JP2001001175A - レーザ加工装置及び加工方法 - Google Patents

レーザ加工装置及び加工方法

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JP2001001175A JP2000231041A JP2000231041A JP2001001175A JP 2001001175 A JP2001001175 A JP 2001001175A JP 2000231041 A JP2000231041 A JP 2000231041A JP 2000231041 A JP2000231041 A JP 2000231041A JP 2001001175 A JP2001001175 A JP 2001001175A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 ランニングコストの高騰を防止することがで
きるレーザ加工装置を提供する。 【解決手段】 ステージ7が加工対象物6を保持する。
レーザ発振器1から出射したレーザビームP10を、ス
テージに保持された加工対象物上に集光する。加工対象
物の集光位置に穴が開く。集光レンズ4とステージとの
間のレーザビームの光路内に、高分子材料で形成された
保護フィルム5が配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、集光レンズを用い
てレーザビームを加工対象物上に集光して加工を行うレ
ーザ加工装置及び加工方法に関し、特に加工対象物から
の飛散物が集光レンズに付着することを防止する保護部
材を有するレーザ加工装置及び加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】炭酸ガスレーザ等の赤外レーザを、集光
レンズで加工対象物上に集光し穴あけ加工を行うレーザ
加工方法が知られている。金属膜等の穴あけを行うと、
加工対象物から直径数十μm程度の金属微粒子が飛散す
る。この飛散物が集光レンズに付着することを防止する
ために、集光レンズと加工対象物との間に保護板が配置
される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】加工対象物からの飛散
物が保護板に付着すると、レーザビームの透過率が低下
してしまうため、定期的に保護板を交換しなければなら
ない。従来は、保護板の材料として、赤外領域において
高い透過係数を有するZnSeが用いられていた。この
ZnSe板は高価であるため、ランニングコストが高騰
してしまう。
【0004】本発明の目的は、ランニングコストの高騰
を防止することができるレーザ加工装置及び加工方法を
提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、レーザ発振器と、加工対象物を保持するステージ
と、前記レーザ発振器から出射したレーザビームを、前
記ステージに保持された加工対象物上に集光する集光レ
ンズと、前記集光レンズと前記ステージとの間のレーザ
ビームの光路内に配置され、高分子材料で形成された保
護フィルムとを有するレーザ加工装置が提供される。
【0006】本発明の他の観点によると、集光レンズ、
及び高分子材料からなる保護フィルムをこの順番に透過
させ、レーザビームを加工対象物上に集光し、該加工対
象物を加工するレーザ加工方法が提供される。
【0007】加工対象物から飛散した飛散物が保護フィ
ルムに衝突するため、集光レンズまで到達しない。この
ため、飛散物による集光レンズの汚れを防止することが
できる。保護フィルムが汚れた場合には、新しい保護フ
ィルムに取り替えるか、または保護フィルムを移動させ
て汚れていない領域を使用することにより、汚れによる
透過率の減少を防止することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】図1(A)に第1の実施例による
レーザ加工装置の概略図を示す。レーザ光源1が、パル
スレーザビームpl0を出射する。レーザ光源1は、例
えばTEA(Transversely Excited Atmospheric Press
ure)モードのCO2レーザ発振器である。なお、レーザ
光源1として、その他のレーザ発振器を用いてもよい。
例えば、RF−CO2レーザ発振器を用いることもでき
る。パルスレーザビームpl0は、折り返しミラー2で
反射されガルバノスキャナ3に入射する。ガルバノスキ
ャナ3は、レーザビームの光軸を二次元方向に振る。
【0009】ガルバノスキャナ3を通過したパルスレー
ザビームは、fθレンズ4により、加工対象物6の表面
に集光される。fθレンズ4は、レンズホルダ10によ
り支持されている。加工対象物6はXYステージ7の上
に載置されている。XYステージ7は、加工対象物6を
その表面に平行な二次元方向に移動させることができ
る。ガルバノスキャナ3がレーザビームの光軸を振るこ
とにより、一辺の長さが50mmの正方形の領域内の任
意の点にレーザビームを集光することができる。
【0010】加工対象物6は、例えば樹脂層と銅層とが
交互に積層された積層配線基板である。レーザビームが
加工対象物6の表面に集光されると、集光点の銅層もし
くは樹脂層に穴が開く。ガルバノスキャナ3でレーザビ
ームの光軸を振ることにより、一辺の長さが50mmの
正方形の領域内の任意の点に穴を開けることができる。
XYステージ7で加工対象物を移動させることにより、
より広い領域の任意の点に穴を開けることができる。
【0011】fθレンズ4と加工対象物6との間に、ポ
リエチレン製の厚さ約12μmの保護フィルム5が配置
されている。保護フィルム5は、繰り出しロール20か
ら繰り出され、fθレンズ4と加工対象物6との間を通
過して、巻き取りロール23に巻き取られる。巻き取り
ロール駆動装置25が、巻き取りロール23を、所定の
速度で回転させる。例えば、毎分2mmの一定の速さで
保護フィルム5を巻き取る。
【0012】繰り出しロール20及び巻き取りロール2
3は、XYステージ7を基準として、fθレンズ4の加
工対象物6側の表面よりも高い位置に配置されている。
繰り出しロール20の下方に支え棒21が配置され、巻
き取りロール23の下方に支え棒22が配置されてい
る。保護フィルム5が支え棒21と22との間に架け渡
されることにより、fθレンズ4の下方に保護フィルム
5がほぼ水平に保持され、XYステージ7から保護フィ
ルム5までの高さが規定される。
【0013】fθレンズ4で収束されたレーザビーム
は、保護フィルム5を透過して加工対象物6の表面上に
照射される。本願発明者の評価実験によると、保護フィ
ルム5の透過率は約95%であった。保護フィルム5の
透過率が80%以上であれば、レーザ加工に大きな影響
はないと考えられる。
【0014】保護フィルム5を加工対象物6に近づける
と、保護フィルム5が配置された位置におけるレーザビ
ームのビーム径が小さくなる。このため、保護フィルム
5がレーザビームの照射による損傷を受けやすくなる。
従って、保護フィルム5は、fθレンズ4に近い位置に
配置することが好ましい。例えば、加工対象物6からf
θレンズ4の表面までの高さの3/4の高さよりも高い
位置に保護フィルム5を保持することが好ましい。
【0015】銅等の金属膜に穴開けを行うと、金属の微
粒子が飛散する。この微粒子が保護フィルム5で遮られ
るため、高価なfθレンズ4に金属微粒子が付着するこ
とを防止することができる。保護フィルム5は所定の速
度で巻き取られているため、保護フィルム5に付着した
金属微粒子は、ある時間が経過するとレーザビームの光
路外に移動する。このため、保護フィルム5の透過率
を、所望の値以上に維持することができる。
【0016】樹脂層に穴開けを行うと、樹脂が気化し、
ガスが発生する。このガスがfθレンズ4の表面まで到
達すると、レンズ表面が汚染されてしまう。図1(A)
に示したように、繰り出しロール20及び巻き取りロー
ル23を、fθレンズ4の表面よりも上方に配置し、レ
ンズホルダ10の両側の側面(図1(A)において、紙
面に垂直な面)を保護フィルム5で覆うことにより、こ
の2方向からのガスの回り込みを防止することができ
る。
【0017】なお、保護フィルム5で覆われていない側
面(図1において、紙面に平行な面)を、薄板等で覆っ
てもよい。これにより、ガスの回り込み等を、より効果
的に防止することができる。
【0018】また、ポリエチレン製の保護フィルム5
は、ZnSe製の保護板に比べて安価であるため、ラン
ニングコストの低減を図ることができる。
【0019】上記実施例では、ポリエチレン製の保護フ
ィルム5を用いたが、他の高分子材料からなる保護フィ
ルムを用いてもよい。ただし、加工に用いられるレーザ
の波長域における透過率が80%以上になるような膜厚
とすることが好ましい。例えば、保護フィルムの材料と
してポリオレフィン樹脂を用いることができる。本願発
明者の実験によると、ポリプロピレンを用いた場合に比
較的高い透過率を確保することができた。
【0020】上記第1の実施例では、ロールに巻き付け
た保護フィルム5を使用したが、保護フィルム5を窓枠
のような支持部材に取り付けてもよい。この場合、保護
フィルム5を巻き取ることができないが、保護フィルム
5が汚れたら、支持部材ごと交換すればよい。
【0021】また、上記実施例では、保護フィルム5を
単層で用いた場合を説明したが、保護フィルムを複数枚
重ねてもよい。1枚の保護フィルムが破れても、他の保
護フィルムがfθレンズを保護するため、保護フィルム
の信頼性を高めることができる。
【0022】図2に、本発明の第2の実施例によるレー
ザ加工装置の概略図を示す。上記第1の実施例では、保
護フィルム5がfθレンズ4の下方にほぼ水平に保持さ
れていたが、第2の実施例では、レーザビームの光軸に
対して保護フィルム5が斜めに保持されている。その他
の構成は、図1(A)に示した第1の実施例の構成と同
様である。
【0023】保護フィルム5を斜めに配置すると、保護
フィルム5の単位面積あたりに照射されるレーザビーム
のエネルギが小さくなる。このため、保護フィルム5の
損傷を抑制することができる。
【0024】図3に、本発明の第3の実施例によるレー
ザ加工装置の概略図を示す。第3の実施例では、保護フ
ィルム5が、繰り出しロール20と巻き取りロール23
との間に自由に垂れ下げられた状態とされている。繰り
出しロール20の回転を、巻き取りロール23の回転に
同期させることにより、保護フィルム5の垂れ下がり状
態を維持しながら保護フィルム5を巻き取ることができ
る。
【0025】保護フィルム5が自由に垂れ下げられてい
るため、金属微粒子が保護フィルム5に衝突したときの
衝撃が和らげられる。なお、本発明者の評価実験による
と、保護フィルム5に張力を印加していない状態の透過
率は、ある程度の張力を印加した状態における透過率よ
りもやや大きいか、もしくはほぼ等しいことがわかっ
た。
【0026】図4に、本発明の第4の実施例によるレー
ザ加工装置の保護フィルムの斜視図を示す。繰り出しロ
ール(図示せず)から下方に繰り出された保護フィルム
5が、上方に向かって湾曲した支え棒21aで折り返さ
れる。支え棒21aで折り返された保護フィルム5は、
下方に向かって湾曲した支え棒21b及び22bの間に
架け渡され、さらに、上に向かって湾曲した支え棒22
aで折り返されて、巻き取りロール(図示せず)に巻き
取られる。
【0027】下方に向かって湾曲した支え棒21bと2
2bとの間に架け渡された部分が、fθレンズ4と加工
対象物6との間に配置される。このため、保護フィルム
5とレーザビームとの交差箇所において、保護フィルム
5の移動方向に垂直な仮想平面と、保護フィルム5との
交線が、加工対象物6側に向かって凸の曲線になる。こ
れにより、加工対象物6の加工箇所から発生したガスの
回り込みを少なくすることができる。
【0028】図5に、第5の実施例によるレーザ加工装
置の保護フィルムの斜視図を示す。図1(A)に示した
第1の実施例によるレーザ加工装置の支え棒21及び2
2の代わりに、波形の支え棒21A及び22Aが用いら
れている。このため、保護フィルム5とレーザビームと
の交差箇所において、保護フィルム5が、その進行方向
と直交する方向に波打つ。これにより、保護フィルム5
の単位面積あたりに照射されるレーザビームのエネルギ
が少なくなり、保護フィルム5の損傷を抑制することが
できる。
【0029】図6(A)及び図6(B)に、それぞれ第
6の実施例によるレーザ加工装置の保護フィルムの正面
図及び平面図を示す。図6(A)に示すように、保護フ
ィルム5が複数の支え棒30a〜30gに順番に架け渡
されている。奇数番目の支え棒30a、30c、30
e、及び30gは、偶数番目の支え棒30b、30d、
及び30fよりも下方(fθレンズ4から離れた位置)
に配置されている。また、鉛直上方から見ると、支え棒
30a〜30gは、等間隔に配置されている。保護フィ
ルム5は、奇数番目の支え棒30a、30c、30e、
及び30gの下側を通過し、偶数番目の支え棒30b、
30d、及び30fの上側を通過している。このため、
保護フィルム5が、その進行方向に波打つ。
【0030】図6(B)に示すように、両端の支え棒3
0a及び30gの各々は、保護フィルム5の幅方向に渡
された1本の棒である。内側に配置された他の支え棒3
0b〜30fは、レーザビームを遮蔽しないように、保
護フィルム5の幅方向の中央部には配置されず、保護フ
ォルム5の縁の近傍にのみ配置されている。
【0031】第6の実施例においても、第5の実施例の
場合と同様に、保護フィルム5が波打っている。このた
め、保護フィルム5の単位面積あたりに照射されるレー
ザビームのエネルギが少なくなり、保護フィルム5の損
傷を抑制することができる。
【0032】図7(A)に、本発明の第7の実施例によ
るレーザ加工装置のfθレンズ近傍の構成を示す。レン
ズホルダ10Aにfθレンズ4が保持されている。レン
ズホルダ10の、fθレンズ4よりもさらに外側(加工
対象物6側)に、保護板31が取り付けられている。保
護板31は、例えばZnSe等で形成される。fθレン
ズ4の、加工対象物6側の表面が、保護板31により、
加工対象物6の配置された空間から隔離される。
【0033】保護板31の下方に保護フィルム5が配置
されている。fθレンズ4で収束されたレーザビーム
は、保護板31及び保護フィルム5を透過して、加工対
象物6の表面に照射される。保護板31が、fθレンズ
4の表面を、加工対象物6が配置された空間から隔離し
ているため、加工によって発生したガスがfθレンズ4
の表面まで到達しない。このため、fθレンズ4の表面
の汚染を防止することができる。なお、保護板31の下
方に保護フィルム5が配置されているため、加工対象物
6から飛散した金属微粒子は保護フィルム5で遮られ
る。このため、保護フィルム5が配置されていない場合
と比較して、保護板31の交換頻度を少なくすることが
できる。
【0034】図7(B)に示すように、保護板31を配
置する代わりに、fθレンズ4の表面に他の保護フィル
ム32を密着させてもよい。保護フィルム32の材料と
して、保護フィルム5と同じポリエチレン等の高分子材
料を使用することができる。
【0035】図8に、第8の実施例によるレーザ加工装
置の概略図を示す。第2の実施例の場合と同様に、保護
フィルム5が、レーザビームの光軸に対して斜めに配置
されている。観測用光源35が、保護フィルム5の、レ
ーザビームが透過する位置に、観測用光線束36を照射
する。受光装置37が、保護フィルム5を透過した観測
用光線束36を受光する。観測用光源35として、例え
ばHeNeレーザ発振器を用いることができる。
【0036】受光装置37で、観測用光線束36の減衰
量を測定することにより、リアルタイムで保護フィルム
5の汚れの程度を知ることができる。汚れの程度が基準
値を超えると、保護フィルム5を移動させ、加工用のレ
ーザビームが、保護フィルム5の汚れの少ない領域もし
くは汚れていない領域を通過するようにする。これによ
り、加工用レーザビームのエネルギの低下を抑制するこ
とができる。また、汚れの程度に応じて、保護フィルム
5の巻き取り速度を変えてもよい。例えば、汚れがひど
くなると、保護フィルム5の移動速度を速くすることが
好ましい。
【0037】図9に、本発明の第9の実施例によるレー
ザ加工装置の保護フィルムの配置を示す。図9は、保護
フィルムを鉛直上方から見た平面配置図である。
【0038】図1(A)に示した第1の実施例によるレ
ーザ加工装置と同様に、保護フィルム5が繰り出しロー
ル20から繰り出され、fθレンズ4の下方を通って巻
き取りロール23に巻き取られる。保護フィルム5は、
図9において横方向に移動する。
【0039】さらに、他の保護フィルム45が、他の繰
り出しロール40から繰り出され、fθレンズ4の下方
を通って他の巻き取りロール41に巻き取られる。保護
フィルム45は、図9において、縦方向、すなわち保護
フィルム5の移動方向と直交する方向に移動する。fθ
レンズ4が2枚の保護フィルム5及び45により保護さ
れるため、一方の保護フィルムが損傷した場合にも、レ
ンズ保護効果を確保することができる。
【0040】また、第9の実施例においては、図1
(A)に示したレンズホルダ10の側面のほぼ全周が保
護フィルム5もしくは45で覆われることになる。この
ため、加工対象物6の加工箇所から発生したガスの回り
込み防止効果を高めることができる。
【0041】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
加工対象物からの飛散物が高分子保護フィルムで遮蔽さ
れるため、集光レンズまで到達することを防止できる。
高分子保護フィルムは安価であるため、装置のランニン
グコストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例によるレーザ加工装置の概略図、
及びその変形例による側面図である。
【図2】第2の実施例によるレーザ加工装置の概略図で
ある。
【図3】第3の実施例によるレーザ加工装置の概略図で
ある。
【図4】第4の実施例によるレーザ加工装置の概略図で
ある。
【図5】第5の実施例によるレーザ加工装置の概略図で
ある。
【図6】第6の実施例によるレーザ加工装置の概略図で
ある。
【図7】第7の実施例によるレーザ加工装置の概略図で
ある。
【図8】第8の実施例によるレーザ加工装置の概略図で
ある。
【図9】第9の実施例によるレーザ加工装置の概略図で
ある。
【符号の説明】
1 レーザ光源 2 折り返しミラー 3 ガルバノスキャナ 4 fθレンズ 5 保護フィルム 6 加工対象物 7 XYステージ 10 レンズホルダ 20、40 繰り出しロール 21、22 支え棒 23、41 巻き取りロール 25 駆動装置 26 薄板 30a〜30g 支え棒 31 保護板 32 保護フィルム 35 観測用光源 36 観測用光線束 37 受光装置 45 他の保護フィルム

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ発振器と、 加工対象物を保持するステージと、 前記レーザ発振器から出射したレーザビームを、前記ス
    テージに保持された加工対象物上に集光する集光レンズ
    と、 前記集光レンズと前記ステージとの間のレーザビームの
    光路内に配置され、高分子材料で形成された保護フィル
    ムとを有するレーザ加工装置。
  2. 【請求項2】 前記保護フィルムが、ポリオレフィンで
    形成されている請求項1に記載のレーザ加工装置。
  3. 【請求項3】 さらに、繰り出しロールと巻き取りロー
    ルとを有し、前記保護フィルムが該繰り出しロールに巻
    かれており、該繰り出しロールから繰り出された保護フ
    ィルムが、前記集光レンズと前記ステージとの間のレー
    ザビームの光路内を通過し、前記巻取りロールに巻き取
    られている請求項1または2に記載のレーザ加工装置。
  4. 【請求項4】 さらに、前記巻き取りロールを回転さ
    せ、前記保護フィルムを巻き取るロール駆動機構を有す
    る請求項3に記載のレーザ加工装置。
  5. 【請求項5】 前記保護フィルムと前記レーザビームと
    が交差する位置において、該保護フィルムが該レーザビ
    ームの光軸に対して傾いている請求項1〜4のいずれか
    に記載のレーザ加工装置。
  6. 【請求項6】 前記繰り出しロールと巻き取りロールと
    の間の保護フィルムが自由に垂れ下げられた状態とされ
    ている請求項3または4に記載のレーザ加工装置。
  7. 【請求項7】 前記保護フィルムと前記レーザビームと
    の交差箇所において、前記保護フィルムの移動方向に垂
    直な仮想平面と、該保護フィルムとの交線が、前記加工
    対象物側に向かって凸の曲線である請求項3または4に
    記載のレーザ加工装置。
  8. 【請求項8】 前記保護フィルムが、該保護フィルムと
    前記レーザビームとの交差箇所において、波打っている
    請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ加工装置。
  9. 【請求項9】 前記ステージを基準にして、前記繰り出
    しロール及び巻き取りロールが、前記集光レンズの最も
    加工対象物側の表面よりも高い位置に配置されている請
    求項3または4に記載のレーザ加工装置。
  10. 【請求項10】 さらに、前記集光レンズと前記保護フ
    ィルムとの間に配置され、前記レーザビームを透過さ
    せ、前記集光レンズの最も加工対象物側の表面を、前記
    加工対象物が配置された空間から隔離する隔離部材を有
    する請求項1〜9のいずれかに記載のレーザ加工装置。
  11. 【請求項11】 前記隔離部材が、前記集光レンズの最
    も加工対象物側の表面に密着した高分子フィルムである
    請求項10に記載のレーザ加工装置。
  12. 【請求項12】 さらに、前記保護フィルムの、前記レ
    ーザビームが透過する領域の汚れの程度を観測する観測
    装置を有する請求項1〜11のいずれかに記載のレーザ
    加工装置。
  13. 【請求項13】 集光レンズ、及び高分子材料からなる
    保護フィルムをこの順番に透過させ、レーザビームを加
    工対象物上に集光し、該加工対象物を加工するレーザ加
    工方法。
  14. 【請求項14】 さらに、前記保護フィルムを前記レー
    ザビームの光軸と交差する方向に移動させる工程を含む
    請求項13に記載のレーザ加工方法。
  15. 【請求項15】 さらに、前記保護フィルムの汚れの程
    度を観測する工程を含み、 前記保護フィルムを移動させる工程において、該保護フ
    ィルムの汚れの程度に応じて移動速度を変える請求項1
    4に記載のレーザ加工方法。
  16. 【請求項16】 前記加工対象物が、金属層と樹脂層と
    が積層された基板であり、前記加工対象物を加工する工
    程が該金属層に穴を開ける工程を含む請求項13〜15
    のいずれかに記載のレーザ加工方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006235208A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Fujitsu Ltd レンズカバー
WO2013022031A1 (ja) * 2011-08-09 2013-02-14 株式会社 アマダ レーザ加工ヘッド
WO2022190661A1 (ja) * 2021-03-09 2022-09-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 レーザ加工装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006235208A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Fujitsu Ltd レンズカバー
JP4669302B2 (ja) * 2005-02-24 2011-04-13 富士通株式会社 レンズカバー
WO2013022031A1 (ja) * 2011-08-09 2013-02-14 株式会社 アマダ レーザ加工ヘッド
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