JP2001015774A - 光センサ - Google Patents
光センサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光の利用効率が高く、感度のよい光センサを
提供する。 【解決手段】 ガラス等の透明基板１上にアモルファス
半導体光センサの光電変換部２を形成し、透明基板１の
光電変換部２とは反対側の面に、分光反射膜として誘電
体多層膜３を形成する。光電変換部２に入射した光は、
一部が光電変換部２で吸収される。光電変換部２を透過
した光のうち特定の波長の光が誘電体多層膜３により良
好に反射されて、再び光電変換部２に入射し、吸収され
る。誘電体多層膜３は、光電変換部２において感度が悪
い、すなわち光電変換の効率の悪い波長の光を反射する
特性を有しており、その感度の悪い波長の光のみを反射
して、光電変換部２に再入射させることで、該波長の光
の感度を増加させている。これにより、光電変換部２の
波長による感度補正がなされ、感度のよい光センサを得
ることができる。
提供する。 【解決手段】 ガラス等の透明基板１上にアモルファス
半導体光センサの光電変換部２を形成し、透明基板１の
光電変換部２とは反対側の面に、分光反射膜として誘電
体多層膜３を形成する。光電変換部２に入射した光は、
一部が光電変換部２で吸収される。光電変換部２を透過
した光のうち特定の波長の光が誘電体多層膜３により良
好に反射されて、再び光電変換部２に入射し、吸収され
る。誘電体多層膜３は、光電変換部２において感度が悪
い、すなわち光電変換の効率の悪い波長の光を反射する
特性を有しており、その感度の悪い波長の光のみを反射
して、光電変換部２に再入射させることで、該波長の光
の感度を増加させている。これにより、光電変換部２の
波長による感度補正がなされ、感度のよい光センサを得
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光センサに関し、
特にその分光感度補正に関するものである。
特にその分光感度補正に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光センサは、周知のように、光電変換部
において光エネルギーを電気信号に変換する素子であ
り、近年、多くの分野で使用されている。検出する光と
しては、目に見える可視光線から赤外線や紫外線、電磁
波までさまざまである。
において光エネルギーを電気信号に変換する素子であ
り、近年、多くの分野で使用されている。検出する光と
しては、目に見える可視光線から赤外線や紫外線、電磁
波までさまざまである。
【０００３】一般に、光センサの光電変換部の光の波長
に対する感度特性は、材料等からその光センサ固有のも
のであり、光センサによって得られる電気信号、例えば
画像信号を良好なものにするためには、光の波長による
感度の差の少ない電気信号を得ることが望ましい。そこ
で、光の波長による感度を補正するため、従来、図９の
ような構成で光センサを用いている。
に対する感度特性は、材料等からその光センサ固有のも
のであり、光センサによって得られる電気信号、例えば
画像信号を良好なものにするためには、光の波長による
感度の差の少ない電気信号を得ることが望ましい。そこ
で、光の波長による感度を補正するため、従来、図９の
ような構成で光センサを用いている。
【０００４】図９において、光入射窓２０から入射した
光は、感度補正フィルタ２１を通って、透明基板２３上
に形成された光センサ２２に入光する。このとき、感度
補正フィルタ２１は、感度のよい波長の光を減衰させる
ように設定されており、これによって、全体としてセン
サの感度を同レベルにするようにしている。
光は、感度補正フィルタ２１を通って、透明基板２３上
に形成された光センサ２２に入光する。このとき、感度
補正フィルタ２１は、感度のよい波長の光を減衰させる
ように設定されており、これによって、全体としてセン
サの感度を同レベルにするようにしている。
【０００５】図１０は、上記感度補正フィルタ２１の分
光感度補正原理図である。横軸は光の波長を、縦軸は分
光感度と分光透過率を示している。光センサ２２の光電
変換部の感度特性をＡ（破線）で、それに対する感度補
正フィルタ２１の分光透過率をＢ（一点鎖線）で示す。
このように、感度のよい波長の光の透過率を下げること
によって、感度フィルタ２１を設置した後の感度特性は
Ｃ（実線）に示すように、検出できる光の波長に対し
て、ほぼ同レベルになる。
光感度補正原理図である。横軸は光の波長を、縦軸は分
光感度と分光透過率を示している。光センサ２２の光電
変換部の感度特性をＡ（破線）で、それに対する感度補
正フィルタ２１の分光透過率をＢ（一点鎖線）で示す。
このように、感度のよい波長の光の透過率を下げること
によって、感度フィルタ２１を設置した後の感度特性は
Ｃ（実線）に示すように、検出できる光の波長に対し
て、ほぼ同レベルになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、光センサの材料
として、製造コストや任意形状の形成が可能な点からア
モルファス半導体が注目されている。しかしながら、ア
モルファス半導体を用いて形成された光センサは、膜応
力によるはがれ、割れを生じないため、また、低い電界
印加で作用を発現させたいため等の理由で、光電変換部
を薄膜にする必要がある。光電変換部が薄いと、当然感
度が悪くなるので、図１０に示したような感度補正で
は、全体として光量が落ちてしまい、感度が低下して良
好な画像信号を得られないという問題が生じていた。
として、製造コストや任意形状の形成が可能な点からア
モルファス半導体が注目されている。しかしながら、ア
モルファス半導体を用いて形成された光センサは、膜応
力によるはがれ、割れを生じないため、また、低い電界
印加で作用を発現させたいため等の理由で、光電変換部
を薄膜にする必要がある。光電変換部が薄いと、当然感
度が悪くなるので、図１０に示したような感度補正で
は、全体として光量が落ちてしまい、感度が低下して良
好な画像信号を得られないという問題が生じていた。
【０００７】本発明は、光の利用効率が高く、感度のよ
い光センサを提供することを目的とする。
い光センサを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載された発明は、光電変換部の光入射側
に対して反対側に、分光反射膜を設けている。この構成
によると、感度の悪い波長の光を分光反射膜で反射して
再度光電変換部に入射させることができるので、該波長
の光の感度が改善される。従って、感度のよい波長を減
衰させる方法によらずに光センサの波長による感度補正
を行えるので、光の利用効率が向上し、全体として感度
のよい光センサが得られる。
に請求項１に記載された発明は、光電変換部の光入射側
に対して反対側に、分光反射膜を設けている。この構成
によると、感度の悪い波長の光を分光反射膜で反射して
再度光電変換部に入射させることができるので、該波長
の光の感度が改善される。従って、感度のよい波長を減
衰させる方法によらずに光センサの波長による感度補正
を行えるので、光の利用効率が向上し、全体として感度
のよい光センサが得られる。
【０００９】また請求項２に記載された発明は、上記光
電変換部がアモルファス半導体で構成されている。この
構成によると、製造コストや加工の容易さという点で有
用なアモルファス半導体が使用できる上に、感度のよい
光電変換部が得られる。
電変換部がアモルファス半導体で構成されている。この
構成によると、製造コストや加工の容易さという点で有
用なアモルファス半導体が使用できる上に、感度のよい
光電変換部が得られる。
【００１０】また請求項３に記載された発明は、上記分
光反射膜が誘電体多層膜で構成されている。この構成に
よると、誘電体多層膜で形成された分光反射膜は、フォ
トリソグラフィーによるパターニングができるので、光
電変換部の形状や大きさに合わせた微細加工が可能とな
る。
光反射膜が誘電体多層膜で構成されている。この構成に
よると、誘電体多層膜で形成された分光反射膜は、フォ
トリソグラフィーによるパターニングができるので、光
電変換部の形状や大きさに合わせた微細加工が可能とな
る。
【００１１】また請求項４に記載された発明は、上記分
光反射膜が高反射率膜と着色層で構成されている。この
構成によると、高反射率膜と着色層で形成された分光反
射膜は、フォトリソグラフィーによるパターニングがで
きるので、光電変換部の形状や大きさに合わせた微細加
工が可能となる。
光反射膜が高反射率膜と着色層で構成されている。この
構成によると、高反射率膜と着色層で形成された分光反
射膜は、フォトリソグラフィーによるパターニングがで
きるので、光電変換部の形状や大きさに合わせた微細加
工が可能となる。
【００１２】また請求項５に記載された発明は、上記分
光反射膜が誘電体多層膜と着色層で構成されている。こ
の構成によると、誘電体多層膜と着色層で形成された分
光反射膜は、フォトリソグラフィーによるパターニング
ができるので、光電変換部の形状や大きさに合わせた微
細加工が可能となる。
光反射膜が誘電体多層膜と着色層で構成されている。こ
の構成によると、誘電体多層膜と着色層で形成された分
光反射膜は、フォトリソグラフィーによるパターニング
ができるので、光電変換部の形状や大きさに合わせた微
細加工が可能となる。
【００１３】また請求項６に記載された発明は、上記光
電変換部と上記分光反射膜が、透明な部材で隔てられて
いる。この構成によると、光電変換部において感度補正
に悪影響を与える光の干渉が起こりにくくなり、良好な
感度補正を行うことができる。
電変換部と上記分光反射膜が、透明な部材で隔てられて
いる。この構成によると、光電変換部において感度補正
に悪影響を与える光の干渉が起こりにくくなり、良好な
感度補正を行うことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図を参照して
説明する。ここで示す実施形態では、いずれも光は紙面
上方から入射する構成となっている。図１は、本発明の
第１実施形態の光センサの構成図である。ガラス等の透
明基板１上にアモルファス半導体光センサの光電変換部
２を形成し、透明基板１の光電変換部２とは反対側の面
に、分光反射膜として誘電体多層膜３を形成する。
説明する。ここで示す実施形態では、いずれも光は紙面
上方から入射する構成となっている。図１は、本発明の
第１実施形態の光センサの構成図である。ガラス等の透
明基板１上にアモルファス半導体光センサの光電変換部
２を形成し、透明基板１の光電変換部２とは反対側の面
に、分光反射膜として誘電体多層膜３を形成する。
【００１５】光電変換部２に入射した光は、一部が光電
変換部２で吸収される。光電変換部２を透過した光のう
ち特定の波長の光が誘電体多層膜３により良好に反射さ
れ、再び光電変換部２に入射して吸収される。誘電体多
層膜３は、光電変換部２において感度が悪い、すなわち
光電変換の効率の悪い波長の光を反射する特性を有して
おり、その感度の悪い波長の光のみを反射して、光電変
換部２に再入射させることで、該波長の光の感度を増加
させている。これにより、光電変換部２の波長による感
度補正がなされる。
変換部２で吸収される。光電変換部２を透過した光のう
ち特定の波長の光が誘電体多層膜３により良好に反射さ
れ、再び光電変換部２に入射して吸収される。誘電体多
層膜３は、光電変換部２において感度が悪い、すなわち
光電変換の効率の悪い波長の光を反射する特性を有して
おり、その感度の悪い波長の光のみを反射して、光電変
換部２に再入射させることで、該波長の光の感度を増加
させている。これにより、光電変換部２の波長による感
度補正がなされる。
【００１６】図２は、第２実施形態の光センサの構成図
である。ガラス等の透明基板１にアモルファス半導体光
センサの光電変換部２を形成する。別の透明基板４に分
光反射膜として誘電体多層膜３を形成し、重ね合わせ
る。光電変換部２に入射した光は、一部が光電変換部２
で吸収される。光電変換部２を透過した光のうち特定の
波長の光が誘電体多層膜３により良好に反射され、再び
光電変換部２に入射して吸収され、感度補正がなされ
る。尚、本実施形態は、光電変換部２と誘電体多層膜３
とを同時に形成することが容易になる等の製法上の利点
を有する。
である。ガラス等の透明基板１にアモルファス半導体光
センサの光電変換部２を形成する。別の透明基板４に分
光反射膜として誘電体多層膜３を形成し、重ね合わせ
る。光電変換部２に入射した光は、一部が光電変換部２
で吸収される。光電変換部２を透過した光のうち特定の
波長の光が誘電体多層膜３により良好に反射され、再び
光電変換部２に入射して吸収され、感度補正がなされ
る。尚、本実施形態は、光電変換部２と誘電体多層膜３
とを同時に形成することが容易になる等の製法上の利点
を有する。
【００１７】図３は、第３実施形態の光センサの構成図
である。ガラス等の透明基板１上にアモルファス半導体
光センサの光電変換部２を形成し、透明基板１の光電変
換部２とは反対側の面に、分光反射膜として誘電体多層
膜３を形成する。別の透明基板４に同様に分光反射膜と
して誘電体多層膜５を形成し、重ね合わせる。
である。ガラス等の透明基板１上にアモルファス半導体
光センサの光電変換部２を形成し、透明基板１の光電変
換部２とは反対側の面に、分光反射膜として誘電体多層
膜３を形成する。別の透明基板４に同様に分光反射膜と
して誘電体多層膜５を形成し、重ね合わせる。
【００１８】光電変換部２に入射した光は、一部が光電
変換部２で吸収される。光電変換部２を透過した光のう
ち特定の波長の光が誘電体多層膜３により良好に反射さ
れ、再び光電変換部２に入射して吸収される。誘電体多
層膜３をも透過した光は、誘電体多層膜５で反射され、
誘電体多層膜３を経て、光電変換部２に再入射し、吸収
される。このように、複数の誘電体多層膜を組み合わせ
て１つの分光反射膜とした場合、分光反射膜の特性設計
の自由度が増し、設計者の意図に合ったより高度な感度
補正がなされる。
変換部２で吸収される。光電変換部２を透過した光のう
ち特定の波長の光が誘電体多層膜３により良好に反射さ
れ、再び光電変換部２に入射して吸収される。誘電体多
層膜３をも透過した光は、誘電体多層膜５で反射され、
誘電体多層膜３を経て、光電変換部２に再入射し、吸収
される。このように、複数の誘電体多層膜を組み合わせ
て１つの分光反射膜とした場合、分光反射膜の特性設計
の自由度が増し、設計者の意図に合ったより高度な感度
補正がなされる。
【００１９】図４は、第４実施形態の光センサの構成図
である。ガラス等の透明基板１にアモルファス半導体光
センサの光電変換部２を形成する。その上に透明膜６を
形成し、その後、分光反射膜として誘電体多層膜３を形
成する。光電変換部２に入射した光は、一部が光電変換
部２で吸収され、透過した光のうち特定の波長の光が誘
電体多層膜３により良好に反射され、再び光電変換部２
に入射して吸収される。
である。ガラス等の透明基板１にアモルファス半導体光
センサの光電変換部２を形成する。その上に透明膜６を
形成し、その後、分光反射膜として誘電体多層膜３を形
成する。光電変換部２に入射した光は、一部が光電変換
部２で吸収され、透過した光のうち特定の波長の光が誘
電体多層膜３により良好に反射され、再び光電変換部２
に入射して吸収される。
【００２０】第１、第２及び第３の実施形態において
は、光電変換部２と分光反射膜である誘電体多層膜３の
間に透明基板１または透明基板４が配された構成であっ
た。これは、光電変換部２と誘電体多層膜３を接する構
成とした場合、光電変換部２が誘電体多層膜３と光の干
渉を起こし易くなり、所望の分光反射特性を得ることが
できなくなる恐れがあるからである。従って、両者の間
には、光のコヒーレント長以上の隔たりを設けることが
望ましく、通常、透明基板１または透明基板４であれ
ば、その間隔を保持できる。
は、光電変換部２と分光反射膜である誘電体多層膜３の
間に透明基板１または透明基板４が配された構成であっ
た。これは、光電変換部２と誘電体多層膜３を接する構
成とした場合、光電変換部２が誘電体多層膜３と光の干
渉を起こし易くなり、所望の分光反射特性を得ることが
できなくなる恐れがあるからである。従って、両者の間
には、光のコヒーレント長以上の隔たりを設けることが
望ましく、通常、透明基板１または透明基板４であれ
ば、その間隔を保持できる。
【００２１】一方、第４実施形態のように、光電変換部
２と誘電体多層膜３を、透明基板１の同じ側に形成する
場合は、図示のように、光のコヒーレント長以上の膜厚
の透明膜６を形成しなければならない。このように透明
基板１の同じ側に光電変換部２と誘電体多層膜３を形成
すると、光電変換部２ごとに誘電体多層膜３による分光
反射の特性を変えることが容易になるので、画素ごとに
異なった感度補正が可能となる。
２と誘電体多層膜３を、透明基板１の同じ側に形成する
場合は、図示のように、光のコヒーレント長以上の膜厚
の透明膜６を形成しなければならない。このように透明
基板１の同じ側に光電変換部２と誘電体多層膜３を形成
すると、光電変換部２ごとに誘電体多層膜３による分光
反射の特性を変えることが容易になるので、画素ごとに
異なった感度補正が可能となる。
【００２２】図５は、第５実施形態の光センサの構成図
である。ガラス等の透明基板１にアモルファス半導体光
センサの光電変換部２を形成する。その上に、分光反射
膜として着色フィルタ膜７及び高反射率膜８を形成す
る。高反射率膜８は、通常アルミニウム等の金属で形成
される全反射膜である。そのため、その前に着色フィル
タ膜７を設置して、特定の波長の光のみを反射できるよ
うにする。着色フィルタ膜７は、例えばゼラチン状の膜
である。
である。ガラス等の透明基板１にアモルファス半導体光
センサの光電変換部２を形成する。その上に、分光反射
膜として着色フィルタ膜７及び高反射率膜８を形成す
る。高反射率膜８は、通常アルミニウム等の金属で形成
される全反射膜である。そのため、その前に着色フィル
タ膜７を設置して、特定の波長の光のみを反射できるよ
うにする。着色フィルタ膜７は、例えばゼラチン状の膜
である。
【００２３】光電変換部２に入射した光は、一部が光電
変換部２で吸収される。光電変換部２を透過した光のう
ち特定の波長の光が、着色フィルタ膜７及び高反射率膜
８から成る分光反射膜により良好に反射されて、再び光
電変換部２に入射し、吸収される。
変換部２で吸収される。光電変換部２を透過した光のう
ち特定の波長の光が、着色フィルタ膜７及び高反射率膜
８から成る分光反射膜により良好に反射されて、再び光
電変換部２に入射し、吸収される。
【００２４】着色フィルタ膜７及び高反射率膜８から成
る分光反射膜も、上記誘電体多層膜３と同様に、光電変
換部２において感度が悪い、すなわち光電変換の効率の
悪い波長の光を反射する特性を有しており、その感度の
悪い波長の光のみを反射して、光電変換部２に再入射さ
せることで、光電変換部２の波長による感度補正がなさ
れる。この構成においても、第４実施形態と同様に、画
素ごとに異なった感度補正が可能となる。
る分光反射膜も、上記誘電体多層膜３と同様に、光電変
換部２において感度が悪い、すなわち光電変換の効率の
悪い波長の光を反射する特性を有しており、その感度の
悪い波長の光のみを反射して、光電変換部２に再入射さ
せることで、光電変換部２の波長による感度補正がなさ
れる。この構成においても、第４実施形態と同様に、画
素ごとに異なった感度補正が可能となる。
【００２５】図６は、第６実施形態の光センサの構成図
である。ガラス等の透明基板１にアモルファス半導体光
センサの光電変換部２を形成する。その上に、透明膜６
を形成後、分光反射膜として第５実施形態と同様の着色
フィルタ膜７及び高反射率膜８を形成する。光電変換部
２に入射した光は、一部が光電変換部２で吸収され、透
過した光のうち特定の波長の光が着色フィルタ膜７及び
高反射率膜８から成る分光反射膜により良好に反射され
て、再び光電変換部２に入射し、吸収される。
である。ガラス等の透明基板１にアモルファス半導体光
センサの光電変換部２を形成する。その上に、透明膜６
を形成後、分光反射膜として第５実施形態と同様の着色
フィルタ膜７及び高反射率膜８を形成する。光電変換部
２に入射した光は、一部が光電変換部２で吸収され、透
過した光のうち特定の波長の光が着色フィルタ膜７及び
高反射率膜８から成る分光反射膜により良好に反射され
て、再び光電変換部２に入射し、吸収される。
【００２６】着色フィルタ膜７及び高反射率膜８から成
る分光反射膜では、第４実施形態で説明したような光の
干渉は起こりにくいが、光電変換膜２と着色フィルタ膜
７の間に、光のコヒーレント長以上の膜厚の透明膜６を
形成してもよい。この場合も同様に、画素ごとに異なっ
た感度補正が可能となる。
る分光反射膜では、第４実施形態で説明したような光の
干渉は起こりにくいが、光電変換膜２と着色フィルタ膜
７の間に、光のコヒーレント長以上の膜厚の透明膜６を
形成してもよい。この場合も同様に、画素ごとに異なっ
た感度補正が可能となる。
【００２７】図７は、第７実施形態の光センサの構成図
である。ガラス等の透明基板１にアモルファス半導体光
センサの光電変換部２を形成する。透明基板１の光電変
換部２とは反対側の面に、分光反射膜として着色フィル
タ膜７及び高反射率膜８を形成する。光電変換部２に入
射した光は、一部が光電変換部２で吸収され、透過した
光のうち特定の波長の光が、着色フィルタ膜７及び高反
射率膜８から成る分光反射膜により良好に反射されて、
再び光電変換部２に入射し、吸収される。
である。ガラス等の透明基板１にアモルファス半導体光
センサの光電変換部２を形成する。透明基板１の光電変
換部２とは反対側の面に、分光反射膜として着色フィル
タ膜７及び高反射率膜８を形成する。光電変換部２に入
射した光は、一部が光電変換部２で吸収され、透過した
光のうち特定の波長の光が、着色フィルタ膜７及び高反
射率膜８から成る分光反射膜により良好に反射されて、
再び光電変換部２に入射し、吸収される。
【００２８】図８は、本発明を適用した光センサの感度
補正原理図である。上記第１から第７の実施形態のいず
れも、この原理図に沿った感度補正を行える。横軸は光
の波長を、縦軸は分光感度と分光反射率を示している。
光センサの光電変換部の感度特性をａ（破線）で、それ
に対する分光反射膜の分光反射率をｂ（一点鎖線）で示
す。このように、感度の悪い波長の光を特定的に反射し
て光電変換部に再入射させることによって、分光反射膜
を設置した後の感度特性がｃ（実線）に示すように、検
出できる光の波長全体に渡って同レベルになり、且つ高
感度化される。
補正原理図である。上記第１から第７の実施形態のいず
れも、この原理図に沿った感度補正を行える。横軸は光
の波長を、縦軸は分光感度と分光反射率を示している。
光センサの光電変換部の感度特性をａ（破線）で、それ
に対する分光反射膜の分光反射率をｂ（一点鎖線）で示
す。このように、感度の悪い波長の光を特定的に反射し
て光電変換部に再入射させることによって、分光反射膜
を設置した後の感度特性がｃ（実線）に示すように、検
出できる光の波長全体に渡って同レベルになり、且つ高
感度化される。
【００２９】尚、上記光センサの光電変換部としては、
外部キャリア注入を阻止する阻止型、光導電性を利用す
る光導電型、発生した信号電荷を増倍する増倍型等が使
用できる。
外部キャリア注入を阻止する阻止型、光導電性を利用す
る光導電型、発生した信号電荷を増倍する増倍型等が使
用できる。
【００３０】分光反射膜としては、上記実施形態として
図示したものに限らず、増強すべき波長域の光を反射す
る機能を有するものであればどのようなものでもよく、
誘電体多層膜、高反射膜、着色層の別の組み合わせも可
能である。例えば、第７実施形態において、高反射率膜
８を誘電体多層膜とすることもできる。また、分光反射
膜は同一基板に積層されて形成したものに限られず、２
つ以上の基板に形成されたものを組み合わせて、分光反
射膜としてもよい。
図示したものに限らず、増強すべき波長域の光を反射す
る機能を有するものであればどのようなものでもよく、
誘電体多層膜、高反射膜、着色層の別の組み合わせも可
能である。例えば、第７実施形態において、高反射率膜
８を誘電体多層膜とすることもできる。また、分光反射
膜は同一基板に積層されて形成したものに限られず、２
つ以上の基板に形成されたものを組み合わせて、分光反
射膜としてもよい。
【００３１】これまでの説明は、光センサの感度を各波
長域で同レベルにするためのものであったが、例えばレ
ーザー光等の使用波長が限定される用途において、特定
波長についての感度を増加させるようにしてもよい。
長域で同レベルにするためのものであったが、例えばレ
ーザー光等の使用波長が限定される用途において、特定
波長についての感度を増加させるようにしてもよい。
【００３２】
【発明の効果】請求項１の発明によると、光電変換部を
透過した光のうち、感度の悪い波長を分光反射膜で反射
して再度光電変換部に入射させることができるので、該
波長の光の感度が改善される。従って、感度のよい波長
を減衰させる方法によらず、感度の高いレベルで光セン
サの波長による感度補正を行えるので、光の利用効率が
向上し、全体として感度のよい光センサが得られる。
透過した光のうち、感度の悪い波長を分光反射膜で反射
して再度光電変換部に入射させることができるので、該
波長の光の感度が改善される。従って、感度のよい波長
を減衰させる方法によらず、感度の高いレベルで光セン
サの波長による感度補正を行えるので、光の利用効率が
向上し、全体として感度のよい光センサが得られる。
【００３３】請求項２の発明によると、請求項１の効果
に加えて、アモルファス半導体の使用により加工が容易
となり製造コストを削減できる。
に加えて、アモルファス半導体の使用により加工が容易
となり製造コストを削減できる。
【００３４】請求項３の発明によると、請求項１の効果
に加えて、誘電体多層膜で形成された分光反射膜は、フ
ォトリソグラフィーによるパターニングができるので、
光電変換部の形状や大きさに合わせた微細加工が可能と
なる。また、複数の誘電体多層膜を使用した分光反射膜
であれば、分光反射の特性設計の自由度が増し、用途に
合わせた光センサを得ることができる。
に加えて、誘電体多層膜で形成された分光反射膜は、フ
ォトリソグラフィーによるパターニングができるので、
光電変換部の形状や大きさに合わせた微細加工が可能と
なる。また、複数の誘電体多層膜を使用した分光反射膜
であれば、分光反射の特性設計の自由度が増し、用途に
合わせた光センサを得ることができる。
【００３５】請求項４、請求項５の発明によると、請求
項１の効果に加えて、高反射率膜と着色層で形成された
分光反射膜、或は誘電体多層膜と着色層で形成された分
光反射膜は、フォトリソグラフィーによるパターニング
ができるので、光電変換部の形状や大きさに合わせた微
細加工が可能となる。
項１の効果に加えて、高反射率膜と着色層で形成された
分光反射膜、或は誘電体多層膜と着色層で形成された分
光反射膜は、フォトリソグラフィーによるパターニング
ができるので、光電変換部の形状や大きさに合わせた微
細加工が可能となる。
【００３６】請求項６の発明によると、請求項１の効果
に加えて、透明な部材によって、光電変換部における光
の干渉が生じ、所望の分光反射特性が実現できなくなる
ことを防止し、感度のよい光電変換部が得られる。特
に、１つの透明基板に対して同じ側に光電変換部と分光
反射膜を構成する場合において、光電変換部ごとに分光
反射特性を設定できるので、画素ごとに感度補正が行
え、多様な用途に対応できる。
に加えて、透明な部材によって、光電変換部における光
の干渉が生じ、所望の分光反射特性が実現できなくなる
ことを防止し、感度のよい光電変換部が得られる。特
に、１つの透明基板に対して同じ側に光電変換部と分光
反射膜を構成する場合において、光電変換部ごとに分光
反射特性を設定できるので、画素ごとに感度補正が行
え、多様な用途に対応できる。
【図１】 本発明の第１実施形態の光センサの構成
図である。
図である。
【図２】 本発明の第２実施形態光のセンサの構成
図である。
図である。
【図３】 本発明の第３実施形態の光センサの構成
図である。
図である。
【図４】 本発明の第４実施形態の光センサの構成
図である。
図である。
【図５】 本発明の第５実施形態の光センサの構成
図である。
図である。
【図６】 本発明の第６実施形態の光センサの構成
図である。
図である。
【図７】 本発明の第７実施形態の光センサの構成
図である。
図である。
【図８】 本発明の感度補正原理図である。
【図９】 従来の光センサの構成図である。
【図１０】 従来の感度補正原理図である。
１、４ 透明基板 ２ 光電変換部 ３、５ 誘電体多層膜 ６ 透明膜 ７ 着色フィルタ膜 ８ 高反射率膜 ２０ 光入射窓 ２１ 感度補正フィルタ ２２ 光センサ ２３ 透明基板
Claims (6)
- 【請求項１】光電変換部の光入射側に対して反対側に、
分光反射膜を設けたことを特徴とする光センサ。 - 【請求項２】上記光電変換部がアモルファス半導体で構
成されていることを特徴とする請求項１に記載の光セン
サ。 - 【請求項３】上記分光反射膜が誘電体多層膜で構成され
ていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載
の光センサ。 - 【請求項４】上記分光反射膜が高反射率膜と着色層で構
成されていることを特徴とする請求項１または請求項２
に記載の光センサ。 - 【請求項５】上記分光反射膜が誘電体多層膜と着色層で
構成されていることを特徴とする請求項１または請求項
２に記載の光センサ。 - 【請求項６】上記光電変換部と上記分光反射膜が、透明
な部材で隔てられていることを特徴とする請求項１乃至
請求項５のいずれかに記載の光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11181426A JP2001015774A (ja) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11181426A JP2001015774A (ja) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 光センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015774A true JP2001015774A (ja) | 2001-01-19 |
Family
ID=16100578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11181426A Pending JP2001015774A (ja) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001015774A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006003843A1 (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光検出器 |
| JP2018093149A (ja) * | 2016-12-07 | 2018-06-14 | 日本電信電話株式会社 | 受光素子 |
-
1999
- 1999-06-28 JP JP11181426A patent/JP2001015774A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006003843A1 (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光検出器 |
| JP2006017684A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出器 |
| JP2018093149A (ja) * | 2016-12-07 | 2018-06-14 | 日本電信電話株式会社 | 受光素子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20050613 |