JP2001026407A - αサイアロン粒子 - Google Patents
αサイアロン粒子Info
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Abstract
態の粒子、特に中空ボール状粒子又はナノ粒子に関す
る。 【解決手段】 一般式 【化1】MxSi12-m ― nAlm+nOnN16-n (式中、Mはアルカリ土類金属又は希土類元素を表し、
xは0より大きく2以下であり、m=ν × x(νはMの
電荷を表す。)であり、nは0より大きく(12−m)未
満である。)で表されるαサイアロンを20重量%以上
含み、直径が50〜1000nmの中空ボール状粒子又は直径が
2〜50nmの粒子。特にMがカルシウム又はイットリウム
であって、xが0.3〜1.4である上記粒子。
Description
主に含む特殊形態の粒子、特に中空ボール状粒子又はナ
ノ粒子に関する。
素(Si3N4)の一部にAlとOが固溶したSi−Al
−O−N成分からなる化合物及び固溶体の総称であり、
窒化ケイ素関連材料として位置付けられている。このサ
イアロンはαサイアロンとβサイアロンから成る。αサ
イアロンはα−Si3N4のSiとNの一部にそれぞれA
lとOが置換すると同時に、金属原子(この発明の場合
にはアルカリ土類金属又は希土類元素である。)が格子
間に侵入した固溶体であり、この侵入型固溶する金属原
子の種類や量により様々な性質を示し、しかもβサイア
ロンや窒化ケイ素に比べて高い硬度を持つ。βサイアロ
ンは上記金属原子以外の成分はαサイアロンと同じであ
るが上記金属原子が格子間に侵入せずαサイアロンとは
結晶構造が異なる。従来このαサイアロンは、Si
3N4、AlN及び種々の金属酸化物の混合物を窒素気流
中、1400℃以上で加熱したり、酸化物を還元窒化して生
成される。最近では有機前駆体からの合成も検討されて
いる。
(1988) 43-48には、テトラオルトシリケート、アルミ
ニウムイソプロポキシド、カルシウムエトキシドをブタ
ノールに溶解させ、カーボンブラックを還元剤として用
い、窒素流中において1200〜1450℃で0〜16時間加熱
し、次に1550〜1600℃で1時間加熱する2段階方法によ
りCa−αサイアロンを形成させる旨が記載されている
が、そこに掲載されている写真によれば、この発明のよ
うな特殊形態は形成されていない。また、J.W.T.van Ru
ttenらのJournal of the European Ceramics Society 1
5(1995) 599-604 には、SiO2、Al2O3、C及びC
aSiO3又はCaOを界面活性剤の存在下で水又はイ
ソプロパノールに分散させ、窒素流中において1350〜16
50℃で3〜65時間加熱することによりCa−αサイアロン
を形成させる旨が記載されているが、この発明のような
特殊形態は形成されていない。
中で、還元窒化法は本質的に吸熱反応であることから、
生成粒子の形態制御が期待できることがSi3N4やAl
Nの合成などで明らかにされている。しかし、この還元
窒化法によるαサイアロン粉末の形態制御技術に関して
は十分なデータはなく、その法則も明らかにされていな
い。
アロンの合成に関して、種々検討を行った結果、ある特
定の条件下において、これまで全く例を見ない粒子形態
をもつαサイアロンが生成されることを見出した。即
ち、本発明の主題は、全く新しいナノ粒子(微粒子)か
ら構成されるαサイアロン中空ボール状粒子である。こ
の中空ボール状粒子は、例えば図3〜8に示すような、
直径50〜1000nm、好ましくは直径200〜500nmの中空ボ
ール状を呈し、中空ボール状粒子自体は直径2〜50nm、
好ましくは直径10〜30nmのナノ粒子から構成されてい
る。この中空ボール状粒子は容易に解砕されナノ粒子
(ナノ粉末)が得られる。また、これらを焼結すれば高
強度及び高硬度の焼結中空ボール状粒子又はナノ粒子か
ら成る緻密質サイアロンが得られる。
若しくはSr、より好ましくはCa、又は希土類元素、
好ましくはY、Dy若しくはYb、より好ましくはYを
表し、xは0より大きく2以下であり、m=ν × x(ν
はMの電荷を表す。)であり、nは0より大きく(12−
m)未満である。)で表される。一方βサイアロンは一
般式
る。
xは0より大きく2以下であり、m=ν × x(νはMの
電荷を表す。)であり、nは0より大きく(12−m)未
満である。)で表されるαサイアロンを20重量%以上
含み、直径が50〜1000nm、好ましくは200〜500nmの中空
のボール状粒子である。この発明の別の主題は一般式
xは0より大きく2以下であり、m=ν × x(νはMの
電荷を表す。)であり、nは0より大きく(12−m)未
満である。)で表されるαサイアロンを20重量%以上
含み、直径が2〜50nm、好ましくは10〜30nmの粒子(ナ
ノ粒子)である。特に前記Mがカルシウム又はイットリ
ウムであって、xが0.3〜1.4、好ましくは0.4
〜1.2、より好ましくは0.8〜1.2である上記粒
子である。更に、上記粒子中のαサイアロンの含有量は
好ましくは70重量%以上、より好ましくは85重量%
以上、最も好ましくは100重量%である。
てAl2O3(焼成の過程でAl2O3に変化する硝酸塩や硫酸塩
などを含む。)、CaO(焼成の過程でCaOに変化する炭酸塩
や硝酸塩などを含む。)、SiO2(焼成の過程でSiO2に変化
する炭酸塩や硝酸塩などを含む。)、及び炭素(炭化水素
などの炭素を含む化合物でもよい。)をαサイアロンを
生成し得る所定量の割合(炭素量は量論比よりは3〜15%
程度多く使用するのが好ましい。)で採取し、この混合
系を乳鉢やボールミルなどの通常の湿式混合法で混合す
る。この混合バッチをカーボンボートに入れて電気炉に
挿入し、窒素気流中で例えば1400〜1600℃、30分〜5時
間の還元窒化反応(以下、焼成という。)を行う。電気
炉の昇温について特に制限はないが、1時間程度の短時
間昇温でも所定の反応を起こさせることができる。こう
した条件は、炉構造、大きさ、チャージする量にも関係
する。反応を終了した粉末は残留炭素を含んでいるの
で、これを除去するために空気中で700℃前後で加熱処
理しこれを除去する。以上のような工程を経てナノ粒子
又はαサイアロン中空ボール状粒子を作製することがで
きるが、これを適切に得るためには次に示すような配慮
が好ましい。
酸化物があり、焼成過程で酸化物になるものも含まれ
る。結晶構造に特に制限はないが、好ましくはγ、θ、
δ−A1 203などである。A1203の粒径は重要な因子であ
り、具体的には、粒径は平均0.6μm以下、好ましくは0.
3μm以下である。Caなどの金属源としては、Caなどのア
ルカリ土類金属やYなどの希土類金属化合物があり、焼
成中に酸化物に変化するものであればよい(炭酸塩、硝
酸塩など)。Si源としてはSiO2などの酸化物があり、焼
成過程で酸化物になるものも含まれ、主として微細な非
晶質シリカ粉末が好ましく、粒径はO.5μm以下が好まし
い。C源としては、微細なランプブラックなどがあり、
特に微細粉末であればよく、粒径は0.5μm以下、好まし
くはO.2μm以下である。一般式CxHyで表されるハイドロ
カーボンあるいはこれに類した有機化合物を用いると反
応は加速される。本発明の焼成過程は、窒素を含む非酸
化性雰囲気気流中で行う。この雰囲気は典型的には窒素
ガス、アンモニアガス、N2 + H2混合ガスなどである。
窒素中1300〜1800℃、好ましくは1300〜1650℃、より好
ましくは1400〜1550℃で焼結してもよい。この焼結は残
留炭素を含む生成粉末を脱炭する前又は後に行ってもよ
いが、前に行うことが好ましい。また、昇温や反応時間
等の焼結条件は炉構造、採取量、焼成温度によって適当
に選択する。雰囲気は気流中とするか、高圧ガスでもよ
い。
発明においては電界放出形走査顕微鏡(FESEM)及
び透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて100〜200個の粒
子を直接観察して粒径とした。その結果のいくつかを図
3〜8に示す。これらからも解るように、本発明の粒子
は必ずしも独立した粒子である必要はなく、いくつかの
粒子が融着した塊の形態を示してもよい。またαサイア
ロン中空ボール状粒子自体は、ナノ粒子により形成され
ており、完全な球を形成しているものであってもよい
し、一以上の穴があいた不完全な球形であってもよい。
生成物としてSi2N2Oを含むが、加熱後(例えば、120分
後)にはαサイアロン、βサイアロン、AlNのみを含
み、更に条件によってはαサイアロンの割合が増加す
る。これらの量はCuKα線を用いたX線回折法により
定量することができる。この明細書においては、αサイ
アロンの含量について、αサイアロンの(102)面(ピ
ーク位置2θ=34.0°)及び(210)面(ピーク位置2
θ=34.9°)の積分強度から算出した。ただし、これら
の値はJCPDSカード33-261 Ca0.8Si9.2Al2.8O 1.2N14.8の
もので、一般式におけるx(あるいはm,n)の値によって
格子定数が若干異なるので、ピークの位置がすこしシフ
トすると考えられる。βサイアロンの含量については、
βサイアロンの(101)面(ピーク位置2θ=33.4°)
及び(210)面(ピーク位置2θ=36.1°)の積分強度
から算出する。ただし、これらの値はJCPDSカード33-11
60 β-Si3N4のもので、βサイアロンとはAlとNが固溶し
ていない分格子定数が若干異なるので、ピークの位置が
すこしシフトすると考えられる。AlNについては(10
1)面(ピーク位置2θ=37.9°)のピーク高さにより
強度の測定を行った。ただし、この値はJCPDSカード25-
1133 AlNのものである。
02レオロシール)、Al2O3(住友化学工業株式会社
製、AKP−50)、CaCO3(純正化学株式会社製)、
C(三菱化成株式会社製、カーボンブラック650B)の各粉
末を用い、これらの混合比は、Ca−α−サイアロンのm
=2x及びn=xの場合の一般式
CaCO3)のモル比を2.4として調合した。これら粉末
をめのう乳鉢を用いて工タノール中で湿式混合し、乾
燥、強制通櫛を行い合成用粉末とした。これをカーボン
治具上に敷き、電気炉中に挿入して、0.5リットル/分
の窒素気流中、1300〜1500℃、0〜120分の条件で窒化反
応を行った(ここで、0分とは所定温度に到達後直ちに
反応を止めることを意味する。以下同様。)。さらに、
反応後の粉末は空気中700℃で120分間加熱を行い、残留
カーボンを酸化除去した。
ける反応温度に対する構成相のX線回折強度変化を示
す。この図から、還元窒化過程では、1300℃以上でSi
O2が減少すると共にSi2N2Oが生成しAl2O3の還
元窒化はこれより若干遅れて1350℃で開始される、その
後1450℃になるとSi2N2Oの量が減少し、時間の経過
とともにAlNの量も減少する。それに伴ってα及びβ
サイアロン、特ににαサイアロンの増加が顕著に認めら
れる。このことは、αサイアロンの生成においてSi2
N2OとAlNが何らかの形で関与していることを示唆
するものである。X線回折での評価の結果、1400℃以上
の温度で生成率85%以上のCa−αサイアロンが生成さ
れており、1500℃以上では生成物のほとんどがCa−α
サイアロンであることが確認された。
ろ、反応の中期から200〜500nmの球状粒子が観察され、
最終的にはほとんどが球状粒子からなることが観察され
た(図3〜8)。これらの構造をFESEM、TEM及
びEDSでさらに詳細に解析したところ、球状粒子は中
空状を呈しており、その粒子はさらに微細な2〜50nmの
微粒子から成り立っていることが確認された。EDSの解
析結果からこの中空状ボールはSi、Al、Ca、O及
びNから構成されていることも判明した。先に述べたX
線回折の結果と併せることによって、Ca−αサイアロ
ンであることが確認された。Al2O3にCa化合物を添
加した系の還元窒化によるAlNの合成研究によれば、
窒化反応の進展に伴って球状のAlN粒子が生成するこ
とが報告されている(J. Ceram. Soc. Japan, 102, 670
-674, (1994))。このことから、この発明の反応系では
初期段階において生成したAlN粒子が、その形状を残
しながら最初に生成したSi2N2O及び残留しているC
aO又はCaアルミネートと反応してナノサイズのCa
−αサイアロン粒子(ナノ粒子)を生成したものと考えら
れる。
式
化させたほかは、実施例1と同様の操作を行った。得ら
れた粉末に対して、XRDにより構成相の同定及び反応率
の解析を行い、SEMによる微構造観察を行った。x=0.3
〜1.4で得られたすべての粉末において、Ca−α−サイ
アロン(α')、β−サイアロン(β')及びAlNが同定さ
れた。このXRDピークから算出したα'の含有率(α'/
(α'十β'))の値とxとの関係を図2に示す。Xが0.3〜1.
4の全範囲で図3〜8に示すようなナノ粒子及びそれで
構成される中空ボール状粒子が観察され、この範囲で
α'含有率は20重量%以上である。Xが0.4〜1.2の範囲で
はα'含有率は70重量%以上であり、Xが0.8〜1.2の範囲
ではα'含有率は80重量%以上である。X=1.0において
合成した粉末のα'含有率が最も高く、その値は約85重
量%に達した。
0℃にて焼成時間を0〜120分の間で変化させて合成した
粉末を比較した結果、30分までの焼成試料のXRDは大き
く変化したが、30分以上焼成した試料のXRDパターンに
はほとんど変化が見られなかった。したがって、1450℃
におけるサイアロンの生成反応は30分でほぼ飽和に達す
るものと考えられる。さらに、SEM観察の結果、球状粒
子の生成が認められたが、焼成時間120分に限っては、
粒子の柱状化が進むことが顕著に確認された。以上のこ
とから、比較的低温においても、還元窒化法によるCa−
α−サイアロン粉末の合成が可能であることが判明し
た。
02レオロシール)、Al2O3(住友化学工業株式会社
製、AKP−50)、Y2O3(信越化学工業株式会社製、
RU)、C(三菱化成株式会社製、カーボンブラック650
B)の各粉末を用い、これらの混合比はY−α−サイアロ
ンのm=3x及びn=1.5xの場合の一般式
Y2O3)のモル比を2.4として調合した。これらの粉末
をメノウ乳鉢を用いてエタノール中で湿式混合し、乾燥
後48メッシュの筋を強制通篩して合成用調合とした。
して、O.51/分の窒素気流中、1450℃、0〜3時間の条件
で窒化反応を行った。さらに反応後の粉末は、空気中70
0℃で3時間の脱炭処理を行い残留カーボンを酸化除去し
た。得られた粉末をX線回折で評価した結果、1400℃以
上の温度で生成率80%以上のY−αサイアロンが生成して
おり、1500℃以上では生成物のほとんどがY−αサイア
ロンであることが確認された。この場合も、合成された
粉末をSEMで観察したところ、反応の中期から200〜400n
mの球状粒子が観察され、最終的にはほとんどが球状粒
子からなることが観察された、FESEM、TEM及びEDSでさ
らに詳細に解析したところ、球状粒子は中空ボール状を
呈しており、その粒子はさらに微細な20nm前後のナノ粒
子から成り立っていることが確認された。EDSの解析結
果からこの中空ボール状粒子はSi、Al、Y、O、N
から構成されることも判明した。
砕して焼結すれば焼結ナノ粒子が得られる。また、解砕
せずに焼結すれば焼結中空ボール状粒子が得られる。こ
れらは高強度及び高硬度であるため、高温高耐食性多孔
体、耐摩擦・摩耗材料、耐食材料及び耐熱材料、更に環
境・エネルギー関連材料として用いることができる。特
に中空ボール状粒子については高温(1000〜1500℃程
度)で使用されるナノレベルのフィルターや触媒担体と
して用いることができる。
折強度で表した図である。
する本発明の粒子の成分を、X線回折強度から算出した
割合で表した図である。
たCa−αサイアロン粒子の粒子のTEM(透過電子顕微
鏡)写真である。200kV分析電子顕微鏡(日本電子株式会
社製JEM-2000FXII)を用い、加速電圧200kV、倍率20000
倍、明視野像で観察を行った。直径が50〜1000nm、特に
200〜500nmの中空ボール状粒子が観察される。
鏡)写真である。電界放出形走査電子顕微鏡(日本電子株
式会社製JSM−6340F)を用い、加速電圧5kV、ワーキング
ディスタンス3mm、倍率50000倍、二次電子像で観察を行
った。直径が2〜50nm、特に1O〜30nmのナノ粒子が観察
され、それらによって構成される直径が50〜1000nm特に
200〜500nmの中空ボール状粒子が観察される。
写真である。但し、倍率は50000倍である。直径が約20
〜50nmのナノ粒子で構成された、直径が約70〜250nmの
穴を有する直径が約600〜900nmの中空ボール状粒子が数
個融着した状態が観察される。
写真である。但し、倍率は50000倍である。直径が約20
〜50nmのナノ粒子で構成された、直径が約30〜200nmの
穴を有する直径が約280〜670nmの中空ボール状粒子が数
個融着した状態が観察される。
写真である。但し、倍率は100000倍である。直径が約50
nmのナノ粒子で構成された、約150×300nmの穴を有する
直径が約700nmの中空ボール状粒子が観察される。
写真である。但し、倍率は100000倍である。直径が約50
〜90nmのナノ粒子で構成された、直径が約150nmの穴を
有する直径が約600nmの中空ボール状粒子が観察され
る。
4)
xは0より大きく2以下であり、m=ν × x(νはMの
電荷を表す。)であり、nは0より大きく(12−m)未
満である。)で表されるαサイアロンを20重量%以上
含み、直径が50〜1000nmの中空ボール状粒子。
xは0より大きく2以下であり、m=ν × x(νはMの
電荷を表す。)であり、nは0より大きく(12−m)未
満である。)で表されるαサイアロンを20重量%以上
含み、直径が50〜1000nm、好ましくは200〜500nmの中空
のボール状粒子である。特に前記Mがカルシウム又はイ
ットリウムであって、xが0.3〜1.4、好ましくは
0.4〜1.2、より好ましくは0.8〜1.2である
上記粒子である。更に、上記粒子中のαサイアロンの含
有量は好ましくは70重量%以上、より好ましくは85
重量%以上、最も好ましくは100重量%である。
Claims (3)
- 【請求項1】 一般式 【化1】MxSi12-m ― nAlm+nOnN16-n (式中、Mはアルカリ土類金属又は希土類元素を表し、
xは0より大きく2以下であり、m=ν × x(νはMの
電荷を表す。)であり、nは0より大きく(12−m)未
満である。)で表されるαサイアロンを20重量%以上
含み、直径が50〜1000nmの中空ボール状粒子。 - 【請求項2】 一般式 【化2】MxSi12-m ― nAlm+nOnN16-n (式中、Mはアルカリ土類金属又は希土類元素を表し、
xは0より大きく2以下であり、m=ν × x(νはMの
電荷を表す。)であり、nは0より大きく(12−m)未
満である。)で表されるαサイアロンを20重量%以上
含み、直径が2〜50nmの粒子。 - 【請求項3】 前記Mがカルシウム又はイットリウムで
あって、xが0.3〜1.4である請求項1又は2に記
載の粒子。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004060797A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Satake, Masanobu | 多重粒子及びその製造方法 |
JP2005272484A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Fujikura Ltd | 発光デバイス |
WO2005102921A1 (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-03 | National Institute For Materials Science | 酸窒化物粉末およびその製造方法 |
WO2006132188A1 (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | National Institute For Materials Science | 無機結晶の製造方法 |
JP2008127547A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Sharp Corp | 蛍光体およびその製造方法、ならびに発光装置 |
CN100439288C (zh) * | 2006-12-14 | 2008-12-03 | 哈尔滨工业大学(威海) | Sialon准一维纳米材料及其制备方法 |
JP2013063894A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-04-11 | Hokkaido Univ | サイアロンおよびその合成方法 |
US8513872B2 (en) | 2010-08-05 | 2013-08-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting apparatus and method for manufacturing thereof |
US8729788B2 (en) | 2005-05-30 | 2014-05-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device provided with a wavelength conversion unit incorporating plural kinds of phosphors |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110078521B (zh) * | 2019-05-13 | 2021-06-11 | 西北工业大学 | 一种亚微米级氮化硅中空微球及制备方法 |
CN115974578B (zh) * | 2022-12-15 | 2023-09-22 | 西北工业大学 | 一种α-SiAlON多孔陶瓷及其制备方法和应用 |
-
1999
- 1999-07-13 JP JP11198999A patent/JP3081842B1/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100390047C (zh) * | 2002-12-26 | 2008-05-28 | 川添良幸 | 多重粒子及其制造方法 |
WO2004060797A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Satake, Masanobu | 多重粒子及びその製造方法 |
US7658997B2 (en) | 2002-12-26 | 2010-02-09 | Yoshiyuki Kawazoe | Multiply structured particle and method for producing the same |
JP2005272484A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Fujikura Ltd | 発光デバイス |
JP4581120B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2010-11-17 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 酸窒化物粉末およびその製造方法 |
JP2005306692A (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-04 | National Institute For Materials Science | 酸窒化物粉末およびその製造方法 |
KR101206331B1 (ko) * | 2004-04-26 | 2012-11-29 | 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 | 산질화물 분말 및 그 제조방법 |
WO2005102921A1 (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-03 | National Institute For Materials Science | 酸窒化物粉末およびその製造方法 |
US7598194B2 (en) | 2004-04-26 | 2009-10-06 | National Institute For Materials Science | Oxynitride powder and production method thereof |
US9281456B2 (en) | 2005-05-30 | 2016-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and fabricating method thereof |
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WO2006132188A1 (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | National Institute For Materials Science | 無機結晶の製造方法 |
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CN100439288C (zh) * | 2006-12-14 | 2008-12-03 | 哈尔滨工业大学(威海) | Sialon准一维纳米材料及其制备方法 |
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