JP2001000562A - 治療装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ビームサイズの変化を少なくし、正常組織への
照射損傷の発生を防ぐ治療装置を提供すること。 【解決手段】荷電粒子を患部に照射して治療を行なう治
療装置において、前記荷電粒子を発生させる加速器から
取り出した荷電粒子線の軌道を偏向させる偏向電磁石２
と、前記荷電粒子線の軌道上に配置され、その軌道に対
して垂直な平面における前記荷電粒子の範囲を規定する
コリメータ４と、前記荷電粒子のエネルギーを減衰させ
て前記患部の照射深さを変化させるレンジシフタ３と、
を具備し、前記加速器から前記患部に向かって、前記偏
向電磁石２、前記コリメータ４、前記レンジシフタ３の
順に配置した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高エネルギーの荷
電粒子線を用いた治療装置に関し、例えばがん患部に照
射して治療に供する荷電粒子線を用いた治療装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】放射線による癌の治療では、加速器で加
速した高エネルギーの荷電粒子(水素、ヘリウム、炭素
などのイオン)のビームを照射することが行なわれてい
る。

【０００３】図９は、従来例に係る荷電粒子線を用いた
癌の治療装置の概略構成を示す図である。図９で示した
治療装置は、荷電粒子線１、偏向電磁石２、レンジシフ
タ３、コリメータ４が配備され、治療台５に固定された
患者６の患部に荷電粒子線１を照射する構成をなしてい
る。なお、偏向電磁石２は荷電粒子を発生させる図示し
ない加速器から取り出した荷電粒子線（荷電粒子ビー
ム）の軌道を偏向させ、コリメータ４は前記荷電粒子線
の軌道上に配置され、その軌道に対して垂直な平面にお
ける前記荷電粒子の範囲を規定し、レンジシフタ３は前
記荷電粒子のエネルギーを減衰させて患部の照射深さを
変化させる。

【０００４】通常、患部の大きさは荷電粒子線１のビー
ムの太さに比べて大きいため、患部へ一様に照射を行な
うためには荷電粒子線１のビームの太さを広げるか、あ
るいは細いビームをビーム軸に対して垂直な方向に走査
し、患部の大きさに合わせてビームを分散照射する方法
が行なわれている。

【０００５】ビームをビーム軸に対して垂直な方向に走
査して照射する方法は、ピクセルスキャン照射法、ある
いはラスタースキャン照射法とも呼ばれている。この方
法では、ビーム軸に垂直な方向をＸ軸、ビーム軸とＸ軸
に垂直な方向をＹ軸とするとき、患部の寸法に合わせて
複数の照射位置を決定し、偏向電磁石２を用いてＸ軸方
向及びＹ軸方向にビームを偏向させ、患部形状に合わせ
て細いビームを走査して照射を行なう。

【０００６】また、患部の軸方向では、荷電粒子線１の
照射による損傷の影響の大きい領域がブラッグピークと
呼ばれる荷電粒子線１の停止位置近傍の薄い領域に限ら
れるため、上記ビーム軸に対して垂直な平面への照射を
行なった後にレンジシフタ３を用いて患者６に照射され
るビームエネルギーを変化させる。そして、ブラッグピ
ークを軸方向に移動させて、再度Ｘ軸方向及びＹ軸方向
にビームを偏向させ患部領域内への照射を繰り返す。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の荷
電粒子線を用いた治療装置では、上述したような照射に
おいてビーム軸方向の深さ制御を行なうためにレンジシ
フタ３をビーム軸内に置いて用いた場合、レンジシフタ
３の構成材料による荷電粒子線１の散乱によってビーム
のエミッタンスが増加し、患部に照射されるビームの太
さが大きくなり、患部に隣接する正常組織への照射損傷
が発生するという問題がある。

【０００８】本発明の目的は、ビームサイズの変化を少
なくし、正常組織への照射損傷の発生を防ぐ治療装置を
提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明の治療装置は以下の如く構成さ
れている。

【００１０】（１）本発明の治療装置は、荷電粒子を患
部に照射して治療を行なう治療装置において、前記荷電
粒子を発生させる加速器から取り出した荷電粒子線の軌
道を偏向させる偏向電磁石と、前記荷電粒子線の軌道上
に配置され、その軌道に対して垂直な平面における前記
荷電粒子の範囲を規定するコリメータと、前記荷電粒子
のエネルギーを減衰させて前記患部の照射深さを変化さ
せるレンジシフタと、を備え、前記加速器から前記患部
に向かって、前記偏向電磁石、前記コリメータ、前記レ
ンジシフタの順に配置している。

【００１１】（２）本発明の治療装置は上記（１）に記
載の装置であり、かつ前記コリメータと前記レンジシフ
タの間にブラッグピークの深さ方向の幅を拡大するリッ
ジフィルタを配置している。

【００１２】（３）本発明の治療装置は上記（２）に記
載の装置であり、かつ前記リッジフィルタ及び前記レン
ジシフタがビーム軌道方向に可動である。

【００１３】（４）本発明の治療装置は上記（１）乃至
（３）のいずれかに記載の装置であり、かつ前記加速器
の出射エネルギーを変えることにより前記荷電粒子の照
射深さを調節する （５）本発明の治療装置は上記（２）または（３）に記
載の装置であり、かつ前記加速器の出射エネルギーに変
調を加えることにより前記ブラッグピークの深さ方向の
幅を拡大する。

【００１４】（６）本発明の治療装置は上記（１）乃至
（５）のいずれかに記載の装置であり、かつ前記偏向電
磁石の荷電粒子偏向部に真空のビームダクトを配置し、
かつ前記ビームダクトにプラスチックを用いている。

【００１５】（７）本発明の治療装置は上記（１）乃至
（６）のいずれかに記載の装置であり、かつ前記偏向電
磁石に対してビーム進行方向上流側に可動のビームコリ
メータを配置している。

【００１６】（８）本発明の治療装置は上記（１）乃至
（７）のいずれかに記載の装置であり、かつボーラスを
患者固定具に固定して配備可能としている。

【００１７】（９）本発明の治療装置は上記（１）乃至
（８）のいずれかに記載の装置であり、かつ一対の前記
偏向電磁石を配置し、前記各偏向電磁石に印加する励磁
電流を正弦波とし、かつ前記各偏向電磁石へ位相を９０
度ずらした励磁電流を流す。

【００１８】上記手段を講じた結果、それぞれ以下のよ
うな作用を奏する。

【００１９】（１）本発明の治療装置によれば、荷電粒
子線に対する散乱体となるレンジシフタを患部の近傍に
配置できることになり、前記荷電粒子線が前記レンジシ
フタで散乱され、ビームが発散しても前記レンジシフタ
と前記患部との距離を短くすることができるため、前記
患部でのビームサイズを小さく維持することができる。

【００２０】（２）本発明の治療装置によれば、非常に
鋭いピークを持つブラッグピークの深さ方向の幅を拡大
するためにリッジフィルタを用いた場合に、コリメータ
とレンジシフタの間に前記リッジフィルタを配備するこ
とにより、前記リッジフィルタによって荷電粒子線の散
乱があっても患部と前記リッジフィルタとの距離を短く
することができるため、前記荷電粒子線のビームサイズ
を小さく維持することができる。

【００２１】（３）本発明の治療装置によれば、患部近
傍にレンジシフタ及びリッジシフタを配置することにな
るが、治療台への患者の乗り降りあるいは前記治療台に
乗った患者の照射位置決めの際に、前記リッジフィルタ
及び前記レンジシフタをビーム軌道方向に可動とするこ
とにより、患者あるいは治療台と前記レンジシフタとが
接触しないようビーム軸方向に患者から離して照射位置
決めを行なうことができ、荷電粒子線の照射の前に前記
リッジフィルタ及び前記レンジシフタを患者に接近させ
ることによって散乱体である前記レンジシフタ及び前記
リッジフィルタを患部に近づけることができる。これに
より、照射する荷電粒子線のビームサイズを小さく維持
することが可能になる。

【００２２】（４）本発明の治療装置によれば、レンジ
シフタの代わりに加速器の出射エネルギーを変えること
によって荷電粒子の照射深さを調節し、荷電粒子線の散
乱源となるレンジシフタとして深さ方向の照射位置の微
調整を行なうための薄いレンジシフタを用意するだけで
よいことになる。これにより、厚いレンジシフタを用い
ることなく照射深さを制御することができ、かつレンジ
シフタによる散乱の影響を小さくし、荷電粒子線のビー
ムサイズを小さく維持することが可能になる。

【００２３】（５）本発明の治療装置によれば、リッジ
フィルタの代わりに加速器の出射エネルギーに変調を加
えることにより荷電粒子のエネルギーの分散を大きく
し、ブラッグピークの深さ方向の幅を拡大することによ
ってビーム軌道上の散乱体となるリッジフィルタをなく
すことができ、患部に照射する荷電粒子線のビームサイ
ズを小さく維持することが可能になる。

【００２４】（６）本発明の治療装置によれば、荷電粒
子線と空気との散乱をなくすことができ、また加速器か
ら取り出した荷電粒子を患者に照射する際に必要となる
ビーム取り出し窓の位置を患者に近づけることができる
ことにより、前記ビーム取り出し窓による荷電粒子線の
散乱の影響を減らすことができ、患部に照射する荷電粒
子線のビームサイズを小さく維持することが可能にな
る。

【００２５】（７）本発明の治療装置によれば、偏向電
磁石のビーム進行方向上流に可動のビームコリメータを
配置したことにより、荷電粒子線のビームサイズを前記
ビームコリメータによって調節し、患部の外周における
照射を行なう荷電粒子線の照射ビームサイズを小さく維
持することが可能になる。

【００２６】（８）本発明の治療装置によれば、ボーラ
スを用いた治療の際に、前記ボーラスと患部との距離を
非常に小さくすることができ、荷電粒子線の照射ビーム
サイズを小さく維持することが可能になる。

【００２７】（９）本発明の治療装置によれば、ワブラ
ー照射法を適応でき、さらに患部の内部をワブラー照射
法によって一様照射し、患部の外周のみをピクセル照射
するという双方の照射法を用いることにより、患部近傍
の正常組織への損傷を減らすことができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を基に説明する。

【００２９】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る荷電粒子線を用いた治療装置の概
略構成を示す図である。なお、図１において図９と同一
な部分には同符号を付して説明を省略する。

【００３０】図１に示すように本治療装置では、荷電粒
子線１の進行方向にむかって、順に偏向電磁石２、コリ
メータ４、レンジシフタ３が配置されている。荷電粒子
線を用いた本治療装置の動作としては、図示しない加速
器から導かれた細い荷電粒子ビームを、偏向電磁石２に
より患者６のがん患部の形状に合わせた複数の照射位置
に合わせて予め決められた角度で偏向させる。複数の照
射位置での荷電粒子の照射中は、少なくとも１つの偏向
電磁石２への励磁電流を一定とし、予め決められた照射
量を照射する。また、レンジシフタ３を用いて深さ方向
の照射位置を変え、照射を繰り返す。

【００３１】図２は、患部への照射の例を示す図であ
る。図２の点線は患部１１の外周を示しており、Ｚ方向
は荷電粒子線１のビームの進行方向である。荷電粒子線
１の照射では、照射深さ方向に非常に鋭いピークを持つ
ブラッグピークを有するため、患部１１の深さ方向には
図２に示されるＬｎレーヤーの厚さに集中的に細胞の損
傷が起こる。また、荷電粒子線１は通常患部１１に比べ
細いビームであるため、図２のＤｎで示されるビームの
大きさとなる。患部１１全体に荷電粒子線１による損傷
を与えるためには、Ｌｎレーヤー内で複数の照射位置に
合わせて荷電粒子の照射を行なうとともに、さらに深さ
方向にも複数のレーヤーを照射する必要がある。Ｌｎレ
ーヤー内での照射位置の変更には、偏向電磁石２を用い
て荷電粒子軌道を変える。また、照射するレーヤーを変
えるためには、レンジシフタ３を用いる。

【００３２】荷電粒子線を用いた治療装置における荷電
粒子のビームの経路にレンジシフタ３などの散乱体があ
る場合は、ビームの大きさが散乱によって大きくなり、
患部１１内を均一に照射を行おうとした際に、患部１１
から外れる荷電粒子線１のビームの部分が増えて患部１
１以外の正常組織への損傷を引き起こすことになる。

【００３３】しかし本治療装置では、偏向電磁石２、コ
リメータ４、レンジシフタ３をこの順に配置したことに
よって、荷電粒子ビームに対する散乱体となるレンジシ
フタ３を患部の近傍に配置できることになり、荷電粒子
線１がレンジシフタ３で散乱され、レンジシフタ3と患
部１１との距離が短くなるため、散乱体から患部１１ま
でのビームの飛行距離を短くすることができる。これに
より、患部１１での荷電粒子線１のビームサイズを小さ
く維持することができ、患部１１以外の正常組織への損
傷を減らすことができる。

【００３４】（第２の実施の形態）図３は、本発明の第
２の実施の形態に係る荷電粒子線を用いた治療装置の概
略構成を示す図である。なお、図３において図１と同一
な部分には同符号を付してある。

【００３５】図３に示すように本治療装置では、図１に
示したコリメータ４とレンジシフタ３の間に、ブラッグ
ピークの深さ方向の幅を拡大するリッジフィルタ２１を
配置している。荷電粒子線1のブラッグピークは非常に
鋭いため、リッジフィルタ２１を用いない場合、図２に
示すレーヤーの厚さは非常に薄いものとなり、レンジシ
フタ３を用いた照射レーヤーの変更回数が非常に増えて
しまう。

【００３６】このため、リッジフィルタ２１を用いて照
射レーヤーの厚さを制御することで、レンジシフタ３の
変更回数を減らすことができる。しかしながら、リッジ
フィルタ２１は断面が階段状あるいは三角形の形状をな
すアルミニウムで作成されており、荷電粒子線１がリッ
ジフィルタ２１を通過した場合、散乱によって荷電粒子
線１のビームの太さが大きくなる。

【００３７】本治療装置では、リッジフィルタ２１をコ
リメータ４とレンジシフタ３の間に配置したことによ
り、リッジフィルタ２１と患部１１との距離を小さくす
ることができ、散乱体から患部１１までのビームの飛行
距離を短くすることができる。これにより、患部１１で
の荷電粒子線1のビームサイズを小さく維持することが
でき、患部１１以外の正常組織への損傷を減らすことが
できる。

【００３８】（第３の実施の形態）本発明の第３の実施
の形態に係る荷電粒子線を用いた治療装置の概略構成
は、図３に示したものと同一であり、さらにリッジフィ
ルタ２１及びレンジシフタ３がビーム軌道方向に可動で
ある。

【００３９】第１及び第２の実施の形態に示した構成の
荷電粒子線を用いた治療装置では、患部近傍にレンジシ
フタ3やリッジフィルタ２１を配置することになる。そ
こで本治療装置では、リッジフィルタ２１及びレンジシ
フタ３をビーム軌道方向に可動とすることにより、治療
台５への患者６の乗り降り、あるいは治療台５に乗った
患者６への照射位置決めの際に、患者６あるいは治療台
５とレンジシフタ３とが接触しないようビーム軸方向に
患者６から離し、照射位置決めを行なうことができる。

【００４０】そして、荷電粒子線１の照射の前にリッジ
フィルタ２１及びレンジシフタ3を患者６に接近させる
ことにより、散乱体であるレンジシフタ３及びリッジフ
ィルタ２１を患部に近づけることができ、患部への照射
の際に荷電粒子線１のビームサイズを小さく維持するこ
とが可能になる。

【００４１】（第４の実施の形態）図４は、本発明の第
４の実施の形態に係る荷電粒子線を用いた治療装置にお
ける図示しない加速器のビームエネルギーの変化とビー
ムの取りだし時間の一例を示した図である。

【００４２】図４に示すように、加速器におけるビーム
の出射エネルギーを変化させることにより荷電粒子の照
射深さを調節することで、荷電粒子線１の散乱源となる
レンジシフタ３として、深さ方向の照射位置を微調整す
るための薄いレンジシフタ３を用意するだけでよいこと
になる。

【００４３】これにより、厚いレンジシフタ３を用いる
ことなく照射深さを制御することができ、かつレンジシ
フタ３による散乱の影響を小さくし、荷電粒子線１のビ
ームサイズを小さく維持することが可能になる。

【００４４】（第５の実施の形態）図５は、本発明の第
５の実施の形態に係る荷電粒子線を用いた治療装置にお
ける図示しない加速器としてのシンクロトロンのビーム
エネルギーの変調動作とビームの取りだし時間の一例を
示した図である。

【００４５】シンクロトロンにおけるビームの出射エネ
ルギーの変調は、シンクロトロンの変更電磁石への励磁
エネルギーとキャビティーの共進周波数とを連動させて
行なう。荷電粒子線１のブラッグピークを広げるために
は、照射ビームのエネルギーに変調を加えることが必要
である。

【００４６】リッジフィルタ２１を用いた場合には、リ
ッジフィルタ２１の構成材料と散乱によってビームの太
さは増加する。そこで、図２に示す各照射点に照射する
ビームのエネルギーに対して図５に示すように一例とし
て鋸状に変調を加えることにより荷電粒子のエネルギー
の分散を大きくし、ブラッグピークの深さ方向の幅を拡
大する。これにより、ビーム軌道上の散乱体となるリッ
ジフィルタ２１を無くすことができ、かつ患部に照射す
る荷電粒子線１のビームサイズを小さく維持することが
可能になる。

【００４７】（第６の実施の形態）図６は、本発明の第
６の実施の形態に係る荷電粒子線を用いた治療装置の概
略構成を示す図である。なお、図６において図１と同一
な部分には同符号を付してある。

【００４８】図６に示すように本治療装置では、偏向電
磁石２の荷電粒子偏向部に真空のビームダクト２２とプ
ラスチックからなるビームダクト２３とを配置してい
る。偏向電磁石２の荷電粒子偏向部に真空のビームダク
ト２２を配置し、かつプラスチックのビームダクト２３
を使用したことにより、荷電粒子線１が飛行する間に空
気との散乱をなくすことができる。

【００４９】また、図示しない加速器から取り出した荷
電粒子を患者６に照射する際に必要となるビーム取り出
し窓２４の位置を患者６に近づけることができることに
より、ビーム取り出し窓２４による荷電粒子線１の散乱
の影響を減らすことができ、患部に照射する荷電粒子線
１のビームサイズを小さく維持することが可能になる。

【００５０】（第７の実施の形態）図７は、本発明の第
７の実施の形態に係る荷電粒子線を用いた治療装置の概
略構成を示す図である。なお、図７において図１と同一
な部分には同符号を付してある。

【００５１】図７に示すように本治療装置では、偏向電
磁石２のビーム進行方向上流に、可動のビームコリメー
タ３１と収束電磁石３２とを新たに配置している。偏向
電磁石２のビーム進行方向上流に可動のビームコリメー
タ３１を配置したことにより、荷電粒子線１のビームサ
イズをビームコリメータ３１により調節し、患部への荷
電粒子線１の照射、特に患部の外周への照射における荷
電粒子線１の照射ビームサイズを小さく維持することが
可能になる。

【００５２】さらに、図７に示すようにビームコリメー
タ３１と偏向電磁石２の間に収束電磁石３２を配置する
ことにより、ビームコリメータ３１から発散するビーム
を収束電磁石３２を用いて患部の照射位置に絞ることが
でき、患部への荷電粒子線1の照射、特に患部の外周へ
の照射における荷電粒子線１の照射ビームサイズを小さ
く維持することが可能となる。

【００５３】（第８の実施の形態）図８は、本発明の第
８の実施の形態に係る荷電粒子線を用いた治療装置の概
略構成を示す図である。なお、図８において図１と同一
な部分には同符号を付してある。

【００５４】図８に示すように本治療装置では、ボーラ
ス３３と呼ばれる患者毎に異なる形状をなす患者コリメ
ータを患者固定具３４に固定して配備している。ボーラ
ス３３を患者固定具３４に固定して配備できることによ
り、ボーラス３３を用いた治療の際に、ボーラス３３と
患部との距離を非常に小さくすることができ、荷電粒子
線１の照射ビームサイズを小さく維持することが可能に
なる。

【００５５】（第９の実施の形態）本発明の第９の実施
の形態に係る荷電粒子線を用いた治療装置は、図１に示
した治療装置において、一対の偏向電磁石２を配置し、
各偏向電磁石２に印加する励磁電流を正弦波とし、かつ
各偏向電磁石２へ位相を９０度ずらした励磁電流を流
す。

【００５６】これにより、第１の実施の形態に示した照
射装置の構成であってもワブラー照射法を適応でき、さ
らに患部の内部をワブラー照射法によって一様に照射
し、かつ患部の外周のみをピクセル照射するという双方
の照射法を用いることにより、患部近傍の正常組織への
損傷を減らすことができる。

【００５７】なお、本発明は上記各実施の形態のみに限
定されず、要旨を変更しない範囲で適時変形して実施で
きる。

【００５８】

【発明の効果】本発明の治療装置によれば、ビーム軸方
向の深さ制御を行なうためにレンジシフタを用いた場合
に、このレンジシフタによる散乱によってビームのエミ
ッタンスが増加し、患部に照射されるビームの太さが大
きくなり、患部に隣接する正常組織への照射損傷が発生
する、という問題を解消できる。

【００５９】すなわち、ピクセルスキャンあるいはラス
タースキャン照射法を用いた深さ方向の照射制御を行な
った場合でも、従来に比べビームサイズの変化を少なく
し、正常組織への過度の照射損傷を防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る荷電粒子線を
用いた治療装置の概略構成を示す図。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係る患部への照射
の例を示す図。

【図３】本発明の第２，第３の実施の形態に係る荷電粒
子線を用いた治療装置の概略構成を示す図。

【図４】本発明の第４の実施の形態に係る荷電粒子線を
用いた治療装置における加速器のビームエネルギーの変
化とビームの取りだし時間の一例を示す図。

【図５】本発明の第５の実施の形態に係る荷電粒子線を
用いた治療装置における加速器としてのシンクロトロン
のビームエネルギーの変調動作とビームの取りだし時間
の一例を示した図。

【図６】本発明の第６の実施の形態に係る荷電粒子線を
用いた治療装置の概略構成を示す図。

【図７】本発明の第７の実施の形態に係る荷電粒子線を
用いた治療装置の概略構成を示す図。

【図８】本発明の第８の実施の形態に係る荷電粒子線を
用いた治療装置の概略構成を示す図。

【図９】従来例に係る荷電粒子線を用いた癌の治療装置
の概略構成を示す図。

【符号の説明】

１…荷電粒子線 ２…偏向電磁石 ３…レンジシフタ ４…コリメータ ５…治療台 ６…患者 １１…患部 ２１…リッジフィルタ ２２…ビームダクト ２３…プラスチックのビームダクト ２４…ビーム取り出し窓 ３１…ビームコリメータ ３２…収束電磁石 ３３…ボーラス ３４…患者固定具

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 耕輔 東京都港区芝浦一丁目１番１号 株式会社 東芝本社事務所内 (72)発明者 塙 勝詞 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中工場内 Ｆターム(参考） 2G085 AA13 CA06 CA13 CA16 DA10 EA07 4C082 AA01 AC04 AE01 AG12 AG21 AG26 AN05

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】荷電粒子を患部に照射して治療を行なう治
   療装置において、 前記荷電粒子を発生させる加速器から取り出した荷電粒
   子線の軌道を偏向させる偏向電磁石と、 前記荷電粒子線の軌道上に配置され、その軌道に対して
   垂直な平面における前記荷電粒子の範囲を規定するコリ
   メータと、 前記荷電粒子のエネルギーを減衰させて前記患部の照射
   深さを変化させるレンジシフタと、を具備し、 前記加速器から前記患部に向かって、前記偏向電磁石、
   前記コリメータ、前記レンジシフタの順に配置したこと
   を特徴とする治療装置。
2. 【請求項２】前記コリメータと前記レンジシフタの間に
   ブラッグピークの深さ方向の幅を拡大するリッジフィル
   タを配置したことを特徴とする請求項１に記載の治療装
   置。
3. 【請求項３】前記リッジフィルタ及び前記レンジシフタ
   がビーム軌道方向に可動であることを特徴とする請求項
   ２に記載の治療装置。
4. 【請求項４】前記加速器の出射エネルギーを変えること
   により前記荷電粒子の照射深さを調節することを特徴と
   する請求項１乃至３のいずれかに記載の治療装置。
5. 【請求項５】前記加速器の出射エネルギーに変調を加え
   ることにより前記ブラッグピークの深さ方向の幅を拡大
   することを特徴とする請求項２または３に記載の治療装
   置。
6. 【請求項６】前記偏向電磁石の荷電粒子偏向部に真空の
   ビームダクトを配置し、かつ前記ビームダクトにプラス
   チックを用いたことを特徴とする請求項１乃至５のいず
   れかに記載の治療装置。
7. 【請求項７】前記偏向電磁石に対してビーム進行方向上
   流側に可動のビームコリメータを配置したことを特徴と
   する請求項１乃至６のいずれかに記載の治療装置。
8. 【請求項８】ボーラスを患者固定具に固定して配備可能
   としたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記
   載の治療装置。
9. 【請求項９】一対の前記偏向電磁石を配置し、前記各偏
   向電磁石に印加する励磁電流を正弦波とし、かつ前記各
   偏向電磁石へ位相を９０度ずらした励磁電流を流すこと
   を特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の治療装
   置。