JP2000349110A - Bump sheet, and method and device for forming bump using the same - Google Patents
Bump sheet, and method and device for forming bump using the sameInfo
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- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプシートとこ
れを用いたバンプ形成装置及びバンプ形成方法に係わ
り、特に、短時間に多くの半田を転写可能にしたバンプ
バンプシートとこれを用いたバンプ形成装置及びバンプ
形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bump sheet, a bump forming apparatus and a bump forming method using the same, and more particularly, to a bump bump sheet capable of transferring a large amount of solder in a short time and a bump using the same. The present invention relates to a forming apparatus and a bump forming method.
【0002】[0002]
【従来の技術】フリップチップ用のLSIに半田バンプ
を形成する方法としては、一括処理が可能な蒸着法、メ
ッキ法、半田ペースト印刷法及びLSI個別に処理され
る半田ボール搭載法が良く知られている。2. Description of the Related Art Well-known methods for forming solder bumps on a flip-chip LSI include a vapor deposition method, a plating method, a solder paste printing method, and a solder ball mounting method that can be processed individually for the LSI. ing.
【0003】高歩留まり、及び、高信頼性を得るため、
半田バンプの高さは均一、且つ、できるだけ高いことが
望まれる。蒸着法、メッキ法などは設備投資、そしてウ
エハ一括処理であるため不良部分へ半田を供給する為の
無駄があり、コストが見合わない。又、ボール搭載法
は、信頼性の要求に応えることが可能であるが、微小ボ
ールを配列、転写することが難しく、生産能力が劣る。
また、これまでのバンプ形成方法では、バンプを溶融整
形する手段はリフロー炉によるものが多いが、不活性雰
囲気による対流と遠赤外線(IR)併用の一般的なリフ
ロー炉では加熱、昇温に時間がかかりフラックスが炭化
し、洗浄性が低下するため残渣が問題となる。これらの
理由から、予め用意された半田を転写し、短時間で加熱
してバンプ形成する技術が求められれている。In order to obtain high yield and high reliability,
It is desired that the height of the solder bumps be uniform and as high as possible. Since the vapor deposition method, the plating method, and the like are equipment investments and batch processing of wafers, there is waste in supplying solder to defective portions, and the cost cannot be justified. Although the ball mounting method can meet the demand for reliability, it is difficult to arrange and transfer minute balls, and the production capacity is poor.
Further, in the conventional bump forming method, the means for melting and shaping the bumps is often a reflow furnace. , And the flux is carbonized, and the cleaning property is lowered, so that residue becomes a problem. For these reasons, there is a need for a technique of transferring a prepared solder and heating it in a short time to form a bump.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、短時間に多くの半
田を転写可能にする新規なバンプシートとこれを用いた
バンプ形成装置及びバンプ形成方法を提供するものであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to improve the above-mentioned drawbacks of the prior art, and in particular, to provide a novel bump sheet and a bump forming apparatus using the same, which enable a large amount of solder to be transferred in a short time. And a method for forming a bump.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention basically employs the following technical configuration to achieve the above object.
【0006】即ち、本発明に係わるバンプシートの第1
態様は、バンプシートと半導体チップとを位置合わせ
し、前記バンプシート上に固定された半田を前記半導体
チップに転写するためのバンプシートであって、前記バ
ンプシートを短冊状又はテープ状に形成すると共に、前
記転写する半田群を囲むようにスリットが設けられてい
ることを特徴とするものであり、叉、第2態様は、前記
スリットは、直線状に形成されていることを特徴とする
ものであり、叉、第3態様は、前記スリットは、L字状
に形成されていることを特徴とするものであり、叉、第
4態様は、バンプシートと半導体チップとを位置合わせ
し、前記バンプシート上に固定された半田を前記半導体
チップに転写するためのバンプシートであって、前記バ
ンプシート上に樹脂層が設けられ、この樹脂層上に銅の
薄膜が形成され、この銅の薄膜上に転写用の半田を固定
せしめたことを特徴とするものであり、叉、第5態様
は、バンプシートと半導体チップとを位置合わせし、前
記バンプシート上に固定された半田を前記半導体チップ
に転写するためのバンプシートであって、前記バンプシ
ート上には、半田からなる直径の小なる径小部と、直径
の大なる径大部とからなる半田が固定され、前記径大部
を径小部を介して前記バンプシート上に固定せしめたこ
とを特徴とするものであり、叉、第6態様は、バンプシ
ートと半導体チップとを位置合わせし、前記バンプシー
ト上に固定された半田を前記半導体チップに転写するた
めのバンプシートであって、前記バンプシートに凹部が
形成され、この凹部を覆うように、この凹部上に半田を
固定せしめたことを特徴とするものである。[0006] That is, the first of the bump sheet according to the present invention.
An aspect is a bump sheet for aligning a bump sheet and a semiconductor chip and transferring solder fixed on the bump sheet to the semiconductor chip, wherein the bump sheet is formed in a strip shape or a tape shape. In addition, a slit is provided so as to surround the solder group to be transferred, and a second aspect is characterized in that the slit is formed in a linear shape. In a third aspect, the slit is formed in an L-shape, and in a fourth aspect, a bump sheet and a semiconductor chip are aligned with each other. A bump sheet for transferring solder fixed on the bump sheet to the semiconductor chip, wherein a resin layer is provided on the bump sheet, and a copper thin film is formed on the resin layer; A solder for transfer is fixed on a copper thin film, and a fifth aspect is that a bump sheet and a semiconductor chip are aligned, and the solder fixed on the bump sheet is removed. A bump sheet for transferring to the semiconductor chip, on the bump sheet, a solder having a small diameter portion having a small diameter made of solder and a large diameter portion having a large diameter are fixed. A large part is fixed on the bump sheet via a small diameter part. In a sixth aspect, the bump sheet and the semiconductor chip are aligned and fixed on the bump sheet. A bump sheet for transferring the applied solder to the semiconductor chip, wherein a recess is formed in the bump sheet, and the solder is fixed on the recess so as to cover the recess. is there
【0007】又、本発明に係わるバンプ形成装置の第1
態様は、バンプシートと半導体チップとを位置合わせ
し、前記バンプシート上に固定された半田を前記半導体
チップに転写するためのバンプ形成装置であって、前記
バンプシートを載置し固定するバンプシート固定装置
と、前記バンプシート固定装置の上部に設けられ、前記
位置合わせした半導体チップを固定するチップ固定装置
と、前記半導体チップを所定の温度まで加熱する加熱装
置と、前記チップ固定装置の半導体チップと前記バンプ
シート固定装置上のバンプシートの半田とを接触せしめ
る可動制御装置とで構成したことを特徴とするものであ
り、叉、第2態様は、前記バンプシート固定装置上のバ
ンプシートを所定の温度まで加熱する加熱装置が設けら
れていることを特徴とするものであり、叉、第3態様
は、前記バンプシートをスペーサで固定すると共に、こ
のスペーサで前記バンプシート固定装置とチップ固定装
置との間隔を所定の距離に保持せしめることを特徴とす
るものであり、叉、第4態様は、前記チップ固定装置の
半導体チップと前記バンプシート固定装置上のバンプシ
ートの半田との接触時間を制御する時間制御装置を備え
たことを特徴とするものである。Further, the first aspect of the bump forming apparatus according to the present invention is as follows.
An aspect is a bump forming apparatus for aligning a bump sheet and a semiconductor chip and transferring solder fixed on the bump sheet to the semiconductor chip, wherein the bump sheet mounts and fixes the bump sheet. A fixing device, a chip fixing device provided above the bump sheet fixing device and fixing the aligned semiconductor chip, a heating device for heating the semiconductor chip to a predetermined temperature, and a semiconductor chip of the chip fixing device And a movable control device for bringing the solder of the bump sheet on the bump sheet fixing device into contact with the bump sheet fixing device. And a heating device for heating the bump sheet to a temperature of The present invention is characterized in that the bumper is fixed by a spacer and the spacer is used to maintain a predetermined distance between the bump sheet fixing device and the chip fixing device. A time control device for controlling a contact time between the chip and the solder of the bump sheet on the bump sheet fixing device is provided.
【0008】又、本発明に係わるバンプ形成方法の第1
態様は、バンプシートと半導体チップとを位置合わせ
し、前記バンプシート上に固定された半田を前記半導体
チップに転写するためのバンプ形成方法であって、バン
プシート固定装置上に前記バンプシートを位置決めし固
定する第1の工程と、前記バンプシート固定装置の上部
に設けられたチップ固定装置に半導体チップを位置決め
し固定する第2の工程と、前記半導体チップと前記バン
プシート上の半田とを接触させ、前記半導体チップを所
定の温度に加熱することで、前記バンプシート上の半田
を球状にすると共に、前記半導体チップに前記球状にし
た半田を転写せしめる第3の工程と、を含むことを特徴
とするものであり、叉、第2態様は、バンプシートと半
導体チップとを位置合わせし、前記バンプシート上に固
定された半田を前記半導体チップに転写するためのバン
プ形成方法であって、バンプシート固定装置上に前記バ
ンプシートを位置決めし固定する第1の工程と、前記バ
ンプシート固定装置の上部に設けられたチップ固定装置
に半導体チップを位置決めし固定すると共に、前記半導
体チップを所定の温度に加熱する第2の工程と、前記半
導体チップと前記バンプシート上の半田とを接触させ、
前記バンプシート上の半田を球状にすると共に、前記半
導体チップに前記球状にした半田を転写せしめる第3の
工程と、を含むことを特徴とするものであり、叉、第3
態様は、前記第1の工程では、バンプシートは、半田が
溶融しない温度まで加熱されていることを特徴とするも
のである。Further, a first method of forming a bump according to the present invention is described.
An aspect is a bump forming method for aligning a bump sheet and a semiconductor chip and transferring solder fixed on the bump sheet to the semiconductor chip, wherein the bump sheet is positioned on a bump sheet fixing device. A first step of fixing and fixing, a second step of positioning and fixing a semiconductor chip on a chip fixing device provided above the bump sheet fixing device, and contacting the semiconductor chip with solder on the bump sheet. And heating the semiconductor chip to a predetermined temperature to make the solder on the bump sheet spherical, and to transfer the spherical solder to the semiconductor chip. In the second embodiment, the bump sheet and the semiconductor chip are aligned, and the solder fixed on the bump sheet is A method for forming a bump for transferring to a conductive chip, comprising: a first step of positioning and fixing the bump sheet on a bump sheet fixing apparatus; and a step of mounting a semiconductor on a chip fixing apparatus provided on the bump sheet fixing apparatus. While positioning and fixing the chip, a second step of heating the semiconductor chip to a predetermined temperature, contacting the semiconductor chip and solder on the bump sheet,
A third step of making the solder on the bump sheet spherical and transferring the spherical solder to the semiconductor chip.
In an aspect, in the first step, the bump sheet is heated to a temperature at which the solder does not melt.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】本発明に係わるバンプシートとこ
れを用いたバンプ形成装置及びバンプ形成方法は、半田
がぬれない基板上に所定量の半田を形成したバンプシー
トとLSIチップとを位置合せして半田を転写する方法
に於いて、バンプシートは、バンプシート固定装置のス
テージ上にて予備加熱され、LSIチップをパルスヒー
トにより加熱し、LSIチップの電極からの熱伝導によ
り半田を溶融し、半田を転写するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A bump sheet, a bump forming apparatus and a bump forming method using the same according to the present invention align a bump sheet having a predetermined amount of solder formed on a substrate on which solder is not wet with an LSI chip. In the method of transferring solder, the bump sheet is preheated on the stage of the bump sheet fixing device, the LSI chip is heated by pulse heating, and the solder is melted by heat conduction from the electrode of the LSI chip. , To transfer solder.
【0010】[0010]
【実施例】以下に、本発明に係わるバンプシートとこれ
を用いたバンプ形成装置及びバンプ形成方法の具体例を
図面を参照しながら詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific examples of a bump sheet, a bump forming apparatus and a bump forming method using the same according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0011】(第1の具体例)図1、2は、本発明に係
わる第1の具体例のバンプシートの構造を示す図であっ
て、これらの図には、バンプシートと半導体チップとを
位置合わせし、前記バンプシート上に固定された半田を
前記半導体チップに転写するためのバンプシートであっ
て、前記バンプシート1を短冊状又はテープ状に形成す
ると共に、前記転写する半田群2を囲むようにスリット
3が設けられているバンプシートが示され、又、前記ス
リット3は、直線状3aに形成されていることを特徴と
するバンプシートが示され、更に、前記スリットは、L
字状4に形成されていることを特徴とするバンプシート
が示されている。FIGS. 1 and 2 show the structure of a bump sheet according to a first embodiment of the present invention. In these figures, a bump sheet and a semiconductor chip are shown. A bump sheet for aligning and transferring the solder fixed on the bump sheet to the semiconductor chip. The bump sheet 1 is formed in a strip shape or a tape shape, and the solder group 2 to be transferred is formed. A bump sheet provided with a slit 3 so as to surround the bump sheet is shown, and the slit 3 is a bump sheet characterized by being formed in a linear shape 3a.
A bump sheet characterized by being formed in a character shape 4 is shown.
【0012】以下に、第1の具体例を更に詳細に説明す
る。Hereinafter, the first specific example will be described in more detail.
【0013】本発明のバンプシートは、半田がぬれない
基板上に所定量の半田を形成したバンプシートとLSI
チップとを位置合せして半田を転写する方法に於いて、
バンプシートは、バンプシート固定装置のステージ上に
て予備加熱され、LSIチップをパルスヒートにより加
熱し、LSIチップの電極からの熱伝導により半田を溶
融し、半田付けすることにある。A bump sheet according to the present invention comprises a bump sheet having a predetermined amount of solder formed on a substrate on which solder is not wetted and an LSI.
In the method of transferring solder by aligning with the chip,
The bump sheet is preheated on the stage of the bump sheet fixing device, heats the LSI chip by pulse heating, melts the solder by heat conduction from the electrodes of the LSI chip, and solders.
【0014】本発明では、バンプシートに半田がぬれな
いタングステンやクロム等の処理をする必要がなく、ス
テンレスのように半田付けが可能な基板でも、基板と半
田はその接合温度まで十分に達しないので、使用するこ
とが可能となる。In the present invention, it is not necessary to treat the bump sheet with tungsten or chromium which does not wet the solder, and even if the substrate can be soldered like stainless steel, the substrate and the solder do not sufficiently reach the bonding temperature. So it can be used.
【0015】また、バンプシートを短冊もしくはテープ
状に加工し、パルスヒートを使用してLSIチップを加
熱するように構成すれば、自動化が容易にでき、歩留
り、生産能力の向上が図れる。If the bump sheet is processed into a strip or tape shape and the LSI chip is heated by using pulse heating, automation can be easily performed, and the yield and the production capacity can be improved.
【0016】図1(a)は上面からみた本発明のバンプ
シート、図1(b)はバンプシートの断面図である。図
2(a)は、他の具体例のバンプシート、図2(b)
は、その断面図である。FIG. 1A is a cross-sectional view of the bump sheet of the present invention viewed from the top, and FIG. 1B is a cross-sectional view of the bump sheet. FIG. 2A is a bump sheet of another specific example, and FIG.
Is a sectional view of the same.
【0017】このように構成することで、バンプシート
部5の両側に搬送代6が設けられ、自動化が容易にな
る。With this configuration, the transfer margin 6 is provided on both sides of the bump sheet section 5, and automation is facilitated.
【0018】バンプシート部5には、LSIチップの電
極配列に等しく配列された半田群2が等間隔に配置さ
れ、熱伝導による放熱を避けるためスリット3を各所に
形成している。図1に示した、スリットをバンプシート
部5を囲むように、直線状に4本形成したバンプシート
は、搬送する際の変形に対する強度が高いが、スリット
に挟まれるコーナ部分からの放熱が大きいため、図2に
示したように、バンプ配列やチップの大きさによって
は、コーナ部分に、L字状のスリット4を形成するよう
にしても良い。In the bump sheet section 5, solder groups 2 arranged at equal intervals to the electrode arrangement of the LSI chip are arranged at equal intervals, and slits 3 are formed at various places to avoid heat radiation due to heat conduction. The bump sheet in which four slits are linearly formed so as to surround the bump sheet portion 5 shown in FIG. 1 has high strength against deformation during conveyance, but has large heat radiation from corner portions sandwiched between the slits. Therefore, as shown in FIG. 2, an L-shaped slit 4 may be formed at a corner depending on the bump arrangement or the size of the chip.
【0019】(第2の具体例)図3乃至8は、本発明に
係わる第2の具体例のバンプシートの構造を示す図であ
る。(Second Specific Example) FIGS. 3 to 8 are views showing the structure of a bump sheet according to a second specific example according to the present invention.
【0020】以下に、第3の具体例を更に詳細に説明す
る。Hereinafter, the third example will be described in more detail.
【0021】図3はバンプシートの構造を示す断面図で
ある。半田中のSnが比較的容易に反応するNiを含ま
ないSUS303上にLSI電極パターンと等しい位置
に配列された半田が形成されている。SUS303基板
は、半田を固定したバンプシート部5と搬送時に使用す
るフレーム部6とから構成されている。この構成は、最
も簡略な構造であり、安価である。FIG. 3 is a sectional view showing the structure of the bump sheet. Solder arranged at the same position as the LSI electrode pattern is formed on SUS303 which does not contain Ni in which Sn in the solder reacts relatively easily. The SUS303 substrate is composed of a bump sheet part 5 to which solder is fixed and a frame part 6 used for transportation. This configuration is the simplest structure and is inexpensive.
【0022】図4は、バンプシートの他の構造を示す断
面図である。基板1は、半田塗れの良好なCu、42ア
ロイ等リードフレームに使用されている安価で加工性の
良い材料を使用している。半田2の剥離性を確保するた
め樹脂層11を設け、更に、この樹脂層11上に、Cu
の薄膜12を形成し、このCuの薄膜12上に半田2を
形成した。ここで、樹脂層11をポリイミドで形成し、
Cu薄膜12は、半田中に固溶し、融点の変動が少なく
なると共に、Cuが半田2中に溶け込むことでポリイミ
ド11から剥離できるように膜厚を調整する。バンプシ
ート1上の半田2は直径100μm、高さ60μmで、
Cuの膜厚12は、0.1μm〜1μmである。このシ
ートは、フレームやスリットの加工性が良く、溶融した
半田2がバンプシート1より容易に分離できる特徴を持
っている。FIG. 4 is a sectional view showing another structure of the bump sheet. The substrate 1 is made of an inexpensive material with good workability, such as Cu or 42 alloy, which is well soldered and used for a lead frame. A resin layer 11 is provided to ensure the releasability of the solder 2, and a Cu layer is further formed on the resin layer 11.
Was formed, and the solder 2 was formed on the Cu thin film 12. Here, the resin layer 11 is formed of polyimide,
The thickness of the Cu thin film 12 is adjusted so that the Cu thin film 12 is solid-dissolved in the solder, the fluctuation of the melting point is reduced, and the Cu can be separated from the polyimide 11 by dissolving into the solder 2. The solder 2 on the bump sheet 1 has a diameter of 100 μm and a height of 60 μm.
The thickness 12 of Cu is 0.1 μm to 1 μm. This sheet has characteristics that the workability of the frame and the slit is good and the molten solder 2 can be easily separated from the bump sheet 1.
【0023】図5は、図3のバンプシートの剥離性をよ
り向上させるために工夫した構造であり、バンプシート
1上には、半田からなる直径の小なる径小部14と、直
径の大なる径大部15とからなる半田2が固定され、前
記径大部15を径小部14を介してバンプシート1上に
固定せしめたものである。この構成の場合、バンプシー
ト1と半田2との接触面積が小さいので、半田の剥離性
がより良好となる。図3の構造よりコストがかかるた
め、Snが比較的多い半田や、高融点の半田は、ステン
レスとなじみやすいためこのような構造とする。FIG. 5 shows a structure devised to further improve the releasability of the bump sheet of FIG. 3. A small-diameter portion 14 made of solder and having a small diameter is formed on the bump sheet 1. The large diameter portion 15 is fixed to the solder 2, and the large diameter portion 15 is fixed on the bump sheet 1 via the small diameter portion 14. In the case of this configuration, since the contact area between the bump sheet 1 and the solder 2 is small, the releasability of the solder becomes better. Since the cost is higher than that of the structure shown in FIG. 3, a solder having a relatively large amount of Sn and a solder having a high melting point have a structure like this because it is easily compatible with stainless steel.
【0024】図6は、バンプシート1上にある半田が、
半田ペースト2Aであるものである。転写前に半田ペー
ストを印刷することで低コスト化が図れる。FIG. 6 shows that the solder on the bump sheet 1 is
This is the solder paste 2A. By printing the solder paste before the transfer, the cost can be reduced.
【0025】図7は、バンプシート1に凹部18が形成
され、この凹部18を覆うように、この凹部18上に半
田ペースト2Aを固定せしめたものである。この構成の
場合、半田量を増やすことが可能となるから、半田ボー
ルを大きく形成することが出来る特徴がある。FIG. 7 shows a configuration in which a concave portion 18 is formed in the bump sheet 1 and a solder paste 2 A is fixed on the concave portion 18 so as to cover the concave portion 18. In this configuration, the amount of solder can be increased, so that there is a feature that the solder ball can be formed large.
【0026】また、図8は、凹部18の形成されたバン
プシート1の凹部18に半田ボール2Bがフラックス2
1により固定されているバンプシートである。図3〜図
7のどのシートよりも剥離が容易である。図7を一旦溶
融して図8の形態にしても良い。FIG. 8 shows that the solder balls 2B are placed in the concave portions 18 of the bump sheet 1 in which the concave portions 18 are formed.
1 is a bump sheet fixed by 1. Peeling is easier than any of the sheets in FIGS. FIG. 7 may be temporarily melted to form the configuration shown in FIG.
【0027】(第3の具体例)図9乃至11は、本発明
に係わる第3の具体例のバンプ形成装置とその形成方法
を示す図、図12は、バンプ形成装置のブロック図であ
って、これらの図には、バンプシート1と半導体チップ
22とを位置合わせし、前記バンプシート1上に固定さ
れた半田2を前記半導体チップ22に転写するためのバ
ンプ形成装置であって、前記バンプシート1を載置し固
定するバンプシート固定装置31と、前記バンプシート
固定装置31の上部に設けられたチップ固定装置32
と、前記半導体チップ22を所定の温度まで加熱する加
熱装置42と、前記チップ固定装置32の半導体チップ
22と前記バンプシート固定装置31上のバンプシート
1の半田2とを接触せしめる可動制御装置40とで構成
したバンプ形成装置が示され、又、前記バンプシート固
定装置31上のバンプシート1を所定の温度まで加熱す
る加熱装置41が設けられているバンプ形成装置が示さ
れ、又、前記バンプシートをスペーサ50で固定すると
共に、このスペーサ54で前記バンプシート固定装置3
1とチップ固定装置32との間隔を所定の距離に保持せ
しめることを特徴とするバンプ形成装置が示され、更
に、前記チップ固定装置32の半導体チップ22と前記
バンプシート固定装置31上のバンプシート1の半田2
との接触時間を制御する時間制御装置45を備えたこと
を特徴とするバンプ形成装置が示されている。(Third Specific Example) FIGS. 9 to 11 show a bump forming apparatus and a method of forming the same according to a third specific example of the present invention. FIG. 12 is a block diagram of the bump forming apparatus. In these figures, there is shown a bump forming apparatus for aligning a bump sheet 1 with a semiconductor chip 22 and transferring a solder 2 fixed on the bump sheet 1 to the semiconductor chip 22. A bump sheet fixing device 31 for placing and fixing the sheet 1 thereon, and a chip fixing device 32 provided on the bump sheet fixing device 31.
A heating device 42 for heating the semiconductor chip 22 to a predetermined temperature; and a movable control device 40 for bringing the semiconductor chip 22 of the chip fixing device 32 into contact with the solder 2 of the bump sheet 1 on the bump sheet fixing device 31. And a bump forming apparatus provided with a heating device 41 for heating the bump sheet 1 on the bump sheet fixing device 31 to a predetermined temperature. The sheet is fixed by the spacer 50, and the bump sheet fixing device 3 is fixed by the spacer 54.
A bump forming apparatus characterized in that a gap between the chip fixing device 32 and the chip fixing device 32 is maintained at a predetermined distance, and furthermore, a semiconductor chip 22 of the chip fixing device 32 and a bump sheet on the bump sheet fixing device 31 are provided. 1 solder 2
The bump forming apparatus is provided with a time control device 45 for controlling a contact time with the bump forming device.
【0028】以下に、この具体例について、詳細に説明
する。Hereinafter, this specific example will be described in detail.
【0029】初めに、図9に示す半田バンプ形成方法に
ついて説明する。First, a method of forming a solder bump shown in FIG. 9 will be described.
【0030】予め、所定量の半田2が形成されたバンプ
シート1をバンプシート固定装置31のステージ上に配
置し、フラックスを供給する。このときバンプシート1
は、加熱装置41で適当な温度に加熱されている。チッ
プ固定装置32の位置決め部55でチップ22を位置決
めして固定し、可動制御装置40で半田2とLSIチッ
プ22の電極22aとを接触させた後、パルスヒート装
置42でパルスヒート加熱を行う。半田2は、LSIチ
ップ22の電極22aからの熱伝導により溶融し、半田
2が、すべて溶融し時点で、表面張力により球形にな
り、同時にLSIチップ22の電極22aと半田2とが
接合される。The bump sheet 1 on which a predetermined amount of solder 2 has been formed is placed on the stage of the bump sheet fixing device 31 in advance, and the flux is supplied. At this time, bump sheet 1
Are heated to an appropriate temperature by a heating device 41. The chip 22 is positioned and fixed by the positioning section 55 of the chip fixing device 32, the solder 2 is brought into contact with the electrode 22 a of the LSI chip 22 by the movable control device 40, and pulse heat heating is performed by the pulse heating device 42. The solder 2 is melted by heat conduction from the electrodes 22a of the LSI chip 22, and when all the solder 2 is melted, it becomes spherical due to surface tension, and at the same time, the electrodes 22a of the LSI chip 22 and the solder 2 are joined. .
【0031】このとき、LSIチップ22のからの熱伝
導によりバンプシート1が、半田付け温度に達すると、
バンプシート1と半田2とが接合され分離できなくなる
ため、半田2は溶けているが、バンプシート1が半田付
け温度に達する前の温度になるように冷却するか、もし
くは、LSIチップ22を上昇させ、LSIチップ22
とバンプシート1とを分離する。At this time, when the bump sheet 1 reaches the soldering temperature due to heat conduction from the LSI chip 22,
Since the bump sheet 1 and the solder 2 are bonded and cannot be separated, the solder 2 is melted. However, the bump sheet 1 is cooled to a temperature before the soldering temperature is reached, or the LSI chip 22 is raised. The LSI chip 22
And the bump sheet 1 are separated.
【0032】また、他の方法として、バンプシート1の
加熱にもパルスヒートを用いる。この場合、0.001
〜3.0秒間隔をおいて、バンプシート1を加熱開始す
ることで、短時間にバンプシート1上にある半田2をL
SIチップ22の電極22aに溶融転写することが可能
となる。As another method, pulse heating is also used for heating the bump sheet 1. In this case, 0.001
By starting heating the bump sheet 1 at intervals of about 3.0 seconds, the solder 2 on the bump sheet 1
It is possible to perform the melt transfer to the electrode 22a of the SI chip 22.
【0033】LSIチップ22の急激な加熱のみで、半
田2を溶融させる場合、半田2はバンプシート1より放
熱されるため、所要の温度に達するまで時間がかかる。
これを防止するために、予め適当な温度にバンプシート
1を加熱しておく。When the solder 2 is melted only by rapid heating of the LSI chip 22, the solder 2 is radiated from the bump sheet 1, so that it takes time to reach a required temperature.
To prevent this, the bump sheet 1 is previously heated to an appropriate temperature.
【0034】なお、ここで使用するチップ固定装置とし
ては、2種類考えられる。第1の方法は、図9にあるよ
うなフラットなタイプであり、装置側に高精度な位置制
御機能を持たせる必要がある。他の方法は、チップ固定
装置の吸着ツールに位置決め用のザグリ加工し、しか
も、チップ固定装置とバンプシート固定装置との間隙を
所定の間隔に保持出来るようにした図10のタイプであ
り、この場合、チップ固定装置32の位置決め部55の
先端部をバンプシート1に突き当てるだけで、バンプの
高さが所定の高さに確保され、装置の制御系は荷重制御
となる。There are two types of chip fixing devices used here. The first method is a flat type as shown in FIG. 9, and it is necessary to provide the device with a highly accurate position control function. Another method is a type shown in FIG. 10 in which a counterboring process for positioning is performed on a suction tool of a chip fixing device, and the gap between the chip fixing device and the bump sheet fixing device can be maintained at a predetermined interval. In this case, the bump height is maintained at a predetermined height only by abutting the tip of the positioning portion 55 of the chip fixing device 32 against the bump sheet 1, and the control system of the device performs load control.
【0035】図11は、吸着ツールとは別にスペーサ5
4が用意されている場合で、スペーサ54によりフレー
ム搬送されたバンプシート1が、所定位置に来たところ
でバンプシート吸着ツールに押さえつけ、次の工程でL
SIチップ22を吸着したチップ固定装置32が下降
し、スペーサ54でセットされる所定位置で停止し、こ
の位置で転写を始めることになる。この方法では、チッ
プ固定装置32の構造が簡略化できる。FIG. 11 shows a spacer 5 separately from the suction tool.
4 is prepared, and when the bump sheet 1 transported by the frame by the spacer 54 comes to a predetermined position, the bump sheet 1 is pressed against the bump sheet suction tool, and the next step
The chip fixing device 32 sucking the SI chip 22 descends, stops at a predetermined position set by the spacer 54, and starts transfer at this position. With this method, the structure of the chip fixing device 32 can be simplified.
【0036】従って、バンプ形成装置としては、所定の
形状に加工されたバンプシートが搬送可能なレールと、
バンプ形成前のチップを収納する収納装置と、チップを
位置決めしチップ吸着が可能なチップ固定装置と、バン
プシートの裏面をから吸着固定可能なバンプシート固定
装置と、バンプ転写シートを収納すると共に、順次供給
できる機能をと備えた装置と、チップ固定装置の半導体
チップを加熱するパルスヒートツールと、バンプシート
固定装置のバンプシートを加熱するパルスヒートツール
とで構成される。Accordingly, the bump forming apparatus includes a rail capable of transporting a bump sheet processed into a predetermined shape,
A storage device for storing chips before bump formation, a chip fixing device capable of positioning and adsorbing chips, a bump sheet fixing device capable of adsorbing and fixing the back surface of a bump sheet, and storing a bump transfer sheet, It comprises a device having a function of sequentially supplying, a pulse heat tool for heating a semiconductor chip of a chip fixing device, and a pulse heat tool for heating a bump sheet of a bump sheet fixing device.
【0037】このように、本発明に係わるバンプ形成方
法は、バンプシートと半導体チップとを位置合わせし、
前記バンプシート上に固定された半田を前記半導体チッ
プに転写するためのバンプ形成方法であって、バンプシ
ート固定装置上に前記バンプシートを位置決めし固定す
る第1の工程と、前記バンプシート固定装置の上部に設
けられ、前記半導体チップを固定するチップ固定装置に
半導体チップを位置決めし固定する第2の工程と、前記
半導体チップと前記バンプシート上の半田とを接触さ
せ、前記半導体チップを所定の温度に加熱することで、
前記バンプシート上の半田を球状にすると共に、前記半
導体チップに前記球状にした半田を転写せしめる第3の
工程と、を含むことを特徴とするものである。As described above, the bump forming method according to the present invention aligns the bump sheet with the semiconductor chip,
A bump forming method for transferring solder fixed on the bump sheet to the semiconductor chip, comprising: a first step of positioning and fixing the bump sheet on a bump sheet fixing device; A second step of positioning and fixing the semiconductor chip in a chip fixing device for fixing the semiconductor chip, contacting the semiconductor chip with solder on the bump sheet, and fixing the semiconductor chip to a predetermined position. By heating to temperature,
A third step of making the solder on the bump sheet spherical, and transferring the spherical solder to the semiconductor chip.
【0038】叉、バンプシート固定装置上に前記バンプ
シートを位置決めし固定する第1の工程と、前記バンプ
シート固定装置の上部に設けられ、前記半導体チップを
固定するチップ固定装置に半導体チップを位置決めし固
定すると共に、前記半導体チップを所定の温度に加熱す
る第2の工程と、前記半導体チップと前記バンプシート
上の半田とを接触させ、前記バンプシート上の半田を球
状にすると共に、前記半導体チップに前記球状にした半
田を転写せしめる第3の工程と、を含むように構成して
も良い。A first step of positioning and fixing the bump sheet on the bump sheet fixing device; and positioning the semiconductor chip on a chip fixing device provided above the bump sheet fixing device and fixing the semiconductor chip. A second step of heating the semiconductor chip to a predetermined temperature, contacting the semiconductor chip with solder on the bump sheet, making the solder on the bump sheet spherical, A third step of transferring the spherical solder to the chip.
【0039】なお、前記第1の工程では、バンプシート
は、半田が溶融しない温度まで加熱されているように構
成すると、より短時間に転写を行うことが出来る。In the first step, when the bump sheet is heated to a temperature at which the solder does not melt, the transfer can be performed in a shorter time.
【0040】[0040]
【発明の効果】本発明に係わるバンプシートとこれを用
いたバンプ形成装置及びバンプ形成方法は、上述のよう
に構成したので、短時間に多くの半田を、高い信頼性で
転写出来る。As described above, the bump sheet, the bump forming apparatus and the bump forming method using the same according to the present invention can transfer a large amount of solder in a short time with high reliability.
【図1】本発明の第1の具体例のバンプシートを示す図
である。FIG. 1 is a view showing a bump sheet according to a first specific example of the present invention.
【図2】バンプシートの他の具体例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing another specific example of a bump sheet.
【図3】本発明の第2の具体例を示し、バンプシート上
に形成したの半田を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the present invention and showing solder formed on a bump sheet.
【図4】バンプシート上に形成したの半田を示す他の断
面図である。FIG. 4 is another sectional view showing the solder formed on the bump sheet.
【図5】バンプシート上に形成したの半田を示す他の断
面図である。FIG. 5 is another sectional view showing the solder formed on the bump sheet.
【図6】バンプシート上に形成したの半田を示す他の断
面図である。FIG. 6 is another cross-sectional view showing the solder formed on the bump sheet.
【図7】バンプシート上に形成したの半田を示す他の断
面図である。FIG. 7 is another cross-sectional view showing the solder formed on the bump sheet.
【図8】バンプシート上に形成したの半田を示す他の断
面図である。FIG. 8 is another cross-sectional view showing the solder formed on the bump sheet.
【図9】本発明の第3の具体例を示し、バンプ形成工程
を示す図である。FIG. 9 is a view showing a third specific example of the present invention and showing a bump forming step.
【図10】本発明の第3の具体例の他のバンプ形成工程
を示す図である。FIG. 10 is a view showing another bump forming step of the third specific example of the present invention.
【図11】本発明の第3の具体例の他のバンプ形成工程
を示す図である。FIG. 11 is a view showing another bump forming step of the third specific example of the present invention.
【図12】本発明の第3の具体例のバンプ形成装置の構
成を示すブロック図である。FIG. 12 is a block diagram showing a configuration of a bump forming apparatus according to a third specific example of the present invention.
1 バンプシート 2 半田 2A、2B 半田ペースト 3 スリット 3a 直線状のスリット 4 L字状のスリット 5 バンプシート部 6 搬送代(フレーム部) 11 樹脂層 12 Cu薄膜 14 径小部 15 径大部 18 凹部 20 フラックス 31 バンプシート固定装置 32 チップ固定装置 40 可動制御装置 41 第1の加熱装置 42 第2の加熱装置 45 時間制御装置 54 スペーサ 55 位置決め部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Bump sheet 2 Solder 2A, 2B Solder paste 3 Slit 3a Linear slit 4 L-shaped slit 5 Bump sheet part 6 Transfer margin (frame part) 11 Resin layer 12 Cu thin film 14 Small diameter part 15 Large diameter part 18 Concave part Reference Signs List 20 flux 31 bump sheet fixing device 32 chip fixing device 40 movable control device 41 first heating device 42 second heating device 45 time control device 54 spacer 55 positioning portion
Claims (13)
わせし、前記バンプシート上に固定された半田を前記半
導体チップに転写するためのバンプシートであって、 前記バンプシートを短冊状又はテープ状に形成すると共
に、前記転写する半田群を囲むようにスリットが設けら
れていることを特徴とするバンプシート。1. A bump sheet for aligning a bump sheet with a semiconductor chip and transferring solder fixed on the bump sheet to the semiconductor chip, wherein the bump sheet has a strip shape or a tape shape. A bump sheet, wherein a slit is formed so as to surround the solder group to be transferred.
ることを特徴とする請求項1記載のバンプシート。2. The bump sheet according to claim 1, wherein the slit is formed linearly.
ることを特徴とする請求項1記載のバンプシート。3. The bump sheet according to claim 1, wherein the slit is formed in an L shape.
わせし、前記バンプシート上に固定された半田を前記半
導体チップに転写するためのバンプシートであって、 前記バンプシート上に樹脂層が設けられ、この樹脂層上
に銅の薄膜が形成され、この銅の薄膜上に転写用の半田
を固定せしめたことを特徴とするバンプシート。4. A bump sheet for aligning a bump sheet with a semiconductor chip and transferring a solder fixed on the bump sheet to the semiconductor chip, wherein a resin layer is provided on the bump sheet. A bump sheet, wherein a copper thin film is formed on the resin layer, and solder for transfer is fixed on the copper thin film.
わせし、前記バンプシート上に固定された半田を前記半
導体チップに転写するためのバンプシートであって、 前記バンプシート上には、半田からなる直径の小なる径
小部と、直径の大なる径大部とからなる半田が固定さ
れ、前記径大部を径小部を介して前記バンプシート上に
固定せしめたことを特徴とするバンプシート。5. A bump sheet for aligning a bump sheet with a semiconductor chip and transferring solder fixed on the bump sheet to the semiconductor chip, wherein the bump sheet is formed of solder. A solder sheet comprising a small-diameter portion having a small diameter and a large-diameter portion having a large diameter is fixed, and the large-diameter portion is fixed on the bump sheet via the small-diameter portion. .
わせし、前記バンプシート上に固定された半田を前記半
導体チップに転写するためのバンプシートであって、 前記バンプシートに凹部が形成され、この凹部を覆うよ
うに、この凹部上に半田を固定せしめたことを特徴とす
るバンプシート。6. A bump sheet for aligning a bump sheet with a semiconductor chip and transferring solder fixed on the bump sheet to the semiconductor chip, wherein the bump sheet has a recess formed therein. A bump sheet wherein solder is fixed on the concave portion so as to cover the concave portion.
わせし、前記バンプシート上に固定された半田を前記半
導体チップに転写するためのバンプ形成装置であって、 前記バンプシートを載置し固定するバンプシート固定装
置と、前記バンプシート固定装置の上部に設けられ、前
記位置合わせした半導体チップを固定するチップ固定装
置と、前記半導体チップを所定の温度まで加熱する加熱
装置と、前記チップ固定装置の半導体チップと前記バン
プシート固定装置上のバンプシートの半田とを接触せし
める可動制御装置とで構成したことを特徴とするバンプ
形成装置。7. A bump forming apparatus for aligning a bump sheet with a semiconductor chip and transferring solder fixed on the bump sheet to the semiconductor chip, wherein the bump sheet is placed and fixed. A bump sheet fixing device, a chip fixing device provided on the bump sheet fixing device and fixing the aligned semiconductor chip, a heating device for heating the semiconductor chip to a predetermined temperature, and a chip fixing device. A bump forming apparatus, comprising: a movable control device for bringing a semiconductor chip into contact with solder of a bump sheet on the bump sheet fixing device.
ートを所定の温度まで加熱する加熱装置が設けられてい
ることを特徴とする請求項7記載のバンプ形成装置。8. The bump forming apparatus according to claim 7, further comprising a heating device for heating the bump sheet on the bump sheet fixing device to a predetermined temperature.
と共に、このスペーサで前記バンプシート固定装置とチ
ップ固定装置との間隔を所定の距離に保持せしめること
を特徴とする請求項7又は8記載のバンプ形成装置。9. The bump according to claim 7, wherein said bump sheet is fixed by a spacer, and said spacer keeps a predetermined distance between said bump sheet fixing device and said chip fixing device. Forming equipment.
前記バンプシート固定装置上のバンプシートの半田との
接触時間を制御する時間制御装置を備えたことを特徴と
する請求項X記載のバンプ形成装置。10. The bump forming apparatus according to claim X, further comprising a time control device for controlling a contact time between a semiconductor chip of the chip fixing device and solder of a bump sheet on the bump sheet fixing device. .
合わせし、前記バンプシート上に固定された半田を前記
半導体チップに転写するためのバンプ形成方法であっ
て、 バンプシート固定装置上に前記バンプシートを位置決め
し固定する第1の工程と、 前記バンプシート固定装置の上部に設けられたチップ固
定装置に半導体チップを位置決めし固定する第2の工程
と、 前記半導体チップと前記バンプシート上の半田とを接触
させ、前記半導体チップを所定の温度に加熱すること
で、前記バンプシート上の半田を球状にすると共に、前
記半導体チップに前記球状にした半田を転写せしめる第
3の工程と、 を含むことを特徴とするバンプ形成方法。11. A bump forming method for aligning a bump sheet with a semiconductor chip and transferring solder fixed on the bump sheet to the semiconductor chip, wherein the bump sheet is mounted on a bump sheet fixing device. A first step of positioning and fixing the semiconductor chip; a second step of positioning and fixing a semiconductor chip on a chip fixing device provided above the bump sheet fixing device; and a step of fixing the semiconductor chip and the solder on the bump sheet. And heating the semiconductor chip to a predetermined temperature to make the solder on the bump sheet spherical and to transfer the spherical solder to the semiconductor chip. A bump forming method characterized by the above-mentioned.
合わせし、前記バンプシート上に固定された半田を前記
半導体チップに転写するためのバンプ形成方法であっ
て、 バンプシート固定装置上に前記バンプシートを位置決め
し固定する第1の工程と、 前記バンプシート固定装置の上部に設けられたチップ固
定装置に半導体チップを位置決めし固定すると共に、前
記半導体チップを所定の温度に加熱する第2の工程と、 前記半導体チップと前記バンプシート上の半田とを接触
させ、前記バンプシート上の半田を球状にすると共に、
前記半導体チップに前記球状にした半田を転写せしめる
第3の工程と、 を含むことを特徴とするバンプ形成方法。12. A bump forming method for aligning a bump sheet with a semiconductor chip and transferring solder fixed on the bump sheet to the semiconductor chip, wherein the bump sheet is mounted on a bump sheet fixing device. A first step of positioning and fixing the semiconductor chip; and a second step of positioning and fixing the semiconductor chip on a chip fixing device provided on the bump sheet fixing device, and heating the semiconductor chip to a predetermined temperature. Contacting the semiconductor chip and the solder on the bump sheet to make the solder on the bump sheet spherical,
A third step of transferring the spherical solder to the semiconductor chip.
は、半田が溶融しない温度まで加熱されていることを特
徴とする請求項11又は12記載のバンプ形成方法。13. The bump forming method according to claim 11, wherein in the first step, the bump sheet is heated to a temperature at which the solder does not melt.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008021888A (en) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Nec Electronics Corp | Jig device |
EP2559061B1 (en) * | 2010-04-16 | 2018-07-25 | Pac Tech - Packaging Technologies GmbH | Method for forming solder deposits on protruding contacts of a substrate |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05235102A (en) * | 1992-02-26 | 1993-09-10 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPH06224199A (en) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Sony Corp | Forming method for bump |
JPH07193068A (en) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | Flip chip bump and its manufacture |
JPH09186162A (en) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Fujitsu Ltd | Formation of metal bump |
JPH09275105A (en) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Denso Corp | Transferring board and method for forming electrode for semiconductor device |
JPH11312758A (en) * | 1998-02-27 | 1999-11-09 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Manufacture of solder bump sheet and ic package component |
JP2000323508A (en) * | 1999-05-11 | 2000-11-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Bump transfer sheet |
JP2000340703A (en) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Solder ball transfer sheet and manufacture thereof |
JP2000340702A (en) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Solder ball transfer sheet and manufacture thereof |
-
1999
- 1999-06-03 JP JP15654199A patent/JP3336999B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05235102A (en) * | 1992-02-26 | 1993-09-10 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPH06224199A (en) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Sony Corp | Forming method for bump |
JPH07193068A (en) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | Flip chip bump and its manufacture |
JPH09186162A (en) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Fujitsu Ltd | Formation of metal bump |
JPH09275105A (en) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Denso Corp | Transferring board and method for forming electrode for semiconductor device |
JPH11312758A (en) * | 1998-02-27 | 1999-11-09 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Manufacture of solder bump sheet and ic package component |
JP2000323508A (en) * | 1999-05-11 | 2000-11-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Bump transfer sheet |
JP2000340703A (en) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Solder ball transfer sheet and manufacture thereof |
JP2000340702A (en) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Solder ball transfer sheet and manufacture thereof |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008021888A (en) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Nec Electronics Corp | Jig device |
US8002542B2 (en) | 2006-07-14 | 2011-08-23 | Renesas Electronics Corporation | Heat treatment jig and heat treatment jig set |
EP2559061B1 (en) * | 2010-04-16 | 2018-07-25 | Pac Tech - Packaging Technologies GmbH | Method for forming solder deposits on protruding contacts of a substrate |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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