JPH11274283A - Transporting method and apparatus - Google Patents

Transporting method and apparatus

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Publication number
JPH11274283A
JPH11274283A JP9076098A JP9076098A JPH11274283A JP H11274283 A JPH11274283 A JP H11274283A JP 9076098 A JP9076098 A JP 9076098A JP 9076098 A JP9076098 A JP 9076098A JP H11274283 A JPH11274283 A JP H11274283A
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JP
Japan
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wafer
substrate
holding
tweezers
holding member
Prior art date
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Pending
Application number
JP9076098A
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Japanese (ja)
Inventor
Nariaki Iida
成昭 飯田
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
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Publication of JPH11274283A publication Critical patent/JPH11274283A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transporting apparatus which prevents the substrate surface and transport arms, etc., from contamination, and can carry substrates quietly. SOLUTION: A main transport unit 3 has pincettes 60, 61, 62 having support members 70 capable of supporting the periphery of a wafer W, and the pincettes 60, 61, 62 have support members 80 capable of supporting the back side of the wafer W. When a device forming face directs down or up, the wafer W is held by the pincette 61 or 62, respectively. The pincette 60 or pincettes 61, 62 hold the periphery of the wafer W with the support member 70 and back side of the wafer with the support member 80s, respectively.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,基板を搬送する搬
送方法及びその搬送装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transfer method and a transfer apparatus for transferring a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては,例えば半導体ウェハ(以
下,「ウェハ」という。)等の基板の表面にレジスト液
を塗布してレジスト膜を形成し,所定のパターンを露光
した後,基板に対して現像液を供給して現像処理してい
る。このような一連の処理を行うにあたっては,従来か
ら塗布現像処理装置が使用されている。
2. Description of the Related Art In a photoresist processing step in the manufacture of semiconductor devices, a resist liquid is applied to a surface of a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as "wafer") to form a resist film, and a predetermined pattern is formed. After the exposure, a developing solution is supplied to the substrate to perform a developing process. In performing such a series of processing, a coating and developing processing apparatus has been conventionally used.

【0003】この塗布現像処理装置は,塗布現像処理に
必要な一連の処理,例えばレジストの定着性を向上させ
るための疎水化処理(アドヒージョン処理),レジスト
液の塗布を行うレジスト塗布処理,レジスト液塗布後の
ウェハや露光後のウェハ等を加熱するための加熱処理,
露光後のウェハを現像する現像処理等の各処理を個別に
行う処理ユニットを備えている。
This coating / developing apparatus includes a series of processing necessary for coating / developing processing, for example, a hydrophobic treatment (adhesion treatment) for improving the fixability of a resist, a resist coating treatment for applying a resist liquid, a resist liquid Heat treatment for heating the coated wafer, the exposed wafer, etc.
A processing unit for individually performing each processing such as a development processing for developing a wafer after exposure is provided.

【0004】そして,各処理ユニット間におけるウェハ
の搬送には塗布現像処理装置内に備えられた搬送装置が
使用され,この搬送装置にはウェハを保持すると共に,
各処理ユニット内に対してウェハを搬入出させる保持部
材としてのピンセットが,例えば3本備えられている。
これらのピンセットは互いに略同一の構成を有してお
り,ウェハを保持する際には各ピンセットに設けられた
支持部材によってウェハの裏面が支持されるように構成
されていた。
A transfer device provided in a coating and developing apparatus is used for transferring a wafer between the processing units, and the transfer apparatus holds the wafer,
For example, three tweezers are provided as holding members for loading and unloading wafers into and from each processing unit.
These tweezers have substantially the same configuration as each other, and are configured such that when holding the wafer, the back surface of the wafer is supported by a support member provided on each tweezer.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら,塗布現
像処理装置内には,例えばウェハの裏面やウェハの両面
を洗浄するスクラブ洗浄処理装置が備えられている場合
がある。この場合,ウェハに対してスクラブ洗浄を施す
際には,ウェハの表面と裏面とを反転させる必要がある
が,ウェハを反転させた場合には,ウェハの表面,即ち
デバイス形成面が下側を向くようになり,この状態のウ
ェハをピンセットが受け取った際には,ウェハの裏面を
支持する支持部材とウェハのデバイス形成面とが接触し
てしまい,デバイス形成面が汚染したり損傷するおそれ
がある。
However, the coating and developing apparatus may be provided with a scrub cleaning apparatus for cleaning, for example, the back surface of the wafer or both surfaces of the wafer. In this case, when performing scrub cleaning on the wafer, it is necessary to invert the front surface and the back surface of the wafer. However, when the wafer is inverted, the front surface of the wafer, that is, the device formation surface faces the lower side. When the tweezers receives the wafer in this state, the support member supporting the back side of the wafer comes into contact with the device forming surface of the wafer, and there is a possibility that the device forming surface is contaminated or damaged. is there.

【0006】このようなデバイス形成面の汚染等を防止
するために,従来ではウェハの周縁部を支持可能な支持
部材を備えたピンセットを使用する場合もあった。かか
るピンセットによれば,デバイス形成面が下側を向いて
もこのピンセットの支持部材に接触せず,当該デバイス
形成面の汚染を防止することが可能となる。しかしなが
らこのピンセットによって,例えばレジスト塗布装置内
でレジスト液の塗布が終了したウェハを保持する場合に
は,ウェハの周縁部近傍のレジスト液がこのピンセット
の支持部材に付着して汚染の原因となり,歩留まりの低
下を招くおそれが生じる。
In order to prevent such contamination of the device forming surface, tweezers provided with a supporting member capable of supporting the peripheral portion of the wafer have been used in some cases. According to such tweezers, even when the device forming surface faces downward, the tweezers do not contact the support member of the tweezers, so that the device forming surface can be prevented from being contaminated. However, in the case of holding a wafer on which resist liquid has been applied in a resist coating apparatus using the tweezers, for example, the resist liquid in the vicinity of the periphery of the wafer adheres to the support member of the tweezers, causing contamination and causing a yield. May be reduced.

【0007】さらに,ウェハの周縁部を支持する支持部
材を備えたピンセットを使用すると,ウェハの裏面を支
持する支持部材を備えたピンセットを使用する場合より
もウェハとの接触面積が小さいために,ウェハを搬送す
る際に大きな音が発生した。
Further, the use of tweezers having a support member for supporting the peripheral portion of the wafer has a smaller contact area with the wafer than the use of tweezers having a support member for supporting the back surface of the wafer. A loud noise was generated when transferring the wafer.

【0008】本発明はかかる課題に鑑みてなされたもの
であり,基板のデバイス形成面等の汚染を防止すること
が可能な新しい搬送方法及び搬送装置を提供することを
目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a new transfer method and a new transfer device capable of preventing contamination of a device forming surface of a substrate.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に,請求項1に記載の搬送方法は,保持部材によって基
板を保持した状態で当該基板を搬送する搬送方法におい
て,基板のデバイス形成面が下側を向いた際には,基板
の周縁部を保持する保持部材により当該基板を保持し,
基板のデバイス形成面が上側を向いた際には,基板の裏
面を保持する保持部材により当該基板を保持することを
特徴としている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a transfer method for transferring a substrate while holding the substrate by a holding member. When is facing downward, the substrate is held by a holding member that holds the peripheral portion of the substrate,
When the device formation surface of the substrate faces upward, the substrate is held by a holding member that holds the back surface of the substrate.

【0010】この搬送方法によれば,基板の周縁部を保
持する保持部材と基板の裏面を保持する保持部材とを使
い分けて搬送するようにしている。この使い分けによ
り,下側を向いたデバイス形成面が保持部材と接触して
汚染されることがない。
According to this transfer method, the holding member for holding the peripheral portion of the substrate and the holding member for holding the back surface of the substrate are transported separately. By this proper use, the device forming surface facing downward does not come into contact with the holding member and is not contaminated.

【0011】請求項2に記載の発明は,基板を保持する
保持部材により当該基板を搬送する搬送方法において,
基板のデバイス形成面が下側を向いた際には,基板の周
縁部を保持する保持部材により当該基板を保持し,基板
のデバイス形成面が上側を向きかつ,当該基板のデバイ
ス形成面に処理液の塗布膜が形成されている際には,基
板の裏面を保持する保持部材により当該基板を保持する
ことを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a transfer method for transferring a substrate by a holding member for holding the substrate.
When the device forming surface of the substrate faces downward, the substrate is held by a holding member that holds a peripheral portion of the substrate, and the device forming surface of the substrate faces upward and the device forming surface of the substrate is processed. When a liquid coating film is formed, the substrate is held by a holding member that holds the back surface of the substrate.

【0012】請求項2に記載の搬送方法によれば,請求
項1のように下側を向いたデバイス形成面は保持部材と
の接触により汚染されることがない。さらに,上側を向
いたデバイス形成面に処理液の塗布膜が形成されている
場合には,基板の裏面を保持部材が保持するために,基
板上の処理液が保持部材に付着しない。従って,保持部
材も処理液により汚染されることがない。
According to the second aspect of the present invention, the device forming surface facing downward as in the first aspect is not contaminated by contact with the holding member. Further, when the coating film of the processing liquid is formed on the device formation surface facing upward, the processing liquid on the substrate does not adhere to the holding member because the holding member holds the back surface of the substrate. Therefore, the holding member is not contaminated by the processing liquid.

【0013】請求項3に記載の発明のように,基板のデ
バイス形成面にレジスト液による塗布膜が形成されてい
る場合には,基板の裏面を保持する保持部材により当該
基板を保持することが好ましい。
According to the third aspect of the present invention, when a coating film made of a resist solution is formed on the device forming surface of the substrate, the substrate can be held by a holding member for holding the back surface of the substrate. preferable.

【0014】請求項3に記載の搬送方法によれば,保持
部材が基板の裏面を保持するために,基板上のレジスト
液が保持部材に付着しない。従って,レジスト液の付着
による保持部材の汚染を防止することができる。
According to the third aspect of the present invention, since the holding member holds the back surface of the substrate, the resist liquid on the substrate does not adhere to the holding member. Therefore, contamination of the holding member due to the adhesion of the resist liquid can be prevented.

【0015】請求項4に記載の発明は,請求項1,2ま
たは3に記載の搬送装置において,基板の周縁部を保持
した状態で当該基板を搬送する際の搬送速度は,基板の
裏面を保持した状態で当該基板を搬送する際の搬送速度
よりも遅く設定することを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the transfer apparatus according to the first, second or third aspect, the transfer speed when transferring the substrate while holding the peripheral portion of the substrate is such that the back surface of the substrate is set at the same speed. The transfer speed is set to be lower than the transfer speed when the substrate is transferred while being held.

【0016】請求項4に記載の搬送方法によれば,基板
を周縁部で保持した状態で基板を搬送する場合に発生す
る音を小さくすることができる。従って,より静粛な基
板搬送が可能となる。
According to the transfer method of the fourth aspect, it is possible to reduce noise generated when the substrate is transferred while the substrate is held at the peripheral portion. Therefore, the substrate can be transported more quietly.

【0017】請求項5に記載の搬送装置は,基板を保持
する2以上の保持部材を備えた搬送装置において,基板
の周縁部を支持可能な支持部材を備えた保持部材と,基
板の裏面を支持可能な支持部材を備えた保持部材とを備
えたことを特徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a transfer device including two or more holding members for holding a substrate, wherein the holding member includes a support member capable of supporting a peripheral portion of the substrate and the back surface of the substrate. And a holding member having a support member that can be supported.

【0018】かかる構成によれば,基板の周縁部を保持
可能な保持部材と基板の裏面を保持可能な保持部材とを
使い分けることができる。従って,請求項1に記載した
方法を好適に実施することができる。
According to this configuration, it is possible to selectively use a holding member capable of holding the peripheral portion of the substrate and a holding member capable of holding the back surface of the substrate. Therefore, the method described in claim 1 can be suitably performed.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下,本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明の実施の形態は塗布現像処理装置内
に備えられ,各処理装置に対してウェハを搬送する主搬
送装置として具体化されている。図1は,本発明の実施
の形態にかかる主搬送装置を有する塗布現像処理装置の
外観を示している。
Embodiments of the present invention will be described below. An embodiment of the present invention is embodied as a main transfer device that is provided in a coating and developing processing apparatus and transfers a wafer to each processing apparatus. FIG. 1 shows the appearance of a coating and developing apparatus having a main transport device according to an embodiment of the present invention.

【0020】この塗布現像処理装置1の一端には,カセ
ットステーション2が配置されている。このカセットス
テーション2には,例えば25枚のウェハWを収納する
複数個のカセットCが載置され,カセットCの正面側
(ウェハWの搬入出側)にはウェハWの搬送及び位置決
めを行うための主搬送装置3と,この主搬送装置3へと
ウェハWを搬送する搬送機構4とがそれぞれ備えられて
いる。そしてウェハWに対して,所定の処理を施す各種
の処理装置が主搬送装置3の搬送路5を挟んで両側に配
置されている。
At one end of the coating and developing apparatus 1, a cassette station 2 is arranged. A plurality of cassettes C accommodating, for example, 25 wafers W are placed in the cassette station 2, and the wafers W are transported and positioned on the front side of the cassette C (the loading / unloading side of the wafers W). And a transfer mechanism 4 for transferring the wafer W to the main transfer device 3. Various processing apparatuses for performing predetermined processing on the wafer W are arranged on both sides of the transfer path 5 of the main transfer apparatus 3.

【0021】即ち,ウェハWとレジスト液との密着性を
向上させる疎水化処理装置8,ウェハWを所定の温度に
冷却する冷却処理装置9,ウェハWを加熱するための加
熱装置10,回転するウェハWの表面にレジスト液を塗
布するレジスト塗布装置11,11,ウェハWに所定の
現像処理を施す現像処理装置12,12,ウェハWに対
して高圧ジェット洗浄する裏面洗浄装置13,そして裏
面洗浄処理が終了したウェハWをスクラブ洗浄するため
のスクラバ洗浄装置14及びウェハWの表面と裏面とを
反転させる反転装置15が搬送路5を挟んで配置されて
いる。
That is, a hydrophobizing device 8 for improving the adhesion between the wafer W and the resist solution, a cooling device 9 for cooling the wafer W to a predetermined temperature, a heating device 10 for heating the wafer W, and rotating. Resist coating devices 11 and 11 for applying a resist solution to the surface of wafer W, developing devices 12 and 12 for performing a predetermined developing process on wafer W, back surface cleaning device 13 for high pressure jet cleaning of wafer W, and back surface cleaning A scrubber cleaning device 14 for scrub cleaning the processed wafer W and a reversing device 15 for reversing the front and back surfaces of the wafer W are arranged with the transfer path 5 interposed therebetween.

【0022】このスクラバ洗浄装置14には図2及び図
3に示すように,スピンチャック16が備えられてい
る。このスピンチャック16はモータ17と,モータ1
7の回転駆動によって回転する回転軸18と,回転軸1
8の上部に取り付けられた載置台19と,載置台19の
周縁部に配置されたウェハ保持部20とから構成されて
いる。また,スピンチャック16の外周にはカップ21
が形成されており,スピンチャック16の上方には載置
台19上に載置され回転するウェハWの表面に洗浄液を
供給する洗浄液供給装置22が設けられている。なお,
洗浄液供給装置22は適宜の移動手段(図示せず)に接
続されており,この移動手段(図示せず)により,洗浄
液供給装置22は軸22aを中心としてウェハWの周縁
部から中心にかけて回動自在に形成されている。そのた
め,洗浄液供給装置22に備えられたノズル23から回
転するウェハWに対して供給された洗浄液は,ウェハW
の全面にわたり供給されるようになっている。
The scrubber cleaning device 14 is provided with a spin chuck 16 as shown in FIGS. The spin chuck 16 includes a motor 17 and a motor 1
7 and the rotating shaft 1
The mounting table 19 includes a mounting table 19 attached to an upper portion of the mounting table 8 and a wafer holding unit 20 arranged on a peripheral portion of the mounting table 19. A cup 21 is provided on the outer periphery of the spin chuck 16.
A cleaning liquid supply device 22 is provided above the spin chuck 16 and supplies a cleaning liquid to the surface of the rotating wafer W mounted on the mounting table 19. In addition,
The cleaning liquid supply device 22 is connected to an appropriate moving means (not shown), and the cleaning liquid supply device 22 is rotated around the shaft 22a from the peripheral portion of the wafer W to the center by the moving means (not shown). It is formed freely. Therefore, the cleaning liquid supplied to the rotating wafer W from the nozzle 23 provided in the cleaning liquid supply device 22
Is supplied over the entire surface of the vehicle.

【0023】さらに,スピンチャック16の上方には載
置台19上に載置されて回転するウェハWの表面をスク
ラブ洗浄する表面スクラブ洗浄機25が備えられてい
る。この表面スクラブ洗浄機25の先端部にはブラシや
スポンジ等の洗浄部材26が取り付けられている。な
お,表面スクラブ洗浄機25には移動手段(図示せず)
が接続されており,この移動手段(図示せず)によって
表面スクラブ洗浄機25は洗浄液供給装置22と同様
に,軸25aを中心としてウェハWの周縁部から中心に
かけて回動自在に形成されている。また,表面スクラブ
洗浄機25が回動する間に,洗浄部材26が適宜のモー
タ(図示せず)によって回転するように形成されてい
る。従って,回転するウェハWの表面に付着したパーテ
ィクル等をこすり落として除去することができるように
構成されている。
Further, a surface scrub cleaner 25 for scrubbing the surface of the rotating wafer W mounted on the mounting table 19 is provided above the spin chuck 16. A cleaning member 26 such as a brush or a sponge is attached to the tip of the surface scrub cleaning machine 25. The surface scrub cleaner 25 has moving means (not shown).
The surface scrub cleaner 25 is formed to be rotatable around the shaft 25a from the peripheral portion of the wafer W to the center, similarly to the cleaning liquid supply device 22, by this moving means (not shown). . Further, the cleaning member 26 is formed so as to be rotated by an appropriate motor (not shown) while the surface scrub cleaner 25 rotates. Therefore, it is configured such that particles and the like adhering to the surface of the rotating wafer W can be scraped off and removed.

【0024】スクラバ洗浄装置14には反転装置15が
隣接して備えられている。この反転装置15は図4に示
すように,天板27,底板28と側板29,29によっ
て構成されたケーシング30を有し,天板27と底板2
8との間には仕切り板36が設けられている。
The reversing device 15 is provided adjacent to the scrubber cleaning device 14. As shown in FIG. 4, the reversing device 15 has a casing 30 composed of a top plate 27, a bottom plate 28, and side plates 29, 29.
A partition plate 36 is provided between the partition plate 8 and the partition plate 8.

【0025】ケーシング30内には仕切り板36を介し
て1組のウェハ反転機構37と基台38とが各々上下に
備えられている。各々上下に配置するウェハ反転機構3
7と基台38は略同一に構成されているために,以下の
説明では上側のウェハ反転機構37と基台38との構成
について説明する。
In the casing 30, a pair of wafer reversing mechanisms 37 and a base 38 are vertically provided via a partition plate 36, respectively. Wafer reversing mechanism 3 arranged vertically
7 and the base 38 are substantially the same, so the following description will be made on the structure of the upper wafer reversing mechanism 37 and the base 38.

【0026】ウェハ反転機構37は,ウェハWを把持す
る左右対称の把持機構41,42と各把持機構41,4
2を駆動する駆動装置43とから構成されており,取り
付け部材44上に取り付けられている。駆動装置43に
はモータ(図示せず)が内蔵されており,このモータ
(図示せず)の駆動によって各把持機構41,42は水
平方向に離隔接近自在となり,回動自在となるように構
成されている。
The wafer reversing mechanism 37 includes left and right symmetrical gripping mechanisms 41 and 42 for gripping the wafer W and the respective gripping mechanisms 41 and 4.
2 and is mounted on a mounting member 44. The driving device 43 has a built-in motor (not shown). By driving the motor (not shown), the gripping mechanisms 41 and 42 can be separated and approached in the horizontal direction, and can be freely rotated. Have been.

【0027】各把持機構41,42の先端部には図5に
示すように,把持部材50,50が取り付けられてお
り,各把持部材50の側面にはウェハWの周縁部が挿入
される円弧状の挿入溝51が形成されている。従って,
各把持機構41,42が互いに接近する方向に水平移動
することにより,昇降部材47の上面に支持されたウェ
ハWの周縁部が挿入溝51に挿入される。
As shown in FIG. 5, gripping members 50, 50 are attached to the distal ends of the gripping mechanisms 41, 42, and the peripheral edge of the wafer W is inserted into the side surface of each gripping member 50. An arc-shaped insertion groove 51 is formed. Therefore,
As the gripping mechanisms 41 and 42 move horizontally in a direction approaching each other, the peripheral portion of the wafer W supported on the upper surface of the elevating member 47 is inserted into the insertion groove 51.

【0028】一方,基台38の外周部には例えば6本の
支持ピン46がウェハWの裏面を支持するために備えら
れている。また,基台38にはモータ(図示せず)の駆
動により上下動する昇降部材47が備えられている。昇
降部材47の上面は支持ピン46に支持されたウェハW
を水平に支持可能な形状に形成されている。従って,ウ
ェハWは昇降部材47の上下動によって昇降可能となる
ように構成されている。
On the other hand, for example, six support pins 46 are provided on the outer peripheral portion of the base 38 to support the back surface of the wafer W. The base 38 is provided with an elevating member 47 that moves up and down by driving a motor (not shown). The upper surface of the elevating member 47 has a wafer W supported by the support pins 46.
Is formed in a shape capable of supporting horizontally. Therefore, the wafer W is configured to be able to move up and down by the vertical movement of the elevating member 47.

【0029】支持ピン46の上部には図6に示すよう
に,傾斜部52が設けられており,この傾斜部52にウ
ェハWの周縁部が支持されるように構成されている。こ
のように反転装置15内におけるウェハWの受け渡しは
全て,ウェハWの周縁部を介して行われるように構成さ
れている。
As shown in FIG. 6, an inclined portion 52 is provided above the support pin 46, and the peripheral portion of the wafer W is supported by the inclined portion 52. Thus, the delivery of the wafer W in the reversing device 15 is all performed via the peripheral portion of the wafer W.

【0030】スクラバ洗浄装置14及び反転装置15は
以上のように構成されている。次に,このスクラバ洗浄
装置14等の各種処理装置に対してウェハWを搬入出す
る主搬送装置の構成について説明する。この主搬送装置
3には図7に示すように,例えば3本のピンセット6
0,61,62が搬送基台(図示せず)上に備えられて
いる。保持部材としてのこれらのピンセット60,6
1,62は,いずれも搬送基台(図示せず)に内蔵され
た駆動モータ(図示せず)等によって図7中の往復矢印
で示した前後方向の移動が自在となるように構成されて
いる。
The scrubber cleaning device 14 and the reversing device 15 are configured as described above. Next, a description will be given of a configuration of a main transfer device that loads and unloads wafers W from and to various processing devices such as the scrubber cleaning device 14. As shown in FIG. 7, for example, three tweezers 6
Reference numerals 0, 61, and 62 are provided on a transport base (not shown). These tweezers 60, 6 as holding members
Each of the reference numerals 1 and 62 is configured to be freely movable in a front-rear direction indicated by a reciprocating arrow in FIG. 7 by a drive motor (not shown) or the like built in a transfer base (not shown). I have.

【0031】これらのピンセット60,61,62の
内,最上部のピンセット60は図7及び図8に示したよ
うに,ウェハWを保持するための略3/4円環状の保持
部64と,この保持部64の中央部と一体的に成形され
ると共に,保持部64に接続する支持部65とによって
構成されている。そして,支持部65は接続部材66を
介して搬送基台(図示せず)に接続されている。
Of these tweezers 60, 61 and 62, the uppermost tweezer 60 has a substantially 3/4 annular holding portion 64 for holding the wafer W, as shown in FIGS. The holding portion 64 is formed integrally with a central portion thereof, and is constituted by a supporting portion 65 connected to the holding portion 64. The support 65 is connected to a transfer base (not shown) via a connection member 66.

【0032】ピンセット60の保持部64にはウェハW
の周縁部を直接支持すると共に,互いに略同一に形成さ
れた3個の支持部材70が備えられている。各支持部材
70は図9に示すように,上記保持部64と支持部材7
0とを固定するためのネジ穴71が例えば2個穿設され
た上面72と,この上面72に連設されかつウェハWを
滑降させる傾斜面73と,ウェハWの周縁部を支持する
ウェハ周縁支持部74,ウェハWの落下を防止する落下
防止部75より構成されている。
The holding portion 64 of the tweezers 60 has a wafer W
And three supporting members 70 which are formed to be substantially the same as each other and to directly support the peripheral edge portion. As shown in FIG. 9, each support member 70 is provided with the holding portion 64 and the support member 7.
0, for example, two screw holes 71 are drilled, an inclined surface 73 connected to the upper surface 72 and sliding down the wafer W, and a peripheral edge of the wafer W supporting the peripheral portion of the wafer W. The support unit 74 includes a fall prevention unit 75 that prevents the wafer W from falling.

【0033】ピンセット61,62は図10に示すよう
に,略3/4円環状の保持部77と,保持部77に接続
する支持部78とによって構成されている。この保持部
77にはウェハWの裏面を支持すると共に,互いに略同
一に形成された3個の支持部材80が備えられている。
支持部材80は図11に示すように,保持部77と支持
部材80とを固定するためのネジ穴81が例えば2個穿
設された上面82と,ウェハWと周縁部に接し,かつウ
ェハWを滑り落とすための傾斜面83と,ウェハWの周
縁部が接触しない側壁84と,ウェハWの裏面を直接支
持するウェハ支持部85とを有している。
As shown in FIG. 10, each of the tweezers 61 and 62 comprises a substantially / annular holding portion 77 and a supporting portion 78 connected to the holding portion 77. The holding portion 77 is provided with three support members 80 that support the rear surface of the wafer W and are formed substantially identical to each other.
As shown in FIG. 11, the support member 80 is in contact with an upper surface 82 in which, for example, two screw holes 81 for fixing the holding portion 77 and the support member 80 are formed, a wafer W and a peripheral portion thereof, and The wafer W has an inclined surface 83 for sliding down the wafer W, a side wall 84 with which the peripheral portion of the wafer W does not contact, and a wafer supporting portion 85 for directly supporting the back surface of the wafer W.

【0034】なお,これらのピンセット60,61,6
2の前進,後退動作は,制御装置(図示せず)によって
コントロールされており,一のピンセットの後退中に他
のピンセットを前進させることができるように構成され
ている。さらに,この制御装置(図示せず)により,ピ
ンセット60により周縁部が保持されたウェハWを搬送
するときの搬送速度は,ピンセット61,62により裏
面が保持されたウェハWを搬送するときの搬送速度より
も遅くなるように設定されている。
The tweezers 60, 61, 6
The forward and backward operations of the second tweezers are controlled by a control device (not shown), and are configured so that another tweezer can be advanced while one tweezer is being retracted. Further, by this control device (not shown), the transfer speed when transferring the wafer W whose peripheral portion is held by the tweezers 60 is set to the transfer speed when transferring the wafer W whose back surface is held by the tweezers 61 and 62. It is set to be slower than the speed.

【0035】本発明の実施の形態にかかる主搬送装置3
は以上のように構成されている。次に,この主搬送装置
3の動作,作用について説明する。
Main transfer device 3 according to the embodiment of the present invention
Is configured as described above. Next, the operation and operation of the main transport device 3 will be described.

【0036】塗布現像処理装置1のカセットステーショ
ン2に載置されたカセットCから搬送機構4によって未
処理のウェハWが1枚搬出されると,このウェハWは主
搬送装置3のピンセット62に保持されると共に,位置
合わせが行われる。そして,ピンセット62に保持され
たウェハWは裏面洗浄装置13内に搬入される。この裏
面洗浄装置13において所定の裏面洗浄処理が終了した
ウェハWは,再びピンセット62に保持され,主搬送装
置3によってスクラバ洗浄装置14に搬送されると共
に,ピンセット62によってスクラバ洗浄装置14内に
搬入される。
When one unprocessed wafer W is unloaded from the cassette C mounted on the cassette station 2 of the coating and developing treatment apparatus 1 by the transfer mechanism 4, the wafer W is held by the tweezers 62 of the main transfer apparatus 3. And alignment is performed. Then, the wafer W held by the tweezers 62 is carried into the back surface cleaning device 13. The wafer W that has been subjected to the predetermined back surface cleaning processing in the back surface cleaning device 13 is again held by the tweezers 62, transported to the scrubber cleaning device 14 by the main transfer device 3, and carried into the scrubber cleaning device 14 by the tweezers 62. Is done.

【0037】ピンセット62に保持されたウェハWは図
12に示すように,ウェハWの裏面がウェハ支持部85
により直接支持されている。この時,デバイスが形成さ
れるデバイス形成面Waは上側を,デバイス非形成面Wb
は下側を夫々向いている。
As shown in FIG. 12, the wafer W held by the tweezers 62 is
Directly supported by At this time, the device forming surface W a which the device is formed an upper, a device-forming surface W b
Are facing down.

【0038】スクラバ洗浄装置14内に搬入されたウェ
ハWは,ウェハ保持部20に保持され,モータ17の駆
動によってその後載置台19と共に回転する。そして,
洗浄液供給装置22のノズル23から回転するウェハW
に対して洗浄液が供給された後に,ウェハWのデバイス
形成面Waに対するスクラブ洗浄が行われる。
The wafer W carried into the scrubber cleaning device 14 is held by the wafer holding unit 20 and then rotated together with the mounting table 19 by driving the motor 17. And
Wafer W rotating from nozzle 23 of cleaning liquid supply device 22
After the cleaning liquid has been supplied, the scrub cleaning for the device forming surface W a of the wafer W are made to.

【0039】デバイス形成面Waのスクラブ洗浄処理が
終了したウェハWは,ピンセット62に保持された後に
主搬送装置3によって反転装置15に搬送され,反転装
置15下側の基台38に備えられた支持ピン46に支持
される。次いで,このウェハWを昇降部材47により上
昇させた後に各把持機構41,42を互いに接近させ
る。そして,各把持機構41,42にウェハWの周縁部
を把持させた後,これらの把持機構41,42を回動さ
せて,ウェハWを反転させる。この反転により,ウェハ
Wのデバイス形成面Waは下側を向くようになる。
The wafer W which the scrubbing device forming surface W a is completed, is conveyed to the reversing device 15 by the main carrier unit 3 after being held in forceps 62, provided in the base 38 of the reversing device 15 below the Supported by the supporting pins 46. Next, after the wafer W is lifted by the lifting member 47, the gripping mechanisms 41 and 42 are moved closer to each other. Then, after the gripping mechanisms 41 and 42 grip the peripheral portion of the wafer W, the gripping mechanisms 41 and 42 are rotated to invert the wafer W. This reversal, device formation surface W a of the wafer W comes to face downward.

【0040】次いで,各把持機構41,42を互いに離
隔させることにより,反転したウェハWを昇降部材47
上に支持させる。そして,昇降部材47と共にウェハW
を下降させて下側の基台38に備えられた支持ピン46
に支持させる。その後,図13に示すように,ウェハW
の周縁部を保持するピンセット60にこのウェハWを保
持させた状態でスクラバ洗浄装置14に搬送し,上側を
向いたデバイス非形成面Wbに対する所定のスクラブ洗
浄,即ちいわゆる裏面洗浄を施す。
Next, the gripping mechanisms 41 and 42 are separated from each other so that the inverted wafer W
Support on top. Then, the wafer W is moved together with the lifting member 47.
To lower the support pins 46 provided on the lower base 38.
To support. Thereafter, as shown in FIG.
The peripheral portion is conveyed to the scrubber cleaning apparatus 14 in a state of being held with the wafer W to the tweezers 60 for holding a predetermined scrubbing against the device-forming surface W b facing upward, i.e. the so-called back surface cleaning performed.

【0041】上側を向いたデバイス非形成面Wbに対す
る上記スクラブ洗浄が終了した後は,このウェハWをピ
ンセット60に保持させた状態でスクラバ洗浄装置14
から搬出する。そして,このウェハWを上側の基台38
に備えられた支持ピン46上に支持させた後,昇降部材
47の上昇により把持機構41,42に把持させてこれ
を反転させる。なお,この時点でウェハWには上下に各
々配置した把持機構41,42による1回ずつの反転操
作により,ウェハWのデバイス形成面Waは上側を向い
た状態になっている。
[0041] After the above scrubbing relative to the upper device-forming surface W b facing is completed, scrubber cleaning apparatus in a state of being held with the wafer W to the tweezers 60 14
Remove from Then, the wafer W is transferred to the upper base 38.
After being supported on the support pins 46 provided in the above, the lifting mechanisms 47 are lifted to be gripped by the gripping mechanisms 41 and 42 and inverted. Note that, by reversing the operation of the wafer W once by gripping mechanism 41 and 42 respectively disposed above and below at this point, the device forming surface W a of the wafer W is in a state of facing upward.

【0042】その後,このウェハWを昇降部材47に受
け渡した後に昇降部材47を下降させて,上側の基台3
8に備えられた支持ピン46上にウェハWを支持させ
る。次いで,両面のスクラブ洗浄が終了したウェハW
は,上側の基台38からピンセット62に保持された状
態で搬出される。そして,次の疎水化処理装置8に搬送
され,ピンセット62を介して疎水化処理装置8内に搬
入される。
Then, after transferring the wafer W to the elevating member 47, the elevating member 47 is lowered and the upper base 3
The wafer W is supported on the support pins 46 provided on the wafer 8. Next, the wafer W having been subjected to the scrub cleaning on both sides is completed.
Is carried out from the upper base 38 while being held by the tweezers 62. Then, it is conveyed to the next hydrophobizing apparatus 8 and carried into the hydrophobizing apparatus 8 via tweezers 62.

【0043】本実施の形態では,ウェハWのデバイス形
成面Waの向きに応じて,ウェハWの周縁部を保持する
ピンセット60と,ウェハWの裏面を保持するピンセッ
ト62とを使い分けることができる。そして,ウェハW
のデバイス形成面Waが下側を向いた際にはピンセット
62ではなくピンセット60により保持するために,下
側を向いたデバイス形成面Waがウェハ支持部85と接
触しない。従って,デバイス形成面Waの汚染が防止さ
れる。
[0043] In this embodiment mode can be used depending on the orientation of the device formation surface W a of the wafer W, the tweezers 60 for holding the peripheral portion of the wafer W, and a forceps 62 for holding a rear surface of the wafer W . And the wafer W
When the device formation surface W a is facing the lower in order to hold the tweezers 60 instead tweezers 62, the device forming surface W a facing lower is not in contact with the wafer support 85. Thus, contamination of the device formation surface W a is prevented.

【0044】また本実施の形態では制御装置(図示せ
ず)により,ウェハWをピンセット60に保持させた状
態で搬送する際の搬送速度を,ピンセット61またはピ
ンセット62にウェハWを保持させた状態で搬送する際
の搬送速度よりも遅くすることができる。従って,ウェ
ハWの搬送をより静粛に行うことが可能となる。
In the present embodiment, the transfer speed when the wafer W is transferred while being held by the tweezers 60 is controlled by a control device (not shown) in a state where the wafer W is held by the tweezers 61 or 62. Can be made slower than the transport speed at the time of transport. Therefore, the wafer W can be transported more quietly.

【0045】疎水化処理装置8において所定の疎水化処
理が終了したウェハWはピンセット62に搬出され,主
搬送装置3によって次の冷却処理装置9に搬送される。
The wafer W that has been subjected to the predetermined hydrophobic treatment in the hydrophobic treatment device 8 is carried out to the tweezers 62 and is transferred by the main transfer device 3 to the next cooling treatment device 9.

【0046】冷却処理装置9において所定の冷却処理が
終了したウェハWはピンセット61によって搬出され,
主搬送装置3によってレジスト塗布装置11に搬送され
ると共に,デバイス形成面Waに対するレジスト液の供
給が行われる。かかるレジスト液の供給によって所定の
レジスト塗布処理が終了したウェハWは,ピンセット6
1によって搬出される。
The wafer W which has been subjected to the predetermined cooling processing in the cooling processing apparatus 9 is carried out by the tweezers 61,
While it is transported by the main transport apparatus 3 to the resist coating unit 11, the supply of the resist solution to the device forming surface W a is performed. The wafer W on which the predetermined resist coating process has been completed by the supply of the resist solution is placed in a pair of tweezers 6.
1 is carried out.

【0047】上記レジスト塗布装置11では,均一な厚
さのレジスト膜を形成するために,レジスト液は回転す
るウェハWに対して供給される。このようなスピンコー
ティングにより,ウェハWの周縁部近傍のレジスト液が
図14に示すように,外側にはみ出す場合がある。
In the resist coating apparatus 11, a resist solution is supplied to the rotating wafer W in order to form a resist film having a uniform thickness. Due to such spin coating, the resist liquid in the vicinity of the periphery of the wafer W may protrude outward as shown in FIG.

【0048】しかしながら,本実施の形態ではピンセッ
ト60とピンセット61との使い分けができるため,デ
バイス形成面Waが上側を向く際には,ピンセット60
ではなくピンセット61によってウェハWの裏面を保持
することができる。このように,ピンセット61がウェ
ハWの裏面を保持するために,ウェハWの周縁部近傍か
らはみ出したレジスト液が支持部材80に付着せず,支
持部材80の汚染を防止することが可能となる。
[0048] However, since in this embodiment it is selectively used with the tweezers 60 and the tweezers 61, when the device formation surface W a is directed upward, the tweezers 60
Instead, the back surface of the wafer W can be held by the tweezers 61. As described above, since the tweezers 61 hold the back surface of the wafer W, the resist liquid protruding from the vicinity of the peripheral edge of the wafer W does not adhere to the support member 80, so that the contamination of the support member 80 can be prevented. .

【0049】その後,レジスト塗布処理が終了したウェ
ハWは,主搬送装置3により加熱装置10や現像処理装
置12等に搬送され,各所定の処理が施される。
Thereafter, the wafer W after the completion of the resist coating process is transferred by the main transfer device 3 to the heating device 10 and the development processing device 12, and is subjected to each predetermined process.

【0050】なお,本実施の形態にかかる主搬送装置に
は,ウェハWの周縁部を支持する1本のピンセットと,
ウェハWの裏面を支持する2本のピンセットが備えられ
た例を挙げて説明したが,本発明はこのような例には限
定されず,例えばウェハWの周縁部を支持する2本のピ
ンセットと,ウェハWの裏面を支持する1本のピンセッ
トとを主搬送装置に装備するようにしてもよい。
The main transfer device according to the present embodiment includes one set of tweezers for supporting the peripheral portion of the wafer W,
Although an example in which two tweezers are provided to support the back surface of the wafer W has been described, the present invention is not limited to such an example. For example, two tweezers supporting the peripheral portion of the wafer W may be used. , And one tweezer for supporting the back surface of the wafer W may be provided in the main transfer device.

【0051】また,ウェハWを周縁で支持するピンセッ
ト60を最上部に,ウェハWを裏面で支持するピンセッ
ト61,62を下側に配置した例を挙げて説明したが,
主搬送装置3内においてピンセット60,61,62の
配置の順番を適宜変化させるようにしてもよい。さら
に,基板としてウェハを使用する例を挙げて説明した
が,本発明はかかる例には限定されず,例えばLCD基
板を使用する場合にも有効に適用可能である。
The tweezers 60 for supporting the wafer W at the peripheral edge are arranged at the top, and the tweezers 61 and 62 for supporting the wafer W at the back are arranged at the bottom.
The order of arrangement of the tweezers 60, 61, and 62 in the main transfer device 3 may be changed as appropriate. Furthermore, although an example in which a wafer is used as a substrate has been described, the present invention is not limited to such an example, and can be effectively applied to, for example, a case where an LCD substrate is used.

【0052】[0052]

【発明の効果】請求項1〜4に記載の発明によれば,基
板の周縁部を支持する保持部材と基板の裏面を支持する
保持部材との使い分けにより,基板のデバイス形成面が
下側を向いている場合には基板の周縁部を保持する保持
部材により当該基板を保持することができる。従って,
デバイス形成面の汚染を防止することが可能となり,歩
留まりの低下を防止することが可能となる。
According to the first to fourth aspects of the present invention, the device forming surface of the substrate is directed downward by using a holding member for supporting the peripheral portion of the substrate and a holding member for supporting the back surface of the substrate. When facing, the substrate can be held by a holding member that holds the peripheral edge of the substrate. Therefore,
It is possible to prevent contamination of the device formation surface, and to prevent a decrease in yield.

【0053】特に請求項2,3に記載の発明によれば,
デバイス形成面に処理液の塗布膜が形成されている場合
には,基板の裏面を保持する保持部材が当該基板を保持
するために,この処理液が保持部材に付着しない。この
ため,保持部材の汚染を防止することができ,歩留まり
の向上が図れる。特に請求項3に記載の発明によれば,
レジスト液による保持部材の汚染を防止することが可能
となる。
In particular, according to the second and third aspects of the present invention,
When a coating film of the processing liquid is formed on the device forming surface, the processing liquid does not adhere to the holding member because the holding member holding the back surface of the substrate holds the substrate. Therefore, contamination of the holding member can be prevented, and the yield can be improved. In particular, according to the invention described in claim 3,
It is possible to prevent the holding member from being contaminated by the resist solution.

【0054】特に請求項4に記載の発明によれば,基板
の搬送をより静粛に行うことが可能となる。
In particular, according to the fourth aspect of the present invention, the substrate can be more quietly transferred.

【0055】特に請求項5に記載の発明によれば,搬送
装置に備えられた保持部材をデバイス形成面の向きに応
じて使い分けることができる。従って,請求項1に記載
の方法を好適に実施することが可能となり,デバイス形
成面の汚染を効果的に防止することが可能となる。
In particular, according to the fifth aspect of the present invention, the holding member provided in the transfer device can be properly used according to the direction of the device forming surface. Therefore, the method according to claim 1 can be suitably performed, and contamination of the device formation surface can be effectively prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態にかかる主搬送装置を備え
た塗布現像処理装置の外観を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of a coating and developing apparatus provided with a main transport device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の塗布現像処理装置内に備えられたスクラ
バ洗浄装置の構成を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a scrubber cleaning device provided in the coating and developing apparatus of FIG.

【図3】図2のスクラバ洗浄装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the scrubber cleaning device of FIG. 2;

【図4】図1の塗布現像処理装置内に備えられた反転装
置の斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view of a reversing device provided in the coating and developing apparatus of FIG. 1;

【図5】図4の反転装置内に形成された把持機構及び把
持部材の外観を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing the appearance of a gripping mechanism and a gripping member formed in the reversing device of FIG. 4;

【図6】図4の反転装置に備えられたウェハ保持機構内
に形成された支持ピンの外観を示す斜視図である。
6 is a perspective view showing the appearance of support pins formed in a wafer holding mechanism provided in the reversing device of FIG. 4;

【図7】実施の形態にかかる主搬送装置の斜視図であ
る。
FIG. 7 is a perspective view of the main transfer device according to the embodiment;

【図8】ウェハの周縁部を保持可能なピンセットの平面
図である。
FIG. 8 is a plan view of tweezers capable of holding a peripheral portion of a wafer.

【図9】図8のピンセットに備えられた支持部材の斜視
図である。
FIG. 9 is a perspective view of a support member provided in the tweezers of FIG. 8;

【図10】ウェハの裏面を保持可能なピンセットの平面
図である。
FIG. 10 is a plan view of a pair of tweezers capable of holding a back surface of a wafer.

【図11】図10のピンセットに備えられた支持部材の
斜視図である。
FIG. 11 is a perspective view of a support member provided in the tweezers of FIG. 10;

【図12】図10のピンセットにウェハの裏面が保持さ
れた様子をあらわす断面図である。
12 is a cross-sectional view illustrating a state where the back surface of the wafer is held by the tweezers of FIG. 10;

【図13】図8のピンセットにウェハの周縁部が保持さ
れた様子を表す断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a state where a peripheral portion of a wafer is held by the tweezers of FIG. 8;

【図14】図10のピンセットに保持されたウェハにレ
ジスト液等が供給された様子を表す断面図である。
14 is a cross-sectional view illustrating a state where a resist solution or the like is supplied to the wafer held by the tweezers in FIG. 10;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 塗布現像処理装置 3 主搬送装置 14 スクラバ洗浄装置 15 反転装置 25 表面スクラブ洗浄機 37 ウェハ反転機構 38 基台 41,42 把持機構 50 把持部材 60,61,62 ピンセット 70,80 支持部材 74 ウェハ周縁支持部 85 ウェハ支持部 C カセット W ウェハ REFERENCE SIGNS LIST 1 coating / developing apparatus 3 main transport apparatus 14 scrubber cleaning apparatus 15 reversing apparatus 25 surface scrub cleaning machine 37 wafer reversing mechanism 38 base 41, 42 gripping mechanism 50 gripping member 60, 61, 62 tweezers 70, 80 support member 74 wafer periphery Support 85 Wafer support C Cassette W Wafer

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 保持部材によって基板を保持した状態で
当該基板を搬送する搬送方法において,基板のデバイス
形成面が下側を向いた際には,基板の周縁部を保持する
保持部材により当該基板を保持し,基板のデバイス形成
面が上側を向いた際には,基板の裏面を保持する保持部
材により当該基板を保持することを特徴とする,搬送方
法。
In a transfer method for transferring a substrate while holding the substrate by a holding member, when the device formation surface of the substrate faces downward, the holding member for holding a peripheral portion of the substrate is used to hold the substrate. And a holding member for holding the back surface of the substrate when the device forming surface of the substrate faces upward.
【請求項2】 基板を保持する保持部材により当該基板
を搬送する搬送方法において,基板のデバイス形成面が
下側を向いた際には,基板の周縁部を保持する保持部材
により当該基板を保持し,基板のデバイス形成面が上側
を向きかつ,当該基板のデバイス形成面に処理液の塗布
膜が形成されている際には,基板の裏面を保持する保持
部材により当該基板を保持することを特徴とする,搬送
方法。
2. A transfer method for transferring a substrate by a holding member for holding the substrate, wherein when the device forming surface of the substrate faces downward, the substrate is held by a holding member for holding a peripheral portion of the substrate. When the device forming surface of the substrate faces upward and a coating film of the processing liquid is formed on the device forming surface of the substrate, it is necessary to hold the substrate by a holding member that holds the back surface of the substrate. Characteristic, transport method.
【請求項3】 基板のデバイス形成面にレジスト液によ
る塗布膜が形成されている場合には,基板の裏面を保持
する保持部材により当該基板を保持することを特徴とす
る,請求項2に記載の搬送方法。
3. The substrate according to claim 2, wherein when a coating film made of a resist liquid is formed on a device forming surface of the substrate, the substrate is held by a holding member that holds a back surface of the substrate. Transportation method.
【請求項4】 基板の周縁部を保持した状態で当該基板
を搬送する際の搬送速度は,基板の裏面を保持した状態
で当該基板を搬送する際の搬送速度よりも遅く設定する
ことを特徴とする,請求項1,2または3に記載の搬送
方法。
4. A transfer speed when transferring the substrate while holding the peripheral portion of the substrate is set to be lower than a transfer speed when transferring the substrate while holding the back surface of the substrate. The transport method according to claim 1, 2, or 3.
【請求項5】 基板を保持する2以上の保持部材を備え
た搬送装置において,基板の周縁部を支持可能な支持部
材を備えた保持部材と,基板の裏面を支持可能な支持部
材を備えた保持部材とを備えたことを特徴とする,搬送
装置。
5. A transfer device having two or more holding members for holding a substrate, the holding device having a support member capable of supporting a peripheral portion of the substrate, and the support member capable of supporting a back surface of the substrate. A transfer device comprising a holding member.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013042175A (en) * 2012-11-13 2013-02-28 Tokyo Electron Ltd Substrate holding member, substrate transfer arm, and substrate transfer apparatus
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KR20170060575A (en) * 2015-11-24 2017-06-01 히라따기꼬오 가부시키가이샤 Hand member and hand
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