JP2001019468A - ガラス組成 - Google Patents

ガラス組成

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JP2001019468A JP11191744A JP19174499A JP2001019468A JP 2001019468 A JP2001019468 A JP 2001019468A JP 11191744 A JP11191744 A JP 11191744A JP 19174499 A JP19174499 A JP 19174499A JP 2001019468 A JP2001019468 A JP 2001019468A
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Toshiharu Mori
登史晴 森
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博 遊亀
Kazuhiko Ishimaru
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    • C03C3/076Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0018Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents
    • C03C10/0027Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3, Li2O as main constituents

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 比弾性率の高いガラスを提供する。 【解決手段】 ガラス組成において、主成分の組成範囲
を、SiO2が65wt%以上で且つ 80wt%以
下、Al23が3wt%以上で且つ 15wt%以下、
Li2Oが3wt%以上で且つ 15wt%以下、P2
5が0.2wt%以上で且つ 5wt%以下、ZrO2
2.5wt%以上で且つ 12wt%以下、とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス組成、特に結
晶化ガラスに適したガラス組成に関する。さらに詳しく
は、結晶化ガラス磁気ディスクの組成に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、磁気ディスク用の基板としては、
アルミニウム基板、ガラス基板等が実用化されている。
中でもガラス基板は、表面の平滑性や機械的強度が優れ
ていることから、最も注目されている。そのようなガラ
ス基板としては、ガラス基板表面をイオン交換で強化し
た化学強化ガラス基板や、基板に結晶成分を析出させて
結合の強化を図る結晶化ガラス基板が知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで最近の基板に
対する性能の要求は、日に日に厳しくなってきており、
とくに高速回転時のたわみやそりに直接的に関わる強度
に対する性能の向上が求められている。これは基板材料
の比弾性率(=ヤング率/比重)によって表すことがで
き、数値が高ければ高いほど望ましい。またこのような
要求を満たしながら、生産性の向上が求められている。
そこで本発明は、ガラスの比弾性率が向上し、さらに生
産性の高いを組成を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1に記載された発明は、主成分の組成範囲を、
SiO2が65wt%以上で且つ 80wt%以下、A
23が3wt%以上で且つ 15wt%以下、Li2
Oが3wt%以上で且つ 15wt%以下、P25
0.2wt%以上で且つ 5wt%以下、ZrO2
2.5wt%以上で且つ 12wt%以下、にしたこと
を特徴とする。
【0005】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。本発明に係る実施形態のガラス基板は、主成
分の組成範囲が、SiO2が65wt%以上で且つ80
wt%以下、Al23が3wt%以上で且つ15wt%
以下、Li2Oが3wt%以上で且つ15wt%以下、
25が0.2wt%以上で且つ5wt%以下、ZrO
2が2.5wt%以上で且つ12wt%以下であること
を特徴としている。
【0006】SiO2はガラス形成酸化物のため組成比
が65wt%より少ないと、溶融性が悪くなり、80w
t%を越えるとガラスとして安定状態になるため、結晶
が析出しにくくなる。
【0007】Al23はガラス中間酸化物であり、熱処
理によって析出する結晶相であるホウ酸アルミニウム系
結晶の構成成分である。組成比が3wt%より少ないと
析出結晶が少なく、強度が得られず、15wt%を越え
ると溶融温度が高くなり失透しやすくなる。
【0008】Li2Oは融剤としての役割を果たすとと
もに、リチウムダイシリケート系結晶の構成成分であ
る。組成比が3wt%より少ないと結晶相であるリチウ
ムダイシリケートの析出が不十分となり、15wt%を
越えると、析出結晶相のリチウムダイシリケートが不安
定となり結晶化を制御しにくくなる。また化学的耐久性
が低下し磁気膜に影響を与える恐れがあり、また研磨−
洗浄工程における安定性が悪くなる。
【0009】P25は融剤として働き、リチウムダイシ
リケート系結晶を析出させる核形成剤であり、ガラス全
体に結晶を均一に析出させるために重要な成分である。
組成比が0.2wt%より少ないと十分な結晶核が形成
されにくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質
に析出し、微細で均質な結晶構造が得られにくくなり、
研磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得
られなくなる。また難溶融性のZrO2成分に対する融
剤としての効果が十分得られなくなる。5wt%を越え
ると、溶融時の炉剤に対する反応性が増し、また失透性
も強くなることから溶融成形時の生産性が低下する。ま
た化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れが
あると共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くな
る。
【0010】ZrO2はガラス修飾酸化物であり、ガラ
スの結晶核剤である。特にクオーツ系結晶をガラス全体
に均一に析出させるために非常に有効である。組成比が
2.5wt%より少ないと十分な結晶核が形成されなく
にくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質に析
出し、微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研磨加
工においてディスク基板として必要な平滑面が得られな
くなる。また化学的耐久性および耐マイグレーションが
低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあるとともに、研
磨−洗浄工程において安定性が悪くなる。また12wt
%を越えると溶融温度が高くなり、また失透しやすくな
り溶融成形が困難となる。また析出結晶相が変化し求め
る特性が得られにくくなる。
【0011】以下製造方法を説明する。最終的に生成さ
れるガラス基板の主成分の組成を含む原料を所定の割合
にて充分に混合し、これを白金るつぼに入れ溶融を行
う。溶融後金型に流し概略の形状を形成する。これを室
温までアニールする。続いて、示される1次熱処理温度
と1次処理時間により保持し(熱処理)、結晶核生成が
行われる。引き続き、2次熱処理温度と2次処理時間に
より保持し結晶核成長を行う。これを除冷することによ
り目的とする結晶化ガラスが得られる。
【0012】以上の製造方法によって得られたガラス基
板は、SiO2が65wt%以上で且つ80wt%以
下、Al23が3wt%以上で且つ15wt%以下、L
2Oが3wt%以上で且つ15wt%以下、P25
0.2wt%以上で且つ5wt%以下、ZrO2が2.
5wt%以上で且つ12wt%以下とするために、非常
に高い比弾性率と高い生産性を得ることが可能となっ
た。
【0013】
【実施例】次に実施形態を実施した具体的な実施例につ
いて説明する。第1〜第4実施例のガラスを構成する材
料組成比(単位:wt%)、溶融温度と溶融時間、1次
熱処理温度と1次処理時間、2次熱処理温度と2次処理
時間、主析出結晶相、副析出結晶相、平均結晶粒径、比
重、ヤング率、比弾性率を表1に示す。同様に第5〜第
8実施例のガラスを表2に示す。同様に第9〜第12実
施例のガラスを表3に示す。同様に第13〜第16実施
例のガラスを表4に示す。同様に第17〜第20実施例
のガラスを表5に示す。同様に第21〜第24実施例の
ガラスを表6に示す。
【0014】
【表1】
【0015】
【表2】
【0016】
【表3】
【0017】
【表4】
【0018】
【表5】
【0019】
【表6】
【0020】第1の実施例のガラス組成は、SiO2
74.6wt%、Al23を6.5wt%、Li2Oを
8.5wt%、P25を2wt%、ZrO2を3.5w
t%、CaOを2.9wt%、K2Oを1.5wt%、
Sb23を0.5wt%の組成比である。
【0021】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1480度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度580度、1次処理時間5時
間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間にて処
置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケート、
副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が38.7という
特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率
を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0022】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くCaOを加えているため高い溶融性、安
定した結晶相があることができる。組成比が0.1wt
%より少ないと十分な溶融性改善がなされない。5wt
%を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、
求める強度が得られにくくなる。
【0023】また、融剤として働くK2Oを加えている
ため生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が
0.1wt%より少ないと十分な溶融性改善がなされな
い。5wt%を越えると、ガラスが安定となり結晶化が
抑制され、また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を
与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定
性が悪くなる。
【0024】また、清澄剤として働くSb23を加えて
いるため生産時の安定性が向上している。ただし、組成
比が0.1wt%より少ないと十分な清澄効果が得られ
なくなり、生産性が低下する。5wt%を越えると、ガ
ラスの結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなく
なり、求める特性が得られにくくなる。
【0025】第2の実施例のガラス組成は、SiO2
72.5wt%、Al23を7.2wt%、Li2Oを
3.6wt%、P25を2wt%、ZrO2を8wt
%、CaOを2.2wt%、K2Oを3wt%、Sb2
3を1.5wt%の組成比である。
【0026】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1540度、溶融時間
1.75時間、1次処理温度580度、1次処理時間5
時間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間にて
処置した結果、主析出結晶相がクオーツ、副析出結晶相
がリチウムダイシリケートで、比弾性率が35.0とい
う特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性
率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0027】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くCaOを加えているため高い溶融性、安
定した結晶相があることができる。組成比が0.1wt
%より少ないと十分な溶融性改善がなされない。5wt
%を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、
求める強度が得られにくくなる。
【0028】また、融剤として働くK2Oを加えている
ため生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が
0.1wt%より少ないと十分な溶融性改善がなされな
い。5wt%を越えると、ガラスが安定となり結晶化が
抑制され、また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を
与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定
性が悪くなる。
【0029】また、清澄剤として働くSb23を加えて
いるため生産時の安定性が向上している。ただし、組成
比が0.1wt%より少ないと十分な清澄効果が得られ
なくなり、生産性が低下する。5wt%を越えると、ガ
ラスの結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなく
なり、求める特性が得られにくくなる。
【0030】第3の実施例のガラス組成は、SiO2
75.5wt%、Al23を9wt%、Li2Oを8.
5wt%、P25を4.2wt%、ZrO2を2.8w
t%の組成比である。
【0031】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1460度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度570度、1次処理時間5.
5時間、2次処理温度690度、2次処理時間2.5時
間にて処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリ
ケート、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が38.
2という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い
比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有す
る。
【0032】第4の実施例のガラス組成は、SiO2
73.5wt%、Al23を8wt%、Li2Oを8.
5wt%、P25を3wt%、ZrO2を7wt%の組
成比である。
【0033】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1500度、溶融時間2
時間、1次処理温度575度、1次処理時間5.5時
間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間にて処
置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケート、
副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が37.8という
特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率
を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0034】第5の実施例のガラス組成は、SiO2
72wt%、Al23を10.1wt%、Li2Oを
9.7wt%、P25を4.2wt%、ZrO2を3.
5wt%、CaOを0.5wt%の組成比である。
【0035】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1460度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度570度、1次処理時間5.
5時間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が38.8と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0036】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くCaOを加えているため高い溶融性、安
定した結晶相があることができる。組成比が0.1wt
%より少ないと十分な溶融性改善がなされない。5wt
%を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、
求める強度が得られにくくなる。
【0037】第6の実施例のガラス組成は、SiO2
72.5wt%、Al23を11.2wt%、Li2
を7.8wt%、P25を4.5wt%、ZrO2を2
wt%、CaOを2wt%の組成比である。
【0038】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1460度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度570度、1次処理時間5.
5時間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間に
て処置した結果、主析出結晶相がクオーツ、副析出結晶
相がリチウムダイシリケートで、比弾性率が38.9と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0039】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くCaOを加えているため高い溶融性、安
定した結晶相があることができる。組成比が0.1wt
%より少ないと十分な溶融性改善がなされない。5wt
%を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、
求める強度が得られにくくなる。
【0040】第7の実施例のガラス組成は、SiO2
67wt%、Al23を10.5wt%、Li2Oを
9.5wt%、P25を4wt%、ZrO2を8wt
%、K2Oを1wt%の組成比である。
【0041】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1500度、溶融時間2
時間、1次処理温度570度、1次処理時間5.5時
間、2次処理温度720度、2次処理時間4時間にて処
置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケート、
副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が37.2という
特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率
を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0042】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くK2Oを加えているため生産時の安定性
が向上している。ただし、組成比が0.1wt%より少
ないと十分な溶融性改善がなされない。5wt%を越え
ると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、また化学
的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあると
共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
【0043】第8の実施例のガラス組成は、SiO2
69wt%、Al23を10.2wt%、Li2Oを9
wt%、P25を3.8wt%、ZrO2を5wt%、
2Oを3wt%の組成比である。
【0044】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1480度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度575度、1次処理時間5.
5時間、2次処理温度720度、2次処理時間4時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が36.2と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0045】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くK2Oを加えているため生産時の安定性
が向上している。ただし、組成比が0.1wt%より少
ないと十分な溶融性改善がなされない。5wt%を越え
ると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、また化学
的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあると
共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
【0046】第9の実施例のガラス組成は、SiO2
74wt%、Al23を9.8wt%、Li2Oを8.
7wt%、P25を2.5wt%、ZrO2を4.5w
t%、Sb23を0.5wt%の組成比である。
【0047】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1480度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度580度、1次処理時間5時
間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間にて処
置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケート、
副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が36.2という
特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率
を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0048】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
清澄剤として働くSb23を加えているため生産時の安
定性が向上している。ただし、組成比が0.1wt%よ
り少ないと十分な清澄効果が得られなくなり、生産性が
低下する。5wt%を越えると、ガラスの結晶化が不安
定となり析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が
得られにくくなる。
【0049】第10の実施例のガラス組成は、SiO2
を73.8wt%、Al23を9.5wt%、Li2
を8.7wt%、P25を4wt%、ZrO2を2.5
wt%、Sb23を1.5wt%の組成比である。
【0050】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1480度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度570度、1次処理時間5.
5時間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が36.8と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0051】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
清澄剤として働くSb23を加えているため生産時の安
定性が向上している。ただし、組成比が0.1wt%よ
り少ないと十分な清澄効果が得られなくなり、生産性が
低下する。5wt%を越えると、ガラスの結晶化が不安
定となり析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が
得られにくくなる。
【0052】第11の実施例のガラス組成は、SiO2
を72.8wt%、Al23を9.5wt%、Li2
を9wt%、P25を2.2wt%、ZrO2を4.5
wt%、B23を2wt%の組成比である。
【0053】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1460度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度580度、1次処理時間5時
間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間にて処
置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケート、
副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が37.2という
特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率
を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0054】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
フォーマーとして働くB23を加えているためガラスの
分相を促し、結晶析出および成長を促進させる。ただ
し、組成比が0.1wt%より少ないと十分な溶融性改
善がなされない。15wt%を越えると、ガラスが失透
しやすくなり成形が困難になると共に、結晶が粗大化し
微細な結晶が得られなくなる。
【0055】第12の実施例のガラス組成は、SiO2
を72wt%、Al23を11.2wt%、Li2Oを
8.3wt%、P25を3wt%、ZrO2を2.5w
t%、B23を3wt%の組成比である。
【0056】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1460度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度575度、1次処理時間5.
5時間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間に
て処置した結果、主析出結晶相がクオーツ、副析出結晶
相がリチウムダイシリケートで、比弾性率が38.1と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0057】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
フォーマーとして働くB23を加えているためガラスの
分相を促し、結晶析出および成長を促進させる。ただ
し、組成比が0.1wt%より少ないと十分な溶融性改
善がなされない。15wt%を越えると、ガラスが失透
しやすくなり成形が困難になると共に、結晶が粗大化し
微細な結晶が得られなくなる。
【0058】第13の実施例のガラス組成は、SiO2
を70wt%、Al23を10.2wt%、Li2Oを
9.5wt%、P25を3wt%、ZrO2を6.3w
t%、MgOを1wt%の組成比である。
【0059】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1480度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度575度、1次処理時間5.
5時間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
トで、副析出結晶相がクオーツ、比弾性率が37.0と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0060】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くMgOを加えているため結晶相の一つで
ある粒状のクオーツ結晶を凝集させ結晶粒子塊を形成す
る。ただし、組成比が0.1wt%より少ないと作業温
度幅が狭くなりう、ガラスマトリクス相の化学的耐久性
が向上しない。12wt%を越えると、他の結晶相が析
出して求める強度を得ることが難しくなる。
【0061】第14の実施例のガラス組成は、SiO2
を74.2wt%、Al23を9.8wt%、Li2
を8wt%、P25を1.5wt%、ZrO2を2.5
wt%、MgOを4wt%の組成比である。
【0062】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1460度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度585度、1次処理時間5時
間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間にて処
置した結果、主析出結晶相がクオーツ、副析出結晶相が
リチウムダイシリケートで、比弾性率が38.5という
特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率
を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0063】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くMgOを加えているため結晶相の一つで
ある粒状のクオーツ結晶を凝集させ結晶粒子塊を形成す
る。ただし、組成比が0.1wt%より少ないと作業温
度幅が狭くなりう、ガラスマトリクス相の化学的耐久性
が向上しない。12wt%を越えると、他の結晶相が析
出して求める強度を得ることが難しくなる。
【0064】第15の実施例のガラス組成は、SiO2
を76.8wt%、Al23を9.6wt%、Li2
を5.7wt%、P25を1.2wt%、ZrO2
4.7wt%、BaOを2wt%の組成比である。
【0065】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1520度、溶融時間
1.75時間、1次処理温度585度、1次処理時間5
時間、2次処理温度690度、2次処理時間2.5時間
にて処置した結果、主析出結晶相がクオーツ、副析出結
晶相がリチウムダイシリケートで、比弾性率が34.0
という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比
弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有す
る。
【0066】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くBaOを加えているため生産時の安定性
が向上している。ただし、組成比が0.1wt%より少
ないと十分な溶融性改善がなされない。5wt%を越え
ると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める強
度が得られにくくなる。
【0067】第16の実施例のガラス組成は、SiO2
を75.5wt%、Al23を9.6wt%、Li2
を6.2wt%、P25を3.2wt%、ZrO2
2.5wt%、BaOを3wt%の組成比である。
【0068】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1520度、溶融時間
1.75時間、1次処理温度575度、1次処理時間
5.5時間、2次処理温度690度、2次処理時間2.
5時間にて処置した結果、主析出結晶相がクオーツ、副
析出結晶相がリチウムダイシリケートで、比弾性率が3
4.8という特性のガラス基板が得られた。上記組成は
高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を
有する。
【0069】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くBaOを加えているため生産時の安定性
が向上している。ただし、組成比が0.1wt%より少
ないと十分な溶融性改善がなされない。5wt%を越え
ると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める強
度が得られにくくなる。
【0070】第17の実施例のガラス組成は、SiO2
を74.5wt%、Al23を8.8wt%、Li2
を6.9wt%、P25を4wt%、ZrO2を5.5
wt%、ZnOを0.3wt%の組成比である。
【0071】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1480度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度570度、1次処理時間5.
5時間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間に
て処置した結果、主析出結晶相がクオーツ、副析出結晶
相がリチウムダイシリケートで、比弾性率が36.0と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0072】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くZnOを加えているため均一な結晶析出
を補助する。ただし、組成比が0.1wt%より少ない
と十分な結晶均質化の改善がなされない。5wt%を越
えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める
強度が得られにくくなる。
【0073】第18の実施例のガラス組成は、SiO2
を73.2wt%、Al23を8.8wt%、Li2
を8.3wt%、P25を4wt%、ZrO2を3.7
wt%、ZnOを2wt%の組成比である。
【0074】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1480度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度570度、1次処理時間5.
5時間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間に
て処置した結果、主析出結晶相がクオーツ、副析出結晶
相がリチウムダイシリケートで、比弾性率が36.5と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0075】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くZnOを加えているため均一な結晶析出
を補助する。ただし、組成比が0.1wt%より少ない
と十分な結晶均質化の改善がなされない。5wt%を越
えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める
強度が得られにくくなる。
【0076】第19の実施例のガラス組成は、SiO2
を73.2wt%、Al23を9.2wt%、Li2
を10.1wt%、P25を4wt%、ZrO2を3w
t%、Nb25を0.5wt%の組成比である。
【0077】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1460度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度570度、1次処理時間5.
5時間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が37.0と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0078】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くNb25を加えているため結晶核剤物質
が増加することになる。ただし、組成比が0.1wt%
より少ないと十分な剛性の向上がなされない。5wt%
を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶
相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくな
る。
【0079】第20の実施例のガラス組成は、SiO2
を72wt%、Al23を9.2wt%、Li2Oを1
0.4wt%、P25を4.2wt%、ZrO2を2.
7wt%、Nb25を1.5wt%の組成比である。
【0080】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1460度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度570度、1次処理時間5.
5時間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が37.2と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0081】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くNb25を加えているため結晶核剤物質
が増加することになる。ただし、組成比が0.1wt%
より少ないと十分な剛性の向上がなされない。5wt%
を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶
相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくな
る。
【0082】第21の実施例のガラス組成は、SiO2
を77wt%、Al23を8.5wt%、Li2Oを8
wt%、P25を2.5wt%、ZrO2を2.8wt
%、Ta25を1.2wt%の組成比である。
【0083】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1480度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度580度、1次処理時間5時
間、2次処理温度690度、2次処理時間2.5時間に
て処置した結果、主析出結晶相がクオーツ、副析出結晶
相がリチウムダイシリケートで、比弾性率が37.2と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0084】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くTa25を加えているため溶融性、強度
を向上させ、またガラスマトリクス相の化学的耐久性を
向上させる。ただし、組成比が0.1wt%より少ない
と十分な剛性の向上がなされない。5wt%を越える
と、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御
できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
【0085】第22の実施例のガラス組成は、SiO2
を68.5wt%、Al23を9wt%、Li2Oを1
0.7wt%、P25を3.8wt%、ZrO2を4w
t%、Ta25を4wt%の組成比である。
【0086】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1540度、溶融時間
1.75時間、1次処理温度575度、1次処理時間
5.5時間、2次処理温度720度、2次処理時間4時
間にて処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリ
ケート、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が33.
8という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い
比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有す
る。
【0087】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くTa25を加えているため溶融性、強度
を向上させ、またガラスマトリクス相の化学的耐久性を
向上させる。ただし、組成比が0.1wt%より少ない
と十分な剛性の向上がなされない。5wt%を越える
と、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御
できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
【0088】第23の実施例のガラス組成は、SiO2
を73.5wt%、Al23を9.5wt%、Li2
を10wt%、P25を2.5wt%、ZrO2を3.
5wt%、La23を1wt%の組成比である。
【0089】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1480度、溶融時間
2.5時間、1次処理温度580度、1次処理時間5時
間、2次処理温度700度、2次処理時間3時間にて処
置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケート、
副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が36.2という
特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率
を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【0090】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くLa23を加えているため結晶析出が抑
制される。ただし、組成比が0.1wt%より少ないと
十分な剛性の向上がなされない。5wt%を越えると、
ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御でき
なくなり、求める特性が得られにくくなる。
【0091】第24の実施例のガラス組成は、SiO2
を66.5wt%、Al23を9.7wt%、Li2
を10wt%、P25を4.8wt%、ZrO2を5w
t%、La23を4wt%の組成比である。
【0092】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度1540度、溶融時間
1.75時間、1次処理温度570度、1次処理時間
5.5時間、2次処理温度720度、2次処理時間4時
間にて処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリ
ケート、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が33.
2という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い
比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有す
る。
【0093】また組成として、基本組成であるSi
2、Al23、Li2O、P25、ZrO2に加えて、
融剤として働くLa23を加えているため結晶析出が抑
制される。ただし、組成比が0.1wt%より少ないと
十分な剛性の向上がなされない。5wt%を越えると、
ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御でき
なくなり、求める特性が得られにくくなる。
【0094】
【発明の効果】本発明によると、比弾性率が30以上か
つ生産性の高いガラス基板を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遊亀 博 大阪市中央区安土町二丁目3番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 (72)発明者 石丸 和彦 大阪市中央区安土町二丁目3番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 Fターム(参考) 4G062 AA11 BB01 DA06 DA07 DB03 DB04 DC01 DD02 DD03 DE01 DF01 EA03 EA04 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FB01 FC03 FC04 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM27 NN33 QQ02 QQ06 5D006 CB04 CB07 DA03 FA00

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 主成分の組成範囲を、 SiO2が65wt%以上で且つ 80wt%以下、 Al23が3wt%以上で且つ 15wt%以下、 Li2Oが3wt%以上で且つ 15wt%以下、 P25が0.2wt%以上で且つ 5wt%以下、 ZrO2が2.5wt%以上で且つ 12wt%以下、
    としたことを特徴とするガラス組成。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8051678B2 (en) 2001-08-08 2011-11-08 Minolta Co., Ltd. Press molding method for manufacturing of glass substrate
JP2011225441A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Ivoclar Vivadent Ag ZrO2成分を含有するケイ酸リチウムガラスセラミックおよびガラス
JP2013543831A (ja) * 2010-11-02 2013-12-09 フラオンホファー−ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファオ ケイ酸リチウムガラスまたはガラスセラミック、その製造方法およびその使用
JP2015505786A (ja) * 2011-10-14 2015-02-26 イフォクレール ヴィヴァデント アクチェンゲゼルシャフトIvoclar Vivadent AG 一価の金属酸化物を含むケイ酸リチウムガラスセラミックおよびガラス
JP2015505787A (ja) * 2011-10-14 2015-02-26 イフォクレール ヴィヴァデント アクチェンゲゼルシャフトIvoclar Vivadent AG 三価の金属酸化物を含むケイ酸リチウムガラスセラミックおよびガラス
US9604873B2 (en) 2009-12-23 2017-03-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Lithium disilicate glass-ceramic, method for production thereof and use thereof
CN112919810A (zh) * 2021-03-23 2021-06-08 成都光明光电股份有限公司 玻璃陶瓷、玻璃陶瓷制品及其制造方法
CN112939469A (zh) * 2021-03-23 2021-06-11 成都光明光电股份有限公司 微晶玻璃和微晶玻璃制品
JP7074269B1 (ja) * 2020-08-21 2022-05-24 Agc株式会社 化学強化ガラスおよび結晶化ガラス並びにそれらの製造方法
JP2022125272A (ja) * 2013-09-06 2022-08-26 コーニング インコーポレイテッド 二ケイ酸リチウム及びβ‐スポジュメン構造を有する高強度ガラスセラミック

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1125789C (zh) * 2000-05-16 2003-10-29 湖北新华光信息材料股份有限公司 一种高强度磁盘基板用微晶玻璃及其制造方法
MX351161B (es) 2011-10-14 2017-10-04 Ivoclar Vivadent Ag Vidrio y cerámica de vidrio de silicato de litio con óxido de metal pentavalente.
EP3572384B1 (en) 2014-10-08 2020-11-18 Corning Incorporated High strength glass-ceramics having petalite and lithium silicate structures
KR20210096140A (ko) 2018-11-26 2021-08-04 오웬스 코닝 인텔렉츄얼 캐피탈 엘엘씨 향상된 탄성 계수를 갖는 고성능 섬유 유리 조성물
CA3117986A1 (en) 2018-11-26 2020-06-04 Owens Corning Intellectual Capital, Llc High performance fiberglass composition with improved specific modulus

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4042362A (en) 1976-05-18 1977-08-16 Corning Glass Works Production of glass-ceramic articles
US4426311A (en) * 1980-07-07 1984-01-17 Allied Corporation Methylene chloride-methane sulfonic acid stripping compositions and methods for using same
US4304603A (en) 1980-08-11 1981-12-08 Corning Glass Works Glass-ceramic compositions designed for radomes
US4374931A (en) 1982-01-08 1983-02-22 Corning Glass Works Photochromic glass suitable for ophthalmic applications
US4714687A (en) 1986-10-27 1987-12-22 Corning Glass Works Glass-ceramics suitable for dielectric substrates
US5219799A (en) 1991-10-07 1993-06-15 Corning Incorporated Lithium disilicate-containing glass-ceramics some of which are self-glazing
EP0729924B1 (en) 1993-05-19 2000-01-26 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramic for a magnetic disk substrate
US5626935A (en) 1993-05-19 1997-05-06 Kabushiki Kaisya Ohara Magnetic disk substrate and method for manufacturing the same
US5391522A (en) 1993-05-19 1995-02-21 Kabushiki Kaisya Ohara Glass-ceramic for magnetic disks and method for manufacturing the same
JP2959363B2 (ja) 1993-12-09 1999-10-06 株式会社オハラ 磁気ディスク用着色結晶化ガラス
US5352638A (en) 1994-02-22 1994-10-04 Corning Incorporated Nickel aluminosilicate glass-ceramics
US5489558A (en) 1994-03-14 1996-02-06 Corning Incorporated Glasses for flat panel display
FR2726350B1 (fr) 1994-10-14 1997-01-10 Eurokera Plaques pliees en vitroceramique, plaques de cuisson comportant une telle plaque pliee et procede de fabrication d'une plaque pliee en vitroceramique
US5476821A (en) 1994-11-01 1995-12-19 Corning Incorporated High modulus glass-ceramics containing fine grained spinel-type crystals
US5491116A (en) 1995-04-03 1996-02-13 Corning Incorporated Fine-grained glass-ceramics
EP0736497A1 (en) 1995-04-07 1996-10-09 Corning Incorporated Method and apparatus for molding glass
DE69623240T2 (de) * 1995-06-21 2003-03-27 Ngk Insulators, Ltd. Magnetplattenträger, magnetische platte und verfahren zur herstellung des magnetplattenträgers
JPH10208226A (ja) 1997-01-28 1998-08-07 Yamamura Glass Co Ltd 結晶化ガラス磁気ディスク基板
US5726108A (en) 1995-07-24 1998-03-10 Yamamura Glass Co., Ltd. Glass-ceramic magnetic disk substrate
US6287663B1 (en) * 1995-10-31 2001-09-11 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium
US5910459A (en) 1995-10-31 1999-06-08 Corning Incorporated Glass-ceramic containing a stabilized hexacelsian crystal structure
US5786286A (en) 1995-10-31 1998-07-28 Corning Incorporated Glass ceramic rear panel for emissive display
JPH10226532A (ja) 1995-12-28 1998-08-25 Yamamura Glass Co Ltd 磁気ディスク基板用ガラス組成物及び磁気ディスク基板
US5691256A (en) * 1995-12-28 1997-11-25 Yamamura Glass Co., Ltd. Glass composition for magnetic disk substrates and magnetic disk substrate
TW366331B (en) 1996-02-02 1999-08-11 Ohara Kk A glass-ceramic substrate for a magnetic disk
JP3131138B2 (ja) 1996-02-05 2001-01-31 株式会社オハラ 磁気ディスク用結晶化ガラス基板
JPH09314458A (ja) 1996-05-27 1997-12-09 Yamamura Glass Co Ltd 結晶化ガラスの精密研磨方法
JP3140702B2 (ja) 1996-12-20 2001-03-05 日本碍子株式会社 磁気ディスク基板用結晶化ガラス、磁気ディスク基板および磁気ディスク
US6187441B1 (en) * 1996-12-26 2001-02-13 Hoya Corporation Glass substrate for information recording medium and magnetic recording medium having the substrate
JPH1116142A (ja) 1997-04-28 1999-01-22 Ohara Inc 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板
JP3098220B2 (ja) 1997-04-28 2000-10-16 株式会社オハラ 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板
JP3311308B2 (ja) * 1998-03-03 2002-08-05 株式会社オハラ 垂直磁気記録媒体用ガラスセラミックス基板
JP3996294B2 (ja) 1998-03-13 2007-10-24 Hoya株式会社 結晶化ガラスからなる情報記録媒体用基板及び情報記録媒体
US6420286B1 (en) * 1998-03-23 2002-07-16 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramics
US6383645B1 (en) * 1998-03-23 2002-05-07 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramic substrate for an information storage medium
FR2777559B1 (fr) 1998-04-16 2000-07-13 En Nom Collectif Eurokera Soc Fabrication de plaques vitroceramiques a ouverture(s) au pourtour deforme ; plaques vitroceramiques deformees
US6395368B1 (en) * 1998-08-10 2002-05-28 Kabushiki Kaisha Ohara Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium
JP2000086289A (ja) * 1998-09-10 2000-03-28 Ngk Insulators Ltd 結晶化ガラスの核形成剤、結晶化ガラス、磁気ディスク基板および磁気ディスク
JP2000143290A (ja) * 1998-11-09 2000-05-23 Ngk Insulators Ltd 結晶化ガラス、磁気ディスク用基板、磁気ディスクおよび結晶化ガラスの製造方法
JP2001097740A (ja) * 1999-09-29 2001-04-10 Ngk Insulators Ltd 結晶化ガラス、磁気ディスク用基板および磁気ディスク

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8051678B2 (en) 2001-08-08 2011-11-08 Minolta Co., Ltd. Press molding method for manufacturing of glass substrate
US10357343B2 (en) 2009-12-23 2019-07-23 Vita Zahnfabrik H. Rauter Gmbh & Co. Kg Lithium disilicate glass-ceramic, method for production thereof and use thereof
US9604873B2 (en) 2009-12-23 2017-03-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Lithium disilicate glass-ceramic, method for production thereof and use thereof
JP2011225441A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Ivoclar Vivadent Ag ZrO2成分を含有するケイ酸リチウムガラスセラミックおよびガラス
JP2013543831A (ja) * 2010-11-02 2013-12-09 フラオンホファー−ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファオ ケイ酸リチウムガラスまたはガラスセラミック、その製造方法およびその使用
US10442725B2 (en) 2010-11-02 2019-10-15 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Lithium silicate glasses or glass ceramics, method for production thereof and use thereof
US9125812B2 (en) 2010-11-02 2015-09-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Lithium silicate glass ceramic, method for production thereof and use thereof
JP2015505786A (ja) * 2011-10-14 2015-02-26 イフォクレール ヴィヴァデント アクチェンゲゼルシャフトIvoclar Vivadent AG 一価の金属酸化物を含むケイ酸リチウムガラスセラミックおよびガラス
JP2015505787A (ja) * 2011-10-14 2015-02-26 イフォクレール ヴィヴァデント アクチェンゲゼルシャフトIvoclar Vivadent AG 三価の金属酸化物を含むケイ酸リチウムガラスセラミックおよびガラス
JP2022125272A (ja) * 2013-09-06 2022-08-26 コーニング インコーポレイテッド 二ケイ酸リチウム及びβ‐スポジュメン構造を有する高強度ガラスセラミック
JP7074269B1 (ja) * 2020-08-21 2022-05-24 Agc株式会社 化学強化ガラスおよび結晶化ガラス並びにそれらの製造方法
JP2022103233A (ja) * 2020-08-21 2022-07-07 Agc株式会社 化学強化ガラスおよび結晶化ガラス並びにそれらの製造方法
JP7327570B2 (ja) 2020-08-21 2023-08-16 Agc株式会社 化学強化ガラスおよび結晶化ガラス並びにそれらの製造方法
CN112919810A (zh) * 2021-03-23 2021-06-08 成都光明光电股份有限公司 玻璃陶瓷、玻璃陶瓷制品及其制造方法
CN112939469A (zh) * 2021-03-23 2021-06-11 成都光明光电股份有限公司 微晶玻璃和微晶玻璃制品

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