JP2002280174A - Donor film and organic led display panel manufactured by using it - Google Patents
Donor film and organic led display panel manufactured by using itInfo
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Landscapes
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ドナーフィルム
およびそれを用いて製造された有機ＬＥＤ表示パネルに
関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a donor film and an organic LED display panel manufactured using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、フルカラー有機ＬＥＤ表示パネル
を製造するための有機ＬＥＤ層のパターン化技術が活発
に研究開発されている。このようなパターン化技術とし
ては、マスク蒸着法（例えば、特開平８−２２７２７６
号公報）、インクジェット法（例えば，特開平１０−１
２３７７号公報）などが提案されている。2. Description of the Related Art In recent years, an organic LED layer patterning technique for manufacturing a full-color organic LED display panel has been actively researched and developed. As such a patterning technique, a mask vapor deposition method (for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-227276) is used.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-1980), an ink jet method (for example,
No. 2377) has been proposed.
【０００３】しかし、マスク蒸着法では、大型基板を用
いて素子を作製することが非常に難しいといった問題が
あり、インクジェット法では、大型基板を用いると非常
に素子の作製時間がかかるといった問題があった。そこ
で、大型基板を用いることができ、かつ作製時間を大幅
に短縮することが可能なパターン化方法として、転写法
（例えば、特開平１０−２０８８８１号公報、特開平１
１−２３７５０４号公報、特開平１１−２６０５４９号
公報）が提案された。However, in the mask evaporation method, there is a problem that it is very difficult to manufacture a device using a large substrate. In the ink-jet method, there is a problem that it takes a very long time to manufacture the device when a large substrate is used. Was. Therefore, as a patterning method that can use a large-sized substrate and can greatly reduce a manufacturing time, a transfer method (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-208881, Japanese Patent Application Laid-Open
1-2237504, and JP-A-11-260549) have been proposed.
【０００４】上記の先行技術の転写法を用いて転写層
（例えば、有機層）を基板に転写する場合には、ドナー
フィルムを基板に密着させ、所望の部分にレーザー光を
照射もしくは熱を放射して、基板上に転写層を転写す
る。しかしながら、上記の先行技術の転写法では、レー
ザー光を照射していない部分または熱を放射していない
部分にも、転写層が転写されてしまうといった問題があ
った。つまり、レーザー光を照射した部分もしくは熱を
放射した部分以外の基板上にも転写層が転写されてしま
い、パターン化ができないという問題があった。When a transfer layer (for example, an organic layer) is transferred to a substrate by using the above-described prior art transfer method, a donor film is brought into close contact with the substrate, and a desired portion is irradiated with laser light or heat is radiated. Then, the transfer layer is transferred onto the substrate. However, in the above-described prior art transfer method, there was a problem that the transfer layer was transferred to a portion not irradiated with laser light or a portion not emitting heat. That is, there was a problem that the transfer layer was transferred onto the substrate other than the portion irradiated with the laser beam or the portion from which the heat was radiated, and patterning could not be performed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】この発明は、転写工程
において、レーザーを照射していない部分または熱を放
射していない部分でも、転写層が基板に転写されてしま
うといった問題を防止し、転写法による有機ＬＥＤ層の
パターン化が可能となるドナーフィルムを提供すること
を課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention prevents the transfer layer from being transferred to a substrate even in a portion not irradiated with a laser or a portion not radiating heat in a transfer step. An object of the present invention is to provide a donor film capable of patterning an organic LED layer by a method.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】かくして、この発明によ
れば、光−熱変換層、任意に熱伝播層および／またはガ
ス発生層が積層されたベースフィルム上に転写層が積層
されてなり、転写層に接するベースフィルムの表面層と
水との接触角が５０°以下である有機ＬＥＤ表示パネル
製造用のドナーフィルムが提供される。Thus, according to the present invention, a transfer layer is laminated on a base film on which a light-to-heat conversion layer, optionally a heat propagation layer and / or a gas generating layer is laminated, Provided is a donor film for manufacturing an organic LED display panel, wherein a contact angle between water and a surface layer of a base film in contact with a transfer layer is 50 ° or less.
【０００７】また、この発明によれば、上記のドナーフ
ィルムを用いた転写法で製造された有機ＬＥＤ表示パネ
ルが提供される。Further, according to the present invention, there is provided an organic LED display panel manufactured by a transfer method using the above donor film.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】有機ＬＥＤ表示パネルは、基本的
に第１電極、少なくとも１層の発光層を有する有機ＬＥ
Ｄ層（有機層）および第２電極が順次積層された有機Ｌ
ＥＤ素子を一画素として、複数配置することにより製造
される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An organic LED display panel is basically composed of an organic LE having a first electrode and at least one light emitting layer.
Organic layer L in which a D layer (organic layer) and a second electrode are sequentially laminated
It is manufactured by arranging a plurality of ED elements as one pixel.
【０００９】この発明のドナーフィルムは、前記のよう
な有機ＬＥＤ表示パネルを転写法で製造する際に用いら
れるドナーフィルムであって、光−熱変換層、任意に熱
伝播層および／またはガス発生層が積層されたベースフ
ィルム上に転写層が積層されてなり、転写層に接するベ
ースフィルムの表面層（単に「表面層」ともいう）と水
との接触角が５０°以下であることを特徴とする。この
表面層と水との接触角は、好ましくは５〜５０°であ
り、より好ましくは７〜５０°である。表面層と水との
接触角が５０°を超える場合には、転写工程においてレ
ーザー光を照射していない部分または熱を放射していな
い部分にも、転写層が転写されることがあるので好まし
くない。[0009] The donor film of the present invention is a donor film used when the above-mentioned organic LED display panel is manufactured by a transfer method, and comprises a light-to-heat conversion layer, optionally a heat transfer layer and / or gas generation. The transfer layer is laminated on the base film on which the layers are laminated, and the contact angle between the surface layer of the base film in contact with the transfer layer (also simply referred to as “surface layer”) and water is 50 ° or less. And The contact angle between the surface layer and water is preferably 5 to 50 °, more preferably 7 to 50 °. When the contact angle between the surface layer and water is more than 50 °, the transfer layer may be transferred to a portion that does not irradiate laser light or a portion that does not radiate heat in the transfer step, which is preferable. Absent.
【００１０】表面層と水との接触角を５０°以下にする
には、表面層を形成する材料に、水との接触角が５０°
以下である材料を用いればよい。また、水との接触角が
５０°を超える材料を用いる場合であっても、親水化処
理を施すことにより、水との接触角を５０°以下にする
ことができる。In order to reduce the contact angle between the surface layer and water to 50 ° or less, the material forming the surface layer must have a contact angle with water of 50 °.
The following materials may be used. Further, even when a material having a contact angle with water exceeding 50 ° is used, the contact angle with water can be reduced to 50 ° or less by performing the hydrophilic treatment.
【００１１】親水化処理としては、ＵＶ処理、プラズマ
処理、コロナ処理、および表面修飾などが挙げられる。The hydrophilic treatment includes UV treatment, plasma treatment, corona treatment, surface modification and the like.
【００１２】ＵＶ処理としては、親水化しようとする層
の表面に、波長３１０ｎｍ以下（好ましくは１００〜３
１０ｎｍ）のＵＶ光を０．１〜３０分間程度、照射する
のが好ましい。In the UV treatment, the surface of the layer to be hydrophilized has a wavelength of 310 nm or less (preferably 100 to 3 nm).
(10 nm) UV light is preferably irradiated for about 0.1 to 30 minutes.
【００１３】プラズマ処理としては、アルゴンガス、酸
素ガスまたはＣＦ4を用いて、親水化しようとする層の
表面にプラズマを０．１〜３０分間程度、照射するのが
好ましい。As the plasma treatment, it is preferable to irradiate the surface of the layer to be hydrophilized with plasma for about 0.1 to 30 minutes using argon gas, oxygen gas or CF 4 .
【００１４】コロナ処理としては、親水化しようとする
層の表面に、アルゴン、酸素、ＣＦ 4などのガス雰囲
気、電圧１００〜２０，０００Ｖの条件下で、０．１〜
３０分間程度、コロナ放電を行うのが好ましい。[0014] The corona treatment is intended to be hydrophilic.
Argon, oxygen, CF on the surface of the layer FourGas atmosphere such as
Under a condition of a voltage of 100 to 20,000 V
It is preferable to perform corona discharge for about 30 minutes.
【００１５】表面修飾としては、例えば、グリコースア
ミドを用いて、親水化しようとする層の表面を表面処理
するのが好ましい。具体的には、グルコースアミド、ア
ミド、メチルアミド、ジメチルアミドなどにより修飾す
るのが好ましい。As the surface modification, it is preferable to treat the surface of the layer to be hydrophilized with, for example, glycosamide. Specifically, it is preferable to modify with glucose amide, amide, methyl amide, dimethyl amide and the like.
【００１６】次に、この発明のドナーフィルムを用いた
有機ＬＥＤ表示パネルの製造方法について説明するが、
これによりこの発明が限定されるものではない。図１は
有機ＬＥＤ表示パネルの製造方法を示す概略断面図であ
る。Next, a method for manufacturing an organic LED display panel using the donor film of the present invention will be described.
This does not limit the present invention. FIG. 1 is a schematic sectional view showing a method for manufacturing an organic LED display panel.
【００１７】図１では、転写層３が形成されたベースフ
ィルム６と第１電極９が形成された基板８とを、ベース
フィルム６と基板８とが外側になるように貼り付け、ベ
ースフィルム側（ベースフィルムの基材フィルム側）か
ら光（例えば、レーザー光）または熱１０を照射もしく
は放射している。次いで、転写層３の一部もしくはすべ
てを残して、ベースフィルム６を剥離することにより転
写が完了する。その後、基板８を真空乾燥または加熱乾
燥するのが好ましく、一連の転写工程は、形成層（膜）
の吸湿や材料の変質を考慮して、不活性ガス中で行うの
が好ましい。In FIG. 1, the base film 6 on which the transfer layer 3 is formed and the substrate 8 on which the first electrode 9 is formed are adhered so that the base film 6 and the substrate 8 are outside, and Light (for example, laser light) or heat 10 is irradiated or radiated from (the base film side of the base film). Next, the transfer is completed by removing the base film 6 while leaving a part or all of the transfer layer 3. Thereafter, it is preferable that the substrate 8 be dried in vacuum or heated and dried.
It is preferable to carry out in an inert gas in consideration of moisture absorption and deterioration of the material.
【００１８】転写層は、後述するように単層構造、多層
構造のいずれであってもよい。転写層が有機ＬＥＤ素子
の構成層をすべて含む多層構造である場合には、前記の
転写工程は１回で完了するが、転写層が有機ＬＥＤ素子
の構成層の一部を含む単層または多層構造である場合に
は、前記の転写工程を繰り返せばよい。The transfer layer may have either a single-layer structure or a multilayer structure as described later. When the transfer layer has a multilayer structure including all the constituent layers of the organic LED element, the transfer step is completed in one step, but the transfer layer is a single layer or a multilayer including a part of the constituent layers of the organic LED element. In the case of a structure, the above transfer step may be repeated.
【００１９】また、この発明のドナーフィルムを用いた
転写法と、公知のドライプロセスおよび／またはウエッ
トプロセスとを組み合せて、有機ＬＥＤパネルを製造し
てもよい。公知のドライプロセスとしては、真空蒸着
法、ＥＢ法、ＭＢＥ法、スパッタ法などが挙げられ、公
知のウエットプロセスとしては、スピンコート法、ディ
ップコート法、ドクターブレード法、吐出コート法、ス
プレーコート法などの塗布法、インクジェット法、凸版
印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラ
ビアコート法などの印刷法が挙げられる。An organic LED panel may be manufactured by combining the transfer method using the donor film of the present invention with a known dry process and / or wet process. Known dry processes include vacuum deposition, EB, MBE, and sputtering. Known wet processes include spin coating, dip coating, doctor blade, discharge coating, and spray coating. And a printing method such as an ink-jet method, a letterpress printing method, an intaglio printing method, a screen printing method, and a microgravure coating method.
【００２０】例えば、後述する正孔輸送層および発光層
を、それぞれスピンコート法および転写法で形成するこ
とができる。また、第１電極または第２電極を転写法で
形成した場合には、転写層を第１電極または第２電極と
してそのまま用いてもよいが、転写層上にさらに金属膜
を形成して、第１電極または第２電極としてもよい。For example, a hole transporting layer and a light emitting layer described later can be formed by a spin coating method and a transfer method, respectively. When the first electrode or the second electrode is formed by a transfer method, the transfer layer may be used as it is as the first electrode or the second electrode. The first electrode or the second electrode may be used.
【００２１】以下、有機ＬＥＤ表示パネルの各構成部分
およびそれらの作製方法について説明する。Hereinafter, each component of the organic LED display panel and a method of manufacturing the same will be described.
【００２２】（１．ベースフィルム）ベースフィルム
は、基材フィルム１上に少なくとも光−熱変換層２が形
成されたものである（図２（ａ）参照）。また、必要に
応じて、光−熱変換層２上に熱伝播層４が形成されてい
てもよく（図２（ｂ）参照）、さらにガス発生層５が形
成されていてもよい（図２（ｃ）参照）。(1. Base Film) The base film is obtained by forming at least a light-to-heat conversion layer 2 on a base film 1 (see FIG. 2A). Further, if necessary, the heat propagation layer 4 may be formed on the light-to-heat conversion layer 2 (see FIG. 2B), and the gas generating layer 5 may be formed (see FIG. 2). (C)).
【００２３】（１−１．基材フィルム）基材フィルム
は、透明高分子フィルムからなる。例えば、ポリカーボ
ネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエステル、ポリアクリル、エポキシ樹脂、ポ
リエチレン、ポリスチレン、ポリエーテルスルフォンな
どが挙げられるが、この発明はこれらにより限定される
ものではない。これらの中でも、ＰＣ、ＰＥＴが特に好
ましい。また、基材フィルムの膜厚としては、１０〜６
００μｍが好ましく、５０〜２００μｍが特に好まし
い。(1-1. Base Film) The base film is composed of a transparent polymer film. For example, polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PE
T), polyester, polyacryl, epoxy resin, polyethylene, polystyrene, polyethersulfone, and the like, but the invention is not limited thereto. Among these, PC and PET are particularly preferred. The thickness of the substrate film is 10 to 6
00 μm is preferred, and 50 to 200 μm is particularly preferred.
【００２４】（１−２．光−熱変換層）光−熱変換層
（「光吸収層」ともいう）は、光を吸収し効率よく熱を
発生させる性質を有する物質から構成される。具体的に
は、アルミニウム、その酸化物および／またはその硫化
物からなる金属膜、カーボンブラック、黒鉛または赤外
線染料などを高分子材料（例えば、熱硬化型エポキシ樹
脂）に分散した有機膜が挙げられるが、この発明はこれ
らに限定されるものではない。(1-2. Light-to-Heat Conversion Layer) The light-to-heat conversion layer (also referred to as a “light-absorbing layer”) is made of a substance having a property of absorbing light and efficiently generating heat. Specific examples include a metal film made of aluminum, its oxide and / or its sulfide, and an organic film in which carbon black, graphite, or an infrared dye is dispersed in a polymer material (for example, a thermosetting epoxy resin). However, the present invention is not limited to these.
【００２５】金属膜は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着
法、スパッタリング法などの公知の方法により形成する
ことができ、その膜厚は、５０〜１０，０００Åが好ま
しく、１００〜５，０００Åが特に好ましい。また、有
機膜は、公知のコーティング法により形成することがで
き、その膜厚は、０．０１〜５０μｍが好ましく、０．
１〜１０μｍが特に好ましい。The metal film can be formed by a known method such as a vacuum evaporation method, an electron beam evaporation method, and a sputtering method, and the thickness is preferably 50 to 10,000 °, particularly preferably 100 to 5,000 °. preferable. Further, the organic film can be formed by a known coating method, and the thickness thereof is preferably 0.01 to 50 μm.
Particularly preferred is 1 to 10 μm.
【００２６】この発明において、光−熱変換層が転写層
に接するベースフィルムの表面層となる場合には、光−
熱変換層と水との接触角が５０°以下でなければならな
い。光−熱変換層を構成する好適な高分子材料として
は、例えば、ポリ（ビニルアルコール）（接触角３６
°）、ポリ（メタクリル酸ヒドロキシエチル）（接触角
１３°）、ポリ（メタクリル酸メトキシエチル）（接触
角４６°）などが挙げられる。また、光−熱変換層とし
て、水との接触角が５０°を超える高分子材料を用いる
場合であっても、前記の親水化処理を行うことにより、
水との接触角を５０°以下にすることができる。In the present invention, when the light-heat conversion layer is a surface layer of the base film in contact with the transfer layer,
The contact angle between the heat conversion layer and water must be 50 ° or less. Suitable polymer materials constituting the light-heat conversion layer include, for example, poly (vinyl alcohol) (contact angle 36
°), poly (hydroxyethyl methacrylate) (contact angle 13 °), poly (methoxyethyl methacrylate) (contact angle 46 °), and the like. Further, even when a polymer material having a contact angle with water of more than 50 ° is used as the light-heat conversion layer, by performing the above-mentioned hydrophilization treatment,
The contact angle with water can be reduced to 50 ° or less.
【００２７】（１−３．熱伝播層）熱伝播層（「剥離
層」ともいう）は、転写を効率よく行うために熱を伝播
させる層である。例えば、ポリαメチルスチレンなどの
高分子材料が挙げられるが、この発明はこれに限定され
るものではない。熱伝播層は、公知の成膜法により形成
することができ、その膜厚は、０．００１〜１０μｍが
好ましく、０．００５〜５μｍが特に好ましい。(1-3. Heat Propagation Layer) The heat propagation layer (also referred to as a “peeling layer”) is a layer through which heat is propagated for efficient transfer. For example, a polymer material such as poly-α-methylstyrene can be used, but the present invention is not limited to this. The heat propagation layer can be formed by a known film formation method, and the thickness thereof is preferably 0.001 to 10 μm, and particularly preferably 0.005 to 5 μm.
【００２８】この発明において、熱伝播層が転写層に接
するベースフィルムの表面層となる場合には、熱伝播層
と水との接触角が５０°以下でなければならない。熱伝
播層を構成する好適な高分子材料としては、例えば、ポ
リ（ビニルアルコール）（接触角３６°）、ポリ（メタ
クリル酸ヒドロキシエチル）（接触角１３°）、ポリ
（メタクリル酸メトキシエチル）（接触角４６°）など
が挙げられる。また、熱伝播層として、水との接触角が
５０°を超える高分子材料（例えば、ポリαメチルスチ
レン、接触角５６°）を用いる場合であっても、前記の
親水化処理を行うことにより、水との接触角を５０°以
下にすることができる。In the present invention, when the heat transfer layer serves as a surface layer of the base film in contact with the transfer layer, the contact angle between the heat transfer layer and water must be 50 ° or less. Suitable polymer materials constituting the heat transfer layer include, for example, poly (vinyl alcohol) (contact angle 36 °), poly (hydroxyethyl methacrylate) (contact angle 13 °), poly (methoxyethyl methacrylate) ( Contact angle 46 °). Further, even when a polymer material having a contact angle with water of more than 50 ° (for example, poly α-methylstyrene, contact angle of 56 °) is used as the heat propagation layer, the hydrophilic treatment can be performed. , The contact angle with water can be 50 ° or less.
【００２９】（１−４．ガス発生層）ガス発生層は、光
または熱を吸収すると分解反応を起こして窒素ガスまた
は水素ガスを放出し、転写のためのエネルギーを提供す
る、すなわち、転写効率の向上に寄与する層である。ガ
ス発生層を構成する材料としては、例えば、四硝酸ペン
タエリトリトール、トリニトロトルエンなどが挙げられ
るが、この発明はこれらに限定されるものではない。ガ
ス発生層は、公知の成膜法により形成することができ、
その膜厚は、０．００１〜１０μｍが好ましく、０．０
０５〜５μｍが特に好ましい。(1-4. Gas Generating Layer) When the gas generating layer absorbs light or heat, it undergoes a decomposition reaction to release nitrogen gas or hydrogen gas, thereby providing energy for transfer, that is, transfer efficiency. It is a layer that contributes to the improvement of. Examples of the material constituting the gas generating layer include pentaerythritol tetranitrate and trinitrotoluene, but the present invention is not limited thereto. The gas generating layer can be formed by a known film forming method,
The film thickness is preferably from 0.001 to 10 μm,
It is particularly preferably from 0.5 to 5 μm.
【００３０】この発明において、ガス発生層が転写層に
接するベースフィルムの表面層となる場合には、ガス発
生層と水との接触角が５０°以下でなければならない。
ガス発生層を構成する好適な高分子材料としては、例え
ば、ポリ（ビニルアルコール）（接触角３６°）、ポリ
（メタクリル酸ヒドロキシエチル）（接触角１３°）な
どが挙げられる。また、ガス発生層として、水との接触
角が５０°を超える高分子材料を用いる場合であって
も、前記の親水化処理を行うことにより、水との接触角
を５０°以下にすることができる。In the present invention, when the gas generating layer serves as a surface layer of the base film in contact with the transfer layer, the contact angle between the gas generating layer and water must be 50 ° or less.
Suitable polymer materials constituting the gas generating layer include, for example, poly (vinyl alcohol) (contact angle: 36 °), poly (hydroxyethyl methacrylate) (contact angle: 13 °), and the like. Further, even when a polymer material having a contact angle with water of more than 50 ° is used as the gas generating layer, the contact angle with water is reduced to 50 ° or less by performing the above-described hydrophilic treatment. Can be.
【００３１】（２．ドナーフィルム）ドナーフィルム
は、ベースフィルム上に転写層が形成されたものであ
る。また、ドナーフィルムは、転写層の種類によって、
発光層形成用ドナーフィルム、発光画素形成用ドナーフ
ィルムなどとも称する。(2. Donor Film) The donor film has a transfer layer formed on a base film. Also, the donor film depends on the type of transfer layer,
Also referred to as a light emitting layer forming donor film, a light emitting pixel forming donor film, and the like.
【００３２】図２は、この発明のドナーフィルムの概略
断面図である。（ａ）は基材フィルム１と光−熱変換層
２からなるベースフィルム６および転写層３から構成さ
れるドナーフィルム７であり、（ｂ）は基材フィルム１
と光−熱変換層２と熱伝播層４からなるベースフィルム
６および転写層３から構成されるドナーフィルム７であ
り、（ｃ）は基材フィルム１と光−熱変換層２と熱伝播
層４とガス発生層５からなるベースフィルム６および転
写層３から構成されるドナーフィルム７である。FIG. 2 is a schematic sectional view of the donor film of the present invention. (A) is a base film 6 composed of a base film 1 and a light-heat conversion layer 2 and a donor film 7 composed of a transfer layer 3, and (b) is a base film 1.
And a donor film 7 comprising a transfer film 3 and a base film 6 comprising a light-to-heat conversion layer 2 and a heat transfer layer 4, and (c) shows a base film 1, a light-to-heat conversion layer 2 and a heat transfer layer. 4 is a donor film 7 composed of a base film 6 composed of a transfer layer 3 and a gas generating layer 5.
【００３３】（２−１．転写層）転写層は、実際に転写
工程により転写される層であり、有機層のみの構造でも
電極層と有機層を組合わせた構造でもよい。具体的に
は、下記の構成が挙げられるが、この発明はこれらによ
り限定されるものではない。 (1)有機層 (2)第１電極／有機層 (3)有機層／第２電極 (4)第１電極／有機層／第２電極 なお、ベースフィルムに対する転写層の積層順は限定さ
れない。(2-1. Transfer Layer) The transfer layer is a layer actually transferred in the transfer step, and may have a structure of only an organic layer or a structure in which an electrode layer and an organic layer are combined. Specifically, the following configurations are mentioned, but the present invention is not limited thereto. (1) Organic layer (2) First electrode / Organic layer (3) Organic layer / Second electrode (4) First electrode / Organic layer / Second electrode The order of lamination of the transfer layer to the base film is not limited.
【００３４】（２−１−１．有機層）有機層は、単層構
造でも多層構造でもよく、具体的には、下記の構成が挙
げられるが、この発明はこれらにより限定されるもので
はない。 (1)有機発光層 (2)正孔輸送層 (3)電子輸送層 (4)正孔注入層 (5)正孔輸送層／有機発光層 (6)正孔注入層／正孔輸送層 (7)有機発光層／電子輸送層 (8)正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層 (9)正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層 (10)正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／ブロッキン
グ層／電子輸送層 ここで、有機発光層は、単層構造でも多層構造でもよ
い。(2-1-1. Organic Layer) The organic layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure. Specifically, the following structures are exemplified, but the present invention is not limited thereto. . (1) organic light emitting layer (2) hole transport layer (3) electron transport layer (4) hole injection layer (5) hole transport layer / organic light emitting layer (6) hole injection layer / hole transport layer ( 7) organic light emitting layer / electron transport layer (8) hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer (9) hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer (10) hole injection Layer / Hole transport layer / Organic light emitting layer / Blocking layer / Electron transport layer Here, the organic light emitting layer may have a single layer structure or a multilayer structure.
【００３５】有機発光層は、任意に発光アシスト剤、電
荷輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプターなど）、発
光性のドーパントなどを含む発光材料を用いて、公知の
ドライプロセスにより形成（成膜）することができる。
公知のドライプロセスとしては、真空蒸着法、ＥＢ法、
ＭＢＥ法、スパッタ法、ＯＶＰＤ法などが挙げられる。The organic light emitting layer is formed by a known dry process using a light emitting material optionally containing a light emitting assisting agent, a charge transport material, an additive (donor, acceptor, etc.), a light emitting dopant and the like (film formation). can do.
Known dry processes include a vacuum deposition method, an EB method,
An MBE method, a sputtering method, an OVPD method, and the like can be given.
【００３６】また、有機発光層は、有機発光層形成用塗
液を用いて、公知のウエットプロセスにより形成（成
膜）することもできる。有機発光層形成用塗液は、１種
もしくは２種以上の発光材料を溶剤に溶解または分散さ
せた溶液であり、任意に結着用樹脂、レベリング剤、発
光アシスト剤、電荷注入輸送材料、添加剤（ドナー，ア
クセプターなど）、発光性のドーパントなどを含む。公
知のウエットプロセスとしては、スピンコート法、ディ
ップコート法、ドクターブレード法、吐出コート法、ス
プレーコート法などの塗布法、インクジェット法、凸版
印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラ
ビアコート法などの印刷法などが挙げられる。The organic light emitting layer can be formed (formed) by a known wet process using a coating liquid for forming an organic light emitting layer. The coating liquid for forming an organic light emitting layer is a solution in which one or more light emitting materials are dissolved or dispersed in a solvent, and optionally a binder resin, a leveling agent, a light emission assisting agent, a charge injection transport material, and an additive. (Donor, acceptor, etc.), a luminescent dopant, and the like. Known wet processes include coating methods such as spin coating, dip coating, doctor blade, discharge coating, and spray coating, ink-jet printing, letterpress printing, intaglio printing, screen printing, and microgravure coating. And other printing methods.
【００３７】発光材料としては、有機ＬＥＤ用の公知の
発光材料を用いることができる。このような発光材料
は、低分子発光材料、高分子発光材料および高分子発光
材料の前駆体などに分類され、これらの具体的な化合物
を以下に例示するが、この発明はこれらにより限定され
るものではない。As the light emitting material, a known light emitting material for an organic LED can be used. Such light-emitting materials are classified into low molecular light-emitting materials, polymer light-emitting materials, precursors of polymer light-emitting materials, and the like. Specific examples of these compounds are given below, but the invention is not limited thereto. Not something.
【００３８】低分子発光材料としては、例えば、４，
４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニ
ル（ＤＰＶＢｉ）などの芳香族ジメチリデン化合物、５
−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾ
オキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール
などのオキサジアゾール化合物、３−（４−ビフェニル
イル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，
２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）などのトリアゾール誘
導体、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼンな
どのスチリルベンゼン化合物、チオピラジンジオキシド
誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、ア
ントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレ
ノン誘導体などの蛍光性有機材料、ならびにアゾメチン
亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム
錯体（Ａｌｑ3）などの蛍光性有機金属化合物などが挙
げられる。As the low molecular light emitting material, for example,
Aromatic dimethylidene compounds such as 4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) -biphenyl (DPVBi);
Oxadiazole compounds such as -methyl-2- [2- [4- (5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl] benzoxazole, 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 -T-butylphenyl-1,
Triazole derivatives such as 2,4-triazole (TAZ), styrylbenzene compounds such as 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, thiopyrazine dioxide derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone fluorescent organic materials such as derivatives, and azomethine zinc complexes, and fluorescent organic metal compounds such as (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex (Alq 3).
【００３９】高分子発光材料としては、例えば、ポリ
（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）（ＤＯ−Ｐ
ＰＰ）、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−ト
リエチルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル
−アルト−１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰ
Ｐ−ＮＥｔ3+）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオ
キシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］
（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロ
パノキシサルフォニド）−１，４−フェニレンビニレ
ン］（ＭＰＳ−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキ
シルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニ
レン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（９，９−ジオクチル
フルオレン）（ＰＤＡＦ）などが挙げられる。As the polymer light emitting material, for example, poly (2-decyloxy-1,4-phenylene) (DO-P
PP), poly [2,5-bis- [2- (N, N, N-triethylammonium) ethoxy] -1,4-phenyl-alto-1,4-phenylene] dibromide (PP
P-NEt 3+ ), poly [2- (2′-ethylhexyloxy) -5-methoxy-1,4-phenylenevinylene]
(MEH-PPV), poly [5-methoxy- (2-propanoxysulfonide) -1,4-phenylenevinylene] (MPS-PPV), poly [2,5-bis- (hexyloxy) -1, 4-phenylene- (1-cyanovinylene)] (CN-PPV), poly (9,9-dioctylfluorene) (PDAF) and the like.
【００４０】また、高分子発光材料の前駆体としては、
例えば、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）前駆体（Ｐｒ
ｅ−ＰＰＶ）、ポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体
（Ｐｒｅ−ＰＮＶ）、ポリ（ｐ−フェニレン）前駆体
（Ｐｒｅ−ＰＰＰ）などが挙げられる。As the precursor of the polymer light emitting material,
For example, a poly (p-phenylenevinylene) precursor (Pr
e-PPV), a poly (p-naphthalenevinylene) precursor (Pre-PNV), a poly (p-phenylene) precursor (Pre-PPP), and the like.
【００４１】結着用樹脂としては、例えば、ポリカーボ
ネート、ポリエステルなどが挙げられるが、この発明は
これらにより限定されるものではない。溶剤としては、
前記の発光材料を溶解または分散できる溶剤であれば、
特に限定されるものではない。具体的には、純水、メタ
ノール、エタノール、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、
クロロホルム、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼ
ン、トリエチルベンゼン、テトラメチルベンゼンなどが
挙げられる。Examples of the binder resin include polycarbonate and polyester, but the present invention is not limited to these. As the solvent,
If the solvent can dissolve or disperse the luminescent material,
There is no particular limitation. Specifically, pure water, methanol, ethanol, THF (tetrahydrofuran),
Examples thereof include chloroform, toluene, xylene, trimethylbenzene, triethylbenzene, and tetramethylbenzene.
【００４２】正孔輸送層および電子輸送層は、それぞれ
単層構造でも多層構造でもよい。以下の説明において
は、正孔と電子を合わせて「電荷」ともいう。電荷輸送
層は、任意に添加剤（ドナー、アクセプターなど）など
を含む電荷輸送材料を用いて、公知のドライプロセスに
より形成（成膜）することができる。公知のドライプロ
セスとしては、有機発光層の形成において例示したもの
が挙げられる。Each of the hole transport layer and the electron transport layer may have a single layer structure or a multilayer structure. In the following description, holes and electrons are collectively referred to as “charge”. The charge transport layer can be formed (formed) by a known dry process using a charge transport material optionally containing an additive (donor, acceptor, or the like). Known dry processes include those exemplified in the formation of the organic light emitting layer.
【００４３】また、電荷輸送層は、電荷輸送層形成用塗
液を用いて、公知のウエットプロセスにより形成（成
膜）することもできる。電荷輸送層形成用塗液は、１種
もしくは２種以上の電荷輸送材料を溶剤に溶解または分
散させた溶液であり、任意に結着用樹脂、レベリング
剤、添加剤（ドナー、アクセプターなど）などを含む。
公知のウエットプロセスとしては、有機発光層の形成に
おいて例示したものが挙げられる。The charge transport layer can also be formed (formed) by a known wet process using a coating liquid for forming a charge transport layer. The coating liquid for forming a charge transport layer is a solution in which one or more charge transport materials are dissolved or dispersed in a solvent, and optionally includes a binder resin, a leveling agent, and additives (donor, acceptor, etc.). Including.
Known wet processes include those exemplified in the formation of the organic light emitting layer.
【００４４】電荷輸送材料としては、有機ＬＥＤ用、有
機光導電体用の公知の電荷輸送材料を用いることができ
る。このような電荷輸送材料は、正孔輸送材料および電
子輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下
に例示するが、この発明はこれらにより限定されるもの
ではない。As the charge transporting material, known charge transporting materials for organic LEDs and organic photoconductors can be used. Such charge transporting materials are classified into hole transporting materials and electron transporting materials, and specific compounds thereof are exemplified below, but the present invention is not limited thereto.
【００４５】正孔輸送材料としては、例えば、無機ｐ型
半導体材料、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス−
（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニ
ル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレ
ン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルーベンジジン
（ＮＰＤ）などの芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾ
ン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物
などの低分子材料；ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、３，４
−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサル
フォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニ
ルアミン誘導体）（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニルカ
ルバゾール（ＰＶＣｚ）などの高分子材料；ポリ（ｐ−
フェニレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＰＶ）、ポリ
（ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＮＶ）
などの高分子材料前駆体などが挙げられる。As the hole transport material, for example, an inorganic p-type semiconductor material, a porphyrin compound, N, N'-bis-
Such as (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine (TPD), N, N'-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (NPD) Low molecular weight materials such as aromatic tertiary amine compounds, hydrazone compounds, quinacridone compounds, styrylamine compounds; polyaniline (PANI), 3,4
Polymer materials such as polyethylene dioxythiophene / polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS), poly (triphenylamine derivative) (Poly-TPD), polyvinyl carbazole (PVCz); poly (p-
Phenylene vinylene) precursor (Pre-PPV), poly (p-naphthalene vinylene) precursor (Pre-PNV)
And the like.
【００４６】電子輸送材料としては、例えば、無機ｎ型
半導体材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘
導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘
導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジ
フェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体などの低分子
材料；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ−ＯＸＺ）
などの高分子材料が挙げられる。Examples of the electron transport material include low molecular weight materials such as inorganic n-type semiconductor materials, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, thiopyrazine dioxide derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives. A poly (oxadiazole) (Poly-OXZ)
And the like.
【００４７】結着用樹脂としては、例えば、ポリカーボ
ネート、ポリエステルなどが挙げられるが、この発明は
これらにより限定されるものではない。溶剤としては、
前記の電荷輸送材料を溶解または分散できる溶剤であれ
ば、特に限定されるものではない。具体的には、純水、
メタノール、エタノール、ＴＨＦ、クロロホルム、キシ
レン、トリメチルベンゼンなどが挙げられる。Examples of the binder resin include polycarbonate and polyester, but the present invention is not limited to these. As the solvent,
The solvent is not particularly limited as long as the solvent can dissolve or disperse the charge transport material. Specifically, pure water,
Examples include methanol, ethanol, THF, chloroform, xylene, and trimethylbenzene.
【００４８】電荷ブロッキング層は、単層構造でも多層
構造でもよい。電荷ブロッキング層は、任意に添加剤
（ドナー、アクセプターなど）などを含む電荷ブロッキ
ング材料を用いて、公知のドライプロセスにより形成
（成膜）することができる。公知のドライプロセスとし
ては、有機発光層の形成において例示したものが挙げら
れる。The charge blocking layer may have a single layer structure or a multilayer structure. The charge blocking layer can be formed (formed) by a known dry process using a charge blocking material optionally containing an additive (donor, acceptor, or the like). Known dry processes include those exemplified in the formation of the organic light emitting layer.
【００４９】また、電荷ブロッキング層は、電荷ブロッ
キング層形成用塗液を用いて、公知のウエットプロセス
により形成（成膜）することもできる。電荷ブロッキン
グ層形成用塗液は、１種もしくは２種以上の電荷ブロッ
キング材料を溶剤に溶解または分散させた溶液であり、
任意に結着用樹脂、レベリング剤などを含む。公知のウ
エットプロセスとしては、有機発光層の形成において例
示したものが挙げられる。The charge blocking layer can be formed (formed) by a known wet process using a coating solution for forming a charge blocking layer. The coating solution for forming a charge blocking layer is a solution in which one or more charge blocking materials are dissolved or dispersed in a solvent,
Optionally, a binder resin, a leveling agent and the like are included. Known wet processes include those exemplified in the formation of the organic light emitting layer.
【００５０】電荷ブロッキング材料としては、有機ＬＥ
Ｄ用の公知の電荷ブロッキング材料を用いることができ
る。例えば、電荷ブロッキング材料としては、４，７−
ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、２，９−ジ
メチル−１，１０−フェナントロリン、ＢＡｌｑ（ビス
（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフ
ェノラート）アルミニウム）などが挙げられるが、この
発明はこれらにより限定されるものではない。As the charge blocking material, organic LE
Known charge blocking materials for D can be used. For example, as a charge blocking material, 4,7-
Examples thereof include diphenyl-1,10-phenanthroline, 2,9-dimethyl-1,10-phenanthroline, and BAlq (bis (2-methyl-8-quinolinolate) (p-phenylphenolate) aluminum). It is not limited by these.
【００５１】結着用樹脂としては、例えば、ポリカーボ
ネート、ポリエステルなどが挙げられるが、この発明は
これらにより限定されるものではない。溶剤としては、
前記の電荷ブロッキング材料を溶解または分散できる溶
剤であれば、特に限定されるものではない。具体的に
は、純水、メタノール、エタノール、ＴＨＦ、クロロホ
ルム、キシレン、トリメチルベンゼンなどが挙げられ
る。Examples of the binder resin include polycarbonate and polyester, but the present invention is not limited thereto. As the solvent,
The solvent is not particularly limited as long as the solvent can dissolve or disperse the charge blocking material. Specific examples include pure water, methanol, ethanol, THF, chloroform, xylene, trimethylbenzene, and the like.
【００５２】上記の各有機層の膜厚は、通常１〜１００
０ｎｍ程度である。有機層を成膜する際の環境は特に限
定されるものではないが、形成した膜の吸湿、用いた有
機材料の変質を防止する観点から、不活性ガス中もしく
は真空中で行うのが好ましい。また、特にウエットプロ
セスにより有機層を形成した後には、残留溶媒を除去す
る目的で、加熱乾燥を行うのが好ましい。加熱乾燥を行
う環境は特に限定されるものではないが、用いた有機材
料の変質を防止する観点から、不活性ガス中、好ましく
は減圧下で行うのが好ましい。The thickness of each organic layer is usually 1 to 100.
It is about 0 nm. The environment in which the organic layer is formed is not particularly limited, but is preferably performed in an inert gas or in vacuum from the viewpoint of preventing moisture absorption of the formed film and deterioration of the used organic material. Further, it is preferable to heat and dry the organic layer, particularly after forming the organic layer by a wet process, in order to remove the residual solvent. The environment in which the heating and drying are performed is not particularly limited, but is preferably performed in an inert gas, preferably under reduced pressure, from the viewpoint of preventing deterioration of the organic material used.
【００５３】上記のような転写層として、例えば、正孔
輸送層／赤色発光層からなる有機赤色発光多層膜、正孔
輸送層／緑色発光層からなる有機緑色発光多層膜、およ
び正孔輸送層／青色発光層からなる有機青色発光多層膜
を有する３種類のベースフィルムを用いて、基板上に転
写工程を繰り返すことにより、赤色、緑色および青色の
発光多層膜を有する有機ＬＥＤ表示パネルを得ることが
できる。As the transfer layer as described above, for example, an organic red light emitting multilayer film composed of a hole transport layer / red light emitting layer, an organic green light emitting multilayer film composed of a hole transport layer / green light emitting layer, and a hole transport layer / Using three types of base films having an organic blue light-emitting multilayer film composed of a blue light-emitting layer, repeating the transfer process on a substrate to obtain an organic LED display panel having red, green, and blue light-emitting multilayer films Can be.
【００５４】（２−１−２．第１電極および第２電極）
第１電極および第２電極を形成する電極材料としては、
公知の電極材料を用いることができる。陽極を形成する
電極材料としては、仕事関数が高い金属（Ａｕ、Ｐｔ、
Ｎｉなど）および透明電極（ＩＴＯ，ＩＤＩＸＯ，Ｓｎ
Ｏ2など）などが挙げられる。また、陰極を形成する電
極材料としては、仕事関数の低い金属を少なくとも含有
するもの（Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｂａ、Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ
合金、Ｌｉ：Ａｌ合金）および薄膜の絶縁層と金属電極
とを組み合わせたもの（ＬｉＦ／Ａｌなど）などが挙げ
られる。各電極は、これらの材料を用いてＥＢ法、スパ
ッタ法、抵抗加熱蒸着法などの公知の方法により形成す
ることができ、その膜厚は、通常０．５〜１０００ｎｍ
程度である。(2-1-2. First and Second Electrodes)
As an electrode material for forming the first electrode and the second electrode,
Known electrode materials can be used. As an electrode material for forming the anode, a metal (Au, Pt,
Ni, etc.) and transparent electrodes (ITO, IDIXO, Sn)
O 2 ) and the like. Further, as an electrode material forming the cathode, a material containing at least a metal having a low work function (Ca, Ce, Cs, Ba, Al, Mg: Ag: Ag)
Alloy, Li: Al alloy) and a combination of a thin-film insulating layer and a metal electrode (such as LiF / Al). Each electrode can be formed using these materials by a known method such as an EB method, a sputtering method, a resistance heating evaporation method, and the film thickness is usually 0.5 to 1000 nm.
It is about.
【００５５】（３．基板）この発明で用いられる基板と
しては、例えば、ガラス、石英などの無機材料；ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのプラスティッ
ク；アルミナなどのセラミックスなどの絶縁性基板；ア
ルミニウム、鉄などの金属基板にＳｉＯ2、有機絶縁材
料などの絶縁物をコートした基板；アルミニウムなどの
金属基板の表面を陽極酸化などの方法で絶縁化処理を施
した基板など挙げられるが、この発明はこれらにより限
定されるものではない。(3. Substrate) Examples of the substrate used in the present invention include: inorganic materials such as glass and quartz; plastics such as polyethylene terephthalate (PET); insulating substrates such as ceramics such as alumina; aluminum and iron. A substrate in which an insulator such as SiO 2 or an organic insulating material is coated on a metal substrate; a substrate in which the surface of a metal substrate such as aluminum is insulated by a method such as anodic oxidation; It is not limited.
【００５６】また、基板上には、薄膜トランジスタなど
のスイッチング素子が形成されていてもよい。低温プロ
セスで形成したポリシリコンＴＦＴを用いて薄膜トラン
ジスタを形成するためには、５００℃以下の温度で融解
せず、かつ歪みが生じない基板が好ましい。また、高温
プロセスで形成したポリシリコンＴＦＴを用いて薄膜ト
ランジスタを形成するためには、１０００℃以下の温度
で融解せず、かつ歪みが生じない基板が好ましい。Further, a switching element such as a thin film transistor may be formed on the substrate. In order to form a thin film transistor using a polysilicon TFT formed by a low-temperature process, a substrate that does not melt at a temperature of 500 ° C. or less and does not generate distortion is preferable. In order to form a thin film transistor using a polysilicon TFT formed by a high-temperature process, a substrate that does not melt at a temperature of 1000 ° C. or less and does not generate distortion is preferable.
【００５７】（４．偏光板）この発明の有機ＬＥＤ表示
パネルには、偏光板を設けるのが好ましい。用いられる
偏光板としては、従来の直線偏光板と１／４λ板を組み
合わせたものが好ましい。これにより、有機ＬＥＤ素子
としてのコントラストを向上させることができる。(4. Polarizing Plate) The organic LED display panel of the present invention is preferably provided with a polarizing plate. The polarizing plate used is preferably a combination of a conventional linear polarizing plate and a ４λ plate. Thereby, the contrast as the organic LED element can be improved.
【００５８】（５．封止膜、封止基板）この発明の有機
ＬＥＤ表示パネルには、封止膜、封止基板を設けるのが
好ましい。用いられる封止膜または封止基板としては、
公知の封止材料および封止方法を用いて形成することが
できる。具体的には、窒素ガス、アルゴンガスなどの不
活性ガスをガラス、金属などで封止する方法、および不
活性ガス中に酸化バリウムなどの吸湿剤などを混入する
方法が挙げられるが、この発明はこれらに限定されるも
のではない。また、対向電極上に樹脂を直接スピンコー
トもしくは貼り合わせて封止膜とすることもできる。こ
の封止膜により、外部から素子内への酸素や水分の混入
を防止することができ、素子の寿命が向上する。(5. Sealing Film, Sealing Substrate) The organic LED display panel of the present invention is preferably provided with a sealing film and a sealing substrate. As a sealing film or a sealing substrate to be used,
It can be formed using a known sealing material and a known sealing method. Specifically, a method of sealing an inert gas such as nitrogen gas or argon gas with glass or metal, and a method of mixing a moisture absorbent such as barium oxide into the inert gas may be mentioned. Is not limited to these. Alternatively, a resin may be directly spin-coated or bonded on the counter electrode to form a sealing film. With this sealing film, entry of oxygen or moisture from the outside into the element can be prevented, and the life of the element is improved.
【００５９】この発明によれば、上記の製造方法により
製造された有機ＬＥＤ表示パネルが提供される。その駆
動方法としては、パッシブマトリックス駆動、アクティ
ブマトリックス駆動などの従来の有機ＬＥＤ表示パネル
の駆動方法を用いることができ、この発明ではこれらに
限定されるものではない。According to the present invention, there is provided an organic LED display panel manufactured by the above manufacturing method. As a driving method, a conventional driving method of an organic LED display panel such as passive matrix driving and active matrix driving can be used, and the present invention is not limited to these.
【００６０】[0060]
【実施例】この発明を実施例および比較例に基づいてさ
らに具体的に説明するが、これらの実施例によりこの発
明が限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be described more specifically based on examples and comparative examples, but the present invention is not limited by these examples.
【００６１】（比較例１）基材フィルムとして膜厚０．
１ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ムを用い、このフィルム上に光−熱変換層として、カー
ボン粒子を混合した熱硬化型エポキシ樹脂を膜厚が５μ
ｍになるようにコーティングして室温硬化させた。次
に、その上に熱伝播層（剥離層）として、ポリαメチル
スチレン膜を膜厚が１μｍになるようにコーティング形
成して、ベースフィルムを得た。(Comparative Example 1) As a base film, a film thickness of 0.
A 1 mm polyethylene terephthalate (PET) film was used, and a thermosetting epoxy resin mixed with carbon particles having a thickness of 5 μm was formed on the film as a light-to-heat conversion layer.
m and cured at room temperature. Next, a poly-α-methylstyrene film was formed thereon as a heat transfer layer (release layer) so as to have a thickness of 1 μm to obtain a base film.
【００６２】得られたベースフィルム表面の濡れ拡がり
性を評価した。具体的には、液滴として水を用いて、水
とベースフィルム表面との接触角を測定した。得られた
結果をベースフィルムと水との接触角として表１に示
す。The wet spreadability of the surface of the obtained base film was evaluated. Specifically, the contact angle between water and the base film surface was measured using water as a droplet. The results obtained are shown in Table 1 as contact angles between the base film and water.
【００６３】次いで、ベースフィルム上に、発光層形成
用塗液を用いて、マイクログラビアコーターで発光層と
なる膜厚５０ｎｍの転写層を形成した。ここで、発光層
形成用塗液としては、ポリ［２−メトキシ−５−（２−
エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレ
ン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）をテトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）に固形分１ｗｔ％で溶かしたものを用いた。なお、
このときの塗液の粘度は２．８ｃｐｓであった。次に、
このフィルムを９０℃で５分間、高純度窒素雰囲気中で
加熱し、転写層中の溶媒を除去し、発光層形成用ドナー
フィルムとした。Next, a transfer layer having a thickness of 50 nm to be a light emitting layer was formed on the base film using a coating liquid for forming a light emitting layer by a microgravure coater. Here, as the coating liquid for forming a light emitting layer, poly [2-methoxy-5- (2-
Ethylhexyloxy) -1,4-phenylenevinylene] (MEH-PPV) in tetrahydrofuran (TH
What was melt | dissolved in F) by 1 wt% of solid content was used. In addition,
The viscosity of the coating liquid at this time was 2.8 cps. next,
This film was heated at 90 ° C. for 5 minutes in a high-purity nitrogen atmosphere to remove the solvent in the transfer layer, thereby obtaining a donor film for forming a light emitting layer.
【００６４】次に、前記の発光層形成用ドナーフィルム
を、ＩＴＯ透明電極（第１電極）を有するガラス基板に
貼り合わせ、発光層形成用ドナーフィルム上を２ｋｇ重
の圧力でローラーを用いて一度圧縮させた（各層を密着
させた）後、前記基板からベースフィルムを剥離した。
得られた基板を光学顕微鏡および蛍光顕微鏡を用いて観
察し、透明電極上に転写層（ここでは発光層）が転写さ
れているかを調べた。観察の結果を基板上の転写層の有
無として表１に示す。Next, the above-mentioned donor film for forming a light-emitting layer is bonded to a glass substrate having an ITO transparent electrode (first electrode), and the donor film for forming a light-emitting layer is applied once with a roller at a pressure of 2 kg by using a roller. After compression (the layers were brought into close contact with each other), the base film was peeled from the substrate.
The obtained substrate was observed using an optical microscope and a fluorescence microscope, and it was examined whether a transfer layer (here, a light-emitting layer) was transferred onto the transparent electrode. Table 1 shows the results of the observation as the presence or absence of the transfer layer on the substrate.
【００６５】（実施例１）ベースフィルムを作製した
後、波長１７２ｎｍのＵＶ光を５分間、ベースフィルム
表面に照射すること以外は比較例１と同様にして、ベー
スフィルムを得、評価した。また、比較例１と同様にし
て、転写層を基板上に転写し、転写状態を観察した。得
られた結果を表１に示す。Example 1 A base film was prepared and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1 except that the surface of the base film was irradiated with UV light having a wavelength of 172 nm for 5 minutes after the base film was prepared. Further, in the same manner as in Comparative Example 1, the transfer layer was transferred onto the substrate, and the transfer state was observed. Table 1 shows the obtained results.
【００６６】（実施例２）ベースフィルムを作製した
後、波長１７２ｎｍのＵＶ光を１５分間、ベースフィル
ム表面に照射すること以外は比較例１と同様にして、ベ
ースフィルムを得、評価した。また、比較例１と同様に
して、転写層を基板上に転写し、転写状態を観察した。
得られた結果を表１に示す。Example 2 After a base film was prepared, a base film was obtained and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1, except that the surface of the base film was irradiated with UV light having a wavelength of 172 nm for 15 minutes. Further, in the same manner as in Comparative Example 1, the transfer layer was transferred onto the substrate, and the transfer state was observed.
Table 1 shows the obtained results.
【００６７】（実施例３）ベースフィルムを作製した
後、波長２２２ｎｍのＵＶ光を５分間、ベースフィルム
表面に照射すること以外は比較例１と同様にして、ベー
スフィルムを得、評価した。また、比較例１と同様にし
て、転写層を基板上に転写し、転写状態を観察した。得
られた結果を表１に示す。Example 3 After a base film was prepared, a base film was obtained and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1, except that the surface of the base film was irradiated with UV light having a wavelength of 222 nm for 5 minutes. Further, in the same manner as in Comparative Example 1, the transfer layer was transferred onto the substrate, and the transfer state was observed. Table 1 shows the obtained results.
【００６８】（実施例４）ベースフィルムを作製した
後、波長２２２ｎｍのＵＶ光を１５分間、ベースフィル
ム表面に照射すること以外は比較例１と同様にして、ベ
ースフィルムを得、評価した。また、比較例１と同様に
して、転写層を基板上に転写し、転写状態を観察した。
得られた結果を表１に示す。Example 4 A base film was prepared and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1, except that the surface of the base film was irradiated with UV light having a wavelength of 222 nm for 15 minutes after preparing the base film. Further, in the same manner as in Comparative Example 1, the transfer layer was transferred onto the substrate, and the transfer state was observed.
Table 1 shows the obtained results.
【００６９】（実施例５）ベースフィルムを作製した
後、波長３０８ｎｍのＵＶ光を５分間、ベースフィルム
表面に照射すること以外は比較例１と同様にして、ベー
スフィルムを得、評価した。また、比較例１と同様にし
て、転写層を基板上に転写し、転写状態を観察した。得
られた結果を表１に示す。Example 5 After a base film was prepared, a base film was obtained and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1, except that the surface of the base film was irradiated with UV light having a wavelength of 308 nm for 5 minutes. Further, in the same manner as in Comparative Example 1, the transfer layer was transferred onto the substrate, and the transfer state was observed. Table 1 shows the obtained results.
【００７０】（実施例６）ベースフィルムを作製した
後、波長３０８ｎｍのＵＶ光を１５分間、ベースフィル
ム表面に照射すること以外は比較例１と同様にして、ベ
ースフィルムを得、評価した。また、比較例１と同様に
して、転写層を基板上に転写し、転写状態を観察した。
得られた結果を表１に示す。Example 6 A base film was prepared and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1, except that the surface of the base film was irradiated with UV light having a wavelength of 308 nm for 15 minutes after the preparation of the base film. Further, in the same manner as in Comparative Example 1, the transfer layer was transferred onto the substrate, and the transfer state was observed.
Table 1 shows the obtained results.
【００７１】（実施例７）ベースフィルムを作製した
後、酸素ガス雰囲気、電圧５，０００Ｖの条件下でコロ
ナ処理を５分間行うこと以外は比較例１と同様にして、
ベースフィルムを得、評価した。また、比較例１と同様
にして、転写層を基板上に転写し、転写状態を観察し
た。得られた結果を表１に示す。(Example 7) After producing a base film, the same procedure as in Comparative Example 1 was carried out except that the corona treatment was carried out for 5 minutes in an oxygen gas atmosphere at a voltage of 5,000 V.
A base film was obtained and evaluated. Further, in the same manner as in Comparative Example 1, the transfer layer was transferred onto the substrate, and the transfer state was observed. Table 1 shows the obtained results.
【００７２】（実施例８）ベースフィルムを作製した
後、酸素ガス雰囲気、電圧５，０００Ｖの条件下でコロ
ナ処理を１５分間行うこと以外は比較例１と同様にし
て、ベースフィルムを得、評価した。また、比較例１と
同様にして、転写層を基板上に転写し、転写状態を観察
した。得られた結果を表１に示す。Example 8 A base film was obtained and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1 except that a corona treatment was performed for 15 minutes under the conditions of an oxygen gas atmosphere and a voltage of 5,000 V after a base film was prepared. did. Further, in the same manner as in Comparative Example 1, the transfer layer was transferred onto the substrate, and the transfer state was observed. Table 1 shows the obtained results.
【００７３】（実施例９）ベースフィルムを作製した
後、Ａｒガス雰囲気、真空度４×１０-1ｔｏｒｒ、パワ
ー１００Ｗの条件下でＡｒプラズマ処理を５分間行うこ
と以外は比較例１と同様にして、ベースフィルムを得、
評価した。また、比較例１と同様にして、転写層を基板
上に転写し、転写状態を観察した。得られた結果を表１
に示す。Example 9 After producing a base film, the same procedure as in Comparative Example 1 was performed except that Ar plasma treatment was performed for 5 minutes under the conditions of an Ar gas atmosphere, a degree of vacuum of 4 × 10 −1 Torr, and a power of 100 W. To get the base film,
evaluated. Further, in the same manner as in Comparative Example 1, the transfer layer was transferred onto the substrate, and the transfer state was observed. Table 1 shows the obtained results.
Shown in
【００７４】（実施例１０）ベースフィルムを作製した
後、Ｏ2ガス雰囲気、真空度４×１０-1ｔｏｒｒ、パワ
ー１００Ｗの条件下でＯ2プラズマ処理を５分間行うこ
と以外は比較例１と同様にして、ベースフィルムを得、
評価した。また、比較例１と同様にして、転写層を基板
上に転写し、転写状態を観察した。得られた結果を表１
に示す。(Example 10) The same procedure as in Comparative Example 1 was carried out except that the O 2 plasma treatment was performed for 5 minutes under the conditions of an O 2 gas atmosphere, a degree of vacuum of 4 × 10 -1 torr, and a power of 100 W after the base film was produced. Similarly, obtain a base film,
evaluated. Further, in the same manner as in Comparative Example 1, the transfer layer was transferred onto the substrate, and the transfer state was observed. Table 1 shows the obtained results.
Shown in
【００７５】（実施例１１）ベースフィルムを作製した
後、ＣＦ4ガス雰囲気、真空度４×１０-1ｔｏｒｒ、パ
ワー１００Ｗの条件下でＣＦ4プラズマ処理を５分間行
うこと以外は比較例１と同様にして、ベースフィルムを
得、評価した。また、比較例１と同様にして、転写層を
基板上に転写し、転写状態を観察した。得られた結果を
表１に示す。[0075] After preparing (Example 11) base film, CF 4 gas atmosphere, vacuum degree 4 × 10 -1 torr, except that perform CF 4 plasma treatment for 5 minutes under the conditions of power 100W and Comparative Example 1 Similarly, a base film was obtained and evaluated. Further, in the same manner as in Comparative Example 1, the transfer layer was transferred onto the substrate, and the transfer state was observed. Table 1 shows the obtained results.
【００７６】（実施例１２）ベースフィルムを作製した
後、ベースフィルム表面をグリコースアミドで表面修飾
する以外は、比較例１と同様にして、ベースフィルムを
得、評価した。また、比較例１と同様にして、転写層を
基板上に転写し、転写状態を観察した。得られた結果を
表１に示す。なお、グリコースアミドによる表面修飾
は、具体的には、グリコースアミドを含有する溶液中に
ベースフィルムを浸すことで、ベースフィルム表面を修
飾した。Example 12 A base film was prepared and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1, except that the surface of the base film was modified with glycosamide after preparing the base film. Further, in the same manner as in Comparative Example 1, the transfer layer was transferred onto the substrate, and the transfer state was observed. Table 1 shows the obtained results. In addition, the surface modification with glycosamide specifically modified the base film surface by immersing the base film in a solution containing glycosamide.
【００７７】（実施例１３）熱伝播層として、ポリ（メ
タクリル酸メトキシエチル）を用いること以外は比較例
１と同様にして、ベースフィルムを得、評価した。ま
た、比較例１と同様にして、転写層を基板上に転写し、
転写状態を観察した。得られた結果を表１に示す。Example 13 A base film was obtained and evaluated in the same manner as in Comparative Example 1 except that poly (methoxyethyl methacrylate) was used as the heat transfer layer. Further, in the same manner as in Comparative Example 1, the transfer layer was transferred onto the substrate,
The transfer state was observed. Table 1 shows the obtained results.
【００７８】[0078]
【表１】 [Table 1]
【００７９】表１の結果から、ベースフィルムと水との
接触角が５０°以下の場合には、基板とドナーフィルム
を圧着しただけでは、基板上に転写層が転写されない
が、ベースフィルムと水との接触角が５０°を超える場
合には、基板とドナーフィルムを圧着しただけも、基板
上に転写層が転写されてしまうことがわかる。すなわ
ち、基板とドナーフィルムを圧着し、所望の部分にレー
ザー光を照射もしくは熱を放射したとき、前者では、レ
ーザー光を照射していない部分または熱を放射していな
い部分の基板上には転写層が転写されないが、後者で
は、転写されてしまうことがわかる。From the results shown in Table 1, when the contact angle between the base film and water is 50 ° or less, the transfer layer is not transferred onto the substrate by simply pressing the substrate and the donor film. When the contact angle with the substrate exceeds 50 °, the transfer layer is transferred onto the substrate only by pressing the substrate and the donor film. That is, when the substrate and the donor film are pressed and the desired portion is irradiated with laser light or heat, the former is transferred onto the substrate of the portion not irradiated with laser light or the portion not emitting heat. It can be seen that the layer is not transferred, but the latter is transferred.
【００８０】（実施例１４） （ＴＦＴ基板の作製）アルミナ基板上に、ＳｉＨ4の分
解によるＬＰ−ＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍのα−Ｓ
ｉ膜を成膜し、その後、固層成長法によりα−Ｓｉを多
結晶化した。次に、チャンネル部、ソース・ドレイン部
からなるＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をエッチング加工し、ゲート
絶縁膜としてＰｏｌｙ−Ｓｉを１０００℃以上で熱酸化
して、膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2を形成した。この後、
ゲート電極として膜厚１００ｎｍのＡｌをスパッタリン
グで成膜した。そして、ゲート電極をパターニングし
た。また、コンデンサーの下部電極を加工した。この
後、ゲート電極側面を陽極酸化し、オフセット部を形成
し、その後、イオン打ち込み法によりソース・ドレイン
部にリンを高濃度にドープした。走査線を形成し、この
後、層間絶縁膜として膜厚３００ｎｍのＳｉＯ2膜を形
成した。さらに、ソース、共通電極を形成し、薄膜トタ
ンジスタの活性層のドレイン部から画素の中央部分まで
Ａｌターゲットを用いたスパッタ法により接続電極を形
成した。次いで、コンデンサーの上部電極を形成し、高
温プロセスによりＰｏｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴを形成した。Example 14 (Production of TFT Substrate) A 50 nm-thick α-S film was formed on an alumina substrate by LP-CVD using SiH 4 decomposition.
An i film was formed, and then α-Si was polycrystallized by a solid layer growth method. Next, the Poly-Si film including the channel portion and the source / drain portions was subjected to etching, and Poly-Si as a gate insulating film was thermally oxidized at 1000 ° C. or more to form SiO 2 with a thickness of 100 nm. After this,
Al having a thickness of 100 nm was formed as a gate electrode by sputtering. Then, the gate electrode was patterned. Further, the lower electrode of the capacitor was processed. Thereafter, the side surface of the gate electrode was anodized to form an offset portion, and then the source / drain portion was doped with a high concentration of phosphorus by ion implantation. Scan lines were formed, and thereafter, a 300-nm-thick SiO 2 film was formed as an interlayer insulating film. Further, a source and a common electrode were formed, and a connection electrode was formed from the drain of the active layer of the thin film transistor to the center of the pixel by a sputtering method using an Al target. Next, an upper electrode of the capacitor was formed, and a Poly-Si TFT was formed by a high-temperature process.
【００８１】次に、平坦化膜として膜厚３μｍのＳｉＯ
2膜を形成した。次に、この平坦化膜上に、レジストを
塗布し、フォトリソグラフィー法によりコンタクトホー
ル部分が貫けたパターンを形成した後、エッチングによ
り、基板側より画素側で開口部が広い形状をもつコンタ
クトホールを開口させた。ここで、コンタクトホールを
画素の中央部に設けた。これにより画素に均等に電流を
供給することができる。次に、この絶縁膜上に、スパッ
タ法により膜厚３μｍの銀を成膜した。次に、これを４
μｍの厚み分研磨することで絶縁膜とコンタクトホール
を含めて平坦化した。Next, a 3 μm-thick SiO 2 film was used as a planarizing film.
Two films were formed. Next, a resist is applied on this flattening film, and a pattern in which the contact hole portion penetrates is formed by a photolithography method, and then a contact hole having a shape in which the opening is wider on the pixel side than on the substrate side is formed by etching. Opened. Here, the contact hole was provided at the center of the pixel. This makes it possible to uniformly supply current to the pixels. Next, a silver film having a thickness of 3 μm was formed on the insulating film by a sputtering method. Next, this is 4
By polishing by a thickness of μm, the surface including the insulating film and the contact hole was flattened.
【００８２】次に、抵抗蒸着法により画素電極として銀
を３００ｎｍ成膜し、レーザーでパターン化した。次
に、絶縁膜としてＳｉＯ2を２００ｎｍ成膜した。次
に、表面を研磨することにより、画素電極間にのみ絶縁
膜を残して、前記絶縁膜と画素電極とを同時に平坦化し
た。この平坦化により、画素電極のエッジ部での電界集
中による素子の劣化を防止することができる。また、転
写法により有機ＬＥＤ層を形成した場合に、ベースフィ
ルム（転写層である有機ＬＥＤ層）が完全に基板に密着
するので、有機ＬＥＤ層の転写されない部分が生ずるこ
とを防止できる。Next, silver was formed as a pixel electrode to a thickness of 300 nm by a resistance vapor deposition method, and was patterned by a laser. Next, a 200 nm-thick SiO 2 film was formed as an insulating film. Next, by polishing the surface, the insulating film and the pixel electrode were simultaneously planarized while leaving the insulating film only between the pixel electrodes. This flattening can prevent the element from deteriorating due to electric field concentration at the edge of the pixel electrode. Further, when the organic LED layer is formed by the transfer method, the base film (the organic LED layer serving as the transfer layer) is completely adhered to the substrate, so that it is possible to prevent a portion where the organic LED layer is not transferred from occurring.
【００８３】以下の赤色、緑色、青色の各発光画素形成
用ドナーフィルムの作製からそれらのパターニング転
写、対向電極および封止膜の形成までの工程は、有機
層、電極の劣化を防止するために不活性ガス中または真
空中で行った。The steps from the preparation of the donor film for forming each of the red, green and blue luminescent pixels to the patterning transfer thereof and the formation of the counter electrode and the sealing film are performed in order to prevent the deterioration of the organic layer and the electrodes. Performed in an inert gas or vacuum.
【００８４】（赤色発光画素形成用ドナーフィルムの作
製）基材フィルムとして膜厚０．１ｍｍのＰＥＴフィル
ムを用い、このフィルム上に光−熱変換層として、カー
ボン粒子を混合した熱硬化型エポキシ樹脂を膜厚が５μ
ｍになるようにコーティングして室温硬化させた。次
に、その上に熱伝播層（剥離層）として、ポリαメチル
スチレン膜を膜厚が１μｍになるようにコーティング形
成して、ベースフィルムを得た。得られたベースフィル
ム表面に、波長１７７ｎｍのＵＶ光を５分間照射した。
このとき、ベースフィルムと水との接触角は、２２．９
°であった。(Preparation of Donor Film for Forming Red Light Emitting Pixel) A thermosetting epoxy resin obtained by using a PET film having a thickness of 0.1 mm as a substrate film and mixing carbon particles as a light-to-heat conversion layer on the film. Is 5μ
m and cured at room temperature. Next, a poly-α-methylstyrene film was formed thereon as a heat transfer layer (release layer) so as to have a thickness of 1 μm to obtain a base film. The surface of the obtained base film was irradiated with UV light having a wavelength of 177 nm for 5 minutes.
At this time, the contact angle between the base film and water was 22.9.
°.
【００８５】次いで、ベースフィルム上に、正孔輸送層
形成用塗液を用いて、マイクログラビアコーターで正孔
輸送層となる膜厚５０ｎｍの転写層を形成した。ここ
で、正孔輸送層形成用塗液としては、３，４−ポリエチ
レンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト
（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を純水に固形分１ｗｔ％で溶か
したものを用いた。なお、このときの塗液の粘度は４．
６ｃｐｓであった。次に、このフィルムを１１０℃で５
分間、高純度窒素雰囲気中で加熱し、転写層中の溶媒を
除去した。Next, a transfer layer having a thickness of 50 nm to be a hole transport layer was formed on the base film by using a coating liquid for forming a hole transport layer with a microgravure coater. Here, as the coating liquid for forming a hole transport layer, a solution obtained by dissolving 3,4-polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS) in pure water at a solid content of 1 wt% was used. The viscosity of the coating liquid at this time was 4.
It was 6 cps. Next, the film was heated at 110 ° C. for 5 minutes.
Heating was performed in a high-purity nitrogen atmosphere for minutes, to remove the solvent in the transfer layer.
【００８６】次いで、正孔輸送層上に、赤色発光層形成
用塗液を用いて、マイクログラビアコーターで赤色発光
層となる膜厚７５ｎｍの転写層を形成した。ここで、赤
色発光層形成用塗液としては、ポリ［２，５−ビス−
（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シア
ノビニレン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）をクロロホルムに固形
分２ｗｔ％で溶かしたものを用いた。なお、このときの
塗液の粘度は２．６ｃｐｓであった。次に、このフィル
ムを１１０℃で５分間、高純度窒素雰囲気中で加熱し、
転写層中の溶媒を除去した。次いで、赤色発光層となる
転写層上に、真空蒸着法により膜厚が３０ｎｍになるよ
うにカルシウムを形成し、赤色発光画素形成用ドナーフ
ィルムとした。Next, a transfer layer having a thickness of 75 nm to be a red light emitting layer was formed on the hole transport layer using a coating liquid for forming a red light emitting layer by a microgravure coater. Here, as the coating liquid for forming a red light emitting layer, poly [2,5-bis-
(Hexyloxy) -1,4-phenylene- (1-cyanovinylene)] (CN-PPV) dissolved in chloroform at a solid content of 2 wt% was used. In addition, the viscosity of the coating liquid at this time was 2.6 cps. Next, the film was heated at 110 ° C. for 5 minutes in a high-purity nitrogen atmosphere,
The solvent in the transfer layer was removed. Next, calcium was formed on the transfer layer to be a red light-emitting layer by a vacuum deposition method so as to have a film thickness of 30 nm, to obtain a donor film for forming a red light-emitting pixel.
【００８７】（緑色発光画素形成用ドナーフィルムの作
製）基材フィルムとして膜厚０．１ｍｍのＰＥＴフィル
ムを用い、このフィルム上に光−熱変換層として、カー
ボン粒子を混合した熱硬化型エポキシ樹脂を膜厚が５μ
ｍになるようにコーティングして室温硬化させた。次
に、その上に熱伝播層（剥離層）として、ポリαメチル
スチレン膜を膜厚が１μｍになるようにコーティング形
成して、ベースフィルムを得た。得られたベースフィル
ム表面に、波長１７７ｎｍのＵＶ光を５分間照射した。
このとき、ベースフィルムと水との接触角は、２２．９
°であった。(Preparation of Donor Film for Forming Green Light Emitting Pixel) A PET film having a thickness of 0.1 mm was used as a base film, and a thermosetting epoxy resin obtained by mixing carbon particles as a light-to-heat conversion layer on this film. Is 5μ
m and cured at room temperature. Next, a poly-α-methylstyrene film was formed thereon as a heat transfer layer (release layer) so as to have a thickness of 1 μm to obtain a base film. The surface of the obtained base film was irradiated with UV light having a wavelength of 177 nm for 5 minutes.
At this time, the contact angle between the base film and water was 22.9.
°.
【００８８】次いで、ベースフィルム上に、正孔輸送層
形成用塗液を用いて、マイクログラビアコーターで正孔
輸送層となる膜厚５０ｎｍの転写層を形成した。ここ
で、正孔輸送層形成用塗液としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳ
Ｓを純水に固形分１ｗｔ％で溶かしたものを用いた。な
お、このときの塗液の粘度は４．６ｃｐｓであった。次
に、このフィルムを１１０℃で５分間、高純度窒素雰囲
気中で加熱し、転写層中の溶媒を除去した。Next, a transfer layer having a thickness of 50 nm to be a hole transport layer was formed on the base film using a coating liquid for forming a hole transport layer by a microgravure coater. Here, the coating liquid for forming a hole transport layer is PEDOT / PS
S obtained by dissolving S in pure water at a solid content of 1 wt% was used. At this time, the viscosity of the coating liquid was 4.6 cps. Next, the film was heated at 110 ° C. for 5 minutes in a high-purity nitrogen atmosphere to remove the solvent in the transfer layer.
【００８９】次いで、正孔輸送層上に、緑色発光層形成
用塗液を用いて、マイクログラビアコーターで緑色発光
層となる膜厚７５ｎｍの転写層を形成した。ここで、緑
色発光層形成用塗液としては、ポリ（ｐ−フェニレンビ
ニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＰＶ）をメタノールに固形
分２ｗｔ％で溶かしたものを用いた。なお、このときの
塗液の粘度は３．６ｃｐｓであった。次に、このフィル
ムを１１０℃で５分間、高純度窒素雰囲気中で加熱し、
転写層中の溶媒を除去すると同時にＰｒｅ−ＰＰＶをＰ
ＰＶに変換した。次いで、緑色発光層となる転写層上
に、真空蒸着法により膜厚が３０ｎｍになるようにカル
シウムを形成し、緑色発光画素形成用ドナーフィルムと
した。Next, a transfer layer having a thickness of 75 nm to be a green light emitting layer was formed on the hole transporting layer by using a coating liquid for forming a green light emitting layer by a microgravure coater. Here, as the coating liquid for forming a green light emitting layer, a solution obtained by dissolving a poly (p-phenylenevinylene) precursor (Pre-PPV) in methanol at a solid content of 2 wt% was used. In addition, the viscosity of the coating liquid at this time was 3.6 cps. Next, the film was heated at 110 ° C. for 5 minutes in a high-purity nitrogen atmosphere,
At the same time as removing the solvent in the transfer layer,
Converted to PV. Next, calcium was formed on the transfer layer to be a green light-emitting layer by a vacuum evaporation method so as to have a film thickness of 30 nm, thereby obtaining a donor film for forming a green light-emitting pixel.
【００９０】（青色発光画素形成用ドナーフィルムの作
製）基材フィルムとして膜厚０．１ｍｍのＰＥＴフィル
ムを用い、このフィルム上に光−熱変換層として、カー
ボン粒子を混合した熱硬化型エポキシ樹脂を膜厚が５μ
ｍになるようにコーティングして室温硬化させた。次
に、その上に熱伝播層（剥離層）として、ポリαメチル
スチレン膜を膜厚が１μｍになるようにコーティング形
成して、ベースフィルムを得た。得られたベースフィル
ム表面に、波長１７７ｎｍのＵＶ光を５分間照射した。
このとき、ベースフィルムと水との接触角は、２２．９
°であった。(Preparation of Donor Film for Forming Blue Light Emitting Pixels) A thermosetting epoxy resin obtained by using a PET film having a thickness of 0.1 mm as a substrate film and mixing carbon particles on the film as a light-to-heat conversion layer. Is 5μ
m and cured at room temperature. Next, a poly-α-methylstyrene film was formed thereon as a heat transfer layer (release layer) so as to have a thickness of 1 μm to obtain a base film. The surface of the obtained base film was irradiated with UV light having a wavelength of 177 nm for 5 minutes.
At this time, the contact angle between the base film and water was 22.9.
°.
【００９１】次いで、ベースフィルム上に、正孔輸送層
形成用塗液を用いて、マイクログラビアコーターで正孔
輸送層となる膜厚５０ｎｍの転写層を形成した。ここ
で、正孔輸送層形成用塗液としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳ
Ｓを純水に固形分１ｗｔ％で溶かしたものを用いた。な
お、このときの塗液の粘度は４．６ｃｐｓであった。次
に、このフィルムを１１０℃で５分間、高純度窒素雰囲
気中で加熱し、転写層中の溶媒を除去した。Next, a transfer layer having a thickness of 50 nm to be a hole transport layer was formed on the base film using a coating liquid for forming a hole transport layer by a microgravure coater. Here, the coating liquid for forming a hole transport layer is PEDOT / PS
S obtained by dissolving S in pure water at a solid content of 1 wt% was used. At this time, the viscosity of the coating liquid was 4.6 cps. Next, the film was heated at 110 ° C. for 5 minutes in a high-purity nitrogen atmosphere to remove the solvent in the transfer layer.
【００９２】次いで、正孔輸送層上に、青色発光層形成
用塗液を用いて、マイクログラビアコーターで青色発光
層となる膜厚７５ｎｍの転写層を形成した。ここで、青
色発光層形成用塗液としては、ポリ（９，９−ジオクチ
ルフルオレン）（ＰＤＡＦ）をキシレンに固形分１ｗｔ
％で溶かしたものを用いた。なお、このときの塗液の粘
度は６．６ｃｐｓであった。次に、このフィルムを１１
０℃で５分間、高純度窒素雰囲気中で加熱し、転写層中
の溶媒を除去した。次いで、青色発光層となる転写層上
に、真空蒸着法により膜厚が３０ｎｍになるようにカル
シウムを形成し、青色発光画素形成用ドナーフィルムと
した。Next, a transfer layer having a thickness of 75 nm to be a blue light emitting layer was formed on the hole transporting layer using a coating liquid for forming a blue light emitting layer by a microgravure coater. Here, as a coating liquid for forming a blue light emitting layer, poly (9,9-dioctylfluorene) (PDAF) is mixed with xylene at a solid content of 1 wt.
% Was used. At this time, the viscosity of the coating liquid was 6.6 cps. Next, this film was
Heating was performed in a high-purity nitrogen atmosphere at 0 ° C. for 5 minutes to remove the solvent in the transfer layer. Next, calcium was formed on the transfer layer to be the blue light-emitting layer by a vacuum evaporation method so as to have a thickness of 30 nm, to obtain a donor film for forming a blue light-emitting pixel.
【００９３】（パターニング転写）ｐ−Ｓｉ ＴＦＴを
形成した基板に、赤色発光画素形成用ドナーフィルムを
貼り付けて、１３ＷのＹＡＧレーザーを所望の位置に走
査し、ベースフィルムを剥離して、赤色発光画素をパタ
ーニング転写した。次に、緑色発光画素形成用ドナーフ
ィルムおよび青色発光画素形成用ドナーフィルムを用
い、赤色発光画素と同様にして、緑色発光画素および青
色発光画素を、ｐ−Ｓｉ ＴＦＴを形成した基板にパタ
ーニング転写した。(Patterning Transfer) A donor film for forming a red light emitting pixel is attached to a substrate on which a p-Si TFT is formed, and a 13 W YAG laser is scanned at a desired position, and the base film is peeled off. The pixels were patterned and transferred. Next, using the donor film for forming a green light emitting pixel and the donor film for forming a blue light emitting pixel, the green light emitting pixel and the blue light emitting pixel were pattern-transferred to the substrate on which the p-Si TFT was formed in the same manner as the red light emitting pixel. .
【００９４】（対向電極および封止膜の形成）次に、室
温でのスパッタ法により、対向電極（透明電極）として
膜厚１５０ｎｍになるように透明導電膜（出光興産株式
会社製、商品名：ＩＤＩＸＯ）を全面に成膜した。ここ
で、成膜した透明電極は、面抵抗が＜３０Ω／□、透過
率が＞８０％（５５０ｎｍ）、平坦性が±２％であっ
た。この対向電極上の全体に、スピンコート法により、
封止膜として膜厚が１μｍになるようにエポキシ樹脂を
成膜した。さらに、封止膜上に偏光版を設け、有機ＬＥ
Ｄ表示パネルを完成した。(Formation of Counter Electrode and Sealing Film) Next, a transparent conductive film (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd., trade name: 150 nm) is formed as a counter electrode (transparent electrode) by sputtering at room temperature so as to have a film thickness of 150 nm. IDIXO) was formed on the entire surface. Here, the formed transparent electrode had a sheet resistance of <30Ω / □, a transmittance of> 80% (550 nm), and a flatness of ± 2%. The entire surface of this counter electrode is spin-coated,
An epoxy resin was formed to a thickness of 1 μm as a sealing film. Further, a polarizing plate is provided on the sealing film, and the organic LE
The D display panel was completed.
【００９５】完成した有機ＬＥＤ表示パネルに駆動用電
源と信号を入力したところ、動画表示が可能なフルカラ
ーディスプレイであることが確認できた。When a driving power source and a signal were input to the completed organic LED display panel, it was confirmed that the display was a full-color display capable of displaying moving images.
【００９６】[0096]
【発明の効果】この発明によれば、転写工程において、
レーザーを照射していない部分または熱を放射していな
い部分でも、転写層が基板に転写されてしまうといった
問題を防止し、転写法による有機ＬＥＤ層のパターン化
が可能となるドナーフィルムを提供することができる。According to the present invention, in the transfer step,
Provided is a donor film that can prevent a problem that a transfer layer is transferred to a substrate even in a portion that is not irradiated with a laser or a portion that does not emit heat, and that can pattern an organic LED layer by a transfer method. be able to.
【図１】この発明の有機ＬＥＤ表示パネルの製造方法を
示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a method for manufacturing an organic LED display panel of the present invention.
【図２】この発明のドナーフィルムの部分概略断面図で
ある。FIG. 2 is a partial schematic cross-sectional view of the donor film of the present invention.
１ 基材フィルム ２ 光−熱変換層 ３ 転写層 ４ 熱伝播層 ５ ガス発生層 ６ ベースフィルム ７ ドナーフィルム ８ 基板 ９ 第１電極 １０ 光（レーザー）または熱 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base film 2 Light-heat conversion layer 3 Transfer layer 4 Heat propagation layer 5 Gas generation layer 6 Base film 7 Donor film 8 Substrate 9 1st electrode 10 Light (laser) or heat
Claims (7)
またはガス発生層が積層されたベースフィルム上に転写
層が積層されてなり、転写層に接するベースフィルムの
表面層と水との接触角が５０°以下である有機ＬＥＤ表
示パネル製造用のドナーフィルム。1. A light-to-heat conversion layer, optionally a heat transfer layer and / or
Or a donor film for producing an organic LED display panel in which a transfer layer is laminated on a base film on which a gas generating layer is laminated, and a contact angle between water and a surface layer of the base film in contact with the transfer layer is 50 ° or less. .
と水との接触角が、５〜５０°である請求項１に記載の
ドナーフィルム。2. The donor film according to claim 1, wherein the contact angle between water and the surface layer of the base film in contact with the transfer layer is 5 to 50 °.
が、ＵＶ処理、プラズマ処理、コロナ処理、表面修飾に
より親水化されてなる請求項１または２に記載のドナー
フィルム。3. The donor film according to claim 1, wherein the surface layer of the base film that is in contact with the transfer layer is made hydrophilic by UV treatment, plasma treatment, corona treatment, or surface modification.
が、波長３１０ｎｍ以下のＵＶ光でＵＶ処理されてなる
請求項３に記載のドナーフィルム。4. The donor film according to claim 3, wherein the surface layer of the base film in contact with the transfer layer is subjected to UV treatment with UV light having a wavelength of 310 nm or less.
が、アルゴンガスまたは酸素ガスを用いてプラズマ処理
されてなる請求項３に記載のドナーフィルム。5. The donor film according to claim 3, wherein the surface layer of the base film in contact with the transfer layer is plasma-treated using argon gas or oxygen gas.
機層、(3)有機層／第２電極または(4)第１電極／有機層
／第２電極であり、かつ有機層が、(1)有機発光層、(2)
正孔輸送層、(3)電子輸送層、(4)正孔注入層、(5)正孔
輸送層／有機発光層、(6)正孔注入層／正孔輸送層、(7)
有機発光層／電子輸送層、(8)正孔輸送層／有機発光層
／電子輸送層、(9)正孔注入層／正孔輸送層／有機発光
層／電子輸送層または(10)正孔注入層／正孔輸送層／有
機発光層／ブロッキング層／電子輸送層である請求項１
〜５のいずれか１つに記載のドナーフィルム。6. The transfer layer is (1) an organic layer, (2) a first electrode / organic layer, (3) an organic layer / second electrode, or (4) a first electrode / organic layer / second electrode. , And the organic layer is (1) an organic light emitting layer, (2)
Hole transport layer, (3) electron transport layer, (4) hole injection layer, (5) hole transport layer / organic light emitting layer, (6) hole injection layer / hole transport layer, (7)
(8) hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer, (9) hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer or (10) hole 2. An injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / blocking layer / electron transport layer.
6. The donor film according to any one of items 1 to 5,
ナーフィルムを用いた転写法で製造された有機ＬＥＤ表
示パネル。7. An organic LED display panel manufactured by a transfer method using the donor film according to claim 1. Description:
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059656A (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacturing method of electroluminescent element |
| JP2004200170A (en) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Samsung Sdi Co Ltd | Donor film for low molecule full color organic el element using laser transfer method and manufacturing method of low molecule full color organic el element using this film |
| JP2004349260A (en) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Eastman Kodak Co | Low-moisture donor element |
| JP2005081299A (en) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | Method for forming film, method for forming circuit pattern, method for producing semiconductor device, electro-optical apparatus, and electronic apparatus |
| KR100570996B1 (en) | 2004-02-18 | 2006-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | donor film for plat panel display |
| KR100611156B1 (en) | 2003-11-29 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | Donor film for laser induced thermal imaging method and electroluminescence display device manufactured using the same film |
| KR100611745B1 (en) | 2004-02-24 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | Method of fabricating donor film for flat panel display device and method of fabricating OLED using the same |
| KR100645712B1 (en) | 2005-09-12 | 2006-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | Method for manufacturing organic electroluminescence device using liti |
| KR100667068B1 (en) | 2004-09-15 | 2007-01-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | Method for fabricating Organic light emission device panel |
| KR100731768B1 (en) * | 2006-07-04 | 2007-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | Donor substrate and method of fabricating oled using the same |
| KR100770272B1 (en) | 2006-07-04 | 2007-10-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | Donor substrate for laser induced thermal imaging and method of fabricating thereof, and method of fabricating oled using the same |
| KR100796597B1 (en) | 2006-07-14 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | Laser irradiation device and Fabrication method of organic light emitting display device using the same |
| WO2021000384A1 (en) * | 2019-07-02 | 2021-01-07 | 深圳市思坦科技有限公司 | Micro-led chip transfer method and display device |
-
2001
- 2001-03-22 JP JP2001083146A patent/JP2002280174A/en active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4612973B2 (en) * | 2001-08-09 | 2011-01-12 | 大日本印刷株式会社 | Method for manufacturing electroluminescent device |
| JP2003059656A (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacturing method of electroluminescent element |
| JP2004200170A (en) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Samsung Sdi Co Ltd | Donor film for low molecule full color organic el element using laser transfer method and manufacturing method of low molecule full color organic el element using this film |
| JP2004349260A (en) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Eastman Kodak Co | Low-moisture donor element |
| JP2011009241A (en) * | 2003-05-22 | 2011-01-13 | Global Oled Technology Llc | Low-moisture donor element |
| JP2005081299A (en) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | Method for forming film, method for forming circuit pattern, method for producing semiconductor device, electro-optical apparatus, and electronic apparatus |
| KR100611156B1 (en) | 2003-11-29 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | Donor film for laser induced thermal imaging method and electroluminescence display device manufactured using the same film |
| KR100570996B1 (en) | 2004-02-18 | 2006-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | donor film for plat panel display |
| KR100611745B1 (en) | 2004-02-24 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | Method of fabricating donor film for flat panel display device and method of fabricating OLED using the same |
| KR100667068B1 (en) | 2004-09-15 | 2007-01-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | Method for fabricating Organic light emission device panel |
| KR100645712B1 (en) | 2005-09-12 | 2006-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | Method for manufacturing organic electroluminescence device using liti |
| KR100731768B1 (en) * | 2006-07-04 | 2007-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | Donor substrate and method of fabricating oled using the same |
| KR100770272B1 (en) | 2006-07-04 | 2007-10-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | Donor substrate for laser induced thermal imaging and method of fabricating thereof, and method of fabricating oled using the same |
| KR100796597B1 (en) | 2006-07-14 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | Laser irradiation device and Fabrication method of organic light emitting display device using the same |
| WO2021000384A1 (en) * | 2019-07-02 | 2021-01-07 | 深圳市思坦科技有限公司 | Micro-led chip transfer method and display device |
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