JP2000348683A - 無電極放電ランプ - Google Patents
無電極放電ランプInfo
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- discharge lamp
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
- H01J65/048—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using an excitation coil
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 無電極蛍光ランプの低周波数動作と組み合わ
せる低電力損失フェライト磁心素材を提供する。 【解決手段】 比較的低い周波数（５０〜５００ｋＨ
ｚ）で動作し、放電を維持するのに必要な電磁界を発生
するためにフェライト磁心を利用し、磁心素材がＭｎ−
Ｚｎタイプの組み合わせである無電極蛍光ランプ。これ
は、この磁心素材が、周波数域５０〜１００ｋＨｚ、磁
界強度１５０ｍＴにおいて４００ｍＷ／ｃｍ 3の低電力
損失を有するためである。さらに、素材は、好ましい粒
界および結晶構造を獲得し、２００℃より大きいキュリ
ー温度を有する実用的なフェライト磁心素材となる、Ｆ
ｅ2Ｏ3のベースに加えられるＭｎおよびＺｎの多様な原
子百分率を網羅し得る。そのような素材は、上述のよう
に、低周波数において１０Ｗ〜約２５０Ｗの範囲の電力
を備える無電極蛍光ランプの動作を、フェライト磁心の
損失が２０％未満で、磁心損失による熱発生が最小化さ
れる様態で可能にする。
せる低電力損失フェライト磁心素材を提供する。 【解決手段】 比較的低い周波数（５０〜５００ｋＨ
ｚ）で動作し、放電を維持するのに必要な電磁界を発生
するためにフェライト磁心を利用し、磁心素材がＭｎ−
Ｚｎタイプの組み合わせである無電極蛍光ランプ。これ
は、この磁心素材が、周波数域５０〜１００ｋＨｚ、磁
界強度１５０ｍＴにおいて４００ｍＷ／ｃｍ 3の低電力
損失を有するためである。さらに、素材は、好ましい粒
界および結晶構造を獲得し、２００℃より大きいキュリ
ー温度を有する実用的なフェライト磁心素材となる、Ｆ
ｅ2Ｏ3のベースに加えられるＭｎおよびＺｎの多様な原
子百分率を網羅し得る。そのような素材は、上述のよう
に、低周波数において１０Ｗ〜約２５０Ｗの範囲の電力
を備える無電極蛍光ランプの動作を、フェライト磁心の
損失が２０％未満で、磁心損失による熱発生が最小化さ
れる様態で可能にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電極放電ランプ
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】無電極蛍光ランプは、最近世界の様々な
市場に投入されている。消費者の観点から、無電極蛍光
ランプの主たる利点は、寿命を制限する要因である電極
の排除である。従って、蛍光ランプが電極を有さなけれ
ば、電極のあるものに比べて実質的に寿命が延長し得
る。このことは、様々な構成および様々な電力において
実証されてきた。例えば、市販されているランプは、
２．６５ＭＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲の周波数で動
作する。それらの定格電力は、約２５Ｗ〜１５０Ｗの範
囲で、それらの寿命は１５，０００〜６０，０００時間
の範囲である。これらのランプは、非常に良好な保全性
と良好な効率を有することが示されている。しかしなが
ら、そのようなランプの欠点の１つは、そのコストであ
る。無線周波数（ＲＦ）域で電圧を発生するために、回
路の設計に複雑さを伴うので、ドライバが高価になりが
ちである。コスト高のさらなる理由は、電磁障害（ＥＭ
Ｉ）を防止する必要性である。ＥＭＩに関する連邦規則
が存在するので、通信システム、心臓ペースメーカー、
または様々な医療装置に障害が起こらないよう十全に注
意する必要がある。従って、実用的且つ非常に長寿命の
蛍光ランプが可能であることは技術的に実証されている
が、そのようなランプの初期取得コストが広範な市場浸
透の主たる障害になってきた。
市場に投入されている。消費者の観点から、無電極蛍光
ランプの主たる利点は、寿命を制限する要因である電極
の排除である。従って、蛍光ランプが電極を有さなけれ
ば、電極のあるものに比べて実質的に寿命が延長し得
る。このことは、様々な構成および様々な電力において
実証されてきた。例えば、市販されているランプは、
２．６５ＭＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲の周波数で動
作する。それらの定格電力は、約２５Ｗ〜１５０Ｗの範
囲で、それらの寿命は１５，０００〜６０，０００時間
の範囲である。これらのランプは、非常に良好な保全性
と良好な効率を有することが示されている。しかしなが
ら、そのようなランプの欠点の１つは、そのコストであ
る。無線周波数（ＲＦ）域で電圧を発生するために、回
路の設計に複雑さを伴うので、ドライバが高価になりが
ちである。コスト高のさらなる理由は、電磁障害（ＥＭ
Ｉ）を防止する必要性である。ＥＭＩに関する連邦規則
が存在するので、通信システム、心臓ペースメーカー、
または様々な医療装置に障害が起こらないよう十全に注
意する必要がある。従って、実用的且つ非常に長寿命の
蛍光ランプが可能であることは技術的に実証されている
が、そのようなランプの初期取得コストが広範な市場浸
透の主たる障害になってきた。
【０００３】全体システムのコスト低減に向けてなされ
得る重要な進歩の１つは、動作周波数を低減することで
ある。動作の周波数が、（多くの国で許可されている周
波数である）典型的な１３．５６ＭＨｚまたは２．６５
ＭＨｚから、低いｋＨｚ帯域（本願では低い周波数とは
５０〜５００ｋＨｚを意味する）に低減されれば、回路
の複雑さは、劇的に低減される。電子安定器の大量生産
に幅広く使用されている部品を使用することにより、回
路の全体コストを低減することができる。もちろんそれ
は、無電極蛍光ランプの幅広い市場浸透の可能性を有し
ている。そのような低周波を達成し、尚もって放電を維
持するのに必要な電磁界を発生するためには、典型的に
フェライト素材を使用する必要がある。もちろんフェラ
イト素材は低周波数動作において重要な要件である。
得る重要な進歩の１つは、動作周波数を低減することで
ある。動作の周波数が、（多くの国で許可されている周
波数である）典型的な１３．５６ＭＨｚまたは２．６５
ＭＨｚから、低いｋＨｚ帯域（本願では低い周波数とは
５０〜５００ｋＨｚを意味する）に低減されれば、回路
の複雑さは、劇的に低減される。電子安定器の大量生産
に幅広く使用されている部品を使用することにより、回
路の全体コストを低減することができる。もちろんそれ
は、無電極蛍光ランプの幅広い市場浸透の可能性を有し
ている。そのような低周波を達成し、尚もって放電を維
持するのに必要な電磁界を発生するためには、典型的に
フェライト素材を使用する必要がある。もちろんフェラ
イト素材は低周波数動作において重要な要件である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】無電極ランプは、５０
〜５００ｋＨｚの範囲の周波数で動作し得る。低周波数
の限界は、ランプ内での放電を開始させ維持する高磁界
の発生に必要な高いコイル電流によって決定される。実
際、ランプ内に誘導される電圧Ｖindは、 Ｖind＝Ｖpl＝πＲpl 2ωＢpl （１） であり、ここで、ω＝２πｆは角周波数であり、Ｒplは
プラズマ半径であり、Ｖ plはプラズマ電圧であり、Ｂpl
は、コイル電流Ｉcoilによりプラズマ内で発生される磁
界である。Ｉcoilは、 Ｂpl 〜 μoμeffＩcoil（Ｎ／Ｈcoil） （２） である。ここで、μeffは、そのような低周波数におい
て使用されるフェライト磁心の透磁率μよりも典型的に
小さい媒体の実効（比）透磁率である。Ｎはコイルの巻
き数であり、Ｈcoilはコイルの高さである。各特定のガ
スおよび水銀蒸気圧ならびに各ランプ形状に対して、ラ
ンプ内に誘導性（結合）放電を開始するのに必要なＶ
indの特定の値が存在する。従って、式１からわかるよ
うに、駆動周波数ｆの減少は、磁界Ｂplの増大を必要と
する。フェライトの透磁率μは、周波数ｆによって変化
しない。ＮおよびＨcoilは固定値である。
〜５００ｋＨｚの範囲の周波数で動作し得る。低周波数
の限界は、ランプ内での放電を開始させ維持する高磁界
の発生に必要な高いコイル電流によって決定される。実
際、ランプ内に誘導される電圧Ｖindは、 Ｖind＝Ｖpl＝πＲpl 2ωＢpl （１） であり、ここで、ω＝２πｆは角周波数であり、Ｒplは
プラズマ半径であり、Ｖ plはプラズマ電圧であり、Ｂpl
は、コイル電流Ｉcoilによりプラズマ内で発生される磁
界である。Ｉcoilは、 Ｂpl 〜 μoμeffＩcoil（Ｎ／Ｈcoil） （２） である。ここで、μeffは、そのような低周波数におい
て使用されるフェライト磁心の透磁率μよりも典型的に
小さい媒体の実効（比）透磁率である。Ｎはコイルの巻
き数であり、Ｈcoilはコイルの高さである。各特定のガ
スおよび水銀蒸気圧ならびに各ランプ形状に対して、ラ
ンプ内に誘導性（結合）放電を開始するのに必要なＶ
indの特定の値が存在する。従って、式１からわかるよ
うに、駆動周波数ｆの減少は、磁界Ｂplの増大を必要と
する。フェライトの透磁率μは、周波数ｆによって変化
しない。ＮおよびＨcoilは固定値である。
【０００５】従って、Ｂplの増大は、コイル電流の増加
によってのみ達成される。即ちＢplはＩcoilに比例す
る。従って一定のガス圧および一定のランプ形状におい
て、駆動周波数ｆの減少は、磁界の増大を必要とし、ひ
いてはコイル電流Ｉcoilの増加を必要とする。残念なが
ら、コイル電流の増加は、 Ｐloss＝Ｉ2 coilＲcoil＋Ｐferr （３） のようにコイルおよびフェライトの損失の増加の原因と
なるので望ましくない。ここで、Ｒcoilはコイル抵抗で
ある。Ｐferrはフェライト磁心における電力損失であ
る。電力損失の増加は、ランプの電力効率を低減し、ひ
いてはランプ効率を低減する。
によってのみ達成される。即ちＢplはＩcoilに比例す
る。従って一定のガス圧および一定のランプ形状におい
て、駆動周波数ｆの減少は、磁界の増大を必要とし、ひ
いてはコイル電流Ｉcoilの増加を必要とする。残念なが
ら、コイル電流の増加は、 Ｐloss＝Ｉ2 coilＲcoil＋Ｐferr （３） のようにコイルおよびフェライトの損失の増加の原因と
なるので望ましくない。ここで、Ｒcoilはコイル抵抗で
ある。Ｐferrはフェライト磁心における電力損失であ
る。電力損失の増加は、ランプの電力効率を低減し、ひ
いてはランプ効率を低減する。
【０００６】すでに述べたように、多くの国で許容され
ている１３．５６ＭＨｚ、さらには２．６５ＭＨｚさえ
よりも寧ろ５０〜５００ｋＨｚの周波数を使用すること
には、いくつかの利点が存在する。第１の利点はドライ
バの部品のコストで、これは一般的に周波数が減少すれ
ば減少する。２００ｋＨｚ未満の周波数の使用は、１
３．５６ＭＨｚで動作するように設計されたシステムよ
りも、全システムを数倍安価にする。第２の利点は、整
合回路をバルブから離れて（２０〜５０ｃｍ以上）設置
する可能性に関する。
ている１３．５６ＭＨｚ、さらには２．６５ＭＨｚさえ
よりも寧ろ５０〜５００ｋＨｚの周波数を使用すること
には、いくつかの利点が存在する。第１の利点はドライ
バの部品のコストで、これは一般的に周波数が減少すれ
ば減少する。２００ｋＨｚ未満の周波数の使用は、１
３．５６ＭＨｚで動作するように設計されたシステムよ
りも、全システムを数倍安価にする。第２の利点は、整
合回路をバルブから離れて（２０〜５０ｃｍ以上）設置
する可能性に関する。
【０００７】最後に、５０から５００ｋＨｚの周波数で
動作するドライバの効率は、１３．５６ＭＨｚ（８０
％）および２．６５ＭＨｚ（８５％）で動作するものよ
りも高い（〜９０％）。その結果、全体的なシステム効
率は、より高いコイル損失（より高いコイル電流）およ
びフェライトの損失のためにランプ効率がやや低い（数
％）場合でさえ、１３．５６ＭＨｚおよび２．６５ＭＨ
ｚにおける効率とほぼ同等（または、より高くあり得
る）である。
動作するドライバの効率は、１３．５６ＭＨｚ（８０
％）および２．６５ＭＨｚ（８５％）で動作するものよ
りも高い（〜９０％）。その結果、全体的なシステム効
率は、より高いコイル損失（より高いコイル電流）およ
びフェライトの損失のためにランプ効率がやや低い（数
％）場合でさえ、１３．５６ＭＨｚおよび２．６５ＭＨ
ｚにおける効率とほぼ同等（または、より高くあり得
る）である。
【０００８】磁心素材の観点から従来技術を研究する
と、ｖａｎ ｄｅｒ Ｚａａｇ（欧州特許出願第０６２
５７９４Ａｌ号）およびＰｏｓｔｍａら（米国特許第
４，５３６，６７５号）が、約３ＭＨｚでの動作のため
の最適なフェライト素材の使用と選択に傾注しているこ
とに気づく。彼らが開発したランプの設計は、２．６５
ＭＨｚに焦点を当てているので、その周波数および約１
０ｍＴの磁界において、１５０ｍＷ／ｃｍ3未満の電力
損失を有する最良のフェライト素材は、Ｎｉ−Ｚｎタイ
プであると判明しており、これがＭｎ−Ｚｎタイプの素
材よりも良好に機能している。これは、３ＭＨｚの周波
数および１０ｍＴの磁界において、Ｍｎ−Ｚｎ素材が約
５００〜７００ｍＷ／ｃｍ3の電力損失を有するからで
ある。従って、３ＭＨｚで１５０ｍＷ／ｃｍ3未満の損
失を有するＮｉ−Ｚｎフェライトが最良の選択であると
思われる。しかしながら、本発明の主たる焦点は、低周
波数動作（５０から５００ｋＨｚ）であるので、Ｎｉ−
Ｚｎフェライトは使用するのに最良の素材ではないこと
を発見した。この周波数帯では、Ｎｉ−Ｚｎフェライト
における電力損失は、Ｍｎ−Ｚｎフェライトにおける損
失よりも高い。Ｍｎ−Ｚｎタイプの素材では、例えば室
温（２３℃）の条件下で１００ｋＨｚにおける典型的な
損失は、１０ｍＴにほぼ等しい磁界に対して典型的には
１ｍＷ／ｃｍ3未満であり、１５０ｍＴにほぼ等しい磁
界に対しては約４００ｍＷ／ｃｍ3未満であって、これ
は、同周波数および磁界におけるＮｉ−Ｚｎフェライト
において遭遇する損失よりも実質的に低いことを発見し
た（図２参照）。このことは、温度制御およびランプ効
率に非常に重要な関係を有する。なぜなら、フェライト
磁心における電力損失は、２通りの様態でシステムに不
利に影響するからである。第１は、これらの損失、即ち
余剰熱を、（内蔵システムのフェライト磁心の近傍に配
置されている）ランプ駆動回路から除去するか放熱さ
せ、ＦＥＴおよび他の回路部品の損傷を防がなければな
らないことである。これは、余剰なコストとパッケージ
の複雑さとを生じる。第２の様態は、システムの電力効
率が低減されることである。フェライト磁心の損失が高
いほど、電力効率は低く、システムの効率も低い。従っ
て、高効率且つ低コストの無電極ランプシステムのため
には、最小損失の磁心素材を利用することが極めて重要
であることは明白である。
と、ｖａｎ ｄｅｒ Ｚａａｇ（欧州特許出願第０６２
５７９４Ａｌ号）およびＰｏｓｔｍａら（米国特許第
４，５３６，６７５号）が、約３ＭＨｚでの動作のため
の最適なフェライト素材の使用と選択に傾注しているこ
とに気づく。彼らが開発したランプの設計は、２．６５
ＭＨｚに焦点を当てているので、その周波数および約１
０ｍＴの磁界において、１５０ｍＷ／ｃｍ3未満の電力
損失を有する最良のフェライト素材は、Ｎｉ−Ｚｎタイ
プであると判明しており、これがＭｎ−Ｚｎタイプの素
材よりも良好に機能している。これは、３ＭＨｚの周波
数および１０ｍＴの磁界において、Ｍｎ−Ｚｎ素材が約
５００〜７００ｍＷ／ｃｍ3の電力損失を有するからで
ある。従って、３ＭＨｚで１５０ｍＷ／ｃｍ3未満の損
失を有するＮｉ−Ｚｎフェライトが最良の選択であると
思われる。しかしながら、本発明の主たる焦点は、低周
波数動作（５０から５００ｋＨｚ）であるので、Ｎｉ−
Ｚｎフェライトは使用するのに最良の素材ではないこと
を発見した。この周波数帯では、Ｎｉ−Ｚｎフェライト
における電力損失は、Ｍｎ−Ｚｎフェライトにおける損
失よりも高い。Ｍｎ−Ｚｎタイプの素材では、例えば室
温（２３℃）の条件下で１００ｋＨｚにおける典型的な
損失は、１０ｍＴにほぼ等しい磁界に対して典型的には
１ｍＷ／ｃｍ3未満であり、１５０ｍＴにほぼ等しい磁
界に対しては約４００ｍＷ／ｃｍ3未満であって、これ
は、同周波数および磁界におけるＮｉ−Ｚｎフェライト
において遭遇する損失よりも実質的に低いことを発見し
た（図２参照）。このことは、温度制御およびランプ効
率に非常に重要な関係を有する。なぜなら、フェライト
磁心における電力損失は、２通りの様態でシステムに不
利に影響するからである。第１は、これらの損失、即ち
余剰熱を、（内蔵システムのフェライト磁心の近傍に配
置されている）ランプ駆動回路から除去するか放熱さ
せ、ＦＥＴおよび他の回路部品の損傷を防がなければな
らないことである。これは、余剰なコストとパッケージ
の複雑さとを生じる。第２の様態は、システムの電力効
率が低減されることである。フェライト磁心の損失が高
いほど、電力効率は低く、システムの効率も低い。従っ
て、高効率且つ低コストの無電極ランプシステムのため
には、最小損失の磁心素材を利用することが極めて重要
であることは明白である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、水銀および不
活性ガスの充填を含むガラスエンベロープを含む無電極
蛍光ランプに関する。このエンベロープに隣接してフェ
ライト磁心が配置される。
活性ガスの充填を含むガラスエンベロープを含む無電極
蛍光ランプに関する。このエンベロープに隣接してフェ
ライト磁心が配置される。
【００１０】本発明の無電極放電ランプは、発光物質を
充填したエンベロープと、フェライト磁心と、前記フェ
ライト磁心に巻き付けられているコイルとを備えた無電
極放電ランプであって、前記無電極放電ランプは、前記
コイルに流れる電流によって発生する交流磁界によって
前記エンベロープ内での放電を維持するように動作し、
前記交流の周波数が１００ｋＨｚであり、かつ、磁束が
１０ｍＴであるという条件下で、前記フェライト磁心の
損失上限が１ｍＷ／ｃｍ3未満である、無電極放電ラン
プである。
充填したエンベロープと、フェライト磁心と、前記フェ
ライト磁心に巻き付けられているコイルとを備えた無電
極放電ランプであって、前記無電極放電ランプは、前記
コイルに流れる電流によって発生する交流磁界によって
前記エンベロープ内での放電を維持するように動作し、
前記交流の周波数が１００ｋＨｚであり、かつ、磁束が
１０ｍＴであるという条件下で、前記フェライト磁心の
損失上限が１ｍＷ／ｃｍ3未満である、無電極放電ラン
プである。
【００１１】前記交流の周波数が１００ｋＨｚであり、
かつ、磁束が１５０ｍＴであるという条件下で、前記フ
ェライト磁心の損失上限が４００ｍＷ／ｃｍ3未満であ
ってもよい。
かつ、磁束が１５０ｍＴであるという条件下で、前記フ
ェライト磁心の損失上限が４００ｍＷ／ｃｍ3未満であ
ってもよい。
【００１２】この磁心は、鉄、マンガンおよび亜鉛の混
合物を含み、マンガンおよび亜鉛の鉄に対する重量比は
約０．２〜０．７の間で、亜鉛のマンガンに対する重量
比は約０．２〜２．０の間である。
合物を含み、マンガンおよび亜鉛の鉄に対する重量比は
約０．２〜０．７の間で、亜鉛のマンガンに対する重量
比は約０．２〜２．０の間である。
【００１３】本発明の目的は、無電極蛍光ランプの低周
波数動作と組み合わせる低電力損失フェライト磁心素材
を提供することである。
波数動作と組み合わせる低電力損失フェライト磁心素材
を提供することである。
【００１４】本発明の別の目的は、様々な部品における
損失を最小化することにより最高のランプ効率を提供す
ることであって、そのような部品の１つがフェライト磁
心素材であり、無電極蛍光ランプにおいて５０〜５００
ｋＨｚの動作の周波数でごく小さな電力損失を有する磁
心素材を規定する。
損失を最小化することにより最高のランプ効率を提供す
ることであって、そのような部品の１つがフェライト磁
心素材であり、無電極蛍光ランプにおいて５０〜５００
ｋＨｚの動作の周波数でごく小さな電力損失を有する磁
心素材を規定する。
【００１５】本発明のさらなる目的は、２００℃を超え
るキュリー温度を有するので、通常の動作条件のみなら
ず、４０〜５０℃の環境温度を有する高温の設備におけ
る動作条件でも劣化しない磁心素材を提供することであ
る。
るキュリー温度を有するので、通常の動作条件のみなら
ず、４０〜５０℃の環境温度を有する高温の設備におけ
る動作条件でも劣化しない磁心素材を提供することであ
る。
【００１６】本発明の別の目的は、安全およびコストの
観点から管理可能な低い始動電力および低い始動電圧
（＜２０００Ｖ）を有する、低周波数（５０〜５００ｋ
Ｈｚ）での無電極蛍光ランプの動作に適した磁心素材を
提供することである。
観点から管理可能な低い始動電力および低い始動電圧
（＜２０００Ｖ）を有する、低周波数（５０〜５００ｋ
Ｈｚ）での無電極蛍光ランプの動作に適した磁心素材を
提供することである。
【００１７】本発明の特徴は、約１０〜２５重量％の範
囲のＭｎ、約５〜２０重量％の範囲のＺｎおよび約６５
〜７５重量％の範囲の鉄を含むＭｎおよびＺｎの組成物
を有するフェライト磁心を使用することである。ここ
で、Ｍｎ、Ｚｎおよび鉄の重量％は、それらの酸化物
（ＭｎＯ、ＺｎＯおよびＦｅ2Ｏ3）から酸素を除いたも
のの重量％を示す。なお、Ｍｎの重量％をｘ、Ｚｎの重
量％をｙ、鉄の重量％をｚとすると、ｘ＋ｙ＋ｚ≦１０
０％である。
囲のＭｎ、約５〜２０重量％の範囲のＺｎおよび約６５
〜７５重量％の範囲の鉄を含むＭｎおよびＺｎの組成物
を有するフェライト磁心を使用することである。ここ
で、Ｍｎ、Ｚｎおよび鉄の重量％は、それらの酸化物
（ＭｎＯ、ＺｎＯおよびＦｅ2Ｏ3）から酸素を除いたも
のの重量％を示す。なお、Ｍｎの重量％をｘ、Ｚｎの重
量％をｙ、鉄の重量％をｚとすると、ｘ＋ｙ＋ｚ≦１０
０％である。
【００１８】
【発明の実施の形態】添付の図面を参照して、本発明の
例示的な実施形態を示す。これにより本発明の特徴およ
び利点は明白である。
例示的な実施形態を示す。これにより本発明の特徴およ
び利点は明白である。
【００１９】図１を参照して、従来の蛍光物質の被覆２
を備える球根状のエンベロープ１を示す。シリカ、アル
ミナなどで形成された保護被覆３は、エンベロープ１と
蛍光物質被覆２との間に配置される。エンベロープ１
は、底５に配置される凹部キャビティ４を有する。凹部
キャビティ４の内壁も蛍光物質被覆２、反射被覆６およ
び保護被覆３を有する。排気細管７は、エンベロープの
軸上かエンベロープの軸からずれて配置される。
を備える球根状のエンベロープ１を示す。シリカ、アル
ミナなどで形成された保護被覆３は、エンベロープ１と
蛍光物質被覆２との間に配置される。エンベロープ１
は、底５に配置される凹部キャビティ４を有する。凹部
キャビティ４の内壁も蛍光物質被覆２、反射被覆６およ
び保護被覆３を有する。排気細管７は、エンベロープの
軸上かエンベロープの軸からずれて配置される。
【００２０】好適な実施形態では、排気細管７がエンベ
ロープの軸上に配置され、凹部キャビティ４の上部８に
おいてエンベロープと接続されている。エンベロープ１
は、不活性ガス（例えば、アルゴンまたはクリプトン）
と、気化可能金属（水銀、ナトリウムおよび／またはカ
ドミウム）との混合物（発光物質）を含む。
ロープの軸上に配置され、凹部キャビティ４の上部８に
おいてエンベロープと接続されている。エンベロープ１
は、不活性ガス（例えば、アルゴンまたはクリプトン）
と、気化可能金属（水銀、ナトリウムおよび／またはカ
ドミウム）との混合物（発光物質）を含む。
【００２１】コイル９は、リッツ線（Ｐｏｐｏｖらによ
り、本願と同じ譲受人に所有される米国特許出願第０９
／０８３，８２０号参照）から形成され、高い透磁率
（＞４０００）を有するＭｎ−Ｚｎ素材で形成される中
空のフェライト磁心１０に巻き付けられている。フェラ
イト磁心１０は、高いキュリー温度（Ｔｃ＞２００℃）
および５０〜１０００ｋＨｚの周波数での低い電力損失
を有する。好適な実施形態では、高さ５５ｍｍ、外径１
４ｍｍ、および内径７ｍｍのフェライト磁心が使用され
た。１００ｋＨｚの駆動周波数と、プラズマをｆ＝１０
０ｋＨｚに維持するのに必要な約８３０Ｇの磁心磁界で
は、−１０℃から＋１５０℃のフェライト温度におい
て、電力損失は１００ｍＷ／ｃｍ3未満である。
り、本願と同じ譲受人に所有される米国特許出願第０９
／０８３，８２０号参照）から形成され、高い透磁率
（＞４０００）を有するＭｎ−Ｚｎ素材で形成される中
空のフェライト磁心１０に巻き付けられている。フェラ
イト磁心１０は、高いキュリー温度（Ｔｃ＞２００℃）
および５０〜１０００ｋＨｚの周波数での低い電力損失
を有する。好適な実施形態では、高さ５５ｍｍ、外径１
４ｍｍ、および内径７ｍｍのフェライト磁心が使用され
た。１００ｋＨｚの駆動周波数と、プラズマをｆ＝１０
０ｋＨｚに維持するのに必要な約８３０Ｇの磁心磁界で
は、−１０℃から＋１５０℃のフェライト温度におい
て、電力損失は１００ｍＷ／ｃｍ3未満である。
【００２２】誘導コイル９は、キャビティ４およびフェ
ライト磁心１０の長さにより、１０〜８０巻きを有す
る。コイル９は、巻間にピッチを有し、各ピッチは０〜
１０ｍｍより僅かに大きい高さを有する。コイル／フェ
ライト磁心アセンブリの合成インダクタンスは、フェラ
イト磁心の長さと巻きの回数により、１０〜５００μＨ
の値を有する。エンベロープ１の底５は、ランプ台１２
の上側表面１１に配置される。
ライト磁心１０の長さにより、１０〜８０巻きを有す
る。コイル９は、巻間にピッチを有し、各ピッチは０〜
１０ｍｍより僅かに大きい高さを有する。コイル／フェ
ライト磁心アセンブリの合成インダクタンスは、フェラ
イト磁心の長さと巻きの回数により、１０〜５００μＨ
の値を有する。エンベロープ１の底５は、ランプ台１２
の上側表面１１に配置される。
【００２３】誘導コイル９からはリードが延出し、ラン
プ台１２の内部に位置する整合回路（図示せず）にコイ
ル９を接続する。リードの１つは、整合回路の高いＨＦ
電圧端子に接続され、別のリードはＨＦ接地される。高
周波数ドライバが、必要とされる周波数の電圧および電
流を整合回路に供給する。この周波数は５０〜５００ｋ
Ｈｚであり得る。
プ台１２の内部に位置する整合回路（図示せず）にコイ
ル９を接続する。リードの１つは、整合回路の高いＨＦ
電圧端子に接続され、別のリードはＨＦ接地される。高
周波数ドライバが、必要とされる周波数の電圧および電
流を整合回路に供給する。この周波数は５０〜５００ｋ
Ｈｚであり得る。
【００２４】金属（アルミニウム、銅）シリンダ１３が
フェライト磁心１０と細管７との間に挿入され、上側表
面１１に接続される。シリンダ１３は、Ｐｏｐｏｖらの
出願（０９／０８３，８２０）に記載されるように、フ
ェライト磁心およびキャビティからの熱を台１２の方向
に向かわせる。アマルガム１４が細管７の内部に位置す
る。アマルガム１４は、エンベロープ内に金属蒸気（水
銀、ナトリウム、カドミウムなど）を供給し、エンベロ
ープ内の金属蒸気圧を制御する。数本のガラスロッド１
５が細管７に配置され、選択位置にアマルガム１４を維
持する。
フェライト磁心１０と細管７との間に挿入され、上側表
面１１に接続される。シリンダ１３は、Ｐｏｐｏｖらの
出願（０９／０８３，８２０）に記載されるように、フ
ェライト磁心およびキャビティからの熱を台１２の方向
に向かわせる。アマルガム１４が細管７の内部に位置す
る。アマルガム１４は、エンベロープ内に金属蒸気（水
銀、ナトリウム、カドミウムなど）を供給し、エンベロ
ープ内の金属蒸気圧を制御する。数本のガラスロッド１
５が細管７に配置され、選択位置にアマルガム１４を維
持する。
【００２５】本発明者らは、凹部キャビティ（図１参
照）を備え、８０〜５００ｋＨｚの周波数で動作する無
電極蛍光ランプの研究を行ってきた。封入圧（Ａｒ、Ｋ
ｒ）は、０．１から２．０トル（１３．３から２６６Ｐ
ａ）とした。水銀蒸気圧は、中央細管に位置するアマル
ガムにより制御した。５０〜５００ｋＨｚの低周波数で
動作させるために、様々な型のＭｎ−Ｚｎフェライトを
試験した。典型的な実験設定は、単一の発振器、増幅
器、進行波および反射波電力計に接続された方向性結合
器、電流／電圧位相差計、整合回路、オシロスコープ、
およびコイル電流測定のためのロゴスキーコイルを含ん
だ。
照）を備え、８０〜５００ｋＨｚの周波数で動作する無
電極蛍光ランプの研究を行ってきた。封入圧（Ａｒ、Ｋ
ｒ）は、０．１から２．０トル（１３．３から２６６Ｐ
ａ）とした。水銀蒸気圧は、中央細管に位置するアマル
ガムにより制御した。５０〜５００ｋＨｚの低周波数で
動作させるために、様々な型のＭｎ−Ｚｎフェライトを
試験した。典型的な実験設定は、単一の発振器、増幅
器、進行波および反射波電力計に接続された方向性結合
器、電流／電圧位相差計、整合回路、オシロスコープ、
およびコイル電流測定のためのロゴスキーコイルを含ん
だ。
【００２６】不活性ガス（Ａｒ、Ｋｒ、０．１〜２ト
ル）と水銀蒸気との混合物を封入した典型的な無電極蛍
光ランプでは、まず容量性（結合）放電として放電が起
こる。実際、使用されたすべての周波数（８０〜５００
ｋＨｚ）における容量性（結合）放電の放電電界は、誘
導性（結合）放電の放電電界より小さいことが分かっ
た。コイル電圧をさらに増大すると、コイル電圧および
電流の低下、ならびにランプ容積内の明るいプラズマの
出現を伴う誘導性（結合）放電の開始を引き起こす。
ル）と水銀蒸気との混合物を封入した典型的な無電極蛍
光ランプでは、まず容量性（結合）放電として放電が起
こる。実際、使用されたすべての周波数（８０〜５００
ｋＨｚ）における容量性（結合）放電の放電電界は、誘
導性（結合）放電の放電電界より小さいことが分かっ
た。コイル電圧をさらに増大すると、コイル電圧および
電流の低下、ならびにランプ容積内の明るいプラズマの
出現を伴う誘導性（結合）放電の開始を引き起こす。
【００２７】フェライト磁心／コイルのランプ始動時に
おける電力損失（Ｐst）および動作中における電力損失
（Ｐloss）、ならびにコイル始動電圧（Ｖst）および電
流（Ｉst）を測定した。また、動作中のコイル電流（Ｉ
m）およびコイル始動電圧（Ｖm）も測定した。
おける電力損失（Ｐst）および動作中における電力損失
（Ｐloss）、ならびにコイル始動電圧（Ｖst）および電
流（Ｉst）を測定した。また、動作中のコイル電流（Ｉ
m）およびコイル始動電圧（Ｖm）も測定した。
【００２８】２つのフェライト素材に対して、単位容積
あたりの電力損失を周波数の関数として図２に示す。明
白に分かり得るように、Ｍｎ−Ｚｎタイプのフェライト
では、周波数が減少するにつれて損失が減少し、約１５
０ｍＴの磁界強度（ランプ始動時における本発明の関心
レベル）に対して、約１００ｋＨｚで３５０ｍＷ／ｃｍ
3の範囲であった。既に述べたように、この値は同一周
波数、同一磁界におけるＮｉ−Ｚｎタイプのフェライト
の電力損失（７５０ｍＷ／ｃｍ3）よりも実質的に低い
値である。
あたりの電力損失を周波数の関数として図２に示す。明
白に分かり得るように、Ｍｎ−Ｚｎタイプのフェライト
では、周波数が減少するにつれて損失が減少し、約１５
０ｍＴの磁界強度（ランプ始動時における本発明の関心
レベル）に対して、約１００ｋＨｚで３５０ｍＷ／ｃｍ
3の範囲であった。既に述べたように、この値は同一周
波数、同一磁界におけるＮｉ−Ｚｎタイプのフェライト
の電力損失（７５０ｍＷ／ｃｍ3）よりも実質的に低い
値である。
【００２９】リッツ線およびフェライト磁心（Ｍｎ−Ｚ
ｎ素材、Ｍｎ−Ｚｎ型）で形成されたコイルのＱ値を、
駆動周波数の関数として図３に示す。８０ｋＨｚ〜３０
０ｋＨｚの範囲内の周波数では、Ｑ値が極めて高い（Ｑ
＞４００）。この高いＱは、コイルの電力損失（フェラ
イト磁心）がランプ始動時およびランプ動作中において
低いことを意味する。
ｎ素材、Ｍｎ−Ｚｎ型）で形成されたコイルのＱ値を、
駆動周波数の関数として図３に示す。８０ｋＨｚ〜３０
０ｋＨｚの範囲内の周波数では、Ｑ値が極めて高い（Ｑ
＞４００）。この高いＱは、コイルの電力損失（フェラ
イト磁心）がランプ始動時およびランプ動作中において
低いことを意味する。
【００３０】始動時（Ｐst）のコイル損失およびコイル
始動電流（Ｉst）を、駆動周波数の関数として図４に示
す。駆動周波数が増大するにつれ、ＰstおよびＩstの両
方が減少することが分かるが、１００ｋＨｚという低周
波数であっても、Ｐst＜２５Ｗである。この低始動電力
は、Ｍｎ−Ｚｎ素材（本発明者らの特許出願第０９／０
８３，８２０号を再度参照されたい）およびリッツ線に
より形成されたフェライト磁心の低い電力損失により達
成された。
始動電流（Ｉst）を、駆動周波数の関数として図４に示
す。駆動周波数が増大するにつれ、ＰstおよびＩstの両
方が減少することが分かるが、１００ｋＨｚという低周
波数であっても、Ｐst＜２５Ｗである。この低始動電力
は、Ｍｎ−Ｚｎ素材（本発明者らの特許出願第０９／０
８３，８２０号を再度参照されたい）およびリッツ線に
より形成されたフェライト磁心の低い電力損失により達
成された。
【００３１】コイル線の種類、巻き数、およびフェライ
トの種類の変更は、コイル／フェライトインダクタンス
Ｌtot、コイル抵抗Ｒcoilの実際値を変化させ、従って
ＩstおよびＰstを変化させる。しかし、コイルとフェラ
イトの任意の組み合わせにおいて、Ｐstの最小値は、コ
イル／フェライトのＱ値の最高値で達成される。
トの種類の変更は、コイル／フェライトインダクタンス
Ｌtot、コイル抵抗Ｒcoilの実際値を変化させ、従って
ＩstおよびＰstを変化させる。しかし、コイルとフェラ
イトの任意の組み合わせにおいて、Ｐstの最小値は、コ
イル／フェライトのＱ値の最高値で達成される。
【００３２】コイル始動電圧Ｖstは巻き数Ｎに依存す
る。Ｎ＝６１巻きの場合、Ｖstは約１０００Ｖである。
２３Ｗで動作するランプに対する動作中のコイル電力損
失Ｐlo ssおよびランプ電力効率Ｐpl／Ｐlampを図５に示
す。ここでＰlampは整合回路に入力した電力、Ｐplはラ
ンプに入力された電力、すなわちＰlampから誘導コイル
９における損失Ｐlossを引いた電力である。周波数がｆ
＝８５ｋＨｚからｆ＝１７０ｋＨｚに増大するにつれ、
電力損失は２．７Ｗから１．５Ｗに減少する。低いコイ
ル電力損失は、８５ｋＨｚでの８７％から１７０ｋＨｚ
での９３％へと増加する高い電力効率を生み出す。
る。Ｎ＝６１巻きの場合、Ｖstは約１０００Ｖである。
２３Ｗで動作するランプに対する動作中のコイル電力損
失Ｐlo ssおよびランプ電力効率Ｐpl／Ｐlampを図５に示
す。ここでＰlampは整合回路に入力した電力、Ｐplはラ
ンプに入力された電力、すなわちＰlampから誘導コイル
９における損失Ｐlossを引いた電力である。周波数がｆ
＝８５ｋＨｚからｆ＝１７０ｋＨｚに増大するにつれ、
電力損失は２．７Ｗから１．５Ｗに減少する。低いコイ
ル電力損失は、８５ｋＨｚでの８７％から１７０ｋＨｚ
での９３％へと増加する高い電力効率を生み出す。
【００３３】そのような高い電力効率は、高いランプ効
率ｌｐｗを生み出す。直径６０ｍｍ、長さ６５ｍｍのラ
ンプにおいて、Ｐ＝２３Ｗで測定された総ランプ出力と
ランプ効率とを、駆動周波数の関数として図６に示す。
周波数が減少するにつれルーメン出力およびｌｐｗが減
少するのが分かるが、ｆ＝１００ｋＨｚにおいてさえ、
Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃにより販売されてい
るような、同電力レベルにおいて２．６５ＭＨｚで動作
する無電極ランプ（「Ｇｅｎｕｒａ」）よりもルーメン
出力およびｌｐｗは大きい。
率ｌｐｗを生み出す。直径６０ｍｍ、長さ６５ｍｍのラ
ンプにおいて、Ｐ＝２３Ｗで測定された総ランプ出力と
ランプ効率とを、駆動周波数の関数として図６に示す。
周波数が減少するにつれルーメン出力およびｌｐｗが減
少するのが分かるが、ｆ＝１００ｋＨｚにおいてさえ、
Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃにより販売されてい
るような、同電力レベルにおいて２．６５ＭＨｚで動作
する無電極ランプ（「Ｇｅｎｕｒａ」）よりもルーメン
出力およびｌｐｗは大きい。
【００３４】本発明の思想および範囲内で変更および改
変を行いうることは明白であるが、しかしながら本発明
者らの意図は添付の特許請求の範囲によってのみ限定さ
れる。
変を行いうることは明白であるが、しかしながら本発明
者らの意図は添付の特許請求の範囲によってのみ限定さ
れる。
【図１】本発明により説明される磁心素材を備える、低
周波数で動作可能な無電極蛍光ランプの典型的構成の部
分的断面を含む正面図である。
周波数で動作可能な無電極蛍光ランプの典型的構成の部
分的断面を含む正面図である。
【図２】本発明に使用されるＭｎ−Ｚｎフェライトにお
いて測定された電力損失と、従来技術に使用されるＮｉ
−Ｚｎタイプの素材における損失とを、２つの異なる磁
界強度について、周波数の関数として表したグラフを示
す図である。
いて測定された電力損失と、従来技術に使用されるＮｉ
−Ｚｎタイプの素材における損失とを、２つの異なる磁
界強度について、周波数の関数として表したグラフを示
す図である。
【図３】Ｍｎ−Ｚｎ素材で形成されるフェライト磁心を
使用したコイルのＱ値を示すグラフを示す図であって、
Ｑ値は、５０ｋＨｚ〜３５０ｋＨｚの周波数において測
定したもので、Ｑ値は、インダクタの損失の基準とな
り、Ｑ＝ωＬ／Ｒで表され、ここで、Ｌはフェライトを
含むコイルのインダクタンスであり、Ｒはフェライトを
含むコイルの実効抵抗である図である。
使用したコイルのＱ値を示すグラフを示す図であって、
Ｑ値は、５０ｋＨｚ〜３５０ｋＨｚの周波数において測
定したもので、Ｑ値は、インダクタの損失の基準とな
り、Ｑ＝ωＬ／Ｒで表され、ここで、Ｌはフェライトを
含むコイルのインダクタンスであり、Ｒはフェライトを
含むコイルの実効抵抗である図である。
【図４】２３Ｗで動作するランプのための始動電力Ｐst
と始動電圧Ｉstとを駆動周波数の関数として示したグラ
フを示す図であって、磁心はＭｎ−Ｚｎフェライトで形
成されている図である。
と始動電圧Ｉstとを駆動周波数の関数として示したグラ
フを示す図であって、磁心はＭｎ−Ｚｎフェライトで形
成されている図である。
【図５】フェライトの電力損失および電力効率を、駆動
周波数の関数として示すグラフを示す図であって、ラン
プの電力は２３Ｗであり、フェライト磁心は、Ｍｎ−Ｚ
ｎフェライトＭＮ８０型で形成されている図である。
周波数の関数として示すグラフを示す図であって、ラン
プの電力は２３Ｗであり、フェライト磁心は、Ｍｎ−Ｚ
ｎフェライトＭＮ８０型で形成されている図である。
【図６】ランプの光出力およびランプ効率を周波数の関
数として示したグラフを示す図であって、Ｐ＝２３Ｗ、
バルブの直径Ｄb＝６０ｍｍ、バルブの高さＨb＝６５ｍ
ｍである図である。
数として示したグラフを示す図であって、Ｐ＝２３Ｗ、
バルブの直径Ｄb＝６０ｍｍ、バルブの高さＨb＝６５ｍ
ｍである図である。
１ エンベロープ ２ 蛍光物質被覆 ３ 保護被覆 ４ 凹部キャビティ ６ 反射被覆 ７ 排気細管 ９ 誘導コイル １２ ランプ台 １３ 金属シリンダ １４ アマルガム １５ ガラスロッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 オレッグ ポポブ アメリカ合衆国 マサチューセッツ 02194， ニードハム， ローズマリー ストリート 259 (72)発明者 エドワード シャピロ アメリカ合衆国 マサチューセッツ 02173， レキシントン， マーシャル ロード 11 (72)発明者 ロバート チャンドラー アメリカ合衆国 マサチューセッツ 02173， レキシントン， タフト アベ ニュー 53 (72)発明者 倉地 敏明 大阪府寝屋川市御幸東町30−23松栄寮
Claims (7)
- 【請求項１】 発光物質を充填したエンベロープと、 フェライト磁心と、 前記フェライト磁心に巻き付けられているコイルとを備
えた無電極放電ランプであって、 前記無電極放電ランプは、前記コイルに流れる電流によ
って発生する交流磁界によって前記エンベロープ内での
放電を維持するように動作し、 前記交流の周波数が１００ｋＨｚであり、かつ、磁束が
１０ｍＴであるという条件下で、前記フェライト磁心の
損失上限が１ｍＷ／ｃｍ3未満である、無電極放電ラン
プ。 - 【請求項２】 前記交流の周波数が１００ｋＨｚであ
り、かつ、磁束が１５０ｍＴであるという条件下で、前
記フェライト磁心の損失上限が４００ｍＷ／ｃｍ3未満
である、請求項１に記載の無電極放電ランプ。 - 【請求項３】 前記フェライト磁心は、鉄とマンガンと
亜鉛とを含む、請求項１に記載の無電極放電ランプ。 - 【請求項４】 前記マンガンおよび前記亜鉛の前記鉄に
対する重量比が約０．２〜０．７の間であり、前記亜鉛
の前記マンガンに対する重量比が約０．２〜２．０の間
である、請求項３に記載の無電極放電ランプ。 - 【請求項５】 前記フェライト磁心は、約１０〜２５重
量％のマンガンと、約５〜２０重量％の亜鉛と、約６５
〜７５重量％の鉄とを含む、請求項３に記載の無電極放
電ランプ。 - 【請求項６】 前記エンベロープは、凹部キャビティを
含み、 前記フェイライト磁心および前記コイルは、前記凹部キ
ャビティに配置されている、請求項１に記載の無電極放
電ランプ。 - 【請求項７】 発光物質を充填したエンベロープと、 フェライト磁心と、 前記フェライト磁心に巻き付けられているコイルとを備
えた無電極放電ランプであって、 前記無電極放電ランプは、前記コイルに流れる電流によ
って発生する交流磁界によって前記エンベロープ内での
放電を維持するように動作し、 前記無電極放電ランプは、５０〜５００ｋＨｚの周波数
で動作し、 前記フェライト磁心は、鉄とマンガンと亜鉛とを含み、 前記交流の周波数が１００ｋＨｚであり、かつ、磁束が
１０ｍＴであるという条件下で、前記フェライト磁心の
損失上限が１ｍＷ／ｃｍ3未満であり、 前記エンベロープの少なくとも一部は、蛍光体層と保護
膜層とを含む、無電極放電ランプ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/303.951 | 1999-05-03 | ||
| US09/303,951 US20020067129A1 (en) | 1999-05-03 | 1999-05-03 | Ferrite core for electrodeless flourescent lamp operating at 50-500 khz |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003189910A Division JP2003346734A (ja) | 1999-05-03 | 2003-07-01 | 無電極放電ランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000348683A true JP2000348683A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=23174399
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000133975A Pending JP2000348683A (ja) | 1999-05-03 | 2000-05-02 | 無電極放電ランプ |
| JP2003189910A Pending JP2003346734A (ja) | 1999-05-03 | 2003-07-01 | 無電極放電ランプ |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003189910A Pending JP2003346734A (ja) | 1999-05-03 | 2003-07-01 | 無電極放電ランプ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020067129A1 (ja) |
| EP (1) | EP1050897A3 (ja) |
| JP (2) | JP2000348683A (ja) |
| CN (1) | CN1149630C (ja) |
| CA (1) | CA2307419C (ja) |
| ID (1) | ID25884A (ja) |
| TW (1) | TW451254B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7064490B2 (en) | 2002-07-02 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Compact self-ballasted electrodeless discharge lamp and electrodeless-discharge-lamp lighting device |
| KR101400780B1 (ko) * | 2013-05-30 | 2014-05-29 | (주)화신이앤비 | 무전극 램프 |
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| DE10058852A1 (de) * | 2000-11-27 | 2002-06-06 | Raylux Gmbh | Kompakte elektrodenlose Niederdruck-Gasentladungslampe mit erhöhter Lebensdauer |
| CN100385608C (zh) * | 2001-09-05 | 2008-04-30 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 低压气体放电灯 |
| US6979940B2 (en) * | 2002-05-28 | 2005-12-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrodeless discharge lamp |
| JP2005346924A (ja) * | 2002-06-03 | 2005-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 無電極放電ランプ点灯装置および電球形無電極蛍光ランプ |
| JP4258380B2 (ja) * | 2004-01-05 | 2009-04-30 | パナソニック電工株式会社 | 無電極蛍光ランプ及びその点灯装置 |
| JP3826158B2 (ja) * | 2004-02-05 | 2006-09-27 | 松下電器産業株式会社 | 無電極放電ランプ |
| WO2005088676A1 (fr) * | 2004-03-17 | 2005-09-22 | Shanghai Hongyuan Lighting & Electrical Equipment Co., Ltd. | Lampe amelioree a induction electromagnetique |
| US20060076864A1 (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-13 | Matsushita Electric Works Ltd. | Electrodeless high power fluorescent lamp with controlled coil temperature |
| US7088033B2 (en) * | 2004-11-24 | 2006-08-08 | Matsushita Electric Works Ltd. | Electrodeless fluorescent lamp with stabilized operation at high and low ambient temperatures |
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| WO2009121224A1 (zh) * | 2008-04-01 | 2009-10-08 | 福建源光亚明电器有限公司 | 一种高光效球形无电极荧光灯 |
| DE102008017314B4 (de) * | 2008-04-04 | 2015-10-29 | SUMIDA Components & Modules GmbH | Induktives Bauelement und elektronische Schaltung zur Ansteuerung einer Leuchte |
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