ／ｃｍであったものが、発明では６２
ｌｐ／ｃｍに向上した。
ション装置の分解能を評価した。その結果、医療診断に
最低必要とされる２０ｌｐ／ｃｍでのＣＴＦ（Contrast
Transfer Function）値が、従来は３５〜４０％であっ
たのに対し、発明では７０％と大幅に改善されていた。
また、発明の放射線シンチレーション装置をＸ線用ＩＩ
の入力蛍光面として用いた。このとき、入力面の像径が
２４０ｍｍ、出力面の像径が２５ｍｍの場合で、従来の
分解能が５６ｌｐ／ｃｍであったものが、発明では６２
ｌｐ／ｃｍに向上した。
【００２７】なお、上記した放射線シンチレーション装
置をＸ線用ＩＩの入力蛍光面として用いる場合、放射線
シンチレーション装置をＸ線用ＩＩの真空容器の入力窓
の内側に配置してもよく、また、シンチレーション層が
形成された基板を入力窓として利用することもできる。
また、柱状結晶間の光学的界面に光吸収材の原料を気体
状で拡散注入させる方法であるため、光吸収材の製造も
容易である。
置をＸ線用ＩＩの入力蛍光面として用いる場合、放射線
シンチレーション装置をＸ線用ＩＩの真空容器の入力窓
の内側に配置してもよく、また、シンチレーション層が
形成された基板を入力窓として利用することもできる。
また、柱状結晶間の光学的界面に光吸収材の原料を気体
状で拡散注入させる方法であるため、光吸収材の製造も
容易である。
【００２８】なお、上記した実施形態では、光吸収材の
原料として、塩化鉄を使用している。しかし、光吸収材
の原料としては、沃化タンタル（ＴａＩ5 ）や塩化タン
タル（ＴａＣｌ5 ）、塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）、沃化
チタン（ＴｉＩ4 ）、塩化ジルコニウム（ＺｒＣ
ｌ4 ）、塩化水銀（ＨｇＣｌ2 ）、臭化水銀（ＨｇＢｒ
2 ）、沃化水銀（ＨｇＩ2 ）などを用いることもでき
る。なお、材料の安定性や毒性、酸化物の光吸収性など
を考えた場合、塩化鉄がより良好な特性となっている。
原料として、塩化鉄を使用している。しかし、光吸収材
の原料としては、沃化タンタル（ＴａＩ5 ）や塩化タン
タル（ＴａＣｌ5 ）、塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）、沃化
チタン（ＴｉＩ4 ）、塩化ジルコニウム（ＺｒＣ
ｌ4 ）、塩化水銀（ＨｇＣｌ2 ）、臭化水銀（ＨｇＢｒ
2 ）、沃化水銀（ＨｇＩ2 ）などを用いることもでき
る。なお、材料の安定性や毒性、酸化物の光吸収性など
を考えた場合、塩化鉄がより良好な特性となっている。
【００２９】また、上記した実施形態では、柱状結晶間
に注入された光吸収材の原料を化学的変化として酸化さ
せ、安定な光吸収材に変化させている。しかし、この場
合、化学的変化として窒化させ、安定な光吸収材に変化
させることもできる。
に注入された光吸収材の原料を化学的変化として酸化さ
せ、安定な光吸収材に変化させている。しかし、この場
合、化学的変化として窒化させ、安定な光吸収材に変化
させることもできる。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、製造が容易で、分解能
が向上した放射線シンチレータ装置およびその製造方法
を実現できる。
が向上した放射線シンチレータ装置およびその製造方法
を実現できる。
【図１】本発明の実施形態を説明するための概略の断面
図である。
図である。
【図２】図１の円Ｒ内を拡大した拡大図である。
【図３】塩化鉄の蒸気圧曲線を示す特性図である。
１１…基板 １２…シンチレータ層 １３…冷却板 １４…グラファイト蒸気拡散板 １５…容器 １５ａ…容器の空間 １６…光吸収材の原料 ２１…シンチレータ層を構成する柱状結晶 ２２…柱状結晶間の光学的界面
Claims (8)
- 【請求項１】 放射線を可視光に変換する材料を基板面
に塗布して形成した柱状結晶のシンチレータ層と、この
シンチレータ層の前記柱状結晶間に注入した光吸収材と
を具備した放射線シンチレータ装置において、前記光吸
収材を、前記柱状結晶間に気体状で拡散注入して形成し
たことを特徴とする放射線シンチレータ装置。 - 【請求項２】 放射線を可視光に変換する材料を基板面
に塗布して形成した柱状結晶のシンチレータ層と、この
シンチレータ層の前記柱状結晶間に注入した光吸収材と
を具備した放射線シンチレータ装置において、前記光吸
収材を、光吸収材の原料を前記柱状結晶間に気体状で拡
散注入し、前記光吸収材の原料を化学的処理で変化させ
て形成したことを特徴とする放射線シンチレータ装置。 - 【請求項３】 光吸収材の原料が塩化鉄、または、沃化
タンタル、塩化タンタル、塩化チタン、沃化チタン、塩
化ジルコニウム、塩化水銀、臭化水銀、沃化水銀のいず
れかである請求項２記載の放射線シンチレータ装置。 - 【請求項４】 放射線を可視光に変換する材料を基板面
に塗布して柱状結晶のシンチレータ層を形成する第１工
程と、前記基板および前記シンチレータ層を加温し、前
記シンチレータ層の前記柱状結晶間に光吸収材の原料を
気体状で拡散注入する第２工程とからなる放射線シンチ
レータ装置の製造方法。 - 【請求項５】 放射線を可視光に変換する材料を基板面
に塗布して柱状結晶のシンチレータ層を形成する第１工
程と、前記基板および前記シンチレータ層を加温し、前
記シンチレータ層の前記柱状結晶間に光吸収材の原料を
気体状で拡散注入する第２工程と、前記シンチレータ層
の柱状結晶間に注入された前記光吸収材の原料を化学的
処理し、光吸収材に変化させる第３工程とからなる放射
線シンチレータ装置の製造方法。 - 【請求項６】 光吸収材の原料が、塩化鉄、または、沃
化タンタル、塩化タンタル、塩化チタン、沃化チタン、
塩化ジルコニウム、塩化水銀、臭化水銀、沃化水銀のい
ずれかである請求項４または請求項５記載の放射線シン
チレータ装置の製造方法。 - 【請求項７】 第２工程において、基板の温度をシンチ
レータ層の表面温度よりも低くした請求項４または請求
項５記載の放射線シンチレータ装置の製造方法。 - 【請求項８】 第２工程において、基板の温度が８５〜
１５０℃の範囲で、シンチレータ層の表面温度が１２０
〜２００℃の範囲である請求項４または請求項５記載の
放射線シンチレータ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21692799A JP2001042041A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 放射線シンチレータ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21692799A JP2001042041A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 放射線シンチレータ装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001042041A true JP2001042041A (ja) | 2001-02-16 |
Family
ID=16696121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21692799A Pending JP2001042041A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 放射線シンチレータ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001042041A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008286785A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-27 | Canon Inc | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| US9269741B2 (en) | 2010-09-07 | 2016-02-23 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Production method of radiation image detector and radiation image detector |
-
1999
- 1999-07-30 JP JP21692799A patent/JP2001042041A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008286785A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-27 | Canon Inc | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| US9269741B2 (en) | 2010-09-07 | 2016-02-23 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Production method of radiation image detector and radiation image detector |
| JP5966925B2 (ja) * | 2010-09-07 | 2016-08-10 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線画像検出器の製造方法 |
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