JP2001007036A - 半導体を熱処理する炉及び方法 - Google Patents
半導体を熱処理する炉及び方法Info
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Abstract
来例に比較して格段に減少できる半導体熱処理方法及び
装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハを熱処理する炉におい
て、ウェーハ載置部と炉芯管の内面との間に隔壁を設
け、隔壁の内側と外側にガスを流す。
Description
処理装置及び方法に関するものである。
処理装置としては、抵抗加熱炉が一般的に使用されてい
る。抵抗加熱炉は、主に電気加熱ヒータ、炉芯管等で構
成されており、均熱管を備えていることもある。近年は
抵抗加熱炉は縦型が主流である。また、半導体ウェーハ
であるSiウェーハの特性向上のため、水素あるいはA
rなどの不活性ガスを含む雰囲気で1100〜1200
℃の高温で数分〜数時間、熱処理する技術が広く利用さ
れている。
ボートに積載されて炉芯管内で熱処理される。半導体ウ
ェーハは非常に高純度であるため、不純物(特に金属不
純物)で汚染されると、半導体製品の性能に支障を来し
てしまう。よって炉芯管等の炉部材は高純度のものが求
められる。
ては、処理ガスは、ステンレス製の配管から導入管(炉
芯管に溶接されている石英ガラスまたは炭化珪素の導入
管)を通して炉芯管の上部よリ内部空間に導入され、炉
芯管の下部で排気される。
への要求がさらに厳しくなっており、熱処理工程からの
微量の金属不純物の汚染も問題になっている。
材の純度に起因する。特に高温(1100℃以上)の処
理になると、炉部材からの不純物の拡散が大きくなり、
汚染量も増大する。特に炉部材の石英ガラス中の金属不
純物の量は、高温処理では無視できないレベルである。
通常、半導体製造に用いられる石英ガラス製品は、天然
水晶を原料とし、溶融法で製造しているため、精製純化
を施しても金属不純物は10〜1000ppb程度混入
している。Fe汚染に関しては10〜1000ppbの
濃度である。さらに石英製品加工中に熱処理を加える
が、その熱処理による汚染がある。とくに表層部の汚染
が増す。これら石英製品を高温熱処理すると、内部に混
入している不純物が熱拡散によって放出されることにな
る。
限り高純度のものが望ましい。不純物が10ppb以下
の合成石英ガラスを用いた場合、汚染が低減する。しか
しながら、実際には少量の不純物は炉部材に存在してお
り、ウェーハに対して局所的に汚染する場合もある。
ガラスの筒体を外層とし、高純度の合成石英ガラスの筒
体を内層として、隙間が生じないように外層と内層を密
に一体化して成る半導体ウェーハ熱処理用耐熱性複合石
英ガラス管を示している。とくに、外層と内層の肉厚の
比が、(50〜90)対(50〜100)の範囲である
石英ガラス管が示されている。
とえば特許第2522829号のように)、炉芯管の内
壁面を高純度の合成石英などで内張り(コーティング)
したり、炉芯管の内壁面に高純度な壁体を設置したりし
ても、それだけでは、ウェーハ載置部を流れるガスの量
に変化がなく、ウェーハへの不純物(特に鉄)の汚染
は、所望のレベルまで減少しない。つまり、炉内を高純
度に保ち、ウェーハ汚染を最小限にするに当たって、炉
内に合成石英ガラスなどでできた高純度な部材を使用し
たとしても、それだけでは、石英炉芯管などから鉄の汚
染が生じるのである。
くに鉄)の汚染を従来例に比較して格段に減少できる半
導体熱処理方法及び装置を提供することである。
段は、前掲の請求項に記載の半導体熱処理方法及び装置
である。
運ばれてウェーハに付着することに着目して、どのよう
に処理ガスの流れ具合がウェーハ汚染に影響を与えるか
を徹底的に究明して、本発明を完成した。
ばれてウェーハに付着することを極力回避している。処
理ガスの流れ具合を工夫して、不純物で汚染された処理
ガスがウェーハの方にできるだけ流れないようにする。
それにより、不純物で汚染された処理ガスがウェーハを
汚染しないようにする。
において、ウェーハ載置部と炉芯管の内面との間に隔壁
を設け、隔壁の内側と外側に処理ガスを流す。ウェーハ
載置部は、隔壁の内側に位置する。熱処理のとき、多数
のウェーハは、ボートに収納された状態でそのウェーハ
載置部に配置されている。処理ガスは隔壁の内側と外側
で別の形で流れる。好ましくは、隔壁の内側のガス流速
を隔壁の外側の流速より遅くする。隔壁の内側の好適な
ガス流速は、約4.3×10-3m/secである。
り、隔壁が内筒管として形成されていることが好まし
い。内筒管内で、ガスが、炉芯管の内面側とウェーハ載
置部側との間で、隔壁に形成したガス用の孔を介して流
れるようにする。
が、多数の小孔からなるものが好ましい。
上端が封じられており、複数の小孔が、ガス用の孔とし
て、ウェーハ載置部の上端近傍部分と下端近傍部分に対
応する内筒管の部分に設けられている。隔壁は、高純度
石英ガラスから形成されているか、合成石英ガラスから
形成されている。
トの一部で形成されており、複数の小孔が、ガス用の孔
として、ウェーハ載置部の上端近傍部分と下端近傍部分
との間の領域に対応するボートの領域に設けられてい
る。この場合、ウェーハは、直接隔壁に形成された溝や
支持突起など設置される。
が内筒管として形成されていて、内筒管が炉芯管の内面
に設けられている。この場合、隔壁(内筒管)が炉芯管
の内面側に装着(例えば着脱可能に固定)する。それゆ
え、ボートを上昇または下降させるとき、隔壁(内筒
管)は移動しない。
孔の場合、好ましくは、各小孔の直径が2〜5mmであ
り、所定の方向にそって等間隔に数多く形成する。
炉の炉芯管とウェーハ載置部の間に高純度石英ガラス製
の円筒体を設置する。それにより、半導体ウェーハが周
辺治具から汚染(特にFeで汚染)されることを防止す
る。
減少させるには、円筒体(高純度合成石英)の外面側の
ガスが早く流れ、鉄などの不純物が石英ガラス表面から
放出され、不純物濃度が低くなるようにするのが好まし
い。合成石英ガラス内面側の不純物は、外面側より相対
的に高濃度となるので、不純物の濃度差が生じ、内面側
の不純物が外面側に向かって移動し、そのため、合成石
英ガラスない表面から、ウェーハに向かって不純物が放
出されにくくなるものと推測される。
載置し、その外側のガス流速を内側より速くすれば、鉄
などの不純物に濃度差が生じ、鉄が自然と内筒管外表面
に向かうので、ウェーハの汚染を妨げるのである。
傍を流れるガス流速を遅くすれば、ウェーハの汚染を妨
げる。
英ガラスは水素ガスでエッチングされてしまう。エッチ
ングされた石英ガラスの中には、鉄が含まれており、そ
れが拡散してウェーハを汚染すると考えられる。それゆ
え、ガス流速を小さくすれば、石英ガラスはエッチング
されにくくなり、炉内に石英ガラスからの鉄が飛びにく
い。
一方で、ウェーハ載置部のガス流速を小さくする構成に
すれば、内筒管は設けなくてもよい。ウェーハ載置部の
ガス流速を均一にかつ微量に制御すればよい。
染低減効果は、次のとおりであると推測される。
スには鉄などの金属が不純物として含まれている。それ
らは熱により外へと拡散していく。これはウェーハを汚
染させる原因の一つである。しかし水素ガスを用いて熱
処理をおこなう場合は、それだけでなく石英ガラスが水
素によりエッチングされてしまい、それに伴って石英中
に含まれている金属不純物も外に出てしまう。つまり水
素雰囲気での熱処理の場合、熱拡散だけでなく石英のエ
ッチングによる金属不純物の放出も汚染の要因の一つと
なる。このような石英ガラスのエッチングの速度は、石
英ガラスに沿ったガス流の速さに依存する。すなわち、
流速が小さいほどエッチング速度も小さくなる。このこ
とはガス流速を小さくして熱処理すると、金属汚染が少
なくなることを意味する。
及び流出用の孔(本明細書では孔はスリット状やその他
の各種形状のものを含み、開口と同じ広い意味で使用し
ている)をあける場合、管内に入るガス流量が非常に小
さくなる。したがって内筒管の内部では非常に小さなガ
ス流速となる。これにより汚染は小さくなる。
る。比較的低速の流れの場合、ガスは層流として流れ
る。したがって渦が発生したり、よどみが発生したりす
ることはない。しかし、流速が速くなると、ガスは乱流
となり、複雑な流れとなる。例えば炉の内部において
も、処理ガスは、単純に給気管から排気管へ流れていか
ずに、炉内で停滞したり逆流したりする。これにより、
ガス中に含まれる金属不純物がスムーズに排気されず
に、炉内に蓄積される。これがウェーハを汚染すると考
えられる。これを抑えるにはガス流速を小さくする必要
がある。しかし実際には少量のガスを精度よく制御しな
がら流すことは非常に難しい。
管の内部に大量のガスが流れていかない。すなわち内筒
管内部ではガスの流速は非常に小さくなっており、スム
ーズな給排気が行われる。それにより金属不純物が炉内
に蓄積しないので、ウェーハの汚染は小さくなる。
も、金属不純物を含んでいる。さらに反射板に凹凸があ
る場合、炉の上部(給気ガス、炉芯管上部)からの金属
不鈍物が蓄積しやすい。炉内ではガスは複雑にながれて
おり、一部のガスが炉の下部から上部へ逆流することも
ありえる。この場合、上昇流に乗って、反射板に蓄積さ
れている汚染物質あるいは反射板に含まれている金属不
純物が炉の上部へ運ばれる。それによりウェーハが汚染
される。したがって、これを防げば、汚染を低減させる
ことができる。炉内に内筒管を設ける場合、たとえ上昇
流があっても、給排気口以外はウェーハを内筒管で覆っ
ており、給排気口も小さいので、汚染物質が内筒管内に
運ばれることはほとんどない。それゆえウェーハの汚染
は低減される。
きるものである。
を示している。
部10と炉芯管11の内面との間に隔壁12を設け、隔
壁12の内側と外側で別の流速で処理ガスを流す構成に
なっている。
り、隔壁12は円筒形の縦型の内筒管として形成されて
いる。内筒管12の上端が封じられており、ガス用の孔
15(図2)が、ウェーハ加熱処理状態におけるウェー
ハ載置部10の上端近傍部分と下端近傍部分に対応する
内筒管12の部分に設けられている。
英ガラスから形成されている。
側の流速より遅くする。たとえば、内筒管12の内側の
ガス流速は、約4.3×10-3m/secである。その
ときの内筒管12の外側の流速は、1.2×10-2m/
secである。
円形の小孔からなり、各小孔の直径が2〜5mmであ
り、所定の方向にそって等間隔に配置されている。
炉芯管11の外側には、その水素ガス用のガス供給管1
7が炉芯管11のか方から上方にわたって設けられてい
る。そのガス供給管17の始端から処理用の水素ガスが
矢印で示すように流入して、上方に流れていって、最後
に先端から下向きに炉芯管11内に流入する。
が閉じられている)に沿って外周に向かって流れ、さら
に外側と内側を別々のルートで流下して、ウェーハ載置
部10の下端付近で合流して、さらに下方に流れてい
き、排出管18の排出口から流出する。
ており、そこに多数のウェーハを保持した状態のボート
21を支持して昇降可能になっている。ボート21が、
上昇位置にきたとき、ボート21に保持されたウェーハ
は、ウェーハ載置部10に位置する。
包囲するようにヒータ22が設けられていて、ウェーハ
Wに対する所定の加熱処理を可能としている。
て円筒形の内筒管11が設けられている点を除けば、従
来の部材や構造を採用できるので、それらの従来のもの
については詳細な説明を省略する。
る。
いる。
さい外径を有する円筒管である。内筒管12の上端12
bは平坦な円板形であり、完全に閉じられている。内筒
管12の側面は、上下にわたって同一の径になってお
り、上端付近と下端付近にそれぞれ小さな孔15が4個
ずつ形成されている。内筒管12の下端12aは、完全
に開放されており、そこを介してボート21を出し入れ
できる形になっている。
0にのせたあと、内筒管12をその支持手段20にのせ
て、内筒管12の内部にボート21を内筒管12と支持
手段20で包むように配置する。このとき、内筒管12
の内部と外部は、孔15によってのみ通じている。
の石英ガラス製の炉芯管11を使用し、かつSiウェー
ハを積載したボート21と炉芯管11との間に高純度の
合成石英ガラス製の内筒管12が介在しているのであ
る。内筒管12は、前述のように、下端12aが開口
し、上部12bは封じ込められていて、内筒管12の側
面には直径2〜5mm程度の孔15が複数個開いてい
る。このような内筒管12内にウェーハボート21が設
置される。
上端付近の孔15から流入して、内筒管12内は小孔1
5よりパージされた処理ガスで満たされているが、内筒
管12の外と比較して内筒管12の内側ではガスの流れ
は非常に少ない。したがって、高温熱処理によって内筒
管12の石英ガラスから放出される金属不純物が処理ガ
スに運ばれてウェーハWを汚染することを非常に少なく
することができる。
いる。
ト21の一部として形成されている。たとえば、図6に
示すように、隔壁12が円筒形で、その中にボート21
の支持部61(多数の支持用段部61aを有する)を固
定した形にする。もちろん、隔壁12と支持に61を一
体の形にしてもよい。いずれの場合も、各ウェーハWの
外周部が支持部61の3つの段部61aで支持された状
態で、隔壁とウェーハW周辺との間に相当な程度に隙間
63ができるようにする。処理ガスは、その隙間63を
通って隔壁12内を下方に流れる。
体を半割形やそれに近い形に分割する。たとえば2つの
分割体12A、12Bを炉外で開放した状態で、すべて
のウェーハWを一方の分割体12Aに設置し、しかるの
ち、他方の分割体12Bを一方の分割体12Aの所定位
置65に合体して、その状態のまま、支持手段20によ
りボート21の全体を炉芯管11内のウェーハ載置部に
設定する。
す。
管として構成されているが、炉芯管11の内面側にサポ
ート部材71によって支持されている。サポート部材7
1は、そこをガスが自由に流下できる形状のものとし、
しかも必要に応じて隔壁12を炉芯管11からからなり
取り外せる構造にする。この隔壁12は図2のものと同
じでよい。
降するとき、隔壁12は炉芯管の中に保持されている。
2とそれに関連する構成は、図1の実施例のものと同じ
であってもよいので、ここでは説明を省略する。
る流れ方を制御することに重点をおいているが、炉内を
一度通ったガスがすみやかに排出されず、一部逆流して
炉内を汚染することもある。たとえば、本発明におい
て、炉内ガス排出部を密閉せず、すなわち排出部を円周
状の隙間としてやることにより、炉内雰囲気をとどこお
りなく排出でき、本発明の効果をよりいっそう高めるこ
とができる。
して実験した。内筒管の寸法は、外径250mm、高さ
800mm、肉厚3mmとした。内筒管12の側面に
は、図2に示すように、処理ガスが置換されるように直
径5mmの穴15を上部に4箇所、下部に4箇所設け
た。内筒管12内に直径200mmのSiウェーハWを
積載したボート21を内筒管12内に設置し、1200
℃1h、水素雰囲気で熱処理を行った。炉内に導入する
水素ガスの流量は15リットル/分とした。ウェーハW
はボート21上に100枚積載し、上から10枚目(ウ
ェーハW)と90枚目(ウェーハW)を熱処理後に分析
した。この試験結果を内筒管12の有無で比較した。
純物分析値を示す。図2に示した内筒管12を設置した
場合、内筒管12が無い場合と比較してFe,Cuの汚
染量が低減していることがわかる。
関係を説明する。
と、H2+SiO2→H2O+SiOとなり、水分を発生
しながら、微量であるがエッチングされる。
石英管に水素ガスを流量を変えながら流したときの水素
ガスの流速と石英ガラスのエッチング量の関係を示すも
のである。
ないと、エッチング量は少なくなる。とくに内筒管12
内の好ましいガス流速は、4.3×10-3m/sec以
下となる。
英ガラスの反応生成物である水分の関係について測定し
た。ガス中の水分濃度から、ガス流れと拡散を考慮した
解析法により、活性化エネルギーが85kcal/mo
lあること、すなわち、界面反応速度定数が1200℃
で5×10-12mol・cm-2・sec-1・atm-1で
あることが判明した。
効果確認のために試験を行った。
の効果を確認した。
トル/分) サンプル:6、P−type 処理炉:図1に示す形式の炉 ボート:小型6インチボート SPV(Surface Photo Voltag
e)の測定を行った。
持部に形成された40段に上掲の表に示すようにのせ
て、実際に炉内でウェーハWを前述の条件で熱処理し
た。
eの汚染の推移を示している。D−topはダミートッ
プつまり一番上方のダミーウェーハを示し、topはダ
ミーでない普通のウェーハの一番上方のものを示す。図
4には、3本の棒グラフが1つのセットになって、4セ
ットが示されている。各セットにおいて、左側の棒は、
ウェーハの中心部を示し、右側のものはウェーハのエッ
ジ部を示し、中央のものは、1/2の径の部分を示す。
Feの濃度は、10のレベル(横線が引かれている)が
合格レベルである。
いる内筒管なしの例(比較例)においては、D−top
のウェーハは、エッジ、中央、1/2径の3か所ともレ
ベル10を超えており、topのウェーハはエッジ部分
がレベル10を超えており、Fe汚染が大きいことが判
明した。これに対し、内筒管ありの例(本発明の実施
例)においては、D−topのエッジ部のみがレベル1
0を超えているが、他の部分は、すべてレベル10以下
であり、Fe汚染の度合が少ない。
理工程(特に1100℃以上の高温処理)においてウェ
ーハに対しての金属汚染が顕著に低減する。さらに、こ
の金属汚染低減により、半導体ウェーハの品質が向上す
る。
処理炉の概略を示す縦断面図。
視図。
度の関係を示すグラフ。
を示すグラフ。
理を示しており、図1に対応する図である。
図である。
理を示しており、図1に対応する図である。
Claims (13)
- 【請求項1】 半導体ウェーハを熱処理する炉におい
て、ウェーハ載置部と炉芯管の内面との間に隔壁を設
け、隔壁の内側と外側にガスを流す構成にしたことを特
徴とする半導体熱処理炉。 - 【請求項2】 前記半導体熱処理炉は縦型熱処理炉であ
り、前記隔壁は内筒管として形成されていることを特徴
とする請求項1記載の半導体の熱処理炉。 - 【請求項3】 前記隔壁は、内筒管として形成されてい
て、内筒管の上端が封じられており、ガス用の孔が、ウ
ェーハ載置部の上端近傍部分と下端近傍部分に対応する
内筒管の部分に設けられていることを特徴とする請求項
1に記載の半導体熱処理炉。 - 【請求項4】 前記隔壁は、高純度石英ガラスから形成
されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1
項に記載の半導体熱処理炉。 - 【請求項5】 前記隔壁は、合成石英ガラスから形成さ
れていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項
に記載の半導体熱処理炉。 - 【請求項6】 隔壁の内側のガス流速を隔壁の外側の流
速より遅くする構成にしたことを特徴とする請求項1〜
5のいずれか1項記載の半導体熱処理炉。 - 【請求項7】 前記隔壁がボートの一部で形成されてお
り、ガス用の孔が、ウェーハ載置部の上端近傍部分と下
端近傍部分との間の領域に対応するボートの領域に設け
られていることを特徴とする請求項1に記載の半導体熱
処理炉。 - 【請求項8】 前記隔壁は、内筒管として形成されてい
て、内筒管が炉芯管の内面に設けられていることを特徴
とする請求項1に記載の半導体熱処理炉。 - 【請求項9】 前記ガス用の孔は、直径が2〜5mmで
ある多数の小孔からなり、所定の方向にそって等間隔に
数多く配置されていることを特徴とする請求項1〜8の
いずれか1項記載の半導体熱処理炉。 - 【請求項10】 半導体ウェーハを処理する方法におい
て、ウェーハ載置部と炉芯管の内面との間に設けた隔壁
の内側と外側にガスを流し、隔壁の内側のガス流速を隔
壁の外側の流速より遅くすることを特徴とする半導体熱
処理方法。 - 【請求項11】 炉芯管内の雰囲気が水素ガスであるこ
とを特徴とする請求項7記載の半導体熱処理方法。 - 【請求項12】 前記内筒管内のガス流速が、約4.3
×10-3m/secであることを特徴とする請求項10
〜11のいずれか1項に記載の半導体熱処理方法。 - 【請求項13】 前記内筒管内で、ガスが、炉芯管の内
面側とウェーハ載置部側との間で、隔壁に形成したガス
用の孔を介して流れることを特徴とする請求項10〜1
2のいずれか1項に記載の半導体熱処理方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17661299A JP3913404B2 (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 半導体を熱処理する炉及び方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2001007036A true JP2001007036A (ja) | 2001-01-12 |
JP3913404B2 JP3913404B2 (ja) | 2007-05-09 |
Family
ID=16016621
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166522A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Naoetsu Electronics Co Ltd | 熱処理炉評価用ウエハの製造方法 |
JP2010258235A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Sumco Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
-
1999
- 1999-06-23 JP JP17661299A patent/JP3913404B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008166522A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Naoetsu Electronics Co Ltd | 熱処理炉評価用ウエハの製造方法 |
JP2010258235A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Sumco Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
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