JP2000339432A - Icカード用モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Icカード用モジュール及びその製造方法

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JP2000339432A
JP2000339432A JP11144876A JP14487699A JP2000339432A JP 2000339432 A JP2000339432 A JP 2000339432A JP 11144876 A JP11144876 A JP 11144876A JP 14487699 A JP14487699 A JP 14487699A JP 2000339432 A JP2000339432 A JP 2000339432A
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Japan
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module
card
sealing resin
lead frame
metal frame
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JP11144876A
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English (en)
Inventor
Seiichi Nishino
誠一 西野
Futoshi Hosoya
太 細谷
Kazuo Matsuda
一夫 松田
Hiroaki Tamura
裕明 田村
Hitoyoshi Matsuno
仁吉 松野
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Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ICモジュールの高さが低く、しかも、温度
変化に起因するICモジュールの反りや凹凸を抑制でき
るICカード用モジュール及びその製造を提供する。 【解決手段】 IC素子3の金製バンプ4とリードフレ
ーム6に施された銀めっき部とを超音波溶接によって直
接接合した後に、周囲に封止樹脂5を配設する。この
際、IC素子の上面部と下面部とに封止樹脂を均等に配
設する。また、封止樹脂とリードフレームとの線膨張係
数の差が−50℃から180℃までの範囲で10%以内
に選定すると、ICモジュール2の反り、曲がりや凹凸
がほとんど発生しない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ICカード用モジ
ュール及びその製造方法に関し、特に非接触型ICカー
ド用モジュール及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、非接触型ICカードの製造方法に
おいて、ICモジュールの製造には、IC素子をボンデ
ィングワイヤによって基板やリードフレームに結線する
方法が用いられている。
【0003】また、他の方法として、バンプ付きIC素
子を異方性導電樹脂を介して基板やリードフレームに実
装する方法が用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ワイヤボンディングに
よる接続方法では、ボンディングにおけるループの高さ
が約150ミクロンであり、これを薄くすることができ
ない。ICカードは薄化傾向にあり、非接触型ICカー
ドでは、ICカード基材内にICモジュールが埋設され
るため、ICモジュールを薄く構成する必要性が強く要
求されている。特に、薄型ICモジュールでは、ワイヤ
ボンディングによらず、異方性導電樹脂による実装が最
も多く行われるが、金属結合でないために、接続抵抗が
やや高い。また、異方性導電樹脂による実装は、チップ
の実装に15秒程度の時間を要する方法であり、また、
チップ面に線膨張係数の大きい異方性導電樹脂を配設す
ると、チップに反りが発生する原因となる。
【0005】次に、ICモジュールを構成するIC素
子、ICカード基材又はリードフレーム及び封止樹脂
は、線膨張係数等の物性値が相互にかなり異なる。特
に、封止樹脂とICカード基材との線膨張係数の差が大
きいと、温度の上昇又は下降に起因してICモジュール
に反りが発生する。
【0006】そこで、本発明は、前記従来の非接触型I
Cカードの欠点を改良し、ICモジュールの高さが低
く、しかも、温度変化に起因するICモジュールの反り
や凹凸を抑制することができるICカード用モジュール
及びその製造方法を提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、次の手段を採用する。
【0008】1.バンプ付きIC素子の金製バンプと金
属フレームに施された銀めっき部とを超音波溶接によっ
て直接接合した後に、周囲に封止樹脂を配設するICカ
ード用モジュールの製造方法。
【0009】2.前記金属フレームと前記金製バンプと
の接合部の周囲に前記封止樹脂回り用空間を設け、前記
バンプ付きIC素子の上面部と下面部とに前記封止樹脂
を均等に配設する前記1記載のICカード用モジュール
の製造方法。
【0010】3.前記封止樹脂と前記金属フレームとの
線膨張係数の差を−50℃から180℃までの範囲で1
0%以内に選定し、前記バンプ付きIC素子をモジュー
ルの上下方向の中央部に配置する前記1記載のICカー
ド用モジュールの製造方法。
【0011】4.バンプ付きIC素子の金製バンプと金
属フレームに施された銀めっき部とが直接接合され、周
囲に封止樹脂が配設されているICカード用モジュー
ル。
【0012】5.前記バンプ付きIC素子の上面部と下
面部とに前記封止樹脂が均等に配設されている前記4記
載のICカード用モジュール。
【0013】6.前記封止樹脂と前記金属フレームとの
線膨張係数の差が−50℃から180℃までの範囲で1
0%以内であり、前記バンプ付きIC素子がモジュール
の上下方向の中央部に配置されている前記4記載のIC
カード用モジュール。
【0014】
【作用】本発明のICカード用モジュールでは、封止樹
脂の線膨張係数と金属フレームのそれとがマッチングす
るから、温度変化に起因してICモジュールに反り、曲
がりや凹凸がほとんど発生しない。
【0015】また、本発明のICカード用モジュールで
は、異方性導電フィルムやアンダーフィル(フェイスダ
ウン実装で、基板とICとの間に樹脂等を充填するこ
と。)を使用しないので、ICモジュールをシンプルに
構成することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態例のICカ
ード用モジュール及びその製造方法について図1と図2
を参照して説明する。
【0017】図1は、ICカードの上面から見た模式的
透視図、図2は、図1における線A−A′による模式的
断面図である。ICカード基材1には、ICモジュール
2、リードフレーム6及び絶縁被覆アンテナ銅線7が、
埋設されている。ICモジュール2は、そのIC素子3
を金製バンプ4を介してリードフレーム6に接続され、
また、封止樹脂5によって被覆されている。ICカード
が厚い場合には、通常のボンディングワイヤによる接続
でも支障がないが、本実施の形態例では、薄いICカー
ドに対応するために、パッドにはボンダ等によってバン
プ4を形成する。
【0018】リードフレーム6の材料には、銅合金を使
用する。銅合金の特性としては、リン青銅等のやや堅
く、ばね性を有するものが適切である。リードフレーム
6におけるチップ実装面には、銀めっきを施す。実装方
法は、超音波溶接によってバンプ4とリードフレーム6
を直接接続する。
【0019】IC素子3とリードフレーム6を超音波溶
接によって接続するとき、リードフレーム6が動きやす
いと、1点しか接続することができない。リードフレー
ム6の材料が、リン青銅又はFe−Ni(42wt%)
合金等の剛性が高く、しかも、リードフレーム6の下面
を固定できる構造に構成すると、多点を良好に接続する
ことができる。
【0020】上述のようにICモジュール2を製造する
と、ICカードは、図1に示される断面構造になり、I
C素子3の上下に配設される材料が均等になり、ICモ
ジュール2単体の反りが抑制される。
【0021】このICモジュール2を用いてICカード
を構成する場合、ICモジュール2の上下に配設される
ICカード基材1の材料も均等に割り振られるようにし
てICカードの反りを抑制される。
【0022】封止樹脂5とリードフレーム6との線膨張
係数の差を−50℃から180℃までの範囲で10%以
内に選定すると、ICモジュール2の反り、曲がりや凹
凸がほとんど発生しない。
【0023】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、次の効果を奏することができる。
【0024】1.ICカードの反り、曲がりや凹凸が抑
制されるので、印刷特性が改善される。
【0025】2.ICカードは、搬送し易いので、検査
機や自動販売機における取り扱いが容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態例によって製造されたI
Cカードの上面から見た模式的透視図である。
【図2】図1における線A−A′による模式的断面図で
ある。
【符号の説明】
1 ICカード基材 2 ICモジュール 3 IC素子 4 バンプ 5 封止樹脂 6 リードフレーム 7 絶縁被覆アンテナ銅線
フロントページの続き (72)発明者 松田 一夫 宮城県仙台市太白区郡山六丁目7番1号 株式会社トーキン内 (72)発明者 田村 裕明 宮城県仙台市太白区郡山六丁目7番1号 株式会社トーキン内 (72)発明者 松野 仁吉 宮城県仙台市太白区郡山六丁目7番1号 株式会社トーキン内 Fターム(参考) 5B035 AA08 BA05 BB09 CA03 CA23

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 バンプ付きIC素子の金製バンプと金属
    フレームに施された銀めっき部とを超音波溶接によって
    直接接合した後に、周囲に封止樹脂を配設することを特
    徴とするICカード用モジュールの製造方法。
  2. 【請求項2】 前記金属フレームと前記金製バンプとの
    接合部の周囲に前記封止樹脂回り用空間を設け、前記バ
    ンプ付きIC素子の上面部と下面部とに前記封止樹脂を
    均等に配設することを特徴とする請求項1記載のICカ
    ード用モジュールの製造方法。
  3. 【請求項3】 前記封止樹脂と前記金属フレームとの線
    膨張係数の差を−50℃から180℃までの範囲で10
    %以内に選定し、前記バンプ付きIC素子をモジュール
    の上下方向の中央部に配置することを特徴とする請求項
    1記載のICカード用モジュールの製造方法。
  4. 【請求項4】 バンプ付きIC素子の金製バンプと金属
    フレームに施された銀めっき部とが直接接合され、周囲
    に封止樹脂が配設されていることを特徴とするICカー
    ド用モジュール。
  5. 【請求項5】 前記バンプ付きIC素子の上面部と下面
    部とに前記封止樹脂が均等に配設されていることを特徴
    とする請求項4記載のICカード用モジュール。
  6. 【請求項6】 前記封止樹脂と前記金属フレームとの線
    膨張係数の差が−50℃から180℃までの範囲で10
    %以内であり、前記バンプ付きIC素子がモジュールの
    上下方向の中央部に配置されていることを特徴とする請
    求項4記載のICカード用モジュール。
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