JPH028364A - スパッタ用ターゲット及びその製造方法 - Google Patents
スパッタ用ターゲット及びその製造方法Info
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- JPH028364A JPH028364A JP15710288A JP15710288A JPH028364A JP H028364 A JPH028364 A JP H028364A JP 15710288 A JP15710288 A JP 15710288A JP 15710288 A JP15710288 A JP 15710288A JP H028364 A JPH028364 A JP H028364A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業−にの利用分野
本発明は誘電体薄膜の形成に用いられるスパッタ用ター
ゲット及びその製造方法に関するものである。
ゲット及びその製造方法に関するものである。
従来の技術
誘電体薄膜の形成に用いられるスパッタ用ターゲットは
広く一般に使用されているが、その多くは粉末状の誘電
体材料をホットプレスあるいは冷間静水圧プレス後に焼
結する方法で加圧、加熱成型によって製造されている。
広く一般に使用されているが、その多くは粉末状の誘電
体材料をホットプレスあるいは冷間静水圧プレス後に焼
結する方法で加圧、加熱成型によって製造されている。
これらのターゲットを実際に使用する場合は、バッキン
グプレー１−に強固に固定し、スパッタ時に発生する熱
を速やかに放散させるためにＩｎ合金等の金属によるボ
ンディングを行うことが望ましい。
グプレー１−に強固に固定し、スパッタ時に発生する熱
を速やかに放散させるためにＩｎ合金等の金属によるボ
ンディングを行うことが望ましい。
しかし、−船釣に誘電体材料はＩｎ合金等のぬれ性が比
較的悪く、特に複数の誘電体ｔｒＡ料を混合したターゲ
ットは充填率が低いものが多くＩｎ合金等のぬれ性は更
に悪くなるものである。このぬれ性が悪い場合、ポンデ
ィングの強度は弱くなりターゲットの冷却効率も低下す
るため、スパンタ電力を大きくすると異常放電や、ター
ゲットの割れ等が先住しやすいものであった。
較的悪く、特に複数の誘電体ｔｒＡ料を混合したターゲ
ットは充填率が低いものが多くＩｎ合金等のぬれ性は更
に悪くなるものである。このぬれ性が悪い場合、ポンデ
ィングの強度は弱くなりターゲットの冷却効率も低下す
るため、スパンタ電力を大きくすると異常放電や、ター
ゲットの割れ等が先住しやすいものであった。
発明が解決しようとする課題
従来この様なターゲットを使用する場合にはタゲントの
ポンディングを行う面にスパッタ等の方法で金属薄膜を
形成した後に、バッキングプレ＝１・に対してＩｎ合金
等の金属によるポンディングを行ってホンティングの強
度及び冷却効率の向上を関ろ場合が多かった。
ポンディングを行う面にスパッタ等の方法で金属薄膜を
形成した後に、バッキングプレ＝１・に対してＩｎ合金
等の金属によるポンディングを行ってホンティングの強
度及び冷却効率の向上を関ろ場合が多かった。
しかしながらこのようにターゲットのポンディング面に
金属薄膜を形成する工程を必要とするため、生産性の低
下、コスト上昇を伴なうという問題があった。
金属薄膜を形成する工程を必要とするため、生産性の低
下、コスト上昇を伴なうという問題があった。
本発明は誘電体材料のターゲットであっても、スパッタ
等での金属薄膜の形成等前処理を行わずにＩｎ合金等の
金属でポンディングを可能にしポンディング強度が強く
、冷却効率の高いスパッタ用ターゲット及びその製造方
法を提供することを「１的とする。
等での金属薄膜の形成等前処理を行わずにＩｎ合金等の
金属でポンディングを可能にしポンディング強度が強く
、冷却効率の高いスパッタ用ターゲット及びその製造方
法を提供することを「１的とする。
課題を解決するだめの手段
本発明は上記問題点を解決するためにスパッタ用ターゲ
ットを、誘電体材料から成る上層と少なくとも１ヶ以上
の突起を有する下層から成り、前記上層と下層の境界領
域は上層の誘電体材料が、前記下層に設けた突起間に入
り込む様に構成したものである。
ットを、誘電体材料から成る上層と少なくとも１ヶ以上
の突起を有する下層から成り、前記上層と下層の境界領
域は上層の誘電体材料が、前記下層に設けた突起間に入
り込む様に構成したものである。
作用
すなわち本発明の作用は次の様になる。誘電体材料と突
起を有する下層とを一体的に成型することにより、バッ
キングプレートに対してＩｎ合金等の金属によるポンデ
ィングを行う時のポンディング強度を向上させ、冷却効
率も高く簡易な方法で生産性に優れた安価なスパッタ用
ターゲｙ ）が得られるものである。
起を有する下層とを一体的に成型することにより、バッ
キングプレートに対してＩｎ合金等の金属によるポンデ
ィングを行う時のポンディング強度を向上させ、冷却効
率も高く簡易な方法で生産性に優れた安価なスパッタ用
ターゲｙ ）が得られるものである。
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例におけるスパッタ用ターゲッ
トの構造を示す断面図である。■は上層でＺｎＳ中に５
１０２をほぼ均一に分散させたものであり、その厚さは
約５ｍｍである。２は」＝層ｌとの接触面に突起を有す
る下層である。この下層２の材質よしては熱伝導率の高
い材質が望ましく、また突起を形成する必要があるため
比較的軟質のものが良い。本実施例ではＣｕを用いてい
る。上層１と下層２の境界領域は第２図に示すように、
上層１の誘電体材料が下層２の突起間に入り込んでおり
、かつ、突起２ａは先端が大きく根元が小さい。いわゆ
るアンダーカッ１−状の加工が施こされているため、−
上層１と下層２は強固に結合されろものである。
トの構造を示す断面図である。■は上層でＺｎＳ中に５
１０２をほぼ均一に分散させたものであり、その厚さは
約５ｍｍである。２は」＝層ｌとの接触面に突起を有す
る下層である。この下層２の材質よしては熱伝導率の高
い材質が望ましく、また突起を形成する必要があるため
比較的軟質のものが良い。本実施例ではＣｕを用いてい
る。上層１と下層２の境界領域は第２図に示すように、
上層１の誘電体材料が下層２の突起間に入り込んでおり
、かつ、突起２ａは先端が大きく根元が小さい。いわゆ
るアンダーカッ１−状の加工が施こされているため、−
上層１と下層２は強固に結合されろものである。
この上層１との境界領域の下層２の面をサンドブラスト
等により粗面にすれば、−Ｌ層ｌの誘電体材料が前記机
面の四部に入り込み、」−層１と下層２の結合力は更に
向上するものである。この粗面の粗さはＲｍａｘ５〜３
０μｍの範囲がよい。このターゲノ）・の具体的な製造
方法を第３図を用いて説明する。第３図において４は下
型、５は上型、６は円筒型である。ターゲットの製造に
当たって、まず円筒型６の内径より若干小さい径の下層
２を突起２ａを上にし７て下型４の上に乗せ、円筒型６
を装着する。この状態で上層Ｉとなる粉末状の誘電体材
料を下層２の上にほぼ均一に広げることにより、粉末状
の誘電体材料の粉末の一部は突起２ａの間と粗面部の凹
部に入り込んだ状態となる。
等により粗面にすれば、−Ｌ層ｌの誘電体材料が前記机
面の四部に入り込み、」−層１と下層２の結合力は更に
向上するものである。この粗面の粗さはＲｍａｘ５〜３
０μｍの範囲がよい。このターゲノ）・の具体的な製造
方法を第３図を用いて説明する。第３図において４は下
型、５は上型、６は円筒型である。ターゲットの製造に
当たって、まず円筒型６の内径より若干小さい径の下層
２を突起２ａを上にし７て下型４の上に乗せ、円筒型６
を装着する。この状態で上層Ｉとなる粉末状の誘電体材
料を下層２の上にほぼ均一に広げることにより、粉末状
の誘電体材料の粉末の一部は突起２ａの間と粗面部の凹
部に入り込んだ状態となる。
そして更に、下型４１円筒型６に振動を与えれば、効率
よく粉末の誘電体材料は前記突起間と１Ｈ面の四部に入
り込んだ状態にすることができるものである。この様な
状態で上型５を装着して圧力２００ｋｇ／ ｃ＋ｆｌ、
加熱温度、約１００°Ｃのボットプレスを行うことによ
って、誘電体材料から成る一上層１と下層２が一体的に
形成されたターゲットを得ることができるものである。
よく粉末の誘電体材料は前記突起間と１Ｈ面の四部に入
り込んだ状態にすることができるものである。この様な
状態で上型５を装着して圧力２００ｋｇ／ ｃ＋ｆｌ、
加熱温度、約１００°Ｃのボットプレスを行うことによ
って、誘電体材料から成る一上層１と下層２が一体的に
形成されたターゲットを得ることができるものである。
このようにして形成されたターゲットを、下層２をポン
ディング面としてＩｎ−３ｎ合金で銅製のハソキングプ
レートにポンディングし、アルゴンガスによるＲＦマグ
ネＩ・ロンスパックを行ったところ、直径１５０ｍｍの
ターゲットに対して１．５に−の電力を投入しても安定
に薄膜形成を行うことが可能であった。この結果はター
ゲットのホンディング面にスパッタ等で金属薄膜を形成
してＩ ｎ−３ｎ合金を用いてホンティングを行ったも
のと同等もしくはそれ以上のボンディング強度及び冷却
効率を有することを示している。
ディング面としてＩｎ−３ｎ合金で銅製のハソキングプ
レートにポンディングし、アルゴンガスによるＲＦマグ
ネＩ・ロンスパックを行ったところ、直径１５０ｍｍの
ターゲットに対して１．５に−の電力を投入しても安定
に薄膜形成を行うことが可能であった。この結果はター
ゲットのホンディング面にスパッタ等で金属薄膜を形成
してＩ ｎ−３ｎ合金を用いてホンティングを行ったも
のと同等もしくはそれ以上のボンディング強度及び冷却
効率を有することを示している。
本実施例では誘電体材料としてＺｎＳとＳ＋０２混合物
を用いたが他の誘電体材料にも適用できるものである。
を用いたが他の誘電体材料にも適用できるものである。
また下層の材質も特にＣｕに限定されるものでなく、熱
伝導率が高く、比較的軟質金属材料であればよい。
伝導率が高く、比較的軟質金属材料であればよい。
また突起部の形状は先端が大きく根元が小さいアンダー
カットされたものに限らず、円すい状や円筒状、その他
他角形のものでもよい。
カットされたものに限らず、円すい状や円筒状、その他
他角形のものでもよい。
また本実施例におけるターゲットはホットプレスによっ
て製造したが、冷静水圧プレスの後に焼結することによ
って製造してもよい。
て製造したが、冷静水圧プレスの後に焼結することによ
って製造してもよい。
発明の効果
本発明は誘電体材料と突起を有する下層を一体的に成型
することにより、ボンディング面への金属薄膜の形成等
の前処理を行うことなく、充分なボンディング強度と冷
却効率を有する金属ボンディングが可能なスパッタ用タ
ーゲットを得ることができる。
することにより、ボンディング面への金属薄膜の形成等
の前処理を行うことなく、充分なボンディング強度と冷
却効率を有する金属ボンディングが可能なスパッタ用タ
ーゲットを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示すスパッタ用ターゲット
の断面図、第２図は第１図で示したターゲットの上層と
下層との境界領域の状態を示す部分詳細図、第３図は本
発明の一実施例におけるスパッタ用ターゲットの製造方
法を示す断面図である。 １・・・・・・上層、２・・・・・・下層、２ａ・・・
・・・突起、３・・・・・・境界領域。
の断面図、第２図は第１図で示したターゲットの上層と
下層との境界領域の状態を示す部分詳細図、第３図は本
発明の一実施例におけるスパッタ用ターゲットの製造方
法を示す断面図である。 １・・・・・・上層、２・・・・・・下層、２ａ・・・
・・・突起、３・・・・・・境界領域。
Claims (5)
- （１）誘電体材料から成る上層と少なくとも１ケ以上の
突起を有する下層から成り、前記上層と下層の境界領域
は誘電体材料が前記下層に設けた突起間に入り込んだス
パッタ用ターゲット。 - （２）下層部に設けた突起がアンダーカット状に形成さ
れた請求項（１）記載のスパッタ用ターゲット。 - （３）突起部の表面粗さがＲｍａｘ５〜３０μｍの範囲
に形成された請求項（１）、または（２）のいずれかに
記載のスパッタ用ターゲット。 - （４）突起部の高さが０．１〜１ｍｍの範囲に形成され
た請求項（１）、（２）、または（３）のいずれかに記
載のスパッタ用ターゲット。 - （５）少なくとも１ケ以上の突起を有する下層の上に誘
電体材料を配置し、加圧、加熱成型するスパッタ用ター
ゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15710288A JPH028364A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | スパッタ用ターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15710288A JPH028364A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | スパッタ用ターゲット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH028364A true JPH028364A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15642279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15710288A Pending JPH028364A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | スパッタ用ターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH028364A (ja) |
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-
1988
- 1988-06-24 JP JP15710288A patent/JPH028364A/ja active Pending
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