JP2001036102A - 太陽電池モジュール - Google Patents
太陽電池モジュールInfo
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 軽量で耐衝撃性の向上した太陽電池モジ
ュールを低コストで提供することを目的とする。 【構成】 ガラスからなる基体１の光透過面Ｂ上に非晶
質半導体からなる光起電力素子２を備え、且つ前記基体
１の受光面Ａに保護層１０を備えることを特徴とする。
ュールを低コストで提供することを目的とする。 【構成】 ガラスからなる基体１の光透過面Ｂ上に非晶
質半導体からなる光起電力素子２を備え、且つ前記基体
１の受光面Ａに保護層１０を備えることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非晶質半導体から
なる太陽電池モジュールに係り、特に耐衝撃性の向上し
た太陽電池モジュールを提供する技術に関する。
なる太陽電池モジュールに係り、特に耐衝撃性の向上し
た太陽電池モジュールを提供する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、太陽電池を用いた太陽光発電シス
テムはクリーンな電源システムであることから、住宅用
の電源システム等への普及が進んでいる。太陽電池を構
成する材料としては、単結晶シリコンや多結晶シリコン
等の結晶系半導体材料、非晶質シリコンや非晶質シリコ
ンゲルマニウム等の非晶質半導体材料、或いはＧａＡ
ｓ，ＣｄＴｅ等の化合物半導体材料が検討されている。
このうち、非晶質半導体材料を用いた太陽電池は、基板
の選択自由度や出力設計における自由度が高く、且つ安
価に製造することができる、という特徴を有している。
テムはクリーンな電源システムであることから、住宅用
の電源システム等への普及が進んでいる。太陽電池を構
成する材料としては、単結晶シリコンや多結晶シリコン
等の結晶系半導体材料、非晶質シリコンや非晶質シリコ
ンゲルマニウム等の非晶質半導体材料、或いはＧａＡ
ｓ，ＣｄＴｅ等の化合物半導体材料が検討されている。
このうち、非晶質半導体材料を用いた太陽電池は、基板
の選択自由度や出力設計における自由度が高く、且つ安
価に製造することができる、という特徴を有している。
【０００３】斯かる非晶質半導体を用いた従来の太陽電
池モジュールの構造を、図７に示す断面図を参照して説
明する。
池モジュールの構造を、図７に示す断面図を参照して説
明する。
【０００４】同図において、１はガラスからなる基板で
あり、光は図中矢印で示す如く該基板１の受光面Ａ側か
ら入射する。基板１の光透過面Ｂ上には、非晶質半導体
からなる光起電力素子２が形成されている。光起電力素
子２は、基板１の光透過面Ｂ上にＳｎＯ2，ＩＴＯ或い
はＺｎＯ等の透光性を有する導電性材料からなる第１電
極１１と、非晶質半導体からなり内部にｐｉｎ接合を有
する光電変換層１２と、Ａｇ，Ａｌ等の高反射性材料か
らなる第２電極１３と、がこの順に積層されて構成され
ている。また、第２電極１３が相隣接する光電変換層１
２間の分離部に埋設されて第１電極１１と接することに
より、隣接する光起電力素子２が電気的に直列接続され
ている。
あり、光は図中矢印で示す如く該基板１の受光面Ａ側か
ら入射する。基板１の光透過面Ｂ上には、非晶質半導体
からなる光起電力素子２が形成されている。光起電力素
子２は、基板１の光透過面Ｂ上にＳｎＯ2，ＩＴＯ或い
はＺｎＯ等の透光性を有する導電性材料からなる第１電
極１１と、非晶質半導体からなり内部にｐｉｎ接合を有
する光電変換層１２と、Ａｇ，Ａｌ等の高反射性材料か
らなる第２電極１３と、がこの順に積層されて構成され
ている。また、第２電極１３が相隣接する光電変換層１
２間の分離部に埋設されて第１電極１１と接することに
より、隣接する光起電力素子２が電気的に直列接続され
ている。
【０００５】さらに、３は、後工程において作業中に光
起電力素子２の表面に引っかき傷等が付くことを防止す
るために該光起電力素子２の表面を覆って設けられた被
覆層であり、通常エポキシ樹脂を用いて形成されてい
る。また、光起電力素子２で発生した起電力は、両端に
位置する光起電力素子２の第１電極及び第２電極からリ
ード線（図示せず）を介して外部に取出される。
起電力素子２の表面に引っかき傷等が付くことを防止す
るために該光起電力素子２の表面を覆って設けられた被
覆層であり、通常エポキシ樹脂を用いて形成されてい
る。また、光起電力素子２で発生した起電力は、両端に
位置する光起電力素子２の第１電極及び第２電極からリ
ード線（図示せず）を介して外部に取出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】斯かる構成の太陽電池
モジュールは通常家屋の屋根上やビルの屋上等の屋外に
設置されて使用される。従って、最も受光面側に配され
る基体１には霰や雹等の落下物に対する耐衝撃性が要求
され、このため従来は上記基体１として強化ガラスを用
いる、或いは基体１の厚みを厚くする等の方法が用いら
れている。然し乍ら、斯かる方法は、いずれもコストの
増大を招くと共に、重量が重くなることから設置の際の
作業性が著しく低下する、等の問題があった。
モジュールは通常家屋の屋根上やビルの屋上等の屋外に
設置されて使用される。従って、最も受光面側に配され
る基体１には霰や雹等の落下物に対する耐衝撃性が要求
され、このため従来は上記基体１として強化ガラスを用
いる、或いは基体１の厚みを厚くする等の方法が用いら
れている。然し乍ら、斯かる方法は、いずれもコストの
増大を招くと共に、重量が重くなることから設置の際の
作業性が著しく低下する、等の問題があった。
【０００７】本発明は、斯かる従来の課題を解決し、軽
量で耐衝撃性の向上した太陽電池モジュールを低コスト
で提供することを目的とする。
量で耐衝撃性の向上した太陽電池モジュールを低コスト
で提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明太陽電池モジュー
ルは、ガラスからなる基体の光透過面上に非晶質半導体
からなる光起電力素子を備え、且つ前記基体の受光面に
保護層を備えることを特徴とする。
ルは、ガラスからなる基体の光透過面上に非晶質半導体
からなる光起電力素子を備え、且つ前記基体の受光面に
保護層を備えることを特徴とする。
【０００９】本発明にあっては、前記保護層が、錫を含
有する層であることを特徴とする。
有する層であることを特徴とする。
【００１０】また、前記保護層が、前記基体の受光面領
域に錫が添加されてなることを特徴とし、前記保護層の
厚みが、１０Å以上、１０００Å以下の範囲であること
を特徴とする。この保護層の厚みは、１００Å以上、１
０００Å以下の範囲とすることがさらに好ましい。
域に錫が添加されてなることを特徴とし、前記保護層の
厚みが、１０Å以上、１０００Å以下の範囲であること
を特徴とする。この保護層の厚みは、１００Å以上、１
０００Å以下の範囲とすることがさらに好ましい。
【００１１】或いは、前記保護層が、前記基体の受光面
上に形成された錫を含有する層であることを特徴とし、
前記保護層の厚みが、５Å以上、５００Å以下の範囲で
あることを特徴とする。この保護層の厚みは、５０Å以
上、５００Å以下の範囲とすることがさらに好ましい。
上に形成された錫を含有する層であることを特徴とし、
前記保護層の厚みが、５Å以上、５００Å以下の範囲で
あることを特徴とする。この保護層の厚みは、５０Å以
上、５００Å以下の範囲とすることがさらに好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
１に示す断面図を参照して説明する。尚、同図におい
て、図７と同一の機能を呈する部分には、同一の符号を
付している。
１に示す断面図を参照して説明する。尚、同図におい
て、図７と同一の機能を呈する部分には、同一の符号を
付している。
【００１３】同図を参照して、本発明が従来と異なる点
は、ガラスからなる基体１の受光面Ａに保護層１０を備
えた点にある。本発明にあっては、この保護層１０が錫
を含有した層から構成されている。斯かる保護層１０を
形成するにあたっては、基体１中に受光面Ａ側から錫を
拡散させ、基体１中における受光面Ａ側の受光面領域に
錫を添加することにより形成することができる。或い
は、基体１の受光面Ａ上にスパッタ法或いは蒸着法等の
方法により錫膜を形成し、この錫膜を保護層１０として
も良い。斯かる構成によれば、基体１の強度を増大させ
ることが可能となり、耐衝撃性に優れた太陽電池モジュ
ールを提供することができる。また、斯かる保護層１０
を設けることにより基体１の受光面Ａでの紫外線の反射
率が増大し、紫外線による基体１の強度劣化も抑制する
ことができる。
は、ガラスからなる基体１の受光面Ａに保護層１０を備
えた点にある。本発明にあっては、この保護層１０が錫
を含有した層から構成されている。斯かる保護層１０を
形成するにあたっては、基体１中に受光面Ａ側から錫を
拡散させ、基体１中における受光面Ａ側の受光面領域に
錫を添加することにより形成することができる。或い
は、基体１の受光面Ａ上にスパッタ法或いは蒸着法等の
方法により錫膜を形成し、この錫膜を保護層１０として
も良い。斯かる構成によれば、基体１の強度を増大させ
ることが可能となり、耐衝撃性に優れた太陽電池モジュ
ールを提供することができる。また、斯かる保護層１０
を設けることにより基体１の受光面Ａでの紫外線の反射
率が増大し、紫外線による基体１の強度劣化も抑制する
ことができる。
【００１４】（第１実施例）以下に、本発明の第１実施
例について、図２に示す工程別断面図を参照して説明す
る。
例について、図２に示す工程別断面図を参照して説明す
る。
【００１５】まず、同図（Ａ）に示す第１工程において
は、１ｍ×１ｍで厚みが４ｍｍのガラス板からなる基体
１の受光面Ａ上に、蒸着法を用いて厚さ約２０００〜３
０００Åの錫膜２０を形成した。
は、１ｍ×１ｍで厚みが４ｍｍのガラス板からなる基体
１の受光面Ａ上に、蒸着法を用いて厚さ約２０００〜３
０００Åの錫膜２０を形成した。
【００１６】次に、同図（Ｂ）に示す第２工程において
は、受光面Ａ上に錫膜２０が形成された基体１を約７０
０℃にまで加熱し、その状態で５〜１０分間程度維持し
た後に徐冷することにより基体１中に錫を熱拡散させ、
基体１の受光面領域に錫が添加されてなる保護層１０を
形成した。そして、錫膜２０をエッチングにより除去し
た。
は、受光面Ａ上に錫膜２０が形成された基体１を約７０
０℃にまで加熱し、その状態で５〜１０分間程度維持し
た後に徐冷することにより基体１中に錫を熱拡散させ、
基体１の受光面領域に錫が添加されてなる保護層１０を
形成した。そして、錫膜２０をエッチングにより除去し
た。
【００１７】次いで、同図（Ｃ）に示す第３工程におい
ては、基体１の光透過面Ｂ上に、熱ＣＶＤ法を用いて膜
厚約８０００ÅのＳｎＯ2膜を形成し、レーザスクライ
ブ法によりこのＳｎＯ2膜を複数の領域に分割して複数
の第１電極１１を形成した。
ては、基体１の光透過面Ｂ上に、熱ＣＶＤ法を用いて膜
厚約８０００ÅのＳｎＯ2膜を形成し、レーザスクライ
ブ法によりこのＳｎＯ2膜を複数の領域に分割して複数
の第１電極１１を形成した。
【００１８】さらに、同図（Ｄ）に示す第４工程におい
ては、第１電極１１上を含んで基体１の光透過面Ｂ上の
全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてｐ型の非晶質シリコ
ンカーバイドからなる膜厚約１００Åのｐ型層、真性の
非晶質シリコンからなる膜厚約４０００Åのｉ型層及び
ｎ型の非晶質シリコンからなる膜厚約２００Åのｎ型層
をこの順に形成した。そして、レーザスクライブ法によ
りこれらの積層膜を複数の領域に分割して複数の光電変
換層１２を形成した。
ては、第１電極１１上を含んで基体１の光透過面Ｂ上の
全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてｐ型の非晶質シリコ
ンカーバイドからなる膜厚約１００Åのｐ型層、真性の
非晶質シリコンからなる膜厚約４０００Åのｉ型層及び
ｎ型の非晶質シリコンからなる膜厚約２００Åのｎ型層
をこの順に形成した。そして、レーザスクライブ法によ
りこれらの積層膜を複数の領域に分割して複数の光電変
換層１２を形成した。
【００１９】そして、同図（Ｅ）に示す第５工程におい
ては、光電変換層１２上を含んで基体１の光透過面Ｂ上
の全面に、スパッタ法を用いて銀膜を形成し、レーザス
クライブ法により銀膜を複数の領域に分割して複数の第
２電極１３を形成した。
ては、光電変換層１２上を含んで基体１の光透過面Ｂ上
の全面に、スパッタ法を用いて銀膜を形成し、レーザス
クライブ法により銀膜を複数の領域に分割して複数の第
２電極１３を形成した。
【００２０】最後に、第２電極１３上を含んで基体１の
光透過面Ｂ上の全面にエポキシ樹脂を塗布して被覆層３
を形成し、図１に示す太陽電池モジュールを製造した。
光透過面Ｂ上の全面にエポキシ樹脂を塗布して被覆層３
を形成し、図１に示す太陽電池モジュールを製造した。
【００２１】そして、上記第１工程における基体１の受
光面Ａ上に形成する錫膜２０の膜厚、或いは第２工程に
おける熱拡散の時間等を制御することにより保護層１０
の厚みを変化させた太陽電池モジュールを複数個製造
し、これらの太陽電池モジュールについて耐衝撃性の試
験を行った。耐衝撃性の試験は製造直後のもの及び屋外
に１年間暴露後のもの２種類について行った。
光面Ａ上に形成する錫膜２０の膜厚、或いは第２工程に
おける熱拡散の時間等を制御することにより保護層１０
の厚みを変化させた太陽電池モジュールを複数個製造
し、これらの太陽電池モジュールについて耐衝撃性の試
験を行った。耐衝撃性の試験は製造直後のもの及び屋外
に１年間暴露後のもの２種類について行った。
【００２２】尚、ここで耐衝撃性の試験は、ＪＩＳ規格
Ｃ８９３８で規定される降雹試験（簡易試験方法）を用
いて行った。即ち、基体１の受光面Ａを上側として水平
に固定し、この基体１の中央に、質量２２７±２ｇ、直
径約３８ｍｍの表面が滑らかな鋼球を１ｍの高さから力
を加えずに落下させて破損の有無を調べ、破損の生じな
かったものを良品、破損が生じたものを不良品とした。
Ｃ８９３８で規定される降雹試験（簡易試験方法）を用
いて行った。即ち、基体１の受光面Ａを上側として水平
に固定し、この基体１の中央に、質量２２７±２ｇ、直
径約３８ｍｍの表面が滑らかな鋼球を１ｍの高さから力
を加えずに落下させて破損の有無を調べ、破損の生じな
かったものを良品、破損が生じたものを不良品とした。
【００２３】図３は斯かる耐衝撃性試験の結果を示す特
性図であり、縦軸は良品の歩留、横軸は保護層の膜厚で
ある。また、製造直後の太陽電池モジュールに対して試
験を行った結果を実線で示し、屋外に１年間暴露後の太
陽電池モジュールに対して試験を行った結果を破線で示
す。
性図であり、縦軸は良品の歩留、横軸は保護層の膜厚で
ある。また、製造直後の太陽電池モジュールに対して試
験を行った結果を実線で示し、屋外に１年間暴露後の太
陽電池モジュールに対して試験を行った結果を破線で示
す。
【００２４】同図に実線で示すように、製造直後の太陽
電池モジュールにおいては保護層の膜厚を１０Å以上と
することで、歩留を９５％以上に向上できることがわか
る。また、破線で示すように１年間屋外で暴露した太陽
電池モジュールについても、保護層の膜厚が１０Å未満
の場合には製造直後のものに比べて歩留が大きく低下す
るのに対し、保護層の膜厚を厚くすることにより歩留が
向上し、保護層の膜厚を１００Å以上とすることにより
１年間屋外暴露後でも歩留を９５％以上に向上すること
ができた。斯様に保護層を備えることにより屋外暴露後
でも歩留が向上した理由は、保護層を設けることにより
基体の受光面での紫外線の反射率が増大し、紫外線によ
る基体の強度低下を抑制することができたことによるも
のと考えられる。
電池モジュールにおいては保護層の膜厚を１０Å以上と
することで、歩留を９５％以上に向上できることがわか
る。また、破線で示すように１年間屋外で暴露した太陽
電池モジュールについても、保護層の膜厚が１０Å未満
の場合には製造直後のものに比べて歩留が大きく低下す
るのに対し、保護層の膜厚を厚くすることにより歩留が
向上し、保護層の膜厚を１００Å以上とすることにより
１年間屋外暴露後でも歩留を９５％以上に向上すること
ができた。斯様に保護層を備えることにより屋外暴露後
でも歩留が向上した理由は、保護層を設けることにより
基体の受光面での紫外線の反射率が増大し、紫外線によ
る基体の強度低下を抑制することができたことによるも
のと考えられる。
【００２５】また、図４は耐衝撃性試験に用いた製造直
後の太陽電池モジュールの光電変換特性を示す特性図で
あり、縦軸は光電変換効率の相対値、横軸は保護層の膜
厚を示す。同図に示す如く、光電変換効率は保護層の膜
厚を大きくするにつれ次第に減少し、保護層の膜厚が１
０００Åよりも大きくなると光電変換効率は保護層を備
えない場合の９５％以下にまで低下することがわかる。
斯様に光電変換効率が保護層の膜厚を大きくすると低下
する理由は、基体中に錫が添加されることにより次第に
その光透過特性が低下するためと考えられる。従って、
図３及び図４の結果から、保護層の膜厚は１０Å以上１
０００Å以下の範囲が好ましく、１００Å以上１０００
Å以下の範囲がより好ましい。
後の太陽電池モジュールの光電変換特性を示す特性図で
あり、縦軸は光電変換効率の相対値、横軸は保護層の膜
厚を示す。同図に示す如く、光電変換効率は保護層の膜
厚を大きくするにつれ次第に減少し、保護層の膜厚が１
０００Åよりも大きくなると光電変換効率は保護層を備
えない場合の９５％以下にまで低下することがわかる。
斯様に光電変換効率が保護層の膜厚を大きくすると低下
する理由は、基体中に錫が添加されることにより次第に
その光透過特性が低下するためと考えられる。従って、
図３及び図４の結果から、保護層の膜厚は１０Å以上１
０００Å以下の範囲が好ましく、１００Å以上１０００
Å以下の範囲がより好ましい。
【００２６】（第２実施例）次に、本発明の第２実施例
について説明する。本実施例が第１実施例と異なる点
は、上述した第１実施工程において基体１の受光面Ａ上
にスパッタ法を用いて形成した錫膜を保護層１０とした
点であり、他の工程は実施例１と同一である。
について説明する。本実施例が第１実施例と異なる点
は、上述した第１実施工程において基体１の受光面Ａ上
にスパッタ法を用いて形成した錫膜を保護層１０とした
点であり、他の工程は実施例１と同一である。
【００２７】本実施例においてもスパッタ時の条件を制
御することにより保護層１０の膜厚を変化させた太陽電
池モジュールを製造し、製造直後と１年間屋外暴露後の
２種類について、耐衝撃性の試験を行った。その結果を
図５の特性図に示す。
御することにより保護層１０の膜厚を変化させた太陽電
池モジュールを製造し、製造直後と１年間屋外暴露後の
２種類について、耐衝撃性の試験を行った。その結果を
図５の特性図に示す。
【００２８】同図に示す如く、本実施例にあっては実線
で示すように、保護層の膜厚を５Å以上とすることで製
造直後の太陽電池モジュールの歩留を９５％以上に向上
できることがわかった。また、破線で示す１年間屋外暴
露後の太陽電池モジュールにおいては、保護層の膜厚を
５０Å以上とすることで歩留を９５％以上に向上できる
ことがわかった。
で示すように、保護層の膜厚を５Å以上とすることで製
造直後の太陽電池モジュールの歩留を９５％以上に向上
できることがわかった。また、破線で示す１年間屋外暴
露後の太陽電池モジュールにおいては、保護層の膜厚を
５０Å以上とすることで歩留を９５％以上に向上できる
ことがわかった。
【００２９】また、本実施例太陽電池モジュールについ
ても光電変換特性の測定を行った。その結果を図６の特
性図に示す。同図から、本実施例の場合においては保護
層の膜厚が５００Åより大きくなると、光電変換効率が
保護層を備えない場合の９５％未満にまで低下すること
がわかった。
ても光電変換特性の測定を行った。その結果を図６の特
性図に示す。同図から、本実施例の場合においては保護
層の膜厚が５００Åより大きくなると、光電変換効率が
保護層を備えない場合の９５％未満にまで低下すること
がわかった。
【００３０】従って、図５及び図６の結果から、本実施
例においては保護層の膜厚を５Å以上５００Å以下の範
囲とすることが好ましく、５０Å以上５００Å未満とす
ることがより好ましい。
例においては保護層の膜厚を５Å以上５００Å以下の範
囲とすることが好ましく、５０Å以上５００Å未満とす
ることがより好ましい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば基体
の受光面に保護層を設けることで、耐衝撃性に優れた太
陽電池モジュールを提供することができ、紫外線による
基体の強度低下も抑制することができる。
の受光面に保護層を設けることで、耐衝撃性に優れた太
陽電池モジュールを提供することができ、紫外線による
基体の強度低下も抑制することができる。
【００３２】さらに、保護層の膜厚は薄いので重量が増
大することがなく、軽量の太陽電池モジュールを提供す
ることができると共に、コストの増大を抑制することも
できる。
大することがなく、軽量の太陽電池モジュールを提供す
ることができると共に、コストの増大を抑制することも
できる。
【図１】本発明に係る太陽電池モジュールの断面図であ
る。
る。
【図２】本発明太陽電池モジュールの製造工程を説明す
るための工程別断面図である。
るための工程別断面図である。
【図３】第１実施例に係る太陽電池モジュールの耐衝撃
性と保護層の膜厚との関係を示す特性図である。
性と保護層の膜厚との関係を示す特性図である。
【図４】第１実施例に係る太陽電池モジュールの光電変
換特性と保護層の膜厚との関係を示す特性図である。
換特性と保護層の膜厚との関係を示す特性図である。
【図５】第２実施例に係る太陽電池モジュールの耐衝撃
性と保護層の膜厚との関係を示す特性図である。
性と保護層の膜厚との関係を示す特性図である。
【図６】第２実施例に係る太陽電池モジュールの光電変
換特性と保護層の膜厚との関係を示す特性図である。
換特性と保護層の膜厚との関係を示す特性図である。
【図７】従来の太陽電池モジュールの断面図である。
１…基体、２…光起電力素子、３…被覆層、１０…保護
層
層
Claims (6)
- 【請求項１】 ガラスからなる基体の光透過面上に非晶
質半導体からなる光起電力素子を備え、且つ前記基体の
受光面に保護層を備えることを特徴とする太陽電池モジ
ュール。 - 【請求項２】 前記保護層が、錫を含有する層であるこ
とを特徴とする請求項１記載の太陽電池モジュール。 - 【請求項３】 前記保護層が、前記基体の受光面領域に
錫が添加されてなることを特徴とする請求項２記載の太
陽電池モジュール。 - 【請求項４】 前記保護層の厚みが、１０Å以上、１０
００Å以下の範囲であることを特徴とする請求項３記載
の太陽電池モジュール。 - 【請求項５】 前記保護層が、前記基体の受光面上に形
成された錫を含有する層であることを特徴とする請求項
２記載の太陽電池モジュール。 - 【請求項６】 前記保護層の厚みが、５Å以上、５００
Å以下の範囲であることを特徴とする請求項５記載の太
陽電池モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20175499A JP3796069B2 (ja) | 1999-07-15 | 1999-07-15 | 太陽電池モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20175499A JP3796069B2 (ja) | 1999-07-15 | 1999-07-15 | 太陽電池モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001036102A true JP2001036102A (ja) | 2001-02-09 |
| JP3796069B2 JP3796069B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=16446393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20175499A Expired - Lifetime JP3796069B2 (ja) | 1999-07-15 | 1999-07-15 | 太陽電池モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3796069B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008143885A3 (en) * | 2007-05-17 | 2009-02-05 | Sunpower Corp | Protection layer for fabricating a solar cell |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106299021B (zh) * | 2016-08-17 | 2017-11-17 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种高开路电压的单晶电池扩散工艺 |
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-
1999
- 1999-07-15 JP JP20175499A patent/JP3796069B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US7670638B2 (en) | 2007-05-17 | 2010-03-02 | Sunpower Corporation | Protection layer for fabricating a solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3796069B2 (ja) | 2006-07-12 |
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Legal Events
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| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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