JP2001005184A - 化学増幅型レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、１９３ｎｍに透明で、高い感度、
良好なドライエッチング耐性、良好な基板への密着性を
有し、高解像度でレジスト形状の良好な、ＡｒＦエキシ
マレーザーリソグラフィーに好適な化学増幅型レジスト
組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】 （Ａ）脂環式骨格を有する（メタ）アク
リル酸エステル単量体とラクトン骨格を有する（メタ）
アクリル酸エステル単量体とを重合して得られるアクリ
ル系共重合体、（Ｂ）光酸発生剤、及び（Ｃ）含窒素複
素環化合物および／またはアミド基含有化合物を含有す
る化学増幅型レジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、化学増幅型レジス
ト組成物に関し、特にＡｒＦエキシマレーザーを使用す
る微細加工に好適なレジストとして有用な化学増幅型レ
ジスト組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子あるいは液晶素子の製
造における微細加工の分野においてはリソグラフィー技
術の進歩により急速に微細化が進んでいる。その微細化
の手法としては一般に露光光源の短波長化が用いられて
おり、用いられる光源としては、具体的には従来のｇ
線、ｉ線に代表される紫外線からＤＵＶへ変化してきて
いる。現在では、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎ
ｍ）リソグラフィー技術が市場に導入され、更に短波長
化を計ったＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）リソ
グラフィー技術が導入されようとしている。

【０００３】このような短波長の光源に対する高解像度
のレジストとして、インターナショナル・ビジネス・マ
シーン（ＩＢＭ）社より「化学増幅型レジスト」が提唱
され、現在、この化学増幅型レジストの改良及び開発が
精力的に進められている。

【０００４】光源の短波長化によりレジストに使用され
る樹脂もその構造変化を余儀なくされている。ＫｒＦエ
キシマレーザーリソグラフィーにおいては、２４８ｎｍ
に対して透明性の高いポリヒドロキシスチレンやその水
酸基を酸解離性の溶解抑制基で保護したものが用いられ
ているが、ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィーにお
いては、これらの樹脂は１９３ｎｍにおいては透明性が
不十分でほとんど使用不可能であるため、１９３ｎｍに
おいて透明なアクリル系樹脂あるいはシクロオレフィン
系樹脂が注目されている。アクリル系樹脂としては、特
開平４−３９６６５号公報、特開平１０−２０７０６９
号公報などが挙げられ、シクロオレフィン系樹脂につい
ては特開平１０−１５３８６４号公報などが挙げられ
る。

【０００５】しかしながら、これらの樹脂を用いた場合
においてもいまだ性能的には不十分であり、より高い解
像度、良好なレジスト形状が求められている。解像度低
下、レジスト形状不良の原因としては化学増幅型レジス
ト特有の問題、具体的には空気中の塩基性物質あるいは
基板から侵入する塩基性物質による酸の失活などが挙げ
られる。上記問題点を解決する手法として、数々の方法
が提案されている。中でもレジストへある種の化合物を
添加することが効果的であることが判明し、精力的に研
究されている。ＫｒＦエキシマレーザーリソグラフィー
においては、具体的には、特開平９−１７９３００号公
報に記載されているように塩基性化合物を添加すること
などが知られている。しかし、ＡｒＦエキシマレーザー
リソグラフィーにおいては、使用される光源（波長）、
用いられる樹脂、要求される解像度も異なり、効果のあ
る添加剤は見出されていなかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況に鑑みてなされたものであって、１９３ｎｍに透明
で、高い感度、良好なドライエッチング耐性、良好な基
板への密着性を有し、高解像度でレジスト形状の良好
な、ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィーに好適な化
学増幅型レジスト組成物を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
の結果、特定のアクリル系共重合体と特定の塩基性物質
の組み合わせにおいて、ＡｒＦエキシマレーザーリソグ
ラフィーに好適な化学増幅型レジスト組成物が得られる
ことを見出し、本発明に至った。

【０００８】すなわち本発明は、（Ａ）脂環式骨格を有
する（メタ）アクリル酸エステル単量体とラクトン骨格
を有する（メタ）アクリル酸エステル単量体とを重合し
て得られるアクリル系共重合体、（Ｂ）光酸発生剤、及
び（Ｃ）含窒素複素環化合物および／またはアミド基含
有化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物に関す
る。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明で用いられるアクリル系共
重合体は、脂環式骨格を有する（メタ）アクリル酸エス
テル単量体とラクトン骨格を有する（メタ）アクリル酸
エステル単量体とを共重合して得られる。この共重合体
では、共重合体中に脂環式骨格を有する単量体単位が含
まれることにより、レジストのドライエッチング耐性が
極めて優れており、また、共重合体中にラクトン骨格を
有する単量体単位が含まれていることにより、レジスト
の基板に対する密着性が極めて向上している。

【００１０】また、アクリル系共重合体を構成する少な
くとも１種の単量体単位は、酸により脱離する保護基を
含有する。

【００１１】本発明に用いられる脂環式骨格を有する
（メタ）アクリル酸エステル単量体としては、脂環式骨
格をエステル部に含む（メタ）アクリル酸エステルが好
ましい。また、特に酸により脱離する保護基（脂環式基
が直接保護基となっていてもよい。）を含有するものは
１９３ｎｍにおける高い感度を付与することができる。

【００１２】例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリレ
ート、イソボルニル（メタ）アクリレート、アダマンチ
ル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）
アクリレート、ジシクロペンタジエニル（メタ）アクリ
レート、およびこれらの単量体の脂環式環上にアルキル
基、カルボキシル基、ヒドロキシル基等の置換基を有す
る誘導体からなる群より選ばれるものが好ましい。具体
的には、１−イソボニルメタクリレート、２−メタクリ
ロイルオキシ−２−メチルアダマンタン、シクロヘキシ
ルメタクリレート、アダマンチルメタクリレート、トリ
シクロデカニルメタクリレート、ジシクロペンタジエニ
ルメタクリレートなどが挙げられる。脂環式骨格を有す
る単量体は、一種だけで、あるいは必要に応じて２種以
上を組み合わせて用いることができる。

【００１３】本発明に用いられるラクトン骨格を有する
（メタ）アクリル酸エステル単量体としては、ラクトン
骨格をエステル部に含む（メタ）アクリル酸エステルが
好ましく、また、特に酸により脱離する保護基（ラクト
ン基が直接保護基となっていてもよい。）を含有するも
のは１９３ｎｍにおける高い感度を付与することができ
る。

【００１４】例えば、δ−バレロラクトン環を有する
（メタ）アクリレート、γ−ブチロラクトン環を有する
（メタ）アクリレート、およびこれらの単量体のラクト
ン環上にアルキル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基
等の置換基を有する誘導体からなる群より選ばれるもの
が好ましい。具体的には、β−メタクリロイルオキシ−
β−メチル−δ−バレロラクトン、β−メタクリロイル
オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイルオキ
シ−β−メチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロ
イルオキシ−γ−ブチロラクトン、２−（１−メタクリ
ロイルオキシ）エチル−４−ブタノリドなどが挙げられ
る。ラクトン骨格を有する単量体は、一種だけで、ある
いは必要に応じて２種以上を組み合わせて用いることが
できる。

【００１５】また、アクリル系共重合体中における脂環
式骨格を有する（メタ）アクリル酸エステル単量体単位
とラクトン骨格を有する（メタ）アクリル酸エステル単
量体単位の割合は、特に限定はされないが、ラクトン骨
格を有する単量体単位が、単量体単位全体の４０〜６０
モル％の範囲が好ましい。ラクトン骨格を有する単量体
の平均共重合組成がこの範囲内にあると、ドライエッチ
ング耐性と基板への密着性、感度と解像度のバランスが
良好になる。

【００１６】本発明のアクリル系共重合体の重量平均分
子量は、特に限定はされないが、ドライエッチング耐性
およびレジスト形状を考慮すると、１，０００以上が好
ましく、レジスト溶剤に対する溶解性と解像度を考慮す
ると１００，０００以下が好ましい。

【００１７】本発明で用いられるアクリル系共重合体の
製造方法は、特に制限はないが、簡便な製造方法とし
て、あらかじめ、単量体、重合開始剤を有機溶剤に溶解
させた単量体溶液を一定温度に保持した有機溶剤中に滴
下する、いわゆる滴下重合法が好適である。

【００１８】この滴下重合法に用いられる有機溶剤とし
ては、脂環式骨格を有する（メタ）アクリル酸エステル
単量体、ラクトン骨格を有する（メタ）アクリル酸エス
テル単量体、および得られる共重合体のいずれも溶解で
きる溶剤が好ましく、例えば、１，４−ジオキサン、イ
ソプロピルアルコール、アセトン、テトラヒドロフラン
などが挙げられる。

【００１９】このとき用いられる重合開始剤としては、
特に限定はされないが、例えば、アゾビスイソブチロニ
トリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロ
ニトリル）等のアゾ化合物、過酸化ベンゾイル等の有機
過酸化物などが挙げられる。

【００２０】このときの重合条件は適宜設定することが
できるが、重合温度については、通常５０〜１５０℃の
範囲が好ましく、また、滴下時間は、ゆっくりと滴下す
るのが好ましく、例えば２時間以上、好ましくは６時間
程度以上である。さらに滴下終了後も、重合を完結させ
るために、必要によりその温度を保持しておくことが好
ましく、例えば０．５時間以上、好ましくは２時間程度
その温度を保持する。

【００２１】次に、このように重合した共重合体溶液
を、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどの良
溶媒にて適当な溶液粘度に希釈した後、メタノール、水
などの多量の貧溶媒中に滴下して析出させる。その後、
その析出物を濾別、十分に乾燥することにより本発明に
用いられるアクリル系共重合体を得ることができる。こ
の再沈工程は、場合により不要であることもあるが、重
合溶液中に残存する未反応の単量体、あるいは、重合開
始剤等を取り除くために非常に有効である。これらの未
反応物がそのまま残存しているとレジスト性能に悪影響
を及ぼす可能性があるため、できれば取り除いた方が好
ましい。

【００２２】一方、本発明のレジスト組成物中に含まれ
る（Ｂ）光酸発生剤については特に制限は無く、化学増
幅型レジスト組成物の酸発生剤として使用可能なものの
中から任意に選択することができる。具体的には、オニ
ウム塩化合物、スルホンイミド化合物、スルホン化合
物、スルホン酸エステル化合物、キノンジアジド化合物
及びジアゾメタン化合物などが挙げられる。中でもオニ
ウム塩化合物が好適であり、例えば、スルホニウム塩、
ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピ
リジニウム塩などを挙げることができる。具体例として
は、トリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェ
ニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ
フェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、（ヒド
ロキシフェニル）ベンジルメチルスルホニウムトルエン
スルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、
ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニ
ルヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ジフェ
ニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネートなどを
挙げることができる。

【００２３】本発明において、（Ｂ）光酸発生剤は単独
でまたは２種以上を混合して使用することができる。本
発明における（Ｂ）光酸発生剤の使用量は選択された光
酸発生剤の種類に便宜選定されるが、（Ａ）共重合体１
００重量部当たり、通常、０．１〜２０重量部、特に好
ましくは０．５〜１０重量部である。この場合、（Ｂ）
光酸発生剤の使用量が０．１重量部未満では、露光によ
り発生した酸の触媒作用による化学反応を十分に生起さ
せることが困難となるおそれがあり、また２０重量部を
越えると組成物を塗布する際に塗布むらが生じたり、現
像時にスカムなどを発生するおそれがある。

【００２４】さらに、本発明のレジスト組成物には、
（Ｃ）含窒素複素環化合物および／またはアミド基含有
化合物（以下、単に（Ｃ）成分ともいう。）が含まれ
る。本発明者は、（Ｃ）成分として使用し得るものとし
て、数々の塩基性物質を検討・評価したが、含窒素複素
環化合物および／またはアミド基含有化合物を用いたと
きにのみ、大きな感度低下を引き起こすこと無く、解像
度の向上および良好なレジスト形状を得ることができ
た。

【００２５】この場合、含窒素複素環化合物およびアミ
ド基含有化合物の両方が含まれていても、またどちらか
一方でもよい。その際、一種類の化合物だけではなく、
複数の化合物が混合されて含まれていてもよい。

【００２６】本発明で用いられる含窒素複素環化合物と
しては、５〜８員環の単環あるいは多環式化合物であっ
て環内に１〜３個の窒素原子を含む化合物が用いられ
る。

【００２７】このような含窒素複素環化合物としては、
イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−メチルイミダ
ゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール等のイ
ミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−メ
チルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジ
ン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、Ｎ
−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン
酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリ
ン、アクリジン等のピリジン類；ピペリジン、ビス
（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セ
バケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−
４−ピペリジル）セバケート等のピペリジン類；１，４
−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等のジアザビ
シクロオクタン類；テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−
テトラゾール、２−アミノ−テトラゾール等のテトラゾ
ール類；その他、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、
キノザリン、プリン、ピロリジン、モルホリン、４−メ
チルモルホリン、ピペラジン、１，４−ジメチルピペラ
ジン等を挙げることができる。これらの中でも、テトラ
ゾール類、ジアザビシクロオクタン類、ピペリジン類が
より好ましい。

【００２８】また、本発明で用いられるアミド基含有化
合物としては、その構造式中にアミド結合、即ち−ＮＲ
−ＣＯ−（式中、Ｒは水素または炭素数１〜２０のアル
キル基）を有する化合物が用いられる。

【００２９】このようなアミド基含有化合物としては、
ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−シクロヘキシルホルムアミド等
のホルムアミド類；アセトアミド、Ｎ−メチルアセトア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−（１−アダ
マンチル）アセトアミド等のアセトアミド類；プロピオ
ンアミド、ベンズアミド、Ｎ−アセチルエタノールアミ
ン、１−アセチル−３−メチルピペリジン等のアミド結
合が環形成員ではないその他のアミド類；ピロリドン、
Ｎ−メチルピロリドン、１−シクロヘキシル−２−ピロ
リドン、ε−カプロラクタム、δ−バレロラクタム、２
−ピロリジノン等の環状アミド類；アクリルアミド、メ
タクリルアミド、ｔ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−イソ
プロピルメタクリルアミド、メチレンビスアクリルアミ
ド、メチレンビスメタクリルアミド、Ｎ−メチロールア
クリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、Ｎ−
メトキシアクリルアミド、Ｎ−エトキシアクリルアミ
ド、Ｎ−ブトキシアクリルアミド、ジアセトンアクリル
アミド等の（メタ）アクリルアミド類を挙げることがで
きる。これらの中でも、（メタ）アクリルアミド類、ア
セトアミド類がより好ましい。

【００３０】本発明において、（Ｃ）含窒素複素環化合
物および／またはアミド基含有化合物の使用量は選択さ
れた（Ｃ）成分の種類よりに適宜選定されるが、（Ｂ）
光酸発生剤に対して、通常、０．０１〜１０モル、特に
好ましくは０．０５〜１モルである。この場合、（Ｃ）
成分の使用量が０．０１モル未満では、プロセス条件に
よっては、レジスト形状が悪化するおそれがあり、また
１０モルを越えるとレジストとしての感度や露光部の現
像性が低下する傾向がある。

【００３１】さらに本発明の化学増幅型レジスト組成物
には、必要に応じて、界面活性剤、増感剤、ハレーショ
ン防止剤、保存安定剤、消泡剤等の各種添加剤を配合す
ることもできる。

【００３２】本発明のレジスト組成物が、「溶液」の形
態であるときは、本発明のレジスト組成物は、さらに適
当な溶剤を含み、（Ａ）アクリル系共重合体、（Ｂ）光
酸発生剤および（Ｃ）含窒素複素環化合物および／また
はアミド基含有化合物が、溶解されている。

【００３３】脂環式骨格とラクトン骨格を有する共重合
体は、それらの極性が大きく異なるため、溶剤の選択の
幅は比較的狭い。従って、溶解性の観点と、さらに樹脂
の溶解性以外の理由、たとえば、塗膜の均一性、外観、
あるいは安全性等を考慮して溶剤を選択するのが好まし
い。これらの条件を満たす溶剤としては、例えば、乳酸
エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、シクロヘキサン、ジグライム等が挙げられる。

【００３４】このようにして得られたレジスト組成物
（溶液）を用いてレジストパターンを形成するには、ス
ピンコート等の公知の塗布手段により基板上に所定の厚
さに塗布し、適宜乾燥処理を行った後、所定の光源によ
り露光を行う。露光後、必要により露光後ベークを行っ
てから、アルカリ現像液により現像することにより、所
定のパターンが得られる。本発明のレジスト組成物は１
９３ｎｍに透明であるので、露光源としてＡｒＦエキシ
マレーザーを用いることが可能で、しかも高い感度、良
好なドライエッチング耐性、良好な基板への密着性を示
し、高解像度で形状の良好なレジストパターンが得られ
る。

【００３５】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。ここで「部」は、特に断りがない限り、「重量
部」を意味する。

【００３６】共重合体の物性の測定は、以下の方法を用
いて行った。

【００３７】＜重量平均分子量＞ゲル・パーミエイショ
ン・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、ポリメタク
リル酸メチル換算で求めた。溶剤には、クロロホルムを
使用した。

【００３８】＜共重合体の平均共重合組成（モル％）＞
¹Ｈ−ＮＭＲの測定により求めた。溶剤には、重クロロ
ホルムを使用した。

【００３９】また、各レジストの評価は、以下の方法を
用いて行った。

【００４０】＜感度＞シリコンウエハー上に形成したレ
ジスト膜を露光した後、直ちに露光後ベークを行い、次
いで、アルカリ現像液で現像し、水洗し、乾燥して、レ
ジストパターンを形成した。ライン・アンド・スペース
パターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）を１／１の線幅に形成する
露光量を感度として測定した。

【００４１】＜解像度＞上記露光量で露光したときに解
像されるレジストパターンの最小寸法（μｍ）を解像度
とした。

【００４２】＜レジスト形状＞Ｌ／Ｓ＝０．１５／０．
１５μｍのレジスト形状を電子顕微鏡にて観察した。パ
ターン形状に表面難溶化層の形成が見られたとき、Ｔ−
トップと評価した。

【００４３】（合成例１）窒素導入口、攪拌機、コンデ
ンサーおよび温度計を備えたフラスコに、窒素雰囲気下
で、１，４−ジオキサン２０．０部を入れ、攪拌しなが
ら湯浴の温度を８０℃に上げた。２−メタクリロイルオ
キシ−２−メチルアダマンタン（略称：ＭＡｄＭＡ）２
９．３部、β−メタクリロイルオキシ−β−メチル−δ
−バレロラクトン（略称：ＭＬＭＡ）２４．８部、１，
４−ジオキサン６２．５部、アゾビスイソブチロニトリ
ル１．９部を混合した単量体溶液を一定速度で６時間か
けて、フラスコ中に滴下し、その後、８０℃の温度を２
時間保持した。次いで、得られた反応溶液をテトラヒド
ロフランで約２倍に希釈し、約１０倍量のメタノール中
に撹拌しながら滴下し、白色の析出物（共重合体Ａ−
１）の沈殿を得た。得られた沈殿を濾別し、減圧下６０
℃で約４０時間乾燥した。

【００４４】得られた共重合体Ａ−１の重量平均分子量
は１２，０００、共重合組成比はＭＡｄＭＡ／ＭＬＭＡ
＝５１／４９モル％であった。

【００４５】（合成例２）β−メタクリロイルオキシ−
β−メチル−δ−バレロラクトン（略称：ＭＬＭＡ）２
４．８部をβ−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラク
トン（略称：ＨＧＢＭＡ）２１．２部に変更した以外
は、合成例１と同様に合成を行い、共重合体Ａ−２を得
た。

【００４６】得られた共重合体Ａ−２の重量平均分子量
は１１，０００、共重合組成比はＭＡｄＭＡ／ＨＧＢＭ
Ａ＝５０／５０モル％であった。

【００４７】（実施例１〜６及び比較例１〜４）表１に
示す各成分を混合して均一溶液としたのち、孔径０．１
μｍのメンブランフィルターでろ過し、レジスト組成物
溶液を調製した。その後、各組成物溶液をシリコンウエ
ハー上にスピンコートしたのち、ホットプレートを用い
て、１２０℃で６０秒間プリベークを行い、膜厚０．５
μｍのレジスト膜を形成した。次いで、ＡｒＦエキシマ
レーザー露光機を使用して露光した後、ホットプレート
を用いて１２０℃で６０秒間露光後ベークを行った。次
いで、２．３８重量％水酸化テトラメチルアンモニウム
水溶液を用いて室温で現像し、純水で洗浄し、乾燥し
て、レジストパターンを形成した。得られたレジストパ
ターンの評価結果を表２に示す。

【００４８】

【表１】

【００４９】

【表２】

【００５０】このように、実施例においては感度を大き
く低下させること無く、解像度が向上しており、レジス
ト形状も良好であった。一方、比較例においては、感度
低下の度合いが大きく、解像度も不足であった。レジス
ト形状は、Ｔ−トップ形状を示しており、不良であっ
た。

【００５１】

【発明の効果】本発明の化学増幅型レジスト組成物を用
いると、ＡｒＦエキシマレーザー露光において、感度が
高く、解像度が高く、レジスト形状が良好であり、高精
度の微細なレジストパターンを安定して形成することが
できる。したがって、本発明の化学増幅型レジスト組成
物は、特にＡｒＦエキシマレーザーを使用する微細加工
に好適に使用することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 脇阪 幸也 広島県大竹市御幸町20番１号 三菱レイヨ ン株式会社中央技術研究所内 (72)発明者 西田 耕二 広島県大竹市御幸町20番１号 三菱レイヨ ン株式会社中央技術研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA01 AA02 AA03 AA09 AA14 AB16 AB20 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 CB14 CB41 CC20

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）脂環式骨格を有する（メタ）アク
   リル酸エステル単量体とラクトン骨格を有する（メタ）
   アクリル酸エステル単量体とを重合して得られるアクリ
   ル系共重合体、 （Ｂ）光酸発生剤、及び （Ｃ）含窒素複素環化合物および／またはアミド基含有
   化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物。
2. 【請求項２】 前記脂環式骨格を有する（メタ）アクリ
   ル酸エステル単量体が、シクロヘキシル（メタ）アクリ
   レート、イソボルニル（メタ）アクリレート、アダマン
   チル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メ
   タ）アクリレート、ジシクロペンタジエニル（メタ）ア
   クリレート、およびこれらの単量体の脂環式環上に置換
   基を有する誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１
   種であることを特徴とする請求項１記載の化学増幅型レ
   ジスト組成物。
3. 【請求項３】 前記ラクトン骨格を有する（メタ）アク
   リル酸エステル単量体が、δ−バレロラクトン環を有す
   る（メタ）アクリレート、γ−ブチロラクトン環を有す
   る（メタ）アクリレート、およびこれらの単量体のラク
   トン環上に置換基を有する誘導体からなる群より選ばれ
   る少なくとも１種であることを特徴とする請求項１また
   は２記載の化学増幅型レジスト組成物。
4. 【請求項４】 前記含窒素複素環化合物が、テトラゾー
   ル類、ジアザビシクロオクタン類、およびピペリジン類
   からなる群より選ばれる少なくとも１種であることを特
   徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の化学増幅型レ
   ジスト組成物。
5. 【請求項５】 前記アミド基含有化合物が、（メタ）ア
   クリルアミド類、およびアセトアミド類からなる群より
   選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項
   １〜４のいずれかに記載の化学増幅型レジスト組成物。