JP2000331784A - 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2000331784A JP2000331784A JP11142734A JP14273499A JP2000331784A JP 2000331784 A JP2000331784 A JP 2000331784A JP 11142734 A JP11142734 A JP 11142734A JP 14273499 A JP14273499 A JP 14273499A JP 2000331784 A JP2000331784 A JP 2000331784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- partition
- transparent
- display panel
- metal electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 61
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属電極の抵抗値を低下させるようにした有
機ＥＬディスプレイパネルおよびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 透明基板上に、ストライプ状に配された
複数の透明電極と、該透明電極と交差する方向に伸長す
る互いに平行な複数の隔壁と、少なくとも前記透明電極
の前記隔壁で覆われずに露出する領域に形成された単層
または複数層の有機ＥＬ材料層と、各々が前記複数の隔
壁の間において前記透明電極と交差する方向に伸長する
互いに平行な複数の前記金属電極と、を有し、前記隔壁
は、その両側部側から前記透明基板に略平行な方向に突
出するオーバーハング部を有し、前記隔壁は前記透明基
板上に少なくとも前記隔壁の形成領域を含んで形成され
た絶縁膜の上に形成され、前記絶縁膜上における前記隔
壁の根元部には隔壁の伸長方向に沿って延在し一方の側
部側からのみ露出した補助導電線を形成する。
機ＥＬディスプレイパネルおよびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 透明基板上に、ストライプ状に配された
複数の透明電極と、該透明電極と交差する方向に伸長す
る互いに平行な複数の隔壁と、少なくとも前記透明電極
の前記隔壁で覆われずに露出する領域に形成された単層
または複数層の有機ＥＬ材料層と、各々が前記複数の隔
壁の間において前記透明電極と交差する方向に伸長する
互いに平行な複数の前記金属電極と、を有し、前記隔壁
は、その両側部側から前記透明基板に略平行な方向に突
出するオーバーハング部を有し、前記隔壁は前記透明基
板上に少なくとも前記隔壁の形成領域を含んで形成され
た絶縁膜の上に形成され、前記絶縁膜上における前記隔
壁の根元部には隔壁の伸長方向に沿って延在し一方の側
部側からのみ露出した補助導電線を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ（エレクト
ロルミネッセンス）ディスプレイパネルおよびその製造
方法に関する。
ロルミネッセンス）ディスプレイパネルおよびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開平７−５３０１１号公報に示される
従来の有機ＥＬディスプレイパネルは図２および図３に
示されるように、透明基板１の上に複数の透明電極２を
平行に配置し、その上に有機ＥＬ材料層３を積層し、そ
の上に複数の金属電極４を前記透明電極２と直交するよ
うに積層されて構成される。
従来の有機ＥＬディスプレイパネルは図２および図３に
示されるように、透明基板１の上に複数の透明電極２を
平行に配置し、その上に有機ＥＬ材料層３を積層し、そ
の上に複数の金属電極４を前記透明電極２と直交するよ
うに積層されて構成される。
【０００３】図２および図３で説明した有機ＥＬディス
プレイパネルの製造方法は、図４（Ａ）に示されるよう
に、先ずＩＴＯ等による透明電極２が形成され透明基板
１上に等間隔で透明電極２と直交して絶縁膜５を形成す
る。次に図４（Ｂ）に示されるように、絶縁膜５の上に
絶縁物からなる逆テーパ状の隔壁６を形成する。
プレイパネルの製造方法は、図４（Ａ）に示されるよう
に、先ずＩＴＯ等による透明電極２が形成され透明基板
１上に等間隔で透明電極２と直交して絶縁膜５を形成す
る。次に図４（Ｂ）に示されるように、絶縁膜５の上に
絶縁物からなる逆テーパ状の隔壁６を形成する。
【０００４】次に図４（Ｃ）に示されるように、有機Ｅ
Ｌ材料の蒸着方向を変化させながら透明電極２、絶縁膜
５および隔壁６が形成された透明基板１上に蒸着し、有
機ＥＬ材料層３を形成する。有機ＥＬ材料層３が形成さ
れた後で、図４（Ｄ）に示されるように、Ａｌ，Ｃｕ，
Ａｕなど抵抗率の低い金属を透明基板１とほぼ垂直な蒸
発方向で蒸着させ、金属電極４を形成する。
Ｌ材料の蒸着方向を変化させながら透明電極２、絶縁膜
５および隔壁６が形成された透明基板１上に蒸着し、有
機ＥＬ材料層３を形成する。有機ＥＬ材料層３が形成さ
れた後で、図４（Ｄ）に示されるように、Ａｌ，Ｃｕ，
Ａｕなど抵抗率の低い金属を透明基板１とほぼ垂直な蒸
発方向で蒸着させ、金属電極４を形成する。
【０００５】隔壁６は複数の金属電極４を形成させるた
めのものであり、隔壁６の頭部６Ａの高さは、有機ＥＬ
材料層３および金属電極４の膜厚より大になっている。
したがって、有機ＥＬ材料および金属電極材料を蒸発さ
せて蒸着させた場合、隔壁６の頭部６Ａにも有機ＥＬ材
料層の３Ａおよび金属電極４Ａが蒸着されるが、これら
は透明基板１上に形成された有機ＥＬ材料層３および金
属電極４とは分断され、複数の金属電極４−１〜４−４
が形成される。
めのものであり、隔壁６の頭部６Ａの高さは、有機ＥＬ
材料層３および金属電極４の膜厚より大になっている。
したがって、有機ＥＬ材料および金属電極材料を蒸発さ
せて蒸着させた場合、隔壁６の頭部６Ａにも有機ＥＬ材
料層の３Ａおよび金属電極４Ａが蒸着されるが、これら
は透明基板１上に形成された有機ＥＬ材料層３および金
属電極４とは分断され、複数の金属電極４−１〜４−４
が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５は、図２〜図４で
説明した有機ＥＬディスプレイパネルの電気的構成図
で、図中発光ダイオードの記号は透明電極２と金属電極
４が交叉した部分の有機ＥＬ材料層３を表しており、該
部分が発光部となる。
説明した有機ＥＬディスプレイパネルの電気的構成図
で、図中発光ダイオードの記号は透明電極２と金属電極
４が交叉した部分の有機ＥＬ材料層３を表しており、該
部分が発光部となる。
【０００７】有機ＥＬディスプレイパネルの発光は、透
明電極２より低抵抗である金属電極４−１〜４−ｎを走
査線とし、透明電極２−１〜２−ｍをドライブ線として
電流源より電流が注入される。有機ＥＬディスプレイパ
ネルの発光時には、例えば金属電極４−１が走査された
とき全ての透明電極２−１〜２−ｍに接続されている電
流源より電流が注入され、走査線である金属電極４−１
に接続される全ての発光部が発光される場合もある。
明電極２より低抵抗である金属電極４−１〜４−ｎを走
査線とし、透明電極２−１〜２−ｍをドライブ線として
電流源より電流が注入される。有機ＥＬディスプレイパ
ネルの発光時には、例えば金属電極４−１が走査された
とき全ての透明電極２−１〜２−ｍに接続されている電
流源より電流が注入され、走査線である金属電極４−１
に接続される全ての発光部が発光される場合もある。
【０００８】このような場合、金属電極４−１に流れる
電流は、透明電極２−ｍより２−１に近づくにつれて電
流が加算されて大電流となる。したがって、金属電極４
−１には抵抗が存在するため、該抵抗によって注入電流
による電圧降下が発生し、金属電極４−１と透明電極２
−１〜２−ｍ間の電圧降下は、透明電極２−１より２−
ｍに行くに従って大となる。
電流は、透明電極２−ｍより２−１に近づくにつれて電
流が加算されて大電流となる。したがって、金属電極４
−１には抵抗が存在するため、該抵抗によって注入電流
による電圧降下が発生し、金属電極４−１と透明電極２
−１〜２−ｍ間の電圧降下は、透明電極２−１より２−
ｍに行くに従って大となる。
【０００９】したがって、同じ電流源を透明電極２−１
〜２−ｍに接続して駆動した場合、前記電圧降下によっ
て駆動電圧が増大し、消費電力が大きくなる、ドライブ
信号の遅延等の問題が生じる。このような問題を解決す
るには、金属電極４の抵抗値を低抵抗にする必要があ
る。
〜２−ｍに接続して駆動した場合、前記電圧降下によっ
て駆動電圧が増大し、消費電力が大きくなる、ドライブ
信号の遅延等の問題が生じる。このような問題を解決す
るには、金属電極４の抵抗値を低抵抗にする必要があ
る。
【００１０】金属電極４の抵抗を下げる最も容易な方法
は、金属電極４の膜厚を厚くすることである。ところ
が、金属電極４の膜厚を厚くすると、膜の応力が大きく
なり、それにより有機ＥＬ材料層３が絶縁破壊し、金属
電極４と透明電極２がショートし易くなる。よって、金
属電極４の膜厚を厚くするのには限界がある。
は、金属電極４の膜厚を厚くすることである。ところ
が、金属電極４の膜厚を厚くすると、膜の応力が大きく
なり、それにより有機ＥＬ材料層３が絶縁破壊し、金属
電極４と透明電極２がショートし易くなる。よって、金
属電極４の膜厚を厚くするのには限界がある。
【００１１】本発明は金属電極を低抵抗化した有機ＥＬ
ディスプレイパネルおよびその製造方法を提供すること
を目的とする。
ディスプレイパネルおよびその製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、請求項１の発明においては、透明基板上に、スト
ライプ状に配された複数の透明電極と、該透明電極と交
差する方向に伸長する互いに平行な複数の隔壁と、少な
くとも前記透明電極の前記隔壁で覆われずに露出する領
域に形成された単層または複数層の有機ＥＬ材料層と、
各々が前記複数の隔壁の間において前記透明電極と交差
する方向に伸長する互いに平行な複数の前記金属電極
と、を有し、前記隔壁は、その両側部側から前記透明基
板に略平行な方向に突出するオーバーハング部を有し、
前記隔壁は前記透明基板上に少なくとも前記隔壁の形成
領域を含んで形成された絶縁膜の上に形成され、前記絶
縁膜上における前記隔壁の根元部には隔壁の伸長方向に
沿って延在し一方の側部側からのみ露出した補助導電線
を形成する。
めに、請求項１の発明においては、透明基板上に、スト
ライプ状に配された複数の透明電極と、該透明電極と交
差する方向に伸長する互いに平行な複数の隔壁と、少な
くとも前記透明電極の前記隔壁で覆われずに露出する領
域に形成された単層または複数層の有機ＥＬ材料層と、
各々が前記複数の隔壁の間において前記透明電極と交差
する方向に伸長する互いに平行な複数の前記金属電極
と、を有し、前記隔壁は、その両側部側から前記透明基
板に略平行な方向に突出するオーバーハング部を有し、
前記隔壁は前記透明基板上に少なくとも前記隔壁の形成
領域を含んで形成された絶縁膜の上に形成され、前記絶
縁膜上における前記隔壁の根元部には隔壁の伸長方向に
沿って延在し一方の側部側からのみ露出した補助導電線
を形成する。
【００１３】請求項２の発明においては、前記補助導電
線は、前記一方の側部側において前記金属電極と接合す
る。請求項３の発明においては、前記補助導電線が前記
隔壁の前記根元部の下にも形成される。
線は、前記一方の側部側において前記金属電極と接合す
る。請求項３の発明においては、前記補助導電線が前記
隔壁の前記根元部の下にも形成される。
【００１４】請求項４の発明においては、透明基板上
に、ストライプ状に配された複数の透明電極と、該透明
電極と交差する方向に伸長する互いに平行な複数の隔壁
と、少なくとも前記透明電極の前記隔壁で覆われずに露
出する領域に形成された単層または複数層の有機ＥＬ材
料層と、各々が前記複数の隔壁の間において前記透明電
極と交差する方向に伸長する互いに平行な複数の前記金
属電極と、を有する有機ＥＬディスプレイパネルの製造
方法であって、前記透明電極が形成された前記透明基板
上に少なくとも前記隔壁の形成領域を含んで絶縁膜を形
成し、該絶縁膜上に前記隔壁の根元部の一方の側部側か
らのみ露出するように前記隔壁の伸長方向に沿って補助
導電線を形成し、前記絶縁膜および前記補助導電線上に
前記隔壁を形成し、その上に前記有機ＥＬ材料層および
前記金属電極を蒸着して形成する。
に、ストライプ状に配された複数の透明電極と、該透明
電極と交差する方向に伸長する互いに平行な複数の隔壁
と、少なくとも前記透明電極の前記隔壁で覆われずに露
出する領域に形成された単層または複数層の有機ＥＬ材
料層と、各々が前記複数の隔壁の間において前記透明電
極と交差する方向に伸長する互いに平行な複数の前記金
属電極と、を有する有機ＥＬディスプレイパネルの製造
方法であって、前記透明電極が形成された前記透明基板
上に少なくとも前記隔壁の形成領域を含んで絶縁膜を形
成し、該絶縁膜上に前記隔壁の根元部の一方の側部側か
らのみ露出するように前記隔壁の伸長方向に沿って補助
導電線を形成し、前記絶縁膜および前記補助導電線上に
前記隔壁を形成し、その上に前記有機ＥＬ材料層および
前記金属電極を蒸着して形成する。
【００１５】請求項５の発明においては、前記隔壁に
は、その両側部から前記透明基板に略平行な方向に突出
するオーバーハング部を形成する。請求項６の発明にお
いては、前記金属電極の蒸着方向を前記隔壁の側面のオ
ーバーハング角より小なる角度で蒸着させる。
は、その両側部から前記透明基板に略平行な方向に突出
するオーバーハング部を形成する。請求項６の発明にお
いては、前記金属電極の蒸着方向を前記隔壁の側面のオ
ーバーハング角より小なる角度で蒸着させる。
【００１６】また、請求項７の発明においては、前記有
機ＥＬ材料層の蒸着方向を前記金属電極の蒸着方向より
小なる角度で蒸着させる。
機ＥＬ材料層の蒸着方向を前記金属電極の蒸着方向より
小なる角度で蒸着させる。
【００１７】また、請求項８の発明においては、透明基
板上に形成された透明電極と、少なくとも前記透明電極
を露出されるよう前記基板上に突出形成されその上部に
前記基板に平行な方向に突出するオーバーハング部を有
する複数の隔壁と、少なくとも前記透明電極の露出した
領域に形成された有機ＥＬ材料層と、各々が前記隔壁の
間隙に形成されて電気的に独立した複数の金属電極と、
を有し、前記隔壁は前記基板上に少なくとも前記隔壁の
形成領域を含んで形成された絶縁膜の上に形成され、前
記絶縁膜上における前記隔壁の根元部には隔壁の前記形
成領域内に延在し側部側からのみ露出した補助導電線が
形成される。
板上に形成された透明電極と、少なくとも前記透明電極
を露出されるよう前記基板上に突出形成されその上部に
前記基板に平行な方向に突出するオーバーハング部を有
する複数の隔壁と、少なくとも前記透明電極の露出した
領域に形成された有機ＥＬ材料層と、各々が前記隔壁の
間隙に形成されて電気的に独立した複数の金属電極と、
を有し、前記隔壁は前記基板上に少なくとも前記隔壁の
形成領域を含んで形成された絶縁膜の上に形成され、前
記絶縁膜上における前記隔壁の根元部には隔壁の前記形
成領域内に延在し側部側からのみ露出した補助導電線が
形成される。
【００１８】また、請求項９の発明においては、前記補
助導電線は、前記側部側において前記金属電極の一つと
接合される。
助導電線は、前記側部側において前記金属電極の一つと
接合される。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１を参照
して説明する。図１は本発明の実施例の製造方法を示す
図である。先ず、図１（Ａ）に示されるように、ＩＴＯ
等による透明電極２が形成された透明基板１上に、等間
隔で透明電極２と直交して複数の絶縁膜５を形成する。
して説明する。図１は本発明の実施例の製造方法を示す
図である。先ず、図１（Ａ）に示されるように、ＩＴＯ
等による透明電極２が形成された透明基板１上に、等間
隔で透明電極２と直交して複数の絶縁膜５を形成する。
【００２０】次に、図１（Ｂ）に示されるように、絶縁
膜５の上に補助導電線７を形成する。次に、図１（Ｃ）
に示されるように、隔壁６を形成する。
膜５の上に補助導電線７を形成する。次に、図１（Ｃ）
に示されるように、隔壁６を形成する。
【００２１】隔壁６の形成は、例えば、絶縁膜５および
補助導電線７が形成された透明基板１上にポリイミド膜
をスピーンコート法で形成し、その上にフォトレジスト
膜を形成し、マスクを介して光を照射させ、フォトレジ
スト膜をクロームベンゼン処理をして隔壁６の頭部６Ｂ
以外を除去し、アルカリ溶液でポリイミドをエッチング
して、断面形状が根元部６Ａより頭部６Ｂが幅広となる
オーバーハング部が形成された隔壁６を形成する。
補助導電線７が形成された透明基板１上にポリイミド膜
をスピーンコート法で形成し、その上にフォトレジスト
膜を形成し、マスクを介して光を照射させ、フォトレジ
スト膜をクロームベンゼン処理をして隔壁６の頭部６Ｂ
以外を除去し、アルカリ溶液でポリイミドをエッチング
して、断面形状が根元部６Ａより頭部６Ｂが幅広となる
オーバーハング部が形成された隔壁６を形成する。
【００２２】なお、補助導電線７は隔壁６の根元部６Ａ
の一面からは露出、他面からは露出されないように形成
される。したがって、補助導電線７は予め絶縁膜５上に
形成される隔壁６の中心位置よりずらした位置に形成す
る。
の一面からは露出、他面からは露出されないように形成
される。したがって、補助導電線７は予め絶縁膜５上に
形成される隔壁６の中心位置よりずらした位置に形成す
る。
【００２３】次に、図１（Ｄ）に示されるように、有機
ＥＬ材料の蒸着方向を変化させて蒸着し、有機ＥＬ材料
層３を形成し、続いて、図１（Ｅ）に示されるように、
金属電極材料の蒸着方向を変化させて蒸着し、金属電極
４を形成する。
ＥＬ材料の蒸着方向を変化させて蒸着し、有機ＥＬ材料
層３を形成し、続いて、図１（Ｅ）に示されるように、
金属電極材料の蒸着方向を変化させて蒸着し、金属電極
４を形成する。
【００２４】隔壁６の側面は透明基板１の垂線に対して
θ1 なる角度で傾斜しており、金属電極４の形成時には
金属電極材料の蒸着方向の角度θ3 をθ1 ＞θ3 なる角
度で蒸着する。また、有機ＥＬ材料層３の形成時には、
有機ＥＬ材料の蒸着方向の角度θ2 をθ2 ＜θ3 なる角
度で蒸着する。
θ1 なる角度で傾斜しており、金属電極４の形成時には
金属電極材料の蒸着方向の角度θ3 をθ1 ＞θ3 なる角
度で蒸着する。また、有機ＥＬ材料層３の形成時には、
有機ＥＬ材料の蒸着方向の角度θ2 をθ2 ＜θ3 なる角
度で蒸着する。
【００２５】このようにθ1 ＞θ3 ＞θ2 なる角度θ2
で有機ＥＬ材料層３を蒸着することによって、有機ＥＬ
材料層３は絶縁膜５の端部および端部の上に蒸着され、
補助導電線７上には蒸着されない。
で有機ＥＬ材料層３を蒸着することによって、有機ＥＬ
材料層３は絶縁膜５の端部および端部の上に蒸着され、
補助導電線７上には蒸着されない。
【００２６】また一方、金属電極４は角度θ3 で蒸着さ
れるため、有機ＥＬ材料層３および補助導電線７上に蒸
着され、金属電極４と補助導電線７は電気的に接続さ
れ、金属電極４の抵抗値を低くすることができる。
れるため、有機ＥＬ材料層３および補助導電線７上に蒸
着され、金属電極４と補助導電線７は電気的に接続さ
れ、金属電極４の抵抗値を低くすることができる。
【００２７】また、隔壁６の頭部６Ｂには、有機ＥＬ材
料層の露出部３Ａおよび金属電極補助部４Ａが形成され
るが、隔壁６の高さが有機ＥＬ材料層３および金属電極
４の膜厚の和より高く形成されているため、隣接する金
属電極４とは分断される。
料層の露出部３Ａおよび金属電極補助部４Ａが形成され
るが、隔壁６の高さが有機ＥＬ材料層３および金属電極
４の膜厚の和より高く形成されているため、隣接する金
属電極４とは分断される。
【００２８】なお、実施例における絶縁層の材料として
は、ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，Ａｌ2 Ｏ3等の金属酸化物、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＮ等の金属窒化物、ポリイミド、感光性
ポリイミド、フォトレジスト等感光性樹脂などの有機物
を用いることが出来る。
は、ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，Ａｌ2 Ｏ3等の金属酸化物、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＮ等の金属窒化物、ポリイミド、感光性
ポリイミド、フォトレジスト等感光性樹脂などの有機物
を用いることが出来る。
【００２９】また、導電層の材料は、一般的な金属を用
いることが出来、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ等特に
抵抗の低い金属やこれらの金属を主成分とする合金であ
ればなお好ましい。またこれら低抵抗な金属と絶縁層の
密着性が低い場合は、Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ等高
融点の金属薄膜を絶縁層と導電層間に挿入するとよい。
いることが出来、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ等特に
抵抗の低い金属やこれらの金属を主成分とする合金であ
ればなお好ましい。またこれら低抵抗な金属と絶縁層の
密着性が低い場合は、Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ等高
融点の金属薄膜を絶縁層と導電層間に挿入するとよい。
【００３０】なお、上述した実施例においては、透明電
極と金属電極の交叉する部分が発光部となる所謂マトリ
クス型のディスクプレイを例として説明したが、これに
限られることはなく、複数のパターニングされた金属電
極を有して独立した発光部が複数存在する発光ディスプ
レイであれば、本発明の適用は可能である。この場合、
隔壁の頭部に形成された金属電極補助部は、隔壁の側面
の一部分において複数の金属電極の何れか一つと接続す
るように構成されるため、隔壁の側面には、金属電極補
助部と金属電極との接合を許容する順テーパ形状部と金
属電極補助部と、金属電極とを分断する逆テーパ形状部
のいずれもが形成されなければならない。
極と金属電極の交叉する部分が発光部となる所謂マトリ
クス型のディスクプレイを例として説明したが、これに
限られることはなく、複数のパターニングされた金属電
極を有して独立した発光部が複数存在する発光ディスプ
レイであれば、本発明の適用は可能である。この場合、
隔壁の頭部に形成された金属電極補助部は、隔壁の側面
の一部分において複数の金属電極の何れか一つと接続す
るように構成されるため、隔壁の側面には、金属電極補
助部と金属電極との接合を許容する順テーパ形状部と金
属電極補助部と、金属電極とを分断する逆テーパ形状部
のいずれもが形成されなければならない。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、オーバーハングし
た隔壁を絶縁膜上に形成された補助導電線上に形成し、
補助導電線が隔壁の一方の側部側からのみ露出して形成
して金属電極と接合するようにしたので、金属電極の抵
抗値を低くすることができる。
た隔壁を絶縁膜上に形成された補助導電線上に形成し、
補助導電線が隔壁の一方の側部側からのみ露出して形成
して金属電極と接合するようにしたので、金属電極の抵
抗値を低くすることができる。
【図１】本発明の実施例の製造方法を示す図である。
【図２】有機ＥＬディスプレイパネルの説明図である。
【図３】有機ＥＬ素子の構造を示す図である。
【図４】従来の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法
を示す図である。
を示す図である。
【図５】有機ＥＬディスプレイパネルの駆動を説明する
ための図である。
ための図である。
１ 透明基板 ２ 透明電極 ３ 有機ＥＬ材料層 ４ 金属電極 ５ 絶縁膜 ６ 隔壁 ６Ａ 根元部 ６Ｂ 頭部 ７ 補助導電線
Claims (9)
- 【請求項１】 透明基板上に、ストライプ状に配された
複数の透明電極と、該透明電極と交差する方向に伸長す
る互いに平行な複数の隔壁と、少なくとも前記透明電極
の前記隔壁で覆われずに露出する領域に形成された単層
または複数層の有機ＥＬ材料層と、各々が前記複数の隔
壁の間において前記透明電極と交差する方向に伸長する
互いに平行な複数の前記金属電極と、を有し、前記隔壁
は、その両側部側から前記透明基板に略平行な方向に突
出するオーバーハング部を有し、前記隔壁は前記透明基
板上に少なくとも前記隔壁の形成領域を含んで形成され
た絶縁膜の上に形成され、前記絶縁膜上における前記隔
壁の根元部には隔壁の伸長方向に沿って延在し一方の側
部側からのみ露出した補助導電線が形成されることを特
徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項２】 前記補助導電線は、前記一方の側部側に
おいて前記金属電極と接合されていることを特徴とする
請求項１記載の有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項３】 前記補助導電線が前記隔壁の前記根元部
の下にも形成されていることを特徴とする請求項１また
は２記載の有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項４】 透明基板上に、ストライプ状に配された
複数の透明電極と、該透明電極と交差する方向に伸長す
る互いに平行な複数の隔壁と、少なくとも前記透明電極
の前記隔壁で覆われずに露出する領域に形成された単層
または複数層の有機ＥＬ材料層と、各々が前記複数の隔
壁の間において前記透明電極と交差する方向に伸長する
互いに平行な複数の前記金属電極と、を有する有機ＥＬ
ディスプレイパネルの製造方法であって、前記透明電極
が形成された前記透明基板上に少なくとも前記隔壁の形
成領域を含んで絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に前記隔壁
の根元部の一方の側部側からのみ露出するように前記隔
壁の伸長方向に沿って補助導電線を形成し、前記絶縁膜
および前記補助導電線上に前記隔壁を形成し、その上に
前記有機ＥＬ材料層および前記金属電極を蒸着して形成
するようにしたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ
パネルの製造方法。 - 【請求項５】 前記隔壁には、その両側部から前記透明
基板に略平行な方向に突出するオーバーハング部が形成
されていることを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬデ
ィスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項６】 前記金属電極の蒸着方向を前記隔壁の側
面のオーバーハング角より小なる角度で蒸着させるよう
にしたことを特徴とする請求項５記載の有機ＥＬディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項７】 前記有機ＥＬ材料層の蒸着方向を前記金
属電極の蒸着方向より小なる角度で蒸着させるようにし
たことを特徴とする請求項５または６記載の有機ＥＬデ
ィスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項８】 透明基板上に形成された透明電極と、少
なくとも前記透明電極を露出されるよう前記基板上に突
出形成されその上部に前記基板に平行な方向に突出する
オーバーハング部を有する複数の隔壁と、少なくとも前
記透明電極の露出した領域に形成された有機ＥＬ材料層
と、各々が前記隔壁の間隙に形成されて電気的に独立し
た複数の金属電極と、を有し、前記隔壁は前記基板上に
少なくとも前記隔壁の形成領域を含んで形成された絶縁
膜の上に形成され、前記絶縁膜上における前記隔壁の根
元部には隔壁の前記形成領域内に延在し側部側からのみ
露出した補助導電線が形成されることを特徴とする有機
ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項９】 前記補助導電線は、前記側部側において
前記金属電極の一つと接合されることを特徴とする請求
項８に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14273499A JP3814102B2 (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14273499A JP3814102B2 (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331784A true JP2000331784A (ja) | 2000-11-30 |
| JP3814102B2 JP3814102B2 (ja) | 2006-08-23 |
Family
ID=15322346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14273499A Expired - Fee Related JP3814102B2 (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3814102B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664732B2 (en) | 2000-10-26 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US6828727B2 (en) | 2000-11-10 | 2004-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising a partition layer having an overhang shape |
| US6903377B2 (en) | 2001-11-09 | 2005-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2005235491A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Tdk Corp | 画像表示装置 |
| US7042024B2 (en) | 2001-11-09 | 2006-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| KR100719550B1 (ko) | 2005-06-04 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법 |
| JP2008078038A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP2009032673A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-02-12 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JP2012182120A (ja) * | 2011-02-11 | 2012-09-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法、並びに照明装置及び表示装置 |
| JP2012195288A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び照明装置 |
| CN106450041A (zh) * | 2015-08-05 | 2017-02-22 | 喜星电子株式会社 | 无源矩阵方式的量子点发光显示装置的制造方法 |
| CN107611280A (zh) * | 2017-09-20 | 2018-01-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管基板及其制造方法 |
| US10872934B2 (en) | 2016-07-01 | 2020-12-22 | Japan Display Inc. | Display device and manufacturing method thereof |
-
1999
- 1999-05-24 JP JP14273499A patent/JP3814102B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6897608B2 (en) | 2000-10-26 | 2005-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US8202743B2 (en) | 2000-10-26 | 2012-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US7923269B2 (en) | 2000-10-26 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US7034456B2 (en) | 2000-10-26 | 2006-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US6664732B2 (en) | 2000-10-26 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US7633223B2 (en) | 2000-11-10 | 2009-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device provided with drying agent at side surfaces of a sealing member |
| US6828727B2 (en) | 2000-11-10 | 2004-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising a partition layer having an overhang shape |
| US7042024B2 (en) | 2001-11-09 | 2006-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| US8785949B2 (en) | 2001-11-09 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| US7432529B2 (en) | 2001-11-09 | 2008-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| US7442963B2 (en) | 2001-11-09 | 2008-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| US6903377B2 (en) | 2001-11-09 | 2005-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| US10516010B2 (en) | 2001-11-09 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| JP4664604B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2011-04-06 | Ｔｄｋ株式会社 | 画像表示装置 |
| JP2005235491A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Tdk Corp | 画像表示装置 |
| KR100719550B1 (ko) | 2005-06-04 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법 |
| JP2008078038A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP2009032673A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-02-12 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JP2012182120A (ja) * | 2011-02-11 | 2012-09-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法、並びに照明装置及び表示装置 |
| JP2012195288A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び照明装置 |
| CN106450041A (zh) * | 2015-08-05 | 2017-02-22 | 喜星电子株式会社 | 无源矩阵方式的量子点发光显示装置的制造方法 |
| US10872934B2 (en) | 2016-07-01 | 2020-12-22 | Japan Display Inc. | Display device and manufacturing method thereof |
| CN107611280A (zh) * | 2017-09-20 | 2018-01-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管基板及其制造方法 |
| US10615231B2 (en) | 2017-09-20 | 2020-04-07 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light emitting diode substrate, method for manufacturing the same, and display panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3814102B2 (ja) | 2006-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6222315B1 (en) | Luminescent display panel with insulating films | |
| JP4142117B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP2000331783A (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| US8115376B2 (en) | Light-emitting display with auxiliary wiring section and method of manufacturing the same | |
| JP2000331784A (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JP4103045B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JPH05275172A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP2001237073A (ja) | 多面取り用メタルマスク及びその製造方法 | |
| JP2003036972A (ja) | 有機ｅｌディスプレイ及び製造方法 | |
| US6570323B1 (en) | Organic thin-film light-emitting device | |
| JP2000294371A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| US20040108809A1 (en) | Electroluminescent device and method of manufacturing the same | |
| JPH11204267A (ja) | エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| US7786519B2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
| JP2002008871A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル | |
| JP3782380B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイ | |
| JP2001230073A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 | |
| JP2001085167A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JP3663876B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
| JPH1012386A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子 | |
| JP2001043981A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| JP3858707B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2001006881A (ja) | 有機電界発光装置 | |
| JPH0155757B2 (ja) | ||
| JP6341692B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051228 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060214 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060314 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060420 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060523 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060602 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |