JP2000332348A - モード同期半導体レーザ - Google Patents
モード同期半導体レーザInfo
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- JP2000332348A JP2000332348A JP11142684A JP14268499A JP2000332348A JP 2000332348 A JP2000332348 A JP 2000332348A JP 11142684 A JP11142684 A JP 11142684A JP 14268499 A JP14268499 A JP 14268499A JP 2000332348 A JP2000332348 A JP 2000332348A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0612—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by temperature
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0657—Mode locking, i.e. generation of pulses at a frequency corresponding to a roundtrip in the cavity
Abstract
(57)【要約】
【課題】 長期にわたって安定した超短光パルス列を発
生するモード同期半導体レーザを実現する。 【解決手段】 可飽和吸収体１３には、逆バイアス電圧
源１８及び変調電圧源１９から逆バイアス電圧と基準周
波数の変調信号が印加され、ハイブリッドモード同期で
動作し、基準周波数に対応する周波数の超短光パルス列
を発生する。ここで、熱等の擾乱によって共振器の光学
長が変化した場合には、位相比較器３１が、Ｏ／Ｅ変換
器２９の出力する電気信号Ｓ２９と変調信号の位相差か
ら、超短光パルス列の周波数と基準周波数の周波ずれを
検出し、該検出結果に基づき可変抵抗２４の抵抗値を変
化させ、周波数ずれを無くすように抵抗加熱膜２２の注
入電流を制御する。これにより、共振器の光学長が調整
され、周波数ずれが抑制される。
生するモード同期半導体レーザを実現する。 【解決手段】 可飽和吸収体１３には、逆バイアス電圧
源１８及び変調電圧源１９から逆バイアス電圧と基準周
波数の変調信号が印加され、ハイブリッドモード同期で
動作し、基準周波数に対応する周波数の超短光パルス列
を発生する。ここで、熱等の擾乱によって共振器の光学
長が変化した場合には、位相比較器３１が、Ｏ／Ｅ変換
器２９の出力する電気信号Ｓ２９と変調信号の位相差か
ら、超短光パルス列の周波数と基準周波数の周波ずれを
検出し、該検出結果に基づき可変抵抗２４の抵抗値を変
化させ、周波数ずれを無くすように抵抗加熱膜２２の注
入電流を制御する。これにより、共振器の光学長が調整
され、周波数ずれが抑制される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、長距離大容量光ファイ
バ通信等に用いられて超短光パルス列を発生するモード
同期半導体レーザ装置に関するものである。
バ通信等に用いられて超短光パルス列を発生するモード
同期半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば次の文献に記載されたものがある。 文献１；ELECTORONICS LETTERS ３１［１０］（１９９
５−５−１１）A.Asahira and Y.ogawa “Passive and
Hybrid Modelocking in A Multielectrode DBR Laser w
ith TWO Gain Sections ”P.808-809 文献２；第５９回応用物理学会学術講演会予稿集、秋期
０分冊、（１９９８）吉田、中沢著“ソリトンファイバ
レーザによる高速超短パルスの発生”P.10
例えば次の文献に記載されたものがある。 文献１；ELECTORONICS LETTERS ３１［１０］（１９９
５−５−１１）A.Asahira and Y.ogawa “Passive and
Hybrid Modelocking in A Multielectrode DBR Laser w
ith TWO Gain Sections ”P.808-809 文献２；第５９回応用物理学会学術講演会予稿集、秋期
０分冊、（１９９８）吉田、中沢著“ソリトンファイバ
レーザによる高速超短パルスの発生”P.10
【０００３】従来の超短光パルス列を発生する方法の１
つとして、モード同期法が知られている。このモード同
期法は、縦多モードで発振している光の各縦モードの位
相を同期させることにより、光パルス列を得る方法であ
る。縦モードの位相を同期させてモード同期をさせるた
めには、共振器の構成を持ち、共振器内の利得或いは損
失を、その共振器長で決まる周回周波数或いはその整数
倍と一致した周波数（以下、これらの周波数をモード同
期周波数と呼ぶ）で変調する必要がある。モード同期法
の１形態として、可飽和吸収体にモード同期周波数とほ
ぼ一致した周波数の変調電圧を印加するハイブリッドモ
ード同期法がある。この方法によれば、可飽和吸収体に
よるパルス幅圧縮効果と、変調電圧の印加による時間ジ
ッタの低減効果とを同時に生じさせることができ、時間
ジッタの小さい超短光パルス列の発生が可能になる。前
記文献１には、可過飽吸収体、利得領域、回折格子を集
積化した半導体レーザを用い、可飽和吸収体への逆バイ
アス電圧を周回周波数（８．６８ＧＨｚ）で変調して印
加することにより、パルス幅が８．３ｐｓ及び時間ジッ
タが０．２ｐｓの低時間ジッタの超短光パルス列の発生
に成功している。
つとして、モード同期法が知られている。このモード同
期法は、縦多モードで発振している光の各縦モードの位
相を同期させることにより、光パルス列を得る方法であ
る。縦モードの位相を同期させてモード同期をさせるた
めには、共振器の構成を持ち、共振器内の利得或いは損
失を、その共振器長で決まる周回周波数或いはその整数
倍と一致した周波数（以下、これらの周波数をモード同
期周波数と呼ぶ）で変調する必要がある。モード同期法
の１形態として、可飽和吸収体にモード同期周波数とほ
ぼ一致した周波数の変調電圧を印加するハイブリッドモ
ード同期法がある。この方法によれば、可飽和吸収体に
よるパルス幅圧縮効果と、変調電圧の印加による時間ジ
ッタの低減効果とを同時に生じさせることができ、時間
ジッタの小さい超短光パルス列の発生が可能になる。前
記文献１には、可過飽吸収体、利得領域、回折格子を集
積化した半導体レーザを用い、可飽和吸収体への逆バイ
アス電圧を周回周波数（８．６８ＧＨｚ）で変調して印
加することにより、パルス幅が８．３ｐｓ及び時間ジッ
タが０．２ｐｓの低時間ジッタの超短光パルス列の発生
に成功している。
【０００４】モード同期周波数は、レーザを構成する共
振器の光学長によって決定されるため、外部から熱等の
擾乱によって共振器の光学長が変化することにより、変
動することがある。このようなモード同期周波数の変動
は、例えば光通信システムの受信側での信号識別誤りの
原因となるので、好ましくない。前記文献２には、ファ
イバレーザ型の再生モード同期レーザが記載されてい
る。この再生モード同期レーザでは、ＰＬＬ（Phase Lo
cked Loop)を採用し、シンセサイザ等の基準周波数発生
器からの周波数との周波数ずれを検知し、その周波数ず
れを修正するように共振器長に相当するファイバループ
長を微整することにより、長時間にわたってモード同期
周波数が変化しない安定したファイバレーザ型の同期レ
ーザの提供を可能にしている。
振器の光学長によって決定されるため、外部から熱等の
擾乱によって共振器の光学長が変化することにより、変
動することがある。このようなモード同期周波数の変動
は、例えば光通信システムの受信側での信号識別誤りの
原因となるので、好ましくない。前記文献２には、ファ
イバレーザ型の再生モード同期レーザが記載されてい
る。この再生モード同期レーザでは、ＰＬＬ（Phase Lo
cked Loop)を採用し、シンセサイザ等の基準周波数発生
器からの周波数との周波数ずれを検知し、その周波数ず
れを修正するように共振器長に相当するファイバループ
長を微整することにより、長時間にわたってモード同期
周波数が変化しない安定したファイバレーザ型の同期レ
ーザの提供を可能にしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】光通信や光情報処理の
光源として期待される半導体レーザには、前述のよう
に、低時間ジッタで超短光パルス列を発生することが要
求されるばかりでなく、熱の擾乱等に対して耐性を持
ち、長時間にわたって安定した超短光パルス列を出力す
ることが課題となっている。
光源として期待される半導体レーザには、前述のよう
に、低時間ジッタで超短光パルス列を発生することが要
求されるばかりでなく、熱の擾乱等に対して耐性を持
ち、長時間にわたって安定した超短光パルス列を出力す
ることが課題となっている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のうちの第１の発明は、基準周波数の変調信
号が印加される活性導波路が形成されると共に発振光に
対して透明な受動導波路が形成され、かつ、該受動導波
路の上部には、注入電流に基づくジュール熱を発生して
該受動導波路の屈折率を変化させて光学長を変化させる
抵抗加熱膜が形成された光共振器であって、該基準周波
数に対応する周波数の超短光パルス列を発生するモード
同期半導体レーザにおいて、次のような構成にしてい
る。即ち、前記超短光パルス列を電気信号に変換する光
／電気変換器と、前記電気信号及び前記変調信号の位相
を比較し、これらの位相差から前記超短光パルス列及び
前記基準周波数の周波数のずれを検出する位相比較器と
を備え、前記位相比較器が検出した周波数のずれをなく
すように前記抵抗加熱膜の注入電流を変化させるように
している。このような構成を採用したことにより、モー
ド同期半導体レーザは、ハイブリッドモード同期で動作
し、基準周波数に対応する周波数の超短光パルス列を発
生する。ここで、熱等の擾乱によって共振器の光学長が
変化した場合には、位相比較器が、光／電気変換器の出
力する電気信号と変調信号の位相差から超短光パルス列
の周波数と基準周波数の周波ずれを検出し、この周波数
ずれを無くすように抵抗加熱膜の注入電流が制御され
る。つまり、光学長が調整される。
に、本発明のうちの第１の発明は、基準周波数の変調信
号が印加される活性導波路が形成されると共に発振光に
対して透明な受動導波路が形成され、かつ、該受動導波
路の上部には、注入電流に基づくジュール熱を発生して
該受動導波路の屈折率を変化させて光学長を変化させる
抵抗加熱膜が形成された光共振器であって、該基準周波
数に対応する周波数の超短光パルス列を発生するモード
同期半導体レーザにおいて、次のような構成にしてい
る。即ち、前記超短光パルス列を電気信号に変換する光
／電気変換器と、前記電気信号及び前記変調信号の位相
を比較し、これらの位相差から前記超短光パルス列及び
前記基準周波数の周波数のずれを検出する位相比較器と
を備え、前記位相比較器が検出した周波数のずれをなく
すように前記抵抗加熱膜の注入電流を変化させるように
している。このような構成を採用したことにより、モー
ド同期半導体レーザは、ハイブリッドモード同期で動作
し、基準周波数に対応する周波数の超短光パルス列を発
生する。ここで、熱等の擾乱によって共振器の光学長が
変化した場合には、位相比較器が、光／電気変換器の出
力する電気信号と変調信号の位相差から超短光パルス列
の周波数と基準周波数の周波ずれを検出し、この周波数
ずれを無くすように抵抗加熱膜の注入電流が制御され
る。つまり、光学長が調整される。
【０００７】第２の発明では、基準周波数の変調信号が
印加される活性導波路が形成されると共に発振光に対し
て透明な受動導波路が形成され、かつ、該受動導波路の
上部には、注入電流に基づくジュール熱を発生して該受
動導波路の屈折率を変化させて光学長を変化させる抵抗
加熱膜が形成された光共振器であって、該基準周波数に
対応する周波数の超短光パルス列を発生するモード同期
半導体レーザにおいて、次のような構成にしている。即
ち、前記活性導波路に流れる光電流及び該活性導波路に
印加する前記変調信号の位相を比較し、これらの位相差
から該光電流及び該変調信号の周波数ずれを検出する位
相比較器を備え、前記位相比較器が検出した周波数のず
れをなくすように前記抵抗加熱膜の注入電流を変化させ
るようにしている。このような構成を採用したことによ
り、ハイブリッドモード同期で動作し、基準周波数に対
応する周波数の超短光パルス列を発生するが、熱等の擾
乱によって共振器の光学長が変化した場合には、位相比
較器が、活性導波路に流れる光電流と変調信号の位相差
から超短光パルス列の周波数と基準周波数の周波ずれを
検出し、この周波数ずれを無くすように抵抗加熱膜の注
入電流が制御される。つまり、光学長が調整される。
印加される活性導波路が形成されると共に発振光に対し
て透明な受動導波路が形成され、かつ、該受動導波路の
上部には、注入電流に基づくジュール熱を発生して該受
動導波路の屈折率を変化させて光学長を変化させる抵抗
加熱膜が形成された光共振器であって、該基準周波数に
対応する周波数の超短光パルス列を発生するモード同期
半導体レーザにおいて、次のような構成にしている。即
ち、前記活性導波路に流れる光電流及び該活性導波路に
印加する前記変調信号の位相を比較し、これらの位相差
から該光電流及び該変調信号の周波数ずれを検出する位
相比較器を備え、前記位相比較器が検出した周波数のず
れをなくすように前記抵抗加熱膜の注入電流を変化させ
るようにしている。このような構成を採用したことによ
り、ハイブリッドモード同期で動作し、基準周波数に対
応する周波数の超短光パルス列を発生するが、熱等の擾
乱によって共振器の光学長が変化した場合には、位相比
較器が、活性導波路に流れる光電流と変調信号の位相差
から超短光パルス列の周波数と基準周波数の周波ずれを
検出し、この周波数ずれを無くすように抵抗加熱膜の注
入電流が制御される。つまり、光学長が調整される。
【０００８】第３の発明では、基準周波数の変調信号が
印加される活性導波路が形成されると共に発振光に対し
て透明な受動導波路が形成され、かつ、該受動導波路に
は屈折率を変化させて光学長を変化させる制御電圧が印
加される光共振器であって、該基準周波数に対応する周
波数の超短光パルス列を発生するモード同期半導体レー
ザにおいて、次のような構成にしている。即ち、前記超
短光パルス列を電気信号に変換する光／電気変換器と、
前記電気信号及び前記変調信号の位相を比較し、これら
の位相差から前記超短光パルス列及び前記基準周波数の
周波数のずれを検出する位相比較器とを備え、前記位相
比較器が検出した周波数のずれをなくすように前記制御
電圧を変化させるようにしている。このような構成を採
用したことにより、モード同期半導体レーザは、ハイブ
リッドモード同期で動作し、基準周波数に対応する周波
数の超短光パルス列を発生する。ここで、熱等の擾乱に
よって共振器の光学長が変化した場合には、位相比較器
が、光／電気変換器の出力する電気信号と変調信号の位
相差から超短光パルス列の周波数と基準周波数の周波ず
れを検出し、この周波数ずれを無くすように制御電圧を
変化させる。つまり、光学長が調整される。
印加される活性導波路が形成されると共に発振光に対し
て透明な受動導波路が形成され、かつ、該受動導波路に
は屈折率を変化させて光学長を変化させる制御電圧が印
加される光共振器であって、該基準周波数に対応する周
波数の超短光パルス列を発生するモード同期半導体レー
ザにおいて、次のような構成にしている。即ち、前記超
短光パルス列を電気信号に変換する光／電気変換器と、
前記電気信号及び前記変調信号の位相を比較し、これら
の位相差から前記超短光パルス列及び前記基準周波数の
周波数のずれを検出する位相比較器とを備え、前記位相
比較器が検出した周波数のずれをなくすように前記制御
電圧を変化させるようにしている。このような構成を採
用したことにより、モード同期半導体レーザは、ハイブ
リッドモード同期で動作し、基準周波数に対応する周波
数の超短光パルス列を発生する。ここで、熱等の擾乱に
よって共振器の光学長が変化した場合には、位相比較器
が、光／電気変換器の出力する電気信号と変調信号の位
相差から超短光パルス列の周波数と基準周波数の周波ず
れを検出し、この周波数ずれを無くすように制御電圧を
変化させる。つまり、光学長が調整される。
【０００９】第４の発明では、基準周波数の変調信号が
印加される活性導波路が形成されると共に発振光に対し
て透明な受動導波路が形成され、かつ、該受動導波路に
は屈折率を変化させて光学長を変化させる制御電圧が印
加される光共振器であって、該基準周波数に対応する周
波数の超短光パルス列を発生するモード同期半導体レー
ザにおいて、次のような構成にしている。即ち、前記活
性導波路に流れる光電流及び該活性導波路に印加する前
記変調信号の位相を比較し、これらの位相差から該光電
流及び該変調信号の周波数ずれを検出する位相比較器を
備え、前記位相比較器が検出した周波数のずれをなくす
ように前記制御電圧を変化させるようにしている。この
ような構成を採用したことにより、ハイブリッドモード
同期で動作し、基準周波数に対応する周波数の超短光パ
ルス列を発生するが、熱等の擾乱によって共振器の光学
長が変化した場合には、位相比較器が、活性導波路に流
れる光電流と変調信号の位相差から超短光パルス列の周
波数と基準周波数の周波ずれを検出し、この周波数ずれ
を無くすように制御電圧が制御される。つまり、光学長
が調整される。
印加される活性導波路が形成されると共に発振光に対し
て透明な受動導波路が形成され、かつ、該受動導波路に
は屈折率を変化させて光学長を変化させる制御電圧が印
加される光共振器であって、該基準周波数に対応する周
波数の超短光パルス列を発生するモード同期半導体レー
ザにおいて、次のような構成にしている。即ち、前記活
性導波路に流れる光電流及び該活性導波路に印加する前
記変調信号の位相を比較し、これらの位相差から該光電
流及び該変調信号の周波数ずれを検出する位相比較器を
備え、前記位相比較器が検出した周波数のずれをなくす
ように前記制御電圧を変化させるようにしている。この
ような構成を採用したことにより、ハイブリッドモード
同期で動作し、基準周波数に対応する周波数の超短光パ
ルス列を発生するが、熱等の擾乱によって共振器の光学
長が変化した場合には、位相比較器が、活性導波路に流
れる光電流と変調信号の位相差から超短光パルス列の周
波数と基準周波数の周波ずれを検出し、この周波数ずれ
を無くすように制御電圧が制御される。つまり、光学長
が調整される。
【００１０】
【発明の実施の形態】第１の実施形態 図１は、本発明の第１の実施形態を示すモード同期半導
体レーザの要部の構成図である。このモード同期半導体
レーザは、超短光パルス列を出力するものであり、下側
のＮ型クラッド層１１と上側のＰ型クラッド層１２とに
挟まれた可飽和吸収体１３、受動導波路１４及び利得領
域１５を備え、これらによって共振器が構成されてい
る。可飽和吸収体１３及び利得領域１５は、活性導波路
でそれぞれ形成されている。受動導波路１４は、レーザ
発振光よりも十分短波長なバンドギャップ波長を持ち、
レーザ発振光に対しては透明になっており、可飽和吸収
体１３と利得領域１５との間に配置されている。
体レーザの要部の構成図である。このモード同期半導体
レーザは、超短光パルス列を出力するものであり、下側
のＮ型クラッド層１１と上側のＰ型クラッド層１２とに
挟まれた可飽和吸収体１３、受動導波路１４及び利得領
域１５を備え、これらによって共振器が構成されてい
る。可飽和吸収体１３及び利得領域１５は、活性導波路
でそれぞれ形成されている。受動導波路１４は、レーザ
発振光よりも十分短波長なバンドギャップ波長を持ち、
レーザ発振光に対しては透明になっており、可飽和吸収
体１３と利得領域１５との間に配置されている。
【００１１】Ｐ型クラッド層１２の表面の可飽和吸収体
１３の上に対応する位置には、可飽和吸収体用Ｐ側電極
１６が形成され、該Ｐ型クラッド層１２の表面の利得領
域１５の上に対応する位置には、利得領域用Ｐ側電極１
７が形成されている。可飽和吸収体用Ｐ側電極１６に
は、逆バイアス電圧源１８及び変調電圧源１９が接続さ
れている。変調電圧源１９は、基準周波数の変調信号を
発生するものである。利得領域用Ｐ側電極１７には、利
得領域用電流源２０が接続されている。受動導波路１４
の上部のＰ型クラッド層１２の表面には、絶縁膜２１が
形成され、該絶縁膜２１の上には、Ｔｉ（チタン）／Ｐ
ｔ（プラチナ）の薄膜からなる抵抗加熱膜２２が形成さ
れている。抵抗加熱膜２２は、注入される電流を熱に変
換して受動導波路１４の屈折率を制御するものであり、
その電流を生成する抵抗加熱膜用電源２３及び可変抵抗
２４が接続されている。Ｎ側クラッド層１１の裏面に
は、共通電極２５が付着されている。
１３の上に対応する位置には、可飽和吸収体用Ｐ側電極
１６が形成され、該Ｐ型クラッド層１２の表面の利得領
域１５の上に対応する位置には、利得領域用Ｐ側電極１
７が形成されている。可飽和吸収体用Ｐ側電極１６に
は、逆バイアス電圧源１８及び変調電圧源１９が接続さ
れている。変調電圧源１９は、基準周波数の変調信号を
発生するものである。利得領域用Ｐ側電極１７には、利
得領域用電流源２０が接続されている。受動導波路１４
の上部のＰ型クラッド層１２の表面には、絶縁膜２１が
形成され、該絶縁膜２１の上には、Ｔｉ（チタン）／Ｐ
ｔ（プラチナ）の薄膜からなる抵抗加熱膜２２が形成さ
れている。抵抗加熱膜２２は、注入される電流を熱に変
換して受動導波路１４の屈折率を制御するものであり、
その電流を生成する抵抗加熱膜用電源２３及び可変抵抗
２４が接続されている。Ｎ側クラッド層１１の裏面に
は、共通電極２５が付着されている。
【００１２】この半導体レーザの利得領域１５側の側面
には、光学的結合用レンズ２６が配置され、該利得領域
１５とピグテ−ル光ファイバ２７とが結合するようにな
っている。ピグテール光フィバ２７の出力側に光カップ
ラ２８が設けられている。光カップラ２８は２つ出力端
を有し、一方からこの半導体レーザの出力光を外部へ出
力し、他方は光／電気変換器（以下、Ｏ／Ｅ変換器とい
う）２９に光を与えるようになっている。Ｏ／Ｅ変換器
２９の出力側は、フィルタ３０に接続され、該フィルタ
３０の出力側が、２入力の位相比較器３１の一方の入力
端子に接続されている。フィルタ３０は、モード同期周
波数に相当する周波数成分を通過させるものである。位
相比較器３１の他方の入力端子は、変調電圧源１９の出
力端子に接続されている。位相比較器３１の出力端子
が、可変抵抗２４に接続され、抵抗加熱膜２２に流れる
電流を制御し、フィルタ３０の出力信号と変調電圧源１
９が発生する基準周波数の信号との位相差をゼロにする
ような調整を行う構成になっている。
には、光学的結合用レンズ２６が配置され、該利得領域
１５とピグテ−ル光ファイバ２７とが結合するようにな
っている。ピグテール光フィバ２７の出力側に光カップ
ラ２８が設けられている。光カップラ２８は２つ出力端
を有し、一方からこの半導体レーザの出力光を外部へ出
力し、他方は光／電気変換器（以下、Ｏ／Ｅ変換器とい
う）２９に光を与えるようになっている。Ｏ／Ｅ変換器
２９の出力側は、フィルタ３０に接続され、該フィルタ
３０の出力側が、２入力の位相比較器３１の一方の入力
端子に接続されている。フィルタ３０は、モード同期周
波数に相当する周波数成分を通過させるものである。位
相比較器３１の他方の入力端子は、変調電圧源１９の出
力端子に接続されている。位相比較器３１の出力端子
が、可変抵抗２４に接続され、抵抗加熱膜２２に流れる
電流を制御し、フィルタ３０の出力信号と変調電圧源１
９が発生する基準周波数の信号との位相差をゼロにする
ような調整を行う構成になっている。
【００１３】次に、図１のモード同期半導体レーザの動
作を説明する。可飽和吸収体用Ｐ側電極１６には、逆バ
イアス電圧源１８から負の直流電圧と変調電圧源１９か
らの正弦波の変調電圧とが重畳されて印加され、利得領
域用Ｐ側電極１７には、利得領域用電源２０から電流が
注入されてレーザ発振光に光学利得を与えている。その
結果、ハイブリッドモード同期動作で、パルス幅抑制が
行われた低時間ジッタの光パルス列を発生する。この光
パルス列は、レンズ２６、ピグテール光ファイバ及び光
カップラ２８を介して外部に出力されると共に、Ｏ／Ｅ
変換器２９に入力される。Ｏ／Ｅ変換器２９は、光パル
ス列を入力し、その繰り返し周波数に対応する電気信号
Ｓ２９をフィルタ３０に出力する。フィルタ３０は、信
号Ｓ２９のうちのモード同期周波数に対応する成分Ｓ３
０を通過させて位相比較器３１に与える。
作を説明する。可飽和吸収体用Ｐ側電極１６には、逆バ
イアス電圧源１８から負の直流電圧と変調電圧源１９か
らの正弦波の変調電圧とが重畳されて印加され、利得領
域用Ｐ側電極１７には、利得領域用電源２０から電流が
注入されてレーザ発振光に光学利得を与えている。その
結果、ハイブリッドモード同期動作で、パルス幅抑制が
行われた低時間ジッタの光パルス列を発生する。この光
パルス列は、レンズ２６、ピグテール光ファイバ及び光
カップラ２８を介して外部に出力されると共に、Ｏ／Ｅ
変換器２９に入力される。Ｏ／Ｅ変換器２９は、光パル
ス列を入力し、その繰り返し周波数に対応する電気信号
Ｓ２９をフィルタ３０に出力する。フィルタ３０は、信
号Ｓ２９のうちのモード同期周波数に対応する成分Ｓ３
０を通過させて位相比較器３１に与える。
【００１４】一方、抵抗加熱膜２２に、抵抗加熱膜用電
源２３から可変抵抗２４で決まる電流を流すと、該抵抗
加熱膜２２で発生したジュール熱により、受動導波路１
４の温度が上昇し、屈折率が変化する。このとき、半導
体レーザにおける共振器の光学長が変化し、その結果、
モード同期周波数が変化する。この屈折率の変化の際、
受動導波路１４の光学損失は変化しないので、パルス幅
やパルス強度といったパルス特性は変化せず、モード同
期パルスの周波数のみが変化することになる。熱等の影
響でモード同期周波数が変動しようとすると、変調電圧
源１９の周波数と成分Ｓ３０の周波数とに差が生じる。
位相比較器３１は、変調電圧源１９の周波数と成分Ｓ３
０の周波数の差を検出し、該両者の位相差を補正するよ
うに、可変抵抗２４の抵抗値を変化させ、抵抗加熱膜２
２に流れる電流を変化させる。その結果、受動導波路１
４の屈折率が、モード同期周波数の変化を抑制するよう
に変化する。
源２３から可変抵抗２４で決まる電流を流すと、該抵抗
加熱膜２２で発生したジュール熱により、受動導波路１
４の温度が上昇し、屈折率が変化する。このとき、半導
体レーザにおける共振器の光学長が変化し、その結果、
モード同期周波数が変化する。この屈折率の変化の際、
受動導波路１４の光学損失は変化しないので、パルス幅
やパルス強度といったパルス特性は変化せず、モード同
期パルスの周波数のみが変化することになる。熱等の影
響でモード同期周波数が変動しようとすると、変調電圧
源１９の周波数と成分Ｓ３０の周波数とに差が生じる。
位相比較器３１は、変調電圧源１９の周波数と成分Ｓ３
０の周波数の差を検出し、該両者の位相差を補正するよ
うに、可変抵抗２４の抵抗値を変化させ、抵抗加熱膜２
２に流れる電流を変化させる。その結果、受動導波路１
４の屈折率が、モード同期周波数の変化を抑制するよう
に変化する。
【００１５】以上のように、この第１の実施形態では、
抵抗加熱膜２２を有するモード同期半導体レーザに、Ｏ
／Ｅ変換器２９、フィルタ３０及び位相比較器３１を設
け、モード同期周波数が変化しようとしても、その変化
を抑えるような電流を抵抗加熱膜２２に流すようにして
いる。そのため、モード同期周波数が安定し、長期にわ
たって安定化した超短光パルス列を発生できる。よっ
て、例えば光通信システムにおける信号識別誤りを防止
できる等の効果が期待できる。
抵抗加熱膜２２を有するモード同期半導体レーザに、Ｏ
／Ｅ変換器２９、フィルタ３０及び位相比較器３１を設
け、モード同期周波数が変化しようとしても、その変化
を抑えるような電流を抵抗加熱膜２２に流すようにして
いる。そのため、モード同期周波数が安定し、長期にわ
たって安定化した超短光パルス列を発生できる。よっ
て、例えば光通信システムにおける信号識別誤りを防止
できる等の効果が期待できる。
【００１６】第２の実施形態 図２は、本発明の第２の実施形態を示すモード同期半導
体レーザの要部の構成図である。このモード同期半導体
レーザは、超短光パルス列を出力するものであり、第１
の実施形態と同様に、下側のＮ型クラッド層４１と上側
のＰ型クラッド層４２とに挟まれた可飽和吸収体４３、
受動導波路４４及び利得領域４５を備え、これらによっ
て共振器が構成されている。可飽和吸収体４３及び利得
領域４５は、活性導波路でそれぞれ形成されている。受
動導波路４４は、レーザ発振光よりも十分短波長なバン
ドギャップ波長を持ち、レーザ発振光に対しては透明に
なっており、可飽和吸収体４３と利得領域４５との間に
配置されている。
体レーザの要部の構成図である。このモード同期半導体
レーザは、超短光パルス列を出力するものであり、第１
の実施形態と同様に、下側のＮ型クラッド層４１と上側
のＰ型クラッド層４２とに挟まれた可飽和吸収体４３、
受動導波路４４及び利得領域４５を備え、これらによっ
て共振器が構成されている。可飽和吸収体４３及び利得
領域４５は、活性導波路でそれぞれ形成されている。受
動導波路４４は、レーザ発振光よりも十分短波長なバン
ドギャップ波長を持ち、レーザ発振光に対しては透明に
なっており、可飽和吸収体４３と利得領域４５との間に
配置されている。
【００１７】Ｐ型クラッド層４２の表面の可飽和吸収体
４３の上に対応する位置には、可飽和吸収体用Ｐ側電極
４６が形成され、該Ｐ型クラッド層４２の表面の利得領
域４５の上に対応する位置には、利得領域用Ｐ側電極４
７が形成されている。可飽和吸収体用Ｐ側電極４６に
は、逆バイアス電圧源４８及び変調電圧源４９が接続さ
れている。変調電圧源４９は、Ｐ型クラッド層４２を介
して基準周波数の変調信号を可飽和吸収体４３に印加す
るものである。利得領域用Ｐ側電極４７には、利得領域
用電流源５０が接続されている。受動導波路４４の上部
のＰ型クラッド層４２の表面には、絶縁膜５１が形成さ
れ、該絶縁膜５１の上に、Ｔｉ（チタン）／Ｐｔ（プラ
チナ）の薄膜からなる抵抗加熱膜５２が形成されてい
る。抵抗加熱膜５２は、注入される電流を熱に変換して
受動導波路４４の屈折率を変化させるものであり、その
電流を生成する抵抗加熱膜用電源５３及び可変抵抗５４
が接続されている。Ｎ側クラッド層４１の裏面には、共
通電極５５が全面に付着されている。
４３の上に対応する位置には、可飽和吸収体用Ｐ側電極
４６が形成され、該Ｐ型クラッド層４２の表面の利得領
域４５の上に対応する位置には、利得領域用Ｐ側電極４
７が形成されている。可飽和吸収体用Ｐ側電極４６に
は、逆バイアス電圧源４８及び変調電圧源４９が接続さ
れている。変調電圧源４９は、Ｐ型クラッド層４２を介
して基準周波数の変調信号を可飽和吸収体４３に印加す
るものである。利得領域用Ｐ側電極４７には、利得領域
用電流源５０が接続されている。受動導波路４４の上部
のＰ型クラッド層４２の表面には、絶縁膜５１が形成さ
れ、該絶縁膜５１の上に、Ｔｉ（チタン）／Ｐｔ（プラ
チナ）の薄膜からなる抵抗加熱膜５２が形成されてい
る。抵抗加熱膜５２は、注入される電流を熱に変換して
受動導波路４４の屈折率を変化させるものであり、その
電流を生成する抵抗加熱膜用電源５３及び可変抵抗５４
が接続されている。Ｎ側クラッド層４１の裏面には、共
通電極５５が全面に付着されている。
【００１８】このモード同期半導体レーザには、さら
に、可飽和吸収体４３に流れる光電流を検出して増幅す
る増幅器（Ａｍｐ）５６が設けられている。増幅器５６
の出力側が、２入力の位相比較器５７の一方の入力端子
に接続されている。位相比較器５７の他方の入力端子
は、変調電圧源４９に接続され、該位相比較器４７の出
力側が可変抵抗５４に接続されている。可変抵抗５４
は、抵抗加熱膜５２に流れる電流を制御する制御手段と
なり、位相比較器５７の出力信号に基づき、光電流と変
調電圧源４９が発生する基準周波数の変調信号の位相差
がゼロになるように抵抗値が変化する構成になってい
る。
に、可飽和吸収体４３に流れる光電流を検出して増幅す
る増幅器（Ａｍｐ）５６が設けられている。増幅器５６
の出力側が、２入力の位相比較器５７の一方の入力端子
に接続されている。位相比較器５７の他方の入力端子
は、変調電圧源４９に接続され、該位相比較器４７の出
力側が可変抵抗５４に接続されている。可変抵抗５４
は、抵抗加熱膜５２に流れる電流を制御する制御手段と
なり、位相比較器５７の出力信号に基づき、光電流と変
調電圧源４９が発生する基準周波数の変調信号の位相差
がゼロになるように抵抗値が変化する構成になってい
る。
【００１９】次に、図２のモード同期半導体レーザの動
作を説明する。可飽和吸収体用Ｐ側電極４６には、逆バ
イアス電圧源４８から負の直流電圧と変調電圧源４９か
らの正弦波の変調電圧とが重畳されて印加され、利得領
域用Ｐ側電極４７には、利得領域用電源５０から電流が
注入されてレーザ発振光に光学利得を与えている。その
結果、第１の実施形態と同様に共振器がハイブリッドモ
ード同期で動作し、パルス幅抑制を行った低時間ジッタ
の光パルス列を発生する。
作を説明する。可飽和吸収体用Ｐ側電極４６には、逆バ
イアス電圧源４８から負の直流電圧と変調電圧源４９か
らの正弦波の変調電圧とが重畳されて印加され、利得領
域用Ｐ側電極４７には、利得領域用電源５０から電流が
注入されてレーザ発振光に光学利得を与えている。その
結果、第１の実施形態と同様に共振器がハイブリッドモ
ード同期で動作し、パルス幅抑制を行った低時間ジッタ
の光パルス列を発生する。
【００２０】一方、抵抗加熱膜５２に、抵抗加熱膜用電
源５３から可変抵抗５４で決まる電流を流すと、該抵抗
加熱膜５２で発生したジュール熱により、受動導波路４
４の温度が上昇し、屈折率が変化する。このとき、半導
体レーザにおける共振器の光学長が変化し、その結果、
モード同期周波数が変化する。この屈折率の変化の際、
受動導波路４４の光学損失は変化しないので、パルス幅
やパルス強度といったパルス特性は変化せず、モード同
期パルスの周波数のみが変化することになる。
源５３から可変抵抗５４で決まる電流を流すと、該抵抗
加熱膜５２で発生したジュール熱により、受動導波路４
４の温度が上昇し、屈折率が変化する。このとき、半導
体レーザにおける共振器の光学長が変化し、その結果、
モード同期周波数が変化する。この屈折率の変化の際、
受動導波路４４の光学損失は変化しないので、パルス幅
やパルス強度といったパルス特性は変化せず、モード同
期パルスの周波数のみが変化することになる。
【００２１】第１の実施形態と同様に、熱等の影響でモ
ード同期周波数が変動しようとすると、変調電圧源４８
の発生する基準周波数の変調信号と可飽和吸収体４３に
流れる光電流との間に位相差が生じる。光電流が増幅器
５６によって増幅されて与えられる位相比較器５７は、
該光電流及び変調電圧源４８が発生する変調信号の位相
を比較し、基準周波数と光電流の周波数ずれを検出し、
可変抵抗５４に与える。これにより、可変抵抗５４は、
その周波数ずれをゼロにする抵抗値を示し、抵抗加熱膜
５２に流れる電流値を調整する。その結果、受動導波路
４４の屈折率が、モード同期周波数の変化を抑制するよ
うに変化する。
ード同期周波数が変動しようとすると、変調電圧源４８
の発生する基準周波数の変調信号と可飽和吸収体４３に
流れる光電流との間に位相差が生じる。光電流が増幅器
５６によって増幅されて与えられる位相比較器５７は、
該光電流及び変調電圧源４８が発生する変調信号の位相
を比較し、基準周波数と光電流の周波数ずれを検出し、
可変抵抗５４に与える。これにより、可変抵抗５４は、
その周波数ずれをゼロにする抵抗値を示し、抵抗加熱膜
５２に流れる電流値を調整する。その結果、受動導波路
４４の屈折率が、モード同期周波数の変化を抑制するよ
うに変化する。
【００２２】以上のように、この第２の実施形態では、
受動導波路４４の上部に抵抗加熱膜５２を有するモード
同期半導体レーザに、可飽和吸収体４３に流れる光電流
と基準周波数との周波数のずれを検出する位相比較器５
７と、該位相比較器５７の出力信号に基づき、光電流と
基準周波数との周波数のずれをゼロにするように、抵抗
加熱膜５２に流れる電流を制御する可変抵抗５４とを設
け、モード同期周波数が変化しようとしても、その変化
を抑えるような電流を抵抗加熱膜５２に流すようにして
いる。そのため、第１の実施形態と同様に、モード同期
周波数が安定し、長期にわたって安定化した超短光パル
ス列を発生でき、光通信システムにおける信号識別誤り
を防止できる等の効果が期待できる。その上、第１の実
施形態では必要であった光カップラ２８やＯ／Ｅ変換器
２９等が不要となり、省部品化ができると共に、コンパ
クト化が実現できる。
受動導波路４４の上部に抵抗加熱膜５２を有するモード
同期半導体レーザに、可飽和吸収体４３に流れる光電流
と基準周波数との周波数のずれを検出する位相比較器５
７と、該位相比較器５７の出力信号に基づき、光電流と
基準周波数との周波数のずれをゼロにするように、抵抗
加熱膜５２に流れる電流を制御する可変抵抗５４とを設
け、モード同期周波数が変化しようとしても、その変化
を抑えるような電流を抵抗加熱膜５２に流すようにして
いる。そのため、第１の実施形態と同様に、モード同期
周波数が安定し、長期にわたって安定化した超短光パル
ス列を発生でき、光通信システムにおける信号識別誤り
を防止できる等の効果が期待できる。その上、第１の実
施形態では必要であった光カップラ２８やＯ／Ｅ変換器
２９等が不要となり、省部品化ができると共に、コンパ
クト化が実現できる。
【００２３】第３の実施形態 図３は、本発明の第３の実施形態を示すモード同期半導
体レーザの要部の構成図である。このモード同期半導体
レーザは、超短光パルス列を出力するものであり、下側
のＮ型クラッド層６１と上側のＰ型クラッド層６２とに
挟まれた可飽和吸収体６３、受動導波路６４及び利得領
域６５を備え、これらによって共振器が構成されてい
る。可飽和吸収体６３及び利得領域６５は、活性導波路
でそれぞれ形成されている。受動導波路６４は、レーザ
発振光よりも十分短波長なバンドギャップ波長を持ち、
レーザ発振光に対しては透明になっており、可飽和吸収
体６３と利得領域６５との間に配置されている。
体レーザの要部の構成図である。このモード同期半導体
レーザは、超短光パルス列を出力するものであり、下側
のＮ型クラッド層６１と上側のＰ型クラッド層６２とに
挟まれた可飽和吸収体６３、受動導波路６４及び利得領
域６５を備え、これらによって共振器が構成されてい
る。可飽和吸収体６３及び利得領域６５は、活性導波路
でそれぞれ形成されている。受動導波路６４は、レーザ
発振光よりも十分短波長なバンドギャップ波長を持ち、
レーザ発振光に対しては透明になっており、可飽和吸収
体６３と利得領域６５との間に配置されている。
【００２４】Ｐ型クラッド層６２の表面の可飽和吸収体
６３の上に対応する位置には、可飽和吸収体用Ｐ側電極
６６が形成され、該Ｐ型クラッド層６２の表面の利得領
域６５の上に対応する位置には、利得領域用Ｐ側電極６
７が形成されている。可飽和吸収体用Ｐ側電極６６に
は、逆バイアス電圧源６８と基準周波数の変調信号を発
生する変調電圧源６９が接続されている。利得領域用Ｐ
側電極６７には、利得領域用電流源７０が接続されてい
る。受動導波路６４の上部のＰ型クラッド層６２の表面
には受動導波路用Ｐ側電極７１が形成され、受動導波路
逆バイアス電圧源７２が接続されている。Ｎ側クラッド
層６１の裏面には、共通電極７３が全面に付着されてい
る。Ｐ型クラッド層６２、Ｎ型クラッド層６１及び受動
導波路６４でｐ／ｉ／ｎ接合が構成されている。
６３の上に対応する位置には、可飽和吸収体用Ｐ側電極
６６が形成され、該Ｐ型クラッド層６２の表面の利得領
域６５の上に対応する位置には、利得領域用Ｐ側電極６
７が形成されている。可飽和吸収体用Ｐ側電極６６に
は、逆バイアス電圧源６８と基準周波数の変調信号を発
生する変調電圧源６９が接続されている。利得領域用Ｐ
側電極６７には、利得領域用電流源７０が接続されてい
る。受動導波路６４の上部のＰ型クラッド層６２の表面
には受動導波路用Ｐ側電極７１が形成され、受動導波路
逆バイアス電圧源７２が接続されている。Ｎ側クラッド
層６１の裏面には、共通電極７３が全面に付着されてい
る。Ｐ型クラッド層６２、Ｎ型クラッド層６１及び受動
導波路６４でｐ／ｉ／ｎ接合が構成されている。
【００２５】この半導体レーザの利得領域６５側の側面
には、光学的結合用レンズ７４が配置され、該レンズ７
４によって利得領域６５とピグテ−ル光ファイバ７５と
が結合するようになっている。ピグテール光フィバ７５
の出力側に光カップラ７６が設けられている。光カップ
ラ７６は２つ出力端を有し、一方からこの半導体レーザ
の出力光を外部へ出力し、他方はＯ／Ｅ変換器７７に光
を与えるようになっている。Ｏ／Ｅ変換器７７の出力側
は、フィルタ７８に接続され、該フィルタ７８の出力側
が、２入力の位相比較器７９の一方の入力端子に接続さ
れている。フィルタ７８は、モード同期周波数に相当す
る周波数成分を通過させるものである。位相比較器７９
の他方の入力端子は、変調電圧源６９の出力端子に接続
されている。位相比較器７９の出力端子が、受動導波路
逆バイアス電圧源７２に接続されている。このように接
続された受動導波路逆バイアス電圧源７２は、フィルタ
７８の出力信号と変調電圧源６９が発生する基準周波数
の変調信号との位相差をゼロにするような制御電圧を受
動導波路６４に印加し、該受動導波路６４における屈折
率を調整するように機能する。
には、光学的結合用レンズ７４が配置され、該レンズ７
４によって利得領域６５とピグテ−ル光ファイバ７５と
が結合するようになっている。ピグテール光フィバ７５
の出力側に光カップラ７６が設けられている。光カップ
ラ７６は２つ出力端を有し、一方からこの半導体レーザ
の出力光を外部へ出力し、他方はＯ／Ｅ変換器７７に光
を与えるようになっている。Ｏ／Ｅ変換器７７の出力側
は、フィルタ７８に接続され、該フィルタ７８の出力側
が、２入力の位相比較器７９の一方の入力端子に接続さ
れている。フィルタ７８は、モード同期周波数に相当す
る周波数成分を通過させるものである。位相比較器７９
の他方の入力端子は、変調電圧源６９の出力端子に接続
されている。位相比較器７９の出力端子が、受動導波路
逆バイアス電圧源７２に接続されている。このように接
続された受動導波路逆バイアス電圧源７２は、フィルタ
７８の出力信号と変調電圧源６９が発生する基準周波数
の変調信号との位相差をゼロにするような制御電圧を受
動導波路６４に印加し、該受動導波路６４における屈折
率を調整するように機能する。
【００２６】次に、図３のモード同期半導体レーザの動
作を説明する。可飽和吸収体用Ｐ側電極６６には、逆バ
イアス電圧源６８から負の直流電圧と変調電圧源６９か
らの正弦波の変調電圧とが重畳されて印加され、利得領
域用Ｐ側電極６７には、利得領域用電源７０から電流が
注入されてレーザ発振光に光学利得を与えている。その
結果、ハイブリッドモード同期動作で、パルス幅抑制が
行われた低時間ジッタの光パルス列を発生する。この光
パルス列は、レンズ７４、ピグテール光ファイバ７５及
び光カップラ７６を介して外部に出力されると共に、Ｏ
／Ｅ変換器７７に入力される。Ｏ／Ｅ変換器７７は、光
パルス列を入力し、その繰り返し周波数に対応する電気
信号Ｓ７７をフィルタ７８に出力する。フィルタ７８
は、信号Ｓ７７のうちのモード同期周波数に対応する成
分Ｓ７８を通過させて位相比較器７９に与える。
作を説明する。可飽和吸収体用Ｐ側電極６６には、逆バ
イアス電圧源６８から負の直流電圧と変調電圧源６９か
らの正弦波の変調電圧とが重畳されて印加され、利得領
域用Ｐ側電極６７には、利得領域用電源７０から電流が
注入されてレーザ発振光に光学利得を与えている。その
結果、ハイブリッドモード同期動作で、パルス幅抑制が
行われた低時間ジッタの光パルス列を発生する。この光
パルス列は、レンズ７４、ピグテール光ファイバ７５及
び光カップラ７６を介して外部に出力されると共に、Ｏ
／Ｅ変換器７７に入力される。Ｏ／Ｅ変換器７７は、光
パルス列を入力し、その繰り返し周波数に対応する電気
信号Ｓ７７をフィルタ７８に出力する。フィルタ７８
は、信号Ｓ７７のうちのモード同期周波数に対応する成
分Ｓ７８を通過させて位相比較器７９に与える。
【００２７】一方、受動導波路用Ｐ側電極７１に、受動
導波路逆バイアス電圧源７２から逆バイアス電圧を印加
すると、ポッケルス効果により、受動導波路６４の屈折
率が変化する。このとき、半導体レーザにおける共振器
の光学長が変化し、その結果、モード同期周波数が変化
する。この屈折率の変化の際、受動導波路６４の光学損
失は変化しないので、パルス幅やパルス強度といったパ
ルス特性は変化せず、モード同期パルスの周波数のみが
変化することになる。熱等の影響でモード同期周波数が
変動しようとすると、変調電圧源６９の周波数と成分Ｓ
７８の周波数とに差が生じる。位相比較器７９は、変調
電圧源６９の周波数と成分Ｓ７８の周波数の差を検出
し、該両者の位相差を補正するように、受動導波路逆バ
イアス電圧源７２の電圧が変化する。その結果、受動導
波路６４の屈折率が、モード同期周波数の変化を抑制す
るように変化する。
導波路逆バイアス電圧源７２から逆バイアス電圧を印加
すると、ポッケルス効果により、受動導波路６４の屈折
率が変化する。このとき、半導体レーザにおける共振器
の光学長が変化し、その結果、モード同期周波数が変化
する。この屈折率の変化の際、受動導波路６４の光学損
失は変化しないので、パルス幅やパルス強度といったパ
ルス特性は変化せず、モード同期パルスの周波数のみが
変化することになる。熱等の影響でモード同期周波数が
変動しようとすると、変調電圧源６９の周波数と成分Ｓ
７８の周波数とに差が生じる。位相比較器７９は、変調
電圧源６９の周波数と成分Ｓ７８の周波数の差を検出
し、該両者の位相差を補正するように、受動導波路逆バ
イアス電圧源７２の電圧が変化する。その結果、受動導
波路６４の屈折率が、モード同期周波数の変化を抑制す
るように変化する。
【００２８】以上のように、この第３の実施形態では、
受動導波路逆バイアス電圧源７２を有するモード同期半
導体レーザに、Ｏ／Ｅ変換器７７、フィルタ７８及び位
相比較器７９を設け、モード同期周波数が変化しようと
しても、その変化を抑えるように該受動導波路逆バイア
ス電圧源７２の電圧を変化させるようにしている。その
ため、モード同期周波数が安定し、長期に渡って安定化
した超短光パルス列を発生できる。よって、例えば光通
信システムにおける信号識別誤りを防止できる等の効果
が期待できる。
受動導波路逆バイアス電圧源７２を有するモード同期半
導体レーザに、Ｏ／Ｅ変換器７７、フィルタ７８及び位
相比較器７９を設け、モード同期周波数が変化しようと
しても、その変化を抑えるように該受動導波路逆バイア
ス電圧源７２の電圧を変化させるようにしている。その
ため、モード同期周波数が安定し、長期に渡って安定化
した超短光パルス列を発生できる。よって、例えば光通
信システムにおける信号識別誤りを防止できる等の効果
が期待できる。
【００２９】第４の実施形態 図４は、本発明の４の実施形態を示すモード同期半導体
レーザの要部の構成図である。このモード同期半導体レ
ーザは、超短光パルス列を出力するものであり、第３の
実施形態と同様に、下側のＮ型クラッド層８１と上側の
Ｐ型クラッド層８２とに挟まれた可飽和吸収体８３、受
動導波路８４及び利得領域８５を備え、これらによって
共振器が構成されている。可飽和吸収体８３及び利得領
域８５は、活性導波路でそれぞれ形成されている。受動
導波路８４は、レーザ発振光よりも十分短波長なバンド
ギャップ波長を持ち、レーザ発振光に対しては透明にな
っており、可飽和吸収体８３と利得領域８５との間に配
置されている。
レーザの要部の構成図である。このモード同期半導体レ
ーザは、超短光パルス列を出力するものであり、第３の
実施形態と同様に、下側のＮ型クラッド層８１と上側の
Ｐ型クラッド層８２とに挟まれた可飽和吸収体８３、受
動導波路８４及び利得領域８５を備え、これらによって
共振器が構成されている。可飽和吸収体８３及び利得領
域８５は、活性導波路でそれぞれ形成されている。受動
導波路８４は、レーザ発振光よりも十分短波長なバンド
ギャップ波長を持ち、レーザ発振光に対しては透明にな
っており、可飽和吸収体８３と利得領域８５との間に配
置されている。
【００３０】Ｐ型クラッド層８２の表面の可飽和吸収体
８３の上に対応する位置には、可飽和吸収体用Ｐ側電極
８６が形成され、該Ｐ型クラッド層８２の表面の利得領
域８５の上に対応する位置には、利得領域用Ｐ側電極８
７が形成されている。可飽和吸収体用Ｐ側電極８６に
は、逆バイアス電圧源８８及び変調電圧源８９が接続さ
れている。変調電圧源８９は、Ｐ型クラッド層８２を介
して基準周波数の変調信号を可飽和吸収体８１に印加す
るものである。利得領域用Ｐ側電極８７には、利得領域
用電流源９０が接続されている。受動導波路８４の上部
のＰ型クラッド層８２の表面には受動導波路用Ｐ側電極
９１が形成され、受動導波路逆バイアス電圧源９２が接
続されている。Ｎ側クラッド層８１の裏面には、共通電
極９３が全面に付着されている。Ｐ型クラッド層８２、
Ｎ型クラッド層８１及び受動導波路８４でｐ／ｉ／ｎ接
合が構成されている。
８３の上に対応する位置には、可飽和吸収体用Ｐ側電極
８６が形成され、該Ｐ型クラッド層８２の表面の利得領
域８５の上に対応する位置には、利得領域用Ｐ側電極８
７が形成されている。可飽和吸収体用Ｐ側電極８６に
は、逆バイアス電圧源８８及び変調電圧源８９が接続さ
れている。変調電圧源８９は、Ｐ型クラッド層８２を介
して基準周波数の変調信号を可飽和吸収体８１に印加す
るものである。利得領域用Ｐ側電極８７には、利得領域
用電流源９０が接続されている。受動導波路８４の上部
のＰ型クラッド層８２の表面には受動導波路用Ｐ側電極
９１が形成され、受動導波路逆バイアス電圧源９２が接
続されている。Ｎ側クラッド層８１の裏面には、共通電
極９３が全面に付着されている。Ｐ型クラッド層８２、
Ｎ型クラッド層８１及び受動導波路８４でｐ／ｉ／ｎ接
合が構成されている。
【００３１】このモード同期半導体レーザには、さら
に、可飽和吸収体８３に流れる光電流を検出して増幅す
る増幅器（Ａｍｐ）９４が設けられている。増幅器９４
の出力側が、２入力の位相比較器９５の一方の入力端子
に接続されている。位相比較器９５の他方の入力端子
は、変調電圧源８９に接続され、該位相比較器９５の出
力側が受動導波路用Ｐ側電極９１に接続されている。こ
のように接続された受動導波路逆バイアス電圧源９１
は、可飽和吸収体８３に流れる光電流と変調電圧源４９
が発生する基準周波数の変調信号との位相差がゼロにな
るような制御電圧を受動導波路６４に印加する構成にな
っている。
に、可飽和吸収体８３に流れる光電流を検出して増幅す
る増幅器（Ａｍｐ）９４が設けられている。増幅器９４
の出力側が、２入力の位相比較器９５の一方の入力端子
に接続されている。位相比較器９５の他方の入力端子
は、変調電圧源８９に接続され、該位相比較器９５の出
力側が受動導波路用Ｐ側電極９１に接続されている。こ
のように接続された受動導波路逆バイアス電圧源９１
は、可飽和吸収体８３に流れる光電流と変調電圧源４９
が発生する基準周波数の変調信号との位相差がゼロにな
るような制御電圧を受動導波路６４に印加する構成にな
っている。
【００３２】次に、図４のモード同期半導体レーザの動
作を説明する。可飽和吸収体用Ｐ側電極８６には、逆バ
イアス電圧源８８から負の直流電圧と変調電圧源８９か
らの正弦波の変調電圧とが重畳されて印加され、利得領
域用Ｐ側電極８７には、利得領域用電源９０から電流が
注入されてレーザ発振光に光学利得を与えている。その
結果、第３の実施形態と同様に共振器がハイブリッドモ
ード同期で動作し、パルス幅抑制を行った低時間ジッタ
の光パルス列を発生する。一方、受動導波路用Ｐ側電極
９１に、受動導波路逆バイアス電圧源９２から逆バイア
ス電圧を印加すると、ポッケルス効果により、受動導波
路８４の屈折率が変化する。このとき、半導体レーザに
おける共振器の光学長が変化し、その結果、モード同期
周波数が変化する。この屈折率の変化の際、受動導波路
８４の光学損失は変化しないので、パルス幅やパルス強
度といったパルス特性は変化せず、モード同期パルスの
周波数のみが変化することになる。
作を説明する。可飽和吸収体用Ｐ側電極８６には、逆バ
イアス電圧源８８から負の直流電圧と変調電圧源８９か
らの正弦波の変調電圧とが重畳されて印加され、利得領
域用Ｐ側電極８７には、利得領域用電源９０から電流が
注入されてレーザ発振光に光学利得を与えている。その
結果、第３の実施形態と同様に共振器がハイブリッドモ
ード同期で動作し、パルス幅抑制を行った低時間ジッタ
の光パルス列を発生する。一方、受動導波路用Ｐ側電極
９１に、受動導波路逆バイアス電圧源９２から逆バイア
ス電圧を印加すると、ポッケルス効果により、受動導波
路８４の屈折率が変化する。このとき、半導体レーザに
おける共振器の光学長が変化し、その結果、モード同期
周波数が変化する。この屈折率の変化の際、受動導波路
８４の光学損失は変化しないので、パルス幅やパルス強
度といったパルス特性は変化せず、モード同期パルスの
周波数のみが変化することになる。
【００３３】第３の実施形態と同様に、熱等の影響でモ
ード同期周波数が変動しようとすると、変調電圧源８９
の発生する基準周波数の変調信号と可飽和吸収体４３に
流れる光電流との間に位相差が生じる。光電流が増幅器
９４によって増幅されて与えられる位相比較器９５は、
該光電流及び変調電圧源８９が発生する変調信号の位相
を比較し、基準周波数と光電流の周波数ずれを検出し、
受動導波路逆バイアス電圧源９２に与える。これによ
り、受動導波路逆バイアス電圧源９２は、その周波数ず
れをゼロにする制御電圧を、受動導波路８４に印加す
る。その結果、受動導波路８４の屈折率が、モード同期
周波数の変化を抑制するように変化する。
ード同期周波数が変動しようとすると、変調電圧源８９
の発生する基準周波数の変調信号と可飽和吸収体４３に
流れる光電流との間に位相差が生じる。光電流が増幅器
９４によって増幅されて与えられる位相比較器９５は、
該光電流及び変調電圧源８９が発生する変調信号の位相
を比較し、基準周波数と光電流の周波数ずれを検出し、
受動導波路逆バイアス電圧源９２に与える。これによ
り、受動導波路逆バイアス電圧源９２は、その周波数ず
れをゼロにする制御電圧を、受動導波路８４に印加す
る。その結果、受動導波路８４の屈折率が、モード同期
周波数の変化を抑制するように変化する。
【００３４】以上のように、この第４の実施形態では、
受動導波路逆バイアス電圧源７２を有するモード同期半
導体レーザに、可飽和吸収体８３に流れる光電流と基準
周波数との周波数のずれを検出する位相比較器９５を設
け、該位相比較器９５の出力信号に基づき、光電流と基
準周波数との周波数のずれをゼロにするような制御電圧
を受動導波路８４に印加するようにしたので、第３の実
施形態と同様に、モード同期周波数が安定し、長期に渡
って安定化した超短光パルス列を発生でき、光通信シス
テムにおける信号識別誤りを防止できる等の効果が期待
できる。その上、第３の実施形態では必要であった光カ
ップラ７６やＯ／Ｅ変換器７７等が不要となり、省部品
化ができると共に、コンパクト化が実現できる。
受動導波路逆バイアス電圧源７２を有するモード同期半
導体レーザに、可飽和吸収体８３に流れる光電流と基準
周波数との周波数のずれを検出する位相比較器９５を設
け、該位相比較器９５の出力信号に基づき、光電流と基
準周波数との周波数のずれをゼロにするような制御電圧
を受動導波路８４に印加するようにしたので、第３の実
施形態と同様に、モード同期周波数が安定し、長期に渡
って安定化した超短光パルス列を発生でき、光通信シス
テムにおける信号識別誤りを防止できる等の効果が期待
できる。その上、第３の実施形態では必要であった光カ
ップラ７６やＯ／Ｅ変換器７７等が不要となり、省部品
化ができると共に、コンパクト化が実現できる。
【００３５】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
ず種々の変形が可能である。例えば、受動導波路１４，
４４，６４，８４の配置は、各光共振器の中央部に限定
されるものではなく、光共振器端部にあってもよい。ま
た、抵抗加熱膜２２，５２への注入電流を変化させる構
成は、可変抵抗２４，５４でなくてもよく、電源２３，
５３の発生電圧を変化させてもよい。
ず種々の変形が可能である。例えば、受動導波路１４，
４４，６４，８４の配置は、各光共振器の中央部に限定
されるものではなく、光共振器端部にあってもよい。ま
た、抵抗加熱膜２２，５２への注入電流を変化させる構
成は、可変抵抗２４，５４でなくてもよく、電源２３，
５３の発生電圧を変化させてもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
によれば、抵抗加熱膜が形成されたモード同期半導体レ
ーザに、超短光パルス列を電気信号に変換するＯ／Ｅ変
換器と、その電気信号及び基準周波数の変調信号の位相
を比較し、これらの位相差から超短光パルス列及び該基
準周波数の周波数のずれを検出する位相比較器とを設
け、周波数のずれをなくすように抵抗加熱膜の注入電流
を変化させるようにしたので、熱等の擾乱があっても光
学長が調整されてモード同期周波数が安定し、長期にわ
たって安定化した超短光パルス列を発生できる。よっ
て、例えば光通信システムにおける信号識別誤りを防止
できる等の効果が期待できる。
によれば、抵抗加熱膜が形成されたモード同期半導体レ
ーザに、超短光パルス列を電気信号に変換するＯ／Ｅ変
換器と、その電気信号及び基準周波数の変調信号の位相
を比較し、これらの位相差から超短光パルス列及び該基
準周波数の周波数のずれを検出する位相比較器とを設
け、周波数のずれをなくすように抵抗加熱膜の注入電流
を変化させるようにしたので、熱等の擾乱があっても光
学長が調整されてモード同期周波数が安定し、長期にわ
たって安定化した超短光パルス列を発生できる。よっ
て、例えば光通信システムにおける信号識別誤りを防止
できる等の効果が期待できる。
【００３７】第２の発明によれば、抵抗加熱膜が形成さ
れたモード同期半導体レーザに、活性導波路に流れる光
電流及び該活性導波路に印加する変調信号の位相を比較
し、これらの位相差から光電流の基準周波数からの周波
数ずれを検出する位相比較器を設け、周波数のずれをな
くすように抵抗加熱膜の注入電流を変化させるようにし
たので、第１の発明と同様に、熱等の擾乱があっても光
学長が調整されてモード同期周波数が安定し、長期にわ
たって安定化した超短光パルス列を発生できる。さら
に、光パルス列を電気信号に変換するＯ／Ｅ変換器等で
構成されるフィードバック機構が不要になるので、省部
品化とコンパクト化が容易になり、低コスト化が実現で
きる。
れたモード同期半導体レーザに、活性導波路に流れる光
電流及び該活性導波路に印加する変調信号の位相を比較
し、これらの位相差から光電流の基準周波数からの周波
数ずれを検出する位相比較器を設け、周波数のずれをな
くすように抵抗加熱膜の注入電流を変化させるようにし
たので、第１の発明と同様に、熱等の擾乱があっても光
学長が調整されてモード同期周波数が安定し、長期にわ
たって安定化した超短光パルス列を発生できる。さら
に、光パルス列を電気信号に変換するＯ／Ｅ変換器等で
構成されるフィードバック機構が不要になるので、省部
品化とコンパクト化が容易になり、低コスト化が実現で
きる。
【００３８】第３の発明によれば、受動導波路には屈折
率を変化させて光学長を変化させる制御電圧が印加され
るモード同期半導体レーザに、超短光パルス列を電気信
号に変換するＯ／Ｅ変換器と、その電気信号及び変調信
号の位相を比較し、これらの位相差から超短光パルス列
及び基準周波数の周波数のずれを検出する位相比較器と
を設け、周波数のずれをなくすように該制御電圧を変化
させるようにしたので、第１の発明と同様に、熱等の擾
乱があっても光学長が調整されてモード同期周波数が安
定し、長期にわたって安定化した超短光パルス列を発生
できる。よって、例えば光通信システムにおける信号識
別誤りを防止できる等の効果が期待できる。
率を変化させて光学長を変化させる制御電圧が印加され
るモード同期半導体レーザに、超短光パルス列を電気信
号に変換するＯ／Ｅ変換器と、その電気信号及び変調信
号の位相を比較し、これらの位相差から超短光パルス列
及び基準周波数の周波数のずれを検出する位相比較器と
を設け、周波数のずれをなくすように該制御電圧を変化
させるようにしたので、第１の発明と同様に、熱等の擾
乱があっても光学長が調整されてモード同期周波数が安
定し、長期にわたって安定化した超短光パルス列を発生
できる。よって、例えば光通信システムにおける信号識
別誤りを防止できる等の効果が期待できる。
【００３９】第４の発明によれば、受動導波路には屈折
率を変化させて光学長を変化させる制御電圧が印加され
るモード同期半導体レーザに、活性導波路に流れる光電
流及び該活性導波路に印加する変調信号の位相を比較
し、これらの位相差から光電流及び該変調信号の周波数
ずれを検出する位相比較器を設け、周波数のずれをなく
すように制御電圧を変化させるようにしたので、第３の
発明と同様に、熱等の擾乱があっても光学長が調整され
てモード同期周波数が安定し、長期にわたって安定化し
た超短光パルス列を発生できる。さらに、光パルス列を
電気信号に変換するＯ／Ｅ変換器等で構成されるフィー
ドバック機構が不要になるので、省部品化とコンパクト
化が容易になり、低コスト化が実現できる。
率を変化させて光学長を変化させる制御電圧が印加され
るモード同期半導体レーザに、活性導波路に流れる光電
流及び該活性導波路に印加する変調信号の位相を比較
し、これらの位相差から光電流及び該変調信号の周波数
ずれを検出する位相比較器を設け、周波数のずれをなく
すように制御電圧を変化させるようにしたので、第３の
発明と同様に、熱等の擾乱があっても光学長が調整され
てモード同期周波数が安定し、長期にわたって安定化し
た超短光パルス列を発生できる。さらに、光パルス列を
電気信号に変換するＯ／Ｅ変換器等で構成されるフィー
ドバック機構が不要になるので、省部品化とコンパクト
化が容易になり、低コスト化が実現できる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示すモード同期半導
体レーザの要部の構成図である。
体レーザの要部の構成図である。
【図２】本発明の第２の実施形態を示すモード同期半導
体レーザの要部の構成図である。
体レーザの要部の構成図である。
【図３】本発明の第３の実施形態を示すモード同期半導
体レーザの要部の構成図である。
体レーザの要部の構成図である。
【図４】本発明の第４の実施形態を示すモード同期半導
体レーザの要部の構成図である。
体レーザの要部の構成図である。
【符号の説明】 １１，４１，６１，８１ Ｎ型クラッド層 １２，４２，６２，８２ Ｐ型クラッド層 １３，４３，６３，８３ 可飽和吸収体 １４，４４，６４，８４ 受動導波路 １５，４５，６５，８５ 利得領域 １８，４８，６８，８８ 逆バイアス電圧源 １９，４９，６９，８９ 変調電圧源 ２０，５９，７０，９０ 利得領域用電流源 ２２，５２ 抵抗加熱膜 ２４，５４ 可変抵抗 ２６，７４ 光学的結合用レンズ ２７，７５ ピグテ−ル光ファイバ ２８，７６ 光カップラ ２９，７７ Ｏ／Ｅ変換器 ３０，７８ フィルタ ３１，５７，７９，９５ 位相比較器 ５６，９４ 増幅器 ７２，９２ 受動導波路逆バイアス電圧源
Claims (4)
- 【請求項１】 基準周波数の変調信号が印加される活性
導波路が形成されると共に発振光に対して透明な受動導
波路が形成され、かつ、該受動導波路の上部には、注入
電流に基づくジュール熱を発生して該受動導波路の屈折
率を変化させて光学長を変化させる抵抗加熱膜が形成さ
れた光共振器であって、該基準周波数に対応する周波数
の超短光パルス列を発生するモード同期半導体レーザに
おいて、 前記超短光パルス列を電気信号に変換する光／電気変換
器と、 前記電気信号及び前記変調信号の位相を比較し、これら
の位相差から前記超短光パルス列及び前記基準周波数の
周波数のずれを検出する位相比較器とを備え、 前記位相比較器が検出した周波数のずれをなくすように
前記抵抗加熱膜の注入電流を変化させる構成にしたこと
を特徴とするモード同期半導体レーザ。 - 【請求項２】 基準周波数の変調信号が印加される活性
導波路が形成されると共に発振光に対して透明な受動導
波路が形成され、かつ、該受動導波路の上部には、注入
電流に基づくジュール熱を発生して該受動導波路の屈折
率を変化させて光学長を変化させる抵抗加熱膜が形成さ
れた光共振器であって、該基準周波数に対応する周波数
の超短光パルス列を発生するモード同期半導体レーザに
おいて、 前記活性導波路に流れる光電流及び該活性導波路に印加
する前記変調信号の位相を比較し、これらの位相差から
該光電流及び該変調信号の周波数ずれを検出する位相比
較器を備え、 前記位相比較器が検出した周波数のずれをなくすように
前記抵抗加熱膜の注入電流を変化させる構成にしたこと
を特徴とするモード同期半導体レーザ。 - 【請求項３】 基準周波数の変調信号が印加される活性
導波路が形成されると共に発振光に対して透明な受動導
波路が形成され、かつ、該受動導波路には屈折率を変化
させて光学長を変化させる制御電圧が印加される光共振
器であって、該基準周波数に対応する周波数の超短光パ
ルス列を発生するモード同期半導体レーザにおいて、 前記超短光パルス列を電気信号に変換する光／電気変換
器と、 前記電気信号及び前記変調信号の位相を比較し、これら
の位相差から前記超短光パルス列及び前記基準周波数の
周波数のずれを検出する位相比較器とを備え、 前記位相比較器が検出した周波数のずれをなくすように
前記制御電圧を変化させる構成にしたことを特徴とする
モード同期半導体レーザ。 - 【請求項４】 基準周波数の変調信号が印加される活性
導波路が形成されると共に発振光に対して透明な受動導
波路が形成され、かつ、該受動導波路には屈折率を変化
させて光学長を変化させる制御電圧が印加される光共振
器であって、該基準周波数に対応する周波数の超短光パ
ルス列を発生するモード同期半導体レーザにおいて、 前記活性導波路に流れる光電流及び該活性導波路に印加
する前記変調信号の位相を比較し、これらの位相差から
該光電流及び該変調信号の周波数ずれを検出する位相比
較器を備え、 前記位相比較器が検出した周波数のずれをなくすように
前記制御電圧を変化させる構成にしたことを特徴とする
モード同期半導体レーザ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142684A JP2000332348A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | モード同期半導体レーザ |
| US09/576,903 US6542522B1 (en) | 1999-05-24 | 2000-05-23 | Mode locking semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142684A JP2000332348A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | モード同期半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332348A true JP2000332348A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15321129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11142684A Withdrawn JP2000332348A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | モード同期半導体レーザ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6542522B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000332348A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2007165608A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 受動モード同期半導体レーザ及び光クロック信号抽出装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2007525012A (ja) * | 2003-06-27 | 2007-08-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 低ジッタのパルス型量子ドットレーザシステム |
| US20060222024A1 (en) * | 2005-03-15 | 2006-10-05 | Gray Allen L | Mode-locked semiconductor lasers with quantum-confined active region |
| US20060227825A1 (en) * | 2005-04-07 | 2006-10-12 | Nl-Nanosemiconductor Gmbh | Mode-locked quantum dot laser with controllable gain properties by multiple stacking |
| KR100753816B1 (ko) * | 2005-10-25 | 2007-08-31 | 한국전자통신연구원 | 수동 모드 잠김을 일으키는 레이저 다이오드 및 그 다이오드를 이용한 광 펄스 생성 방법 |
| US7835408B2 (en) * | 2005-12-07 | 2010-11-16 | Innolume Gmbh | Optical transmission system |
| US7561607B2 (en) * | 2005-12-07 | 2009-07-14 | Innolume Gmbh | Laser source with broadband spectrum emission |
| JP2009518833A (ja) | 2005-12-07 | 2009-05-07 | インノルメ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 広帯域スペクトル発光を有するレーザ光源 |
| US7813388B2 (en) * | 2006-12-06 | 2010-10-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Self-pulsating laser diode |
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