JP2000334399A - Substrate treating apparatus - Google Patents

Substrate treating apparatus

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JP2000334399A
JP2000334399A JP14653999A JP14653999A JP2000334399A JP 2000334399 A JP2000334399 A JP 2000334399A JP 14653999 A JP14653999 A JP 14653999A JP 14653999 A JP14653999 A JP 14653999A JP 2000334399 A JP2000334399 A JP 2000334399A
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JP
Japan
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wafer
substrate
processing
unit
cleaning
Prior art date
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Application number
JP14653999A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsuyoshi Kageyama
剛志 蔭山
Ryuichi Hayama
竜一 半山
Nobuo Tani
伸夫 谷
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the drying of particles such as polishing dust adherent to the surface of a substrate after processing treatment such as CMP treatment and to improve a cleaning effect in a cleaning part. SOLUTION: A substrate treating apparatus 100 for cleaning a wafer W is provided with treatment parts 30, 40, 50 for cleaning the wafer W which was CMP treated by a CMP apparatus 200, a mounting part 20 for mounting the wafer W temporarily before the wafer W is conveyed to the treatment part 30, and a shuttle-conveying robot 60 for conveying the wafer W from the mounting part 20 to the treatment pat 30, and the mounting part 20 has a pin for supporting the back of the wafer W, the first nozzle for supplying pure water to the surface of the wafer W supported by the pin, and the second nozzle for supplying pure water to the back of the wafer W.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの
基板に洗浄処理等の所定の処理を行う基板処理装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a predetermined process such as a cleaning process on a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, and a glass substrate for a photomask.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から基板の一種であるウエハの処理
過程において、ウエハの表面に形成された多層構造化に
伴う凹凸を取り除くために、化学研磨剤やパッド等を使
用してウエハの表面を機械的に削ることにより、ウエハ
の表面の平坦化を行うCMP(Chemical Me
chanical Polishing)処理を行って
いる。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the process of processing a wafer which is a kind of substrate, the surface of the wafer is removed by using a chemical polishing agent or a pad or the like in order to remove irregularities due to a multilayer structure formed on the surface of the wafer. CMP (Chemical Me) for planarizing the surface of the wafer by mechanically shaving it
(chemical polishing) processing.

【0003】CMP処理が行われたウエハの表面には研
磨によって研磨屑等が付着しているため、CMP処理後
のウエハに対する処理としてウエハを洗浄して研磨屑等
を除去する処理が行われる。
[0003] Since polishing debris and the like adhere to the surface of the wafer subjected to the CMP process by polishing, a process of cleaning the wafer and removing the polishing debris and the like is performed as a process for the wafer after the CMP process.

【0004】図12は、このようなCMP処理後のウエ
ハの洗浄を行う従来の基板処理装置の概略構成図を示し
ている。この従来の基板処理装置410は、ローダ31
0とアンローダ390と複数の処理部330,350,
370と複数の搬送ロボット320,340,360,
380とを備えている。
FIG. 12 is a schematic block diagram of a conventional substrate processing apparatus for cleaning a wafer after such a CMP process. The conventional substrate processing apparatus 410 includes the loader 31
0, the unloader 390, and the plurality of processing units 330, 350,
370 and a plurality of transfer robots 320, 340, 360,
380.

【0005】まず、処理部330では、ウエハの表面を
洗浄する表面ブラシとウエハの裏面を洗浄する裏面ブラ
シとを使用してウエハの両面をブラッシングすることに
よってCMP処理によってウエハに付着した研磨屑等を
取り除く処理(両面洗浄処理)を行う。次に、処理部3
50では、さらにパーティクル除去能力の高いブラシを
使用してウエハの表面に付着している微細なパーティク
ルを取り除く処理(表面洗浄処理)を行う。これら処理
部330,350では、ブラシによる洗浄効果を高める
ために、ウエハの表面または裏面に対して所定の処理液
を吐出することも行われる。さらに、処理部370で
は、純水等のリンス液を使用してウエハの最終リンスを
行った後、ウエハを高速に回転させて、スピンドライ乾
燥(リンス処理・乾燥処理)を行う。
[0005] First, the processing unit 330 brushes both sides of the wafer using a front brush for cleaning the front surface of the wafer and a back brush for cleaning the back surface of the wafer, thereby removing polishing debris and the like adhered to the wafer by the CMP process. (A double-sided cleaning process). Next, the processing unit 3
In step 50, a process of removing fine particles adhering to the surface of the wafer using a brush having a higher particle removal capability (surface cleaning process) is performed. In these processing units 330 and 350, a predetermined processing liquid is also discharged onto the front or back surface of the wafer in order to enhance the cleaning effect by the brush. Further, in the processing section 370, after performing the final rinsing of the wafer using a rinsing liquid such as pure water, the wafer is rotated at a high speed to perform spin dry drying (rinse processing / drying processing).

【0006】搬送ロボット320は、ローダ310に設
けられているカセット311からウエハを取り出してウ
エハを処理部330への搬送する。搬送ロボット340
は、処理部330での両面洗浄処理が終了したウエハを
取り出してウエハを処理部350へ搬送する。搬送ロボ
ット360は、処理部350での表面洗浄処理が終了し
たウエハを取り出してウエハを処理部370へ搬送す
る。さらに、搬送ロボット380は、処理部370での
最終リンス処理が行われて、乾燥処理されたウエハを取
り出してウエハをアンローダ390に設けられているカ
セット391に収納する。
The transfer robot 320 takes out the wafer from the cassette 311 provided in the loader 310 and transfers the wafer to the processing section 330. Transfer robot 340
Takes out the wafer after the double-sided cleaning process in the processing unit 330, and transports the wafer to the processing unit 350. The transfer robot 360 takes out the wafer on which the surface cleaning processing has been completed in the processing unit 350 and transfers the wafer to the processing unit 370. Further, the transfer robot 380 performs a final rinsing process in the processing unit 370, takes out the dried wafer, and stores the wafer in the cassette 391 provided in the unloader 390.

【0007】このような従来の基板処理装置410は、
図13に示すように、CMP装置200とインライン化
されている。この基板処理装置410は、CMP装置2
00との直接のウエハの受け渡しが行えないため、ウエ
ハの受け渡しを行うコンベア420が設けられている。
また、このコンベア420にはCMP装置200に対し
てウエハを搬出するためのインデクサ430が連結され
ている。そして、インデクサ430から搬出されたウエ
ハはコンベア420を介してCMP装置200へ搬送さ
れるとともに、CMP装置200においてCMP処理が
終了したウエハは再びコンベア420を介して基板処理
装置410のローダ310へ搬送され、基板処理装置4
10においてウエハの洗浄処理が行われる。
[0007] Such a conventional substrate processing apparatus 410 includes:
As shown in FIG. 13, it is inline with the CMP apparatus 200. This substrate processing apparatus 410 is a CMP apparatus 2
Since the wafer cannot be directly transferred to and from the conveyor 00, a conveyor 420 for transferring the wafer is provided.
An indexer 430 for unloading a wafer to the CMP apparatus 200 is connected to the conveyor 420. Then, the wafer unloaded from the indexer 430 is transported to the CMP apparatus 200 via the conveyor 420, and the wafer after the CMP processing in the CMP apparatus 200 is transported again to the loader 310 of the substrate processing apparatus 410 via the conveyor 420. And the substrate processing apparatus 4
At 10, a wafer cleaning process is performed.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板処理装置410では、CMP装置200でCMP処
理が行われた後、処理部330で洗浄処理が行われるま
で、コンベア420とローダ310を介しているので、
CMP処理によってウエハに付着した研磨屑等が乾燥し
て付着してしまう。それが原因で、処理部330,35
0,370での洗浄効果が低下するという問題がある。
However, in the conventional substrate processing apparatus 410, after the CMP processing is performed by the CMP apparatus 200, the cleaning is performed by the processing unit 330 via the conveyor 420 and the loader 310. Because
The polishing debris and the like attached to the wafer by the CMP process are dried and attached. Due to this, the processing units 330 and 35
There is a problem that the cleaning effect at 0,370 is reduced.

【0009】本発明は、かかる事情を鑑みてなされたも
のであって、加工処理した後の基板の表裏面に付着した
研磨屑のパーティクルの乾燥を防止し、かつ洗浄部での
洗浄効果を高める基板処理装置を提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and prevents drying of particles of polishing dust adhered to the front and back surfaces of a processed substrate, and enhances the cleaning effect in a cleaning unit. It is an object to provide a substrate processing apparatus.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置で
あって、表面が加工処理された基板を洗浄するための洗
浄部と、前記洗浄部に基板を搬送する前に、一旦基板を
載置させる載置部と、前記載置部から前記洗浄部へ基板
を搬送する搬送手段とを備え、前記載置部は、基板を支
持する支持手段と、前記支持手段によって支持された基
板の表面に処理液を供給する第1処理液供給手段と、前
記支持手段によって支持された基板の裏面に処理液を供
給する第2処理液供給手段とを有することを特徴とす
る。なお、ここでいう加工処理には、薄膜が形成された
基板の表面を研磨するCMP処理等の研磨処理が考えら
れ、この場合は、基板の表裏面に付着した研磨屑の乾燥
が防止される。また、支持手段による基板の支持は、基
板の裏面の支持や基板の外周端部の保持が考えられる。
さらに、ここでいう処理液には純水が挙げられる。
In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate, comprising a cleaning unit for cleaning a substrate having a processed surface. Prior to transporting the substrate to the cleaning unit, a mounting unit for temporarily mounting the substrate, and a transport unit for transporting the substrate from the mounting unit to the cleaning unit, wherein the mounting unit, the substrate Supporting means for supporting, first processing liquid supplying means for supplying a processing liquid to the surface of the substrate supported by the supporting means, and second processing liquid for supplying the processing liquid to the back surface of the substrate supported by the supporting means Supply means. Note that the processing here may include a polishing process such as a CMP process for polishing the surface of the substrate on which the thin film is formed, and in this case, the drying of the polishing debris attached to the front and back surfaces of the substrate is prevented. . The supporting of the substrate by the supporting means may be supporting the back surface of the substrate or holding the outer peripheral edge of the substrate.
Further, the treatment liquid mentioned here includes pure water.

【0011】また、本発明は、前記第2処理液供給手段
から供給される処理液の流量を調節する流量調節手段を
備えたことを特徴とする。また、本発明は、前記流量調
節手段が前記第1処理液供給手段から供給される処理液
の流量を調節することを特徴とする。また、本発明は、
前記流量調整手段が、電磁弁であることを特徴とする。
この場合、第2処理液供給手段及び第1処理液供給手段
は、供給管を介して処理液供給源と連通しており、この
供給管に電磁弁が設けられているよいう構成が考えられ
る。
Further, the present invention is characterized in that a flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of the processing liquid supplied from the second processing liquid supply means is provided. Further, the invention is characterized in that the flow rate adjusting means adjusts the flow rate of the processing liquid supplied from the first processing liquid supply means. Also, the present invention
The flow rate adjusting means is an electromagnetic valve.
In this case, the second processing liquid supply means and the first processing liquid supply means communicate with a processing liquid supply source via a supply pipe, and a configuration in which an electromagnetic valve is provided in this supply pipe can be considered. .

【0012】また、本発明は、前記第2処理液供給手段
が同心円状に配置された複数のノズルを備えたことを特
徴とする。また、本発明は、前記洗浄部は、基板の表面
に接触して基板の表面を洗浄する第1洗浄具と、基板の
裏面に接触して基板の表面を洗浄する第2洗浄具とを有
し、かつ基板の表裏面を洗浄する両面洗浄処理部を備
え、前記搬送手段は、前記載置部から前記両面洗浄処理
部へ基板を搬送することを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the second processing liquid supply means includes a plurality of nozzles arranged concentrically. Further, in the present invention, the cleaning unit has a first cleaning tool for cleaning the surface of the substrate by contacting the surface of the substrate, and a second cleaning tool for cleaning the surface of the substrate by contacting the back surface of the substrate. And a double-sided cleaning unit for cleaning the front and back surfaces of the substrate, wherein the transport unit transports the substrate from the placement unit to the double-sided cleaning unit.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明に係
る基板処理装置の一実施の形態について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】図1は、本発明の実施の形態に係る基板処
理装置を示す平面図である。また、図2は、本発明の実
施の形態に係る基板処理装置のYZ平面における概略断
面図である。さらに、図3は、本発明の実施の形態に係
る基板処理のZX平面における概略断面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view in the YZ plane of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view in the ZX plane of the substrate processing according to the embodiment of the present invention.

【0015】この基板処理装置100では、基板の一種
であるウエハWを複数枚収納するポッド(POD)9が
収納器として使用されCMP処理の対象となる複数のウ
エハWがポッド9内に密閉された状態で基板収納部7に
配置される。この基板収納部7には、複数のポッド9が
X軸方向に一列に配置されている。なお、ポッド9の代
わりにウエハカセットを用いてもよい。
In the substrate processing apparatus 100, a pod (POD) 9 for accommodating a plurality of wafers W, which is a kind of substrate, is used as a container, and a plurality of wafers W to be subjected to the CMP process are sealed in the pod 9. It is arranged in the substrate storage part 7 in the state where it was set. A plurality of pods 9 are arranged in a row in the X-axis direction in the substrate storage unit 7. Note that a wafer cassette may be used instead of the pod 9.

【0016】また、基板収納部7との間にX軸方向に沿
って設けられた搬送路15を挟んで、本発明の洗浄部に
相当する複数の処理部30,40,50が設けられてい
る。これらの処理部30,40,50もX軸方向に沿っ
て一列に配置されており、ウエハWに対する処理手順に
応じて隣接して設けられている。
Further, a plurality of processing units 30, 40, 50 corresponding to a cleaning unit of the present invention are provided with a transfer path 15 provided along the X-axis direction between the substrate storage unit 7 and the substrate storage unit 7. I have. These processing units 30, 40, and 50 are also arranged in a line along the X-axis direction, and are provided adjacent to each other according to the processing procedure for the wafer W.

【0017】複数の処理部のうち一端側に配置された処
理部30は、図3に示すように、CMP処理が終了した
直後のウエハWを支持部材33が支持した状態で、ウエ
ハWの表面に接触してウエハWの表面を洗浄する表面ブ
ラシ31とウエハWの裏面に接触してウエハWの裏面を
洗浄する裏面ブラシ32とを使用してウエハWの両面を
ブラッシングすることによって、CMP処理によってウ
エハWに付着した研磨屑等のパーティクルを除去する処
理を行う処理部である。この処理部30では、表面ブラ
シ31及び裏面ブラシ32による洗浄効果を高めるため
に、図示しないノズルによってアルカリ液等の所定の処
理液をウエハWの表面や裏面に供給することが行われ
る。なお、この処理部30が、本発明の両面洗浄処理部
に相当する。
As shown in FIG. 3, the processing unit 30 disposed at one end of the plurality of processing units is configured to support the surface of the wafer W with the support member 33 supporting the wafer W immediately after the completion of the CMP processing. The CMP process is performed by brushing both surfaces of the wafer W using a front brush 31 that cleans the front surface of the wafer W by contacting with the back surface and a back brush 32 that cleans the back surface of the wafer W by contacting the back surface of the wafer W. This is a processing unit for performing processing for removing particles such as polishing debris attached to the wafer W. In the processing unit 30, a predetermined processing liquid such as an alkaline liquid is supplied to the front surface and the rear surface of the wafer W by a nozzle (not shown) in order to enhance a cleaning effect by the front brush 31 and the back brush 32. The processing unit 30 corresponds to a double-sided cleaning processing unit of the present invention.

【0018】また、処理部40は、さらにパーティクル
除去能力の高いブラシ41を使用してウエハWの表面に
付着している微細なパーティクルを取り除く処理部(表
面処理部)である。処理部40では、ブラシ41による
洗浄効果を高めるために、ノズル43よりウエハWの表
面に対して所定の処理液が吐出することができるととも
に、回転部42がウエハWを保持しながら回転させるこ
とも可能である。
The processing section 40 is a processing section (surface processing section) for removing fine particles adhering to the surface of the wafer W by using a brush 41 having a higher particle removing ability. In the processing unit 40, in order to enhance the cleaning effect of the brush 41, a predetermined processing liquid can be discharged from the nozzle 43 to the surface of the wafer W, and the rotating unit 42 rotates while holding the wafer W. Is also possible.

【0019】さらに、複数の処理部の内、他端側に配置
された処理部50は、ウエハWが回転部52に回転可能
な状態に載置され、ウエハWを回転させながらノズル5
3より純水等のリンス液をウエハWの表面に向けて吐出
することにより、ウエハWに対する最終リンスを行った
後、リンス液の吐出を停止させてウエハWを高速に回転
させて、スピンドライ乾燥を行う処理部(リンス処理・
乾燥処理部)である。
Further, of the plurality of processing units, the processing unit 50 arranged on the other end side is mounted so that the wafer W can be rotated on the rotating unit 52, and the nozzle 5 is rotated while rotating the wafer W.
Then, a final rinse of the wafer W is performed by discharging a rinsing liquid such as pure water toward the surface of the wafer W from step 3, and then the discharge of the rinsing liquid is stopped, and the wafer W is rotated at a high speed. Processing unit that performs drying (rinse processing /
Drying processing section).

【0020】なお、搬送路15と処理部30,40,5
0等との上方には、基板処理装置100の内部の雰囲気
を清浄に保つために、フィルタファンユニットFFUが
設けられている。そして、ファンフィルタユニットFF
Uからは搬送路15や処理部30,40,50等に向け
てクリーンエアのダウンフローが形成されている。
The transport path 15 and the processing units 30, 40, 5
Above 0 or the like, a filter fan unit FFU is provided to keep the atmosphere inside the substrate processing apparatus 100 clean. And the fan filter unit FF
From U, a downflow of clean air is formed toward the transport path 15 and the processing units 30, 40, 50 and the like.

【0021】この基板処理装置100では、図1に示す
ように、処理部30のX軸方向に隣接する部分をCMP
装置200とのインタフェース部分として構成してお
り、この部分に載置部20が設けられている。載置部2
0では、CMP装置200に設けられた搬送部210と
の間でウエハWの受け渡しを行うことができる位値とし
て、図3に示すように、上下方向に2箇所の受け渡し位
置La,Lbが設定されている。
In this substrate processing apparatus 100, as shown in FIG.
It is configured as an interface portion with the device 200, and the mounting portion 20 is provided in this portion. Mounting part 2
In FIG. 3, two transfer positions La and Lb are set in the vertical direction as shown in FIG. 3 as positions at which the wafer W can be transferred to and from the transfer unit 210 provided in the CMP apparatus 200. Have been.

【0022】受け渡し位置Lbは、ウエハWをCMP装
置200に受け渡す際に、ウエハWが一旦載置される位
置である。そして、CMP装置200の搬送部210の
搬送アーム(図示せず)が載置部20の受け渡し位置L
bに対してアクセスし、この搬送アームがウエハWをC
MP装置200側に搬送し、CMP装置200において
所定の研磨処理を行う。
The transfer position Lb is a position where the wafer W is temporarily placed when transferring the wafer W to the CMP apparatus 200. Then, the transfer arm (not shown) of the transfer unit 210 of the CMP apparatus 200 moves the transfer position L of the mounting unit 20.
b, the transfer arm transfers the wafer W to C
The wafer is transported to the MP apparatus 200 side, and a predetermined polishing process is performed in the CMP apparatus 200.

【0023】また、受け渡し位置Laは、CMP処理が
終了したウエハWをCMP装置200の搬送部210の
搬送アームが基板処理装置100に渡す際に、ウエハW
を一旦載置する位置である。CMP装置200の搬送部
210の搬送アームが載置部20の受け渡し位置Laに
アクセスし、CMP処理が終了したウエハWを載置する
ように構成されている。
The transfer position La is set at the time when the transfer arm of the transfer section 210 of the CMP apparatus 200 transfers the wafer W after the CMP process to the substrate processing apparatus 100.
This is the position where is once placed. The transfer arm of the transfer unit 210 of the CMP apparatus 200 accesses the transfer position La of the mounting unit 20, and mounts the wafer W on which the CMP process has been completed.

【0024】そして、処理部30,40,50等および
載置部20と、基板収納部7との間に設けられた搬送路
15には、X軸方向に沿って移動可能な搬送ロボット1
0が設けられている。この搬送ロボット10は、上下方
向に2つの搬送アーム11を備えており、この搬送アー
ム11がウエハWを保持した状態でウエハWの搬送を行
う。また、図2に示すように、基台部分14には、X軸
方向に設けられたボールネジ13が螺嵌されており、ボ
ールネジ13が回転することによって搬送ロボット10
がX軸方向に沿って移動可能となっている。また、搬送
ロボット10は、昇降部分12が伸縮することによって
ウエハWをZ軸方向(上下方向)にも搬送することがで
きるとともに、θ軸を中心とする回転動作も行うことが
可能となっている。したがって、搬送ロボット10の搬
送アーム11は、基板収納部7に配置された複数のポッ
ド9と、ウエハ載置部20と、処理部50とにアクセス
することができ、これらの処理部間でウエハWの搬送を
行う。
A transfer robot 15 movable along the X-axis direction is provided on a transfer path 15 provided between the processing units 30, 40, 50 and the like and the mounting unit 20 and the substrate storage unit 7.
0 is provided. The transfer robot 10 is provided with two transfer arms 11 in a vertical direction, and transfers the wafer W while the transfer arm 11 holds the wafer W. As shown in FIG. 2, a ball screw 13 provided in the X-axis direction is screwed into the base portion 14. The rotation of the ball screw 13 causes the transfer robot 10 to rotate.
Are movable along the X-axis direction. In addition, the transfer robot 10 can transfer the wafer W also in the Z-axis direction (vertical direction) by expanding and contracting the elevating portion 12, and can also perform a rotation operation around the θ-axis. I have. Therefore, the transfer arm 11 of the transfer robot 10 can access the plurality of pods 9 arranged in the substrate storage unit 7, the wafer mounting unit 20, and the processing unit 50. W is conveyed.

【0025】ここで、搬送ロボット10の搬送アーム1
1がポッド9にアクセスする際には、密閉状態のポッド
9を開放して搬送アーム11がアクセス可能な状態にす
る必要がある。そこで、基板処理装置100には、ポッ
ド9が載置されるそれぞれの位置にポッドオープナ8が
設けられている。図2に示す符号1aの状態のように、
基板収納部7にポッド9が配置されると、ポッドオープ
ナ8はアームを伸ばしてポッド9の蓋のロックを解除す
る。そして、図2に示す符号1bの状態のように、アー
ムがポッド9の蓋を把持した状態でY軸方向に移動し
て、ポッド9を密閉状態から開放する。符号1bの状態
のままでは、搬送ロボット10の搬送アーム11がポッ
ド9内にアクセスすることができないので、図2に示す
1cの状態のように、ポッドオープナ9は蓋を保持して
いるアームを下降させる。
Here, the transfer arm 1 of the transfer robot 10
When the user 1 accesses the pod 9, it is necessary to open the hermetically closed pod 9 so that the transport arm 11 can access the pod 9. Therefore, in the substrate processing apparatus 100, pod openers 8 are provided at respective positions where the pods 9 are placed. As in the state of reference numeral 1a shown in FIG.
When the pod 9 is placed in the substrate storage section 7, the pod opener 8 extends the arm to unlock the pod 9 lid. Then, as shown by a reference numeral 1b in FIG. 2, the arm is moved in the Y-axis direction while holding the lid of the pod 9, and the pod 9 is released from the closed state. In the state of reference numeral 1b, the transfer arm 11 of the transfer robot 10 cannot access the inside of the pod 9, so that the pod opener 9 moves the arm holding the lid, as in the state of 1c shown in FIG. Lower it.

【0026】このような動作により、ポッド9の密閉状
態が開放され、搬送ロボット10の搬送アーム11は、
ポッド9内のウエハWにアクセスすることが可能とな
る。なお、ポッド9は、ウエハWを外気とは隔離した清
浄な雰囲気に保つことでウエハWの汚染をしないように
密閉されるものであるが、基板処理装置100の内部は
ポッド9内部と同様に清浄な雰囲気を維持するように構
成されており、ポッド9の開放動作は、基板処理装置1
00の内部で蓋を開放するため、ウエハWを汚染する問
題はない。
By such an operation, the closed state of the pod 9 is released, and the transfer arm 11 of the transfer robot 10
The wafer W in the pod 9 can be accessed. The pod 9 is sealed so as not to contaminate the wafer W by keeping the wafer W in a clean atmosphere separated from the outside air. However, the inside of the substrate processing apparatus 100 is the same as the inside of the pod 9. It is configured to maintain a clean atmosphere, and the opening operation of the pod 9 is performed by the substrate processing apparatus 1.
Since the lid is opened in the inside of the wafer W, there is no problem of contaminating the wafer W.

【0027】そして、搬送ロボット10は、搬送アーム
11がポッド9の内部に向けて伸ばし、ポッド9の内部
からウエハWを1枚取り出す。搬送ロボット10は、X
軸方向の移動やZ軸方向の移動を行うとともに、θ軸に
ついての回転動作を行い、搬送アーム11は、ポッド9
から取り出したウエハWを載置部20の受け渡し位置L
bに載置する。また、搬送ロボット10の搬送アーム1
1は、処理部50に対してアクセスし、全ての処理が完
了したウエハWを取り出す。そして、搬送ロボット10
は、X軸方向の移動やZ軸方向の移動を行うとともに、
θ軸についての回転動作を行い、搬送アーム11はポッ
ド9の所定位置にアクセスして、CMP処理後の洗浄処
理が終了したウエハWをポッド9内に収納する。
Then, in the transfer robot 10, the transfer arm 11 extends toward the inside of the pod 9 and takes out one wafer W from the inside of the pod 9. The transfer robot 10
The transfer arm 11 moves in the axial direction and the Z-axis direction, and rotates about the θ-axis.
Of the wafer W taken out of the mounting portion 20 to the transfer position L
b. The transfer arm 1 of the transfer robot 10
1 accesses the processing unit 50 and takes out the wafer W on which all processing is completed. Then, the transfer robot 10
Performs movement in the X-axis direction and movement in the Z-axis direction,
By performing a rotation operation about the θ axis, the transfer arm 11 accesses a predetermined position of the pod 9 and stores the wafer W after the cleaning process after the CMP process in the pod 9.

【0028】また、この基板処理装置100には、載置
部20に載置されたCMP処理後のウエハWを処理部3
0に搬送し、処理部30での処理が終了したウエハWを
処理部40に搬送し、処理部40での処理が終了したウ
エハWを処理部50に搬送するためにシャトル搬送ロボ
ット60が設けられている。シャトル搬送ロボット60
は、後述するように、X軸方向に沿って移動可能であ
り、基板受け渡し位置Laに載置されているウエハWを
処理部30に、また、処理部30での処理が終了したウ
エハWを処理部40に、さらに、処理部40での処理が
終了したウエハWを処理部50に搬送するので、それぞ
れの処理部間の搬送動作は一括して同時に行われる。
In the substrate processing apparatus 100, the wafer W after the CMP processing, which is mounted on the mounting section 20, is processed by the processing section 3.
The shuttle transfer robot 60 is provided to transfer the wafer W, which has been processed by the processing unit 30 to the processing unit 40, and to transfer the wafer W, which has been processed by the processing unit 40, to the processing unit 50. Have been. Shuttle transfer robot 60
Can be moved along the X-axis direction, as will be described later. The wafer W placed on the substrate transfer position La can be transferred to the processing unit 30 and the wafer W processed by the processing unit 30 can be transferred to the processing unit 30. Since the wafer W that has been processed by the processing unit 40 is further transferred to the processing unit 50, the transfer operation between the processing units is performed simultaneously and collectively.

【0029】このように、この基板処理装置100にお
いては、搬送ロボット10がポッド9から載置部20へ
のウエハWの搬送動作を行い、シャトル搬送ロボット6
0が載置部20から処理部30,40,50へのウエハ
Wの搬送動作を行う。そして、処理部50からポッド9
へのウエハWの搬送は、再び搬送ロボット10が担当す
るように構成されている。
As described above, in the substrate processing apparatus 100, the transfer robot 10 performs the transfer operation of the wafer W from the pod 9 to the mounting section 20, and the shuttle transfer robot 6
No. 0 performs a transfer operation of the wafer W from the mounting unit 20 to the processing units 30, 40, and 50. Then, the processing unit 50 sends the pod 9
The transfer of the wafer W to the transfer robot 10 is performed again by the transfer robot 10.

【0030】また、この基板処理装置100には、処理
部30,40,50における処理の際に使用される処理
液等が処理部外部へ飛散しないように、昇降可能なカバ
ー80が設けられている。このカバー80は、シャトル
搬送ロボット60によって各処理部間のウエハWの搬送
が行われる際には、図示しないシリンダ等の昇降駆動機
構によって上昇し、シャトル搬送ロボット60のX軸方
向に沿った移動と緩衝しないように構成されており、シ
ャトル搬送ロボット60による処理部間搬送が終了して
各処理部において洗浄処理を行う際には、昇降駆動機構
によってカバー80が下降し、各処理部30,40,5
0の側面等を覆う。したがって、各処理部においてウエ
ハWに対する処理を行っている際に、他の処理部からの
処理液やパーティクル等が付着することがなく、清浄な
処理を行うことができる。
The substrate processing apparatus 100 is provided with a cover 80 that can be moved up and down so that a processing solution or the like used in the processing in the processing units 30, 40, and 50 does not scatter outside the processing unit. I have. When the wafer W is transferred between the processing units by the shuttle transfer robot 60, the cover 80 is moved up by a lift mechanism such as a cylinder (not shown) to move the shuttle transfer robot 60 along the X-axis direction. When the transfer between the processing units by the shuttle transfer robot 60 is completed and the cleaning processing is performed in each processing unit, the cover 80 is lowered by the elevation drive mechanism, and each of the processing units 30 and 40,5
Cover the side surface of 0, etc. Therefore, when processing is performed on the wafer W in each processing unit, processing liquid, particles, and the like from other processing units do not adhere, and clean processing can be performed.

【0031】この基板処理装置100の全体構成は上記
のごとくであり、ウエハWに対して処理を行うための複
数の処理部30,40,50をX軸方向に沿って隣接す
るように一列に配置しており、各処理部間のウエハWの
搬送を1台のシャトル搬送ロボット60で一括して行う
ことができるように構成されているため、基板処理装置
100のフットプリントを縮小することができる。ま
た、載置部20によって直接外部装置であるCMP装置
200とインライン化することができるため、基板処理
装置100とCMP装置200とをインライン化したと
きのフットプリントも縮小することができる。
The overall configuration of the substrate processing apparatus 100 is as described above, and a plurality of processing units 30, 40, and 50 for processing a wafer W are arranged in a row so as to be adjacent to each other along the X-axis direction. The shuttle W is arranged so that the wafer W can be transferred between the processing units by one shuttle transfer robot 60 at a time. Therefore, the footprint of the substrate processing apparatus 100 can be reduced. it can. Further, since the mounting unit 20 can be directly inlined with the CMP apparatus 200 which is an external apparatus, the footprint when the substrate processing apparatus 100 and the CMP apparatus 200 are inlined can be reduced.

【0032】次に、載置部20の詳細な構成について説
明する。図4は、載置部の構成を示す図であり、図5
は、本発明に係る第2処理液供給手段を示す概略構成図
である。
Next, a detailed configuration of the mounting section 20 will be described. FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the mounting portion, and FIG.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a second processing liquid supply unit according to the present invention.

【0033】図4に示すように、載置部20は、ウエハ
Wを載置する部分が上下2段構成となっている。下段側
の第1載置部20Bは、CMP装置200へCMP処理対
象のウエハWを搬送する前に、一旦ウエハWを載置させ
る載置部であり、上段側の第2載置部20Aは、CMP
装置200において研磨処理が終了したウエハWを一旦
載置させる載置部である。このように載置部20を2段
構成することにより、CMP装置200等の外部装置に
よる処理前後のウエハWの載置位置を異なるように設け
ることができ、処理の前後それぞれに応じたウエハWの
取り扱いを行うことが可能となる。また、ウエハWの処
理過程おいては、CMP処理後のウエハWに対してパー
ティクル等が付着する可能性を低下させるため、ウエハ
Wは処理前のウエハWよりも上側に配置されるように構
成するのが一般的であり、この基板処理装置100の載
置部20においても、そのような構成となっている。
As shown in FIG. 4, the mounting portion 20 has a two-stage configuration in which a portion on which the wafer W is mounted is arranged vertically. The lower first mounting portion 20B is a mounting portion on which the wafer W is temporarily mounted before transferring the wafer W to be subjected to the CMP processing to the CMP apparatus 200, and the upper second mounting portion 20A is , CMP
This is a mounting section for temporarily mounting the wafer W after the polishing process in the apparatus 200. By thus configuring the mounting section 20 in two stages, the mounting positions of the wafer W before and after the processing by the external device such as the CMP apparatus 200 can be provided differently, and the wafers W before and after the processing can be provided respectively. Can be handled. In the process of processing the wafer W, the wafer W is configured to be disposed above the wafer W before processing in order to reduce the possibility that particles and the like adhere to the wafer W after the CMP processing. Generally, the mounting section 20 of the substrate processing apparatus 100 also has such a configuration.

【0034】第1載置部20B には、基板処理装置1
00の搬送路15側と、CMP装置200側とに2つの
開口部21が形成されている。そして、搬送路15側か
らは搬送ロボット10の搬送アーム11がウエハWを保
持した状態で、第1載置部20Bの内部に進入し、ウエ
ハWをピン22に載置する。また、CMP装置200側
からはCMP装置200側の搬送部210の搬送アーム
(図示せず)が進入し、ピン22に載置されているウエ
ハWを取り出して、CMP装置200の内部へのウエハ
Wの搬送を行う。
The first mounting portion 20B includes the substrate processing apparatus 1
Two openings 21 are formed on the side of the conveyance path 15 and the side of the CMP apparatus 200. Then, the transfer arm 11 of the transfer robot 10 enters the first mounting portion 20 </ b> B from the transfer path 15 while holding the wafer W, and mounts the wafer W on the pins 22. In addition, a transfer arm (not shown) of the transfer unit 210 of the CMP apparatus 200 enters from the CMP apparatus 200 side, takes out the wafer W mounted on the pin 22, and moves the wafer W into the CMP apparatus 200. W is conveyed.

【0035】第2載置部20Aには、CMP装置200
側の搬送部210の搬送アームとシャトル搬送ロボット
60とがアクセスできるような2つの開口部23が形成
されている。CMP装置200側から研磨処理等が終了
したウエハWを保持した状態で搬送部210が進入して
4つピン24(図5参照)にウエハWを載置した後、第
2載置部20Aの内部から退避する。
The second mounting portion 20A has a CMP device 200
Two openings 23 are formed so that the transfer arm of the transfer unit 210 on the side and the shuttle transfer robot 60 can access the transfer arm. After holding the wafer W that has been polished or the like from the CMP apparatus 200 side, the transfer unit 210 enters and places the wafer W on the four pins 24 (see FIG. 5). Evacuate from inside.

【0036】また、第2載置部20Aには、ピン24に
載置されたウエハWの表面に処理液としての純水を供給
する第1処理液供給手段に相当する第1のノズル25と
ウエハWの裏面に純水を供給する第2処理液供給手段に
相当する複数の第2のノズル26とが設けられている。
第1のノズル25は、ピン24に載置されたウエハWの
表面中心部上方に設けられており、ウエハWの表面中心
部に処理液を供給する。第2のノズル26は、図5に示
すように、支持台27の上にウエハWの裏面に対向させ
て同心円状に複数設けられており、各第2のノズル26
は複数の吐出口を有しており、この吐出口からシャワー
状にウエハWの裏面全体に純水を供給する。したがっ
て、この基板処理装置100には、従来の水中にウエハ
Wを浸漬させておくようなローダは不要である。
The second mounting portion 20A has a first nozzle 25 corresponding to first processing liquid supply means for supplying pure water as a processing liquid to the surface of the wafer W mounted on the pin 24. A plurality of second nozzles 26 corresponding to second processing liquid supply means for supplying pure water to the back surface of the wafer W are provided.
The first nozzle 25 is provided above the center of the surface of the wafer W placed on the pins 24, and supplies the processing liquid to the center of the surface of the wafer W. As shown in FIG. 5, a plurality of second nozzles 26 are provided concentrically on the support table 27 so as to face the back surface of the wafer W.
Has a plurality of discharge ports, and supplies pure water to the entire back surface of the wafer W from the discharge ports in a shower shape. Therefore, the substrate processing apparatus 100 does not require a conventional loader for immersing the wafer W in water.

【0037】第1のノズル25は、供給管250及び供
給管201を介して、図示しない純水供給源と連通され
ているとともに、第1のノズル26は、供給管260及
び供給管201を介して、図示しない純水供給源と連通
されている。なお、供給管201は、途中で供給管25
0、260に分岐された構成となっている。供給管20
1の途中には、開閉弁202と電磁弁203とが設けら
れている。開閉弁202は、その開閉制御により第1の
ノズル25および第2のノズル26からのウエハWへの
純水の供給の有無を制御する。電磁弁203は、その制
御により第1のノズル25および第2のノズル26から
の供給される純水の流量を制御する。また、供給管25
0の途中には、電磁弁251が設けられており、この電
磁弁251の制御により第1のノズル25から供給され
る純水の流量を制御する。したがって、第1のノズル2
5から供給される純水の流量は、電磁弁203及び電磁
弁251によって2重に制御されている。
The first nozzle 25 is connected to a pure water supply source (not shown) via a supply pipe 250 and a supply pipe 201, and the first nozzle 26 is connected to a pure water supply source via a supply pipe 260 and a supply pipe 201. And is connected to a pure water supply source (not shown). The supply pipe 201 is connected to the supply pipe 25 on the way.
0 and 260. Supply pipe 20
An opening / closing valve 202 and a solenoid valve 203 are provided in the middle of 1. The opening / closing valve 202 controls whether or not pure water is supplied from the first nozzle 25 and the second nozzle 26 to the wafer W by the opening / closing control. The electromagnetic valve 203 controls the flow rate of pure water supplied from the first nozzle 25 and the second nozzle 26 by the control. Also, the supply pipe 25
An electromagnetic valve 251 is provided in the middle of 0, and the flow of pure water supplied from the first nozzle 25 is controlled by controlling the electromagnetic valve 251. Therefore, the first nozzle 2
The flow rate of the pure water supplied from 5 is doubly controlled by the solenoid valve 203 and the solenoid valve 251.

【0038】なお、第1のノズル25及び第2のノズル
26によってウエハWに吐出される純水が第1載置部2
0Bに流下しないように、第1載置部20Aには、支持
台27の周囲にカップ28が設けられており、ウエハW
から流れ落ちる純水を回収し、第1載置部20A外へ排
液する構成となっている。このような、構成により、C
MP処理後のウエハWの表裏面を常にウエットな状態に
保つことが可能となり、その後に処理部30,40,5
0で行われる洗浄処理の洗浄効果を高めることができ
る。
The pure water discharged to the wafer W by the first nozzle 25 and the second nozzle 26 is supplied to the first mounting section 2.
The first mounting portion 20A is provided with a cup 28 around a support 27 so that the wafer W
It is configured to collect pure water flowing down from the container and discharge it to the outside of the first mounting portion 20A. With such a configuration, C
It is possible to keep the front and back surfaces of the wafer W after the MP processing always in a wet state, and thereafter, the processing units 30, 40, 5
The cleaning effect of the cleaning process performed at 0 can be enhanced.

【0039】次に、シャトル搬送ロボットの詳細な構成
について、説明する。図6は、シャトル搬送ロボットの
斜視図である。
Next, a detailed configuration of the shuttle transfer robot will be described. FIG. 6 is a perspective view of the shuttle transfer robot.

【0040】シャトル搬送ロボット60には、ウエハW
の処理部間搬送を行う際に、ウエハWを保持する複数の
保持部61(図では3個)が設けられており、それぞれ
の保持部61は、第1アーム61aと第2アーム61b
とを備えている。そして、第1アーム61aと第2アー
ム61bとには、ウエハWを周縁部で保持するための保
持部材62が設けられている。
The shuttle transfer robot 60 has the wafer W
Are provided, a plurality of holding units 61 (three in the figure) for holding the wafer W are provided when the transfer between the processing units is performed. Each holding unit 61 includes a first arm 61a and a second arm 61b.
And The first arm 61a and the second arm 61b are provided with a holding member 62 for holding the wafer W at the periphery.

【0041】第1アーム61aと第2アーム61bと基
端部には、支持部材68によって支持されている回転軸
66が嵌挿されてている。第1アーム61aと第2アー
ム61bとは、回転軸66の回転にともなって、XY平
面内での回転動作を行うようになっている。
A rotation shaft 66 supported by a support member 68 is fitted into the first arm 61a, the second arm 61b, and the base end. The first arm 61a and the second arm 61b rotate in the XY plane with the rotation of the rotation shaft 66.

【0042】また、各基板保持部61についてそれぞれ
の第1アーム61aは、基端部において接続部材を介し
て第1ロッド71aに連結されている。したがって、第
1のロッド71aがX軸方向に移動すると、各保持部6
1についての複数の第1アーム61aが同期してX軸方
向へ移動する。また、第1ロッド71aと、基台63に
固定されているシリンダ64aのシリンダロッドとが、
連結部材72aによって連結されている。シリンダ64
aは、X軸方向に沿ってシリンダロッドを伸縮させるよ
うに配置されているため、シリンダ64aを駆動するこ
とによって、第1ロッド71aをX軸方向に沿って移動
させることになり、その結果、複数の保持部61におけ
るそれぞれの第1アーム61aが+X軸方向または−X
軸方向に同期して動作することが可能となっている。
The first arm 61a of each substrate holding portion 61 is connected to the first rod 71a via a connecting member at the base end. Therefore, when the first rod 71a moves in the X-axis direction, each holding portion 6
A plurality of first arms 61a move in the X-axis direction in synchronization with each other. Also, the first rod 71a and the cylinder rod of the cylinder 64a fixed to the base 63,
They are connected by a connecting member 72a. Cylinder 64
Since a is arranged so as to extend and retract the cylinder rod along the X-axis direction, the first rod 71a is moved along the X-axis direction by driving the cylinder 64a. As a result, Each of the first arms 61a of the plurality of holding portions 61 is in the + X axis direction or -X
It is possible to operate synchronously in the axial direction.

【0043】他方、各保持部61についてそれぞれの第
2アーム61bも同様に、基端部において接続部材を介
して第2ロッド71bに連結されている。したがって、
第2ロッド71bがX軸方向に移動すると、各保持部6
1についての複数の第2アーム61bが同期してX軸方
向に移動する。また、第2ロッド71bと、基台63に
固設されているシリンダ64bのシリンダロッドとが、
連結部材72bによって連結されている。シリンダ64
bは、X軸方向に沿ってシリンダロッドを伸縮させるよ
うに配置されているため、シリンダ64bを駆動するこ
とによって、第2ロッド71bをX軸方向に沿って移動
させることとなり、その結果、複数の保持部61におけ
るそれぞれの第2アーム61bが+X軸方向または−X
軸方向に同期して動作することが可能となっている。
On the other hand, the second arm 61b of each holding portion 61 is similarly connected to the second rod 71b via a connecting member at the base end. Therefore,
When the second rod 71b moves in the X-axis direction, each holding portion 6
The plurality of second arms 61b for one move in the X-axis direction synchronously. Further, the second rod 71b and the cylinder rod of the cylinder 64b fixed to the base 63,
They are connected by a connecting member 72b. Cylinder 64
b is arranged so as to extend and retract the cylinder rod along the X-axis direction. Therefore, by driving the cylinder 64b, the second rod 71b is moved along the X-axis direction. Each of the second arms 61b of the holding portion 61 is in the + X axis direction or -X
It is possible to operate synchronously in the axial direction.

【0044】なお、シリンダ64aとシリンダ64bと
は、複数の保持部61によってウエハWを保持する動作
を同期して行っているため、各保持部61に対して共通
に設けられた保持部駆動手段として機能することとな
る。
Since the cylinders 64a and 64b synchronize the operation of holding the wafer W by the plurality of holding units 61, holding unit driving means commonly provided for each holding unit 61 is used. Will function as

【0045】そして、基板処理装置100内にある図示
しないコントローラが、各シリンダ64a,64bに対
してシリンダロッドを所定量だけ収縮するように、駆動
命令を送ると、各第1アーム61aは−X軸方向に移動
する一方、各第2アーム61bは+X軸方向に移動す
る。この動作により、シャトル搬送ロボット60による
ウエハWを保持する動作(すなわち、ウエハWのチャッ
キング動作)が行われる。このチャッキング動作は、第
1アーム61aと第2アーム61bとの2本のアームに
よってウエハWを挟み込む動作であるため、ウエハWの
下面を支持するだけのものに比べると、各処理部に対し
て搬送するウエハWの位置アライメントを行う。
When a controller (not shown) in the substrate processing apparatus 100 sends a drive command to each of the cylinders 64a and 64b so as to contract the cylinder rod by a predetermined amount, each of the first arms 61a becomes -X. While moving in the axial direction, each second arm 61b moves in the + X-axis direction. With this operation, the operation of holding the wafer W by the shuttle transfer robot 60 (that is, the operation of chucking the wafer W) is performed. This chucking operation is an operation of sandwiching the wafer W between the two arms of the first arm 61a and the second arm 61b. Position alignment of the wafer W to be transferred.

【0046】また、逆にコントローラが、各シリンダ6
4a,64bに対してシリンダロッドを所定量だけ伸ば
すように駆動命令を送ると、各第1アーム61aは+X
軸方向に移動する一方、各第2アーム61bは−X軸方
向に移動する。この動作により、シャトル搬送ロボット
60のウエハWの保持状態を開放する動作が行われる。
On the other hand, on the contrary, the controller
When a drive command is sent to the cylinders 4a and 64b to extend the cylinder rod by a predetermined amount, each first arm 61a receives + X
While moving in the axial direction, each second arm 61b moves in the −X axis direction. With this operation, an operation of releasing the holding state of the wafer W of the shuttle transfer robot 60 is performed.

【0047】また、基台63にはモータ65が固設され
ており、モータ65の回転軸にはベルト67が装着され
ている。このベルト67は、回転軸66に設けられたベ
ルト装着部材69にも装着されている。したがって、モ
ータ65を回転駆動することによって、ベルト67を介
して回転軸66を回転させることが可能となり、モータ
65の駆動によってα方向に複数の保持部61も回転す
る。複数の保持部61がウエハWを保持した状態でモー
タ65を駆動することにより、ウエハWもYZ平面での
回転動作を行う。
A motor 65 is fixedly mounted on the base 63, and a belt 67 is mounted on a rotating shaft of the motor 65. The belt 67 is also mounted on a belt mounting member 69 provided on the rotating shaft 66. Therefore, by rotating the motor 65, the rotating shaft 66 can be rotated via the belt 67, and the driving of the motor 65 also rotates the plurality of holding units 61 in the α direction. By driving the motor 65 with the plurality of holding units 61 holding the wafer W, the wafer W also performs a rotation operation on the YZ plane.

【0048】ここで、モータ65の駆動によって回転軸
66にα方向の微少量の回転を与えると、ウエハWの保
持状態の保持部61は、その状態でα方向に微少量の回
転を行う。したがって、載置部20の第2載置部20A
のピン23に載置されているウエハWは、基板保持部6
1に保持されてα方向に回転することによって、ピン2
2から離脱することとなる。同様に、各処理部30,4
0で保持されていたウエハWについても、保持部61に
保持されてα方向に回転することによって各処理部3
0,40における保持状態から開放されることになる。
Here, when a small amount of rotation in the α direction is given to the rotating shaft 66 by driving the motor 65, the holding unit 61 in the holding state of the wafer W performs a small amount of rotation in the α direction in that state. Therefore, the second mounting portion 20A of the mounting portion 20
The wafer W mounted on the pins 23 of the
1 and rotated in the α direction, the pin 2
2 will be separated. Similarly, each processing unit 30, 4
Also, the wafer W held at 0 is held by the holding unit 61 and rotated in the α direction so that each processing unit 3
It will be released from the holding state at 0,40.

【0049】そして、基台63の下部に移動台75が連
結されており、移動台75に螺嵌されているボールネジ
74がモータ73の駆動によって回転することにより、
移動台75はX軸方向に沿って移動する。したがって、
モータ73を駆動することにより、基台63もX軸に沿
って移動することとなり、同時に複数の保持部61もX
軸方向に沿って移動する。
A moving base 75 is connected to the lower part of the base 63, and the ball screw 74 screwed into the moving base 75 is rotated by the driving of the motor 73, whereby
The moving table 75 moves along the X-axis direction. Therefore,
By driving the motor 73, the base 63 also moves along the X axis, and at the same time, the plurality of holding portions 61
Move along the axial direction.

【0050】このように、このシャトル搬送ロボット6
0は、各処理部間のウエハWの搬送の際には、シリンダ
64a,64bを駆動することによってウエハWを保持
するとともに、モータ65による回転駆動によって各処
理部における載置面からウエハWをα方向に回転させる
ことによって上昇させて持ち上げ、各処理部との緩衝が
起こらない状態にした後に、モータ73を駆動して基台
63を−X軸方向に移動させ、各ウエハWを次の処理部
へ搬送する。そして、モータ65を駆動してウエハWを
−α方向に回転させ、シリンダ64a,64bを駆動す
ることによって、ウエハWの保持状態を開放することで
搬送したウエハWを各処理部に載置する。
As described above, the shuttle transfer robot 6
0 indicates that the wafer W is held by driving the cylinders 64a and 64b when the wafer W is transferred between the processing units, and the wafer W is transferred from the mounting surface in each processing unit by the rotation drive by the motor 65. After being raised and raised by rotating in the α direction so that buffering with each processing unit does not occur, the motor 73 is driven to move the base 63 in the −X axis direction, and each wafer W is moved to the next It is transported to the processing section. Then, the motor 65 is driven to rotate the wafer W in the −α direction, and the cylinders 64 a and 64 b are driven to release the holding state of the wafer W and place the transported wafer W on each processing unit. .

【0051】図6に示すシャトル搬送ロボット60に
は、3個の保持部61が設けられているが、このうち最
も+X軸方向側に設けられている保持部61は載置部2
0から処理部30へのウエハWの搬送を担当し、中央に
設けられている保持部61は処理部30から処理部40
へのウエハWの搬送を担当し、最も−X軸方向側に設け
られている保持部61は処理部40から処理部50への
ウエハWの搬送を担当する。このウエハWの搬送の様子
を図7および図8に基づいて説明する。なお、図7およ
び図8は処理部間のウエハWの搬送の様子を示す図であ
る。
The shuttle transfer robot 60 shown in FIG. 6 is provided with three holding portions 61. Of these, the holding portion 61 provided on the + X-axis direction side is the mounting portion 2.
0 from the processing unit 30 to the processing unit 40.
The holding unit 61 provided closest to the −X-axis direction is in charge of transferring the wafer W from the processing unit 40 to the processing unit 50. The state of the transfer of the wafer W will be described with reference to FIGS. FIGS. 7 and 8 are views showing the state of transfer of the wafer W between the processing units.

【0052】まず、図7に示すように、シャトル搬送ロ
ボット60は、載置部20と処理部30,40に対応す
る側に位置する。処理部30,40におけるウエハWの
処理中は、3個の保持部61は図中一点鎖線で示す位置
にある。そして、処理部30,40のおけるウエハWの
処理が終了すると、上述のシリンダ64a,64bを駆
動することにより、各保持部61はそれぞれ図中実線で
示す位置に移動し、載置部20,処理部30,処理部4
0にあるウエハWの保持を行う。そして、モータ65の
回転動作によって、各ウエハWを上昇させた後、モータ
73を駆動することによってシャトル搬送ロボット60
を−X軸方向に移動させ、図8に示す位置に移動させ
る。
First, as shown in FIG. 7, the shuttle transfer robot 60 is located on the side corresponding to the mounting section 20 and the processing sections 30 and 40. During the processing of the wafer W in the processing units 30 and 40, the three holding units 61 are at the positions indicated by the chain lines in the figure. When the processing of the wafer W in the processing units 30 and 40 is completed, the holding units 61 are moved to the positions shown by solid lines in the drawing by driving the above-described cylinders 64a and 64b. Processing unit 30, Processing unit 4
The wafer W at 0 is held. Then, after each wafer W is raised by the rotation operation of the motor 65, the motor 73 is driven to thereby move the shuttle transfer robot 60.
Is moved in the −X-axis direction to the position shown in FIG.

【0053】そして、モータ63の回転動作によって、
処理部30,処理部40,処理部50へ搬送したウエハ
Wを下降させた後、図8中実線で示す保持部61を一点
鎖線で示す位置に退避させることによって、各処理部へ
のウエハWの搬送動作を完了する。なお、保持部61が
退避する際には、各処理部間等に設けられた退避位置9
1に退避する。
Then, by the rotation operation of the motor 63,
After lowering the wafers W transferred to the processing units 30, 40, and 50, the holding units 61 indicated by solid lines in FIG. Is completed. When the holding unit 61 is retracted, the evacuation position 9 provided between the processing units is used.
Evacuate to 1.

【0054】このように、このシャトル搬送ロボット6
0は、隣接する処理部間でのウエハWの搬送を同時に行
うようになっているため、効率的なウエハWの処理部間
の搬送を実現しているとともに、載置部20から処理部
30へのウエハWの搬送と、処理部30から処理部40
へのウエハWの搬送と、処理部40から処理部50への
ウエハWの搬送とについては個別に搬送ロボットを設け
る必要がなく、基板処理装置100のフットプリントを
減少させることが可能となる。
As described above, the shuttle transfer robot 6
0 indicates that the transfer of the wafer W between the adjacent processing units is performed at the same time, so that the efficient transfer of the wafer W between the processing units is realized, Of the wafer W to the processing unit 30 and the processing unit 40
It is not necessary to separately provide a transfer robot for transferring the wafer W to the processing unit 40 and for transferring the wafer W from the processing unit 40 to the processing unit 50, so that the footprint of the substrate processing apparatus 100 can be reduced.

【0055】なお、処理部50からのウエハWの取り出
しは、上述のように搬送ロボット10の搬送アーム11
が行うように構成されている。
The removal of the wafer W from the processing section 50 is performed by the transfer arm 11 of the transfer robot 10 as described above.
Is configured to do so.

【0056】次に、カバー80について説明する。図9
は、カバーの斜視部である。図9に示すように、カバー
80は、処理部30,40,50におけるウエハWの処
理の際に処理液等が飛散しないように各処理部を覆って
いる。また、カバー80は、下降した際に、退避位置9
1に退避しているシャトル搬送ロボット60の保持部6
1に緩衝しないように各退避位置91に対応する位置の
凹部88が設けられている。したがって、シャトル搬送
ロボット60の保持部61が図8の一点鎖線で示す位置
に退避した場合に、カバー80を下降させれば、カバー
80は保持部61に接触することなく各処理部30,4
0,50を良好に覆うことができる。
Next, the cover 80 will be described. FIG.
Is a perspective portion of the cover. As shown in FIG. 9, the cover 80 covers each processing unit so that the processing liquid or the like does not scatter when the processing unit 30, 40, 50 processes the wafer W. When the cover 80 is lowered, the retracted position 9
Holder 6 of shuttle transfer robot 60 retracted to 1
A concave portion 88 is provided at a position corresponding to each retreat position 91 so as not to be buffered. Therefore, if the cover 80 is lowered when the holding unit 61 of the shuttle transfer robot 60 is retracted to the position shown by the one-dot chain line in FIG. 8, the cover 80 does not come into contact with the holding unit 61 and the processing units 30 and 4
0,50 can be covered well.

【0057】また、シャトル搬送ロボット60の保持部
61が退避位置91に退避した直後にカバー80を下降
させれば、各処理部30,40,50における上述のウ
エハWの処理を開始することができる。
If the cover 80 is lowered immediately after the holding unit 61 of the shuttle transfer robot 60 has retreated to the retreat position 91, the processing of the wafer W in each of the processing units 30, 40, and 50 can be started. it can.

【0058】さらに、カバー80には、洗浄液吐出ノズ
ル82が設けられており、図8に一点鎖線で示す退避位
置91にある保持部61を洗浄することができる。すな
わち、退避位置91にある保持部61に対して洗浄液吐
出ノズル82より純水等のリンス液を吐出することによ
り、各処理部間の搬送の際に保持部61(特に、保持部
材62)に付着した汚れ等を洗浄することが可能とな
る。
Further, the cover 80 is provided with a cleaning liquid discharge nozzle 82, which can clean the holding portion 61 at the retracted position 91 shown by the dashed line in FIG. That is, by discharging a rinsing liquid such as pure water from the cleaning liquid discharge nozzle 82 to the holding unit 61 at the evacuation position 91, the holding unit 61 (in particular, the holding member 62) is transported between the processing units. It becomes possible to wash the adhered dirt and the like.

【0059】次に、図10に基づいて、カバー80とシ
ャトル搬送ロボット60との関係について説明する。図
10(a)は、シャトル搬送ロボットによってウエハW
の処理部間搬送を行う際のカバーと保持部との動作関係
を示す概略側面図である。図10(a)に示すように、
シャトル搬送ロボット60の回転軸66がα方向に微少
量回転し、保持部61がウエハWを持ち上げた状態で処
理部間搬送を行う。このとき、カバー80は、シャトル
搬送ロボット60の搬送動作の際に緩衝しないように図
示しない昇降手段によって上昇した状態となっている。
Next, the relationship between the cover 80 and the shuttle transfer robot 60 will be described with reference to FIG. FIG. 10A shows a case where the wafer W is transferred by the shuttle transfer robot.
FIG. 7 is a schematic side view showing an operation relationship between a cover and a holding unit when carrying out transfer between processing units. As shown in FIG.
The rotation shaft 66 of the shuttle transfer robot 60 is rotated by a small amount in the α direction, and the wafer W is transferred between the processing units while the holding unit 61 lifts the wafer W. At this time, the cover 80 is in a state of being lifted by a lifting means (not shown) so as not to be buffered during the transfer operation of the shuttle transfer robot 60.

【0060】ところで、ウエハWの処理部間搬送が終了
し、カバー80が下降して各処理部におけるウエハWの
処理が開始された際に、処理部30,40,50に対応
する位置にあるシャトル搬送ロボット60を次の処理部
間搬送に備えて、載置部20,処理部30,40に対応
する位置に予め移動させておくことが必要に応じて行わ
れる。
By the way, when the transfer of the wafer W between the processing units is completed and the cover 80 is lowered to start the processing of the wafer W in each processing unit, the wafer W is located at a position corresponding to the processing unit 30, 40, 50. In preparation for the next transfer between the processing units, the shuttle transfer robot 60 is moved to a position corresponding to the mounting unit 20 and the processing units 30 and 40 in advance as necessary.

【0061】しかし、各処理部はウエハWの処理中であ
り、カバー80は閉じた状態であるため、基板保持部6
1が退避位置91にある状態で、シャトル搬送ロボット
60を+X軸方向に移動させると、カバー80に衝突す
る。
However, since each processing unit is processing the wafer W and the cover 80 is in a closed state, the substrate holding unit 6
When the shuttle transfer robot 60 is moved in the + X-axis direction in a state where 1 is at the retreat position 91, the shuttle transfer robot 60 collides with the cover 80.

【0062】そこで、このシャトル搬送ロボット60で
は、図10(b)に示すように、シャトル搬送ロボット
60の回転軸66を90度程度回転させることによって
保持部61を起立状態にし、側面視でカバー80と保持
部61とが重ならないようにな状態にする。こうするこ
とにより、シャトル搬送ロボット60がX軸方向に移動
しても保持部61がカバー80と緩衝しないようにな
り、各処理部におけるウエハWの処理中に、シャトル搬
送ロボット60を載置部20,処理部30,40に対応
する位置に予め移動させておくことが可能となる。な
お、保持部61を起立させる際には、上述のモータ65
が駆動源となり、シャトル搬送ロボット60をX軸方向
に移動させる際には、上述のモータ73が駆動源とな
る。
Therefore, in the shuttle transfer robot 60, as shown in FIG. 10 (b), by rotating the rotary shaft 66 of the shuttle transfer robot 60 by about 90 degrees, the holding portion 61 is set in the upright state, and the cover is viewed from the side. 80 and the holding portion 61 are set so as not to overlap. In this way, even if the shuttle transfer robot 60 moves in the X-axis direction, the holding unit 61 does not buffer the cover 80, and during the processing of the wafer W in each processing unit, the shuttle transfer robot 60 is placed on the mounting unit. 20, and can be moved in advance to positions corresponding to the processing units 30 and 40. When the holder 61 is raised, the motor 65 described above is used.
Is a driving source, and when the shuttle transport robot 60 is moved in the X-axis direction, the above-described motor 73 is a driving source.

【0063】そして、シャトル搬送ロボット60がX軸
方向に移動して、載置部20,処理部30,40に対応
する位置に到達すると、モータ65を逆方向に駆動し、
起立状態の保持部61を再び略水平状態に戻す。
When the shuttle transfer robot 60 moves in the X-axis direction and reaches a position corresponding to the mounting section 20 and the processing sections 30 and 40, the motor 65 is driven in the reverse direction.
The upright holding unit 61 is returned to the substantially horizontal state again.

【0064】このような動作によって、図8の一点鎖線
で示す保持部61が各処理部におけるウエハWの処理中
に、図7の一点鎖線で示す保持部61の位置に移動する
ことができることとなり、各処理部におけるウエハWの
処理が終了するまで、その位置に待機しておくことによ
り、次のウエハWの処理部間搬送を効率よく行うことが
できる。
By such an operation, the holding portion 61 shown by the one-dot chain line in FIG. 8 can be moved to the position of the holding portion 61 shown by the one-dot chain line in FIG. 7 during processing of the wafer W in each processing section. By waiting at that position until the processing of the wafer W in each processing unit is completed, the next wafer W can be efficiently transferred between the processing units.

【0065】なお、ウエハWの処理中に図7の一点鎖線
で示す保持部61の位置で待機しているときに保持部6
1の洗浄を行う場合は、載置部20の近辺に載置部20
内のウエハWをチャッキングする保持部61に対してリ
ンス液を吐出するノズル(図示せず)を設ければよい。
そして、載置部20の近辺に設けられたノズルとカバー
80に設けられた洗浄液吐出ノズル82とからリンス液
を吐出することにより、保持部61を洗浄することが可
能となる。
During the processing of the wafer W, the holding unit 6 waits at the position of the holding unit 61 indicated by the dashed line in FIG.
1 is performed, the mounting portion 20 is placed near the mounting portion 20.
A nozzle (not shown) for discharging a rinsing liquid may be provided to the holding unit 61 for chucking the wafer W in the inside.
Then, the holding unit 61 can be cleaned by discharging the rinse liquid from the nozzle provided near the mounting unit 20 and the cleaning liquid discharge nozzle 82 provided on the cover 80.

【0066】以上説明したように、この基板処理装置1
00は、ウエハWに対して処理を行う複数の処理部3
0,40,50をウエハWの処理順序に応じてX軸方向
に沿った状態で一列に配置され、複数の保持部61を有
する1台のシャトル搬送ロボット60が隣接する各処理
部間でのウエハWの搬送を一括して行うので、各処理部
間のそれぞれに独立した搬送ロボットを設ける必要はな
く、フットプリントを最小限に抑えることができる。
As described above, the substrate processing apparatus 1
00 denotes a plurality of processing units 3 that perform processing on the wafer W.
0, 40, and 50 are arranged in a row along the X-axis direction in accordance with the processing order of the wafers W, and one shuttle transfer robot 60 having a plurality of holding units 61 is provided between adjacent processing units. Since the transfer of the wafers W is performed collectively, there is no need to provide an independent transfer robot between each processing unit, and the footprint can be minimized.

【0067】また、シャトル搬送ロボット60は、複数
の保持部61を動作させる際に、シリンダ64a,64
bやモータ65等のような共通の駆動源を使用している
ため、各処理部間のウエハWの搬送において、各々の保
持部61を同期して動作させることができるとともに、
載置部20から処理部30への搬送と処理部30から処
理部40への搬送と処理部40から処理部50への搬送
を同時に行うことができるにもかかわらず、搬送の際の
制御機構を簡単に構成することができる。
When operating the plurality of holding units 61, the shuttle transfer robot 60 operates the cylinders 64a, 64a.
Since a common drive source such as b and the motor 65 is used, each of the holding units 61 can be operated in synchronization with the transfer of the wafer W between the processing units.
Despite being able to simultaneously carry from the mounting unit 20 to the processing unit 30, carry from the processing unit 30 to the processing unit 40, and carry from the processing unit 40 to the processing unit 50, a control mechanism at the time of carrying Can be easily configured.

【0068】また、処理部30に隣接する位置にCMP
装置200等の外部装置とのインターフェースとなる載
置部20を設けているため、CMP装置200等の外部
装置と直接インライン化を図ることができる。図11
は、基板処理装置100をCMP装置200とインライ
ン化した構成を示す図である。図11に示すように、基
板処理装置100とCMP装置200とをインライン化
する際に、従来のようにコンベアを設ける必要がないた
め、フットプリントを極めて小さく抑えることが可能と
なる。
Further, the CMP is performed at a position adjacent to the processing unit 30.
Since the mounting portion 20 serving as an interface with an external device such as the device 200 is provided, it is possible to directly inline with the external device such as the CMP device 200. FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration in which the substrate processing apparatus 100 is inlined with the CMP apparatus 200. As shown in FIG. 11, when the substrate processing apparatus 100 and the CMP apparatus 200 are in-lined, it is not necessary to provide a conveyor as in the related art, so that the footprint can be extremely reduced.

【0069】また、処理部30,40,50において洗
浄処理を行う前に、CMP装置200におけるCMP処
理後のウエハWを第2載置部20Aにおいて第1のノズ
ル25と第2のノズル26によってウエハWの表裏面に
純水を供給して、ウエハWの表裏面をウエット状態にし
ているので、ウエハWの表裏面に付着した研磨屑等のパ
ーティクルの乾燥を防止できる。その結果、処理部3
0,40,50における洗浄効果を高めることができ
る。
Before the cleaning process is performed in the processing units 30, 40, and 50, the wafer W after the CMP process in the CMP apparatus 200 is processed by the first nozzle 25 and the second nozzle 26 in the second mounting unit 20A. Since pure water is supplied to the front and back surfaces of the wafer W to keep the front and back surfaces of the wafer W in a wet state, it is possible to prevent particles such as polishing debris attached to the front and back surfaces of the wafer W from drying. As a result, the processing unit 3
The cleaning effect at 0, 40, 50 can be enhanced.

【0070】また、供給管201の途中に電磁弁203
を設けているので、電磁弁203という簡易な構成で、
第1のノズル25及び第2のノズル26からウエハWへ
供給される処理液としての純水の流量が制御できる。そ
のため、純水の流量が制御できれば、ウエハWの表裏面
に付着した研磨屑等のパーティクルの状態に応じた純水
の供給処理が行え、その後の処理部30,40,50に
おける洗浄効果をさらに高めることができる。
The solenoid valve 203 is provided in the middle of the supply pipe 201.
Is provided, so with a simple configuration of the solenoid valve 203,
The flow rate of pure water as a processing liquid supplied to the wafer W from the first nozzle 25 and the second nozzle 26 can be controlled. Therefore, if the flow rate of pure water can be controlled, pure water supply processing can be performed in accordance with the state of particles such as polishing debris attached to the front and back surfaces of the wafer W, and the cleaning effect in the processing units 30, 40, and 50 can be further improved. Can be enhanced.

【0071】また、複数の第2のノズル26は、支持台
27上にウエハWの裏面に対向させて同心円状に配置し
ているので、第2のノズル26からウエハWの裏面に純
水を供給すれば、ウエハWの裏面全体に純水が供給さ
れ、ウエハWの裏面全体をウエットな状態に保つことが
できる。
Since the plurality of second nozzles 26 are arranged concentrically on the support table 27 so as to face the back surface of the wafer W, pure water is supplied from the second nozzles 26 to the back surface of the wafer W. When supplied, pure water is supplied to the entire back surface of the wafer W, and the entire back surface of the wafer W can be kept wet.

【0072】さらに、第2載置部20Aにおいてウエハ
Wの表裏面に付着した研磨屑等のパーティクルの乾燥を
防止した後に、すぐにシャトル搬送ロボット60によっ
て第2載置部20Aから両面洗浄処理部である処理部3
0へウエハWを搬送し、この処理部30においてウエハ
Wの表裏面に表面ブラシ31及び裏面ブラシ32を接触
させてウエハWの表裏面の洗浄を行っているので、ウエ
ハWの表裏面に付着した研磨屑等のパーティクルを確実
に除去することができる。
Further, after the drying of particles such as polishing debris adhered to the front and back surfaces of the wafer W in the second mounting portion 20A is prevented, the shuttle transfer robot 60 immediately removes the double-sided cleaning portion from the second mounting portion 20A. Processing unit 3
The wafer W is conveyed to the wafer W, and the front and back brushes 32 are brought into contact with the front and back surfaces of the wafer W in the processing unit 30 to clean the front and back surfaces of the wafer W. Particles such as polished swarf can be reliably removed.

【0073】なお、上述した発明の実施の形態では、第
2載置部20AにおいてウエハWの裏面を4つのピン2
4によりウエハWを支持しているが、これに限るもので
はない。例えば、複数の保持部材によりウエハWの外周
端部の複数箇所を保持するものでもよい。
In the embodiment of the present invention described above, the back surface of the wafer W is
4 supports the wafer W, but is not limited to this. For example, a plurality of holding members may be used to hold a plurality of locations on the outer peripheral edge of the wafer W.

【0074】[0074]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表面が加工処理された基板を洗浄するための洗浄部に基
板を搬送する前に、一旦載置部の支持手段で基板を支持
した状態で、第1処理液供給手段によって基板の表面に
処理液を供給し、第2処理液供給手段によって基板の裏
面に処理液を供給しているので、加工処理した後の基板
の表裏面に付着した加工処理によって発生した研磨屑等
のパーティクルの乾燥を防止し、かつ洗浄部での洗浄効
果を高めることができる。
As described above, according to the present invention,
Before transporting the substrate to the cleaning unit for cleaning the substrate having the processed surface, the processing liquid is first applied to the surface of the substrate by the first processing liquid supply unit while the substrate is once supported by the support unit of the mounting unit. And processing liquid is supplied to the back surface of the substrate by the second processing liquid supply means, so that particles such as polishing debris generated by the processing adhered to the front and back surfaces of the processed substrate are prevented from drying. In addition, the cleaning effect in the cleaning section can be enhanced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す
平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態に係る基板処理装置のYZ
平面における概略断面図である。
FIG. 2 is a YZ diagram of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention;
It is a schematic sectional drawing in a plane.

【図3】本発明の実施の形態に係る基板処理装置のZX
平面における概略断面図である。
FIG. 3 shows a ZX of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
It is a schematic sectional drawing in a plane.

【図4】本発明の実施の形態に係る載置部の構成を示す
図である。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a mounting section according to the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態に係る第2処理液供給手段
を示す概略構成図である。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a second processing liquid supply unit according to the embodiment of the present invention.

【図6】シャトル搬送ロボットの斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of the shuttle transfer robot.

【図7】処理部間搬送の様子を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating a state of conveyance between processing units.

【図8】処理部間搬送の様子を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a state of conveyance between processing units.

【図9】カバーの斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of a cover.

【図10】カバーと保持部との動作関係を示す概略側面
図である。
FIG. 10 is a schematic side view illustrating an operation relationship between a cover and a holding unit.

【図11】本発明の実施の形態に係る基板処理装置をC
MP装置とインライン化した構成を示す図である。
FIG. 11 illustrates a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention,
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration inline with an MP device.

【図12】従来の基板処理装置の概略構成図である。FIG. 12 is a schematic configuration diagram of a conventional substrate processing apparatus.

【図13】従来の基板処理装置をCMP装置とインライ
ン化した構成を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a configuration in which a conventional substrate processing apparatus is inlined with a CMP apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 載置部 20A 第2載置部 25 第1のノズル 26 第2のノズル 27 支持台 30,40,50 処理部 31 表面ブラシ 32 裏面ブラシ 60 シャトル搬送ロボット 61 保持部 100 基板処理装置 200 CMP装置 203 電磁弁 Reference Signs List 20 mounting section 20A second mounting section 25 first nozzle 26 second nozzle 27 support base 30, 40, 50 processing section 31 front brush 32 back brush 60 shuttle transport robot 61 holding section 100 substrate processing apparatus 200 CMP apparatus 203 solenoid valve

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷 伸夫 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 3B201 AA03 AB23 AB34 AB43 BA02 BA13 BB23 BB24 BB33 BB93 CB15 CB25 CC01 CC13 5F031 CA02 FA01 FA11 GA43 GA44 GA47 GA48 GA49 GA50 LA07 LA12 MA23 NA09 NA10  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Nobuo Tani 4-chome Tenjin Kitamachi 1-chome, Horikawa-dori-Terauchi, Kamigyo-ku, Kyoto F-term (reference) within Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. 3B201 AA03 AB23 AB34 AB43 BA02 BA13 BB23 BB24 BB33 BB93 CB15 CB25 CC01 CC13 5F031 CA02 FA01 FA11 GA43 GA44 GA47 GA48 GA49 GA50 LA07 LA12 MA23 NA09 NA10

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板に所定の処理を行う基板処理装置であ
って、 表面が加工処理された基板を洗浄するための洗浄部と、 前記洗浄部に基板を搬送する前に、一旦基板を載置させ
る載置部と、 前記載置部から前記洗浄部へ基板を搬送する搬送手段と
を備え、 前記載置部は、基板を支持する支持手段と、前記支持手
段によって支持された基板の表面に処理液を供給する第
1処理液供給手段と、前記支持手段によって支持された
基板の裏面に処理液を供給する第2処理液供給手段とを
有することを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate, comprising: a cleaning unit for cleaning a substrate having a surface processed, and a step of temporarily mounting the substrate before transporting the substrate to the cleaning unit. A mounting section for mounting, and a transport unit for transporting the substrate from the mounting section to the cleaning section, wherein the mounting section supports the substrate, and a surface of the substrate supported by the supporting section. A substrate processing apparatus, comprising: first processing liquid supply means for supplying a processing liquid to a substrate; and second processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the back surface of the substrate supported by the support means.
【請求項2】請求項1に記載の基板処理装置であって、 前記第2処理液供給手段から供給される処理液の流量を
調節する流量調節手段を備えたことを特徴とする基板処
理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of the processing liquid supplied from said second processing liquid supply means. .
【請求項3】請求項2に記載の基板処理装置であって、 前記流量調節手段は、前記第1処理液供給手段から供給
される処理液の流量を調節することを特徴とする基板処
理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein said flow rate adjusting means adjusts a flow rate of the processing liquid supplied from said first processing liquid supply means. .
【請求項4】請求項2または請求項3に記載の基板処理
装置であって、 前記流量調整手段は、電磁弁であることを特徴とする基
板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein said flow rate adjusting means is an electromagnetic valve.
【請求項5】請求項1〜請求項4のいずれかに記載の基
板処理装置であって、 前記第2処理液供給手段は、同心円状に配置された複数
のノズルを備えたことを特徴とする基板処理装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said second processing liquid supply means includes a plurality of nozzles arranged concentrically. Substrate processing equipment.
【請求項6】請求項1〜請求項5のいずれかに記載の基
板処理装置であって、 前記洗浄部は、基板の表面に接触して基板の表面を洗浄
する第1洗浄具と、基板の裏面に接触して基板の表面を
洗浄する第2洗浄具とを有し、かつ基板の表裏面を洗浄
する両面洗浄処理部を備え、 前記搬送手段は、前記載置部から前記両面洗浄処理部へ
基板を搬送することを特徴とする基板処理装置。
6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning unit is configured to contact the surface of the substrate and clean the surface of the substrate. A second cleaning tool for cleaning the front surface of the substrate by contacting the back surface of the substrate, and a double-side cleaning processing unit for cleaning the front and back surfaces of the substrate; A substrate processing apparatus for transporting a substrate to a unit.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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