JP2000343463A - マイクロマシンの製造方法 - Google Patents
マイクロマシンの製造方法Info
- Publication number
- JP2000343463A JP2000343463A JP11151865A JP15186599A JP2000343463A JP 2000343463 A JP2000343463 A JP 2000343463A JP 11151865 A JP11151865 A JP 11151865A JP 15186599 A JP15186599 A JP 15186599A JP 2000343463 A JP2000343463 A JP 2000343463A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- forming
- sphere
- etching
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/18—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
- B81C1/00126—Static structures not provided for in groups B81C1/00031 - B81C1/00119
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0235—Accelerometers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1017—Shape being a sphere
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Manipulator (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】球体とそれを囲む球殻部を有する球体型マイク
ロマシンの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明のマイクロマシンの製造方法は、球
体を覆うように犠牲膜を形成することと、上記犠牲膜の
上に導電体パターンを形成することと、上記導電体パタ
ーンを覆うように絶縁体膜を形成することと、上記絶縁
体膜に孔を形成して上記導電体パターンを露出させるこ
とと、上記絶縁体膜より露出した上記導電体パターンに
接続するように上記絶縁体膜上に配線パターンを形成す
ることと、上記配線パターンが形成された球体を覆うよ
うに絶縁体の構造膜を形成することと、上記構造膜の外
面から上記犠牲膜に達する複数のエッチング孔を形成す
ることと、上記エッチング孔より気相エッチングによっ
て上記犠牲膜を除去することと、を含む。
ロマシンの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明のマイクロマシンの製造方法は、球
体を覆うように犠牲膜を形成することと、上記犠牲膜の
上に導電体パターンを形成することと、上記導電体パタ
ーンを覆うように絶縁体膜を形成することと、上記絶縁
体膜に孔を形成して上記導電体パターンを露出させるこ
とと、上記絶縁体膜より露出した上記導電体パターンに
接続するように上記絶縁体膜上に配線パターンを形成す
ることと、上記配線パターンが形成された球体を覆うよ
うに絶縁体の構造膜を形成することと、上記構造膜の外
面から上記犠牲膜に達する複数のエッチング孔を形成す
ることと、上記エッチング孔より気相エッチングによっ
て上記犠牲膜を除去することと、を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微小球形型センサ
部とそれを囲む周囲部又は周囲電極からなるマイクロマ
シン又は球形センサ型計測装置の製造方法に関し、特
に、直径が数ミリメートル以下の微小な球体及び微小電
極体の製造方法に関する。
部とそれを囲む周囲部又は周囲電極からなるマイクロマ
シン又は球形センサ型計測装置の製造方法に関し、特
に、直径が数ミリメートル以下の微小な球体及び微小電
極体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、微小な球体を、周囲と接触しない
ように静電気的に又は磁気的に浮上させ、この球体の変
位を検出することによって、外力、加速度等を検出する
方法及び装置が知られている。このような装置は、典型
的には微小球体と微小球体を浮上させるための電界又は
磁界発生装置と球体の変位を検出するためのピックアッ
プとを有する。尚、浮上した球体を高速で回転させる場
合もある。
ように静電気的に又は磁気的に浮上させ、この球体の変
位を検出することによって、外力、加速度等を検出する
方法及び装置が知られている。このような装置は、典型
的には微小球体と微小球体を浮上させるための電界又は
磁界発生装置と球体の変位を検出するためのピックアッ
プとを有する。尚、浮上した球体を高速で回転させる場
合もある。
【０００３】電界又は磁界発生装置及び変位検出用ピッ
クアップは、典型的には複数の電極を有し、これらの電
極は微小球体に近接して配置される。
クアップは、典型的には複数の電極を有し、これらの電
極は微小球体に近接して配置される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、微小球体と周囲
の電極は別個に製造され組み立てられていた。従って、
微小球体と周囲の電極を同時に精密に製造し且つ両者を
近接して正確に配置するための適当な方法は知られてい
なかった。
の電極は別個に製造され組み立てられていた。従って、
微小球体と周囲の電極を同時に精密に製造し且つ両者を
近接して正確に配置するための適当な方法は知られてい
なかった。
【０００５】半導体装置の製造分野では、微小なチップ
を製造したり、微細な回路パターンを重層的に形成する
ための様々な方法及び技術が知られている。これらの方
法には、例えば、リソグラフィ、エッチング、化学蒸着
法（ＣＶＤ）、電子線露光描画法等がある。しかしなが
ら、これらの方法は平板状の基板又はチップを製造する
ことはできるが、微小球体とその周囲に近接して配置さ
れる微小電極を形成することはできなかった。
を製造したり、微細な回路パターンを重層的に形成する
ための様々な方法及び技術が知られている。これらの方
法には、例えば、リソグラフィ、エッチング、化学蒸着
法（ＣＶＤ）、電子線露光描画法等がある。しかしなが
ら、これらの方法は平板状の基板又はチップを製造する
ことはできるが、微小球体とその周囲に近接して配置さ
れる微小電極を形成することはできなかった。
【０００６】従って、本発明は、微小球体及びそれに近
接して配置される微小電極を正確に且つ容易に製造する
ための方法を提供することを目的とする。
接して配置される微小電極を正確に且つ容易に製造する
ための方法を提供することを目的とする。
【０００７】本発明は、微小球体及びそれを囲む微小球
面を製造し、微小球面の内面に電極を形成するための方
法を提供することを目的とする。
面を製造し、微小球面の内面に電極を形成するための方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の球体とそれを囲
む球殻部からなるマイクロマシンの製造方法は、球体を
覆うように犠牲膜を形成することと、上記犠牲膜の上に
少なくとも１個の導電体パターン又は絶縁体を含む機能
膜を形成することと、上記機能膜が形成された球体を覆
うように絶縁体の構造膜を形成することと、上記構造膜
の外面から上記犠牲膜に達するエッチング孔を形成する
ことと、上記エッチング孔より気体エッチング剤によっ
て上記犠牲膜を除去することと、を含む。
む球殻部からなるマイクロマシンの製造方法は、球体を
覆うように犠牲膜を形成することと、上記犠牲膜の上に
少なくとも１個の導電体パターン又は絶縁体を含む機能
膜を形成することと、上記機能膜が形成された球体を覆
うように絶縁体の構造膜を形成することと、上記構造膜
の外面から上記犠牲膜に達するエッチング孔を形成する
ことと、上記エッチング孔より気体エッチング剤によっ
て上記犠牲膜を除去することと、を含む。
【０００９】従って、球体とそれを囲む球殻部を同時に
且つ正確に製造することができる。特に、微小球体及び
微小球殻部を同時に且つ精密に製造することができる。
且つ正確に製造することができる。特に、微小球体及び
微小球殻部を同時に且つ精密に製造することができる。
【００１０】本発明のマイクロマシンの製造方法におい
て、更に、上記機能膜の形成工程は、上記犠牲膜の上に
導電体パターンを形成することと、上記導電体パターン
を覆うように絶縁体膜を形成することと、上記絶縁体膜
に孔を形成して上記導電体パターンを露出させること
と、上記絶縁体膜より露出した上記導電体パターンに接
続するように上記絶縁体膜上に配線パターンを形成する
ことと、を含む。本発明のマイクロマシンの製造方法
は、上記構造膜に孔を形成して上記配線パターンを露出
させることと、上記構造膜より露出した上記配線パター
ンに接続するようにバンプを形成することと、を含む。
て、更に、上記機能膜の形成工程は、上記犠牲膜の上に
導電体パターンを形成することと、上記導電体パターン
を覆うように絶縁体膜を形成することと、上記絶縁体膜
に孔を形成して上記導電体パターンを露出させること
と、上記絶縁体膜より露出した上記導電体パターンに接
続するように上記絶縁体膜上に配線パターンを形成する
ことと、を含む。本発明のマイクロマシンの製造方法
は、上記構造膜に孔を形成して上記配線パターンを露出
させることと、上記構造膜より露出した上記配線パター
ンに接続するようにバンプを形成することと、を含む。
【００１１】従って、球体とそれに近接して配置される
電極を同時に且つ正確に製造することができる。特に、
微小球体及び微小電極を同時に且つ精密に製造すること
ができる。
電極を同時に且つ正確に製造することができる。特に、
微小球体及び微小電極を同時に且つ精密に製造すること
ができる。
【００１２】本発明によると、上記エッチング孔は上記
導電体パターン、上記絶縁膜、上記配線パターン、及び
上記構造膜を形成する工程の各々にて同一位置に孔を形
成することによって形成される。又は、上記エッチング
孔は上記導電体パターン、上記絶縁膜、上記配線パター
ン、及び上記構造膜を形成する工程の後に同一位置に孔
を形成することによって形成される。
導電体パターン、上記絶縁膜、上記配線パターン、及び
上記構造膜を形成する工程の各々にて同一位置に孔を形
成することによって形成される。又は、上記エッチング
孔は上記導電体パターン、上記絶縁膜、上記配線パター
ン、及び上記構造膜を形成する工程の後に同一位置に孔
を形成することによって形成される。
【００１３】本発明によると、マイクロマシンの製造方
法において、上記犠牲膜はケイ素よりなり、上記気相エ
ッチングは二フッ化キセノンによってなされる。上記構
造膜は熱硬化性樹脂を熱硬化させて形成される。上記絶
縁体膜はＴＥＯＳを原料とする二酸化ケイ素を使用して
形成される。
法において、上記犠牲膜はケイ素よりなり、上記気相エ
ッチングは二フッ化キセノンによってなされる。上記構
造膜は熱硬化性樹脂を熱硬化させて形成される。上記絶
縁体膜はＴＥＯＳを原料とする二酸化ケイ素を使用して
形成される。
【００１４】
【発明の実施の形態】先ず、本発明の製造方法を説明す
る前に、図１及び図２を参照して本発明の製造方法によ
って製造されたマイクロマシン又は球体センサ型計測装
置の構造を説明する。本例のマイクロマシンは球体型セ
ンサとして様々な用途及び分野にて使用されることがで
きる。例えば、球体を浮上させる浮上球体型計測装置の
例として、加速度計、ジャイロ等がある。球体を浮上さ
せない非浮上球体型計測装置の例として傾斜計がある。
図１に示すように、本例の装置は球体１０とそれを囲む
球殻部１００とを有する。
る前に、図１及び図２を参照して本発明の製造方法によ
って製造されたマイクロマシン又は球体センサ型計測装
置の構造を説明する。本例のマイクロマシンは球体型セ
ンサとして様々な用途及び分野にて使用されることがで
きる。例えば、球体を浮上させる浮上球体型計測装置の
例として、加速度計、ジャイロ等がある。球体を浮上さ
せない非浮上球体型計測装置の例として傾斜計がある。
図１に示すように、本例の装置は球体１０とそれを囲む
球殻部１００とを有する。
【００１５】球体１０の外径は球殻部１００の球面状内
面の内径より僅かに小さい。球体１０が適当な方法、例
えば、静電気的又は磁気的方法によって浮上されると、
球体１０の周囲には間隙１１が形成される。この間隙１
１は密閉空間又は開放空間であり、真空であってよい
が、適当な不活性ガス又は液体によって充填されてよ
い。球体１０の直径は数ミリメートル以下であり、例え
ば、１ｍｍであってよい。この間隙１１の厚さは数μｍ
であってよい。
面の内径より僅かに小さい。球体１０が適当な方法、例
えば、静電気的又は磁気的方法によって浮上されると、
球体１０の周囲には間隙１１が形成される。この間隙１
１は密閉空間又は開放空間であり、真空であってよい
が、適当な不活性ガス又は液体によって充填されてよ
い。球体１０の直径は数ミリメートル以下であり、例え
ば、１ｍｍであってよい。この間隙１１の厚さは数μｍ
であってよい。
【００１６】球殻部１００は、最も内側の電極１０１〜
１０６及び１０７（図１では電極１０１、１０２、１０
５、１０６、１０７のみ図示）とその外側の絶縁膜１３
０とその外側の電路パターン１１１〜１１７及び１２１
〜１２７とその外側の構造膜１３２とを有する。電極１
０１〜１０６及び１０７は、絶縁膜１３０の一部である
細い絶縁部１３１によって互いに分離されており、各電
極には対応する電路パターン１１１〜１１７及び１２１
〜１２７が電気的に接続されている。
１０６及び１０７（図１では電極１０１、１０２、１０
５、１０６、１０７のみ図示）とその外側の絶縁膜１３
０とその外側の電路パターン１１１〜１１７及び１２１
〜１２７とその外側の構造膜１３２とを有する。電極１
０１〜１０６及び１０７は、絶縁膜１３０の一部である
細い絶縁部１３１によって互いに分離されており、各電
極には対応する電路パターン１１１〜１１７及び１２１
〜１２７が電気的に接続されている。
【００１７】尚、球殻部１００の下端にはバンプ１２９
が形成されている。バンプ１２９は構造膜１３２に形成
された孔に装着され、電路パターン１１１〜１１７及び
１２１〜１２７に接続されている。
が形成されている。バンプ１２９は構造膜１３２に形成
された孔に装着され、電路パターン１１１〜１１７及び
１２１〜１２７に接続されている。
【００１８】電極１０１〜１０６、１０７及び電路パタ
ーン１１１〜１１７及び１２１〜１２７は導電体、例え
ば、金属膜によって形成され、絶縁膜１３０及び絶縁部
１３１は絶縁体、例えば、二酸化ケイ素ＳｉＯ2 によっ
て形成されている。構造膜１３２は絶縁体、例えば、熱
硬化性樹脂より形成される。
ーン１１１〜１１７及び１２１〜１２７は導電体、例え
ば、金属膜によって形成され、絶縁膜１３０及び絶縁部
１３１は絶縁体、例えば、二酸化ケイ素ＳｉＯ2 によっ
て形成されている。構造膜１３２は絶縁体、例えば、熱
硬化性樹脂より形成される。
【００１９】本例では、構造膜１３２の厚さは、電極、
電路パターン及び絶縁膜に比べて、大きい。従って、構
造膜１３２は、内側の構成部を保護する保護膜として機
能すると同時に球殻部１００に構造的強度を提供する。
電路パターン及び絶縁膜に比べて、大きい。従って、構
造膜１３２は、内側の構成部を保護する保護膜として機
能すると同時に球殻部１００に構造的強度を提供する。
【００２０】図２を参照して説明する。図示のように、
球体１０の中心に原点Ｏをとり、水平面上にＸ1 −Ｘ2
軸及びＹ1 −Ｙ2 軸をとる。垂直にＺ1 −Ｚ2 軸をと
る。図２Ａは、本例の装置をＹ1 軸方向に沿って見た図
であり、図２ＢはＺ2 軸方向に沿って見た図である。
尚、図１は垂直面Ｘ−Ｚ平面に沿って切断された断面を
示す。
球体１０の中心に原点Ｏをとり、水平面上にＸ1 −Ｘ2
軸及びＹ1 −Ｙ2 軸をとる。垂直にＺ1 −Ｚ2 軸をと
る。図２Ａは、本例の装置をＹ1 軸方向に沿って見た図
であり、図２ＢはＺ2 軸方向に沿って見た図である。
尚、図１は垂直面Ｘ−Ｚ平面に沿って切断された断面を
示す。
【００２１】図２は図１のマイクロマシンより構造膜１
３２を除去した球殻部１００の外観を示す図である。破
線にて示すように、電極は、互いに直交する３軸に沿っ
て配置された６個の電極１０１〜１０６とその間に配置
されたシールド電極１０７とを含む。６個の電極１０１
〜１０６は、円形であり、それらの残りの部分がシール
ド電極１０７である。
３２を除去した球殻部１００の外観を示す図である。破
線にて示すように、電極は、互いに直交する３軸に沿っ
て配置された６個の電極１０１〜１０６とその間に配置
されたシールド電極１０７とを含む。６個の電極１０１
〜１０６は、円形であり、それらの残りの部分がシール
ド電極１０７である。
【００２２】６個の電極１０１〜１０６は、例えば、電
源及び制御用に使用され、シールド電極１０７は接地用
に使用されてよい。
源及び制御用に使用され、シールド電極１０７は接地用
に使用されてよい。
【００２３】絶縁膜１３０の外面には上述のように電路
パターン１１１〜１１７及び１２１〜１２７が形成され
ている。電路パターンは図示のように、電極１０１〜１
０６、１０７に接続された端子パターン１１１〜１１
６、１１７とこれらの端子パターン１１１〜１１６、１
１７より延在する配線パターン１２１〜１２６、１２７
（図２Ｂ）とを有する。
パターン１１１〜１１７及び１２１〜１２７が形成され
ている。電路パターンは図示のように、電極１０１〜１
０６、１０７に接続された端子パターン１１１〜１１
６、１１７とこれらの端子パターン１１１〜１１６、１
１７より延在する配線パターン１２１〜１２６、１２７
（図２Ｂ）とを有する。
【００２４】図２Ｂに示すように、これらの配線パター
ン１２１〜１２６、１２７の先端部は、球殻部１００の
下側に集中化されている。配線パターン１２１〜１２
６、１２７の先端部は、例えば、図示のように、同一円
に沿って配置されている。配線パターン１２１〜１２
６、１２７の先端部は、図１に示したようにバンプに接
続される。
ン１２１〜１２６、１２７の先端部は、球殻部１００の
下側に集中化されている。配線パターン１２１〜１２
６、１２７の先端部は、例えば、図示のように、同一円
に沿って配置されている。配線パターン１２１〜１２
６、１２７の先端部は、図１に示したようにバンプに接
続される。
【００２５】尚、図示されていないが、本例では電極１
０１〜１０６の各々は１対の電極部からなり、従って、
電極１０１〜１０６に接続された電路パターン１１１〜
１１６及び１２１〜１２６は各々一対の電路パターンか
らなる。シールド電極１０７は１個の電極からなり、そ
れに接続された電路パターン１１７及び１２７は１個で
ある。
０１〜１０６の各々は１対の電極部からなり、従って、
電極１０１〜１０６に接続された電路パターン１１１〜
１１６及び１２１〜１２６は各々一対の電路パターンか
らなる。シールド電極１０７は１個の電極からなり、そ
れに接続された電路パターン１１７及び１２７は１個で
ある。
【００２６】図３、図４及び図５を参照して、本発明に
よる製造方法を説明する。先ず図３Ａに示すように、多
結晶又は単結晶のケイ素Ｓｉ、好ましくは単結晶ケイ素
Ｓｉからなる球体１０を用意し、その表面に導電体膜１
０Ａ、例えば、金属膜を形成する。尚、球体１０として
単体ケイ素以外の導電体からなる球体を使用する場合に
は、導電体膜１０Ａは不要である。これが図１に示した
球体となる。
よる製造方法を説明する。先ず図３Ａに示すように、多
結晶又は単結晶のケイ素Ｓｉ、好ましくは単結晶ケイ素
Ｓｉからなる球体１０を用意し、その表面に導電体膜１
０Ａ、例えば、金属膜を形成する。尚、球体１０として
単体ケイ素以外の導電体からなる球体を使用する場合に
は、導電体膜１０Ａは不要である。これが図１に示した
球体となる。
【００２７】次に、図３Ｂに示すように、球体１０の表
面にケイ素Ｓｉの膜１２を形成する。導電体膜１０Ａ及
びケイ素膜１２の形成は、化学蒸着法（ＣＶＤ）によっ
てなされてよい。このケイ素膜１２は、後に除去される
ため、ダミー膜又は犠牲膜と称される。
面にケイ素Ｓｉの膜１２を形成する。導電体膜１０Ａ及
びケイ素膜１２の形成は、化学蒸着法（ＣＶＤ）によっ
てなされてよい。このケイ素膜１２は、後に除去される
ため、ダミー膜又は犠牲膜と称される。
【００２８】図３Ｃに示すように、次の工程では、導電
体膜１４、例えば、金属膜からなる電極パターンを形成
する。先ず、ケイ素膜１２を覆うように、全面的に金属
膜１４を形成する。次に、エッチングによって、この金
属膜１４に電極パターン溝１５を形成する。電極パター
ン溝１５は、６個の電極１０１〜１０６の形状に対応し
て、６個の細い環状に形成される。こうして、６個の環
状の溝の内側に電極パターンが形成され、その外側にシ
ールド電極パターンが形成される。
体膜１４、例えば、金属膜からなる電極パターンを形成
する。先ず、ケイ素膜１２を覆うように、全面的に金属
膜１４を形成する。次に、エッチングによって、この金
属膜１４に電極パターン溝１５を形成する。電極パター
ン溝１５は、６個の電極１０１〜１０６の形状に対応し
て、６個の細い環状に形成される。こうして、６個の環
状の溝の内側に電極パターンが形成され、その外側にシ
ールド電極パターンが形成される。
【００２９】尚、電極パターンとして、本例の円形以外
に様々の形状が考えられる。また、シールド電極パター
ンとして本例以外の形状であってよい。
に様々の形状が考えられる。また、シールド電極パター
ンとして本例以外の形状であってよい。
【００３０】次に図４Ａに示すように、絶縁体膜１６、
例えば、二酸化ケイ素ＳｉＯ2 の膜１６を形成する。こ
れは、ＴＥＯＳ（テトラエトキシオキシシラン）を使用
し、化学蒸着法（ＣＶＤ）によってなされてよい。この
とき二酸化ケイ素ＳｉＯ2 は、図３Ｃの工程にて形成さ
れた電極パターン溝１５内に充填される。
例えば、二酸化ケイ素ＳｉＯ2 の膜１６を形成する。こ
れは、ＴＥＯＳ（テトラエトキシオキシシラン）を使用
し、化学蒸着法（ＣＶＤ）によってなされてよい。この
とき二酸化ケイ素ＳｉＯ2 は、図３Ｃの工程にて形成さ
れた電極パターン溝１５内に充填される。
【００３１】図４Ｂに示すように、エッチングによっ
て、二酸化ケイ素膜１６に溝１７を形成する。溝１７の
部分では、導電体膜１４、即ち、金属膜１４が露出され
る。この溝１７は、電極パターンと端子パターンとを接
続する導電体膜、即ち、金属膜を形成するために設けら
れる。従って、この溝１７は電極パターンに対応する位
置に、適当な数だけ設けられる。
て、二酸化ケイ素膜１６に溝１７を形成する。溝１７の
部分では、導電体膜１４、即ち、金属膜１４が露出され
る。この溝１７は、電極パターンと端子パターンとを接
続する導電体膜、即ち、金属膜を形成するために設けら
れる。従って、この溝１７は電極パターンに対応する位
置に、適当な数だけ設けられる。
【００３２】次に、図４Ｃに示すように、二酸化ケイ素
膜１６上に導電体膜１８、例えば、金属膜からなる電路
パターンを形成する。それによって、図２に示した、端
子パターン及び配線パターンが形成される。このとき導
電体膜１８は、図４Ｂの工程にて形成された溝１７内に
充填される。
膜１６上に導電体膜１８、例えば、金属膜からなる電路
パターンを形成する。それによって、図２に示した、端
子パターン及び配線パターンが形成される。このとき導
電体膜１８は、図４Ｂの工程にて形成された溝１７内に
充填される。
【００３３】図５Ａに示すように、レジスト膜２０が形
成される。レジスト膜２０は適当な熱硬化性樹脂によっ
て形成されてよい。このような熱硬化性樹脂として、例
えば、商品名ＥＰＯＮ・ＳＵ−８として市販されている
樹脂又はポリイミド系樹脂が使用されてよい。レジスト
膜２０は上述の化学蒸着法（ＣＶＤ）によって形成され
る膜に比べてより厚く形成される。
成される。レジスト膜２０は適当な熱硬化性樹脂によっ
て形成されてよい。このような熱硬化性樹脂として、例
えば、商品名ＥＰＯＮ・ＳＵ−８として市販されている
樹脂又はポリイミド系樹脂が使用されてよい。レジスト
膜２０は上述の化学蒸着法（ＣＶＤ）によって形成され
る膜に比べてより厚く形成される。
【００３４】レジストの塗布後、リソグラフィによっ
て、バンプ形成に使用する溝と気相エッチングに使用す
る微小孔を形成する。バンプ形成用の溝は、図２Ｂを参
照して説明したように、配線パターン１２１〜１２６、
１２７の先端部に相当する位置に形成される。次に、ハ
ードベークと称する熱処理がなされ、それによってレジ
ストは硬化する。こうして硬化したレジスト樹脂膜は、
内側の構成部を保護すると同時に、本例の球殻部１００
に構造的強度を提供する。
て、バンプ形成に使用する溝と気相エッチングに使用す
る微小孔を形成する。バンプ形成用の溝は、図２Ｂを参
照して説明したように、配線パターン１２１〜１２６、
１２７の先端部に相当する位置に形成される。次に、ハ
ードベークと称する熱処理がなされ、それによってレジ
ストは硬化する。こうして硬化したレジスト樹脂膜は、
内側の構成部を保護すると同時に、本例の球殻部１００
に構造的強度を提供する。
【００３５】次に図５Ｂに示すように、バンプ２２を形
成する。レジスト膜２０には上述のようにリソグラフィ
によって溝が形成され、内側の電路パターンの一部が露
出されている。その溝にはんだ等からなるバンプ２２を
形成する。内部に球体１０を含む球殻部１００を、図示
しないプリント配線基板上に配置し、バンプを回路に熱
融着する。それによって球殻部１００はプリント配線基
板に固定される。
成する。レジスト膜２０には上述のようにリソグラフィ
によって溝が形成され、内側の電路パターンの一部が露
出されている。その溝にはんだ等からなるバンプ２２を
形成する。内部に球体１０を含む球殻部１００を、図示
しないプリント配線基板上に配置し、バンプを回路に熱
融着する。それによって球殻部１００はプリント配線基
板に固定される。
【００３６】最後に図５Ｃに示すように、犠牲膜１２を
除去して間隙１１を形成する。本例によると、犠牲膜１
２の除去は気相エッチングによってなされる。以下に気
相エッチングについて説明する。
除去して間隙１１を形成する。本例によると、犠牲膜１
２の除去は気相エッチングによってなされる。以下に気
相エッチングについて説明する。
【００３７】上述の工程にて形成された球殻部１００に
は、レジスト膜２０の外表面から犠牲膜１２に到達する
微小孔が形成される。この微小孔の形成については後に
説明する。この微小孔よりエッチング気体を導入し、犠
牲膜１２を除去する。エッチング気体は犠牲膜１２のみ
を除去し、それ以外の物質には反応しない。
は、レジスト膜２０の外表面から犠牲膜１２に到達する
微小孔が形成される。この微小孔の形成については後に
説明する。この微小孔よりエッチング気体を導入し、犠
牲膜１２を除去する。エッチング気体は犠牲膜１２のみ
を除去し、それ以外の物質には反応しない。
【００３８】気相エッチングでは、除去する犠牲膜の材
質とそれに最適なエッチング気体の選択が重要である。
エッチング気体として、犠牲膜に対する選択的反応性が
高い気体が選択される。本例では、犠牲膜にケイ素が使
用され、エッチング気体として二フッ化キセノンＸｅＦ
2 が使用される。
質とそれに最適なエッチング気体の選択が重要である。
エッチング気体として、犠牲膜に対する選択的反応性が
高い気体が選択される。本例では、犠牲膜にケイ素が使
用され、エッチング気体として二フッ化キセノンＸｅＦ
2 が使用される。
【００３９】二フッ化キセノンＸｅＦ2 は次の３つの特
徴を有する。 （１）ケイ素に対する選択的反応性が極めて高い。即
ち、二フッ化キセノンは単体ケイ素を溶解するがそれ以
外の物質に対して不活性である。 （２）エッチングは液相を伴わない乾燥的化学変化であ
る。即ち、気相二フッ化キセノンは固相ケイ素を溶解す
るが反応生成物は気相である。 （３）エッチングは等方的であり、エッチング反応が緩
やかに進行する。
徴を有する。 （１）ケイ素に対する選択的反応性が極めて高い。即
ち、二フッ化キセノンは単体ケイ素を溶解するがそれ以
外の物質に対して不活性である。 （２）エッチングは液相を伴わない乾燥的化学変化であ
る。即ち、気相二フッ化キセノンは固相ケイ素を溶解す
るが反応生成物は気相である。 （３）エッチングは等方的であり、エッチング反応が緩
やかに進行する。
【００４０】二フッ化キセノンＸｅＦ2 は常温常圧下で
固体であるが、真空雰囲気にて容易に昇華し気相に変化
する。従って、本例の気相エッチングは真空雰囲気下に
てなされる。
固体であるが、真空雰囲気にて容易に昇華し気相に変化
する。従って、本例の気相エッチングは真空雰囲気下に
てなされる。
【００４１】本例では、上述のように、球体１０はケイ
素によって形成されているがその表面はケイ素以外の物
質によって覆われている。従って、球体１０のケイ素が
エッチング気体に接触することはない。
素によって形成されているがその表面はケイ素以外の物
質によって覆われている。従って、球体１０のケイ素が
エッチング気体に接触することはない。
【００４２】図６を参照して気相エッチング用の微小孔
１３５について説明する。微小孔１３５は、上述の工程
毎に形成してよい。例えば、導電体膜１４、絶縁体膜１
６、導電体膜１８及びレジスト膜２０の形成工程の各々
にて、各膜に微小孔を形成する。しかしながら、全ての
工程が終了した後に、即ち、気相エッチングの直前に微
小孔を形成してもよい。
１３５について説明する。微小孔１３５は、上述の工程
毎に形成してよい。例えば、導電体膜１４、絶縁体膜１
６、導電体膜１８及びレジスト膜２０の形成工程の各々
にて、各膜に微小孔を形成する。しかしながら、全ての
工程が終了した後に、即ち、気相エッチングの直前に微
小孔を形成してもよい。
【００４３】微小孔１３５は導電体膜１４、絶縁体膜１
６、導電体膜１８及びレジスト膜２０に、順に形成す
る。微小孔が、レジスト膜２０の外表面から犠牲膜１２
に達する貫通孔となるためには、微小孔を各膜にて同一
位置に形成する必要がある。微小孔１３５の形成位置の
位置決めは、電路パターンを形成するときに使用される
位置決め装置を使用して行われてよい。
６、導電体膜１８及びレジスト膜２０に、順に形成す
る。微小孔が、レジスト膜２０の外表面から犠牲膜１２
に達する貫通孔となるためには、微小孔を各膜にて同一
位置に形成する必要がある。微小孔１３５の形成位置の
位置決めは、電路パターンを形成するときに使用される
位置決め装置を使用して行われてよい。
【００４４】図示のように微小孔１３５は球殻部１００
の表面に所定のピッチにて多数形成される。例えば、球
殻部１００の直径を１ｍｍ、微小孔１３５のピッチを１
００μｍとすると、球殻部１００の赤道に沿って約３０
個の微小孔を設けることができる。
の表面に所定のピッチにて多数形成される。例えば、球
殻部１００の直径を１ｍｍ、微小孔１３５のピッチを１
００μｍとすると、球殻部１００の赤道に沿って約３０
個の微小孔を設けることができる。
【００４５】こうして気相エッチングによって犠牲膜１
２が除去されると、球体１０と球殻部１００の間に間隙
１１が形成される。この間隙１１は微小孔１３５によっ
て球殻の外部に通じている。この間隙１１に適当な液体
を収容してよい。微小孔１３５を適当な方法によって封
鎖してよい。それによって間隙１１は密閉空間となる。
上述のようにこの密閉空間は真空排気されてよく又は適
当な不活性ガス又は液体によって充填されてよい。
２が除去されると、球体１０と球殻部１００の間に間隙
１１が形成される。この間隙１１は微小孔１３５によっ
て球殻の外部に通じている。この間隙１１に適当な液体
を収容してよい。微小孔１３５を適当な方法によって封
鎖してよい。それによって間隙１１は密閉空間となる。
上述のようにこの密閉空間は真空排気されてよく又は適
当な不活性ガス又は液体によって充填されてよい。
【００４６】以上本発明の実施例について詳細に説明し
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
【００４７】
【発明の効果】本発明によると、球体とその周囲の電極
を同時に製造することができる利点を有する。
を同時に製造することができる利点を有する。
【００４８】本発明によると、球体とその周囲の電極の
間の間隙を正確に且つ容易に形成することができる利点
を有する。
間の間隙を正確に且つ容易に形成することができる利点
を有する。
【００４９】本発明によると、微小球体とそれの周囲の
電極の寸法が極めて小さくとも、正確に製造することが
できる利点を有する。
電極の寸法が極めて小さくとも、正確に製造することが
できる利点を有する。
【図１】本発明のマイクロマシンの構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明のマイクロマシンより構造膜を除去した
外観を示す図である。
外観を示す図である。
【図３】本発明のマイクロマシンの製造方法を説明する
ための説明図である。
ための説明図である。
【図４】本発明のマイクロマシンの製造方法を説明する
ための説明図である。
ための説明図である。
【図５】本発明のマイクロマシンの製造方法を説明する
ための説明図である。
ための説明図である。
【図６】本発明のマイクロマシンの球殻部に形成した微
小孔を示す図である。
小孔を示す図である。
１０…球体、 １０Ａ…金属膜、 １１…間隙、 １２
…ケイ素膜（犠牲膜）、１４…金属膜（導電体膜、電極
パターン）、 １５…電極パターン溝、 １６…二酸化
ケイ素膜（絶縁体膜）、 １７…溝、 １８…金属膜
（導電体膜、電路パターン）、 ２０…レジスト膜（構
造膜）、 ２２…バンプ、 １００…球殻部、 １０
１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６…電極パ
ターン、 １０７…シールド電極、 １１１，１１２，
１１３，１１４，１１５，１１６，１１７…端子パター
ン、 １２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２
６，１２７…配線パターン、 １２９…バンプ、 １３
０…絶縁体膜、 １３２…構造膜
…ケイ素膜（犠牲膜）、１４…金属膜（導電体膜、電極
パターン）、 １５…電極パターン溝、 １６…二酸化
ケイ素膜（絶縁体膜）、 １７…溝、 １８…金属膜
（導電体膜、電路パターン）、 ２０…レジスト膜（構
造膜）、 ２２…バンプ、 １００…球殻部、 １０
１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６…電極パ
ターン、 １０７…シールド電極、 １１１，１１２，
１１３，１１４，１１５，１１６，１１７…端子パター
ン、 １２１，１２２，１２３，１２４，１２５，１２
６，１２７…配線パターン、 １２９…バンプ、 １３
０…絶縁体膜、 １３２…構造膜
Claims (9)
- 【請求項１】球体を覆うように犠牲膜を形成すること
と、 上記犠牲膜の上に少なくとも１個の導電体パターン又は
絶縁体を含む機能膜を形成することと、 上記機能膜が形成された球体を覆うように絶縁体の構造
膜を形成することと、上記構造膜の外面から上記犠牲膜
に達するエッチング孔を形成することと、 上記エッチング孔より気体エッチング剤を導入すること
によって上記犠牲膜を除去することと、を含む球体とそ
れを囲む球殻部からなるマイクロマシンの製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載のマイクロマシンの製造方法
において、 上記機能膜の形成工程は、 上記犠牲膜の上に導電体パターンを形成することと、 上記導電体パターンを覆うように絶縁体膜を形成するこ
とと、 上記絶縁体膜に孔を形成して上記導電体パターンを露出
させることと、 上記絶縁体膜より露出した上記導電体パターンに接続す
るように上記絶縁体膜上に配線パターンを形成すること
と、を含むことを特徴とするマイクロマシンの製造方
法。 - 【請求項３】請求項２記載のマイクロマシンの製造方法
において、 上記構造膜に孔を形成して上記配線パターンを露出させ
ることと、 上記構造膜より露出した上記配線パターンに接続するよ
うにバンプを形成することと、 を含むマイクロマシンの製造方法。 - 【請求項４】請求項１記載のマイクロマシンの製造方法
において、 上記エッチング孔は上記機能膜を形成する工程と上記構
造膜を形成する工程の各々にて同一位置に孔を形成する
ことによって形成されることを特徴とするマイクロマシ
ンの製造方法。 - 【請求項５】請求項１記載のマイクロマシンの製造方法
において、 上記エッチング孔は上記構造膜を形成する工程の後に形
成されることを特徴とするマイクロマシンの製造方法。 - 【請求項６】請求項１記載のマイクロマシンの製造方法
において、 上記犠牲膜はケイ素よりなり、上記エッチング剤は二フ
ッ化キセノンであることを特徴とするマイクロマシンの
製造方法。 - 【請求項７】請求項１記載のマイクロマシンの製造方法
において、 上記構造膜は熱硬化性樹脂を熱硬化させて形成されるこ
とを特徴とするマイクロマシンの製造方法。 - 【請求項８】請求項２記載のマイクロマシンの製造方法
において、 上記絶縁体膜はＴＥＯＳを原料とする二酸化ケイ素を使
用して形成されることを特徴とするマイクロマシンの製
造方法。 - 【請求項９】球体を覆うように犠牲膜を形成すること
と、 上記犠牲膜の上に導電体からなる電極パターンを形成す
ることと、 上記電極パターンを覆うように絶縁体膜を形成すること
と、 上記絶縁体膜に孔を形成して上記電極パターンを露出さ
せることと、 上記絶縁体膜より露出した上記電極パターンに接続する
ように上記絶縁体膜上に配線パターンを形成すること
と、 上記配線パターンが形成された球体を覆うように絶縁体
の構造膜を形成することと、 上記構造膜の外面から上記犠牲膜に達する複数のエッチ
ング孔を形成することと、 上記エッチング孔より気体エッチング剤を導入すること
によって上記犠牲膜を除去することと、を含む球体とそ
れを囲む球殻部からなる球体型センサ装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15186599A JP4316050B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | マイクロマシンの製造方法 |
| US09/451,299 US6271145B1 (en) | 1999-05-31 | 1999-11-30 | Method for making a micromachine |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15186599A JP4316050B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | マイクロマシンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000343463A true JP2000343463A (ja) | 2000-12-12 |
| JP4316050B2 JP4316050B2 (ja) | 2009-08-19 |
Family
ID=15527932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15186599A Expired - Fee Related JP4316050B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | マイクロマシンの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6271145B1 (ja) |
| JP (1) | JP4316050B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046077A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置 |
| JP2008080888A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Japan Aerospace Exploration Agency | 非接触型剛体回転制御装置 |
| EP2447773A1 (en) | 2010-11-02 | 2012-05-02 | Fujifilm Corporation | Photosensitive resin composition, method for producing pattern, MEMS structure, method for producing the structure, method for dry etching, method for wet etching, MEMS shutter device, and image display apparatus |
| EP2498133A2 (en) | 2011-03-11 | 2012-09-12 | Fujifilm Corporation | Resin pattern, method for producing the pattern, method for producing MEMS structure, method for manufacturing semiconductor device, and method for producing plated pattern |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303986B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-10-16 | Silicon Light Machines | Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die |
| US6355873B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-03-12 | Ball Semiconductor, Inc. | Spherical shaped solar cell fabrication and panel assembly |
| EP1359475A1 (en) * | 2000-12-20 | 2003-11-05 | Seiko Instruments Inc. | Mechanical timepiece with posture detector and the posture detector |
| US6707591B2 (en) | 2001-04-10 | 2004-03-16 | Silicon Light Machines | Angled illumination for a single order light modulator based projection system |
| US6782205B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-24 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing |
| US6747781B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-06-08 | Silicon Light Machines, Inc. | Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle |
| US6829092B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Blazed grating light valve |
| US6930364B2 (en) * | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
| US6800238B1 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics |
| US6835616B1 (en) | 2002-01-29 | 2004-12-28 | Cypress Semiconductor Corporation | Method of forming a floating metal structure in an integrated circuit |
| US7026235B1 (en) | 2002-02-07 | 2006-04-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Dual-damascene process and associated floating metal structures |
| US6767751B2 (en) * | 2002-05-28 | 2004-07-27 | Silicon Light Machines, Inc. | Integrated driver process flow |
| US6728023B1 (en) | 2002-05-28 | 2004-04-27 | Silicon Light Machines | Optical device arrays with optimized image resolution |
| US6822797B1 (en) | 2002-05-31 | 2004-11-23 | Silicon Light Machines, Inc. | Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light |
| US6829258B1 (en) | 2002-06-26 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Rapidly tunable external cavity laser |
| US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
| US6714337B1 (en) | 2002-06-28 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response |
| US6801354B1 (en) | 2002-08-20 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses |
| US6712480B1 (en) | 2002-09-27 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Controlled curvature of stressed micro-structures |
| US6806997B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-10-19 | Silicon Light Machines, Inc. | Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction |
| US6829077B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane |
| US7282324B2 (en) * | 2004-01-05 | 2007-10-16 | Microchem Corp. | Photoresist compositions, hardened forms thereof, hardened patterns thereof and metal patterns formed using them |
| US7342311B2 (en) * | 2004-09-13 | 2008-03-11 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Electronic unit integrated into a flexible polymer body |
| US20060246576A1 (en) * | 2005-04-06 | 2006-11-02 | Affymetrix, Inc. | Fluidic system and method for processing biological microarrays in personal instrumentation |
| US20080038714A1 (en) * | 2005-11-02 | 2008-02-14 | Affymetrix, Inc. | Instrument to Pneumatically Control Lab Cards and Method Thereof |
| US8075852B2 (en) | 2005-11-02 | 2011-12-13 | Affymetrix, Inc. | System and method for bubble removal |
| US8007267B2 (en) * | 2005-11-02 | 2011-08-30 | Affymetrix, Inc. | System and method for making lab card by embossing |
| US20080311585A1 (en) * | 2005-11-02 | 2008-12-18 | Affymetrix, Inc. | System and method for multiplex liquid handling |
| US20070099288A1 (en) * | 2005-11-02 | 2007-05-03 | Affymetrix, Inc. | Microfluidic Methods, Devices, and Systems for Fluid Handling |
| US8518479B2 (en) * | 2006-10-12 | 2013-08-27 | Affymetrix, Inc. | Fabrication of fluidic features within a plastic substrate |
| US11406035B2 (en) * | 2016-12-15 | 2022-08-02 | Ingu Solutions Inc. | Sensor device, systems, and methods for identifying leaks in a fluid conduit |
| US11082759B2 (en) * | 2017-12-22 | 2021-08-03 | Pure Technologies Ltd | Surround for pipeline inspection equipment |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3787718A (en) * | 1972-08-08 | 1974-01-22 | Sondell Res Deve Co | Spherical electronic components |
| USRE31473E (en) | 1977-02-07 | 1983-12-27 | Texas Instruments Incorporated | System for fabrication of semiconductor bodies |
| JPH02119241A (ja) | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
| US5462639A (en) | 1994-01-12 | 1995-10-31 | Texas Instruments Incorporated | Method of treating particles |
| US5536963A (en) * | 1994-05-11 | 1996-07-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Microdevice with ferroelectric for sensing or applying a force |
| US5726480A (en) | 1995-01-27 | 1998-03-10 | The Regents Of The University Of California | Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same |
| AU715515B2 (en) * | 1996-10-09 | 2000-02-03 | Sphelar Power Corporation | Semiconductor device |
| US5955776A (en) * | 1996-12-04 | 1999-09-21 | Ball Semiconductor, Inc. | Spherical shaped semiconductor integrated circuit |
| US6055928A (en) * | 1998-03-02 | 2000-05-02 | Ball Semiconductor, Inc. | Plasma immersion ion processor for fabricating semiconductor integrated circuits |
| US6197610B1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-03-06 | Ball Semiconductor, Inc. | Method of making small gaps for small electrical/mechanical devices |
-
1999
- 1999-05-31 JP JP15186599A patent/JP4316050B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-30 US US09/451,299 patent/US6271145B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003046077A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置 |
| JP2008080888A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Japan Aerospace Exploration Agency | 非接触型剛体回転制御装置 |
| EP2447773A1 (en) | 2010-11-02 | 2012-05-02 | Fujifilm Corporation | Photosensitive resin composition, method for producing pattern, MEMS structure, method for producing the structure, method for dry etching, method for wet etching, MEMS shutter device, and image display apparatus |
| EP2498133A2 (en) | 2011-03-11 | 2012-09-12 | Fujifilm Corporation | Resin pattern, method for producing the pattern, method for producing MEMS structure, method for manufacturing semiconductor device, and method for producing plated pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6271145B1 (en) | 2001-08-07 |
| JP4316050B2 (ja) | 2009-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4316050B2 (ja) | マイクロマシンの製造方法 | |
| US6197610B1 (en) | Method of making small gaps for small electrical/mechanical devices | |
| US9171964B2 (en) | Systems and methods for a three-layer chip-scale MEMS device | |
| CN106698330B (zh) | 用于集成mems-cmos装置的方法和结构 | |
| US6806557B2 (en) | Hermetically sealed microdevices having a single crystalline silicon getter for maintaining vacuum | |
| US7008812B1 (en) | Manufacture of MEMS structures in sealed cavity using dry-release MEMS device encapsulation | |
| JP2005534897A (ja) | モノリシックシリコン加速度センサー | |
| US8877537B2 (en) | Method for manufacturing MEMS device | |
| US9114978B2 (en) | Method for manufacturing a component having an electrical through-connection | |
| CN108883927B (zh) | 制造三维微结构器件的方法 | |
| TW201714674A (zh) | 整合合成噴射裝置之封裝體 | |
| EP1584105A2 (en) | Encapsulation of mems devices using pillar-supported caps | |
| JP2004205523A (ja) | 水平振動の垂直型ｍｅｍｓジャイロスコープ及びその作製方法 | |
| JP4562524B2 (ja) | モノリシックシリコン加速度センサーの製造方法 | |
| JP5776232B2 (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
| JP4871065B2 (ja) | 折り曲げられた円筒サスペンションを有するリング共振器ジャイロスコープ | |
| JP5108579B2 (ja) | 電子部品パッケージの製造方法および電子部品パッケージ | |
| US7718457B2 (en) | Method for producing a MEMS device | |
| WO2000065659A1 (fr) | Procede de fabrication d'une micro-machine | |
| JP2000286296A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US20160039668A1 (en) | Apparatus and method to fabricate mems devce | |
| US20020132113A1 (en) | Method and system for making a micromachine device with a gas permeable enclosure | |
| JP2022022024A (ja) | 慣性センサー、慣性計測装置、及び慣性センサーの製造方法 | |
| JP7331488B2 (ja) | 慣性センサー、慣性センサーの製造方法、電子機器及び移動体 | |
| JP2024003931A (ja) | 慣性センサー、慣性センサーの製造方法、及び慣性計測装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040205 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060509 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090422 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090512 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090520 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120529 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |