JP2001030161A - Carrier for polishing device - Google Patents

Carrier for polishing device

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JP2001030161A
JP2001030161A JP20342599A JP20342599A JP2001030161A JP 2001030161 A JP2001030161 A JP 2001030161A JP 20342599 A JP20342599 A JP 20342599A JP 20342599 A JP20342599 A JP 20342599A JP 2001030161 A JP2001030161 A JP 2001030161A
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JP
Japan
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carrier
wafer
hole
held
surface plate
Prior art date
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Pending
Application number
JP20342599A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiro Doi
俊郎 土肥
Ryosuke Nozaki
亮介 野崎
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NHK Spring Co Ltd
Original Assignee
NHK Spring Co Ltd
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Publication date
Application filed by NHK Spring Co Ltd filed Critical NHK Spring Co Ltd
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent polishing of works always at a constant position and to improve flatness by pressing the works held by a carrier onto a surface plate while eccentrically rotating the works. SOLUTION: A head 18 is lowered down to a rotating surface plate 12 while rotating the head. A wafer W held by the head 18 is pressed onto a polishing cloth 16, and the surface to be polished of the wafer W is polished receiving a pressure and a relative speed. Because the wafer W held by the head 18 is put in an eccentric hole 28A of a carrier 26A, the carrier 26A is rotated about the center O of the carrier 26A to eccentrically rotate the wafer W. Therefore, the wafer W is pressed onto the polishing cloth 16 with its reciprocation and thereby polishing always at a same position is prevented. As a result, a polishing condition is uniformized for the wafer W to improve flatness of the wafer W.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は研磨加工装置のキャ
リアに係り、特に半導体ウェーハの製造工程で用いられ
るラッピング装置やポリッシング装置などの研磨加工装
置のキャリアに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a carrier for a polishing apparatus, and more particularly to a carrier for a polishing apparatus such as a lapping apparatus or a polishing apparatus used in a semiconductor wafer manufacturing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウェーハの製造工程で用いられる
ラッピング装置やポリッシング装置などの研磨加工装置
は、ウェーハをヘッドに固定し、回転する定盤に押し付
けて研磨する。
2. Description of the Related Art A polishing apparatus such as a lapping apparatus or a polishing apparatus used in a semiconductor wafer manufacturing process fixes a wafer to a head and presses the wafer against a rotating surface plate to perform polishing.

【0003】しかし、このようにウェーハを研磨する
と、ウェーハは常に一定位置で研磨されることとなるた
め、たとえば、定盤が不均一であると、加工したウェー
ハの平坦度が低下するという欠点がある。
However, when the wafer is polished in this manner, the wafer is always polished at a fixed position. For example, if the surface plate is not uniform, the flatness of the processed wafer is reduced. is there.

【0004】そこで、従来はヘッド又は定盤を揺動させ
ながら研磨することにより、ウェーハに対する研磨条件
を均等化させてウェーハの平坦度を向上させていた。
Therefore, conventionally, polishing was performed while oscillating a head or a surface plate, thereby equalizing the polishing conditions for the wafer and improving the flatness of the wafer.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ようにウェーハを揺動させながら研磨する方法の場合、
加工装置に別途揺動機構を設置しなければならず、装置
が大型化かつ複雑化するという欠点があった。
However, in the case of the conventional method of polishing while swinging the wafer,
A swing mechanism must be separately installed in the processing device, and there is a disadvantage that the device becomes large and complicated.

【0006】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、簡単な構成でウェーハの平坦度を向上できる
研磨加工装置のキャリアを提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a carrier for a polishing apparatus capable of improving the flatness of a wafer with a simple configuration.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
前記目的を達成するために、定盤に押し当てられて研磨
されるワークを穴に入れて保持する研磨加工装置のキャ
リアにおいて、前記穴が前記ワークの外径と略同径に形
成されるとともに、前記キャリアの中心に対して偏芯し
た位置に形成されていることを特徴とする。
The invention according to claim 1 is
In order to achieve the object, in a carrier of a polishing apparatus that holds a work to be polished by being pressed against a surface plate in a hole, the hole is formed to have substantially the same diameter as the outer diameter of the work. , Formed at a position eccentric with respect to the center of the carrier.

【0008】本発明によれば、キャリアを回転させなが
ら定盤に押し当てることにより、キャリアに保持された
ワークが偏芯回転しながら定盤に押し当てられる。これ
により、常に一定位置でワークが研磨されるのが防止さ
れ、平坦度が向上する。
According to the present invention, the work held by the carrier is pressed against the surface plate while rotating eccentrically by pressing the work surface against the surface plate while rotating the carrier. This prevents the work from being constantly polished at a fixed position, and improves the flatness.

【0009】また、請求項2に係る発明は、前記目的を
達成するために、定盤に押し当てられて研磨されるワー
クを穴に入れて保持する研磨加工装置のキャリアにおい
て、前記穴が長穴状に形成されており、該穴内を前記ワ
ークが移動可能に保持されることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a carrier of a polishing apparatus for holding a work to be polished by being pressed against a surface plate in a hole, in order to achieve the above object. The workpiece is formed in a hole shape, and the work is movably held in the hole.

【0010】本発明によれば、キャリアに保持されたワ
ークは、穴内を移動しながら定盤に押し当てられる。こ
れにより、常に一定位置で研磨されるのが防止され、平
坦度が向上する。
According to the present invention, the work held by the carrier is pressed against the surface plate while moving in the hole. Thereby, it is prevented that the polishing is always performed at a fixed position, and the flatness is improved.

【0011】また、請求項3に係る発明は、前記目的を
達成するために、定盤に押し当てられて研磨されるワー
クを穴に入れて保持する研磨加工装置のキャリアにおい
て、前記穴が楕円形状に形成されており、該穴内を前記
ワークが移動可能に保持されることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a carrier for a polishing apparatus for holding a work to be polished by being pressed against a surface plate in a hole, wherein the hole has an elliptical shape. The work is held movably in the hole.

【0012】本発明によれば、キャリアに保持されたワ
ークは、穴内を移動しながら定盤に押し当てられる。こ
れにより、常に一定位置で研磨されるのが防止され、平
坦度が向上する。
According to the present invention, the work held by the carrier is pressed against the surface plate while moving in the hole. Thereby, it is prevented that the polishing is always performed at a fixed position, and the flatness is improved.

【0013】また、請求項4に係る発明は、前記目的を
達成するために、定盤に押し当てられて研磨されるワー
クを穴に入れて保持する研磨加工装置のキャリアにおい
て、前記穴が十字形状に形成されており、該穴内を前記
ワークが移動可能に保持されることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a carrier for a polishing apparatus for holding a work to be polished by being pressed against a surface plate in a hole, wherein the hole has a cross shape. The work is held movably in the hole.

【0014】本発明によれば、キャリアに保持されたワ
ークは、穴内を移動しながら定盤に押し当てられる。こ
れにより、常に一定位置で研磨されるのが防止され、平
坦度が向上する。
According to the present invention, the work held by the carrier is pressed against the surface plate while moving in the hole. Thereby, it is prevented that the polishing is always performed at a fixed position, and the flatness is improved.

【0015】また、請求項5に係る発明は、前記目的を
達成するために、請求項2、3又は4記載の研磨加工装
置のキャリアにおいて、前記穴の中心が、前記キャリア
の中心に対して偏芯した位置に形成されていることを特
徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in order to achieve the above object, in the carrier of the polishing apparatus according to the second, third or fourth aspect, the center of the hole is positioned with respect to the center of the carrier. It is characterized in that it is formed at an eccentric position.

【0016】本発明によれば、キャリアに保持されたワ
ークは、偏芯回転すると同時に穴内を移動しながら定盤
に押し当てられる。これにより、常に一定位置で研磨さ
れるのが防止され、平坦度が向上する。
According to the present invention, the work held by the carrier is pressed against the surface plate while moving in the hole while being eccentrically rotated. Thereby, it is prevented that polishing is always performed at a fixed position, and the flatness is improved.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、添付図面に従って本発明に
係る研磨加工装置のキャリアの好ましい実施の形態につ
いて詳説する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a carrier of a polishing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【0018】図1は、本発明に係るキャリアが用いられ
たウェーハの片面研磨加工装置の正面図である。
FIG. 1 is a front view of a wafer single-side polishing apparatus using a carrier according to the present invention.

【0019】同図に示すように、この片面研磨加工装置
10は、平坦な表面を持つ定盤12を有している。定盤
12の下面同軸上には、図示しない回転手段に駆動され
て回転する回転軸14が連結されており、また、定盤1
2の上面には研磨布16が貼着されている。この研磨布
16には、定盤12の上方に設置された図示しない研磨
剤(スラリー)供給管から所定量ずつ研磨剤(スラリ
ー)が滴下される。
As shown in FIG. 1, the single-side polishing apparatus 10 has a surface plate 12 having a flat surface. A rotating shaft 14 that is driven by rotating means (not shown) and rotates is connected to the lower surface of the surface plate 12 coaxially.
A polishing cloth 16 is adhered to the upper surface of 2. A predetermined amount of abrasive (slurry) is dropped onto the polishing cloth 16 from an abrasive (slurry) supply pipe (not shown) provided above the surface plate 12.

【0020】定盤12の上方には、ウェーハWを保持す
るヘッド18が設けられている。ヘッド18は、円盤状
に形成されており、その上面同軸上には、図示しない回
転手段に駆動されて回転するとともに、図示しない昇降
手段に駆動されて昇降する回転軸20が連結されてい
る。また、ヘッド18の下面には、ヘッド18の外周縁
に沿って修正リング22が設けられている。この修正リ
ング22の内側にはバッキングパッド24が取り付けら
れており、該バッキングパッド24の下面にはキャリア
26Aが取り付けられている。ウェーハWは、このキャ
リア26Aの内側に形成された穴28Aに入れられてヘ
ッド18に保持される。
A head 18 for holding a wafer W is provided above the surface plate 12. The head 18 is formed in a disk shape, and a rotating shaft 20 that is driven by rotating means (not shown) to rotate and is driven by lifting means (not shown) to move up and down is connected to the upper surface coaxially. A correction ring 22 is provided on the lower surface of the head 18 along the outer peripheral edge of the head 18. A backing pad 24 is attached to the inside of the correction ring 22, and a carrier 26A is attached to the lower surface of the backing pad 24. The wafer W is inserted into a hole 28A formed inside the carrier 26A and held by the head 18.

【0021】ここで、このキャリア26Aは、図2に示
すように、円盤状に形成されている。また、穴28Aは
保持するウェーハWの外径よりもやや大きめの円形状に
形成されており、キャリア26Aの中心Oに対して所定
量偏芯した位置に形成されている。
Here, the carrier 26A is formed in a disk shape as shown in FIG. The hole 28A is formed in a circular shape slightly larger than the outer diameter of the wafer W to be held, and is formed at a position eccentric by a predetermined amount with respect to the center O of the carrier 26A.

【0022】前記のごとく構成された片面研磨加工装置
10の作用は次のとおりである。
The operation of the single-side polishing apparatus 10 constructed as described above is as follows.

【0023】図示しない回転手段を駆動して定盤12を
回転させるとともに、図示しない研磨剤供給管から研磨
布16上に研磨剤を供給する。そして、この回転する定
盤12に対してヘッド18を回転させながら下降させ
る。これにより、ヘッド18に保持されたウェーハWが
研磨布16に押し当てられ、ウェーハWの研磨面は、圧
力及び相対速度を受けて研磨される。
A rotating means (not shown) is driven to rotate the platen 12, and an abrasive is supplied onto the polishing pad 16 from an abrasive supply pipe (not shown). Then, the head 18 is lowered with respect to the rotating platen 12 while rotating. As a result, the wafer W held by the head 18 is pressed against the polishing pad 16, and the polished surface of the wafer W is polished by receiving the pressure and the relative speed.

【0024】ここで、ヘッド18に保持されたウェーハ
Wは、キャリア26Aの偏芯した穴28Aに入れられて
いるため、キャリア26Aの中心Oを回転中心としてキ
ャリア26Aを回転させると、ウェーハWは偏芯回転す
ることになる。これにより、ウェーハWは、研磨布16
に対して往復運動しながら押し当てられ、常に同じ位置
で研磨されることが防止される。この結果、ウェーハW
に対する研磨条件が均一化され、ウェーハWの平坦度が
向上する。
Here, since the wafer W held by the head 18 is placed in the eccentric hole 28A of the carrier 26A, when the carrier 26A is rotated around the center O of the carrier 26A as a rotation center, the wafer W becomes It will rotate eccentrically. Thereby, the wafer W is placed on the polishing pad 16.
, While being reciprocated, and is prevented from being constantly polished at the same position. As a result, the wafer W
Is made uniform, and the flatness of the wafer W is improved.

【0025】図3は、本発明に係るキャリアの第2の実
施の形態の構成を示す平面断面図である。
FIG. 3 is a plan sectional view showing the structure of the carrier according to the second embodiment of the present invention.

【0026】同図に示すように、第2の実施の形態のキ
ャリア26Bは、穴28Bが長穴状に形成されている。
この穴28Bは、キャリア26Bの中心Oと同心上に形
成されており、幅が保持するウェーハWの直径よりもや
や大きめに形成されている。また、両端の円弧状の部分
の半径が、保持するウェーハWの半径よりもやや大きめ
に形成されている。
As shown in the figure, a hole 26B is formed in a long hole shape in the carrier 26B of the second embodiment.
The hole 28B is formed concentrically with the center O of the carrier 26B, and is formed slightly larger than the diameter of the wafer W held by the width. Further, the radius of the arc-shaped portions at both ends is formed slightly larger than the radius of the wafer W to be held.

【0027】以上のように構成された第2の実施の形態
のキャリア26Bによれば、キャリア26Bに保持され
たウェーハWは、穴28B内を自由に移動できる。すな
わち、キャリア26Bで保持したウェーハWを研磨布1
6に押し当て、キャリア26Bの中心Oを回転中心とし
てキャリア26Bを回転させると、ウェーハWは、キャ
リア26Bの穴28B内をランダムに移動しながら研磨
される。これにより、ウェーハWが同じ位置で研磨され
るのを防止でき、ウェーハWの平坦度を向上できる。
According to the carrier 26B of the second embodiment configured as described above, the wafer W held by the carrier 26B can move freely in the hole 28B. That is, the wafer W held by the carrier 26B is
6, the wafer W is polished while moving randomly in the hole 28B of the carrier 26B when the carrier 26B is rotated about the center O of the carrier 26B as a rotation center. Thereby, the wafer W can be prevented from being polished at the same position, and the flatness of the wafer W can be improved.

【0028】なお、本実施の形態では、穴28Bがキャ
リア26Bの中心Oと同心上に形成されているが、上述
した第1の実施の形態のキャリアのように、キャリア2
6Bの中心Oに対して偏芯した位置に形成してもよい。
In this embodiment, the hole 28B is formed concentrically with the center O of the carrier 26B. However, as in the carrier of the first embodiment described above, the hole 28B is formed on the carrier 2B.
It may be formed at a position eccentric with respect to the center O of 6B.

【0029】また、本実施の形態では、穴28Bの大き
さを保持するウェーハWの直径よりもやや大きめに形成
しているが、これに限定されるものではない。ただし、
ウェーハWと穴28Bとの隙間が大きくなりすぎると、
ウェーハWの周縁が穴28Bの周縁に接触した際にウェ
ーハWの周縁に欠けが生じたり、ウェーハWにかかる圧
力が不均一になったりするので、この点を考慮して適切
な大きさに設定するのが好ましい。
Further, in the present embodiment, the diameter of the wafer W for holding the size of the hole 28B is slightly larger than the diameter of the wafer W, but the present invention is not limited to this. However,
If the gap between the wafer W and the hole 28B becomes too large,
When the peripheral edge of the wafer W comes into contact with the peripheral edge of the hole 28B, the peripheral edge of the wafer W may be chipped or the pressure applied to the wafer W may be non-uniform. Is preferred.

【0030】また、本実施の形態では、穴28の側縁部
が直線状に形成されているが、外側に丸みを帯びさせた
円弧状に形成してもよい。
Further, in the present embodiment, the side edge of the hole 28 is formed in a straight line, but may be formed in an arc shape with a rounded outside.

【0031】図4は、本発明に係るキャリアの第3の実
施の形態の構成を示す平面断面図である。
FIG. 4 is a plan sectional view showing the configuration of the third embodiment of the carrier according to the present invention.

【0032】同図に示すように、第3の実施の形態のキ
ャリア26Cは、穴28Cが楕円形状に形成されてい
る。この穴28Cは、キャリア26Cの中心Oと同心上
に形成されており、短軸が保持するウェーハWの直径よ
りも大きく形成されている。
As shown in the figure, the carrier 26C of the third embodiment has a hole 28C formed in an elliptical shape. The hole 28C is formed concentrically with the center O of the carrier 26C, and is formed to be larger than the diameter of the wafer W held by the short axis.

【0033】以上のように構成された第3の実施の形態
のキャリア26Cによれば、上述した第2の実施の形態
のキャリア26Bと同様にキャリア26Cに保持された
ウェーハWは、穴28C内を自由に移動できる。
According to the carrier 26C of the third embodiment configured as described above, similarly to the carrier 26B of the second embodiment described above, the wafer W held by the carrier 26C is placed in the hole 28C. Can be moved freely.

【0034】しかし、本実施の形態のキャリア26Cの
場合、ウェーハWは穴28の短軸方向にも移動できるの
で、よりランダムな移動が可能になる。これにより、ウ
ェーハWに対する研磨条件がより均一化され、ウェーハ
Wの平坦度が向上する。
However, in the case of the carrier 26C of the present embodiment, the wafer W can also move in the short axis direction of the hole 28, so that more random movement is possible. Thereby, the polishing conditions for the wafer W are made more uniform, and the flatness of the wafer W is improved.

【0035】なお、本実施の形態では、穴28Cがキャ
リア26Cの中心Oと同心上に形成されているが、上述
した第1の実施の形態のキャリアのように、キャリア2
6Cの中心Oに対して偏芯した位置に形成してもよい。
In the present embodiment, the hole 28C is formed concentrically with the center O of the carrier 26C.
It may be formed at a position eccentric to the center O of 6C.

【0036】また、本実施の形態では、穴28Cの大き
さを保持するウェーハWの直径よりもやや大きめに形成
しているが、これに限定されるものではない。ただし、
ウェーハWと穴28Cとの隙間が大きくなりすぎると、
ウェーハWの周縁が穴28Cの周縁に接触した際にウェ
ーハWの周縁に欠けが生じたり、ウェーハWにかかる圧
力が不均一になったりするので、上述した第2の実施の
形態と同様に、この点を考慮して適切な大きさに設定す
るのが好ましい。
In this embodiment, the diameter of the wafer W holding the size of the hole 28C is slightly larger than the diameter of the wafer W. However, the present invention is not limited to this. However,
If the gap between the wafer W and the hole 28C becomes too large,
When the peripheral edge of the wafer W comes into contact with the peripheral edge of the hole 28C, the peripheral edge of the wafer W is chipped or the pressure applied to the wafer W becomes non-uniform, so that, as in the second embodiment described above, It is preferable to set the size appropriately in consideration of this point.

【0037】図5は、本発明に係るキャリアの第4の実
施の形態の構成を示す平面断面図である。
FIG. 5 is a sectional plan view showing the configuration of the fourth embodiment of the carrier according to the present invention.

【0038】同図に示すように、第4の実施の形態のキ
ャリア26Dは、穴28Dが十字状に形成されている。
この穴28Dは、キャリア26Dの中心Oと同心上に形
成されており、幅が保持するウェーハWの直径よりもや
や大きめに形成されている。また、各コーナー部が円弧
状に形成されている。
As shown in the figure, the carrier 26D of the fourth embodiment has a hole 28D formed in a cross shape.
The hole 28D is formed concentrically with the center O of the carrier 26D, and is formed slightly larger than the diameter of the wafer W held by the width. Each corner is formed in an arc shape.

【0039】以上のように構成された第3の実施の形態
のキャリア26Dによれば、上述した第2、第3の実施
の形態のキャリアと同様にキャリア26Dに保持された
ウェーハWは、穴28D内を自由に移動できる。この場
合、ウェーハWは、穴28内を4方向に移動でき、より
ランダムな移動が可能になる。これにより、ウェーハW
に対する研磨条件がより均一化され、ウェーハWの平坦
度が向上する。
According to the carrier 26D of the third embodiment configured as described above, similarly to the carriers of the second and third embodiments described above, the wafer W held by the carrier 26D has a hole. It can move freely within 28D. In this case, the wafer W can move in the hole 28 in four directions, and can move more randomly. Thereby, the wafer W
Are made more uniform, and the flatness of the wafer W is improved.

【0040】なお、本実施の形態では、穴28Dがキャ
リア26Dの中心Oと同心上に形成されているが、上述
した第1の実施の形態のキャリア26Aのように、キャ
リア26Dの中心Oに対して偏芯した位置に形成してよ
い。
In this embodiment, the hole 28D is formed concentrically with the center O of the carrier 26D. However, like the carrier 26A of the first embodiment, the hole 28D is formed at the center O of the carrier 26D. It may be formed at a position eccentric to the eccentricity.

【0041】また、本実施の形態では、穴28Dの幅を
保持するウェーハWの直径よりもやや大きめに形成して
いるが、これに限定されるものではない。ただし、ウェ
ーハWと穴28Dとの隙間が大きくなりすぎると、ウェ
ーハWの周縁が穴28Dの周縁に接触した際にウェーハ
Wの周縁に欠けが生じたり、ウェーハWにかかる圧力が
不均一になったりするので、上述した第2の実施の形態
と同様に、この点を考慮して適切な幅に設定するのが好
ましい。
In this embodiment, the diameter of the wafer W holding the width of the hole 28D is slightly larger than the diameter of the wafer W. However, the present invention is not limited to this. However, if the gap between the wafer W and the hole 28D is too large, when the peripheral edge of the wafer W contacts the peripheral edge of the hole 28D, the peripheral edge of the wafer W is chipped or the pressure applied to the wafer W becomes uneven. Therefore, similarly to the above-described second embodiment, it is preferable to set an appropriate width in consideration of this point.

【0042】なお、上述した一連の実施の形態では、本
発明に係るキャリアを片面研磨加工装置に適用した例で
説明しているが、本発明に係るキャリアは、図6に示す
両面研磨加工装置30にも適用できる。同図に示すよう
に、この両面研磨加工装置30は、ウェーハWを上定盤
32と下定盤34との間に挟み込み、研磨剤を介在させ
ながら上定盤32に圧力をかけて、上定盤32と下定盤
34とを回転させる。これにより、ウェーハWの上面と
下面を同時に研磨する。
In the series of embodiments described above, the carrier according to the present invention is applied to a single-side polishing apparatus, but the carrier according to the present invention is applied to a double-side polishing apparatus shown in FIG. 30 is also applicable. As shown in the figure, this double-side polishing apparatus 30 sandwiches a wafer W between an upper surface plate 32 and a lower surface plate 34, applies pressure to the upper surface plate 32 while interposing an abrasive, and The platen 32 and the lower platen 34 are rotated. Thereby, the upper surface and the lower surface of the wafer W are polished simultaneously.

【0043】なお、このときウェーハWは、キャリア3
6の穴38に入れられて上定盤32と下定盤34との間
を自転しながら公転する。すなわち、キャリア36に
は、図7に示すように、その外周部に遊星ギア40が形
成されており、その遊星ギア40が下定盤34の外周に
位置したインターナルギア42と、下定盤34の中心に
固着されたサンギア44とに噛合されている。このた
め、下定盤34を回転させると、キャリア36は各ギア
の作用によって自転しながらサンギア44の回りを公転
する。
At this time, the wafer W is loaded on the carrier 3
6 and revolves while rotating between the upper surface plate 32 and the lower surface plate 34. That is, as shown in FIG. 7, the carrier 36 has a planetary gear 40 formed on the outer periphery thereof. The planetary gear 40 is connected to the internal gear 42 located on the outer periphery of the lower platen 34, And is engaged with the sun gear 44 fixed thereto. Therefore, when the lower platen 34 is rotated, the carrier 36 revolves around the sun gear 44 while rotating by the action of each gear.

【0044】なお、上述した一連の実施の形態におい
て、ウェーハWに加える圧力については特に言及してい
ないが、ウェーハWがキャリアの穴内を移動できる程度
の圧力に設定する。また、ウェーハWに加える圧力は、
ウェーハ全体に均一に加えられることを前提とし、その
加圧方法は特に限定されない。
In the above-described series of embodiments, the pressure applied to the wafer W is not particularly described, but the pressure is set to such a degree that the wafer W can move in the hole of the carrier. The pressure applied to the wafer W is
Assuming that the pressure is uniformly applied to the entire wafer, the pressing method is not particularly limited.

【0045】また、キャリアの厚さについては、バッキ
ングパッド24の圧縮率やウェーハWの厚さを考慮して
適切な厚さに設定する。
The thickness of the carrier is set to an appropriate thickness in consideration of the compression ratio of the backing pad 24 and the thickness of the wafer W.

【0046】さらに、バッキングパッド24の材質につ
いては、保持したウェーハWがスムーズに移動できるよ
うに摩擦係数の小さいものが好ましく、また、必要に応
じてバッキングパッド24に溝を形成してもよい。
Further, the material of the backing pad 24 is preferably a material having a small friction coefficient so that the held wafer W can move smoothly, and a groove may be formed in the backing pad 24 if necessary.

【0047】また、本実施の形態では、キャリアはバッ
キングパッド24に取り付けているが、ヘッド18に直
接取り付けてもよい。
Although the carrier is attached to the backing pad 24 in the present embodiment, it may be attached directly to the head 18.

【0048】また、キャリアの材質については、ウェー
ハWが接触した際に割れ、欠けを防止できるものとし
(たとえば、ガラス繊維強化型エポキシ樹脂やステンレ
ス、ポリテトラフルオロエチレン等)、また、キャリア
の穴の周面は滑らかにする(表面粗さを小さくする)こ
とが好ましい。
As for the material of the carrier, cracking and chipping can be prevented when the wafer W comes into contact (for example, glass fiber reinforced epoxy resin, stainless steel, polytetrafluoroethylene, etc.). Is preferably smoothed (reduced surface roughness).

【0049】[0049]

【発明の効果】本発明によれば、常に一定位置でワーク
が研磨されるのを防止できるので、ワークに対する研磨
条件を均一化でき、ワークの平坦度を向上できる。
According to the present invention, it is possible to prevent the work from being polished at a fixed position at all times, so that the polishing conditions for the work can be made uniform and the flatness of the work can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】片面研磨加工装置の正面図FIG. 1 is a front view of a single-side polishing apparatus.

【図2】本発明に係るキャリアの第1の実施の形態の構
成を示す平面断面図
FIG. 2 is a cross-sectional plan view showing the configuration of the first embodiment of the carrier according to the present invention.

【図3】本発明に係るキャリアの第2の実施の形態の構
成を示す平面断面図
FIG. 3 is a sectional plan view showing the configuration of a carrier according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明に係るキャリアの第3の実施の形態の構
成を示す平面断面図
FIG. 4 is a cross-sectional plan view showing the configuration of a third embodiment of the carrier according to the present invention.

【図5】本発明に係るキャリアの第4の実施の形態の構
成を示す平面断面図
FIG. 5 is a cross-sectional plan view showing a configuration of a fourth embodiment of the carrier according to the present invention.

【図6】両面研磨加工装置の正面図FIG. 6 is a front view of a double-side polishing apparatus.

【図7】両面研磨加工装置の要部の構成を示す平面図FIG. 7 is a plan view showing a configuration of a main part of the double-side polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…片面研磨加工装置、12…定盤、16…研磨布、
18…ヘッド、22…修正リング、24…バッキングパ
ッド、26A〜26D…キャリア、28A〜28D…
穴、30…両面研磨加工装置、32…上定盤、34…下
定盤、36…キャリア、38…穴、40…遊星ギア、4
2…インターナルギア、44…サンギア、W…ウェーハ
10: single-side polishing machine, 12: surface plate, 16: polishing cloth,
18 head, 22 correction ring, 24 backing pad, 26A-26D carrier, 28A-28D
Holes, 30: Double-side polishing machine, 32: Upper platen, 34: Lower platen, 36: Carrier, 38: Hole, 40: Planetary gear, 4
2: Internal gear, 44: Sun gear, W: Wafer

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Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 定盤に押し当てられて研磨されるワーク
を穴に入れて保持する研磨加工装置のキャリアにおい
て、 前記穴が前記ワークの外形と略同形に形成されるととも
に、前記キャリアの中心に対して偏芯した位置に形成さ
れていることを特徴とする研磨加工装置のキャリア。
1. A carrier of a polishing apparatus for holding a work to be polished by being pressed against a surface plate in a hole, wherein the hole is formed to have substantially the same shape as the outer shape of the work, and a center of the carrier is provided. A carrier for a polishing apparatus, wherein the carrier is formed at an eccentric position with respect to the carrier.
【請求項2】 定盤に押し当てられて研磨されるワーク
を穴に入れて保持する研磨加工装置のキャリアにおい
て、 前記穴が長穴状に形成されており、該穴内を前記ワーク
が移動可能に保持されることを特徴とする研磨加工装置
のキャリア。
2. A carrier of a polishing apparatus for holding a work to be polished by being pressed against a surface plate into a hole, wherein the hole is formed in a long hole shape, and the work is movable in the hole. A carrier for a polishing apparatus characterized by being held in a carrier.
【請求項3】 定盤に押し当てられて研磨されるワーク
を穴に入れて保持する研磨加工装置のキャリアにおい
て、 前記穴が楕円形状に形成されており、該穴内を前記ワー
クが移動可能に保持されることを特徴とする研磨加工装
置のキャリア。
3. A carrier of a polishing apparatus for holding a work to be polished by being pressed against a surface plate in a hole, wherein the hole is formed in an elliptical shape, and the work is movable in the hole. A carrier for a polishing apparatus characterized by being held.
【請求項4】 定盤に押し当てられて研磨されるワーク
を穴に入れて保持する研磨加工装置のキャリアにおい
て、 前記穴が十字形状に形成されており、該穴内を前記ワー
クが移動可能に保持されることを特徴とする研磨加工装
置のキャリア。
4. A carrier of a polishing apparatus for holding a work to be polished by being pressed against a surface plate in a hole, wherein the hole is formed in a cross shape, and the work is movable in the hole. A carrier for a polishing apparatus characterized by being held.
【請求項5】 前記穴の中心が、前記キャリアの中心に
対して偏芯した位置に形成されていることを特徴とする
請求項2、3又は4記載の研磨加工装置のキャリア。
5. The carrier according to claim 2, wherein a center of the hole is formed at a position eccentric with respect to a center of the carrier.
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