JP2001032065A - スパッタリングターゲットを受け板に接合する方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットを受け板に接合する方法Info
- Publication number
- JP2001032065A JP2001032065A JP2000204497A JP2000204497A JP2001032065A JP 2001032065 A JP2001032065 A JP 2001032065A JP 2000204497 A JP2000204497 A JP 2000204497A JP 2000204497 A JP2000204497 A JP 2000204497A JP 2001032065 A JP2001032065 A JP 2001032065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputter target
- receiving plate
- bonding
- sputter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 29
- 238000004880 explosion Methods 0.000 claims description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 13
- 239000002360 explosive Substances 0.000 abstract description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 241000273930 Brevoortia tyrannus Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005474 detonation Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリングに使うターゲットと受け板の
組立体で、従来得たスパッタターゲットの微細構造特性
を損うことなく、且つ業界標準の厚さ内で使用中に剥離
が起きないようにスパッタターゲットと受け板の間の接
合を強くし、更には長寿命のターゲット／受け板組立体
を作る方法を提供すること。 【解決手段】 スパッタターゲット１０と受け板１２を
爆着によってその境界面に原子接合を作る。ターゲット
１０の直径が受け板１２より小さい場合は、その周りに
リング３２を置いて受け板の爆着による損傷を防ぐ。接
合後、このリングおよびターゲットの外側部を削り取っ
て業界標準内の厚さの取付けフランジ４２を作る。この
フランジを受け板とターゲットから成るようにすれば、
ターゲットを厚くでき、有効寿命を延せる。
組立体で、従来得たスパッタターゲットの微細構造特性
を損うことなく、且つ業界標準の厚さ内で使用中に剥離
が起きないようにスパッタターゲットと受け板の間の接
合を強くし、更には長寿命のターゲット／受け板組立体
を作る方法を提供すること。 【解決手段】 スパッタターゲット１０と受け板１２を
爆着によってその境界面に原子接合を作る。ターゲット
１０の直径が受け板１２より小さい場合は、その周りに
リング３２を置いて受け板の爆着による損傷を防ぐ。接
合後、このリングおよびターゲットの外側部を削り取っ
て業界標準内の厚さの取付けフランジ４２を作る。この
フランジを受け板とターゲットから成るようにすれば、
ターゲットを厚くでき、有効寿命を延せる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、スパッタリング
ターゲットを受け板に接合する方法に関し、更に詳しく
は、ターゲット／受け板組立体を製造するために爆着を
使用することに関する。
ターゲットを受け板に接合する方法に関し、更に詳しく
は、ターゲット／受け板組立体を製造するために爆着を
使用することに関する。
【０００２】
【従来の技術】陰極スパッタリング法は、所望の基板上
に材料の薄層を被着するために広く使われている。基本
的に、このプロセスは、基板上に薄膜または薄層として
被着すべき所望の材料で作った面を有するターゲットの
ガスイオン衝撃を必要とする。このターゲットのイオン
衝撃は、このターゲット材料の原子または分子をスパッ
タさせるだけでなく、かなりの熱エネルギーをターゲッ
トに与える。この熱は、このターゲットと熱交換関係に
ある受け板の下または周りで消散する。このターゲット
は、陰極組立体の一部を形成し、陽極と共に、不活性ガ
ス、好ましくはアルゴンで満たした排気室の中に置かれ
る。高圧電界をこの陰極と陽極に掛ける。この不活性ガ
スが陰極から放出された電子との衝突によってイオン化
される。正に帯電したガスイオンが陰極に吸引され、タ
ーゲット面と衝突すると、これらのイオンは、ターゲッ
ト材料を追出す。追出されたターゲット材料は、排気さ
れたエンクロージャを横切り、通常陽極近くに位置する
所望の基板上に薄膜として被着する。
に材料の薄層を被着するために広く使われている。基本
的に、このプロセスは、基板上に薄膜または薄層として
被着すべき所望の材料で作った面を有するターゲットの
ガスイオン衝撃を必要とする。このターゲットのイオン
衝撃は、このターゲット材料の原子または分子をスパッ
タさせるだけでなく、かなりの熱エネルギーをターゲッ
トに与える。この熱は、このターゲットと熱交換関係に
ある受け板の下または周りで消散する。このターゲット
は、陰極組立体の一部を形成し、陽極と共に、不活性ガ
ス、好ましくはアルゴンで満たした排気室の中に置かれ
る。高圧電界をこの陰極と陽極に掛ける。この不活性ガ
スが陰極から放出された電子との衝突によってイオン化
される。正に帯電したガスイオンが陰極に吸引され、タ
ーゲット面と衝突すると、これらのイオンは、ターゲッ
ト材料を追出す。追出されたターゲット材料は、排気さ
れたエンクロージャを横切り、通常陽極近くに位置する
所望の基板上に薄膜として被着する。
【０００３】電界の使用に加えて、この電界に重ね且つ
このターゲットの表面上に閉ループ形状に作った、アー
チ形磁界を同時に使用することによってスパッタリング
速度の増加を達成している。これらの方法は、マグネト
ロンスパッタリング法として知られている。このアーチ
形磁界が電子をターゲット表面に隣接する環状領域に閉
込め、それによって、ターゲット材料を追出すためにタ
ーゲット衝突領域の正ガスイオンの数を増すための区域
で電子・ガス原子衝突の数を増す。従って、このターゲ
ット材料は、ターゲットレースウェイとして知られる、
ターゲット面の一般的に環状部で侵食されるようにな
る。
このターゲットの表面上に閉ループ形状に作った、アー
チ形磁界を同時に使用することによってスパッタリング
速度の増加を達成している。これらの方法は、マグネト
ロンスパッタリング法として知られている。このアーチ
形磁界が電子をターゲット表面に隣接する環状領域に閉
込め、それによって、ターゲット材料を追出すためにタ
ーゲット衝突領域の正ガスイオンの数を増すための区域
で電子・ガス原子衝突の数を増す。従って、このターゲ
ット材料は、ターゲットレースウェイとして知られる、
ターゲット面の一般的に環状部で侵食されるようにな
る。
【０００４】従来のターゲット陰極組立体では、ターゲ
ットを非磁性受け板に単一接合面で取付けてこの組立体
内に平行境界面を作る。この受け板は、スパッタリング
室でターゲット組立体を保持するための手段を提供する
ため、およびこのターゲット組立体に構造安定性をもた
らすために使用する。また、この受け板は、ターゲット
のイオン衝撃によって発生した熱を運び去るために通常
水冷式である。磁石は、典型的には受け板の下に都合良
く定めた位置に配置して、ターゲットの露出面の周りに
伸びるループまたはトンネルの形をした上記の磁界を作
る。ターゲットと受け板の間の熱的および電気的接触を
良くするために、これらの部材を普通、半田付け、ろう
付け、拡散接合、機械的締結またはエポキシ樹脂接着を
使って互いに取付ける。
ットを非磁性受け板に単一接合面で取付けてこの組立体
内に平行境界面を作る。この受け板は、スパッタリング
室でターゲット組立体を保持するための手段を提供する
ため、およびこのターゲット組立体に構造安定性をもた
らすために使用する。また、この受け板は、ターゲット
のイオン衝撃によって発生した熱を運び去るために通常
水冷式である。磁石は、典型的には受け板の下に都合良
く定めた位置に配置して、ターゲットの露出面の周りに
伸びるループまたはトンネルの形をした上記の磁界を作
る。ターゲットと受け板の間の熱的および電気的接触を
良くするために、これらの部材を普通、半田付け、ろう
付け、拡散接合、機械的締結またはエポキシ樹脂接着を
使って互いに取付ける。
【０００５】ある程度、軟質半田は、冷却すると起る、
ターゲット／受け板組立体に加わる応力に適応できる。
しかし、熱膨脹率が広範囲に異なる材料の半田接合は、
この半田がその用途に弱過ぎるときに、接合境界面の縁
に始る剪断破壊を受け易い。普通経験する結果は、使用
中の剥離である。一つ以上の半田濡れしない材料を半田
付けによって接合する問題を克服するためには、金属に
よるプレコーティングを使って半田付け性を向上する。
これらのコーティングは、電気めっき、スパッタリング
またはその他の従来の方法によって付けてもよい。半田
濡れおよび半田付けが困難なターゲットおよび受け板材
料に付けるこの中間コーティングの必要性は、付けたコ
ーティングの密着信頼性およびコーティングを付けると
いうかなりの付加コストを含む問題を起す。更に、“軟
質”半田に関連する比較的低い接合温度がスパッタリン
グ中にターゲットが作動できる温度範囲を減少する。
ターゲット／受け板組立体に加わる応力に適応できる。
しかし、熱膨脹率が広範囲に異なる材料の半田接合は、
この半田がその用途に弱過ぎるときに、接合境界面の縁
に始る剪断破壊を受け易い。普通経験する結果は、使用
中の剥離である。一つ以上の半田濡れしない材料を半田
付けによって接合する問題を克服するためには、金属に
よるプレコーティングを使って半田付け性を向上する。
これらのコーティングは、電気めっき、スパッタリング
またはその他の従来の方法によって付けてもよい。半田
濡れおよび半田付けが困難なターゲットおよび受け板材
料に付けるこの中間コーティングの必要性は、付けたコ
ーティングの密着信頼性およびコーティングを付けると
いうかなりの付加コストを含む問題を起す。更に、“軟
質”半田に関連する比較的低い接合温度がスパッタリン
グ中にターゲットが作動できる温度範囲を減少する。
【０００６】高出力用途に使用する高溶融温度半田は、
強いがこの材料システムに発生した応力を遙かに許容し
難い。大きなサイズのターゲットは、接合表面全体に亘
り丈夫な接合を作る困難が大きいことは勿論、大きな応
力問題を生じる。スパッタリングターゲットのサイズお
よび所要電力量が増すと、軟質半田は、関係する材料シ
ステムの接合に適用し難くなる。
強いがこの材料システムに発生した応力を遙かに許容し
難い。大きなサイズのターゲットは、接合表面全体に亘
り丈夫な接合を作る困難が大きいことは勿論、大きな応
力問題を生じる。スパッタリングターゲットのサイズお
よび所要電力量が増すと、軟質半田は、関係する材料シ
ステムの接合に適用し難くなる。
【０００７】滑面拡散接合は、接合の適用可能な方法で
あるが、スパッタリングターゲット部品の接合には限ら
れた使用しかされていない。この接合は、熱を加えなが
ら材料表面を密着するように加圧してこの接合境界面を
横切って種々の程度に冶金的接合および拡散を誘起する
ことによって行われる。接合補助である、より容易に接
合する金属組合せを時々接合すべき表面の片方または両
方に付ける。そのようなコーティングは、電気めっき、
無電解めっき、スパッタリング、蒸着または付着性金属
膜を被着するために使用できるその他の手法によって付
けてもよい。接合すべき材料の何れかにより容易に接合
する能力を有する金属箔を接合部材の間に組込むことも
可能である。接合すべき表面は、接合を妨げる酸化物ま
たはそれらの化学膜を除去するために化学的またはその
他の方法によって準備する。
あるが、スパッタリングターゲット部品の接合には限ら
れた使用しかされていない。この接合は、熱を加えなが
ら材料表面を密着するように加圧してこの接合境界面を
横切って種々の程度に冶金的接合および拡散を誘起する
ことによって行われる。接合補助である、より容易に接
合する金属組合せを時々接合すべき表面の片方または両
方に付ける。そのようなコーティングは、電気めっき、
無電解めっき、スパッタリング、蒸着または付着性金属
膜を被着するために使用できるその他の手法によって付
けてもよい。接合すべき材料の何れかにより容易に接合
する能力を有する金属箔を接合部材の間に組込むことも
可能である。接合すべき表面は、接合を妨げる酸化物ま
たはそれらの化学膜を除去するために化学的またはその
他の方法によって準備する。
【０００８】滑面拡散接合は、確実な接合品質を保証す
るために、接合作業前および接合作業中に表面を清浄性
を常に維持するために極度の注意を必要とする。拡散接
合境界面が平面であるので、それらは単純剪断の応力を
受けがちであり、それが普通この接合領域の端での剥離
に繋がる。この接合境界面での脆い合金の形成は、関連
する長時間の熱露出と共に厚さを増し、接合剪断破壊の
可能性を増す。米国特許第５，２３０，４５９号に記載
されているような接合の付加的手法は、固体状態で接合
すべき部品の一つの表面に機械加工した溝を設けるとい
う予備接合工程を含む。この態様は、加熱加圧中に関連
する部品の接合表面の破壊を生ずる。強度または硬度の
大きい材料は、通常溝を設けて、接合中、それが柔らか
い部材に入り込み、この柔らかい金属がこれらの溝を実
質的に満たすようにする。
るために、接合作業前および接合作業中に表面を清浄性
を常に維持するために極度の注意を必要とする。拡散接
合境界面が平面であるので、それらは単純剪断の応力を
受けがちであり、それが普通この接合領域の端での剥離
に繋がる。この接合境界面での脆い合金の形成は、関連
する長時間の熱露出と共に厚さを増し、接合剪断破壊の
可能性を増す。米国特許第５，２３０，４５９号に記載
されているような接合の付加的手法は、固体状態で接合
すべき部品の一つの表面に機械加工した溝を設けるとい
う予備接合工程を含む。この態様は、加熱加圧中に関連
する部品の接合表面の破壊を生ずる。強度または硬度の
大きい材料は、通常溝を設けて、接合中、それが柔らか
い部材に入り込み、この柔らかい金属がこれらの溝を実
質的に満たすようにする。
【０００９】溝接合は、多くに異種材料を接合するため
に適用可能であるが、このプロセスは低い融点合金の溶
融温度付近で起らねばならないので、異なる溶融温度を
有する材料に限られる。これは、この手法を類似の金属
に使用することを排除する。これらの溝の鋸歯性が応力
集中装置として作用し、これらの合金に接合付近の早期
亀裂を促進するかも知れないということも有り得る。更
に、これらの溝の機械加工は、時間の掛る作業である。
に適用可能であるが、このプロセスは低い融点合金の溶
融温度付近で起らねばならないので、異なる溶融温度を
有する材料に限られる。これは、この手法を類似の金属
に使用することを排除する。これらの溝の鋸歯性が応力
集中装置として作用し、これらの合金に接合付近の早期
亀裂を促進するかも知れないということも有り得る。更
に、これらの溝の機械加工は、時間の掛る作業である。
【００１０】ここにその全てを参考までに援用する、米
国特許第５，８３６，５０６号に、スパッタターゲット
および／または受け板の接合面に粗面処理を行い、続い
て固体状態接合を行う方法が開示されている。この粗面
処理は、この表面処理がない場合に９９％の表面しか接
合しないのに比べて１００％の表面接合をもたらす。こ
の処理は、更に非処理滑面から作った接合の引張り強度
の２倍以上の接合をもたらす。
国特許第５，８３６，５０６号に、スパッタターゲット
および／または受け板の接合面に粗面処理を行い、続い
て固体状態接合を行う方法が開示されている。この粗面
処理は、この表面処理がない場合に９９％の表面しか接
合しないのに比べて１００％の表面接合をもたらす。こ
の処理は、更に非処理滑面から作った接合の引張り強度
の２倍以上の接合をもたらす。
【００１１】上記接合プロセスの各々では、種々の程度
の高温を加えてターゲットと受け板の間に接合を作る。
それで、これらのプロセスの各々では、金属の高温への
長期露出が結晶粒の成長を生ずるので、ターゲットおよ
び受け板材料の微細構造に変化が起りそうである。この
技術分野では、スパッタリング効率の増進および薄膜品
質の改善に繋がるある微細構造を達成するようにスパッ
タターゲットのブランクを処理するために長足の進歩を
遂げた。このスパッタターゲットに所望の微細構造を得
てから、それは、このターゲットを受け板に取付けるた
めの高温接合法によって変えられる危険にさらされる。
の高温を加えてターゲットと受け板の間に接合を作る。
それで、これらのプロセスの各々では、金属の高温への
長期露出が結晶粒の成長を生ずるので、ターゲットおよ
び受け板材料の微細構造に変化が起りそうである。この
技術分野では、スパッタリング効率の増進および薄膜品
質の改善に繋がるある微細構造を達成するようにスパッ
タターゲットのブランクを処理するために長足の進歩を
遂げた。このスパッタターゲットに所望の微細構造を得
てから、それは、このターゲットを受け板に取付けるた
めの高温接合法によって変えられる危険にさらされる。
【００１２】更に、上記のどの接合法を使うかに関係な
く、従来のターゲット陰極組立体は、業界が使用し且つ
理解するこの組立体の全体の標準寸法に従うために使え
るターゲット材料の厚さに関して制限される。このター
ゲットのスパッタ面に垂直に測った厚さプラス受け板の
厚さ、およびこの受け板の周辺の、このターゲットのそ
れと同じ方向に測った、厚さが業界で決められている。
スパッタターゲットの厚さの増加は、組立体全体の厚さ
を大きくし過ぎる。薄いターゲットは、スパッタリング
用に少しの材料しか提供せず、従って、頻繁に交換しな
ければならない。業界で受入れられる寸法を変えること
なく大きなターゲット厚さを達成するための努力は、費
用が掛り、効果がないことが分った。例えば、受け板と
ターゲットがターゲット材料だけから作った一体構成で
もよい。これは、スパッタリング用により多くのターゲ
ット材料を利用できるようにし、それがターゲットを交
換しなければならない頻度を下げる。しかし、このター
ゲット材料は、一般的に高価である。それで材料コスト
の観点から、受け板を高価でない材料で作った二体構成
を提供することが好ましい。
く、従来のターゲット陰極組立体は、業界が使用し且つ
理解するこの組立体の全体の標準寸法に従うために使え
るターゲット材料の厚さに関して制限される。このター
ゲットのスパッタ面に垂直に測った厚さプラス受け板の
厚さ、およびこの受け板の周辺の、このターゲットのそ
れと同じ方向に測った、厚さが業界で決められている。
スパッタターゲットの厚さの増加は、組立体全体の厚さ
を大きくし過ぎる。薄いターゲットは、スパッタリング
用に少しの材料しか提供せず、従って、頻繁に交換しな
ければならない。業界で受入れられる寸法を変えること
なく大きなターゲット厚さを達成するための努力は、費
用が掛り、効果がないことが分った。例えば、受け板と
ターゲットがターゲット材料だけから作った一体構成で
もよい。これは、スパッタリング用により多くのターゲ
ット材料を利用できるようにし、それがターゲットを交
換しなければならない頻度を下げる。しかし、このター
ゲット材料は、一般的に高価である。それで材料コスト
の観点から、受け板を高価でない材料で作った二体構成
を提供することが好ましい。
【００１３】米国特許第５，８３６，５０６号の一部継
続出願である、特許出願第０９／１７２，３１１号で
は、粗面処理をスパッタターゲットの側面および底面に
適用し、続いて受け板に作ったくぼみ内へのターゲット
の固体状態接合、特に高温平衡圧縮を行う。ターゲット
を受け板に埋込むことによって、この方法は、業界標準
が要求するターゲット／受け板組立体の固定寸法を変え
ることなくターゲット厚さの増加を可能にする。しか
し、そうするために、それは、この組立体材料の微細構
造を変えるに十分な時間高温を加える。
続出願である、特許出願第０９／１７２，３１１号で
は、粗面処理をスパッタターゲットの側面および底面に
適用し、続いて受け板に作ったくぼみ内へのターゲット
の固体状態接合、特に高温平衡圧縮を行う。ターゲット
を受け板に埋込むことによって、この方法は、業界標準
が要求するターゲット／受け板組立体の固定寸法を変え
ることなくターゲット厚さの増加を可能にする。しか
し、そうするために、それは、この組立体材料の微細構
造を変えるに十分な時間高温を加える。
【００１４】それで、従来の処理によって得られるスパ
ッタターゲットの微細構造特性を損うことなく、スパッ
タターゲットと受け板の間に高強度の接合を創る方法を
開発することが望ましい。ターゲット／受け板組立体に
対する全体の標準寸法内で更にターゲットの厚さの増加
を可能にする、そのような接合法を創ることが更に望ま
しい。
ッタターゲットの微細構造特性を損うことなく、スパッ
タターゲットと受け板の間に高強度の接合を創る方法を
開発することが望ましい。ターゲット／受け板組立体に
対する全体の標準寸法内で更にターゲットの厚さの増加
を可能にする、そのような接合法を創ることが更に望ま
しい。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】スパッタターゲットと
受け板を含む材料の微細構造および特性を実質的に変え
ることなく、このスパッタターゲットと受け板の間に強
い接合を作る、接合したスパッタターゲット／受け板組
立体を作る方法を提供する。
受け板を含む材料の微細構造および特性を実質的に変え
ることなく、このスパッタターゲットと受け板の間に強
い接合を作る、接合したスパッタターゲット／受け板組
立体を作る方法を提供する。
【００１６】
【課題を解決するための手段】このため、および本発明
の原理によれば、スパッタターゲットおよび受け板を互
いに近接して配置し、このスパッタターゲットと受け板
の間の境界面に原子接合を作るために一つ以上の制御し
た爆発によってこのスパッタターゲットおよび／または
受け板を互いの方に加速することによって爆着する。次
に、このスパッタターゲットおよび受け板の非接合面を
機械加工して最終組立体寸法を達成する。
の原理によれば、スパッタターゲットおよび受け板を互
いに近接して配置し、このスパッタターゲットと受け板
の間の境界面に原子接合を作るために一つ以上の制御し
た爆発によってこのスパッタターゲットおよび／または
受け板を互いの方に加速することによって爆着する。次
に、このスパッタターゲットおよび受け板の非接合面を
機械加工して最終組立体寸法を達成する。
【００１７】
【発明の実施の形態】このターゲット直径と受け板直径
が等しい場合、このスパッタターゲット／受け板組立体
を被着室に固定するために、接合後このターゲットの外
側部を削り取って底フランジ部を作る。このターゲット
は、このフランジが受け板材料だけから成るように、こ
の外側部を接合境界面までずっと削り取ってもよく、ま
たは代替実施例では、この底フランジ部が一部スパッタ
ターゲットと一部この接合境界面によって分離された受
け板材料から成るように、このスパッタターゲットを接
合境界面の上の深さまで削り取ってもよい。この後者の
場合、ターゲットの厚さを効果的に増すことによって、
このスパッタターゲットの有効寿命を延し、それによっ
てまだ全体の標準寸法を維持しながら長寿命のスパッタ
ターゲット／受け板組立体を提供する。
が等しい場合、このスパッタターゲット／受け板組立体
を被着室に固定するために、接合後このターゲットの外
側部を削り取って底フランジ部を作る。このターゲット
は、このフランジが受け板材料だけから成るように、こ
の外側部を接合境界面までずっと削り取ってもよく、ま
たは代替実施例では、この底フランジ部が一部スパッタ
ターゲットと一部この接合境界面によって分離された受
け板材料から成るように、このスパッタターゲットを接
合境界面の上の深さまで削り取ってもよい。この後者の
場合、ターゲットの厚さを効果的に増すことによって、
このスパッタターゲットの有効寿命を延し、それによっ
てまだ全体の標準寸法を維持しながら長寿命のスパッタ
ターゲット／受け板組立体を提供する。
【００１８】受け板に接合すべきスパッタターゲットの
直径がこの受け板より小さい場合、このスパッタターゲ
ットの周りにリングを置き、このスパッタターゲットの
接合面プラスリングが受け板の接合面に等しくなるよう
にしてもよい。爆着後、この組立体を被着室内に固定す
るために、このリングを削り取って受け板材料から成る
底フランジ部を残すことができる。
直径がこの受け板より小さい場合、このスパッタターゲ
ットの周りにリングを置き、このスパッタターゲットの
接合面プラスリングが受け板の接合面に等しくなるよう
にしてもよい。爆着後、この組立体を被着室内に固定す
るために、このリングを削り取って受け板材料から成る
底フランジ部を残すことができる。
【００１９】
【発明の効果】この様にして、スパッタターゲットを受
け板に接合する方法で、接合すべき材料の微細構造に
も、それらの冶金的および機械的性質にも実質的に影響
することなく強い原子接合が作れ、ある場合にはこのス
パッタターゲットの寿命を延せる接合方法を提供する。
け板に接合する方法で、接合すべき材料の微細構造に
も、それらの冶金的および機械的性質にも実質的に影響
することなく強い原子接合が作れ、ある場合にはこのス
パッタターゲットの寿命を延せる接合方法を提供する。
【００２０】本発明のこれらおよびその他の目的および
利点は、添付の図面およびその説明からより明白となろ
う。この明細書に組込まれ、その一部を構成する添付の
図面は、この発明の実施例を示し、上記のこの発明の一
般的説明、および以下の詳細な説明と共に、この発明の
原理を説明する役に立つ。
利点は、添付の図面およびその説明からより明白となろ
う。この明細書に組込まれ、その一部を構成する添付の
図面は、この発明の実施例を示し、上記のこの発明の一
般的説明、および以下の詳細な説明と共に、この発明の
原理を説明する役に立つ。
【００２１】
【実施例】本発明の原理によれば、スパッタターゲット
を受け板に爆着してこのスパッタターゲットのおよびこ
の受け板の従来の微細構造を変えることなく強い原子接
合を作ることによって、接合したスパッタターゲット／
受け板組立体を作る。本発明の更なる原理によれば、爆
着の原理に関連して長寿命のスパッタターゲット／受け
板組立体ができる。
を受け板に爆着してこのスパッタターゲットのおよびこ
の受け板の従来の微細構造を変えることなく強い原子接
合を作ることによって、接合したスパッタターゲット／
受け板組立体を作る。本発明の更なる原理によれば、爆
着の原理に関連して長寿命のスパッタターゲット／受け
板組立体ができる。
【００２２】図１を参照して、スパッタターゲットのブ
ランク１０を受け板１２に爆着してもよい。このため、
ターゲットブランク１０の底接合面１４を受け板１２の
上接合面１６に近接して配置する。近接とは、面１４と
１６の間に小さい隔離スペース１８があることを意味す
る。細い金属線および発泡ブロックのような、隔離装置
１９を使ってこの隔離スペースを創り、次にそれらを接
合中にこのシステムから容易に排出する。底接合面１４
と上接合面１６が一緒にスパッタターゲットのブランク
１０と受け板１２のための接合境界面２０を形成する。
この接合境界面２０に原子接合を創るためには、面１４
および１６の少なくとも一つを他の方へ加速するために
一つ以上の制御した爆発を起す。これは、爆薬２２、一
般的には箱または枠構造に入った粒状または液体爆発物
をスパッタターゲット１０の上、受け板１２の下、また
は両方に置くことによって達成する。
ランク１０を受け板１２に爆着してもよい。このため、
ターゲットブランク１０の底接合面１４を受け板１２の
上接合面１６に近接して配置する。近接とは、面１４と
１６の間に小さい隔離スペース１８があることを意味す
る。細い金属線および発泡ブロックのような、隔離装置
１９を使ってこの隔離スペースを創り、次にそれらを接
合中にこのシステムから容易に排出する。底接合面１４
と上接合面１６が一緒にスパッタターゲットのブランク
１０と受け板１２のための接合境界面２０を形成する。
この接合境界面２０に原子接合を創るためには、面１４
および１６の少なくとも一つを他の方へ加速するために
一つ以上の制御した爆発を起す。これは、爆薬２２、一
般的には箱または枠構造に入った粒状または液体爆発物
をスパッタターゲット１０の上、受け板１２の下、また
は両方に置くことによって達成する。
【００２３】図２および図３の拡大図は、爆着プロセス
の実施例が起っているときを示す。ターゲット１０の上
の爆薬２２の漸進的爆発が、ターゲット１０の一つの側
から他へ、矢印で示すように起り、爆発生成物２４、例
えば、膨張ガスによって発生した力がターゲット面１４
を受け板の面１６の方へ加速して接合境界面２０を創
る。それによってプラズマジェット２６がターゲット１
０と受け板１２の間にでき、それが隔離装置１９をこの
システムから排出する。
の実施例が起っているときを示す。ターゲット１０の上
の爆薬２２の漸進的爆発が、ターゲット１０の一つの側
から他へ、矢印で示すように起り、爆発生成物２４、例
えば、膨張ガスによって発生した力がターゲット面１４
を受け板の面１６の方へ加速して接合境界面２０を創
る。それによってプラズマジェット２６がターゲット１
０と受け板１２の間にでき、それが隔離装置１９をこの
システムから排出する。
【００２４】爆着に必要な爆発範囲は、大抵の商業的に
製造した爆薬に必要なもの以下である。適切な爆発特性
をアマトール、ダイナマイトまたはＮＣＮのような産業
爆薬の一つまたは組合せによって達成できる。この接合
プロセスによって発生する騒音および振動のために、こ
の作業は、地理的遠隔地で、坑道若しくは掩蔽壕の中、
または爆破室若しくは真空室の中で行ってもよい。
製造した爆薬に必要なもの以下である。適切な爆発特性
をアマトール、ダイナマイトまたはＮＣＮのような産業
爆薬の一つまたは組合せによって達成できる。この接合
プロセスによって発生する騒音および振動のために、こ
の作業は、地理的遠隔地で、坑道若しくは掩蔽壕の中、
または爆破室若しくは真空室の中で行ってもよい。
【００２５】爆発が完了してから、接合したスパッタタ
ーゲット／受け板組立体３０は、図４に示すように存在
し、スパッタターゲット１０が受け板１２に境界面２０
で接合されている。この接合境界面２０は、この爆着プ
ロセスの結果として波状形態を有する。強い原子／冶金
的接合がスパッタターゲット１０と受け板１２の間にで
きるが、この波状接合境界面２０に特有の局部変形を除
いて、このスパッタターゲットまたは受け板材料の冶金
的性質の変化は生じない。この爆着プロセスは、非高温
で起り、それでこのプロセスから発生する熱は、構成受
けおよびターゲット金属に熱伝達するには不十分な時間
しか発生せず、従って、この受けおよびターゲット金属
に結晶粒の成長を生ずる程の温度上昇はない。
ーゲット／受け板組立体３０は、図４に示すように存在
し、スパッタターゲット１０が受け板１２に境界面２０
で接合されている。この接合境界面２０は、この爆着プ
ロセスの結果として波状形態を有する。強い原子／冶金
的接合がスパッタターゲット１０と受け板１２の間にで
きるが、この波状接合境界面２０に特有の局部変形を除
いて、このスパッタターゲットまたは受け板材料の冶金
的性質の変化は生じない。この爆着プロセスは、非高温
で起り、それでこのプロセスから発生する熱は、構成受
けおよびターゲット金属に熱伝達するには不十分な時間
しか発生せず、従って、この受けおよびターゲット金属
に結晶粒の成長を生ずる程の温度上昇はない。
【００２６】図５を参照して、スパッタターゲットのブ
ランク１０が受け板１２より直径が小さい代替実施例を
提供する。爆着工程中、スパッタターゲットのブランク
１０が受け板１２より小さいところで、受け板１２の露
出した上面への損傷を被るかも知れない。それで、この
実施例では、スパッタターゲット１０の周りにリング３
２を置き、底接合面１４の直径を受け板１２の上接合面
１６のそれと一致するように効果的に増加する。そこで
このターゲットブランク１０プラスリング３２を受け板
１２の上接合面１６に近接して配置し、爆発物２２を上
記のように爆発させて、図６に示すような、接合したタ
ーゲット／受け板組立体３４を作る。
ランク１０が受け板１２より直径が小さい代替実施例を
提供する。爆着工程中、スパッタターゲットのブランク
１０が受け板１２より小さいところで、受け板１２の露
出した上面への損傷を被るかも知れない。それで、この
実施例では、スパッタターゲット１０の周りにリング３
２を置き、底接合面１４の直径を受け板１２の上接合面
１６のそれと一致するように効果的に増加する。そこで
このターゲットブランク１０プラスリング３２を受け板
１２の上接合面１６に近接して配置し、爆発物２２を上
記のように爆発させて、図６に示すような、接合したタ
ーゲット／受け板組立体３４を作る。
【００２７】この爆着工程後、接合したスパッタターゲ
ット／受け板組立体３０または３４は、スパッタ被着室
（図示せず）に挿入するために図７に示すような最終寸
法に機械加工しなければならない。この接合し且つ機械
加工した組立体３６を形成することは、典型的には、図
７に仮想線で示すように、スパッタターゲットブランク
１０の一部をその上面３８から削り取ってスパッタ面３
９を作り、およびやはり図７に仮想線で示すように、受
け板１２の一部をその底面４０から削り取って機械加工
した底面４１を作ることを伴う。このスパッタ面３９か
ら受け板１２の機械加工した底面４１までの厚さＴは、
業界標準によって決められた固定寸法である。最終寸法
へのこの機械加工は、更にこの接合し且つ機械加工した
組立体３６を、例えば、クランプまたはねじ締結によっ
て、スパッタ被着室に逆さにした位置で固定できるよう
にするための周辺底フランジ４２を形成することを含
む。図７で、この周辺底フランジ４２は、スパッタター
ゲットの直径が受け板直径に等しい図４の場合のよう
に、スパッタターゲットブランク１０の側縁から外部を
削り取るか、またはスパッタターゲットの直径が受け板
直径より小さい図６の場合のように、リング３２を削り
取るかしてフランジを形成するように露出した受け板１
２の外縁部から成る。どちらの実施例でも、フランジ４
２の形成は、接合境界面２０の位置を定めるために精密
機械加工が必要である。フランジ４２の高さＨも業界標
準によって決められた固定寸法である。図７に示し且つ
説明する実施例は、本発明では構成材料の微細構造に影
響することなく組立部品間に高度に強い接合が出来るこ
とを除いて、受け板の外部がフランジとして役立つ従来
技術のスパッタターゲット／受け板組立体に構成が類似
する。
ット／受け板組立体３０または３４は、スパッタ被着室
（図示せず）に挿入するために図７に示すような最終寸
法に機械加工しなければならない。この接合し且つ機械
加工した組立体３６を形成することは、典型的には、図
７に仮想線で示すように、スパッタターゲットブランク
１０の一部をその上面３８から削り取ってスパッタ面３
９を作り、およびやはり図７に仮想線で示すように、受
け板１２の一部をその底面４０から削り取って機械加工
した底面４１を作ることを伴う。このスパッタ面３９か
ら受け板１２の機械加工した底面４１までの厚さＴは、
業界標準によって決められた固定寸法である。最終寸法
へのこの機械加工は、更にこの接合し且つ機械加工した
組立体３６を、例えば、クランプまたはねじ締結によっ
て、スパッタ被着室に逆さにした位置で固定できるよう
にするための周辺底フランジ４２を形成することを含
む。図７で、この周辺底フランジ４２は、スパッタター
ゲットの直径が受け板直径に等しい図４の場合のよう
に、スパッタターゲットブランク１０の側縁から外部を
削り取るか、またはスパッタターゲットの直径が受け板
直径より小さい図６の場合のように、リング３２を削り
取るかしてフランジを形成するように露出した受け板１
２の外縁部から成る。どちらの実施例でも、フランジ４
２の形成は、接合境界面２０の位置を定めるために精密
機械加工が必要である。フランジ４２の高さＨも業界標
準によって決められた固定寸法である。図７に示し且つ
説明する実施例は、本発明では構成材料の微細構造に影
響することなく組立部品間に高度に強い接合が出来るこ
とを除いて、受け板の外部がフランジとして役立つ従来
技術のスパッタターゲット／受け板組立体に構成が類似
する。
【００２８】図８を参照すると、図７の接合し且つ機械
加工した組立体３６の拡大図が示されている。本発明の
爆着法は、波の振幅Ａが標準ターゲット／受け板組立体
で約１．０〜１．５ｍｍである波状接合境界面２０を創
る。この被着プロセス中、このターゲットをずっとスパ
ッタし、即ち、このターゲット１０を通り受け板１２ま
で達する孔をスパッタするのは好ましくない。典型的タ
ーゲット／受け板組立体では、このターゲットを典型的
には、仮想線で示す、水平接合境界面４６、またはこの
受け板に突抜ける前のこの境界面４６の直ぐ上の深さま
でスパッタしてもよい。図８の拡大図に示す組立体３６
のような、本発明の爆着組立体では、ターゲットをスパ
ッタしてもよい深さＤは、波状接合境界面２０の振幅Ａ
によって制限される。それで、爆着したスパッタターゲ
ット／受け板組立体で、ターゲット１０をスパッタして
もよい最大深さＤは、この受け板１２に突抜ける前の、
この波の上面４８、またはその直ぐ上までである。図８
に仮想線で示すような、水平型接合境界面に比べて、使
用可能なターゲット材料のほぼこの波の振幅Ａに等しい
量が強い原子接合を達成し且つこのターゲットおよび受
け板材料の微細構造を維持するために喪失することが明
白である。
加工した組立体３６の拡大図が示されている。本発明の
爆着法は、波の振幅Ａが標準ターゲット／受け板組立体
で約１．０〜１．５ｍｍである波状接合境界面２０を創
る。この被着プロセス中、このターゲットをずっとスパ
ッタし、即ち、このターゲット１０を通り受け板１２ま
で達する孔をスパッタするのは好ましくない。典型的タ
ーゲット／受け板組立体では、このターゲットを典型的
には、仮想線で示す、水平接合境界面４６、またはこの
受け板に突抜ける前のこの境界面４６の直ぐ上の深さま
でスパッタしてもよい。図８の拡大図に示す組立体３６
のような、本発明の爆着組立体では、ターゲットをスパ
ッタしてもよい深さＤは、波状接合境界面２０の振幅Ａ
によって制限される。それで、爆着したスパッタターゲ
ット／受け板組立体で、ターゲット１０をスパッタして
もよい最大深さＤは、この受け板１２に突抜ける前の、
この波の上面４８、またはその直ぐ上までである。図８
に仮想線で示すような、水平型接合境界面に比べて、使
用可能なターゲット材料のほぼこの波の振幅Ａに等しい
量が強い原子接合を達成し且つこのターゲットおよび受
け板材料の微細構造を維持するために喪失することが明
白である。
【００２９】図９および図１０に示す、本発明の接合し
且つ機械加工した組立体５０の代替実施例では、図４の
ターゲット／受け板組立体３０を機械加工する際に、受
け板１２の大部分をこの受け板１２の底４０（仮想線で
示す）から除去して機械加工した底面４１を作り、一部
をターゲット１０の上面３８からも除去してスパッタ面
３９を作る。その上、ターゲットブランク１０の側縁か
ら外側部を除去して、スパッタターゲット材料の上部５
４および接合境界面２０によって分離された受け板材料
の底部５６から成る、高さＨの周辺底フランジ５２を創
る。このフランジ５２の高さＨは、図７のフランジ４２
の高さＨに等しく、それで両実施例が業界標準寸法に合
格する。図９、および図１０の拡大図に示すように、タ
ーゲット１０をスパッタしてもよい最大深さＤ’は、受
け板１２に突抜ける前の、境界面２０の波の上面４８、
またはこの波の直ぐ上までである。しかし、この最大深
さＤ’は、図１０で図８の実施例の最大深さＤより大き
い。それで、図９および図１０の実施例のターゲット１
０は、受け板材料に突抜ける前に大きい深さまで、従っ
て長期間スパッタできる。実際に、接合境界面２０がこ
の接合し且つ機械加工したターゲット／受け板組立体５
０で下方に動かされ、本質的に長期間スパッタできる厚
いターゲット１０を創る。それで接合境界面２０をこの
組立体５０の底の方へ動かすことによって、長寿命スパ
ッタターゲット／受け板組立体ができる。この実施例
は、まだこの組立体の一部に安価な受け板材料の使用を
可能にしながら、業界標準寸法に合格する。
且つ機械加工した組立体５０の代替実施例では、図４の
ターゲット／受け板組立体３０を機械加工する際に、受
け板１２の大部分をこの受け板１２の底４０（仮想線で
示す）から除去して機械加工した底面４１を作り、一部
をターゲット１０の上面３８からも除去してスパッタ面
３９を作る。その上、ターゲットブランク１０の側縁か
ら外側部を除去して、スパッタターゲット材料の上部５
４および接合境界面２０によって分離された受け板材料
の底部５６から成る、高さＨの周辺底フランジ５２を創
る。このフランジ５２の高さＨは、図７のフランジ４２
の高さＨに等しく、それで両実施例が業界標準寸法に合
格する。図９、および図１０の拡大図に示すように、タ
ーゲット１０をスパッタしてもよい最大深さＤ’は、受
け板１２に突抜ける前の、境界面２０の波の上面４８、
またはこの波の直ぐ上までである。しかし、この最大深
さＤ’は、図１０で図８の実施例の最大深さＤより大き
い。それで、図９および図１０の実施例のターゲット１
０は、受け板材料に突抜ける前に大きい深さまで、従っ
て長期間スパッタできる。実際に、接合境界面２０がこ
の接合し且つ機械加工したターゲット／受け板組立体５
０で下方に動かされ、本質的に長期間スパッタできる厚
いターゲット１０を創る。それで接合境界面２０をこの
組立体５０の底の方へ動かすことによって、長寿命スパ
ッタターゲット／受け板組立体ができる。この実施例
は、まだこの組立体の一部に安価な受け板材料の使用を
可能にしながら、業界標準寸法に合格する。
【００３０】本発明をその実施例の説明によって明らか
にし、この実施例をかなり詳しく説明したが、前記請求
項の範囲をそのような詳細に制限しまたは如何なる方法
でも限定することを意図しない。付加的利点および修正
は、当業者に容易に明白だろう。従って、この発明は、
その広い側面で、図示し且つ説明した特定の詳細、代表
的装置および方法並びに実施例に限定されない。それ
故、出願人の一般的発明概念の範囲または精神から逸脱
することなく、そのような詳細から逸脱することが可能
である。
にし、この実施例をかなり詳しく説明したが、前記請求
項の範囲をそのような詳細に制限しまたは如何なる方法
でも限定することを意図しない。付加的利点および修正
は、当業者に容易に明白だろう。従って、この発明は、
その広い側面で、図示し且つ説明した特定の詳細、代表
的装置および方法並びに実施例に限定されない。それ
故、出願人の一般的発明概念の範囲または精神から逸脱
することなく、そのような詳細から逸脱することが可能
である。
【図１】接合する前のスパッタターゲットおよび受け板
の第１実施例を描く概略断面図である。
の第１実施例を描く概略断面図である。
【図２】接合プロセス中のスパッタターゲットおよび受
け板を描く概略断面図である。
け板を描く概略断面図である。
【図３】図２の部分３の拡大図である。
【図４】第１実施例の接合したスパッタターゲット／受
け板組立体を描く概略断面図である。
け板組立体を描く概略断面図である。
【図５】接合する前のスパッタターゲットおよび受け板
の第２実施例を描く概略断面図である。
の第２実施例を描く概略断面図である。
【図６】第２実施例の接合したスパッタターゲット／受
け板組立体を描く概略断面図である。
け板組立体を描く概略断面図である。
【図７】最終寸法に機械加工した、第１実施例または第
２実施例の接合したスパッタターゲット／受け板組立体
を描く概略断面図である。
２実施例の接合したスパッタターゲット／受け板組立体
を描く概略断面図である。
【図８】図７の部分８の拡大図である。
【図９】最終寸法に機械加工した、第１実施例の長寿命
の接合したスパッタターゲット／受け板組立体を描く概
略断面図である。
の接合したスパッタターゲット／受け板組立体を描く概
略断面図である。
【図１０】図９の部分１０の拡大図である。
１０ スパッタターゲット １２ 受け板 １４ 底接合面 １６ 上接合面 ２０ 接合境界面 ３２ リング ３６ スパッタターゲット／受け板組立体 ４２ 周辺フランジ ５０ スパッタターゲット／受け板組立体 ５２ 周辺フランジ ５４ 上部 ５６ 底部 Ｈ フランジ厚さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ポール エス、ジルマン アメリカ合衆国 ニューヨーク、サッファ ーン、 マーゲット アン レーン ５ (72)発明者 ジャン ピエール ブランシュ フランス国 ベネルク、アブニュ ド ス − ロシュ 11
Claims (3)
- 【請求項１】 接合したスパッタターゲット／受け板組
立体（３６）を作る方法であって：上接合面（１６）を
有する受け板（１２）を用意する工程；受け板（１２）
の上接合面（１６）の直径より小さい直径の底接合面
（１４）を有するスパッタターゲット（１０）を用意す
る工程；上接合面（１６）の直径と等しくするため該底
接合面（１４）の直径を増すためにこのスパッタターゲ
ット（１０）の周りにリング（３２）を設ける工程；前
記スパッタターゲット（１０）およびこの受け板（１
２）の材料の微細構造および特性が実質的に変らないよ
うにするため接合境界面（２０）に原子接合を作るため
に少なくとも一つの制御した爆発によってこの上面（１
４）および底面（１４）の少なくともいずれかを互いの
方へ加速してこのスパッタターゲット（１０）およびリ
ング（３２）をこの受け板（１２）に爆着する工程、；
並びに前記接合したスパッタターゲット／受け板組立体
（３６）を被着室に固定するために前記受け板（１２）
から成る所定の厚さ（Ｈ）の周辺フランジ（４２）を作
るためにこのリング（３２）をこの接合境界面（２０）
まで削り取る工程を含む方法。 - 【請求項２】 接合したスパッタターゲット／受け板組
立体（５０）を作る方法であって：底接合面（１４）を
有するスパッタターゲット（１０）を用意する工程；こ
のスパッタターゲット（１０）の底接合面（１４）と直
径が等しい上接合面（１６）を有する受け板（１２）を
用意する工程；スパッタターゲット（１０）およびこの
受け板（１２）の材料の微細構造および特性が実質的に
変らないようにするため接合境界面（２０）に原子接合
を作るために少なくとも一つの制御した爆発によってこ
の上面（１４）および底面（１４）の少なくとも一つを
互いの方へ加速することによってこのスパッタターゲッ
ト（１０）をこの受け板（１２）に爆着する工程、；並
びにこの接合したスパッタターゲット／受け板組立体
（５０）を被着室に固定するためにこのスパッタターゲ
ット（１０）である上部（５４）とこの受け板（１２）
である底部（５６）から成り、この上部（５４）と底部
（５６）がこの接合境界面（２０）によって分離された
所定の厚さ（Ｈ）の周辺フランジ（５２）を作るために
このスパッタターゲット（１０）の外リング部をこの接
合境界面（２０）の上の深さまで削り取る工程を含む方
法。 - 【請求項３】 請求項２の方法に於いて、このスパッタ
ターゲット（１０）が：アルミニウム、チタン、タンタ
ル、タングステン、コバルト、ニッケル、銅およびそれ
らの合金から成るグループから選択した材料を含み、こ
の受け板（１２）が：アルミニウム、銅および金属マト
リックス複合材から成るグループから選択した材料を含
む方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US349285 | 1999-07-08 | ||
| US09/349,285 US6164519A (en) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | Method of bonding a sputtering target to a backing plate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001032065A true JP2001032065A (ja) | 2001-02-06 |
| JP4672834B2 JP4672834B2 (ja) | 2011-04-20 |
Family
ID=23371700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000204497A Expired - Lifetime JP4672834B2 (ja) | 1999-07-08 | 2000-07-06 | スパッタリングターゲットを受け板に接合する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6164519A (ja) |
| EP (1) | EP1067209B1 (ja) |
| JP (1) | JP4672834B2 (ja) |
| KR (1) | KR100678358B1 (ja) |
| DE (1) | DE60031915T2 (ja) |
| TW (1) | TW527428B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007502366A (ja) * | 2003-08-11 | 2007-02-08 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | ターゲット／バッキングプレート構造物、及びターゲット／バッキングプレート構造物の形成法 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6749103B1 (en) * | 1998-09-11 | 2004-06-15 | Tosoh Smd, Inc. | Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby |
| KR20010080499A (ko) | 1998-12-03 | 2001-08-22 | 추후제출 | 삽입체 타겟 조립체 및 그 제조 방법 |
| US6521108B1 (en) * | 1998-12-29 | 2003-02-18 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonded sputter target assembly and method of making same |
| US6774339B1 (en) | 1999-11-09 | 2004-08-10 | Tosoh Smd, Inc. | Hermetic sealing of target/backing plate assemblies using electron beam melted indium or tin |
| WO2001034339A1 (en) * | 1999-11-09 | 2001-05-17 | Tosoh Smd, Inc. | Hermetic sealing of target/backing plate assemblies using electron beam melted indium or tin |
| US6780794B2 (en) * | 2000-01-20 | 2004-08-24 | Honeywell International Inc. | Methods of bonding physical vapor deposition target materials to backing plate materials |
| US6698647B1 (en) | 2000-03-10 | 2004-03-02 | Honeywell International Inc. | Aluminum-comprising target/backing plate structures |
| US6619537B1 (en) * | 2000-06-12 | 2003-09-16 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of copper sputtering targets to backing plates using nickel alloy interlayers |
| KR20040015195A (ko) * | 2001-04-26 | 2004-02-18 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 몰리브덴과 알루미늄을 함유한 어셈블리 및타겟/백플레이트 어셈블리 형성 시에 중간층 이용방법 |
| US20020162741A1 (en) * | 2001-05-01 | 2002-11-07 | Applied Materials, Inc. | Multi-material target backing plate |
| US6708870B2 (en) * | 2002-05-24 | 2004-03-23 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method for forming sputter target assemblies |
| WO2003106733A1 (en) * | 2002-06-14 | 2003-12-24 | Tosoh Smd, Inc. | Target and method of diffusion bonding target to backing plate |
| US6848608B2 (en) * | 2002-10-01 | 2005-02-01 | Cabot Corporation | Method of bonding sputtering target materials |
| US6921470B2 (en) * | 2003-02-13 | 2005-07-26 | Cabot Corporation | Method of forming metal blanks for sputtering targets |
| TW200506080A (en) * | 2003-02-25 | 2005-02-16 | Cabot Corp | Method of forming sputtering target assembly and assemblies made therefrom |
| US20050061857A1 (en) * | 2003-09-24 | 2005-03-24 | Hunt Thomas J. | Method for bonding a sputter target to a backing plate and the assembly thereof |
| US7431195B2 (en) * | 2003-09-26 | 2008-10-07 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method for centering a sputter target onto a backing plate and the assembly thereof |
| US20050236270A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Heraeus, Inc. | Controlled cooling of sputter targets |
| KR100620213B1 (ko) * | 2005-05-31 | 2006-09-06 | 어플라이드 사이언스(주) | 스퍼터링 타겟의 솔더 본딩 방법 |
| US7708868B2 (en) * | 2005-07-08 | 2010-05-04 | Tosoh Smd, Inc. | Variable thickness plate for forming variable wall thickness physical vapor deposition target |
| US7815782B2 (en) * | 2006-06-23 | 2010-10-19 | Applied Materials, Inc. | PVD target |
| US8992747B2 (en) * | 2010-03-12 | 2015-03-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for improved darkspace gap design in RF sputtering chamber |
| CN103814151B (zh) | 2011-06-27 | 2016-01-20 | 梭莱有限公司 | Pvd靶材及其铸造方法 |
| WO2017011155A1 (en) * | 2015-07-13 | 2017-01-19 | Albemarle Corporation | Processes for low pressure, cold bonding of solid lithium to metal substrates |
| CN113787249A (zh) * | 2021-10-08 | 2021-12-14 | 舞钢神州重工金属复合材料有限公司 | 一种大尺寸金属复合板的爆炸焊接方法 |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3186083A (en) * | 1961-05-15 | 1965-06-01 | Lukens Steel Co | Method and parting compound for producing titanium clad stainless steel |
| US4024044A (en) * | 1975-09-15 | 1977-05-17 | Diamond Shamrock Corporation | Electrolysis cathodes bearing a melt-sprayed and leached nickel or cobalt coating |
| JPS57145982A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-09 | Toshiba Corp | Target for sputtering device |
| US4349424A (en) * | 1981-05-15 | 1982-09-14 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Ion sputter textured graphite |
| JPS59181623A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Fujitsu Ltd | スパツタリングタ−ゲツト |
| US5215639A (en) * | 1984-10-09 | 1993-06-01 | Genus, Inc. | Composite sputtering target structures and process for producing such structures |
| JPS61108483A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-27 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 熱間圧延によるチタンクラツド鋼の製造方法 |
| JPS62149866A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタ用タ−ゲツト |
| JP2618935B2 (ja) * | 1987-11-19 | 1997-06-11 | 富士通株式会社 | スパッタリング・ターゲット電極 |
| US5354446A (en) * | 1988-03-03 | 1994-10-11 | Asahi Glass Company Ltd. | Ceramic rotatable magnetron sputtering cathode target and process for its production |
| JPH028364A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ用ターゲット及びその製造方法 |
| JPH0254761A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ用ターゲット及びその製造方法 |
| JPH02301855A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-13 | Nec Corp | 中央演算処理装置の並列運転方式 |
| US5391275A (en) * | 1990-03-02 | 1995-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
| US5009765A (en) * | 1990-05-17 | 1991-04-23 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter target design |
| WO1992004482A1 (en) * | 1990-08-30 | 1992-03-19 | Materials Research Corporation | Pretextured cathode sputtering target and method of preparation thereof and sputtering therewith |
| JPH0774436B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | 薄膜形成方法 |
| JP3211961B2 (ja) * | 1990-10-04 | 2001-09-25 | 富士通株式会社 | ターゲットの製造方法 |
| US5143590A (en) * | 1991-07-10 | 1992-09-01 | Johnson Matthey Inc. | Method of manufacturing sputtering target assembly |
| US5230459A (en) * | 1992-03-18 | 1993-07-27 | Tosoh Smd, Inc. | Method of bonding a sputter target-backing plate assembly assemblies produced thereby |
| US5922176A (en) * | 1992-06-12 | 1999-07-13 | Donnelly Corporation | Spark eliminating sputtering target and method for using and making same |
| KR100348437B1 (ko) * | 1992-06-16 | 2002-10-30 | 죤슨매트히일렉트로닉스인코오퍼레이티드 | 스퍼터링타겟어셈블리의제조방법및새로운타겟어셈블리 |
| TW234767B (ja) * | 1992-09-29 | 1994-11-21 | Nippon En Kk | |
| US5342496A (en) * | 1993-05-18 | 1994-08-30 | Tosoh Smd, Inc. | Method of welding sputtering target/backing plate assemblies |
| US5487822A (en) * | 1993-11-24 | 1996-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
| US5433835B1 (en) * | 1993-11-24 | 1997-05-20 | Applied Materials Inc | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
| US5507931A (en) * | 1993-12-30 | 1996-04-16 | Deposition Technologies, Inc. | Sputter deposition process |
| US6033483A (en) * | 1994-06-30 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Electrically insulating sealing structure and its method of use in a high vacuum physical vapor deposition apparatus |
| WO1996015283A1 (en) * | 1994-11-15 | 1996-05-23 | Tosoh Smd, Inc. | Method of bonding targets to backing plate member |
| US5593082A (en) * | 1994-11-15 | 1997-01-14 | Tosoh Smd, Inc. | Methods of bonding targets to backing plate members using solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby |
| US5522535A (en) * | 1994-11-15 | 1996-06-04 | Tosoh Smd, Inc. | Methods and structural combinations providing for backing plate reuse in sputter target/backing plate assemblies |
| US5836506A (en) * | 1995-04-21 | 1998-11-17 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| US6073830A (en) * | 1995-04-21 | 2000-06-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| CA2206035C (en) * | 1997-05-23 | 2006-05-16 | Alexander Szecket | High energy contoured hermetic seal |
| US5827414A (en) * | 1997-07-25 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Single piece slotted ferromagnetic sputtering target and sputtering apparatus |
-
1999
- 1999-07-08 US US09/349,285 patent/US6164519A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-12 TW TW089111419A patent/TW527428B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-06-28 EP EP00305453A patent/EP1067209B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-28 DE DE60031915T patent/DE60031915T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-30 KR KR1020000037067A patent/KR100678358B1/ko active IP Right Grant
- 2000-07-06 JP JP2000204497A patent/JP4672834B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007502366A (ja) * | 2003-08-11 | 2007-02-08 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | ターゲット／バッキングプレート構造物、及びターゲット／バッキングプレート構造物の形成法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4672834B2 (ja) | 2011-04-20 |
| KR100678358B1 (ko) | 2007-02-05 |
| EP1067209A1 (en) | 2001-01-10 |
| TW527428B (en) | 2003-04-11 |
| US6164519A (en) | 2000-12-26 |
| KR20010015117A (ko) | 2001-02-26 |
| EP1067209B1 (en) | 2006-11-22 |
| DE60031915D1 (de) | 2007-01-04 |
| DE60031915T2 (de) | 2007-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4672834B2 (ja) | スパッタリングターゲットを受け板に接合する方法 | |
| US6073830A (en) | Sputter target/backing plate assembly and method of making same | |
| US5836506A (en) | Sputter target/backing plate assembly and method of making same | |
| EP0630423B1 (en) | Method of bonding a sputter target-backing plate assembly | |
| EP1349698B1 (en) | Friction fit target assembly for high power sputtering operation | |
| US6419806B1 (en) | Insert target assembly and method of making same | |
| US20080236738A1 (en) | Bonded sputtering target and methods of manufacture | |
| EP2573205A2 (en) | Sputter target assembly having a low-temperature high-strength bond | |
| US20170084434A1 (en) | Diffusion-bonded sputter target assembly and method of manufacturing | |
| WO2012066764A1 (ja) | バッキングプレート、ターゲットアセンブリ及びスパッタリング用ターゲット | |
| CN108247190A (zh) | 钨靶材扩散焊接结构及钨靶材扩散焊接方法 | |
| EP1147241B1 (en) | Diffusion bonded sputter target assembly and method of making same | |
| US6723213B2 (en) | Titanium target assembly for sputtering and method for preparing the same | |
| JPS61288065A (ja) | タ−ゲツト | |
| JPS63121662A (ja) | スパッタリング用ターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060720 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090710 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091009 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091120 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100323 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100406 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100514 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100803 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100806 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100914 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100917 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101004 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101221 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110120 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4672834 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |