JP2002216957A - Manufacturing method of organic led display panel by using transcription method and organic led display panel manufactured by it - Google Patents

Manufacturing method of organic led display panel by using transcription method and organic led display panel manufactured by it

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JP2002216957A
JP2002216957A JP2001012015A JP2001012015A JP2002216957A JP 2002216957 A JP2002216957 A JP 2002216957A JP 2001012015 A JP2001012015 A JP 2001012015A JP 2001012015 A JP2001012015 A JP 2001012015A JP 2002216957 A JP2002216957 A JP 2002216957A
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JP
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Patent type
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organic
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material
led
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Application number
JP2001012015A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshimasa Fujita
悦昌 藤田
Original Assignee
Sharp Corp
シャープ株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an organic LED display panel having a long life by using a transcription method.
SOLUTION: In producing the organic LED display panel composed of a substrate/the first electrode/organic layers containing at least a light-emitting layer/the second electrode, a base film is obtained by forming at least a light- heat conversion layer on a base material film, and on it a donor film is obtained by forming transcription layers composed of at least an organic layer. The donor film is pasted on the substrate or on a required and laminated material formed on the substrate, so that the base material film is positioned outside. Then by radiating light or heat from the base material film side, the donor film is peeled off leaving a part or all of the transcription layers, and the substrate is vacuum dried or dried by heat.
COPYRIGHT: (C)2002,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、転写法を用いた有機LED表示パネルの製造方法およびそれにより製造された有機LED表示パネルに関する。 The present invention relates to relates to an organic LED display panel manufacturing method and thereby an organic LED display panel manufactured of using a transfer method.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、有機LED層のパターン化を必要としない有機LED表示パネルの形成方法としては、真空蒸着法、スピンコート法などが提案されている。 Conventionally, as a method of forming an organic LED display panel which does not require patterning of the organic LED layer, vacuum deposition method, a spin coating method has been proposed. また、マルチカラー、フルカラー表示パネルのように有機LED層のパターン化を必要とする有機LED表示パネルの形成方法としては、マスク蒸着法(例えば、特開平8−227276号公報)、インクジェット法(例えば,特開平10−12377号公報)などが提案されている。 Further, multicolor, as a method for forming the organic LED display panel which requires patterning of organic LED layer as a full-color display panel, mask deposition method (e.g., JP-A-8-227276), an inkjet method (e.g. , JP-a-10-12377 Publication) have been proposed.

【0003】しかし、マスク蒸着法では、大型基板を用いて素子を作製することが非常に難しいといった問題があり、インクジェット法では、大型基板を用いると非常に素子の作製時間がかかるといった問題があった。 However, the mask deposition method, there is a problem it is very difficult to produce a device with a large-sized substrate, the ink-jet method, very a problem takes the manufacturing time of the device when using a large substrate It was. そこで、大型基板を用いることができ、かつ作製時間を大幅に短縮することが可能なパターン化方法として、転写法(例えば、特開平10−208881号公報、特開平1 Therefore, it is possible to use a large substrate, and a manufacturing time as a patterning method capable of greatly shortened, a transfer method (for example, JP-A 10-208881, JP-A No. 1
1−237504号公報、特開平11−260549号公報)が提案された。 1-237504 and JP-Hei 11-260549) have been proposed.

【0004】しかしながら、上記の先行技術の転写法においては、工程中に有機層に水分が吸着し、有機LED However, in the transfer method of the prior art, moisture is adsorbed on the organic layer during the process, an organic LED
表示パネルを構成する有機LED素子の寿命が著しく低下するといった問題があった。 Lifetime of the organic LED element constituting the display panel has a problem remarkably lowered. 具体的には、ベースフィルムに有機層を成膜する際に水分を取り除いておいても、ドナーフィルムの貼り合わせ工程、転写工程、ベースフィルムの剥離工程、それらの移動に伴う工程および電極形成のための移動に伴う工程で、水分が有機層に再吸着することがあった。 Specifically, it is previously removed moisture when forming an organic layer on a base film, a step of bonding the donor film, the transfer step, peeling step of the base film, the process and the electrode formation with their movement in step with the movement of the reason, there is the moisture is adsorbed again on the organic layer.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、転写法を用いた長寿命の有機LED表示パネルの製造方法を提供することを課題とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention aims to provide a manufacturing method of an organic LED display panel of long lifetime using a transfer method.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、少なくとも基材フィルム、光−熱変換層(光吸収層)および少なくとも1層の有機層からなる転写層が順次積層されたドナーフィルム(有機LE SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above, at least the base film, a light - heat converting layer (light absorbing layer) and at least one layer of the transfer layer comprising an organic layer sequentially laminated donor film (organic LE
D用ドナーフィルム)を、基材フィルムが外側になるように、基板上または基板上に形成した所要の積層物上に貼り付け、次いで基材フィルム側から光を照射もしくは熱を放射し、転写層の一部もしくはすべてを残して、ベースフィルムを剥離することにより基板上に転写層を転写して有機LED表示パネルを製造するにあたり、ベースフィルムを剥離した後、基板を真空乾燥または加熱乾燥することで、有機LED表示パネルの寿命を格段に向上させることができることを見出し、本発明を完成するに到った。 The donor film) for D, as the substrate film is on the outside, stuck on the required laminate formed on or over a substrate board and then emit radiation or heat with light from the substrate film side, the transfer leaving a portion of the layer or all, in manufacturing the organic LED display panel by transferring the transfer layer onto the substrate by peeling off the base film, after peeling the base film, vacuum drying or heat drying the substrate it is found that it is possible to greatly improve the lifetime of the organic LED display panel, and have completed the present invention.

【0007】かくして、本発明によれば、基板/第1電極/少なくとも発光層を含む有機層/第2電極からなる有機LED表示パネルを製造するに当り、基材フィルム上に少なくとも光−熱変換層を形成してベースフィルムを得、さらにその上に少なくとも1層の有機層からなる転写層を形成してドナーフィルムを得、基材フィルムが外側になるように、基板上または基板上に形成した所要の積層物上にドナーフィルムを貼り付け、次いで基材フィルム側から光を照射もしくは熱を放射し、転写層の一部もしくはすべてを残して、ドナーフィルムを剥離し、 [0007] Thus, according to the present invention, per To manufacture the organic LED display panel of the organic layer / second electrode comprising a substrate / first electrode / least a light emitting layer, at least a light on a substrate film - heat conversion to obtain a base film to form a layer, further forming a transfer layer comprising at least one organic layer formed thereon to obtain a donor film, as the substrate film is on the outside, formed on the substrate or substrate paste the donor film on the desired laminate was then emits irradiation or heat with light from the substrate film side, leaving a portion of the transfer layer or all, peeling the donor film,
基板を真空乾燥または加熱乾燥することを特徴とする有機LED表示パネルの製造方法が提供される。 Method of manufacturing an organic LED display panels, which comprises vacuum drying or heat drying a substrate is provided.

【0008】また、本発明によれば、上記の有機LED [0008] Also, according to the present invention, the organic LED
表示パネルの製造方法により製造された有機LED表示パネルが提供される。 The organic LED display panel manufactured by the manufacturing method of the display panel is provided.

【0009】 [0009]

【発明の実施の形態】本発明の有機LED表示パネルの製造方法は、基板/第1電極/少なくとも発光層を含む有機層/第2電極からなる有機LED表示パネルを製造するに当り、基材フィルム上に少なくとも光−熱変換層を形成してベースフィルムを得、さらにその上に少なくとも1層の有機層からなる転写層を形成してドナーフィルムを得、基材フィルムが外側になるように、基板上または基板上に形成した所要の積層物上にドナーフィルムを貼り付け、次いで基材フィルム側から光を照射もしくは熱を放射し、転写層の一部もしくはすべてを残して、 Method of manufacturing an organic LED display panel of the embodiment of the present invention is hit in the production of organic LED display panel of the organic layer / second electrode comprising a substrate / first electrode / least a light emitting layer, the substrate at least a light on the film - to obtain a base film to form a thermal conversion layer, further obtain a donor film to form a transfer layer composed of at least one organic layer thereon, so that the substrate film is on the outside , paste the donor film on the desired laminate formed on or over a substrate board and then emit radiation or heat with light from the substrate film side, leaving a portion of the transfer layer or all,
ドナーフィルムを剥離し、基板を真空乾燥または加熱乾燥することを特徴とする。 Peeling the donor film, characterized by vacuum drying or heat drying the substrate. また、転写層の一部もしくはすべてを残して、ドナーフィルムを剥離した後だけでなく、転写した有機層上にさらに第2電極を形成する場合、その前にも真空乾燥または加熱乾燥するのが、有機層から水分を効率よく短時間で除去できるのでより好ましい。 Further, leaving part or all of the transfer layer, not only after peeling the donor film, when forming a further second electrode in the transferred organic layer, it is to vacuum drying or heat drying in the preceding , more preferable because water can be efficiently short time removed from the organic layer.

【0010】図1は、本発明の有機LED表示パネルの製造方法を示す概略断面図である。 [0010] Figure 1 is a schematic cross-sectional views showing a manufacturing method of an organic LED display panel of the present invention. 図1では、転写層3 In Figure 1, the transfer layer 3
が形成されたベースフィルム6と第1電極15が形成された基板12とを、ベースフィルム6と基板12とが外側になるように貼り付け、ベースフィルム側(ベースフィルムの基材フィルム側)から光(例えば、レーザー光)または熱14を照射もしくは放射している。 The base film 6 but formed with the substrate 12 where the first electrode 15 is formed, adhered to the base film 6 and the substrate 12 is on the outside, from the base film side (the substrate film side of the base film) light (e.g., laser light) is irradiated or radiate or heat 14. 本発明の方法によれば、次いで転写層の一部もしくはすべてを残して、ベースフィルムを剥離し、その後、基板を真空乾燥または加熱乾燥する。 According to the method of the present invention, then leaving a part of the transfer layer or all, peeling off the base film, then vacuum dried or dried by heating the substrate.

【0011】真空乾燥は、真空度1×10 -2 Pa以下で行うのが好ましい。 [0011] Vacuum drying is preferably carried out in the following degree of vacuum of 1 × 10 -2 Pa. これにより、有機層から水分を効率よく、短時間で除去することができる。 Thus, the moisture efficiently from the organic layer can be removed in a short time. また、加熱乾燥は、温度70〜250℃の範囲で行うのが好ましい。 Further, heat drying is preferably carried out at a temperature range of 70 to 250 ° C.. 温度が70℃未満の場合には、乾燥が不十分となり、転写層の有機層中に含有する水分による有機LED表示パネルの寿命低下を十分に抑制することができないので好ましくない。 If the temperature is lower than 70 ° C., the drying is insufficient, it is impossible to sufficiently suppress the reduction in life of the organic LED display panel according to the moisture contained in the organic layer of the transfer layer is not preferable. また、温度が250℃を超える場合には、転写層の有機材料が熱劣化し、有機LED表示パネルの寿命が低下するので好ましくない。 Also, undesirable if the temperature exceeds 250 ° C., the organic material of the transfer layer is thermally degraded, the life of the organic LED display panel is reduced. また、加熱乾燥は、真空中もしくは不活性ガス(窒素、アルゴンなど)中で行うのが好ましく、本発明の有機LED表示パネルの製造方法においては、一連の転写工程を不活性ガス中で行うのが望ましい。 Further, heat drying is preferably carried out in a vacuum or in an inert gas (nitrogen, argon, etc.), in the manufacturing method of the organic LED display panel of the present invention, perform a series of transfer steps in an inert gas It is desirable

【0012】図4は、本発明の有機LED表示パネルの製造方法における転写工程の一例を示す概略図である。 [0012] Figure 4 is a schematic diagram showing an example of a transfer step in the manufacturing method of the organic LED display panel of the present invention.
図4では、光または熱14によって、ロール13に巻き取られたドナーフィルム14上に形成された転写層(図示しない)が基板12上に転写されている。 In Figure 4, by light or heat 14, transfer layer formed on the donor film 14 is wound into a roll 13 (not shown) is transferred onto the substrate 12. ここでは、 here,
フィルムの巻取りにより、ベースフィルムの剥離が連続して行なわれている。 The winding of the film, peeling of the base film is performed continuously. また、基板12が左から右に移動することにより、同様の転写工程が3回繰り返されている。 Further, since the substrate 12 is moved from left to right, it is repeated the same transfer process 3 times. これにより、例えば、赤色、緑色、青色発光画素を同一の工程で形成することが可能である。 Thus, for example, red, green, it is possible to form a blue light-emitting pixel in the same step.

【0013】本発明の有機LED表示パネルは、基本的に第1電極、少なくとも1層の発光層を有する有機LE [0013] The organic LED display panel of the present invention, basically a first electrode, an organic LE having a light-emitting layer at least one layer
D層(有機層)および第2電極が順次積層された有機L Organic L of D layer (organic layer) and a second electrode are sequentially stacked
ED素子を一画素として、複数配置することにより製造される。 One pixel ED element is manufactured by arranging a plurality.

【0014】本発明における転写層は、少なくとも1層の有機層からなり、第1電極および/または第2電極を含んでいてもよく、このような転写層が転写法により転写される。 [0014] The transfer layer of the present invention comprises at least one organic layer may comprise a first electrode and / or the second electrode, such transfer layer is transferred by a transfer method. 残りの層は、転写法を繰り返して形成してもよく、また公知の方法で形成(成膜)してもよい。 The remaining layers may be formed by repeating a transfer method, or may be formed (film formation) by a known method. 公知の方法としては、スピンコーティング法、ディップコート法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法などの塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、 Known methods, spin coating, dip coating, doctor blade method, ejection coating, a coating method such as spray coating method, an inkjet method, a relief printing method,
凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法などの印刷法などのウエットプロセス、および真空蒸着法、EB法、MBE法、スパッタ法などのドライプロセスが挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。 Intaglio printing method, a screen printing method, as a wet process such as printing method such as a micro gravure coating method, and a vacuum deposition method, EB method, MBE method, including but dry process such as sputtering, is not particularly limited to these is not.

【0015】例えば、後述する正孔輸送層および発光層を、それぞれスピンコート法および転写法で形成することができる。 [0015] For example, it is possible to form the hole transport layer and the luminescent layer described later, respectively spin coating method, and transfer method. また、第1電極または第2電極を転写法で形成した場合には、転写層を第1電極または第2電極としてそのまま用いてもよいが、転写層上にさらに金属膜を形成して、第1電極または第2電極としてもよい。 In the case where the first electrode or the second electrode is formed by transfer method, the transfer layer may be used as it is as the first electrode or the second electrode, but by forming a further metal layer on the transfer layer, the it may be one electrode or the second electrode.

【0016】以下、有機LED表示パネルの各構成部分およびそれらの作製方法について説明する。 [0016] Hereinafter, a description will be given of each component and a manufacturing method thereof of the organic LED display panel. (1.ベースフィルム)ベースフィルムは、基材フィルム上に少なくとも光−熱変換層(光吸収層)が形成されたものである。 (1. base film) base film, at least a light on a substrate film - in which heat conversion layer (light absorption layer) was formed. また、必要に応じて、さらに熱伝播層および/またはガス発生層が形成されていてもよい。 If necessary, it may be further formed heat spreader layer and / or the gas generation layer.

【0017】(1−1.基材フィルム)基材フィルムは、透明高分子フィルムからなる。 [0017] (1-1. Substrate Film) base film is formed of a transparent polymer film. 例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、 For example, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyesters,
ポリアクリル、エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリエーテルスルフォンなどが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Polyacrylic, epoxy resin, polyethylene, polystyrene, polyether sulfone, for example, the present invention is not limited to these. これらの中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネートが特に好ましい。 Among these, polyethylene terephthalate, polycarbonate is particularly preferable. また、基材フィルムの膜厚としては、10〜600μmが好ましく、50〜200μmが特に好ましい。 As the thickness of the substrate film, preferably 10~600Myuemu, 50 to 200 [mu] m is particularly preferred.

【0018】(1−2.光−熱変換層)光−熱変換層(「光吸収層」ともいう)は、光を吸収し効率よく熱を発生させる性質を有する物質から構成される。 [0018] (1-2 Light -. Heat conversion layer) Light - (also referred to as "light absorbing layer") heat conversion layer is composed of a material having a property of generating heat efficiently absorbs light. 具体的には、アルミニウム、その酸化物および/またはその硫化物からなる金属膜、カーボンブラック、黒鉛または赤外線染料などを高分子材料(例えば、熱硬化型エポキシ樹脂)に分散した有機膜が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Specific examples thereof include aluminum, its oxides and / or metal film that consists sulfide, carbon black, etc. polymeric material graphite or infrared dye (e.g., thermosetting epoxy resin) organic layer dispersed in the but the present invention is not limited thereto.

【0019】金属膜は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などの公知の方法により形成することができ、その膜厚は、50〜10,000Åが好ましく、100〜5,000Åが特に好ましい。 The metal film, a vacuum deposition method, an electron beam evaporation method, can be formed by a known method such as a sputtering method, the film thickness is preferably 50~10,000Å, 100~5,000Å especially preferable. また、有機膜は、公知のコーティング法により形成することができ、その膜厚は、0.01〜50μmが好ましく、0. Further, the organic film may be formed by a known coating method, the film thickness is 0.01 m to 50 m is preferably 0.
1〜10μmが特に好ましい。 1~10μm is particularly preferred.

【0020】(1−3.熱伝播層)熱伝播層(「剥離層」ともいう)は、転写を効率よく行うために熱を伝播させる層である。 [0020] (1-3. Heat propagation layer) (also referred to as "peeling layer") heat propagation layer is a layer for propagating the heat to effect transfer efficiency. 例えば、ポリαメチルスチレンなどが挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではない。 For example, poly α-methyl styrene, but the present invention is not limited thereto. 熱伝播層は、公知の成膜法により形成することができ、その膜厚は、0.001〜10μmが好ましく、 Heat propagation layer can be formed by a known film formation method, the film thickness is 0.001 to 10 is preferable,
0.005〜5μmが特に好ましい。 0.005~5μm is particularly preferred.

【0021】(1−4.ガス発生層)ガス発生層は、光または熱を吸収すると分解反応を起こして窒素ガスまたは水素ガスを放出し、転写のためのエネルギーを提供する、すなわち、転写効率の向上に寄与する層である。 [0021] (1-4. Gas generating layer) gas generation layer causes a decomposition reaction upon absorption of light or heat to release nitrogen gas or hydrogen gas, to provide energy for transfer, i.e., transfer efficiency it is a layer contributing to the improvement of. ガス発生層を構成する材料としては、例えば、四硝酸ペンタエリトリトール、トリニトロトルエンなどが挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。 The material constituting the gas generation layer, for example, pentaerythritol tetranitrate, although such trinitrotoluene and the like, and the present invention is not limited thereto. ガス発生層は、公知の成膜法により形成することができ、その膜厚は、0.001〜10μmが好ましく、0.00 Gas generation layer may be formed by a known film formation method, the film thickness is 0.001 to 10 is preferable, 0.00
5〜5μmが特に好ましい。 5~5μm is particularly preferred.

【0022】(2.ドナーフィルム)ドナーフィルム(「有機LED用ドナーフィルム」ともいう)は、ベースフィルム上に転写層が形成されたものである。 [0022] (also referred to as "organic LED donor film") (2. Donor Film) donor film is one in which the transfer layer is formed on the base film. また、 Also,
ドナーフィルムは、転写層の種類によって、発光層形成用ドナーフィルム、正孔輸送層形成用ドナーフィルムなどとも称する。 Donor film, the kind of the transfer layer, a donor film for forming a light emitting layer, also referred to as donor film for forming a positive hole transport layer.

【0023】図2は、本発明のドナーフィルムの概略断面図である。 [0023] FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a donor film of the present invention. (a)は基材フィルム1と光−熱変換層2 (A) the base film 1 and the light - heat converting layer 2
からなるベースフィルム6および転写層3から構成されるドナーフィルム7であり、(b)は基材フィルム1と光−熱変換層2と熱伝播層4からなるベースフィルム6 A donor film 7 composed of the base film 6 and the transfer layer 3 made of, (b) the base film 1 and the light - the base film 6 made of heat conversion layer 2 and the heat spreader layer 4
および転写層3から構成されるドナーフィルム7であり、(c)は基材フィルム1と光−熱変換層2と熱伝播層4とガス発生層5からなるベースフィルム6および転写層3から構成されるドナーフィルム7である。 And a donor film 7 composed of the transfer layer 3, (c) the base film 1 and the light - structure from the base film 6 and the transfer layer 3 made of heat conversion layer 2 and the heat spreader layer 4 and the gas generation layer 5 a donor film 7 is.

【0024】(2−1.転写層)転写層は、実際に転写工程により転写される層であり、有機層のみの構造でも電極層と有機層を組合わせた構造でもよい。 [0024] (2-1. Transfer layer) transfer layer is a layer to be transferred by actually transferring step may be either the structure of the organic layer only a combination of electrodes and organic layers structure. 具体的には、下記の構成が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Specifically, there may be mentioned the following configurations, the present invention is not limited to these. 有機層 第1電極/有機層 有機層/第2電極 第1電極/有機層/第2電極 なお、基材フィルムに対する転写層の積層順は限定されない。 The organic layer first electrode / organic layer organic layer / second electrode first electrode / organic layer / second electrode Incidentally, stacking order of the transfer layer to the substrate film is not limited.

【0025】(2−1−1.有機層)有機層は、単層構造でも多層構造でもよく、具体的には、下記の構成が挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 [0025] (2-1-1. Organic Layer) The organic layer may be a multilayer structure have a single-layer structure, specifically, there may be mentioned the following configurations, the present invention is not limited to these . 有機発光層 正孔注入輸送層 電子注入輸送層 正孔注入輸送層/有機発光層 有機発光層/電子注入輸送層 正孔注入輸送層/有機発光層/電子注入輸送層 正孔注入輸送層/有機発光層/電荷ブロッキング層/ The organic light-emitting layer the hole injecting and transporting layer electron injection transport layer The hole injection transport layer / organic light emitting layer organic light-emitting layer / electron injection transport layer The hole injection transport layer / organic emission layer / electron injection transport layer The hole injection transport layer / organic the light-emitting layer / charge blocking layer /
電子注入輸送層 なお、正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれ正孔注入層と正孔輸送層および電子注入層と電子輸送層に分割してもよい。 Electron injecting and transporting layer The hole and electron injecting and transporting layers may be each divided into the hole injection layer and the hole transport layer and an electron injection layer and the electron transport layer.

【0026】有機発光層は、任意に発光アシスト剤、電荷輸送材料、添加剤(ドナー、アクセプターなど)、発光性のドーパントなどを含む発光材料を公知のドライプロセスにより形成(成膜)することができる。 [0026] The organic light-emitting layer may optionally emission assist material, charge transport material, an additive (donor, such as an acceptor) may be formed (film formation) by a known dry process the luminescent material, including light-emitting dopant it can. また、有機発光層は、有機発光層形成用塗液を用いて公知のウエットプロセスにより形成(成膜)することもできる。 The organic light-emitting layer may be formed by a known wet process using organic light emitting layer forming coating solution (film-forming). 有機発光層形成用塗液は、1種もしくは2種以上の発光材料を溶剤に溶解または分散させた溶液であり、任意に結着用樹脂、レベリング剤、発光アシスト剤、電荷注入輸送材料、添加剤(ドナー,アクセプターなど)、発光性のドーパントなどを含む。 The organic light-emitting layer forming coating solution, one or more luminescent materials is a solution in which are dissolved or dispersed in a solvent, optionally binder resin, leveling agent, light emission assist material, a charge injection transportation materials, additives comprising (donor and acceptor), and light-emitting dopant.

【0027】発光材料としては、有機LED用の公知の発光材料を用いることができる。 [0027] As the light emitting material, may be a known light emitting material for the organic LED. このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料および高分子発光材料の前駆体などに分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Such luminescent materials, low molecular luminescent material is classified into such precursor polymer light-emitting materials and polymer light-emitting material is exemplified these specific compounds are shown below, but the present invention is limited by these not.

【0028】低分子発光材料としては、例えば、4, Examples of the low-molecular light emitting material, for example, 4,
4'−ビス(2,2'−ジフェニルビニル)−ビフェニル(DPVBi)などの芳香族ジメチリデン化合物、5 4'-bis (2,2'-diphenyl vinyl) - aromatic dimethylidene compounds such as biphenyl (DPVBi), 5
−メチル−2−[2−[4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾオキサゾールなどのオキサジアゾール化合物、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5−t−ブチルフェニル−1, - methyl 2- [2- [4- (5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl] oxadiazole compounds such as benzoxazole, 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 -t- butylphenyl -1,
2,4−トリアゾール(TAZ)などのトリアゾール誘導体、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼンなどのスチリルベンゼン化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体などの蛍光性有機材料、ならびにアゾメチン亜鉛錯体、(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体(Alq )などの蛍光性有機金属化合物が挙げられる。 Triazole derivatives such as 2,4-triazole (TAZ), 1,4-bis (2-methyl styryl) styryl benzene compounds such as benzene, thio pyrazine dioxide derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, fluorenone fluorescent organic materials such as derivatives, and azomethine zinc complexes, and fluorescent organic metal compounds such as (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex (Alq 3).

【0029】高分子発光材料としては、例えば、ポリ(2−デシルオキシ−1,4−フェニレン)(DO−P Examples of the polymer light-emitting materials, for example, poly (2-decyloxy-1,4-phenylene) (DO-P
PP)、ポリ[2,5−ビス−[2−(N,N,N−トリエチルアンモニウム)エトキシ]−1,4−フェニル−アルト−1,4−フェニルレン]ジブロマイド(PP PP), poly [2,5-bis - [2- (N, N, N- triethylammonium) ethoxy] -1,4-phenyl - Alto 1,4 phenyl alkylene] dibromide (PP
P−NEt 3+ )、ポリ[2−(2'−エチルヘキシルオキシ)−5−メトキシ−1,4−フェニレンビニレン](MEH−PPV)、ポリ[5−メトキシ−(2− P-NEt 3+), poly [2- (2'-ethylhexyl oxy) -5-methoxy-1,4-phenylene vinylene] (MEH-PPV), poly [5-methoxy - (2-
プロパノキシサルフォニド)−1,4−フェニレンビニレン](MPS−PPV)、ポリ[2,5−ビス−(ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)](CN−PPV)、(ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン))(PDAF)などが挙げられる。 Propanoate carboxymethyl monkey sulfonyl de) -1,4-phenylene vinylene] (MPS-PPV), poly [2,5-bis - (hexyloxy) -1,4-phenylene - (1-cyanovinylene)] (CN-PPV) , and the like (poly (9,9-dioctyl fluorene)) (PDAF). また、高分子発光材料の前駆体としては、例えば、PPV Further, as the precursor of the polymer light-emitting materials, for example, PPV
前駆体、PNV前駆体、PPP前駆体などが挙げられる。 Precursors, PNV precursors, like PPP precursor.

【0030】結着用樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステルなどが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Examples of the binder resin, for example, polycarbonate, but such polyesters, the present invention is not limited to these. 溶剤としては、前記の発光材料を溶解または分散できる溶剤であれば、特に限定されるものではない。 The solvent, if a solvent capable of dissolving or dispersing the luminescent material, and is not particularly limited. 具体的には、純水、メタノール、エタノール、THF、クロロホルム、トルエン、 Specifically, pure water, methanol, ethanol, THF, chloroform, toluene,
キシレン、トリメチルベンゼンなどが挙げられる。 Xylene, trimethylbenzene and the like.

【0031】正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、 The hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer,
それぞれ単層構造でも多層構造でもよい。 Each may be a multilayer structure have a single-layer structure. 以下の説明においては、正孔と電子を合わせて「電荷」ともいう。 In the following description, the combined holes and electrons referred to as "charge". 電荷注入輸送層は、任意に添加剤(ドナー、アクセプターなど)などを含む電荷注入輸送材料をドライプロセスにより形成(成膜)することができる。 Charge injecting and transporting layer may optionally additive (donor, acceptor, etc.) a charge injection transportation material and the like can be formed by a dry process (film formation). また、電荷注入輸送層は、電荷注入輸送層形成用塗液を用いてウエットプロセスにより形成(成膜)することもできる。 Further, the charge injection transport layer may also be formed by a wet process (formation) using a charge injection transport layer forming coating liquid. 電荷注入輸送層形成用塗液は、1種もしくは2種以上の電荷注入輸送材料を溶剤に溶解または分散させた溶液であり、任意に結着用樹脂、レベリング剤、添加剤(ドナー、アクセプターなど)などを含む。 Charge injecting and transporting layer-forming coating liquid is one or more charge injection transport material is a solution in which are dissolved or dispersed in a solvent, optionally binder resin, a leveling agent, an additive (donor, acceptor, etc.) and the like.

【0032】電荷注入輸送材料としては、有機LED [0032] as the charge injection transporting materials, organic LED
用、有機光導電体用の公知の電荷注入輸送材料を用いることができる。 Use, known charge injection transport materials for organic photoconductor may be used. このような電荷注入輸送材料は、正孔輸送材料および電子輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Such charge injection transport material is classified into hole transport materials and electron transport materials, but illustrate these specific compounds are shown below, but the present invention is not limited to these.

【0033】正孔輸送材料としては、例えば、無機p型半導体材料、ポルフィリン化合物、N,N'−ビス− [0033] As the hole transporting material, for example, inorganic p-type semiconductor material, a porphyrin compound, N, N'-bis -
(3−メチルフェニル)−N,N'−ビス−(フェニル)−ベンジジン(TPD)、N,N'−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N'−ジフェニルーベンジジン(NPD)などの芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物などの低分子材料;ポリアニリン(PANI)、3,4 (3-methylphenyl) -N, N'- bis - (phenyl) - benzidine (TPD), N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl chromatography benzidine (NPD), such as aromatic tertiary amine compounds, hydrazone compounds, quinacridone compounds, low molecular materials such styrylamine compound; polyaniline (PANI), 3, 4
−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイト(PEDOT/PSS)、ポリ[トリフェニルアミン誘導体](Poly−TPD)、ポリビニルカルバゾール(PVCz)などの高分子材料;ポリ(p− - Polyethylene dioxythiophene / polystyrene monkey follower Nate (PEDOT / PSS), poly [triphenylamine derivatives] (Poly-TPD), polymeric materials such as polyvinyl carbazole (PVCz); poly (p-
フェニレンビニレン)前駆体(Pre−PPV)、ポリ(p−ナフタレンビニレン)前駆体(Pre−PNV) Phenylenevinylene) precursor (Pre-PPV), poly (p- naphthalene vinylene) precursor (Pre-PNV)
などの高分子材料前駆体などが挙げられる。 Like polymeric material precursor, such as.

【0034】電子輸送材料としては、例えば、無機n型半導体材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体などの低分子材料;ポリ[オキサジアゾール](Poly−OXZ) Examples of the electron transporting material, for example, inorganic n-type semiconductor material, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, thio pyrazine dioxide derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, low molecular materials such as fluorenone derivatives ; poly [oxadiazole] (poly-OXZ)
などの高分子材料が挙げられる。 And polymer materials such as is.

【0035】結着用樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステルなどが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 [0035] As binder resins, for example, polycarbonate, but such polyesters, the present invention is not limited to these. 溶剤としては、前記の電荷注入輸送材料を溶解または分散できる溶剤であれば特に限定されるものではない。 The solvent is not particularly limited as long as the solvent capable of dissolving or dispersing the charge injection transport materials. 具体的には、純水、 Specifically, pure water,
メタノール、エタノール、THF、クロロホルム、キシレン、トリメチルベンゼンなどが挙げられる。 Methanol, ethanol, THF, chloroform, xylene, trimethylbenzene and the like.

【0036】電荷ブロッキング層は、単層構造でも多層構造でもよい。 The charge blocking layer may be a multilayer structure have a single-layer structure. 電荷ブロッキング層は、任意に添加剤(ドナー、アクセプターなど)などを含む電荷ブロッキング材料をドライプロセスにより形成(成膜)することができる。 Charge blocking layer may optionally additive (donor, such as an acceptor) a charge blocking material and the like can be formed by a dry process (film formation). また、電荷ブロッキング層は、電荷ブロッキング層形成用塗液を用いてウエットプロセスにより形成(成膜)することもできる。 The charge blocking layer may be formed by a wet process (film formation) using a charge blocking layer forming coating liquid. 電荷ブロッキング層形成用塗液は、1種もしくは2種以上の電荷ブロッキング材料を溶剤に溶解または分散させた溶液であり、任意に結着用樹脂、レベリング剤などを含む。 Charge blocking layer coating liquid for forming a solution of one or more charge blocking material is dissolved or dispersed in a solvent, including optionally binder resins, and the like leveling agent.

【0037】電荷ブロッキング材料としては、有機LE [0037] As the charge blocking material, an organic LE
D用の公知の電荷ブロッキング材料を用いることができる。 It may be a known charge blocking materials for D. 例えば、電荷ブロッキング材料としては、4,7− For example, the charge blocking material, 4,7
ジフェニル−1,10−フェナントロリン、2,9−ジメチル−1,10−フェナントロリン、BAlq(ビス(2−メチル−8−キノリノラート)(p−フェニルフェノラート)アルミニウム)などが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 Diphenyl-1,10-phenanthroline, 2,9-dimethyl-1,10-phenanthroline, BAlq (bis (2-methyl-8-quinolinolato) (p-phenylphenolato) aluminum) and the like, the present invention is not intended to be limited thereto.

【0038】結着用樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステルなどが挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 [0038] As the binder resin, for example, polycarbonate, but such polyesters, the present invention is not limited to these. 溶剤としては、前記の電荷ブロッキング材料を溶解または分散できる溶剤であれば、特に限定されるものではない。 The solvent, if a solvent capable of dissolving or dispersing the charge blocking material, is not particularly limited. 具体的には、 In particular,
純水、メタノール、エタノール、THF、クロロホルム、キシレン、トリメチルベンゼンなどが挙げられる。 Purified water, methanol, ethanol, THF, chloroform, xylene, trimethylbenzene and the like.

【0039】有機層を成膜する際の環境は特に限定されるものではないが、形成した膜の吸湿、用いた有機材料の変質を防止する観点から、不活性ガス中で行うのが好ましい。 [0039] Although the environment is not particularly limited when forming the organic layer, moisture absorption of the formed film, from the viewpoint of preventing the deterioration of the organic material used, preferably carried out in an inert gas. また、ウエットプロセスにより有機層を形成した後には、残留溶媒を除去する目的で、加熱乾燥を行うのが好ましい。 Further, after forming the organic layer by wet process, in order to remove residual solvent, preferably carried out heating and drying. 加熱乾燥を行う環境は特に限定されるものではないが、用いた有機材料の変質を防止する観点から、不活性ガス中、好ましくは減圧下で行うのが好ましい。 Although environment not limited to performing heat drying, from the viewpoint of preventing the deterioration of the organic material used, an inert gas, preferably preferably under reduced pressure.

【0040】本発明においては、転写層として、異なる特性をもつ有機層をそれぞれ別々のベースフィルム上に成膜したものを用いて、転写工程を繰り返して、基板上に有機層の多層膜を形成してもよい。 [0040] In the present invention, as the transfer layer, using a material obtained by forming an organic layer having different properties to each separate base film, by repeating the transfer process, forming a multi-layered film of an organic layer on a substrate it may be. 基板上に赤色、緑色および青色の発光多層膜を有する有機LED表示パネルは、例えば、転写層として、正孔輸送層/赤色発光層からなる有機赤色発光多層膜、正孔輸送層/緑色発光層からなる有機緑色発光多層膜、および正孔輸送層/青色発光層からなる有機青色発光多層膜を有する3種類のベースフィルムを用いて、転写工程を繰り返すことにより得ることができる。 Red on the substrate, an organic LED display panel having a green and blue light-emitting multilayer film, for example, as a transfer layer, a hole transport layer / made of red light emitting layer organic red light-emitting multilayer film, a hole transport layer / green light emitting layer 3 kinds of the base film having an organic green light emitting multilayer film, and a hole transport layer / blue light emitting layer organic blue-emitting multilayer film made of can be obtained by using a repeated transfer step.

【0041】図3は、本発明の有機LED表示パネルの製造方法におけるベースフィルム上への有機層の成膜工程の一例を示す概略図である。 [0041] FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a process of forming the organic layer on the base film in the manufacturing method of the organic LED display panel of the present invention. 図3では、マイクログラビア法にて連続的にベースフィルム6上に有機層を成膜している。 In Figure 3, and forming an organic layer on the continuous base film 6 by a micro gravure method. 図中、6はベースフィルム、8はロール、9 In the figure, the base film 6, 8 rolls, 9
はマイクログラビアロール、10は除電器、11は乾燥機である。 Micro Gravure roll, the 10 discharger, 11 is a drier.

【0042】(2−1−2.第1電極および第2電極) [0042] (2-1-2. The first electrode and the second electrode)
第1電極および第2電極を形成する電極材料としては、 As an electrode material for forming the first electrode and the second electrode,
公知の電極材料を用いることができる。 It may be a known electrode materials. 陽極を形成する電極材料としては、仕事関数が高い金属(Au、Pt、 As an electrode material for forming an anode, high work function metal (Au, Pt,
Niなど)および透明電極(ITO,IDIXO,Sn Ni, etc.) and a transparent electrode (ITO, IDIXO, Sn
2など)などが挙げられる。 Etc. O 2), and the like. また、陰極を形成する電極材料としては、仕事関数の低い金属を少なくとも含有するもの(Ca、Ce、Cs、Ba、Al、Mg:Ag Further, as the electrode material for forming the cathode, which contains at least a low work function metal (Ca, Ce, Cs, Ba, Al, Mg: Ag
合金、Li:Al合金)および薄膜の絶縁層と金属電極を組み合わせたもの(LiF/Alなど)などが挙げられる。 Alloy, Li: Al alloy) and a combination of the insulating layer and the metal electrode thin film (LiF / Al, etc.) and the like. 各電極は、これらの材料を用いてEB法、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法などの公知の方法により形成することができる。 Each electrode may be EB method, a sputtering method, formed by a known method such as a resistance heating evaporation method using these materials.

【0043】(3.基板)本発明で用いられる基板としては、例えば、ガラス、石英などの無機材料、ポリエチレンテレフタレートなどのプラスティック、アルミナなどのセラミックスなどの絶縁性基板;アルミニウム、鉄などの金属基板にSiO 2 、有機絶縁材料などの絶縁物をコートした基板;アルミニウムなどの金属基板の表面を陽極酸化などの方法で絶縁化処理を施した基板など挙げられるが、本発明はこれらにより限定されるものではない。 [0043] (3 substrate.) As the substrate used in the present invention, for example, glass, inorganic material such as quartz, an insulating substrate such as ceramics, such as plastic, such as polyethylene terephthalate, alumina; aluminum, metal substrates such as iron SiO 2, coated substrate an insulator such as an organic insulating material; but the like substrate subjected to insulation treatment in the method of the surface of a metal substrate such as aluminum anodic oxide, the present invention is limited by these not.

【0044】また、基板上には、薄膜トランジスタなどのスイッチング素子が形成されていてもよい。 [0044] Further, on the substrate, a switching element such as thin film transistors may be formation. 低温プロセスで形成したポリシリコンTFTを用いて薄膜トランジスタを形成するためには、500℃以下の温度で融解せず、かつ歪みが生じない基板が好ましい。 To form a thin film transistor using a polysilicon TFT formed by a low-temperature process is not melt at 500 ° C. below the temperature, and substrate distortion does not occur is preferred. また、高温プロセスで形成したポリシリコンTFTを用いて薄膜トランジスタを形成するためには、1000℃以下の温度で融解せず、かつ歪みが生じない基板が好ましい。 Further, in order to form a thin film transistor using a polysilicon TFT formed in high temperature process, 1000 ° C. without melting at a temperature, and substrate distortion does not occur it is preferred.

【0045】(4.偏光板)本発明の有機LED表示パネルには、偏光板を設けるのが好ましい。 [0045] (4. Polarizer) on the organic LED display panel of the present invention is preferably provided a polarizing plate. 用いられる偏光板としては、従来の直線偏光板と1/4λ板を組み合わせたものが好ましい。 The polarizing plate used, a combination of conventional linear polarizing plate and 1 / 4.lamda plate is preferred. これにより、有機LED素子としてのコントラストを向上させることができる。 Thus, it is possible to improve the contrast of the organic LED element.

【0046】(5.封止膜、封止基板)本発明本発明の有機LED表示パネルには、封止膜、封止基板を設けるのが好ましい。 [0046] (5. Sealing film, a sealing substrate) to the organic LED display panel of the present invention present invention, the sealing film is preferably provided a sealing substrate. 用いられる封止膜または封止基板としては、公知の封止材料および封止方法を用いて形成することができる。 The sealing film or a sealing substrate used can be formed using a known sealing materials and sealing method. 具体的には、窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガスをガラス、金属などで封止する方法、および不活性ガス中に酸化バリウムなどの吸湿剤などを混入する方法が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Specifically, nitrogen gas, glass an inert gas such as argon gas, a method for sealing with a metal, and a method of mixing a moisture absorption agent such as barium oxide and the like in an inert gas, the present invention It is not limited to these. また、対向電極上に樹脂を直接スピンコートもしくは貼り合わせて封止膜とすることもできる。 It is also possible to resin directly on the counter electrode spin coating or bonded to the sealing film.
この封止膜により、外部から素子内へのの酸素や水分の混入を防止することができ、素子の寿命が向上する。 This sealing film, it is possible to prevent mixing of oxygen and moisture of into the device from outside, thereby improving the lifetime of the device.

【0047】本発明によれば、上記の製造方法により製造された有機LED表示パネルが提供される。 According to the present invention, the organic LED display panel manufactured by the above manufacturing method is provided. その駆動方法としては、パッシブマトリックス駆動、アクティブマトリックス駆動などの従来の有機LED表示パネルの駆動方法を用いることができ、本発明ではこれらに限定されるものではない。 As the driving method, a passive matrix driving, it is possible to use a driving method of the conventional organic LED display panel such as an active matrix drive, but the invention is not limited to these.

【0048】 [0048]

【実施例】本発明を実施例および比較例に基づいてさらに具体的に説明するが、これらの実施例により本発明が限定されるものではない。 More specifically described based on Examples and Comparative Examples EXAMPLES present invention, but the present invention is not limited by these examples.

【0049】(比較例1)基材フィルムとして膜厚0. [0049] (Comparative Example 1) film thickness as the base film 0.
1mmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、 A polyethylene terephthalate film of 1 mm,
このフィルム上に光−熱変換層として、カーボン粒子を混合した熱硬化型エポキシ樹脂を膜厚が5μmになるようにコーティングして室温硬化させた。 The film on the light - as a heat conversion layer, a thermosetting epoxy resin mixed with carbon particles thickness were room temperature cured coatings to be 5 [mu] m. 次に、その上に熱伝播層(剥離層)として、ポリαメチルスチレン膜を膜厚が1μmになるようにコーティング形成して、ベースフィルムを得た。 Then, as the heat spreader layer (release layer) thereon, the thickness of the poly-α-methylstyrene film was coated formed so as to 1 [mu] m, to obtain a base film.

【0050】得られたベースフィルム上に、正孔輸送層形成用塗液を用いてマイクログラビアコーターで膜厚5 [0050] the obtained base film, the film thickness by a micro gravure coater using a hole transport layer-forming coating liquid 5
0nmの正孔輸送層となる転写層を形成した。 To form a transfer layer comprising a hole transport layer of 0 nm. ここで、 here,
正孔輸送層形成用塗液としては、PEDOT/PSSを純水に固形分1wt%で溶かしたものを用いた。 The hole transport layer-forming coating liquid used was dissolved in solid content 1 wt% of PEDOT / PSS in pure water. なお、 It should be noted that,
このときの塗液の粘度は4.6cpsであった。 The viscosity of the coating liquid at this time was 4.6Cps. 次に、 next,
このフィルムを110℃で5分間、高純度窒素雰囲気中で加熱し、転写層中の溶媒を除去し、正孔輸送層形成用ドナーフィルムとした。 The film 5 minutes at 110 ° C., and heated in a high purity nitrogen atmosphere, to remove the solvent of the transfer layer, and a donor film for forming a positive hole transport layer.

【0051】前記と同様にして光−熱変換層および熱伝播層を形成したベースフィルム上に、青色発光層形成用塗液を用いてマイクログラビアコーターで膜厚75nm [0051] In the same manner as the light - to heat conversion layer and a base film on which is formed a heat spreader layer, the film thickness by a micro gravure coater using a blue light-emitting layer forming coating liquid 75nm
の青色発光層となる転写層を形成した。 Of forming a transfer layer composed of a blue light-emitting layer. ここで、青色発光層形成用塗液としては、PDAFをキシレンに固形分1wt%で溶かしたものを用いた。 Here, the blue light-emitting layer forming coating liquid used was dissolved PDAF in xylene at a solids 1 wt%. なお、このときの塗液の粘度は6.6cpsであった。 The viscosity of the coating liquid at this time was 6.6Cps. 次に、このフィルムを110℃で5分間、高純度窒素雰囲気中で加熱し、転写層中の溶媒を除去し、青色発光層形成用ドナーフィルムとした。 Next, the film at the 110 ° C. 5 minutes, and heated in a high purity nitrogen atmosphere, to remove the solvent of the transfer layer, and a donor film for blue light emission layer formation.

【0052】次に、1mm幅のITO透明電極(第1電極)を有するガラス基板に、前記の正孔輸送層形成用ドナーフィルムを貼り付け、13WのYAGレーザーを走査し、ベースフィルムを剥離して、正孔輸送層となる転写層を透明電極上に転写した。 Next, a glass substrate having an ITO transparent electrode of 1mm width (first electrode), paste the hole transport layer formation donor film of said, scanning the YAG laser 13W, peeling off the base film Te, a transfer layer comprising a hole transport layer was transferred onto the transparent electrode. 転写により形成された正孔輸送層上に、前記の青色発光層形成用ドナーフィルムを貼り付け、13WのYAGレーザーを走査し、ベースフィルムを剥離して、青色発光層となる転写層を正孔輸送層上に転写した。 Holes into the hole transport layer formed by transfer, paste the donor film for blue light emission layer formation of the scans a YAG laser 13W, and peeling off the base film, the transfer layer comprising a blue light-emitting layer It was transferred to the transport layer.

【0053】次に、ガラス基板を金属蒸着用チャンバーに固定し、転写により形成された青色発光層上に、真空蒸着法によりカルシウムを膜厚が30nmになるように成膜し、さらに、真空蒸着法により銀を膜厚が300n Next, the glass substrate was fixed to the metal deposition chamber, the blue light-emitting layer formed by transfer, was deposited to a thickness of the calcium is 30nm by vacuum deposition, further, vacuum deposition 300n the silver film thickness by law
mになるように成膜して、ITO透明電極の対向電極(第2電極)を形成した。 It was deposited so as to m, to form a counter electrode of ITO transparent electrode (second electrode). 次いで、対向電極上の全体に、エポキシ樹脂を膜厚が1μmになるようにスピンコートして封止膜とし、有機LED素子を完成した。 Then, on the entire counter electrode, a sealing film by spin coating to a thickness of the epoxy resin is 1 [mu] m, thus completing the organic LED element. 作製した有機LED素子について25℃の環境下で寿命の評価を行った。 It was evaluated life under 25 ° C. environment for an organic LED element fabricated. 得られた結果を図5(a)に示す。 The results obtained are shown in Figure 5 (a).

【0054】(実施例1)青色発光層となる転写層を転写した後、高純度窒素雰囲気下、250℃で1時間加熱乾燥し、そのまま大気中に曝すことなく、ガラス基板を金属蒸着用チャンバーに移動し、対向電極となる金属を蒸着したこと以外は、比較例1と同様にして有機LED [0054] (Example 1) after transferring the transfer layer to be a blue light-emitting layer, a high purity nitrogen atmosphere, then heated for 1 hour drying at 250 ° C., as it is without being exposed to the atmosphere, the chamber for the glass substrate metallized Go, except that metal deposition as a counter electrode, in the same manner as in Comparative example 1, the organic LED
素子を完成した。 To complete the element. 作製した有機LED素子について25 The organic LED device produced 25
℃の環境下で寿命の評価を行った。 The evaluation of life was carried out under ℃ of environment. 得られた結果を図5 Figure 5 The results obtained
(a)に示す。 It is shown in (a).

【0055】(実施例2)青色発光層となる転写層を転写した後、、1×10 -2 Paの真空下、100℃で1時間加熱乾燥し、そのまま大気中に曝すことなく、ガラス基板を金属蒸着用チャンバーに移動し、対向電極となる金属を蒸着したこと以外は、比較例1と同様にして有機LED素子を作製した。 [0055] (Example 2) under a vacuum of ,, 1 × 10 -2 Pa after transferring the transfer layer to be a blue light-emitting layer, and heated for 1 hour drying at 100 ° C., without exposure to the atmosphere as it is, a glass substrate the move to the metal deposition chamber, except that metal deposition as a counter electrode, to produce an organic LED element in the same manner as in Comparative example 1. 作製した有機LED素子について25℃の環境下で寿命の評価を行った。 It was evaluated life under 25 ° C. environment for an organic LED element fabricated. 得られた結果を図5(a)に示す。 The results obtained are shown in Figure 5 (a).

【0056】(比較例2)基材フィルムとして膜厚0. [0056] (Comparative Example 2) film thickness as the base film 0.
1mmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、 A polyethylene terephthalate film of 1 mm,
このフィルム上に光−熱変換層として、カーボン粒子を混合した熱硬化型エポキシ樹脂を膜厚が5μmになるようにコーティングして室温硬化させた。 The film on the light - as a heat conversion layer, a thermosetting epoxy resin mixed with carbon particles thickness were room temperature cured coatings to be 5 [mu] m. 次に、熱伝播層(剥離層)として、ポリαメチルスチレン膜を膜厚が1 Then, as the heat spreader layer (release layer), a poly α-methyl styrene film thickness 1
μmになるようにコーティングして形成して、ベースフィルムを得た。 Formed by coating so that the [mu] m, to obtain a base film.

【0057】得られたベースフィルムを真空蒸着装置にセットし、1×10 -2 Paの真空下で、透明電極としてIDIXOを膜厚200nmになるように成膜した。 [0057] The resulting set the base film in a vacuum deposition apparatus, under a vacuum of 1 × 10 -2 Pa, and deposited to the IDIXO film thickness 200nm as a transparent electrode. 次に、正孔注入層としてCuPc(銅フタロシアニン)を蒸着速度0.2nm/secで20nm成膜した。 Was then 20nm deposited CuPc (copper phthalocyanine) at a deposition rate of 0.2 nm / sec as a hole injection layer. 次に、正孔輸送層としてNPDを蒸着速度0.2nm/s Then, it deposited NPD as a hole transport layer rate 0.2 nm / s
ecで60nm成膜した。 Was 60nm formed by ec. 次に、発光層としてAlq3 Next, Alq3 as a light emitting layer
とDCJTB(2−(1,1−ジメチルエチル)−6− And DCJTB (2- (1,1- dimethylethyl) -6-
(2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7, (2- (2,3,6,7-tetrahydro -1,1,7,
7−テトラメチル−1H,5H−ベンゾ(i,j)キノリジン−9−イル)エチル−4H−ピラン−4−イリデン)プロパンジニトリル)をそれぞれ蒸着速度0.2n 7-tetramethyl-1H, 5H-benzo (i, j) quinolizine-9-yl) ethyl -4H- pyran-4-ylidene) propanedinitrile) respectively deposition rate 0.2n
m/secおよび0.002nm/secで共蒸着して30nm成膜した。 Was 30nm deposited by co-evaporation with m / sec and 0.002 nm / sec. 次に、電子輸送層としてAlq3を蒸着速度0.2nm/secで40nm成膜し、有機L Next, 40nm deposited Alq3 as the electron transport layer at a deposition rate of 0.2 nm / sec, the organic L
ED形成用ドナーフィルムとした。 Was the ED for forming a donor film.

【0058】次に、ガラス基板上に、電極として、幅1 Next, on a glass substrate, as the electrode, the width 1
mmで、膜厚200nmのアルミニウムと膜厚1nmのLiFを成膜し、その上に前記有機LED形成用ドナーフィルムを貼り付け、13WのYAGレーザーを走査し、ベースフィルムを剥離して、電子輸送層、発光層および正孔注入層からなる有機LED層と透明電極を転写した。 In mm, thereby forming a LiF aluminum and thickness 1nm of thickness 200 nm, pasting the organic LED forming donor film thereon, scanning the YAG laser 13W, and peeling off the base film, an electron transport layer was transferred organic LED layer and a transparent electrode made of the light-emitting layer and the hole injection layer.

【0059】次いで、透明電極上の全体に、エポキシ樹脂を膜厚が1μmになるようにスピンコートして封止膜とし、有機LED素子を完成した。 [0059] Then, on the entire transparent electrodes, and sealing film was spin-coated to a thickness of the epoxy resin is 1 [mu] m, thus completing the organic LED element. 作製した有機LED Organic LED fabricated
素子について25℃の環境下で寿命の評価を行った。 It was evaluated life under 25 ° C. environment for devices. 得られた結果を図5(b)に示す。 The results obtained are shown in Figure 5 (b).

【0060】(実施例3)転写後ドナーフィルムを剥離した後、1×10 -2 Paの真空下で3時間真空乾燥したこと以外は、比較例2と同様にして有機LED素子を作製した。 [0060] After removing the Example 3 posttranscriptional donor film, except that the vacuum dried for 3 hours under a vacuum of 1 × 10 -2 Pa, to manufacture an organic LED element in the same manner as in Comparative Example 2. 作製した有機LED素子について25℃の環境下で寿命の評価を行った。 It was evaluated life under 25 ° C. environment for an organic LED element fabricated. 得られた結果を図5(b)に示す。 The results obtained are shown in Figure 5 (b).

【0061】(実施例4)転写後ドナーフィルムを剥離した後、1×10 -2 Paの真空下、70℃で1時間加熱乾燥したこと以外は、比較例2と同様にして、有機LE [0061] After removing the Example 4 posttranscriptional donor film, 1 × 10 -2 Pa vacuum of, except for one hour dried by heating at 70 ° C., in the same manner as in Comparative Example 2, an organic LE
D素子を作製した。 To prepare a D element. 作製した有機LED素子について2 2 for an organic LED element fabricated
5℃の環境下で寿命の評価を行った。 The evaluation of life was carried out under 5 ℃ of environment. 得られた結果を図5(b)に示す。 The results obtained are shown in Figure 5 (b).

【0062】 [0062]

【発明の効果】本発明によれば、転写法を用いて長寿命の有機LED表示パネルを作製することが可能となる。 According to the present invention, it is possible to produce an organic LED display panel of long life by using a transfer method.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の有機LED表示パネルの製造方法を示す概略断面図である。 1 is a schematic cross-sectional views showing a manufacturing method of an organic LED display panel of the present invention.

【図2】本発明のドナーフィルムの概略断面図である。 2 is a schematic cross-sectional view of a donor film of the present invention.

【図3】本発明の有機LED表示パネルの製造方法におけるベースフィルム上への有機層の成膜工程を示す概略図である。 Figure 3 is a schematic diagram showing a step of forming the organic layer on the base film in the manufacturing method of the organic LED display panel of the present invention.

【図4】本発明の有機LED表示パネルの製造方法における転写工程を示す概略図である。 4 is a schematic view showing a transfer step in the method of manufacturing the organic LED display panel of the present invention.

【図5】実施例および比較例により作製した有機LED [5] The organic LED fabricated in Examples and Comparative Examples
素子の寿命評価の結果を示す図である。 It shows the results of life evaluation of the device.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基材フィルム 2 光−熱変換層 3 転写層(有機LED層) 4 熱伝播層 5 ガス発生層 6 ベースフィルム 7 ドナーフィルム 8、13 ロール 9 マイクログラビアロール 10 除電器 11 乾燥機 12 基板 14 光または熱 15 第1電極 1 base film 2 light - heat converting layer 3 a transfer layer (organic LED layer) 4 heat spreader layer 5 Gas generating layer 6 base film 7 donor film 8,13 roll 9 micro gravure roll 10 discharger 11 dryer 12 substrate 14 light or heat 15 first electrode

フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/22 H05B 33/22 B Fターム(参考) 3K007 AB11 AB18 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 5C094 AA08 AA31 AA37 AA38 AA43 AA48 BA12 BA27 CA19 CA24 DA13 EA05 EB02 FA01 FA02 FB01 FB11 GB10 5G435 AA14 AA17 BB05 HH18 HH20 KK05 KK10 Of the front page Continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (Reference) H05B 33/22 H05B 33/22 B F term (reference) 3K007 AB11 AB18 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 5C094 AA08 AA31 AA37 AA38 AA43 AA48 BA12 BA27 CA19 CA24 DA13 EA05 EB02 FA01 FA02 FB01 FB11 GB10 5G435 AA14 AA17 BB05 HH18 HH20 KK05 KK10

Claims (6)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 基板/第1電極/少なくとも発光層を含む有機層/第2電極からなる有機LED表示パネルを製造するに当り、基材フィルム上に少なくとも光−熱変換層を形成してベースフィルムを得、さらにその上に少なくとも1層の有機層からなる転写層を形成してドナーフィルムを得、基材フィルムが外側になるように、基板上または基板上に形成した所要の積層物上にドナーフィルムを貼り付け、次いで基材フィルム側から光を照射もしくは熱を放射し、転写層の一部もしくはすべてを残して、ドナーフィルムを剥離し、基板を真空乾燥または加熱乾燥することを特徴とする有機LED表示パネルの製造方法。 1. A substrate / first electrode / least an organic layer including a light emitting layer / per To manufacture the organic LED display panel of the second electrode, at least a light on a substrate film - base to form a thermal conversion layer give a film, further forming a transfer layer comprising at least one organic layer formed thereon to obtain a donor film, as the substrate film is on the outside, the required lamination Butsujo formed on the substrate or substrate characterized in that paste the donor film, and then emit radiation or heat with light from the substrate film side, leaving a portion of the transfer layer or all, peeling the donor film, vacuum drying or heat drying the substrate to method of manufacturing an organic LED display panel according to.
  2. 【請求項2】 真空乾燥が、真空度1×10 -2 Pa以下で行なわれる請求項1に記載の有機LED表示パネルの製造方法。 2. A vacuum drying method of an organic LED display panel according to claim 1 which is carried out in the following degree of vacuum 1 × 10 -2 Pa.
  3. 【請求項3】 加熱乾燥が、温度70〜250℃の範囲で行なわれる請求項1に記載の有機LED表示パネルの製造方法。 3. A heating drying, method of manufacturing an organic LED display panel according to claim 1 carried out at a temperature ranging from 70 to 250 ° C..
  4. 【請求項4】 加熱乾燥が、真空中または不活性ガス中で行なわれる請求項1または3に記載の有機LED表示パネルの製造方法。 4. A heating drying, method of manufacturing an organic LED display panel according to claim 1 or 3 is carried out in or in an inert gas vacuo.
  5. 【請求項5】 転写層が、有機層、第1電極/有機層、有機層/第2電極または第1電極/有機層/第2電極であり、かつ有機層が、有機発光層、正孔注入輸送層、電子注入輸送層、正孔注入輸送層/有機発光層、有機発光層/電子注入輸送層、正孔注入輸送層/有機発光層/電子注入輸送層または正孔注入輸送層/有機発光層/電荷ブロッキング層/電子注入輸送層である請求項1〜4のいずれか1つに記載の有機LE 5. A transfer layer, an organic layer, the first electrode / organic layer, an organic layer / second electrode or first electrode / organic layer / second electrode, and the organic layer, the organic light-emitting layer, a hole injecting and transporting layer, the electron injection transport layer, a hole injection transport layer / organic light emitting layer, the organic light-emitting layer / electron injection transport layer, a hole injection transport layer / organic emission layer / electron injection transport layer or a hole injection transport layer / organic organic LE according to any one of claims 1 to 4, a light emitting layer / charge blocking layer / electron injection transport layer
    D表示パネルの製造方法。 Method for producing a D display panel.
  6. 【請求項6】 請求項1〜5のいずれか1つに記載の有機LED表示パネルの製造方法により製造された有機L 6. manufactured by the manufacturing method of the organic LED display panel according to any one of claims 1 to 5 organic L
    ED表示パネル。 ED display panel.
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