JP2005209412A - Light-emitting device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device sufficiently protected from intrusion of moisture, of which a thickness can be reduced. <P>SOLUTION: An organic EL element 50 has a lamination structure of a hole injection electrode 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a light-emitting layer 5, an electron transport layer 6, an electron injection layer 7, and an electron injection electrode 8, on a substrate 1. A protection layer 9 is formed so as to cover an area including the organic EL element 50. Afterwards, a water-repellent treatment film 12 made of carbon fluoride is formed on an outside area of the protection layer 9 at an outer peripheral part of the substrate 1. A resin layer 10 is formed so as to cover an upper part and outer peripheral part of the protection layer 9. Further, an inorganic layer 11 is formed so as to cover an upper part and outer peripheral part of the resin layer 10. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、発光素子を備えた発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device including a light emitting element.

近年、高度情報化杜会の進展と多様化に伴い、従来から一般に使用されているCRT(Cathode-Ray Tube)に比べ消費電力が少なく薄型である表示機器の需要が高くなってきている。   In recent years, with the advancement and diversification of advanced information society, there is an increasing demand for display devices that consume less power and are thinner than CRT (Cathode-Ray Tube) that has been generally used.

このような需要に対して、有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと略記する。)素子を用いたディスプレイは、低消費電力、高速応答、薄型かつ軽量および視野角依存性が無い等の特徴を有しており、そのポテンシャルの高さから研究開発が盛んに行われている。   In response to such demand, a display using an organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as organic EL) element has characteristics such as low power consumption, high-speed response, thin and light weight, and no viewing angle dependency. Therefore, research and development are actively conducted because of its high potential.

ここで、有機EL素子とは、電子注入電極とホール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光部へ向けて注入し、これらの電子・ホールを発光部で再結合させることにより発光部の有機分子を励起状態とし、この有機分子が励起状態から基底状態へと戻るときに螢光を発光するものである。   Here, the organic EL element means that an electron and a hole are respectively injected from an electron injection electrode and a hole injection electrode toward the light emitting portion, and these electrons and holes are recombined in the light emitting portion, thereby organically forming the light emitting portion. The molecule is excited and emits fluorescence when the organic molecule returns from the excited state to the ground state.

一方、有機EL素子は水分に非常に弱いため、水分を遮断する技術が重要となる。一般的には、有機EL素子をメタル缶によって封止し、さらにメタル缶内には吸水剤が設けられている。   On the other hand, since the organic EL element is very sensitive to moisture, a technique for blocking moisture is important. Generally, an organic EL element is sealed with a metal can, and a water absorbing agent is provided in the metal can.

しかしながら、上記のように、有機EL素子をメタル缶により封止する方法では、有機EL素子を用いたディスプレイを薄型化することが困難となる。   However, as described above, in the method of sealing the organic EL element with a metal can, it is difficult to reduce the thickness of the display using the organic EL element.

したがって、現在、メタル缶を使用しない有機EL素子の封止方法の開発が進められている。例えば、特許文献1に示されている有機EL素子の封止方法においては、有機層および電極を封止するために、ALE(アトミック・レイヤー・エピタキシー)法により樹脂膜と酸化アルミニウム(Al2 O3 )膜との積層膜を形成している。この場合、酸化アルミニウム膜の内部応力による有機層および電極への圧迫を防止するために樹脂膜が設けられる。
特開2002−151254号公報
Therefore, development of a method for sealing an organic EL element that does not use a metal can is currently underway. For example, in the method for sealing an organic EL element disclosed in Patent Document 1, in order to seal an organic layer and an electrode, a resin film and aluminum oxide (Al 2 O) are formed by an ALE (Atomic Layer Epitaxy) method. 3 ) A laminated film is formed with the film. In this case, a resin film is provided to prevent pressure on the organic layer and the electrode due to internal stress of the aluminum oxide film.
JP 2002-151254 A

しかしながら、上記のように、有機層および電極を封止するために、樹脂膜の上に酸化アルミニウム膜を形成する際に、樹脂膜が完全に膜で被覆されない場合がある。その結果、水分が樹脂膜を通して有機層内に浸入する。   However, as described above, when the aluminum oxide film is formed on the resin film in order to seal the organic layer and the electrode, the resin film may not be completely covered with the film. As a result, moisture penetrates into the organic layer through the resin film.

本発明の目的は、薄型化が可能でかつ水分の浸入が十分に防止された発光装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a light-emitting device that can be thinned and is sufficiently prevented from entering moisture.

本発明に係る発光装置は、基板と、基板上に配置された1または複数の発光素子と、1または複数の発光素子を被覆する封止膜とを備え、封止膜は、1または複数の発光素子を含む領域を覆うように形成された樹脂層と、樹脂層上および樹脂層の外周部を覆うように形成された無機層とを含むものである。   A light-emitting device according to the present invention includes a substrate, one or more light-emitting elements disposed on the substrate, and a sealing film that covers the one or more light-emitting elements, and the sealing film includes one or more sealing films. A resin layer formed so as to cover the region including the light emitting element and an inorganic layer formed so as to cover the resin layer and the outer peripheral portion of the resin layer are included.

本発明に係る発光装置においては、基板上に配置された1または複数の発光素子を含む領域を覆うように樹脂層が形成される。また、この樹脂層上および樹脂層の外周部を覆うように無機層が形成される。   In the light emitting device according to the present invention, the resin layer is formed so as to cover a region including one or a plurality of light emitting elements arranged on the substrate. An inorganic layer is formed so as to cover the resin layer and the outer periphery of the resin layer.

それにより、水分が樹脂層を通して発光素子内に浸入することを防止することができる。また、封止缶を用いずに発光素子を封止することができるので、発光装置を薄型化することができる。   Accordingly, moisture can be prevented from entering the light emitting element through the resin layer. In addition, since the light-emitting element can be sealed without using a sealing can, the light-emitting device can be thinned.

発光装置は、基板上において少なくとも領域の外側に形成された撥水処理膜をさらに備えてもよい。   The light emitting device may further include a water repellent film formed at least outside the region on the substrate.

この場合、撥水処理膜により樹脂層が無機層の外側にはみ出ることが防止される。それにより、発光素子内に水分が浸入することを確実に防止することができる。   In this case, the water-repellent treatment film prevents the resin layer from protruding outside the inorganic layer. Thereby, it is possible to reliably prevent moisture from entering the light emitting element.

撥水処理膜は、基板上において領域の内側を除いて領域の外側に形成されてもよい。   The water repellent film may be formed outside the region except for the inside of the region on the substrate.

この場合、領域の外側に形成された撥水処理膜により樹脂層が無機層の外側にはみ出ることが防止される。それにより、発光素子内に水分が浸入することを確実に防止することができる。   In this case, the water-repellent treatment film formed outside the region prevents the resin layer from protruding outside the inorganic layer. Thereby, it is possible to reliably prevent moisture from entering the light emitting element.

撥水処理膜は、基板上の全域に形成されてもよい。この場合、基板上の全域に形成された撥水処理膜により樹脂層が無機層の外側にはみ出ることが防止される。それにより、発光素子内に水分が浸入することを確実に防止することができる。   The water repellent film may be formed over the entire area of the substrate. In this case, the water repellent film formed on the entire area of the substrate prevents the resin layer from protruding outside the inorganic layer. Thereby, it is possible to reliably prevent moisture from entering the light emitting element.

1または複数の発光素子の各々は、基板上に第1の電極、有機層および第2の電極を順に含み、撥水処理膜は、第1の電極と有機層との間に延び、キャリア注入層および/またはキャリア輸送層として機能してもよい。   Each of the one or more light-emitting elements includes a first electrode, an organic layer, and a second electrode in order on a substrate, and the water repellent film extends between the first electrode and the organic layer to inject carriers. It may function as a layer and / or a carrier transport layer.

この場合、撥水処理膜が発光素子の第1の電極と有機層との間に延びるように設けられていることにより、撥水処理膜がキャリア注入層および/またはキャリア輸送層として機能する。これにより、共通の工程により撥水処理膜、キャリア注入層およびキャリア輸送層を形成することができる。その結果、製造時間および製造工程を低減することができる。   In this case, the water-repellent treatment film functions as a carrier injection layer and / or a carrier transport layer by providing the water-repellent treatment film so as to extend between the first electrode of the light emitting element and the organic layer. Thereby, a water repellent film, a carrier injection layer, and a carrier transport layer can be formed by a common process. As a result, the manufacturing time and manufacturing process can be reduced.

撥水処理膜は、フッ化炭素よりなってもよい。この場合、フッ化炭素は、優れた撥水性を有するので、樹脂層が無機層の外側にはみ出ることを十分に防止することができる。   The water repellent film may be made of fluorocarbon. In this case, since the fluorocarbon has excellent water repellency, the resin layer can be sufficiently prevented from protruding outside the inorganic layer.

発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと略記する。)素子であってもよい。この場合、発光装置の薄型化が可能でかつ有機EL素子内への水分の浸入を十分に防止することができる。   The light emitting element may be an organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as “organic EL”) element. In this case, it is possible to reduce the thickness of the light emitting device and sufficiently prevent moisture from entering the organic EL element.

本発明によれば、水分が樹脂膜を通して発光素子内に浸入することを防止することができる。また、封止缶を用いずに発光素子を封止することができるので、発光装置を薄型化することができる。   According to the present invention, it is possible to prevent moisture from entering the light emitting element through the resin film. In addition, since the light-emitting element can be sealed without using a sealing can, the light-emitting device can be thinned.

以下、本発明に係る発光装置の一例として、有機EL装置について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, an organic EL device will be described as an example of a light emitting device according to the present invention with reference to the drawings.

(第1の実施の形態)
図1は第1の実施の形態および後述の第2、第3および第4の実施の形態に係る有機EL装置の模式的断面図であり、図2は第1の実施の形態に係る有機EL装置の一部の拡大図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic EL device according to a first embodiment and second, third, and fourth embodiments described later, and FIG. 2 is an organic EL according to the first embodiment. It is the one part enlarged view of an apparatus.

なお、第1および第2の実施の形態に係る有機EL装置100は下面側(基板において素子が形成されない側)から光を取り出すボトムエミッション構造を有し、第3および第4の実施の形態に係る有機EL装置100は上面側(基板において素子が形成される側)から光を取り出すトップエミッション構造を有する。   The organic EL device 100 according to the first and second embodiments has a bottom emission structure in which light is extracted from the lower surface side (side on which no element is formed on the substrate), and the third and fourth embodiments have the same structure. The organic EL device 100 has a top emission structure in which light is extracted from the upper surface side (side on which an element is formed on the substrate).

以下、互いに直交する3方向をX方向、Y方向およびZ方向とする。X方向およびY方向は、基板1の表面に平行な方向であり、Z方向は基板1の表面に垂直な方向である。複数の有機EL素子50はX方向およびY方向に沿って配列される。   Hereinafter, three directions orthogonal to each other are defined as an X direction, a Y direction, and a Z direction. The X direction and the Y direction are directions parallel to the surface of the substrate 1, and the Z direction is a direction perpendicular to the surface of the substrate 1. The plurality of organic EL elements 50 are arranged along the X direction and the Y direction.

図1の有機EL装置100においては、基板1上にX方向に延びる複数のホール注入電極2が形成されている。ホール注入電極2上に複数の有機EL素子50がマトリクス状に配置されている。各有機EL素子50が画素を構成する。単純マトリクス型(パッシブ型)では、基板1として透明ガラス基板が用いられ、アクティブ・マトリクス型では、基板1として、透明ガラス基板上に複数のTFT(薄膜トランジスタ)および平坦化層を備えたTFT基板が用いられる。なお、有機EL素子50の構造の詳細については後述する。   In the organic EL device 100 of FIG. 1, a plurality of hole injection electrodes 2 extending in the X direction are formed on a substrate 1. A plurality of organic EL elements 50 are arranged in a matrix on the hole injection electrode 2. Each organic EL element 50 constitutes a pixel. In the simple matrix type (passive type), a transparent glass substrate is used as the substrate 1. In the active matrix type, a TFT substrate having a plurality of TFTs (thin film transistors) and a planarizing layer on the transparent glass substrate is used as the substrate 1. Used. Details of the structure of the organic EL element 50 will be described later.

複数の有機EL素子50を含む領域を覆うように保護層9が形成されている。保護層9は窒化シリコン(SiN)等からなる。また、保護層9上および保護層9の外周部を覆うように樹脂層10が形成されている。さらに、樹脂層10上および樹脂層10の外周部を覆うように無機層11が形成されている。樹脂層10はアクリル樹脂等からなり、無機層11は窒化シリコン等からなる。   A protective layer 9 is formed so as to cover a region including the plurality of organic EL elements 50. The protective layer 9 is made of silicon nitride (SiN) or the like. A resin layer 10 is formed so as to cover the protective layer 9 and the outer periphery of the protective layer 9. Furthermore, the inorganic layer 11 is formed so that the resin layer 10 and the outer peripheral part of the resin layer 10 may be covered. The resin layer 10 is made of acrylic resin or the like, and the inorganic layer 11 is made of silicon nitride or the like.

図2に示すように、有機EL素子50は、ホール注入電極2、ホール注入層3、ホール輸送層4、発光層5、電子輸送層6、電子注入層7および電子注入電極8の積層構造を有する。   As shown in FIG. 2, the organic EL element 50 has a stacked structure of a hole injection electrode 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a light emitting layer 5, an electron transport layer 6, an electron injection layer 7, and an electron injection electrode 8. Have.

ホール注入電極2はX方向に沿って連続的または画素ごとに配列され、電子注入電極8はY方向に沿って配列されている。隣接する有機EL素子50間はレジスト材料からなる素子分離用絶縁層(図示せず)により分離されている。   The hole injection electrode 2 is arranged continuously or pixel by pixel along the X direction, and the electron injection electrode 8 is arranged along the Y direction. Adjacent organic EL elements 50 are separated by an element isolation insulating layer (not shown) made of a resist material.

本実施の形態においては、保護層9が各有機EL素子50を含む領域を覆うように形成された後、基板1上の外周部における保護層9の外側の領域にフッ化炭素(CFx)からなる撥水処理膜12が形成される。撥水処理膜12の形成方法については後述する。   In the present embodiment, after the protective layer 9 is formed so as to cover the region including each organic EL element 50, the region outside the protective layer 9 in the outer peripheral portion on the substrate 1 is made of fluorocarbon (CFx). A water repellent film 12 is formed. A method for forming the water repellent film 12 will be described later.

ホール注入電極2は、RF(高周波)スパッタリング法により基板1上に形成され、例えば厚さ800ÅのITO(インジウム−スズ酸化物)等の金属化合物からなる透明電極である。スパッタガスとして例えばアルゴン(Ar)ガスを用いる。成膜時の圧力は例えば1.5×10-1 Paであり、RF出力は例えば200Wである。 The hole injection electrode 2 is a transparent electrode made of a metal compound such as ITO (indium-tin oxide) having a thickness of 800 mm, for example, formed on the substrate 1 by RF (high frequency) sputtering. For example, argon (Ar) gas is used as the sputtering gas. The pressure during film formation is, for example, 1.5 × 10 −1 Pa, and the RF output is, for example, 200 W.

ホール注入層3は、真空蒸着法によりホール注入電極2上に形成され、下記式(1)に示される銅フタロシアニン(Copper phthalocyanine:以下、CuPcと略記する)等からなる。ホール注入層3の厚さは例えば100Åである。   The hole injection layer 3 is formed on the hole injection electrode 2 by a vacuum deposition method, and is made of copper phthalocyanine (hereinafter abbreviated as CuPc) represented by the following formula (1). The thickness of the hole injection layer 3 is, for example, 100 mm.

Figure 2005209412
Figure 2005209412

ホール輸送層4は、真空蒸着法によりホール注入層3上に形成され、下記式(2)に示されるN,N'-ジ(ナフタレン-1-イル)-N,N'-ジフェニル-ベンジジン(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine:以下、NPBと略記する)等からなる。ホール輸送層4の厚さは例えば500Åである。   The hole transport layer 4 is formed on the hole injection layer 3 by a vacuum deposition method, and N, N′-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenyl-benzidine represented by the following formula (2) ( N, N′-Di (naphthalene-1-yl) -N, N′-diphenyl-benzidine (hereinafter abbreviated as NPB)). The thickness of the hole transport layer 4 is, for example, 500 mm.

Figure 2005209412
Figure 2005209412

発光層5は、真空蒸着法によりホール輸送層4上に形成され、下記式(3)に示されるトリス(8-ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum:以下、Alqと略記する)等からなる。   The light emitting layer 5 is formed on the hole transport layer 4 by a vacuum deposition method, and is represented by the following formula (3): Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (hereinafter abbreviated as Alq). ) Etc.

Figure 2005209412
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電子輸送層6は、真空蒸着法により発光層5上に形成され、Alq等からなる。発光層5と電子輸送層6との厚さの合計は例えば500Åである。   The electron transport layer 6 is formed on the light emitting layer 5 by a vacuum deposition method and is made of Alq or the like. The total thickness of the light emitting layer 5 and the electron transport layer 6 is, for example, 500 mm.

電子注入層7は、真空蒸着法により電子輸送層6上に形成され、LiF(フッ化リチウム)等のハロゲン化物からなる。電子注入層7の厚さは例えば5Åである。   The electron injection layer 7 is formed on the electron transport layer 6 by a vacuum deposition method, and is made of a halide such as LiF (lithium fluoride). The electron injection layer 7 has a thickness of 5 mm, for example.

上記のホール注入層3、ホール輸送層4、発光層5、電子輸送層6および電子注入層7のそれぞれの成膜時の圧力は例えば5.0×10-5 Paである。 The pressure at the time of film formation of the hole injection layer 3, the hole transport layer 4, the light emitting layer 5, the electron transport layer 6 and the electron injection layer 7 is, for example, 5.0 × 10 −5 Pa.

電子注入電極8は、真空蒸着法により電子注入層7上に形成され、アルミニウム等からなる。電子注入電極8の厚さは例えば1000Åであり、成膜時の圧力は例えば1.0×10-4 Paである。 The electron injection electrode 8 is formed on the electron injection layer 7 by a vacuum deposition method and is made of aluminum or the like. The thickness of the electron injection electrode 8 is, for example, 1000 mm, and the pressure during film formation is, for example, 1.0 × 10 −4 Pa.

次に、本実施の形態に係る有機EL装置100の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the organic EL device 100 according to the present embodiment will be described.

図3は本実施の形態に係る有機EL装置100の製造の手順を示す模式図である。図3(a)〜(d)の左側に有機EL装置100の平面図を示し、右側にこの平面図におけるA−A線断面図を示す。図3では、図示を簡略化するために2×2画素を有する有機EL装置100を示している。   FIG. 3 is a schematic diagram showing a procedure for manufacturing the organic EL device 100 according to the present embodiment. A plan view of the organic EL device 100 is shown on the left side of FIGS. 3A to 3D, and a cross-sectional view taken along line AA in this plan view is shown on the right side. FIG. 3 shows an organic EL device 100 having 2 × 2 pixels in order to simplify the illustration.

まず、上述した方法により、基板1の上に、ホール注入電極2、ホール注入層3、ホール輸送層4、発光層5、電子輸送層6、電子注入層7および電子注入電極8をそれぞれ順に形成する。   First, a hole injection electrode 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a light emitting layer 5, an electron transport layer 6, an electron injection layer 7, and an electron injection electrode 8 are sequentially formed on the substrate 1 by the method described above. To do.

この後、図3(a)に示すように、所定のマスクを用いてECR(電子サイクロトロン共鳴)スパッタリング法により複数の有機EL素子50を覆うように保護層9を形成する。保護層9は窒化シリコンからなり、保護層9の厚さは例えば1000Åである。   Thereafter, as shown in FIG. 3A, the protective layer 9 is formed so as to cover the plurality of organic EL elements 50 by ECR (electron cyclotron resonance) sputtering using a predetermined mask. The protective layer 9 is made of silicon nitride, and the thickness of the protective layer 9 is, for example, 1000 mm.

また、保護層9の成膜時の圧力は例えば1.9×10-1 Paであり、RF出力は例えば300Wである。スパッタガスとしては、例えばアルゴン(Ar)ガスと窒素(N2 )ガスとの混合ガスを用いる。この場合、アルゴンガスに対する窒素ガスの流量比は例えば22%である。なお、保護層9が形成された面積をaとする。 The pressure at the time of forming the protective layer 9 is, for example, 1.9 × 10 −1 Pa, and the RF output is, for example, 300 W. As the sputtering gas, for example, a mixed gas of argon (Ar) gas and nitrogen (N 2 ) gas is used. In this case, the flow rate ratio of nitrogen gas to argon gas is, for example, 22%. The area where the protective layer 9 is formed is denoted by a.

次に、図3(b)に示すように、所定のマスクを用いてプラズマCVD(化学的気相堆積)法により、基板1上の外周部における保護層9の外側の領域に撥水処理膜12を形成する。この場合、所定のマスクの表面積をa’としたとき、a’≒a(a’>a)の関係が成り立つ。   Next, as shown in FIG. 3B, a water repellent film is formed on the outer region of the outer peripheral portion of the substrate 1 by plasma CVD (chemical vapor deposition) using a predetermined mask. 12 is formed. In this case, when the surface area of the predetermined mask is a ′, the relationship a′≈a (a ′> a) is established.

撥水処理膜12は例えばフッ化炭素(CFx)よりなる。原料ガスとして三フッ化メタン(CHF3 )等を用いる。撥水処理膜12の成膜時の圧力は例えば20Paであり、バイアス電圧の印加電力は例えば100Wである。また、撥水処理膜12の成膜時間は例えば10秒である。 The water repellent film 12 is made of, for example, carbon fluoride (CFx). Trifluoromethane (CHF 3 ) or the like is used as a source gas. The pressure at the time of forming the water repellent film 12 is, for example, 20 Pa, and the applied power of the bias voltage is, for example, 100 W. The film formation time of the water repellent film 12 is, for example, 10 seconds.

次に、図3(c)に示すように、所定の開口部を有するマスクを用いてスピンコート法により保護層9を含む領域を覆うように樹脂層10を塗布する。撥水処理膜12上には樹脂が弾かれるために樹脂層10は形成されない。樹脂層10は例えばアクリル樹脂からなり、樹脂層10の厚さは例えば5μmである。樹脂層10が塗布された面積をbとしたとき、b≒a’(b<a’)の関係が成り立つ。   Next, as shown in FIG. 3C, a resin layer 10 is applied so as to cover the region including the protective layer 9 by spin coating using a mask having a predetermined opening. Since the resin is repelled on the water repellent film 12, the resin layer 10 is not formed. The resin layer 10 is made of, for example, acrylic resin, and the thickness of the resin layer 10 is, for example, 5 μm. When the area where the resin layer 10 is applied is b, the relationship b≈a ′ (b <a ′) is established.

次に、図3(d)に示すように、所定のマスクを用いて樹脂層10を含む領域を覆うように無機層11を形成する。無機層11の厚さは例えば1000Åであり、成膜方法および成膜条件は保護層9の成膜方法および成膜条件と同様である。無機層11が形成された面積をcとしたとき、c≫bの関係が成り立つ。すなわち、樹脂層10の上面および外周部が無機層11により覆われる。   Next, as shown in FIG. 3D, the inorganic layer 11 is formed so as to cover the region including the resin layer 10 using a predetermined mask. The thickness of the inorganic layer 11 is, for example, 1000 mm, and the film formation method and film formation conditions are the same as those of the protective layer 9. When the area where the inorganic layer 11 is formed is c, the relationship c >> b is established. That is, the upper surface and the outer periphery of the resin layer 10 are covered with the inorganic layer 11.

本実施の形態においては、基板1上に配置された1または複数の有機EL素子50を含む領域を覆うように樹脂層10が形成される。また、この樹脂層10上および樹脂層10の外周部を覆うように無機層11が形成される。それにより、水分が樹脂層10を通して有機EL素子50内に浸入することを防止することができる。また、封止缶を用いずに有機EL素子50を封止することができるので、有機EL装置100を薄型化することができる。   In the present embodiment, resin layer 10 is formed so as to cover a region including one or more organic EL elements 50 arranged on substrate 1. Moreover, the inorganic layer 11 is formed so that the resin layer 10 and the outer peripheral part of the resin layer 10 may be covered. Thereby, moisture can be prevented from entering the organic EL element 50 through the resin layer 10. Moreover, since the organic EL element 50 can be sealed without using a sealing can, the organic EL device 100 can be thinned.

また、撥水処理膜12が基板1上において有機EL素子50を含む領域の内側を除いて上記領域の外側に形成されているので、上記領域の外側に形成された撥水処理膜12により樹脂層10が無機層11の外側にはみ出ることが防止される。それにより、有機EL素子50内に水分が浸入することを確実に防止することができる。   Further, since the water repellent film 12 is formed on the substrate 1 outside the area except for the inside of the area including the organic EL element 50, the water repellent film 12 formed on the outside of the area is used as a resin. The layer 10 is prevented from protruding outside the inorganic layer 11. Thereby, it is possible to reliably prevent moisture from entering the organic EL element 50.

本実施の形態においては、ホール注入電極2が第1の電極に相当し、ホール注入層3、ホール輸送層4、発光層5、電子輸送層6および電子注入層7が有機層に相当し、電子注入電極8が第2の電極に相当し、有機EL素子50が有機電界発光素子に相当し、有機EL装置100が有機電界発光装置に相当し、ホール注入層3がキャリア注入層に相当し、ホール輸送層4がキャリア輸送層に相当する。   In the present embodiment, the hole injection electrode 2 corresponds to the first electrode, the hole injection layer 3, the hole transport layer 4, the light emitting layer 5, the electron transport layer 6 and the electron injection layer 7 correspond to an organic layer, The electron injection electrode 8 corresponds to the second electrode, the organic EL element 50 corresponds to the organic electroluminescent element, the organic EL device 100 corresponds to the organic electroluminescent device, and the hole injection layer 3 corresponds to the carrier injection layer. The hole transport layer 4 corresponds to the carrier transport layer.

なお、撥水処理膜12としてフッ化炭素を用いたが、酸化チタン等の撥水性を有する他の無機膜、有機膜等を用いてもよく、また、樹脂層10としてアクリル樹脂を用いたが、エポキシ樹脂等の他の樹脂を用いてもよい。さらに、無機層11の材料は窒化シリコンに限定されず、酸化シリコン、窒化アルミニウム等の他の種々の無機材料を単独でまたは積層して用いることできる。   Although carbon fluoride is used as the water-repellent treatment film 12, other water-repellent inorganic films such as titanium oxide, organic films, etc. may be used, and acrylic resin is used as the resin layer 10. Other resins such as an epoxy resin may be used. Furthermore, the material of the inorganic layer 11 is not limited to silicon nitride, and other various inorganic materials such as silicon oxide and aluminum nitride can be used alone or in a stacked manner.

また、保護層9の形成の前に、撥水処理膜12を形成してもよく、所定のマスクを用いて樹脂層10をスプレーにより塗布してもよい。   Further, the water repellent film 12 may be formed before the protective layer 9 is formed, or the resin layer 10 may be applied by spraying using a predetermined mask.

また、基板1上において無機層11を含む領域を覆うように封止缶をさらに設けてもよい。   Further, a sealing can may be further provided on the substrate 1 so as to cover a region including the inorganic layer 11.

さらに、基板1上に電子注入電極、電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層およびホール注入電極を順に積層してもよい。   Further, an electron injection electrode, an electron injection layer, an electron transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and a hole injection electrode may be sequentially stacked on the substrate 1.

(第2の実施の形態)
図4は第2の実施の形態に係る有機EL装置の一部の拡大図である。
(Second Embodiment)
FIG. 4 is an enlarged view of a part of the organic EL device according to the second embodiment.

図4に示すように、本実施の形態に係る有機EL装置が第1の実施の形態に係る有機EL装置100と異なる点は以下の点である。   As shown in FIG. 4, the organic EL device according to the present embodiment is different from the organic EL device 100 according to the first embodiment in the following points.

本実施の形態においては、基板1上にホール注入電極2を形成した後、基板1上の全域に撥水処理膜12を形成する。その後、図2のホール注入層3は形成せず、第1の実施の形態と同様に、ホール輸送層4、発光層5、電子輸送層6、電子注入層7、電子注入電極8、保護層9、樹脂層10および無機層11をそれぞれ順に形成する。成膜方法については後述する。   In this embodiment, after forming the hole injection electrode 2 on the substrate 1, the water repellent film 12 is formed on the entire area of the substrate 1. Thereafter, the hole injection layer 3 in FIG. 2 is not formed, and the hole transport layer 4, the light emitting layer 5, the electron transport layer 6, the electron injection layer 7, the electron injection electrode 8, and the protective layer are formed as in the first embodiment. 9, the resin layer 10 and the inorganic layer 11 are formed in order. The film forming method will be described later.

また、ホール輸送層4の厚さは例えば600Åであり、電子輸送層6の厚さは例えば600Åである。   The thickness of the hole transport layer 4 is, for example, 600 mm, and the thickness of the electron transport layer 6 is, for example, 600 mm.

以上の点を除き、第1の実施の形態に係る有機EL装置100と同様な材料および構成で本実施の形態に係る有機EL装置を作製する。   Except for the above points, the organic EL device according to the present embodiment is manufactured using the same materials and configuration as those of the organic EL device 100 according to the first embodiment.

次に、本実施の形態に係る有機EL装置の製造方法について説明する。本実施の形態に係る有機EL装置の製造方法が第1の実施の形態に係る有機EL装置100の製造方法と異なる点は、撥水処理膜12の成膜時間が例えば20秒である点である。   Next, a method for manufacturing the organic EL device according to this embodiment will be described. The manufacturing method of the organic EL device according to the present embodiment is different from the manufacturing method of the organic EL device 100 according to the first embodiment in that the film formation time of the water repellent film 12 is, for example, 20 seconds. is there.

図5は本実施の形態に係る有機EL装置の製造の手順を示す模式図である。図5(a)〜(d)の左側に有機EL装置の平面図を示し、右側にこの平面図におけるB−B線断面図を示す。図5では、図示を簡略化するために2×2画素を有する有機EL装置を示している。   FIG. 5 is a schematic diagram showing a procedure for manufacturing the organic EL device according to the present embodiment. A plan view of the organic EL device is shown on the left side of FIGS. 5A to 5D, and a cross-sectional view taken along the line BB in this plan view is shown on the right side. FIG. 5 shows an organic EL device having 2 × 2 pixels for the sake of simplicity.

まず、上述した方法により、基板1の上に、ホール注入電極2を形成する。この後、図5(a)に示すように、プラズマCVD法により、基板1上の全域に撥水処理膜12を形成する。   First, the hole injection electrode 2 is formed on the substrate 1 by the method described above. Thereafter, as shown in FIG. 5A, a water repellent film 12 is formed over the entire area of the substrate 1 by plasma CVD.

次に、図5(b)に示すように、撥水処理膜12上に、ホール輸送層4、発光層5、電子輸送層6、電子注入層7および電子注入電極8を形成する。   Next, as shown in FIG. 5B, the hole transport layer 4, the light emitting layer 5, the electron transport layer 6, the electron injection layer 7, and the electron injection electrode 8 are formed on the water repellent film 12.

次に、図5(c)に示すように、所定のマスクを用いてECRスパッタリング法により複数の有機EL素子50を覆うように保護層9を形成する。なお、保護層9が形成された面積をdとする。   Next, as shown in FIG. 5C, the protective layer 9 is formed so as to cover the plurality of organic EL elements 50 by ECR sputtering using a predetermined mask. The area where the protective layer 9 is formed is d.

次に、図5(d)に示すように、所定の開口部を有するマスクを用いてスピンコート法により保護層9を含む領域を覆うように樹脂層10を塗布する。この場合、樹脂層10の外周部が撥水処理膜12により弾かれることによって、樹脂層10は撥水処理膜12上において拡張せずにマスクの開口部に対応する形状に形成される。樹脂層10が塗布された面積をeとしたとき、e≒d(e>d)の関係が成り立つ。   Next, as shown in FIG. 5D, a resin layer 10 is applied so as to cover the region including the protective layer 9 by spin coating using a mask having a predetermined opening. In this case, the outer peripheral portion of the resin layer 10 is repelled by the water-repellent treatment film 12, so that the resin layer 10 is formed on the water-repellent treatment film 12 in a shape corresponding to the opening of the mask without expanding. When the area where the resin layer 10 is applied is represented by e, the relationship of e≈d (e> d) is established.

次に、図5(e)に示すように、所定のマスクを用いて樹脂層10を含む領域を覆うように無機層11を形成する。無機層11が形成された面積をfとしたとき、f≫eの関係が成り立つ。すなわち、樹脂層10の上面および外周部が無機層11により覆われる。   Next, as shown in FIG. 5E, the inorganic layer 11 is formed so as to cover the region including the resin layer 10 using a predetermined mask. When the area where the inorganic layer 11 is formed is f, the relationship f >> e is established. That is, the upper surface and the outer periphery of the resin layer 10 are covered with the inorganic layer 11.

本実施の形態においては、基板1上に配置された1または複数の有機EL素子50を含む領域を覆うように樹脂層10が形成される。また、この樹脂層10上および樹脂層10の外周部を覆うように無機層11が形成される。それにより、水分が樹脂層10を通して有機EL素子50内に浸入することを防止することができる。また、封止缶を用いずに有機EL素子50を封止することができるので、有機EL装置100を薄型化することができる。   In the present embodiment, resin layer 10 is formed so as to cover a region including one or more organic EL elements 50 arranged on substrate 1. Moreover, the inorganic layer 11 is formed so that the resin layer 10 and the outer peripheral part of the resin layer 10 may be covered. Thereby, moisture can be prevented from entering the organic EL element 50 through the resin layer 10. Moreover, since the organic EL element 50 can be sealed without using a sealing can, the organic EL device 100 can be thinned.

また、撥水処理膜12が基板1上の全域に形成されているので、基板1上の全域に形成された撥水処理膜12により樹脂層10が無機層11の外側にはみ出ることが防止される。それにより、有機EL素子50内に水分が浸入することを確実に防止することができる。   Further, since the water repellent film 12 is formed over the entire area of the substrate 1, the resin layer 10 is prevented from protruding outside the inorganic layer 11 by the water repellent film 12 formed over the entire area of the substrate 1. The Thereby, it is possible to reliably prevent moisture from entering the organic EL element 50.

さらに、撥水処理膜12がホール注入電極2とホール輸送層4との間に延びるように設けられていることにより、撥水処理膜12がホール注入層として機能する。これにより、共通の工程により撥水処理膜12およびホール注入層を形成することができる。その結果、製造時間および製造工程を低減することができる。   Further, since the water repellent film 12 is provided so as to extend between the hole injection electrode 2 and the hole transport layer 4, the water repellent film 12 functions as a hole injection layer. Thereby, the water repellent film 12 and the hole injection layer can be formed by a common process. As a result, the manufacturing time and manufacturing process can be reduced.

なお、ホール輸送層4を設けずに、ホール輸送機能を有する撥水処理膜12を設けてもよい。   Note that the water repellent film 12 having a hole transport function may be provided without providing the hole transport layer 4.

また、基板1上に電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層およびホール注入層を順に積層してもよい。この場合、撥水処理膜12として電子注入機能または電子輸送機能を有する膜を用いることにより、共通の工程によって撥水処理膜12および電子注入層または電子輸送層を形成することができる。   Further, an electron injection layer, an electron transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer, and a hole injection layer may be sequentially stacked on the substrate 1. In this case, by using a film having an electron injection function or an electron transport function as the water repellent treatment film 12, the water repellent treatment film 12 and the electron injection layer or the electron transport layer can be formed by a common process.

(第3の実施の形態)
図6は第3の実施の形態に係る有機EL装置の一部の拡大図である。
(Third embodiment)
FIG. 6 is an enlarged view of a part of the organic EL device according to the third embodiment.

図6に示すように、本実施の形態に係る有機EL装置が第1の実施の形態に係る有機EL装置100と異なる点は以下の点である。   As shown in FIG. 6, the organic EL device according to the present embodiment is different from the organic EL device 100 according to the first embodiment in the following points.

本実施の形態においては、基板1上に形成されるホール注入電極2として例えばモリブデン(Mo)を用いる。ホール注入電極2の厚さは例えば1000Åである。   In the present embodiment, for example, molybdenum (Mo) is used as the hole injection electrode 2 formed on the substrate 1. The thickness of the hole injection electrode 2 is, for example, 1000 mm.

また、電子輸送層6上に形成される電子注入層7として例えば酸化リチウム(Li2 O)を用いる。電子注入層7の厚さは例えば15Åである。 Further, for example, lithium oxide (Li 2 O) is used as the electron injection layer 7 formed on the electron transport layer 6. The electron injection layer 7 has a thickness of 15 mm, for example.

さらに、電子注入層7上に形成される電子注入電極8として金属薄膜8aと透明導電膜8bとの積層構造を用いる。この場合、金属薄膜8aとして例えば銀(Ag)を用いる。金属薄膜8aの厚さは例えば150Åである。   Further, a stacked structure of a metal thin film 8 a and a transparent conductive film 8 b is used as the electron injection electrode 8 formed on the electron injection layer 7. In this case, for example, silver (Ag) is used as the metal thin film 8a. The thickness of the metal thin film 8a is, for example, 150 mm.

透明導電膜8bは、ECRスパッタリング法により金属薄膜8a上に形成される。この場合、透明導電膜8bとして例えばIZO(インジウム・亜鉛酸化物)を用いる。透明導電膜8bの厚さは例えば1000Åである。透明導電膜8bの成膜時の圧力は例えば1.9×10-1 Paであり、RF出力は例えば300Wである。スパッタガスとして例えばアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、アルゴンガスに対する酸素ガスの流量比は例えば0.3%である。 The transparent conductive film 8b is formed on the metal thin film 8a by ECR sputtering. In this case, for example, IZO (indium zinc oxide) is used as the transparent conductive film 8b. The thickness of the transparent conductive film 8b is, for example, 1000 mm. The pressure at the time of forming the transparent conductive film 8b is, for example, 1.9 × 10 −1 Pa, and the RF output is, for example, 300 W. For example, a mixed gas of argon gas and oxygen gas is used as the sputtering gas, and the flow rate ratio of oxygen gas to argon gas is 0.3%, for example.

本実施の形態においては、基板1上に配置された1または複数の有機EL素子50を含む領域を覆うように樹脂層10が形成される。また、この樹脂層10上および樹脂層10の外周部を覆うように無機層11が形成される。それにより、水分が樹脂層10を通して有機EL素子50内に浸入することを防止することができる。また、封止缶を用いずに有機EL素子50を封止することができるので、有機EL装置100を薄型化することができる。   In the present embodiment, resin layer 10 is formed so as to cover a region including one or more organic EL elements 50 arranged on substrate 1. Moreover, the inorganic layer 11 is formed so that the resin layer 10 and the outer peripheral part of the resin layer 10 may be covered. Thereby, moisture can be prevented from entering the organic EL element 50 through the resin layer 10. Moreover, since the organic EL element 50 can be sealed without using a sealing can, the organic EL device 100 can be thinned.

また、撥水処理膜12が基板1上において有機EL素子50を含む領域の内側を除いて上記領域の外側に形成されているので、上記領域の外側に形成された撥水処理膜12により樹脂層10が無機層11の外側にはみ出ることが防止される。それにより、有機EL素子50内に水分が浸入することを確実に防止することができる。   Further, since the water repellent film 12 is formed on the substrate 1 outside the area except for the inside of the area including the organic EL element 50, the water repellent film 12 formed on the outside of the area is used as a resin. The layer 10 is prevented from protruding outside the inorganic layer 11. Thereby, it is possible to reliably prevent moisture from entering the organic EL element 50.

(第4の実施の形態)
図7は第4の実施の形態に係る有機EL装置の一部の拡大図である。
(Fourth embodiment)
FIG. 7 is an enlarged view of a part of the organic EL device according to the fourth embodiment.

図7に示すように、本実施の形態に係る有機EL装置が第2の実施の形態に係る有機EL装置と異なる点は以下の点である。   As shown in FIG. 7, the organic EL device according to the present embodiment is different from the organic EL device according to the second embodiment in the following points.

本実施の形態においては、基板1上に形成されるホール注入電極2として例えばモリブデンを用いる。ホール注入電極2の厚さは例えば1000Åである。   In the present embodiment, for example, molybdenum is used as the hole injection electrode 2 formed on the substrate 1. The thickness of the hole injection electrode 2 is, for example, 1000 mm.

また、電子輸送層6上に形成される電子注入層7として例えば酸化リチウムを用いる。電子注入層7の厚さは例えば15Åである。   Further, for example, lithium oxide is used as the electron injection layer 7 formed on the electron transport layer 6. The electron injection layer 7 has a thickness of 15 mm, for example.

さらに、電子注入層7上に形成される電子注入電極8として金属薄膜8aと透明導電膜8bとの積層構造を用いる。この場合、金属薄膜8aとして例えば銀を用いる。金属薄膜8aの厚さは例えば150Åである。   Further, a stacked structure of a metal thin film 8 a and a transparent conductive film 8 b is used as the electron injection electrode 8 formed on the electron injection layer 7. In this case, for example, silver is used as the metal thin film 8a. The thickness of the metal thin film 8a is, for example, 150 mm.

透明導電膜8bは、ECRスパッタリング法により金属薄膜8a上に形成される。この場合、透明導電膜8bとして例えばIZOを用いる。透明導電膜8bの厚さは例えば1000Åである。透明導電膜8bの成膜時の圧力は例えば1.9×10-1 Paであり、RF出力は例えば300Wである。スパッタガスとして例えばアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、アルゴンガスに対する酸素ガスの流量比は例えば0.3%である。 The transparent conductive film 8b is formed on the metal thin film 8a by ECR sputtering. In this case, for example, IZO is used as the transparent conductive film 8b. The thickness of the transparent conductive film 8b is, for example, 1000 mm. The pressure at the time of forming the transparent conductive film 8b is, for example, 1.9 × 10 −1 Pa, and the RF output is, for example, 300 W. For example, a mixed gas of argon gas and oxygen gas is used as the sputtering gas, and the flow rate ratio of oxygen gas to argon gas is 0.3%, for example.

本実施の形態においては、基板1上に配置された1または複数の有機EL素子50を含む領域を覆うように樹脂層10が形成される。また、この樹脂層10上および樹脂層10の外周部を覆うように無機層11が形成される。それにより、水分が樹脂層10を通して有機EL素子50内に浸入することを防止することができる。また、封止缶を用いずに有機EL素子50を封止することができるので、有機EL装置100を薄型化することができる。   In the present embodiment, resin layer 10 is formed so as to cover a region including one or more organic EL elements 50 arranged on substrate 1. Moreover, the inorganic layer 11 is formed so that the resin layer 10 and the outer peripheral part of the resin layer 10 may be covered. Thereby, moisture can be prevented from entering the organic EL element 50 through the resin layer 10. Moreover, since the organic EL element 50 can be sealed without using a sealing can, the organic EL device 100 can be thinned.

また、撥水処理膜12が基板1上の全域に形成されているので、基板1上の全域に形成された撥水処理膜12により樹脂層10が無機層11の外側にはみ出ることが防止される。それにより、有機EL素子50内に水分が浸入することを確実に防止することができる。   Further, since the water repellent film 12 is formed over the entire area of the substrate 1, the resin layer 10 is prevented from protruding outside the inorganic layer 11 by the water repellent film 12 formed over the entire area of the substrate 1. The Thereby, it is possible to reliably prevent moisture from entering the organic EL element 50.

さらに、撥水処理膜12がホール注入電極2とホール輸送層4との間に延びるように設けられていることにより、撥水処理膜12がホール注入層として機能する。これにより、共通の工程により撥水処理膜12およびホール注入層を形成することができる。その結果、製造時間および製造工程を低減することができる。   Further, since the water repellent film 12 is provided so as to extend between the hole injection electrode 2 and the hole transport layer 4, the water repellent film 12 functions as a hole injection layer. Thereby, the water repellent film 12 and the hole injection layer can be formed by a common process. As a result, the manufacturing time and manufacturing process can be reduced.

なお、ホール輸送層4を設けずに、ホール輸送機能を有する撥水処理膜12を設けてもよい。   Note that the water repellent film 12 having a hole transport function may be provided without providing the hole transport layer 4.

(第5の実施の形態)
図8は第5の実施の形態に係る有機EL装置の模式図である。図8(a)は本実施の形態に係る有機EL装置の模式的平面図であり、図8(b)は本実施の形態に係る有機EL装置のC−C線断面図である。
(Fifth embodiment)
FIG. 8 is a schematic diagram of an organic EL device according to the fifth embodiment. FIG. 8A is a schematic plan view of the organic EL device according to the present embodiment, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line CC of the organic EL device according to the present embodiment.

図8(a)および図8(b)に示すように、有機EL装置200は、トップエミッション構造を有し、単一の有機EL素子により構成される。この有機EL装置200は、例えば液晶表示装置のバックライトとして用いられる。   As shown in FIGS. 8A and 8B, the organic EL device 200 has a top emission structure and is configured by a single organic EL element. The organic EL device 200 is used as a backlight of a liquid crystal display device, for example.

ガラス基板1上にホール注入電極2が形成されている。金属、合金等からなるホール注入電極2上には、有機化合物層51が形成されている。有機化合物層51は、例えばホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層の積層構造からなる。有機化合物層51上に透明導電膜からなる電子注入電極8が形成されている。なお、有機EL素子52は、ホール注入電極2、有機化合物層51および電子注入電極8を含む。   A hole injection electrode 2 is formed on the glass substrate 1. An organic compound layer 51 is formed on the hole injection electrode 2 made of metal, alloy, or the like. The organic compound layer 51 has a stacked structure of, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. An electron injection electrode 8 made of a transparent conductive film is formed on the organic compound layer 51. The organic EL element 52 includes a hole injection electrode 2, an organic compound layer 51, and an electron injection electrode 8.

また、有機化合物層51および電子注入電極8を含む領域を覆うように保護層9が形成される。保護層9が形成された後、基板1上の外周部における保護層9の外側の領域にフッ化炭素(CFx)からなる撥水処理膜12が形成されている。   Further, the protective layer 9 is formed so as to cover the region including the organic compound layer 51 and the electron injection electrode 8. After the protective layer 9 is formed, a water repellent film 12 made of fluorocarbon (CFx) is formed in a region outside the protective layer 9 on the outer peripheral portion on the substrate 1.

さらに、保護層9上および保護層9の外周部を覆うように樹脂層10が形成されている。樹脂層10上および樹脂層10の外周部を覆うように無機層11が形成されている。   Further, a resin layer 10 is formed so as to cover the protective layer 9 and the outer periphery of the protective layer 9. An inorganic layer 11 is formed so as to cover the resin layer 10 and the outer periphery of the resin layer 10.

本実施の形態においては、基板1上に配置された有機EL素子52を含む領域を覆うように樹脂層10が形成される。また、この樹脂層10上および樹脂層10の外周部を覆うように無機層11が形成される。それにより、水分が樹脂層10を通して有機EL素子52内に浸入することを防止することができる。また、封止缶を用いずに有機EL素子52を封止することができるので、有機EL装置200を薄型化することができる。   In the present embodiment, resin layer 10 is formed so as to cover a region including organic EL element 52 arranged on substrate 1. Moreover, the inorganic layer 11 is formed so that the resin layer 10 and the outer peripheral part of the resin layer 10 may be covered. Thereby, moisture can be prevented from entering the organic EL element 52 through the resin layer 10. Moreover, since the organic EL element 52 can be sealed without using a sealing can, the organic EL device 200 can be thinned.

また、撥水処理膜12が基板1上において有機EL素子52を含む領域の内側を除いて上記領域の外側に形成されているので、上記領域の外側に形成された撥水処理膜12により樹脂層10が無機層11の外側にはみ出ることが防止される。それにより、有機EL素子52内に水分が浸入することを確実に防止することができる。   Further, since the water repellent film 12 is formed on the substrate 1 outside the region except for the inside of the region including the organic EL element 52, the water repellent film 12 formed on the outside of the region is used as a resin. The layer 10 is prevented from protruding outside the inorganic layer 11. Thereby, it is possible to reliably prevent moisture from entering the organic EL element 52.

本実施の形態においては、ホール注入電極2が第1の電極に相当し、有機化合物層51が有機層に相当し、電子注入電極8が第2の電極に相当し、有機EL素子52が有機電界発光素子に相当し、有機EL装置200が有機電界発光装置に相当する。   In the present embodiment, the hole injection electrode 2 corresponds to the first electrode, the organic compound layer 51 corresponds to the organic layer, the electron injection electrode 8 corresponds to the second electrode, and the organic EL element 52 is organic. It corresponds to an electroluminescent element, and the organic EL device 200 corresponds to an organic electroluminescent device.

(第6の実施の形態)
図9は第6の実施の形態に係る有機EL装置の模式図である。図9(a)は本実施の形態に係る有機EL装置の模式的平面図であり、図9(b)は本実施の形態に係る有機EL装置のD−D線断面図である。
(Sixth embodiment)
FIG. 9 is a schematic diagram of an organic EL device according to a sixth embodiment. FIG. 9A is a schematic plan view of the organic EL device according to the present embodiment, and FIG. 9B is a sectional view taken along the line DD of the organic EL device according to the present embodiment.

図9(a)および図9(b)に示すように、有機EL装置201は、トップエミッション構造を有し、単一の有機EL素子により構成される。この有機EL装置201は、例えば液晶表示装置のバックライトとして用いられる。   As shown in FIGS. 9A and 9B, the organic EL device 201 has a top emission structure and is configured by a single organic EL element. The organic EL device 201 is used as a backlight of a liquid crystal display device, for example.

ガラス基板1上にホール注入電極2が形成されている。このホール注入電極2が形成された基板1上の全域にはフッ化炭素(CFx)からなる撥水処理膜12が形成されている。   A hole injection electrode 2 is formed on the glass substrate 1. A water repellent film 12 made of fluorocarbon (CFx) is formed on the entire area of the substrate 1 on which the hole injection electrode 2 is formed.

撥水処理膜12上には、有機化合物層51が形成されている。有機化合物層51は、例えばホール輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層の積層構造からなる。この場合、別途例えばCuPcからなるホール注入層を撥水処理膜12とホール輸送層との間に形成してもよい。   On the water repellent film 12, an organic compound layer 51 is formed. The organic compound layer 51 has, for example, a stacked structure of a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. In this case, a hole injection layer made of CuPc, for example, may be separately formed between the water repellent film 12 and the hole transport layer.

有機化合物層51上に透明導電膜からなる電子注入電極8が形成されている。なお、有機EL素子52は、ホール注入電極2、有機化合物層51および電子注入電極8を含む。   An electron injection electrode 8 made of a transparent conductive film is formed on the organic compound layer 51. The organic EL element 52 includes a hole injection electrode 2, an organic compound layer 51, and an electron injection electrode 8.

また、有機化合物層51および電子注入電極8を含む領域を覆うように保護層9が形成される。   Further, the protective layer 9 is formed so as to cover the region including the organic compound layer 51 and the electron injection electrode 8.

さらに、保護層9上および保護層9の外周部を覆うように樹脂層10が形成されている。樹脂層10上および樹脂層10の外周部を覆うように無機層11が形成されている。   Further, a resin layer 10 is formed so as to cover the protective layer 9 and the outer periphery of the protective layer 9. An inorganic layer 11 is formed so as to cover the resin layer 10 and the outer periphery of the resin layer 10.

本実施の形態においては、基板1上に配置された有機EL素子52を含む領域を覆うように樹脂層10が形成される。また、この樹脂層10上および樹脂層10の外周部を覆うように無機層11が形成される。それにより、水分が樹脂層10を通して有機EL素子52内に浸入することを防止することができる。また、封止缶を用いずに有機EL素子52を封止することができるので、有機EL装置201を薄型化することができる。   In the present embodiment, resin layer 10 is formed so as to cover a region including organic EL element 52 arranged on substrate 1. Moreover, the inorganic layer 11 is formed so that the resin layer 10 and the outer peripheral part of the resin layer 10 may be covered. Thereby, moisture can be prevented from entering the organic EL element 52 through the resin layer 10. Moreover, since the organic EL element 52 can be sealed without using a sealing can, the organic EL device 201 can be thinned.

また、撥水処理膜12が基板1上の全域に形成されているので、基板1上の全域に形成された撥水処理膜12により樹脂層10が無機層11の外側にはみ出ることが防止される。それにより、有機EL素子52内に水分が浸入することを確実に防止することができる。   Further, since the water repellent film 12 is formed over the entire area of the substrate 1, the resin layer 10 is prevented from protruding outside the inorganic layer 11 by the water repellent film 12 formed over the entire area of the substrate 1. The Thereby, it is possible to reliably prevent moisture from entering the organic EL element 52.

さらに、撥水処理膜12がホール注入電極2と有機化合物層51との間に延びるように設けられていることにより、撥水処理膜12がホール注入層として機能する。これにより、共通の工程により撥水処理膜12およびホール注入層を形成することができる。その結果、製造時間および製造工程を低減することができる。   Further, since the water repellent treatment film 12 is provided so as to extend between the hole injection electrode 2 and the organic compound layer 51, the water repellent treatment film 12 functions as a hole injection layer. Thereby, the water repellent film 12 and the hole injection layer can be formed by a common process. As a result, the manufacturing time and manufacturing process can be reduced.

なお、ホール輸送層を設けずに、ホール輸送機能を有する撥水処理膜12を設けてもよい。   The water repellent film 12 having a hole transport function may be provided without providing the hole transport layer.

本実施の形態においては、ホール注入電極2が第1の電極に相当し、有機化合物層51が有機層に相当し、電子注入電極8が第2の電極に相当し、有機EL素子52が有機電界発光素子に相当し、有機EL装置201が有機電界発光装置に相当する。   In the present embodiment, the hole injection electrode 2 corresponds to the first electrode, the organic compound layer 51 corresponds to the organic layer, the electron injection electrode 8 corresponds to the second electrode, and the organic EL element 52 is organic. It corresponds to an electroluminescent element, and the organic EL device 201 corresponds to an organic electroluminescent device.

以下、上記第1〜第4の実施の形態に基づいて実施例1〜4および比較例1,2の有機EL装置を作製し、作製された有機EL装置のエッジグロースを測定した。本実施例においては、有機EL装置の恒温恒湿試験を実施し、1000時間経過後のエッジグロースを測定した。   Hereinafter, the organic EL devices of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 were manufactured based on the first to fourth embodiments, and the edge growth of the manufactured organic EL devices was measured. In this example, a constant temperature and humidity test of the organic EL device was performed, and edge growth after 1000 hours was measured.

ここで、エッジグロースとは、初期状態(恒温恒湿試験前)の有機EL素子の発光面積に対する水分等の影響により発光しなくなった非発光面積の割合をいう。   Here, the edge growth refers to the ratio of the non-light emitting area that stops emitting light due to the influence of moisture or the like on the light emitting area of the organic EL element in the initial state (before the constant temperature and humidity test).

(1)実施例1,2および比較例1
実施例1では、第1の実施の形態に係る有機EL装置100と同様の構造を有する有機EL装置を作製し、実施例2では、第2の実施の形態に係る有機EL装置と同様の構造を有する有機EL装置を作製した。また、比較例1では、撥水処理膜12を形成しない点を除いて実施例1の有機EL装置100と同様の構造を有する有機EL装置を作製した。
(1) Examples 1 and 2 and Comparative Example 1
In Example 1, an organic EL device having the same structure as that of the organic EL device 100 according to the first embodiment is manufactured. In Example 2, the same structure as that of the organic EL device according to the second embodiment is prepared. An organic EL device having was produced. In Comparative Example 1, an organic EL device having the same structure as that of the organic EL device 100 of Example 1 was manufactured except that the water-repellent treatment film 12 was not formed.

図10は実施例1,2および比較例1の有機EL装置の恒温恒湿試験の結果を示す図である。   FIG. 10 is a diagram showing the results of the constant temperature and humidity test of the organic EL devices of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1.

図10に示すように、実施例1の有機EL装置100の1000時間経過後のエッジグロースは0.6%となった。また、実施例2の有機EL装置の1000時間経過後のエッジグロースは0.4%となった。   As shown in FIG. 10, the edge growth after 1000 hours of the organic EL device 100 of Example 1 was 0.6%. Further, the edge growth after 1000 hours of the organic EL device of Example 2 was 0.4%.

一方、比較例1の有機EL装置の1000時間経過後のエッジグロースは12%となった。   On the other hand, the edge growth after 1000 hours of the organic EL device of Comparative Example 1 was 12%.

以上の結果より、撥水処理膜12を有する有機EL装置では、撥水処理膜12を有しない有機EL装置に比べ格段にエッジグロースの値が低くなることがわかった。   From the above results, it was found that the organic EL device having the water repellent treatment film 12 has a significantly lower edge growth value than the organic EL device having no water repellent treatment film 12.

図11は実施例1,2および比較例1の有機EL装置の恒温恒湿試験による非発光部を示す図である。   FIG. 11 is a diagram illustrating a non-light-emitting portion by a constant temperature and humidity test of the organic EL devices of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1.

図11(a)の上図は実施例1の有機EL装置100の初期状態の発光部を示し、図11(a)の下図は実施例1の有機EL装置100の1000時間経過後の発光部を示す。図11(a)の下図において、点線の丸で示す部分が恒温恒湿試験により発光しなくなった非発光部分である。   11A shows the light emitting unit in the initial state of the organic EL device 100 of Example 1, and the lower part of FIG. 11A shows the light emitting unit after 1000 hours of the organic EL device 100 of Example 1. FIG. Indicates. In the lower part of FIG. 11A, the part indicated by a dotted circle is a non-light-emitting part that does not emit light by the constant temperature and humidity test.

図11(b)の上図は比較例1の有機EL装置の初期状態の発光部を示し、図11(b)の下図は比較例1の有機EL装置の1000時間経過後の発光部を示す。図11(b)の下図において、点線の丸で示す部分が恒温恒湿試験により発光しなくなった非発光部分である。   11B shows the light emitting part in the initial state of the organic EL device of Comparative Example 1, and the lower part of FIG. 11B shows the light emitting part after 1000 hours of the organic EL device of Comparative Example 1. FIG. . In the lower part of FIG. 11B, the part indicated by a dotted circle is a non-light-emitting part that does not emit light by the constant temperature and humidity test.

図11(c)の上図は実施例2の有機EL装置の初期状態の発光部を示し、図11(c)の下図は実施例2の有機EL装置の1000時間経過後の発光部を示す。図11(c)の下図において、点線の丸で示す部分が恒温恒湿試験により発光しなくなった非発光部分である。   11C shows the light emitting part in the initial state of the organic EL device of Example 2, and the lower part of FIG. 11C shows the light emitting part after 1000 hours of the organic EL device of Example 2. FIG. . In the lower part of FIG. 11 (c), the part indicated by a dotted circle is a non-light-emitting part that does not emit light by the constant temperature and humidity test.

図11(a),(b),(c)の下図にそれぞれ示すように、比較例1の有機EL装置の非発光部分は、実施例1,2の有機EL装置の非発光部分に比べ非常に大きくなっていることがわかる。   11A, 11B, and 11C, the non-light-emitting portion of the organic EL device of Comparative Example 1 is much less than the non-light-emitting portion of the organic EL devices of Examples 1 and 2, respectively. You can see that it is getting bigger.

このように、有機EL装置は、撥水処理膜12を基板1上の外周部における保護層9の外側の領域または基板1上の全域に形成することにより、有機EL素子50内への水分の浸入を十分に防止できることがわかる。   As described above, the organic EL device forms the water-repellent treatment film 12 on the outer peripheral portion of the substrate 1 on the outer region of the protective layer 9 or on the entire region of the substrate 1, thereby allowing moisture to enter the organic EL element 50. It can be seen that infiltration can be sufficiently prevented.

(2)実施例3,4および比較例2
実施例3では、第3の実施の形態に係る有機EL装置と同様の構造を有する有機EL装置を作製し、実施例4では、第4の実施の形態に係る有機EL装置と同様の構造を有する有機EL装置を作製した。また、比較例2では、撥水処理膜12を形成しない点を除いて実施例3の有機EL装置と同様の構造を有する有機EL装置を作製した。
(2) Examples 3 and 4 and Comparative Example 2
In Example 3, an organic EL device having the same structure as that of the organic EL device according to the third embodiment is manufactured. In Example 4, the same structure as that of the organic EL device according to the fourth embodiment is prepared. An organic EL device was prepared. In Comparative Example 2, an organic EL device having the same structure as that of the organic EL device of Example 3 was manufactured except that the water-repellent treatment film 12 was not formed.

図12は実施例3,4および比較例2の有機EL装置の恒温恒湿試験の結果を示す図である。   FIG. 12 is a diagram showing the results of the constant temperature and humidity test of the organic EL devices of Examples 3 and 4 and Comparative Example 2.

図12に示すように、実施例3の有機EL装置の1000時間経過後のエッジグロースは0.7%となった。また、実施例4の有機EL装置の1000時間経過後のエッジグロースは0.9%となった。   As shown in FIG. 12, the edge growth after 1000 hours of the organic EL device of Example 3 was 0.7%. Further, the edge growth after 1000 hours of the organic EL device of Example 4 was 0.9%.

一方、比較例2の有機EL装置の1000時間経過後のエッジグロースは16%となった。   On the other hand, the edge growth after 1000 hours of the organic EL device of Comparative Example 2 was 16%.

以上の結果より、撥水処理膜12を有する有機EL装置では、撥水処理膜12を有しない有機EL装置に比べ格段にエッジグロースの値が低くなることがわかった。   From the above results, it was found that the organic EL device having the water repellent treatment film 12 has a significantly lower edge growth value than the organic EL device having no water repellent treatment film 12.

このように、有機EL装置は、撥水処理膜12を基板1上の外周部における保護層9の外側の領域または基板1上の全域に形成することにより、有機EL素子50内への水分の浸入を十分に防止できることがわかる。   As described above, the organic EL device forms the water-repellent treatment film 12 on the outer peripheral portion of the substrate 1 on the outer region of the protective layer 9 or on the entire region of the substrate 1, thereby allowing moisture to enter the organic EL element 50. It can be seen that infiltration can be sufficiently prevented.

本発明は、発光素子内への水分等の浸入を防止することができる発光装置として利用することができる。   The present invention can be used as a light emitting device capable of preventing moisture and the like from entering the light emitting element.

第1、第2、第3および第4の実施の形態に係る有機EL装置の模式的断面図である。It is a typical sectional view of an organic EL device concerning the 1st, 2nd, 3rd, and 4th embodiment. 第1の実施の形態に係る有機EL装置の一部の拡大図である。1 is an enlarged view of a part of an organic EL device according to a first embodiment. 第1の実施の形態に係る有機EL装置の製造の手順を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the procedure of manufacture of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第2の実施の形態に係る有機EL装置の一部の拡大図である。It is a one part enlarged view of the organic electroluminescent apparatus concerning 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係る有機EL装置の製造の手順を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the procedure of manufacture of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施の形態に係る有機EL装置の一部の拡大図である。It is a one part enlarged view of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 第4の実施の形態に係る有機EL装置の一部の拡大図である。It is a one part enlarged view of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第5の実施の形態に係る有機EL装置の模式図である。It is a schematic diagram of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 5th Embodiment. 第6の実施の形態に係る有機EL装置の模式図である。It is a schematic diagram of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 6th Embodiment. 実施例1,2および比較例1の有機EL装置の恒温恒湿試験の結果を示す図である。It is a figure which shows the result of the constant temperature / humidity test of the organic EL apparatus of Examples 1, 2 and Comparative Example 1. 実施例1,2および比較例1の有機EL装置の恒温恒湿試験による非発光部を示す図である。It is a figure which shows the non-light-emission part by the constant temperature and humidity test of the organic EL apparatus of Example 1, 2 and the comparative example 1. FIG. 実施例3,4および比較例2の有機EL装置の恒温恒湿試験の結果を示す図である。It is a figure which shows the result of the constant temperature and humidity test of the organic EL apparatus of Example 3, 4 and the comparative example 2. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 ホール注入電極
3 ホール注入層
4 ホール輸送層
5 発光層
6 電子輸送層
7 電子注入層
8 電子注入電極
9 保護層
10 樹脂層
11 無機層
12 撥水処理膜
50,52 有機EL素子
51 有機化合物層
100,200,201 有機EL装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Hole injection electrode 3 Hole injection layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Electron transport layer 7 Electron injection layer 8 Electron injection electrode 9 Protective layer 10 Resin layer 11 Inorganic layer 12 Water repellent film 50, 52 Organic EL element 51 Organic compound layer 100, 200, 201 Organic EL device

Claims (7)

基板と、
前記基板上に配置された1または複数の発光素子と、
前記1または複数の発光素子を被覆する封止膜とを備え、
前記封止膜は、前記1または複数の発光素子を含む領域を覆うように形成された樹脂層と、
前記樹脂層上および前記樹脂層の外周部を覆うように形成された無機層とを含むことを特徴とする発光装置。
A substrate,
One or more light-emitting elements disposed on the substrate;
A sealing film covering the one or more light emitting elements,
The sealing film includes a resin layer formed so as to cover a region including the one or more light emitting elements,
And an inorganic layer formed so as to cover the resin layer and an outer peripheral portion of the resin layer.
前記基板上において少なくとも前記領域の外側に形成された撥水処理膜をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, further comprising a water repellent film formed on at least the outside of the region on the substrate. 前記撥水処理膜は、前記基板上において前記領域の内側を除いて前記領域の外側に形成されたことを特徴とする請求項2記載の発光装置。 3. The light emitting device according to claim 2, wherein the water repellent film is formed on the substrate outside the region except for the inside of the region. 前記撥水処理膜は、前記基板上の全域に形成されたことを特徴とする請求項2記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 2, wherein the water repellent film is formed over the entire area of the substrate. 前記1または複数の発光素子の各々は、基板上に第1の電極、有機層および第2の電極を順に含み、
前記撥水処理膜は、前記第1の電極と前記有機層との間に延び、キャリア注入層および/またはキャリア輸送層として機能することを特徴とする請求項4記載の発光装置。
Each of the one or more light-emitting elements includes a first electrode, an organic layer, and a second electrode in order on a substrate,
The light-emitting device according to claim 4, wherein the water repellent film extends between the first electrode and the organic layer and functions as a carrier injection layer and / or a carrier transport layer.
前記撥水処理膜は、フッ化炭素よりなることを特徴とする請求項2〜5のいずれかに記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 2, wherein the water repellent film is made of fluorocarbon. 前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting element is an organic electroluminescence element.
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