JP2000516007A - ファブリ−ペロ原理に基づく光記録媒体 - Google Patents

ファブリ−ペロ原理に基づく光記録媒体

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ミン，クン，サン
フー，ヨン，ユエ
キム，ヨン，スン
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、光記録媒体の分野に関し、以下の層を含む光記録媒体を企図する：ａ）溝が付けられた透明基板（１）、該板上に重ねられた、ｂ）n,k平面において頂点7.15-i3.93、7.15-i5.85、8.96-i6.28、9.56-i5.90、及び8.14-i3.77で規定される５角形内に存在しない高い複素屈折率を有する物質からなる部分鏡を含む記録層（２）、該層上に重ねられた非液晶高分子物質及び任意的に色素を含むバッファ層（３）、該層上に重ねられた厚い反射層（４）、が一緒になってファブリ−ペロを形成し、ここで溝内のバッファ層の厚み（ｄ）は、媒体の反射が高反射状態にあるように設定される、及びその上に任意的に重ねられた、ｃ）保護塗膜層（５）。部分鏡、バッファ層、及び厚い反射層によって、ファブリ−ペロエタロンが作られる。部分鏡、バッファ層、厚い反射層、又は基板の１又は２以上の変形によって情報を書込むことができる。該変形は、ファブリ−ペロを変化あるいは壊し、反射率の減少をもたらす。書込みのために変形効果を利用するので、バッファ層に非液晶高分子物質を用いることができる。トラッキング（書込みレーザーを溝内に維持する）は、溝内と溝の外側との、部分鏡／基板の界面での反射の振幅及び/又は位相における相違を用いることによって行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】 ファブリ−ペロ原理に基づく光記録媒体 本発明は、光記録媒体、例えばコンパクトディスク（CD）及びディジタルテー プまたはカード、の分野に関し、より特には、いわゆるＷＯＲＭ媒体[ライト ワンス リード メニタイムズ（write-once-read-many-times）コンパクトディ スクまたはテープ]及び再書込み可能なコンパクトディスクおよびテープに関す る。これらのタイプの媒体は、消者による情報の書込みが可能である。 従来の読取り専用CDにおいては、情報はディスクに型押しされた（be embosse d）ピッチに記憶される。読取りは、規則的なピット−エッジ構造上における回 折に基づく。回折次数の干渉は、レーザースポットの位置に依存する。このこと は、反射光の変調をもたらし、それが情報の読取りのために利用される。従来の 読取り専用CDは、大量生産にのみ適する。なぜなら、製造工程（書込まれたディ スクを得るための）は、幾分複雑であり、従って大量生産においてのみ原価効率 が良くなるからである。よって、より少量で生産可能であるか、又は消費者自身 で書込みさえできるCD及びディジタルテープまたはカードが望まれている。欧州 特許第0,353,391号には、変形可能な表面を有するところの光透過基板、該変形 可能な表面の上に重なる光吸収層、及び該光吸収層の上に重なる光反射層を含み 、該変形可能 な表面は、光吸収層によって書込みレーザービームが吸収されると生成されるエ ネルギーによって変形可能であり、光学的に読取り可能なピットを形成する、光 記録媒体が記載されている。読取りは、ここでも回折次数の干渉に基づく。読取 りレーザーによる照射の間、光は光吸収層を進行し、光反射層により反射される 。ピット内の屈折率は、その外側（ランド）の屈折率と異なるので、ピット内の 光路長は、ランドにおけるそれと異なる。ピット内に照射されるレーザー光は、 ランドに照射されるレーザー光と干渉し、回折をもたらす。回折次数の干渉は、 読取りスポットの、正確な位置に依存する。結果として得られる反射光の変調は 、情報の読取りに利用される。 これまでに提供されているWORM媒体及び再書込み可能な媒体において、反射及 びコントラストについてさらなる改良が求められている。我々の、同時係属の国 際出願WO第96-16402号では、基板（１）、該基板には部分的に透明な薄い反射層 （２）が設けられており、該反射層には、厚み（ｄ）100〜1200nmを有する液晶 物質を含む層（３）が設けられており、該層には50％を超える反射率を有する厚 い反射層（４）が設けられている光記録媒体が記載されている。 たとえば、上述の光記録媒体と比べて、極めて薄い反射層が存在すると、液晶 物質層（３）が２つの反射層にサンドイッチされる。このようにしてファブリ− ペロエタロンが作られる。ファブリ−ペロ現象は、ディジタル記憶媒体 中の書込みされた状態と書込まれていない状態との、反射における相違を得るた めに利用される。国際出願WO第96-16402号に記載される発明により、満足の行く コントラストを得ることができるが、未だいくつかの問題が解決されなければな らない。第１に、記録層用の液晶物質が、該発明をどちらかといえば高価にする 。液晶物質はいくつかの要求（Tg、Tc、配向可能性等）を満たさなければならな いので、選択範囲が限定される。その結果、好適な液晶物質のスピンコーティン グ溶液中の溶解度について、しばしば多くの問題が残る。上述の光記録媒体の、 他の不利な点は、書込み原理が液晶物質の相変化に基づくことである。この結果 として、液晶物質が基板に施与された後に配向されなければならず、これは追加 の製造工程をもたらす。 本発明に従う光記録媒体により、上記の問題は減少され、又は総て解決さえさ れる。 本発明に従う光記録媒体は、以下の層を含む： ａ）溝が付けられた(grooved)透明基板（１）、その上に重ねられた ｂ）n,k平面において頂点7.15-i3.93、7.15-i5.85、8.96-i6.28、9.56-i5.90、 及び8.14-i3.77で規定される５角形内部に無い高い複素屈折率を有する物質から なる部分鏡（partial mirror）を含む記録層（２）、該層上に重ねられた、非液 晶高分子物質(non-liquid-crystalline high molecular weight material)及び 任意的に色素を含むバッファ層（３）、該層上に重ねられた厚い反射層（４）、 が 一緒になってファブリ−ペロを形成し、ここで溝内のバッファ層の厚み（ｄ）は 、媒体の反射が高反射状態にあるように設定される、及びその上に任意的に重ね られた、 ｃ）保護塗膜（５）。 好ましくは、記録層は、ｎ，ｋ平面において頂点1-i0、２-i0、2-i0.8、10-i2 、10-i8、及び２-i1.5で規定される６角形内部にない高い複素屈折率を有する物 質の部分鏡を含む。 部分鏡（２）により、ファブリ−ペロエタロンが作られる。情報は、部分鏡、 バッファ層、厚い反射層、又は基板の1又は2以上の変形により書込まれることが できる。変形の効果は、ファブリ−ペロエタロンを変化させ又は壊し、そして反 射率の減少が起こる。書込みのために変形効果が使用されるので、バッファ層に おいて非液晶高分子量物質を用いることができる。トラッキング（書込みレーザ ーを溝内に維持する）は、溝内と溝の外側との、部分鏡／基板の界面での反射の 振幅及び/又は位相における相違が、以降詳述するように回折をもたらすことを 用いて行われる。 便宜上、以下において、用語ＣＤは、本発明に従う総ての光記録媒体を指す。 ファブリ−ペロエタロンは、典型的には、互いにある距離で置かれた２つの平 行な反射層（ｄ）からなる。ファブリ−ペロエタロンの反射率の、具体体なバッ ファ層厚みへの依存性を図１に示す。該図は、屈折率1.58及び厚み1.2mmを有す る基板（１）、屈折率0.08-i4.60（金）及び厚み 30nmを有する部分鏡（２）、屈折率1.67を有するバッファ層（３）、および屈折 率0.08-i4.60（金）及び厚み200nmを有する厚い反射層（４）を備えたＣＤの概 略を示す。明瞭さのために、保護塗膜（５）は、図示していない。 ファブリ−ペロエタロンの反射率の、具体的なバッファ層厚みへの依存性を図 ２に示す。該図は、屈折率1.57及び厚み1.2mmを有する基板（１）、屈折率2-i4 （11nmの厚みのアルミニウム）を有する部分鏡（２）、屈折率1.50を有するバッ ファ層（３）、および屈折率2-i7.5（100nmの厚みのアルミニウム）を有する厚 い反射層（４）を備えたＣＤの概略を示す。明瞭さのために、保護塗膜（５）は 、図示していない。具体的なバッファ層の厚みはｎ．ｄ／λで規定される。 金の部分鏡については、反射率が高い。反射率は規則的な間隔で変化する。最 小の屈折率は、以降、屈折率ディップと言う。この最小値は、鏡の間を行き来す る光同志が打ち消し合うような相互作用がある場合に起こる。これは、式１の要 請が満たされる場合である。式１の要請が満たされる場合には、反射率が低い。 ψ＋（４π．ｎ．ｄ．）／λ＝２π（ｍ+1/2） （式１） ここで、ψは鏡による反射の際のレーザー光の位相シフト、ｎは書込みされてい ない状態の屈折率、 ｄはバッファ層の層厚み、 λは読取りに使用されるレーザー光の波長、 ｍは０〜５の整数、を表す。 位相シフトψはレーザー光の波長、鏡の厚み、ならびに鏡及びそれに隣接する 媒体の屈折率に依存する。本発明のＣＤにおいては、情報は溝内に書込まれるの で、厚みｄは溝の内部の厚みである。 本発明に従う記録媒体においては、レーザーの読出しスポットが溝の上部に位 置するときに、書込まれていない状態での反射率が５０％を越え、スポットがラ ンド上部にあるとき、６０％を越える反射率であるところの、ファブリ−ペロ高 反射状態であることが好ましい。なぜなら、従来からのＣＤプレーヤーはトラッ キングのために、書込まれた状態の溝からのバックグラウンド反射率約２０％を 必要とし、ＣＤ基準は６０％の書込みコントラストを課すからである。上述の複 素屈折率を満たす部分鏡物質により、ＣＤ基準に従うＣＤを作ることができるこ とが見出された。しかし、より小さいバックグラウンド反射を要求するＣＤプレ ーヤーが入手可能となれば、５０％より小さい反射率を採用することが可能にな る。高密度記録媒体については、書込みされていない状態で２０％を越える反射 率が好ましい。書込まれると、ファブリ−ペロは、部分鏡、バッファ層、厚い反 射層、もしくは基板の１又は２以上の変形により離調され又は破壊され、書込み されたいない状態の反射率の少なくとも４０％の反射率の減少をもたらす。 以下に記載されるように、反射ディップの位置は、式１により決定される。反 射ディップの幅及び深さは、部分鏡（２）の光学パラメータ（屈折率、吸収係数 、及び厚み） 及び、バッファ層（３）の吸収係数により影響される。これらの影響は、Ａｂｅ ｌｅｓにより開発され、例えばＭ．Ｂｏｒｎ、Ｅ．Ｗｏｌｆ著、プリンシプルズ オブ オプティックス 、第４版、Pergamon Press（1970年）、第５１頁に記 載されているような、等方性重層媒体中の波の伝搬についての２×２行列形式に 基づくコンピュータプログラムを用いて決定することができる。それは、屈折率 ｎs及び厚みｄsの基板、厚みｄ及び屈折率ｎuのバッファ層、及び厚みｄm及び屈 折率ｎmの厚い反射層、を有するディジタル記憶媒体において、書込みされてい ない状態で同調されたファブリ−ペロの高い反射領域の要求を満たすディジタル 記憶媒体が得られるように、いかにして誘電体の厚み及び／又はバッファ層の吸 収を適合させることができるかを計算することができる。これらの計算は、当業 者に知られ、ここでは詳細を述べる必要はない。 公知の読取り専用ＣＤでは、記録された情報は螺旋形状トラックに記憶され、 そこでは、低反射率領域（書込まれた溝領域）は、バックグラウンド反射率（書 込まれていない溝領域）が６５％より高い領域と交互に存在する。従来のＣＤに おいては、ピット長さは0.9〜3.3μｍの範囲において0.3μｍ刻みで異なる。最 長のピット（１１Ｔ信号を生成する）では反射率が、書込まれていない状態にお ける反射率の４０％未満に低下しなければならない。従来のＣＤプレーヤーにお ける読出しレーザーは波長780〜830nm、通常780±10nmを有する。読取り専用Ｃ Ｄと互換性が あるようにするために、本発明に従うＣＤは、ＣＤプレーヤー用の従来の読取り 専用レーザーを用いる場合には、書込まれていない状態で６５％の反射率を有し 、且つ最長のピットにおいて、書込まれていない状態の反射率の４０％未満の反 射率を有しなければならない。本発明は、従来の読取り専用ＣＤ（以降、ＣＤ基 準という）と互換性があるように設定できるパラメータを有するＣＤを提供する 。 本発明に従う光学媒体は、溝が付けられた基板（１）を含む。該媒体は、基板 を通して読取られる。従って、基板は読取り及び書込みに使用されるレーザーに 対して光学的に透明でなければならない。従来のＣＤプレーヤーにおいては、78 0nmのレーザー光波長が使用される。ポリカーボネート、非晶質ポリオレフィン （ＡＰＯ）、及びガラスは、この波長において光学的に透明であり、且つ十分な 熱安定性と耐湿性を有し、好適な基板である。価格、取扱いの容易性から、ポリ カーボネート基板が好ましい。さらに、ポリカーボネート基板の特性は、ＣＤ基 準内に在る。ＡＰＯもＣＤ基準内の特性を有するが、これらの基板はポリカーボ ネートより高価である。しかし、ポリカーボネートはバッファ層物質の施与のた めに通常用いられる溶剤により化学的に侵され易い。本発明に従うＣＤにより、 この問題は２つの方法で、減じられる：第１に、部分鏡が溶剤の攻撃から基板を 保護し得る。第２に、バッファ層に非液晶物質を用いるので、広範な溶剤選択の 自由度が生じる。従って、比較的穏やかな溶剤を用いることができる。よって、 本発 明に従うＣＤの場合は、難なくポリカーボネートを基板として用いることができ る。高密度ＣＤについては、基板は610〜700nmまたはそれより小さい範囲の波長 において、透明でなければならない。 上述したように、本発明に従うＣＤでは、溝が付けられた基板が使用される。 前記溝は、螺旋形状のトラックであり、それは基板にプレスされる。このトラッ クは、読み取り及び書込みの間に、レーザースポットの位置を制御するために用 いられる。部分鏡が高い屈折率を有するので、トラッキングは、溝の中と外との 、部分鏡／基板界面で反射された光の振幅及び位相における相違によって行うこ とができる。溝の幅及び深さはトラッキングに対して決定的である。通常、トラ ックの幅は0.1〜1.2μｍが採用される。トラックの深さは重要なパラメータであ り、バッファ層、及び部分鏡の厚みとの関係により選択されなければならず、通 常30〜450nmである。我々は、比較的深い溝深さ200〜250nmとバッファ層厚み230 〜260nm及びアルミニウム部分鏡6〜12nmの組み合わせ、又は、バッファ層厚み22 0nm及びケイ素部分鏡50nmの組み合わせが、反射特性を維持しつつ、最適なトラ ッキングコントラストをもたらすことを見出した。トラック深さ50〜90nmについ ても、最適なトラッキング条件が得られる。 空気／基板界面での反射によるレーザー光の損失を減少するために、基板の、 反射層で覆われていない側に耐反射構造を備えてもよい。 部分鏡（２）としては、層をレーザー光に対して、部分的に透明にするために 十分薄くすることが可能である限り、上述の屈折率の要求を満たす金属または非 金属を用いることができる。この厚みは、通常0.3〜50nmであり、約20〜80％の 透過率に対応する。種々の物質の複素屈折率がハンドブック オブ オプティカ ル コンスタント オブ ソリッド 、パート１及び２、Palik,Acc.Press編、（1 985年）に列挙されている。薄い金属フィルムは、還元された金属のような挙動 を示し、当業者は、適した材料を容易に選択することができる。上述した５角形 の内部に存在する複素屈折率を有する物質については、満足の行く反射特性とト ラッキングコントラストを有する光媒体が得られる層厚みとトラック深さとの組 み合わせを見出すことができない。好ましくは、上述した６角形の外側に複素屈 折率が存在する物質が選択される。このことは、実施例においてさらに説明され る。 金属は、通常、高い屈折率虚数部を有する。このことは、透明の環境（例えば 空気、及びポリカーボネートなど）で使用される場合に、それらは高い反射率を 示し、且つ高い吸収を示す（ｎｋの積も大きいとする）ことを意味する。μｍ当 たりの吸収αは、-2πｎｋ／λ（λはμｍ単位）と表される。従って、レーザー により書込むと、レーザー光はファブリ−ペロシステムにより反射され（トラッ キング）、且つ金属部分鏡により吸収される。吸収されたレーザー光は、熱に変 換され、部分鏡、バッファ層、厚い反射層又 は基板の１又は２以上での変形を起こす。部分鏡（２）のための好適な吸収性金 属は、アルミニウム、ニッケル、バナジウム、クロム、タンタル、鉄、ニッケル −金、ニッケル−バナジウム、ニッケル−クロム、アルミニウム−金、及び他の 合金である。ピットの結着性(integrity)を維持するために、使用される金属は 比較的低い熱伝導率を有することが好ましい。 好ましい非吸収性の物質は、例えば、金、銀、テルル、銅、又はそれらの合金 、あるいはケイ素、窒化ケイ素、ケイ素−ゲルマニウム、シリカ、ＳｉＯ、Ｓｉ Ｏ−ゲルマニウム等である。このタイプの物質は、通常屈折率の高い部分の１つ （実部または虚数部）を有する。このことは、物質が反射的であるが、ほとんど 吸収しないことを意味する。このタイプの部分鏡を有するＣＤ上にレーザーで書 込むと、レーザー光はファブリ−ペロシステムにより反射されるが、レーザー光 の吸収は主としてバッファ層で起きなければならない。従って、本発明に従うＣ Ｄにおいて、非金属部分鏡を用いる場合には、高い吸収のバッファ層を使用する ことが好ましい。特に好ましいのは、複素屈折率の低い虚数部故に、ゲルマニウ ム、ケイ素−ゲルマニウム合金、窒化ケイ素、及びケイ素、複素屈折率の低い実 数部故に、金、銅、テルル、又はそれらの合金である。部分鏡は基板上に、真空 蒸着、電子ビーム蒸着、及びスパッタリングなどの分野で通常使用される、何等 かの従来法により施与され得る。 非液晶高分子量(500〜250,000)物質であって、好適なTgを有する何等かのもの は、色素の安定なマトリクスとして働き、満足の行く精度の厚みで施与すること ができる。バッファ層の厚みは、溝内に存在する状態で、0.2μｍ〜1μｍの範囲 であってよい。該物質のＴｇは、好ましくは７０℃より高い。適した非液晶高分 子量物質の例は、ＰＭＭＡ、スチレンアクリロニトリル等のポリマー、又は、ス ルフォニルジアニリンとシアノビフェニルおよびｏ−ビフェニルのエポキシドと のガラス、ならびに、スルフォニルジアニリンとｐ−ビフェニルとのガラス等の ガラスである。バッファ層に存在する色素は、書込みレーザー光を熱に変換する 働きをし、その際、部分鏡、バッファ層、厚い反射層又は基板の１又は２以上が 変形される。金属部分鏡が使用される場合には、色素の濃度は減じられてよく、 又は色素は削除さえされてもよい。なぜなら、レーザー光は、金属部分鏡及び反 射層（４）によって吸収もされるからである。好適な色素は、使用する書込みレ ーザーの波長範囲において吸収を示さなければならない。ＣＤ基準に従うＣＤは 、７８０ｎｍレーザーで書込まれ、近赤外で吸収がある色素、７８０〜８５０ｎ ｍで吸収するもの、が使用される。例としては、アントラキノン色素：IR-750（ 商標）（日本化薬製）、スクワリリウム色素：NK-2772（商標）（日本感光色素 研究所製）、ビス−［３−（７−イソプロピル−１−メチル）−アズレン−４− イル−２−エチルプロピオン酸ｎ−ブチルエステル］スクワリン酸色素（欧州特 許第0,31 0,080号、実施例１６）、欧州特許第0,310,080号記載の色素、及びクロコニウム 色素：ST 172（商標）（Syntec製）、ST 9/3（商標）（Syntec製）、ST 9/1（商 標）（Syntec製）、フタロシアニン色素：銅（II）−1,4,8,11,15,18,22,25-オ クタブトキシ−29H,31H-フタロシアニン、亜鉛−1,4,8,11,15,18,22,25-オクタ ブトキシ−29H,31H-フタロシアニン、（Aldrich製）である。 高密度ＣＤについては、４００〜７００ｎｍの波長を吸収する色素が必要であ る。これらの色素の例は：アゾ色素：SI-361（商標）（三井東圧化学製）、アン トラキノン色素：LCD 116（商標）及びLCD 118（商標）（日本化薬製）M-137（ 商標）、M-483(商標)、M-83（商標）、及びSI-497（商標）（三井東圧化学製） 、スクワリリウム色素：ST6/2（商標）及びST5/3（商標）（Syntec製）、トリフ ェニルメタン色素：Fast Green FCF（商標）及びSolvent Blue（商標）（Aldric h製）である。 バッファ層は９０重量％までの色素を含んでよい。しかし、偏析の問題を避け るために、３０重量％までの量を用いることが好ましい。バッファ層は、該層の 安定性を向上するために、安定剤及び／又は1Ｏ2クエンチャーを含んでもよい。 バッファ層を施与するためには、高分子量物質及び任意的に色素、及び他の添加 剤を、好ましくは、適切な溶剤に溶解し、そしてスピンコートする。正確な厚み で塗膜を施与する他の従来法を用いてもよい。 上述したように、バッファ層の吸収係数は部分鏡の光学 パラメータと共に、ファブリ−ペロの反射及び吸収に影響を及ぼす。吸収係数は 、色素の濃度及び、そのバッファ層内での吸光度により決定される。このことは 、ＣＤ基準に適合する本発明に従うＣＤについてのパラメータを決めるために利 用できる。 厚い反射層は、好ましくは金属であり、例えば金、アルミニウム、銀、銅、ク ロム、ニッケル、白金等の金属、アルミニウム−チタン、銅−アルミニウム等の 合金が、バッファ層上に、例えば、化学蒸気蒸着又はスパッタリングにより重ね られたものである。この厚い層は、レーザー光に透明であってはならない。アル ミニウムは金より安価であり、５０ｎｍより厚いアルミニウム層の反射率は十分 高いので、厚い反射層としては、アルミニウム又はその合金の使用が好ましい。 従来のＣＤについては、光透過率０〜５％が好ましい。高密度ＣＤについては、 ５５％未満の透過率が好ましい。 保護層（５）は、高い衝撃強度を有する何等かの樹脂で有り得る。通常ＵＶ硬 化性樹脂が使用され、それはスピンコートにより施与され、次いで、硬化のため ＵＶ照射される。保護層に適した他の物質は、エポキシ樹脂、アクリレート樹脂 、シリコーンハードコート樹脂、及びウレタン樹脂である。保護層の厚みは重要 でなく、通常３〜３０μｍ、好ましくは５〜１５μｍである。 本発明は、さらに本発明に従う光記録媒体の製造方法を企図する。該方法は、 以下の工程を含む： ・溝が付けられた基板上に部分鏡を施与すること、 ・前記部分鏡層上にバッファ層を施与すること、 ・前記バッファ層上に厚い反射層を施与すること。 上述したように、部分鏡及び厚い反射層は、例えば、真空蒸着、電子ビーム蒸 着、又はスパッタリングにより施与することができる。バッファ層は、例えば、 スピンコーティングにより施与され得る。 この製造方法は、容易に連続工程にすることができる。従来の読取り専用ＣＤ の製造用装置を、部分鏡の施与手段及びバッファ層の施与手段を従来の製造ライ ンに挿入することによって、本発明の光記録媒体の製造用に容易に適合させるこ とができる。本発明は、本発明の光記録媒体の連続製造用の装置をも企図し、該 装置は以下を含む： ・溝が付けられた基板を運ぶ手段、 ・前記溝が付けられた基板上に部分鏡を施与する手段、 ・前記部分鏡層上にバッファ層を施与する手段、 ・前記バッファ層上に厚い反射層を施与する手段。 本発明を以下の非限定的な実施例により、さらに説明する。実施例１ コンピュータープログラムにより、反射率及びトラッキングについて以下が要 求されるときに、異なる複素反射率を有する物質について、バッファ層及び部分 鏡の層厚みの組み合わせが見出せるか計算した。書込みされていない状 態でのランドの反射率は0.65より高くなければならず、書込みされていない状態 でのトラックの反射率は0.5より高くなければならず、且つ、トラックの反射率 をランドの反射率（双方ともに書込みされていない状態の値）で除した値として 定義されるトラッキングコントラストは、0.95より小さくなければならない。n, k平面において頂点7.15+i3.93、7.15+i5.85、8.96+i6.28、9.56+i5.90、及び8.1 4+i3.77で規定される５角形内部に存在する複素屈折率を有する部分鏡の物質に ついては、反射率及びトラッキングについての要求を満たす層厚みの適切な組み 合わせは見出せなかった。これらの計算結果を図３に示し、そこでは、総てのｎ 及びｋの組み合わせについて、反射率及びトラッキングについての要求を満たす 解の合計量パーセントを示す。領域１では、何等の解も見出せなかった。該領域 は上で規定した５角形の内部である。領域２では、１０％までの解が見出された 。領域３においては、１０％から８０％までの解が見出された。領域４において は、８０％を越える解が見出された。コンピュータープログラムにより与えられ る解に従い、コンパクトディスクを設計した。実施例２ 非液晶ガラスの合成（一般的方法） ２つのアミノ基を含む化合物（ジアミン）１当量及びオキシラン基を含む化合 物（エポキシド）４当量の混合物を、１３０℃で、窒素雰囲気下、使用したジア ミンに依存して、 ５〜２０時間加熱した。２以上の異なるジアミン又はエポキシドを使用する際に は、均一な溶融物を得るために、４０重量％のクロロベンゼンを加えた。１３０ ℃で１時間後、クロロベンゼンを蒸留して除去した。該溶融物を冷却し、テトラ ヒドロフランに溶解し、約２０％（ｍ／Ｍ）の該溶液を１０倍過剰量のエタノー ル中で、沈殿させた。収率は７５〜９０％であった。実施例３ シアノビフェニルのエポキシドの合成（エポキシド１） 39.0g(0.20モル)のヒドロキシシアノビフェニル、100ml(1.25モル)のエピクロ ロヒドリン、及び0.44g(2.4ミリモル)のベンジルトリエチルアンモニウムクロラ イドの混合物を、７０℃まで加熱した。次に、100mlの水中の17g（0.42モル）の 水酸化ナトリウム溶液を、３時間で投与した。この添加に続き、７０℃でさらに １時間撹拌した。反応混合物を２０℃まで冷却し、200mlのジクロロメタンを加 えた。有機層を分離し、塩化ナトリウム溶液と水で順次洗浄した。硫酸マグネシ ウム上で乾燥して、蒸発させて濃縮した後、粗生成物を450mlのメタノールから 晶析させた。収量は38.3g(76%)であった。実施例４ ｐ−ビフェニルのエポキシドの合成（エポキシド２） シアノビフェニルのエポキシドの合成と同様の方法でｐ −ビフェニルのエポキシドの合成（エポキシド２）を行った。実施例５ 90%のエポキシド１と10%のｏ−ビフェニル（Janssen製）のエポキシドを用い て、3,3-スルフォニルジアニリン（Aldrich製）と、上述した非液晶ガラスの一 般的合成方法により、ガラス（ガラス１）を調製した。Ｔｇは99〜104℃、ＭＷ 1706(GPC)であった。実施例６ エポキシド２を用いて、3,3-スルフォニルジアニリン（Aldrich製）と、上述 した非液晶ガラスの一般的合成方法により、ガラス（ガラス２）を調製した。Ｔ ｇは84〜87℃、ＭＷ 1232(GPC)であった。実施例７ １０nm厚みの薄いアルミニウムフィルムを、深さ170nm、幅0.5μｍ、1.6μｍ のトラックピッチの、予め付けられた溝（pregroove）を有する1.2mm厚さのポリ カーボネート基板上に蒸着した。該薄いアルミニウム層の上に、ガラス１の層を 、ジアセトンアルコール溶液（10ml中0.9g）からスピンコートした。バッファ層 の厚みは250nmであった。該バッファ層の上に厚いアルミニウム層を真空蒸着し た。４０℃で真空乾燥した後、その上に、ＵＶ硬化可能なエポキシアクリレート 樹脂の保護層をスピンコートし及び硬化した。得られたＣＤを、レーザー光780 ｎｍを用いた評価装置に より、評価した。1.3m/sec、720kHz、及び8mWの記録条件で0.7mwの書込みパワー を用いて、信号／雑音比(CNR)５１dB、ランドの反射率７２％、トラックの反射 率約５０％が得られた。該ディスクはコンパクトディスクプレーヤーで、再プレ ー可能であるように見えた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ Ｙ (31)優先権主張番号 ９５／５０７０５ (32)優先日 平成７年12月15日(1995．12．15) (33)優先権主張国 韓国（ＫＲ） (31)優先権主張番号 ６０／００８，７１１ (32)優先日 平成７年12月15日(1995．12．15) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，Ｓ Ｚ，ＵＧ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ， ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，Ｇ Ｅ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ， ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，Ｐ Ｌ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 バン ビィック，フレディ，ゲルハルド, ヘンドリカス オランダ国，6814 ビーケー アーネム, アペルドールンスベーク ４ (72)発明者 マースカント，ニコ オランダ国，6852 イーエヌ ヒュイッセ ン，タス ３ (72)発明者 ミン，クン，サン 韓国，クンキ―ドー，ヨン―イン クン, 116―２ キュン―ユップ，シガイ―リー (72)発明者 フー，ヨン，ユエ 韓国，ソウル，ドン―ヤック クー，348 ―７ ダエバン―ドン (72)発明者 キム，ヨン，スン 韓国，クンキ―ドー，スンナム シティ, ブン―ダン クマ―ユル，チュンソル，セ オカン アパートメント 101―1604 【要約の続き】 ーを溝内に維持する）は、溝内と溝の外側との、部分鏡 ／基板の界面での反射の振幅及び/又は位相における相 違を用いることによって行うことができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １． ａ）溝が付けられた透明基板（１）、該板上に重ねられた、 ｂ）n,k平面において頂点7.15-i3.93、7.15-i5.85、8.96-i6.28、9.56-i5.90、 及び8.14-i3.77で規定される５角形内に存在しない高い複素屈折率を有する物質 からなる部分鏡を含む記録層（２）、該層上に重ねられた非液晶高分子物質及び 任意的に色素を含むバッファ層（３）、該層上に重ねられた厚い反射層（４）、 が一緒になってファブリ−ペロを形成し、ここで溝内のバッファ層の厚み（ｄ） は、媒体の反射が高反射状態にあるように設定される、及びその上に任意的に重 ねられた、 ｃ）保護塗膜層（５）、 を含む光記録媒体。 ２．媒体の溝内の反射率が書込まれていない状態で５０％を越え、且つ書込まれ た状態では書込まれていない状態の４０％未満であり、ならびに高密度の記録媒 体においては反射率が書込まれていない状態で２０％を越える請求項１記載の光 記録媒体。 ３．部分鏡（２）が、アルミニウム、ニッケル、バナジウム、クロム、タンタル 、又はそれらの合金を含む請求項１又は２記載の光記録媒体。 ４．部分鏡（２）が、金、銀、銅、テルル、又はそれらの合金、あるいはケイ素 、窒化ケイ素、ケイ素−ゲルマニウムを含む請求項１又は２記載の光記録媒体。 ５．基板がポリカーボネート又は非晶質ポリオレフィンから成る請求項１〜４の いずれか１つに記載の光記録媒体。 ６．バッファ層が４００〜７００ｎｍ、又は７８０〜８５０ｎｍの波長範囲で吸 収する色素を含む請求項１〜５のいずれか１つに記載の光記録媒体。 ７． 溝が付けられた基板上に部分鏡を施与する工程、 前記部分鏡層上にバッファ層を施与する工程、及び、 前記バッファ層上に厚い反射層を施与する工程、 を含む請求項１〜６のいずれか１つに記載の光記録媒体の製造方法。 ８． 溝が付けられた基板を運ぶ手段、 前記溝が付けられた基板上に部分鏡を施与する手段、 前記部分鏡層上にバッファ層を施与する手段、及び、 前記バッファ層上に厚い反射層を施与する手段、 を備えた請求項１〜６のいずれか１つに記載の光記録媒体の連続製造用装置。
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