JP2000330272A - Photosensitive resin composition for photosensitive film and photosensitive film - Google Patents
Photosensitive resin composition for photosensitive film and photosensitive filmInfo
- Publication number
- JP2000330272A JP2000330272A JP14247699A JP14247699A JP2000330272A JP 2000330272 A JP2000330272 A JP 2000330272A JP 14247699 A JP14247699 A JP 14247699A JP 14247699 A JP14247699 A JP 14247699A JP 2000330272 A JP2000330272 A JP 2000330272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive
- meth
- resin composition
- weight
- acid value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板等
の製造に用いられる感光性フィルム用感光性樹脂組成物
およびこれを用いた感光性フィルムに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photosensitive resin composition for a photosensitive film used for manufacturing a printed wiring board and the like, and a photosensitive film using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】プリント配線板の製造に用いられるレジ
スト材料としては、感光性樹脂組成物およびこれを用い
た感光性フィルムが広く知られている。この感光性樹脂
組成は、通常、高酸価樹脂などのバインダー樹脂、多官
能(メタ)アクリル酸エステルなどの架橋剤、光重合開始
剤、および染料、熱安定剤などの添加剤からなるもので
ある。この感光性樹脂組成物をポリエステルフィルム等
にコーティングし、乾燥することによって、感光性樹脂
組成物からなる感光層を有する感光性フィルムは作製さ
れる。2. Description of the Related Art As a resist material used for manufacturing a printed wiring board, a photosensitive resin composition and a photosensitive film using the same are widely known. This photosensitive resin composition usually comprises a binder resin such as a high acid value resin, a crosslinking agent such as a polyfunctional (meth) acrylate, a photopolymerization initiator, and a dye, and an additive such as a heat stabilizer. is there. This photosensitive resin composition is coated on a polyester film or the like and dried to produce a photosensitive film having a photosensitive layer composed of the photosensitive resin composition.
【0003】この感光性フィルムを用いたプリント配線
板の製造は、通常、以下のようにして行われる。研磨や
薬剤処理した銅張基板上に、感光層を基板側にして感光
性フィルムを積層し、さらにこの上にネガマスクを重ね
て露光し、感光層を硬化させる。露光後、0.5〜3重
量%の炭酸ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液を用い
て現像し、基板上にレジストパターンを形成する。The manufacture of a printed wiring board using this photosensitive film is usually performed as follows. A photosensitive film is laminated on a polished or chemical-treated copper-clad substrate with the photosensitive layer facing the substrate, and a negative mask is overlaid thereon to expose and cure the photosensitive film. After exposure, development is carried out using an aqueous solution of an alkali such as a 0.5 to 3% by weight aqueous sodium carbonate solution to form a resist pattern on the substrate.
【0004】基板上に配線パターンを形成する方法とし
ては、テンティング法とメッキ法がある。テンティング
法とは、チップ搭載のためのスルーホールをレジストパ
ターンの形成と同時にレジストで保護した後に、エッチ
ングを行って配線パターンを形成し、レジストを水酸化
ナトリウム水溶液等を用いて剥離する方法である。一
方、メッキ法は、電気メッキによってスルーホールやレ
ジストパターンが形成されていない基板上に銅を析出さ
せ、この銅をはんだメッキで保護した後に、レジストパ
ターンを剥離し、アンモニア水などを用いてハンダメッ
キ以外の部分をエッチングして、配線パターンを形成す
る方法である。As a method of forming a wiring pattern on a substrate, there are a tenting method and a plating method. Tenting method is a method in which through holes for chip mounting are protected with a resist at the same time as the formation of a resist pattern, etching is performed to form a wiring pattern, and the resist is peeled off using an aqueous sodium hydroxide solution or the like. is there. On the other hand, in the plating method, copper is deposited on a substrate on which no through-hole or resist pattern is formed by electroplating, the copper is protected by solder plating, the resist pattern is peeled off, and solder is applied using aqueous ammonia or the like. In this method, a portion other than the plating is etched to form a wiring pattern.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】このようにして形成さ
れた配線パターンが、基板に対して垂直であり、かつそ
の線幅が狭くされることによって、配線パターンの高密
度化、プリント配線板の小型化が可能となる。しかしな
がら、従来の感光性樹脂組成物を用いた感光フィルム
は、解像度が20μm以上であったため、現像後のレジ
ストパターンおよびエッチング後の配線パターンを20
μm以下の線幅で安定して形成することは困難であっ
た。The wiring pattern thus formed is perpendicular to the substrate and the line width is reduced, so that the density of the wiring pattern is increased and the printed wiring board is formed. The size can be reduced. However, since the resolution of the photosensitive film using the conventional photosensitive resin composition was not less than 20 μm, the resist pattern after development and the wiring pattern after etching were reduced to 20 μm.
It has been difficult to form a line with a line width of μm or less stably.
【0006】レジストパターンおよび配線パターンを2
0μm以下の線幅で安定して成形をするために、レジス
ト材料として液状レジスト剤を使った方法が取られてい
る。しかしながら、液状レジスト剤は、感光性フィルム
に比べ、コーティング後に基板上に形成されるフィルム
の厚みのコントロール、回路の露出(エッチ切れ)やカ
ブリ(ニジミ)の安定性の面で不利であった。[0006] The resist pattern and the wiring pattern
In order to stably mold with a line width of 0 μm or less, a method using a liquid resist agent as a resist material has been adopted. However, the liquid resist agent is disadvantageous as compared with the photosensitive film in terms of controlling the thickness of the film formed on the substrate after coating, and exposing the circuit (etch cut) and the stability of fog (bleeding).
【0007】そこで、感光性フィルムの解像度を上げる
ことを目的として、感光性樹脂組成物に用いられるバイ
ンダー樹脂の酸価を上げたり、分子量を下げるなどし
て、バインダー樹脂の溶解度を上げ、現像性を改良する
工夫がなされている。しかしながら、バインダー樹脂の
酸価を上げたり、分子量を下げたりすると、基板上の銅
箔に対するレジストパターンの密着性が悪くなるという
問題があった。特に、レジストパターンの線幅が30μ
m以下では、アルカリ水溶液の浸食によって、レジスト
パターンと基板との接着部分の剥離や凸状のパターン
(以後レリーフという)のへこみが起こりやすくなり、
基板に対して垂直なレジストパターンを安定して形成で
きなくなるという問題があった。一方、レジストパター
ンの基板に対する密着性やアルカリ水溶液に対するレリ
ーフの垂直現像の安定性をよくするために、バインダー
樹脂の分子量を上げると、レジスト現像時に、未硬化部
分のアルカリ水溶液への溶解性が落ち、現像性が悪くな
るという問題があった。Therefore, in order to increase the resolution of the photosensitive film, the solubility of the binder resin is increased by increasing the acid value of the binder resin used in the photosensitive resin composition or decreasing the molecular weight thereof, thereby improving the developing property. The idea of improving is made. However, when the acid value of the binder resin is increased or the molecular weight is decreased, there is a problem that the adhesiveness of the resist pattern to the copper foil on the substrate is deteriorated. In particular, the line width of the resist pattern is 30 μm.
Below m, the erosion of the aqueous alkali solution tends to cause peeling of the bonded portion between the resist pattern and the substrate and dents in a convex pattern (hereinafter referred to as relief),
There is a problem that a resist pattern perpendicular to the substrate cannot be formed stably. On the other hand, if the molecular weight of the binder resin is increased in order to improve the adhesiveness of the resist pattern to the substrate and the stability of the vertical development of the relief in an alkaline aqueous solution, the solubility of the uncured portion in the alkaline aqueous solution decreases during resist development. However, there is a problem that developability is deteriorated.
【0008】よって、本発明における課題は、解像度、
基板への密着性に優れ、現像後に形成されるレジストパ
ターンを20μm以下の線幅で安定して形成することが
できる感光性フィルム用感光性樹脂組成物およびこれを
用いた感光性フィルムを提供することにある。[0008] Therefore, the object of the present invention is to provide a resolution,
Provided is a photosensitive resin composition for a photosensitive film, which has excellent adhesion to a substrate and can stably form a resist pattern formed after development with a line width of 20 μm or less, and a photosensitive film using the same. It is in.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明者は、バインダー
樹脂の分子量分布、およびバインダー樹脂中の親水基成
分と親油基成分のバランスについて鋭意検討を行った結
果、バインダー樹脂の分子量分布を狭くすることによっ
て、バインダー樹脂のアルカリ水溶液への溶解性がよく
なり、また、親油基を有する構成単量体としてベンジル
(メタ)アクリレートまたは炭素数12〜18のアルキ
ル基を有するアルキル(メタ)アクリレートを導入する
ことによって、バインダー樹脂中の親水基成分と親油基
成分のバランス、すなわち未硬化部分のアルカリ水溶液
に対する溶解性と硬化部分のアルカリ水溶液に対する安
定性(耐浸食性)のバランスがよくなり、レジストパタ
ーンを20μm以下の線幅で安定して形成することがで
きることを見出し、本発明に至った。The present inventors have made intensive studies on the molecular weight distribution of the binder resin and the balance between the hydrophilic group component and the lipophilic group component in the binder resin, and as a result, have narrowed the molecular weight distribution of the binder resin. By doing so, the solubility of the binder resin in an aqueous alkali solution is improved, and benzyl (meth) acrylate or an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 12 to 18 carbon atoms is used as a constituent monomer having a lipophilic group. Introduces a good balance between the hydrophilic group component and the lipophilic group component in the binder resin, that is, the balance between the solubility of the uncured portion in an alkaline aqueous solution and the stability of the cured portion in an alkaline aqueous solution (erosion resistance). Found that a resist pattern can be formed stably with a line width of 20 μm or less. It has completed the present invention.
【0010】すなわち、本発明の感光性フィルム用感光
性樹脂組成物は、アクリル系高酸価樹脂を含有する感光
性フィルム用感光性樹脂組成物であって、前記アクリル
系高酸価樹脂が、(メタ)アクリル酸と、ベンジル(メ
タ)アクリレートまたは炭素数12〜18のアルキル基
を有するアルキル(メタ)アクリレート2〜50重量%
とを構成単量体として含む共重合体であり、前記アクリ
ル系高酸価樹脂の重量平均分子量が、8,000〜20
0,000であり、前記アクリル系高酸価樹脂の分子量
分布(Mw/Mn)が、2.5以下であることを特徴と
する。また、本発明の感光性フィルムは、前記感光性フ
ィルム用感光性樹脂組成物からなる感光層を有すること
を特徴とする。That is, the photosensitive resin composition for a photosensitive film of the present invention is a photosensitive resin composition for a photosensitive film containing an acrylic high acid value resin, wherein the acrylic high acid value resin is: (Meth) acrylic acid and 2 to 50% by weight of benzyl (meth) acrylate or alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 12 to 18 carbon atoms
And an acrylic high acid value resin having a weight average molecular weight of 8,000 to 20.
Wherein the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the acrylic high acid value resin is 2.5 or less. Further, the photosensitive film of the present invention has a photosensitive layer comprising the photosensitive resin composition for a photosensitive film.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】本発明におけるアクリル系高酸価
樹脂とは、レジストパターンの現像に用いられるアルカ
リ水溶液に溶解する程度の酸価を有するアクリル系樹脂
を指す。アクリル系高酸価樹脂の酸価は、アルカリ水溶
液に溶解する程度の酸価であればよく、特に限定はされ
ないが、例えば、80mgKOH/g以上であり、好ま
しくは120mgKOH/g以上である。酸価が80m
gKOH/g未満では、アルカリ水溶液に対する溶解性
が不十分となるおそれがある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The acrylic high acid value resin in the present invention refers to an acrylic resin having an acid value enough to dissolve in an aqueous alkaline solution used for developing a resist pattern. The acid value of the acrylic high acid value resin is not particularly limited as long as it is an acid value enough to dissolve in an alkaline aqueous solution, and is, for example, 80 mgKOH / g or more, and preferably 120 mgKOH / g or more. Acid value is 80m
If it is less than gKOH / g, the solubility in an aqueous alkali solution may be insufficient.
【0012】本発明におけるアクリル系高酸価樹脂の重
量平均分子量は、8,000〜200,000の範囲で
あり、好ましくは20,000〜90,000の範囲で
ある。重量平均分子量が8,000未満では、アルカリ
水溶液に対する溶解性が高くなりすぎ、レジストパター
ンの剥離などが生じ、200,000を超えると、アル
カリ水溶液への溶解性が低下し、現像性が悪くなる。The weight average molecular weight of the acrylic high acid value resin in the present invention is in the range of 8,000 to 200,000, preferably in the range of 20,000 to 90,000. If the weight average molecular weight is less than 8,000, the solubility in an alkaline aqueous solution becomes too high, and peeling of a resist pattern or the like occurs. If it exceeds 200,000, the solubility in an alkaline aqueous solution is reduced, and the developability is deteriorated. .
【0013】本発明におけるアクリル系高酸価樹脂の分
子量分布(Mw/Mn)は、2.5以下であり、好まし
くは1.5〜2.0である。分子量分布(Mw/Mn)
が2.5を超えると、アクリル系高酸価樹脂中に高分子
量の成分が増えるため、アルカリ水溶液への溶解性が低
下し、また同時に、アクリル系高酸価樹脂中に低分子量
の成分も増えるため、レジストパターンのアルカリ水溶
液に対するレリーフの垂直現像の安定性が低下し、基板
に対して垂直なレジストパターンを形成できなくなる。
ここで、Mwは重量平均分子量であり、Mnは数平均分
子量を表す。The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the acrylic high acid value resin in the present invention is 2.5 or less, preferably 1.5 to 2.0. Molecular weight distribution (Mw / Mn)
If it exceeds 2.5, the high molecular weight component in the acrylic high acid value resin increases, so that the solubility in an aqueous alkali solution decreases, and at the same time, the low molecular weight component in the acrylic high acid value resin also increases. As a result, the stability of the vertical development of the relief of the resist pattern with respect to the aqueous alkali solution decreases, and it becomes impossible to form a resist pattern perpendicular to the substrate.
Here, Mw is a weight average molecular weight, and Mn is a number average molecular weight.
【0014】本発明におけるアクリル系高酸価樹脂は、
(メタ)アクリル酸と、ベンジル(メタ)アクリレート
または炭素数12〜18のアルキル基を有するアルキル
(メタ)アクリレートとを構成単量体として含む共重合
体である。ここで、(メタ)アクリル酸とは、アクリル
酸および/またはメタクリル酸を指し、ベンジル(メ
タ)アクリレートとは、ベンジルアクリレートおよび/
またはベンジルメタクリレートを指し、アルキル(メ
タ)アクリレートとは、アルキルアクリレートおよび/
またはアルキルメタクリレートを指す。The acrylic high acid value resin in the present invention comprises:
It is a copolymer containing (meth) acrylic acid and benzyl (meth) acrylate or an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 12 to 18 carbon atoms as constituent monomers. Here, (meth) acrylic acid refers to acrylic acid and / or methacrylic acid, and benzyl (meth) acrylate refers to benzyl acrylate and / or
Or benzyl methacrylate, and alkyl (meth) acrylate is an alkyl acrylate and / or
Or refers to alkyl methacrylate.
【0015】アクリル系高酸価樹脂中における(メタ)
アクリル酸成分の割合は、アクリル系高酸価樹脂の酸価
がアルカリ水溶液に溶解する程度となればよく、特に限
定はされないが、例えば、12〜28重量%であり、好
ましくは18〜25重量%である。(メタ)アクリル酸
成分の割合が12重量%未満では、アルカリ水溶液への
溶解性が低下するおそれがあり、(メタ)アクリル酸成
分の割合が28重量%を超えると、アルカリ水溶液に対
する溶解性が高くなりすぎ、レジストパターンの剥離な
どが生じるおそれがある。(Meth) in acrylic high acid value resin
The ratio of the acrylic acid component is not particularly limited as long as the acid value of the acrylic high acid value resin is dissolved in the aqueous alkali solution, and is not particularly limited, but is, for example, 12 to 28% by weight, and preferably 18 to 25% by weight. %. If the proportion of the (meth) acrylic acid component is less than 12% by weight, the solubility in the aqueous alkali solution may decrease. If the proportion of the (meth) acrylic acid component exceeds 28% by weight, the solubility in the aqueous alkaline solution may be reduced. It may be too high, and the resist pattern may be peeled off.
【0016】アクリル系高酸価樹脂中におけるベンジル
(メタ)アクリレート成分または炭素数12〜18のア
ルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレート成分の
割合は、2〜50重量%である。これらの成分の割合が
2重量%未満では、レジストパターンの基板に対する密
着性、アルカリ水溶液に対するレリーフの垂直現像の安
定性が低下し、基板に対して垂直なレジストパターンを
形成できなくなる。一方、これらの成分の割合が50重
量%を超えると、アルカリ水溶液への溶解性が低下し、
現像性が悪くなる。ベンジル(メタ)アクリレート成分
は、好ましくは15〜35重量%であり、炭素数12〜
18のアルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレー
ト成分は、好ましくは30〜50重量%である。The proportion of the benzyl (meth) acrylate component or the alkyl (meth) acrylate component having an alkyl group having 12 to 18 carbon atoms in the acrylic high acid value resin is 2 to 50% by weight. If the proportion of these components is less than 2% by weight, the adhesion of the resist pattern to the substrate and the stability of the vertical development of the relief in an alkaline aqueous solution are reduced, and a resist pattern perpendicular to the substrate cannot be formed. On the other hand, when the proportion of these components exceeds 50% by weight, the solubility in an aqueous alkali solution decreases,
Developability deteriorates. The benzyl (meth) acrylate component is preferably 15 to 35% by weight, and has 12 to
The content of the alkyl (meth) acrylate component having 18 alkyl groups is preferably 30 to 50% by weight.
【0017】本発明におけるアクリル系高酸価樹脂に
は、構成単量体として他のビニル系単量体が含まれてい
てもよい。他のビニル系単量体としては、例えば、メチ
ル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレー
ト、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル
(メタ)アクリレート等の炭素数1〜11のアルキル基
を有するアルキル(メタ)アクリレート;2−ヒドロキ
シエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピ
ル(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(メ
タ)アクリレート;エチレングリコール(メタ)アクリ
レート、ブチレングリコール(メタ)アクリレート、酢
酸ビニル、(メタ)アクリロニトリル、スチレン等が挙
げられる。アクリル系高酸価樹脂中における他のビニル
系単量体成分の割合は、0〜70重量%の範囲である。The acrylic high acid value resin of the present invention may contain another vinyl monomer as a constituent monomer. Examples of the other vinyl monomers include alkyl having a C1 to C11 alkyl group such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth) acrylate. (Meth) acrylate; hydroxyalkyl (meth) acrylate such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate; ethylene glycol (meth) acrylate, butylene glycol (meth) acrylate, vinyl acetate, ) Acrylonitrile, styrene and the like. The ratio of the other vinyl monomer component in the acrylic high acid value resin is in the range of 0 to 70% by weight.
【0018】本発明におけるアクリル系高酸価樹脂は、
懸濁重合法、乳化重合法、溶液重合法など公知の重合方
法によって製造される。中でも、分子量分布(Mw/M
n)が2.5以下の重合体(分子量分布の狭い重合体)
を得やすい点から、懸濁重合法が好適に用いられる。In the present invention, the acrylic high acid value resin is
It is manufactured by a known polymerization method such as a suspension polymerization method, an emulsion polymerization method, and a solution polymerization method. Among them, the molecular weight distribution (Mw / M
Polymer having n) of 2.5 or less (polymer having a narrow molecular weight distribution)
The suspension polymerization method is suitably used because it is easy to obtain.
【0019】本発明の感光性フィルム用感光性樹脂組成
物は、上述のアクリル系高酸価樹脂を含有するものであ
り、必要に応じて、光重合性の架橋剤、光重合開始剤、
添加剤等が配合される。The photosensitive resin composition for a photosensitive film of the present invention contains the above-mentioned acrylic high acid value resin. If necessary, a photopolymerizable crosslinking agent, a photopolymerization initiator,
Additives and the like are blended.
【0020】架橋剤としては、通常、感光性樹脂組成物
に用いられているものであればよく、例えば、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート、テトラエチレングリ
コールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ
アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレー
ト、ジエチレングリコールジアクリレート等の多価アル
コールのアクリル酸エステル;トリメチロールプロパン
トリグリシジルエーテルトリアクリレート、カルドエポ
キシジアクリレート等のエポキシアクリレート;ウレタ
ンアクリレート、ビスフェノールAポリオキシエチレン
ジメタクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレ
ートなどが挙げられる。The crosslinking agent may be any one usually used in a photosensitive resin composition, such as trimethylolpropane triacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,6- Acrylic esters of polyhydric alcohols such as hexanediol diacrylate and diethylene glycol diacrylate; epoxy acrylates such as trimethylolpropane triglycidyl ether triacrylate and cardepoxy diacrylate; urethane acrylate, bisphenol A polyoxyethylene dimethacrylate, and polyethylene glycol diacrylate Acrylate and the like.
【0021】光重合開始剤としては、通常、感光性樹脂
組成物に用いられているものであればよく、例えば、ベ
ンゾフェノン、アントラキノン、チオキサントン、アセ
トフェノン等の誘導体などが挙げられる。添加剤として
は、例えば、染料、顔料、熱重合禁止剤、銅キレート化
剤、必要に応じてフィラー、消泡剤などが挙げられる。The photopolymerization initiator may be any one usually used in a photosensitive resin composition, and examples thereof include derivatives such as benzophenone, anthraquinone, thioxanthone and acetophenone. Examples of the additive include a dye, a pigment, a thermal polymerization inhibitor, a copper chelating agent, and, if necessary, a filler and an antifoaming agent.
【0022】アクリル系高酸価樹脂の配合量は、特に限
定はされないが、例えば、感光性フィルム用感光性樹脂
組成物100重量部に対して40〜80重量部であり、
好ましくは50〜70重量部である。アクリル系高酸価
樹脂の配合量が40重量部未満では、アルカリ水溶液へ
の溶解性が低下するおそれがあり、80重量部を超える
と、硬化後の機械的物性が不十分となるおそれがある。The amount of the acrylic high acid value resin is not particularly limited, but is, for example, 40 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition for a photosensitive film.
Preferably it is 50 to 70 parts by weight. If the blending amount of the acrylic high acid value resin is less than 40 parts by weight, the solubility in an aqueous alkali solution may decrease, and if it exceeds 80 parts by weight, mechanical properties after curing may be insufficient. .
【0023】架橋剤の配合量は、特に限定はされない
が、例えば、感光性フィルム用感光性樹脂組成物100
重量部に対して30〜50重量部であり、好ましくは3
5〜45重量部である。架橋剤の配合量が30重量部未
満では、硬化後の機械的物性が不十分となるおそれがあ
り、50重量部を超えると、アルカリ水溶液への溶解性
が低下し、解像度が低下するおそれがある。The amount of the crosslinking agent is not particularly limited. For example, the photosensitive resin composition 100 for a photosensitive film may be used.
30 to 50 parts by weight with respect to parts by weight, preferably 3 parts by weight.
5 to 45 parts by weight. If the amount of the crosslinking agent is less than 30 parts by weight, the mechanical properties after curing may be insufficient. If the amount exceeds 50 parts by weight, the solubility in an alkaline aqueous solution may decrease, and the resolution may decrease. is there.
【0024】光重合開始剤の配合量は、特に限定はされ
ないが、例えば、感光性フィルム用感光性樹脂組成物1
00重量部に対して3〜8重量部であり、好ましくは5
〜6重量部である。光重合開始剤の配合量が3重量部未
満では、感度が不十分となるおそれがあり、8重量部を
超えると、硬化物が低分子量となってもろくなるおそれ
がある。The blending amount of the photopolymerization initiator is not particularly limited. For example, the photosensitive resin composition 1 for a photosensitive film may be used.
3 to 8 parts by weight, preferably 5 to 100 parts by weight.
66 parts by weight. If the amount of the photopolymerization initiator is less than 3 parts by weight, the sensitivity may be insufficient. If the amount exceeds 8 parts by weight, the cured product may have a low molecular weight and become brittle.
【0025】本発明の感光性フィルムは、上述の感光性
フィルム用感光性樹脂組成物からなる感光層をポリエス
テル等のフィルム上に形成したものである。本発明の感
光性フィルムは、ポリエステル等のフィルム上に、上述
の感光性フィルム用感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥さ
せ、必要に応じて、感光層上をポリオレフィン等のフィ
ルムで保護することによって得られる。感光性フィルム
用感光性樹脂組成物は、メチルエチルケトン(ME
K)、アセトン、メタノール、イソプロピルアルコー
ル、メトキシプロピルアセテート等の溶剤で溶液状にし
た後、塗布に用いてもよい。The photosensitive film of the present invention is obtained by forming a photosensitive layer comprising the above-mentioned photosensitive resin composition for a photosensitive film on a film of polyester or the like. The photosensitive film of the present invention may be obtained by applying the above-described photosensitive resin composition for a photosensitive film on a film of polyester or the like, drying the film, and, if necessary, protecting the photosensitive layer with a film of polyolefin or the like. Obtained by The photosensitive resin composition for a photosensitive film is methyl ethyl ketone (ME
K), a solution such as acetone, methanol, isopropyl alcohol, methoxypropyl acetate, or the like, may be used as a solution after coating.
【0026】感光層は、基板上に積層され、ネガマスク
を通して照射された紫外線等の活性光線によって硬化さ
れた後、アルカリ水溶液等の現像液によって現像され、
レジストパターンとされる。光源としては、高圧水銀
灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ等が用いら
れる。The photosensitive layer is laminated on a substrate, is cured by actinic rays such as ultraviolet rays irradiated through a negative mask, and is developed by a developing solution such as an aqueous alkali solution.
This is used as a resist pattern. As a light source, a high-pressure mercury lamp, a xenon lamp, a metal halide lamp, or the like is used.
【0027】このような感光性フィルム用感光性樹脂組
成物にあっては、アクリル系高酸価樹脂の分子量分布が
狭く、アクリル系高酸価樹脂中にベンジル(メタ)アク
リレートまたは炭素数12〜18のアルキル基を有する
アルキル(メタ)アクリレートのような親油性の高い基
が含まれているので、アクリル系高酸価樹脂を構成する
(メタ)アクリル酸の割合を増やし、アルカリ水溶液に
対する溶解性を高めても、形成されるレジストパターン
はアルカリ水溶液に浸食されにくくなる。そのため、レ
ジストパターンを20μm以下の線幅で形成しても、レ
ジストパターンと基板との接着部分の剥離やレリーフの
へこみが起こりにくくなり、基板に対して垂直なレジス
トパターンを安定して形成できる。In such a photosensitive resin composition for a photosensitive film, the molecular weight distribution of the acrylic high acid value resin is narrow, and benzyl (meth) acrylate or a compound having 12 to 12 carbon atoms is contained in the acrylic high acid value resin. Since a high lipophilic group such as an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group of 18 is included, the proportion of (meth) acrylic acid constituting the acrylic high acid value resin is increased, and the solubility in an aqueous alkali solution is increased. However, the formed resist pattern is less likely to be eroded by an aqueous alkaline solution. Therefore, even if the resist pattern is formed with a line width of 20 μm or less, peeling of the bonded portion between the resist pattern and the substrate and dent of the relief hardly occur, and a resist pattern perpendicular to the substrate can be formed stably.
【0028】[0028]
【実施例】以下、実施例を示して本発明を詳しく説明す
る。 [合成例1]撹拌機、温度計、コンデンサ−を備えた重
合装置に、脱イオン水:250重量部をチャージし、撹
拌下にポリビニルアルコール(ケン化度80%、重合度
1700):0.6重量部を加えた。ポリビニルアルコ
ールを完全溶解した後に、メタクリル酸(以下MAAと
略):20重量部、ベンジルメタクリレート(以下Bz
MAと略):10重量部、ブチルアクリレート(以下B
Aと略):10重量部、メチルメタクリレート(以下M
MAと略)60重量部、n−ドデシルメルカプタン:
0.5重量部、アゾイソブチロニトリル:0.4重量部
を加え、75℃に昇温し、反応温度75℃を維持して3
時間反応させた。その後、90℃に昇温し、この温度を
1時間維持し、反応を終了させた。その後、10μm目
開の濾布にて濾過洗浄し、50℃循環熱風乾燥機で乾燥
し、ビニル系重合体を得た。得られた重合体は重量平均
分子量Mw=51,040、分子量分布Mw/Mn=
1.84、酸価132mgKOH/gであった。ここ
で、重量平均分子量Mwおよび数平均分子量Mnは、東
ソー社製HLC−8120GPCを用い、ゲルパーミエ
イションクロマトグラフィー(GPC)により、スチレ
ン換算で求めた。溶剤には、THFを使用した。The present invention will be described below in detail with reference to examples. [Synthesis Example 1] A polymerization apparatus equipped with a stirrer, a thermometer, and a condenser was charged with 250 parts by weight of deionized water, and polyvinyl alcohol (degree of saponification 80%, degree of polymerization 1700) was added under stirring. 6 parts by weight were added. After completely dissolving the polyvinyl alcohol, methacrylic acid (hereinafter abbreviated as MAA): 20 parts by weight, benzyl methacrylate (hereinafter Bz)
MA): 10 parts by weight, butyl acrylate (hereinafter B)
A: 10 parts by weight, methyl methacrylate (hereinafter M
MA) 60 parts by weight, n-dodecyl mercaptan:
0.5 parts by weight and 0.4 parts by weight of azoisobutyronitrile were added, the temperature was raised to 75 ° C., and the reaction temperature was maintained at 75 ° C.
Allowed to react for hours. Thereafter, the temperature was raised to 90 ° C., and this temperature was maintained for 1 hour to terminate the reaction. Thereafter, the mixture was filtered and washed with a filter cloth having an opening of 10 μm, and dried with a circulating hot air dryer at 50 ° C. to obtain a vinyl polymer. The obtained polymer had a weight average molecular weight Mw = 51,040 and a molecular weight distribution Mw / Mn =
It was 1.84, and the acid value was 132 mgKOH / g. Here, the weight average molecular weight Mw and the number average molecular weight Mn were determined in terms of styrene by gel permeation chromatography (GPC) using HLC-8120GPC manufactured by Tosoh Corporation. THF was used as the solvent.
【0029】[合成例2〜5]合成例1の製造操作と同
様にして、表1に示したビニル系単量体組成でそれぞれ
重合した。得られたビニル系重合体の特性値を表2に示
した。表1中のSMAはステアリルメタクリレートを表
す。[Synthesis Examples 2 to 5] Polymerization was carried out in the same manner as in Production Example 1 with the vinyl monomer compositions shown in Table 1. Table 2 shows the characteristic values of the obtained vinyl polymer. SMA in Table 1 represents stearyl methacrylate.
【0030】[比較合成例1、2]合成例1の製造操作
と同様にして、表1に示したビニル系単量体組成でそれ
ぞれ重合した。得られたビニル系重合体の特性値を表2
に示した。表1中のBMAはブチルメタクリレート、2
−EHMAは2−エチルヘキシルメタクリレートを表
す。[Comparative Synthesis Examples 1 and 2] Polymerization was carried out in the same manner as in Production Example 1 with the vinyl monomer compositions shown in Table 1. Table 2 shows the characteristic values of the obtained vinyl polymer.
It was shown to. BMA in Table 1 is butyl methacrylate, 2
-EHMA represents 2-ethylhexyl methacrylate.
【0031】[比較合成例3]撹拌機、温度計、コンデ
ンサ−を備えた重合装置に、MEK:185重量部を加
え、撹拌を行い、MAA:20重量部、BzMA:10
重量部、BA:10重量部、MMA60重量部、n−ド
デシルメルカプタン:0.1重量部、アゾイソブチロニ
トリル:0.5重量部を加え、60℃に昇温し、反応温
度60℃を維持して4時間反応させた。その後、65℃
に昇温し、この温度を1時間維持し、反応を終了させ
た。得られた重合体の特性値を表2に示した。[Comparative Synthesis Example 3] MEK: 185 parts by weight was added to a polymerization apparatus equipped with a stirrer, a thermometer, and a condenser, followed by stirring. MAA: 20 parts by weight, BzMA: 10
Parts by weight, BA: 10 parts by weight, MMA 60 parts by weight, n-dodecyl mercaptan: 0.1 parts by weight, azoisobutyronitrile: 0.5 parts by weight, the temperature was raised to 60 ° C, and the reaction temperature was raised to 60 ° C. The reaction was maintained for 4 hours. Then 65 ° C
, And the temperature was maintained for 1 hour to terminate the reaction. Table 2 shows the characteristic values of the obtained polymer.
【0032】[0032]
【表1】 [Table 1]
【0033】[0033]
【表2】 [Table 2]
【0034】[実施例1]合成例1の重合体試料を下記
の方法で感光性樹脂組成物とし、感光性フィルムを作製
し、それを用いてレジストパターン成形した。下記の方
法で感光性フィルムの性能評価を行った。その結果を表
3および図1に示す。Example 1 The polymer sample of Synthesis Example 1 was used as a photosensitive resin composition by the following method to prepare a photosensitive film, and a resist pattern was formed using the photosensitive film. The performance of the photosensitive film was evaluated by the following method. The results are shown in Table 3 and FIG.
【0035】[実施例2〜5]合成例2〜5の重合体試
料を用いて実施例1と同様にして性能評価を行った。そ
の結果を表3および図2〜5に示す。[Examples 2 to 5] Performance evaluation was performed in the same manner as in Example 1 using the polymer samples of Synthesis Examples 2 to 5. The results are shown in Table 3 and FIGS.
【0036】[比較例1〜3]比較合成例1〜3の重合
体試料を用いて実施例1と同様にして性能評価を行っ
た。その結果を表3および図6〜8に示す。基板に対す
るレジストパターンの密着性に劣り、基板に対して垂直
なレジストパターンを形成できなかった。[Comparative Examples 1 to 3] Performance evaluation was performed in the same manner as in Example 1 using the polymer samples of Comparative Synthesis Examples 1 to 3. The results are shown in Table 3 and FIGS. The adhesion of the resist pattern to the substrate was poor, and a resist pattern perpendicular to the substrate could not be formed.
【0037】「感光性樹脂組成物の調製」合成例、比較
合成例で得られた重合体試料をMEKで50重量%溶液
に調整し、この重合体溶液150g、トリブロモフエニ
ルスルホン0.5g、ロイコクリスタルバイオレット1
g、マラカイトグリーン0.05g、光開始剤として
P,P’−ジエチルアミノ−ベンゾフェノン0.1g、
ベンゾフェノン5.0g、溶剤としてイソプロピルアル
コール10g、架橋剤としてトリメチロールプロパント
リアクリレート20g、ビスフェノールAポリオキシエ
チレンジメタクリレート10gを配合して感光性樹脂組
成物の溶液を調製した。[Preparation of Photosensitive Resin Composition] The polymer samples obtained in the synthesis examples and comparative synthesis examples were adjusted to a 50% by weight solution with MEK, and 150 g of this polymer solution and 0.5 g of tribromophenylsulfone were prepared. , Leuco Crystal Violet 1
g, malachite green 0.05 g, P, P′-diethylamino-benzophenone 0.1 g as a photoinitiator,
A solution of the photosensitive resin composition was prepared by blending 5.0 g of benzophenone, 10 g of isopropyl alcohol as a solvent, 20 g of trimethylolpropane triacrylate as a crosslinking agent, and 10 g of bisphenol A polyoxyethylene dimethacrylate.
【0038】「感光フィルムの作製」この感光性樹脂組
成物の溶液を20μm厚のポリエチレンテレフタレート
フイルム上に塗工し、室温で2分放置した後、100℃
のオーブンで10分乾燥して、感光層厚30μmの感光
フィルムを作製した。[Preparation of Photosensitive Film] A solution of this photosensitive resin composition was applied on a polyethylene terephthalate film having a thickness of 20 μm and left at room temperature for 2 minutes.
After drying in an oven for 10 minutes, a photosensitive film having a photosensitive layer thickness of 30 μm was prepared.
【0039】「密着性の評価」研磨・洗浄し、60℃に
加熱した銅張基板上に感光フィルムを120℃に加熱し
ながらロール圧3kg/cm2 でラミネートした。この
ラミネート基板にJIS D0202の試験方法に従っ
て、碁盤目状にクロスカットを入れて100個ます目を
作った。次いで、ピーリング試験を行い、ます目の剥離
状態をJISD0202に準じて、剥離しないます目の
数によって評価した。 ○・・・・剥離しないます目100個 △・・・・剥離しないます目91〜99個 ×・・・・剥離しないます目90個以下[Evaluation of Adhesion] A photosensitive film was laminated on a copper-clad substrate heated at 60 ° C. while heating at 120 ° C. under a roll pressure of 3 kg / cm 2 . In accordance with the test method of JIS D0202, 100 cross-cuts were formed in a cross-cut pattern on the laminated substrate. Next, a peeling test was performed, and the stripped state of the squares was evaluated according to JIS D0202 by the number of squares that did not peel. ○ ・ ・ ・ ・ 100 non-peeled squares △ ・ ・ ・ ・ 91-99 non-peeled squares × ・ ・ ・ ・ 90 or less non-peeled squares
【0040】「レジストパターン成形評価」次いで、評
価用ネガフィルム(ライン幅とスペース幅20μmのパ
ターンマスク)を使用し、3kW高圧水銀灯で70mJ
/cm2 の露光を行った後、ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを剥離し、30℃の1重量%炭酸ナトリウム
水溶液を60秒間スプレーすることにより未露光部分を
除去した。感光性樹脂組成物が銅張基板上に形成した光
硬化レジストパターンをSEM写真で観察して評価し
た。"Evaluation of resist pattern formation" Then, using a negative film for evaluation (a pattern mask having a line width and a space width of 20 μm), 70 mJ using a 3 kW high-pressure mercury lamp.
After exposure to light / cm 2 , the polyethylene terephthalate film was peeled off, and an unexposed portion was removed by spraying a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate at 30 ° C. for 60 seconds. The photocurable resist pattern formed by the photosensitive resin composition on the copper-clad substrate was observed and evaluated by SEM photograph.
【0041】[0041]
【表3】 [Table 3]
【0042】[0042]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の感光性フ
ィルム用感光性樹脂組成物は、アクリル系高酸価樹脂を
含有する感光性フィルム用感光性樹脂組成物であって、
前記アクリル系高酸価樹脂が、(メタ)アクリル酸と、
ベンジル(メタ)アクリレートまたは炭素数12〜18
のアルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレート2
〜50重量%とを構成単量体として含む共重合体であ
り、前記アクリル系高酸価樹脂の重量平均分子量が、
8,000〜200,000であり、前記アクリル系高
酸価樹脂の分子量分布(Mw/Mn)が、2.5以下で
あるので、解像度、基板への密着性に優れ、現像後に形
成されるレジストパターンを20μm以下の線幅で安定
して形成することができる。また、本発明の感光性フィ
ルムは、前記感光性フィルム用感光性樹脂組成物からな
る感光層を有しているので、解像度、基板への密着性に
優れ、現像後に形成されるレジストパターンを20μm
以下の線幅で安定して形成することができ、配線パター
ンの高密度化、プリント配線板の小型化が可能となる。As described above, the photosensitive resin composition for a photosensitive film of the present invention is a photosensitive resin composition for a photosensitive film containing an acrylic high acid value resin,
The acrylic high acid value resin, (meth) acrylic acid,
Benzyl (meth) acrylate or C12-18
(Meth) acrylate 2 having an alkyl group
-50% by weight as a constituent monomer, and the weight average molecular weight of the acrylic high acid value resin is:
Since the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the acrylic high acid value resin is 2.5 or less, it is excellent in resolution and adhesion to a substrate, and is formed after development. A resist pattern can be formed stably with a line width of 20 μm or less. Further, since the photosensitive film of the present invention has a photosensitive layer composed of the photosensitive resin composition for a photosensitive film, it has excellent resolution and adhesion to a substrate, and has a resist pattern formed after development of 20 μm.
It can be formed stably with the following line width, and the density of the wiring pattern can be increased, and the size of the printed wiring board can be reduced.
【図1】 実施例1の感光性樹脂組成物が銅張基板上に
形成した光硬化レジストパターンを示すSEM写真であ
る。FIG. 1 is an SEM photograph showing a photocurable resist pattern formed on a copper-clad substrate using the photosensitive resin composition of Example 1.
【図2】 実施例2の感光性樹脂組成物が銅張基板上に
形成した光硬化レジストパターンを示すSEM写真であ
る。FIG. 2 is an SEM photograph showing a photocurable resist pattern formed on a copper-clad substrate using the photosensitive resin composition of Example 2.
【図3】 実施例3の感光性樹脂組成物が銅張基板上に
形成した光硬化レジストパターンを示すSEM写真であ
る。FIG. 3 is an SEM photograph showing a photocurable resist pattern formed on a copper-clad substrate using the photosensitive resin composition of Example 3.
【図4】 実施例4の感光性樹脂組成物が銅張基板上に
形成した光硬化レジストパターンを示すSEM写真であ
る。FIG. 4 is an SEM photograph showing a photocurable resist pattern formed on a copper-clad substrate using the photosensitive resin composition of Example 4.
【図5】 実施例5の感光性樹脂組成物が銅張基板上に
形成した光硬化レジストパターンを示すSEM写真であ
る。FIG. 5 is an SEM photograph showing a photocurable resist pattern formed on a copper-clad substrate using the photosensitive resin composition of Example 5.
【図6】 比較例1の感光性樹脂組成物が銅張基板上に
形成した光硬化レジストパターンを示すSEM写真であ
る。FIG. 6 is an SEM photograph showing a photocurable resist pattern formed on a copper-clad substrate using the photosensitive resin composition of Comparative Example 1.
【図7】 比較例2の感光性樹脂組成物が銅張基板上に
形成した光硬化レジストパターンを示すSEM写真であ
る。FIG. 7 is an SEM photograph showing a photocurable resist pattern formed on a copper-clad substrate using the photosensitive resin composition of Comparative Example 2.
【図8】 比較例3の感光性樹脂組成物が銅張基板上に
形成した光硬化レジストパターンを示すSEM写真であ
る。FIG. 8 is an SEM photograph showing a photocurable resist pattern formed on a copper-clad substrate using the photosensitive resin composition of Comparative Example 3.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA02 AA03 AA14 AB11 AB15 AC01 AD01 BC43 BC66 BC74 CA01 CB13 CB14 CB43 CB54 CB55 CB56 FA03 FA17 4J100 AB02R AG04R AJ02P AL03R AL04R AL05Q AL08Q AL09R AM02R BC43Q CA04 CA05 DA01 DA04 JA37 5E339 BE13 CC01 CC02 CC10 CD01 CE12 CE16 CF16 CF17 DD02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page F-term (reference) 2H025 AA02 AA03 AA14 AB11 AB15 AC01 AD01 BC43 BC66 BC74 CA01 CB13 CB14 CB43 CB54 CB55 CB56 FA03 FA17 4J100 AB02R AG04R AJ02P AL03R AL04R AL05Q AL08Q AL09R AM04 CA04 DA04 CC01 CC02 CC10 CD01 CE12 CE16 CF16 CF17 DD02
Claims (2)
フィルム用感光性樹脂組成物であって、 前記アクリル系高酸価樹脂が、(メタ)アクリル酸と、
ベンジル(メタ)アクリレートまたは炭素数12〜18
のアルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレート2
〜50重量%とを構成単量体として含む共重合体であ
り、 前記アクリル系高酸価樹脂の重量平均分子量が、8,0
00〜200,000であり、 前記アクリル系高酸価樹脂の分子量分布(Mw/Mn)
が、2.5以下であることを特徴とする感光性フィルム
用感光性樹脂組成物。1. A photosensitive resin composition for a photosensitive film containing an acrylic high acid value resin, wherein the acrylic high acid value resin comprises (meth) acrylic acid,
Benzyl (meth) acrylate or C12-18
(Meth) acrylate 2 having an alkyl group
And a weight average molecular weight of the acrylic high acid value resin of 8.0 to 50% by weight as a constituent monomer.
Molecular weight distribution (Mw / Mn) of the acrylic high acid value resin
Is 2.5 or less, the photosensitive resin composition for photosensitive films.
樹脂組成物からなる感光層を有することを特徴とする感
光性フィルム。2. A photosensitive film comprising a photosensitive layer comprising the photosensitive resin composition for a photosensitive film according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14247699A JP2000330272A (en) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | Photosensitive resin composition for photosensitive film and photosensitive film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14247699A JP2000330272A (en) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | Photosensitive resin composition for photosensitive film and photosensitive film |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000330272A true JP2000330272A (en) | 2000-11-30 |
Family
ID=15316218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14247699A Pending JP2000330272A (en) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | Photosensitive resin composition for photosensitive film and photosensitive film |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000330272A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007025152A (en) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Goo Chemical Co Ltd | Alkali-developable photosensitive resist ink composition for manufacturing printed wiring board, cured object thereof and printed wiring board |
JP2007034286A (en) * | 2005-07-01 | 2007-02-08 | Eternal Chemical Co Ltd | Photoimageable composition |
WO2012067107A1 (en) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | 日立化成工業株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board |
KR101188759B1 (en) * | 2009-03-18 | 2012-10-10 | 주식회사 엘지화학 | Acryl-based copolymer, optical film and liquid crystal display comprising the same |
WO2012165918A2 (en) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | 주식회사 엘지화학 | Resin composition for optical film and optical film using the same |
JP2014134815A (en) * | 2006-12-27 | 2014-07-24 | Hitachi Chemical Co Ltd | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board |
-
1999
- 1999-05-21 JP JP14247699A patent/JP2000330272A/en active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007034286A (en) * | 2005-07-01 | 2007-02-08 | Eternal Chemical Co Ltd | Photoimageable composition |
KR101370431B1 (en) * | 2005-07-01 | 2014-03-05 | 이터널 케미칼 컴퍼니 리미티드 | Photoimageable composition |
JP2007025152A (en) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Goo Chemical Co Ltd | Alkali-developable photosensitive resist ink composition for manufacturing printed wiring board, cured object thereof and printed wiring board |
JP4705426B2 (en) * | 2005-07-14 | 2011-06-22 | 互応化学工業株式会社 | Alkali development type photosensitive resist ink composition for printed wiring board production, cured product thereof and printed wiring board |
JP2014134815A (en) * | 2006-12-27 | 2014-07-24 | Hitachi Chemical Co Ltd | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board |
KR101188759B1 (en) * | 2009-03-18 | 2012-10-10 | 주식회사 엘지화학 | Acryl-based copolymer, optical film and liquid crystal display comprising the same |
WO2012067107A1 (en) * | 2010-11-17 | 2012-05-24 | 日立化成工業株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board |
JPWO2012067107A1 (en) * | 2010-11-17 | 2014-05-12 | 日立化成株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, resist pattern forming method and printed wiring board manufacturing method |
WO2012165918A2 (en) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | 주식회사 엘지화학 | Resin composition for optical film and optical film using the same |
WO2012165918A3 (en) * | 2011-06-01 | 2013-03-28 | 주식회사 엘지화학 | Resin composition for optical film and optical film using the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4645776B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method | |
JP2662673B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
JP2000330272A (en) | Photosensitive resin composition for photosensitive film and photosensitive film | |
JP3190127B2 (en) | Photosensitive resin composition and use thereof | |
JP2719799B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
JPH11271971A (en) | Hydrophilic binder polymer and photoimaging composition having hydrophilic monomer | |
JP2008304527A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using same, resist pattern forming method, and method for manufacturing printed wiring board | |
JP3497228B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
JP3281307B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method of laminating layers of photosensitive resin composition, layered substrate of photosensitive resin composition layer, and method of curing layer of photosensitive resin composition | |
JP4569700B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, resist pattern forming method and printed wiring board manufacturing method | |
JPH0756334A (en) | Photosensitive resin composition and photosensitive element using the same | |
JP2571855B2 (en) | Manufacturing method of printed wiring board | |
JP3939402B2 (en) | Resist pattern forming method | |
JP4002658B2 (en) | Resist pattern forming method | |
JP2983919B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
JPH10142789A (en) | Photosensitive resin composition and photosensitive element using the same | |
JP2821547B2 (en) | Crosslinkable curable resin composition | |
JP2004279479A (en) | Photosensitive element, forming method of resist pattern using the same, and method for manufacturing printed wiring board | |
JP2008102257A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for producing resist pattern and method for producing printed wiring board | |
JP4241097B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method | |
JP2620949B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
JP2004341447A (en) | Photosensitive film | |
JP2003167341A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern forming method, and method for manufacturing printed wiring board | |
JPH05197145A (en) | Cross-link-hardening resin composition | |
JP4529289B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern manufacturing method, and printed wiring board manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060306 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090310 |