JP2000513755A

JP2000513755A - 有機有害物質除去システム及びそのための方法

Info

Publication number: JP2000513755A
Application number: JP08535647A
Authority: JP
Inventors: ディー．フレイハウト，ジェイムズ; エイ．ボンクズィーク，ポール; ジェイ．サンギオヴァンニ，ジョセフ; エイ．ウッディー，バーナルド
Original assignee: United Technologies Corp
Current assignee: Raytheon Technologies Corp
Priority date: 1995-05-23
Filing date: 1996-04-12
Publication date: 2000-10-17
Also published as: EP0836527A1; DE69629473T2; WO1996037280A1; DE69629473D1; EP0836527B1; CA2219913A1

Abstract

(57)【要約】本発明は、室内又は車両と言った閉鎖された環境から有機有害物質を除去することに関するものである。ウインドウ又はウインドウシールドの内側面に施された光触媒性半導体コーティングは、ＵＶ光線によって照射され、その表面にある水を分解してＯＨラジカルを形成する。これらのＯＨラジカルは、上記コーティングに吸蔵された有機有害物質を酸化するようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】有機有害物質除去システム及びそのための方法技術分野本発明は、閉鎖された環境から有機有害物質を除去することに関し、より詳細には、室内や、車両や、航空機や、宇宙船や、潜水艦等の閉鎖された環境の空気から有機有害物質を除去することに関するものである。発明の背景揮発性の有機化合物としては、低分子量のガス、凝縮性の蒸気、室内でのたばこの煙、バイオ−エーロゾル等を挙げることができるが、これらの他にも１，３ −ブタジエン、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンゼン、トルエン、アセトン、メチル−エチルケトン、硫化水素、トリエチルアミン、フタレート、鉱物油、揮発性の難燃材等及び花粉や、カビの胞子も挙げることができる。これらは、通常では、有機有害物質として総称されており、多くの場合には閉鎖された環境内において快さと言った点及び健康を害する点の双方に関連するものである。従来では、フィルタや、熱触媒床等の能動的なクリーニングシステムによって、これらの有機有害物質を上記環境から除去している。これらのシステムは、しかしながら上記システムを通過させることによる圧力低下のため、又は熱的に酸化させるためのエネルギーや、許容できる温度へと、処理後にコンディショニングすること、また上記システムの寿命が有限であること等の理由により、エネルギー効率及びコスト効率が良くない。有機有害物質の処理は、特に、比較的小さな空間や制限された空間内で重要である。例えば、自動車について言えば、有機有害物質は、乗客の気分を害するものであり、ウインドウシールドを曇らせるものであり、内窓や、ウインドウシールドに形成されるブルーヘーズ(blue haze)フィルムに関連している。しかしながら、乗用車のサイズや構造にも依存するが、能動型のクリーニングシステムは、約１５，０００ドル以下の「通常の」価格範囲の多くの乗用車では現実的ではなく、又コスト効率も良くないので使用できない。閉鎖された環境から効率的及び効果的に有機有害物質を除去するシステムが、当業界において必要とされている。発明の開示本発明は、閉鎖された環境から有機有害物質を除去するための方法及びそのためのシステム並びに基体に光触媒性半導体コーティングを塗布するための方法に関するものである。そのコーティング方法は、光触媒性半導体と、水と、凝集防止剤と、分散剤と、を含んだ混合物を形成し、上記混合物から充分な量の水分を除去してゲルを形成し、上記基体を洗浄して汚染物質を除去し、上記ゲルで洗浄された上記基体に塗布を行い、上記コーティングされた基体を加熱して上記光触媒性半導体をその活性形態へと変換すること、を含んでなる。閉鎖された環境から有機有害物質を除去するシステムは、ＴｉＯ₂ コーティングを有するウインドウ又はウインドウシールドと、駆動中に上記ＴｉＯ₂コーティングを照射するために配列されたＵＶ源と、上記ＴｉＯ₂コーティングに水を供給するための手段と、を有している。本質的にＵＶ源は、上記ＴｉＯ₂コーティングを照射して、上記コーティングを活性化し、上記ＴｉＯ₂にその表面の水を分解させて、ＯＨラジカルを形成させている。上記ＯＨラジカルは、その後上記ＴｉＯ₂コーティングに吸蔵された有機有害物質を酸化させるようになっている。本発明の上記特徴及びその他の特徴、効果については、後述する詳細な説明と、図面と、によって明らかとなろう。図面の簡単な説明図１は、本発明の１実施例の切欠側面図であり、ＴｉＯ₂コーティング及びＵＶランプは、乗用車の内部から有機有害物質を除去する。図２は、本発明の別の実施例であり、室内の有機有害物質は、上記部屋の窓上のＵＶ照射されたＴｉＯ₂コーティングによって酸化されている。発明の最良の実施形態本発明は、室内や乗物の室内と言った閉鎖された空間内から有機有害物質を除去する方法及びシステムに関するものである。これらの乗物としては、乗用車や、航空機や、宇宙船や、列車や、バスや、食物輸送システム等を挙げることができる。本質的には、上記勇気有害物質が光照射された上記光触媒性半導体に接触される。上記光触媒性半導体の表面では、水分子が分解して、ＯＨラジカルを形成し、この水酸化物ラジカルは、上記有機有害物質を酸化するようになっている。上記光触媒性半導体は、そのバンド幅の範囲内の光線で活性化され、水分子を分解させて、上記有機有害物質を酸化させるＯＨラジカルを形成する。上記光触媒性半導体としては、金属酸化物を挙げることができ、具体的には、酸化スズ（ＳｎＯ₂）、二酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ₂）、三酸化タングステン（ＷＯ₃）、酸化鉛（ＰｂＯ）、鉄−チタントリオキサイド（ＦｅＴｉＯ₃）、五酸化バナジウム（Ｖ₂Ｏ₅）、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）等の他にも、硫化カドミウム（ＣｄＳ）を挙げることができる。上記光触媒性半導体は、可視光線付近で光吸収を行うようになっていることが好ましく、また、有機有害物質と言った空気中の化合物によって容易に汚染されないことが好ましい。この様な光触媒性半導体としては、ＴｉＯ₂を挙げることができるが、この理由としてはＴｉＯ₂が、廉価、安定であり、環境的に好ましく、また、汚染されずに容易に活性化できて、約４００ｎｍ未満の波長の紫外光線（ＵＶ）によって活性が再生できることにある。上記有機汚染除去システムの製造は、光半導体懸濁物を形成させ、この懸濁物によって洗浄された基体をコーティングすることによるものである。上記懸濁物は、ゾル−ゲルプロセスを可能とするタイプとすることができるし、上記基体をコーティングして、上記有機有害物質を酸化させ、耐摩耗性を付与できるような十分な膜厚の光触媒性半導体コーティングが可能ないかなる別の懸濁物であっても良い。上記ゾル−ゲルプロセスは、溶融石英と言った基体上に、コロイド状のゾルを塗布し、このコーティングからその後水分の一部を脱水してゲルを形成させ、加熱プロセスを制御しつつ焼結させて耐久性のあるセラミック材料コーティングへと変換することによっている。例えば、コロイド状ゾルの製造は、チタンテトライソプロポキシド（ＴＴＩＰ）と、硝酸又はその他の凝集防止剤と、イソプロピルアルコール又はこれ以外の分散・反応速度減少剤と、水と、からなる混合物を形成するが、この際、ＴＴＩＰを蒸留水に加え、水とアルコキシドのモル比が量論値の４倍、好ましくは１００程度過剰となるように希釈する。ｐＨ約４以下、より好ましくはｐＨ約３以下とするに十分な量の酸を用い、酸／ＴＴＩＰのモル比を特に約０．１〜約０．６とすることが好ましく、その後にこれを上記ゾルに加えて、上記チタンテトラヒドロキシド粒子の凝集を防ぐことによって、溶液からの析出を防止するようにされている。少なくとも約２体積％、より好ましくは約１０％までの少量のイソプロピルアルコール（全溶液体積に対して）を、分散剤及びＴＴＩＰと水の反応速度減少剤として添加することが好ましい。この反応速度減少剤は、上記凝集プロセスの速度を低下させている。その後、連続的に攪拌して上記粒子を分散させ、上記チタンテトラヒドロキシド粒子をプロトン化させる。上記溶液を、典型的には約６０℃から約９０℃の沸点以下に約７２時間以上加熱するが、約１２時間以上であれば典型的には十分に良好に分散したゲルを得ることができる。上記基体は、一旦清浄化された後、ディップ塗布、スピンコーティング、刷毛塗り、スプレー塗布、フローコーティング、又は同様の技術によって上記ゲルをコートする。上記基体の清浄化は、表面上にある実質的にすべての汚染物質を除去するため、すなわち、約９５％以上を除去するために必要である。汚染物質の除去は、水とアルコノックス社(Alconox，Inc.，ニューヨーク州、ニューヨーク)製の燐酸をベースとした洗剤であるアルコノックス（登録商標）(ALCONOX)、と言った洗剤、又はオイルや、グリースや、脂や、塵等を除去することができる普通の洗剤によって洗浄することによる。上記基体は、その後クロマージ(CHROMERGE:商標) といった強酸溶液中に浸漬される。上記クロマージは、モンサント社（ニューヨーク州、ニューヨーク）によって製造されているスルホクロム酸溶液(sulfochro mic solution)であり、また、これ以外にも付着した上記堆積物を除去する別の溶液であっても用いることができる。典型的には、上記基体は、上記酸性溶液中に浸漬されると、上記クリーニングプロセスを容易に行わせるように、上記付着した堆積物を溶解させるに充分な時間、典型的には２時間だけ加熱される。上記基体は、その後２度蒸留した水によってリンスされ、次いでアセトンによってリンスされ、好ましくは新たな汚染物を防止するため、真空乾燥器内で乾燥される。上記光触媒性半導体コーティングは、石英と言ったガラス、プラスチック、セラミックス、金属等種々の基体に塗布することができる。しかしながら、乗物や室内において用いる場合には、石英等のガラスやプラスチックと言った可視光線を透過させる基体にコートすることが好ましい。これらの基体は、可視光線及びＵＶ光線の双方を透過させることができるようになっていることが特に好ましい。上記可視光線及びＵＶ光線の双方を透過させる基体は、複数の機能を提供することができる。すなわち、上記光触媒性半導体のための基体と、上記乗物のウインドウ、ウインドウシール等としての機能である。この様な多様な用途は、双方とも上記有機有害物質除去手段のサイズを低減させ、自然に存在する太陽光線中のＵＶを用いることを可能とするものである。コーティングされると、上記基体を加熱して上記ゾルを脱水し、化学的及び物理的に上記コーティングを上記基体に接着させることで、好ましくは約９０％がアナターゼとされている接着性のある実質的にアナターゼ型のセラミックを得ることができる。約６０％程度のアナターゼ含有量のものも用いることができるが、効果的には劣ることになる。上記コートされた基体は、上記コーティングをアナターゼ型に変換させるに充分な温度へと十分にゆっくりとした速度で水蒸気、アルコール、これら以外の揮発性化合物の放出によって上記コーティングがクラックしたり、フレーク化したりするのを防止しつつ加熱がなされる。典型的には、上記ＴｉＯ₂は、約３００℃から約６００℃の温度でアナターゼへと変換されるが、より好ましくは約３００℃〜約５００℃であり、約３７５℃〜約４２５℃ の範囲が特に好ましい。通常では、上記ゾルを加熱するのは、約１０℃／ｍｉｎ未満の速度で行われるか、約５℃／ｍｉｎ未満の速度でも十分であるが、約３℃ ／ｍｉｎまでとするのがより好ましい。上記コーティングの所望する厚さは、上記コーティングプロセス中に調節することができ、これはコーティング位置に応じて変化させることができる。例えば、ウインドシールドにコーティングする場合には、上記コーティングを、実質的に透明として、乗用車の運転者の視界が上記コーティングによって遮られないようにすることができる。典型的には、約１μｍの厚さがウインドウやウインドウシールドについては用いられるが、約０．２５μｍ〜約３．０μｍが好適である。上記基体上のコーティングの可視光線透過性は、例えば加熱／換気ダクト中に配置されている場合には重要ではなのいで、約１０μｍまで増加させることができ、約２．０μｍ〜約５．０μｍが好適である。この場合には、上記コーティング厚は、酸化速度が因子となり、また、重量的な制限を受ける。有機有害物質の酸化に上記コーティングを施した基体を用いることは、上記光触媒性半導体を、この光触媒性半導体と同じバンド幅にある波長を有する光線で照射して、上記光触媒性半導体を活性化させることによる。例えば、上記光触媒性半導体を大気中を透過するＵＶで照射することもできるし、又は上記光触媒性触媒半導体のバンドギャップ内の波長を有するランプ、レーザ又はこれらの類似したデバイスによって照射することもできる。約２００ｎｍ以下のＵＶは、オゾンの形成を助長してしまうので、ＴｉＯ₂では約２００ｎｍ〜約４００ｎｍの波長のＵＶ波長を用いることができ、より好ましくは約２２０ｎｍ〜約３６０ｎｍの範囲、約３００ｎｍ〜約３６０ｎｍが特に好適である（図１参照）。上記ＵＶ源の効率良い使用は、上記コーティングに吸収されなかったＵＶを反射させて戻す反射デバイスを用いることによって改善される。可能な反射デバイスとしては、研磨されたアルミニウム表面や、どのようなものでも良いが鏡面等と、を挙げることができる。上記照射された光触媒性半導体コーティングと上記有機有害物質が互いに接触すると、上記有機有害物質の流れ又は別の供給源から上記光触媒性半導体上に吸収された水の分解によって、二酸化炭素と、水と、少量の副生成物と、にまで分解させるＯＨラジカルを形成する。時間が経過して、有機有害物質及びその生成物が上記光触媒性半導体表面に堆積してくると、その効率が低下する。しかしながらその再生は、上記光触媒性半導体を連続的に照射し続けるとともに、上記有機有害物質を減少させるか、又は停止させて行うことができる。再生は、また、上記光触媒性半導体を、約１００ ℃〜約５００℃へと約１．５時間加熱するか、弱酸溶液、すなわち酢酸及びその水溶液によってリンスすることのいずれか或いはその両方によって行うこともできる。図１及び図２は、代表的な実施例を示すが、本発明は、これ等に限定されるものではなく、単なる例示にすぎない。図１は、車（９）に本発明を用いた実施例を示し、太陽光線（１１）からのＵＶ光線と、ＵＶランプ（１）からのＵＶ光線が双方直接に、或いは間接的に反射面（３）の使用により、上記ウインドウシールド（５）の内側面に配置されたＴｉＯ₂コーティング（７）を照射している。上記照射されたＴｉＯ₂コーティング（７）は、有機有害物質を酸化する。これらの有機有害物質としては、上記ウインドウシールド（５）上に濃縮されたフタレート、難燃材、上張り及びダッシュボードからのオイル、上記車に換気システム又はウインドウから入ってくる外部源からの硫化水素、メチル−エチルケトン、１，３−ブタジエン、トルエン、及びアセトンを挙げることができる。図２は、室内（２１）の有機有害物質が、ウインドウ（２３）の内側面に堆積しており、上記内側面上のＴｉＯ₂コーティング（２５）によって酸化されているのを示している。ＵＶは、太陽光線（３１）のもの及びＵＶランプ（２７）からのものを用いており、これらによって、ＴｉＯ₂コーティング（２５）が、反射面（２９）と連携して活性化されていて、上記ＴｉＯ₂は、その表面上の有機有害物質を酸化している。これとは別に、有機有害物質は、また乗物内、航空機、宇宙船、潜水艦と言った閉鎖された環境からそれぞれの換気システムを用いて除去することができる。例えば、上記換気システム内のリス型ブロアのブレードと言った基体を、上記光触媒性半導体でコーティングすることができる。上記コーティングは、その後上記システム内に配置されたＵＶ源によって照射される。この様な実施例では、上記ブレードは、上記ブロアを通して空気を運動させ、上記ブレード上のコーティングは、空気中の水と、有機有害物質と、を吸収して上記照射された光触媒性半導体上において、水分子の分解により形成したＯＨラジカルで上記有機有害物質を酸化する。下記の実施例は、本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。実施例下記の実施例は、ＴｉＯ₂の１μｍのコーティングを有するガラスをコートする場合について示す。蒸留できる３口フラスコに、水２７５ｃｃと、硝酸４ｃｃを添加した。激しく攪拌しながら、ＴＴＩＰ５０ｃｃ及びイソプロピルアルコール８ｃｃを滴下ロートを用いてゆっくりと添加した。還流冷却器を用いて発生した水蒸気を捕集・還流し、得られた溶液をその後約１２時間８０℃に加熱しつつ、同時に攪拌し続けて、ゲルを発生させた。冷却したゲルをその後１時間超音波処理した。これとは別に、上記基体を水及びアルコノックス（登録商標）によって洗浄し、その後クロマージ（登録商標）スルホクロム酸溶液(sulfochromic acid)に６０℃で２時間浸漬した。その後、洗浄した基体を再蒸留した水でリンスし、その後アセトンでリンスし、真空中で１時間乾燥させた。この洗浄された基体には、上記ゲルをその後スピンコーティング法によってコートし、２℃〜３℃／ｍｉｎの速度で温度４００℃まで加熱し、１時間保持して上記ゲルの脱水を行い、薄く透過性の接着性の有るアナターゼ型のセラミックスとした。上記技術によって形成されたコーティングを、軍用標準規格(standard milita ry specification)ＭＩＬ−Ｃ−６７５Ｃと同様にして試験して、耐久性を検討した。コーティングは、接着性試験及び中程度摩耗性試験と、を満足させるものであった。本発明の効果としては、自然に存在するＵＶを用いて上記光触媒性半導体を活性化し、建物及び乗物内部から有機有害物質を除去する際に、従来のフィルタシステムに比較してエネルギー消費が低減でき、上記システムを簡単にでき、建物及び乗用車の窓／ウインドウシールを上記光触媒性半導体の基体として用いることを可能とすることを挙げることができる。本発明のコーティングは、十分な接着性を有し通常の接触（人間との接触）に対して耐えるようになっていると同時に、十分に光学的に透明であり、例えばウインドウシールドをコーティングしても上記ウインドウシールドを通過する光学的な視認性が低下しないようになっている。すなわち、コーティングの透明性にある。本発明の別な効果は、上記閉鎖された環境下における有害な太陽光線のＵＶを低減させることができることにある。上記光触媒性半導体コーティングは、上記のようなＵＶを吸収するので、上記閉鎖された空間内におけるＵＶ量は低減される。この結果、自動車等の上張り、ダッシュボード等の劣化速度が遅くなる効果が発揮される。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】平成９年８月４日（１９９７．８．４）【補正内容】請求の範囲１１．室内又は乗物から有機有害物質を除去する方法であって、この方法は、ａ．一方の側が室内又は乗物に面した表面を有する支持体であって、この支持体は、可視光線を透過させて光学的に透明であるとともに、この支持体の反対側に位置した像を前記支持体を通して前記室内又は乗物内部から明瞭に見ることができるものを与えるステップと、ｂ．可視光線透過性で、光学的に透明な光触媒性半導体で前記表面をコーティングするステップと、ｃ．前記光触媒性半導体コーティングをＵＶで照射するステップと、ｄ．前記光触媒性半導体コーティング上で水分子を分解させるステップと、ｅ．気体流から前記有機有害物質を前記光触媒性半導体コーティングへと吸収させるステップと、ｆ．前記有機有害物質を酸化するステップと、を有していることを特徴とする方法。１２．前記ＵＶは、太陽光線に含まれる自然のＵＶ源、又はＵＶランプ又はＵＶレーザによって供給されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１３．前記ＵＶは、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１４．前記ＵＶは、２２０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１５．前記ＵＶは、３００ｎｍ〜３６０ｎｍの波長であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１６．前記ＵＶは前記光触媒性半導体コーティングを照射するようにされ、かつ反射面から前記ＵＶの一部が反射されるようになっていることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１７．前記光触媒性半導体は、二酸化スズ、二酸化チタン、酸化亜鉛、硫化カドミウム、三酸化タングステン、酸化鉛、鉄−チタントリオキサイド、五酸化バナジウム、又は酸化鉄から選択されるようになっていることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１８．前記光触媒性半導体コーティングは、０．２５μｍ〜３．０μｍの厚さを有していることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１９．前記光触媒性半導体コーティングは、１．０μｍの厚さを有していることを特徴とする請求項１１に記載の方法。２０．閉鎖された環境内の気体流から有機有害物質を除去するためのシステムであって、このシステムは、ａ．一方の側が室内又は乗物に面した表面を有する支持体であって、この支持体は、可視光線を透過させて光学的に透明であるとともに、この支持体の反対側に位置した像を前記支持体を通して前記室内又は乗物内部から明瞭に見ることができるものと、ｂ．前記表面に接着し、かつ、前記環境に晒されるとともに、光学的に透明で可視光線を透過させる光触媒性半導体コーティングと、ｃ．運転中には、前記光触媒性半導体コーティングを照射するようにされたＵＶ源と、ｄ．前記光触媒性半導体コーティングに水を供給するための手段と、を有することを特徴とするシステム。２１．前記光触媒性半導体コーティングは、０．２５μｍ〜１０μｍの厚さを有していることを特徴とする請求項２０に記載のシステム。２２．前記光触媒性半導体コーティングは、０．２５μｍ〜３．０μｍの厚さを有していることを特徴とする請求項２０に記載の方法。２３．前記光触媒性半導体コーティングは、１．０μｍの厚さを有していることを特徴とする請求項２０に記載の方法。２４．前記光触媒性半導体は、二酸化スズ、二酸化チタン、酸化亜鉛、硫化カドミウム、三酸化タングステン、酸化鉛、鉄チタントリオキサイド、五酸化バナジウム、又は酸化鉄から選択されるようになっていることを特徴とする請求項２０に記載の方法。２５．前記可視光線透過性表面は、ウインドウ又はウインドウシールドであることを特徴とする請求項１１に記載の方法。２６．前記閉鎖された環境は、乗物であり、前記可視光線透過性基体は、前記ウインドウ又はウインドウシールドであることを特徴とする請求項２０に記載のシステム。２７．前記閉鎖された環境は、室内であり、前記可視光線透過基体は、窓であることを特徴とする請求項２０に記載のシステム。２８．乗用車であって、この乗用車は、ａ．取り囲まれた部分と、ｂ．前記取り囲まれた部分に面した内側面を有し、可視光線透過型で、かつ、前記取り囲まれた部分の外側に位置した像をこの取り囲まれた部分の内側から明瞭に見ることができる光学的に透明なウインドウ又はウインドウシールドと、ｃ．前記内側面に接着し、かつ光学的に透明で可視光線を透過させる光触媒性半導体コーティングと、ｄ．運転中には、前記光触媒性半導体コーティングを照射するようにされたＵＶ源と、ｅ．前記光触媒性半導体コーティングに水を供給するための手段と、を有することを特徴とするシステム。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ボンクズィーク，ポールエイ. アメリカ合衆国，コネチカット 06043, ボルトン，マウントサムナードライヴ 54 (72)発明者サンギオヴァンニ，ジョセフジェイ. アメリカ合衆国，コネチカット 06093, ウエストサフィールド，サウスストーンストリート 150 (72)発明者ウッディー，バーナルドエイ. アメリカ合衆国，コネチカット 06084, トーランド，シュガーヒルロード 279

Claims

【特許請求の範囲】１．光触媒性半導体前駆体で基体をコーティングするための方法であって、ａ．水中で前記光触媒性半導体前駆体を分散させて分散体を形成させるステップと、ｂ．前記分散体に凝集防止剤と、分散剤とを、混合するステップと、ｃ．前記混合物から充分な量の水を除去してゲルを形成させるステップと、ｄ．汚染物質の９５％以上を除去するように前記基体を洗浄するステップと、ｅ．前記ゲルで前記洗浄された基体をコーティングするステップと、ｆ．前記光触媒性半導体前駆体を光触媒性半導体の活性型に変換させるに充分な温度で前記コート基体を加熱するステップと、を含むことを特徴とする基体のコーティング方法。２．前記光触媒性半導体は、二酸化スズ、二酸化チタン、酸化亜鉛、硫化カドミウム、三酸化タングステン、酸化鉛、鉄−チタントリオキサイド、五酸化バナジウム、酸化鉄から選択されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。３．前記凝集防止剤は、酸であることを特徴とする請求項１に記載の方法。４．約ｐＨ３以下とするに足るだけの酸が，前記分散体に添加されることを特徴とする請求項３に記載の方法。５．前記水は、前記混合物から６０℃〜９０℃で１２時間〜７２時間加熱して除去されることを特徴とする請求項１に記載の方法。６．前記コート基体は、３００℃〜５００℃まで１０℃／ｍｉｎ未満の速度で昇温されることを特徴とする請求項１に記載の方法。７．前記コート基体は、５℃／ｍｉｎ以下の速度で加熱されることを特徴とする請求項６に記載の方法。８．前記コート基体は、３７５℃〜４２５℃まで３℃／ｍｉｎ以下の速度で加熱されることを特徴とする請求項１に記載の方法。９．前記基体をコーティングして０．２５μｍ〜３．０μｍの厚さのコーティングを形成させることを特徴とする請求項１に記載の方法。１０．前記基体をコーティングすることで、１．０μｍまでの厚さのコーティングを形成させることを特徴とする請求項１に記載の方法。１１．室内又は乗物から有機有害物質を除去する方法であって、この方法は、ａ．光触媒性半導体コーティングによって可視光線透過性表面をコーティングするステップと、ｂ．前記光触媒性半導体コーティングをＵＶで照射するステップと、ｃ．前記光触媒性半導体コーティング上で水分子を分解させるステップと、ｄ．気体流から前記有機有害物質を前記光触媒性半導体コーティングへと吸収させるステップと、ｅ．前記有機有害物質を酸化するステップと、を有していることを特徴とする方法。１２．前記ＵＶは、太陽光線に含まれる自然のＵＶ源、又はＵＶランプ又はＵＶレーザによって供給されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１３．前記ＵＶは、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１４．前記ＵＶは、２２０ｎｍから３６０ｎｍの波長であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１５．前記ＵＶは、３００ｎｍ〜３６０ｎｍの波長であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１６．前記ＵＶは前記光触媒性半導体コーティングを照射するようにされ、かつ反射面から前記ＵＶの一部が反射されるようになっていることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１７．前記光触媒性半導体は、二酸化スズ、二酸化チタン、酸化亜鉛、硫化カドミウム、三酸化タングステン、酸化鉛、鉄−チタントリオキサイド、五酸化バナジウム、又は酸化鉄から選択されるようになっていることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１８．前記光触媒性半導体コーティングは、０．２５μｍ〜３．０μｍの厚さを有していることを特徴とする請求項１１に記載の方法。１９．前記光触媒性半導体コーティングは、１．０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。２０．閉鎖された環境内の気体流から有機有害物質を除去するためのシステムであって、このシステムは、ａ．光触媒性半導体コーティングを有する可視光線透過性基体と、ｂ．運転中には、前記光触媒性半導体コーティングを照射するようにされたＵＶ源と、ｃ．前記光触媒性半導体コーティングに水を供給するための手段と、を有することを特徴とするシステム。２１．前記光触媒性半導体コーティングは、０．２５μｍ〜１０μｍの厚さを有していることを特徴とする請求項２０に記載のシステム。２２．前記光触媒性半導体コーティングは、０．２５μｍ〜３．０μｍの厚さを有していることを特徴とする請求項２０に記載の方法。２３．前記光触媒性半導体コーティングは、１．０μｍの厚さを有していることを特徴とする請求項２０に記載の方法。２４．前記光触媒性半導体は、二酸化スズ、二酸化チタン、酸化亜鉛、硫化カドミウム、三酸化タングステン、酸化鉛、鉄チタントリオキサイド、五酸化バナジウム、又は酸化鉄から選択されるようになっていることを特徴とする請求項２０に記載の方法。２５．空気換気システムを備えた室内又は乗物から有機有害物質を除去するための方法であって、この方法は、ａ．光触媒性半導体で基体をコーティングするステップと、ｂ．前記空気換気システム内に前記コート基体を配置するステップと、ｃ．前記光触媒性半導体コーティングにＵＶを照射するステップと、ｄ．前記光触媒性半導体コーティング上で水を分解させるステップと、ｅ．前記光触媒性半導体コーティング上に有機有害物質を吸収させるステップと、ｆ．前記有機有害物質を酸化するステップと、を有していることを特徴とする方法。２６．前記光触媒性半導体は、二酸化スズ、二酸化チタン、酸化亜鉛、硫化カドミウム、三酸化タングステン、酸化鉛、鉄−チタントリオキサイド、五酸化バナジウム、又は酸化鉄から選択されるようになっていることを特徴とする請求項２５に記載の方法。２７．前記可視光線透過性表面は、ウインドウ又はウインドウシールドであることを特徴とする請求項１１に記載の方法。２８．前記閉鎖された環境は、乗物であり、前記可視光線透過性基体は、前記ウインドウ又はウインドウシールドであることを特徴とする請求項２０に記載のシステム。２９．前記閉鎖された環境は、室内であり、前記可視光線透過基体は、窓であることを特徴とする請求項２０に記載のシステム。３０．前記洗浄は、ａ．前記基体をオイル、グリース、脂、塵を除去することができる洗剤で洗浄するステップと、ｂ．前記基体を十分な時間浸漬して、付着した堆積物を除去するステップと、ｃ．前記基体をリンスするステップと、からなる請求項１に記載の方法。３１．前記洗剤は、燐酸ベースの洗剤であることを特徴とする請求項３０に記載の方法。３２．前記基体は、水及びアセトンでリンスされることを特徴とする請求項３０に記載の方法。３３．汚染を防止するために、さらに前記基体を真空乾燥器内で乾燥させるステップを有することを特徴とする請求項３０に記載の方法。