JP2001021782A - Method and device for supporting optical element - Google Patents

Method and device for supporting optical element

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JP2001021782A
JP2001021782A JP11191099A JP19109999A JP2001021782A JP 2001021782 A JP2001021782 A JP 2001021782A JP 11191099 A JP11191099 A JP 11191099A JP 19109999 A JP19109999 A JP 19109999A JP 2001021782 A JP2001021782 A JP 2001021782A
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Toshio Takitani
俊夫 滝谷
Akio Komura
明夫 小村
Kunihiko Yamasato
久仁彦 山里
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High Energy Accelerator Research Organization
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To stably support a diamond crystalline plate without bringing a grating face into an unstable condition by thermal shock even when a thermal load is applied by an X-ray. SOLUTION: When a diamond crystalline plate 4 irradiated with an X-ray is attached onto a base 1, an end face of the crystalline plate 4 is joined on an element fixing block 3 comprising a diamond single crystal, using the first joining material not fused by thermal load caused by the X-ray, and the element fixing block 3 is attached onto the base 1 by the second joining material not fused by the thermal load. Stable bonding, reduction of temperature gradient and suppression of thermal strain are thus attained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤモンドモノ
クロメータなどの光学装置において、光学素子であるダ
イヤモンド結晶を安定して支持するための光学素子の支
持方法および装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for stably supporting a diamond crystal, which is an optical element, in an optical device such as a diamond monochromator.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば位置調整機構(ゴニオメータ)
を備えたダイヤモンドモノクロメータは、ESRFのト
ロイカと呼ばれるマルチステーションビームラインにお
いて開発されたもので、ダイヤモンド結晶に高輝度X線
を照射し、その格子面を利用して回折X線を得るもので
ある。
2. Description of the Related Art For example, a position adjusting mechanism (goniometer)
Is a multi-station beam line called ESRF troika, which irradiates diamond crystals with high-brightness X-rays and obtains diffracted X-rays using the lattice plane. .

【0003】従来のダイヤモンドモノクロメータでは、
コの字型の銅製冷却支持基台の凹部に、In−Ga低温
はんだを介してダイヤモンド結晶板の両辺がマウントさ
れていた。
In a conventional diamond monochromator,
Both sides of the diamond crystal plate were mounted on the concave portion of the U-shaped copper cooling support base via In-Ga low-temperature solder.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来構成
では、In−Ga低温はんだの融点がおよそ50℃であ
り、ダイヤモンド結晶板に高輝度X線が照射された場
合、ダイヤモンド結晶体が加熱されて低温はんだが溶
け、その表面張力によりダイヤモンド結晶板が保持され
るため、熱衝撃による変動によりダイヤモンド結晶の格
子面の位置が不安定になるという問題があった。
However, in the above conventional structure, the melting point of the In-Ga low-temperature solder is about 50 ° C., and when the diamond crystal plate is irradiated with high-brightness X-rays, the diamond crystal is heated. The low-temperature solder melts, and the surface tension holds the diamond crystal plate. Therefore, there is a problem that the position of the lattice plane of the diamond crystal becomes unstable due to fluctuation due to thermal shock.

【0005】本発明は上記問題点を解決して、照射され
るX線の熱衝撃により格子面が不安定になることなくダ
イヤモンド結晶板を安定して支持でき、熱変形を抑制で
きる光学素子の支持方法および装置を提供することを目
的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned problems and provides an optical element which can stably support a diamond crystal plate without instability of a lattice plane due to thermal shock of irradiated X-rays and can suppress thermal deformation. It is an object to provide a supporting method and apparatus.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1記載の光学素子の支持方法は、X線が照射さ
れるダイヤモンド結晶板を基台上に取り付けるに際し、
前記ダイヤモンド結晶板の端面を、X線による熱負荷で
溶融しない第1の接合材料により素子固定台上に接合
し、この素子固定台を前記熱負荷で溶融しない第2の接
合材料により基台上に取り付け、前記ダイヤモンド結晶
板と素子固定台と熱膨張率を近似させるとともに、ダイ
ヤモンド結晶板と素子固定台と基台に熱伝動率が良好な
材料を使用したものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of supporting an optical element, comprising: mounting a diamond crystal plate to be irradiated with X-rays on a base;
An end face of the diamond crystal plate is bonded on the element fixing base with a first bonding material that is not melted by a thermal load by X-rays, and the element fixing table is mounted on a base with a second bonding material that is not melted by the thermal load. The diamond crystal plate, the element fixing base and the thermal expansion coefficient are approximated to each other, and the diamond crystal plate, the element fixing base and the base are made of a material having a good thermal conductivity.

【0007】また請求項3記載の光学素子の支持装置
は、X線が照射されるダイヤモンド結晶板と、基台と、
前記ダイヤモンド結晶板と基台との間に介在された素子
固定台と、前記ダイヤモンド結晶板の端面と素子固定台
とを接合するX線による熱負荷で溶融しない第1の接合
材料と、素子固定台と基台とを接合する前記熱負荷で溶
融しない第2の接合材料とを具備し、前記ダイヤモンド
結晶板と素子固定台と熱膨張率を近似させるとともに、
ダイヤモンド結晶板と素子固定台と基台に熱伝動率が良
好な材料を使用したものである。
[0007] The optical device support device according to the third aspect of the present invention is a device for supporting an optical element, comprising: a diamond crystal plate irradiated with X-rays;
An element fixing base interposed between the diamond crystal plate and the base, a first bonding material that is not melted by a thermal load by X-rays for bonding an end surface of the diamond crystal plate and the element fixing base, and an element fixing element; A second bonding material that is not melted by the thermal load for bonding the base and the base, and the thermal expansion coefficient is approximated with the diamond crystal plate and the element fixing base,
A material having good thermal conductivity is used for the diamond crystal plate, the element fixing base and the base.

【0008】上記各構成によれば、接合部の両接合材料
が熱負荷により溶融することがないので、熱衝撃により
ダイヤモンド結晶板の結晶の固定が不安定になることが
ない。またダイヤモンド結晶板をその端面を介して近似
する熱膨張率の素子固定台に取り付けるので、熱による
変形、歪みを最小限に抑制することができ、結晶表面に
おいて回折可能な使用範囲を拡大することができる。ま
たX線により負荷されるダイヤモンド結晶板の熱を素子
固定台から基台に良好に伝えることができるので、効果
的に放熱することができる。
According to each of the above structures, the bonding material at the bonding portion is not melted by the thermal load, so that the fixing of the crystal of the diamond crystal plate by the thermal shock does not become unstable. In addition, since the diamond crystal plate is attached to the element fixing base with a similar thermal expansion coefficient via its end face, deformation and distortion due to heat can be suppressed to a minimum, and the range of use that can be diffracted on the crystal surface is expanded. Can be. Further, since the heat of the diamond crystal plate loaded by X-rays can be transmitted well from the element fixing base to the base, heat can be dissipated effectively.

【0009】また請求項2記載の光学素子の支持方法
は、請求項1の方法において、素子固定台をダイヤモン
ドにより形成し、ダイヤモンド結晶板と素子固定台との
接合面に、それぞれ銀ろうをろう付けした後、その表面
にNiコーティングし、ダイヤモンド結晶板と素子固定
台とをはんだ付けしてこれら第1の接合材料により接合
し、素子固定台の基台への接合面に銀ろうをろう付けし
た後、その表面にNiコーティングし、素子固定台と基
台とをはんだ付けしてこれら第2の接合材料により接合
するものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for supporting an optical element according to the first aspect, wherein the element fixing base is formed of diamond, and a silver solder is provided on a joint surface between the diamond crystal plate and the element fixing base. After the attachment, the surface is coated with Ni, the diamond crystal plate and the element fixing base are soldered and joined with these first joining materials, and a silver brazing is brazed to the joint surface of the element fixing base to the base. After that, the surface is coated with Ni, and the element fixing stand and the base are soldered and joined with these second joining materials.

【0010】また請求項4記載の光学素子の支持装置
は、請求項3記載の構成において、素子固定台がダイヤ
モンド単結晶により形成され、ダイヤモンド結晶板およ
び素子固定台の第1の接合材料は、ダイヤモンド結晶板
および素子固定台の接合面にろう付けされた銀ろうと、
この銀ろうの表面にコーティングされたNi薄膜と、こ
れら銀ろうおよびNi薄膜を介してダイヤモンド結晶板
と素子固定台とを接合するはんだとで構成され、素子固
定台と基台との第2の接合材料は、素子固定台の接合面
にろう付けされた銀ろうと、この銀ろうの表面にコーテ
ィングされたNi薄膜と、これら銀ろうおよびNi薄膜
を介して素子固定台と基台を接合するはんだとで構成さ
れたものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the configuration of the third aspect, the element fixing base is formed of diamond single crystal, and the first bonding material of the diamond crystal plate and the element fixing base is: A silver solder brazed to the bonding surface of the diamond crystal plate and the element fixing base,
A second thin film composed of the Ni thin film coated on the surface of the silver solder and the solder for joining the diamond crystal plate and the element fixing base via the silver solder and the Ni thin film, and The bonding material is a silver solder brazed to the bonding surface of the element fixing base, a Ni thin film coated on the surface of the silver solder, and a solder for joining the element fixing base and the base through the silver solder and the Ni thin film. It is composed of

【0011】上記各構成によれば、素子固定台をダイヤ
モンド結晶製とすることにより、熱膨張率および熱伝導
率を極めて近似させて接合時の変形およびX線照射によ
る熱負荷時の変形を効果的に抑制することができる。ま
たダイヤモンド結晶同士を、銀ろうによるろう付けとN
iコーティングによりはんだ付けすることができて、ダ
イヤモンド結晶板と素子固定台、素子固定台と基台とを
良好に接合することができる。
According to each of the above constructions, the element fixing base is made of a diamond crystal, so that the coefficient of thermal expansion and the coefficient of thermal conductivity are made very close to each other, so that the deformation at the time of joining and the deformation at the time of heat load by X-ray irradiation can be effectively prevented. Can be suppressed. Also, the diamond crystals are brazed by silver brazing and N
Soldering can be performed by i-coating, and the diamond crystal plate and the element fixing base, and the element fixing base and the base can be satisfactorily joined.

【0012】また請求項5記載の光学素子の支持装置
は、上記構成において、ダイヤモンド結晶板の断面積に
対して前記素子固定台の断面積が十分に大きく、かつこ
のダイヤモンド結晶板の接合端面の面積に対して、素子
固定台の基台への接合面積が十分に大きく設定され、基
台に冷却手段が設けられたものである。上記構成によれ
ば、素子固定台の断面積が大きく形成されることで、X
線照射時の熱勾配を低下させることができ、また素子固
定台の基台への接合面積が大きいために熱伝達を向上さ
せることができ、ダイヤモンド結晶板を効果的に冷却す
ることができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the above structure, the cross-sectional area of the element fixing base is sufficiently large with respect to the cross-sectional area of the diamond crystal plate, and the bonding end face of the diamond crystal plate is formed. The bonding area of the element fixing base to the base is set to be sufficiently large with respect to the area, and the base is provided with cooling means. According to the above configuration, since the cross-sectional area of the element fixing base is formed large, X
The thermal gradient at the time of irradiation with rays can be reduced, and the heat transfer can be improved due to the large bonding area of the element fixing base to the base, so that the diamond crystal plate can be cooled effectively.

【0013】さらに請求項6記載の光学素子の支持装置
は、上記構成において、素子固定台におけるダイヤモン
ド結晶板への接合面と、基台への接合面とが互いに平行
に形成されたものである。上記構成によれば、熱負荷に
よる素子固定台の熱膨張により生じる変形量を均等化す
ることができ、ダイヤモンド結晶板に与える影響を少な
くすることができる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the above structure, the bonding surface to the diamond crystal plate and the bonding surface to the base of the element fixing base are formed parallel to each other. . According to the above configuration, it is possible to equalize the amount of deformation caused by the thermal expansion of the element fixing base due to the thermal load, and to reduce the influence on the diamond crystal plate.

【0014】さらに請求項7記載の光学素子の支持装置
は、ダイヤモンド結晶板と素子固定台、素子固定台と基
台の各接合部の接合面に微細な凹凸を形成したものであ
る。上記構成によれば、ろうおよびはんだによる結晶板
と固定台、固定台と基台の接合強度を高めることができ
る。
Further, in the optical element supporting device according to the present invention, fine irregularities are formed on a bonding surface of each bonding portion between the diamond crystal plate and the element fixing base and between the element fixing base and the base. According to the above configuration, it is possible to increase the bonding strength between the crystal plate and the fixing base and the fixing base and the base by the brazing and the solder.

【0015】また請求項8記載の光学素子の支持装置
は、上記構成において、ダイヤモンド結晶板の基台対称
位置に対向基台が配置され、ダイヤモンド結晶板の他方
の端面が、X線による熱負荷時に溶融状態となる熱伝達
物質を介して前記対向基台に接触されたものである。
In the above structure, the opposing base may be disposed at a position symmetrical to the base of the diamond crystal plate, and the other end face of the diamond crystal plate may be subjected to heat load by X-rays. It is in contact with the opposing base via a heat transfer material that sometimes becomes molten.

【0016】上記構成によれば、ダイヤモンド結晶板の
他方の端面が熱伝達物質により対向基台に接触されるの
で、2つの基台にそれぞれ効率良く熱伝導して放熱する
ことができる。またこの熱伝達物質が熱負荷時に溶融す
るように構成されるので、対向基台の接合部にダイヤモ
ンド結晶板が拘束されることが無く、熱変形が吸収され
るので、この接触部によりダイヤモンド結晶板に熱歪み
が生じることもない。
According to the above configuration, the other end face of the diamond crystal plate is brought into contact with the opposing base by the heat transfer material, so that heat can be efficiently conducted to and released from the two bases, respectively. In addition, since the heat transfer material is configured to be melted at the time of heat load, the diamond crystal plate is not restrained at the joint of the opposing base and thermal deformation is absorbed. There is no thermal distortion of the plate.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】ここで、本発明に係る光学素子の
支持装置の実施の形態を図1および図2に基づいて説明
する。図1において、1はダイヤモンドモノクロメータ
に設けられて位置調整機構により傾斜回転姿勢および上
下左右位置の調整可能な高熱伝導率の銅製基台で、この
基台1には、冷却機構を構成する冷却水流送用の冷却チ
ャンネル2がX線の照射方向に直交する方向に形成され
ている。この基台1上には素子固定台3が接合部5Bを
介して接合されており、また熱膨張率が極めて低く熱伝
導率が高いダイヤモンド単結晶からなるダイヤモンド結
晶板4が接合部5Aを介して固定されている。このダイ
ヤモンド結晶板4は、たとえば8mm角の正方形で、厚
みが0.5mmに形成され、その下辺の端面が素子固定
台3に接合されて熱ひずみを緩和するように構成されて
いる。Aはダイヤモンド結晶板4の中心位置(X=0,
Y=0)にX線が照射される照射範囲を示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Here, an embodiment of a supporting device for an optical element according to the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a copper base provided with a diamond monochromator and having a high thermal conductivity capable of adjusting an inclined rotation posture and up / down / left / right positions by a position adjustment mechanism. A cooling channel 2 for water flow is formed in a direction orthogonal to the X-ray irradiation direction. On the base 1, an element fixing base 3 is joined via a joint 5B, and a diamond crystal plate 4 made of a diamond single crystal having a very low coefficient of thermal expansion and a high thermal conductivity is joined via a joint 5A. Is fixed. The diamond crystal plate 4 is, for example, a square of 8 mm square and 0.5 mm in thickness, and is configured such that an end face on a lower side thereof is joined to the element fixing base 3 to reduce thermal strain. A is the center position of the diamond crystal plate 4 (X = 0,
(Y = 0) shows an irradiation range where X-rays are irradiated.

【0018】この素子固定台3には、ダイヤモンド結晶
板4と同一のダイヤモンド単結晶か、それに近似するダ
イヤモンド多結晶製のものが使用され、あるいは熱膨張
率が極めて低く熱伝導率が高いダイヤモンド結晶板4に
近似する材質のものが選択されて使用される。なお、ダ
イヤモンド結晶でも含まれる不純物や結晶方向により、
熱膨張率と熱伝導率が若干相違することがある。これに
より、熱膨張係数を同一または近似させることで、ダイ
ヤモンド結晶板4の結晶に歪みが生じるのを防止してい
る。
The element fixing base 3 is made of the same diamond single crystal as the diamond crystal plate 4 or a diamond polycrystal similar thereto, or a diamond crystal having a very low coefficient of thermal expansion and a high thermal conductivity. A material similar to the plate 4 is selected and used. In addition, depending on the impurities and crystal direction included in the diamond crystal,
The thermal expansion coefficient and the thermal conductivity may be slightly different. This prevents the crystal of the diamond crystal plate 4 from being distorted by making the thermal expansion coefficients the same or similar.

【0019】またこの素子固定台3は、ダイヤモンド結
晶板4の断面積(平面断面積)に比較して十分に大きい
断面積(平面断面積)、たとえば横幅8mm×奥行き3
mm×高さ2mmの角柱に形成されて、X線の照射時の
ダイヤモンド結晶板4の熱勾配を低下させるとともに、
基台1への接合面積を増大することにより、ダイヤモン
ド結晶板4から基台1への熱伝導を向上させることがで
きる。またダイヤモンド結晶板4の接合面(上面)と基
台1への接合面は互いに平行に形成され、熱膨張による
ダイヤモンド結晶板4の歪みが均等化されている。
The element fixing base 3 has a cross-sectional area (plane cross-sectional area) that is sufficiently larger than the cross-sectional area (plane cross-sectional area) of the diamond crystal plate 4, for example, a width of 8 mm and a depth of 3 mm.
mm × 2 mm in height, reduces the thermal gradient of the diamond crystal plate 4 during X-ray irradiation,
By increasing the bonding area to the base 1, heat conduction from the diamond crystal plate 4 to the base 1 can be improved. The bonding surface (upper surface) of the diamond crystal plate 4 and the bonding surface to the base 1 are formed parallel to each other, and the distortion of the diamond crystal plate 4 due to thermal expansion is equalized.

【0020】このダイヤモンド結晶板4と素子固定台3
との接合部5A、および素子固定台3と基台1の接合部
5Bでは、図2に示すように、たとえばこの実施の形態
におけるX線の熱負荷が220℃に達しないため、この
熱負荷で溶融しないSn−Ag系はんだ(融点220
℃)6が第1,第2の接合材料の主材料として選択され
る。
The diamond crystal plate 4 and the element fixing table 3
As shown in FIG. 2, for example, the thermal load of X-rays in this embodiment does not reach 220 ° C. at the junction 5A between Sn-Ag solder (melting point 220
° C) 6 is selected as the main material of the first and second joining materials.

【0021】ところで、これら接合部5A,5Bにおい
てSn−Ag系はんだ6では、ダイヤモンド材料の直接
接合は不可能なため、ダイヤモンド結晶板4と素子固定
台3の各接合面には、銀ろう(Ag−Cu−Ti)7が
ろう付けされ、さらにその表面にNi薄膜8がコーティ
ングされ、このNi薄膜8を介してSn−Ag系はんだ
6によりはんだ付けされる。したがって、これら銀ろう
7とNi薄膜8とSn−Ag系はんだ6により、熱負荷
で溶融しない第1の接合材料および第2の接合材料が構
成される。もちろんダイヤモンド結晶板4と素子固定台
3と基台1の材質やX線の熱負荷により、第1の接合材
料および第2の接合材料が変更される。もちろん、これ
ら接合材料として高熱伝導率で低熱膨張率である方が好
ましいのはいうまでもない。
In the joints 5A and 5B, the Sn-Ag solder 6 cannot directly join a diamond material. Therefore, silver brazing is applied to each joining surface between the diamond crystal plate 4 and the element fixing base 3. Ag-Cu-Ti) 7 is brazed, and the surface thereof is coated with a Ni thin film 8. The Ni thin film 8 is used for soldering with a Sn-Ag solder 6. Therefore, the silver solder 7, the Ni thin film 8, and the Sn-Ag solder 6 constitute a first bonding material and a second bonding material that are not melted by a heat load. Of course, the first bonding material and the second bonding material are changed depending on the materials of the diamond crystal plate 4, the element fixing base 3, and the base 1, and the thermal load of X-rays. Of course, it is needless to say that these bonding materials preferably have high thermal conductivity and low thermal expansion coefficient.

【0022】なお、これら接合部5A,5bの一方の接
合面に、図6(a)(b)に示すように、数μmまたは
数10μmオーダーで整然とした凹凸部9を形成するこ
とにより、銀ろう7およびSn−Ag系はんだ6の濡れ
性を向上させて凹凸部9に入り込ませ、凹凸部9の先端
部とダイヤモンド結晶板4とを当接させた状態で接合し
て、接合強度を向上させることができる。なお、この微
細な凹凸部9は、図6(a)(b)に示すような山形状
や、図7に示すような凹凸形であってもよい。また2つ
の接合面の両方に凹凸部9を形成することもできる。
6 (a) and 6 (b), by forming an orderly uneven portion 9 on the order of several μm or several tens μm on one of the bonding surfaces of these bonding portions 5A and 5b. Improve the wettability of the solder 7 and the Sn-Ag solder 6 to get into the uneven portion 9 and join the tip of the uneven portion 9 and the diamond crystal plate 4 in contact with each other to improve the joining strength. Can be done. The fine uneven portion 9 may have a mountain shape as shown in FIGS. 6A and 6B or an uneven shape as shown in FIG. Further, the uneven portions 9 can be formed on both of the two joining surfaces.

【0023】つぎに基台1に素子固定台3を介してはん
だ接合されたダイヤモンド結晶板4に、X線の照射によ
る熱負荷を与えた場合の熱変形をモデル化したものを図
3に示す。これにより、接合部5A側の熱変形が大きい
が、大部分の歪みでも数10nm以下であり、X線が照
射されるY座標(高さ方向)=0の中心部では、熱歪み
が極めて小さい。また図4(a)はダイヤモンド結晶板
4の変形前、(b)は熱変形後のX(幅方向)−Y(高
さ方向)の変形を定性的に表わしたものである。さらに
図5はダイヤモンド結晶板4の表面の変形を2nmの等
高線で表わしたものである。このように熱変形を解析し
たものによれば、接合部5A側では変形程度が幾分大き
くなるが、X線照射範囲AのY=0付近では変形量が極
めて少ない。なお、詳述しないが、Y=0で格子面でラ
ウエ反射を想定した場合のスロープ誤差も、8keVで
回折強度曲線のFWHMの約1/10であり、問題はな
い。
Next, FIG. 3 shows a model of thermal deformation when a thermal load is applied to the diamond crystal plate 4 soldered to the base 1 via the element fixing stand 3 by X-ray irradiation. . As a result, the thermal deformation of the joint 5A side is large, but even the majority of the distortion is several tens nm or less, and the thermal distortion is extremely small at the center of the Y coordinate (height direction) = 0 where the X-ray is irradiated. . FIG. 4A qualitatively shows deformation of the diamond crystal plate 4 before deformation, and FIG. 4B qualitatively shows deformation of X (width direction) -Y (height direction) after thermal deformation. FIG. 5 shows the deformation of the surface of the diamond crystal plate 4 by 2 nm contour lines. According to the analysis of the thermal deformation in this way, the degree of deformation is somewhat larger on the joint portion 5A side, but the amount of deformation is extremely small near Y = 0 in the X-ray irradiation range A. Although not described in detail, the slope error when assuming Laue reflection on the lattice plane at Y = 0 is about 1/10 of the FWHM of the diffraction intensity curve at 8 keV, and there is no problem.

【0024】上記実施の形態によれば、X線の熱負荷に
より溶融しない接合材料によりダイヤモンド結晶板4と
素子固定台3と基台1とが接合されているので、結晶が
不安定になることなく安定して支持することができる。
またダイヤモンド結晶板4を下辺の端面を介してダイヤ
モンド単結晶性の素子固定台3に取り付けることで熱変
形と歪みを最小限に抑制できるとともに、ダイヤモンド
結晶板4の回折に適した有効面積を向上させることがで
きる。さらに断面積の大きい素子固定台3から基台1に
熱伝導できるので、良好に放熱することができる。また
素子固定台4を結晶板と同一材質のダイヤモンド単結晶
により構成したので、熱膨張率および熱伝導率を等しく
して接合時の変形および熱負荷時の変形を効果的に抑制
することができる。またSn−Ag系はんだにより接合
する接合部5A,5Bにおいて、ダイヤモンド単結晶か
らなるの接合面を、銀ろう7によるろう付けとNi薄膜
8のコーティングしたので、はんだ付けにより良好に接
合することができる。
According to the above embodiment, since the diamond crystal plate 4, the element fixing base 3, and the base 1 are bonded by the bonding material that does not melt due to the thermal load of X-rays, the crystal becomes unstable. Can be stably supported.
Further, by attaching the diamond crystal plate 4 to the diamond single crystal element fixing base 3 via the lower end face, thermal deformation and distortion can be suppressed to a minimum, and the effective area suitable for diffraction of the diamond crystal plate 4 is improved. Can be done. Furthermore, since heat can be conducted from the element fixing base 3 having a large cross-sectional area to the base 1, heat can be radiated well. In addition, since the element fixing base 4 is made of a single crystal diamond of the same material as the crystal plate, the thermal expansion coefficient and the thermal conductivity can be made equal to effectively suppress the deformation at the time of joining and the deformation at the time of heat load. . In addition, in the joining portions 5A and 5B joined by the Sn-Ag solder, the joining surface made of the diamond single crystal is brazed by the silver solder 7 and the Ni thin film 8 is coated, so that the joining can be performed well by soldering. it can.

【0025】またダイヤモンド結晶板4の断面積に対し
て、前記素子固定台3の断面積を十分に大きく形成した
ので、X線照射時の熱勾配を低下させることができ、ま
たこのダイヤモンド結晶板4の下辺の端面の面積に対し
て、素子固定台3の基台1への接合面積が十分に大きく
設定されているので、熱伝達を向上させることができ
る。さらに、素子固定台3のダイヤモンド結晶板4への
接合面と、基台1への接合面とが互いに平行に形成した
ので、素子固定台3の熱膨張により生じる変形量を均一
化することができ、ダイヤモンド結晶板4に与える影響
を少なくすることができる。
Further, since the cross-sectional area of the element fixing base 3 is formed sufficiently large with respect to the cross-sectional area of the diamond crystal plate 4, a thermal gradient at the time of X-ray irradiation can be reduced. Since the bonding area of the element fixing base 3 to the base 1 is set to be sufficiently large with respect to the area of the lower end face of the lower side 4, heat transfer can be improved. Further, since the joining surface of the element fixing base 3 to the diamond crystal plate 4 and the joining surface to the base 1 are formed parallel to each other, the deformation amount caused by the thermal expansion of the element fixing stand 3 can be made uniform. Thus, the influence on the diamond crystal plate 4 can be reduced.

【0026】さらにまた、ダイヤモンド結晶板4と素子
固定台3、素子固定台3と基台1の各接合部の一方また
は両方の接合面に微細な凹凸部9を形成することによ
り、銀ろうおよびはんだの濡れ性を向上させて接合強度
を高めることができる。図8は光学素子の支持装置の他
の実施の形態を示し、先の実施の形態ではダイヤモンド
結晶板4の一辺(下辺)側にのみ基台1が配置されて熱
伝導が可能であったのに対して、この実施の形態では対
称位置の二辺(上辺および下辺)側に熱伝達(放熱)で
きる基台1および対向基台11を配置したものである。
すなわち、基台1のダイヤモンド結晶板4の対称位置に
は冷却チャンネル12が形成された対向基台11が配置
されている。そして、基台1側の接合部5A,5Bは先
の実施の形態と同様であるが、ダイヤモンド結晶板4の
上辺側の端面と対向基台11との接触部5Cは、X線照
射による熱負荷により、約50℃前後以上となると溶融
してその表面張力によりダイヤモンド結晶板4と対向基
台11とを接触状態に保ち熱伝導が可能な熱伝達物質、
たとえばIn−Gaなどの低温はんだや銀ペースト(A
g)、液状Gaなどが使用される。
Furthermore, by forming fine irregularities 9 on one or both of the joints between the diamond crystal plate 4 and the element fixing base 3 and the joint between the element fixing base 3 and the base 1, silver solder and The bonding strength can be increased by improving the wettability of the solder. FIG. 8 shows another embodiment of the supporting device for the optical element. In the above embodiment, the base 1 was arranged only on one side (lower side) of the diamond crystal plate 4 to enable heat conduction. On the other hand, in this embodiment, the base 1 and the opposing base 11 capable of transferring (dissipating) heat are arranged on two sides (upper side and lower side) of the symmetric position.
That is, the opposing base 11 in which the cooling channel 12 is formed is arranged at a symmetric position of the diamond crystal plate 4 of the base 1. The joints 5A and 5B on the base 1 side are the same as those in the previous embodiment, but the contact 5C between the upper side end face of the diamond crystal plate 4 and the opposing base 11 is heated by X-ray irradiation. A heat transfer material capable of maintaining the diamond crystal plate 4 and the opposing base 11 in contact with each other due to the surface tension due to melting when the load becomes about 50 ° C. or higher,
For example, low-temperature solder such as In-Ga or silver paste (A
g), liquid Ga or the like is used.

【0027】この実施の形態によれば、ダイヤモンド結
晶板4の基台1側と対称の端面が接合部5Cを介して対
向基台11に接合されるので、2つの基台1,11に効
率良く放熱することができる。またこの接合部5Cの接
合材料が熱負荷時に溶融するように構成されるので、対
向基台11の接触部5Cにダイヤモンド結晶板4が拘束
されることが無く熱変形が吸収され、ダイヤモンド結晶
板4に熱歪みが生じることもない。
According to this embodiment, since the end face of the diamond crystal plate 4 symmetrical to the base 1 side is joined to the opposing base 11 via the joining portion 5C, the efficiency of the two bases 1 and 11 is improved. Heat can be radiated well. In addition, since the joining material of the joining portion 5C is configured to be melted when a thermal load is applied, the diamond crystal plate 4 is not restrained by the contact portion 5C of the opposing base 11, and thermal deformation is absorbed, and the diamond crystal plate There is no thermal distortion of 4.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上に述べたごとく請求項1および3記
載の発明によれば、接合部の両接合材料が熱負荷により
溶融することがないので、熱衝撃によりダイヤモンド結
晶板の結晶の固定が不安定になることがない。またダイ
ヤモンド結晶板をその端面を介して近似する熱膨張率の
素子固定台に取り付けるので、熱による変形、歪みを最
小限に抑制することができ、結晶表面において回折可能
な使用範囲を拡大することができる。またX線により負
荷されるダイヤモンド結晶板の熱を素子固定台から基台
に良好に伝えることができるので、効果的に放熱するこ
とができる。
As described above, according to the first and third aspects of the present invention, since the two joining materials of the joining portion are not melted by the heat load, the crystal of the diamond crystal plate is fixed by the thermal shock. It does not become unstable. In addition, since the diamond crystal plate is attached to the element fixing base with a similar thermal expansion coefficient via its end face, deformation and distortion due to heat can be suppressed to a minimum, and the range of use that can be diffracted on the crystal surface is expanded. Can be. Further, since the heat of the diamond crystal plate loaded by X-rays can be transmitted well from the element fixing base to the base, heat can be dissipated effectively.

【0029】また請求項2および4記載の発明によれ
ば、素子固定台をダイヤモンド結晶製とすることによ
り、熱膨張率および熱伝導率を極めて近似させて接合時
の変形およびX線照射による熱負荷時の変形を効果的に
抑制することができる。またダイヤモンド結晶同士を、
銀ろうによるろう付けとNiコーティングによりはんだ
付けすることができて、ダイヤモンド結晶板と素子固定
台、素子固定台と基台とを良好に接合することができ
る。
According to the second and fourth aspects of the present invention, since the element fixing base is made of diamond crystal, the coefficient of thermal expansion and the thermal conductivity are made very close to each other so that the deformation at the time of joining and the heat generated by X-ray irradiation are achieved. Deformation under load can be effectively suppressed. In addition, diamond crystals
Soldering can be performed by brazing with silver brazing and Ni coating, and the diamond crystal plate and the element fixing base and the element fixing base and the base can be satisfactorily joined.

【0030】また請求項5記載の発明によれば、素子固
定台の断面積が大きく形成されることで、X線照射時の
熱勾配を低下させることができ、また素子固定台の基台
への接合面積が大きいために熱伝達を向上させることが
でき、ダイヤモンド結晶板を効果的に冷却することがで
きる。
According to the fifth aspect of the present invention, since the cross-sectional area of the element fixing base is formed to be large, a thermal gradient at the time of X-ray irradiation can be reduced. Has a large bonding area, so that heat transfer can be improved and the diamond crystal plate can be effectively cooled.

【0031】さらに請求項6記載の発明によれば、熱負
荷による素子固定台の熱膨張により生じる変形量を均等
化することができ、ダイヤモンド結晶板に与える影響を
少なくすることができる。
Further, according to the invention described in claim 6, the amount of deformation caused by thermal expansion of the element fixing base due to a thermal load can be equalized, and the influence on the diamond crystal plate can be reduced.

【0032】さらに請求項7記載の発明によれば、ろう
およびはんだによる結晶板と固定台、固定台と基台の接
合強度を高めることができる。
Further, according to the invention of claim 7, it is possible to increase the bonding strength between the crystal plate and the fixing base and the fixing base and the base by the brazing and soldering.

【0033】また請求項8記載の発明によれば、ダイヤ
モンド結晶板の他方の端面が熱伝達物質により対向基台
に接触されるので、2つの基台にそれぞれ効率良く熱伝
導して放熱することができる。またこの熱伝達物質が熱
負荷時に溶融するように構成されるので、対向基台の接
合部にダイヤモンド結晶板が拘束されることが無く、熱
変形が吸収されるので、この接触部によりダイヤモンド
結晶板に熱歪みが生じることもない。
According to the eighth aspect of the present invention, the other end face of the diamond crystal plate is brought into contact with the opposing base by the heat transfer material, so that heat is efficiently conducted to the two bases and radiated. Can be. In addition, since the heat transfer material is configured to be melted at the time of heat load, the diamond crystal plate is not restrained at the joint of the opposing base and thermal deformation is absorbed. There is no thermal distortion of the plate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る光学素子の支持装置の実施の形態
を示す全体斜視図である。
FIG. 1 is an overall perspective view showing an embodiment of a support device for an optical element according to the present invention.

【図2】同支持装置の接合部を説明する分解斜視図であ
る。
FIG. 2 is an exploded perspective view illustrating a joining portion of the support device.

【図3】同支持装置のダイヤモンド結晶板をモデル化し
たもので、接合後に熱負荷をかけた場合の表面の変形を
示す解析図である。
FIG. 3 is a model diagram of a diamond crystal plate of the supporting device, which is an analysis diagram showing surface deformation when a thermal load is applied after joining.

【図4】(a)(b)はそれぞれダイヤモンド結晶板を
モデル化して結晶表面のX−Y方向の変形を表わす解析
図で、(a)は変形前、(b)は接合後に熱負荷をかけ
た場合である。
4 (a) and 4 (b) are analytical views showing deformation of a crystal surface in the X-Y direction by modeling a diamond crystal plate, respectively. FIG. 4 (a) shows a thermal load before deformation, and FIG. 4 (b) shows a thermal load after bonding. This is the case.

【図5】同ダイヤモンド結晶板をモデル化して接合後に
熱負荷をかけた場合の結晶表面の変形を等高線で表わし
た解析図である。
FIG. 5 is an analysis diagram in which the deformation of the crystal surface when a thermal load is applied after bonding by modeling the diamond crystal plate and expressing the same by contour lines.

【図6】(a)(b)はそれぞれ同支持装置の接合部の
変形例を示し、(a)は分解図、(b)は部分拡大断面
図である。
6 (a) and 6 (b) each show a modified example of a joint portion of the supporting device, wherein FIG. 6 (a) is an exploded view and FIG. 6 (b) is a partially enlarged sectional view.

【図7】同支持装置の接合部の他の変形例を示す部分拡
大断面図である。
FIG. 7 is a partially enlarged cross-sectional view showing another modified example of the joint portion of the support device.

【図8】本発明に係る光学素子の支持装置の他の実施の
形態を示す正面断面図である。
FIG. 8 is a front sectional view showing another embodiment of the optical element support device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A X線照射範囲 1 基台 2 冷却チャンネル(冷却手段) 3 素子固定台 4 ダイヤモンド結晶板 5A,5B 接合部 5C 接触部 6 はんだ 7 銀ろう 8 Ni膜 9 凹凸部 11 対向基台 12 冷却チャンネル A X-ray irradiation range 1 base 2 cooling channel (cooling means) 3 element fixing base 4 diamond crystal plate 5A, 5B joint 5C contact 6 solder 7 silver brazing 8 Ni film 9 uneven portion 11 opposing base 12 cooling channel

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 弘 茨城県つくば市大穂1番地1 高エネルギ ー加速器研究機構物質構造科学研究所内 (72)発明者 張 小威 茨城県つくば市大穂1番地1 高エネルギ ー加速器研究機構物質構造科学研究所内 (72)発明者 滝谷 俊夫 大阪府大阪市住之江区南港北1丁目7番89 号 日立造船株式会社内 (72)発明者 小村 明夫 大阪府大阪市住之江区南港北1丁目7番89 号 日立造船株式会社内 (72)発明者 山里 久仁彦 大阪府大阪市住之江区南港北1丁目7番89 号 日立造船株式会社内 Fターム(参考) 2G001 AA01 BA18 CA01 EA01 JA14 QA02 RA03 RA08 RA20 2H043 AE02  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Hiroshi Sugiyama 1-1, Oho, Tsukuba City, Ibaraki Pref. High Energy Accelerator Research Organization (MRI) (72) Inventor: Koi Zhang, 1-1, Oho, Tsukuba, Ibaraki Prefecture (72) Toshio Takiya 1-7-89 Minami Kohoku, Suminoe-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Hitachi Zosen Corporation (72) Inventor Akio Komura Minami-Suminoe-ku, Osaka-shi, Osaka 1-7-89 Kohoku, Hitachi Zosen Corporation (72) Inventor Kunihiko Yamazato 1-7-89, Minami Kohoku, Suminoe-ku, Osaka-shi, Osaka F-term in Hitachi Zosen Corporation 2G001 AA01 BA18 CA01 EA01 JA14 QA02 RA03 RA08 RA20 2H043 AE02

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】X線が照射されるダイヤモンド結晶板を基
台上に取り付けるに際し、 前記ダイヤモンド結晶板の端面を、X線による熱負荷で
溶融しない第1の接合材料により素子固定台上に接合
し、 この素子固定台を前記熱負荷で溶融しない第2の接合材
料により基台上に取り付け、 前記ダイヤモンド結晶板と素子固定台と熱膨張率を近似
させるとともに、ダイヤモンド結晶板と素子固定台と基
台に熱伝動率が良好な材料を使用したことを特徴とする
光学素子の支持方法。
When mounting a diamond crystal plate to be irradiated with X-rays on a base, an end face of the diamond crystal plate is bonded to an element fixing base with a first bonding material that is not melted by a thermal load due to X-rays. Then, the element fixing base is mounted on the base with a second bonding material that does not melt under the heat load, and the diamond crystal plate, the element fixing base and the thermal expansion coefficient are approximated. A method for supporting an optical element, wherein a material having a good thermal conductivity is used for a base.
【請求項2】素子固定台をダイヤモンドにより形成し、 ダイヤモンド結晶板と素子固定台との接合面に、それぞ
れ銀ろうをろう付けした後、その表面にNiコーティン
グし、ダイヤモンド結晶板と素子固定台とをはんだ付け
してこれら第1の接合材料により接合し、 素子固定台の基台への接合面に銀ろうをろう付けした
後、その表面にNiコーティングし、素子固定台と基台
とをはんだ付けしてこれら第2の接合材料により接合す
ることを特徴とする請求項1記載の光学素子の支持方
法。
2. An element fixing base is formed of diamond, and a brazing silver is brazed to a joining surface between the diamond crystal plate and the element fixing base, and then the surface is coated with Ni to form a diamond crystal plate and the element fixing base. And soldering with the first bonding material, brazing a silver braze to the joining surface of the element fixing base to the base, coating the surface with Ni, and joining the element fixing base and the base. 2. The method for supporting an optical element according to claim 1, wherein said second bonding material is used for bonding after soldering.
【請求項3】X線が照射されるダイヤモンド結晶板と、 基台と、 前記ダイヤモンド結晶板と基台との間に介在された素子
固定台と、 前記ダイヤモンド結晶板の端面と素子固定台とを接合す
るX線による熱負荷で溶融しない第1の接合材料と、 素子固定台と基台とを接合する前記熱負荷で溶融しない
第2の接合材料とを具備し、 前記ダイヤモンド結晶板と素子固定台と熱膨張率を近似
させるとともに、ダイヤモンド結晶板と素子固定台と基
台に熱伝動率が良好な材料を使用したことを特徴とする
光学素子の支持装置。
3. A diamond crystal plate to be irradiated with X-rays, a base, an element fixing table interposed between the diamond crystal plate and the base, an end face of the diamond crystal plate and the element fixing table. A first bonding material that is not melted by a thermal load due to X-rays, and a second bonding material that is not melted by the thermal load that bonds the element fixing base and the base; A device for supporting an optical element, wherein a material having a good thermal conductivity is used for a diamond crystal plate, an element fixing table, and a base while approximating a thermal expansion coefficient of the fixing table.
【請求項4】素子固定台がダイヤモンド単結晶により形
成され、 ダイヤモンド結晶板および素子固定台の第1の接合材料
は、ダイヤモンド結晶板および素子固定台の接合面にろ
う付けされた銀ろうと、この銀ろうの表面にコーティン
グされたNi薄膜と、これら銀ろうおよびNi薄膜を介
してダイヤモンド結晶板と素子固定台とを接合するはん
だとで構成され、 素子固定台と基台との第2の接合材料は、素子固定台の
接合面にろう付けされた銀ろうと、この銀ろうの表面に
コーティングされたNi薄膜と、これら銀ろうおよびN
i薄膜を介して素子固定台と基台を接合するはんだとで
構成されたことを特徴とする請求項3に記載の光学素子
の支持装置。
4. The element fixing base is formed of diamond single crystal, and the first bonding material of the diamond crystal plate and the element fixing base is a silver solder brazed to a bonding surface of the diamond crystal plate and the element fixing base. A second joining between the element fixing base and the base, comprising a Ni thin film coated on the surface of the silver solder and a solder for joining the diamond crystal plate and the element fixing base via the silver solder and the Ni thin film; The materials are silver braze brazed to the bonding surface of the element fixing base, a Ni thin film coated on the surface of the silver braze, these silver braze and N
4. The optical element support device according to claim 3, wherein the device fixing base and the solder for joining the base via an i-thin film.
【請求項5】ダイヤモンド結晶板の断面積に対して前記
素子固定台の断面積が十分に大きく、かつこのダイヤモ
ンド結晶板の接合端面の面積に対して、素子固定台の基
台への接合面積が十分に大きく設定され、 基台に冷却手段が設けられたことを特徴とする請求項3
または4に記載の光学素子の支持装置。
5. A cross-sectional area of the element fixing base is sufficiently large with respect to a cross-sectional area of the diamond crystal plate, and a bonding area of the element fixing base to the base with respect to an area of a bonding end face of the diamond crystal plate. 4. The apparatus according to claim 3, wherein the base is set to be sufficiently large, and cooling means is provided on the base.
Or the support device for an optical element according to 4.
【請求項6】素子固定台におけるダイヤモンド結晶板へ
の接合面と、基台への接合面とが互いに平行に形成され
たことを特徴とする請求項3乃至5のいずれかに記載の
光学素子の支持装置。
6. The optical element according to claim 3, wherein a bonding surface to the diamond crystal plate and a bonding surface to the base in the element fixing base are formed parallel to each other. Support device.
【請求項7】ダイヤモンド結晶板と素子固定台、素子固
定台と基台の各接合部の接合面に微細な凹凸を形成した
ことを特徴とする請求項3乃至6のいずれかに記載の光
学素子の支持装置。
7. The optical device according to claim 3, wherein a fine unevenness is formed on a bonding surface of each of the bonding portions between the diamond crystal plate and the element fixing base, and between the element fixing base and the base. Device supporting device.
【請求項8】ダイヤモンド結晶板の基台対称位置に対向
基台が配置され、 ダイヤモンド結晶板の他方の端面が、X線による熱負荷
時に溶融状態となる熱伝達物質を介して前記対向基台に
接触されたことを特徴とする請求項3乃至7のいずれか
に記載の光学素子の支持装置。
8. An opposing base is disposed at a position symmetrical to the base of the diamond crystal plate, and the other end face of the diamond crystal plate is interposed through a heat transfer material which is in a molten state when subjected to a thermal load by X-rays. The support device for an optical element according to claim 3, wherein the device is in contact with the optical device.
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