JP2001007590A - Ｅｍｉシールドフィルタ及びｅｍｉシールドフィルタを有する表示装置 - Google Patents
Ｅｍｉシールドフィルタ及びｅｍｉシールドフィルタを有する表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＭＩ規格に適合し、且つ光透過率を高めた
ＥＭＩシールドフィルタを提供する。 【解決手段】 表示部の画面から放射される電磁波の垂
直偏波成分１−１と水平偏波成分１−２の電磁波量の違
いに応じて、導電メッシュ３の間隔を水平方向と垂直方
向で異なるものとし、装置から漏れ出すＥＭＩ放射の両
偏波方向のシールド性能に差をつけ、ＥＭＩ規格のシー
ルド特性を維持しながら光の透過率を改善する。
ＥＭＩシールドフィルタを提供する。 【解決手段】 表示部の画面から放射される電磁波の垂
直偏波成分１−１と水平偏波成分１−２の電磁波量の違
いに応じて、導電メッシュ３の間隔を水平方向と垂直方
向で異なるものとし、装置から漏れ出すＥＭＩ放射の両
偏波方向のシールド性能に差をつけ、ＥＭＩ規格のシー
ルド特性を維持しながら光の透過率を改善する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＭＩ（Electoro
magnetic Interference）シールド技術に関し、特に表
示装置の画面に取り付けるＥＭＩシールドフィルタ及び
該ＥＭＩシールドフィルタを有する表示装置に関する。
magnetic Interference）シールド技術に関し、特に表
示装置の画面に取り付けるＥＭＩシールドフィルタ及び
該ＥＭＩシールドフィルタを有する表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】表示装置、例えばプラズマディスプレイ
は、その管面で放電現象を利用して発光させる原理を利
用しているため管面から放射される３０ＭＨｚ〜１３０
ＭＨｚ程度の電磁波の放射が少なくない。このような電
磁波のシールドには、従来より管面の前面にＥＭＩシー
ルドフィルタを取り付ける方法が採用される。ＥＭＩシ
ールドフィルタには、微小間隔の導電メッシュにより構
造的に光透過性を生じさせるものや、メッシュ構造では
なく、フィルタ基台に銀あるいは金等の金属のスパッタ
又は酸化錫等の金属を真空蒸着することにより、光を透
過する薄膜を形成したものが使用される（例えば、特開
平９−２４７５８４号公報）。
は、その管面で放電現象を利用して発光させる原理を利
用しているため管面から放射される３０ＭＨｚ〜１３０
ＭＨｚ程度の電磁波の放射が少なくない。このような電
磁波のシールドには、従来より管面の前面にＥＭＩシー
ルドフィルタを取り付ける方法が採用される。ＥＭＩシ
ールドフィルタには、微小間隔の導電メッシュにより構
造的に光透過性を生じさせるものや、メッシュ構造では
なく、フィルタ基台に銀あるいは金等の金属のスパッタ
又は酸化錫等の金属を真空蒸着することにより、光を透
過する薄膜を形成したものが使用される（例えば、特開
平９−２４７５８４号公報）。
【０００３】また、ブラウン管（ＣＲＴ）では、表示画
面よりＸ線等の電磁波が放射される。このような放射線
を軽減するための電磁波のシールドには、多数の透孔を
有する鉄箔等の板状本体を光透過性のフィルムと接着し
た構成のものが知られている（例えば、実開昭６２−１
０９４９５号公報）。
面よりＸ線等の電磁波が放射される。このような放射線
を軽減するための電磁波のシールドには、多数の透孔を
有する鉄箔等の板状本体を光透過性のフィルムと接着し
た構成のものが知られている（例えば、実開昭６２−１
０９４９５号公報）。
【０００４】図４は、特開平９−２４７５８４号公報記
載の電磁波漏洩防止フィルタを示す図であり、導電メッ
シュ構造を採用している。導電体の導体幅は１５μｍに
設定され、導電メッシュを構成する垂直方向と水平方向
の導電体の寸法は何れも１２７μｍに設定されている。
この導電メッシュは、銅等の金属の無電解メッキとその
上にニッケル等の金属を無電解メッキにより形成した導
電体をエッチングにより導電メッシュとしたものであ
る。また、導電メッシュは、合成樹脂のメッシュ織物に
銅又は銅ニッケル等を無電解メッキして金属織布として
フィルタ基台に貼着する構造とすることができる。
載の電磁波漏洩防止フィルタを示す図であり、導電メッ
シュ構造を採用している。導電体の導体幅は１５μｍに
設定され、導電メッシュを構成する垂直方向と水平方向
の導電体の寸法は何れも１２７μｍに設定されている。
この導電メッシュは、銅等の金属の無電解メッキとその
上にニッケル等の金属を無電解メッキにより形成した導
電体をエッチングにより導電メッシュとしたものであ
る。また、導電メッシュは、合成樹脂のメッシュ織物に
銅又は銅ニッケル等を無電解メッキして金属織布として
フィルタ基台に貼着する構造とすることができる。
【０００５】このフィルタではメッシュを構成する導電
体自体は光を透過しないものであり、メッシュ構造とす
ることにより光透過性を与えたものである。このため、
メッシュ向きを斜め４５°に傾斜させ、プラズマディス
プレイの画素の行・列（縦横）にメッシュが重なって映
像の邪魔にならないように構成している（同公報第３頁
第４欄参照）。
体自体は光を透過しないものであり、メッシュ構造とす
ることにより光透過性を与えたものである。このため、
メッシュ向きを斜め４５°に傾斜させ、プラズマディス
プレイの画素の行・列（縦横）にメッシュが重なって映
像の邪魔にならないように構成している（同公報第３頁
第４欄参照）。
【０００６】図５は、実開昭６２−１０９４９５号公報
記載のブラウン管（ＣＲＴ）から放射される、主に、Ｘ
線をシールドする電磁フィルタを示す図である。この電
磁波シールド用フィルタの本体は、銅箔、鉄箔等に透孔
を形成した構造を有し、前記透孔には、円形状（ａ）、
六角形状（ｂ）、長方形状（ｃ）、スリット状（ｄ）
等、種々の形状で形成される。
記載のブラウン管（ＣＲＴ）から放射される、主に、Ｘ
線をシールドする電磁フィルタを示す図である。この電
磁波シールド用フィルタの本体は、銅箔、鉄箔等に透孔
を形成した構造を有し、前記透孔には、円形状（ａ）、
六角形状（ｂ）、長方形状（ｃ）、スリット状（ｄ）
等、種々の形状で形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】メッシュ構造のＥＭＩ
シールドフィルタは、同じシールド材料を使う場合に
は、このメッシュの目が細かいほどシールド性能が高く
なり、材料は厚いほどシールド性能は高くなる。一方、
表示装置から放射される電磁波については、ＥＭＩ規格
を満たす必要があるため、従来のメッシュ構造を有する
ＥＭＩシールドフィルターでは、細かいメッシュ構造を
用いることになり光の透過性が犠牲となっていた。
シールドフィルタは、同じシールド材料を使う場合に
は、このメッシュの目が細かいほどシールド性能が高く
なり、材料は厚いほどシールド性能は高くなる。一方、
表示装置から放射される電磁波については、ＥＭＩ規格
を満たす必要があるため、従来のメッシュ構造を有する
ＥＭＩシールドフィルターでは、細かいメッシュ構造を
用いることになり光の透過性が犠牲となっていた。
【０００８】図４に示す電磁波漏洩防止フィルタにおい
ては、導体幅１５μｍ、導体間距離１２７μｍのメッシ
ュ構造の場合、透過率（開口率）を計算すると、((127-
15）×（127-15）)／(127×127)＝77.8（％）、つま
り、約７８％程度の低い値を示す。即ち、この電磁波漏
洩防止フィルタを付けることで光の透過率が２２％低減
されるので画面輝度が著しく低下する。このことは、逆
に画面輝度を維持しようとすると２２％に相当する過大
な電力を表示装置に供給しなければならないという問題
がある。
ては、導体幅１５μｍ、導体間距離１２７μｍのメッシ
ュ構造の場合、透過率（開口率）を計算すると、((127-
15）×（127-15）)／(127×127)＝77.8（％）、つま
り、約７８％程度の低い値を示す。即ち、この電磁波漏
洩防止フィルタを付けることで光の透過率が２２％低減
されるので画面輝度が著しく低下する。このことは、逆
に画面輝度を維持しようとすると２２％に相当する過大
な電力を表示装置に供給しなければならないという問題
がある。
【０００９】また、図５に示す従来の電磁波シールド用
フィルタは、Ｘ線等の放射線を対象とするものであり、
また、板状のフィルター本体に設けられた複数の透孔
は、種々の形状が示されているもののＥＭＩシールドフ
ィルタとしてのシールド性能と透過率の両者の向上を表
示装置の特性を踏まえて実現するものではない。
フィルタは、Ｘ線等の放射線を対象とするものであり、
また、板状のフィルター本体に設けられた複数の透孔
は、種々の形状が示されているもののＥＭＩシールドフ
ィルタとしてのシールド性能と透過率の両者の向上を表
示装置の特性を踏まえて実現するものではない。
【００１０】（発明の目的）本発明の目的は、ＥＭＩシ
ールドフィルタとしての性能を維持した上で光の透過率
を向上させたメッシュ構造のＥＭＩシールドフィルタ及
び表示装置を提供することにある。
ールドフィルタとしての性能を維持した上で光の透過率
を向上させたメッシュ構造のＥＭＩシールドフィルタ及
び表示装置を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、所定の輝度を実現す
るとともに消費電力をより低減させることが可能とする
ＥＭＩシールドフィルタを有する表示装置を提供するこ
とにある。
るとともに消費電力をより低減させることが可能とする
ＥＭＩシールドフィルタを有する表示装置を提供するこ
とにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】国内のＩＴＥ（Informat
ion Technology Equipment：情報技術装置）関係業界で
は、ＣＩＳＰＲ（国際無線障害特別委員会：Internatio
nal Special Committee on Radio Interferenceの仏語
表記の頭文字）が制定したＣＩＳＰＲ２２などの国際規
格の仕様のＥＭＩ（Electoromagnetic Interference：
電磁障害）規格値に基づき、ＶＣＣＩ（Voluntary Cont
rol Council For Interference by Information Techno
logy Equipment：情報処理装置等電波障害自主規制協議
会、1995年設立）が定めるＶＣＣＩ規格により製品出荷
前にＥＭＩ測定を行い製品規格の自主規制を行ってい
る。ＥＭＩ規格では、機器から放射されるＥＭＩの垂直
偏波と水平偏波の２つの偏波方向の放射量（限度値）の
みが規定されている。
ion Technology Equipment：情報技術装置）関係業界で
は、ＣＩＳＰＲ（国際無線障害特別委員会：Internatio
nal Special Committee on Radio Interferenceの仏語
表記の頭文字）が制定したＣＩＳＰＲ２２などの国際規
格の仕様のＥＭＩ（Electoromagnetic Interference：
電磁障害）規格値に基づき、ＶＣＣＩ（Voluntary Cont
rol Council For Interference by Information Techno
logy Equipment：情報処理装置等電波障害自主規制協議
会、1995年設立）が定めるＶＣＣＩ規格により製品出荷
前にＥＭＩ測定を行い製品規格の自主規制を行ってい
る。ＥＭＩ規格では、機器から放射されるＥＭＩの垂直
偏波と水平偏波の２つの偏波方向の放射量（限度値）の
みが規定されている。
【００１３】ＥＭＩシールドフィルタとしては、このよ
うな規格に基いて表示装置等から放射される電磁波に対
する高い電磁シールド性能が要求されるとともに、一方
では表示装置として光の透過率の特性が良好であること
が要求される。
うな規格に基いて表示装置等から放射される電磁波に対
する高い電磁シールド性能が要求されるとともに、一方
では表示装置として光の透過率の特性が良好であること
が要求される。
【００１４】メッシュ構造のＥＭＩシールドフィルタ
は、垂直方向に向く導電性のすだれは垂直偏波の電磁波
をシールドし、水平方向の導電性すだれは水平偏波の電
磁波をシールドする。本発明は、ＥＭＩを水平方向成分
と垂直方向成分に分類して観察し、その結果から導電メ
ッシュの間隔を縦方向と横方向で異なる構造とすること
を特徴とする。つまり、表示装置の特性を計測し、ＥＭ
Ｉ規格基準値に対して垂直偏波及び水平偏波の両偏波の
電磁波の放射量を比較し、放出量が小さい偏波方向のシ
ールド効果が小さくなるようにこれに対応する向きのメ
ッシュ間隔を粗くすることで、ＥＭＩ規格基準値を満た
すとともに、光透過量を従来品よりも増加させる。
は、垂直方向に向く導電性のすだれは垂直偏波の電磁波
をシールドし、水平方向の導電性すだれは水平偏波の電
磁波をシールドする。本発明は、ＥＭＩを水平方向成分
と垂直方向成分に分類して観察し、その結果から導電メ
ッシュの間隔を縦方向と横方向で異なる構造とすること
を特徴とする。つまり、表示装置の特性を計測し、ＥＭ
Ｉ規格基準値に対して垂直偏波及び水平偏波の両偏波の
電磁波の放射量を比較し、放出量が小さい偏波方向のシ
ールド効果が小さくなるようにこれに対応する向きのメ
ッシュ間隔を粗くすることで、ＥＭＩ規格基準値を満た
すとともに、光透過量を従来品よりも増加させる。
【００１５】本発明のＥＭＩシールドフィルタは、水平
方向及び垂直方向の導電体からなる導電メッシュを有す
る表示部用のＥＭＩシールドフィルタにおいて、前記表
示部のＥＭＩの水平偏波成分及び垂直偏波成分のうち何
れか高い方の電界強度を減衰させる導電体の間隔に対し
て、直交する他の導電体の間隔を大きく設定して、前記
水平偏波成分及び垂直偏波成分を略同一の電界強度に
し、光の透過率を高めたことを特徴とする。
方向及び垂直方向の導電体からなる導電メッシュを有す
る表示部用のＥＭＩシールドフィルタにおいて、前記表
示部のＥＭＩの水平偏波成分及び垂直偏波成分のうち何
れか高い方の電界強度を減衰させる導電体の間隔に対し
て、直交する他の導電体の間隔を大きく設定して、前記
水平偏波成分及び垂直偏波成分を略同一の電界強度に
し、光の透過率を高めたことを特徴とする。
【００１６】本発明の表示装置は、表示部と、前記表示
部を取り囲み表示面に対応する開口部を有する筐体とを
有する表示装置において、前記筐体の前記開口部に配置
され、表示部のＥＭＩの水平偏波成分及び垂直偏波成分
のうち何れか高い方の電界強度を減衰させる導電体の間
隔に対して、直交する他の導電体の間隔を大きく設定
し、減衰後の水平偏波成分及び垂直偏波成分を略同一の
電界強度とする水平方向及び垂直方向の導電体からなる
導電メッシュを有するＥＭＩシールドフィルタとを有す
ることを特徴とする。
部を取り囲み表示面に対応する開口部を有する筐体とを
有する表示装置において、前記筐体の前記開口部に配置
され、表示部のＥＭＩの水平偏波成分及び垂直偏波成分
のうち何れか高い方の電界強度を減衰させる導電体の間
隔に対して、直交する他の導電体の間隔を大きく設定
し、減衰後の水平偏波成分及び垂直偏波成分を略同一の
電界強度とする水平方向及び垂直方向の導電体からなる
導電メッシュを有するＥＭＩシールドフィルタとを有す
ることを特徴とする。
【００１７】また、前記発明において、表示部としては
プラズマディスプレイパネルとすることができ、また、
前記ＥＭＩシールドフィルタによる減衰後の水平偏波成
分及び垂直偏波成分の電界強度は、ＥＭＩ規格の限度値
以下とすることを特徴とする。
プラズマディスプレイパネルとすることができ、また、
前記ＥＭＩシールドフィルタによる減衰後の水平偏波成
分及び垂直偏波成分の電界強度は、ＥＭＩ規格の限度値
以下とすることを特徴とする。
【００１８】（作用）表示画面から放射される電磁波の
特性を利用して２つの偏波方向のうち、垂直偏波又は水
平偏波のいずれかのシールド特性をＥＭＩ規格内で意図
的に犠牲にして光の透過率を向上させる。表示装置の特
性により垂直偏波成分の減衰を小さくしてもよい場合に
は、ＥＭＩシールドフィルタのメッシュ構造として、垂
直方向に向く導電体の間隔を従来品のメッシュ密度より
粗くし、水平偏波成分については水平方向に向く導電体
のメッシュ間隔を従来品程度とし、垂直偏波成分を水平
偏波成分に比べてより小さく減衰させる。メッシュ間隔
を水平方向に粗くすることで光の透過率が上がることに
なり、従来品よりも光の透過率が高いフィルタを構成で
きる。例えば、メッシュ間隔を縦方向に比べて横方向を
３倍に広げた場合は光透過率が８４．７％に改善され、
従来品に比べ、約８．５％の改善が図られる。
特性を利用して２つの偏波方向のうち、垂直偏波又は水
平偏波のいずれかのシールド特性をＥＭＩ規格内で意図
的に犠牲にして光の透過率を向上させる。表示装置の特
性により垂直偏波成分の減衰を小さくしてもよい場合に
は、ＥＭＩシールドフィルタのメッシュ構造として、垂
直方向に向く導電体の間隔を従来品のメッシュ密度より
粗くし、水平偏波成分については水平方向に向く導電体
のメッシュ間隔を従来品程度とし、垂直偏波成分を水平
偏波成分に比べてより小さく減衰させる。メッシュ間隔
を水平方向に粗くすることで光の透過率が上がることに
なり、従来品よりも光の透過率が高いフィルタを構成で
きる。例えば、メッシュ間隔を縦方向に比べて横方向を
３倍に広げた場合は光透過率が８４．７％に改善され、
従来品に比べ、約８．５％の改善が図られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明のＥＭＩシールドフ
ィルタの一実施の形態について図面を参照して詳細に説
明する。図１は、本発明のＥＭＩシールドフィルタの一
実施の形態を示す図である。ＥＭＩシールドフィルタ３
は、水平方向及び垂直方向に導電体をメッシュ構造に配
置した構造体で構成される。
ィルタの一実施の形態について図面を参照して詳細に説
明する。図１は、本発明のＥＭＩシールドフィルタの一
実施の形態を示す図である。ＥＭＩシールドフィルタ３
は、水平方向及び垂直方向に導電体をメッシュ構造に配
置した構造体で構成される。
【００２０】本実施の形態は、プラズマディスプレィパ
ネルの表示画面におけるＥＭＩシールドフィルタの例を
示している。前述の例えばＶＣＣＩによるＩＴＥのＥＭ
Ｉ規格に関連して、表示面から３ｍにおける電界強度と
して５０ｄＢμｖ／ｍを規格（限度値）とし、表示装置
の垂直偏波成分及び水平偏波成分の何れか大きい方の測
定値が前記範囲になるように業界の自主規制値としてい
る。
ネルの表示画面におけるＥＭＩシールドフィルタの例を
示している。前述の例えばＶＣＣＩによるＩＴＥのＥＭ
Ｉ規格に関連して、表示面から３ｍにおける電界強度と
して５０ｄＢμｖ／ｍを規格（限度値）とし、表示装置
の垂直偏波成分及び水平偏波成分の何れか大きい方の測
定値が前記範囲になるように業界の自主規制値としてい
る。
【００２１】本実施の形態のプラズマディスプレィで
は、前記ＥＭＩの水平偏波成分の電界強度が垂直偏波成
分の電界強度よりも大きな値を示すことから、垂直方向
の導電体の間隔を当該ＥＭＩシールドフィルタの透過後
の電磁波量が前記ＥＭＩ規格を満たすような間隔とし、
この間隔に対して水平方向の導電体の間隔を広げた配置
構造として、垂直偏波成分の電界強度を前記ＥＭＩ規格
程度まで増大させることにより、光の透過率（開口率）
を改善するように構成する。
は、前記ＥＭＩの水平偏波成分の電界強度が垂直偏波成
分の電界強度よりも大きな値を示すことから、垂直方向
の導電体の間隔を当該ＥＭＩシールドフィルタの透過後
の電磁波量が前記ＥＭＩ規格を満たすような間隔とし、
この間隔に対して水平方向の導電体の間隔を広げた配置
構造として、垂直偏波成分の電界強度を前記ＥＭＩ規格
程度まで増大させることにより、光の透過率（開口率）
を改善するように構成する。
【００２２】次に、図１に示す本実施の形態のＥＭＩシ
ールドフィルタの動作について説明する。侵入波１は、
前述の導電メッシュで構成されたＥＭＩシールドフィル
タ３により電磁波が減衰されるＥＭＩシールドが実現さ
れ、侵入波１の一部は透過波２として透過する。ＥＭＩ
規格対応上、侵入波１は垂直偏波成分１−１と水平偏波
成分１−２とに分類され、水平偏波成分１−２及び垂直
偏波成分１−１はそれぞれ導電体の間隔（メッシュ間
隔）を垂直方向に密にし、水平方向に粗にした導電性の
メッシュを通り抜ける。
ールドフィルタの動作について説明する。侵入波１は、
前述の導電メッシュで構成されたＥＭＩシールドフィル
タ３により電磁波が減衰されるＥＭＩシールドが実現さ
れ、侵入波１の一部は透過波２として透過する。ＥＭＩ
規格対応上、侵入波１は垂直偏波成分１−１と水平偏波
成分１−２とに分類され、水平偏波成分１−２及び垂直
偏波成分１−１はそれぞれ導電体の間隔（メッシュ間
隔）を垂直方向に密にし、水平方向に粗にした導電性の
メッシュを通り抜ける。
【００２３】ここで、水平偏波成分１−２は、導電体間
隔が垂直方向に密の導電メッシュを通り抜けるため、水
平方向の電位差が小さくなり、透過後の空間での電位差
が低く抑えられ、透過する水平偏波成分１−２は減衰が
大きい。一方、垂直偏波成分１−１は導電体間隔が水平
方向に粗くした導電メッシュを通り抜けるため、垂直方
向の電位差が水平方向の場合より大きくなり、透過後の
空間での電位差が比較的高いので、透過する垂直偏波成
分１−１の減衰は水平偏波成分１−２に比較的して少な
い。
隔が垂直方向に密の導電メッシュを通り抜けるため、水
平方向の電位差が小さくなり、透過後の空間での電位差
が低く抑えられ、透過する水平偏波成分１−２は減衰が
大きい。一方、垂直偏波成分１−１は導電体間隔が水平
方向に粗くした導電メッシュを通り抜けるため、垂直方
向の電位差が水平方向の場合より大きくなり、透過後の
空間での電位差が比較的高いので、透過する垂直偏波成
分１−１の減衰は水平偏波成分１−２に比較的して少な
い。
【００２４】このように、表示装置から放射される電磁
波は、垂直偏波成分が水平偏波成分より小さいが、ＥＭ
Ｉシールドフィルタによる垂直偏波成分の減衰は水平偏
波成分の減衰よりも小さい。したがって、ＥＭＩシール
ドフィルタを透過した後の電磁波は、垂直偏波成分及び
水平偏波成分の何れも略同等の電磁波量に減衰させるこ
とが可能である。
波は、垂直偏波成分が水平偏波成分より小さいが、ＥＭ
Ｉシールドフィルタによる垂直偏波成分の減衰は水平偏
波成分の減衰よりも小さい。したがって、ＥＭＩシール
ドフィルタを透過した後の電磁波は、垂直偏波成分及び
水平偏波成分の何れも略同等の電磁波量に減衰させるこ
とが可能である。
【００２５】この結果、光の透過については、水平方向
の導電体間隔を粗くすることができるので、両偏波成分
ともＥＭＩ規格に適合する電磁波量への減衰を実現した
上で従来の電磁フィルタよりも開口率を向上させること
ができ、光の透過率を向上させることができる。
の導電体間隔を粗くすることができるので、両偏波成分
ともＥＭＩ規格に適合する電磁波量への減衰を実現した
上で従来の電磁フィルタよりも開口率を向上させること
ができ、光の透過率を向上させることができる。
【００２６】図２は、本実施の形態のメッシュ構造の具
体的寸法例を示す図である。ＥＭＩシールドフィルタの
メッシュ構造は、導体幅を１５μｍ、垂直方向及び水平
方向のメッシュ間隔をそれぞれ１２７μｍ及び１２７×
３μｍとする。本例のＥＭＩシールドフィルタにおいて
は、透過率（開口率）を計算すると、(（127-15）×（1
27×3−15）)／(127×（127×3）)＝84.7％となる。こ
の光の透過率は、メッシュ間隔が水平方向及び垂直方向
に何れも１２７μｍである図４に示す従来品に比べ、約
８．５％の改善が図られる。
体的寸法例を示す図である。ＥＭＩシールドフィルタの
メッシュ構造は、導体幅を１５μｍ、垂直方向及び水平
方向のメッシュ間隔をそれぞれ１２７μｍ及び１２７×
３μｍとする。本例のＥＭＩシールドフィルタにおいて
は、透過率（開口率）を計算すると、(（127-15）×（1
27×3−15）)／(127×（127×3）)＝84.7％となる。こ
の光の透過率は、メッシュ間隔が水平方向及び垂直方向
に何れも１２７μｍである図４に示す従来品に比べ、約
８．５％の改善が図られる。
【００２７】図３は、本発明のＥＭＩシールドフィルタ
を表示装置に一体化した実施の形態を示す図である。本
実施の形態ではＥＭＩシールドフィルタをプラズマディ
スプレイに装着した例を示している。プラズマディスプ
レイパネル７と、前面に開口を有し前記プラズマディス
プレイパネル７を取り囲む筐体６と、前記筐体６の開口
部に配置されたＥＭＩシールドフィルタ３とから構成さ
れる。
を表示装置に一体化した実施の形態を示す図である。本
実施の形態ではＥＭＩシールドフィルタをプラズマディ
スプレイに装着した例を示している。プラズマディスプ
レイパネル７と、前面に開口を有し前記プラズマディス
プレイパネル７を取り囲む筐体６と、前記筐体６の開口
部に配置されたＥＭＩシールドフィルタ３とから構成さ
れる。
【００２８】また、本実施の形態のＥＭＩシールドフィ
ルタ３は、筐体６と全周で電気的に接続された構造とす
る。この電気接続間隔はシールドを対象とする周波数に
よって増減することもあるが、よりＥＭＩシールド効果
を高めようとすればできるだけ密にし、かつ低インピー
ダンスで接続する構造とする。
ルタ３は、筐体６と全周で電気的に接続された構造とす
る。この電気接続間隔はシールドを対象とする周波数に
よって増減することもあるが、よりＥＭＩシールド効果
を高めようとすればできるだけ密にし、かつ低インピー
ダンスで接続する構造とする。
【００２９】ＥＭＩシールドフィルタ３のメッシュ構造
は、メッシュ間隔の水平方向を広げた構造とする。メッ
シュ間隔を広げることで一方の偏波面のシールド効果を
低下させ、透過率（開口率）を高めることができるが、
あまり広げすぎると他方の偏波面のシールド効果の低減
を招くことがある。メッシュ間隔の上限の目安として
は、対象周波数の波長の１／２０から１／１００といわ
れるが、充分なものではなく、さらに狭い間隔が必要に
なることもある。プラズマディスプレイからの電磁放射
で正面方向からのＥＭＩシールドを必要とする上限周波
数は、例えば概ね３００ＭＨｚであるから、波長は１０
００ｍｍとなり、必要となるメッシュ間隔の上限は１０
ｍｍ〜５０ｍｍとなる。
は、メッシュ間隔の水平方向を広げた構造とする。メッ
シュ間隔を広げることで一方の偏波面のシールド効果を
低下させ、透過率（開口率）を高めることができるが、
あまり広げすぎると他方の偏波面のシールド効果の低減
を招くことがある。メッシュ間隔の上限の目安として
は、対象周波数の波長の１／２０から１／１００といわ
れるが、充分なものではなく、さらに狭い間隔が必要に
なることもある。プラズマディスプレイからの電磁放射
で正面方向からのＥＭＩシールドを必要とする上限周波
数は、例えば概ね３００ＭＨｚであるから、波長は１０
００ｍｍとなり、必要となるメッシュ間隔の上限は１０
ｍｍ〜５０ｍｍとなる。
【００３０】本実施の形態では、筐体６は導電性材料を
使用することによりプラズマディスプレイパネル７から
のＥＭＩ放射をシールドし、ＥＭＩシールドフィルタ３
は画面前面の開口部からのＥＭＩ放射をシールド（反射
および吸収）し、透過波２が一部装置外に放射される。
使用することによりプラズマディスプレイパネル７から
のＥＭＩ放射をシールドし、ＥＭＩシールドフィルタ３
は画面前面の開口部からのＥＭＩ放射をシールド（反射
および吸収）し、透過波２が一部装置外に放射される。
【００３１】以上説明したように本発明は、ＥＭＩ規格
では垂直偏波と水平偏波の両偏波においてそれぞれの偏
波成分を同じ規格値で規定していることから、規格適合
のためにＥＭＩシールドの要求に余裕のある偏波面につ
いて、その偏波面に対応したメッシュ間隔を粗くし、間
隔に相反して光の透過率があがることを利用して、表示
画面を明るくするものである。つまり、２つの偏波のう
ち、垂直偏波成分又は水平偏波成分のいずれかのシール
ド特性を意図的に犠牲にすることによりＥＭＩ規格を充
足しながら光の透過率を向上させる。
では垂直偏波と水平偏波の両偏波においてそれぞれの偏
波成分を同じ規格値で規定していることから、規格適合
のためにＥＭＩシールドの要求に余裕のある偏波面につ
いて、その偏波面に対応したメッシュ間隔を粗くし、間
隔に相反して光の透過率があがることを利用して、表示
画面を明るくするものである。つまり、２つの偏波のう
ち、垂直偏波成分又は水平偏波成分のいずれかのシール
ド特性を意図的に犠牲にすることによりＥＭＩ規格を充
足しながら光の透過率を向上させる。
【００３２】以上説明した実施の形態では、ＥＭＩシー
ルドフィルタの構成として、水平方向に粗いメッシュと
した例を示したが、表示装置の放射特性によりメッシュ
構造を９０度回転させて垂直方向に粗いメッシュとする
こともあることは明らかである。また、ＥＭＩシールド
フィルタのプラズマディスプレイ装置への適用を例に説
明したが、ＣＲＴ等の他の表示装置に適用できることは
云うまでもない。また、本発明のＥＭＩシールドフィル
タの構成としては、プラスチック、あるいはガラスなど
に接着し、又はこれらの材料で挟まれた構造体として構
成すると好適である。
ルドフィルタの構成として、水平方向に粗いメッシュと
した例を示したが、表示装置の放射特性によりメッシュ
構造を９０度回転させて垂直方向に粗いメッシュとする
こともあることは明らかである。また、ＥＭＩシールド
フィルタのプラズマディスプレイ装置への適用を例に説
明したが、ＣＲＴ等の他の表示装置に適用できることは
云うまでもない。また、本発明のＥＭＩシールドフィル
タの構成としては、プラスチック、あるいはガラスなど
に接着し、又はこれらの材料で挟まれた構造体として構
成すると好適である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、表示装置からのＥＭＩ
放射の偏波方向を観察することで、ある偏波方向高める
ことがに限って対応するメッシュ間隔を広げ、ＥＭＩ放
射のシールド効果を逆に低減させることを可能としてい
るから、開口率が高まりＥＭＩ規格に適合するとともに
光の透過率をでき、ひいては表示装置の消費電力の低減
に有効である。
放射の偏波方向を観察することで、ある偏波方向高める
ことがに限って対応するメッシュ間隔を広げ、ＥＭＩ放
射のシールド効果を逆に低減させることを可能としてい
るから、開口率が高まりＥＭＩ規格に適合するとともに
光の透過率をでき、ひいては表示装置の消費電力の低減
に有効である。
【図１】本発明のＥＭＩシールドフィルタの一実施の形
態を示す図である。
態を示す図である。
【図２】本発明のＥＭＩシールドフィルタのメッシュ構
造の具体的寸法を示す図である。
造の具体的寸法を示す図である。
【図３】本発明のＥＭＩシールドフィルタ及びプラズマ
ディスプレイ装置を示す図である。
ディスプレイ装置を示す図である。
【図４】従来の電磁シールドフィルタの構造を示す図で
ある。
ある。
【図５】従来の電磁シールドフィルタの構造の他の例を
示す図である。
示す図である。
１ 侵入波 １−１ 垂直偏波 １−２ 水平偏波 ２ 透過波 ３ ＥＭＩシールドフィルタ ４ 垂直偏波成分の減衰 ５ 水平偏波成分の減衰 ６ 筐体 ７ プラズマディスプレイパネル ８ プラズマディスプレイからのＥＭＩ ９ 透孔
Claims (5)
- 【請求項１】 水平方向及び垂直方向の導電体からなる
導電メッシュを有する表示部用のＥＭＩシールドフィル
タにおいて、前記表示部のＥＭＩの水平偏波成分及び垂
直偏波成分のうち何れか高い方の電界強度を減衰させる
導電体の間隔に対して、直交する他の導電体の間隔を大
きく設定して、減衰後の前記水平偏波成分及び垂直偏波
成分を略同一の電界強度にすることで光の透過率を高め
たことを特徴とするＥＭＩシールドフィルタ。 - 【請求項２】 水平方向及び垂直方向の導電体からなる
導電メッシュを有するプラズマディスプレイ用のＥＭＩ
シールドフィルタにおいて、前記プラズマディスプレイ
のＥＭＩの水平偏波成分及び垂直偏波成分のうち何れか
高い方の電界強度を減衰させる導電体の間隔に対して、
直交する他の導電体の間隔を大きく設定して、減衰後の
前記水平偏波成分及び垂直偏波成分を略同一の電界強度
にすることで光の透過率を高めたことを特徴とするＥＭ
Ｉシールドフィルタ。 - 【請求項３】 表示部と、前記表示部を取り囲み表示部
の表示面に対応する開口部を有する筐体とを有する表示
装置において、前記筐体の前記開口部に配置され、前記
表示面からのＥＭＩの水平偏波成分及び垂直偏波成分の
うち何れか高い方の電界強度を減衰させる導電体の間隔
に対して、直交する他の導電体の間隔を大きく設定し、
減衰後の前記水平偏波成分及び垂直偏波成分を略同一の
電界強度とする水平方向及び垂直方向の導電体からなる
導電メッシュを有するＥＭＩシールドフィルタを有する
ことを特徴とする表示装置。 - 【請求項４】 プラズマディスプレイパネルと、前記プ
ラズマディスプレイパネルを取り囲み前記プラズマディ
スプレイの表示面に対応する開口部を有する筐体とを有
する表示装置において、前記筐体の前記開口部に配置さ
れ、前記プラズマディスプレイパネルの表示面からのＥ
ＭＩの水平偏波成分及び垂直偏波成分の何れか高い方の
電界強度を減衰させる導電体の間隔に対して、直交する
他の導電体の間隔を大きく設定し、減衰後の水平偏波成
分及び垂直偏波成分を略同一の電界強度とする水平方向
及び垂直方向の導電体からなる導電メッシュを有するＥ
ＭＩシールドフィルタとを有することを特徴とする表示
装置。 - 【請求項５】 前記ＥＭＩシールドフィルタによる減衰
後の水平偏波成分及び垂直偏波成分の電界強度は、ＥＭ
Ｉ規格の限度値以下であることを特徴とする請求項３又
は４記載の表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17469199A JP3351393B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | Ｅｍｉシールドフィルタ及びｅｍｉシールドフィルタを有する表示装置 |
| DE10029265A DE10029265A1 (de) | 1999-06-21 | 2000-06-14 | Abschirmfilter für elektromagnetische Störungen und Anzeigevorrichtung mit einem Abschirmfilter für elektromagnetische Störungen |
| US09/597,936 US6492587B1 (en) | 1999-06-21 | 2000-06-20 | EMI shield filter and display apparatus having EMI shield filter |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17469199A JP3351393B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | Ｅｍｉシールドフィルタ及びｅｍｉシールドフィルタを有する表示装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001007590A true JP2001007590A (ja) | 2001-01-12 |
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Family
ID=15983004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17469199A Expired - Fee Related JP3351393B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | Ｅｍｉシールドフィルタ及びｅｍｉシールドフィルタを有する表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6492587B1 (ja) |
| JP (1) | JP3351393B2 (ja) |
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| JP2004297763A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-10-21 | Hitachi Ltd | 周波数選択性シールド構造体とそれを有する電子機器 |
| TWI287066B (en) * | 2003-09-12 | 2007-09-21 | Nippon Steel Corp | Magnetic shield panel |
| KR100637215B1 (ko) | 2005-02-19 | 2006-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 필터를 포함한 플라즈마 디스플레이 모듈 및 이를 구비한플라즈마 디스플레이 장치 |
| US7420742B2 (en) * | 2005-12-07 | 2008-09-02 | Bright View Technologies, Inc. | Optically transparent electromagnetic interference (EMI) shields for direct-view displays |
| KR101175728B1 (ko) * | 2006-01-20 | 2012-08-22 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 모듈의 전자파 차폐장치 및 그 제조방법 |
| KR100965376B1 (ko) * | 2007-08-24 | 2010-06-22 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 디스플레이 장치용 전자파 차폐 부재 |
| KR100900458B1 (ko) * | 2007-09-21 | 2009-06-02 | 한국과학기술원 | 유연성이 증대된 플렉시블 디스플레이용 폴리머 기판 |
| US9164630B2 (en) * | 2012-09-26 | 2015-10-20 | Eastman Kodak Company | Display apparatus with pixel-aligned ground mesh |
| US10044232B2 (en) | 2014-04-04 | 2018-08-07 | Apple Inc. | Inductive power transfer using acoustic or haptic devices |
| US10135303B2 (en) | 2014-05-19 | 2018-11-20 | Apple Inc. | Operating a wireless power transfer system at multiple frequencies |
| EP3338340B1 (en) | 2015-09-24 | 2020-06-17 | Apple Inc. | Configurable wireless transmitter device |
| US10790699B2 (en) | 2015-09-24 | 2020-09-29 | Apple Inc. | Configurable wireless transmitter device |
| US10477741B1 (en) * | 2015-09-29 | 2019-11-12 | Apple Inc. | Communication enabled EMF shield enclosures |
| US10651685B1 (en) | 2015-09-30 | 2020-05-12 | Apple Inc. | Selective activation of a wireless transmitter device |
| US10734840B2 (en) | 2016-08-26 | 2020-08-04 | Apple Inc. | Shared power converter for a wireless transmitter device |
| US10594160B2 (en) | 2017-01-11 | 2020-03-17 | Apple Inc. | Noise mitigation in wireless power systems |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4468702A (en) * | 1982-04-16 | 1984-08-28 | Daca International B.V. | Radiation and static electricity suppression device |
| JPS62109495A (ja) | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 音声再生装置 |
| US4910090A (en) * | 1987-10-21 | 1990-03-20 | Southwall Technologies, Inc. | EMI/RFI shield for visual display terminals |
| EP0322720A3 (en) * | 1987-12-25 | 1990-01-17 | Asahi Glass Company Ltd. | Electromagnetic wave shielding transparent body |
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| KR100335346B1 (ko) * | 1997-11-11 | 2002-06-20 | 이사오 우치가사키 | 전자파차폐성접착필름,이필름을채용한전자파차폐성어셈블리및표시소자 |
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1999
- 1999-06-21 JP JP17469199A patent/JP3351393B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2000
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