JP2001033560A - 粒子線測定用モニタ装置、粒子線測定方法および粒子線測定システム - Google Patents

粒子線測定用モニタ装置、粒子線測定方法および粒子線測定システム

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JP2001033560A
JP2001033560A JP20386399A JP20386399A JP2001033560A JP 2001033560 A JP2001033560 A JP 2001033560A JP 20386399 A JP20386399 A JP 20386399A JP 20386399 A JP20386399 A JP 20386399A JP 2001033560 A JP2001033560 A JP 2001033560A
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monitor
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Yasushi Izeki
康 井関
Katsushi Hanawa
勝詞 塙
Kosuke Sato
耕輔 佐藤
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】入射粒子線ビームが時間構造を持つ場合であっ
ても、精度よく線量を測定できる粒子線測定用モニタ装
置、粒子線測定方法および粒子線測定システムを提供す
る。また、粒子線ビーム強度が小さい場合であっても、
オフセットノイズの影響を抑制できるようにすることお
よび精度のよい位置モニタを行えるようにする。 【解決手段】粒子線が入射される容器1と、この容器内
に配置された一つ以上の高電圧電極2i,2ii,…お
よび一つ以上の収集電極3i,3ii,…と、高電圧電
極に高電圧を印加するための電源回路と、収集電極に接
続され、監視すべき粒子線量を計測する計測回路4とを
有する粒子線測定用モニタ装置において、外部信号によ
り計測回路を測定または非測定の状態に制御するための
制御機構を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば粒子線治療
装置等に適用される粒子線測定用モニタ装置、粒子線測
定法および粒子線測定システムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、我国における死亡原因の約3分の
1を占める癌の治療方法として、陽子や重粒子を用いた
粒子線治療法が注目されている。この方法は、加速器か
ら出射された陽子ビーム、あるいは重粒子ビームを癌細
胞に照射することで、正常細胞にほとんど影響を与える
ことなく、癌細胞のみを死滅させることができる。
【0003】この粒子線治療装置において、体内患部に
照射する線量を制御するために線量モニタが使用され
る。すなわち、線量モニタで検出する照射線量が、治療
計画であらかじめ決められた予定線量に到達すると、直
ちにビーム停止命令がビーム制御装置に送られて治療ビ
ームが停止される。したがって、体内への照射量制御の
精度は、このモニタ装置の線量計測精度に依存すること
になる。線量モニタ装置としては、容器中に粒子線の電
離作用により生じた電荷を平行電極で収集する電離箱
や、容器内に配置された二次電子放出膜から放出される
二次電子を計測するSEM装置などが用いられる。
【0004】図15は、従来用いられている線量モニタ
装置の概略構成図を示している。
【0005】この図15に示すように、粒子線が入射さ
れる容器の内部に、一つ以上の高電圧電極2i,2i
i,…,および一つ以上の収集電極3i,3ii,…が
配置され、これにより電離箱が構成されている。収集電
極3i,3ii,…には、容器1に入射する粒子線ビー
ム量に応じた電荷が収集される。収集電極3i,3i
i,…には、計測回路4が接続されており、計測回路4
内のパルス出力部5にて、収集電極からの信号量に対応
するパルス列が出力される。さらに、計測回路4内のカ
ウンタ部6にて、パルス出力部5から送られたパルスの
数をカウントすることにより照射線量が計測される。
【0006】医療用粒子線照射装置では、計測回路4内
のカウンタ部6で計測されたパルス数が、治療計画であ
らかじめ決められた既定パルス数に到達すると、ビーム
制御装置にビーム停止命令が送られ、粒子線照射が停止
される。なお、カウンタ部5に減算カウンタを用いて、
あらかじめ入力された既定パルス数を減算してカウント
数が0になったときにビーム停止命令を送るという使用
法も一般的に用いられる。
【0007】また、線量モニタとして、他の方法、例え
ば二次電子を収集するSEM装置であっても、同等の回
路構成にて使用することができる。
【0008】粒子線治療装置において用いられるモニタ
装置として、線量モニタの他に、粒子線のビーム形状を
計測するために用いるビーム形状モニタが知られてい
る。ビーム形状モニタ装置には、例えば電離箱の電荷収
集電極を複数の短冊状に加工したマルチストリップ型モ
ニタや、収集電極を複数のワイヤで形成したマルチワイ
ヤ型モニタが知られており、いずれもビーム形状に応じ
た分布が各ストリップ(マルチワイヤ型では各ワイヤ)
より出力される。
【0009】図16は、マルチストリップ型モニタの概
略構成図を示している。
【0010】この図16に示すように、容器11の内部
に一つ以上の高電圧電極12i,12ii,…,および
収集電極13i,13ii,…が配置されている。
【0011】各収集電極13i,13ii,…は、1軸
方向に電気的に非接続な多数のストリップに区切られた
構成を持つ。これらストリップには計測回路14が接続
されている。計測回路の内部には積分部17a,17b
…が設けられ、各ストリップに収集された電荷に相当す
る電気量が貯えられる。積分部17a,17b…から出
力される電圧は、A/D変換器(以下「ADC回路」と
記す)18a,18b,…によりデジタル信号として取
り出される。各ストリップに収集される電荷はビーム形
状に対応するので、ADC回路18a,18b,…出力
の分布は、ビーム形状に対応する分布を有する。
【0012】ビーム形状モニタから出力されるビーム形
状に異常がある場合、インタロック信号が制御システム
に送信され、治療が中断される。
【0013】従来行われている粒子線治療の方法は、2
次元ワブラ法や二重散乱体法などと呼ばれる方法で、一
つの粒子線照射により治療を行う方法である。粒子線治
療のさらに進んだ治療法として、体内患部を3次元的に
照射することにより、より高精度に癌細胞の狙い撃ちを
行う方法が提案されている。この3次元照射法として代
表的なものが、治療部位を仮想的に3次元格子点に切り
分けて照射を行う治療法であり、3次元スポットスキャ
ニング法と呼ばれている。
【0014】この3次元スポットスキャニング法では、
治療計画であらかじめ決められた照射線量に到達する
と、線量モニタ装置からのビーム停止命令に基づいて粒
子線照射が中断され、次の格子点の照射が行えるよう機
器設定が変更される。そして、機器設定が終了後、引き
続いて次の格子点の照射が行われる。この方法によれ
ば、従来の照射方法の様に一度の照射で治療を行う場合
と異なり、治療部位を多数の領域に分割して照射を行う
ため、各格子点の照射時間が短くなる。
【0015】一方、医用粒子線加速器として、一般的
に、シンクロトロン加速器が使用される。このシンクロ
トロン加速器から出射される粒子線ビームは、時間的に
不連続なビーム出射パターンをもつ。すなわち、ビーム
出射を一定時間(2秒程度)行った後、ビームが出射さ
れない時間が一定時間(1秒程度)あり、このビーム出
射パターンにしたがって、繰り返しビームが出射される
ことになる。
【0016】3次元スポットスキャニング法における、
3次元格子点の照射パターンとビーム出射パターンの関
係を図17に示す。ここで横軸は時間軸である。
【0017】図17に示すように、各格子点の照射時間
は10ミリ秒から1秒程度であり、ビーム1周期よりも
小さくなる。このとき、粒子線照射は1つのビーム出射
(スピル)内で終わる場合(図中A領域)の他に、2つ
のスピルに跨る照射(図中B領域)が存在することにな
る。
【0018】現実の線量モニタにおいては、漏電流や増
幅器のオフセットが存在し、これが信号ノイズを生じさ
せる。図17のスポットスキャニング法の2つのスピル
に跨る照射においては、例えば、実質のビーム照射が1
0ミリ秒程度であるのに対して、ビームが出ていない時
間約1秒の間においても線量の測定を行うことになる。
つまり、ビームが出ていない時間の計測によりSN比
(以下、「S/N」と記す)を悪化させてしまうという
問題がある。
【0019】また、3次元スポットスキャニング法にお
いては、他の治療方法と比較して、小さいビーム強度で
使用される。これは、大きなビーム強度で照射した場
合、各照射点における照射時間が短くなりすぎ、ビーム
制御が間に合わなくなるためである。例えば、現在治療
に用いられている2次元ワブラ法では、ビーム強度が1
秒あたり10の8乗個の粒子数であるのに対して、3次
元スポットスキャニング法では、1秒あたり10の7乗
個程度であることが予想されている。ビーム強度が小さ
いということは、すなわちモニタ装置でより小さな電離
量を検出することが必要であり、S/Nが悪化する要因
となる。
【0020】3次元格子点状にビームを照射する3次元
スポットスキャニングなどの照射方法では、粒子線ビー
ムの位置および形状によりビームを監視するシステムが
必要である。ここでは、特にビーム位置をモニタするこ
とを目的とすることから、ビーム位置モニタ装置と呼ぶ
ことにするが、装置の構成自体は、上述したビーム形状
モニタ装置と同様のものが使用される。ただし、3次元
的照射法では線量モニタ装置と同じく、短時間照射で小
電荷量の条件下で、精度よい位置算出およびビーム形状
算出が必要となる。
【0021】ビーム位置モニタ装置においては、粒子線
によって電離されて生じた電荷が、各ストリップ(また
は各ワイヤ)に分散されて収集されるため、収集電極全
面で収集をおこなう線量モニタ装置よりも、さらにノイ
ズによる誤差がより大きく生じるという問題がある。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来の粒
子線測定用モニタ装置およびそれを使用した測定方法で
は、入射粒子線ビームが時間構造を持つ場合に、精度よ
く粒子線の照射線量を測定できないという問題があっ
た。
【0023】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、その目的は、入射粒子線ビームが時間構造を
持つ場合であっても、精度よく線量を測定できる粒子線
測定用モニタ装置、粒子線測定方法および粒子線測定シ
ステムを提供することにある。
【0024】また、本発明の他の目的は、粒子線ビーム
強度が小さい場合であっても、オフセットノイズの影響
を抑制できるようにすることおよび精度のよい位置モニ
タを行えるようにすることにある。
【0025】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために以下のように構成されている。
【0026】(1)本発明は、容器と、容器内に配置さ
れた一つ以上の高電圧電極および一つ以上の収集電極
と、前記高電圧電極に高電圧を印加するための電源回路
と、収集電極に接続された計測回路とを有し、さらに、
外部信号により測定または非測定の状態を制御するため
の機構を有する。
【0027】この測定または非測定の状態を制御するた
めの機構として、計測回路のパルス出力部に外部信号に
より出力または非出力の状態を制御するための機構を有
する。また、計測回路のカウンタ部に外部信号によりカ
ウントまたは非カウントの状態を制御するための機構を
有する。さらに、計測回路の積分部に対して外部信号に
より入力または非入力の状態を制御するための機構を有
する。
【0028】なお、本発明に懸かる収集電極の形状とし
て、複数に分割されて形成されたマルチチャンネル型が
使用可能である。マルチチャンネル型として、複数にス
トリップ状に分割されて形成されたマルチストリップ型
や、複数のワイヤで形成されたマルチワイヤ型が可能で
ある。
【0029】(2)本発明は、モニタ装置を有する粒子
線測定装置において、モニタ装置のオフセット値測定部
を有する。
【0030】このオフセット値測定部として、時間を計
測するためのクロックと、クロック数をカウントするた
めのカウンタ部を有する。また、オフセット値測定部と
して、ダミー測定部を配している。
【0031】なお、本発明に係る収集電極の形状とし
て、複数に分割されて形成されたマルチチャンネル型が
使用可能である。マルチチャンネル型として、複数にス
トリップ状に分割されて形成されたマルチストリップ型
や、複数のワイヤで形成されたマルチワイヤ型が可能で
ある。
【0032】即ち、請求項1記載の発明では、粒子線が
入射される容器と、この容器内に配置された一つ以上の
高電圧電極および一つ以上の収集電極と、前記高電圧電
極に高電圧を印加するための電源回路と、前記収集電極
に接続され、監視すべき粒子線量を計測する計測回路と
を有する粒子線測定用モニタ装置において、外部信号に
より前記計測回路を測定または非測定の状態に制御する
ための制御機構を有することを特徴とする粒子線測定用
モニタ装置を提供する。
【0033】請求項2記載の発明では、粒子線が入射さ
れる容器と、この容器内に配置された一つ以上の高電圧
電極および一つ以上の収集電極と、前記高電圧電極に高
電圧を印加するための電源回路と、前記収集電極に収集
された電荷量に対応するパルスを出力するパルス出力部
とを有する粒子線測定用モニタ装置において、前記パル
ス出力部に外部信号により出力または非出力の状態を制
御するための制御機構を設けたことを特徴とする粒子線
測定用モニタ装置を提供する。
【0034】請求項3記載の発明では、粒子線が入射さ
れる容器と、この容器内に配置された一つ以上の高電圧
電極および一つ以上の収集電極と、前記高電圧電極に高
電圧を印加するための電源回路と、前記収集電極に収集
された電荷量に対応するパルスを出力するパルス出力回
路と、このパルス出力回路から出力されるパルスをカウ
ントするカウンタ部とを有する粒子線測定用モニタ装置
において、前記カウンタ部に外部信号によりカウントま
たは非カウントの状態を制御するための制御機構を設け
たことを特徴とする粒子線測定用モニタ装置を提供す
る。
【0035】請求項4記載の発明では、粒子線が入射さ
れる容器と、この容器内に配置された一つ以上の高電圧
電極および一つ以上の収集電極と、前記高電圧電極に高
電圧を印加するための電源回路と、前記収集電極からの
出力を積分するための積分部とを有する粒子線測定用モ
ニタ装置において、外部信号により前記積分部に対する
前記収集電極からの出力信号の信号入力または非入力状
態を制御するための制御機構を設けたことを特徴とする
粒子線測定用モニタ装置を提供する。
【0036】請求項5記載の発明では、前記収集電極
が、複数に分割形成されたマルチチャンネル型であるこ
とを特徴とする請求項1から4までのいずれかに記載の
粒子線測定用モニタ装置を提供する。
【0037】請求項6記載の発明では、前記収集電極
が、複数のストリップ状に分割形成されたマルチストリ
ップ型であることを特徴とする請求項1から4までのい
ずれかに記載の粒子線測定用モニタ装置を提供する。
【0038】請求項7記載の発明では、前記収集電極
が、複数のワイヤで形成されたマルチワイヤ型であるこ
とを特徴とする請求項1から4までのいずれかに記載の
モニタ装置を提供する。
【0039】請求項8記載の発明では、粒子線が入射さ
れる容器中に一つ以上の高電圧電極および一つ以上の収
集電極を配し、前記容器内に生じた電荷を収集電極によ
り収集し、電荷量の測定を行う粒子線測定方法であっ
て、外部信号により測定または非測定の状態を切り替え
て測定を行うことを特徴とする粒子線測定方法を提供す
る。
【0040】請求項9記載の発明では、前記外部信号
が、粒子線ビームのモニタ容器への入射に同期する信号
であることを特徴とする請求項8記載の粒子線測定方法
を提供する。
【0041】請求項10記載の発明では、前記外部信号
が、前記容器に入射用粒子線を発する加速器の定常的に
繰り返すビーム出力または停止信号に同期する信号であ
ることを特徴とする請求項8記載の粒子線測定方法を提
供する。
【0042】請求項11記載の発明では、粒子線が入射
される容器中に一つ以上の高電圧電極および一つ以上の
収集電極を配し、前記容器内に生じた電荷を収集電極に
より収集して電荷量の測定を行う粒子線測定方法であっ
て、粒子線ビームのモニタ容器への入射停止信号に同期
して収集電荷量相当値を出力することを特徴とする粒子
線測定方法を提供する。
【0043】請求項12記載の発明では、粒子線が入射
される容器中に一つ以上の高電圧電極および一つ以上の
収集電極を配し、前記容器内に生じた電荷を収集電極に
より収集して電荷量の測定を行う粒子線測定方法であっ
て、前記容器に入射用粒子線を発する加速器の定常的に
繰り返すビーム停止信号に同期して収集電荷量相当値を
出力することを特徴とする粒子線測定方法を提供する。
【0044】請求項13記載の発明では、粒子線が入射
される容器中に一つ以上の高電圧電極および一つ以上の
収集電極を配し、前記容器内に生じた電荷を収集電極に
より収集して電荷量の測定を行う粒子線測定方法であっ
て、前記容器に入射用粒子線を発する加速器の定常的に
繰り返すビーム停止信号に同期して収集電荷量相当値を
記憶機構内に保持し、測定停止信号の入力により保持さ
れた一つ以上の前記収集電荷量相当値保持値を演算する
ことによって粒子線線量または粒子線位置または粒子線
形状を算出することを特徴とする粒子線測定方法を提供
する。
【0045】請求項14記載の発明では、請求項1から
7までのいずれかに記載の粒子線測定用モニタ装置を使
用する粒子線測定システムであって、前記モニタ装置が
オフセット出力値測定部を有し、前記オフセット出力値
測定部より出力されるオフセット測定値を変数とする演
算によって、前記モニタ装置出力のオフセット補正をす
ることを特徴とする粒子線測定システムを提供する。
【0046】請求項15記載の発明では、請求項1から
7までのいずれかに記載の粒子線測定用モニタ装置を使
用する粒子線測定システムであって、前記モニタ装置
に、クロックと、クロック数をカウントするためのカウ
ンタ部を配し、前記カウンタ部で計測されたクロック数
を変数とする演算によって、前記モニタ装置出力のオフ
セット補正をすることを特徴とする粒子線測定システム
を提供する。
【0047】請求項16記載の発明では、モニタ出力の
オフセット値の算出方法が、クロック数の一次式(C・
Nc+D:Ncはクロック数)で与えることを特徴とす
る請求項15記載の粒子線測定方法および測定システム
を提供する。
【0048】請求項17記載の発明では、請求項1から
7までのいずれかに記載の粒子線測定用モニタ装置を使
用する粒子線測定システムであって、前記モニタ装置内
に、ダミー測定部を配し、前記ダミー測定部からの出力
値を変数とする演算方法によって、前記モニタ装置出力
のオフセット補正をすることを特徴とする粒子線測定シ
ステムを提供する。
【0049】請求項18記載の発明では、前記モニタ装
置が、マルチチャンネル型モニタであることを特徴とす
る請求項14から17までのいずれかに記載の粒子線測
定システムを提供する。
【0050】請求項19記載の発明では、前記モニタ装
置が、マルチストリップ型モニタであることを特徴とす
る請求項14から17までのいずれかに記載の粒子線測
定システムを提供する。
【0051】請求項20記載の発明では、前記モニタ装
置が、マルチワイヤ型モニタであることを特徴とする請
求項14から17までのいずれかに記載の粒子線測定シ
ステムを提供する。
【0052】請求項21記載の発明では、マルチチャン
ネル型モニタ装置を有する粒子線測定システムであっ
て、各チャンネル出力値にディスクリレベルを設定し、
そのディスクリレベルを超える出力を持つチャンネルの
出力値のみからビーム位置、ビーム形状およびビーム強
度の少なくともいずれかを算出することを特徴とする粒
子線測定システムを提供する。
【0053】請求項22記載の発明では、マルチチャン
ネル型モニタ装置を有する粒子線測定システムであっ
て、あらかじめ指定されたビーム位置を関数としてビー
ム位置、ビーム形状およびビーム強度の少なくともいず
れかを算出することを特徴とする粒子線測定システムを
提供する。
【0054】請求項23記載の発明では、マルチチャン
ネル型モニタ装置を有する粒子線測定システムであっ
て、あらかじめ指定されたビーム位置、あるいはビーム
サイズの情報をもとに演算を行うチャンネルの範囲を限
定し、限定されたチャンネルの出力値のみからビーム位
置またはビーム形状またはビーム強度を算出することを
特徴とする粒子線測定システムを提供する。
【0055】請求項24記載の発明では、前記マルチチ
ャンネル型モニタ装置が、マルチストリップ型であるこ
とを特徴とする請求項21から23までのいずれかに記
載の粒子線測定方法および測定システムを提供する。
【0056】請求項25記載の発明では、前記マルチチ
ャンネル型モニタ装置が、マルチワイヤ型であることを
特徴とする請求項21から23までのいずれかに記載の
粒子線測定方法および測定システムを提供する。
【0057】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照して説明する。
【0058】第1実施形態(図1,図2) 図1は、発明の第1実施形態による粒子線測定用モニタ
装置である。なお、本実施形態では、医用粒子線照射装
置の線量モニタ装置に適用した場合、特に照射方法が3
次元スポットスキャニング法に基づく照射装置を適用し
た場合について説明する。なお、従来例と同一の部位に
ついては、図15〜図17と同一の記号も使用する。
【0059】図1において、モニタ容器1の内部に一つ
以上の高電圧電極2i,2ii,…,および一つ以上の
収集電極3i,3ii,…が配置され、これにより電離
箱が構成されている。
【0060】収集電極3i,3ii,…には、計測回路
24が接続されている。この計測回路24には、パルス
出力部25およびカウンタ部26が配置されている。パ
ルス出力部25には、外部信号入力端子27が設けられ
ている。
【0061】次に、図1に示した粒子線測定用モニタ装
置を用いた粒子線モニタ方法について説明する。
【0062】粒子線ビームがモニタ容器1内に入射する
と、収集電極3i,3ii,…には入射する粒子線ビー
ム量に応じた電荷が収集される。収集電極3i,3i
i,…で収集された信号は、計測回路24にて、必要に
応じて増幅されたうえ、パルス出力部25にて収集電極
3i…,3ii,…からの電荷量に対応するパルス列が
出力される。さらに、計測回路24内のカウンタ部26
にて、パルス出力部25から送られたパルスの数をカウ
ントすることにより、照射線量が計測される。
【0063】図2は、3次元スポットスキャニング法に
おける、3次元格子点の照射パターンとビーム出射パタ
ーン、およびパルス出力時間の関係を示したものであ
る。この図2では、ビーム出射パターンとして、シンク
ロトロン加速器を用いた場合を想定している。
【0064】図2に示すように、シンクロトロン加速器
から出射される粒子線ビームは、時間的に不連続なビー
ム出射パターンをもつ。すなわち、ビーム出射を一定時
間(2秒程度)行った後、ビームが出射されない時間が
一定時間(1秒程度)あり、このビーム出射パターンに
したがって、繰り返しビームが出射されることになる。
【0065】この場合、シンクロトロン加速器からの粒
子線出射に同期された外部信号がパルス出力部27に入
力され、モニタ容器1に粒子線が入射する時のみパルス
出力が行われるように制御される。
【0066】したがって、本実施形態では、モニタ容器
1に粒子線が入射しないときにはパルス出力が行われな
いようにすることで、モニタ容器1に粒子線が入射しな
い時間におけるノイズによる出力を抑制することができ
る。したがって、精度良い粒子線モニタ測定が実現可能
となる。
【0067】第2実施形態(図3,図4) 図3は、本発明の第2実施形態による粒子線測定用モニ
タ装置を示すシステム構成図である。
【0068】この図3に示すように、モニタ容器1の内
部に一つ以上の高電圧電極2i,2ii,…、および一
つ以上の収集電極3i,3ii,…が配置され、電離箱
が構成されている。収集電極3i,3ii,…には、計
測回路34が接続されている。
【0069】計測回路34には、パルス出力部35およ
びカウンタ部36が配置されている。本実施形態では、
このカウンタ部36に、外部信号入力端子37が設けら
れている。
【0070】次に、図3に示したモニタ装置を用いた粒
子線測定方法について説明する。
【0071】粒子線ビームがモニタ容器1内に入射する
と、収集電極3i,3ii,…には入射する粒子線ビー
ム量に応じた電荷が収集される。収集電極3i,3i
i,…で収集された信号は、計測回路24にて、必要に
応じて増幅されたうえ、パルス出力部35にて収集電極
3i,3ii,…からの電荷量に対応するパルス列が出
力される。さらに、計測回路34内のカウンタ部36に
て、パルス出力部35から送られたパルスの数をカウン
トすることにより照射線量が計測される。
【0072】図4は、3次元スポットスキャニング法に
おける、3次元格子点の照射パターンとビーム出射パタ
ーン、およびカウンタ時間の関係を示したものである。
この図4においては、ビーム出射パターンとしてシンク
ロトロン加速器を用いた場合を想定している。
【0073】図3の例では、シンクロトロン加速器から
の粒子線出射に同期された外部信号がカウンタ部36に
入力され、モニタ容器1に粒子線が入射する時のみパル
ス出力をカウントするように制御される。
【0074】このように、本実施形態によれば、モニタ
容器1に粒子線が入射しない時間におけるノイズによる
出力を抑制することができる。したがって、精度良い粒
子線モニタ測定が実現可能となる。
【0075】第3実施形態(図5,図6) 図5は、本発明の第3実施形態による粒子線測定用モニ
タ装置を示すシステム構成図である。
【0076】この図5に示すように、1はモニタ容器1
の内部に一つ以上の高電圧電極2i,2ii,…,およ
び一つ以上の収集電極3i,3ii,…が配置され、電
離箱が構成されている。収集電極3i,3ii,…に
は、計測回路44が接続されている。
【0077】計測回路44には、積分部47,ADC回
路48,および積分部への入力を制限するスイッチ49
が設けられている。
【0078】次に、図5に示したモニタ装置を用いた粒
子線測定方法について説明する。
【0079】粒子線ビームがモニタ容器1内に入射する
と、収集電極3i,3ii,…には入射する粒子線ビー
ム量に応じた電荷が収集される。収集電極で収集された
信号は、計測回路にて、必要に応じて増幅されたうえ、
積分部47にて収集された電荷に相当する電気量が貯え
られる。積分部47から出力される電圧は、ADC回路
48によりデジタル信号として取り出される。
【0080】図6は、3次元スポットスキャニング法に
おける、3次元格子点の照射パターンとビーム出射パタ
ーン、および積分時間の関係を示したものである。この
図6においては、ビーム出射パターンとしてシンクロト
ロン加速器を用いた場合を想定している。
【0081】図5の例では、シンクロトロン加速器から
の粒子線出射に同期された外部信号がスイッチ49に入
力され、モニタ容器1に粒子線が入射する時のみ積分を
行うように制御される。このように本実施形態によれ
ば、モニタ容器1に粒子線が入射しない時間におけるノ
イズ出力の積分を抑制することができる。したがって、
精度良い粒子線モニタ測定が実現可能となる。
【0082】なお、以上の第1〜第3実施形態では、電
離箱を用いた線量モニタ装置としての例を示したが、S
EM装置など電荷を収集して測定を行うモニタであれ
ば、他の方法に基づく線量モニタ装置であっても適用す
ることができる。
【0083】また、マルチチャンネル型からなるビーム
位置モニタ装置、ビーム形状モニタ装置についても、同
様の装置構成および測定方法により、精度よい粒子線モ
ニタ測定が可能となる。さらに、マルチチャンネル型と
して、収集電極を複数の短冊状に加工したマルチストリ
ップ型モニタ、収集電極を複数のワイヤで形成したマル
チワイヤ型モニタ、その他種々の形状のものが適用でき
る。
【0084】第4実施形態(図7,図8) 図7は本発明の第4実施形態による粒子線測定用モニタ
装置を示すシステム構成図である。
【0085】この図7に示すように、モニタ容器1の内
部に一つ以上の高電圧電極2i,2ii,…,および一
つ以上の収集電極3i,3ii,…が配置され、電離箱
が構成されている。収集電極3i,3ii,…には、モ
ニタ容器1に入射する粒子線ビーム量に応じた電荷が収
集される。収集電極3i,3ii,…には、計測回路5
4が接続されている。
【0086】計測回路54には、積分部57,ADC回
路58,およびADC回路58に接続された処理部59
が備えられている。処理部59には外部入力端子60が
設けられ、外部信号が入力されるようになっている。
【0087】次に、図7に示したモニタ装置を用いた粒
子線測定方法について、図8を用いて説明する。
【0088】図8は、3次元スポットスキャニング法に
おいて、ビーム強度が弱い場合や、患部に対して大きな
線量を照射する場合における、各3次元格子点の照射時
間とビーム出射パターン、および積分時間の関係を示し
たものである。この図8において、ビーム出射パターン
としてシンクロトロン加速器を用いた場合を想定してお
り、一つの照射時間はシンクロトロン加速器からの出射
ビームの繰り返し時間よりも大きくなっている。
【0089】図7に示した例では、シンクロトロン加速
器からの粒子線出射停止信号に同期された外部信号が処
理部59に入力され、この外部信号が入力されるのに応
じてADC回路58より処理部59に対してデータが送
信されて順次保持され、積分部57の電荷がリセットさ
れる。処理部59が照射時間終了に対応した測定停止信
号を受信すると、この処理部59に保持されたデータを
もとに、照射時間に対応したデータが作成される。
【0090】このようにして、モニタ容器に粒子線が入
射しない時間においては測定が行われないものとするこ
とができ、ノイズ出力の積分による誤差の増大を抑制す
ることができる。したがって、精度よい粒子線モニタ測
定が実現可能となる。
【0091】なお、上記の実施形態では、照射時間終了
に対応して測定停止信号を入力しているが、照射時間途
中において測定値を知りたい場合など、場合に応じて他
の信号入力により同様の操作をさせることも可能であ
る。
【0092】また、図8では3次元スポットスキャニン
グ法の場合について示したが、他の照射法においても、
例えば3次元ワブラ法、3次元散乱体法など、患部を仮
想的にスライス状に分離し照射を行う場合にも適用する
ことができる。この場合においても、図7と同様の照射
時間とビーム出射パターンの関係になり、精度よい粒子
線モニタ測定が可能となる。
【0093】さらに、この第4実施形態においても、電
離箱を用いた線量モニタ装置に対する例を示したが、S
EM装置など電荷を収集して測定を行うモニタであれ
ば、他の方法の線量モニタ装置であっても、有効に適用
できる。
【0094】第5実施形態(図9) 図9は本発明の第5実施形態による粒子線測定用モニタ
装置を示すシステム構成図である。
【0095】この図9に示すように、モニタ容器11の
内部に一つ以上の高電圧電極12i,12ii,…,お
よび収集電極13i,13ii,…が配置されている。
各収集電極13i,13ii,…は、1軸方向に電気的
に非接続な多数のストリップに区切られた構成を持つ。
即ち、このモニタ装置は、マルチストリップ型モニタ装
置とされ、収集電極13i,13ii,…のストリップ
それぞれに対して計測回路64が接続されている。計測
回路の内部には、複数の積分部67a,67b,…,お
よびADC回路68a,68b,…が配置され、さらに
各計測回路要素は処理部69に接続されている。処理部
69には外部入力端子70が設けられ、外部信号が入力
されるようになっている。
【0096】次に、図9に示したモニタ装置を用いた粒
子線測定方法について説明する。
【0097】粒子線ビームがモニタ容器1内に入射する
と、収集電極13i,13ii,…の各ストリップに
は、ビーム形状に対応した電荷が収集される。各ストリ
ップで収集された信号は、計測回路にて、必要に応じて
増幅されたうえ、各積分部67a,67b,…にて収集
された電荷に相当する電気量が貯えられる。各積分部6
7a,67b,…から出力される電圧は、それぞれAD
C回路68によりデジタル信号として取り出される。各
ストリップに収集される電荷はビーム形状に対応するの
で、各ADC回路68a,68b,…出力の分布は、ビ
ーム形状に対応する分布を示す。
【0098】ここでは、図8に示した3次元スポットス
キャニング法における、3次元格子点の照射パターンと
ビーム出射パターン、および積分時間の関係を持つ場合
を想定する。
【0099】図9に示した例では、シンクロトロンから
の粒子線出射停止信号に同期された外部信号が処理部6
9に入力される。この外部信号が入力されるのに応じ
て、ADC回路より処理部に対してデータが送信されて
順次保持され、各積分部67a,67b…の電荷がリセ
ットされる。処理部69が照射時間終了に対応した測定
停止信号を受信すると、処理部69に保持されたデータ
をもとに、照射時間に対応したデータが作成される。さ
らに、得られた各ストリップにおけるデータより、ビー
ム位置あるいはビーム形状の算出がなされる。
【0100】ここで、ビーム位置およびビーム形状の算
出法として重心計算による方法などが使用できる。重心
計算によると、各ストリップの出力Piとし、各ストリ
ップの位置xiとすると、ビーム中心位置<X>=Σ
(Pi・xi)/ΣPi、またビーム形状としてビーム
分散<σ>=Σ(Pi・(<X>−xi))/ΣP
iで評価できる。
【0101】このようにして、モニタ容器に粒子線が入
射しない時間においては積分を中断でき、ノイズ出力の
積分による誤差の増大を抑制することができる。したが
って、精度よくビーム位置算出あるいはビーム形状算出
ができ、精度よい粒子線モニタ測定が実現可能となる。
【0102】なお、本実施形態では、マルチストリップ
型モニタ装置について示したが、マルチワイヤ型、その
他のマルチチャンネル型モニタ装置等にも有効に適用で
きる。
【0103】第6実施形態(図10,図11) 図10は、本発明の第6実施形態による粒子線測定用モ
ニタ装置を示すシステム構成図である。
【0104】この図10に示すように、モニタ容器1の
内部に一つ以上の高電圧電極2i,2ii,…,および
収集電極3i,3ii,…が配置されている。収集電極
3i,3ii,…には計測回路74が接続されている。
計測回路74は、積分部77およびADC回路78およ
び処理部79を有している。
【0105】さらに処理部79には、時間計測部80が
接続されている。この時間計測部80は、ある周波数で
信号を出すクロック81と、このクロック81からの信
号をカウントするカウンタ82とを有している。
【0106】次に、図10で示したモニタ装置を用いた
粒子線測定方法について、図11を用いて説明する。
【0107】図11は、モニタ容器1に粒子線が入射し
ないときにおいて、積分時間とADC回路78から得ら
れる出力の関係を示したものである。モニタ装置では、
モニタ容器1内の電極に漏電流があることや、計測回路
74内のアンプ等にオフセットがあること、等のため、
モニタ容器1に入力がない場合でも出力(オフセット電
流出力)がある。このオフセット電流出力は一般に、積
分時間の関数であり、図11に示した例では、このオフ
セット電流出力は、積分時間Δtの一次式(C・Δt+
D)で与えられる。
【0108】図10に示したモニタ装置では、モニタ容
器1への粒子線入射開始に同期した信号により、クロッ
ク81からの信号をカウンタ82がカウントし始め、モ
ニタ容器1への粒子線入射終了までカウントが行われ
る。クロック81からは、ある周波数のパルス信号が出
力され、これにより粒子線入射終了までのカウント値N
cより積分時間Δtを求めることができる。得られた積
分時間Δtから、予め求められた係数a、bをもとに、
オフセット電流出力Qを評価することができる。補正し
ない出力値をPとすると、オフセット電流出力を補正し
た値(P−Q)を用いることにより、オフセットの影響
を抑制することができ、精度良い粒子線モニタ測定が可
能となる。
【0109】なお、本実施形態では、粒子線入射に同期
した信号により積分開始・終了を与えたが、積分時間の
与え方は任意である。
【0110】また、本実施形態では、電離箱を用いた線
量モニタ装置に対する実施例を示したが、SEM装置な
ど電荷を収集して測定を行うモニタであれば、他の方法
の線量モニタ装置であっても、有効に適用できる。
【0111】さらに、本実施形態では、収集電極を複数
に分割したマルチチャンネル型、例えばマルチストリッ
プ型やマルチワイヤ型についても使用可能である。マル
チチャンネル型では、一つの時間計測部で得られた積分
時間Δtよりチャンネル各々のオフセット電流出力Qa
=Ca・Δt+Da、Qb=Cb・Δt+Db…を評価
することが可能である。
【0112】第7実施形態(図12) 図12は本発明の第7実施形態による粒子線モニタ装置
を示す概略構成図である。
【0113】この図12に示すように、モニタ容器1の
内部に一つ以上の高電圧電極2i,2ii,…,および
収集電極3i,3ii,…が配置されている。収集電極
3i,3ii,…には計測回路84が接続されている。
計測回路84は、積分部87、ADC回路88および処
理部89を有している。
【0114】本実施形態においては、処理部89に、ダ
ミー測定部90が接続されている。
【0115】このダミー測定部90は、計測回路84と
同様に、積分部91とADC回路92を有し、積分部9
1は、例えばダミー電極10の最外領域につながれてい
る。なお、粒子線ビームが入射しない領域であれば、積
分部91のつながれる領域は他の領域であってもよい。
【0116】次に、図12に示したモニタ装置を用いた
粒子線測定方法について説明する。
【0117】ある積分時間に対するダミー測定部90の
オフセット電流出力Qdは、積分時間Δtの関数であ
る。測定回路84とダミー測定部90のオフセット電流
出力と積分時間の関係が共に図11に示したように、一
次式で与えられる場合、収集電極におけるオフセット電
流出力Qは、ダミー測定部のオフセット電流出力Qdの
一次式Q=c・Qd+dで評価できる。補正しない出力
値をPとすると、オフセット電流出力を補正した値(P
−Q)を用いることにより、オフセットの影響を抑制す
ることができ、精度よい粒子線モニタ測定が可能とな
る。
【0118】なお、本実施形態では、電離箱を用いたモ
ニタ装置を適用したが、SEM装置など、電荷を収集し
て測定を行うモニタであれば、他の方法の線量モニタ装
置であっても有効に適用できる。
【0119】さらに、本実施形態では、収集電極を複数
に分割したマルチチャンネル型、例えばマルチストリッ
プ型やマルチワイヤ型についても使用可能である。マル
チチャンネル型では、一つのダミー計測部で得られたオ
フセット電流出力Qdより、チャンネル各々のオフセッ
ト電流出力Qa=Ca・Qd+Da、Qb=Cb・Qd
+Db…を評価することが可能である。
【0120】第8実施形態(図13,図14) 図13は、本発明の第8実施形態による粒子線モニタ装
置を示す概略構成図である。
【0121】この図13に示すように、モニタ容器11
の内部に一つ以上の高電圧電極12i,12ii,…,
および収集電極13i,13ii,…が配置されてい
る。各収集電極13i,13ii,…は、1軸方向に電
気的に非接続な多数のストリップに区切られた構成を持
つ。即ち、このモニタ装置はマルチストリップ型モニタ
装置である。収集電極13i,13ii,…には計測回
路94が接続されている。計測回路のには、複数の積分
部97a,97b…、ADC回路98a,98b,…お
よびそれらに接続された処理部99を有している。
【0122】次に、図13に示したモニタ装置を用いた
粒子線測定方法について、図14を用いて説明する。
【0123】図14は、3次元スポットスキャニング法
における、ある3次元格子点の照射に対する各ストリッ
プに対するADC回路の出力分布の一例である。この図
14は、横軸に各ストリップの位置座標で示している。
【0124】図14に示したように、ストリップにはガ
ウス分布様の分布をなす領域があり、この領域が粒子線
入射により電荷を生じ、この電荷を収集した領域であ
る。しかしながら、ガウス分布様の分布をなす領域以外
にも、わずかなオフセット電流による出力領域がある。
【0125】したがって、ビーム位置・形状の算出法と
して、例えば、各ストリップにおける出力Pa,Pb,
…と位置xa,xb,…から、ビーム中心位置<X>=
Σ(Pk・xk)/ΣPk、ビーム分散<σ>=Σ
(Pk・(<X>−xk))/ΣPkを評価した場
合、電荷が収集されないストリップ領域のオフセット電
流により、誤差が大きくなり、精度よいモニタ測定がで
きなくなる。
【0126】しかしながら、本実施形態によれば、図1
3に示した処理部99において、予めディスクリレベル
が設定されており、ディスクリレベルに到達しないスト
リップ出力は位置演算に取り込まれないか、あるいは出
力ゼロとして処理される。
【0127】このように、本実施形態によれば、電荷が
収集されないストリップ領域のオフセット電流の影響を
抑制することができ、精度よいモニタ測定が可能にな
る。なお、ディスクリレベルの設定法には、予め与えた
一定値を与えたり、積分時間の関数(例えば一次式)
や、出力が最大であるストリップの出力の関数(例えば
出力の数%)として与えたりすることができる。
【0128】第9実施形態(図13,図14) 本実施形態では、第8実施形態と同様の構成のモニタ装
置が使用される。
【0129】この構成によると、図14に示したよう
に、ストリップには収集電荷量に対応したガウス分布様
の分布をなす領域以外に、オフセット電流による出力領
域がある。
【0130】しかしながら、この第9実施形態では、処
理部99には、モニタ容器に粒子線が照射される以前
に、照射されるべきビーム位置およびビーム幅が記憶さ
れている。処理部99ではこの与えられたビーム位置お
よびビーム幅をもとに、ビーム中心位置あるいはビーム
形状の算出に用いるストリップの領域を限定する。
【0131】この限定の方法として、例えば、予め与え
られたビーム位置をX0、ビーム幅をσとして、X0±
2・σ内に存在するストリップというように与える。
【0132】このように本実施形態によれば、電荷が収
集されないストリップ領域のオフセット電流の影響を抑
制することができ、精度よいモニタ測定が可能になる。
また、位置算出に用いるストリップを限定することによ
り、演算すべきデータ量が少なくなり、位置算出にかか
る時間が短くなって、高速な制御、よって短時間治療が
可能になる。
【0133】他の実施形態 なお、以上の各実施形態では、主に3次元スポットスキ
ャニング法の制御システムについて示したが、本発明が
使用できる治療制御装置としては、例えば3次元ラスタ
ースキャニング法や、3次元ワブラ法など他の3次元的
照射方法、さらには従来の2次元ワブラ法や二重散乱体
法に対しても、ノイズ信号の影響を抑制することがで
き、精度よいモニタ測定装置および測定システムとして
有効である。
【0134】また、前記各実施形態では、粒子線治療の
モニタ装置における適用例を示したが、粒子線治療の前
に行われるファントムを用いた模擬照射試験用の計測装
置においても適用が可能である。その他、S/Nの悪化
を抑制するという目的を損なわない限りにおいて、他の
目的の粒子線照射における粒子線モニタ装置においても
有効である。
【0135】さらに、前記各実施形態では、シンクロト
ロン加速器による粒子線を用いる場合について示した
が、ビームの時間構造にスピル構造をもつ粒子線ビーム
であれば、各種ビームについても同様に、有効に用いる
ことができる。
【0136】さらに、第6以下の実施形態で示した構成
および方法は、ビームの時間構造にスピル構造をもたな
い加速器出射ビームにおける粒子線モニタ装置について
も、オフセットノイズの影響を抑制できることから、有
効に適用することができる。
【0137】さらにまた、第6以下の実施形態では、マ
ルチストリップ型モニタ装置について説明したが、マル
チワイヤ型モニタなど、他のマルチストリップ型モニタ
についても有効に適用することができる。
【0138】
【発明の効果】以上で詳述したように、本発明によれ
ば、粒子線ビームが容器に入射しないときに測定を中断
することができる、これにより、粒子線ビームが入射し
ないときのノイズ信号による出力を抑制することができ
る。したがって、従来に比して精度よい粒子線測定が行
えるようになる。
【0139】また、本発明によれば、オフセット電流出
力の影響を抑制した粒子線モニタ測定が可能となり、精
度よい粒子線測定用モニタ装置、測定方法および測定シ
ステムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態による粒子線測定用モニ
タ装置を示す概略構成図。
【図2】前記第1実施形態による粒子線ビーム出射パタ
ーン、ビーム照射パターンおよびパルス出力時間の関係
を示す図。
【図3】本発明の第2実施形態による粒子線測定用モニ
タ装置を示す概略構成図。
【図4】前記第2実施形態による粒子線ビーム出射パタ
ーン、ビーム照射パターンおよびカウント出力時間の関
係を示す図。
【図5】本発明の第3実施形態による粒子線測定用モニ
タ装置を示す概略構成図。
【図6】前記第3実施形態による粒子線ビーム出射パタ
ーン、ビーム照射パターンおよび積分時間の関係を示す
図。
【図7】本発明の第4実施形態による粒子線測定用モニ
タ装置を示す概略構成図。
【図8】前記第4実施形態による粒子線ビーム出射パタ
ーン、ビーム照射パターンおよび積分時間の関係を示す
図。
【図9】本発明の第5実施形態による粒子線測定用モニ
タ装置を示す概略構成図。
【図10】本発明の第6実施形態による粒子線測定用モ
ニタ装置を示す概略構成図。
【図11】前記第6実施形態における積分時間とオフセ
ット電流出力の関係を示す図。
【図12】本発明の第7実施形態による粒子線モニタ装
置を示す概略構成図。
【図13】本発明の第8実施形態による粒子線モニタ装
置を示す概略構成図。
【図14】マルチストリップ型モニタ装置における各チ
ャンネルの出力分布を示す図。
【図15】従来の粒子線モニタ装置を示す概略構成図。
【図16】従来例のマルチストリップ型モニタ装置を示
す概略構成図。
【図17】従来例による粒子線ビーム出射パターン、ビ
ーム照射パターンおよびパルス出力・カウント時間の関
係を示す図。
【符号の説明】
1 モニタ容器 2i,2ii,… 高電圧電極 3i,3ii,… 収集電極 4 計測回路 5 パルス出力部 6 カウンタ部 11 モニタ容器 12i,12ii,… 高電圧電極 13i,13ii,… 収集電極 14 計測回路 17a,17b,… 積分部 18a,18b,… A/D変換器(ADC回路) 24 計測回路 25 パルス出力部 26 カウンタ部 27 外部信号入力端子 34 計測回路 35 パルス出力部 36 カウンタ部 37 外部信号入力端子 44 計測回路 47 積分部 48 ADC回路 49 スイッチ 54 計測回路 57 積分部 58 ADC回路 59 処理部 60 外部入力端子 64 計測回路 67a,b,… 積分部 69 処理部 70 外部入力端子 74 計測回路 77 積分部 78 ADC回路 79 処理部 80 時間計測部 81 クロック 82 カウンタ 84 計測回路 87 積分部 88 ADC回路 89 処理部 90 ダミー測定部 91 積分部 92 ADC回路 94 計測回路 97a,97b,… 積分部 98a,98b,… ADC回路 99 処理部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 耕輔 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Fターム(参考) 2G088 EE01 EE29 EE30 FF12 FF13 FF14 GG03 JJ09 JJ32 KK06 KK11 KK15 KK27 LL11 LL17

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 粒子線が入射される容器と、この容器内
    に配置された一つ以上の高電圧電極および一つ以上の収
    集電極と、前記高電圧電極に高電圧を印加するための電
    源回路と、前記収集電極に接続され、監視すべき粒子線
    量を計測する計測回路とを有する粒子線測定用モニタ装
    置において、外部信号により前記計測回路を測定または
    非測定の状態に制御するための制御機構を有することを
    特徴とする粒子線測定用モニタ装置。
  2. 【請求項2】 粒子線が入射される容器と、この容器内
    に配置された一つ以上の高電圧電極および一つ以上の収
    集電極と、前記高電圧電極に高電圧を印加するための電
    源回路と、前記収集電極に収集された電荷量に対応する
    パルスを出力するパルス出力部とを有する粒子線測定用
    モニタ装置において、前記パルス出力部に外部信号によ
    り出力または非出力の状態を制御するための制御機構を
    設けたことを特徴とする粒子線測定用モニタ装置。
  3. 【請求項3】 粒子線が入射される容器と、この容器内
    に配置された一つ以上の高電圧電極および一つ以上の収
    集電極と、前記高電圧電極に高電圧を印加するための電
    源回路と、前記収集電極に収集された電荷量に対応する
    パルスを出力するパルス出力回路と、このパルス出力回
    路から出力されるパルスをカウントするカウンタ部とを
    有する粒子線測定用モニタ装置において、前記カウンタ
    部に外部信号によりカウントまたは非カウントの状態を
    制御するための制御機構を設けたことを特徴とする粒子
    線測定用モニタ装置。
  4. 【請求項4】 粒子線が入射される容器と、この容器内
    に配置された一つ以上の高電圧電極および一つ以上の収
    集電極と、前記高電圧電極に高電圧を印加するための電
    源回路と、前記収集電極からの出力を積分するための積
    分部とを有する粒子線測定用モニタ装置において、外部
    信号により前記積分部に対する前記収集電極からの出力
    信号の信号入力または非入力状態を制御するための制御
    機構を設けたことを特徴とする粒子線測定用モニタ装
    置。
  5. 【請求項5】 前記収集電極が、複数に分割形成された
    マルチチャンネル型であることを特徴とする請求項1か
    ら4までのいずれかに記載の粒子線測定用モニタ装置。
  6. 【請求項6】 前記収集電極が、複数のストリップ状に
    分割形成されたマルチストリップ型であることを特徴と
    する請求項1から4までのいずれかに記載の粒子線測定
    用モニタ装置。
  7. 【請求項7】 前記収集電極が、複数のワイヤで形成さ
    れたマルチワイヤ型であることを特徴とする請求項1か
    ら4までのいずれかに記載のモニタ装置。
  8. 【請求項8】 粒子線が入射される容器中に一つ以上の
    高電圧電極および一つ以上の収集電極を配し、前記容器
    内に生じた電荷を収集電極により収集し、電荷量の測定
    を行う粒子線測定方法であって、外部信号により測定ま
    たは非測定の状態を切り替えて測定を行うことを特徴と
    する粒子線測定方法。
  9. 【請求項9】 前記外部信号が、粒子線ビームのモニタ
    容器への入射に同期する信号であることを特徴とする請
    求項8記載の粒子線測定方法。
  10. 【請求項10】 前記外部信号が、前記容器に入射用粒
    子線を発する加速器の定常的に繰り返すビーム出力また
    は停止信号に同期する信号であることを特徴とする請求
    項8記載の粒子線測定方法。
  11. 【請求項11】 粒子線が入射される容器中に一つ以上
    の高電圧電極および一つ以上の収集電極を配し、前記容
    器内に生じた電荷を収集電極により収集して電荷量の測
    定を行う粒子線測定方法であって、粒子線ビームのモニ
    タ容器への入射停止信号に同期して収集電荷量相当値を
    出力することを特徴とする粒子線測定方法。
  12. 【請求項12】 粒子線が入射される容器中に一つ以上
    の高電圧電極および一つ以上の収集電極を配し、前記容
    器内に生じた電荷を収集電極により収集して電荷量の測
    定を行う粒子線測定方法であって、前記容器に入射用粒
    子線を発する加速器の定常的に繰り返すビーム停止信号
    に同期して収集電荷量相当値を出力することを特徴とす
    る粒子線測定方法。
  13. 【請求項13】 粒子線が入射される容器中に一つ以上
    の高電圧電極および一つ以上の収集電極を配し、前記容
    器内に生じた電荷を収集電極により収集して電荷量の測
    定を行う粒子線測定方法であって、前記容器に入射用粒
    子線を発する加速器の定常的に繰り返すビーム停止信号
    に同期して収集電荷量相当値を記憶機構内に保持し、測
    定停止信号の入力により保持された一つ以上の前記収集
    電荷量相当値保持値を演算することによって粒子線線量
    または粒子線位置または粒子線形状を算出することを特
    徴とする粒子線測定方法。
  14. 【請求項14】 請求項1から7までのいずれかに記載
    の粒子線測定用モニタ装置を使用する粒子線測定システ
    ムであって、前記モニタ装置がオフセット出力値測定部
    を有し、前記オフセット出力値測定部より出力されるオ
    フセット測定値を変数とする演算によって、前記モニタ
    装置出力のオフセット補正をすることを特徴とする粒子
    線測定システム。
  15. 【請求項15】 請求項1から7までのいずれかに記載
    の粒子線測定用モニタ装置を使用する粒子線測定システ
    ムであって、前記モニタ装置に、クロックと、クロック
    数をカウントするためのカウンタ部を配し、前記カウン
    タ部で計測されたクロック数を変数とする演算によっ
    て、前記モニタ装置出力のオフセット補正をすることを
    特徴とする粒子線測定システム。
  16. 【請求項16】 モニタ出力のオフセット値の算出方法
    が、クロック数の一次式(C・Nc+D:Ncはクロッ
    ク数)で与えることを特徴とする請求項15記載の粒子
    線測定方法および測定システム。
  17. 【請求項17】 請求項1から7までのいずれかに記載
    の粒子線測定用モニタ装置を使用する粒子線測定システ
    ムであって、前記モニタ装置内に、ダミー測定部を配
    し、前記ダミー測定部からの出力値を変数とする演算方
    法によって、前記モニタ装置出力のオフセット補正をす
    ることを特徴とする粒子線測定システム。
  18. 【請求項18】 前記モニタ装置が、マルチチャンネル
    型モニタであることを特徴とする請求項14から17ま
    でのいずれかに記載の粒子線測定システム。
  19. 【請求項19】 前記モニタ装置が、マルチストリップ
    型モニタであることを特徴とする請求項14から17ま
    でのいずれかに記載の粒子線測定システム。
  20. 【請求項20】 前記モニタ装置が、マルチワイヤ型モ
    ニタであることを特徴とする請求項14から17までの
    いずれかに記載の粒子線測定システム。
  21. 【請求項21】 マルチチャンネル型モニタ装置を有す
    る粒子線測定システムであって、各チャンネル出力値に
    ディスクリレベルを設定し、そのディスクリレベルを超
    える出力を持つチャンネルの出力値のみからビーム位
    置、ビーム形状およびビーム強度の少なくともいずれか
    を算出することを特徴とする粒子線測定システム。
  22. 【請求項22】 マルチチャンネル型モニタ装置を有す
    る粒子線測定システムであって、あらかじめ指定された
    ビーム位置を関数としてビーム位置、ビーム形状および
    ビーム強度の少なくともいずれかを算出することを特徴
    とする粒子線測定システム。
  23. 【請求項23】 マルチチャンネル型モニタ装置を有す
    る粒子線測定システムであって、あらかじめ指定された
    ビーム位置、あるいはビームサイズの情報をもとに演算
    を行うチャンネルの範囲を限定し、限定されたチャンネ
    ルの出力値のみからビーム位置またはビーム形状または
    ビーム強度を算出することを特徴とする粒子線測定シス
    テム。
  24. 【請求項24】 前記マルチチャンネル型モニタ装置
    が、マルチストリップ型であることを特徴とする請求項
    21から23までのいずれかに記載の粒子線測定方法お
    よび測定システム。
  25. 【請求項25】 前記マルチチャンネル型モニタ装置
    が、マルチワイヤ型であることを特徴とする請求項21
    から23までのいずれかに記載の粒子線測定方法および
    測定システム。
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DE112011100499T5 (de) 2010-02-10 2013-01-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Teilchenstrahlbestrahlungsvorrichtung und Steuerverfahren für eine Teilchenstrahlbestrahlungsvorrichtung
EP2639598A4 (en) * 2012-01-20 2015-07-01 Mitsubishi Electric Corp BEAM POSITION MONITOR DEVICE AND PARTICLE BEAM TREATMENT DEVICE

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