JP2001013424A - レーザーマーキング装置及びその出力制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザー照射面からの戻り光の影響をなくし
てレーザー光源のＡＰＣ制御を正確に行う。 【解決手段】 半導体レーザー１０から出射されるレー
ザー光をマーキング対象物５０に照射してマーキングを
行う一方、半導体レーザー１０から逆方向に出射される
レーザー光を受光素子１２で受光してレーザー光の出力
強度が一定となるようにＡＰＣ制御を行う。このＡＰＣ
制御を行う際には、例えばマーキングすべき文字列、文
字、或いはその線分のマーキングが終了したところで、
半導体レーザー１０から出射されたレーザー光を光吸収
部材４３に照射した状態としてＡＰＣ動作を行わせるこ
とにより、反射光が受光素子１２に戻らないようにす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光源の出力
を一定に制御する定出力制御動作を行うようにしたレー
ザーマーキング装置及びその出力制御方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザーマーキング装置はレーザー光源
からのレーザー光をマーキング対象物に照射してマーキ
ングを行う。このため、深さや線幅の整った品質の良い
マーキングを行うには、仮に周囲温度や電源電圧が変化
したとしてもレーザー光の出力を一定に保つことが必要
である。そこで、従来は、レーザー光の一部を受光素子
に導き、そこからの受光信号に基づきレーザー光源の出
力強度が所定値となるようにレーザー光源駆動手段を制
御する定出力制御動作（或いは自動パワー制御以下「Ａ
ＰＣ」という）を行わせるようにしている。

【０００３】その一例として、レーザー光源からマーキ
ング対象物へのレーザー光の光路中にハーフミラーを配
置し、そのハーフミラーで反射して分岐されたレーザー
光を受光素子にて受け、受光素子からの信号に基づいて
レーザー光源が所定の出力値になるようにレーザー光源
駆動手段を制御する構成が知られている。

【０００４】しかし、この構造では、マーキング対象物
に照射されるレーザー光はハーフミラーを通過する際に
減衰することを避け得ないから、その減衰分を見込んで
レーザー光源の出力を高くしなくてはならず、消費電力
が大きくなるという欠点がある。

【０００５】一方、レーザー光源として半導体レーザー
を使用したものでは、半導体レーザーからマーキング対
象物へ向かう光路とは逆方向に出射されるレーザー光を
受光する受光素子を設け、この受光素子に照射されるレ
ーザー光が一定強度となるようにＡＰＣを動作させる構
成がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成とすると、マーキング対象物へのレーザー光の減衰は
防止できるものの、今度は、マーキング対象物に照射さ
れたレーザー光がその照射面で反射して光路を逆戻り
し、受光素子に入射してしまうため正確にＡＰＣ制御が
行われたとしてもマーキング対象に照射されるレーザー
光を一定にできないという欠点がある。

【０００７】ところで、光通信や光ディスク装置の分野
では、レーザー照射面からの反射光に起因するＡＰＣ制
御の問題を解決するため、例えば特開平７−１６２０８
０号公報に記載された技術が開発されている。これは、
半導体レーザーにレーザー素子の上面側を通って受光素
子へ向かう光を遮蔽する遮光部材を設けることにより、
レーザー照射面から反射して戻ってくる光を遮ろうとす
るものである。

【０００８】しかし、特に、様々な材質・形状のマーキ
ング対象物を扱うレーザーマーキング装置では上述の構
成では不十分である。レーザーマーキング装置では、被
マーキング対象物からの戻り光は、照射面の材質・形状
等によって強度や方向が異なり、また、あらゆる方向に
拡散して広がりを持つ光となる。このため、元のレーザ
ー光と同一の経路を辿って戻る反射光は遮光部材によっ
て遮ることができても、照射面で拡散して反射を繰り返
して間接的に戻ってくる反射光は遮ることができず、そ
の存在によってＡＰＣ制御の精度を低めてしまうからで
ある。

【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、照射面の材質や形状等の不確定要素があったとして
も、マーキング対象に照射されるレーザー光を一定化す
ることができるレーザーマーキング装置及びその出力制
御方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段及び作用・効果】本発明に
係るレーザーマーキング装置の出力制御方法は、レーザ
ー光源から出射されるレーザー光をマーキング対象物に
照射してマーキングを行う一方、レーザー光源からマー
キング対象物へ向かうマーキングレーザー光路とは別方
向に出射されるレーザー光を受光素子で受光してレーザ
ー光源の出力強度が一定となるようにレーザー光源の出
力調整を行うようにしたレーザーマーキング装置におい
て、レーザー光源からマーキング対象物に向けて出射さ
れるレーザー光を光吸収部材に照射し、その状態でレー
ザー光源の出力強度が一定となるようにレーザー光源の
出力調整を行うところに特徴を有する。

【００１１】このようにすれば、照射面からレーザー光
が反射しない状態でＡＰＣ制御を行うことができるか
ら、反射による戻り光の影響を受けることなく正確なＡ
ＰＣ制御が可能となる。

【００１２】請求項１の発明に係るレーザーマーキング
装置は、レーザー光を出射してマーキング対象物に照射
するためのレーザ光源と、このレーザ光源を出力調整可
能に駆動するレーザー光源駆動手段と、前記レーザー光
源から前記マーキング対象物へ向かうマーキングレーザ
ー光路とは別方向に出射されるレーザー光を受光する受
光素子と、この受光素子からの受光信号に基づき前記レ
ーザー光源の出力強度が所定値となるように前記レーザ
ー光源駆動手段の出力制御動作を行う定出力制御手段
と、前記レーザ光源から出射されたレーザー光を吸収可
能な光吸収部材と、この光吸収部材を前記レーザ光源と
前記マーキング対象物との間のマーキングレーザー光路
中に位置する状態とその光路から外れた状態とに選択的
に駆動可能な光吸収体駆動手段と、この光吸収体駆動手
段を動作させて前記光吸収部材を前記マーキングレーザ
ー光路中に位置させた状態とした上で前記定出力制御手
段により前記出力制御動作を行わせる制御動作コントロ
ール手段とを備えた構成に特徴を有する。

【００１３】また、請求項２に係る発明は、レーザー光
を出射するレーザ光源と、このレーザ光源を出力調整可
能に駆動するレーザー光源駆動手段と、前記レーザ光源
から出射されたレーザー光を吸収可能な光吸収部材と、
前記レーザー光源からのレーザー光を反射させてマーキ
ング対象物に照射可能とする一方、レーザー光を反射さ
せて前記光吸収部材にも照射可能なミラー機構と、前記
レーザー光源から前記マーキング対象物へ向かうマーキ
ングレーザー光路とは別方向に出射されるレーザー光を
受光する受光素子と、この受光素子からの受光信号に基
づき前記レーザー光源の出力強度が所定値となるように
前記レーザー光源駆動手段の出力制御動作を行う定出力
制御手段と、前記ミラー機構によってレーザー光を前記
光吸収部材に照射させた状態とした上で前記定出力制御
手段により前記出力制御動作を行わせる制御動作コント
ロール手段とを備えた構成に特徴を有する。

【００１４】そして、請求項３の発明は、上記請求項１
又は請求項２の発明において、前記制御動作コントロー
ル手段を、所定時間だけマーキング動作を行った後であ
って、前記レーザー光によって所定単位のマーキング動
作を終えたところで前記出力制御動作を行わせる構成と
したところに特徴を有する。なお、上述の所定単位のマ
ーキング動作とは、例えば文字・記号をマーキングする
場合にあっては、前記文字・記号を構成する各線分の
マーキング動作、前記文字・記号のマーキング動作、
又は各マーキング対象物に対するマーキング動作等と
して設定することができる。

【００１５】上記請求項３の構成では、マーキング動作
を行っているときではなく、それが終わったところでＡ
ＰＣ制御を行うから、マーキング動作に影響を与えるこ
となくＡＰＣ制御によってレーザー光の出力を一定に維
持することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】＜第１実施形態＞

【００１７】以下、本発明の第１実施形態を図１ないし
図３を参照して説明する。本実施形態のレーザーマーキ
ング装置は例えば多数個のマーキング対象物が順次搬送
されてくるラインに沿って配置され、各マーキング対象
物に順次所定の文字・記号・図形等をマーキングするた
めのものである。１０はレーザー光源に相当する半導体
レーザーであり、周知のようにレーザー光源駆動手段１
３から所定周波数の電力が供給されて駆動されることに
よりレーザー素子１１の一端面からレーザー光をマーキ
ング対象物５０に向かうマーキングレーザー光路４０に
出射するとともに、その反対側の端面からもレーザー光
を異なる方向（逆方向）に出射する。その半導体レーザ
ー１０のパッケージ内には受光素子１２が収納され、こ
れがレーザー素子１１の背面から出射されたレーザー光
を受光し、そのレーザー光の強度に応じたレベルの受光
信号Ｖr を出力する。

【００１８】受光素子１２からの受光信号は定出力制御
回路２０（定出力制御手段）に与えられ、これが半導体
レーザー１０の出力強度が所定の一定値となるようにレ
ーザー光源駆動回路１３（レーザー光源駆動手段）の出
力制御動作（ＡＰＣ制御）を行う。この定出力制御回路
２０の詳細構造は図２に示す通りである。すなわち、受
光素子１２からの受光信号Ｖr は比較回路２１に入力さ
れ、ここで電圧源２２の基準電圧Ｖref と比較される。
比較回路２１の出力端子には放電用定電流源２３と、イ
ンバータ回路２４を介して充電用定電流源２５とが接続
されており、各定電流源２３，２５はスイッチ２６を介
して電圧保持用のコンデンサ２７に接続されている。そ
して、このコンデンサ２７は比較回路２８の非反転入力
端子に接続され、その比較回路２８の反転入力端子に基
準電圧回路２９が接続されている。

【００１９】したがって、受光素子１２に受光されるレ
ーザー光の強度が設定値よりも大であって受光素子１２
からの受光信号Ｖr が基準電圧Ｖref を上回ると、放電
用定電流源２３が有効化され、スイッチ２６がオンして
いることを条件にコンデンサ２７が放電し、その端子電
圧Ｖc （比較回路２８への入力電圧）が低下する。この
結果、コンデンサの端子電圧Ｖc と基準電圧回路２９の
電圧Ｖs との偏差が小さくなるため、レーザー光源駆動
回路１３による半導体レーザー１０の駆動電流が小さく
なってレーザー光の出力強度が低下される。逆に、受光
素子１２に受光されるレーザー光の強度が設定値よりも
小であって受光信号Ｖr が基準電圧Ｖref を下回ると、
充電用定電流源２５が有効化され、スイッチ２６がオン
していることを条件にコンデンサ２７が充電される。こ
の結果、コンデンサ２７の端子電圧Ｖc と基準電圧回路
２９の電圧Ｖs との偏差が大きくなるため、レーザー光
源駆動回路１３による半導体レーザー１０の駆動電流が
大きくなってレーザー光の出力強度が引き上げられる。
上述のように半導体レーザー１０の出力強度を所定の一
定値となるようにする出力制御動作（ＡＰＣ制御）を行
う場合には、上に述べたようにスイッチ２６を閉じるこ
とが必要であるが、これはＣＰＵ３０からの信号に基づ
き閉じられ、コンデンサ２７の充放電が終了した時点で
開放することで、その時点での電圧値が維持される。

【００２０】一方、マーキングレーザー光路４０には、
半導体レーザー１０側から順にコリメータレンズ４１，
集光レンズ４２、及びミラー機構４３が設けられ、半導
体レーザー１０から出射されたレーザー光を集光すると
ともに、ミラー機構４３によってマーキング対象物５０
に向けて反射させるようになっている。このミラー機構
４３は、詳細には図示しないが、周知のＸ−Ｙ二軸のガ
ルバノミラーが含まれ、それらの制御手段として機能す
るＣＰＵ３０からの信号によって駆動されてマーキング
対象物５０の所望の位置にレーザー光を照射することが
できる。

【００２１】そして、レーザー素子１１からマーキング
対象物５０に向かうマーキングレーザー光路４０のうち
集光レンズ４２とミラー機構４３との間には、半導体レ
ーザー１０から出射されたレーザー光を吸収可能な光吸
収部材４４が同光路４０内に位置する状態（以下「光吸
収位置」という）と、同光路４０から外れたところに位
置する状態（以下「待機位置」という）との間で移動可
能に設けられている。この光吸収部材４４は光吸収体駆
動手段４５によって駆動され、この光吸収体駆動手段４
５はＣＰＵ３０からの信号に基づき後述するタイミング
で動作する。

【００２２】次に、本実施形態の作用について図３も参
照して説明する。これにより、ＣＰＵ３０が本発明にい
う「光吸収体駆動手段４５を動作させて光吸収部材４４
をマーキングレーザー光路４０中に位置させた状態とし
た上で定出力制御手段２０により出力制御動作（ＡＰＣ
動作）を行わせる制御動作コントロール手段」に相当す
ることが明らかになるはずである。

【００２３】例えばコンソールなどの入力手段によって
各種設定値やマーキングすべき文字・記号・図形等を設
定する。すると、ＣＰＵ３０は、半導体レーザー１０及
びミラー機構４３に送るべきデータを生成するととも
に、まず光吸収体駆動手段４５に信号を送って光吸収部
材４４を「待機位置」から「光吸収位置」に進出させる
（ステップＳ1 ）。そして、定出力制御回路２０のスイ
ッチ２６を閉じ（ステップＳ2 ）、半導体レーザー１０
の出力強度が所定値となるようにレーザー光源駆動回路
１３の出力制御動作（ＡＰＣ動作）を実行する（ステッ
プＳ3 ）。すなわち、レーザー光源駆動回路１３を駆動
して半導体レーザー１０を動作させてレーザー発振を行
わせる。これにより、レーザー素子１１から前後両方向
にレーザー光が出射され、マーキングレーザー光路４０
側に向かったレーザー光は「光吸収位置」に進出してい
る光吸収部材４４に照射されてここで反射することなく
吸収される。一方、逆方向に出射されたレーザー光は受
光素子１２に入射するから、受光素子１２からはレーザ
ー光の出力強度に応じた電圧の受光信号Ｖr が出力さ
れ、これが前述したようにして基準電圧Ｖref と比較さ
れ、それが一致するように、すなわちレーザー光の出力
強度が一定になるようにレーザー光源駆動回路１３が制
御される。

【００２４】この後、ＣＰＵ３０からの信号により定出
力制御回路２０のスイッチ２６が開放されて（ステップ
Ｓ4 ）、コンデンサ２７の電圧が維持されると共に、タ
イマの作動が開始され（ステップＳ5 ）、光吸収体駆動
手段４５により光吸収部材４４が「光吸収位置」から
「待機位置」に戻される（ステップＳ6 ）。そして、Ｃ
ＰＵ３０は半導体レーザー１０及びミラー機構４３にマ
ーキング用のデータを出力し（ステップＳ7 ）、前述の
ＡＰＣ動作で設定された強度で出力されたレーザー光に
よってマーキング動作が行われる。このマーキング動作
は、タイマがカウントアップするまで継続され、結局、
その出力強度でマーキング対象物５０へのマーキングが
繰り返される。

【００２５】タイマは例えば５０個のマーキング対象物
５０に対してマーキングを行うに必要な時間が経過した
頃にカウントアップするように設定されており、したが
って５０個のマーキング対象物５０に対して連続的にマ
ーキングが実行される。そして、タイマがカウントアッ
プした時点で（ステップＳ8 ）、マーキングすべき文字
・記号・図形等の一単位となる線分のマーキングが終了
しているか否かが判断され（ステップＳ9 ）、終了して
いなければ、その線分のマーキング動作が終了するまで
マーキングデータを出力し続けて（ステップＳ7 ）線分
のマーキング動作を終了させる。なお、ここにいう「線
分」とは、座標データによってあらかじめ設定される始
点から終点までのことであって、この線分は、一筆書き
によって連続的に描かれる部分のことであっても良い
し、文字を形成している、連続的に描かれる同一方向に
おけるすべての部分である各辺のことであっても良い
し、また、各座標データの間のことであっても良い。

【００２６】線分のマーキング動作が終了したところ
で、引き続きマーキングを行うべき時には（ステップＳ
10で「Ｎ」）、ステップＳ1 に戻って光吸収部材４４を
「光吸収位置」に進出させた上でＡＰＣ動作を繰り返す
（ステップＳ3 ）。以下、これを全データの出力が完了
するまで（ステップＳ10で「Ｙ」）繰り返すから、所定
時間（例えば５０個のマーキング対象物のマーキングに
要する時間）だけマーキング動作を行った後であって、
いずれかの線分のマーキング動作を終えたところでＡＰ
Ｃ動作（出力制御動作）が繰り返されることになる。し
たがって、半導体レーザー１０が周囲温度の変化等によ
って徐々にレーザーの出力強度を変化させるようになっ
たとしても、出力強度が常に所定値になるように修正さ
れるので、深さや線幅の整った品質の良いマーキングを
行うことができる。この場合、従来のハーフミラー方式
とは異なり、マーキング対象物に向かうレーザー光の一
部を分岐させてレーザー強度を検出するものではないか
ら、レーザー光の減衰がなく、その分、レーザー光の出
力を高めて消費電力を増大させる必要はない。

【００２７】しかも、ＡＰＣ動作を行わせる場合には、
半導体レーザー１０からマーキング対象物５０に出射さ
れたレーザー光を光吸収部材４４に照射して吸収させる
から、照射面からの反射による戻り光がなく、その戻り
光に起因する制御誤差の発生を防止して高精度のＡＰＣ
動作を行わせることができる。なお、この実施形態で
は、ＡＰＣ動作を間欠的に行う構成であるが、その実行
間隔は温度変化等によって半導体レーザ１０の出力が変
化する時間に比べて十分に短いから、ＡＰＣ動作を実行
してから次回のＡＰＣ動作を行うまでの間には半導体レ
ーザ１０の出力はほとんど変化せず、常時ＡＰＣをかけ
て半導体レーザの出力を制御する構成と遜色のない効果
を得ることができる。

【００２８】＜第２実施形態＞

【００２９】本発明の第２実施形態を図４を参照して説
明する。上記第１実施形態と相違するところは、光吸収
部材４４をマーキングレーザー光路４０内から外れた位
置に固定的に配置するとともに、ミラー機構４３を、半
導体レーザー１０からのレーザー光を反射させてマーキ
ング対象物５０に照射可能とする一方、レーザー光を反
射させて前記光吸収部材４４にも照射可能としたところ
にある。そして、ＣＰＵ３０はＡＰＣ動作を行う場合に
は、ミラー機構４３に信号を与えてレーザー光をマーキ
ング対象物５０ではなく、光吸収部材４４に照射するよ
うにミラーの角度を調整する。その他の構成は、前記第
１実施形態と同様であり、同一部分に同一符号を付して
重複する説明を省略する。

【００３０】このようにしても、ＡＰＣ動作を行う場合
には半導体レーザー１０から出射されたレーザー光が光
吸収部材４４に照射されるから、精度良いＡＰＣ制御を
可能にできるという前記第１実施形態と同様な効果を奏
する。また、半導体レーザ１０からのレーザ光を被マー
キング対象物５０上に照射・走査するミラー機構４３に
より、レーザ光の方向を変えて光吸収部材４４に照射す
る構成であるので、レーザ光を光吸収部材４４によって
吸収させるために光吸収部材４４を駆動・制御するため
の光吸収体駆動手段４５を必要としないので、前記第１
実施形態に比して部品点数を削減できるという利点があ
る。

【００３１】＜第３実施形態＞

【００３２】本発明の第３実施形態を図５を参照して説
明する。前記第１実施形態との相違は、ＡＰＣ動作を行
わせる制御動作コントロール手段にあり、その他は第１
実施例と同様である。

【００３３】図５にＣＰＵ３０によって実行される動作
フローチャートを示す。前記第１実施形態では、ＡＰＣ
動作の実行タイミングを「所定時間（例えば５０個のマ
ーキング対象物のマーキングに要する時間）だけマーキ
ング動作を行った後であって、いずれかの線分のマーキ
ング動作を終えた時点」に設定したが、本実施形態で
は、「各被マーキング対象物５０に対し所定の文字列の
マーキング動作を全て終えた時点」とした（ステップＳ
21，Ｓ22参照）。したがって、各マーキング対象物５０
に対して文字列のマーキングが終了していないときには
ＡＰＣ動作を行うことなくマーキング動作を繰り返し、
全ての文字列のマーキングが終了すると、ＡＰＣ動作を
行うことになる。結局、ＡＰＣ動作は電源投入直後の
他、各マーキング対象物５０に対するマーキングが終了
し、次のマーキング対象物５０へのマーキング動作を開
始する前に実行されることになる。

【００３４】この構成でも、ＡＰＣ動作を行わせる場合
には、半導体レーザー１０からマーキング対象物５０に
出射されたレーザー光を光吸収部材４４に照射して吸収
させるから、照射面からの反射による戻り光がなく、そ
の戻り光に起因する制御誤差の発生を防止して高精度の
ＡＰＣ動作を行わせることができる。また、この実施形
態でも、ＡＰＣ動作を間欠的に行う構成であるが、その
実行間隔は温度変化等によって半導体レーザ１０の出力
が変化する時間に比べて十分に短いから、常時ＡＰＣを
かけて半導体レーザの出力を制御する構成と遜色のない
効果を得ることができる。

【００３５】＜第４実施形態＞

【００３６】本発明の第４実施形態を図６を参照して説
明する。前記第１実施形態との相違は、ＡＰＣ動作を行
わせる制御動作コントロール手段にあり、その他は第１
実施例と同様である。

【００３７】図６にＣＰＵ３０によって実行される動作
フローチャートを示す。本実施形態では、ＡＰＣ動作の
実行タイミングを、「各文字のマーキング動作を終えた
時点」とした（ステップＳ31，Ｓ32参照）。したがっ
て、各マーキング対象物５０に対してマーキングすべき
文字列のうちいずれかの文字についてマーキングが終了
していないときにはＡＰＣ動作を行うことなくマーキン
グ動作を繰り返し、その文字のマーキングが終了する
と、ＡＰＣ動作を行うことになる。結局、ＡＰＣ動作は
電源投入直後の他、各文字のマーキングが終了し、次の
文字のマーキング動作を開始する前に実行されることに
なる。

【００３８】この構成でも、ＡＰＣ動作を行わせる場合
には、半導体レーザー１０からマーキング対象物５０に
出射されたレーザー光を光吸収部材４４に照射して吸収
させるから、照射面からの反射による戻り光がなく、そ
の戻り光に起因する制御誤差の発生を防止して高精度の
ＡＰＣ動作を行わせることができる。また、この実施形
態でも、ＡＰＣ動作を間欠的に行う構成であるが、その
実行間隔は温度変化等によって半導体レーザ１０の出力
が変化する時間に比べて十分に短いから、常時ＡＰＣを
かけて半導体レーザの出力を制御する構成と遜色のない
効果を得ることができる。

【００３９】＜第５実施形態＞

【００４０】本発明の第５実施形態を図７を参照して説
明する。前記第１実施形態との相違は、ＡＰＣ動作を行
わせる制御動作コントロール手段にあり、その他は第１
実施例と同様である。

【００４１】図７にＣＰＵ３０によって実行される動作
フローチャートを示す。本実施形態では、ＡＰＣ動作の
実行タイミングを、「マーキングすべき文字を構成する
各線分のマーキング動作を終えた時点」とした（ステッ
プＳ41，Ｓ42参照）。なお、ここでいう線分とは、座標
データによってあらかじめ設定される始点から終点まで
のことであって、この線分は、一筆書きによって連続的
に描かれる部分のことであっても良いし、文字を形成し
ている、連続的に描かれる同一方向におけるすべての部
分である各辺のことであっても良いし、また、各座標デ
ータの間のことであっても良い。

【００４２】この構成では、文字を構成する各線分のマ
ーキングが終了していないときにはＡＰＣ動作を行うこ
となくその線分のマーキング動作を引き続き行い、その
線分のマーキングが終了すると、ＡＰＣ動作を行うこと
になる。したがって、ＡＰＣ動作は電源投入直後の他、
各文字の線分をマーキングする度に実行されることにな
る。

【００４３】この構成でも、ＡＰＣ動作を行わせる場合
には、半導体レーザー１０からマーキング対象物５０に
出射されたレーザー光を光吸収部材４４に照射して吸収
させるから、照射面からの反射による戻り光がなく、そ
の戻り光に起因する制御誤差の発生を防止して高精度の
ＡＰＣ動作を行わせることができる。また、この実施形
態でも、ＡＰＣ動作を間欠的に行う構成であるが、その
実行間隔は温度変化等によって半導体レーザ１０の出力
が変化する時間に比べて極めて短いから、常時ＡＰＣを
かけて半導体レーザの出力を制御する構成と遜色のない
効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施形態を示す全体のブロック
図

【図２】 第１実施形態における定出力制御回路のブロ
ック図

【図３】 第１実施形態における制御動作コントロール
手段の動作を示すフローチャート

【図４】 第２実施形態を示す全体のブロック図

【図５】 第３実施形態における制御動作コントロール
手段の動作を示すフローチャート

【図６】 第４実施形態における制御動作コントロール
手段の動作を示すフローチャート

【図７】 第５実施形態における制御動作コントロール
手段の動作を示すフローチャート

【符号の説明】

１０…半導体レーザー（レーザー光源） １１…レーザー素子 １２…受光素子 １３…レーザー光源駆動回路（レーザー光源駆動手段） ２０…定出力制御回路（定出力制御手段） ３０…ＣＰＵ（制御動作コントロール手段） ４０…マーキングレーザー光路 ４３…ミラー機構 ４４…光吸収部材 ４５…光吸収体駆動手段 ５０…マーキング対象物

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H041 AA04 AA12 AB02 AB14 AC00 4E068 AB01 CA02 CB01 CB09 CC01 CD12 CF04 5F073 BA09 GA01 GA21

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザー光を出射してマーキング対象物
   に照射するためのレーザ光源と、 このレーザ光源を出力調整可能に駆動するレーザー光源
   駆動手段と、 前記レーザー光源から前記マーキング対象物へ向かうマ
   ーキングレーザー光路とは別方向に出射されるレーザー
   光を受光する受光素子と、 この受光素子からの受光信号に基づき前記レーザー光源
   の出力強度が所定値となるように前記レーザー光源駆動
   手段の出力制御動作を行う定出力制御手段と、 前記レーザ光源から出射されたレーザー光を吸収可能な
   光吸収部材と、 この光吸収部材を前記レーザ光源と前記マーキング対象
   物との間のマーキングレーザー光路中に位置する状態と
   その光路から外れた状態とに選択的に駆動可能な光吸収
   体駆動手段と、 この光吸収体駆動手段を動作させて前記光吸収部材を前
   記マーキングレーザー光路中に位置させた状態とした上
   で前記定出力制御手段により前記出力制御動作を行わせ
   る制御動作コントロール手段とを備えてなるレーザーマ
   ーキング装置。
2. 【請求項２】 レーザー光を出射するレーザ光源と、 このレーザ光源を出力調整可能に駆動するレーザー光源
   駆動手段と、 前記レーザ光源から出射されたレーザー光を吸収可能な
   光吸収部材と、 前記レーザー光源からのレーザー光を反射させてマーキ
   ング対象物に照射可能とする一方、レーザー光を反射さ
   せて前記光吸収部材にも照射可能なミラー機構と、 前記レーザー光源から前記マーキング対象物へ向かうマ
   ーキングレーザー光路とは別方向に出射されるレーザー
   光を受光する受光素子と、 この受光素子からの受光信号に基づき前記レーザー光源
   の出力強度が所定値となるように前記レーザー光源駆動
   手段の出力制御動作を行う定出力制御手段と、 前記ミラー機構によってレーザー光を前記光吸収部材に
   照射させた状態とした上で前記定出力制御手段により前
   記出力制御動作を行わせる制御動作コントロール手段と
   を備えてなるレーザーマーキング装置。
3. 【請求項３】 前記制御動作コントロール手段は、所定
   時間だけマーキング動作を行った後であって、前記レー
   ザー光によって所定単位のマーキング動作を終えたとこ
   ろで前記出力制御動作を行わせることを特徴とする請求
   項１又は２記載のレーザーマーキング装置。
4. 【請求項４】 レーザー光源から出射されるレーザー光
   をマーキング対象物に照射してマーキングを行う一方、
   前記レーザー光源から前記マーキング対象物へ向かうマ
   ーキングレーザー光路とは別方向に出射されるレーザー
   光を受光素子で受光して前記レーザー光源の出力強度が
   一定となるように前記レーザー光源の出力調整を行うよ
   うにしたレーザーマーキング装置において、 前記レーザー光源から前記マーキング対象物に向けて出
   射されるレーザー光を光吸収部材に照射し、その状態で
   前記レーザー光源の出力強度が一定となるように前記レ
   ーザー光源の出力調整を行うことを特徴とするレーザー
   マーキング装置の出力制御方法。