JP2560262Y2 - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
- Publication number
- JP2560262Y2 JP2560262Y2 JP1991046253U JP4625391U JP2560262Y2 JP 2560262 Y2 JP2560262 Y2 JP 2560262Y2 JP 1991046253 U JP1991046253 U JP 1991046253U JP 4625391 U JP4625391 U JP 4625391U JP 2560262 Y2 JP2560262 Y2 JP 2560262Y2
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- JP
- Japan
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- laser
- beam pulse
- laser beam
- reflector
- pulse
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この考案は、例えば半導体メモリ
において不良セルに与えられているアドレスが冗長セル
に与えられるように、チップ上のリンクをレーザで切断
して不良セル救済を行うなど、レーザビームパルスを被
加工物に照射して加工するレーザ加工装置に関する。
において不良セルに与えられているアドレスが冗長セル
に与えられるように、チップ上のリンクをレーザで切断
して不良セル救済を行うなど、レーザビームパルスを被
加工物に照射して加工するレーザ加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレーザ加工装置を図４に示す。こ
れは前記不良セルの救済に適用した場合で、ステージ駆
動機構１１上にステージ１２が取付けられ、ステージ１
２上に半導体ウエハ１３が配されている。制御用計算機
１４により位置決め制御回路１５が設定制御され、位置
決め制御回路１５はステージ位置検出回路１６で検出さ
れるステージ１２の位置を参照して設定位置になるよう
にステージ駆動回路１７を通じてステージ駆動機構１１
を制御して、ステージ１２を移動制御する。レーザ発振
器１８が制御用計算機１４により制御され、レーザ発振
器１８よりのレーザ光１９は反射鏡２１で反射されて半
導体ウエハ１３上に入射され、その反射光はレーザ反射
光検出器２２で検出され、レーザ反射光検出器２２の出
力はマーク検出回路２３へ供給され、半導体ウエハ１３
上の各メモリチップの４隅と対応した位置に形成された
位置合わせマークからの反射光がマーク検出回路２３で
検出され、この検出出力は制御用計算機１４へ供給され
る。この位置合わせマークを基準として切断すべきリン
クの位置にレーザ光が入射されるように、ステージ１２
を制御した後、瞬時的にレーザ光のパワーを大としてリ
ンクを切断する。
れは前記不良セルの救済に適用した場合で、ステージ駆
動機構１１上にステージ１２が取付けられ、ステージ１
２上に半導体ウエハ１３が配されている。制御用計算機
１４により位置決め制御回路１５が設定制御され、位置
決め制御回路１５はステージ位置検出回路１６で検出さ
れるステージ１２の位置を参照して設定位置になるよう
にステージ駆動回路１７を通じてステージ駆動機構１１
を制御して、ステージ１２を移動制御する。レーザ発振
器１８が制御用計算機１４により制御され、レーザ発振
器１８よりのレーザ光１９は反射鏡２１で反射されて半
導体ウエハ１３上に入射され、その反射光はレーザ反射
光検出器２２で検出され、レーザ反射光検出器２２の出
力はマーク検出回路２３へ供給され、半導体ウエハ１３
上の各メモリチップの４隅と対応した位置に形成された
位置合わせマークからの反射光がマーク検出回路２３で
検出され、この検出出力は制御用計算機１４へ供給され
る。この位置合わせマークを基準として切断すべきリン
クの位置にレーザ光が入射されるように、ステージ１２
を制御した後、瞬時的にレーザ光のパワーを大としてリ
ンクを切断する。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】このレーザ加工装置に
おけるレーザ加工処理能力、いわゆるスループットは単
位時間当たりに発生することができるレーザパルスの数
で決まる。通常のレーザ発振器では発生可能パルス数は
１KHz 程度であり、これよりパルスの繰り返し数を上げ
ると、パルス波形、パワーの再現性が悪くなり、つまり
レーザパルスの安定度が低下し、リンクの切断ができる
ものと、できないものとが生じ、つまり正しく加工を行
うことができなくなる場合がある。ステージの移動位置
決めは速く行うことができるから、レーザ加工装置のス
ループットは安定なレーザパルスが得られる最高繰り返
し周波数で制限されていた。
おけるレーザ加工処理能力、いわゆるスループットは単
位時間当たりに発生することができるレーザパルスの数
で決まる。通常のレーザ発振器では発生可能パルス数は
１KHz 程度であり、これよりパルスの繰り返し数を上げ
ると、パルス波形、パワーの再現性が悪くなり、つまり
レーザパルスの安定度が低下し、リンクの切断ができる
ものと、できないものとが生じ、つまり正しく加工を行
うことができなくなる場合がある。ステージの移動位置
決めは速く行うことができるから、レーザ加工装置のス
ループットは安定なレーザパルスが得られる最高繰り返
し周波数で制限されていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】レーザ光源からのレーザ
ビームパルスを被加工物に照射して加工するレーザ加工
装置において、請求項１の考案は、 上記レーザ光源とし
て設けられたレーザ発振器Ａ、Ｂと、 上記レーザ光源に
対する発射要求信号を上記複数のレーザ発振器に順次繰
り返し供給するレーザ切替え制御回路と、 上記レーザ発
振器ＡからのレーザビームパルスＡを反射させて、その
反射光をビーム分割器に入射する反射器と、 上記レーザ
発振器ＢからのレーザビームパルスＢを入射させ、その
５０％を反射させ、上記反射器からのレーザビームパル
スＡの５０％を透過させる上記分割器と、 を具備し、 上
記反射器からの上記レーザビームパルスＡの上記分割器
の透過点と、その透過点からの進行方向とが、上記レー
ザビームパルスＢの上記分割器の反射点と、その反射点
からの進行方向とに、それぞれ一致されてレーザビーム
パルスＡＢとして被加工物に入射するようにされてい
る。請求項２の考案は、 上記レーザ光源として設けられ
たレーザ発振器Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄと、 上記レーザ光源に対
する発射要求信号を上記複数のレーザ発振器に順次繰り
返し供給するレーザ切替え制御回路と、 上記レーザ発振
器ＡからのレーザビームパルスＡを反射させて、その反
射光をビーム分割器Ａに入射する反射器Ａと、 上記レー
ザ発振器ＢからのレーザビームパルスＢを入射させ、そ
の５０％を反射させ、上記反射器Ａからのレーザビーム
パルスＡを入射させ、その５０％を透過させる分割器Ａ
と、 上記レーザ発振器ＤからのレーザビームパルスＤを
反射させて、その反射光をビーム分割器Ｂに入射する反
射器Ｄと、 上記レーザ発振器Ｃからのレーザビームパル
スＣを入射させ、その５０％を反 射させ、上記反射器Ｄ
からのレーザビームパルスＤの５０％を透過させる分割
器Ｂと、 上記分割器Ａからの上記レーザビームパルスＡ
Ｂを反射する反射器Ｂと、 上記反射器Ｂからの上記レー
ザビームパルスＡＢを反射する反射器Ｅと、 上記分割器
Ｂからの上記レーザビームパルスＣＤを反射する反射器
Ｃと、 上記反射器ＥからのレーザビームパルスＡＢを入
射させ、その５０％を透過させ、上記反射器Ｃからのレ
ーザビームパルスＣＤを入射させ、その５０％を反射さ
せる分割器Ｃと、 を具備し、 上記反射器Ａからのレーザ
ビームパルスＡの上記分割器Ａの透過点と、その透過点
からの進行方向とが、上記レーザ発振器Ｂからの上記レ
ーザビームパルスＢの上記分割器Ａの反射点と、その反
射点からの進行方向とに、それぞれ一致されてレーザビ
ームパルスＡＢとされ、 上記反射器Ｄからの上記レーザ
ビームパルスＤの上記分割器Ｂの透過点と、その透過点
からの進行方向とが、上記レーザ発振器Ｃからの上記レ
ーザビームパルスＣの上記分割器Ｂの反射点と、その反
射点からの進行方向とに、それぞれ一致されてレーザビ
ームパルスＣＤとされ、 上記反射器Ｅからの上記レーザ
ビームパルスＡＢの上記分割器Ｃの透過点と、その透過
点からの進行方向とが、上記反射器Ｃからの上記レーザ
ビームパルスＣＤの上記分割器Ｃの反射点と、その反射
点からの進行方向とに、それぞれ一致されてレーザビー
ムパルスＡＢＣＤとされている。
ビームパルスを被加工物に照射して加工するレーザ加工
装置において、請求項１の考案は、 上記レーザ光源とし
て設けられたレーザ発振器Ａ、Ｂと、 上記レーザ光源に
対する発射要求信号を上記複数のレーザ発振器に順次繰
り返し供給するレーザ切替え制御回路と、 上記レーザ発
振器ＡからのレーザビームパルスＡを反射させて、その
反射光をビーム分割器に入射する反射器と、 上記レーザ
発振器ＢからのレーザビームパルスＢを入射させ、その
５０％を反射させ、上記反射器からのレーザビームパル
スＡの５０％を透過させる上記分割器と、 を具備し、 上
記反射器からの上記レーザビームパルスＡの上記分割器
の透過点と、その透過点からの進行方向とが、上記レー
ザビームパルスＢの上記分割器の反射点と、その反射点
からの進行方向とに、それぞれ一致されてレーザビーム
パルスＡＢとして被加工物に入射するようにされてい
る。請求項２の考案は、 上記レーザ光源として設けられ
たレーザ発振器Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄと、 上記レーザ光源に対
する発射要求信号を上記複数のレーザ発振器に順次繰り
返し供給するレーザ切替え制御回路と、 上記レーザ発振
器ＡからのレーザビームパルスＡを反射させて、その反
射光をビーム分割器Ａに入射する反射器Ａと、 上記レー
ザ発振器ＢからのレーザビームパルスＢを入射させ、そ
の５０％を反射させ、上記反射器Ａからのレーザビーム
パルスＡを入射させ、その５０％を透過させる分割器Ａ
と、 上記レーザ発振器ＤからのレーザビームパルスＤを
反射させて、その反射光をビーム分割器Ｂに入射する反
射器Ｄと、 上記レーザ発振器Ｃからのレーザビームパル
スＣを入射させ、その５０％を反 射させ、上記反射器Ｄ
からのレーザビームパルスＤの５０％を透過させる分割
器Ｂと、 上記分割器Ａからの上記レーザビームパルスＡ
Ｂを反射する反射器Ｂと、 上記反射器Ｂからの上記レー
ザビームパルスＡＢを反射する反射器Ｅと、 上記分割器
Ｂからの上記レーザビームパルスＣＤを反射する反射器
Ｃと、 上記反射器ＥからのレーザビームパルスＡＢを入
射させ、その５０％を透過させ、上記反射器Ｃからのレ
ーザビームパルスＣＤを入射させ、その５０％を反射さ
せる分割器Ｃと、 を具備し、 上記反射器Ａからのレーザ
ビームパルスＡの上記分割器Ａの透過点と、その透過点
からの進行方向とが、上記レーザ発振器Ｂからの上記レ
ーザビームパルスＢの上記分割器Ａの反射点と、その反
射点からの進行方向とに、それぞれ一致されてレーザビ
ームパルスＡＢとされ、 上記反射器Ｄからの上記レーザ
ビームパルスＤの上記分割器Ｂの透過点と、その透過点
からの進行方向とが、上記レーザ発振器Ｃからの上記レ
ーザビームパルスＣの上記分割器Ｂの反射点と、その反
射点からの進行方向とに、それぞれ一致されてレーザビ
ームパルスＣＤとされ、 上記反射器Ｅからの上記レーザ
ビームパルスＡＢの上記分割器Ｃの透過点と、その透過
点からの進行方向とが、上記反射器Ｃからの上記レーザ
ビームパルスＣＤの上記分割器Ｃの反射点と、その反射
点からの進行方向とに、それぞれ一致されてレーザビー
ムパルスＡＢＣＤとされている。
【０００５】
【実施例】この考案を半導体メモリレーザリペア装置に
適用した場合の実施例を図１に示し、図３と対応する部
分に同一符号を付けてある。この実施例ではレーザ光源
としてレーザ発振器１８ａの他にレーザ発振器１８ｂが
設けられ、位置決め制御回路１５を通じて制御用計算機
１４から出力されるレーザパルス発射要求信号はレーザ
切替え制御回路２５へ供給されて、レーザ発振器１８
ａ，１８ｂに順次繰り返し供給される。反射鏡２１から
被加工半導体ウエハ１３に至るレーザ照射光路２６の途
中に５０％ビーム分割器（例えば半透明鏡）２７が挿入
され、反射鏡２１からのレーザビーム１９ａがビーム分
割器２７により２分の１に分割され、その透過ビームが
半導体ウエハ１３に照射される。また、レーザ発振器１
８ｂからのレーザビーム１９ｂがビーム分割器２７に入
射され、その反射ビームが半導体ウエハ１３に達するよ
うにされる。
適用した場合の実施例を図１に示し、図３と対応する部
分に同一符号を付けてある。この実施例ではレーザ光源
としてレーザ発振器１８ａの他にレーザ発振器１８ｂが
設けられ、位置決め制御回路１５を通じて制御用計算機
１４から出力されるレーザパルス発射要求信号はレーザ
切替え制御回路２５へ供給されて、レーザ発振器１８
ａ，１８ｂに順次繰り返し供給される。反射鏡２１から
被加工半導体ウエハ１３に至るレーザ照射光路２６の途
中に５０％ビーム分割器（例えば半透明鏡）２７が挿入
され、反射鏡２１からのレーザビーム１９ａがビーム分
割器２７により２分の１に分割され、その透過ビームが
半導体ウエハ１３に照射される。また、レーザ発振器１
８ｂからのレーザビーム１９ｂがビーム分割器２７に入
射され、その反射ビームが半導体ウエハ１３に達するよ
うにされる。
【０００６】レーザ切替え制御回路２５は、例えば図２
Ａに示すように構成される。即ち、レーザパルス発射要
求信号はマルチプレクサ２８へ供給されると共に、微小
遅延回路２９を通じて２進ウカンタ３１へ供給されて計
数される。２進ウカンタ３１の出力によりマルチプレク
サ２８が制御される。従って、例えば図２Ｂのａに示す
ようなレーザパルス発射要求信号（パルス）が切替え制
御回路２５に入力されると、図２Ｂのｂ，ｃに示すよう
に、その各要求信号はマルチプレクサ２８の二つの出力
側に交互に分配されてレーザ発振器１８ａ，１８ｂへ供
給される。従ってレーザ発振器１８ａ，１８ｂからそれ
ぞれ図２Ｂのｄ，ｅに示すように、レーザビームパルス
１９ａ，１９ｂが交互に出射され、これらレーザビーム
パルス１９ａ，１９ｂはビーム分割器２７でそれぞれパ
ワーが２分の１にされて合成され、図２Ｂのｆのように
なり、レーザパルス発射要求信号の周波数で半導体ウエ
ハ１３にレーザビームパルスが照射される。
Ａに示すように構成される。即ち、レーザパルス発射要
求信号はマルチプレクサ２８へ供給されると共に、微小
遅延回路２９を通じて２進ウカンタ３１へ供給されて計
数される。２進ウカンタ３１の出力によりマルチプレク
サ２８が制御される。従って、例えば図２Ｂのａに示す
ようなレーザパルス発射要求信号（パルス）が切替え制
御回路２５に入力されると、図２Ｂのｂ，ｃに示すよう
に、その各要求信号はマルチプレクサ２８の二つの出力
側に交互に分配されてレーザ発振器１８ａ，１８ｂへ供
給される。従ってレーザ発振器１８ａ，１８ｂからそれ
ぞれ図２Ｂのｄ，ｅに示すように、レーザビームパルス
１９ａ，１９ｂが交互に出射され、これらレーザビーム
パルス１９ａ，１９ｂはビーム分割器２７でそれぞれパ
ワーが２分の１にされて合成され、図２Ｂのｆのように
なり、レーザパルス発射要求信号の周波数で半導体ウエ
ハ１３にレーザビームパルスが照射される。
【０００７】しかし、各レーザ発振器１８ａ，１８ｂか
らそれぞれ放射されるレーザビームパルスの周波数はレ
ーザパルス発射要求信号の周波数の２分の１でよい。従
って１つのレーザ発振器で安定なレーザパルスを出射で
きる最高周波数の２倍の周波数で半導体ウエハ１３に安
定なレーザビームパルスを照射することができる。レー
ザ発振器の数を更に多くすれば、例えば図３に示すよう
に、レーザ発振器１８ａ〜１８ｄの４つを設け、レーザ
切替え制御回路２５によりレーザ照射要求信号をこれら
レーザ発振器１８ａ〜１８ｄに順次繰り返し供給し、こ
れらレーザ発振器１８ａ〜１８ｄの各出射レーザビーム
パルスを１つの照射光路に集めて半導体ウエハ１３上に
照射することにより、スループットを４倍にすることが
できる。レーザ発振器１８ａ〜１８ｂの各レーザを反射
鏡２１と、ビーム分割器２７とで合成したものを反射鏡
３２，３３により半導体ウエハ１３側に向け、またレー
ザ発振器１８ｃ〜１８ｄの各レーザを反射鏡３４および
５０％ビーム分割器３５で合成し、この合成レーザを反
射鏡３６で反射させて、反射鏡３３と半導体ウエハ１３
との間に挿入された５０％ビーム分割器３７に入射して
合成する。このようにしてレーザ発振器１８ａ〜１８ｄ
の各レーザが同一レベルで半導体ウエハ１３に達するよ
うにされる。
らそれぞれ放射されるレーザビームパルスの周波数はレ
ーザパルス発射要求信号の周波数の２分の１でよい。従
って１つのレーザ発振器で安定なレーザパルスを出射で
きる最高周波数の２倍の周波数で半導体ウエハ１３に安
定なレーザビームパルスを照射することができる。レー
ザ発振器の数を更に多くすれば、例えば図３に示すよう
に、レーザ発振器１８ａ〜１８ｄの４つを設け、レーザ
切替え制御回路２５によりレーザ照射要求信号をこれら
レーザ発振器１８ａ〜１８ｄに順次繰り返し供給し、こ
れらレーザ発振器１８ａ〜１８ｄの各出射レーザビーム
パルスを１つの照射光路に集めて半導体ウエハ１３上に
照射することにより、スループットを４倍にすることが
できる。レーザ発振器１８ａ〜１８ｂの各レーザを反射
鏡２１と、ビーム分割器２７とで合成したものを反射鏡
３２，３３により半導体ウエハ１３側に向け、またレー
ザ発振器１８ｃ〜１８ｄの各レーザを反射鏡３４および
５０％ビーム分割器３５で合成し、この合成レーザを反
射鏡３６で反射させて、反射鏡３３と半導体ウエハ１３
との間に挿入された５０％ビーム分割器３７に入射して
合成する。このようにしてレーザ発振器１８ａ〜１８ｄ
の各レーザが同一レベルで半導体ウエハ１３に達するよ
うにされる。
【０００８】この考案は、レーザリペア装置のみなら
ず、一般にレーザパルスにより加工する装置に適用でき
る。
ず、一般にレーザパルスにより加工する装置に適用でき
る。
【０００９】
【考案の効果】以上述べたように、この考案によればレ
ーザ照射要求信号を、Ｎ個のレーザ発振器に順次繰り返
し供給し、これらＮ個のレーザ発振器よりのレーザビー
ムパルスを合成して被加工物に照射するため、１個のレ
ーザ発振器が安定に出射できるレーザパルスの繰り返し
周波数のＮ倍の速度で加工することができ、スループッ
トをＮ倍にすることができる。
ーザ照射要求信号を、Ｎ個のレーザ発振器に順次繰り返
し供給し、これらＮ個のレーザ発振器よりのレーザビー
ムパルスを合成して被加工物に照射するため、１個のレ
ーザ発振器が安定に出射できるレーザパルスの繰り返し
周波数のＮ倍の速度で加工することができ、スループッ
トをＮ倍にすることができる。
【図１】この考案の請求項１の実施例を示すブロック
図。
図。
【図２】Ａはレーザ切替え制御回路２５の具体例を示す
ブロック図、Ｂはその動作を示すタイムチャートであ
る。
ブロック図、Ｂはその動作を示すタイムチャートであ
る。
【図３】この考案の請求項２の実施例を示すブッロク
図。
図。
【図４】従来のレーザ加工装置を示すブロック図。
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザ光源からのレーザビームパルスを
被加工物に照射して加工するレーザ加工装置において、 上記レーザ光源として設けられたレーザ発振器Ａ、Ｂ
と、 上記レーザ光源に対する発射要求信号を上記複数のレー
ザ発振器に順次繰り返し供給するレーザ切替え制御回路
と、上記レーザ発振器ＡからのレーザビームパルスＡを反射
させて、その反射光をビーム分割器に入射する反射器
と、 上記レーザ発振器ＢからのレーザビームパルスＢを入射
させ、その５０％を反射させ、上記反射器からのレーザ
ビームパルスＡの５０％を透過させる上記分割器と、 を具備し、 上記反射器からの上記レーザビームパルスＡの上記分割
器の透過点と、その透過点からの進行方向とが、上記レ
ーザビームパルスＢの上記分割器の反射点と、その反射
点からの進行方向とに、それぞれ一致されてレーザビー
ムパルスＡＢとして被加工物に入射するようにされてい
ることを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項２】 レーザ光源からのレーザビームパルスを
被加工物に照射して加工するレーザ加工装置において、 上記レーザ光源として設けられたレーザ発振器Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄと、 上記レーザ光源に対する発射要求信号を上記複数のレー
ザ発振器に順次繰り返し供給するレーザ切替え制御回路
と、 上記レーザ発振器ＡからのレーザビームパルスＡを反射
させて、その反射光をビーム分割器Ａに入射する反射器
Ａと、 上記レーザ発振器ＢからのレーザビームパルスＢを入射
させ、その５０％を反射させ、上記反射器Ａからのレー
ザビームパルスＡを入射させ、その５０％を透過させる
分割器Ａと、 上記レーザ発振器ＤからのレーザビームパルスＤを反射
させて、その反射光をビーム分割器Ｂに入射する反射器
Ｄと、 上記レーザ発振器ＣからのレーザビームパルスＣを入射
させ、その５０％を反 射させ、上記反射器Ｄからのレー
ザビームパルスＤの５０％を透過させる分割器Ｂと、 上記分割器Ａからの上記レーザビームパルスＡＢを反射
する反射器Ｂと、 上記反射器Ｂからの上記レーザビームパルスＡＢを反射
する反射器Ｅと、 上記分割器Ｂからの上記レーザビームパルスＣＤを反射
する反射器Ｃと、 上記反射器ＥからのレーザビームパルスＡＢを入射さ
せ、その５０％を透過させ、上記反射器Ｃからのレーザ
ビームパルスＣＤを入射させ、その５０％を反射させる
分割器Ｃと、 を具備し、 上記反射器ＡからのレーザビームパルスＡの上記分割器
Ａの透過点と、その透過点からの進行方向とが、上記レ
ーザ発振器Ｂからの上記レーザビームパルスＢの上記分
割器Ａの反射点と、その反射点からの進行方向とに、そ
れぞれ一致されてレーザビームパルスＡＢとされ、 上記反射器Ｄからの上記レーザビームパルスＤの上記分
割器Ｂの透過点と、その透過点からの進行方向とが、上
記レーザ発振器Ｃからの上記レーザビームパルスＣの上
記分割器Ｂの反射点と、その反射点からの進行方向と
に、それぞれ一致されてレーザビームパルスＣＤとさ
れ、 上記反射器Ｅからの上記レーザビームパルスＡＢの上記
分割器Ｃの透過点と、その透過点からの進行方向とが、
上記反射器Ｃからの上記レーザビームパルスＣＤの上記
分割器Ｃの反射点と、その反射点からの進行方向とに、
それぞれ一致されてレーザビームパルスＡＢＣＤとされ
ていることを特徴とするレーザ加工装置 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991046253U JP2560262Y2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991046253U JP2560262Y2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | レーザ加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05286U JPH05286U (ja) | 1993-01-08 |
| JP2560262Y2 true JP2560262Y2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=12742017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991046253U Expired - Fee Related JP2560262Y2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560262Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61164449U (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-13 | ||
| US6324195B1 (en) | 1999-01-13 | 2001-11-27 | Kaneka Corporation | Laser processing of a thin film |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58147689U (ja) * | 1982-03-25 | 1983-10-04 | 株式会社東芝 | 固体レ−ザ加工装置 |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP1991046253U patent/JP2560262Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05286U (ja) | 1993-01-08 |
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