JP2000346608A - 表面形状認識用センサ回路 - Google Patents
表面形状認識用センサ回路Info
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- JP2000346608A JP2000346608A JP11157763A JP15776399A JP2000346608A JP 2000346608 A JP2000346608 A JP 2000346608A JP 11157763 A JP11157763 A JP 11157763A JP 15776399 A JP15776399 A JP 15776399A JP 2000346608 A JP2000346608 A JP 2000346608A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面形状認識用センサ回路の検出精度を向上
させる。 【解決手段】 指紋の凹凸等、指の表面形状に応じて容
量が変化する容量センサ素子１１、容量センサ素子の容
量に応じた電圧信号を発生させる信号発生回路１５、容
量センサ素子と信号発生回路との接続点である節点Ｎ１
の電圧信号を検出する検出回路２０から構成される表面
形状認識用センサ回路の前記信号発生回路を、容量値Ｃ
ｓを有する容量素子１４から構成して、容量素子の第１
の端子を節点Ｎ１に接続し、容量素子の第２の端子の電
圧を第１の電位に設定するとともに、節点Ｎ１に電荷が
充電された後に第２の端子を第２の電位に変化させて節
点Ｎ１の電荷を引き抜く。
させる。 【解決手段】 指紋の凹凸等、指の表面形状に応じて容
量が変化する容量センサ素子１１、容量センサ素子の容
量に応じた電圧信号を発生させる信号発生回路１５、容
量センサ素子と信号発生回路との接続点である節点Ｎ１
の電圧信号を検出する検出回路２０から構成される表面
形状認識用センサ回路の前記信号発生回路を、容量値Ｃ
ｓを有する容量素子１４から構成して、容量素子の第１
の端子を節点Ｎ１に接続し、容量素子の第２の端子の電
圧を第１の電位に設定するとともに、節点Ｎ１に電荷が
充電された後に第２の端子を第２の電位に変化させて節
点Ｎ１の電荷を引き抜く。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、人間の指紋や動物
の鼻紋等の微細な凹凸を有する表面形状を検出する表面
形状認識用センサ回路に関する。
の鼻紋等の微細な凹凸を有する表面形状を検出する表面
形状認識用センサ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細な凹凸を有する表面形状を認識する
センサとして、特に指紋検出をターゲットとしたものが
報告されている。また、指紋のパターンを検出する技術
として、ＬＳＩ製造技術を用いた容量検出形のセンサが
提案されている。これは例えば、’ＩＳＳＣＣ ＤＩＧ
ＥＳＴ ＯＦ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＰＡＰＥＲＳ’Ｆ
ＥＢＲＵＡＲＹ １９９８ ｐｐ．２８４〜２８５に記
載されている。容量検出形のセンサは、図９に示すよう
に、各センスユニット１がＬＳＩチップ上に２次元配列
されたセンサアレイ２として構成されており、各センス
ユニット１の電極と絶縁膜を介して触れた指３の皮膚と
の間に形成される静電容量を検出して、指紋の凹凸パタ
ーンを感知するものである。指紋の凹凸により形成され
る容量の値が異なるため、この微少な容量差を検出する
ことで指紋の凹凸を感知することができる。
センサとして、特に指紋検出をターゲットとしたものが
報告されている。また、指紋のパターンを検出する技術
として、ＬＳＩ製造技術を用いた容量検出形のセンサが
提案されている。これは例えば、’ＩＳＳＣＣ ＤＩＧ
ＥＳＴ ＯＦ ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＰＡＰＥＲＳ’Ｆ
ＥＢＲＵＡＲＹ １９９８ ｐｐ．２８４〜２８５に記
載されている。容量検出形のセンサは、図９に示すよう
に、各センスユニット１がＬＳＩチップ上に２次元配列
されたセンサアレイ２として構成されており、各センス
ユニット１の電極と絶縁膜を介して触れた指３の皮膚と
の間に形成される静電容量を検出して、指紋の凹凸パタ
ーンを感知するものである。指紋の凹凸により形成され
る容量の値が異なるため、この微少な容量差を検出する
ことで指紋の凹凸を感知することができる。
【０００３】図７は、この原理を用いた従来のセンサ回
路の基本構成を示すブロック図である。すなわち、この
表面形状認識用センサ回路は、センスユニット１の電極
と絶縁膜を介して触れた指の皮膚との間に形成される容
量値Ｃｆを有する容量センサ素子１１と、容量センサ素
子１１の容量値Ｃｆに応じた電圧信号を発生するスイッ
チＳＷ２及び電流源１２からなる信号発生回路１３と、
信号発生回路１３による電圧信号を検出する検出回路２
０と、外部電位Ｖｐを容量センサ素子１１の電極と信号
発生回路１３との接続点である節点Ｎ１に供給するため
のスイッチＳＷ１とからなる。なお、図中のＣｐは寄生
容量を示す。このような容量センサ素子１１，信号発生
回路１３，検出回路２０等により１組のセンスユニット
１が構成される。
路の基本構成を示すブロック図である。すなわち、この
表面形状認識用センサ回路は、センスユニット１の電極
と絶縁膜を介して触れた指の皮膚との間に形成される容
量値Ｃｆを有する容量センサ素子１１と、容量センサ素
子１１の容量値Ｃｆに応じた電圧信号を発生するスイッ
チＳＷ２及び電流源１２からなる信号発生回路１３と、
信号発生回路１３による電圧信号を検出する検出回路２
０と、外部電位Ｖｐを容量センサ素子１１の電極と信号
発生回路１３との接続点である節点Ｎ１に供給するため
のスイッチＳＷ１とからなる。なお、図中のＣｐは寄生
容量を示す。このような容量センサ素子１１，信号発生
回路１３，検出回路２０等により１組のセンスユニット
１が構成される。
【０００４】ここで容量センサ素子１１の値Ｃｆは、こ
の容量センサ素子１１のセンサ電極（即ち、図７の節点
Ｎ１側に接続されるセンサ素子１１の電極）と指の皮膚
との距離によって決まるため、指紋の凹凸によって容量
センサ素子１１の値Ｃｆは異なる。したがって、指３が
図７の節点Ｎ２に相当する位置に触れると、指紋の凹凸
に応じた電圧信号が節点Ｎ１側に出力される。この電圧
信号は検出回路２０により指紋の凹凸を反映した信号と
して検出され、その結果、指紋パターンが検出されるこ
とになる。
の容量センサ素子１１のセンサ電極（即ち、図７の節点
Ｎ１側に接続されるセンサ素子１１の電極）と指の皮膚
との距離によって決まるため、指紋の凹凸によって容量
センサ素子１１の値Ｃｆは異なる。したがって、指３が
図７の節点Ｎ２に相当する位置に触れると、指紋の凹凸
に応じた電圧信号が節点Ｎ１側に出力される。この電圧
信号は検出回路２０により指紋の凹凸を反映した信号と
して検出され、その結果、指紋パターンが検出されるこ
とになる。
【０００５】図８は、図７に示した表面形状認識用セン
サ回路の動作を説明するためのタイミングチャートであ
る。はじめに、スイッチＳＷ１の開閉を制御する制御信
号ＰはＬｏｗレベルとなっている（図８（ａ））。ま
た、スイッチＳＷ２の開閉を制御する制御信号ＳもＬｏ
ｗレベルとなっている（図８（ｂ））。したがって、各
スイッチＳＷ１，ＳＷ２は開状態になっている。このと
き、節点Ｎ１は外部電位Ｖｐ以下の電位となっている
（図８（ｃ））。
サ回路の動作を説明するためのタイミングチャートであ
る。はじめに、スイッチＳＷ１の開閉を制御する制御信
号ＰはＬｏｗレベルとなっている（図８（ａ））。ま
た、スイッチＳＷ２の開閉を制御する制御信号ＳもＬｏ
ｗレベルとなっている（図８（ｂ））。したがって、各
スイッチＳＷ１，ＳＷ２は開状態になっている。このと
き、節点Ｎ１は外部電位Ｖｐ以下の電位となっている
（図８（ｃ））。
【０００６】このような状態において、図８（ａ）の時
点で制御信号ＰがＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに
変化すると、スイッチＳＷ１が閉結して導通状態とな
り、その結果、節点Ｎ１の電位は外部電位Ｖｐにプリチ
ャージされる（図８（ｃ））。
点で制御信号ＰがＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに
変化すると、スイッチＳＷ１が閉結して導通状態とな
り、その結果、節点Ｎ１の電位は外部電位Ｖｐにプリチ
ャージされる（図８（ｃ））。
【０００７】プリチャージが終了した後、制御信号Ｐが
図８（ａ）の時点でＬｏｗレベルに変化すると同時に
制御信号Ｓが図８（ｂ）に示すようにＨｉｇｈレベルに
変化する。これによりスイッチＳＷ１が非導通状態に、
スイッチＳＷ２が導通状態になり、電流源１２により節
点Ｎ１に充電された電荷が引き抜かれる。この結果、節
点Ｎ１の電位が低下する（図８（ｃ））。ここで、制御
信号ＳのＨｉｇｈレベル期間をΔｔとすると、Δｔ経過
後の節点Ｎ１の電位低下ΔＶは ΔＶ＝ＩΔｔ／（Ｃｆ＋Ｃｐ） （１） になる。ただし、Ｉは電流源１２の電流である。
図８（ａ）の時点でＬｏｗレベルに変化すると同時に
制御信号Ｓが図８（ｂ）に示すようにＨｉｇｈレベルに
変化する。これによりスイッチＳＷ１が非導通状態に、
スイッチＳＷ２が導通状態になり、電流源１２により節
点Ｎ１に充電された電荷が引き抜かれる。この結果、節
点Ｎ１の電位が低下する（図８（ｃ））。ここで、制御
信号ＳのＨｉｇｈレベル期間をΔｔとすると、Δｔ経過
後の節点Ｎ１の電位低下ΔＶは ΔＶ＝ＩΔｔ／（Ｃｆ＋Ｃｐ） （１） になる。ただし、Ｉは電流源１２の電流である。
【０００８】ここで、電流Ｉ、期間Δｔ及び寄生容量Ｃ
ｐはそれぞれ一定であるから、電位低下ΔＶは容量Ｃｆ
によって決定される。各センスユニット１は容量センサ
素子１１の電極と指の皮膚との距離によって決まるの
で、指紋の凹凸によって容量Ｃｆの値は異なる。このこ
とから、指紋の凹凸を反映して低下電位ΔＶの大きさが
変化する。
ｐはそれぞれ一定であるから、電位低下ΔＶは容量Ｃｆ
によって決定される。各センスユニット１は容量センサ
素子１１の電極と指の皮膚との距離によって決まるの
で、指紋の凹凸によって容量Ｃｆの値は異なる。このこ
とから、指紋の凹凸を反映して低下電位ΔＶの大きさが
変化する。
【０００９】即ち、指紋の凹部に相当する容量センサ素
子１１の値をＣｆｖ、指紋の凸部に相当する容量センサ
素子１１の値をＣｆｒとすると、指紋の凹部と凸部の電
圧信号の差ΔＶｉは、図８（ｃ）に示すように、 ΔＶｉ＝ＩΔｔ／（Ｃｆｖ＋Ｃｐ） −ＩΔｔ／（Ｃｆｒ＋Ｃｐ） （２） となる。このような信号ΔＶｉが入力信号として検出回
路２０に与えられるため、検出回路２０では、指紋の凹
凸が識別され指紋の凹凸を反映した信号を出力すること
ができる。
子１１の値をＣｆｖ、指紋の凸部に相当する容量センサ
素子１１の値をＣｆｒとすると、指紋の凹部と凸部の電
圧信号の差ΔＶｉは、図８（ｃ）に示すように、 ΔＶｉ＝ＩΔｔ／（Ｃｆｖ＋Ｃｐ） −ＩΔｔ／（Ｃｆｒ＋Ｃｐ） （２） となる。このような信号ΔＶｉが入力信号として検出回
路２０に与えられるため、検出回路２０では、指紋の凹
凸が識別され指紋の凹凸を反映した信号を出力すること
ができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図７及び図８に示す従
来のセンサ回路は、電流源１２により節点Ｎ１の電荷の
引き抜きを行っている。こうした電流源１２は各センス
ユニット毎に設けられているため、各センスユニット内
の各電流源の電流量と電荷を引く抜く時間とを均一に制
御する必要があった。しかしながら、実際には全ての電
流源を均一に作製することは困難であり、このため各セ
ンスユニットからなるセンサ回路全体の検出精度が悪化
するという問題があった。したがって本発明は、表面形
状認識用センサ回路の検出精度を向上させることを目的
とする。
来のセンサ回路は、電流源１２により節点Ｎ１の電荷の
引き抜きを行っている。こうした電流源１２は各センス
ユニット毎に設けられているため、各センスユニット内
の各電流源の電流量と電荷を引く抜く時間とを均一に制
御する必要があった。しかしながら、実際には全ての電
流源を均一に作製することは困難であり、このため各セ
ンスユニットからなるセンサ回路全体の検出精度が悪化
するという問題があった。したがって本発明は、表面形
状認識用センサ回路の検出精度を向上させることを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために本発明は、接触した対象物の表面形状に応じて
容量が変化する容量センサ素子と、容量センサ素子の容
量に応じた電圧信号を発生させる信号発生回路と、容量
センサ素子と信号発生回路との接続点を示す節点に接続
され前記節点の電圧信号を検出する検出回路とからな
り、検出回路は前記節点に電荷が充電された後に前記節
点の電圧信号を検出して出力する表面形状認識用センサ
回路であって、信号発生回路を、第１及び第２の端子を
有するとともに第１の端子が前記節点に接続される容量
値Ｃｓを有する容量素子から構成し、容量素子の第２の
端子の電圧を第１の電位に設定するとともに、前記節点
に電荷が充電された後に第２の端子を第２の電位に変化
させて容量素子から電圧信号を発生させるようにしたこ
とにより特徴づけられる。この場合、第１の電位はセン
サ回路の電源電位及びグランド電位の何れか一方に設定
されるとともに、第２の電位は電源電位及びグランド電
位の何れか他方に設定される。また、容量素子は、半導
体素子から構成されるものである。また、上記半導体素
子はＭＯＳトランジスタから構成され、この場合、ＭＯ
Ｓトランジスタのゲート端子が第１の端子となり、ＭＯ
Ｓトランジスタのソース端子及びドレイン端子が第２の
端子となる。また、容量素子の第１の端子に発生する寄
生容量値をＣｐ、容量センサ素子の最大及び最小の容量
値をそれぞれＣｆｖ、Ｃｆｒとしたとき容量素子の容量
値Ｃｓは、｛（Ｃｆｖ＋Ｃｐ）（Ｃｆｒ＋Ｃｐ）｝1/2
に設定されるものである。また、容量素子の容量値Ｃｓ
は、容量センサ素子の容量値の最大値以下に設定される
ものである。また、容量素子の容量値Ｃｓは、１０ｆＦ
から２５０ｆＦまでの範囲を有するものである。
るために本発明は、接触した対象物の表面形状に応じて
容量が変化する容量センサ素子と、容量センサ素子の容
量に応じた電圧信号を発生させる信号発生回路と、容量
センサ素子と信号発生回路との接続点を示す節点に接続
され前記節点の電圧信号を検出する検出回路とからな
り、検出回路は前記節点に電荷が充電された後に前記節
点の電圧信号を検出して出力する表面形状認識用センサ
回路であって、信号発生回路を、第１及び第２の端子を
有するとともに第１の端子が前記節点に接続される容量
値Ｃｓを有する容量素子から構成し、容量素子の第２の
端子の電圧を第１の電位に設定するとともに、前記節点
に電荷が充電された後に第２の端子を第２の電位に変化
させて容量素子から電圧信号を発生させるようにしたこ
とにより特徴づけられる。この場合、第１の電位はセン
サ回路の電源電位及びグランド電位の何れか一方に設定
されるとともに、第２の電位は電源電位及びグランド電
位の何れか他方に設定される。また、容量素子は、半導
体素子から構成されるものである。また、上記半導体素
子はＭＯＳトランジスタから構成され、この場合、ＭＯ
Ｓトランジスタのゲート端子が第１の端子となり、ＭＯ
Ｓトランジスタのソース端子及びドレイン端子が第２の
端子となる。また、容量素子の第１の端子に発生する寄
生容量値をＣｐ、容量センサ素子の最大及び最小の容量
値をそれぞれＣｆｖ、Ｃｆｒとしたとき容量素子の容量
値Ｃｓは、｛（Ｃｆｖ＋Ｃｐ）（Ｃｆｒ＋Ｃｐ）｝1/2
に設定されるものである。また、容量素子の容量値Ｃｓ
は、容量センサ素子の容量値の最大値以下に設定される
ものである。また、容量素子の容量値Ｃｓは、１０ｆＦ
から２５０ｆＦまでの範囲を有するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
して説明する。図１は本発明に係る表面形状認識用セン
サ回路のブロック図である。図１において、この表面形
状認識用センサ回路は、センスユニット１の電極と絶縁
膜を介して触れた指の皮膚との間に形成される値Ｃｆを
有する容量センサ素子１１と、容量センサ素子１１の容
量値Ｃｆに応じた電圧信号を発生する容量値Ｃｓを有す
る駆動容量素子１４を含む信号発生回路１５と、信号発
生回路１５による電圧信号を検出する検出回路２０と、
外部電位Ｖｐを容量センサ素子１１と信号発生回路１５
との接続点である節点Ｎ１に供給するためのスイッチＳ
Ｗ１とからなる。なお、図中のＣｐは寄生容量を示す。
このような容量センサ素子１１，信号発生回路１５，検
出回路２０等により１組のセンスユニット１が構成され
る。
して説明する。図１は本発明に係る表面形状認識用セン
サ回路のブロック図である。図１において、この表面形
状認識用センサ回路は、センスユニット１の電極と絶縁
膜を介して触れた指の皮膚との間に形成される値Ｃｆを
有する容量センサ素子１１と、容量センサ素子１１の容
量値Ｃｆに応じた電圧信号を発生する容量値Ｃｓを有す
る駆動容量素子１４を含む信号発生回路１５と、信号発
生回路１５による電圧信号を検出する検出回路２０と、
外部電位Ｖｐを容量センサ素子１１と信号発生回路１５
との接続点である節点Ｎ１に供給するためのスイッチＳ
Ｗ１とからなる。なお、図中のＣｐは寄生容量を示す。
このような容量センサ素子１１，信号発生回路１５，検
出回路２０等により１組のセンスユニット１が構成され
る。
【００１３】ここで容量センサ素子１１の値Ｃｆは、こ
の容量センサ素子１１のセンサ電極（即ち、図１の節点
Ｎ１側に接続されるセンサ素子１１の電極）と指の皮膚
との距離によって決まるため、指紋の凹凸によって容量
センサ素子１１の値Ｃｆは異なる。したがって、指が図
１の節点Ｎ２に相当する位置に触れると、指紋の凹凸に
応じた電圧信号が節点Ｎ１側に出力される。この電圧信
号は検出回路２０により指紋の凹凸を反映した信号とし
て検出され、その結果、指紋パターンが検出される。
の容量センサ素子１１のセンサ電極（即ち、図１の節点
Ｎ１側に接続されるセンサ素子１１の電極）と指の皮膚
との距離によって決まるため、指紋の凹凸によって容量
センサ素子１１の値Ｃｆは異なる。したがって、指が図
１の節点Ｎ２に相当する位置に触れると、指紋の凹凸に
応じた電圧信号が節点Ｎ１側に出力される。この電圧信
号は検出回路２０により指紋の凹凸を反映した信号とし
て検出され、その結果、指紋パターンが検出される。
【００１４】図１に示すセンサ回路内の信号発生回路１
５は、節点Ｎ１の電荷の引き抜きを駆動容量素子１４の
充放電を用いて行うようにしたものであり、引き抜く電
荷量は駆動容量素子１４の容量Ｃｓとその駆動電圧Ｖｓ
により制御される。ここで、図１に示す駆動電圧Ｖｓ
を、スイッチＳＷ３を介して例えば電源電圧レベル（Ｖ
ＤＤ）またはグランドレベル（ＧＮＤ）に設定すること
により引き抜く電荷量を制御する。駆動容量素子１４の
容量値Ｃｓの充放電に基づく制御は、図７に示した従来
の電流源１２の電流値による制御よりも精度が高く、ま
た駆動容量素子１４の駆動電圧Ｖｓの制御は、図８に示
した従来の時間制御に比べて簡単かつ高精度で制御でき
る。
５は、節点Ｎ１の電荷の引き抜きを駆動容量素子１４の
充放電を用いて行うようにしたものであり、引き抜く電
荷量は駆動容量素子１４の容量Ｃｓとその駆動電圧Ｖｓ
により制御される。ここで、図１に示す駆動電圧Ｖｓ
を、スイッチＳＷ３を介して例えば電源電圧レベル（Ｖ
ＤＤ）またはグランドレベル（ＧＮＤ）に設定すること
により引き抜く電荷量を制御する。駆動容量素子１４の
容量値Ｃｓの充放電に基づく制御は、図７に示した従来
の電流源１２の電流値による制御よりも精度が高く、ま
た駆動容量素子１４の駆動電圧Ｖｓの制御は、図８に示
した従来の時間制御に比べて簡単かつ高精度で制御でき
る。
【００１５】次に、図２を用い図１の信号発生回路１５
の信号発生方法について説明する。ここでは表面形状と
して指の表面を検出する場合について説明する。図２
（ａ）の時点で制御信号Ｐの電位をＨｉｇｈレベルに
してスイッチＳＷ１を閉じ外部電位Ｖｐを節点Ｎ１にプ
リチャージする。その後、図２（ａ）の時点で制御信
号Ｐの電位をＬｏｗレベルにしてスイッチＳＷ１を開放
する。同時に図２（ｂ）に示すように、信号発生回路１
５内の駆動容量素子１４の駆動電圧ＶｓをΔＶｓだけ低
下させて節点Ｎ１の電荷を引き抜き、検出回路２０側へ
の入力信号を生じさせる。
の信号発生方法について説明する。ここでは表面形状と
して指の表面を検出する場合について説明する。図２
（ａ）の時点で制御信号Ｐの電位をＨｉｇｈレベルに
してスイッチＳＷ１を閉じ外部電位Ｖｐを節点Ｎ１にプ
リチャージする。その後、図２（ａ）の時点で制御信
号Ｐの電位をＬｏｗレベルにしてスイッチＳＷ１を開放
する。同時に図２（ｂ）に示すように、信号発生回路１
５内の駆動容量素子１４の駆動電圧ＶｓをΔＶｓだけ低
下させて節点Ｎ１の電荷を引き抜き、検出回路２０側へ
の入力信号を生じさせる。
【００１６】ここで、プリチャージ電位をＶｐ、容量セ
ンサ素子１１の値をＣｆ、寄生容量値をＣｐ、駆動容量
素子１４の容量値をＣｓ、駆動容量素子１４の駆動電圧
Ｖｓの変化量をΔＶｓとすると、検出回路２０側へ与え
られる入力信号の変化量ΔＶは、式（３）のようにな
る。 ΔＶ＝ΔＶｓ／｛１＋（Ｃｆ＋Ｃｐ）／Ｃｓ｝ （３）
ンサ素子１１の値をＣｆ、寄生容量値をＣｐ、駆動容量
素子１４の容量値をＣｓ、駆動容量素子１４の駆動電圧
Ｖｓの変化量をΔＶｓとすると、検出回路２０側へ与え
られる入力信号の変化量ΔＶは、式（３）のようにな
る。 ΔＶ＝ΔＶｓ／｛１＋（Ｃｆ＋Ｃｐ）／Ｃｓ｝ （３）
【００１７】また、この信号変化量のダイナミックレン
ジΔＶｉは下記のようになる。 ΔＶｉ＝ΔＶMAX−ΔＶMIN ＝ΔＶｓ／｛１＋（Ｃｆｖ＋Ｃｐ）／Ｃｓ｝ −ΔＶｓ／｛１＋（Ｃｆｒ＋Ｃｐ）／Ｃｓ｝ （４） 式（４）中のＣｆｖは容量センサ素子１１の容量Ｃｆの
うち指紋の凹部に相当する容量値、またＣｆｒは容量セ
ンサ素子１１の容量Ｃｆのうち指紋の凸部に相当する容
量値を示す。
ジΔＶｉは下記のようになる。 ΔＶｉ＝ΔＶMAX−ΔＶMIN ＝ΔＶｓ／｛１＋（Ｃｆｖ＋Ｃｐ）／Ｃｓ｝ −ΔＶｓ／｛１＋（Ｃｆｒ＋Ｃｐ）／Ｃｓ｝ （４） 式（４）中のＣｆｖは容量センサ素子１１の容量Ｃｆの
うち指紋の凹部に相当する容量値、またＣｆｒは容量セ
ンサ素子１１の容量Ｃｆのうち指紋の凸部に相当する容
量値を示す。
【００１８】駆動容量素子１４は、半導体素子によって
も実現でき、特に図３（ｂ）に示すようにＭＯＳトラン
ジスタを図３（ａ）の駆動容量として用いることができ
る。図３（ｂ）は、ＮＭＯＳトランジスタの例である
が、センサ回路の電源電圧の極性が異なる場合はＰＭＯ
Ｓトランジスタを用いるようにすれば良い。さらに、Ｍ
ＯＳトランジスタのゲート端子を容量センサ素子１１に
接続し、ソース端子及びドレイン端子の電圧を制御する
ことで、ＭＯＳトランジスタのソース端子及びドレイン
端子の寄生容量が容量センサ素子１１に接続されること
のない駆動容量素子１４を実現できる。
も実現でき、特に図３（ｂ）に示すようにＭＯＳトラン
ジスタを図３（ａ）の駆動容量として用いることができ
る。図３（ｂ）は、ＮＭＯＳトランジスタの例である
が、センサ回路の電源電圧の極性が異なる場合はＰＭＯ
Ｓトランジスタを用いるようにすれば良い。さらに、Ｍ
ＯＳトランジスタのゲート端子を容量センサ素子１１に
接続し、ソース端子及びドレイン端子の電圧を制御する
ことで、ＭＯＳトランジスタのソース端子及びドレイン
端子の寄生容量が容量センサ素子１１に接続されること
のない駆動容量素子１４を実現できる。
【００１９】式（４）に示すダイナミックレンジΔＶｉ
は検出回路２０への入力信号となるので大きいほどよ
い。ここで寄生容量値Ｃｐ＝５０ｆＦ，Ｃｆｖ＝１０ｆ
Ｆ，Ｃｆｒ＝１００ｆＦ，ΔＶｓ＝２．７Ｖのときのダ
イナミックレンジΔＶｉと駆動容量素子１４の値Ｃｓと
の関係を図４に示す。
は検出回路２０への入力信号となるので大きいほどよ
い。ここで寄生容量値Ｃｐ＝５０ｆＦ，Ｃｆｖ＝１０ｆ
Ｆ，Ｃｆｒ＝１００ｆＦ，ΔＶｓ＝２．７Ｖのときのダ
イナミックレンジΔＶｉと駆動容量素子１４の値Ｃｓと
の関係を図４に示す。
【００２０】図４において、ダイナミックレンジΔＶｉ
が最大となる駆動容量素子１４の値Ｃｓが存在し、この
場合駆動容量素子１４の値Ｃｓは約９５ｆＦである。上
記の式（４）からダイナミックレンジΔＶｉが最大にな
るのは駆動容量素子１４の値Ｃｓが、 Ｃｓ＝｛（Ｃｆｖ＋Ｃｐ）（Ｃｆｒ＋Ｃｐ）｝1/2 （５） のときであり、このようにして駆動容量素子１４の値Ｃ
ｓを選定すればよい。
が最大となる駆動容量素子１４の値Ｃｓが存在し、この
場合駆動容量素子１４の値Ｃｓは約９５ｆＦである。上
記の式（４）からダイナミックレンジΔＶｉが最大にな
るのは駆動容量素子１４の値Ｃｓが、 Ｃｓ＝｛（Ｃｆｖ＋Ｃｐ）（Ｃｆｒ＋Ｃｐ）｝1/2 （５） のときであり、このようにして駆動容量素子１４の値Ｃ
ｓを選定すればよい。
【００２１】ここで、センサ電極のサイズは指紋のパタ
ーンとセンサ回路の感度から制限され、２０ｕｍ角〜１
００ｕｍ角程度になる。このときのＣｆｒは２０ｆＦ〜
３５０ｆＦ，Ｃｆｖは５ｆＦ以下、Ｃｐは１０ｆＦ〜１
７０ｆＦ程度になる。Ｃｆｖは小さいので５ｆＦと固定
して考えてもよく、ＣｆｒとＣｐを変化させた場合の駆
動容量素子１４の値Ｃｓの最適値は図５のようになる。
以上のことから、駆動容量素子１４の値Ｃｓは指紋の凹
部の容量Ｃｆｖ以下に設定すれば良い。
ーンとセンサ回路の感度から制限され、２０ｕｍ角〜１
００ｕｍ角程度になる。このときのＣｆｒは２０ｆＦ〜
３５０ｆＦ，Ｃｆｖは５ｆＦ以下、Ｃｐは１０ｆＦ〜１
７０ｆＦ程度になる。Ｃｆｖは小さいので５ｆＦと固定
して考えてもよく、ＣｆｒとＣｐを変化させた場合の駆
動容量素子１４の値Ｃｓの最適値は図５のようになる。
以上のことから、駆動容量素子１４の値Ｃｓは指紋の凹
部の容量Ｃｆｖ以下に設定すれば良い。
【００２２】さらに、実際の製造では、Ｃｐ＝Ｃｆｖ／
３，Ｃｆｖ＝Ｃｆｖ／２０と考えてよい。この場合、駆
動容量素子１４の値Ｃｓの最適値は約０．７Ｃｆｖとな
る。この関係を図６に示す。したがって、駆動容量素子
１４の値ＣｓはＣｆｖの約０．７倍程度が最適であり、
その範囲は、上記のＣｆｖの範囲から１０ｆＦ〜２５０
ｆＦ程度になる。このように、信号発生回路１５では、
電流源による電荷の引き抜きを行わずに、駆動容量素子
１４の充放電を利用して節点Ｎ１の電荷の引き抜きを行
うようにしたため、電流源を多数のセンスユニットに内
蔵してその電流量と電荷を引き抜く時間とを精度よく制
御するといったようなことが不要になり、したがって簡
単な構成でセンサ回路のセンシング精度を向上できる。
３，Ｃｆｖ＝Ｃｆｖ／２０と考えてよい。この場合、駆
動容量素子１４の値Ｃｓの最適値は約０．７Ｃｆｖとな
る。この関係を図６に示す。したがって、駆動容量素子
１４の値ＣｓはＣｆｖの約０．７倍程度が最適であり、
その範囲は、上記のＣｆｖの範囲から１０ｆＦ〜２５０
ｆＦ程度になる。このように、信号発生回路１５では、
電流源による電荷の引き抜きを行わずに、駆動容量素子
１４の充放電を利用して節点Ｎ１の電荷の引き抜きを行
うようにしたため、電流源を多数のセンスユニットに内
蔵してその電流量と電荷を引き抜く時間とを精度よく制
御するといったようなことが不要になり、したがって簡
単な構成でセンサ回路のセンシング精度を向上できる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、接
触した対象物の表面形状に応じて容量が変化する容量セ
ンサ素子、容量センサ素子の容量に応じた電圧信号を発
生させる信号発生回路、容量センサ素子と信号発生回路
との接続である節点に接続されて電圧信号を検出する検
出回路を備えた表面形状認識用センサ回路において、信
号発生回路を、第１及び第２の端子を有するとともに第
１の端子が前記節点に接続される容量値Ｃｓを有する容
量素子から構成し、容量素子の第２の端子の電圧を第１
の電位に設定するとともに、前記節点に電荷が充電され
た後に第２の端子を第２の電位に変化させて容量素子か
ら電圧信号を発生させるようにしたので、電流源を多数
のセンスユニットに内蔵して各電流源の電流量と電荷を
引き抜く時間を精度よく制御するようなことが回避さ
れ、したがってセンサ回路の検出精度を向上できる。ま
た、このとき容量素子の第２の端子に印加する第１の電
位を電源電位及びグランド電位の何れか一方に設定する
とともに、前記第２の端子に印加する第２の電位を電源
電位及びグランド電位の何れか他方に設定するようにし
たので、第２の端子の電位を制御する場合、簡単な構成
で制御できる。また、容量素子を、半導体素子から構成
するとともに、上記半導体素子であるＭＯＳトランジス
タのゲート端子を第１の端子とし、かつこのトランジス
タのソース端子及びドレイン端子を第２の端子とするよ
うにしたので、精度の良い容量素子を作製できる。ま
た、容量素子の第１の端子に発生する寄生容量値をＣ
ｐ、容量センサ素子の最大及び最小の容量値をそれぞれ
Ｃｆｖ、Ｃｆｒとしたとき容量素子の容量値Ｃｓを、
｛（Ｃｆｖ＋Ｃｐ）（Ｃｆｒ＋Ｃｐ）｝1/2に設定する
ようにしたので、表面形状として指紋の凹凸を検出する
場合、指紋の凹部と凸部とを的確に識別できる。また、
容量素子の容量値Ｃｓを容量センサ素子の容量の最大値
以下に設定するようにしたので、微細な凹凸を有する対
象物の表面形状を精度良く検出できる。また、容量素子
の容量値Ｃｓを１０ｆＦから２５０ｆＦまでの範囲とし
たので、精度の良い容量素子を容易に製造することがで
きる。
触した対象物の表面形状に応じて容量が変化する容量セ
ンサ素子、容量センサ素子の容量に応じた電圧信号を発
生させる信号発生回路、容量センサ素子と信号発生回路
との接続である節点に接続されて電圧信号を検出する検
出回路を備えた表面形状認識用センサ回路において、信
号発生回路を、第１及び第２の端子を有するとともに第
１の端子が前記節点に接続される容量値Ｃｓを有する容
量素子から構成し、容量素子の第２の端子の電圧を第１
の電位に設定するとともに、前記節点に電荷が充電され
た後に第２の端子を第２の電位に変化させて容量素子か
ら電圧信号を発生させるようにしたので、電流源を多数
のセンスユニットに内蔵して各電流源の電流量と電荷を
引き抜く時間を精度よく制御するようなことが回避さ
れ、したがってセンサ回路の検出精度を向上できる。ま
た、このとき容量素子の第２の端子に印加する第１の電
位を電源電位及びグランド電位の何れか一方に設定する
とともに、前記第２の端子に印加する第２の電位を電源
電位及びグランド電位の何れか他方に設定するようにし
たので、第２の端子の電位を制御する場合、簡単な構成
で制御できる。また、容量素子を、半導体素子から構成
するとともに、上記半導体素子であるＭＯＳトランジス
タのゲート端子を第１の端子とし、かつこのトランジス
タのソース端子及びドレイン端子を第２の端子とするよ
うにしたので、精度の良い容量素子を作製できる。ま
た、容量素子の第１の端子に発生する寄生容量値をＣ
ｐ、容量センサ素子の最大及び最小の容量値をそれぞれ
Ｃｆｖ、Ｃｆｒとしたとき容量素子の容量値Ｃｓを、
｛（Ｃｆｖ＋Ｃｐ）（Ｃｆｒ＋Ｃｐ）｝1/2に設定する
ようにしたので、表面形状として指紋の凹凸を検出する
場合、指紋の凹部と凸部とを的確に識別できる。また、
容量素子の容量値Ｃｓを容量センサ素子の容量の最大値
以下に設定するようにしたので、微細な凹凸を有する対
象物の表面形状を精度良く検出できる。また、容量素子
の容量値Ｃｓを１０ｆＦから２５０ｆＦまでの範囲とし
たので、精度の良い容量素子を容易に製造することがで
きる。
【図１】 本発明に係る表面形状認識用センサ回路のブ
ロック図である。
ロック図である。
【図２】 図１のセンサ回路の動作状況を示すタイムチ
ャートである。
ャートである。
【図３】 図１のセンサ回路を構成する信号発生回路内
の駆動容量素子の例を示す図である。
の駆動容量素子の例を示す図である。
【図４】 図１のセンサ回路の特性図である。
【図５】 図１のセンサ回路の特性図である。
【図６】 図１のセンサ回路の特性図である。
【図７】 従来のセンサ回路のブロック図である。
【図８】 図７のセンサ回路の動作状況を示すタイムチ
ャートである。
ャートである。
【図９】 各センスユニットが格子状に形成されたセン
サアレイを示す図である。
サアレイを示す図である。
１…センスユニット、２…センサアレイ、３…指、１１
…容量センサ素子、１４…駆動容量素子、１５…信号発
生回路、２０…検出回路、ＳＷ１，ＳＷ３…スイッチ、
Ｃｐ…寄生容量、Ｎ１，Ｎ２…節点、Ｖｐ…外部電圧。
…容量センサ素子、１４…駆動容量素子、１５…信号発
生回路、２０…検出回路、ＳＷ１，ＳＷ３…スイッチ、
Ｃｐ…寄生容量、Ｎ１，Ｎ２…節点、Ｖｐ…外部電圧。
フロントページの続き (72)発明者 町田 克之 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 2F063 AA43 BA29 DA02 DA05 DD07 HA04 LA00 5B047 AA25
Claims (7)
- 【請求項１】 接触した対象物の表面形状に応じて容量
が変化する容量センサ素子と、前記容量センサ素子に接
続されこの容量センサ素子の容量に応じた電圧信号を発
生させる信号発生回路と、前記容量センサ素子と信号発
生回路との接続点を示す節点に接続され前記節点の電圧
信号を検出する検出回路とからなり、前記検出回路は前
記節点に電荷が充電された後に前記節点の電圧信号を検
出して出力する表面形状認識用センサ回路において、 前記信号発生回路は、第１及び第２の端子を有するとと
もに前記第１の端子が前記節点に接続される容量値Ｃｓ
を有する容量素子からなり、 前記信号発生回路は、前記容量素子の第２の端子の電圧
を第１の電位に設定するとともに、前記節点に電荷が充
電された後に前記第２の端子を第２の電位に変化させて
前記容量素子から前記電圧信号を発生させることを特徴
とする表面形状認識用センサ回路。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記第１の電位は表面形状認識用センサ回路の電源電位
及びグランド電位の何れか一方に設定されるともに、前
記第２の電位は前記電源電位及びグランド電位の何れか
他方に設定されることを特徴とする表面形状認識用セン
サ回路。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２において、 前記容量素子は、半導体素子からなることを特徴とする
表面形状認識用センサ回路。 - 【請求項４】 請求項３において、 前記半導体素子はＭＯＳトランジスタからなり、前記Ｍ
ＯＳトランジスタのゲート端子が前記第１の端子とな
り、前記ＭＯＳトランジスタのソース端子及びドレイン
端子が前記第２の端子となることを特徴とする表面形状
認識用センサ回路。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項４の何れかの請求
項において、 前記容量素子の第１の端子に発生する寄生容量値をＣ
ｐ、前記容量センサ素子の最大及び最小の容量値をそれ
ぞれＣｆｖ、Ｃｆｒとしたとき前記容量素子の容量値Ｃ
ｓは、｛（Ｃｆｖ＋Ｃｐ）（Ｃｆｒ＋Ｃｐ）｝1/2に設
定されることを特徴とする表面形状認識用センサ回路。 - 【請求項６】 請求項１ないし請求項４の何れかの請求
項において、 前記容量素子の容量値Ｃｓは、前記容量センサ素子の容
量値の最大値以下に設定されることを特徴とする表面形
状認識用センサ回路。 - 【請求項７】 請求項１ないし請求項４の何れかの請求
項において、 前記容量素子の容量値Ｃｓは、１０ｆＦから２５０ｆＦ
までの範囲を有することを特徴とする表面形状認識用セ
ンサ回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11157763A JP3044660B1 (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | 表面形状認識用センサ回路 |
| EP99250215A EP0969477B1 (en) | 1998-07-02 | 1999-07-01 | Small capacitance change detection device |
| DE69933339T DE69933339T8 (de) | 1998-07-02 | 1999-07-01 | Nachweisvorrichtung für kleine Kapazitätsänderungen |
| US09/347,240 US6438257B1 (en) | 1998-07-02 | 1999-07-02 | Small capacitance change detection device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11157763A JP3044660B1 (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | 表面形状認識用センサ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3044660B1 JP3044660B1 (ja) | 2000-05-22 |
| JP2000346608A true JP2000346608A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15656793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11157763A Expired - Lifetime JP3044660B1 (ja) | 1998-07-02 | 1999-06-04 | 表面形状認識用センサ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3044660B1 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002257508A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | 凹凸検出センサ |
| US6512381B2 (en) * | 1999-12-30 | 2003-01-28 | Stmicroelectronics, Inc. | Enhanced fingerprint detection |
| JP2006081570A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Seiko Epson Corp | 電子装置の駆動方法 |
| US7053633B2 (en) | 2003-04-17 | 2006-05-30 | Seiko Epson Corporation | Capacitance detection device and drive method thereof, fingerprint sensor, and biometrics authentication device |
| US7078917B2 (en) | 2003-04-17 | 2006-07-18 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance detecting device |
| US7081765B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-25 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance detection device |
| US7091726B2 (en) | 2003-09-05 | 2006-08-15 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance sensing device and method of driving the same |
| US7116116B2 (en) | 2003-10-10 | 2006-10-03 | Seiko Epson Corporation | Capacitance detecting device |
| US7126350B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-10-24 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance detection device |
| US7126349B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-10-24 | Seiko Epson Corporation | Capacitance detection apparatus, driving method for the same, fingerprint sensor, and biometric authentication apparatus |
| US7127089B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-10-24 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance detection device |
| US7208961B2 (en) | 2004-10-12 | 2007-04-24 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance detection device |
| US7327596B2 (en) | 2004-10-05 | 2008-02-05 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance detection device and smart card |
| US7375714B2 (en) | 2003-09-01 | 2008-05-20 | Seiko Epson Corporation | Active-matrix driving device, electrostatic capacitance detection device, and electronic equipment |
| US7486809B2 (en) | 2004-02-17 | 2009-02-03 | Seiko Epson Corporation | Capacitance detection device, fingerprint sensor, biometric authentication device, and method for searching capacitance detection condition |
| US7606399B2 (en) | 2004-07-23 | 2009-10-20 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Surface shape recognizing sensor device |
| US8115497B2 (en) | 2007-11-13 | 2012-02-14 | Authentec, Inc. | Pixel sensing circuit with common mode cancellation |
-
1999
- 1999-06-04 JP JP11157763A patent/JP3044660B1/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512381B2 (en) * | 1999-12-30 | 2003-01-28 | Stmicroelectronics, Inc. | Enhanced fingerprint detection |
| JP4511064B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2010-07-28 | 三菱電機株式会社 | 凹凸検出センサ |
| JP2002257508A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | 凹凸検出センサ |
| US7127089B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-10-24 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance detection device |
| US7053633B2 (en) | 2003-04-17 | 2006-05-30 | Seiko Epson Corporation | Capacitance detection device and drive method thereof, fingerprint sensor, and biometrics authentication device |
| US7078917B2 (en) | 2003-04-17 | 2006-07-18 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance detecting device |
| US7205778B2 (en) | 2003-04-17 | 2007-04-17 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance detecting device |
| US7126349B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-10-24 | Seiko Epson Corporation | Capacitance detection apparatus, driving method for the same, fingerprint sensor, and biometric authentication apparatus |
| US7081765B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-25 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance detection device |
| US7126350B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-10-24 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance detection device |
| US7375714B2 (en) | 2003-09-01 | 2008-05-20 | Seiko Epson Corporation | Active-matrix driving device, electrostatic capacitance detection device, and electronic equipment |
| US7091726B2 (en) | 2003-09-05 | 2006-08-15 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance sensing device and method of driving the same |
| US7116116B2 (en) | 2003-10-10 | 2006-10-03 | Seiko Epson Corporation | Capacitance detecting device |
| US7486809B2 (en) | 2004-02-17 | 2009-02-03 | Seiko Epson Corporation | Capacitance detection device, fingerprint sensor, biometric authentication device, and method for searching capacitance detection condition |
| US7606399B2 (en) | 2004-07-23 | 2009-10-20 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Surface shape recognizing sensor device |
| JP2006081570A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Seiko Epson Corp | 電子装置の駆動方法 |
| JP4556577B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2010-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置の駆動方法 |
| US7327596B2 (en) | 2004-10-05 | 2008-02-05 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance detection device and smart card |
| US7208961B2 (en) | 2004-10-12 | 2007-04-24 | Seiko Epson Corporation | Electrostatic capacitance detection device |
| US8115497B2 (en) | 2007-11-13 | 2012-02-14 | Authentec, Inc. | Pixel sensing circuit with common mode cancellation |
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