JP2000323280A - Electroluminescent element and its manufacture - Google Patents
Electroluminescent element and its manufactureInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はテレビ、コンピュー
タなど情報機器、電気電子製品のディスプレイ部に使用
する電界発光素子の構造およびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of an electroluminescent device used for a display unit of information equipment such as a television and a computer and an electric / electronic product, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年液晶ディスプレイに替わる発光型デ
ィスプレイとして、発光層として有機材料を用いた電界
発光素子の開発が加速している。有機物を用いた電界発
光素子としては、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１
（１２），２１ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８７の９１３
ページに示されているように低分子材料を蒸着法で製膜
して発光層とする方法と、 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅ
ｔｔ．７１（１），７Ｊｕｌｙ １９９７の３４ページ
以降に示されているように高分子材料を塗布して発光層
とする方法が主に開発されている。特に高分子系材料を
用いた電界発光素子ではカラー化する際にインクジェッ
ト法を用いる事により、パターニングが容易に出来る事
から注目されている。2. Description of the Related Art In recent years, the development of an electroluminescent device using an organic material as a light emitting layer has been accelerated as a light emitting display replacing a liquid crystal display. As an electroluminescent element using an organic substance, Appl. Phys. Lett. 51
(12), 21 September 1987, 913
As shown in the page, a method for forming a light-emitting layer by forming a film of a low-molecular material by an evaporation method, Appl. Phys. Le
tt. As shown on pages 34 et seq., 71 (1), 7 July 1997, a method of applying a polymer material to form a light emitting layer has been mainly developed. In particular, attention has been paid to an electroluminescent element using a polymer material because patterning can be easily performed by using an ink jet method when colorization is performed.
【０００３】この有機材料を発光層として用いた電界発
光素子において、正孔を効率よく発光層を供給するべく
正孔注入層または正孔輸送層を陽極と発光層の間に設け
ることが多い。従来、高分子材料を発光層として用いる
電界発光素子では、バッファ層や正孔注入層としては導
電性高分子、例えばポリチオフェン誘導体やポリアニリ
ン誘導体を用いていた。低分子材料においては、正孔注
入層または正孔輸送層として、例えば、フェニルアミン
誘導体を用いていた。[0003] In an electroluminescent device using this organic material as a light emitting layer, a hole injection layer or a hole transport layer is often provided between the anode and the light emitting layer in order to efficiently supply holes to the light emitting layer. Conventionally, in an electroluminescent device using a polymer material as a light emitting layer, a conductive polymer, for example, a polythiophene derivative or a polyaniline derivative has been used as a buffer layer or a hole injection layer. In low molecular weight materials, for example, a phenylamine derivative has been used as the hole injection layer or the hole transport layer.
【０００４】また、電界発光素子の製造方法における正
孔注入または正孔輸送層の製膜方法としては、インクジ
ェット法と、その外の塗布法に別れる。正孔注入層また
は正孔輸送層形成において、インクジェット法では塗布
とパターニングが一度に出来る。また用いる材料が必要
最小限で済む。一方その外の塗布法では、製膜装置とし
てスピンコーターなどの簡単な構造の装置を用いること
ができる。[0004] In addition, a method for forming a hole injection or hole transport layer in a method for manufacturing an electroluminescent device is divided into an ink jet method and another coating method. In the formation of a hole injection layer or a hole transport layer, application and patterning can be performed at once by the inkjet method. In addition, the materials used can be minimized. On the other hand, in the other coating method, a device having a simple structure such as a spin coater can be used as a film forming device.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の正孔注入層
または正孔輸送層においては、その仕事関数が５．１〜
５．３ｅＶ程度であり、その上に形成する発光層の仕事
関数と大きな隔たりがあった。そのため十分な正孔が発
光層に供給されなかった。また従来の正孔注入層または
正孔輸送層においては、陰極から注入され発光層を突き
抜けた電子をトラップする能力が小さく、発光に寄与す
る電子が少なくなる恐れがあり、そのため発光効率も十
分といえなかった。The work function of the above-mentioned conventional hole injection layer or hole transport layer is 5.1 to 5.1.
It was about 5.3 eV, which was largely different from the work function of the light emitting layer formed thereon. Therefore, sufficient holes were not supplied to the light emitting layer. Also, in the conventional hole injection layer or hole transport layer, the ability to trap electrons injected from the cathode and penetrating the light emitting layer is small, and there is a possibility that the number of electrons contributing to light emission may be reduced, so that the luminous efficiency is sufficient. I couldn't say it.
【０００６】また、電界発光素子の製造方法において、
発光層をインクジェット法によりパターニングする際、
画素間のインクによる汚染が避けられず、ひいてはパタ
ーニングしたはずのインクが混ざり合い、発光色の純度
が低下する問題があった。In a method of manufacturing an electroluminescent device,
When patterning the light emitting layer by the inkjet method,
There is a problem that the contamination between the pixels due to the ink is inevitable, and the ink which should have been patterned is mixed, thereby lowering the purity of the emission color.
【０００７】そこで本発明の課題とするところは、従来
の正孔注入層または正孔輸送層と発光層の界面の仕事関
数を調整することにより、より効率の高い、より駆動電
圧の低い電界発光素子、及びその製造方法を提供するこ
とである。Therefore, an object of the present invention is to adjust the work function of the interface between the conventional hole injection layer or hole transport layer and the light emitting layer to thereby achieve more efficient electroluminescence with lower driving voltage. An object of the present invention is to provide a device and a method for manufacturing the same.
【０００８】また本発明は、上述したような高性能の構
成の電界発光素子の製造方法であって、同時に画素間に
撥水性を付与することにより、インクジェット法にて発
光層をパターニングしても画素間での汚染が無く、ひい
ては発光色の純度が極めて高い電界発光素子が製造でき
る方法を提供することを課題とする。The present invention also relates to a method of manufacturing an electroluminescent device having a high-performance structure as described above, wherein a light-emitting layer is patterned by an ink-jet method by simultaneously imparting water repellency between pixels. It is an object of the present invention to provide a method capable of manufacturing an electroluminescent device having no contamination between pixels and extremely high emission color purity.
【０００９】また本発明は、単層の発光層だけではな
く、複数の発光層の積層構造を持つ素子構造の場合に
も、駆動電圧の低い発光効率の高いカラー電界発光素子
を作製する方法を提供することを課題とする。Further, the present invention provides a method for manufacturing a color electroluminescent device having a low driving voltage and a high luminous efficiency not only in a single light emitting layer but also in an element structure having a laminated structure of a plurality of light emitting layers. The task is to provide.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記
（１）乃至（１０）の電界発光素子が提供される。 （１）正孔注入層または正孔輸送層と発光層を、陽極お
よび陰極で挟持した構造の電界発光素子において、正孔
注入層または正孔輸送層と、発光層の間に、フッ素化物
からなる層を設けたことを特徴とする電界発光素子。According to the present invention, the following electroluminescent devices (1) to (10) are provided. (1) In an electroluminescent device having a structure in which a hole injection layer or a hole transport layer and a light emitting layer are sandwiched between an anode and a cathode, a fluorinated compound is provided between the hole injection layer or the hole transport layer and the light emitting layer. An electroluminescent device, comprising:
【００１１】上記電界発光素子（１）の構成によれば、
正孔注入層または正孔輸送層と発光層の界面のエネルギ
ーレベルのマッチングを取ることができ、発光効率の向
上、および駆動電圧の低減を実現できる。According to the structure of the electroluminescent device (1),
The energy level at the interface between the hole injection layer or the hole transport layer and the light emitting layer can be matched, so that the luminous efficiency can be improved and the driving voltage can be reduced.
【００１２】（２）正孔注入層または正孔輸送層が、高
分子材料からなることを特徴とする上記（１）の電界発
光素子。(2) The electroluminescent device according to (1), wherein the hole injection layer or the hole transport layer is made of a polymer material.
【００１３】上記（２）の構成の電界発光素子は、正孔
注入層または正孔輸送層が溶液を用いて容易に形成され
得る高性能の素子である。The electroluminescent device having the above configuration (2) is a high-performance device in which a hole injection layer or a hole transport layer can be easily formed using a solution.
【００１４】（３）前記高分子がポリチオフェン誘導体
を含有することを特徴とする上記（２）の電界発光素
子。(3) The electroluminescent device according to (2), wherein the polymer contains a polythiophene derivative.
【００１５】（４）前記高分子が、ポリアニリン誘導体
を含有することを特徴とする上記（２）の電界発光素
子。(4) The electroluminescent device according to the above (2), wherein the polymer contains a polyaniline derivative.
【００１６】上記（３）及び（４）の構成の電界発光素
子は、適切なイオン化ポテンシャルを持つ正孔注入層ま
たは正孔輸送層が溶液を用いて容易に形成され得る高性
能の素子である。The electroluminescent device having the above constitutions (3) and (4) is a high-performance device in which a hole injection layer or a hole transport layer having an appropriate ionization potential can be easily formed by using a solution. .
【００１７】（５）正孔注入層または正孔輸送層が、有
機低分子材料からなることを特徴とする上記（１）の電
界発光素子。(5) The electroluminescent device according to (1), wherein the hole injection layer or the hole transport layer is made of an organic low molecular material.
【００１８】上記（５）の構成の電界発光素子は、適切
なイオン化ポテンシャルを持つ正孔注入層または正孔輸
送層が蒸着法により容易に形成され得る高性能の素子で
ある。The electroluminescent device having the structure (5) is a high-performance device in which a hole injection layer or a hole transport layer having an appropriate ionization potential can be easily formed by a vapor deposition method.
【００１９】（６）前記発光層が複数の発光材料からな
る薄膜層の積層構造であることを特徴とする上記（１）
の電界発光素子。(6) The above (1), wherein the light emitting layer has a laminated structure of thin film layers made of a plurality of light emitting materials.
Electroluminescent element.
【００２０】上記（６）の構成の電界発光素子によれ
ば、積層構造を有するマルチカラー電界発光素子におい
て駆動電圧を低減し発光効率を向上させることができ
る。According to the electroluminescent device having the constitution (6), the driving voltage can be reduced and the luminous efficiency can be improved in the multi-color electroluminescent device having a laminated structure.
【００２１】（７）前記発光層が共役高分子からなるこ
とを特徴とする上記（１）の電界発光素子。(7) The electroluminescent device according to the above (1), wherein the light emitting layer comprises a conjugated polymer.
【００２２】上記（７）の構成の電界発光素子によれ
ば、正孔注入層または正孔輸送層表面上にフッ素化物層
が設けられた構造により、正孔注入層または正孔輸送層
と共役高分子発光層とのエネルギーマッチングが容易に
なされ得る。According to the electroluminescent device having the constitution (7), the structure in which the fluorinated layer is provided on the surface of the hole injection layer or the hole transport layer is conjugated to the hole injection layer or the hole transport layer. Energy matching with the polymer light emitting layer can be easily performed.
【００２３】（８）前記共役高分子がポリフルオレン誘
導体であることを特徴とする上記（７）の電界発光素
子。(8) The electroluminescent device according to the above (7), wherein the conjugated polymer is a polyfluorene derivative.
【００２４】（９）前記共役高分子がポリパラフェニレ
ンビニレン誘導体であることを特徴とする上記（７）の
電界発光素子。(9) The electroluminescent device according to (7), wherein the conjugated polymer is a polyparaphenylene vinylene derivative.
【００２５】上記（８）及び（９）の構成の電界発光素
子によれば、正孔注入層または正孔輸送層表面上にフッ
素化物からなる層が設けられた構造により、正孔注入層
または正孔輸送層と共役高分子発光層とのエネルギーマ
ッチングが容易になされ得る。According to the electroluminescent device having the above constitutions (8) and (9), the hole injection layer or the hole transport layer has a structure in which a fluorinated layer is provided on the surface thereof. Energy matching between the hole transport layer and the conjugated polymer light emitting layer can be easily performed.
【００２６】（１０）前記発光層が、有機低分子材料か
らなることを特徴とする上記（１）の電界発光素子。(10) The electroluminescent device according to (1), wherein the light emitting layer is made of an organic low molecular material.
【００２７】上記（１０）の構成の電界発光素子によれ
ば、正孔注入層または正孔輸送層表面上にフッ素化物か
らなる層が設けられた構造により、正孔注入層または正
孔輸送層と有機低分子材料からなる発光層とのエネルギ
ーマッチングが容易になされ得る。According to the electroluminescent device having the constitution (10), the hole injection layer or the hole transport layer has a structure in which a layer made of a fluoride is provided on the surface of the hole injection layer or the hole transport layer. And the light emitting layer made of an organic low-molecular material can be easily energy-matched.
【００２８】本発明によれば、下記（１１）乃至（１
６）の電界発光素子の製造方法が提供される。According to the present invention, the following (11) to (1)
6) A method for manufacturing an electroluminescent device is provided.
【００２９】（１１）正孔注入層または正孔輸送層と発
光層を、陽極および陰極で挟持した構造の電界発光素子
の製造方法において、陽極上に正孔注入層または正孔輸
送層を形成する工程と、前記正孔注入層または正孔輸送
層上にフロロカーボンガスのプラズマを照射する工程
と、前記フロロカーボンガスのプラズマ照射後に発光層
を形成する工程と、前記発光層上に陰極を形成する工程
とを具備することを特徴とする電界発光素子の製造方
法。(11) In a method for manufacturing an electroluminescent device having a structure in which a hole injection layer or a hole transport layer and a light emitting layer are sandwiched between an anode and a cathode, a hole injection layer or a hole transport layer is formed on the anode. Performing a step of irradiating a plasma of a fluorocarbon gas on the hole injection layer or the hole transport layer; a step of forming a light emitting layer after the irradiation of the plasma of the fluorocarbon gas; and forming a cathode on the light emitting layer. And a method for manufacturing an electroluminescent device.
【００３０】上記（１１）の構成の方法によれば、容易
に正孔注入層または正孔輸送層上にフッ素化物からなる
層を形成して、高性能の電界発光素子を得ることができ
る。According to the method (11), a high-performance electroluminescent device can be obtained by easily forming a fluorinated layer on the hole injection layer or the hole transport layer.
【００３１】（１２）前記フロロカーボンガスがＣＦ４
であることをを特徴とする上記（１１）の電界発光素子
の製造方法。(12) The fluorocarbon gas is CF 4
(11) The method for manufacturing an electroluminescent element according to the above (11).
【００３２】上記（１２）の構成の方法によれば、より
効率的に正孔注入層または正孔輸送層上にフッ素化物か
らなる層を形成することができ、高性能の電界発光素子
を得ることができる。According to the method (12), a fluorinated layer can be more efficiently formed on the hole injection layer or the hole transport layer, and a high-performance electroluminescent device can be obtained. be able to.
【００３３】（１３）前記プラズマを照射する前に酸素
プラズマを照射することを特徴とする上記（１１）の電
界発光素子の製造方法。(13) The method for manufacturing an electroluminescent device according to the above (11), wherein oxygen plasma is irradiated before the plasma irradiation.
【００３４】上記（１３）の構成の方法によれば、より
効率的に正孔注入層または正孔輸送層上にフッ素化物か
らなる層を形成することができ、高性能の電界発光素子
を得ることができる。According to the method (13), a fluorinated layer can be more efficiently formed on the hole injection layer or the hole transport layer, and a high-performance electroluminescent device can be obtained. be able to.
【００３５】（１４）前記電界発光素子が基板上に複数
の画素を有する素子であり、基板上に画素に相当する部
分以外を覆う有機膜を設け、画素に相当する部分の陽極
上に前記正孔注入層または正孔輸送層をインクジェット
法で形成し、前記フロロカーボンガスのプラズマを照射
した後、前記正孔輸送層または正孔注入層が形成された
画素部分に発光層をインクジェット法で形成することを
特徴とする上記（１１）の電界発光素子の製造方法。(14) The electroluminescent device is a device having a plurality of pixels on a substrate, an organic film is provided on the substrate to cover a portion other than the portion corresponding to the pixel, and the positive electrode is provided on the anode corresponding to the pixel. After forming a hole injection layer or a hole transport layer by an inkjet method and irradiating the plasma of the fluorocarbon gas, a light emitting layer is formed by an inkjet method on a pixel portion where the hole transport layer or the hole injection layer is formed. (11) The method for manufacturing an electroluminescent device according to the above (11).
【００３６】上記（１４）の構成の方法によれば、前記
フロロカーボンガスのプラズマの照射によりフッ素化物
からなる層が得られ、該フッ素化物からなる層が画素間
に対応して設けられた有機膜上の撥水性を選択的に向上
させ、その結果、発光層をインクジェット法を用いて形
成する際、画素部分に選択的に発光層が得られる。According to the method having the constitution (14), a layer made of a fluorinated substance is obtained by irradiation with the plasma of the fluorocarbon gas, and the layer made of the fluorinated substance is provided between the pixels. The above water repellency is selectively improved. As a result, when the light emitting layer is formed by using the ink jet method, the light emitting layer can be selectively obtained in the pixel portion.
【００３７】ここで、前記正孔注入層又は正孔輸送層と
して、好ましくは導電性の注入層又は輸送層を設ける。Here, a conductive injection layer or transport layer is preferably provided as the hole injection layer or hole transport layer.
【００３８】（１５）前記電界発光素子が基板上に複数
の画素を有する素子であり、基板上に画素に相当する部
分以外を覆う撥水性有機膜を設け、画素に相当する部分
の陽極上に前記正孔注入層または正孔輸送層を塗布法で
形成し、前記フロロカーボンガスのプラズマを照射した
後、前記正孔輸送層または正孔注入層が形成された画素
部分に発光層をインクジェット法で形成することを特徴
とする上記（１１）の電界発光素子の製造方法。(15) The electroluminescent device is a device having a plurality of pixels on a substrate, and a water-repellent organic film is provided on the substrate to cover a portion other than the portion corresponding to the pixel. After forming the hole injection layer or the hole transport layer by a coating method, and irradiating the plasma of the fluorocarbon gas, the light emitting layer is formed by an inkjet method on the pixel portion where the hole transport layer or the hole injection layer is formed. The method for manufacturing an electroluminescent element according to the above (11), wherein the method is to form.
【００３９】上記（１５）の構成の方法によれば、前記
正孔注入層または正孔輸送層を塗布法で形成する際に、
画素間の有機膜の撥水性のために画素部分にのみ正孔注
入層または正孔輸送層が得られ、更にフロロカーボンガ
スのプラズマ照射により、画素間に対応する有機膜の撥
水性が選択的に向上され、その結果、発光層をインクジ
ェット法を用いて形成する際、画素部分に選択的に発光
層が得られる。According to the method having the constitution (15), when the hole injection layer or the hole transport layer is formed by a coating method,
Due to the water repellency of the organic film between pixels, a hole injection layer or a hole transport layer is obtained only in the pixel portion, and furthermore, the water repellency of the organic film corresponding to between the pixels is selectively increased by plasma irradiation with fluorocarbon gas. As a result, when the light emitting layer is formed by using the inkjet method, the light emitting layer can be selectively obtained in the pixel portion.
【００４０】ここで、前記正孔注入層又は正孔輸送層と
して、好ましくは導電性の注入層又は輸送層を設ける。Here, a conductive injection layer or transport layer is preferably provided as the hole injection layer or hole transport layer.
【００４１】（１６）前記有機膜表面が、水との接触角
において５０度以上の接触角を有することを特徴とする
上記（１４）または（１５）の電界発光素子の製造方
法。(16) The method for producing an electroluminescent device according to the above (14) or (15), wherein the surface of the organic film has a contact angle with water of 50 degrees or more.
【００４２】上記（１６）の構成の方法によれば、正孔
注入層または正孔輸送層を塗布法で形成する際に、画素
内に選択的に当該層が得られる。According to the method (16), when a hole injection layer or a hole transport layer is formed by a coating method, the layer can be selectively obtained in a pixel.
【００４３】[0043]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、具体的な実施例を参照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to specific examples.
【００４４】第一の実施形態にかかる電界発光素子の断
面構造を図１に示す。同図に示す構造の素子では、正孔
注入層または正孔輸送層と、発光層を、陽極および陰極
で挟持した構造の電界発光素子において、正孔注入層ま
たは正孔輸送層と、発光層の間に、フッ素化物からなる
層が形成されている。FIG. 1 shows a cross-sectional structure of the electroluminescent device according to the first embodiment. In the element having the structure shown in FIG. 1, an electroluminescent element having a structure in which a hole injection layer or a hole transport layer and a light emitting layer are sandwiched between an anode and a cathode is provided. Between them, a layer made of a fluorinated compound is formed.
【００４５】当該素子は、例えば以下の方法で作製され
る。まず、パターニングしたＩＴＯ等からなる透明な陽
極（群）２付き透明基板１上に、酸素プラズマまたはＵ
Ｖ照射処理した後に、正孔注入層または正孔輸送層３と
なりうる物質を製膜する。次にこの表面にフッ素化物層
（フッ素化物からなる層）４を形成し、次にこの表面
に、発光層５となりうる物質を製膜する。続いて、この
表面上に陰極６を形成する。最後に陰極から電線を引き
だし駆動ドライバー回路８を接続し、さらに陰極上に保
護膜７により封止を施し、電界発光素子を完成する。The device is manufactured, for example, by the following method. First, oxygen plasma or U plasma is applied on a transparent substrate 1 with a transparent anode (group) 2 made of patterned ITO or the like.
After the V irradiation treatment, a material capable of forming the hole injection layer or the hole transport layer 3 is formed. Next, a fluorinated material layer (a layer made of fluorinated material) 4 is formed on this surface, and then a material that can become the light emitting layer 5 is formed on this surface. Subsequently, the cathode 6 is formed on this surface. Finally, an electric wire is drawn from the cathode, a drive driver circuit 8 is connected, and the cathode is sealed with a protective film 7 to complete an electroluminescent element.
【００４６】通常陽極に用いるＩＴＯの仕事関数は４．
８ｅＶ程度であり、正孔注入層または正孔輸送層は４．
８〜５．４ｅＶ程度である。この上にフッ素化物からな
る層を形成することでこの表面（発光層側の面）でのイ
オン化ポテンシャルを５．７ｅＶ程度まで高めることが
できる。また発光材料はイオン化ポテンシャルにおいて
５．８ｅＶ程度で、正孔輸送層とのエネルギーギャップ
が０．１ｅＶ程度となり、発光層への正孔注入がスムー
スに行われることが可能となる。The work function of ITO usually used for the anode is as follows:
About 8 eV, and the hole injection layer or the hole transport layer
It is about 8 to 5.4 eV. By forming a fluorinated layer thereon, the ionization potential on this surface (the surface on the light emitting layer side) can be increased to about 5.7 eV. The light emitting material has an ionization potential of about 5.8 eV and an energy gap with the hole transport layer of about 0.1 eV, so that holes can be smoothly injected into the light emitting layer.
【００４７】以下、上述した電界発光素子の具体的な例
について説明する。Hereinafter, a specific example of the above-described electroluminescent device will be described.
【００４８】（実施例１）本実施例は、前述の第一の実
施形態にかかる図１に示す構造の電界発光素子におい
て、正孔注入層または正孔輸送層が、ポリチオフェン誘
導体を含有するものである。ポリチオフェン誘導体とし
て、バイエル社から発売されているバイトロン Ｐを用
い、これを陽極（２）となるＩＴＯからなる透明電極を
形成したガラス基板（透明基板１）上にスピンコートし
た。さらに２００℃の真空状態で１時間乾燥した。その
後、前述した方法により、正孔注入層又は正孔輸送層
（３）、フッ素化物層（４）、発光層（５）、陰極
（群）６を形成し、陰極から電線を引出し駆動ドライバ
回路を接続し、陰極上を保護膜７で封止して電界発光素
子を得た。Example 1 In this example, an electroluminescent device having the structure shown in FIG. 1 according to the first embodiment described above, wherein the hole injection layer or the hole transport layer contains a polythiophene derivative It is. As a polythiophene derivative, Baytron P marketed by Bayer was used, and this was spin-coated on a glass substrate (transparent substrate 1) on which a transparent electrode made of ITO serving as an anode (2) was formed. Further, it was dried in a vacuum state at 200 ° C. for 1 hour. Thereafter, a hole injection layer or a hole transport layer (3), a fluorinated layer (4), a light emitting layer (5), and a cathode (group) 6 are formed by the above-described method, and an electric wire is drawn out from the cathode to drive a driver circuit. And the cathode was sealed with a protective film 7 to obtain an electroluminescent device.
【００４９】こうして作成した電界発光素子の正孔注入
層（又は輸送層）のイオン化ポテンシャルは５．３ｅＶ
であり、フッ素化物層のイオン化ポテンシャルは５．７
７ｅＶであり、正孔注入層又は輸送層側のイオン化ポテ
ンシャルと、発光層における発光材料のイオン化ポテン
シャル（５．８ｅＶ程度）とのエネルギーギャップがか
なり小さくなった。The ionization potential of the hole injection layer (or transport layer) of the electroluminescent device thus manufactured is 5.3 eV
And the ionization potential of the fluoride layer is 5.7.
7 eV, and the energy gap between the ionization potential of the hole injection layer or the transport layer and the ionization potential of the light emitting material in the light emitting layer (about 5.8 eV) was considerably reduced.
【００５０】（実施例２)本実施例は、前述の第一の実
施形態にかかる図１に示す構造の電界発光素子であっ
て、正孔注入層または正孔輸送層が、ポリアニリン誘導
体を含有する例である。ポリアニリン誘導体として、ポ
リアニリンのエメラルジン塩基とカンファースルホン酸
の塩を用い、メタクレゾール溶液を調製し、陽極（２）
となるＩＴＯからなる透明電極付き基板（１）上に塗
布、乾燥して正孔注入層又は正孔輸送層を得た。その
後、実施例１と同様の方法で図１に示す構造の電界発光
素子を完成した。こうして作成した正孔注入層（又は輸
送層）のイオン化ポテンシャルは５．２ｅＶであり、フ
ッ素化物層のイオン化ポテンシャルは５．６ｅＶであっ
た。Example 2 This example is an electroluminescent device having the structure shown in FIG. 1 according to the first embodiment described above, wherein the hole injection layer or the hole transport layer contains a polyaniline derivative. Here is an example. As a polyaniline derivative, a metacresol solution was prepared using an emeraldine base of polyaniline and a salt of camphorsulfonic acid, and an anode (2)
The substrate was coated on a substrate with a transparent electrode (1) made of ITO and dried to obtain a hole injection layer or a hole transport layer. Thereafter, an electroluminescent device having the structure shown in FIG. 1 was completed in the same manner as in Example 1. The ionization potential of the hole injection layer (or the transport layer) thus created was 5.2 eV, and the ionization potential of the fluorinated layer was 5.6 eV.
【００５１】（実施例３）本実施例は、前述の第一の実
施形態にかかる図１に示す構造の電界発光素子であっ
て、正孔注入層または正孔輸送層として、有機低分子材
料を用いる例である。正孔注入層または正孔輸送層
（３）として有機低分子材料である銅フタロシアニンを
蒸着法で製膜することにより形成し、それ以外は実施例
１と同様の方法に従って図１に示す構造の電界発光素子
を完成した。こうして作成した正孔注入層（又は輸送
層）のイオン化ポテンシャルは５．３ｅＶであり、フッ
素化物層のイオン化ポテンシャルは５．７ｅＶであっ
た。Example 3 This example relates to an electroluminescent device having the structure shown in FIG. 1 according to the first embodiment described above, wherein an organic low-molecular material is used as a hole injection layer or a hole transport layer. This is an example of using. The hole injecting layer or the hole transporting layer (3) is formed by depositing copper phthalocyanine, which is an organic low molecular weight material, by an evaporation method, and otherwise has the structure shown in FIG. An electroluminescent device was completed. The ionization potential of the hole injection layer (or transport layer) thus formed was 5.3 eV, and the ionization potential of the fluorinated layer was 5.7 eV.
【００５２】尚、正孔注入または正孔輸送材料として
は、フタロシアニン誘導体の他、フェニルアミン誘導体
など、一般的に用いられるものであれば同様に用いる事
ができる。As the hole injecting or hole transporting material, other commonly used materials such as a phenylamine derivative can be used in addition to a phthalocyanine derivative.
【００５３】（実施例４）本実施例は、前述の第一の実
施形態にかかる図１に示す構造の電界発光素子であっ
て、発光層がポリフルオレン誘導体である例である。Example 4 This example is an electroluminescent device having the structure shown in FIG. 1 according to the first embodiment, in which the light emitting layer is a polyfluorene derivative.
【００５４】前述した第一の実施形態の電界発光素子の
作製方法において、正孔注入層または正孔輸送層（３）
を形成し、フッ素化物層（４）を形成した後、ポリジオ
クチルフルオレンのクロロホルム溶液をスピンコートし
て１００ｎｍの膜厚の発光層（５）を得た。その後実施
例１と同様の方法で電界発光素子を完成した。こうして
作成した電界発光素子における、発光層のイオン化ポテ
ンシャルは５．８ｅＶであり、フッ素化物層のイオン化
ポテンシャルは５．７ｅＶと良いマッチングを示してい
た。In the method of manufacturing the electroluminescent device of the first embodiment, the hole injection layer or the hole transport layer (3)
After forming a fluorinated layer (4), a chloroform solution of polydioctylfluorene was spin-coated to obtain a light emitting layer (5) having a thickness of 100 nm. Thereafter, an electroluminescent device was completed in the same manner as in Example 1. In the electroluminescent device thus prepared, the ionization potential of the light emitting layer was 5.8 eV, and the ionization potential of the fluorinated layer was 5.7 eV, indicating a good matching.
【００５５】尚、本実施例で用いる発光物質は、ここに
示したものの他、イオン化ポテンシャルをマッチングで
きるもので、容易に塗布製膜できるものであれば同様に
用いる事が出来る。The luminescent material used in this embodiment can be used in the same manner as described above as long as it can match the ionization potential and can be easily formed into a film.
【００５６】（実施例５）本実施例は、前述の第一の実
施形態にかかる図１に示す構造の電界発光素子であっ
て、発光層が、有機低分子材料である例である。Example 5 This example is an electroluminescent device having the structure shown in FIG. 1 according to the first embodiment, in which the light emitting layer is made of an organic low molecular material.
【００５７】前述した第一の実施形態の電界発光素子の
作製方法において、正孔注入層または正孔輸送層（３）
を形成し、フッ素化物層（４）を形成した後、下記構造
式で表されるＤＰＶＢｉIn the method of manufacturing the electroluminescent device of the first embodiment, the hole injection layer or the hole transport layer (3)
Is formed, and after forming the fluorinated layer (4), DPVBi represented by the following structural formula
【００５８】[0058]
【化１】 Embedded image
【００５９】を蒸着し、膜厚６０ｎｍの発光層（５）を
得た。その後、実施例１に従って電界発光素子を完成し
た。こうして作成した電界発光素子における発光層のイ
オン化ポテンシャルは５．８ｅＶであり、フッ素化物層
のイオン化ポテンシャルは５．７ｅＶと良いマッチング
を示している。Was evaporated to obtain a light emitting layer (5) having a thickness of 60 nm. Thereafter, an electroluminescent device was completed according to Example 1. The ionization potential of the light emitting layer in the electroluminescent device thus prepared is 5.8 eV, and the ionization potential of the fluorinated layer is 5.7 eV, which is a good match.
【００６０】尚、本実施例で用いる発光物質は、ここに
示したものの他、イオン化ポテンシャルでマッチングで
きる有機低分子材料であれば同様に用いることが出来
る。The light-emitting substance used in this embodiment can be the same as the light-emitting substance described above, as long as it is an organic low-molecular material that can be matched by ionization potential.
【００６１】（実施例６）本実施例は、前述の第一の実
施形態にかかる図１に示す構造の電界発光素子であっ
て、陽極（２）上に正孔注入層または正孔輸送層（３）
を形成した後に、フロロカーボンガスのプラズマを照射
してフッ素化物層（４）を形成した後、発光層（５）を
形成し、さらに陰極（６）を形成した例である。Example 6 This example relates to the electroluminescent device having the structure shown in FIG. 1 according to the first embodiment described above, wherein a hole injection layer or a hole transport layer is provided on the anode (2). (3)
In this example, a fluorinated layer (4) is formed by irradiating a plasma of a fluorocarbon gas after forming a fluorinated layer, a light emitting layer (5) is formed, and a cathode (6) is further formed.
【００６２】まず、陽極（２）上に正孔注入層または正
孔輸送層（３）を形成した。その後、この表面にフロロ
カーボンガスのプラズマを、具体的にはＣＦ４ガスのプ
ラズマを大気圧下で照射してフッ素化物層（４）を形成
した。プラズマ発生装置としては、真空中でプラズマを
発生する装置を用いたが、大気圧中でプラズマを発生す
る装置でも同様に用いることもできる。First, a hole injection layer or a hole transport layer (3) was formed on the anode (2). Thereafter, the surface was irradiated with a plasma of a fluorocarbon gas, specifically, a plasma of a CF 4 gas under atmospheric pressure to form a fluorinated layer (4). As the plasma generator, a device that generates plasma in a vacuum is used. However, a device that generates plasma at atmospheric pressure can also be used.
【００６３】こうして作成したフッ素化物層の表面のイ
オン化ポテンシャルは５．７７ｅＶであった。The ionization potential on the surface of the fluorinated layer thus formed was 5.77 eV.
【００６４】（実施例７）本実施例では、実施例６にお
いて、前記フロロカーボンガスプラズマを照射する前に
酸素プラズマを照射した。実施例６に沿って正孔注入層
または輸送層を形成した後、酸素プラズマを照射し、さ
らにフロロカーボンガスプラズマ処理したところ、その
表面のイオン化ポテンシャルは５．７７ｅＶであった。
これ以外は、実施例１の方法に従って電界発光素子を作
成した。(Embodiment 7) In this embodiment, the oxygen plasma was applied before the fluorocarbon gas plasma was applied in the embodiment 6. After forming a hole injection layer or a transport layer according to Example 6, the substrate was irradiated with oxygen plasma and further treated with fluorocarbon gas plasma. As a result, the ionization potential of the surface was 5.77 eV.
Except for this, an electroluminescent device was prepared according to the method of Example 1.
【００６５】かかる電界発光素子についての特性を評価
したところ、発光効率３．１ｌｍ／Ｗ、１５０Ｃｄ／ｍ
２、駆動電圧５．２Ｖであった。これはフッ素化物層を
設けずに作製した電界発光素子の効率の実に２倍以上の
高い性能であった。When the characteristics of the electroluminescent device were evaluated, the luminous efficiency was 3.1 lm / W and the luminous efficiency was 150 Cd / m.
2. The drive voltage was 5.2V. This was a performance that was actually twice or more the efficiency of the electroluminescent device manufactured without providing the fluoride layer.
【００６６】次に、第二の実施形態の電界発光素子につ
いて説明する。本実施の形態の電界発光素子は、図１に
示す構造の電界発光素子において、陽極（２）及び陰極
（６）に挟持された複数の部分を画素とし、基板（１）
上には画素部分以外を覆う有機膜を設け（不図示）、画
素部分に導電性材料から成る正孔注入層または正孔輸送
層を形成し、その同じ画素上に発光層をインクジェット
法で形成した電界発光素子である。Next, an electroluminescent device according to a second embodiment will be described. The electroluminescent device of the present embodiment is different from the electroluminescent device having the structure shown in FIG. 1 in that a plurality of portions sandwiched between an anode (2) and a cathode (6) are used as pixels and a substrate (1).
An organic film covering the area other than the pixel portion is provided thereon (not shown), a hole injection layer or a hole transport layer made of a conductive material is formed in the pixel portion, and a light emitting layer is formed on the same pixel by an inkjet method. This is an electroluminescent device.
【００６７】以下、第二の実施形態にかかる電界発光素
子の具体的な実施例を説明する。Hereinafter, specific examples of the electroluminescent device according to the second embodiment will be described.
【００６８】（実施例８）本実施例では、上述した第二
の実施形態にかかる電界発光素子において、陽極（２）
及び陰極（６）に挟持された複数の部分を画素とし、基
板（１）上には画素部分以外を覆う有機膜を設け、画素
部分に導電性材料から成る正孔注入層または正孔輸送層
をインクジェット法で形成し、その同じ画素上に発光層
をインクジェット法で形成したカラー電界発光素子の例
を示す。(Example 8) In this example, the anode (2) was used in the electroluminescent device according to the second embodiment.
And a plurality of portions sandwiched by the cathode (6) as pixels, an organic film covering portions other than the pixel portions provided on the substrate (1), and a hole injection layer or a hole transport layer made of a conductive material in the pixel portions. Is formed by an ink-jet method, and a light-emitting layer is formed on the same pixel by an ink-jet method.
【００６９】まず、陽極（２）が形成された透明基板
（１）上における画素間に対応する部分にポリイミドか
ら成る有機膜を形成し、次に画素部分に対応する陽極上
にインクジェット法にて実施例１で用いたポリチオフェ
ン誘導体であるバイトロンＰ（バイエル社製）を吐出し
製膜し２００℃にて１時間焼成した。次にこの上に酸素
プラズマおよびＣＦ４プラズマ処理を施して、次にこれ
ら画素の内、青色画素となる画素部分にポリジオクチル
フルオレンのキシレン溶液をインクジェット法にて吐出
乾燥して発光層を形成した。次に緑色画素となる画素部
分に、緑色ドーパントを混合したポリジオクチルフルオ
レンのキシレン溶液をインクジェット法にて吐出乾燥し
て発光層を形成した。次に赤色画素となる画素部分に、
赤色ドーパントを混合したポリジオクチルフルオレンの
キシレン溶液をインクジェット法にて吐出乾燥して発光
層を形成した。その後、実施例１と同様の方法に従って
電界発光素子を完成した。First, an organic film made of polyimide is formed on a portion of the transparent substrate (1) on which the anode (2) is formed, at a portion corresponding to between pixels, and then an ink-jet method is formed on the anode corresponding to the pixel portion. Baytron P (manufactured by Bayer AG), which is a polythiophene derivative used in Example 1, was discharged to form a film, which was baked at 200 ° C. for 1 hour. Next, oxygen plasma and CF 4 plasma treatment were performed thereon, and a xylene solution of polydioctylfluorene was ejected and dried by an inkjet method to form a luminescent layer in a pixel portion to be a blue pixel among these pixels. . Next, a xylene solution of polydioctylfluorene mixed with a green dopant was discharged and dried by an inkjet method to form a light emitting layer in a pixel portion to be a green pixel. Next, in the pixel portion that becomes the red pixel,
A xylene solution of polydioctylfluorene mixed with a red dopant was discharged and dried by an inkjet method to form a light emitting layer. Thereafter, an electroluminescent device was completed in the same manner as in Example 1.
【００７０】これにより、画素間に導電性を有する正孔
注入層（又は輸送層）を付着することが無いため画素間
のクロストークの無い、マルチカラー表示できる電界発
光素子を作成できた。As a result, an electroluminescent device capable of multi-color display without crosstalk between pixels because a hole injection layer (or transport layer) having conductivity was not attached between pixels could be produced.
【００７１】尚、本実施例において、画素間に形成され
る有機膜については、その表面と水の接触角が５０度以
上となる材料を用いることが好ましい。In this embodiment, the organic film formed between the pixels is preferably made of a material having a contact angle of 50 ° or more with the surface of water.
【００７２】(実施例９)本実施例では、実施例８の複数
画素を有する電界発光素子において、基板上に画素以外
を覆う撥水性有機膜を設け、導電性正孔注入層または輸
送層を、塗布法により画素部のみに形成し、さらにその
画素上にインクジェット法にて発光層を形成した例を示
す。(Embodiment 9) In this embodiment, in the electroluminescent device having a plurality of pixels of the embodiment 8, a water-repellent organic film covering other than the pixels is provided on the substrate, and the conductive hole injection layer or the transport layer is formed. An example in which a light-emitting layer is formed only on a pixel portion by a coating method and a light-emitting layer is formed on the pixel by an ink-jet method.
【００７３】まず、陽極をパターニングした基板上に撥
水性を有するポリイミドから成る有機膜を形成し、さら
にパターニングした。次に基板全面にスピンコート法に
て実施例１で用いたポリチオフェン誘導体であるバイエ
ル社製バイトロンＰを製膜し、画素間は撥かせて画素と
なる部分にのみバイトロンＰを製膜した。次いで、２０
０℃にて１時間焼成した。次にこの上に酸素プラズマお
よびＣＦ４プラズマ処理を施して、次にこれら画素の
内、青色画素となる画素上にポリジオクチルフルオレン
のキシレン溶液をインクジェット法にて吐出乾燥し発光
層を得た。次に緑色画素となる画素上に、緑色ドーパン
トを混合したポリジオクチルフルオレンのキシレン溶液
をインクジェット法にて吐出乾燥し発光層を得た。次に
赤色画素となる画素上に、赤色ドーパントを混合したポ
リジオクチルフルオレンのキシレン溶液をインクジェッ
ト法にて吐出乾燥し発光層を得た。その後実施例１と同
様の方法に従って電界発光素子を完成した。First, an organic film made of polyimide having water repellency was formed on a substrate on which an anode had been patterned, and further patterned. Next, Bayer Co., Ltd., a polythiophene derivative used in Example 1, was manufactured by Bayer P on the entire surface of the substrate by spin coating. Then, 20
It was baked at 0 ° C. for 1 hour. Next, oxygen plasma and CF 4 plasma treatment were performed thereon, and then a xylene solution of polydioctylfluorene was ejected and dried by an inkjet method on the blue pixels among these pixels to obtain a light emitting layer. Next, a xylene solution of polydioctylfluorene mixed with a green dopant was ejected and dried by an inkjet method on a pixel to be a green pixel to obtain a light emitting layer. Next, a xylene solution of polydioctylfluorene mixed with a red dopant was discharged and dried by an inkjet method on a pixel to be a red pixel to obtain a light emitting layer. Thereafter, an electroluminescent device was completed in the same manner as in Example 1.
【００７４】これにより、画素間に導電性を有する正孔
注入層又は輸送層を付着することが無いため画素間のク
ロストークの無い、マルチカラー表示できる電界発光素
子を作成できた。As a result, an electroluminescent device capable of multi-color display without crosstalk between pixels because no hole injection layer or transport layer having conductivity was attached between the pixels could be produced.
【００７５】尚、本実施例において、画素間に形成され
る有機膜表面については、水の接触角が５０度以上とな
る材料を用いることが好ましい。In this embodiment, it is preferable to use a material having a contact angle of water of 50 degrees or more on the surface of the organic film formed between the pixels.
【００７６】次に、第三の実施形態にかかる電界発光素
子を説明する。当該実施形態にかかる電界発光素子の断
面構造を図２に示す。Next, an electroluminescent device according to a third embodiment will be described. FIG. 2 shows a cross-sectional structure of the electroluminescent device according to the embodiment.
【００７７】同図に示す電界発光素子では、基板２１上
にパターンングされた隔壁２３が形成された、隔壁２３
間に赤発光画素、緑発光画素、及び青発光画素に対応す
る画素部分が設けられている。赤発光画素では、陽極２
２及び正孔注入層（又は正孔輸送層）２４上に、フッ素
化物層２５を介して第一の発光層１ ２６、緑発光画素
ではフッ素化物層２５を介して第二の発光層２ ２７、
青発光画素ではフッ素化物層２５を介して第三の発光層
３ ２８が夫々設けられている。赤発光画素及び緑発光
画素では更に第三の発光層２８が積層されて発光層が二
層構造となっている。これら各画素の発光層上には薄膜
層２９及び陰極３０が積層され、全体が保護膜３１で封
止されている。In the electroluminescent device shown in FIG. 11, a patterned partition wall 23 is formed on a substrate 21.
Pixel portions corresponding to the red light emitting pixel, the green light emitting pixel, and the blue light emitting pixel are provided therebetween. For the red light emitting pixel, the anode 2
2 and a hole emitting layer (or hole transporting layer) 24, a first light emitting layer 126 via a fluorinated layer 25, and a second light emitting layer 227 via a fluorinated layer 25 for a green light emitting pixel. ,
In a blue light emitting pixel, a third light emitting layer 328 is provided via a fluorinated layer 25. In the red light emitting pixel and the green light emitting pixel, a third light emitting layer 28 is further laminated, and the light emitting layer has a two-layer structure. A thin film layer 29 and a cathode 30 are stacked on the light emitting layer of each pixel, and the whole is sealed with a protective film 31.
【００７８】以下、第三の実施形態の電界発光素子の具
体例を説明する。Hereinafter, a specific example of the electroluminescent device according to the third embodiment will be described.
【００７９】（実施例１０）本実施例では、前述した図
２に示すような発光層が二層構造となっている例を示
す。(Embodiment 10) This embodiment shows an example in which the light emitting layer as shown in FIG. 2 has a two-layer structure.
【００８０】まず基板２１上に陽極群２２を形成し、引
き続き隔壁２３、正孔注入層２４（ここではバイエル社
製バイトロンで膜厚２０ｎｍ）を形成した。次にこの正
孔注入層（又は輸送層）２４上にＯ２プラズマを掛け、
引き続きＣＦ４プラズマを掛けてフッ素化物層２５を形
成した。次に赤発光させる画素に対応する部分には第一
の発光層１（２６）としてローダミン１０１を１％ドー
プしたポリパラフェニレンビニレン（ＲＰＰＶ）前駆体
溶液をインクジェット法にて塗布し、１５０℃Ｎ２中で
４時間焼成し、膜厚４０ｎｍとした。次に緑発光させる
画素に対応する部分には第二の発光層２（２７）として
ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）前駆体溶液をイ
ンクジェット法にて塗布し、１５０℃Ｎ２中で４時間焼
成し、膜厚３０ｎｍとした。青発光させる画素に対応す
る部分にはインクジェット法では何も塗布せず、この基
板表面に第三の発光層３（２８）として、ポリジオクチ
ルフルオレンのキシレン溶液をスピンコートし、膜厚４
５ｎｍとした。次に薄膜層２９として弗化リチウムを２
ｎｍの膜厚に蒸着し、引き続きカルシウム１００ｎｍさ
らにアルミニウム２００ｎｍを陰極３０として蒸着し
た。その上を保護基板と封止材を設け保護層３１とし
た。さらに取り出し電極部からコントローラ回路に接続
し（不図示）、表示を行なった。First, an anode group 22 was formed on a substrate 21, and subsequently, a partition wall 23 and a hole injection layer 24 (here, a 20-nm-thick film made of Baytron manufactured by Bayer) were formed. Next, O 2 plasma is applied on this hole injection layer (or transport layer) 24,
Subsequently, CF 4 plasma was applied to form the fluorinated layer 25. Next, a polyparaphenylenevinylene (RPPV) precursor solution doped with 1% of rhodamine 101 is applied as a first light-emitting layer 1 (26) to a portion corresponding to a pixel to emit red light by an ink-jet method. The resultant was baked for 4 hours in the inside to obtain a film thickness of 40 nm. Next, a polyparaphenylene vinylene (PPV) precursor solution is applied as a second light-emitting layer 2 (27) to a portion corresponding to a pixel that emits green light by an inkjet method, and baked at 150 ° C. in N 2 for 4 hours. The thickness was 30 nm. Nothing is applied to the portion corresponding to the pixel that emits blue light by the inkjet method, and the substrate surface is spin-coated with a xylene solution of polydioctylfluorene as a third light emitting layer 3 (28) to have a film thickness of 4.
5 nm. Next, as the thin film layer 29, lithium fluoride is
The cathode 30 was deposited with 100 nm of calcium and 200 nm of aluminum. A protective substrate and a sealing material were provided thereon to form a protective layer 31. Further, the display was connected to the controller circuit (not shown) from the extraction electrode portion.
【００８１】こうして作成した電界発光素子の特性につ
いて、 ＣＦ４処理をしないことを除いて同様に方法で
作製した電界発光素子の特性と対比の上で評価したとこ
ろ、赤発光画素の効率は０．１５ｌｍ／Ｗ駆動電圧は６
Ｖ（ＣＦ４処理しない素子では７Ｖ）、緑発光画素の効
率は０．１２ｌｍ／Ｗ駆動電圧は５．８Ｖ（ＣＦ４処理
しない素子では６．８Ｖ）、青発光画素の効率は０．３
ｌｍ／Ｗ駆動電圧４．５Ｖ（ＣＦ４処理しない素子では
５Ｖ）であった。[0081] Thus the characteristics of the electroluminescent device fabricated was evaluated on the comparison with the characteristics of an electroluminescent device manufactured by the method as well, except that no the CF 4 process, the efficiency of the red light-emitting pixel 0. 15 lm / W drive voltage is 6
V (7 V for the element without CF 4 treatment), the efficiency of the green light emitting pixel is 0.12 lm / W The driving voltage is 5.8 V (6.8 V for the element without CF 4 treatment), and the efficiency of the blue light emitting pixel is 0.3.
The lm / W drive voltage was 4.5 V (5 V for an element without CF 4 treatment).
【００８２】一方、予め基板上に各画素に対応してＴＦ
Ｔ素子を設け、前述したような画素構造を持つ電界発光
素子を作製し、動画表示させた場合の消費電力は、画素
数３２０×２４０で２インチサイズでおよそ１Ｗで、表
示輝度３０Ｃｄ／ｍ２であった。On the other hand, TF corresponding to each pixel is previously set on the substrate.
A T element is provided, an electroluminescent element having a pixel structure as described above is manufactured, and the power consumption when displaying a moving image is about 1 W in a 2-inch size with the number of pixels of 320 × 240, and the display luminance is 30 Cd / m 2. Met.
【００８３】本実施例において、各層の膜厚はここに示
した値に限らない。また発光材料もここに示したものに
限らない。また用いる基板上にＴＦＴアレイを形成して
おけば動画表示が可能である。また、陽極及び陰極の電
極構造を、単純マトリックス駆動用にストライプ状電極
群を形成しておき、対向電極側も先の電極群に直交する
ストライプ状電極群とすれば、単純マトリックス駆動す
ることが可能である。In the present embodiment, the thickness of each layer is not limited to the values shown here. Further, the light emitting material is not limited to those shown here. If a TFT array is formed on a substrate to be used, a moving image can be displayed. Further, if the electrode structure of the anode and the cathode is formed by forming a striped electrode group for simple matrix driving, and the opposing electrode side is also a striped electrode group orthogonal to the preceding electrode group, simple matrix driving can be performed. It is possible.
【００８４】[0084]
【発明の効果】以上本発明によれば、電界発光素子にお
いて、正孔注入層または正孔輸送層表面にフッ素化物層
を形成することにより、正孔注入層または正孔輸送層と
発光層の間のエネルギーマッチングを容易に取ることが
出来るようになり、発光効率を向上する事が出来るよう
になった。As described above, according to the present invention, in the electroluminescent device, by forming a fluorinated layer on the surface of the hole injection layer or the hole transport layer, the hole injection layer or the hole transport layer and the light emitting layer Energy matching between them can be easily achieved, and the luminous efficiency can be improved.
【図１】本発明の第一の実施形態にかかる電界発光素子
の構造を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a structure of an electroluminescent device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第二の実施形態にかかる電界発光素子
の構造を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a structure of an electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention.
１ 透明基板 ２ 陽極(群) ３ 正孔注入層または正孔輸送層 ４ フッ素化物層 ５ 発光層 ６ 陰極（群） ７ 保護膜 ８ 駆動ドライバー回路 ２１ 基板 ２２ 陽極群 ２３ 隔壁 ２４ 正孔注入層 ２５ フッ素化物層 ２６ 第一の発光層１ ２７ 第二の発光層２ ２８ 第三の発光層３ ２９ 薄膜層 ３０ 陰極 ３１ 保護層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent substrate 2 Anode (group) 3 Hole injection layer or hole transport layer 4 Fluoride layer 5 Light emitting layer 6 Cathode (group) 7 Protective film 8 Drive driver circuit 21 Substrate 22 Anode group 23 Partition wall 24 Hole injection layer 25 Fluoride layer 26 First light emitting layer 127 Second light emitting layer 2 28 Third light emitting layer 3 29 Thin film layer 30 Cathode 31 Protective layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05B 33/14 H05B 33/14 A
Claims (16)
を、陽極および陰極で挟持した構造の電界発光素子にお
いて、正孔注入層または正孔輸送層と、発光層の間に、
フッ素化物からなる層を設けたことを特徴とする電界発
光素子。Claims: 1. An electroluminescent device having a structure in which a hole injection layer or a hole transport layer and a light emitting layer are sandwiched between an anode and a cathode.
An electroluminescent device comprising a fluorinated layer.
材料からなることを特徴とする請求項１記載の電界発光
素子。2. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the hole injection layer or the hole transport layer is made of a polymer material.
体を含有することを特徴とする請求項２記載の電界発光
素子。3. The electroluminescent device according to claim 2, wherein the polymer material contains a polythiophene derivative.
を含有することを特徴とする請求項２記載の電界発光素
子。4. The electroluminescent device according to claim 2, wherein the polymer material contains a polyaniline derivative.
機低分子材料からなることを特徴とする請求項１記載の
電界発光素子。5. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the hole injection layer or the hole transport layer is made of a low molecular organic material.
膜層の積層構造であることを特徴とする請求項１記載の
電界発光素子。6. The electroluminescent device according to claim 1, wherein said light emitting layer has a laminated structure of thin film layers made of a plurality of light emitting materials.
特徴とする請求項１記載の電界発光素子。7. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the light emitting layer is made of a conjugated polymer.
であることを特徴とする請求項７記載の電界発光素子。8. The electroluminescent device according to claim 7, wherein the conjugated polymer is a polyfluorene derivative.
ニレン誘導体であることを特徴とする請求項７記載の電
界発光素子。9. The electroluminescent device according to claim 7, wherein the conjugated polymer is a polyparaphenylene vinylene derivative.
ることを特徴とする請求項１記載の電界発光素子。10. The electroluminescent device according to claim 1, wherein the light emitting layer is made of an organic low molecular material.
層を、陽極および陰極で挟持した構造の電界発光素子の
製造方法において、陽極上に正孔注入層または正孔輸送
層を形成する工程と、前記正孔注入層または正孔輸送層
上にフロロカーボンガスのプラズマを照射する工程と、
前記フロロカーボンガスのプラズマ照射後に発光層を形
成する工程と、前記発光層上に陰極を形成する工程とを
具備することを特徴とする電界発光素子の製造方法。11. A method for manufacturing an electroluminescent device having a structure in which a hole injection layer or a hole transport layer and a light emitting layer are sandwiched between an anode and a cathode, wherein the hole injection layer or the hole transport layer is formed on the anode. And irradiating a plasma of a fluorocarbon gas on the hole injection layer or the hole transport layer,
A method for manufacturing an electroluminescent device, comprising: a step of forming a light emitting layer after the irradiation of the fluorocarbon gas plasma; and a step of forming a cathode on the light emitting layer.
ることをを特徴とする請求項１１記載の電界発光素子の
製造方法。12. The method according to claim 11, wherein the fluorocarbon gas is CF 4 .
ズマを照射することを特徴とする請求項１１記載の電界
発光素子の製造方法。13. The method according to claim 11, wherein oxygen plasma irradiation is performed before the plasma irradiation.
素を有する素子であり、基板上に画素に相当する部分以
外を覆う有機膜を設け、画素に相当する部分の陽極上に
前記正孔注入層または正孔輸送層をインクジェット法で
形成し、前記フロロカーボンガスのプラズマを照射した
後、前記正孔輸送層または正孔注入層が形成された画素
部分に発光層をインクジェット法で形成することを特徴
とする請求項１１記載の電界発光素子の製造方法。14. The electroluminescent device is a device having a plurality of pixels on a substrate, an organic film covering a portion other than a portion corresponding to the pixel is provided on the substrate, and the hole is formed on an anode corresponding to the pixel. Forming an injection layer or a hole transport layer by an inkjet method, and irradiating the fluorocarbon gas plasma, and then forming an emission layer by an inkjet method on a pixel portion where the hole transport layer or the hole injection layer is formed. The method for manufacturing an electroluminescent device according to claim 11, wherein:
素を有する素子であり、基板上に画素に相当する部分以
外を覆う撥水性有機膜を設け、画素に相当する部分の陽
極上に前記正孔注入層または正孔輸送層を塗布法で形成
し、前記フロロカーボンガスのプラズマを照射した後、
前記正孔輸送層または正孔注入層が形成された画素部分
に発光層をインクジェット法で形成することを特徴とす
る請求項１１記載の電界発光素子の製造方法。15. The electroluminescent device is a device having a plurality of pixels on a substrate, a water-repellent organic film covering a portion other than the portion corresponding to the pixel is provided on the substrate, and After forming a hole injection layer or a hole transport layer by a coating method and irradiating the plasma of the fluorocarbon gas,
12. The method according to claim 11, wherein a light emitting layer is formed by an inkjet method on a pixel portion where the hole transport layer or the hole injection layer is formed.
おいて５０度以上の接触角を有することを特徴とする請
求項１４または１５記載の電界発光素子の製造方法。16. The method according to claim 14, wherein the surface of the organic film has a contact angle with water of 50 degrees or more.
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