JP2000349505A - 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機 - Google Patents

誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機

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JP2000349505A
JP2000349505A JP11154763A JP15476399A JP2000349505A JP 2000349505 A JP2000349505 A JP 2000349505A JP 11154763 A JP11154763 A JP 11154763A JP 15476399 A JP15476399 A JP 15476399A JP 2000349505 A JP2000349505 A JP 2000349505A
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dielectric
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inner conductor
dielectric filter
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基晴 広嶋
Katsuto Kuroda
克人 黒田
Kohachi Nishijima
小八 西嶋
Hideyuki Kato
英幸 加藤
Haruo Matsumoto
治男 松本
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    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H01P1/2056Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 バランを用いることなく平衡型で信号の入出
力を行えるようにした誘電体フィルタ、誘電体デュプレ
クサおよびそれらを用いた通信機を構成する。 【解決手段】 誘電体ブロック1を用い、両端開放の内
導体5cを形成した内導体形成孔2cによりλ/2共振
器を構成し、一端短絡他端開放の内導体5a,5bをそ
れぞれ形成した内導体形成孔2a,2bにより、それぞ
れλ/4共振器を構成し、これらを結合させることによ
って、λ/4共振器の一方の開放端付近に結合する端子
電極6を不平衡端子、λ/2共振器の両開放端付近に結
合する端子電極7,8を平衡端子とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は高周波帯で使用さ
れる誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびこれら
を用いた通信機に関するものである。
【0002】
【従来の技術】主としてマイクロ波帯で用いられる、誘
電体ブロックを用いた誘電体フィルタの構成を図10に
示す。同図において(B)は誘電体フィルタを立てた状
態での正面図、(A)は上面図、(C)は下面図、
(D)は左側面図、(E)は右側面図である。図10に
おいて1は誘電体ブロックであり、その内部に2a,2
b,2cで示す内導体形成孔を設けるとともに、それら
の内面に内導体5a,5b,5cを形成している。誘電
体ブロック1の外面には外導体3を形成し、所定箇所に
端子電極6,7を外導体3から絶縁状態に設けている。
端子電極6は内導体5aと容量結合し、端子電極7は内
導体5cと容量結合する。このようにして3段の共振器
からなる帯域通過特性を有する誘電体フィルタを構成し
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図10に示
したような従来の誘電体フィルタにおいては、端子電極
6,7はそれぞれ接地電位(外導体の電位)を基準電位
として不平衡型で信号の入出力を行うものであるため、
例えば平衡入力型の増幅回路などに対して信号を与える
ためには、バラン(不平衡−平衡変換器)を用いて、不
平衡型の信号を平衡型の信号に変換しなければならなか
った。その結果、回路基板上でのフィルタ回路部分の占
有面積が増大し、このことが小型化を阻む一因となって
いた。
【0004】この発明の目的は、上記バランを用いるこ
となく平衡型で信号の入出力を行えるようにした誘電体
フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれらを用いた通
信機を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、単一の誘電
体材に導体膜を形成して成る誘電体フィルタであって、
両端が開放または短絡された、所定周波数で1/2波長
共振するλ/2共振器と、一方端が短絡、他方端が開放
された、前記共振周波数と略等しい周波数で1/4波長
共振するλ/4共振器とを備え、前記λ/4共振器に結
合する端子を不平衡端子とし、前記λ/2共振器の2つ
の開放端付近にそれぞれ結合する端子を平衡端子とす
る。
【0006】また、この発明は前記λ/2共振器の誘電
体部分の誘電率を前記λ/4共振器の誘電体部分の誘電
率より高めて、λ/2共振器とλ/4共振器の共振器長
を略等しくする。
【0007】また、この発明は、前記λ/2共振器を当
該λ/2共振器の略中央で折り返した形状とする。これ
によりλ/2共振器とそれに結合するλ/4共振器を、
誘電率の均一な単一の誘電体材に設けた場合の両共振器
の軸長を揃える。
【0008】また、この発明は、前記λ/2共振器およ
び前記λ/4共振器のそれぞれをマイクロストリップ線
路またはストリップ線路で構成するか、誘電体ブロック
に導体膜を設けてなる誘電体同軸共振器で構成する。
【0009】また、この発明は、上記の構成による送信
フィルタと受信フィルタを設けて誘電体デュプレクサを
構成する。
【0010】さらに、この発明は、上記誘電体フィルタ
または誘電体デュプレクサを設けて通信機を構成する。
【0011】
【発明の実施の形態】この発明の第1の実施形態に係る
誘電体フィルタの構成を図1を参照して説明する。図1
の(A)は誘電体フィルタの平面図である。ここで1
1,12,13はそれぞれストリップライン電極であ
り、誘電体基板20の上面で互いに近接配置している。
誘電体基板20の下面には略全面のアース電極を形成し
ていて、この誘電体基板20とストリップライン電極1
1,12,13およびアース電極とによってそれぞれマ
イクロストリップ線路共振器を構成している。16はス
ルーホールであり、ストリップライン電極11,12の
それぞれの一端を下面のアース電極に電気的に接続して
いる。10,14,15はそれぞれ端子としてのストリ
ップライン電極である。ストリップライン電極10とス
トリップライン電極11の一方の端部付近との間には静
電容量C1を生じさせていて、ストリップライン電極1
4,15とストリップライン電極13のそれぞれの両端
付近との間には静電容量C2,C3を生じさせている。
また、ストリップライン電極11,12のそれぞれの開
放端とアース電極との間にはストレー容量C4,C5を
生じさせている。
【0012】ストリップライン電極11,12はそれぞ
れ一端短絡、他端開放のλ/4共振器として作用する。
またストリップライン電極13は両端開放のλ/2共振
器として作用する。したがって、このストリップライン
電極13の中央は等価的に短絡(0電位)となり、且つ
ストリップライン電極13の線路長はストリップライン
電極11,12の線路長の略2倍に等しいため、上記λ
/4共振器の共振周波数とλ/2共振器の共振周波数と
は略等しい。
【0013】図1の(B)は(A)に示した誘電体フィ
ルタの等価回路図である。ここでR1,R2は上記λ/
4共振器、R3は上記λ/2共振器である。ここで共振
器R1とR2とはコムライン結合し、共振器R2とR3
とはインターディジタル結合する。したがって、端子A
から信号が入力されると、共振器R1,R2を介して共
振器R3が励振される。共振器R3の両端の電位は位相
差180°の関係であるため、その各々の出力端子B,
Cからは、位相差180°の平衡出力が得られる。従っ
てAを不平衡入力端子、B,Cを平衡出力端子として用
いることができる。そして、この入出力間は3段の共振
器による帯域通過型フィルタ特性を持つことになる。逆
に、端子B,Cに対して平衡型で信号の入力を行うこと
により、端子Aから不平衡型で信号の出力を取り出すこ
とも可能である。
【0014】なお、図1に示した例では、上記ストレー
容量を形成してコムライン結合(誘導性結合)させるよ
うにしたが、その他に、たとえばストリップライン電極
11,12の開放端部の幅を広くして容量性結合させる
ようにしてもよい。また、上記共振器間は、コムライン
結合やインターディジタル結合以外にコンデンサ等の集
中定数素子を併用した方法で結合させてもよい。
【0015】また、図1に示した例では、スルーホール
でストリップライン電極の端部を下面のアース電極に電
気的に接続したが、誘電体基板の同一面にあるアース電
極をストリップライン電極の端部に接続するようにして
もよい。
【0016】次に、第2の実施形態に係る誘電体フィル
タの構成を図2を参照して説明する。図2は誘電体フィ
ルタの外観斜視図である。この図に示した向きで右手前
の面が回路基板に対する表面実装の際に回路基板に対向
する面となる。
【0017】図2において1は誘電体ブロックであり、
3つの内導体形成孔2a,2b,2cを設けている。内
導体形成孔2cの両端部の開口面付近を除く他の外面に
は外導体3を形成している。内導体形成孔2a,2b,
2cの内面には内導体5a,5b,5cをそれぞれ形成
していて、内導体形成孔2a,2bの一方の開口面付近
に内導体非形成部gを設けている。この構造により、内
導体5a,5bはそれぞれの一方端がアースとの間にス
トレー容量を有し、他方端が短絡された、1/4波長で
共振するλ/4共振器として作用する。また内導体5c
はその両端が開放された1/2波長で共振するλ/2共
振器として作用する。誘電体ブロック1の外面には外導
体3から分離した端子電極6,7,8をそれぞれ形成し
ている。端子電極6は、内導体5aの内導体非形成部g
付近の開放端との間でキャパシタンスを生じさせてい
る。また端子電極7,8は、内導体5cの両開放端付近
との間でそれぞれキャパシタンスを生じさせている。
【0018】図2の(B)は(A)に示した誘電体フィ
ルタの等価回路図である。ここで端子A,B,Cは端子
電極6,7,8にそれぞれ対応する。C1は内導体5a
の開放端付近と端子電極6との間に生じるキャパシタン
ス、C2,C3は内導体5cの両開放端付近と端子電極
7,8との間に生じるキャパシタンスである。Csは内
導体非形成部gに生じるキャパシタンスである。Ra,
Rbは上記λ/4共振器、Rcは上記λ/2共振器であ
る。ここで共振器RaとRbとはコムライン結合し、共
振器RbとRcとはインターディジタル結合する。した
がって、端子Aから信号が入力されると、共振器Ra,
Rbを介して共振器Rcが励振される。共振器Rcの両
端の電位は位相差180°の関係であるため、その各々
の出力端子B,Cからは、位相差180°の平衡出力が
得られる。従ってAを不平衡入力端子、B,Cを平衡出
力端子として用いることができる。この入出力間は共振
器Ra,Rb,Rcによる帯域通過型フィルタ特性を持
つことになる。逆に、端子B,Cに対して平衡型で信号
の入力を行うことにより、端子Aから不平衡型で信号の
出力を取り出すことも可能である。
【0019】図3は第3の実施形態に係る誘電体フィル
タの外観斜視図および等価回路図である。(A)に示す
ように、この例では、誘電体ブロック1に3つの内導体
形成孔2a,2b,2cを設け、これらの内導体形成孔
の内面に内導体5a,5b,5cをそれぞれ形成してい
る。また内導体形成孔2a,2bの図における上部の開
口面と内導体形成孔2cの上下の開口面を除く外面に外
導体3を形成している。内導体形成孔2a,2bの図に
おける上部の開口面には、内導体5a,5bから連続す
る結合用電極4a,4bを形成している。また誘電体ブ
ロック1の外面には外導体3から分離した端子電極6,
7,8をそれぞれ形成している。
【0020】図3の(B)において、端子A,B,Cは
端子電極6,7,8にそれぞれ対応する。C1は内導体
5aの開放端付近と端子電極6との間に生じるキャパシ
タンス、Cabは結合用電極4a−4b間に生じるキャ
パシタンスである。また、C2,C3は内導体5cの両
開放端付近と端子電極7,8との間に生じるキャパシタ
ンスである。Ra,Rb,Rcは上記内導体5a,5
b,5cによる共振器であり、共振器Ra,Rbはλ/
4共振器として作用し、キャパシタンスCabにより容
量結合する。共振器Rcの中央部は等価的に短絡端とな
るので、図に示す配置関係から、共振器Rbと共振器R
cとはインターディジタル結合する。また、共振器Rc
の線路長は1/2波長であるため、端子B,Cには18
0°の位相差をもって信号の入力または出力が行われ
る。したがって端子Aを不平衡入出力端子、端子B,C
を平衡入出力端子として用いることができ、この入出力
間は3段の共振器による帯域通過型フィルタ特性を持つ
ことになる。
【0021】図4は第4の実施形態に係る誘電体フィル
タの外観斜視図および等価回路図である。(A)に示す
ように、この例では、誘電体ブロック1に3つの内導体
形成孔2a,2b,2cを設け、これらの内導体形成孔
の内面に内導体5a,5b,5cをそれぞれ形成してい
る。また内導体形成孔2a,2bの図における上部の開
口面と内導体形成孔2cの上下の開口面を除く外面に外
導体3を形成している。内導体形成孔2a,2b,2c
の図における上部の開口面には、内導体5a,5b,5
cから連続する結合用電極4a,4b,4cを形成して
いる。また誘電体ブロック1の外面には外導体3から分
離した端子電極6,7,8をそれぞれ形成している。
【0022】上記誘電体ブロック1の1bで示す部分の
比誘電率は、1aで示す部分の比誘電率に対して約4倍
の関係としている。このような構造は、比誘電率の異な
る2種類の誘電体ブロックを一体成型するか、それぞれ
個別に成型した2つの誘電体ブロック同士を接着するこ
とによって得る。
【0023】以上に示した構造により、内導体5a,5
bによる共振器はそれぞれλ/4共振器として作用し、
内導体5cによる共振器はλ/2共振器として作用する
が、内導体を共振線路した場合の共振線路上の波長は、
上記λ/4共振器とλ/2共振器とで2対1の関係とな
って、上記λ/4共振器とλ/2共振器とは略同一の共
振周波数で共振する。
【0024】このような構造により、略直方体形状の誘
電体ブロックを用いて誘電体フィルタを構成することが
できるので、誘電体ブロックの成型金型の構造が単純と
なり、また成型時にクラックが入りにくくなる。さら
に、誘電体フィルタ製造時の誘電体ブロックの搬送や把
持が容易となり、完成された誘電体フィルタを回路基板
へ実装する際の搬送や把持も容易となる。
【0025】図4の(B)において、端子A,B,Cは
端子電極6,7,8にそれぞれ対応する。C1は内導体
5aの開放端付近と端子電極6との間に生じるキャパシ
タンス、Cabは結合用電極4a−4b間に生じるキャ
パシタンス、Cbcは結合用電極4b−4c間に生じる
キャパシタンスである。また、C2,C3は内導体5c
の両開放端付近と端子電極7,8との間に生じるキャパ
シタンスである。Ra,Rb,Rcは上記内導体5a,
5b,5cによる共振器であり、共振器Ra−Rbはキ
ャパシタンスCabにより容量結合し、共振器Rb−R
cはキャパシタンスCbcにより容量結合する。また、
共振器Rcの線路長は1/2波長であるため、端子B,
Cには180°の位相差をもって信号の入力または出力
が行われる。したがって端子Aを不平衡入出力端子、端
子B,Cを平衡入出力端子として用いることができ、こ
の入出力間は3段の共振器による帯域通過型フィルタ特
性を持つことになる。
【0026】図5は第5の実施形態に係る誘電体フィル
タの外観斜視図および等価回路図である。
【0027】(A)に示すように、誘電体ブロック1に
は2a〜2eで示す5つの内導体形成孔を設けていて、
それらの内面に内導体5a〜5eをそれぞれ形成してい
る。ただし内導体形成孔2a〜2cの一方の開口面付近
には内導体非形成部gを設けている。誘電体ブロック1
の外面六面には外導体3を形成するとともに、その一部
に外導体3から分離した端子電極6,7,8を形成して
いる。端子電極7,8は内導体5d,5eの一方の端部
から連続している。また、内導体5d,5eの他方の端
部には両者を中継する中継用電極9を形成している。
【0028】図5の(B)において、端子A,B,Cは
端子電極6,7,8にそれぞれ対応する。C1は内導体
5aの開放端付近と端子電極6との間に生じるキャパシ
タンスである。Csは内導体非形成部gに生じるキャパ
シタンスである。Ra,Rb,Rcは上記内導体5a〜
5cによるλ/4共振器、Rdeは上記内導体5d,5
eによるλ/2共振器である。ここで共振器Ra〜Rc
はコムライン結合し、共振器RcとRdeとは誘導性結
合(インターディジタル結合)する。共振器Rcの両端
の電位は位相差180°の関係であるため、Aを不平衡
入出力端子、B,Cを平衡入出力端子として用いること
ができる。
【0029】図6は第6の実施形態に係る誘電体フィル
タの外観斜視図および等価回路図である。(A)に示す
ように、誘電体ブロック1には2a〜2eで示す5つの
内導体形成孔を設けていて、それらの内面に内導体5a
〜5eをそれぞれ形成している。図5に示した例と異な
り、端子電極7,8を図における誘電体ブロックの上面
から引き出していて、中継用電極9を誘電体ブロックの
下面に形成している。その他の構造は図5に示したもの
と同様である。これにより、共振器Ra〜Rcはコムラ
イン結合し、共振器RcとRdeとも容量性結合(コム
ライン結合)する。この場合も、共振器Rcの両端の電
位は位相差180°の関係であるため、Aを不平衡入出
力端子、B,Cを平衡入出力端子として用いることがで
きる。
【0030】図7は第7の実施形態に係る誘電体フィル
タの外観斜視図および等価回路図である。(A)に示す
ように、この例では、誘電体ブロック1に5つの内導体
形成孔2a〜2eを設け、これらの内導体形成孔の内面
に内導体5a〜5eをそれぞれ形成している。また誘電
体ブロック1の図における上部の開口面を開放面として
他の五面に外導体3を形成している。内導体形成孔2
a,2b,2cの上部の開口面には、内導体5a,5
b,5cから連続する結合用電極4a,4b,4cを形
成している。また誘電体ブロック1の外面には外導体3
から分離した端子電極6,7,8をそれぞれ形成してい
る。端子電極7,8は内導体5d,5eの一方の端部か
ら連続している。また、内導体5d,5eの他方の端部
には両者を中継する中継用電極9を形成している。
【0031】図7の(B)において、端子A,B,Cは
端子電極6,7,8にそれぞれ対応する。C1は内導体
5aの開放端付近と端子電極6との間に生じるキャパシ
タンス、Cabは結合用電極4a−4b間に生じるキャ
パシタンス、Cbcは結合用電極4b−4c間に生じる
キャパシタンスである。Ra,Rb,Rcは上記内導体
5a,5b,5cによるλ/4共振器であり、共振器R
a−RbはキャパシタンスCabにより容量結合し、共
振器Rb−RcはキャパシタンスCbcにより容量結合
する。Rdeは上記内導体5d,5eによるλ/2共振
器であり、共振器RcとRdeとはインターディジタル
結合する。共振器Rcの両端の電位は位相差180°の
関係であるため、Aを不平衡入出力端子、B,Cを平衡
入出力端子として用いることができる。
【0032】図8は第8の実施形態に係る誘電体デュプ
レクサの外観斜視図である。ここで17,18は内導体
形成孔2h,2i内面の内導体の一方の端部から連続す
る端子電極、19は他方の端部同士を中継する中継用電
極である。また端子電極6は内導体形成孔2a,2f内
面の内導体の開放端付近との間にキャパシタンスを生じ
させている。この誘電体デュプレクサは、図5に示した
構造の誘電体フィルタを単一の誘電体ブロック1に2組
設けるとともに、1つの端子電極を共用したものと等価
である。すなわち内導体形成孔2a〜2eによる部分
で、図5に示した誘電体フィルタを構成し、内導体形成
孔2f〜2iで示す部分で、2つのλ/4共振器および
1つのλ/2共振器からなる、もう一方の誘電体フィル
タを構成している。
【0033】これにより、例えば端子電極7,8を受信
信号出力ポート、端子電極17,18を送信信号入力ポ
ート、端子電極6をアンテナポートとする誘電体デュプ
レクサとして作用する。
【0034】なお、第2〜第8の実施形態で示した誘電
体フィルタおよび誘電体デュプレクサでは、単一の誘電
体ブロックを用いて同軸共振器を構成することによって
誘電体フィルタまたは誘電体デュプレクサを構成した
が、予め溝を形成した誘電体基板に内導体を形成したも
の同士を接合することによって、同軸共振器による誘電
体フィルタまたは誘電体デュプレクサを構成してもよ
い。
【0035】次に、上記誘電体フィルタまたは誘電体デ
ュプレクサを用いた通信機の構成を図9を参照して説明
する。同図においてANTは送受信アンテナ、DPXは
デュプレクサ、BPFa,BPFb,BPFcはそれぞ
れ帯域通過フィルタ、AMPa,AMPbはそれぞれ増
幅回路、MIXa,MIXbはそれぞれミキサ、OSC
はオシレータ、DIVは分周器(シンセサイザー)であ
る。MIXaはDIVから出力される周波数信号を変調
信号で変調し、BPFaは送信周波数の帯域のみを通過
させ、AMPaはこれを電力増幅してDPXを介しAN
Tより送信する。BPFbはDPXから出力される信号
のうち受信周波数帯域のみを通過させ、AMPbはそれ
を増幅する。MIXbはBPFcより出力される周波数
信号と受信信号とをミキシングして中間周波信号IFを
出力する。
【0036】図9に示した増幅回路AMPa,AMPb
が平衡入出力型回路である場合、デュプレクサDPX部
分は図8に示した構造のデュプレクサを用いることがで
きる。また帯域通過フィルタBPFa,BPFbは図1
〜図7に示した構造の誘電体フィルタを用いることがで
きる。このように、専用のバランを設けることなく、フ
ィルタリングと同時に平衡−不平衡の変換を行うことが
できるので、全体に小型の通信装置を構成することがで
きる。
【0037】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、不平衡
端子と平衡端子とを用いて伝送モードの変換を行うとと
もに、所定周波数帯域の通過または減衰を行わせること
ができる。
【0038】請求項2に記載の発明によれば、たとえば
誘電体ブロックを用いて、λ/2共振器とλ/4共振器
を構成した場合に、誘電体ブロックに段差部が生じない
ため、クラック等が生じることもなく、その把持も容易
となる。その結果、製造が容易となる。また、電子機器
内への組立時の部品のハンドリングも容易となる。
【0039】請求項3に記載の発明によれば、λ/2共
振器とそれに結合するλ/4共振器を、誘電率の均一な
単一の誘電体材に設けた場合の両共振器の軸長を揃える
ことができる。
【0040】請求項4に記載の発明によれば、信号を平
衡入出力する回路と不平衡入出力する回路とともにフィ
ルタを備えた回路をバランを設けることなく、誘電体基
板上に容易に構成することができる。
【0041】請求項5に記載の発明によれば、同軸共振
器による誘電体フィルタでありながら、その誘電体フィ
ルタを回路基板上などに実装するだけで、信号を平衡入
出力する回路と不平衡入出力する回路とともにフィルタ
を備えた回路を、バランを設けることなく構成すること
ができる。
【0042】請求項6に記載の発明によれば、不平衡端
子と平衡端子とを用いて伝送モードの変換を行うととも
に、送信信号の出力または受信信号の入力を行わせるこ
とができる。
【0043】請求項7に記載の発明によれば、小型軽量
の通信機を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係る誘電体フィルタの平面図
および等価回路図
【図2】第2の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図および等価回路図
【図3】第3の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図および等価回路図
【図4】第4の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図および等価回路図
【図5】第5の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図および等価回路図
【図6】第6の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図および等価回路図
【図7】第7の実施形態に係る誘電体フィルタの外観斜
視図および等価回路図
【図8】第8の実施形態に係る誘電体デュプレクサの外
観斜視図
【図9】第9の実施形態に係る通信機の構成を示すブロ
ック図
【図10】従来の誘電体フィルタの投影図
【符号の説明】
1−誘電体ブロック 2−内導体形成孔 3−外導体 4−結合用電極 5−内導体 6,7,8,17,18−端子電極 9,19−中継用電極 10,14,15−ストリップライン電極(端子) 11,12,13−ストリップライン電極(マイクロス
トリップ線路共振器) 16−スルーホール 20−誘電体基板 g−内導体非形成部
フロントページの続き (72)発明者 西嶋 小八 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 加藤 英幸 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 松本 治男 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 5J006 HA04 HA11 HA15 HA17 HA19 HA25 HA27 HA33 HB03 HB12 HB22 JA01 KA01 LA07 LA21 LA24 LA25 NA04 NA08 NB07 NC02 NC03 NF03 PB04

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 単一の誘電体材に導体膜を形成して成る
    誘電体フィルタであって、両端が開放または短絡され
    た、所定周波数で1/2波長共振するλ/2共振器と、
    一方端が短絡、他方端が開放された、前記共振周波数と
    略等しい周波数で1/4波長共振するλ/4共振器とを
    備え、前記λ/4共振器に結合する端子を不平衡端子と
    し、前記λ/2共振器の2つの開放端付近にそれぞれ結
    合する端子を平衡端子としたことを特徴とする誘電体フ
    ィルタ。
  2. 【請求項2】 前記λ/2共振器の誘電体部分の誘電率
    を前記λ/4共振器の誘電体部分の誘電率より高めて、
    λ/2共振器とλ/4共振器の共振器長を略等しくした
    ことを特徴とする請求項1に記載の誘電体フィルタ。
  3. 【請求項3】 前記λ/2共振器を当該λ/2共振器の
    略中央で折り返した形状にしたことを特徴とする請求項
    1に記載の誘電体フィルタ。
  4. 【請求項4】 前記λ/2共振器および前記λ/4共振
    器のそれぞれを、マイクロストリップ線路またはストリ
    ップ線路で構成したことを特徴とする請求項1、2また
    は3に記載の誘電体フィルタ。
  5. 【請求項5】 前記λ/2共振器および前記λ/4共振
    器のそれぞれを誘電体ブロックに導体膜を設けて成る誘
    電体同軸共振器で構成したことを特徴とする請求項1、
    2または3に記載の誘電体フィルタ。
  6. 【請求項6】 請求項1〜5のうちいずれかに記載の誘
    電体フィルタを備えた誘電体デュプレクサ。
  7. 【請求項7】 請求項1〜5のうちいずれかに記載の誘
    電体フィルタまたは請求項6に記載の誘電体デュプレク
    サを用いた通信機。
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