JP2000330274A - ソルダーレジスト用樹脂組成物及びその硬化物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 感度及び解像度に優れ、はんだ耐熱性、耐化
学薬品性、密着性及び低吸水性に優れるとともに、準マ
イクロ波帯における低誘電率や低誘電正接等の誘電特性
に優れているソルダーレジスト用樹脂組成物及びその組
成物から得られるソルダーレジストを提供する。 【解決手段】 ソルダーレジスト用樹脂組成物は、下記
一般式（１）で表される構造単位を有する（共）重合体
（Ａ）と下記一般式（２）で表されるフマル酸ジエステ
ル及び下記一般式（３）で表される電子供与性単量体を
必須成分とする重合性単量体混合物（Ｂ）を含有してい
る。（共）重合体（Ａ）は好ましくはランダム構造を有
するものであり、その重量平均分子量は好ましくは５，
０００〜２００，０００の範囲である。 【化１】 【化２】 【化３】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば活性エネ
ルギー線の照射により硬化するソルダーレジスト用樹脂
組成物及びその硬化物に関するものである。さらに詳し
くは、感度及び解像度に優れ、はんだ耐熱性、耐化学薬
品性、密着性や低吸水性に優れるとともに、低誘電率、
低誘電正接等の誘電特性に優れたソルダーレジスト用樹
脂組成物及びその硬化物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、電子部品をコンパクトに組み込
むためにプリント配線板が使用されている。このプリン
ト配線板は、積層板に貼り合わせた銅箔を回路配線に従
ってエッチングしたもので、電子部品が所定の場所に配
置されてはんだ付けが行われる。

【０００３】ソルダーレジストは、このようなプリント
配線板に電子部品をはんだ付けする前工程で使用される
もので、はんだ付けをする部分を除く回路導体の全面に
皮膜形成されるものである。このようなソルダーレジス
トの皮膜は、はんだ付けの際にはんだが不必要な部分に
付着するのを防止する保護膜として機能するとともに、
回路導体が空気に直接曝されて酸化や腐食を受けるのを
防止する保護膜としても機能するものである。

【０００４】従来、このようなソルダーレジストの皮膜
を基板上に形成する方法としては、基板上に回路の形状
にソルダーレジストをスクリ−ン印刷して活性エネルギ
ー線若しくは熱により硬化させるスクリーン印刷法があ
る。また、基板上に均一な膜を形成するようにソルダー
レジストを塗布し、回路図が印刷されたフォトマスクを
介して活性エネルギー線を露光した後、現像することに
よって露光部又は未露光部を除去することにより、回路
パターン通りの皮膜を形成するフォトレジスト法があ
る。

【０００５】一方、高度情報化社会の進展とともに、情
報処理の高速化および情報処理量の増加が顕著になりつ
つあり、コンピュータ分野においては、大型コンピュー
タの高速化が進み、また、ダウンサイジングにより小型
システムにも従来の大型機並みの処理能力が要求されて
おり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ
Ｕｎｉｔ）クロック周波数が高くなっている。そのた
め、信号伝搬速度の高速化とクロック信号の立ち上がり
（ライズタイム）の短縮が要求されている。

【０００６】また、通信分野においては、携帯電話、自
動車電話等の移動体通信機器の増大に伴い、使用する周
波数は極超短波帯（３００ＭＨｚ〜１ＧＨｚ）から準マ
イクロ波帯（１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ）に移行しつつあ
り、この周波数の移行に対応した電気電子機器を得るた
めには、低伝送損失の銅張積層板が必要となっている。

【０００７】このような銅張積層板の要求を満足するた
めには、その最表層を形成する永久膜として用いられる
ソルダーレジストにも低誘電特性が要求される。従来、
ソルダーレジストに用い得る樹脂組成物としては、種々
提案されている。例えば、共役ジエン系重合体環化物を
含むもの（特開平１０−６２９９２号公報）、パーフル
オロアルキル基を有する重合体又はスチレン系重合体を
含むもの（例えば、特開平１０−２６８２９号公報、特
開平１０−１０７３４号公報）、パーフルオロ基を有す
るポリイミドを含むもの（例えば、特開平５−２５３８
７号公報、特開平５−７２７３６号公報、特開平５−１
５８２３６号公報）、低誘電特性の固体微粉末を重合体
に混合したもの（例えば、特開平３−１８８１６３号公
報）及び珪素ポリマーを含むもの（特開平１０−７９３
８１号公報）が開示されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの従
来技術によれば確かに誘電率εは３以下と低くなるが、
この値は周波数が１ＭＨｚ程度の付近の波帯にて測定さ
れたものである。すなわち、現在通信分野において使用
されつつある周波数帯である準マイクロ波帯に対応する
低誘電率のソルダーレジストは今だ提案されていない。

【０００９】また、低い誘電損失の回路用の基板には誘
電正接（ｔａｎδ）が低いことも要求されるが、そのよ
うな低誘電正接のソルダーレジストについても今だ提案
されていないのが現状である。

【００１０】この発明は、上記のような従来技術に存在
する問題に着目してなされたものである。その目的とす
るところは、感度及び解像度に優れ、はんだ耐熱性、耐
化学薬品性、密着性や低吸水性に優れるとともに、準マ
イクロ波帯の周波数における低誘電率、低誘電正接等の
優れた誘電特性を発揮することができるソルダーレジス
ト用樹脂組成物及びその硬化物を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、この発明における第１の発明のソルダーレジスト
用樹脂組成物は、下記一般式（１）で表される構造単位
を有する重合体又は共重合体（Ａ）と、

【００１２】

【化４】 （但し、式中のＸ¹ は炭素数３〜８の分岐アルキル基若
しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数４〜８のシクロ
アルキル基若しくは置換シクロアルキル基を表し、Ｙ¹
は炭素数３〜８の分岐アルキル基若しくは置換分岐アル
キル基、又は炭素数４〜８のシクロアルキル基若しくは
置換シクロアルキル基を表す。） 下記一般式（２）で表される重合性単量体及び下記一般
式（３）で表される重合性単量体を必須成分とする重合
性単量体混合物（Ｂ）とを含有するものである。

【００１３】

【化５】 （但し、式中のＸ² は炭素数３〜８の分岐アルキル基若
しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数４〜８のシクロ
アルキル基若しくは置換シクロアルキル基を表し、Ｙ²
は炭素数３〜８の分岐アルキル基若しくは置換分岐アル
キル基、又は炭素数４〜８のシクロアルキル基若しくは
置換シクロアルキル基を表す。）

【００１４】

【化６】 （但し、式中のＺ¹ は炭素数３〜８の分岐アルキル基若
しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数４〜８のシクロ
アルキル基若しくは置換シクロアルキル基を表し、ｎお
よびｍは０または１を表す。） 第２の発明のソルダーレジスト用樹脂組成物は、第１の
発明において、前記重合体又は共重合体（Ａ）は、その
重量平均分子量が５，０００〜２００，０００のもので
ある。

【００１５】第３の発明のソルダーレジスト用樹脂組成
物は、第１又は第２の発明において、前記重合体又は共
重合体（Ａ）は、重合の連鎖がランダム構造を有するも
のである。

【００１６】第４の発明のソルダーレジスト用樹脂組成
物は、第１から第３のいずれかの発明において、前記一
般式（３）で表される重合性単量体は、下記の一般式
（４）で表されるアルキルビニルエーテル、一般式
（５）で表されるアルキルビニルエステル及び一般式
（６）で表されるアルキルアリルエステルから選ばれる
少なくとも１種のものである。

【００１７】Ｚ² −Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ₂ ・・・（４） （但し、式中のＺ² は炭素数３〜８の分岐アルキル基若
しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数４〜８のシクロ
アルキル基若しくは置換シクロアルキル基を表す。） Ｚ³ −ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ₂ ・・・（５） （但し、式中のＺ³ は炭素数３〜８の分岐アルキル基若
しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数４〜８のシクロ
アルキル基若しくは置換シクロアルキル基を表す。） Ｚ⁴ −ＣＯＯ−ＣＨ₂ −ＣＨ＝ＣＨ₂ ・・・（６） （但し、式中のＺ⁴ は炭素数３〜８の分岐アルキル基若
しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数４〜８のシクロ
アルキル基若しくは置換シクロアルキル基を表す。） 第５の発明のソルダーレジストは、第１から第４のいず
れかの発明のソルダーレジスト用樹脂組成物を基板上に
塗布後、回路パターンの形状のフォトマスクを介して活
性エネルギー線の照射とそれに続く現像を行って回路の
ネガパターンを形成し、次いでポストキュアーして得ら
れる硬化物よりなるものである。

【００１８】第６の発明のソルダーレジストは、第１か
ら第４のいずれかの発明のソルダーレジスト用樹脂組成
物を基板上に回路パターンの形状に印刷後、熱硬化を行
って得られる硬化物よりなるものである。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施形態につ
いて詳細に説明する。この発明のソルダーレジスト用樹
脂組成物は、ベース樹脂となる重合体又は共重合体〔以
下、これらを（共）重合体という〕（Ａ）及び重合性単
量体混合物（Ｂ）が必須成分として含まれている。

【００２０】（共）重合体（Ａ）はソルダーレジスト用
樹脂組成物のうちのベース樹脂として使用され、下記一
般式（１）で表される構造単位を有する（共）重合体で
ある。

【００２１】

【化７】 式中のＸ¹ は炭素数３〜８好ましくは炭素数３〜６の分
岐アルキル基若しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数
４〜８好ましくは炭素数４〜６のシクロアルキル基若し
くは置換シクロアルキル基を表し、Ｙ¹ は炭素数３〜８
好ましくは炭素数３〜６の分岐アルキル基若しくは置換
分岐アルキル基、又は炭素数４〜８好ましくは炭素数４
〜６のシクロアルキル基若しくは置換シクロアルキル基
を表す。

【００２２】この（共）重合体（Ａ）を形成するための
重合性単量体としては、下記の一般式（２）で表される
フマル酸ジエステル単独又はフマル酸ジエステルと下記
の一般式（３）で表される電子供与性単量体とから形成
されるものが好ましい。

【００２３】また、耐熱性、加工性などの諸物性のバラ
ンス化を計るために、前記フマル酸ジエステルや電子供
与性単量体に加えて、その他の重合性単量体を含ませて
形成しても良い。

【００２４】

【化８】 式中のＸ² は炭素数３〜８好ましくは炭素数３〜６の分
岐アルキル基若しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数
４〜８好ましくは炭素数４〜６のシクロアルキル基若し
くは置換シクロアルキル基を表し、Ｙ² は炭素数３〜８
好ましくは炭素数３〜６の分岐アルキル基若しくは置換
分岐アルキル基、又は炭素数４〜８好ましくは炭素数４
〜６のシクロアルキル基若しくは置換シクロアルキル基
を表す。

【００２５】

【化９】 式中のＺ¹ は炭素数３〜８好ましくは炭素数３〜６の分
岐アルキル基若しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数
４〜８好ましくは炭素数４〜６のシクロアルキル基若し
くは置換シクロアルキル基を表し、ｎ及びｍは０又は１
を表す。

【００２６】上記のような一般式（２）で表されるフマ
ル酸ジエステルと一般式（３）で表される電子供与性単
量体とを使用することにより、重合連鎖が均一な重合体
を得ることができる。

【００２７】式（２）中のＸ² 、Ｙ² が炭素数３〜８の
分岐アルキル基若しくは置換分岐アルキル基である官能
基の具体例としては、イソプロピル基、１−クロロ−２
−プロピル基、１，３−ジクロロ−２−プロピル基、ｓ
ｅｃ−ブチル基、３−クロロ−２−ブチル基、ｔｅｒｔ
−ブチル基、３−ペンチル基、２，３−ジメチル−３−
ペンチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ネオペンチル基、イ
ソペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、２−エチ
ル−ヘキシル基等が挙げられる。

【００２８】フマル酸ジエステルの具体例としては、ジ
イソプロピルフマレート、ジ−ｓｅｃ−ブチルフマレー
ト、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフマレート、ジイソブチルフ
マレート、ジ−ｔｅｒｔ−アミルフマレート、ジ−４−
メチル−２−ペンチルフマレート、ジ−ｓｅｃ−アミル
フマレート、ジ−３−ペンチルフマレート、ビス（２，
４−ジメチル−３ペンチル）フマレート、イソプロピル
−ｓｅｃ−ブチルフマレート、ｔｅｒｔ−ブチル−４−
メチル−２−ペンチルフマレート、イソプロピル-tert
−ブチルフマレート、ｓｅｃ−ブチル−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフマレート、ｓｅｃ−ブチル−ｔｅｒｔ−アミルフマ
レート、ジ−４−メチル−ペンチルフマレート、ｔｅｒ
ｔ−ブチル−イソアミルフマレート等が挙げられる。

【００２９】Ｘ² がアルキル基で、Ｙ² がシクロアルキ
ル基を有するフマル酸ジエステルの具体例としては、イ
ソプロピル−シクロブチルフマレート、１−クロロ−２
−プロピル−シクロペンチルフマレート、１，３−ジク
ロロ−２−プロピル−シクロヘキシルフマレート、ｓｅ
ｃ−ブチル−シクロヘキシルフマレート、３−クロロ−
２−プロピル−シクロヘキシルフマレート、ｔｅｒｔ−
ブチル−シクロペンチルフマレート、ｔｅｒｔ−ブチル
シクロヘキシルフマレート、ｓｅｃ−アミル−シクロヘ
キシルフマレート、３−ペンチル−ボルニルフマレー
ト、２，３−ジメチル−３−ペンチル−アダマンチルフ
マレート、ｔｅｒｔ−アミル−シクロヘキシルフマレー
ト、ネオペンチル−シクロペンチルフマレート、４−メ
チル−２−ペンチル−シクロヘキシルフマレート、２−
エチルヘキシル−シクロヘキシルフマレート等が挙げら
れる。

【００３０】前記一般式（３）で表される電子供与性単
量体は、下記の一般式（４）で表されるアルキルビニル
エーテル、一般式（５）で表されるアルキルビニルエス
テル、一般式（６）で表されるアルキルアリルエステル
及び一般式（７）で表されるアルキルアリルエーテルの
何れかであることが好ましい。これらのうち、一般式
（４）で表されるアルキルビニルエーテル、一般式
（５）で表されるアルキルビニルエステル及び一般式
（６）で表されるアルキルアリルエステルの何れかであ
ることがさらに好ましい。これらの電子供与性単量体
は、前記一般式（２）で表されるフマル酸ジエステルと
の共重合性に優れているからである。

【００３１】Ｚ² −Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ₂ ・・・（４） 式中のＺ² は炭素数３〜８好ましくは炭素数３〜６の分
岐アルキル基若しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数
４〜８好ましくは炭素数４〜６のシクロアルキル基若し
くは置換シクロアルキル基を表す。

【００３２】 Ｚ³ −ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ₂ ・・・（５） 式中のＺ³ は炭素数３〜８好ましくは炭素数３〜６の分
岐アルキル基若しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数
４〜８好ましくは炭素数４〜６のシクロアルキル基若し
くは置換シクロアルキル基を表す。

【００３３】 Ｚ⁴ −ＣＯＯ−ＣＨ₂ −ＣＨ＝ＣＨ₂ ・・・（６） 式中のＺ⁴ は炭素数３〜８好ましくは炭素数３〜６の分
岐アルキル基若しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数
４〜８好ましくは炭素数４〜６のシクロアルキル基若し
くは置換シクロアルキル基を表す。

【００３４】 Ｚ⁵ −Ｏ−ＣＨ₂ −ＣＨ＝ＣＨ₂ ・・・（７） 式中のＺ⁵ は炭素数３〜８好ましくは炭素数３〜６の分
岐アルキル基若しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数
４〜８好ましくは炭素数４〜６のシクロアルキル基若し
くは置換シクロアルキル基を表す。

【００３５】前記Ｚ¹ 、Ｚ² 、Ｚ³ 、Ｚ⁴ 又はＺ⁵ が炭
素数３〜８の分岐アルキル基若しくは置換分岐アルキル
基である官能基の具体例としては、イソプロピル基、ｔ
ｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、
ｔｅｒｔ−アミル基、４−メチル−２−ペンチル基、３
−ペンチル基、２，４−ジメチル−３−ペンチル基、１
−クロロイソプロピル基、１, ３−ジクロロイソプロピ
ル基等が挙げられる。アルキルビニルエーテルの具体例
としては、イソプロピルビニルエーテル、イソブチルビ
ニルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルビニルエーテル、ｓｅ
ｃ−ブチルビニルエーテル、ｔｅｒｔ−アミルビニルエ
ーテル、４−メチル−２−ペンチルビニルエーテル、３
−ペンチルビニルエーテル、２，４−ジメチル−３−ペ
ンチルビニルエーテル、１−クロロイソプロピルビニル
エーテル、１，３−ジクロロイソプロピルビニルエーテ
ル等が挙げられる。

【００３６】アルキルビニルエステルの具体例として
は、イソプロピルビニルエステル、イソブチルビニルエ
ステル、ｔｅｒｔ−ブチルビニルエステル、ｓｅｃ−ブ
チルビニルエステル、ｔｅｒｔ−アミルビニルエステ
ル、４−メチル−２−ペンチルビニルエステル、３−ペ
ンチルビニルエステル、２，４−ジメチル−３−ペンチ
ルビニルエステル、１−クロロイソプロピルビニルエス
テル、１，３−ジクロロイソプロピルビニルエステル等
が挙げられる。

【００３７】アルキルアリルエステルの具体例として
は、イソプロピルアリルエステル、イソブチルアリルエ
ステル、ｔｅｒｔ−ブチルアリルエステル、ｓｅｃ−ブ
チルアリルエステル、ｔｅｒｔ−アミルアリルエステ
ル、４−メチル−２−ペンチルアリルエステル、３−ペ
ンチルアリルエステル、２，４−ジメチル−３−ペンチ
ルアリルエステル、１−クロロイソプロピルアリルエス
テル、１，３−ジクロロイソプロピルアリルエステル等
が挙げられる。

【００３８】アルキルアリルエーテルの具体例として
は、イソプロピルアリルエーテル、イソブチルアリルエ
ーテル、ｔｅｒｔ−ブチルアリルエーテル、ｓｅｃ−ブ
チルアリルエーテル、ｔｅｒｔ−アミルアリルエーテ
ル、４−メチル−２−ペンチルアリルエーテル、３−ペ
ンチルアリルエーテル、２，４−ジメチル−３−ペンチ
ルアリルエーテル、１−クロロイソプロピルアリルエー
テル、１，３−ジクロロイソプロピルアリルエーテル等
が挙げられる。

【００３９】また、Ｚ¹ 、Ｚ² 、Ｚ³ 、Ｚ⁴ 又はＺ⁵ が
炭素数４〜８のシクロアルキル基若しくは置換シクロア
ルキル基である官能基の具体例としては、シクロブチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−ヒドロ
キシ−シクロヘキシル基、４−メチロール−シクロヘキ
シル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、４−メ
チル−シクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロ
ヘキシル基、ボルニル基、イソボルニル基、メンチル
（２−イソプロピル−４−メチル−シクロヘキシル基等
が挙げられる。

【００４０】シクロアルキルビニルエーテルの具体例と
しては、シクロブチルビニルエーテル、シクロペンチル
ビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、４−
ヒドロキシ−シクロヘキシルビニルエーテル、４−メチ
ロール−シクロヘキシルビニルエーテル、シクロヘプチ
ルビニルエーテル、シクロオクチルビニルエーテル、４
−メチル−シクロヘキシルビニルエーテル、４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルシクロヘキシルビニルエーテル、ボルニルビ
ニルエーテル、イソボルニルビニルエーテル、メンチル
（２−イソプロピル−４−メチル−シクロヘキシル）ビ
ニルエーテル等が挙げられる。

【００４１】シクロアルキルビニルエステルの具体例と
しては、シクロブチルビニルエステル、シクロペンチル
ビニルエステル、シクロヘキシルビニルエステル、４−
ヒドロキシ−シクロヘキシルビニルエステル、４−メチ
ロール−シクロヘキシルビニルエステル、シクロヘプチ
ルビニルエステル、シクロオクチルビニルエステル、４
−メチル−シクロヘキシルビニルエステル、４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルシクロヘキシルビニルエステル、ボルニルビ
ニルエステル、イシボルニルビニルエステル、メンチル
（２−イソプロピル−４−メチル−シクロヘキシル）ビ
ニルエステル等が挙げられる。

【００４２】シクロアルキルアリルエステルの具体例と
しては、シクロブチルアリルエステル、シクロペンチル
アリルエステル、シクロヘキシルアリルエステル、４−
ヒドロキシ−シクロヘキシルアリルエステル、４−メチ
ロール−シクロヘキシルアリルエステル、シクロヘプチ
ルアリルエステル、シクロオクチルアリルエステル、４
−メチル−シクロヘキシルアリルエステル、４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルシクロヘキシルアリルエステル、ボルニルア
リルエステル、イシボルニルアリルエステル、メンチル
（２−イソプロピル−４−メチル−シクロヘキシル）ア
リルエステル等が挙げられる。

【００４３】シクロアルキルアリルエーテルの具体例と
しては、シクロブチルアリルエーテル、シクロペンチル
アリルエーテル、シクロヘキシルアリルエーテル、４−
ヒドロキシ−シクロヘキシルアリルエーテル、４−メチ
ロール−シクロヘキシルアリルエーテル、シクロヘプチ
ルアリルエーテル、シクロオクチルアリルエーテル、４
−メチル−シクロヘキシルアリルエーテル、４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルシクロヘキシルアリルエーテル、ボルニルア
リルエーテル、イシボルニルアリルエーテル、メンチル
（２−イソプロピル−４−メチル−シクロヘキシル）ア
リルエーテル等が挙げられる。

【００４４】その他の重合性単量体としては、前記式
（４）〜（７）で規定される以外の重合性単量体で、前
記フマル酸ジエステルと共重合し得るものであれば特に
限定されないが、例えば直鎖のアルキル基、アリール基
を有する対称又は非対称のフマル酸ジエステル、直鎖の
アルキル基、アリール基を有するビニルエーテル、直鎖
のアルキル基、アリール基を有するビニルエステル、直
鎖のアルキル基、アリール基を有するアリルエーテル、
直鎖のアルキル基、アリール基を有するアリルエステル
等が用いられる。

【００４５】前記（共）重合体（Ａ）は目的とするソル
ダーレジストが得られる限り全ての範囲で使用可能であ
るが、通常重量平均分子量が５，０００〜２００，００
０であることが望ましい。重量平均分子量がこのような
範囲であることにより、ソルダーレジスト用樹脂組成物
の解像度や現像性及びソルダーレジストの電気的物性、
機械的物性、密着性や低吸水性を良好に維持することが
できる。

【００４６】また、（共）重合体（Ａ）の構造として
は、ランダム、ブロック、グラフト、ラダー構造などの
各種の構造が可能であるが、ランダム構造を有すること
が好ましい。（共）重合体（Ａ）がランダム構造を有す
る場合、ソルダーレジスト用樹脂組成物の現像性や解像
度及びソルダーレジストの電気的物性や機械的物性を良
好に維持することができる。

【００４７】（共）重合体（Ａ）の電気絶縁性、誘電特
性、耐熱性等の観点から、重合体を形成する際に仕込ま
れる各重合性単量体のモル分率が決定される。フマル酸
ジエステルのモル分率は通常５０〜１００モル％で、好
ましくは５５〜１００モル％である。また、電子供与性
単量体のモル分率は通常０〜５０モル％、好ましくは０
〜４５モル％である。さらに、その他の重合性単量体の
モル分率は０〜３０モル％、好ましくは０〜２０モル％
である。フマル酸ジエステルのモル分率が５０％未満の
場合、（共）重合体の誘電特性及び耐熱性が低下する傾
向にある。

【００４８】（共）重合体（Ａ）の製造方法は、フマル
酸ジエステル及び電子供与性単量体の混合物中に、熱的
にラジカルを発生する重合開始剤を添加し、そのまま塊
状重合を行うか、水溶性高分子又は無機系分散剤を含有
する水溶液中に分散させて懸濁重合を行うか、又は
（共）重合体（Ａ）を溶解する有機溶剤中での溶液重合
を行うことにより製造される。前記重合開始剤として
は、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル
（ＡＩＢＮ）、２，２’−アゾビスシクロヘキサンカル
ボニトリル（ＡＣＮ）などのアゾ系有機化合物、過酸化
ジベンゾイル（ＢＰＯ）、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペル
オキシド（ＴＢＨＰ）、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキ
シド（ＤｔＢＰ）、ジクミルペルオキシド（ＤＣＰ）等
の有機過酸化物が挙げられる。

【００４９】（共）重合体（Ａ）はソルダーレジスト用
樹脂組成物のうちのベース樹脂として使用され、その含
有量は組成物中好ましくは２０〜８０重量％、さらに好
ましくは４０〜７０重量％である。

【００５０】次に、重合性単量体混合物（Ｂ）について
詳述する。これは、熱又は活性エネルギー線の照射によ
り重合する単量体混合物であり、具体的には次の（ア）
〜（ウ）の重合性単量体混合物を用いることができる。 （ア） 一般式（２）で示したフマル酸ジエステルの中
から適宜１種を単独で又は２種類以上を混合したもの。 （イ） （ア）の重合性単量体混合物にさらに一般式
（３）で示したアルキルビニルエーテル、アルキルビニ
ルエステル、アルキルアリルエーテル、アルキルアリル
エステル等の電子供与性単量体の中から適宜１種を単独
で又は２種類以上を混合したもの。 （ウ） （イ）の重合性単量体混合物にさらにその他の
重合性単量体を単独で又は２種類以上を混合したもの。

【００５１】重合性単量体の重合性やソルダーレジスト
の誘電特性、はんだ耐熱性等の観点から、重合性単量体
混合物を形成する際に仕込まれる各重合性単量体のモル
分率が決定される。

【００５２】フマル酸ジエステルのモル分率は通常５０
〜１００モル％で、好ましくは５５〜１００モル％であ
る。従って、電子供与性単量体のモル分率は通常０〜５
０モル％、好ましくは０〜４５モル％である。また、そ
の他の重合性単量体のモル分率は０〜４９モル％、好ま
しくは０〜３０モル％である。

【００５３】重合性単量体混合物（Ｂ）のソルダーレジ
スト用樹脂組成物中に占める含有量は、好ましくは２０
〜８０重量％、さらに好ましくは４０〜７０重量％であ
る。ソルダーレジスト用樹脂組成物には、必要により熱
又は活性エネルギー線により重合を開始するための重合
開始剤を配合することができる。そのような重合開始剤
としては、ソルダーレジスト用樹脂組成物の混合、塗
布、乾燥などの加工時に適度の熱安定性を有し、かつ重
合性単量体の重合又は硬化を開始するために必要なラジ
カルを熱又は活性エネルギー線の露光により生成するも
のであれば全て使用可能である。この重合開始剤として
は、従来公知の（ａ）熱重合開始剤又は（ｂ）光重合開
始剤等が使用可能であり、例えば下記に示すものが挙げ
られ、それらの重合開始剤の中から適宜その１種を単独
で、又は２種以上を混合して使用することができる。 （ａ）熱重合開始剤 メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサンパ
ーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイドなどの
ケトンパーオキサイド、３，３，５−トリメチルシクロ
ヘキサノンパーオキサイド、１，１−ビス（ｔ−ブチル
パーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ブタンなどのパーオキシケタール、ｔ−
ブチルパーオキサイド、クミルハイドロパーオキサイ
ド、ｐ−メンタハイドロパーオキサイドなどのハイドロ
パーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−
ブチルクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，
５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサンなどのジアル
キルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、ジオク
タノイルパーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド
などのジアシルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオ
キシジカーボネート、ジミリスチルパーオキシジカーボ
ネート、ジ−２−エチルヘキシルパーオキシジカーボネ
ートなどのパーオキシジカーボネート、ｔ−ブチルパー
オキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、
ｔ−ブチルパーオキシラウレートなどのパーオキシエス
テル等の有機過酸化物、２，２’−アゾビスイソブチロ
ニトリル、２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニト
リル）、アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリ
ル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサン−１−カル
ボニトリル）、２，２’−アゾビス（イソ酪酸）ジメチ
ル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニト
リル）等のアゾ化合物。 （ｂ）光重合開始剤 ジエチルチオキサントン、２−メチル−１−［４−（メ
チルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパノン、
ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、ベンゾフェノン、ベンゾフェノンメチルエーテ
ル、２−エチルアントラキノン、２，４−ジメチルチオ
キサントン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセト
フェノン、ｐ−ｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、
ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロ
キシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン。

【００５４】これらの中で、室温付近において比較的安
定であり、かつ１００℃程度に昇温したときに速やかに
分解する熱重合開始剤であるもの、即ちメチルエチルケ
トンパーオキサイド、３，３，５−トリメチルシクロヘ
キサノンパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイ
ドロパーオキサイドなどは好ましいものである。また、
活性エネルギー線に対する感度が良好なもの、即ち２−
メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モ
ルフォリノプロパノン、２，２−ジメトキシ−１，２−
ジフェニルエタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メ
チル−１−フェニル−プロパン−１−オン、２，４，６
−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサ
イド等が好ましい。

【００５５】熱又は活性エネルギー線により重合を開始
するための重合開始剤の含有量は、熱又は活性エネルギ
ー線による速やかな硬化性の観点から、組成物中通常、
０．１〜２０重量％、好ましくは０．３〜１５重量％で
ある。

【００５６】ソルダーレジスト用樹脂組成物には、必要
によりチオキサントン、アントラセン、ペリレンなどの
光増感剤、フェノチアジン、ハイドロキノンなどの重合
禁止剤、酸化防止剤、熱硬化型触媒、染料、顔料、チク
ソトロピー賦与剤、可塑剤、界面活性剤などを含ませて
もよい。

【００５７】また、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ポ
リイミドなどの熱硬化性樹脂、ポリオレフィン系樹脂、
ポリスチレン系樹脂、ナイロン、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリカーボネートなどの熱可塑性樹脂を添加し
てもよい。

【００５８】以上述べた各成分を混合することにより、
ソルダーレジスト用樹脂組成物を調製することができ
る。また、これを使用する際には、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、メチル
セロソルブ、エチルセロソルブ、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノエチルエーテルアセテート、水等の溶媒に溶解又は
分散させることによって、粘度や塗布性を調節すること
ができる。

【００５９】ソルダーレジスト用樹脂組成物は、使用に
際し、転写、バーコーター、ロールコーター、スピンコ
ーターなどにより、市販の両面又は片面に銅が張られた
ガラスエポキシ基板、ポリフェレンエーテル（ＰＰＥ、
ＰＰＯ）基板、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）レ
ジン基板、フッ素樹脂基板などの被着体に塗布される。
また離型紙、フィルムなどに塗布してシート状とした
後、上記被着体に貼り付けてもよい。

【００６０】また、ソルダーレジスト用樹脂組成物を印
刷法用として用いる場合には、この樹脂組成物に熱重合
開始剤を添加して、スクリーン印刷やグラビア印刷など
によって目的の画像の形状に印刷してもよい。

【００６１】この塗布ないし貼り付け後に、フォトマス
クを介して紫外線、電子線、Ｘ線及びγ線などの活性エ
ネルギー線を照射してソルダーレジスト用樹脂組成物を
硬化させて硬化物を形成する。その後、現像を行って未
照射部分を除去することにより、フォトマスク形状の画
像が形成される。現像は、通常各種有機溶剤を用い、８
０℃以下の温度で行われる。さらに、現像の後にソルダ
ーレジスト中に残存する重合性単量体の重合をさらに進
行させるために、通常８０℃以上の温度でポストキュア
ー（後硬化）して得られた硬化物よりなるソルダーレジ
ストが調製される。

【００６２】また、ソルダーレジスト用樹脂組成物中に
熱重合開始剤を用いる場合にはスクリーン印刷やグラビ
ア印刷などにより目的の画像の形状に印刷した後、通常
８０℃以上の温度でポストキュアーして硬化物を形成
し、所望の誘電特性、機械物性を有するソルダーレジス
トとする。

【００６３】以上の実施形態により発揮される効果につ
いて説明する。 ・ 前記（共）重合体（Ａ）と重合性単量体混合物
（Ｂ）とを含有するソルダーレジスト用樹脂組成物によ
れば、優れた感度及び解像度と、その硬化物が優れたは
んだ耐熱性、耐化学薬品性、密着性及び低吸水性を発揮
することができる。しかも、（共）重合体（Ａ）は対称
性の良いフマル酸構造（トランス構造）を有しているこ
とから、準マイクロ波帯における低誘電率や低誘電正接
等の誘電特性に優れている。

【００６４】・ （共）重合体（Ａ）の重量平均分子量
を５，０００〜２００，０００の範囲に設定することに
より、解像度や現像性を向上させることができるととも
に、ソルダーレジストの電気的物性、機械的物性、密着
性や低吸水性を向上させることができる。

【００６５】・ （共）重合体（Ａ）の重合の連鎖がラ
ンダム構造であることにより、共重合体分子中の組成が
均一となるため、解像度や現像性を向上させることがで
きるとともに、ソルダーレジストの電気的物性、機械的
物性や密着性を向上させることができる。

【００６６】・ 重合性単量体混合物（Ｂ）を構成する
一般式（３）の重合性単量体が特定のアルキルビニルエ
ーテル、アルキルビニルエステル又はアルキルアリルエ
ステルであることにより、重合性単量体の重合性を向上
させることができる。

【００６７】・ 前記ソルダーレジスト用樹脂組成物を
用い、フォトレジスト法により形成されるネガ型のソル
ダーレジストによれば、活性エネルギー線の照射により
感度が良好で鮮明な画像が得られるとともに、優れた誘
電特性を発揮することができる。

【００６８】・ また、ソルダーレジスト用樹脂組成物
を基板上に回路パターンの形状に印刷後、熱硬化を行う
ことによって、良好な熱硬化性を示す上に、得られるソ
ルダーレジストは誘電特性に優れ、はんだ耐熱性、耐化
学薬品性、密着性や低吸水性に優れている。

【００６９】・ 従って、これらのソルダーレジストは
プリント配線板用のソルダーレジストとして好適に利用
することができる。

【００７０】

【実施例】次に、参考例、比較参考例、実施例及び比較
例により前記実施形態をさらに具体的に説明する。な
お、実施例及び比較例中で用いた（共）重合体（ア）〜
（ケ）は、下記の参考例１〜８及び比較参考例１の方法
にてそれぞれ製造したものである。また、各例中の部及
び％は、特に断りのない限り、重量基準である。

【００７１】なお、参考例の方法により製造された
（共）重合体の分析値は以下の方法により求めたもので
ある。 （固形分）アルミニウム製の皿に入れた各重合体溶液を
１５０℃のオーブンに１時間放置した後の加熱残分を固
形分とした。 （重量平均分子量Ｍｗ）固形分の試験で単離された各重
合体の１重量％ＴＨＦ溶液を調製して、これを試料とし
て移動相がＴＨＦのＳＥＣ（サイズエクスクルージョン
クロマトグラフ）法により測定したポリスチレン換算値
である。 （参考例１）重合体（ア）の製法 温度計、撹拌器及び還流冷却器を備えた反応器に、トル
エン１００ｇ、ジイソプロピルフマレート（ＤｉＰＦ）
１００ｇ、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）
１．０ｇを仕込み、窒素ガスを吹込みながら７０℃に加
熱した。さらに、７０℃で６時間重合反応を行った。得
られた反応溶液は重合体（ア）を５１重量％含有する透
明な液体であった。この重合体の分析結果を重合条件と
ともに表１に示した。

【００７２】なお、表１〜４中の略号は次の通りであ
る。ＤｉＰＦ：ジイソプロピルフマレート、ＤｃＨＦ：
ジシクロヘキシルフマレート、ＤｉＢＦ：ジ−イソブチ
ルフマレート、ＤｓＢＦ：ジ−ｓｅｃブチルフマレー
ト、ＤｔＢＦ：ジ−ｔｅｒｔブチルフマレート、Ｓｔ
Ｖ：ステアリン酸ビニル、ＤｔＡＦ：ジ−ｔｅｒｔアミ
ルフマレート、ＣＨＶＥ：シクロヘキシルビニルエーテ
ル、ｔＢＶＥＳ：ｔｅｒｔ−ブチルビニルエステル、ｉ
ＰＡＥ：イソプロピルアリルエーテル、ｓＢＡＥＳ：ｓ
ｃｅブチルアリルエステル、ｉＰＶＥ：イソプロピルビ
ニルエーテル、ＶｔＢＢ：ビニル−ｔｅｒｔブチルベン
ゾエート、Ｓｔ：スチレン、ＥＨＶＥ：２−エチルヘキ
シルビニルエーテル、ＤＡＰ：ジアリルフタレート、Ｄ
ＡＩＰ：ジアリルイソフタレート、ＡＩＢＮ：２，２’
−アゾビスイソブチロニトリル、ＩＰＰ：ジイソプロピ
ルペルオキシジカーボネート、Ｖ−６５：２，２’−ア
ゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、９０７：
２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２
−モルフリノプロパノン（チバガイギー社製のイルガキ
ュア９０７）、８１９：（チバガイギー社製のイルガキ
ュア８１９）、６５１：２，２−ジメトキシ−１，２−
ジフェニルエタン−１−オン（チバガイギー社製のイル
ガキュアー６５１）、１１７３：２−ヒドロキシ−２−
メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン（チバガイ
ギー社製のダロキュア１１７３）、ＴＰＯ：２，４，６
−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイ
ド（ＢＡＳＦ社製のルシリンＴＰＯ）、ＨＭＭ：ヘキサ
メトキシメチルメラミン（三井サイテック社製の「サイ
メル３００」）、ＴＭＭ：テトラメトキシメチルグリコ
ールウリル（三井サイテック社製の「パウダーリンク１
１７４」）、ＤＯ：ジフェニルヨードニウム−９，１０
−ジメトキシアントラセン−２−スルフォネート、Ｇ
Ｐ：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、
Ｚ：ジ−ｔｅｒｔブチルベンゾエート〔日本油脂（株）
製のパーブチルＺ〕。 （参考例２及び４〜８）反応器への重合性単量体、重合
開始剤及び重合温度を表１〜２に示すように変更した以
外は、参考例１の場合と同様にして、（共）重合体
（イ）及び（エ）〜（ク）の各濃度のトルエン溶液を得
た。重合条件及び重合体の分析結果を表１及び表２に示
した。 （参考例３）温度計、撹拌器及び還流冷却器を備えた反
応器に、水１２０ｇ、部分けん化ポリビニルアルコール
〔日本合成化学（株）製のＫＨ−１７〕１．２ｇ、ジ−
ｓｅｃブチルフマレート（ＤｓＢＦ）６０ｇ、シクロヘ
キシルビニルエーテル（ＣＨＶＥ）２０ｇ、ジイソプロ
ピルペルオキシジカーボネート（ＩＰＰ）０．５ｇを仕
込み、窒素ガスを吹込みながら４０℃に加熱した。さら
に、４０℃で１０時間重合反応を行った後、１００メッ
シュの濾布により、得られた反応液から重合体粒子を分
離した。それを洗浄、乾燥を行って白色粒子状の重合体
（ウ）７５ｇを得た。重合条件と重合体の分析結果を表
１に示した。

【００７３】

【表１】

【００７４】

【表２】 （比較参考例１）共重合体（ケ）の製法 温度計、撹拌器、及び還流冷却器を備えた反応器の中を
窒素で置換した後、重合開始剤として２，２’−アゾビ
スイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）９．０ｇを予め溶解
した乳酸エチル溶液３７５．０ｇを、該反応器内に仕込
んだ。次いで、メタクリル酸３７．５ｇ、及びスチレン
８７．５ｇを仕込んだ後、緩やかに撹拌しながら、７０
℃の温度に加熱し、同温度で８時間保持した。その後、
８０℃で１時間加熱した後、室温に冷却して、共重合体
溶液（ケ）を得た。

【００７５】それは共重合体（ケ）を２４．９重量％含
有する透明な液体であった。 （実施例１）重合体（ア）のトルエン溶液（固形分５１
％）１１．８ｇに、重合性単量体としてジイソプロピル
フマレート（ＤｉＰＦ）２．４ｇとシクロヘキシルビニ
ルエーテル（ＣＨＶＥ）０．６ｇと、活性エネルギー線
により重合を開始する重合開始剤としてダロキュアー１
１７３の０．１２ｇとを混合した。そして、室温で１０
分間撹拌して、ソルダーレジスト用樹脂組成物を調製し
た。さらに、下記の要領で感度、解像度、誘電特性、は
んだ耐熱性、耐化学薬品性、密着性及び吸水率を調べて
ソルダーレジスト用樹脂組成物及びソルダーレジストと
しての評価を行った。これらの結果を表４及び表５に示
した。 〈感 度〉 表面に砂目立て処理を施してあるアルミ板上にソルダ
ーレジスト用樹脂組成物を、（株）エイブル製スピンコ
ーターＡＳＳ−３００を用いて、１０μｍの膜厚に塗布
した。１００℃の熱風乾燥器中にて１０分間乾燥して
溶剤を除去した。グレースケール（イーストマンコダ
ック社製のフォトグラフィックステップタブレットＮ
ｏ．２）を介して、空気中で２０ｍＷ／ｃｍの超高圧水
銀灯を用いて１０秒間露光を行った。露光後の塗膜に
対してトルエンとヘプタンを重量比で５０％づつ配合し
て調整した現像液を気液混合法で３kg/cm²の圧力による
スプレー現像を行い、未露光部分の除去を行った。１
５０℃で１時間のポストキュアーを行った。残存したレ
ジスト膜のグレースケールの最高段数を求めて感度とし
た。

【００７６】表４において段数が大きいことは、感度が
高いことを示している。 〈解像度〉感度試験のにおいて、グレースケールの代
わりに２〜４０μｍのライン＆スペースを有するフォト
マスクを介して露光した以外は感度試験と同様の操作に
て、露光、現像及びポストキュアーを行った。フォトマ
スクのライン＆スペースの像が抜けている最少部分のラ
イン＆スペースの大きさを解像度（μｍ）とした。

【００７７】表４で解像度の値が小さいことは、より高
い解像度であることを示している。 〈誘電特性〉内部の寸法が１２０ｍｍ長さ、５０ｍｍ
幅、１ｍｍ厚さのガラス製容器にソルダーレジスト用樹
脂組成物を入れて、自然乾燥によるキャストにより１ｍ
ｍ厚のフィルムを作成した。このフィルムに対して空気
中で２０ｍＷ／ｃｍの超高圧水銀灯を用いて６０秒間の
直接露光を行った。次に、１５０℃で１時間のポストキ
ュアーを行った。得られたソルダーレジスト用樹脂組成
物のフィルムを１００ｍｍ長さ、２ｍｍ幅、１．０ｍｍ
厚の大きさの試験片を切り出し、摂動法により１ＧＨ
ｚ、２ＧＨｚ、５ＧＨｚ及び１０ＧＨｚにおける誘電率
ε及び誘電正接ｔａｎδを測定し、ｔａｎδの逆数であ
るＱ値を算出した。その結果を表５に示した。 〈はんだ耐熱性〉ＪＩＳ−６４８１の方法に準じて行っ
た。感度試験において露光−現像−ポストキュアーを行
った後の基板上の塗膜を、２６０℃のはんだ浴に２分間
浸漬した後の試料の外観を目視により観察し、塗膜上の
膨れや剥がれの有無を目視で観察した。そして、塗膜に
膨れ剥がれがない場合を○、塗膜に膨れや剥がれがある
場合を×とした。 〈耐化学薬品性〉感度試験において露光−現像−ポスト
キュアを行った後の基板上の塗膜を、２５℃に温度調整
された１０ｖｏｌ％硫酸水溶液（表中硫酸と記載）又は
トリクロロエタン（表中トリクロと記載）中に１時間浸
漬した後の塗膜の外観を目視により観察した。浸漬前の
ものと比較して変化のない場合を○、塗膜が破壊された
場合を×とした。 〈密着性〉表面に砂目立て処理を施してあるアルミニウ
ム板の代わりに、利昌工業（株）製の両面銅張ポリフェ
ニレンエーテル（ＰＰＥ）基板（ＣＳ３３７６Ｃ）を用
い、その上にソルダーレジスト用樹脂組成物を塗布し、
グレースケールを介さず光源より直接露光を行なうこ
と、そして現像を行わないこと以外は感度試験と同様の
方法で硬化膜を作製した。この硬化膜に対してＪＩＳＫ
５４００方法に準じて碁盤目剥離試験を行った。１００
マス（分母）のうちで剥離せずに残存したマスの数（分
子）を示した。 〈吸水率〉誘電特性において作製したときと同様の方法
にてソルダーレジスト用樹脂組成物のフィルム（長さ１
２０ｍｍ、幅７０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）を得た。次に、こ
のフィルムから長さ５０ｍｍ、幅５０ｍｍ、厚さ１ｍｍ
の大きさの試験片を切り出した。この試験片を用いてＪ
ＩＳ−６４８１の方法に準じて吸水率を測定した。 （実施例２〜１２）（共）重合体（Ａ）の種類及び添加
量、重合性単量体（Ｂ）の種類及び添加量、重合開始剤
の種類及び添加量を表３に示すように変更した以外は実
施例１と同様にソルダーレジスト用樹脂組成物の調製及
びソルダーレジストとしての評価を行った。

【００７８】これらの結果を表４及び表５に示した。

【００７９】

【表３】 （比較例１）共重合体（ケ）のトルエン溶液（固形分２
４．７％）４０．５ｇに、ヘキサメトキシメチルメラミ
ン０．３３ｇ、テトラメトキシメチルグリコールウリル
０．１３ｇ、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン０．１３ｇと、光カチオン発生剤剤としてジフェニ
ルヨードニウム−９，１０−ジメトキシアントラセン−
２−スルフォネートの０．０８ｇとを混合した。そし
て、室温で１０分間撹拌して、ソルダーレジスト用樹脂
組成物を調製した。次に、実施例１と同様にソルダーレ
ジスト用樹脂組成物及びソルダーレジストとしての評価
を行った。それらの結果を表４及び表５に示した。 （実施例１３）表３の実施例１３のソルダーレジスト用
樹脂組成物を４０μｍのライン＆スペースが描かれた１
００メッシュのポリエステルスクリーンにて、表面に砂
目立て処理を施してあるアルミニウム板上にスクリーン
印刷を行った。次に、１５０℃で２時間の硬化を行っ
た。得られたソルダーレジストを顕微鏡にて観察したと
ころ、４０μｍのライン＆スペースが忠実に再現されて
いた。次に、実施例１と同様にソルダーレジストとして
の評価を行った。それらの結果を表４及び表５に示し
た。 （比較例２）表面に砂目立て処理を施してあるアルミニ
ウム板上に太陽インキ製造（株）製ＰＳＲ−４０００を
バーコーターを用いて１０μｍの膜厚に塗布した。次
に、８０℃の熱風乾燥器中にて２０分間乾燥して溶剤を
除去してソルダーレジストの皮膜を得た。

【００８０】感度は下記方法で行い、解像度、誘電特
性、はんだ耐熱性、耐化学薬品性及び密着性については
実施例１に準じて行った。これらの結果を表４及び表５
に示した。 〈感 度〉 （ａ）得られたソルダーレジスト膜にグレースケール
（イーストマンコダック社製フォトグラフィックステッ
プタブレットＮｏ．２）を介して、空気中で２０ｍＷ／
ｃｍの超高圧水銀灯を用いて１０秒間露光を行った。
（ｂ）露光後の塗膜に対して現像液（１重量％の炭酸ナ
トリウム水溶液）を気液混合法で３kg/cm²の圧力による
スプレー現像を行い未露光部分の除去を行った。（ｃ）
１５０℃で１時間のポストキュアーを行った。残存した
レジスト膜のグレースケールの最高段数を求めて感度と
した。

【００８１】表４において段数が大きいことは、感度が
高いことを示している。

【００８２】

【表４】

【００８３】

【表５】 上記の表４及び表５から明らかなように、実施例１〜１
２の各からソルダーレジスト用樹脂組成物はいずれも優
れた感度及び解像度を示した。加えて、ソルダーレジス
ト用樹脂組成物から得られるソルダーレジストは、いず
れも、優れた誘電特性を示すことはもちろんのこと、ま
た優れたはんだ耐熱性、耐化学薬品性、密着性及び低吸
水性を示した。

【００８４】また、実施例１３のソルダーレジスト用樹
脂組成物は優れた熱硬化性を示した。さらに、ソルダー
レジスト用樹脂組成物から得られるソルダーレジスト
は、優れた誘電特性を示すことはもちろんのこと、加え
て優れたはんだ耐熱性、耐化学薬品性、密着性及び低吸
水性を示した。

【００８５】これに対し、スチレンやアクリル酸を主成
分とする重合体（ケ）をアルカリ現像性のベース樹脂と
して用いた比較例１では、誘電正接ｔａｎδ（Ｑ値）、
はんだ耐熱性が劣っており、アクリル樹脂系の市販のソ
ルダーレジストであるＰＳＲ−４０００を用いた比較例
２は、誘電率ε、誘電正接ｔａｎδ（Ｑ値）が劣ってい
た。

【００８６】なお、前記実施形態より把握される技術的
思想について以下に記載する。 ・ 前記重合体又は共重合体（Ａ）の含有量は２０〜８
０重量％であり、重合性単量体混合物（Ｂ）の含有量は
８０〜２０重量％である請求項１から請求項４のいずれ
かに記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。

【００８７】このように構成した場合、重合体又は共重
合体（Ａ）と重合性単量体混合物（Ｂ）とをバランス良
く配合して重合連鎖が均一な重合体を得ることができ、
誘電特性等の優れた特性を発揮させることができる。

【００８８】・ 前記重合体又は共重合体（Ａ）は、前
記一般式（２）のフマル酸ジエステル単独重合体又は一
般式（２）のフマル酸ジエステルと一般式（３）の電子
供与性単量体とを必須成分として得られる共重合体であ
る請求項１から請求項４のいずれかに記載のソルダーレ
ジスト用樹脂組成物。

【００８９】このように構成した場合、重合体又は共重
合体（Ａ）に基づく誘電特性等の特性を効果的に発揮さ
せることができる。 ・ 前記一般式（２）で表されるフマル酸ジエステル
は、重合性単量体混合物（Ｂ）中に５０〜１００モル％
含有されている請求項１から請求項４のいずれかに記載
のソルダーレジスト用樹脂組成物。

【００９０】このように構成した場合、重合体又は共重
合体（Ａ）の誘電特性及び耐熱性を向上させることがで
きる。

【００９１】

【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、次のような優れた効果を奏する。第１の発明のソル
ダーレジスト用樹脂組成物によれば、感度及び解像度に
優れ、その硬化物がはんだ耐熱性、耐化学薬品性、密着
性及び低吸水性に優れるとともに、準マイクロ波帯にお
ける低誘電率や低誘電正接等の誘電特性に優れている。

【００９２】第２の発明のソルダーレジスト用樹脂組成
物によれば、第１の発明の効果に加え、解像度や現像性
を向上させることができるとともに、ソルダーレジスト
の電気的物性、機械的物性、密着性及び低吸水性を向上
させることができる。

【００９３】第３の発明のソルダーレジスト用樹脂組成
物によれば、第１又は第２の発明の効果に加え、共重合
体分子中の組成が均一となるため、解像度や現像性を向
上させることができるとともに、ソルダーレジストの電
気的物性、機械的物性や密着性を向上させることができ
る。

【００９４】第４の発明のソルダーレジスト用樹脂組成
物によれば、第１から第３のいずれかの発明の効果に加
え、重合性単量体の重合性を向上させることができる。
第５の発明のソルダーレジストによれば、活性エネルギ
ー線の照射により優れた誘電特性を発揮することができ
る。

【００９５】第６の発明のソルダーレジストによれば、
ソルダーレジスト用樹脂組成物を基板上に回路パターン
の形状に印刷後、熱硬化を行う際に良好な熱硬化性を示
す上に、得られるソルダーレジストは誘電特性に優れ、
はんだ耐熱性、耐化学薬品性、密着性及び低吸水性に優
れている。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 行浩 愛知県知多郡武豊町字西門８番地 (72)発明者 實生 史朗 愛知県知多郡武豊町字西門８番地 (72)発明者 天谷 直之 愛知県知多郡武豊町字西門８番地 (72)発明者 長谷川 浩昭 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ 株式会社内 (72)発明者 山田 俊昭 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ 株式会社内 (72)発明者 浅見 茂 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ 株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA01 AA02 AA06 AA07 AA08 AA10 AA14 AA20 AB15 AC01 AC04 AC05 AC06 AC07 AD01 BC12 BC18 BC19 BC23 BC34 BC38 BC83 CB10 CB41 CB55 DA20 EA04 FA17 FA29 4J002 BH021 ED027 EH077 EH106 FD020 FD070 FD090 FD146 FD147 FD150 FD310 FD330 GP03 HA01 4J026 AA17 AA31 AA37 AA55 AC33 BA16 BA19 BA21 BA22 BA36 BB03 BB04 DA02 DA03 DA05 DA07 DA08 DA12 DA15 DB06 DB09 DB11 DB12 DB15 DB29 DB36 FA04 GA07 GA09 5E314 AA27 AA31 AA36 CC01 CC07 DD08 FF05 FF19 GG01 GG10 GG11 GG14

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で表される構造単位を
   有する重合体又は共重合体（Ａ）と、 【化１】 （但し、式中のＸ¹ は炭素数３〜８の分岐アルキル基若
   しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数４〜８のシクロ
   アルキル基若しくは置換シクロアルキル基を表し、Ｙ¹
   は炭素数３〜８の分岐アルキル基若しくは置換分岐アル
   キル基、又は炭素数４〜８のシクロアルキル基若しくは
   置換シクロアルキル基を表す。） 下記一般式（２）で表される重合性単量体及び下記一般
   式（３）で表される重合性単量体を必須成分とする重合
   性単量体混合物（Ｂ）とを含有するソルダーレジスト用
   樹脂組成物。 【化２】 （但し、式中のＸ² は炭素数３〜８の分岐アルキル基若
   しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数４〜８のシクロ
   アルキル基若しくは置換シクロアルキル基を表し、Ｙ²
   は炭素数３〜８の分岐アルキル基若しくは置換分岐アル
   キル基、又は炭素数４〜８のシクロアルキル基若しくは
   置換シクロアルキル基を表す。） 【化３】 （但し、式中のＺ¹ は炭素数３〜８の分岐アルキル基若
   しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数４〜８のシクロ
   アルキル基若しくは置換シクロアルキル基を表し、ｎお
   よびｍは０または１を表す。）
2. 【請求項２】 前記重合体又は共重合体（Ａ）は、その
   重量平均分子量が５，０００〜２００，０００のもので
   ある請求項１に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
3. 【請求項３】 前記重合体又は共重合体（Ａ）は、重合
   の連鎖がランダム構造を有するものである請求項１又は
   請求項２に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
4. 【請求項４】 前記一般式（３）で表される重合性単量
   体は、下記の一般式（４）で表されるアルキルビニルエ
   ーテル、一般式（５）で表されるアルキルビニルエステ
   ル及び一般式（６）で表されるアルキルアリルエステル
   から選ばれる少なくとも１種のものである請求項１から
   請求項３のいずれかに記載のソルダーレジスト用樹脂組
   成物。 Ｚ² −Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ₂ ・・・（４） （但し、式中のＺ² は炭素数３〜８の分岐アルキル基若
   しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数４〜８のシクロ
   アルキル基若しくは置換シクロアルキル基を表す。） Ｚ³ −ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ₂ ・・・（５） （但し、式中のＺ³ は炭素数３〜８の分岐アルキル基若
   しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数４〜８のシクロ
   アルキル基若しくは置換シクロアルキル基を表す。） Ｚ⁴ −ＣＯＯ−ＣＨ₂ −ＣＨ＝ＣＨ₂ ・・・（６） （但し、式中のＺ⁴ は炭素数３〜８の分岐アルキル基若
   しくは置換分岐アルキル基、又は炭素数４〜８のシクロ
   アルキル基若しくは置換シクロアルキル基を表す。）
5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
   のソルダーレジスト用樹脂組成物を基板上に塗布後、回
   路パターンの形状のフォトマスクを介して活性エネルギ
   ー線の照射とそれに続く現像を行って回路のネガパター
   ンを形成し、次いでポストキュアーして得られる硬化物
   よりなるソルダーレジスト。
6. 【請求項６】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
   のソルダーレジスト用樹脂組成物を基板上に回路パター
   ンの形状に印刷後、熱硬化を行って得られる硬化物より
   なるソルダーレジスト。