JP2000323955A - 表面波共振子、表面波装置、通信機装置 - Google Patents

表面波共振子、表面波装置、通信機装置

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JP2000323955A JP11127387A JP12738799A JP2000323955A JP 2000323955 A JP2000323955 A JP 2000323955A JP 11127387 A JP11127387 A JP 11127387A JP 12738799 A JP12738799 A JP 12738799A JP 2000323955 A JP2000323955 A JP 2000323955A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 挿入損失を劣化させることなく、エッチング
の際に生じる電極指幅や膜厚のバラツキによる周波数の
バラツキを抑えることのできる表面波装置を提供する。 【解決手段】 オイラー角(0°,121°〜136
°,87〜93°)である水晶基板上にTaからなり電
極指幅/(電極指幅+電極指間のスペース)が0.55
〜0.85であるIDT及び反射器を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面波共振子やそ
れを用いた表面波フィルタや共用器等の表面波装置及び
通信機装置に関し、特にSH波を用いた表面波共振子、
表面波フィルタや共用器等の表面波装置及び通信機装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、移動体通信機器の帯域通過フ
ィルタ等に表面波共振子が広く用いられている。このよ
うな表面波共振子の一つとして、互いに電極指が交差す
るように配置された櫛形電極より成るIDT(IDT)
を圧電基板上に形成した構造を有する表面波共振子やこ
の表面波共振子を用いた表面波フィルタ等の表面波装置
が良く知られている。
【0003】近年、表面波装置の圧電基板としてオイラ
ー角が(0°,121°〜136°,87〜93°)の
水晶基板を用い、その表面にTaやW、Au等の質量負
荷の大きい金属によってIDTを構成しSH波型の表面
波を用いて小型化を行う技術が開発されている。
【0004】このような、表面波装置の製造方法を、順
を追って説明をする。まず、水晶からなるウエハ100
を図9(a)に示すように用意する。次に、図9(b)
に示すように、ウエハ100の上面に蒸着、スパッタリ
ング等によりTaによる金属薄膜101を形成する。さ
らに、金属薄膜101の不要な部分をエッチングにより
除去し、図9(c)に示すように複数のIDT101a
と複数の反射器101bからなるパターンを多数形成す
る。また、図9(d)に示すようにIDT101aと反
射器101bの組み合わせを1つの表面波素子102と
してIDT101aや反射器101bの形成されていな
い部分でウエハ100を切断する。最後に、図9(e)
に示すように分割された表面波素子102をパッケージ
103に収納し、パッケージ103の電極104とID
T101aとをボンディングワイヤー105により電気
的に接続する。
【0005】以上のように、表面波装置のIDTを構成
する電極指は一般に、水晶等の圧電基板上にTaやW、
Au等の質量負荷の大きい金属を蒸着あるいはスパッタ
リング等の手法で金属薄膜を形成した上で、この金属膜
をフォトエッチング等の手法でパターン化することによ
って形成されている。このような表面波装置では、その
共振周波数は、IDTを構成する電極指同士の間隔や膜
厚、電極指幅によって大部分が決定される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような工程を経て、表面波装置を作製すると、IDT
をパターン化するためのエッチングの精度によって、電
極指幅や膜厚がウエハ毎に異なるという問題があった。
また、同一ウエハ内でも電極指幅や膜厚にバラツキが生
じるという問題があった。これらの電極指幅や膜厚のバ
ラツキが周波数のバラツキとなっていた。
【0007】しかしながら、Al等の電極材料と異な
り、TaやW、Au等の質量負荷の大きい金属によって
IDTを構成した場合、電極指幅や膜厚のバラツキによ
る周波数のバラツキが大きいという問題点があった。す
なわち、Al等の電極材料でIDTを形成した場合に
は、周波数にバラツキが生じてもウエハレベルで周波数
調整をすることで対応できる程度のものであるが、Ta
やW、Au等の質量負荷の大きい金属によってIDTを
構成した場合は、ウエハレベルで周波数調整をすること
では対応できない程大きなバラツキが生じていた。これ
は、TaやW、Au等のように質量負荷が大きければ大
きい程、Al等の質量負荷の小さい金属に比べて、金属
の密度に対する周波数の依存度が大きいため、Al等の
質量負荷の小さい金属と同じ程度の電極指幅や膜厚のバ
ラツキでも、周波数ではより大きなバラツキとなるから
である。
【0008】本発明の目的は、挿入損失を改善し、かつ
エッチングの際に生じる電極指幅や膜厚のバラツキによ
る周波数のバラツキを抑えることのできる表面波共振子
や表面波装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】そこで、請求項1に係る
表面波共振子は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成さ
れており、前記圧電基板の圧電材料より比重が大きい金
属又は合金により構成されることによりSH波を励振す
るIDTとを備える表面波共振子であって、前記IDT
を構成する電極指の電極指幅/(電極指幅+電極指間の
スペース)が0.55〜0.85に設定されている。
【0010】これにより、SH波型の表面波の音速がI
DTの電極指幅に対して感度が鈍くなる。
【0011】請求項2に係る表面波共振子は、請求項1
記載の表面波共振子において圧電基板をオイラー角(0
°,121°〜136°,87〜93°)である水晶基
板にしている。
【0012】これにより、電気機械結合係数が大きく、
温度特性の良い表面波共振子が得られる。
【0013】請求項3に係る共振子は、請求項1記載の
表面波共振子において前記IDTを挟むように、前記I
DTの両側に電極指幅/(電極指幅+電極指間のスペー
ス)を0.55〜0.85とした反射器を形成してい
る。
【0014】これにより、SH波型の表面波の音速が反
射器の電極指幅に対して感度が鈍くなる。
【0015】請求項4に係る表面波装置は、請求項1〜
3記載の表面波共振子を用いている。また、請求項5に
係る通信機装置は、請求項1〜3の表面波共振子または
請求項4記載の表面波装置の少なくともいずれかを用い
ている。
【0016】以上のような構成により、通過帯域におい
て挿入損失が改善された周波数変動の小さい表面波装置
や通信機装置を得ることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
用いて説明する。図1は本発明の第1の実施形態を示す
表面波共振子の平面図である。図1に示すように、表面
波共振子1は水晶からなる圧電基板2上に1つのIDT
3とその両側に反射器4、4を形成することにより構成
されている。
【0018】IDT3は、Taを主成分とする電極材料
により形成されており、一組の櫛形電極がそれぞれの櫛
歯部分が互いに対向するように配置されることにより構
成されている。
【0019】また、IDT3の櫛歯部分を構成する電極
指は、図1に示すように、IDT3の電極指間のスペー
スに対する電極指幅が大きくなるように設定されてい
る。すなわち、電極指幅L2/(電極指幅+電極指間の
スペース)L1=0.55〜0.85の範囲になるよう
に設定されている。また、反射器4の電極指間のスペー
スに対する電極指幅も大きくなるように設定されてい
る。すなわち、電極指幅L4/(電極指幅+電極指間の
スペース)L3=0.55〜0.85の範囲になるよう
に設定されている。
【0020】次に、本発明の第2の実施形態について説
明する。図2は本発明の第2の実施形態を示す縦結合型
表面波フィルタの平面図である。図2に示すように、縦
結合型表面波フィルタ11は水晶を材料とする圧電基板
12上に2つのIDT13a、13b及びその両側に反
射器14、14を形成することにより構成されている。
【0021】IDT13は、Taを主成分とする電極材
料により形成されており、一組の櫛形電極がそれぞれの
櫛歯部分が互いに対向するように配置されることにより
構成されている。また、IDT13a、13bは表面波
伝搬方向に一定の間隔を隔てて平行に並べられている。
本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様にI
DT13a、13bの電極指間のスペースに対する電極
指幅が大きくなるように設定されている。すなわち、電
極指幅/(電極指幅+電極指間のスペース)=0.55
〜0.85の範囲になるように設定されている。また、
反射器14a、14bの電極指間のスペースに対する電
極指幅も大きくなるように設定されている。すなわち、
電極指幅/(電極指幅+電極指間のスペース)=0.5
5〜0.85の範囲になるように設定されている。
【0022】次に、本発明の第3の実施形態について説
明する。図3は本発明の第3の実施形態を示す横結合型
表面波フィルタの平面図である。図3に示すように、横
結合型表面波フィルタ21は水晶を材料とする圧電基板
22上に2つのIDT23a、23b及びその両側に反
射器24a、24bを形成することにより構成されてい
る。
【0023】IDT23a、23bは、Taを主成分と
する電極材料により形成されており、一組の櫛形電極が
それぞれの櫛歯部分が互いに対向するように配置される
ことにより構成されている。また、IDT23a、23
bは表面波伝搬方向に垂直な方向に並べられている。本
実施の形態においても、第1、第2の実施の形態と同様
にIDT23a、23bの電極指間のスペースに対する
電極指幅が大きくなるように設定されている。すなわ
ち、電極指幅/(電極指幅+電極指間のスペース)=
0.55〜0.85の範囲になるように設定されてい
る。また、反射器24a、24bの電極指間のスペース
に対する電極指幅も大きくなるように設定されている。
すなわち、電極指幅/(電極指幅+電極指間のスペー
ス)=0.55〜0.85の範囲になるように設定され
ている。
【0024】次に、本発明の第4の実施形態について説
明する。図4は本発明の第4の実施形態を示すラダー型
表面波フィルタの平面図である。図4に示すように、ラ
ダー型表面波フィルタ31は水晶を材料とする圧電基板
32上にIDT33a、33b及びその両側に反射器3
4a、34bを形成することにより構成されている。
【0025】IDT33a、33bは、Taを主成分と
する電極材料により形成されており、一組の櫛形電極が
それぞれの櫛歯部分が互いに対向するように配置される
ことにより構成されている。また、IDT33aは直列
腕に配され、IDT33bは並列腕に配されることによ
り、ラダー型に構成されている。本実施の形態において
も、第1、第2の実施の形態と同様にIDT33a、3
3bの電極指間のスペースに対する電極指幅が大きくな
るように設定されている。すなわち、電極指幅/(電極
指幅+電極指間のスペース)=0.55〜0.85の範
囲になるように設定されている。また、反射器34a、
34bの電極指間のスペースに対する電極指幅も大きく
なるように設定されている。すなわち、電極指幅/(電
極指幅+電極指間のスペース)=0.55〜0.85の
範囲になるように設定されている。
【0026】次に、本発明の第5、第6の実施の形態に
ついて説明する。図5は本発明の第4の実施の形態を示
す共用器及び本発明の第5の実施形態を示す通信機装置
のブロック図である。
【0027】図5に示すように、通信機装置41は、受
信用の表面波フィルタ42と送信用の表面波フィルタ4
3を有する共用器44のアンテナ端子がアンテナ45に
接続され、出力端子が受信回路46に接続され、入力端
子が送信回路47に接続されることにより構成されてい
る。このような共用器44の受信用の表面波フィルタ4
2と送信用の表面波フィルタ43には、第2〜第4の実
施の形態の表面波フィルタ11〜21のいずれかまたは
その組み合わせを用いる。
【0028】次に本発明の電極指幅/(電極指幅+電極
指間のスペース)=0.55〜0.85の範囲について
実施例を用いて説明する。図6は、電極指幅/(電極指
幅+電極指間のスペース)を0.50〜0.90間で変
化させてその中心周波数の変位を見た図である。なお、
■は規格化膜厚(厚さd/波長λ)の値が2.00%、
以下、●:2.04%、△:2.08%、▽:2.12
%、○:2.16%、+:2.20%、*:2.47%
の場合の中心周波数の変位を表している。また、本実施
例ではオイラー角(0°,127°,90°)で表わさ
れる水晶基板上にTaを電極材料として、2個のIDT
と反射器を備えたSH型の表面波を用いた縦結合型表面
波フィルタを用いている。また、○:2.16%の場合
のみはオイラー角(0°,126°,90°)で表わさ
れる水晶基板上にTaを電極材料として、2個のIDT
と反射器を備えたSH型の表面波を用いた縦結合型表面
波フィルタを用いている。
【0029】図6に示すように、電極指幅/(電極指幅
+電極指間のスペース)の値が0.75の場合を頂点と
して下向きの弧を描いている。したがって、電極指幅/
(電極指幅+電極指間のスペース)の値が0.75の
時、電極指幅が前後にずれた場合、もっとも周波数変化
が小さいことがわかる。この特性は、規格化膜厚や水晶
基板のオイラー角が変化しても同様の傾向を示している
ことが図6より明らかである。
【0030】図7は、電極指幅/(電極指幅+電極指間
のスペース)を0.05ずらした時に、中心周波数の変
化の割合を見た図である。すなわち、変化前の電極指幅
/(電極指幅+電極指間のスペース)をd1、変化後の
電極指幅/(電極指幅+電極指間のスペース)をd2、
変化前の中心周波数をf0(d1)、変化後の中心周波
数をf0(d2)と規定した時に、横軸:(d1+d
2)/2、縦軸:[f0(d2)−f0(d1)]/
[(d1+d2)/2]/(d2−d1)をプロットし
たものが図7である。なお、■〜*は、図6と同じもの
を用いている。
【0031】図7に示すように、電極指幅/(電極指幅
+電極指間のスペース)の値が0.75の時、中心周波
数の変動がもっとも小さくなることがわかる。また、中
心周波数の変動は、±0.15%程度であれば、製造バ
ラツキによる電極指幅のバラツキが±1%程度存在する
場合にも対応できることから、電極指幅/(電極指幅+
電極指間のスペース)の値が0.55以上であればよい
ことが図7から明らかである。
【0032】図8は電極指幅/(電極指幅+電極指間の
スペース)の値によってフィルタの挿入損失がどの程度
変化するかを見た図である。なお、■〜+は、図6及び
図7と同じものを用いている。また、本実施例は入出力
の整合を取った上で測定している。
【0033】図8に示すように、電極指幅/(電極指幅
+電極指間のスペース)が0.75の時、■〜○では最
も挿入損失が小さくなることがわかる。また、規格化膜
厚に関係無く、電極指幅/(電極指幅+電極指間のスペ
ース)が0.85を越えた辺りで急激に挿入損失が大き
くなっている。さらに、図8に示すように、+は、電極
指幅/(電極指幅+電極指間のスペース)が0.70が
挿入損失の最小点となっているが、これは規格化膜厚が
厚くなったことにより若干最小点が移行しているもので
あり、いずれにしても0.55〜0.85の間であれ
ば、従来の0.50とほぼ同じか、それ以上に挿入損失
は良好になっていることがわかる。したがって、規格化
膜厚によっては傾向が変わらないことから、電極膜の厚
み方向の質量負荷にはほとんど影響を受けない。このこ
とから、Taに限らず、圧電材料より比重が大きく音速
の遅い高密度な金属、例えば、W,Mo,Ni,Cu,
Co,Cr,Zn,Fe,Mn,Au,Ag,Pt,O
s,Ir,Hf等、又はそれらの合金でIDTを構成
し、SH波型の表面波を励振した場合でも、同様の傾向
を示すことは明らかである。また、水晶の場合のオイラ
ー角も(0°,121°〜136°,87〜93°)の
範囲であれば同様の効果が得られる。
【0034】なお、上記実施の形態では、1段の弾性表
面波フィルタについて説明したがこれに限るものではな
く、複数段縦続接続したり、複数段並列接続したもので
も、同様の効果が得られることはいうまでもない。
【0035】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、IDT
を構成する電極指の電極指幅/(電極指幅+電極指間の
スペース)を0.55〜0.85とすることにより、挿
入損失を劣化させることなく、エッチングの際に生じる
電極指幅や膜厚のバラツキによる周波数のバラツキを抑
えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態を説明するための表面波共振子
の平面図である。
【図2】第2の実施形態を説明するための縦結合型表面
波フィルタの平面図である。
【図3】第3の実施形態を説明するための横結合型表面
波フィルタの平面図である。
【図4】第4の実施形態を説明するためのラダー型表面
波フィルタの平面図である。
【図5】第5、第6の実施形態を説明するための共用器
及び通信機装置のブロック図である。
【図6】電極指幅/(電極指幅+電極指間のスペース)
に関する中心周波数の変位を示す特性図である。
【図7】電極指幅/(電極指幅+電極指間のスペース)
に関する周波数偏差を示す特性図である。
【図8】電極指幅/(電極指幅+電極指間のスペース)
に関する挿入損失を示す特性図である。
【図9】表面波装置の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
1 表面波共振子 2 圧電基板 3 IDT 4 反射器
フロントページの続き (72)発明者 門田 道雄 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 5J097 AA28 AA31 BB01 CC01 DD04 GG02 GG07 KK03

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧電基板と、前記圧電基板上に形成され
    ており、前記圧電基板の圧電材料より比重が大きい金属
    又は合金により構成されることによりSH波を励振する
    IDTとを備える表面波共振子であって、前記IDTを
    構成する電極指の電極指幅/(電極指幅+電極指間のス
    ペース)が0.55〜0.85であることを特徴とする
    表面波共振子。
  2. 【請求項2】 前記圧電基板が、オイラー角(0°,1
    21°〜136°,87〜93°)である水晶基板であ
    ることを特徴とする請求項1記載の表面波共振子。
  3. 【請求項3】 前記IDTを挟むように、前記IDT
    の両側に電極指幅/(電極指幅+電極指間のスペース)
    を0.55〜0.85とした反射器を形成したことを特
    徴とする請求項1または2記載の表面波共振子。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3記載の表面波共振子を用い
    たことを特徴とする表面波装置。
  5. 【請求項5】 請求項1〜3の表面波共振子または請求
    項4記載の表面波装置の少なくともいずれかを用いたこ
    とを特徴とする通信機装置。
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