JP2000346816A - Ｘ線分析装置 - Google Patents
Ｘ線分析装置Info
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- JP2000346816A JP2000346816A JP11161320A JP16132099A JP2000346816A JP 2000346816 A JP2000346816 A JP 2000346816A JP 11161320 A JP11161320 A JP 11161320A JP 16132099 A JP16132099 A JP 16132099A JP 2000346816 A JP2000346816 A JP 2000346816A
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- Japan
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- ray
- slit
- incident
- semiconductor detector
- parallel plate
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体検出器への入射Ｘ線量を連続的に可変
させ、かつ取付に精度を必要としないＸ線分析装置を提
供する。 【解決手段】 平板を複数個平行に並べた平行平板スリ
ット１をスリット支持枠２に挿着して、このスリット支
持枠２を入射Ｘ線に対して傾斜可変とした。従ってウォ
ーム回転軸７を回転させることによってスリット支持枠
２を回転させ、これによって平行平板スリット１を無段
階に傾斜させて入射Ｘ線制限量を連続して変えることが
できる。
させ、かつ取付に精度を必要としないＸ線分析装置を提
供する。 【解決手段】 平板を複数個平行に並べた平行平板スリ
ット１をスリット支持枠２に挿着して、このスリット支
持枠２を入射Ｘ線に対して傾斜可変とした。従ってウォ
ーム回転軸７を回転させることによってスリット支持枠
２を回転させ、これによって平行平板スリット１を無段
階に傾斜させて入射Ｘ線制限量を連続して変えることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料表面層の元素
の定性・定量測定を行ったり、元素濃度の２次元分析、
および状態分析を行うＸ線マイクロアナライザＥＰＭＡ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏａｎａｌ
ｙｚｅｒ）やＥＰＭＡを併設する走査型電子顕微鏡ＳＥ
Ｍ（Ｓｃａｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ）に関する。
の定性・定量測定を行ったり、元素濃度の２次元分析、
および状態分析を行うＸ線マイクロアナライザＥＰＭＡ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏａｎａｌ
ｙｚｅｒ）やＥＰＭＡを併設する走査型電子顕微鏡ＳＥ
Ｍ（Ｓｃａｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線マイクロアナライザや走査型電子顕
微鏡におけるＸ線分析では図２のように真空容器１９内
に電子銃１８を設け、これから発生する電子線を試料１
７に照射する。高電圧で加速された電子線が試料表面を
照射するとき、入射した電子のもつエネルギによって試
料表面物質元素の原子の内殻電子を励起し殻外にはじき
だす。このとき外殻の電子は落ち込み、外殻と内殻の電
子のもつエネルギの差に相当するエネルギがＸ線として
放出される。この値は元素固有の値をもつているので放
射されるＸ線も固有の波長またはエネルギをもち、これ
を特性Ｘ線と呼んでいる。従って、この特性Ｘ線の波長
またはエネルギおよびそれらの強度を測定することによ
って試料表面物質の元素の定性・定量が行えるのであ
る。（以後特性Ｘ線を単にＸ線と呼ぶ）
微鏡におけるＸ線分析では図２のように真空容器１９内
に電子銃１８を設け、これから発生する電子線を試料１
７に照射する。高電圧で加速された電子線が試料表面を
照射するとき、入射した電子のもつエネルギによって試
料表面物質元素の原子の内殻電子を励起し殻外にはじき
だす。このとき外殻の電子は落ち込み、外殻と内殻の電
子のもつエネルギの差に相当するエネルギがＸ線として
放出される。この値は元素固有の値をもつているので放
射されるＸ線も固有の波長またはエネルギをもち、これ
を特性Ｘ線と呼んでいる。従って、この特性Ｘ線の波長
またはエネルギおよびそれらの強度を測定することによ
って試料表面物質の元素の定性・定量が行えるのであ
る。（以後特性Ｘ線を単にＸ線と呼ぶ）
【０００３】分析装置ではＸ線を測定するための検出部
として半導体検出器１０を用いたエネルギ分散型Ｘ線検
出部（ＥＤＸ）２２と分光結晶２４を用いた波長分散型
Ｘ線検出部（ＷＤＸ）２６とを備えることが多い。ＥＤ
Ｘ２２はＸ線を検知する半導体検出器１０とこれを支持
するコールドフィンガ１１と呼ばれる支持部材と、コー
ルドフィンガ１１を介して半導体検出器１０を冷却する
液体窒素２０が入れられたデュア部２１からなり、一方
ＷＤＸ２６はＸ線を分光する分光結晶２４とソーラスリ
ット２３および検出器として一般に比例計数管２５とで
構成される。検出法として両者には一長一短があり、分
析目的によって次のような使い分けがなされる。例え
ば、ＥＤＸ２２では全Ｘ線を半導体検出器１０で一度に
捉えるため定性分析の分析時間が短くて済み、元素の存
在状態のおおよそを迅速に知るには有効である。一方、
ＥＤＸ２２は波長分解能やピーク対バックグランド比
（Ｐ／Ｂ比）が悪いため正確な定性分析や高精度を要す
る定量分析にはＷＤＸ２６の方がはるかに優れている。
このような理由により、分析者が検出法を自由に選択で
きるよう両者を分析装置に装備することが多い。
として半導体検出器１０を用いたエネルギ分散型Ｘ線検
出部（ＥＤＸ）２２と分光結晶２４を用いた波長分散型
Ｘ線検出部（ＷＤＸ）２６とを備えることが多い。ＥＤ
Ｘ２２はＸ線を検知する半導体検出器１０とこれを支持
するコールドフィンガ１１と呼ばれる支持部材と、コー
ルドフィンガ１１を介して半導体検出器１０を冷却する
液体窒素２０が入れられたデュア部２１からなり、一方
ＷＤＸ２６はＸ線を分光する分光結晶２４とソーラスリ
ット２３および検出器として一般に比例計数管２５とで
構成される。検出法として両者には一長一短があり、分
析目的によって次のような使い分けがなされる。例え
ば、ＥＤＸ２２では全Ｘ線を半導体検出器１０で一度に
捉えるため定性分析の分析時間が短くて済み、元素の存
在状態のおおよそを迅速に知るには有効である。一方、
ＥＤＸ２２は波長分解能やピーク対バックグランド比
（Ｐ／Ｂ比）が悪いため正確な定性分析や高精度を要す
る定量分析にはＷＤＸ２６の方がはるかに優れている。
このような理由により、分析者が検出法を自由に選択で
きるよう両者を分析装置に装備することが多い。
【０００４】ところで、ＥＤＸ２２とＷＤＸ２６とでは
検出系の検出効率が大きく異なる。ＥＤＸ２２では主に
分析に用いる１〜２０ＫｅＶのエネルギ範囲では半導体
検出器１０に入射したＸ線はほぼ１００％電気信号に変
換される。このためＸ線の検出量は試料１７からの立体
角のみで決まる。これに対し、ＷＤＸ２６では分解能を
高めるためのソーラスリット２３やＸ線を分光して目的
のＸ線のみを選別する分光結晶２４での損失が大きいた
め、検出効率はＥＤＸ２２に比べ極めて低い。従って、
ＷＤＸ２６に対して適切なＸ線入射量に設定するとＥＤ
Ｘ２２では入射Ｘ線量が過大となってしまう。このた
め、ＥＤＸ２２とＷＤＸ２６の両者を備えるＸ線分析装
置ではＥＤＸ２２の方のＸ線入射量を低減させるため
に、半導体検出器１０のＸ線入射窓９の前面に試料１７
からの立体角を制限する絞り穴を設けて半導体検出器１
０に入るＸ線入射量を調節するのが一般的である。そし
て、通常この絞り穴は図２に示すように絞り円板１３を
用意し、この円板上の同一円周上に複数個の大きさの異
なるＸ線制限絞り穴１４ａ〜１４ｎを穿設し、この円周
中心に固着された回転軸１５を駆動モータ１６で回転さ
せることにより、測定に際し必要なＸ線入射量を通過さ
せる絞り穴を選択し、その絞り穴中心をＸ線入射窓９の
中心に合わせて測定される。
検出系の検出効率が大きく異なる。ＥＤＸ２２では主に
分析に用いる１〜２０ＫｅＶのエネルギ範囲では半導体
検出器１０に入射したＸ線はほぼ１００％電気信号に変
換される。このためＸ線の検出量は試料１７からの立体
角のみで決まる。これに対し、ＷＤＸ２６では分解能を
高めるためのソーラスリット２３やＸ線を分光して目的
のＸ線のみを選別する分光結晶２４での損失が大きいた
め、検出効率はＥＤＸ２２に比べ極めて低い。従って、
ＷＤＸ２６に対して適切なＸ線入射量に設定するとＥＤ
Ｘ２２では入射Ｘ線量が過大となってしまう。このた
め、ＥＤＸ２２とＷＤＸ２６の両者を備えるＸ線分析装
置ではＥＤＸ２２の方のＸ線入射量を低減させるため
に、半導体検出器１０のＸ線入射窓９の前面に試料１７
からの立体角を制限する絞り穴を設けて半導体検出器１
０に入るＸ線入射量を調節するのが一般的である。そし
て、通常この絞り穴は図２に示すように絞り円板１３を
用意し、この円板上の同一円周上に複数個の大きさの異
なるＸ線制限絞り穴１４ａ〜１４ｎを穿設し、この円周
中心に固着された回転軸１５を駆動モータ１６で回転さ
せることにより、測定に際し必要なＸ線入射量を通過さ
せる絞り穴を選択し、その絞り穴中心をＸ線入射窓９の
中心に合わせて測定される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線分析装置は
以上のように構成されているが、このような絞り円板１
３上にＸ線制限絞り穴１４ａ〜１４ｎを穿設する方法で
は絞り穴の数だけ数段階にしか変更できず、Ｘ線の制限
量を連続的に変えることができない。また各Ｘ線制限絞
り穴１４ａ〜１４ｎの中心が回転軸１５の中心と合致し
ていないときは、図３（ｂ）に示すように半導体検出器
１０へのＸ線入射に位置ずれをおこし、半導体検出器１
０に存在する感度むらの影響を受けてＸ線制限絞り穴１
４ａ〜１４ｎの開口大きさによる所定の割合でのＸ線入
射量を制限することが不可能になる。
以上のように構成されているが、このような絞り円板１
３上にＸ線制限絞り穴１４ａ〜１４ｎを穿設する方法で
は絞り穴の数だけ数段階にしか変更できず、Ｘ線の制限
量を連続的に変えることができない。また各Ｘ線制限絞
り穴１４ａ〜１４ｎの中心が回転軸１５の中心と合致し
ていないときは、図３（ｂ）に示すように半導体検出器
１０へのＸ線入射に位置ずれをおこし、半導体検出器１
０に存在する感度むらの影響を受けてＸ線制限絞り穴１
４ａ〜１４ｎの開口大きさによる所定の割合でのＸ線入
射量を制限することが不可能になる。
【０００６】さらに半導体検出器１０はＸ線の検出感度
を高くするため出来得る限り試料１７に近づけて配設さ
れる。このため半導体検出器１０およびコールドフィン
ガ１１を保持するエンドキャップ１２は真空容器１９へ
の取り付け面から長く内部に入り込んでおり、必然的に
絞り円板１３の回転軸１５も長くする必要がある。この
場合図３（ｂ）に示すように回転軸１５の芯振れを起こ
し易く、結果として前述のごとく各Ｘ線制限絞り穴１４
ａ〜１４ｎの中心が回転軸１５の中心と合致せず、この
場合もＸ線制限絞り穴１４ａ〜１４ｎの開口大きさによ
る所定の割合でのＸ線入射量を制限することが不可能に
なる。本発明は、このような事情に鑑みてなされたもの
であって、半導体検出器へのＸ線入射量を連続的に制限
でき、かつ、そのための高い工作精度を必要としないＸ
線入射量制限機構を備えたＸ線分析装置を提供すること
を目的とする。
を高くするため出来得る限り試料１７に近づけて配設さ
れる。このため半導体検出器１０およびコールドフィン
ガ１１を保持するエンドキャップ１２は真空容器１９へ
の取り付け面から長く内部に入り込んでおり、必然的に
絞り円板１３の回転軸１５も長くする必要がある。この
場合図３（ｂ）に示すように回転軸１５の芯振れを起こ
し易く、結果として前述のごとく各Ｘ線制限絞り穴１４
ａ〜１４ｎの中心が回転軸１５の中心と合致せず、この
場合もＸ線制限絞り穴１４ａ〜１４ｎの開口大きさによ
る所定の割合でのＸ線入射量を制限することが不可能に
なる。本発明は、このような事情に鑑みてなされたもの
であって、半導体検出器へのＸ線入射量を連続的に制限
でき、かつ、そのための高い工作精度を必要としないＸ
線入射量制限機構を備えたＸ線分析装置を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線分析装置
は、上記の目的を達成するため、複数の平行平面板から
なる平行平板スリットを配設し、かつ該平行平板スリッ
トを傾斜させ得るようにしたものである。本発明の構成
要件である平行平板スリットとその傾斜は、半導体検出
器との同心性がなくなり、半導体検出器へのＸ線入射量
が連続可変となる。
は、上記の目的を達成するため、複数の平行平面板から
なる平行平板スリットを配設し、かつ該平行平板スリッ
トを傾斜させ得るようにしたものである。本発明の構成
要件である平行平板スリットとその傾斜は、半導体検出
器との同心性がなくなり、半導体検出器へのＸ線入射量
が連続可変となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＸ線分析装置のＸ
線入射量制限機構部の一実施例を図１により説明する。
図１（ａ）はＸ線入射量制限機構部の側面図であり、図
１（ｂ）はその正面図である。複数の板からなる平行平
板スリット１はＸ線入射窓９の大きさを充分にカバーす
る開口をもつ大きさで、これらはスリット支持枠２に挿
着されている。スリット支持枠２はスリット回転軸４を
持着し、スリット回転軸受５において回転が可能であ
る。スリット支持枠２の回転を行うためにウォーム回転
軸７の先端にスリット回転ウォーム６を定着させ、これ
に連結するスリット回転ウォームホイール３が前述のス
リット回転軸４に固着されている。以上の平行平板スリ
ット１の回転機構は半導体検出器１０とこれを冷却する
ためのコールドフインガ１１を内蔵するエンドキャップ
１２の先端のＸ線入射窓９の直前に配設されるよう、ス
リット回転支持基台８に定着される。
線入射量制限機構部の一実施例を図１により説明する。
図１（ａ）はＸ線入射量制限機構部の側面図であり、図
１（ｂ）はその正面図である。複数の板からなる平行平
板スリット１はＸ線入射窓９の大きさを充分にカバーす
る開口をもつ大きさで、これらはスリット支持枠２に挿
着されている。スリット支持枠２はスリット回転軸４を
持着し、スリット回転軸受５において回転が可能であ
る。スリット支持枠２の回転を行うためにウォーム回転
軸７の先端にスリット回転ウォーム６を定着させ、これ
に連結するスリット回転ウォームホイール３が前述のス
リット回転軸４に固着されている。以上の平行平板スリ
ット１の回転機構は半導体検出器１０とこれを冷却する
ためのコールドフインガ１１を内蔵するエンドキャップ
１２の先端のＸ線入射窓９の直前に配設されるよう、ス
リット回転支持基台８に定着される。
【０００９】次に、図１に示す実施例のＸ線分析装置の
Ｘ線入射量制限機構部の動作を説明する。まずＸ線分析
装置コントローラ（図示されていない）からの信号によ
ってウォーム回転軸７が回転すると、連結されたスリッ
ト回転ウォームホイール３が回転する。スリット回転ウ
ォームホイール３の回転により、スリット支持枠２が回
転し、これによって平行平板スリット１はその回転量に
応じて傾斜する。平行平板スリット１の傾斜に従い、図
３（ａ）に示すようにＸ線入射窓９に入射するＸ線量は
制限を受け平行平板スリット１の傾斜が大になると入射
するＸ線量は減少する。最初にウォーム回転軸７を前後
に回転させ、半導体検出器１０で検出する入射Ｘ線信号
が最大となる平行平板スリット１の傾き位置を求める。
この位置が装置組立上入射Ｘ線光束の中心軸が平行平板
スリット１に平行となった位置、即ちＸ線減衰率０％の
基準位置である。この位置からウォーム回転軸７を回転
させながら入射Ｘ線信号を測定し、回転角対信号強度か
ら回転角対Ｘ線減衰率の較正曲線を求める。この較正曲
線をＸ線分析装置コントローラに記憶させておけば試料
測定に際して定められた減衰率を得るウォーム回転軸７
の設定により必要な傾斜角に平行平板スリット１を置く
ことができる。
Ｘ線入射量制限機構部の動作を説明する。まずＸ線分析
装置コントローラ（図示されていない）からの信号によ
ってウォーム回転軸７が回転すると、連結されたスリッ
ト回転ウォームホイール３が回転する。スリット回転ウ
ォームホイール３の回転により、スリット支持枠２が回
転し、これによって平行平板スリット１はその回転量に
応じて傾斜する。平行平板スリット１の傾斜に従い、図
３（ａ）に示すようにＸ線入射窓９に入射するＸ線量は
制限を受け平行平板スリット１の傾斜が大になると入射
するＸ線量は減少する。最初にウォーム回転軸７を前後
に回転させ、半導体検出器１０で検出する入射Ｘ線信号
が最大となる平行平板スリット１の傾き位置を求める。
この位置が装置組立上入射Ｘ線光束の中心軸が平行平板
スリット１に平行となった位置、即ちＸ線減衰率０％の
基準位置である。この位置からウォーム回転軸７を回転
させながら入射Ｘ線信号を測定し、回転角対信号強度か
ら回転角対Ｘ線減衰率の較正曲線を求める。この較正曲
線をＸ線分析装置コントローラに記憶させておけば試料
測定に際して定められた減衰率を得るウォーム回転軸７
の設定により必要な傾斜角に平行平板スリット１を置く
ことができる。
【００１０】なお、上記の実施例では、平行平板スリッ
ト１を保持するスリット支持枠２を回転させて平行平板
スリット１を傾斜させていたが、このような回転駆動を
用いず図４（ａ）に示すように直線駆動器２９を用い、
平行平板スリット１の片側を固定されたスリット支持枠
Ａ２７で保持し、もう一方を直線移動するスリット支持
枠Ｂ２８に遊動保持させることによって、この可動側の
スリット支持枠Ｂ２８を直線駆動器２９で直線移動させ
ることにより平行平板スリット１を傾斜させることもで
きる。
ト１を保持するスリット支持枠２を回転させて平行平板
スリット１を傾斜させていたが、このような回転駆動を
用いず図４（ａ）に示すように直線駆動器２９を用い、
平行平板スリット１の片側を固定されたスリット支持枠
Ａ２７で保持し、もう一方を直線移動するスリット支持
枠Ｂ２８に遊動保持させることによって、この可動側の
スリット支持枠Ｂ２８を直線駆動器２９で直線移動させ
ることにより平行平板スリット１を傾斜させることもで
きる。
【００１１】同様に、駆動を直線移動で行う場合には、
図４（ｂ）のようにスリット回転ウォームホイール３の
替わりに、スリット回転腕３０をスリット回転軸４に固
着させ、直線移動棒３１を直線移動させることによっ
て、スリット回転腕３０を押し、スリット支持枠２を回
転させて平行平板スリット１を傾斜させることもでき
る。引張バネ３２は直線移動棒３１とスリット回転腕３
０とを常に当接させるためのものである。いずれの場合
でも直線移動で平行平板スリット１を傾斜させる場合に
は直線駆動器２９および直線移動棒３１の移動量と入射
Ｘ線減衰率がほぼ比例関係にできるのに対して実施例の
ような回転駆動による方法ではその回転角と入射Ｘ線減
衰率とは回転角の正弦に略比例となる特徴をもつ。
図４（ｂ）のようにスリット回転ウォームホイール３の
替わりに、スリット回転腕３０をスリット回転軸４に固
着させ、直線移動棒３１を直線移動させることによっ
て、スリット回転腕３０を押し、スリット支持枠２を回
転させて平行平板スリット１を傾斜させることもでき
る。引張バネ３２は直線移動棒３１とスリット回転腕３
０とを常に当接させるためのものである。いずれの場合
でも直線移動で平行平板スリット１を傾斜させる場合に
は直線駆動器２９および直線移動棒３１の移動量と入射
Ｘ線減衰率がほぼ比例関係にできるのに対して実施例の
ような回転駆動による方法ではその回転角と入射Ｘ線減
衰率とは回転角の正弦に略比例となる特徴をもつ。
【００１２】
【発明の効果】本発明のＸ線分析装置は上記のように構
成されており、半導体検出器へ入射するＸ線量を制限す
る機構に平行平板スリットを用いたので入射Ｘ線量を連
続的に制限することができ、かつ、半導体検出器および
Ｘ線入射窓に対する取り付け位置精度を必要としないの
で、従来法のような絞り円板におけるＸ線制限絞り穴の
高精度加工や回転軸の高精度加工が一切不要となる。
成されており、半導体検出器へ入射するＸ線量を制限す
る機構に平行平板スリットを用いたので入射Ｘ線量を連
続的に制限することができ、かつ、半導体検出器および
Ｘ線入射窓に対する取り付け位置精度を必要としないの
で、従来法のような絞り円板におけるＸ線制限絞り穴の
高精度加工や回転軸の高精度加工が一切不要となる。
【図１】 本発明のＸ線分析装置のＸ線入射量制限機構
部の一実施例を示す図である。
部の一実施例を示す図である。
【図２】 従来のＸ線分析装置を示す図である。
【図３】 本発明のＸ線入射量制限機構部と従来装置と
を比較する図である。
を比較する図である。
【図４】 本発明の他のＸ線入射量制限機構部を示す図
である。
である。
１ 平行平板スリット ２ スリット支持枠 ３ スリット回転ウォームホイール ４ スリット回転軸 ６ スリット回転ウォーム ７ ウォーム回転軸 ９ Ｘ線入射窓 １０ 半導体検出器 １２ エンドキャップ
Claims (1)
- 【請求項１】 試料から発生するＸ線を検出する半導体
検出器と、この半導体検出器のＸ線入射窓の前面にＸ線
入射量を制限する手段を備えたＸ線分析装置において、
そのＸ線入射量を制限する手段として複数の平行平面板
からなる平行平板スリットを配設し、かつ該平行平板ス
リットを傾斜させ得るようにしたことを特徴とするＸ線
分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11161320A JP2000346816A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | Ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11161320A JP2000346816A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | Ｘ線分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000346816A true JP2000346816A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15732861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11161320A Pending JP2000346816A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | Ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000346816A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006300957A (ja) * | 2004-02-19 | 2006-11-02 | House Foods Corp | 固形状測定対象物質断面における検出成分分布濃度を測定するための方法 |
| JP2010078502A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | コンクリート中のスラグ骨材判定方法およびスラグ骨材定量方法 |
| WO2016195007A1 (ja) * | 2015-06-03 | 2016-12-08 | 三菱電機プラントエンジニアリング株式会社 | 放射能汚染検査装置 |
| WO2021256054A1 (ja) * | 2020-06-19 | 2021-12-23 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析装置、判定方法及び判定プログラム |
-
1999
- 1999-06-08 JP JP11161320A patent/JP2000346816A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006300957A (ja) * | 2004-02-19 | 2006-11-02 | House Foods Corp | 固形状測定対象物質断面における検出成分分布濃度を測定するための方法 |
| JP4611931B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2011-01-12 | ハウス食品株式会社 | 固形状測定対象物質断面における検出成分分布濃度を測定するための方法 |
| JP2010078502A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | コンクリート中のスラグ骨材判定方法およびスラグ骨材定量方法 |
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