JP2001010868A - Composition for ceramic substrate and ceramic circuit part - Google Patents

Composition for ceramic substrate and ceramic circuit part

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JP2001010868A
JP2001010868A JP11175116A JP17511699A JP2001010868A JP 2001010868 A JP2001010868 A JP 2001010868A JP 11175116 A JP11175116 A JP 11175116A JP 17511699 A JP17511699 A JP 17511699A JP 2001010868 A JP2001010868 A JP 2001010868A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition which is used for ceramic substrates, can be sintered at a low temperature of <=1,000 deg.C, can simultaneously be sintered together with a conductor circuit consisting mainly of a low resistant metal such as an Ag-based metal or a Cu-based metal, and can give dense sintered compact. SOLUTION: This composition for ceramic substrates comprises 35 to 39 wt.% of glass powder and 61 to 65 wt.% of ceramic powder. Therein, the glass constituting the glass powder 28 to 64 wt.% of SiO2, 0 to 30 wt.% of B2O3, 0 to 30 wt.% of Al2O3, and 36 to 50 wt.% of RO (R is at least one of Mg, Ca, Sr and Ba), and the ceramic powder has an average particle diameter of <1 μm. The composition has good dispersibility between the glass and the ceramic, and can give a dense sintered compact at a sintering temperature of <=1,000 deg.C.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック基板
用組成物およびセラミック回路部品に関するもので、特
に、1000℃以下の低温で焼結させることが可能なセ
ラミック基板用組成物、およびそれを用いて構成される
多層集積回路部品、厚膜ハイブリッド回路部品などのセ
ラミック回路部品に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composition for a ceramic substrate and a ceramic circuit component, and more particularly to a composition for a ceramic substrate which can be sintered at a low temperature of 1000.degree. The present invention relates to ceramic circuit components such as multilayer integrated circuit components and thick film hybrid circuit components.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、セラミック基板の主流はアルミナ
基板である。しかし、アルミナ基板を得るためには、約
1600℃という高温で焼成しなければならないため、
アルミナ基板をもってたとえば多層回路部品を構成する
場合には、内部の導体において高融点の金属を用いなけ
ればならない。ところが、高融点金属は、一般に、高抵
抗であるため、高周波化および高速化の進む多層回路部
品のための導体としてはふさわしくない。
2. Description of the Related Art At present, the mainstream of ceramic substrates is an alumina substrate. However, in order to obtain an alumina substrate, it must be fired at a high temperature of about 1600 ° C.,
When, for example, a multilayer circuit component is formed using an alumina substrate, a metal having a high melting point must be used for the internal conductor. However, a high melting point metal is generally not suitable as a conductor for a multilayer circuit component whose frequency and speed are increasing because of its high resistance.

【0003】そこで、Au、Ag、Ag−Pd、Ag−
Pt、Cuなどの低抵抗の金属を内部導体として使用す
ることを可能にする、焼成温度が1000℃以下のガラ
スセラミック基板が注目され、種々開発されている。
[0003] Therefore, Au, Ag, Ag-Pd, Ag-
Attention has been paid to glass-ceramic substrates having a firing temperature of 1000 ° C. or less, which enable use of low-resistance metals such as Pt and Cu as internal conductors, and various developments have been made.

【0004】たとえば、特公平3−53269号公報で
は、重量基準で50〜64%のガラス粉末と50〜35
%のAl2 3 粉末とを混合して、800〜1000℃
で焼結し得る低温焼結セラミック基板が記載されてい
る。
For example, Japanese Patent Publication No. 3-53269 discloses that 50 to 64% of glass powder and 50 to 35% by weight are used.
% Al 2 O 3 powder and mixed at 800-1000 ° C.
A low-temperature sintered ceramic substrate that can be sintered at is described.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなガラス仕込み量が50%以上の基板の場合、焼成
後の基板中の結晶質割合が低くなり、基板の機械的特性
に対する信頼性が低い、という問題がある。
However, in the case of a substrate having the above-mentioned glass charge amount of 50% or more, the crystal ratio in the fired substrate is low, and the reliability of the mechanical characteristics of the substrate is low. There is a problem.

【0006】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る、セラミック基板用組成物およびそ
れを用いて構成されるセラミック回路部品を提供しよう
とすることである。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a composition for a ceramic substrate and a ceramic circuit component formed using the same, which can solve the above-mentioned problems.

【0007】より具体的には、この発明によれば、A
u、Ag、Ag−Pd、Ag−Pt、Cuなどの低抵抗
の金属を内部導体として用いることを可能にする、焼成
温度が1000℃以下の電子回路用セラミック基板のた
めの組成物が提供され、この組成物を焼成して得られた
セラミック基板によれば、350MPaを超える抗折強
度を実現することが可能になる。
More specifically, according to the present invention, A
Provided is a composition for a ceramic substrate for an electronic circuit having a firing temperature of 1000 ° C. or lower, which enables a low-resistance metal such as u, Ag, Ag-Pd, Ag-Pt, or Cu to be used as an internal conductor. According to the ceramic substrate obtained by firing this composition, it is possible to realize a transverse rupture strength exceeding 350 MPa.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上述した技術的課題を解
決するため、この発明に係るセラミック基板用組成物
は、重量比率で、ガラス粉末を35〜39%、およびセ
ラミック粉末を61〜65%それぞれ含有し、ガラス粉
末を構成するガラスが、28〜64重量%のSiO2
0〜30重量%のB2 3 、0〜30重量%のAl2
3 、および36〜50重量%のRO(ただし、Rは、M
g、Ca、SrおよびBaから選ばれた少なくとも1
種)を含む組成を有し、セラミック粉末の平均粒径が1
μm未満であることを特徴としている。
In order to solve the above-mentioned technical problems, the composition for a ceramic substrate according to the present invention comprises 35 to 39% by weight of glass powder and 61 to 65% by weight of ceramic powder. Each of the glasses constituting the glass powder contains 28 to 64% by weight of SiO 2 ,
0-30 wt% of B 2 O 3, 0 to 30 wt% of Al 2 O
3 and 36-50% by weight of RO (where R is M
at least one selected from g, Ca, Sr and Ba
), And the average particle size of the ceramic powder is 1
It is characterized by being less than μm.

【0009】上述のように、この発明に係るセラミック
基板用組成物においては、前述した従来技術の場合に比
べて、セラミックの割合を多くしながら、セラミック粉
末の粒径を小さくすることによって、当該組成物を焼結
させて得られたセラミック基板の機械的強度を高めよう
とするものである。
As described above, in the composition for a ceramic substrate according to the present invention, the particle size of the ceramic powder is reduced while the proportion of the ceramic is increased, as compared with the case of the above-described prior art, whereby the composition is improved. The purpose is to increase the mechanical strength of a ceramic substrate obtained by sintering the composition.

【0010】一般に、ガラスおよびセラミックからなる
複合材料における焼結の駆動力は、ガラスの軟化および
粘性流動によってもたらされる。そのため、セラミック
の割合を増やし、ガラスの割合を減らすと、セラミック
粒子のまわりのガラスが不足し、焼結性および機械的強
度が低下する。
Generally, the driving force for sintering in a composite material consisting of glass and ceramic is provided by softening and viscous flow of glass. Therefore, when the proportion of ceramic is increased and the proportion of glass is decreased, the glass around the ceramic particles becomes insufficient, and the sinterability and mechanical strength decrease.

【0011】この発明では、セラミックの割合を増やす
ばかりでなく、セラミック粉末の平均粒径を1μm未満
とすることによって、ガラスおよびセラミックからなる
複合材料の成形密度を高め、焼結性の低下を防止するこ
とができる。そして、焼結後の相対密度が同程度であれ
ば、セラミックの割合が多いほど、機械的強度は高めら
れることになる。
According to the present invention, not only is the ratio of ceramic increased, but also the average particle size of the ceramic powder is made smaller than 1 μm, thereby increasing the molding density of the composite material composed of glass and ceramic and preventing the sinterability from lowering. can do. If the relative density after sintering is substantially the same, the mechanical strength is increased as the proportion of ceramic increases.

【0012】この発明において、ガラス粉末を構成する
ガラスは、SiO2 、B2 3 、Al2 3 およびRO
の合計量100重量部に対して、Li2 O、K2 Oおよ
びNa2 Oから選ばれた少なくとも1種のアルカリ金属
の酸化物を5重量部以下の含有量をもってさらに含有し
ていても、また、TiO2 、ZrO2 、Cr2 3 、C
aF2 およびCuOから選ばれた少なくとも1種の化合
物を5重量部以下の含有量をもってさらに含有していて
もよい。
In the present invention, the glass constituting the glass powder is SiO 2 , B 2 O 3 , Al 2 O 3 and RO
With respect to 100 parts by weight of the total of the above, further contains at least 5 parts by weight of an oxide of at least one alkali metal selected from Li 2 O, K 2 O and Na 2 O, TiO 2 , ZrO 2 , Cr 2 O 3 , C
At least one compound selected from aF 2 and CuO may be further contained at a content of 5 parts by weight or less.

【0013】また、セラミック粉末は、アルミナ粉末を
含むことが好ましい。
Preferably, the ceramic powder contains an alumina powder.

【0014】この発明は、また、上述したようなセラミ
ック基板用組成物を成形し焼成して得られた基板と、こ
の基板に関連して形成された導電体回路とを備える、セ
ラミック回路部品にも向けられる。
The present invention also provides a ceramic circuit component comprising: a substrate obtained by molding and firing the composition for a ceramic substrate as described above; and a conductor circuit formed in connection with the substrate. Is also directed.

【0015】このセラミック回路部品において、導電体
回路は、好ましくは、Ag、AuおよびCuから選ばれ
た少なくとも1種の金属を主成分として含む。
In this ceramic circuit component, the conductor circuit preferably contains at least one metal selected from Ag, Au and Cu as a main component.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】この発明は、ガラス粉末とセラミ
ック粉末とを含有する、低温焼成可能なセラミック基板
用組成物において、重量比率で、ガラス粉末を35〜3
9%、およびセラミック粉末を61〜65%それぞれ含
有している。このような含有比率に限定したのは次の理
由による。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a composition for a ceramic substrate which can be sintered at a low temperature and contains a glass powder and a ceramic powder.
9%, and 61-65% of ceramic powder, respectively. The reason for limiting to such a content ratio is as follows.

【0017】ガラス粉末が35%より少なく、セラミッ
ク粉末が65%より多いと、ガラスがセラミック粒子を
十分に覆うことができず、緻密な焼結体が得られない。
逆に、ガラス粉末が39%より多く、セラミック粉末が
61%より少ないと、得られた焼結体は緻密であって
も、ガラスが支配的となるため、機械的強度が350M
Pa以下で、セラミック基板としての機械的特性の信頼
性が不十分である。
If the glass powder content is less than 35% and the ceramic powder content is more than 65%, the glass cannot sufficiently cover the ceramic particles, and a dense sintered body cannot be obtained.
Conversely, if the glass powder content is more than 39% and the ceramic powder content is less than 61%, the mechanical strength is 350M because the glass is dominant even if the obtained sintered body is dense.
Below Pa, the reliability of the mechanical properties of the ceramic substrate is insufficient.

【0018】また、この発明において、ガラス粉末を構
成するガラスは、28〜64重量%のSiO2 、0〜3
0重量%のB2 3 、0〜30重量%のAl2 3 、お
よび36〜50重量%のRO(ただし、Rは、Mg、C
a、SrおよびBaから選ばれた少なくとも1種)を含
む組成を有している。このようなガラスの組成を限定し
たのは次の理由による。
In the present invention, the glass constituting the glass powder contains 28 to 64% by weight of SiO 2 , 0 to 3% by weight.
0 wt% of B 2 O 3, 0~30 wt% Al 2 O 3, and 36 to 50 wt% of RO (wherein, R is, Mg, C
a, Sr and Ba). The reason for limiting the composition of such glass is as follows.

【0019】SiO2 は、ガラスの骨格をなすものであ
る。SiO2 の含有量が28重量%より少ないと、ガラ
スの軟化点が低くなりすぎ、得られたセラミック基板の
耐熱性が悪くなる。他方、64重量%より多くなると、
ガラスの軟化点が高くなりすぎ、セラミック基板を得る
ために1000℃以下の温度での焼成が適用できず、そ
の結果、Au、Ag、Cu等を導電体回路を構成するた
めの導電成分として使用できなくなる。
SiO 2 forms the skeleton of glass. When the content of SiO 2 is less than 28% by weight, the softening point of the glass becomes too low, and the heat resistance of the obtained ceramic substrate deteriorates. On the other hand, if it exceeds 64% by weight,
The softening point of the glass is too high, so that firing at a temperature of 1000 ° C. or less cannot be applied to obtain a ceramic substrate, and as a result, Au, Ag, Cu, etc. are used as conductive components for forming a conductive circuit. become unable.

【0020】B2 3 は、セラミック基板を得るための
焼成温度を低下させる効果を有するものであるが、その
含有量が30重量%より多くなると、耐水性および耐薬
品性が悪くなり、また、高温、多湿の環境下では、セラ
ミック基板の変質が生じる可能性があり、さらに、ガラ
スの軟化点が低くなりすぎ、得られたセラミック基板の
耐熱性を悪くしてしまう。
B 2 O 3 has the effect of lowering the firing temperature for obtaining a ceramic substrate, but if its content exceeds 30% by weight, water resistance and chemical resistance deteriorate, and In a high-temperature, high-humidity environment, the quality of the ceramic substrate may be altered, and the softening point of the glass may be too low, thereby deteriorating the heat resistance of the obtained ceramic substrate.

【0021】Al2 3 は、ガラス構造を安定化させ、
得られたセラミック基板の耐熱性を向上させる効果を有
するものであるが、その含有量が30重量%を超える
と、ガラスの軟化・流動性が悪くなり、セラミック基板
を1000℃以下で焼結させることができず、ガラスの
結晶化も阻害されて、高機械的強度かつ低損失といった
特性を実現できなくなる。
Al 2 O 3 stabilizes the glass structure,
It has the effect of improving the heat resistance of the obtained ceramic substrate, but if its content exceeds 30% by weight, the softening and fluidity of the glass deteriorate, and the ceramic substrate is sintered at 1000 ° C. or lower. Therefore, the crystallization of glass is hindered, and characteristics such as high mechanical strength and low loss cannot be realized.

【0022】ROは、ガラスの軟化・流動性を促進させ
る効果を有するものであるが、その含有量が36重量%
より少ないと、ガラスの軟化点が高くなりすぎ、セラミ
ック基板を得るために1000℃以下の温度での焼成が
適用できず、その結果、Au、Ag、Cu等を導電体回
路を構成するために使用できなくなる。他方、ROの含
有量が50重量%を越えると、ガラス構造が不安定とな
って、品質の安定したガラスが得られなくなる。
RO has the effect of promoting the softening and fluidity of glass, but its content is 36% by weight.
If it is less, the softening point of the glass becomes too high, so that firing at a temperature of 1000 ° C. or less cannot be applied to obtain a ceramic substrate. As a result, Au, Ag, Cu, etc. Can no longer be used. On the other hand, if the content of RO exceeds 50% by weight, the glass structure becomes unstable, and it becomes impossible to obtain glass of stable quality.

【0023】以上のような組成を有するガラスの作製に
おいて、軟化・流動性をより促進させたい場合は、Li
2 O、K2 OおよびNa2 Oから選ばれた少なくとも1
種のアルカリ金属の酸化物を、上述したような、B2
3 、SiO2 、Al2 3 およびROの合計量100重
量部に対して5重量部以下の含有量をもって含有させて
もよい。なお、これらアルカリ金属の酸化物の含有量が
5重量部を超えると、ガラスの電気絶縁性が低下するた
め、焼結後のセラミック基板の絶縁抵抗が低下してしま
う。
In the production of glass having the above composition, if it is desired to further promote softening and fluidity, use Li
At least one selected from 2 O, K 2 O and Na 2 O
Oxide species of the alkali metal, as described above, B 2 O
3 , SiO 2 , Al 2 O 3 and RO may be contained at a content of 5 parts by weight or less based on 100 parts by weight in total. If the content of these alkali metal oxides exceeds 5 parts by weight, the electrical insulation of the glass decreases, so that the insulation resistance of the sintered ceramic substrate decreases.

【0024】また、焼成過程でのガラスの結晶化をより
促進して、得られたセラミック基板の高機械的強度化や
低損失化を進めるため、TiO2 、ZrO2 、Cr2
3 、CaF2 およびCuOから選ばれた少なくとも1種
の化合物を、前述したB2 3 、SiO2 、Al2 3
およびROの合計量100重量部に対して5重量部以下
の含有量をもって含有させてもよい。なお、これらの化
合物の含有量が5重量部を超えると、ガラスの誘電率が
高くなるため、焼結後のセラミック基板の誘電率が高く
なりすぎる、という問題がある。
Further, the crystallization of the glass during the firing process can be improved.
Promotes high mechanical strength of the obtained ceramic substrate,
To promote low loss, TiOTwo, ZrOTwo, CrTwoO
Three, CaFTwoAnd at least one selected from CuO
With the compound of the aforementioned BTwoO Three, SiOTwo, AlTwoOThree
5 parts by weight or less based on 100 parts by weight of RO and RO
May be contained. In addition, these
When the content of the compound exceeds 5 parts by weight, the dielectric constant of the glass becomes
The dielectric constant of the ceramic substrate after sintering
There is a problem that it becomes too much.

【0025】この発明に係るセラミック基板用組成物に
おいて含有されるセラミック粉末は、平均粒径を1μm
未満にする必要がある。セラミック粉末の平均粒径が1
μm以上になると、ガラスとの分散性が悪く、成形密度
が低いため、焼結性が低く、焼成されて得られた焼結体
すなわちセラミック基板の機械的強度が350MPa以
下となる。
The ceramic powder contained in the composition for a ceramic substrate according to the present invention has an average particle diameter of 1 μm.
Must be less than. The average particle size of the ceramic powder is 1
If it is more than μm, the dispersibility with glass is poor and the molding density is low, so that the sinterability is low and the sintered body obtained by firing, that is, the ceramic substrate has a mechanical strength of 350 MPa or less.

【0026】なお、セラミック粉末としては、たとえば
アルミナ粉末を有利に用いることができる。
As the ceramic powder, for example, alumina powder can be advantageously used.

【0027】以上述べたようなセラミック基板用組成物
は、これを成形し焼成して得られた基板と、この基板に
関連して形成された導電体回路とを備える、セラミック
回路部品を製造するために有利に用いられる。
The composition for a ceramic substrate as described above is used to produce a ceramic circuit component comprising a substrate obtained by molding and firing the same, and a conductor circuit formed in connection with the substrate. It is advantageously used for:

【0028】図1は、上述したセラミック回路部品の一
例であって、この発明の一実施形態によるセラミック多
層回路部品1を図解的に示す断面図である。セラミック
多層回路部品1は、概略的に言えば、セラミック基板2
とこのセラミック基板2の内部および/または表面に形
成される導電体回路3とを備えている。
FIG. 1 is an example of the above-described ceramic circuit component, and is a cross-sectional view schematically showing a ceramic multilayer circuit component 1 according to an embodiment of the present invention. The ceramic multilayer circuit component 1 is, roughly speaking, a ceramic substrate 2
And a conductor circuit 3 formed inside and / or on the surface of the ceramic substrate 2.

【0029】セラミック基板2は、上述したような組成
を有するセラミック基板用組成物を含む複数のグリーン
シートを積層して得られたセラミック成形体を焼成する
ことによって得られたものであり、複数のグリーンシー
トの各々の焼成によってもたらされる複数のセラミック
層4を備えている。
The ceramic substrate 2 is obtained by firing a ceramic molded body obtained by laminating a plurality of green sheets containing the composition for a ceramic substrate having the above-described composition. It comprises a plurality of ceramic layers 4 resulting from the firing of each of the green sheets.

【0030】導電体回路3は、たとえば、Ag、Auお
よびCuから選ばれた少なくとも1種の金属を主成分と
する導電成分を含む導電性ペーストを上述したセラミッ
ク成形体と同時に焼成することによって形成されたもの
である。導電体回路3は、セラミック基板2の表面に形
成されるものとして、たとえば、外部導体5、6および
7等を備え、また、セラミック基板2の内部に形成され
るものとして、たとえば、内部導体8、9、10、11
および12等を備えるとともに、バイアホール接続部1
3、14、15、16、17、18および19等を備え
ている。
The conductor circuit 3 is formed, for example, by simultaneously firing a conductive paste containing a conductive component mainly composed of at least one metal selected from Ag, Au and Cu, with the above-mentioned ceramic molded body. It was done. The conductor circuit 3 includes, for example, external conductors 5, 6, and 7 formed on the surface of the ceramic substrate 2, and includes the internal conductor 8 formed on the inside of the ceramic substrate 2, for example. , 9,10,11
And via hole connection part 1
3, 14, 15, 16, 17, 18, and 19, and the like.

【0031】内部導体8および9は、特定のセラミック
層4を介して対向し、コンデンサ部20を構成する。ま
た、バイアホール接続部16〜19ならびに内部導体1
0〜12は、交互に順次接続され、インダクタ部21を
構成する。
The internal conductors 8 and 9 are opposed to each other via a specific ceramic layer 4 to form a capacitor section 20. Also, via-hole connection portions 16 to 19 and internal conductor 1
0 to 12 are connected alternately and sequentially to form the inductor unit 21.

【0032】[0032]

【実験例】以下に、この発明に係るセラミック基板用組
成物に関して、実験例に基づき、より具体的に説明す
る。
EXPERIMENTAL EXAMPLES Hereinafter, the composition for a ceramic substrate according to the present invention will be described more specifically based on experimental examples.

【0033】表1には、この実験例において作製したセ
ラミック基板用組成物の組成が示されている。
Table 1 shows the composition of the composition for a ceramic substrate produced in this experimental example.

【0034】[0034]

【表1】 [Table 1]

【0035】表1に示すように、セラミック粉末とし
て、0.7〜1.4μmの各粒径を有するアルミナ粉
末、および0.9μmの粒径を有するフォルステライト
粉末をそれぞれ用意した。
As shown in Table 1, alumina powder having a particle diameter of 0.7 to 1.4 μm and forsterite powder having a particle diameter of 0.9 μm were prepared as ceramic powders.

【0036】他方、ガラス粉末を構成するガラスとし
て、表1に示すガラス組成となるように秤量した出発原
料となる酸化物または炭酸塩の混合物を1300〜17
00℃の温度で溶融させ、ガラス化した後、水中にて急
冷し、急冷後のガラスを、粒径が1.4μmになるまで
粉砕し、ガラス粉末を作製した。
On the other hand, as a glass constituting the glass powder, a mixture of oxides or carbonates as starting materials weighed so as to have a glass composition shown in Table 1 was used in the range of 1300 to 17
After being melted and vitrified at a temperature of 00 ° C., the glass was quenched in water, and the quenched glass was pulverized until the particle diameter became 1.4 μm, thereby producing a glass powder.

【0037】なお、表1において、出発原料となるSi
2 、B2 3 、Al2 3 、およびMgO/CaO/
SrO/BaOについては、これらの間での組成比率が
「重量%」の単位をもって示され、Li2 O等の「その
他」の出発原料については、SiO2 、B2 3 、Al
2 3 、およびMgO/CaO/SrO/BaOの合計
量100重量部に対する「重量部」を単位として示され
ている。
In Table 1, the starting material Si
O 2 , B 2 O 3 , Al 2 O 3 , and MgO / CaO /
For SrO / BaO, the composition ratio between them is shown in units of “% by weight”, and for “other” starting materials such as Li 2 O, SiO 2 , B 2 O 3 , Al
It is shown in terms of "parts by weight" with respect to 100 parts by weight of the total amount of 2 O 3 and MgO / CaO / SrO / BaO.

【0038】次いで、上述のように用意された種々の粒
径のセラミック粉末と種々の組成のガラス粉末とを、表
1に示すような種々の割合をもって調合し、これに溶剤
(エタノール/トルエン)および分散剤(ソルビタンエ
ステル)を加えて分散処理し、さらに、バインダ(ブチ
ラール樹脂)および可塑剤(ジオクチルフタレート)を
加えて混合し、スラリーを得た。次いで、このスラリー
に対してドクターブレード法を適用することによって、
グリーンシートを得た。
Next, ceramic powders of various particle sizes prepared as described above and glass powders of various compositions were prepared at various ratios as shown in Table 1 and mixed with a solvent (ethanol / toluene). And a dispersant (sorbitan ester), and the mixture was dispersed. A binder (butyral resin) and a plasticizer (dioctyl phthalate) were added and mixed to obtain a slurry. Then, by applying a doctor blade method to the slurry,
I got a green sheet.

【0039】次に、上述のようにして得られた各試料に
係るグリーンシートに基づき、いくつかの形態の試料を
作製し、表2に示すような「抗折強度」、「誘電率」、
「Q」、「絶縁抵抗」および「基板の外観」をそれぞれ
評価した。
Next, based on the green sheets of the respective samples obtained as described above, several types of samples were prepared, and the “bending strength”, “dielectric constant”,
"Q", "insulation resistance", and "appearance of substrate" were each evaluated.

【0040】[0040]

【表2】 [Table 2]

【0041】まず、各試料に係るグリーンシートを所定
枚数積層し、所定寸法にカットした後、表2に示す焼成
温度で焼成することによって焼結体を得、これを研磨加
工することによって、長さ36mm、幅4mmおよび厚
み3mmの寸法とした。このようにして得られた各試料
に係る焼結体について、JIS規格(JIS R160
1)に準じて、抗折強度(3点曲げ)を測定した。
First, a predetermined number of green sheets for each sample are laminated, cut into a predetermined size, and then fired at a firing temperature shown in Table 2 to obtain a sintered body. The dimensions were 36 mm, width 4 mm and thickness 3 mm. The sintered body according to each sample obtained in this manner was subjected to the JIS standard (JIS R160
The bending strength (three-point bending) was measured according to 1).

【0042】また、各試料に係るグリーンシートを用い
て、図1に示すようなセラミック多層回路部品1を作製
した。すなわち、グリーンシートに穴を設け、Ag系ペ
ーストをこれらに充填してバイアホール接続部13〜1
9を形成した後、Ag系ペーストをスクリーン印刷して
所定のパターンの外部導体5〜7ならびに内部導体8〜
12を形成した。その後、セラミック層4となるべきこ
れらグリーンシートを所定枚数積層し、プレスした。次
いで、空気中で、表2に示す焼成温度で焼成して、セラ
ミック多層回路部品1を作製した。
Further, a ceramic multilayer circuit component 1 as shown in FIG. 1 was manufactured using the green sheets of the respective samples. That is, a hole is formed in the green sheet, and an Ag-based paste is filled in these holes to form via-hole connection portions 13 to 1.
9 is formed, and an Ag-based paste is screen-printed to form a predetermined pattern of the outer conductors 5 to 7 and the inner conductors 8 to
No. 12 was formed. Thereafter, a predetermined number of these green sheets to become the ceramic layers 4 were laminated and pressed. Next, firing was performed at a firing temperature shown in Table 2 in air to produce a ceramic multilayer circuit component 1.

【0043】このようにして得られたセラミック多層回
路部品1における外部導体5および6の間に周波数1M
Hzの電圧を印加して、コンデンサ部20の静電容量お
よびQを測定し、誘電率(εr )を算出した。また、外
部導体5および6の間に100Vの電圧を印加して、絶
縁抵抗を測定した。誘電率、Qおよび絶縁抵抗が表2に
示されている。
In the ceramic multilayer circuit component 1 thus obtained, a frequency of 1M is applied between the outer conductors 5 and 6.
A voltage of Hz was applied to measure the capacitance and Q of the capacitor unit 20 to calculate the dielectric constant (ε r ). Further, a voltage of 100 V was applied between the outer conductors 5 and 6, and the insulation resistance was measured. The dielectric constant, Q and insulation resistance are shown in Table 2.

【0044】また、上述のセラミック多層回路部品1の
外観を観察し、そのセラミック基板2の表面にガラスが
流出していないかどうかを評価した。
Further, the appearance of the above-mentioned ceramic multilayer circuit component 1 was observed, and whether or not glass had flowed out to the surface of the ceramic substrate 2 was evaluated.

【0045】表1および表2において、試料1〜19
は、この発明の範囲内の実施例に相当し、試料20〜3
4は、この発明の範囲外の比較例に相当している。
In Tables 1 and 2, Samples 1 to 19
Corresponds to Examples within the scope of the present invention, and
No. 4 corresponds to a comparative example outside the scope of the present invention.

【0046】表2を参照して、実施例としての試料1〜
19によれば、焼成温度が1000℃以下において、3
50MPaを超える抗折強度に達するとともに、誘電率
が7.8〜8.8であり、Qが1400〜2000とな
り、絶縁抵抗が1010Ω・cmを超え、セラミック回路
部品におけるセラミック基板として十分な特性を示し
た。
Referring to Table 2, samples 1 to 3 as examples were used.
According to No. 19, when the firing temperature is 1000 ° C. or less, 3
When the flexural strength exceeds 50 MPa, the dielectric constant is 7.8 to 8.8, Q is 1400 to 2000, and the insulation resistance exceeds 10 10 Ω · cm, which is sufficient for a ceramic substrate in a ceramic circuit component. The characteristics were shown.

【0047】特に、セラミック粉末として、アルミナ粉
末とフォルステライト粉末との混合粉末を用いた試料1
1においても、焼成温度が1000℃以下であって、3
50MPaを超える抗折強度に達し、また、誘電率が
7.8、Qが1400となり、絶縁抵抗が1010Ω・c
mを超えている。
In particular, Sample 1 using a mixed powder of alumina powder and forsterite powder as ceramic powder
Also in 1, the firing temperature is 1000 ° C. or less and 3
The flexural strength exceeds 50 MPa, the dielectric constant is 7.8, Q is 1400, and the insulation resistance is 10 10 Ω · c.
m.

【0048】また、ガラス粉末を構成するガラス中に、
Li2 O、K2 OまたはNa2 Oのようなアルカリ金属
の酸化物を含有させた試料12〜14においては、ガラ
スの軟化温度が低下するので、アルカリ金属を含まない
ことを除いて同様のガラス組成を有する試料9と比較す
ると、ガラス添加量が少ないにもかかわらず、同じ温度
で焼成できることが確認され、また、抗折強度が若干高
くなった。
In the glass constituting the glass powder,
In Li 2 O, samples 12 to 14 which contains the K 2 O or Na 2 alkali metal oxides such as O, since the softening temperature of the glass decreases, the same except that it does not contain alkali metal Compared with Sample 9 having a glass composition, it was confirmed that firing could be performed at the same temperature despite the small amount of glass added, and the bending strength was slightly increased.

【0049】また、ガラス中に、TiO2 、ZrO2
Cr2 3 、CaF2 またはCuOを含有させた試料1
5〜19においては、これらの化合物を含まないことを
除いて同様のガラス組成および同様のガラス/セラミッ
ク割合を有する試料1と比較して、表2には示していな
いが、X線回折分析によって、結晶化が促進されている
ことが確認された。また、この結晶化の促進により、抗
折強度およびQ値において、試料1の場合より、高い値
を示した。
Further, TiO 2 , ZrO 2 ,
Sample 1 containing Cr 2 O 3 , CaF 2 or CuO
5 to 19, not shown in Table 2, compared to Sample 1 having similar glass composition and similar glass / ceramic ratio except that these compounds were not included, It was confirmed that crystallization was promoted. Further, due to the promotion of the crystallization, the transverse rupture strength and the Q value were higher than those of the sample 1.

【0050】これらに対して、比較例としての試料20
および21によれば、セラミック粉末としてのアルミナ
粉末の割合が少ないため、焼結密度は高かったが、抗折
強度が350MPa以下となった。
On the other hand, Sample 20 as a comparative example
According to Nos. 21 and 21, the sintering density was high because the proportion of alumina powder as the ceramic powder was small, but the transverse rupture strength was 350 MPa or less.

【0051】また、試料22および23によれば、セラ
ミック粉末としてのアルミナ粉末の割合が多いため、成
形密度ひいては焼結密度が低くなり、抗折強度が350
MPa以下となった。特に、アルミナ粉末の割合が70
重量%というように、65重量%を大幅に超える試料2
3では、得られたセラミック基板の密度がさらに低くな
るため、低いQしか得られなかった。
According to Samples 22 and 23, since the proportion of alumina powder as the ceramic powder was large, the molding density and, consequently, the sintering density were low, and the bending strength was 350%.
MPa or less. In particular, when the ratio of alumina powder is 70
Sample 2 significantly exceeding 65% by weight, such as% by weight
In No. 3, since the density of the obtained ceramic substrate was further reduced, only a low Q was obtained.

【0052】また、試料24〜26によれば、セラミッ
ク粉末としてのアルミナ粉末の粒径が大きいため、成形
密度ひいては焼結密度が低くなり、抗折強度が350M
Pa以下となった。特に、アルミナ粉末の粒径が1.2
μm以上である試料25および26では、セラミック基
板の密度がさらに低くなるため、Qがより低くなった。
According to Samples 24 to 26, since the particle size of the alumina powder as the ceramic powder is large, the molding density and, consequently, the sintering density are low, and the transverse rupture strength is 350M.
Pa or less. In particular, when the particle size of the alumina powder is 1.2
In Samples 25 and 26 having a size of not less than μm, Q was further reduced because the density of the ceramic substrate was further reduced.

【0053】また、試料27では、ガラス中のSiO2
量が少ないため、ガラスの軟化点が低く、焼成温度を8
00℃と低くしても、ガラスが基板表面から流出した。
In sample 27, SiO 2 in the glass was used.
Due to the small amount, the softening point of the glass is low and the firing temperature is 8
Even at a low temperature of 00 ° C., the glass flowed out of the substrate surface.

【0054】他方、試料28では、ガラス中のSiO2
量が多いため、ガラスの軟化点が高くなり、焼成温度を
1000℃と高くしても、焼結密度が低く、抗折強度も
350MPa以下となった。
[0054] On the other hand, in Sample 28, SiO in the glass 2
Due to the large amount, the softening point of the glass was increased, and even when the firing temperature was increased to 1000 ° C., the sintering density was low and the bending strength was 350 MPa or less.

【0055】また、試料29では、ガラス中のB2 3
量が多いため、ガラスの軟化点が低く、焼成温度を80
0℃と低くしても、ガラスが基板表面から流出した。
In the sample 29, B 2 O 3
Due to the large amount, the softening point of the glass is low and the firing temperature is 80
Even at as low as 0 ° C., the glass flowed out of the substrate surface.

【0056】また、試料30では、ガラス中のAl2
3 量が多いため、ガラスの軟化点が高くなり、焼成温度
を1000℃と高くしても、焼結密度が低く、抗折強度
も350MPa以下となった。
In sample 30, Al 2 O in glass
Since the amount was large, the softening point of the glass became high, and even when the firing temperature was increased to 1000 ° C., the sintering density was low and the transverse rupture strength was 350 MPa or less.

【0057】また、試料31では、ガラス中のアルカリ
土類金属酸化物すなわちROの含有量が少ないため、ガ
ラスの軟化点が高く、焼成温度を1000℃と高くして
も、焼結密度が低く、抗折強度も350MPa以下とな
った。
In sample 31, since the content of the alkaline earth metal oxide, ie, RO, in the glass is small, the softening point of the glass is high, and the sintering density is low even when the firing temperature is as high as 1000 ° C. Also, the bending strength became 350 MPa or less.

【0058】他方、試料32では、ガラス中のアルカリ
土類金属酸化物すなわちROの含有量が多いため、ガラ
スの構造が不安定で、品質の安定したガラスが得られな
かった。そのため、基板の焼結性のばらつきが大きく、
抗折強度も350MPa以下となった。
On the other hand, in Sample 32, since the content of the alkaline earth metal oxide, ie, RO, in the glass was large, the structure of the glass was unstable, and a glass of stable quality could not be obtained. Therefore, the sinterability of the substrate varies greatly,
The transverse rupture strength was 350 MPa or less.

【0059】また、試料33では、ガラス中のK2 Oの
含有量が多いため、絶縁抵抗が10 9 Ω・cmと低く、
基板の信頼性に問題があった。
In sample 33, K in glassTwoO's
Due to high content, insulation resistance is 10 9Ω · cm and low
There was a problem in the reliability of the substrate.

【0060】また、試料34では、ガラス中のCuOの
含有量が多いため、誘電率が9.0と高くなった。
In Sample 34, since the content of CuO in the glass was large, the dielectric constant was as high as 9.0.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上のように、この発明に係るセラミッ
ク基板用組成物によれば、重量比率で、ガラス粉末を3
5〜39%、およびセラミック粉末を61〜65%それ
ぞれ含有しており、セラミックの割合を多くしているに
もかかわらず、セラミック粉末の粒径を1μm未満とす
ることにより、ガラスとセラミックとの分散性を良好と
することができるとともに、ガラス粉末を構成するガラ
スが、28〜64重量%のSiO2 、0〜30重量%の
2 3 、0〜30重量%のAl2 3 、および36〜
50重量%のRO(ただし、Rは、Mg、Ca、Srお
よびBaから選ばれた少なくとも1種)を含む組成を有
しているので、1000℃以下の焼成温度で、緻密な焼
結体すなわちセラミック基板を得ることができる。ま
た、このような焼結体の緻密さに加えて、セラミックの
割合が高くされることも、当該組成物を焼成して得られ
たセラミック基板の機械的強度を高めるのに寄与してい
る。
As described above, according to the composition for a ceramic substrate of the present invention, 3 parts by weight of glass powder is used.
Despite containing 5 to 39% and ceramic powder of 61 to 65%, and increasing the proportion of ceramic, the particle size of the ceramic powder is set to less than 1 μm, whereby the glass and the ceramic are mixed. it is possible to make dispersibility good, the glass constituting the glass powder, 28 to 64 wt% of SiO 2, 0 to 30 wt% of B 2 O 3, 0 to 30 wt% Al 2 O 3, And 36-
Since it has a composition containing 50% by weight of RO (where R is at least one selected from Mg, Ca, Sr and Ba), a dense sintered body, A ceramic substrate can be obtained. In addition to the denseness of such a sintered body, an increase in the proportion of ceramic also contributes to increasing the mechanical strength of a ceramic substrate obtained by firing the composition.

【0062】また、上述のように、この発明に係るセラ
ミック基板用組成物によれば、1000℃以下の焼成温
度を適用することができるので、Ag系やCu系などの
低抵抗の金属を主成分として含む導電体回路を備えるセ
ラミック回路部品を同時焼成によって問題なく得ること
ができ、そのため、低誘電率、高Q、および高機械的強
度を有するセラミック基板を備えるセラミック回路部品
を得ることが容易になる。
Further, as described above, according to the composition for a ceramic substrate according to the present invention, a firing temperature of 1000 ° C. or less can be applied, so that a low-resistance metal such as an Ag-based or Cu-based metal is mainly used. A ceramic circuit component having a conductor circuit containing as a component can be obtained without problems by co-firing, and therefore, it is easy to obtain a ceramic circuit component having a ceramic substrate having a low dielectric constant, a high Q, and a high mechanical strength. become.

【0063】この発明に係るセラミック基板用組成物に
おいて、ガラス粉末を構成するガラスが、Li2 O、K
2 OおよびNa2 Oから選ばれた少なくとも1種のアル
カリ金属の酸化物を、SiO2 、B2 3 、Al2 3
およびROの合計量100重量部に対して5重量部以下
の含有量をもって含有していると、ガラスの軟化・流動
性が促進され、当該セラミック基板用組成物におけるガ
ラスの含有量を少なくしても、焼結温度を比較的低く維
持することができる。
In the composition for a ceramic substrate according to the present invention, the glass constituting the glass powder is Li 2 O, K
An oxide of at least one alkali metal selected from 2 O and Na 2 O, SiO 2, B 2 O 3, Al 2 O 3
And a total content of RO of 5 parts by weight or less relative to 100 parts by weight promotes softening and fluidity of the glass, and reduces the content of glass in the ceramic substrate composition. Also, the sintering temperature can be kept relatively low.

【0064】また、この発明に係るセラミック基板用組
成物において、ガラス粉末を構成するガラスが、TiO
2 、ZrO2 、Cr2 3 、CaF2 およびCuOから
選ばれた少なくとも1種の化合物を、SiO2 、B2
3 、Al2 3 およびROの合計量100重量部に対し
て5重量部以下の含有量をもって含有していると、ガラ
スの結晶化が促進され、得られたセラミック基板のさら
なる高機械的強度化や低損失化に寄与させることができ
る。
In the composition for a ceramic substrate according to the present invention, the glass constituting the glass powder is TiO.
2 , at least one compound selected from the group consisting of ZrO 2 , Cr 2 O 3 , CaF 2 and CuO is converted to SiO 2 , B 2 O
3 , when the content of Al 2 O 3 and RO is not more than 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount, crystallization of glass is promoted, and further high mechanical strength of the obtained ceramic substrate is obtained. And lower loss can be contributed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施形態によるセラミック多層回
路部品1を図解的に示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view schematically showing a ceramic multilayer circuit component 1 according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 セラミック多層回路部品 2 セラミック基板 3 導電体回路 4 セラミック層 5〜7 外部導体 8〜12 内部導体 13〜19 バイアホール接続部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic multilayer circuit component 2 Ceramic board 3 Conductor circuit 4 Ceramic layer 5-7 External conductor 8-12 Internal conductor 13-19 Via hole connection part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H01L 23/14 C (72)発明者 横倉 修 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 4G030 AA36 BA09 BA20 GA11 GA22 GA27 PA07 4G062 AA09 AA15 BB01 BB05 DA04 DA05 DA06 DB01 DB02 DB03 DB04 DC01 DC02 DC03 DC04 DD01 DE01 DF01 EA01 EA02 EA03 EA10 EB01 EB02 EB03 EC01 EC02 EC03 ED01 ED02 ED03 ED04 ED05 EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EF01 EF02 EF03 EF04 EF05 EG01 EG02 EG03 EG04 EG05 FA01 FA10 FB01 FB02 FB03 FC01 FC02 FC03 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 GE02 GE03 HH01 HH03 HH04 HH05 HH07 HH08 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM28 NN26 NN32 NN33 PP03 5E346 AA12 AA15 CC18 CC32 CC38 CC39 EE24 EE27 EE29 GG04 GG09 HH11 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 3/46 H01L 23/14 C (72) Inventor Osamu Yokokura 2-26-10 Tenjin, Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto F-term in Murata Manufacturing Co., Ltd. (reference) 4G030 AA36 BA09 BA20 GA11 GA22 GA27 PA07 4G062 AA09 AA15 BB01 BB05 DA04 DA05 DA06 DB01 DB02 DB03 DB04 DC01 DC02 DC03 DC04 DD01 DE01 DF01 EA01 EA02 EA03 EA10 EB02 EC03 EB02 EC03 ED04 ED05 EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EF01 EF02 EF03 EF04 EF05 EG01 EG02 EG03 EG04 EG05 FA01 FA10 FB01 FB02 FB03 FC01 FC02 FC03 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 F03 H01 GE01H01 GE01H01 H01 GE01H01 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM28 NN26 NN32 NN33 PP03 5E346 AA12 AA15 CC18 CC32 CC38 CC3 9 EE24 EE27 EE29 GG04 GG09 HH11

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 重量比率で、ガラス粉末を35〜39
%、およびセラミック粉末を61〜65%それぞれ含有
し、 前記ガラス粉末を構成するガラスは、28〜64重量%
のSiO2 、0〜30重量%のB2 3 、0〜30重量
%のAl2 3 、および36〜50重量%のRO(ただ
し、Rは、Mg、Ca、SrおよびBaから選ばれた少
なくとも1種)を含む組成を有し、 前記セラミック粉末の平均粒径が1μm未満である、セ
ラミック基板用組成物。
1. A glass powder in a weight ratio of 35 to 39.
%, And 61-65% of ceramic powder, respectively, and the glass constituting the glass powder is 28-64% by weight.
Of SiO 2 , 0 to 30% by weight of B 2 O 3 , 0 to 30% by weight of Al 2 O 3 , and 36 to 50% by weight of RO (where R is selected from Mg, Ca, Sr and Ba) The composition for ceramic substrates has a composition containing at least one of the above-mentioned ceramic powders, and wherein the average particle size of the ceramic powder is less than 1 μm.
【請求項2】 前記ガラス粉末を構成するガラスは、L
2 O、K2 OおよびNa2 Oから選ばれた少なくとも
1種のアルカリ金属の酸化物を、前記SiO 2 、B2
3 、Al2 3 およびROの合計量100重量部に対し
て5重量部以下の含有量をもって含有する、請求項1に
記載のセラミック基板用組成物。
2. The glass constituting the glass powder is L
iTwoO, KTwoO and NaTwoAt least selected from O
The one kind of alkali metal oxide is converted to the SiO 2 Two, BTwoO
Three, AlTwoOThreeAnd 100 parts by weight of RO
Claim 1 wherein the content is less than 5 parts by weight.
The composition for a ceramic substrate according to the above.
【請求項3】 前記ガラス粉末を構成するガラスは、T
iO2 、ZrO2 、Cr2 3 、CaF2 およびCuO
から選ばれた少なくとも1種の化合物を、前記Si
2 、B2 3 、Al2 3 およびROの合計量100
重量部に対して5重量部以下の含有量をもって含有す
る、請求項1または2に記載のセラミック基板用組成
物。
3. The glass constituting the glass powder is T
iO 2 , ZrO 2 , Cr 2 O 3 , CaF 2 and CuO
At least one compound selected from the group consisting of Si
Total amount of O 2 , B 2 O 3 , Al 2 O 3 and RO is 100
The composition for a ceramic substrate according to claim 1, wherein the composition is contained in an amount of 5 parts by weight or less based on parts by weight.
【請求項4】 前記セラミック粉末は、アルミナ粉末を
含む、請求項1ないし3のいずれかに記載のセラミック
基板用組成物。
4. The composition for a ceramic substrate according to claim 1, wherein the ceramic powder includes an alumina powder.
【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかに記載のセ
ラミック基板用組成物を成形し焼成して得られた基板
と、前記基板に関連して形成された導電体回路とを備え
る、セラミック回路部品。
5. A ceramic comprising: a substrate obtained by molding and firing the composition for a ceramic substrate according to claim 1; and a conductor circuit formed in relation to the substrate. Circuit components.
【請求項6】 前記導電体回路は、Ag、AuおよびC
uから選ばれた少なくとも1種の金属を主成分として含
む、請求項5に記載のセラミック回路部品。
6. The conductor circuit according to claim 6, wherein said conductor circuit comprises Ag, Au and C.
The ceramic circuit component according to claim 5, comprising at least one metal selected from u as a main component.
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