JP2003264083A - Organic led element and production process thereof - Google Patents

Organic led element and production process thereof

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JP2003264083A
JP2003264083A JP2002063814A JP2002063814A JP2003264083A JP 2003264083 A JP2003264083 A JP 2003264083A JP 2002063814 A JP2002063814 A JP 2002063814A JP 2002063814 A JP2002063814 A JP 2002063814A JP 2003264083 A JP2003264083 A JP 2003264083A
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organic
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JP2002063814A
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Japanese (ja)
Inventor
Kimitaka Ohata
公孝 大畑
Original Assignee
Sharp Corp
シャープ株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the utilization efficiency of light and display quality and achieve a long life. <P>SOLUTION: The organic LED element comprises a metal electrode, a transparent electrode and an organic layer held between both electrodes, and at least one of a metal oxide and a metal salt is mixed into at least one of the metal electrode and the organic layer. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、有機LED素子とその製造方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to an organic LED element and a manufacturing method thereof. 【0002】 【従来の技術】電気信号に対して素早く応答し、多色化が容易なカラー表示装置として有用な有機LED素子は、近年実用化に向けて大きく前進している。 [0002] quickly respond to the Related Art Electrical signals, useful organic LED element as a multi-color easy color display device is significant progress towards the recently commercialized. 有機LE Organic LE
D素子は、自発光であるため視認性が高く、また有機材料を主たる原料であるため分子設計が幅広く、多色化が容易である。 D element is self-luminous and is for high visibility and molecular design is widely because it is mainly raw organic materials, it is easy to multiple colors. 【0003】また、完全固体素子であるため、耐衝撃性に優れるとともに取り扱いが容易であるなどの優れた特性を有し、面光源やディスプレイ、プリンターの光源への応用が進められている。 [0003] For completeness solid element, has excellent properties such as handling is easy with excellent impact resistance, surface light source and display, the application to a light source of a printer has been promoted. 【0004】一般的な有機LED素子は、陽極/発光層/陰極を基本構造とし、さらに正孔輸送層や電子輸送層を導入したもの、例えば陽極/正孔輸送層/発光層/陰極や陽極/発光層/電子輸送層/陰極、あるいは、陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極などの構成が知られている。 A common organic LED element, the anode / light emitting layer / cathode as a basic structure, and further the introduction of a hole transport layer and an electron transporting layer, for example, anode / hole transport layer / luminescent layer / cathode and an anode / light emitting layer / electron transporting layer / cathode or the configuration of such anode / hole transporting layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode is known. これら有機材料は、一般に湿気や熱に対して耐久性が低いため、信頼性向上のため封止工程を必要とする。 These organic materials generally has low durability to moisture and heat, and requires a sealing step for reliability improvement. 【0005】これらの有機LED素子は一般的に透明電極(例えばITO)上に順に/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極を形成する。 [0005] To form these organic LED element is generally transparent electrode (e.g. ITO) in this order on / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode. 【0006】また、フルカラーディスプレイを作成するにあたり、発光層をR,G,Bに塗分ける必要がある。 [0006] In preparing a full-color display, a light emitting layer R, G, is necessary to divide the coating into B.
R,G,Bを塗り分ける方法としては、マスク蒸着法やインクジェット法、印刷法、レーザー転写法などが知られる。 R, G, as a method of separately applying the B, the mask evaporation method, an inkjet method, a printing method, a laser transfer method and the like are known. 【0007】 【発明が解決しようとする課題】有機LED素子をTF [0007] The present invention is to provide a an organic LED element TF
T素子を有する基板に設けてアクティブ駆動を行なう場合、従来の素子の形成では基板側から光を取り出すため、TFT素子付きの基板の開口率が小さい場合では、 If provided on the substrate having a T element performs active drive, since the formation of the conventional device in which light is extracted from the substrate side, in the case the aperture of the substrate with TFT elements is small,
1画素あたりの輝度を大きくする必要がある。 It is necessary to increase the brightness of each pixel. この場合、輝度を高めるための大きな電流値を必要としそれにより寿命が短くなる欠点がある。 In this case, there is a great current need a disadvantage that it by the life is shortened to enhance the brightness. 【0008】そのため、TFT素子付きの基板上に金属電極を設け、かつ、基板と対向する側に透明電極を設けて、透明電極側から光を取り出す方法が開示されている(Asia Display/IDW'01p.p.1395-1398)。 [0008] Therefore, the metal electrodes provided on the substrate with TFT elements, and provided with a transparent electrode on the side facing the substrate, a method in which light is taken out from the transparent electrode side is disclosed (Asia Display / IDW ' 01p.p.1395-1398). 【0009】しかしながら、TFT素子付き基板を用いる場合、単に対向電極を透明し、従来の素子の作成順序を変えただけでは、商品に耐えうるような良好な特性を得ることが難しい。 However, when using TFT elements with the substrate, only the counter electrode transparent, only changing the creation order of the conventional device, it is difficult to obtain good characteristics as withstand product. 【0010】例えば、TFT素子付きの基板に金属電極を設け、この金属電極に電子輸送性発光層/ホール輸送層をこの順に形成し、基板と対向する電極から光取り出しを行なう場合、従来のように電子輸送性発光層が撥水性、ホール輸送層が親水性である材料系では、疎水性である電子輸送性発光層を先に成膜するため、スピンコート法やインクジェット法では、水溶性ホール輸送層を均一に成膜することができず、均一な発光を得ることができない。 [0010] For example, a metal electrode provided on the substrate with TFT elements, the electron transport luminescent layer / hole transport layer to the metal electrode are formed in this order, when performing the light extraction from the substrate and the opposed electrodes, as in the prior art to the electron-transport luminescent layer is water-repellent, material system that is a hole transporting layer is hydrophilic, for forming an electron transporting light emitting layer is hydrophobic above, in the spin coating method, an inkjet method, a water-soluble hole can not be uniformly deposited transport layer, it is impossible to obtain uniform light emission. また、電子輸送性発光層、ホール輸送層乾燥時に金属電極が酸化する可能性がある。 Further, the electron-transport luminescent layer, there is a possibility that the metal electrode is oxidized during the hole-transporting layer dried. 【0011】そこで、この発明では、転写用フィルム上にホール輸送層、電子輸送性発光層をこの順に形成し、 [0011] Therefore, in this invention, a hole transport layer on the transfer film on the electron-transporting luminescent layer are formed in this order,
レーザー転写方式を用いて、金属電極(陰極)上に少なくとも有機層と透明電極の形成を行ない、金属電極上に電子輸送性発光層/ホール輸送層をこの順に形成することを特徴とする。 Using a laser transfer method, it performs formation of at least the organic layer and the transparent electrode on the metal electrode (cathode), thereby forming an electron transporting light emitting layer / hole-transporting layer in this order on a metal electrode. さらに、金属電極および有機層の少なくとも一部に金属酸化物、金属塩を含めることにより、 Furthermore, the metal oxide on at least a portion of the metal electrode and the organic layer, by the inclusion of metal salts,
特性の良好な有機LED素子を提供するものである。 And it provides a good organic LED element characteristics. 【0012】 【課題を解決するための手段】この発明は、金属電極と、透明電極と、両電極に挟まれた有機層とを備え、かつ、少なくとも有機層の一部を転写法にて形成する有機 [0012] According to an aspect of the present invention, formed a metal electrode, a transparent electrode, and a organic layer sandwiched two electrodes, and at at least a portion of the organic layer transfer method organic to
LED素子において、金属電極および有機層の少なくとも一方に、金属酸化物および金属塩の少なくとも一方が混合されてなることを特徴とする有機LED素子を提供する。 In the LED element, to at least one of the metal electrode and the organic layer provides an organic LED element, characterized in that at least one is formed by mixing metal oxides and metal salts. 【0013】金属電極が、金属材料と金属酸化物および金属塩の少なくとも一方との混合物から形成されてもよい。 [0013] Metal electrodes may be formed from a mixture of at least one metal material and a metal oxide and a metal salt. 有機層が少なくともその一部に金属酸化物および金属塩の少なくとも一方を含んでもよい。 The organic layer may include at least one of metal oxides and salts in at least a portion thereof. 【0014】金属電極および有機層が、それら一部に金属酸化物および金属塩の少なくとも一方を含んでもよい。 [0014] Metal electrodes and the organic layer may include at least one of metal oxides and metal salts in a part thereof. 有機層が電子輸送層を備え、電子輸送層に金属酸化物および金属塩の少なくとも一方が混合されてなることが好ましい。 The organic layer includes an electron transport layer, at least one of metal oxides and metal salts in the electron transporting layer is preferably formed by mixing. 【0015】封止膜をさらに備え、封止膜は中空層を介して透明電極の上に形成されてもよい。 [0015] The sealing film further comprising a sealing film may be formed on the transparent electrode through the hollow layer. 中空層は厚さが5〜100μmであってもよい。 Hollow layer thickness may be 5 to 100 [mu] m. 【0016】複数の画素を形成するための隔壁を基板上にさらに備え、封止膜が隔壁を支台として形成されていることが好ましい。 [0016] The partition wall for forming a plurality of pixels further comprising on the substrate, it is preferable that the sealing film is formed a partition wall as abutment. アクティブ駆動用素子を備えた基板をさらに備え、金属電極と透明電極に挟まれた有機層がその基板上に形成されてなることが好ましい。 Further comprising a substrate having an active driving element, it is preferable that the organic layer sandwiched between the metal electrode and the transparent electrode is formed on the substrate. 金属電極が支持基板表面に形成され、有機層が金属電極側から疎水性材料、親水性材料の順番で形成されてもよい。 Metal electrodes are formed on the support substrate surface, the organic layer is hydrophobic material from the metal electrode side, it may be formed in the order of hydrophilic material. また、この発明は、有機層を少なくとも親水性材料と疎水性材料から形成し、疎水性材料の形成後に親水性材料を形成することを特徴とする有機LED素子の製造方法を提供するものである。 Further, the present invention is to provide a method for producing an organic LED element, characterized in that the organic layer is formed from at least a hydrophilic material and a hydrophobic material to form a hydrophilic material after formation of the hydrophobic material . 【0017】 【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。 [0017] will be described with reference to the accompanying drawings of embodiments of the embodiment of the present invention. 図1は、本発明に係る有機EL素子の基本的な構成を示す断面図である。 Figure 1 is a sectional view showing the basic structure of the organic EL element according to the present invention. 同図に示すように、有機EL素子は、隔壁3を有する支持基板1に第一電極(金属電極)2を形成し、有機層14と、第二電極(透明電極)10とを積層し、封止膜6により封止し、第二電極10と封止膜6との間には中空のギャップ5を設けた構成となっている。 As shown in the figure, the organic EL element, the first electrode (metal electrode) 2 formed on the supporting substrate 1 having a partition wall 3, the organic layer 14, and a second electrode (transparent electrode) 10 are stacked, sealed with sealing film 6, and has a structure in which a hollow gap 5 between the second electrode 10 and the sealing film 6. ここで、第二電極10と封止膜6との中空のギャップは、有機層4と基板1との間の導波モードと消滅させ、正面方向への光の取り出し効率を高める構成となっている。 Here, a hollow gap between the second electrode 10 and the sealing film 6, quenched with waveguide mode between the organic layer 4 and the substrate 1, is configured to increase the light extraction efficiency in the front direction there. そして、特にこの発明では、第1電極2および有機層14の少なくとも一方に金属酸化物および金属塩の少なくとも一方が混合される。 Then, especially in the present invention, at least one of metal oxides and salts in at least one of the first electrode 2 and the organic layer 14 are mixed. 【0018】支持基板1の材料は、従来の有機EL素子用に使用されているものであれば特に限定されるものではない。 The material of the supporting substrate 1 is not limited in particular as long as it is used for conventional organic EL devices. また、支持基板1には、アクティブ駆動用素子7(例えばTFT素子など)を備えてもよい。 Further, the support substrate 1 may comprise an active driving element 7 (for example, TFT elements). 支持基板1はコントラスト向上のため、黒色または可視光の吸収が大きい基板が好ましい。 Supporting substrate 1 for contrast improvement, the substrate absorbs a large black or visible light are preferred. 【0019】支持基板1の材料としては、例えば石英、 Examples of the material for the support substrate 1, for example quartz,
ソーダガラス、セラミック材料、シリコン基板等の無機材料、ポリイミド、ポリエステル等の有機材料が挙げられる。 Soda glass, ceramic materials, inorganic materials such as silicon substrate, a polyimide, and organic materials such as polyester. 【0020】また、有機層4からの発光は支持基板1に対して逆方向に取り出されるため、各画素における開口率を稼ぐためのアクティブ駆動用素子の数や大きさ、配置などの制約を受けないので、アクティブ駆動用素子7 Further, since the light emitted from the organic layer 4 to be taken out in the opposite direction to the supporting substrate 1, the number and size of the active driving element to earn the aperture ratio of each pixel, the constraints such arrangement receiving since there is no, active driving element 7
をより自由に設計を行うことができる。 It is possible to perform more freely designed. また、支持基板1に位置合わせ用のマーカーを付けておくと、より正確に有機層4、電極2,10のパターニングができるため特に好ましい。 Further, when the left with a marker for positioning the support substrate 1, particularly preferred since it is more accurate organic layer 4, the patterning of the electrodes 2,10. 【0021】第一電極2は、特に限定するものではないが、1種類以上の金属材料から形成され、例えば、マグネシウム、リチウム、カルシウム、銀、アルミニウム、 [0021] The first electrode 2 is not particularly limited, is formed from one or more metallic materials, for example, magnesium, lithium, calcium, silver, aluminum,
インジウム、セシウム、銅などが挙げられる。 Indium, cesium, copper and the like. 【0022】また、第一電極2を構成する金属材料に混合する金属酸化物、又は金属塩は、特に限定するのではなく、例えば、LiF,Li 2 O,CsFなどが挙げられる。 Further, the metal oxide is mixed into the metal material constituting the first electrode 2, or a metal salt is not particularly limited, for example, LiF, Li 2 O, CsF, and the like. 支持基板1と対向する第二電極10は、可視光における透過率が80%であることが好ましく、その材料としては、インジウム−すず酸化物(ITO)やSnO Second electrode 10 that faces the supporting substrate 1 is preferably transmittance in the visible light is 80%, as the material thereof, indium - tin oxide (ITO) or SnO
2 、酸化亜鉛酸化インジウム、酸化亜鉛アルミニウム、 2, zinc oxide indium oxide, zinc aluminum oxide,
クロム、金などが挙げられる。 Chromium, such as gold and the like. 【0023】隔壁3は、上下リークやクロストークの防止、画素間における有機材料混合防止のためのブロック膜及び封止膜と第二電極との中空ギャップを設けるためのスペーサーとして機能し、画素部の周囲または一部に存在しすることが望ましい。 The partition wall 3, prevents the upper and lower leakage or crosstalk, and functions as a spacer for providing a hollow gap between the block layer and the sealing film and the second electrode for the organic material preventing mixing between pixels, a pixel portion it is desirable to be present in or around a part of. 隔壁3はその大きさ、形状を限定するものではない。 Septum 3 is its size, it does not limit the shape. 【0024】また、隔壁3の高さは、第二電極10と封止膜6との間に中空のギャップ5を得るために5〜10 Further, the height of the partition wall 3, in order to obtain a hollow gap 5 between the second electrode 10 and the sealing film 6 5-10
0μmが好ましい。 0μm is preferable. 隔壁3の高さが5μmより小さいと封止膜6の貼り付け工程時に第二電極10や有機層4に傷を付ける可能性があり、好ましくない。 The height of the partition wall 3 may scratch the second electrode 10 and the organic layer 4 during attaching process of 5μm smaller and the sealing film 6, it is not preferred. また、その高さが100μmより大きいと、封止膜6と第二電極10 Moreover, its height is greater than 100 [mu] m, the sealing film 6 and the second electrode 10
との間に均一なギャップを得ることが困難になるだけで、光の取り出し効率はあまり変わらない。 To obtain a uniform gap only difficult, light extraction efficiency does not change much between. 【0025】このような、隔壁3の材料としては、Si [0025] As such a material of the partition wall 3, Si
2 ,SiNなどの無機材料やポリイミドやフォトレジストなどの有機材料が挙げられるが、これらを組みあわせて用いてもよい。 O 2, organic materials such as inorganic materials, polyimide or photoresist such as SiN, but are exemplified, may be used in combination of these. さらに、隔壁3はブラックマトリックスを兼ねていてもよい。 Further, the partition walls 3 may also serve as a black matrix. また、隔壁3の形成工程は、 The step formation of the partition walls 3,
有機層4の形成前、形成後どちらでもよく、特に限定するものではない。 Before the formation of the organic layer 4, may be either after formation, it is not particularly limited. 【0026】有機層14は単層構造でも多層構造でもよく、たとえば下記の構成が挙げられる。 The organic layer 14 may be a multilayer structure have a single-layer structure include, for example, the following configurations. (1)有機発光層(2)ホール輸送層/有機発光層(3)有機発光層/電子輸送層(4)ホール輸送層/有機発光層/電子輸送層(5)ホール注入層/ホール輸送層/有機発光層/電子輸送層【0027】有機発光層は、単層、積層のどちらでも良く、また低分子、高分子、低分子と高分子とのハイブリットのいずれでもよい。 (1) Organic luminescent layer (2) Hole transport layer / organic light emitting layer (3) Organic light emitting layer / electron transporting layer (4) Hole-transporting layer / organic emission layer / electron transport layer (5) Hole injection layer / hole transport layer / organic emission layer / electron transport layer [0027] the organic light-emitting layer may be a single layer, either stacked well, also low molecular, polymeric, may be either a hybrid of low molecular and polymer. また、注入材料、電荷制限材料などの無機材料を挿入してもよい。 Further, injecting material may be inserted an inorganic material such as a charge limiting material. 【0028】有機発光材料としては、低分子発光材料として、8−ヒドロキシキノリロール誘導体やチアゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、キナクリドン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、スピロ化合物、 Examples of the organic luminescent material, a low molecular luminescent material, 8-hydroxyquinolinate roll derivatives and thiazole derivatives, benzoxazole derivatives, quinacridone derivatives, styryl arylene derivatives, perylene derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, triphenylamine derivatives, spiro compounds,
蛍光性金属錯体、師ロール誘導体が挙げられる。 Fluorescent metal complexes, and rolled derivatives. 【0029】また、高分子発光材料としては、ポリパラフィニレンビニレン(PPV)誘導体やポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン誘導体が挙げられる。 Further, as the polymer light emitting material, poly-p-Fini vinylene (PPV) derivative, polyvinyl carbazole (PVK), polyfluorene derivatives, polythiophene derivatives. 【0030】また、これらの材料を組み合わせたり、ドーバント材料、例えばクマリン誘導体やキナクリドン誘導体、公知のレーザー用色素などの添加剤を組み合わせてもよい。 Further, or a combination of these materials, Dobanto materials such coumarin derivatives and quinacridone derivatives, may be combined additive such as known laser dye. 【0031】ホール輸送層の材料としては、例えばトリフェニルアミン誘導体やPPV誘導体、PVK、ポリアニリン、PEDOT/PSSなどの導電性高分子、p型半導体材料などが挙げられる。 [0031] As the material of the hole transport layer is, for example triphenylamine derivatives or PPV derivatives, PVK, polyaniline, conductive polymers such as PEDOT / PSS, etc. p-type semiconductor material. 【0032】電子輸送層の材料としては、オキサジアゾール誘導体や有機金属錯体、PPV誘導体などが挙げられる。 [0032] As the material of the electron transport layer include oxadiazole derivatives, organic metal complexes, such as PPV derivatives. なお、有機層14の一部に金属酸化物、および/ The metal oxide portion of the organic layer 14, and /
又は金属塩を混合する場合には、電子輸送層に混合することが好ましい。 Or when mixing the metal salt is preferably mixed in the electron transport layer. 【0033】封止膜6の封止方法は特に限定するものではなく、封止用キャップを貼り合わせたり、有機物や無機物によるパシべーション、ラミネートによる封止などが挙げられるが、封止膜6側から発光を得るために透明性が高いことが好ましく、封止膜6の材料としては、ガラス、PETフィルムなどが挙げられる。 The sealing method of the sealing film 6 is not particularly limited, or attaching a sealing cap, base Pasi by organic or inorganic Shon, although such sealing may be mentioned by lamination, the sealing film 6 it is preferred high transparency in order to obtain light emission from the side, as the material of the sealing film 6, glass, PET film. 【0034】また、第二電極10と封止膜6との間にギャップ5を設ける必要があり、このギャップ5は封止膜6と隔壁3の頂部との間が5〜100μmとなるよう形成される。 Further, it is necessary to provide a gap 5 between the second electrode 10 and the sealing film 6, formed as the gap 5 which is between the top of the sealing film 6 and the partition 3 becomes 5~100μm It is. 封止時の環境は、そのまま、第二電極10と封止膜6との中空のギャップ中を満たすことになるために、乾燥した不活性ガス中にて行なう必要がある。 Environment during sealing, it is, in order to thereby meet the second electrode 10 and the sealing film 6 with the hollow in the gap, the need to carry out in an inert gas drying. このような不活性ガスとして、窒素、アルゴン、ヘリウム等が挙げられる。 As such inert gas, nitrogen, argon, helium and the like. 【0035】また、封止膜6は必要に応じて偏向板を兼ねてもよい。 Further, the sealing film 6 may also serve as a deflector plate if necessary. さらに、防湿材などと組み合わせてもよい。 In addition, it may be combined with, such as moisture-proof material. 【0036】図2は、この発明による有機LED素子の一例を示す図1対応図である。 [0036] FIG. 2 is a diagram 1 corresponding view showing an example of an organic LED element according to the present invention. 図2の構成においては、 In the configuration of FIG. 2,
第一電極21は、従来の第1電極を形成する金属材料と金属酸化物又は金属塩(LiF,Li 2 Oなど)とを混合することにより形成される。 The first electrode 21 is formed by mixing and forming a conventional first electrode metal material and a metal oxide or metal salt (LiF, Li 2 O, etc.). 図1に示す有機層14が図2では有機発光層4とホール輸送層9から構成される。 The organic layer 14 shown in FIG. 1 is comprised of Fig. 2, the organic light emitting layer 4 and the hole transport layer 9. その他の構成は図1のものと同等である。 Other configurations are the same as those of FIG. 【0037】図3は、この発明による有機LED素子の他の例を示す図1対応図である。 [0037] FIG. 3 is a diagram 1 corresponding view showing another example of the organic LED element according to the present invention. 図3の構成においては、図1に示す有機層14が、電子輸送層22と、有機発光層4と、ホール輸送層9から構成され、電子輸送層22は、一般的な電子輸送層形成材料と金属酸化物又は金属塩(LiF,Li 2 Oなど)とを混合することにより形成される。 In the configuration of FIG. 3, the organic layer 14 shown in FIG. 1, an electron transport layer 22, an organic luminescent layer 4 is composed of a hole transport layer 9, an electron-transporting layer 22, the general electron-transporting layer-forming material It is formed by a metal oxide or a metal salt (LiF, Li 2 O, etc.) and mixing. その他の構成は図1のものと同等である。 Other configurations are the same as those of FIG. 【0038】図4は、この発明による有機LED素子のさらに他の例を示す図1対応図である。 [0038] FIG. 4 is a diagram 1 corresponding view showing still another example of the organic LED element according to the present invention. 図4の構成においては、第1電極21が図2に示す第1電極21と同等の材料で形成され、有機層14が図3のものと同様に、 In the configuration of FIG. 4, the first electrode 21 is formed in the same material as the first electrode 21 shown in FIG. 2, similar to the organic layer 14 of FIG. 3,
電子輸送層22と、有機発光層4と、ホール輸送層9から構成され、電子輸送層22は、図3に示す電子輸送層22と同等の材料で形成される。 An electron transport layer 22, an organic luminescent layer 4 is composed of a hole transport layer 9, the electron transport layer 22 is formed by the equivalent material and the electron transporting layer 22 shown in FIG. 【0039】次に本発明による有機EL素子の製造方法を図5を用いて説明する。 [0039] Next a method of manufacturing an organic EL device according to the present invention will be described with reference to FIG. まず、アクティブ駆動用素子(TFT素子)7をガラス基板(支持基板上)1に公知の方法にて形成する。 First, it is formed by a known method an active driving element (TFT element) 7 glass substrate (support substrate) 1. このとき、アクティブ駆動用素子7は有機、無機どちらでもよく特に限定するものではない。 In this case, the active driving element 7 is not intended to organic, inorganic either good particularly limited. さらに第一電極21として、金属材料とそれに混合させる金属酸化物又は金属塩とをスパッタ法、真空蒸着法、MOCVD法など公知の方法にて形成する。 Further as the first electrode 21, a metal material and sputtering a metal oxide or a metal salt is mixed with it, a vacuum deposition method, is formed by a known method such as MOCVD method. 【0040】つづいて、図5(a)に示すようにフォトリソグラフィー法など公知の方法によりストライプ状などの所定の形状・サイズに第一電極21をパターニングする。 [0040] Subsequently, patterning the first electrode 21 to a predetermined shape and size, such as 5 stripes by a known method such as photolithography as shown in (a). 【0041】続いて図5(b)に示すように隔壁3を、 [0041] Then the partition wall 3 as shown in FIG. 5 (b),
例えばフォトリソグラフィー法、印刷法、レーザーによる転写法などにより形成する。 For example photolithography method, a printing method, formed by a transfer method using laser. ここで第一電極21と隔壁3の形成順は特に限定するものではなく、隔壁3を形成してから第一電極21を形成してもよい。 Wherein the first electrode 21 and the partition wall 3 of the forming order is not particularly limited, it may be formed first electrode 21 to form a partition wall 3. 【0042】続いて、公知の方法にて基板洗浄を必要に応じて行なう。 [0042] Then, performed if necessary a substrate cleaning in a known manner. これらの基板洗浄方法としては、例えば超音波洗浄、シャワー洗浄、蒸気洗浄、UVオゾン洗浄、プラズマ洗浄にて基板の洗浄を行なう。 These substrate cleaning method, for example, ultrasonic cleaning, shower cleaning, vapor cleaning, UV ozone cleaning, to clean the substrate by plasma cleaning. また、これらの洗浄工程において第一電極21の表面が酸化した場合には、これらの金属酸化膜の膜厚が厚すぎると有機L Further, in these washing steps in the case where the surface of the first electrode 21 is oxidized, the thickness of the metal oxide film is too thick organic L
EDの駆動電圧が上昇するため、好ましくない。 Since the driving voltage of ED increases, which is not preferable. そのため、逆スパッタやエッチングなどにより酸化膜を剥離する必要がある。 Therefore, it is necessary to peel the oxide film due to reverse sputtering or etching. この時、必ずしも酸化膜すべてを剥離する必要はなく、酸化膜の膜厚は100Å以下であればよい。 In this case, it is not necessary to peel all oxide film, the thickness of the oxide film may be at 100Å or less. 【0043】次に、図1に示す有機層14の成膜を行なう。 [0043] Next, the deposition of the organic layer 14 shown in FIG. 有機層14の成膜は、真空蒸着法などの乾式法やスピンコート法、インクジェット法、印刷法などの塗布法、レーザーなどを用いた転写法などの公知の方法にて行ない、有機層14を積層とするのであれば、上記方法繰り返して行なってもよいし、組み合わせて行なってもよい。 Deposition of the organic layer 14, a dry method or a spin coating method such as a vacuum evaporation method, an inkjet method, a coating method such as printing method, performed by a known method such as a transfer method using a laser, an organic layer 14 if for a laminated, may be carried out repeatedly the process may be conducted in combination. また、必要に応じてLiFやLi 2 O、CsFなどの金属酸化物、金属塩を積層してもよい。 If necessary LiF or Li 2 O, metal oxides such as CsF, may be laminated metal salt. 【0044】ここで、ウェットプロセスにて有機LED [0044] In this case, an organic LED by wet process
素子を作成する場合、有機材料を溶解させた塗液と電極との反応や電極の酸化、疎水性材料と親水性材料との積層では、濡れ性の違いによる膜厚むらが生じやすいため、スピンコート法やインクジェット法よりもレーザーによる転写法による形成が特に好ましい。 For when creating a device, oxidation of the reaction and the electrode of the coating liquid and the electrode prepared by dissolving an organic material, the lamination of the hydrophobic and hydrophilic materials, prone to uneven thickness due to difference in wettability, spin formed by the transfer method using a laser than coating method, an inkjet method is particularly preferable. 【0045】レーザーによる転写法では、まず有機層1 [0045] In the transfer method using a laser, first organic layer 1
4を、少なくともベースフィルム、つまり熱伝播層、剥離層を含む多層構成からなる転写用フィルムに、例えばスピンコート法やインクジェット法、印刷法にて形成する。 4, at least the base film, i.e. heat spreader layer, a transfer film comprising a multilayer structure including a release layer, formed, for example, spin coating method, an inkjet method, by a printing method. 【0046】この場合、転写フィルム上にホール輸送層9、有機発光層4を形成するため、ホール輸送層9が親水性、有機発光層4が撥水性であっても均一に成膜することができる。 [0046] In this case, the hole transport layer 9 on the transfer film, for forming an organic light-emitting layer 4, the hole-transporting layer 9 is hydrophilic, that the organic light emitting layer 4 is formed uniformly even water repellent it can. 【0047】形成した転写用フィルム11を最表面(この場合有機発光層14)と第一電極21が接するように基板1上に貼り合わせる。 [0047] bonding a transfer film 11 which is formed on the substrate 1 as the outermost surface (in this case the organic light emitting layer 14) is first electrode 21 in contact. この時、基板1と転写用フィルム11を貼り合わせる際に基板1と転写用フィルム1 At this time, film for transfer to the substrate 1 when bonding the transfer film 11 and the substrate 1 1
1との間に気泡が残らないようにすることが好ましい。 It is preferable not to leave air bubbles between 1.
気泡が残ってしまうと転写が旨くいかず、所望するパターン及び膜厚に転写が行われないことがある。 Ikazu well is transferred leaves a bubble may not been transferred to the desired pattern and thickness. 脱気を行う方法は、例えば基板1と転写用フィルム11との間を真空ポンプにて脱気したり、基板1上に転写用フィルム11をセットした後に転写用フィルム11上からローラーを転がして脱気してもよく、これらを合わせて行うことが好ましい(図4(c))。 Method of performing deaeration, for example, to degassed with a vacuum pump between the substrate 1 and the transfer film 11, and roll the roller from the transfer film 11 after setting the transfer film 11 on the substrate 1 may be degassed, it is preferably carried out together, (FIG. 4 (c)). 【0048】続いてレーザー12を照射して、転写を行う。 [0048] followed by irradiation with a laser 12, perform the transfer. このときレーザーは、転写を行う部分に照射する。 Laser this time, irradiated to a part for performing transfer.
すなわち、レーザーが照射された所だけが転写される(図4(d))。 That is, only where the laser is irradiated is transferred (FIG. 4 (d)). 【0049】このとき、レーザーの出力は特に限定するものではないが、出力が大きいと有機材料にダメージを与えてしまうので好ましくない。 [0049] In this case, although not the power of the laser is particularly limited, undesirable output resulting in damage to the organic material to be greater. また、出力が小さすぎると、転写が不十分でまだらに転写してしまったりする可能性があり好ましくない。 When the output is too small, there is a possibility that or transcription accidentally transferred to insufficient mottled undesirable. 【0050】また、用いるレーザーの種類は特に限定するものではなく、例えばYAGレーザーや半導体レーザーなどが挙げられるが、レーザーの出力が安定しているものが好ましく、用いるレーザーの波長においてもなんら限定するものではない。 [0050] The type of laser used is not particularly limited, for example a YAG laser or a semiconductor laser and the like, preferably has an output of the laser is stable, to limit any at the wavelength of the laser used not. 転写を部分にレーザーを照射した後に転写用フィルムを剥離することにより有機層1 The organic layer 1 by peeling off the transfer film after the irradiation with the laser to the part of the transfer
4の形成が終了する(図4(e))。 4 formation is completed (FIG. 4 (e)). 【0051】これらの転写工程は、電極の酸化や有機層の劣化を抑えるために乾燥した不活性ガス中にて行なうことが特に好ましい。 [0051] These transcription step is particularly preferably carried out in an inert gas drying in order to suppress the deterioration of the oxide and the organic layer of the electrode. 第一電極21と対向する第二電極10(図1)は、レーザー12による転写法にて有機層14と同時に形成しても良いし、有機層14を形成後、 Second electrode 10 facing the first electrode 21 (FIG. 1) may be formed simultaneously with the organic layer 14 at the transfer method using a laser 12, after forming the organic layer 14,
例えば空蒸着法やスパッタ法、塗布法、印刷法など公知の方法にて成膜してもよい。 For example air-vapor deposition method or a sputtering method, a coating method, it may be formed by a known method such as printing method. 【0052】封止膜6の形成は、絶縁膜の一部を支台として利用し、第二電極10と封止膜6との間に均一な中空なギャップが生じるように行なわなければならない(図4(f))。 [0052] The sealing film 6 formed, using a part of the insulating film as an abutment, must be performed as a hollow gap uniform is generated between the second electrode 10 and the sealing film 6 ( Figure 4 (f)). この時、封止膜固定用の接着剤には、 At this time, the adhesive for sealing film fixed,
熱硬化性接着剤、紫外線硬化性接着剤などを使用できる。 Thermosetting adhesive, such as UV curable adhesives can be used. 【0053】 【実施例】以下、図1〜図4を参照してこの発明の実施例を詳述する。 [0053] [Embodiment] Hereinafter, with reference to FIGS detailing an embodiment of the present invention. これによって、この発明が限定されるものではない。 Thus, it not intended that the present invention is not limited. 実施例1 TFT素子付きのガラス基板(厚さ0.7mm)上に第一電極2としてアルミニウムとLiF(10wt%)の共蒸着膜(厚さ150nm)を抵抗加熱法にて成膜した後、フォトリソグラフィー法にて画素を形成し、第一電極付きの支持基板1を作成した。 After forming in Example 1 a co-deposition film (thickness 150 nm) a resistance heating method of aluminum and LiF as the first electrode 2 on a glass substrate with a TFT element (thickness 0.7mm) (10wt%), forming a pixel by photolithography to prepare a supporting substrate 1 with the first electrode. 続いて、第一電極付き支持基板1上に画素を囲うように隔壁3としてSiO 2 Subsequently, SiO on the first electrode with the supporting substrate 1 as a partition wall 3 so as to surround the pixel 2
をフォトリソグラフィー法にて7μmの厚さに成膜した。 It was formed to a thickness of 7μm by photolithography. 【0054】一方、転写用フィルムとして、まず、ベースフィルム上に光一熱変換層としてカーボンを分散させたエポキシ樹脂層を5μmの厚さにスピンコート法にて成膜し室温にて乾燥した。 On the other hand, as the transfer film was first dried at deposited at room temperature by spin coating to a thickness of 5μm an epoxy resin layer containing dispersed carbon as Koichi heat conversion layer on the base film. 続いて、剥離層としてポリα Then, poly-α as a release layer
メチルスチレン膜を1μmの厚さにスピンコート法にて成膜し室温乾燥を行なった。 It was deposited by spin coating methylstyrene film to a thickness of 1μm was performed at room temperature drying. 【0055】このようにして作成した転写用フィルム上に第二電極10として酸化亜鉛酸化インジウム膜をDC [0055] The thus as the second electrode 10 on the transfer film prepared zinc oxide indium oxide film DC
マグネトロンスパッタ法にて150nmの厚さに成膜した。 It was deposited to a thickness of 150nm by magnetron sputtering. このように転写用フィルム上に第二電極10を形成した後、第二電極10の表面にUV−オゾン洗浄を15 After forming the second electrode 10 in this way transfer film onto the UV- ozone cleaning the surface of the second electrode 10 15
分間施した。 It was subjected minutes. 【0056】続いてホール輸送層9としてPEDOT/ [0056] as a hole transport layer 9 followed PEDOT /
PSS(溶媒:水)を30nmの厚さにスピンコート法にて成膜後、窒素雰囲気下において130℃の温度で5 PSS: After the film formation (solvent water) to a thickness of 30nm by spin coating, at a temperature of 130 ° C. in a nitrogen atmosphere 5
分間乾燥した。 Minutes and then dried. 【0057】その後、有機発光層4としてポリフルオレン誘導体(溶媒:トルエン)を80nmの厚さにスピンコート法にて成膜し、窒素雰囲気下において130℃の温度で1時間乾燥し、転写用フィルムを作成した。 [0057] Thereafter, a polyfluorene derivative as the organic light emitting layer 4 (solvent: toluene) was deposited by spin coating to a thickness of 80 nm, and dried for 1 hour at a temperature of 130 ° C. under a nitrogen atmosphere, the transfer film It was created. 【0058】このように作成した転写用フィルムを前記のように準備した支持基板1にセットした後に転写用フィルム上をローラーにて転写用フィルムと第一電極付き基板1との間の脱気を行ないながら転写用フィルムと第一電極付き基板1の間を真空ポンプにて脱気を行なった。 [0058] The degassing between the transfer film and with the first electrode substrate 1 and the transfer film on at roller after setting the transfer film prepared in this manner the supporting substrate 1 prepared as described above during the transfer film and the first electrode with the substrate 1 while performing was subjected to deaeration in a vacuum pump. 【0059】その後、転写用レーザーを転写用フィルム上から照射した。 [0059] Thereafter, it irradiated transcription laser from the transfer film. この時の転写用レーザーのパワーは、 Power of the transfer laser at this time,
16Wであった。 Was 16W. レーザー照射後転写用フィルムを剥離するとレーザーをスキャンさせた場所のみに有機層14 The organic layer 14 only in the location by scanning the laser when peeling off the transfer film after laser irradiation
と第二電極10とが転写法にて形成されていた。 When the second electrode 10 has been formed by the transfer method. 【0060】転写法にて第二電極10を形成した支持基板1に前もって洗浄しておいた封止ガラスを隔壁3と接するように貼り付けて封止膜6を形成し、第二電極10 [0060] The sealing glass which had been previously washed support substrate 1 formed with the second electrode 10 at the transfer method applied so as to contact with the partition wall 3 forming the sealing film 6, the second electrode 10
と封止ガラスとの間の中空ギャップが6μm以上になるように封止を行なった。 Hollow gap between the sealing glass and makes a seal so that the above 6 [mu] m. なお、これら転写用フィルムと第一電極の張り合わせから封止までの工程は乾燥した窒素中にて行なった。 The steps from bonding of the transfer film and the first electrode to the sealing was carried out by dry nitrogen. 【0061】このようにして作成した有機LED素子に駆動用電源及び信号を入力したところ動画表示が可能なディスプレイが完成し、画素に印加した電圧が5Vのとき500cd/m 2を得ることができた。 [0061] In this way the display is completed capable video display was input drive power and signals to the organic LED device produced can be voltage applied to the pixel to obtain a 500 cd / m 2 at 5V It was. 【0062】 比較例1第一電極2をアルミニウム単体としたこと以外は実施例1と同様とした。 [0062] except that the Comparative Example 1 The first electrode 2 and the pure aluminum were the same as in Example 1. この素子では、画素に印加した電圧が10Vを超えたあたりで辛うじて発光を観察できる程度の輝度しか得ることができなかった。 In this element, it was not possible to obtain only the degree of brightness that can barely observed emission around the voltage applied to the pixel exceeds 10V. 【0063】 比較例2隔壁3を形成しなかったことと、第二電極10と封止膜6との中空ギャップをなしにしたこと以外は実施例1と同様とした。 [0063] and it was not formed Comparative Example 2 bulkhead 3, except that the a hollow gap between the second electrode 10 and the sealing film 6 was the same as in Example 1. このディスプレイでは、画素に印加した電圧が8Vの時500cd/m 2の輝度を得ることができたが、実施例1と比較して高電圧を必要とした。 In this display, the voltage applied to the pixels could be obtained a luminance of 500 cd / m 2 when 8V, was required compared to the high voltage as in Example 1. 【0064】 比較例3第一電極2をアルミニウムと酸化リチウム(10wt [0064] Comparative Example 3 The first electrode 2 of aluminum and lithium oxide (10 wt
%)との混合体としたこと以外は実施例1と同様とした。 Were the same as in Example 1 except that a mixture of%). このパネルは実施例1と比べ何ら遜色のないパネルが得られた。 This panel is nothing in no way inferior panel compared with Example 1 were obtained. 【0065】 実施例2 TFT素子付きのガラス基板(0.7mm)上に第一電極2としてアルミニウムとLiF10wt%の共蒸着膜(厚さ150nm)を抵抗加熱法にて成膜した後、フォトリソグラフィー法にて画素を形成し、第一電極付きの支持基板1を作成した。 [0065] After forming in Example 2 aluminum and LiF10wt% of co-deposited film as the first electrode 2 on a glass substrate with TFT elements (0.7 mm) (thickness 150 nm) a resistance heating method, photolithography the pixel was formed by law to prepare a supporting substrate 1 with the first electrode. 続いて、第一電極付き支持基板1上に画素を囲うように隔壁3としてSiO 2をフォトリソグラフィー法にて7μmの厚さに成膜した。 Subsequently, by forming a SiO 2 to a thickness of 7μm at photolithography on the first electrode with the supporting substrate 1 as a partition wall 3 so as to surround the pixel. 【0066】一方、転写用フィルムとして、まず、ベースフィルム上に光一熱変換層としてカーボンを分散させたエポキシ樹脂層を5μmの厚さにスピンコート法にて成膜し、室温にて乾燥した。 [0066] On the other hand, as the transfer film, first, it was deposited by spin coating the epoxy resin layer containing dispersed carbon as Koichi heat conversion layer on the base film to a thickness of 5 [mu] m, and dried at room temperature. 【0067】続いて、剥離層としてポリαメチルスチレン膜を1μmの厚さにスピンコート法にて成膜し、室温乾燥を行なった。 [0067] Then, was deposited by spin coating poly α-methylstyrene film with a thickness of 1μm as a release layer, it was carried out at room temperature drying. このようにして作成した転写用フィルム上にホール輸送層9としてPEDOT/PSS(溶媒:水)を30nmの厚さにスピンコート法にて成膜後、窒素雰囲気下において130℃の温度で5分間乾燥した。 Thus PEDOT / PSS as a hole transporting layer 9 on the transfer film prepared by: after the film formation (solvent water) to a thickness of 30nm by spin coating, at a temperature of 130 ° C. under a nitrogen atmosphere for 5 minutes dry. 【0068】その後、有機発光層4としてポリフルオレン誘導体(溶媒:トルエン)を80nmの厚さにスピンコート法にて成膜し、窒素雰囲気下において130℃の温度で1時間乾燥し、転写用フィルムを作成した。 [0068] Thereafter, a polyfluorene derivative as the organic light emitting layer 4 (solvent: toluene) was deposited by spin coating to a thickness of 80 nm, and dried for 1 hour at a temperature of 130 ° C. under a nitrogen atmosphere, the transfer film It was created. 【0069】このように作成した転写用フィルムを前記のように準備した支持基板にセットした後に転写用フィルム上をローラーにて転写用フィルムと第一電極付き基板1との間の脱気を行ないながら転写用フィルムと第一電極付き基板1の間を真空ポンプにて脱気を行なった。 [0069] subjected to deaeration between the transfer film and with the first electrode substrate 1 and the transfer film on at roller after setting such a transfer film was prepared in the supporting substrate was prepared as the It was performed deaerated with a vacuum pump between the transfer film and the first electrode with the substrate 1 while. 【0070】その後、転写用レーザーを転写用フィルム上から照射した。 [0070] Thereafter, it irradiated transcription laser from the transfer film. この時の転写用レーザーのパワーは、 Power of the transfer laser at this time,
16Wであった。 Was 16W. レーザー照射後転写用フィルムを剥離するとレーザーをスキャンさせた場所のみに有機層14 The organic layer 14 only in the location by scanning the laser when peeling off the transfer film after laser irradiation
が転写法にて形成されていた。 There had been formed by the transfer method. 【0071】この支持基板1をスパッタ装置にセットし、所定の真空度時にDCマグネトロンスパッタ法にて酸化亜鉛酸化インジウムの第二電極10を150nmの厚さに成膜した。 [0071] Setting this support substrate 1 in a sputtering apparatus, depositing the second electrode 10 of zinc oxide indium oxide by DC magnetron sputtering to a thickness of 150nm at a predetermined degree of vacuum. 【0072】この第二電極10を形成した支持基板1に前もって洗浄しておいた封止ガラスを隔壁3と接するように貼り付けて封止膜6を形成し、第二電極10と封止ガラスとの間の中空ギャップが6μm以上になるように封止を行なった。 [0072] previously washed and sealing glass had a paste in contact with the partition wall 3 forming the sealing film 6, the second electrode 10 and the sealing glass to a supporting substrate 1 formed with the second electrode 10 hollow gap between the makes a sealing so that the above 6 [mu] m. なお、これら転写用フィルムと第一電極2の張り合わせから封止までの工程は乾燥した窒素中にて行なった。 The steps from bonding of the transfer film and the first electrode 2 to the sealing was performed in dry nitrogen. 【0073】このようにして作成した有機LED素子に駆動用電源及び信号を入力したところ動画表示が可能なディスプレイが完成し、画素に印加した電圧が5Vのとき500cd/m 2を得ることができた。 [0073] In this way the display is completed capable video display was input drive power and signals to the organic LED device produced can be voltage applied to the pixel to obtain a 500 cd / m 2 at 5V It was. 【0074】 比較例4有機層14の形成を、隔壁3を形成した第一電極付き支持基板1上にインクジェット方式にて、まず有機発光層4としてポリフルオレン誘導体(溶媒:トルエン)を塗布し、窒素雰囲気中において130℃の温度で1時間乾燥した後(膜厚80nm)、ホール輸送層9としてPE [0074] The formation of the Comparative Example 4 organic layer 14, in an inkjet manner on the first electrode with a support substrate 1 formed with the partition wall 3, a polyfluorene derivative (solvent: toluene) First organic light emitting layer 4 was applied, after drying for 1 hour at a temperature of 130 ° C. in a nitrogen atmosphere (film thickness 80 nm), PE as a hole-transporting layer 9
DOT/PSSを塗布(膜厚30nm)した。 The DOT / PSS was applied (thickness of 30nm). その後1 Then 1
30℃、5分乾燥を行なった。 30 ° C., was performed 5 minutes drying. それ以外は実施例2と同様とした。 Otherwise was the same as in Example 2. 【0075】この素子からは均一な面発光が得られないだけではく、各画素内においても均一な発光が得られなかった。 [0075] foil only uniform surface light emission from this element can not be obtained, even uniform light emission in each pixel was not obtained. これは、発光層4が疎水性に対し、PEDOT This light-emitting layer 4 to a hydrophobic, PEDOT
/PSSが親水性のために発光層4上でPEDOT/P / PSS is on the light emitting layer 4 for the hydrophilic PEDOT / P
SSが弾かれてしまい均一な成膜行なわれず、画素内において膜むらが生じ、これにより輝度むらが生じたと考えられる。 SS is not performed uniform film will be repelled, film unevenness is caused in the pixel, thereby believed luminance unevenness occurs. 【0076】 実施例3 TFT素子付きのガラス基板(厚さ0.7mm)上に第一電極2として銀とLiF(10wt%)の共蒸着膜を150nmの厚さに抵抗加熱法にて成膜した後、フォトリソグラフィー法にて画素を形成し、第一電極付きの支持基板1を作成した。 [0076] deposition in Example 3 silver and LiF resistance heating the codeposited film to a thickness of 150nm of (10 wt%) as the first electrode 2 on a glass substrate with TFT elements (thickness 0.7 mm) after, to form pixels by photolithography to prepare a supporting substrate 1 with the first electrode. 【0077】一方、有機層形成転写用フィルムとして、 [0077] On the other hand, as the transfer film organic layer formation,
まず、ベースフィルム上に光一熱変換層としてカーボンを分散させたエポキシ樹脂層を5μmの厚さにスピンコート法にて成膜し、室温にて乾燥した。 First, it was deposited by spin coating the epoxy resin layer containing dispersed carbon as Koichi heat conversion layer on the base film to a thickness of 5 [mu] m, and dried at room temperature. 【0078】続いて、剥離層としてポリαメチルスチレン膜を1μmの厚さにスピンコート法にて成膜し、室温乾燥を行なった。 [0078] Then, was deposited by spin coating poly α-methylstyrene film with a thickness of 1μm as a release layer, it was carried out at room temperature drying. このようにして作成した有機層形成転写用フィルム上にホール輸送層9としてPEDOT/P PEDOT / P as a hole transport layer 9 in this manner the organic layer forming the transfer film on which created
SS(溶媒:水)を30nmの厚さにスピンコート法にて成膜後、窒素雰囲気下において130℃の温度で5分間乾燥した。 SS: After the film formation (solvent water) to a thickness of 30nm by spin coating, and dried 5 minutes at a temperature of 130 ° C. under a nitrogen atmosphere. 【0079】その後、有機発光層4として赤色発光ポリフルオレン誘導体(溶媒:トルエン)を80nmの厚さにスピンコート法にて成膜し、窒素雰囲気下において1 [0079] Then, the red light emitting polyfluorene derivative as the organic light emitting layer 4 (solvent: toluene) was deposited by spin coating to a thickness of 80 nm, 1 in a nitrogen atmosphere
30℃の温度で1時間乾燥し、有機層形成転写用フィルムを作成した。 Dried 1 hour at a temperature of 30 ° C., it was prepared and the organic layer forming the transfer film. 【0080】このように作成した転写用フィルムを前記第一電極付き支持基板にセットした後に有機層形成転写用フィルム上をローラーにて転写用フィルムと第一電極付き基板1との間の脱気を行ないながら有機層形成転写用フィルムと第一電極付き基板1の間を真空ポンプにて脱気を行なった。 [0080] degassing between the transfer film and the first electrode with the substrate 1 and the organic layer forming the transfer film on at roller after setting such a transfer film prepared in the first electrode with a support substrate the between the organic layer forming the transfer film and the first electrode with the substrate 1 was subjected to deaeration in a vacuum pump while performing. 【0081】その後、転写用レーザーを有機層形成転写用フィルム上から赤色発光画素を形成する部位にレーザー照射し、赤色発光画素を形成した。 [0081] Thereafter, the transfer laser to laser irradiation at the site to form the red light emitting pixel of the organic layer forming the transfer film was formed on the red light emitting pixel. この時の転写用レーザーのパワーは、16Wであった。 Power of the transfer laser at this time, was 16W. レーザー照射後転写用フィルムを剥離するとレーザーをスキャンさせた場所のみに有機層14が転写法にて赤色発光画素を形成した。 The organic layer 14 only in the location by scanning a laser to form a red light-emitting pixel by the transfer method when peeled transfer film after laser irradiation. 同様にして、青色発光画素、緑色発光画素を形成した。 Similarly, to form a blue light emitting pixels, green light emitting pixels. 【0082】同様に、隔壁形成転写フィルムとして、まず、ベースフィルム上に光一熱変換層としてカーボンを分散させたエポキシ樹脂層を5μmの厚さにスピンコート法にて成膜し、室温にて乾燥した。 [0082] Similarly, as the partition wall forming a transfer film, first, it was deposited by spin coating the epoxy resin layer containing dispersed carbon as Koichi heat conversion layer on the base film to a thickness of 5 [mu] m, dried at room temperature did. 【0083】続いて、剥離層としてポリαメチルスチレン膜を1μm、スピンコート法にて成膜し、室温乾燥を行なった。 [0083] Subsequently, the poly α-methyl styrene film is formed 1 [mu] m, by a spin coating method as the release layer, it was carried out at room temperature drying. このようにして形成したフィルム上に隔壁3 Septum 3 in this way formed a on the film
としてポリイミドをスピンコート法にて7μmの厚さに成膜後、90℃の温度で1.5時間乾燥させ、隔壁形成転写フィルムを作成した。 After forming a polyimide to a thickness of 7μm by spin coating as dried for 1.5 hours at a temperature of 90 ° C., it was created partition wall forming the transfer film. 【0084】作成した隔壁形成転写フィルムを、有機層14が形成された支持基板1にセットし有機層形成転写フィルムと同様に脱気を行なった。 [0084] The partition wall formation transfer film prepared was subjected to deaeration as with setting the support substrate 1, the organic layer 14 is formed organic layer forming the transfer film. その後、転写用レーザーにて画素を囲うようにレーザー照射し、有機層14 Then, laser irradiation so as to surround the pixel in transfer laser, organic layer 14
の上に隔壁3を形成した。 To form a partition wall 3 over. レーザー照射後転写用フィルムを剥離するとレーザーをスキャンさせた場所のみに隔壁3が転写法にて形成されていた。 Partition wall 3 only in the location by scanning the laser has been formed by a transfer method when peeled transfer film after laser irradiation. 【0085】続いて前もって洗浄を行なっておいた封止ガラスを隔壁3の上に貼り付けることにより封止膜6を形成し、第二電極10と封止ガラスとの間の中空ギャップが7μmであるフルカラー有機LED素子を作成した。 [0085] Then a sealing glass which has been subjected to pre-washing to form a sealing film 6 by pasting on the partition wall 3, a hollow gap 7μm between the second electrode 10 and the sealing glass It created a certain full color organic LED element. 【0086】このようにして作成した有機LEDパネルに駆動用電源及び信号を入力したところ動画表示が可能なフルカラーディスプレイが完成した。 [0086] In this manner enables video display was input drive power and signals to the organic LED panel created by full-color display is completed. 【0087】 実施例4 TFT素子付きのガラス基板(0.7mm)上に第一電極2として銀を150nmの厚さに抵抗加熱法にて成膜した後、フォトリソグラフィー法にて画素を形成し、第一電極付きの支持基板1を作成した。 [0087] After forming in Example 4 coated glass substrate of TFT elements (0.7 mm) resistive heating method of silver as the first electrode 2 to a thickness of 150nm on, to form pixels by photolithography to prepare a supporting substrate 1 with the first electrode. 続いて、第一電極付き支持基板上に画素を囲うように隔壁としてSiO 2 Subsequently, SiO as a partition to surround the pixel to the first electrode with the supporting substrate 2
をフォトリソグラフィー法にて7μmの厚さに成膜し、 It was deposited to a thickness of 7μm by a photolithographic method,
この基板を真空蒸着機にセットし、電子輸送層22としてAlq Set this substrate in a vacuum deposition machine, Alq as an electron transport layer 22 3とLi 2 O(5wt%)との混合層(厚さ20 3 and Li 2 O (5wt%) and mixed layer (thickness 20
nm)を形成した。 nm) was formed. 【0088】一方、転写用フィルムとして、まず、ベースフィルム上に光一熱変換層としてカーボンを分散させたエポキシ樹脂層を5μmの厚さにスピンコート法にて成膜し、室温にて乾燥した。 [0088] On the other hand, as the transfer film, first, it was deposited by spin coating the epoxy resin layer containing dispersed carbon as Koichi heat conversion layer on the base film to a thickness of 5 [mu] m, and dried at room temperature. 【0089】続いて、剥離層としてポリαメチルスチレン膜を1μmの厚さにスピンコート法にて成膜し、室温乾燥を行なった。 [0089] Then, was deposited by spin coating poly α-methylstyrene film with a thickness of 1μm as a release layer, it was carried out at room temperature drying. このようにして作成した転写用フィルム上に第二電極として酸化亜鉛酸化インジウム膜をDC Thus the zinc oxide indium oxide film as the second electrode on the transfer film created by the DC
マグネトロンスパッタ法にて150nm成膜した。 Was 150nm deposited by magnetron sputtering. 【0090】このように転写用フィルム上に第二電極1 [0090] Second electrode 1 in this way transfer film on
0を形成した後、第二電極10の表面をUV−オゾン洗浄15分行なった。 After forming the 0, it was subjected to surface of the second electrode 10 15 min UV- ozone cleaning. 続いてホール輸送層9としてPED Followed by PED as a hole transport layer 9
OT/PSS(溶媒:水)を30nmの厚さにスピンコート法にて成膜後、窒素雰囲気下において130℃の温度で5分間乾燥した。 OT / PSS: after deposition (solvent water) to a thickness of 30nm by spin coating, and dried 5 minutes at a temperature of 130 ° C. under a nitrogen atmosphere. 【0091】その後、有機発光層4としてポリフルオレン誘導体(溶媒:トルエン)を80nmの厚さにスピンコート法にて成膜し、窒素雰囲気下において130℃の温度で1時間乾燥し、転写用フィルムを作成した。 [0091] Thereafter, a polyfluorene derivative as the organic light emitting layer 4 (solvent: toluene) was deposited by spin coating to a thickness of 80 nm, and dried for 1 hour at a temperature of 130 ° C. under a nitrogen atmosphere, the transfer film It was created. 【0092】このように作成した転写用フィルムを、前記のように準備した支持基板にセットした後に転写用フィルム上をローラーにて転写用フィルムと第一電極付き基板1との間の脱気を行ないながら、転写用フィルムと第一電極付き基板1の間を真空ポンプにて脱気を行なった。 [0092] Such a transfer film prepared, the deaeration between the transfer film and the first electrode with the substrate 1 the transfer film on at roller after setting the support substrate was prepared as the performed while was subjected to deaeration in a vacuum pump between the transfer film and the first electrode with the substrate 1. その後、転写用レーザーを転写用フィルム上から照射した。 It was then irradiated with a transfer laser from the transfer film. この時の転写用レーザーのパワーは、16Wであった。 Power of the transfer laser at this time, was 16W. レーザー照射後転写用フィルムを剥離すると、 When peeling off the transfer film after the laser irradiation,
レーザーをスキャンさせた場所のみに有機層14と第二電極10とが転写法にて形成されていた。 An organic layer 14 and the second electrode 10 only in the location is scanned with a laser has been formed by the transfer method. 【0093】転写法にて第二電極10を形成した支持基板1に前もって洗浄しておいた封止ガラス(d=1. [0093] sealing glass which had been previously washed support substrate 1 formed with the second electrode 10 by the transfer method (d = 1.
5)を隔壁3と接するように貼り付けて封止膜6を形成し、第二電極10と封止ガラスとの間の中空ギャップが6μm以上になるように封止を行なった。 5) to form a sealing film 6 adhered to contact the partition wall 3, a hollow gap between the second electrode 10 and the sealing glass has performed a sealing so that the above 6 [mu] m. なお、これら転写用フィルムと第一電極2の張り合わせから封止までの工程は乾燥した窒素中にて行なった。 The steps from bonding of the transfer film and the first electrode 2 to the sealing was performed in dry nitrogen. 【0094】このようにして作成した有機LED素子に駆動用電源及び信号を入力したところ動画表示が可能なディスプレイが完成し、画素に印加した電圧が5Vのとき500cd/m 2を得ることができた。 [0094] In this way the display is completed capable video display was input drive power and signals to the organic LED device produced can be voltage applied to the pixel to obtain a 500 cd / m 2 at 5V It was. 【0095】 実施例5 TFT素子付きのガラス基板(0.7mm)上に第一電極2としてアルミニウムとLiF(10wt%)との共蒸着膜を150nmの厚さに抵抗加熱法にて成膜した後、フォトリソグラフィー法にて画素を形成し、第一電極付きの支持基板1を作成した。 [0095] was formed in Example 5 aluminum and LiF (10 wt%) as the first electrode 2 on a glass substrate with a TFT element (0.7 mm) and a resistance heating method codeposited film to a thickness of 150nm of after forming a pixel by photolithography to prepare a supporting substrate 1 with the first electrode. 【0096】続いて、第一電極付き支持基板1上に画素を囲うように隔壁3としてSiO 2をフォトリソグラフィー法にて7μmの厚さに成膜し、基板1を真空蒸着機にセットし、電子輸送層22としてAlq 3とLi 2 [0096] Subsequently, the SiO 2 as a partition 3 so as to surround the pixel on the first electrode with the substrate 1 was formed to a thickness of 7μm at photolithography, the substrate was set 1 in a vacuum deposition machine, Alq 3 as an electron transport layer 22 and Li 2 O
(5wt%)との混合層(厚さ20nm)を形成した。 To form (5 wt%) and a mixed layer of the (thickness 20 nm). 【0097】一方、転写用フィルムとして、まず、ベースフィルム上に光一熱変換層としてカーボンを分散させたエポキシ樹脂層を5μmの厚さにスピンコート法にて成膜し、室温にて乾燥した。 [0097] On the other hand, as the transfer film, first, it was deposited by spin coating the epoxy resin layer containing dispersed carbon as Koichi heat conversion layer on the base film to a thickness of 5 [mu] m, and dried at room temperature. 【0098】続いて、剥離層としてポリαメチルスチレン膜を1μmの厚さにスピンコート法にて成膜し、室温乾燥を行なった。 [0098] Then, was deposited by spin coating poly α-methylstyrene film with a thickness of 1μm as a release layer, it was carried out at room temperature drying. このようにして作成した転写用フィルム上に第二電極10として酸化亜鉛酸化インジウム膜をDCマグネトロンスパッタ法にて150nm成膜した。 Thus the zinc oxide indium oxide film as the second electrode 10 on the transfer film that was created was 150nm deposited by DC magnetron sputtering. 【0099】このように転写用フィルム上に第二電極1 [0099] Second electrode 1 in this way transfer film on
0を形成した後、第二電極10の表面をUV−オゾン洗浄15分行なった。 After forming the 0, it was subjected to surface of the second electrode 10 15 min UV- ozone cleaning. 続いてホール輸送層としてPEDO Then PEDO as a hole transport layer
T/PSS(溶媒:水)を30nmの厚さにスピンコート法にて成膜後、窒素雰囲気下において130℃の温度で5分間乾燥した。 T / PSS: after deposition (solvent water) to a thickness of 30nm by spin coating, and dried 5 minutes at a temperature of 130 ° C. under a nitrogen atmosphere. その後、有機発光層としてポリフルオレン誘導体(溶媒:トルエン)を80nmスピンコート法にて成膜し、窒素雰囲気下において130℃の温度で1時間乾燥し、転写用フィルムを作成した。 Thereafter, a polyfluorene derivative as the organic light emitting layer (solvent: toluene) was deposited at 80nm spin coating, dried for 1 hour at a temperature of 130 ° C. in a nitrogen atmosphere to prepare a transfer film. 【0100】このように作成した転写用フィルムを前記のように準備した支持基板1にセットした後に転写用フィルム上をローラーにて転写用フィルムと第一電極付き基板1との間の脱気を行ないながら転写用フィルムと第一電極付き基板1の間を真空ポンプにて脱気を行なった。 [0100] The degassing between the transfer film and with the first electrode substrate 1 and the transfer film on at roller after setting the transfer film prepared in this manner the supporting substrate 1 prepared as described above during the transfer film and the first electrode with the substrate 1 while performing was subjected to deaeration in a vacuum pump. 【0101】その後、転写用レーザーを転写用フィルム上から照射した。 [0102] Thereafter, it irradiated transcription laser from the transfer film. この時の転写用レーザーのパワーは、 Power of the transfer laser at this time,
16Wであった。 Was 16W. レーザー照射後転写用フィルムを剥離するとレーザーをスキャンさせた場所のみに有機層14 The organic layer 14 only in the location by scanning the laser when peeling off the transfer film after laser irradiation
と第二電極10とが転写法にて形成されていた。 When the second electrode 10 has been formed by the transfer method. 【0102】転写法にて第二電極10を形成した支持基板1に前もって洗浄しておいた封止ガラスを隔壁と接するように貼り付けて封止膜6を形成し、第二電極10と封止ガラスとの間の中空ギャップが6μm以上になるよう貼り付け、封止を行なった。 [0102] Paste sealing glass which had been previously washed support substrate 1 formed with the second electrode 10 at the transfer method into contact with the partition wall to form a sealing film 6, the second electrode 10 and the sealing paste so that the hollow gap between the stop glass becomes more 6 [mu] m, was subjected to sealing. なお、これら転写用フィルムと第一電極2の張り合わせから封止までの工程は乾燥した窒素中にて行なった。 The steps from bonding of the transfer film and the first electrode 2 to the sealing was performed in dry nitrogen. 【0103】このようにして作成した有機LED素子に駆動用電振及び信号を入力したところ動画表示が可能なディスプレイが完成し、画素に印加した電圧が5Vのとき500cd/m 2を得ることができた。 [0103] It this way video monitor with was completed was entered organic LED element in vibration driving electric and signal generated by the voltage applied to the pixels to obtain a 500 cd / m 2 at 5V did it. 【0104】 実施例6 TFT素子付きのガラス基板(0.7mm)上に第一電極2としてアルミニウムとL [0104] As the first electrode 2 on a glass substrate (0.7 mm) with Example 6 TFT elements aluminum and L
iF(10wt%)との混合膜を150nmの厚さに抵抗加熱法にて成膜した後、フォトリソグラフィー法にて画素を形成し、第一電極付きの支持基板1を作成した。 iF after forming at (10 wt%) and a resistance heating method a mixed film with a thickness of 150nm, and forming a pixel by photolithography to prepare a supporting substrate 1 with the first electrode. 【0105】続いて、第一電極付き支持基板1上に画素を囲うように隔壁としてSiO 2をフォトリソグラフィー法にて7μmの厚さに成膜し、この基板1を真空蒸着機にセットし、電子輸送層22としてAlq 3 (厚さ2 [0105] Subsequently, the SiO 2 was deposited to a thickness of 7μm at photolithography method as a partition wall so as to surround the pixel on the first electrode with the supporting substrate 1, and set the substrate 1 in a vacuum deposition machine, Alq 3 as an electron transporting layer 22 (thickness 2
0nm)を形成した。 0nm) was formed. 【0106】一方、転写用フィルムとして、まず、ベースフィルム上に光一熱変換層としてカーボンを分散させたエポキシ樹脂層を5μmの厚さにスピンコート法にて成膜し、室温にて乾燥した。 [0106] On the other hand, as the transfer film, first, it was deposited by spin coating the epoxy resin layer containing dispersed carbon as Koichi heat conversion layer on the base film to a thickness of 5 [mu] m, and dried at room temperature. 続いて、剥離層としてポリαメチルスチレン膜を1μmの厚さにスピンコート法にて成膜し、室温乾燥を行なった。 Subsequently, the poly α-methylstyrene film was formed by spin coating to a thickness of 1μm as a release layer, it was carried out at room temperature drying. 【0107】このようにして作成した転写用フィルム上に第二電極10として酸化亜鉛酸化インジウム膜をDC [0107] The thus as the second electrode 10 on the transfer film prepared zinc oxide indium oxide film DC
マグネトロンスパッタ法にて150nmの厚さに成膜した。 It was deposited to a thickness of 150nm by magnetron sputtering. このように転写用フィルム上に第二電極10を形成した後、第二電極10の表面をUV−オゾン洗浄15分行なった。 After forming the second electrode 10 in this way transfer film on it was subjected to surface of the second electrode 10 15 min UV- ozone cleaning. 続いてホール輸送層9としてPEDOT/P Subsequently, as the hole transport layer 9 PEDOT / P
SS(溶媒:水)を30nmの厚さにスピンコート法にて成膜後、窒素雰囲気下において130℃の温度で5分間乾燥した。 SS: After the film formation (solvent water) to a thickness of 30nm by spin coating, and dried 5 minutes at a temperature of 130 ° C. under a nitrogen atmosphere. 【0108】その後、有機発光層4としてポリフルオレン誘導体(溶媒:トルエン)を80nmの厚さにスピンコート法にて成膜し、窒素雰囲気下において130℃の温度で1時間乾燥し、転写用フィルムを作成した。 [0108] Thereafter, a polyfluorene derivative as the organic light emitting layer 4 (solvent: toluene) was deposited by spin coating to a thickness of 80 nm, and dried for 1 hour at a temperature of 130 ° C. under a nitrogen atmosphere, the transfer film It was created. 【0109】このように作成した転写用フィルムを前記のように準備した支持基板1にセットした後に転写用フィルム上をローラーにて転写用フィルムと第一電極付き基板1との間の脱気を行ないながら転写用フィルムと第一電極付き基板1の間を真空ポンプにて脱気を行なった。 [0109] The degassing between the transfer film and with the first electrode substrate 1 and the transfer film on at roller after setting the transfer film prepared in this manner the supporting substrate 1 prepared as described above during the transfer film and the first electrode with the substrate 1 while performing was subjected to deaeration in a vacuum pump. 【0110】その後、転写用レーザーを転写用フィルム上から照射した。 [0110] Thereafter, it irradiated transcription laser from the transfer film. この時の転写用レーザーのパワーは、 Power of the transfer laser at this time,
16Wであった。 Was 16W. レーザー照射後転写用フィルムを剥離するとレーザーをスキャンさせた場所のみに有機層14 The organic layer 14 only in the location by scanning the laser when peeling off the transfer film after laser irradiation
と第二電極10とが転写法にて形成されていた。 When the second electrode 10 has been formed by the transfer method. 【0111】転写法にて第二電極10を形成した支持基板1に前もって洗浄しておいた封止ガラスを隔壁と接するように貼り付けて封止膜6を形成し、第二電極と封止ガラスとの間の中空ギャップが6μm以上になるように封止を行なった。 [0111] Paste sealing glass which had been previously washed support substrate 1 formed with the second electrode 10 at the transfer method into contact with the partition wall to form a sealing film 6, the second electrode and the sealing hollow gap between the glass makes a sealing so that the above 6 [mu] m. なお、これら転写用フィルムと第一電極2の張り合わせから封止までの工程は乾燥した窒素中にて行なった。 The steps from bonding of the transfer film and the first electrode 2 to the sealing was performed in dry nitrogen. 【0112】このようにして作成した有機LED素子に駆動用電源及び信号を入力したところ動画表示が可能なディスプレイが完成し、画素に印加した電圧が5Vのとき500cd/m 2を得ることができた。 [0112] In this way the display is completed capable video display was input drive power and signals to the organic LED device produced can be voltage applied to the pixel to obtain a 500 cd / m 2 at 5V It was. 【0113】 実施例7 TFT素子付きのガラス基板(0.7mm)上に第一電極2としてアルミニウムとLiF(10wt%)の共蒸着膜を150nmの厚さに抵抗加熱法にて成膜した後、 [0113] After forming by resistance heating method codeposited film to a thickness of 150nm of aluminum and LiF (10 wt%) as the first electrode 2 on a glass substrate (0.7 mm) with Example 7 TFT element ,
フォトリソグラフィー法にて画素を形成し、第一電極付きの支持基板1を作成した。 Forming a pixel by photolithography to prepare a supporting substrate 1 with the first electrode. 続いて、第一電極付き支持基板1上に画素を囲うように隔壁としてSiO 2をフォトリソグラフィー法にて7μmの厚さに成膜した。 Subsequently, by forming a SiO 2 to a thickness of 7μm at photolithography method as a partition wall so as to surround the pixel on the first electrode with the supporting substrate 1. 【0114】一方、転写用フィルムとして、まず、ベースフィルム上に光一熱変換層としてカーボンを分散させたエポキシ樹脂層を5μmの厚さにスピンコート法にて成膜し、室温にて乾燥した。 [0114] On the other hand, as the transfer film, first, it was deposited by spin coating the epoxy resin layer containing dispersed carbon as Koichi heat conversion layer on the base film to a thickness of 5 [mu] m, and dried at room temperature. 続いて、剥離層としてポリαメチルスチレン膜を1μmの厚さにスピンコート法にて成膜し、室温乾煉を行なった。 Subsequently, the poly α-methylstyrene film was formed by spin coating to a thickness of 1μm as a release layer, it was performed at room temperature Inuineri. 【0115】このようにして作成した転写用フィルム上にホール輸送層9としてPEDOT/PSS(溶媒: [0115] PEDOT / PSS (solvent as a hole transport layer 9 in this way the transfer film on which created:
水)を30nmの厚さにスピンコート法にて成膜後、窒素雰囲気下において130℃の温度で5分間乾燥した。 After the film formation water) to a thickness of 30nm by spin coating, and dried 5 minutes at a temperature of 130 ° C. under a nitrogen atmosphere. 【0116】その後、有機発光層4としてポリフルオレン誘導体(溶媒:トルエン)を80nmの厚さにスピンコート法にて成膜し、窒素雰囲気下において130℃の温度で1時間乾煉し、転写用フィルムを作成した。 [0116] Thereafter, a polyfluorene derivative (solvent: toluene) as an organic light emitting layer 4 was formed by spin coating to a thickness of 80 nm, and 1 hour Inuineri at a temperature of 130 ° C. in a nitrogen atmosphere for transfer film was created. 【0117】このように作成した転写用フィルムを前記のように準備した支持基板1にセットした後に転写用フィルム上をローラーにて転写用フィルムと第一電極付き基板1との間の脱気を行ないながら転写用フィルムと第一電極付き基板1の間を真空ポンプにて脱気を行なった。 [0117] The degassing between the transfer film and with the first electrode substrate 1 and the transfer film on at roller after setting the transfer film prepared in this manner the supporting substrate 1 prepared as described above during the transfer film and the first electrode with the substrate 1 while performing was subjected to deaeration in a vacuum pump. 【0118】その後、転写用レーザーを転写用フィルム上から照射した。 [0118] Thereafter, it irradiated transcription laser from the transfer film. この時の転写用レーザーのパワーは、 Power of the transfer laser at this time,
16Wであった。 Was 16W. レーザー照射後転写用フィルムを剥離するとレーザーをスキャンさせた場所のみに有機層14 The organic layer 14 only in the location by scanning the laser when peeling off the transfer film after laser irradiation
が転写法にて形成されていた。 There had been formed by the transfer method. 【0119】この支持基板1をスパッタ装置付き蒸着装置にセットし、まず蒸着装置にてLi 2 Oを40Åの厚さに成膜した後、DCマグネトロンスパッタ法にて酸化亜鉛酸化インジウムの第二電極10を150nm成膜した。 [0119] Setting this support substrate 1 in a sputtering apparatus with evaporation apparatus, after forming a Li 2 O to a thickness of 40Å first in the deposition apparatus, the second electrode of the zinc oxide indium oxide by DC magnetron sputtering 10 was 150nm deposition. 【0120】この第二電極10を形成した支持基板1に前もって洗浄しておいた封止ガラス(d=1.5)を隔壁と接するように貼り付けて封止膜6を形成し、第二電極と封止ガラスとの間の中空ギャップが6μm以上になるように封止を行なった。 [0120] to form a sealing film 6 adhered to the sealing glass which had been previously washed support substrate 1 formed with the second electrode 10 (d = 1.5) into contact with the partition wall, the second hollow gap between the electrode and the sealing glass has performed a sealing so that the above 6 [mu] m. なお、これら転写用フィルムと第一電極の張り合わせから封止までの工程は乾燥した窒素中にて行なった。 The steps from bonding of the transfer film and the first electrode to the sealing was carried out by dry nitrogen. 【0121】このようにして作成した有機LED素子に駆動用電源及び信号を入力したところ動画表示が可能なディスプレイが完成し、画素に印加した電圧が5Vのとき500cd/m 2を得ることができた。 [0121] In this way the display is completed capable video display was input drive power and signals to the organic LED device produced can be voltage applied to the pixel to obtain a 500 cd / m 2 at 5V It was. 【0122】 【発明の効果】この発明によれば、金属電極と、透明電極とに挟まれた有機層を有する有機LED素子において、金属電極および/又は有機層の一部に金属酸化物および/又は金属塩との混合層を設けることにより、光の利用効率が高く、表示品位が高く、寿命が長い素子が得られる。 [0122] [Effect of the Invention] According to the present invention, a metal electrode, an organic LED element having sandwiched between the transparent electrode an organic layer, a metal oxide to a portion of the metal electrode and / or organic and / or by providing a mixed layer of a metal salt, high light use efficiency, high display quality, life can be obtained a long element.

【図面の簡単な説明】 【図1】この発明に係る有機LED素子の基本構成を示す断面図である。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view showing a basic structure of an organic LED element according to the present invention. 【図2】この発明に係る有機LED素子の一例を示す断面図(第1電極が金属と金属酸化膜あるいは金属塩との混合体にて形成されている場合)である。 2 is a sectional view showing an example of an organic LED element according to the present invention (when the first electrode is formed by a mixture of a metal and a metal oxide film or metal salts). 【図3】この発明に係る有機LED素子の他の例を示す断面図(有機層の電子輸送層に金属酸化物あるいは金属塩が混合されている場合)である。 3 is a sectional view showing another example of the organic LED element according to the present invention (when a metal oxide in the electron-transporting layer of the organic layer or a metal salt is mixed). 【図4】この発明に係る有機LED素子のさらに他の例を示す断面図(第1電極が金属と金属酸化膜あるいは金属塩混合体にて形成されてかつ、有機層の電子輸送層に金属酸化物又は金属塩が混合されている場合)である。 [4] and a cross-sectional view showing still another example of the organic LED element according to the present invention (the first electrode is formed by metal and metal oxide films or metal salt mixture, metal in the electron transport layer of the organic layer it is a case where oxide or metal salt is mixed). 【図5】この発明に係る有機LEDデバイスの製造方法の一例を示す工程説明図である。 Figure 5 is a process diagram showing an example of a manufacturing method of an organic LED device according to the present invention. 【符号の説明】 1. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1. 支持基板2. The supporting substrate 2. 第一電極3. The first electrode 3. 隔壁4. Partition 4. 有機層5. The organic layer 5. 中空ギャップ6. Hollow gap 6. 封止膜7. Sealing film 7. TFT素子9. TFT element 9. ホール輸送層10. Hole transport layer 10. 第二電極11. Second electrode 11. 有機層形成用転写フィルム12. The organic layer formation transfer film 12. レーザー21. Laser 21. 第一電極22、電子輸送層 First electrode 22, an electron transport layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/22 H05B 33/22 Z 33/26 33/26 Z ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) H05B 33/22 H05B 33/22 Z 33/26 33/26 Z

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 金属電極と、透明電極と、両電極に挟まれた有機層とを備え、金属電極および有機層の少なくとも一方に、金属酸化物および金属塩の少なくとも一方が混合されてなることを特徴とする有機LED素子。 And Patent Claims 1. A metal electrode, a transparent electrode, and a organic layer sandwiched two electrodes, at least one of the metal electrode and the organic layer, at least one of metal oxides and metal salts the organic LED element, characterized in that but composed are mixed. 【請求項2】 有機層が電子輸送層を備え、電子輸送層に金属酸化物および金属塩の少なくとも一方が混合されてなることを特徴とする請求項1記載の有機LED素子。 Wherein the organic layer comprises an electron transporting layer, an organic LED element according to claim 1, wherein the at least one metal oxide and metal salt formed by mixing the electron transport layer. 【請求項3】 封止膜をさらに備え、封止膜は中空層を介して透明電極の上に形成されてなることを特徴とする請求項1記載の有機LED素子。 Wherein further comprising a sealing film, an organic LED element according to claim 1, wherein the sealing film is characterized by comprising formed on the transparent electrode through the hollow layer. 【請求項4】 中空層は厚さが5〜100μmであることを特徴とする請求項3記載の有機LED素子。 4. The organic LED device according to claim 3, wherein the hollow layer has a thickness, characterized in that a 5 to 100 [mu] m. 【請求項5】 複数の画素を形成するための隔壁を基板上にさらに備え、封止膜が隔壁を支台として形成されていることを特徴とする請求項3記載の有機LED素子。 5. further comprising a barrier rib for forming a plurality of pixels on a substrate, an organic LED element according to claim 3, wherein a sealing film is formed a partition wall as abutment. 【請求項6】 金属電極が支持基板表面に形成され、有機層が金属電極側から疎水性材料、親水性材料の順番で形成されてなることを特徴とする請求項1記載の有機L 6. A metal electrode is formed on the support substrate surface, the organic organic layer is hydrophobic material from the metal electrode side, according to claim 1, characterized by comprising formed in the order of hydrophilic material L
    ED素子。 ED element. 【請求項7】 請求項6記載の有機LED素子において、有機層を少なくとも親水性材料と疎水性材料から形成し、疎水性材料の形成後に親水性材料を形成することを特徴とする有機LED素子の製造方法。 7. The organic LED element according to claim 6, wherein the organic LED device an organic layer is formed from at least a hydrophilic material and a hydrophobic material, and forming the hydrophilic material after formation of the hydrophobic material the method of production. 【請求項8】 アクティブ駆動用素子を備えた基板をさらに備え、金属電極と透明電極に挟まれた有機層がその基板上に形成されてなることを特徴とする請求項1記載の有機LED素子。 8. further comprising a substrate having an active driving element, an organic LED element according to claim 1, wherein the organic layer sandwiched between the metal electrode and the transparent electrode is characterized by comprising formed on the substrate .
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Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066374A (en) * 2004-08-30 2006-03-09 Samsung Sdi Co Ltd Lamination equipment and laser thermal transfer method
JP2006228712A (en) * 2005-01-21 2006-08-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting apparatus
JP2007109524A (en) * 2005-10-14 2007-04-26 Fujifilm Corp Organic el material and its manufacturing method
JP2008243559A (en) * 2007-03-27 2008-10-09 Toppan Printing Co Ltd Manufacturing method of organic electroluminescent display device
JP2009164578A (en) * 2007-12-28 2009-07-23 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting device
JP2010147027A (en) * 2005-07-06 2010-07-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Flat panel display device, and manufacturing method thereof
US7973467B2 (en) 2007-11-15 2011-07-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device
JP2011193002A (en) * 2004-03-19 2011-09-29 E I Du Pont De Nemours & Co Device for including buffer layer containing electrically conductive organic polymer and a plurality of nanoparticles
JP2011233480A (en) * 2010-04-30 2011-11-17 Ricoh Co Ltd Forming method of laminate structure and manufacturing method of organic electroluminescent device
WO2012017486A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 Method for producing light-emitting elements
US8142910B2 (en) 2008-03-04 2012-03-27 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US8241526B2 (en) 2007-05-18 2012-08-14 E I Du Pont De Nemours And Company Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing high boiling solvent and additives
US8274212B2 (en) 2007-12-28 2012-09-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device including first hole injection layer and second hole injection layer
JP2012231174A (en) * 2004-09-24 2012-11-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device
US8318046B2 (en) 2002-09-24 2012-11-27 E I Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
US8409476B2 (en) 2005-06-28 2013-04-02 E I Du Pont De Nemours And Company High work function transparent conductors
US8455865B2 (en) 2002-09-24 2013-06-04 E I Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
US8491819B2 (en) 2006-12-29 2013-07-23 E I Du Pont De Nemours And Company High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers
US8557398B2 (en) 2007-12-24 2013-10-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device
US8563994B2 (en) 2010-08-06 2013-10-22 Panasonic Corporation Light-emitting element, display device, and method for producing light-emitting element
US8585931B2 (en) 2002-09-24 2013-11-19 E I Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
US8664669B2 (en) 2010-06-24 2014-03-04 Panasonic Corporation Organic EL element, display apparatus, and light-emitting apparatus
USRE44853E1 (en) 2005-06-28 2014-04-22 E I Du Pont De Nemours And Company Buffer compositions
US8703530B2 (en) 2010-06-24 2014-04-22 Panasonic Corporation Method for producing organic EL element, display device, light-emitting apparatus, and ultraviolet irradiation device
US8765022B2 (en) 2004-03-17 2014-07-01 E I Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
US8822246B2 (en) 2009-02-10 2014-09-02 Panasonic Corporation Method for manufacturing a light-emitting element including a protective film for a charge injection layer
US8829510B2 (en) 2011-02-23 2014-09-09 Panasonic Corporation Organic electroluminescence display panel and organic electroluminescence display device
US8866160B2 (en) 2009-02-10 2014-10-21 Panasonic Corporation Light-emitting element, device, and manufacturing method including a charge injection layer having a recess for suppressing uneven luminance
US8872164B2 (en) 2009-08-19 2014-10-28 Panasonic Corporation Organic el element
US8884276B2 (en) 2011-05-11 2014-11-11 Panasonic Corporation Organic EL display panel and organic EL display apparatus
US8884281B2 (en) 2011-01-21 2014-11-11 Panasonic Corporation Organic EL element
US8890174B2 (en) 2009-02-10 2014-11-18 Panasonic Corporation Light-emitting element including a charge injection transport layer that includes a dissolvable metal compound, and display device and method for manufacturing thereof
US8890129B2 (en) 2010-08-06 2014-11-18 Panasonic Corporation Light emitting device, light emitting apparatus provided with a light emitting device, and method of manufacturing a light emitting device
US8921838B2 (en) 2010-08-06 2014-12-30 Panasonic Corporation Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device
US8927975B2 (en) 2010-08-06 2015-01-06 Panasonic Corporation Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device
US8927976B2 (en) 2010-08-06 2015-01-06 Panasonic Corporation Organic EL element and production method for same
US8946693B2 (en) 2010-08-06 2015-02-03 Panasonic Corporation Organic EL element, display device, and light-emitting device
US8981361B2 (en) 2011-02-25 2015-03-17 Panasonic Corporation Organic electroluminescence display panel with tungsten oxide containing hole injection layer that electrically connects electrode to auxiliary wiring, and organic electroluminescence display device
US8999832B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Panasonic Corporation Organic EL element
US9012897B2 (en) 2010-08-06 2015-04-21 Panasonic Corporation Organic EL element, display device, and light-emitting device
US9012896B2 (en) 2010-08-06 2015-04-21 Panasonic Corporation Organic EL element
US9029843B2 (en) 2010-08-06 2015-05-12 Joled Inc. Organic electroluminescence element
US9029842B2 (en) 2010-08-06 2015-05-12 Joled Inc. Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof
US9048448B2 (en) 2010-08-06 2015-06-02 Joled Inc. Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof
US9130187B2 (en) 2010-08-06 2015-09-08 Joled Inc. Organic EL element, display device, and light-emitting device
US9490445B2 (en) 2010-07-30 2016-11-08 Joled Inc. Organic el element, organic el panel, organic el light-emitting apparatus, organic el display apparatus, and method of manufacturing organic el element
US9843010B2 (en) 2010-08-06 2017-12-12 Joled Inc. Light-emitting element, light-emitting device provided with light-emitting element, and light-emitting element production method

Cited By (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8318046B2 (en) 2002-09-24 2012-11-27 E I Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
US8585931B2 (en) 2002-09-24 2013-11-19 E I Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
US8455865B2 (en) 2002-09-24 2013-06-04 E I Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
US8338512B2 (en) 2002-09-24 2012-12-25 E I Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and method for use thereof
US8784692B2 (en) 2002-09-24 2014-07-22 E I Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
US8765022B2 (en) 2004-03-17 2014-07-01 E I Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
JP2011193002A (en) * 2004-03-19 2011-09-29 E I Du Pont De Nemours & Co Device for including buffer layer containing electrically conductive organic polymer and a plurality of nanoparticles
JP2006066374A (en) * 2004-08-30 2006-03-09 Samsung Sdi Co Ltd Lamination equipment and laser thermal transfer method
US8723196B2 (en) 2004-09-24 2014-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2012231174A (en) * 2004-09-24 2012-11-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device
US9905809B2 (en) 2005-01-21 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2006228712A (en) * 2005-01-21 2006-08-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting apparatus
US8409476B2 (en) 2005-06-28 2013-04-02 E I Du Pont De Nemours And Company High work function transparent conductors
USRE44853E1 (en) 2005-06-28 2014-04-22 E I Du Pont De Nemours And Company Buffer compositions
JP2010147027A (en) * 2005-07-06 2010-07-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Flat panel display device, and manufacturing method thereof
JP2007109524A (en) * 2005-10-14 2007-04-26 Fujifilm Corp Organic el material and its manufacturing method
US8491819B2 (en) 2006-12-29 2013-07-23 E I Du Pont De Nemours And Company High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers
JP2008243559A (en) * 2007-03-27 2008-10-09 Toppan Printing Co Ltd Manufacturing method of organic electroluminescent display device
US8241526B2 (en) 2007-05-18 2012-08-14 E I Du Pont De Nemours And Company Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing high boiling solvent and additives
US7973467B2 (en) 2007-11-15 2011-07-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device
US8557398B2 (en) 2007-12-24 2013-10-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device
JP2009164578A (en) * 2007-12-28 2009-07-23 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting device
US8274212B2 (en) 2007-12-28 2012-09-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device including first hole injection layer and second hole injection layer
US8142910B2 (en) 2008-03-04 2012-03-27 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US8890174B2 (en) 2009-02-10 2014-11-18 Panasonic Corporation Light-emitting element including a charge injection transport layer that includes a dissolvable metal compound, and display device and method for manufacturing thereof
US8866160B2 (en) 2009-02-10 2014-10-21 Panasonic Corporation Light-emitting element, device, and manufacturing method including a charge injection layer having a recess for suppressing uneven luminance
US8822246B2 (en) 2009-02-10 2014-09-02 Panasonic Corporation Method for manufacturing a light-emitting element including a protective film for a charge injection layer
US8890173B2 (en) 2009-02-10 2014-11-18 Panasonic Corporation Light-emitting element including a charge injection transport layer having a recess portion for accumulating ink, and display device and method for manufacturing thereof
US8872164B2 (en) 2009-08-19 2014-10-28 Panasonic Corporation Organic el element
JP2011233480A (en) * 2010-04-30 2011-11-17 Ricoh Co Ltd Forming method of laminate structure and manufacturing method of organic electroluminescent device
US8703530B2 (en) 2010-06-24 2014-04-22 Panasonic Corporation Method for producing organic EL element, display device, light-emitting apparatus, and ultraviolet irradiation device
US8664669B2 (en) 2010-06-24 2014-03-04 Panasonic Corporation Organic EL element, display apparatus, and light-emitting apparatus
US9490445B2 (en) 2010-07-30 2016-11-08 Joled Inc. Organic el element, organic el panel, organic el light-emitting apparatus, organic el display apparatus, and method of manufacturing organic el element
US8927976B2 (en) 2010-08-06 2015-01-06 Panasonic Corporation Organic EL element and production method for same
JP5543599B2 (en) * 2010-08-06 2014-07-09 パナソニック株式会社 Method of manufacturing a light emitting element
US9130187B2 (en) 2010-08-06 2015-09-08 Joled Inc. Organic EL element, display device, and light-emitting device
US8563994B2 (en) 2010-08-06 2013-10-22 Panasonic Corporation Light-emitting element, display device, and method for producing light-emitting element
US8890129B2 (en) 2010-08-06 2014-11-18 Panasonic Corporation Light emitting device, light emitting apparatus provided with a light emitting device, and method of manufacturing a light emitting device
WO2012017486A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 Method for producing light-emitting elements
US8921838B2 (en) 2010-08-06 2014-12-30 Panasonic Corporation Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device
US8927975B2 (en) 2010-08-06 2015-01-06 Panasonic Corporation Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device
US8852977B2 (en) 2010-08-06 2014-10-07 Panasonic Corporation Method for producing light-emitting elements
US8946693B2 (en) 2010-08-06 2015-02-03 Panasonic Corporation Organic EL element, display device, and light-emitting device
US9048448B2 (en) 2010-08-06 2015-06-02 Joled Inc. Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof
US8999832B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Panasonic Corporation Organic EL element
US9012897B2 (en) 2010-08-06 2015-04-21 Panasonic Corporation Organic EL element, display device, and light-emitting device
US9012896B2 (en) 2010-08-06 2015-04-21 Panasonic Corporation Organic EL element
US9843010B2 (en) 2010-08-06 2017-12-12 Joled Inc. Light-emitting element, light-emitting device provided with light-emitting element, and light-emitting element production method
US9029842B2 (en) 2010-08-06 2015-05-12 Joled Inc. Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof
US9029843B2 (en) 2010-08-06 2015-05-12 Joled Inc. Organic electroluminescence element
US8884281B2 (en) 2011-01-21 2014-11-11 Panasonic Corporation Organic EL element
US8829510B2 (en) 2011-02-23 2014-09-09 Panasonic Corporation Organic electroluminescence display panel and organic electroluminescence display device
US8981361B2 (en) 2011-02-25 2015-03-17 Panasonic Corporation Organic electroluminescence display panel with tungsten oxide containing hole injection layer that electrically connects electrode to auxiliary wiring, and organic electroluminescence display device
US8884276B2 (en) 2011-05-11 2014-11-11 Panasonic Corporation Organic EL display panel and organic EL display apparatus

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