JP2000342551A - Ｍｒｉ装置 - Google Patents
Ｍｒｉ装置Info
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- JP2000342551A JP2000342551A JP11157760A JP15776099A JP2000342551A JP 2000342551 A JP2000342551 A JP 2000342551A JP 11157760 A JP11157760 A JP 11157760A JP 15776099 A JP15776099 A JP 15776099A JP 2000342551 A JP2000342551 A JP 2000342551A
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- gradient coil
- current
- magnetic field
- coil
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- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 勾配コイルと整磁板の間にシールドコイルを
介設することなく、整磁板に渦電流が流れたり残留磁化
が生じたりするのを防止する。 【解決手段】 内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび内下
側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiにイメージング用勾配電流Ｉｙ
を流し、比較的小さな関心部位に適合する比較的小さな
撮影可能領域を形成する。一方、中上側Ｙ軸勾配コイル
１Ｙtmおよび中下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbmにもイメージ
ング用勾配電流Ｉｙを流すが、その電流方向は内上側Ｙ
軸勾配コイル１Ｙtiおよび内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbi
と逆にする。 【効果】 渦電流・残留磁化の発生を抑制でき、画質を
向上できる。
介設することなく、整磁板に渦電流が流れたり残留磁化
が生じたりするのを防止する。 【解決手段】 内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび内下
側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiにイメージング用勾配電流Ｉｙ
を流し、比較的小さな関心部位に適合する比較的小さな
撮影可能領域を形成する。一方、中上側Ｙ軸勾配コイル
１Ｙtmおよび中下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbmにもイメージ
ング用勾配電流Ｉｙを流すが、その電流方向は内上側Ｙ
軸勾配コイル１Ｙtiおよび内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbi
と逆にする。 【効果】 渦電流・残留磁化の発生を抑制でき、画質を
向上できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＲＩ（Ｍagneti
c Ｒesonance Ｉmaging）装置に関し、さらに詳しく
は、渦電流・残留磁化の発生を少なくし且つ撮像時間を
短縮することが出来るＭＲＩ装置に関する。
c Ｒesonance Ｉmaging）装置に関し、さらに詳しく
は、渦電流・残留磁化の発生を少なくし且つ撮像時間を
短縮することが出来るＭＲＩ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来のＭＲＩ装置のマグネット
アセンブリの一例の要部（本発明に関わりのある部分）
を示す模式図である。このマグネットアセンブリ５１
は、ヨーク２０と、そのヨーク２０に取り付けられ静磁
場を形成するべく対向する１対の永久磁石１Ｍｔ，１Ｍ
ｂと、それら永久磁石１Ｍｔ，１Ｍｂの対向面にそれぞ
れ設置され静磁場の均一性を上げる整磁板（ポールピー
スまたはポールフェース）２４，２５と、それら整磁板
２４，２５の対向面にそれぞれ設置されＹ軸勾配磁場を
発生する上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび下側Ｙ軸勾
配コイル５１Ｙｂとを具備している。前記上側Ｙ軸勾配
コイル５１Ｙｔと前記下側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｂとを
合わせてＹ軸勾配コイルアセンブリ５１Ｙという。
アセンブリの一例の要部（本発明に関わりのある部分）
を示す模式図である。このマグネットアセンブリ５１
は、ヨーク２０と、そのヨーク２０に取り付けられ静磁
場を形成するべく対向する１対の永久磁石１Ｍｔ，１Ｍ
ｂと、それら永久磁石１Ｍｔ，１Ｍｂの対向面にそれぞ
れ設置され静磁場の均一性を上げる整磁板（ポールピー
スまたはポールフェース）２４，２５と、それら整磁板
２４，２５の対向面にそれぞれ設置されＹ軸勾配磁場を
発生する上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび下側Ｙ軸勾
配コイル５１Ｙｂとを具備している。前記上側Ｙ軸勾配
コイル５１Ｙｔと前記下側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｂとを
合わせてＹ軸勾配コイルアセンブリ５１Ｙという。
【０００３】図９に示すように、Ｙ軸勾配コイル駆動回
路５３Ｙから前記上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび前
記下側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｂにイメージング用勾配電
流Ｉｙを流し、発生した磁場Ｈyt，Ｈytにより、Ｙ軸勾
配磁場を形成する。
路５３Ｙから前記上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび前
記下側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｂにイメージング用勾配電
流Ｉｙを流し、発生した磁場Ｈyt，Ｈytにより、Ｙ軸勾
配磁場を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】（１）永久磁石１Ｍ
ｔ，１Ｍｂを用いたマグネットアセンブリ５１では、上
側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび下側Ｙ軸勾配コイル５
１Ｙｂに近接して整磁板２４，２５が設置されているた
め、整磁板２４，２５に渦電流が流れたり残留磁化が生
じたりして、イメージングに悪影響を与えてしまう問題
点がある。なお、上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔと整磁板
２４の間および下側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｂと整磁板２
５の間にそれぞれシールドコイルを介設すれば、整磁板
２４，２５に渦電流が流れたり残留磁化が生じたりする
のを防止できるが、整磁板２４，２５の間隔を従来通り
にすれば上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび下側Ｙ軸勾
配コイル５１Ｙｂの間の空隙が狭くなって開放空間が狭
くなってしまい、上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび下
側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｂの間の空隙を従来通りにすれ
ば整磁板２４，２５の間隔が広がって全体として大型に
なってしまう問題点を生じる。 （２）また、撮像時間を短縮するためには、最大勾配磁
場を上げればよい。しかし、最大勾配磁場を上げるため
には、上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび下側Ｙ軸勾配
コイル５１Ｙｂに流すイメージング用勾配電流Ｉｙを上
げる外ないため、Ｙ軸勾配コイル駆動回路５３Ｙを大容
量化しなければならない問題点がある。 （３）さらに、関心部位より撮影可能領域が小さければ
関心部位を撮影できず、関心部位より撮影可能領域が大
きければ不要な信号を拾いやすくなるＳＮ比が下がるた
め、関心部位に適合した撮影可能領域の大きさとするの
が好ましいが、上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび下側
Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｂの幾何学的サイズで撮像可能領
域が決まってしまうため、関心部位の大小に応じて最適
なリニアリティの勾配コイルを選択できない問題点があ
る。
ｔ，１Ｍｂを用いたマグネットアセンブリ５１では、上
側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび下側Ｙ軸勾配コイル５
１Ｙｂに近接して整磁板２４，２５が設置されているた
め、整磁板２４，２５に渦電流が流れたり残留磁化が生
じたりして、イメージングに悪影響を与えてしまう問題
点がある。なお、上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔと整磁板
２４の間および下側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｂと整磁板２
５の間にそれぞれシールドコイルを介設すれば、整磁板
２４，２５に渦電流が流れたり残留磁化が生じたりする
のを防止できるが、整磁板２４，２５の間隔を従来通り
にすれば上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび下側Ｙ軸勾
配コイル５１Ｙｂの間の空隙が狭くなって開放空間が狭
くなってしまい、上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび下
側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｂの間の空隙を従来通りにすれ
ば整磁板２４，２５の間隔が広がって全体として大型に
なってしまう問題点を生じる。 （２）また、撮像時間を短縮するためには、最大勾配磁
場を上げればよい。しかし、最大勾配磁場を上げるため
には、上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび下側Ｙ軸勾配
コイル５１Ｙｂに流すイメージング用勾配電流Ｉｙを上
げる外ないため、Ｙ軸勾配コイル駆動回路５３Ｙを大容
量化しなければならない問題点がある。 （３）さらに、関心部位より撮影可能領域が小さければ
関心部位を撮影できず、関心部位より撮影可能領域が大
きければ不要な信号を拾いやすくなるＳＮ比が下がるた
め、関心部位に適合した撮影可能領域の大きさとするの
が好ましいが、上側Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｔおよび下側
Ｙ軸勾配コイル５１Ｙｂの幾何学的サイズで撮像可能領
域が決まってしまうため、関心部位の大小に応じて最適
なリニアリティの勾配コイルを選択できない問題点があ
る。
【０００５】そこで、本発明の第１の目的は、勾配コイ
ルと整磁板の間にシールドコイルを介設することなく、
勾配磁場により整磁板に渦電流が流れたり残留磁化が生
じたりするのを防止できるＭＲＩ装置を提供することに
ある。また、本発明の第２の目的は、勾配コイル駆動回
路を大容量化することなく、最大勾配磁場を上げること
が出来るＭＲＩ装置を提供することにある。さらに、本
発明の第３の目的は、関心部位の大小に応じて最適な勾
配磁界を発生できるＭＲＩ装置を提供することにある。
ルと整磁板の間にシールドコイルを介設することなく、
勾配磁場により整磁板に渦電流が流れたり残留磁化が生
じたりするのを防止できるＭＲＩ装置を提供することに
ある。また、本発明の第２の目的は、勾配コイル駆動回
路を大容量化することなく、最大勾配磁場を上げること
が出来るＭＲＩ装置を提供することにある。さらに、本
発明の第３の目的は、関心部位の大小に応じて最適な勾
配磁界を発生できるＭＲＩ装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、静磁場を形成するべく対向する１対の磁石の対向面
に設置され中心が一致し且つ直径の異なる第１勾配コイ
ルから第ｎ勾配コイル（ｎ≧２）と、それら第１勾配コ
イルから第ｎ勾配コイルの２つ以上を選択する勾配コイ
ル選択手段と、選択された勾配コイルを内側勾配コイル
群と外側勾配コイル群とに分けて内側勾配コイル群には
イメージング用勾配電流を流して勾配磁場を形成し外側
勾配コイル群には前記イメージング用勾配電流による磁
場が外側に広がるのを防止するシールド用電流を流す勾
配コイル駆動手段とを具備したことを特徴とするＭＲＩ
装置を提供する。上記第１の観点によるＭＲＩ装置で
は、内側勾配コイル群にイメージング用勾配電流を流し
て勾配磁場を形成すると共に、外側勾配コイル群にシー
ルド用電流を流して前記イメージング用勾配電流による
磁場を打ち消す磁場を発生し、前記イメージング用勾配
電流による磁場が外側に広がるのを防止する。このた
め、勾配コイルと整磁板の間に磁気シールド板を介設す
ることなく、勾配磁場により整磁板に渦電流が流れたり
残留磁化が生じたりするのを防止できる。
は、静磁場を形成するべく対向する１対の磁石の対向面
に設置され中心が一致し且つ直径の異なる第１勾配コイ
ルから第ｎ勾配コイル（ｎ≧２）と、それら第１勾配コ
イルから第ｎ勾配コイルの２つ以上を選択する勾配コイ
ル選択手段と、選択された勾配コイルを内側勾配コイル
群と外側勾配コイル群とに分けて内側勾配コイル群には
イメージング用勾配電流を流して勾配磁場を形成し外側
勾配コイル群には前記イメージング用勾配電流による磁
場が外側に広がるのを防止するシールド用電流を流す勾
配コイル駆動手段とを具備したことを特徴とするＭＲＩ
装置を提供する。上記第１の観点によるＭＲＩ装置で
は、内側勾配コイル群にイメージング用勾配電流を流し
て勾配磁場を形成すると共に、外側勾配コイル群にシー
ルド用電流を流して前記イメージング用勾配電流による
磁場を打ち消す磁場を発生し、前記イメージング用勾配
電流による磁場が外側に広がるのを防止する。このた
め、勾配コイルと整磁板の間に磁気シールド板を介設す
ることなく、勾配磁場により整磁板に渦電流が流れたり
残留磁化が生じたりするのを防止できる。
【０００７】第２の観点では、本発明は、静磁場を形成
するべく対向する１対の磁石の対向面に設置され中心が
一致し且つ直径の異なる第１勾配コイルから第ｎ勾配コ
イル（ｎ≧２）と、それら第１勾配コイルから第ｎ勾配
コイルの２つ以上を選択する勾配コイル選択手段と、選
択された勾配コイルの全てにイメージング用勾配電流を
流して勾配磁場を形成する勾配コイル駆動手段とを具備
したことを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第２
の観点によるＭＲＩ装置では、イメージング用勾配電流
を流す勾配コイルの数を増やすことにより、磁場強度を
増大させることが出来る。すなわち、勾配コイル駆動回
路を大容量化することなく、最大勾配磁場を上げること
が出来る。
するべく対向する１対の磁石の対向面に設置され中心が
一致し且つ直径の異なる第１勾配コイルから第ｎ勾配コ
イル（ｎ≧２）と、それら第１勾配コイルから第ｎ勾配
コイルの２つ以上を選択する勾配コイル選択手段と、選
択された勾配コイルの全てにイメージング用勾配電流を
流して勾配磁場を形成する勾配コイル駆動手段とを具備
したことを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第２
の観点によるＭＲＩ装置では、イメージング用勾配電流
を流す勾配コイルの数を増やすことにより、磁場強度を
増大させることが出来る。すなわち、勾配コイル駆動回
路を大容量化することなく、最大勾配磁場を上げること
が出来る。
【０００８】第３の観点では、本発明は、静磁場を形成
するべく対向する１対の磁石の対向面に設置され中心が
一致し且つ直径の異なる第１勾配コイルから第ｎ勾配コ
イル（ｎ≧２）と、それら第１勾配コイルから第ｎ勾配
コイルの少なくとも１つを選択する勾配コイル選択手段
と、選択された勾配コイルの少なくとも１つにイメージ
ング用勾配電流を流して勾配磁場を形成する勾配コイル
駆動手段とを具備したことを特徴とするＭＲＩ装置を提
供する。上記第３の観点によるＭＲＩ装置では、関心部
位の大きさに適合する直径の勾配コイルを選択すること
で、最適の勾配磁界を発生できる。
するべく対向する１対の磁石の対向面に設置され中心が
一致し且つ直径の異なる第１勾配コイルから第ｎ勾配コ
イル（ｎ≧２）と、それら第１勾配コイルから第ｎ勾配
コイルの少なくとも１つを選択する勾配コイル選択手段
と、選択された勾配コイルの少なくとも１つにイメージ
ング用勾配電流を流して勾配磁場を形成する勾配コイル
駆動手段とを具備したことを特徴とするＭＲＩ装置を提
供する。上記第３の観点によるＭＲＩ装置では、関心部
位の大きさに適合する直径の勾配コイルを選択すること
で、最適の勾配磁界を発生できる。
【０００９】第４の観点では、本発明は、静磁場を形成
するべく対向する１対の磁石の対向面に設置され中心が
一致し且つ直径の異なる複数の勾配コイルと、それら勾
配コイルのそれぞれについて「電流を流さない」「第１
の方向に電流を流す」「第１の方向と逆方向に電流を流
す」のいずれかを行う勾配コイル駆動手段とを具備した
ことを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第４の観
点によるＭＲＩ装置では、ある勾配コイルに「第１の方
向に電流を流す」ようにしてイメージング用の勾配磁場
を形成すると共に、前記勾配コイルの外側に位置する勾
配コイルに「第１の方向と逆方向に電流を流す」ように
すれば、前記イメージング用の勾配磁場が外側に広がる
のを防止できる。このため、勾配コイルと整磁板の間に
磁気シールド板を介設することなく、勾配磁場により整
磁板に渦電流が流れたり残留磁化が生じたりするのを防
止できる。一方、２以上の勾配コイルに「第１の方向に
電流を流す」ようにしてイメージング用の勾配磁場を形
成すれば、磁場強度を増大させることが出来る。すなわ
ち、勾配コイル駆動回路を大容量化することなく、最大
勾配磁場を上げることが出来る。なお、必要ない勾配コ
イルは「電流を流さない」ようにしておけばよい。
するべく対向する１対の磁石の対向面に設置され中心が
一致し且つ直径の異なる複数の勾配コイルと、それら勾
配コイルのそれぞれについて「電流を流さない」「第１
の方向に電流を流す」「第１の方向と逆方向に電流を流
す」のいずれかを行う勾配コイル駆動手段とを具備した
ことを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。上記第４の観
点によるＭＲＩ装置では、ある勾配コイルに「第１の方
向に電流を流す」ようにしてイメージング用の勾配磁場
を形成すると共に、前記勾配コイルの外側に位置する勾
配コイルに「第１の方向と逆方向に電流を流す」ように
すれば、前記イメージング用の勾配磁場が外側に広がる
のを防止できる。このため、勾配コイルと整磁板の間に
磁気シールド板を介設することなく、勾配磁場により整
磁板に渦電流が流れたり残留磁化が生じたりするのを防
止できる。一方、２以上の勾配コイルに「第１の方向に
電流を流す」ようにしてイメージング用の勾配磁場を形
成すれば、磁場強度を増大させることが出来る。すなわ
ち、勾配コイル駆動回路を大容量化することなく、最大
勾配磁場を上げることが出来る。なお、必要ない勾配コ
イルは「電流を流さない」ようにしておけばよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図に示す本発明の実施の形
態により本発明をさらに詳しく説明する。なお、これに
より本発明が限定されるものではない。図１は、本発明
の一実施形態にかかるＭＲＩ装置を示す構成ブロック図
である。このＭＲＩ装置１００において、マグネットア
センブリ１は、内部に被検体を挿入するためのボア（空
間部分）を有し、このボアを取りまくようにして、Ｘ軸
勾配磁場を形成するＸ軸勾配コイルアセンブリ１Ｘと，
Ｙ軸勾配磁場を形成するＹ軸勾配コイルアセンブリ１Ｙ
と，Ｚ軸勾配磁場を形成するＺ軸勾配コイルアセンブリ
１Ｚとと、被検体内の原子核のスピンを励起するための
ＲＦパルスを印加する送信コイル１Ｔと、被検体からの
ＮＭＲ信号を検出する受信コイル１Ｒと、静磁場を形成
する永久磁石対１Ｍとを具備して構成されている。
態により本発明をさらに詳しく説明する。なお、これに
より本発明が限定されるものではない。図１は、本発明
の一実施形態にかかるＭＲＩ装置を示す構成ブロック図
である。このＭＲＩ装置１００において、マグネットア
センブリ１は、内部に被検体を挿入するためのボア（空
間部分）を有し、このボアを取りまくようにして、Ｘ軸
勾配磁場を形成するＸ軸勾配コイルアセンブリ１Ｘと，
Ｙ軸勾配磁場を形成するＹ軸勾配コイルアセンブリ１Ｙ
と，Ｚ軸勾配磁場を形成するＺ軸勾配コイルアセンブリ
１Ｚとと、被検体内の原子核のスピンを励起するための
ＲＦパルスを印加する送信コイル１Ｔと、被検体からの
ＮＭＲ信号を検出する受信コイル１Ｒと、静磁場を形成
する永久磁石対１Ｍとを具備して構成されている。
【００１１】前記Ｘ軸勾配コイル１Ｘは、Ｘ軸勾配コイ
ル駆動回路３Ｘに接続されている。また、前記Ｙ軸勾配
コイル１Ｙは、マルチプレクサ２を介して、Ｙ軸勾配コ
イル駆動回路３Ｙに接続されている。また、前記Ｚ軸勾
配コイル１Ｚは、Ｚ軸勾配コイル駆動回路３Ｚに接続さ
れている。さらに、前記送信コイル１Ｔは、ＲＦ電力増
幅器４に接続されている。また、前記受信コイル１Ｒ
は、前置増幅器５に接続されている。
ル駆動回路３Ｘに接続されている。また、前記Ｙ軸勾配
コイル１Ｙは、マルチプレクサ２を介して、Ｙ軸勾配コ
イル駆動回路３Ｙに接続されている。また、前記Ｚ軸勾
配コイル１Ｚは、Ｚ軸勾配コイル駆動回路３Ｚに接続さ
れている。さらに、前記送信コイル１Ｔは、ＲＦ電力増
幅器４に接続されている。また、前記受信コイル１Ｒ
は、前置増幅器５に接続されている。
【００１２】シーケンス記憶回路８は、計算機７からの
指令に従い、スピンエコー法等のパルスシーケンサに基
づいて、前記Ｘ軸勾配コイル駆動回路３Ｘ，前記Ｙ軸勾
配コイル駆動回路３Ｙおよび前記Ｚ軸勾配コイル駆動回
路３Ｚを操作し、前記Ｘ軸勾配コイルアセンブリ１Ｘ，
前記Ｙ軸勾配コイルアセンブリ１Ｙおよび前記Ｚ軸勾配
コイルアセンブリ１ＺによりＸ軸勾配磁場，Ｙ軸勾配磁
場およびＺ軸勾配磁場を形成させると共に、ゲート変調
回路９を操作し、ＲＦ発振回路１０からの高周波出力信
号を所定タイミング・所定包絡線のパルス状信号に変調
し、それを励起パルスとしてＲＦ電力増幅器４に加え、
ＲＦ電力増幅器４でパワー増幅した後、前記マグネット
アセンブリ１の送信コイル１Ｔに印加し、目的のスライ
ス領域を選択励起する。なお、前記マルチプレクサ２
は、前記Ｙ軸勾配コイル駆動回路３Ｙで駆動するＹ軸勾
配コイルアセンブリ１Ｙ中の勾配コイル（図３参照）を
選択するものである。これについては、図４〜図７を参
照して後述する。
指令に従い、スピンエコー法等のパルスシーケンサに基
づいて、前記Ｘ軸勾配コイル駆動回路３Ｘ，前記Ｙ軸勾
配コイル駆動回路３Ｙおよび前記Ｚ軸勾配コイル駆動回
路３Ｚを操作し、前記Ｘ軸勾配コイルアセンブリ１Ｘ，
前記Ｙ軸勾配コイルアセンブリ１Ｙおよび前記Ｚ軸勾配
コイルアセンブリ１ＺによりＸ軸勾配磁場，Ｙ軸勾配磁
場およびＺ軸勾配磁場を形成させると共に、ゲート変調
回路９を操作し、ＲＦ発振回路１０からの高周波出力信
号を所定タイミング・所定包絡線のパルス状信号に変調
し、それを励起パルスとしてＲＦ電力増幅器４に加え、
ＲＦ電力増幅器４でパワー増幅した後、前記マグネット
アセンブリ１の送信コイル１Ｔに印加し、目的のスライ
ス領域を選択励起する。なお、前記マルチプレクサ２
は、前記Ｙ軸勾配コイル駆動回路３Ｙで駆動するＹ軸勾
配コイルアセンブリ１Ｙ中の勾配コイル（図３参照）を
選択するものである。これについては、図４〜図７を参
照して後述する。
【００１３】前記前置増幅器５は、前記マグネットアセ
ンブリ１の受信コイル１Ｒで検出された被検体からのＮ
ＭＲ信号を増幅し、位相検波器１２に入力する。位相検
波器１２は、前記ＲＦ発振回路１０の出力を参照信号と
し、前記前置増幅器５からのＮＭＲ信号を位相検波し
て、Ａ／Ｄ変換器１１に与える。前記Ａ／Ｄ変換器１１
は、位相検波後のアナログ信号をデジタル信号のＭＲデ
ータに変換して、計算機７に入力する。
ンブリ１の受信コイル１Ｒで検出された被検体からのＮ
ＭＲ信号を増幅し、位相検波器１２に入力する。位相検
波器１２は、前記ＲＦ発振回路１０の出力を参照信号と
し、前記前置増幅器５からのＮＭＲ信号を位相検波し
て、Ａ／Ｄ変換器１１に与える。前記Ａ／Ｄ変換器１１
は、位相検波後のアナログ信号をデジタル信号のＭＲデ
ータに変換して、計算機７に入力する。
【００１４】計算機７は、ＭＲデータに対して画像再構
成演算を行い、目的のスライス領域のイメージを生成す
る。このイメージは、表示装置６にて表示される。ま
た、計算機７は、操作卓１３からの入力された情報を受
け取ったり、Ｙ軸勾配コイルアセンブリ１Ｙ中の勾配コ
イル（図３参照）を選択する制御信号をマルチプレクサ
２に送るなどの全体的制御を受け持つ。
成演算を行い、目的のスライス領域のイメージを生成す
る。このイメージは、表示装置６にて表示される。ま
た、計算機７は、操作卓１３からの入力された情報を受
け取ったり、Ｙ軸勾配コイルアセンブリ１Ｙ中の勾配コ
イル（図３参照）を選択する制御信号をマルチプレクサ
２に送るなどの全体的制御を受け持つ。
【００１５】図２は、前記マグネットアセンブリ１の要
部（本発明に関わりのある部分）を示す模式図である。
このマグネットアセンブリ１は、ヨーク２０と、そのヨ
ーク２０に取り付けられ静磁場を形成するべく対向する
１対の永久磁石１Ｍｔ，１Ｍｂと、それら永久磁石１Ｍ
ｔ，１Ｍｂの対向面にそれぞれ設置され静磁場の均一性
を上げる整磁板２４，２５と、それら整磁板２４，２５
の対向面にそれぞれ設置されＹ軸勾配磁場を発生する上
側Ｙ軸勾配コイル１Ｙｔおよび下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙ
ｂとを具備している。前記上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙｔと
前記下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙｂとを合わせてＹ軸勾配コ
イルアセンブリ１Ｙという。
部（本発明に関わりのある部分）を示す模式図である。
このマグネットアセンブリ１は、ヨーク２０と、そのヨ
ーク２０に取り付けられ静磁場を形成するべく対向する
１対の永久磁石１Ｍｔ，１Ｍｂと、それら永久磁石１Ｍ
ｔ，１Ｍｂの対向面にそれぞれ設置され静磁場の均一性
を上げる整磁板２４，２５と、それら整磁板２４，２５
の対向面にそれぞれ設置されＹ軸勾配磁場を発生する上
側Ｙ軸勾配コイル１Ｙｔおよび下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙ
ｂとを具備している。前記上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙｔと
前記下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙｂとを合わせてＹ軸勾配コ
イルアセンブリ１Ｙという。
【００１６】図３に示すように、前記上側Ｙ軸勾配コイ
ル１Ｙｔは、中心が一致し且つ直径の異なる外上側Ｙ軸
勾配コイル１Ｙto，中上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtmおよび
内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiからなる。また、前記下側
Ｙ軸勾配コイル１Ｙｂは、中心が一致し且つ直径の異な
る外下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbo，中下側Ｙ軸勾配コイル
１Ｙbmおよび内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiからなる。前
記Ｙ軸勾配コイル駆動回路３Ｙは、イメージング用勾配
電流Ｉｙおよびシールド用電流Ｉｓを供給する。
ル１Ｙｔは、中心が一致し且つ直径の異なる外上側Ｙ軸
勾配コイル１Ｙto，中上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtmおよび
内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiからなる。また、前記下側
Ｙ軸勾配コイル１Ｙｂは、中心が一致し且つ直径の異な
る外下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbo，中下側Ｙ軸勾配コイル
１Ｙbmおよび内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiからなる。前
記Ｙ軸勾配コイル駆動回路３Ｙは、イメージング用勾配
電流Ｉｙおよびシールド用電流Ｉｓを供給する。
【００１７】図４に示すように、イメージング用勾配電
流Ｉｙを内側に流し、シールド用電流Ｉｓを外側に流す
ように、マルチプレクサ２の接続状態を設定すれば、内
上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび内下側Ｙ軸勾配コイル
１Ｙbiにイメージング用勾配電流Ｉｙが流れ、比較的小
さな関心部位に適合する比較的小さな撮影可能領域が形
成される。一方、中上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtmおよび中
下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbmにはシールド用電流Ｉｓが流
れ、前記内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび内下側Ｙ軸
勾配コイル１Ｙbiに流れるイメージング用勾配電流Ｉｙ
による磁場を打ち消す磁場を発生する。従って、磁場が
外側に広がることが防止され、整磁板２４，２５に渦電
流が流れたり残留磁化が生じたりするのを防止できる。
なお、同様に、内，中，外のＹ軸勾配コイルのうちの２
つ又は３つを選択し、これらを内側と外側の勾配コイル
群に２分割し、内側の勾配コイル群にイメージング用勾
配電流Ｉｙを流し、外側の勾配コイル群にシールド用電
流Ｉｓを流して、磁場が外側に広がることを防止するこ
とが出来る。
流Ｉｙを内側に流し、シールド用電流Ｉｓを外側に流す
ように、マルチプレクサ２の接続状態を設定すれば、内
上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび内下側Ｙ軸勾配コイル
１Ｙbiにイメージング用勾配電流Ｉｙが流れ、比較的小
さな関心部位に適合する比較的小さな撮影可能領域が形
成される。一方、中上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtmおよび中
下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbmにはシールド用電流Ｉｓが流
れ、前記内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび内下側Ｙ軸
勾配コイル１Ｙbiに流れるイメージング用勾配電流Ｉｙ
による磁場を打ち消す磁場を発生する。従って、磁場が
外側に広がることが防止され、整磁板２４，２５に渦電
流が流れたり残留磁化が生じたりするのを防止できる。
なお、同様に、内，中，外のＹ軸勾配コイルのうちの２
つ又は３つを選択し、これらを内側と外側の勾配コイル
群に２分割し、内側の勾配コイル群にイメージング用勾
配電流Ｉｙを流し、外側の勾配コイル群にシールド用電
流Ｉｓを流して、磁場が外側に広がることを防止するこ
とが出来る。
【００１８】図５に示すように、イメージング用勾配電
流Ｉｙを内側と内側で逆向きに流すように、マルチプレ
クサ２の接続状態を設定すれば、内上側Ｙ軸勾配コイル
１Ｙtiおよび内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiにイメージン
グ用勾配電流Ｉｙが流れ、比較的小さな関心部位に適合
する比較的小さな撮影可能領域が形成される。一方、中
上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtmおよび中下側Ｙ軸勾配コイル
１Ｙbmにもイメージング用勾配電流Ｉｙが流れるが、こ
れは電流方向が内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび内下
側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiと逆であるためにシールド用電
流（Ｉｓ）として働き、前記内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙ
tiおよび内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiに流れるイメージ
ング用勾配電流Ｉｙによる磁場を打ち消す磁場を発生す
る。従って、磁場が外側に広がることが防止され、整磁
板２４，２５に渦電流が流れたり残留磁化が生じたりす
るのを防止できる。
流Ｉｙを内側と内側で逆向きに流すように、マルチプレ
クサ２の接続状態を設定すれば、内上側Ｙ軸勾配コイル
１Ｙtiおよび内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiにイメージン
グ用勾配電流Ｉｙが流れ、比較的小さな関心部位に適合
する比較的小さな撮影可能領域が形成される。一方、中
上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtmおよび中下側Ｙ軸勾配コイル
１Ｙbmにもイメージング用勾配電流Ｉｙが流れるが、こ
れは電流方向が内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび内下
側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiと逆であるためにシールド用電
流（Ｉｓ）として働き、前記内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙ
tiおよび内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiに流れるイメージ
ング用勾配電流Ｉｙによる磁場を打ち消す磁場を発生す
る。従って、磁場が外側に広がることが防止され、整磁
板２４，２５に渦電流が流れたり残留磁化が生じたりす
るのを防止できる。
【００１９】図６に示すようにマルチプレクサ２の接続
状態を設定すれば、内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび
内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiにイメージング用勾配電流
Ｉｙが流れ、比較的小さな関心部位に適合する比較的小
さな撮影可能領域が内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび
内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiにより形成される。一方、
中上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtmおよび中下側Ｙ軸勾配コイ
ル１Ｙbmにもイメージング用勾配電流Ｉｙが流れ、これ
は電流方向が内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび内下側
Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiと同じであるために内上側Ｙ軸勾
配コイル１Ｙtiおよび内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiによ
るＹ軸勾配磁場を強化する磁場を発生する。従って、最
大勾配磁場を上げることができ、撮像時間を短縮するこ
とが出来る。なお、同様に、内，中，外のＹ軸勾配コイ
ルのうちの２つ又は３つにイメージング用勾配電流Ｉｙ
を流してＹ軸勾配磁場を強化することが出来る。
状態を設定すれば、内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび
内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiにイメージング用勾配電流
Ｉｙが流れ、比較的小さな関心部位に適合する比較的小
さな撮影可能領域が内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび
内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiにより形成される。一方、
中上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtmおよび中下側Ｙ軸勾配コイ
ル１Ｙbmにもイメージング用勾配電流Ｉｙが流れ、これ
は電流方向が内上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtiおよび内下側
Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiと同じであるために内上側Ｙ軸勾
配コイル１Ｙtiおよび内下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙbiによ
るＹ軸勾配磁場を強化する磁場を発生する。従って、最
大勾配磁場を上げることができ、撮像時間を短縮するこ
とが出来る。なお、同様に、内，中，外のＹ軸勾配コイ
ルのうちの２つ又は３つにイメージング用勾配電流Ｉｙ
を流してＹ軸勾配磁場を強化することが出来る。
【００２０】図７に示すようにマルチプレクサ２の接続
状態を設定すれば、外上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtoおよび
外下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙboのみにイメージング用勾配
電流Ｉｙが流れ、比較的大きな関心部位に適合する比較
的大きな撮影可能領域が形成される。なお、同様に、内
または中のＹ軸勾配コイルのいずれか１つのみにイメー
ジング用勾配電流Ｉｙを流して、比較的小さな関心部位
に適合する比較的小さな撮影可能領域または中位の関心
部位に適合する中位の撮影可能領域を形成することが出
来る。
状態を設定すれば、外上側Ｙ軸勾配コイル１Ｙtoおよび
外下側Ｙ軸勾配コイル１Ｙboのみにイメージング用勾配
電流Ｉｙが流れ、比較的大きな関心部位に適合する比較
的大きな撮影可能領域が形成される。なお、同様に、内
または中のＹ軸勾配コイルのいずれか１つのみにイメー
ジング用勾配電流Ｉｙを流して、比較的小さな関心部位
に適合する比較的小さな撮影可能領域または中位の関心
部位に適合する中位の撮影可能領域を形成することが出
来る。
【００２１】
【発明の効果】本発明のＭＲＩ装置によれば、次の効果
が得られる。 （１）勾配磁場により整磁板に渦電流が流れたり残留磁
化が生じたりするのを防止でき、画質を向上することが
出来る。 （２）勾配コイル駆動回路を大容量化することなく、最
大勾配磁場を上げることができ、撮像時間を短縮するこ
とが出来る。特に、大きな勾配磁場を必要とするエコー
プラナー法（Ｅcho Ｐlanar法）や高速スピンエコー法
（Ｆast ＳＥ法）などに有用である。 （３）関心部位の大きさに適合する最適の大きさの撮影
可能領域を形成することが出来る。
が得られる。 （１）勾配磁場により整磁板に渦電流が流れたり残留磁
化が生じたりするのを防止でき、画質を向上することが
出来る。 （２）勾配コイル駆動回路を大容量化することなく、最
大勾配磁場を上げることができ、撮像時間を短縮するこ
とが出来る。特に、大きな勾配磁場を必要とするエコー
プラナー法（Ｅcho Ｐlanar法）や高速スピンエコー法
（Ｆast ＳＥ法）などに有用である。 （３）関心部位の大きさに適合する最適の大きさの撮影
可能領域を形成することが出来る。
【図１】本発明の一実施形態にかかるＭＲＩ装置の一例
を示す構成ブロック図である。
を示す構成ブロック図である。
【図２】図１の装置のマグネットアセンブリの要部を示
す模式図である。
す模式図である。
【図３】Ｙ軸勾配コイルアセンブリの詳細説明図であ
る。
る。
【図４】イメージング用勾配電流とシールド用電流とを
流すときのマルチプレクサの接続状態の説明図である。
流すときのマルチプレクサの接続状態の説明図である。
【図５】イメージング用勾配電流でシールド用電流を兼
用させるときのマルチプレクサの接続状態の説明図であ
る。
用させるときのマルチプレクサの接続状態の説明図であ
る。
【図６】複数のＹ軸勾配コイルにイメージング用勾配電
流を流すときのマルチプレクサの接続状態の説明図であ
る。
流を流すときのマルチプレクサの接続状態の説明図であ
る。
【図７】一つのＹ軸勾配コイルのみにイメージング用勾
配電流を流すときのマルチプレクサの接続状態の説明図
である。
配電流を流すときのマルチプレクサの接続状態の説明図
である。
【図８】従来のＭＲＩ装置のマグネットアセンブリの一
例の要部を示す模式図である。
例の要部を示す模式図である。
【図９】Ｙ軸勾配コイルにイメージング用勾配電流を流
すときの説明図である。
すときの説明図である。
１ マグネットアセンブリ １Ｙ Ｙ軸勾配コイルアセンブリ １Ｍ 永久磁石対 １Ｙto 外上側Ｙ軸勾配コイル １Ｙtm 中上側Ｙ軸勾配コイル １Ｙti 内上側Ｙ軸勾配コイル １Ｙbo 外下側Ｙ軸勾配コイル １Ｙbm 中下側Ｙ軸勾配コイル １Ｙbi 内下側Ｙ軸勾配コイル １００ ＭＲＩ装置 ２ マルチプレクサ ３Ｙ Ｙ軸勾配コイル駆動回路 ７ 計算機
Claims (4)
- 【請求項１】 静磁場を形成するべく対向する１対の磁
石の対向面に設置され中心が一致し且つ直径の異なる第
１勾配コイルから第ｎ勾配コイル（ｎ≧２）と、それら
第１勾配コイルから第ｎ勾配コイルの２つ以上を選択す
る勾配コイル選択手段と、選択された勾配コイルを内側
勾配コイル群と外側勾配コイル群とに分けて内側勾配コ
イル群にはイメージング用勾配電流を流して勾配磁場を
形成し外側勾配コイル群には前記イメージング用勾配電
流による磁場が外側に広がるのを防止するシールド用電
流を流す勾配コイル駆動手段とを具備したことを特徴と
するＭＲＩ装置。 - 【請求項２】 静磁場を形成するべく対向する１対の磁
石の対向面に設置され中心が一致し且つ直径の異なる第
１勾配コイルから第ｎ勾配コイル（ｎ≧２）と、それら
第１勾配コイルから第ｎ勾配コイルの２つ以上を選択す
る勾配コイル選択手段と、選択された勾配コイルの全て
にイメージング用勾配電流を流して勾配磁場を形成する
勾配コイル駆動手段とを具備したことを特徴とするＭＲ
Ｉ装置。 - 【請求項３】 静磁場を形成するべく対向する１対の磁
石の対向面に設置され中心が一致し且つ直径の異なる第
１勾配コイルから第ｎ勾配コイル（ｎ≧２）と、それら
第１勾配コイルから第ｎ勾配コイルの少なくとも１つを
選択する勾配コイル選択手段と、選択された勾配コイル
の少なくとも１つにイメージング用勾配電流を流して勾
配磁場を形成する勾配コイル駆動手段とを具備したこと
を特徴とするＭＲＩ装置。 - 【請求項４】 静磁場を形成するべく対向する１対の磁
石の対向面に設置され中心が一致し且つ直径の異なる複
数の勾配コイルと、それら勾配コイルのそれぞれについ
て「電流を流さない」「第１の方向に電流を流す」「第
１の方向と逆方向に電流を流す」のいずれかを行う勾配
コイル駆動手段とを具備したことを特徴とするＭＲＩ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11157760A JP2000342551A (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | Ｍｒｉ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11157760A JP2000342551A (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | Ｍｒｉ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000342551A true JP2000342551A (ja) | 2000-12-12 |
Family
ID=15656735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11157760A Pending JP2000342551A (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | Ｍｒｉ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000342551A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005066312A (ja) * | 2002-12-27 | 2005-03-17 | Toshiba Corp | 傾斜磁場コイル装置及び磁気共鳴映像装置 |
| CN100350876C (zh) * | 2002-12-27 | 2007-11-28 | 株式会社东芝 | 倾斜磁场线圈装置和磁共振图象装置 |
-
1999
- 1999-06-04 JP JP11157760A patent/JP2000342551A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005066312A (ja) * | 2002-12-27 | 2005-03-17 | Toshiba Corp | 傾斜磁場コイル装置及び磁気共鳴映像装置 |
| CN100350876C (zh) * | 2002-12-27 | 2007-11-28 | 株式会社东芝 | 倾斜磁场线圈装置和磁共振图象装置 |
| JP2011078800A (ja) * | 2002-12-27 | 2011-04-21 | Toshiba Corp | 傾斜磁場コイル装置及び磁気共鳴映像装置 |
| JP4675562B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2011-04-27 | 株式会社東芝 | 傾斜磁場コイル装置及び磁気共鳴映像装置 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051213 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080111 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080122 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080314 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080314 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080422 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080909 |