JP2000321784A - 露光方法および露光装置 - Google Patents
露光方法および露光装置Info
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- JP2000321784A JP2000321784A JP11126592A JP12659299A JP2000321784A JP 2000321784 A JP2000321784 A JP 2000321784A JP 11126592 A JP11126592 A JP 11126592A JP 12659299 A JP12659299 A JP 12659299A JP 2000321784 A JP2000321784 A JP 2000321784A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 投影光学系を大型化することなくスループッ
トを向上させ、且つデバイスの切り替え時間を短縮す
る。 【解決手段】 投影光学系(16)の物体側視野よりも
大きいパターン領域を有するレチクル(13)を用い
る。そして、パターン領域に形成された第1パターン部
分領域を投影光学系に対して位置決めし、そのパターン
を感光性基板(17)上の第1単位露光領域に露光す
る。次いで、パターン領域に形成された第2パターン部
分領域を投影光学系に対して位置決めし、そのパターン
を第1単位露光領域と隣り合う第2単位露光領域に露光
する。
トを向上させ、且つデバイスの切り替え時間を短縮す
る。 【解決手段】 投影光学系(16)の物体側視野よりも
大きいパターン領域を有するレチクル(13)を用い
る。そして、パターン領域に形成された第1パターン部
分領域を投影光学系に対して位置決めし、そのパターン
を感光性基板(17)上の第1単位露光領域に露光す
る。次いで、パターン領域に形成された第2パターン部
分領域を投影光学系に対して位置決めし、そのパターン
を第1単位露光領域と隣り合う第2単位露光領域に露光
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は露光方法および露光
装置に関し、特に大型の液晶表示パネル等の製造に好適
な露光方法および露光装置に関する。
装置に関し、特に大型の液晶表示パネル等の製造に好適
な露光方法および露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子の製造のためのフォトリソ
グラフィ工程においては、フォトマスクあるいはレチク
ル(以下、「レチクル」という)に形成されたパターン
をフォトレジスト等の感光材が塗布されたガラスプレー
ト等の感光性基板上に転写し、現像処理を経て形成され
たレジストパターンをマスク(保護膜)としてフォトエ
ッチングを行う。レチクルのパターンは、例えばステッ
プ・アンド・リピート方式の露光装置を用いて、感光性
基板に高精度に露光される。この場合、露光が行われる
感光性基板は、レーザー干渉計等により高精度に計測さ
れ且つ制御された基板ステージ上に載置され、各露光領
域が所定の関係になるように基板ステージをステッピン
グ移動させることにより露光を繰り返す。
グラフィ工程においては、フォトマスクあるいはレチク
ル(以下、「レチクル」という)に形成されたパターン
をフォトレジスト等の感光材が塗布されたガラスプレー
ト等の感光性基板上に転写し、現像処理を経て形成され
たレジストパターンをマスク(保護膜)としてフォトエ
ッチングを行う。レチクルのパターンは、例えばステッ
プ・アンド・リピート方式の露光装置を用いて、感光性
基板に高精度に露光される。この場合、露光が行われる
感光性基板は、レーザー干渉計等により高精度に計測さ
れ且つ制御された基板ステージ上に載置され、各露光領
域が所定の関係になるように基板ステージをステッピン
グ移動させることにより露光を繰り返す。
【0003】すなわち、露光対象となる感光性基板の大
型化に対処するために、感光性基板の露光領域を複数の
単位露光領域に分割し、各単位露光領域に対する露光を
複数回に亘って繰り返し、最終的に所望の大面積を有す
るパターンを合成する手法、すなわち画面合成の手法が
用いられている。この種の露光装置では、12インチ超
のサイズの液晶表示パネルが通常6インチ角の大きさを
有するレチクルを用いて露光されるため、レチクルを高
速に交換するためのレチクルチェンジャが搭載されてい
る。つまり、レチクルを交換しつつ基板ステージをステ
ッピング移動させて画面合成を行いながら、1枚のデバ
イスを形成している。
型化に対処するために、感光性基板の露光領域を複数の
単位露光領域に分割し、各単位露光領域に対する露光を
複数回に亘って繰り返し、最終的に所望の大面積を有す
るパターンを合成する手法、すなわち画面合成の手法が
用いられている。この種の露光装置では、12インチ超
のサイズの液晶表示パネルが通常6インチ角の大きさを
有するレチクルを用いて露光されるため、レチクルを高
速に交換するためのレチクルチェンジャが搭載されてい
る。つまり、レチクルを交換しつつ基板ステージをステ
ッピング移動させて画面合成を行いながら、1枚のデバ
イスを形成している。
【0004】なお、セカンド露光以降の露光において
は、レチクルと感光性基板との位置合わせ(アライメン
ト)をし、感光性基板上に既に形成されているパターン
に次のレチクルパターンを重ね合わせて投影露光する。
このアライメント精度に対する要求は形成すべきパター
ンの微細化に伴ってますます厳しくなってきており、露
光装置にはパターンの最小線幅の数分の1乃至数十分の
1程度の位置合わせ精度(アライメント精度)を有する
アライメント系が備えられている。
は、レチクルと感光性基板との位置合わせ(アライメン
ト)をし、感光性基板上に既に形成されているパターン
に次のレチクルパターンを重ね合わせて投影露光する。
このアライメント精度に対する要求は形成すべきパター
ンの微細化に伴ってますます厳しくなってきており、露
光装置にはパターンの最小線幅の数分の1乃至数十分の
1程度の位置合わせ精度(アライメント精度)を有する
アライメント系が備えられている。
【0005】また一方では、感光性基板自体の大型化が
進んでおり、1枚の基板で液晶表示パネルを多面取りす
ることにより生産性を向上させ、高スループットで露光
を行うことが要求されている。この種の露光装置では、
基板に対する露光回数を減らすために大きな像側視野を
有する投影光学系を搭載することにより、高スループッ
トの実現を図っている。さらに近年では、デバイスパタ
ーンの少量多品種化に対する要求も多くなってきている
ため、各種のデバイスの切り替え操作のための時間を短
縮しなければならない。
進んでおり、1枚の基板で液晶表示パネルを多面取りす
ることにより生産性を向上させ、高スループットで露光
を行うことが要求されている。この種の露光装置では、
基板に対する露光回数を減らすために大きな像側視野を
有する投影光学系を搭載することにより、高スループッ
トの実現を図っている。さらに近年では、デバイスパタ
ーンの少量多品種化に対する要求も多くなってきている
ため、各種のデバイスの切り替え操作のための時間を短
縮しなければならない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術において、スループットを向上させるには、レ
チクルを高速に交換することが必然的に要求される。ま
た、デバイスパターンが大型化した場合、高いスループ
ットを確保するには、投影光学系の物体側視野および像
側視野を拡大しなければならない。その結果、投影光学
系のレンズ径が大きくなったり、収差設計上の観点によ
りレンズ長が大きくなったりするため、設備コストを含
めた大幅なコストアップおよび長期に亘る開発期間が必
要となってしまう。換言すると、従来技術では、スルー
プットを向上させることが困難であるという不都合があ
った。
従来技術において、スループットを向上させるには、レ
チクルを高速に交換することが必然的に要求される。ま
た、デバイスパターンが大型化した場合、高いスループ
ットを確保するには、投影光学系の物体側視野および像
側視野を拡大しなければならない。その結果、投影光学
系のレンズ径が大きくなったり、収差設計上の観点によ
りレンズ長が大きくなったりするため、設備コストを含
めた大幅なコストアップおよび長期に亘る開発期間が必
要となってしまう。換言すると、従来技術では、スルー
プットを向上させることが困難であるという不都合があ
った。
【0007】また、露光するデバイスを切り替える際に
は、現行のデバイス用の複数枚のレチクルを次のデバイ
ス用の複数枚のレチクルとすべて交換しなければならな
い。その結果、従来技術では、デバイスの切り替え時間
が大幅にかかってしまうという不都合があった。
は、現行のデバイス用の複数枚のレチクルを次のデバイ
ス用の複数枚のレチクルとすべて交換しなければならな
い。その結果、従来技術では、デバイスの切り替え時間
が大幅にかかってしまうという不都合があった。
【0008】さらに、液晶表示パネルの高精細化等の要
求に対応して、レチクルに要求されるパターン精度もま
すます厳しくなり、レチクル自体の製造コストも高くな
る傾向がある。また、1つのレチクル内では製造誤差な
どによる線幅精度のばらつきが少ないが、2つのレチク
ル間では線幅精度のばらつきが比較的大きく発生する場
合がある。従来技術では、上述したように、1つのデバ
イスパターンの露光に際して複数枚のレチクルを用いる
ので、複数のレチクル間で線幅の平均値すなわち中心値
にオフセットが発生していると、結果として製造される
デバイスの不良原因になりかねないという不都合があっ
た。
求に対応して、レチクルに要求されるパターン精度もま
すます厳しくなり、レチクル自体の製造コストも高くな
る傾向がある。また、1つのレチクル内では製造誤差な
どによる線幅精度のばらつきが少ないが、2つのレチク
ル間では線幅精度のばらつきが比較的大きく発生する場
合がある。従来技術では、上述したように、1つのデバ
イスパターンの露光に際して複数枚のレチクルを用いる
ので、複数のレチクル間で線幅の平均値すなわち中心値
にオフセットが発生していると、結果として製造される
デバイスの不良原因になりかねないという不都合があっ
た。
【0009】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、レチクルの交換速度を増大させたり投影光学
系を大型化することなくスループットを向上させること
ができ、且つデバイスの切り替え時間を短縮することの
できる露光方法および露光装置を提供することを目的と
する。また、レチクルコストを含めたランニングコスト
を低減することができ、且つレチクル間の線幅精度のば
らつきに起因する画面合成精度の低下を良好に回避する
ことのできる露光方法および露光装置を提供することを
目的とする。
のであり、レチクルの交換速度を増大させたり投影光学
系を大型化することなくスループットを向上させること
ができ、且つデバイスの切り替え時間を短縮することの
できる露光方法および露光装置を提供することを目的と
する。また、レチクルコストを含めたランニングコスト
を低減することができ、且つレチクル間の線幅精度のば
らつきに起因する画面合成精度の低下を良好に回避する
ことのできる露光方法および露光装置を提供することを
目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の第1発明では、所望の合成パターンを得る
ために、投影光学系を用いて感光性基板に互いに隣り合
う複数の単位露光領域を形成する露光方法において、前
記投影光学系の物体側視野よりも大きいパターン領域を
有するレチクルを前記投影光学系の物体面に設定するレ
チクル設定工程と、前記投影光学系の物体面に設定され
た前記レチクルの前記パターン領域の一部を構成する第
1パターン部分領域を前記投影光学系に対して位置決め
する第1位置決め工程と、前記第1位置決め工程後にお
いて、前記第1パターン部分領域に形成されたパターン
を前記複数の単位露光領域のうちの第1単位露光領域に
露光する第1露光工程と、前記パターン領域の一部を構
成するパターン部分領域であって前記第1パターン部分
領域とは異なる第2パターン部分領域を前記投影光学系
に対して位置決めするために前記投影光学系に対して前
記レチクルを相対的に移動させる第2位置決め工程と、
前記第2位置決め工程後において、前記第2パターン部
分領域に形成されたパターンを前記複数の単位露光領域
のうちの前記第1単位露光領域と隣り合う第2単位露光
領域に露光する第2露光工程とを含むことを特徴とする
露光方法を提供する。
に、本発明の第1発明では、所望の合成パターンを得る
ために、投影光学系を用いて感光性基板に互いに隣り合
う複数の単位露光領域を形成する露光方法において、前
記投影光学系の物体側視野よりも大きいパターン領域を
有するレチクルを前記投影光学系の物体面に設定するレ
チクル設定工程と、前記投影光学系の物体面に設定され
た前記レチクルの前記パターン領域の一部を構成する第
1パターン部分領域を前記投影光学系に対して位置決め
する第1位置決め工程と、前記第1位置決め工程後にお
いて、前記第1パターン部分領域に形成されたパターン
を前記複数の単位露光領域のうちの第1単位露光領域に
露光する第1露光工程と、前記パターン領域の一部を構
成するパターン部分領域であって前記第1パターン部分
領域とは異なる第2パターン部分領域を前記投影光学系
に対して位置決めするために前記投影光学系に対して前
記レチクルを相対的に移動させる第2位置決め工程と、
前記第2位置決め工程後において、前記第2パターン部
分領域に形成されたパターンを前記複数の単位露光領域
のうちの前記第1単位露光領域と隣り合う第2単位露光
領域に露光する第2露光工程とを含むことを特徴とする
露光方法を提供する。
【0011】第1発明の第1態様によれば、前記レチク
ルの前記パターン領域において、前記第1パターン部分
領域と前記第2パターン部分領域とは互いに一部重複し
ていることが好ましい。また、第1発明の第2態様によ
れば、第1発明およびその第1態様において、前記感光
性基板上において、前記第1単位露光領域と前記第2単
位露光領域とは互いに一部重複し、前記第1露光工程お
よび前記第2露光工程は、前記第1単位露光領域と前記
第2単位露光領域との間で重複した重複露光領域での露
光量と該重複露光領域以外の非重複露光領域での露光量
とをほぼ等しくするために、各単位露光領域への露光に
際して前記重複露光領域への露光量分布を調整する工程
を有することが好ましい。
ルの前記パターン領域において、前記第1パターン部分
領域と前記第2パターン部分領域とは互いに一部重複し
ていることが好ましい。また、第1発明の第2態様によ
れば、第1発明およびその第1態様において、前記感光
性基板上において、前記第1単位露光領域と前記第2単
位露光領域とは互いに一部重複し、前記第1露光工程お
よび前記第2露光工程は、前記第1単位露光領域と前記
第2単位露光領域との間で重複した重複露光領域での露
光量と該重複露光領域以外の非重複露光領域での露光量
とをほぼ等しくするために、各単位露光領域への露光に
際して前記重複露光領域への露光量分布を調整する工程
を有することが好ましい。
【0012】さらに、第1発明の第3態様によれば、第
1発明並びにその第1態様および第2態様において、前
記第1露光工程および前記第2露光工程は、前記第1単
位露光領域および前記第2単位露光領域に対して前記第
1パターン部分領域に形成されたパターンおよび前記第
2パターン部分領域に形成されたパターンをそれぞれ走
査露光するために、前記投影光学系に対して前記レチク
ルと前記感光性基板とを所定の走査方向に沿って相対的
に移動させる走査工程を有することが好ましい。あるい
は、前記第1露光工程および前記第2露光工程は、前記
第1単位露光領域および前記第2単位露光領域に対して
前記第1パターン部分領域に形成されたパターンおよび
前記第2パターン部分領域に形成されたパターンをそれ
ぞれ一括的に静止露光する工程を有することが好まし
い。さらに、第1発明において、前記レチクルは一辺が
約9インチの正方形状に形成され、前記投影光学系は、
一辺が約6インチのレチクルのパターン領域全体を包含
するように規定された物体側視野を有することが好まし
い。
1発明並びにその第1態様および第2態様において、前
記第1露光工程および前記第2露光工程は、前記第1単
位露光領域および前記第2単位露光領域に対して前記第
1パターン部分領域に形成されたパターンおよび前記第
2パターン部分領域に形成されたパターンをそれぞれ走
査露光するために、前記投影光学系に対して前記レチク
ルと前記感光性基板とを所定の走査方向に沿って相対的
に移動させる走査工程を有することが好ましい。あるい
は、前記第1露光工程および前記第2露光工程は、前記
第1単位露光領域および前記第2単位露光領域に対して
前記第1パターン部分領域に形成されたパターンおよび
前記第2パターン部分領域に形成されたパターンをそれ
ぞれ一括的に静止露光する工程を有することが好まし
い。さらに、第1発明において、前記レチクルは一辺が
約9インチの正方形状に形成され、前記投影光学系は、
一辺が約6インチのレチクルのパターン領域全体を包含
するように規定された物体側視野を有することが好まし
い。
【0013】また、本発明の第2発明では、感光性基板
に単位露光領域を形成するための投影光学系を備え、所
望の合成パターンを得るために、前記感光性基板に互い
に隣り合う複数の単位露光領域を形成する露光装置にお
いて、前記投影光学系の物体側視野よりも大きいパター
ン領域を有するレチクルを保持して移動するレチクルス
テージと、前記レチクルステージの移動を制御するステ
ージ制御系とを備え、前記ステージ制御系は、前記パタ
ーン領域の一部を構成する第1パターン部分領域に形成
されたパターンを前記複数の単位露光領域のうちの第1
単位露光領域に露光するために前記レチクルの前記第1
パターン部分領域を前記投影光学系に対して位置決め
し、前記パターン領域の一部を構成するパターン部分領
域であって前記第1パターン部分領域とは異なる第2パ
ターン部分領域に形成されたパターンを前記複数の単位
露光領域のうちの前記第1単位露光領域と隣り合う第2
単位露光領域に露光するために前記レチクルを移動させ
て前記レチクルの前記第2パターン部分領域を前記投影
光学系に対して位置決めすることを特徴とする露光装置
を提供する。なお、以上の第1発明および第2発明で
は、前記複数の単位露光領域の合成によって前記感光性
基板に形成されるデバイスパターンの大きさ(サイズま
たは面積等)よりも前記レチクルの大きさ(サイズまた
は面積等)が小さいことが好ましい。
に単位露光領域を形成するための投影光学系を備え、所
望の合成パターンを得るために、前記感光性基板に互い
に隣り合う複数の単位露光領域を形成する露光装置にお
いて、前記投影光学系の物体側視野よりも大きいパター
ン領域を有するレチクルを保持して移動するレチクルス
テージと、前記レチクルステージの移動を制御するステ
ージ制御系とを備え、前記ステージ制御系は、前記パタ
ーン領域の一部を構成する第1パターン部分領域に形成
されたパターンを前記複数の単位露光領域のうちの第1
単位露光領域に露光するために前記レチクルの前記第1
パターン部分領域を前記投影光学系に対して位置決め
し、前記パターン領域の一部を構成するパターン部分領
域であって前記第1パターン部分領域とは異なる第2パ
ターン部分領域に形成されたパターンを前記複数の単位
露光領域のうちの前記第1単位露光領域と隣り合う第2
単位露光領域に露光するために前記レチクルを移動させ
て前記レチクルの前記第2パターン部分領域を前記投影
光学系に対して位置決めすることを特徴とする露光装置
を提供する。なお、以上の第1発明および第2発明で
は、前記複数の単位露光領域の合成によって前記感光性
基板に形成されるデバイスパターンの大きさ(サイズま
たは面積等)よりも前記レチクルの大きさ(サイズまた
は面積等)が小さいことが好ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明では、投影光学系の物体側
視野よりも大きいパターン領域を有するレチクルを用い
て、画面合成によりデバイスパターンを形成する。この
ため、レチクルのパターン領域に複数のパターン部分領
域を形成している。ここで、各パターン部分領域の大き
さは、投影光学系の物体側視野によって包含され得る大
きさである。こうして、感光性基板上において隣り合う
複数の単位露光領域の各々に対して各パターン部分領域
のパターンを順次露光することによって、1つのデバイ
スの合成パターンを形成する。
視野よりも大きいパターン領域を有するレチクルを用い
て、画面合成によりデバイスパターンを形成する。この
ため、レチクルのパターン領域に複数のパターン部分領
域を形成している。ここで、各パターン部分領域の大き
さは、投影光学系の物体側視野によって包含され得る大
きさである。こうして、感光性基板上において隣り合う
複数の単位露光領域の各々に対して各パターン部分領域
のパターンを順次露光することによって、1つのデバイ
スの合成パターンを形成する。
【0015】従来技術では、投影光学系の物体側視野に
よって包含され得る大きさのパターン領域を有するレチ
クルを用い、このパターン領域に形成されたパターン全
体を各単位露光領域に露光している。したがって、N個
の単位露光領域への露光によって1つのデバイスパター
ンを画面合成する場合、N個のレチクルを順次交換しな
がら使用する必要があった。換言すると、従来技術にお
いて、レチクル数およびその交換回数を低減して高いス
ループットを実現するには、投影光学系を大型化する必
要があった。また、投影光学系を大型化することなく高
いスループットを実現するには、レチクルの交換速度を
増大させる必要があった。
よって包含され得る大きさのパターン領域を有するレチ
クルを用い、このパターン領域に形成されたパターン全
体を各単位露光領域に露光している。したがって、N個
の単位露光領域への露光によって1つのデバイスパター
ンを画面合成する場合、N個のレチクルを順次交換しな
がら使用する必要があった。換言すると、従来技術にお
いて、レチクル数およびその交換回数を低減して高いス
ループットを実現するには、投影光学系を大型化する必
要があった。また、投影光学系を大型化することなく高
いスループットを実現するには、レチクルの交換速度を
増大させる必要があった。
【0016】これに対し、本発明では、投影光学系の物
体側視野によって包含され得る大きさのパターン部分領
域が複数形成されたパターン領域を有するレチクルを用
いている。したがって、従来技術と同じ物体側視野を有
する投影光学系を介して従来技術と同じ数の単位露光領
域への露光によってデバイスパターンを形成する場合、
従来技術よりも本発明の方が1つのデバイスへの露光に
必要なレチクルの数を、ひいてはレチクルの交換回数を
少なくすることができる。たとえば、後述する各実施例
を参照すると、4つのパターン部分領域が形成されたパ
ターン領域を有する1枚のレチクルを用いて、レチクル
交換を全く行うことなく、感光性基板上において隣り合
う4つの単位露光領域へ順次露光することにより、1つ
のデバイスパターンを画面継ぎ露光により形成すること
も可能になる。
体側視野によって包含され得る大きさのパターン部分領
域が複数形成されたパターン領域を有するレチクルを用
いている。したがって、従来技術と同じ物体側視野を有
する投影光学系を介して従来技術と同じ数の単位露光領
域への露光によってデバイスパターンを形成する場合、
従来技術よりも本発明の方が1つのデバイスへの露光に
必要なレチクルの数を、ひいてはレチクルの交換回数を
少なくすることができる。たとえば、後述する各実施例
を参照すると、4つのパターン部分領域が形成されたパ
ターン領域を有する1枚のレチクルを用いて、レチクル
交換を全く行うことなく、感光性基板上において隣り合
う4つの単位露光領域へ順次露光することにより、1つ
のデバイスパターンを画面継ぎ露光により形成すること
も可能になる。
【0017】以上のように、本発明では、投影光学系を
大型化することなく、1つのデバイスパターンを画面継
ぎ露光により形成するのに必要なレチクルの枚数を大幅
に低減することができる。すなわち、本発明では、レチ
クルの交換速度を増大させたり、投影光学系を大型化す
ることなく、スループットを向上させることができる。
さらに、従来技術と比較して、1つのデバイスパターン
の画面継ぎ露光に際して必要なレチクルの枚数を大幅に
低減することができるので、デバイスの切り替え時間を
大幅に短縮することができる。
大型化することなく、1つのデバイスパターンを画面継
ぎ露光により形成するのに必要なレチクルの枚数を大幅
に低減することができる。すなわち、本発明では、レチ
クルの交換速度を増大させたり、投影光学系を大型化す
ることなく、スループットを向上させることができる。
さらに、従来技術と比較して、1つのデバイスパターン
の画面継ぎ露光に際して必要なレチクルの枚数を大幅に
低減することができるので、デバイスの切り替え時間を
大幅に短縮することができる。
【0018】加えて、本発明では、1つのデバイスパタ
ーンの画面継ぎ露光に際して必要なレチクルの枚数を大
幅に低減することができるので、1つのデバイスパター
ンに要するレチクルコストを低減し、ひいては露光装置
のランニングコストを低減することができる。また、本
発明では、1つのデバイスパターンの画面継ぎ露光に際
して必要なレチクルの枚数を大幅に低減することができ
るので、レチクル間の線幅精度のばらつきに起因する画
面合成精度の低下を良好に回避することができ、高精度
なデバイスを製造することが可能となる。
ーンの画面継ぎ露光に際して必要なレチクルの枚数を大
幅に低減することができるので、1つのデバイスパター
ンに要するレチクルコストを低減し、ひいては露光装置
のランニングコストを低減することができる。また、本
発明では、1つのデバイスパターンの画面継ぎ露光に際
して必要なレチクルの枚数を大幅に低減することができ
るので、レチクル間の線幅精度のばらつきに起因する画
面合成精度の低下を良好に回避することができ、高精度
なデバイスを製造することが可能となる。
【0019】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説
明する。図1は、本発明の第1実施例にかかる露光装置
の構成を概略的に示す図である。また、図2は、第1実
施例にかかる露光装置の構成を立体的に示す斜視図であ
る。第1実施例では、大型の液晶表示素子の製造に用い
られるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置
に本発明を適用している。図1および図2では、投影光
学系16の光軸AXに平行にZ軸が、Z軸に垂直な面内
において図1の紙面に平行にX軸が、図1の紙面に垂直
にY軸がそれぞれ設定されている。なお、図1において
図示を省略した構成要素を図2に示し、図2において図
示を省略した構成要素を図1に示している。
明する。図1は、本発明の第1実施例にかかる露光装置
の構成を概略的に示す図である。また、図2は、第1実
施例にかかる露光装置の構成を立体的に示す斜視図であ
る。第1実施例では、大型の液晶表示素子の製造に用い
られるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置
に本発明を適用している。図1および図2では、投影光
学系16の光軸AXに平行にZ軸が、Z軸に垂直な面内
において図1の紙面に平行にX軸が、図1の紙面に垂直
にY軸がそれぞれ設定されている。なお、図1において
図示を省略した構成要素を図2に示し、図2において図
示を省略した構成要素を図1に示している。
【0020】図1および図2に示す投影露光装置は、た
とえば超高圧水銀ランプからなる光源1を備えている。
光源1は、回転楕円面からなる反射面を有する楕円鏡2
の第1焦点位置に位置決めされている。したがって、光
源1から射出された照明光束は、ミラー3を介して、楕
円鏡2の第2焦点位置P1に光源像を形成する。なお、
楕円鏡2の第2焦点位置P1の近傍にはシャッター4が
設けられ、このシャッター4は露光状態と非露光状態と
の間で切換えを行う。
とえば超高圧水銀ランプからなる光源1を備えている。
光源1は、回転楕円面からなる反射面を有する楕円鏡2
の第1焦点位置に位置決めされている。したがって、光
源1から射出された照明光束は、ミラー3を介して、楕
円鏡2の第2焦点位置P1に光源像を形成する。なお、
楕円鏡2の第2焦点位置P1の近傍にはシャッター4が
設けられ、このシャッター4は露光状態と非露光状態と
の間で切換えを行う。
【0021】楕円鏡2の第2焦点位置P1に形成された
光源像からの光束は、コレクターレンズ5によりほぼ平
行な光束に変換された後、所望の波長域の光束のみを透
過させる波長選択フィルター6に入射する。波長選択フ
ィルター6を介して選択された露光波長の光は、フライ
アイインテグレータ7に入射する。フライアイインテグ
レータ7は、たとえば矩形状の断面を有する多数の正レ
ンズエレメントをその中心軸線が光軸AXに沿って延び
るように縦横に配列することによって構成されている。
光源像からの光束は、コレクターレンズ5によりほぼ平
行な光束に変換された後、所望の波長域の光束のみを透
過させる波長選択フィルター6に入射する。波長選択フ
ィルター6を介して選択された露光波長の光は、フライ
アイインテグレータ7に入射する。フライアイインテグ
レータ7は、たとえば矩形状の断面を有する多数の正レ
ンズエレメントをその中心軸線が光軸AXに沿って延び
るように縦横に配列することによって構成されている。
【0022】したがって、フライアイインテグレータ7
に入射した光束は、多数のレンズエレメントにより二次
元的に分割され、フライアイインテグレータ7の後側焦
点面(すなわち射出面の近傍)にレンズエレメントの数
と同数の光源像を形成する。すなわち、フライアイイン
テグレータ7の後側焦点面には、二次光源として実質的
な面光源が形成される。フライアイインテグレータ7の
後側焦点面に形成された二次光源からの光束は、その後
側焦点面の近傍に配置された開口絞り8により制限され
た後、リレーレンズ9を介して集光され、レチクルブラ
インド10に入射する。
に入射した光束は、多数のレンズエレメントにより二次
元的に分割され、フライアイインテグレータ7の後側焦
点面(すなわち射出面の近傍)にレンズエレメントの数
と同数の光源像を形成する。すなわち、フライアイイン
テグレータ7の後側焦点面には、二次光源として実質的
な面光源が形成される。フライアイインテグレータ7の
後側焦点面に形成された二次光源からの光束は、その後
側焦点面の近傍に配置された開口絞り8により制限され
た後、リレーレンズ9を介して集光され、レチクルブラ
インド10に入射する。
【0023】開口絞り8は、後述する投影光学系16の
入射瞳面と光学的にほぼ共役な位置に配置され、照明に
寄与する二次光源の範囲を規定するための可変開口部を
有する。開口絞り8は、この可変開口部の開口径を変化
させることにより、照明条件を決定するσ値(投影光学
系の瞳面の開口径に対するその瞳面上での光源像の口径
の比)を所望の値に設定する。また、レチクルブライン
ド10は、後述するレチクル13のパターン面と光学的
に共役な面の近傍に配置され、通過光束を制限すること
によりレチクル13上での照明領域の形状および大きさ
を適宜変更する機能を有する。
入射瞳面と光学的にほぼ共役な位置に配置され、照明に
寄与する二次光源の範囲を規定するための可変開口部を
有する。開口絞り8は、この可変開口部の開口径を変化
させることにより、照明条件を決定するσ値(投影光学
系の瞳面の開口径に対するその瞳面上での光源像の口径
の比)を所望の値に設定する。また、レチクルブライン
ド10は、後述するレチクル13のパターン面と光学的
に共役な面の近傍に配置され、通過光束を制限すること
によりレチクル13上での照明領域の形状および大きさ
を適宜変更する機能を有する。
【0024】レチクルブラインド10を介した光束は、
ブラインドリレー系11およびその光路中に配置された
折り曲げミラー12を介して、転写すべきパターンが形
成されたレチクル13を重畳的に照明する。レチクル1
3は、レチクルホルダ(不図示)を介して、レチクルス
テージ14上においてXY平面に平行に保持されてい
る。レチクルステージ14は、図示を省略した駆動系の
作用によりレチクル面(すなわちXY平面)に沿って二
次元的に移動可能であり、その位置座標はレチクル移動
鏡を用いたレチクル干渉計15によって計測され、且つ
ステージ制御系23によって位置制御されるように構成
されている。
ブラインドリレー系11およびその光路中に配置された
折り曲げミラー12を介して、転写すべきパターンが形
成されたレチクル13を重畳的に照明する。レチクル1
3は、レチクルホルダ(不図示)を介して、レチクルス
テージ14上においてXY平面に平行に保持されてい
る。レチクルステージ14は、図示を省略した駆動系の
作用によりレチクル面(すなわちXY平面)に沿って二
次元的に移動可能であり、その位置座標はレチクル移動
鏡を用いたレチクル干渉計15によって計測され、且つ
ステージ制御系23によって位置制御されるように構成
されている。
【0025】レチクル13を透過した光束は、投影光学
系16を介して、感光性基板であるプレート17に達す
る。こうして、プレート17上には、レチクル13のパ
ターン像が形成される。ここで、上述したようにフライ
アイインテグレータ7の後側焦点面近傍の開口絞り8と
投影光学系16の入射瞳面とがほぼ共役に配置されてい
るので、投影光学系16の入射瞳面上に二次光源の像が
形成され、レチクル13およびプレート17がいわゆる
ケーラー照明されることになる。
系16を介して、感光性基板であるプレート17に達す
る。こうして、プレート17上には、レチクル13のパ
ターン像が形成される。ここで、上述したようにフライ
アイインテグレータ7の後側焦点面近傍の開口絞り8と
投影光学系16の入射瞳面とがほぼ共役に配置されてい
るので、投影光学系16の入射瞳面上に二次光源の像が
形成され、レチクル13およびプレート17がいわゆる
ケーラー照明されることになる。
【0026】プレート17は、プレートホルダ(不図
示)を介して、プレートステージ18上においてXY平
面に平行に保持されている。プレートステージ18は、
図示を省略した駆動系の作用によりプレート面(すなわ
ちXY平面)に沿って二次元的に移動可能であり、その
位置座標はプレート移動鏡を用いたプレート干渉計19
によって計測され、且つステージ制御系23によって位
置制御されるように構成されている。
示)を介して、プレートステージ18上においてXY平
面に平行に保持されている。プレートステージ18は、
図示を省略した駆動系の作用によりプレート面(すなわ
ちXY平面)に沿って二次元的に移動可能であり、その
位置座標はプレート移動鏡を用いたプレート干渉計19
によって計測され、且つステージ制御系23によって位
置制御されるように構成されている。
【0027】図3は、第1実施例においてレチクルステ
ージ上に載置されたレチクルと投影光学系の物体側視野
との関係を示す図である。図3に示すように、レチクル
13の中央には転写用のパターンが描かれた矩形状のパ
ターン領域(図中破線で包囲された矩形状のレチクル描
画エリア)PAが形成され、その周囲には遮光領域SA
が形成されている。遮光領域SAには、露光光の透過を
ほぼ100%遮るように、たとえばクロム膜が蒸着され
ている。また、レチクル13の遮光領域SAにおいてY
方向に沿って一対のレチクルアライメントマークRM1
およびRM2が形成されている。
ージ上に載置されたレチクルと投影光学系の物体側視野
との関係を示す図である。図3に示すように、レチクル
13の中央には転写用のパターンが描かれた矩形状のパ
ターン領域(図中破線で包囲された矩形状のレチクル描
画エリア)PAが形成され、その周囲には遮光領域SA
が形成されている。遮光領域SAには、露光光の透過を
ほぼ100%遮るように、たとえばクロム膜が蒸着され
ている。また、レチクル13の遮光領域SAにおいてY
方向に沿って一対のレチクルアライメントマークRM1
およびRM2が形成されている。
【0028】なお、レチクル13の中央において投影光
学系16の光軸AXを中心として示す円形は、投影光学
系16の物体側視野OFを表している。このように、第
1実施例では、レチクル13が投影光学系16の物体側
視野OFよりも大きなパターン領域PAを有している。
さらに、具体的には、投影光学系16の物体側視野OF
が6インチ角の従来のレチクルのパターン領域をカバー
(包含)するように規定されているのに対し、第1実施
例のレチクル13はたとえば9インチ角のサイズを有す
る。
学系16の光軸AXを中心として示す円形は、投影光学
系16の物体側視野OFを表している。このように、第
1実施例では、レチクル13が投影光学系16の物体側
視野OFよりも大きなパターン領域PAを有している。
さらに、具体的には、投影光学系16の物体側視野OF
が6インチ角の従来のレチクルのパターン領域をカバー
(包含)するように規定されているのに対し、第1実施
例のレチクル13はたとえば9インチ角のサイズを有す
る。
【0029】以下、第1実施例におけるアライメント動
作および露光の基本動作について説明する。まず、プレ
ート17への露光の開始に先立って、レチクルステージ
14の上方にレチクル13が搬入され、レチクルホルダ
上に載置される。レチクルステージ14の上方には、Y
方向に沿って一対のレチクルアライメント系20aおよ
び20bが配置されている。なお、図3に示すように、
レチクル13上においてレチクルアライメント系20a
の光軸AX1およびレチクルアライメント系20bの光
軸AX2が投影光学系16の物体側視野OFの範囲内に
おいてY方向に沿った両端部に位置するように、一対の
レチクルアライメント系20aおよび20bが位置決め
されている。
作および露光の基本動作について説明する。まず、プレ
ート17への露光の開始に先立って、レチクルステージ
14の上方にレチクル13が搬入され、レチクルホルダ
上に載置される。レチクルステージ14の上方には、Y
方向に沿って一対のレチクルアライメント系20aおよ
び20bが配置されている。なお、図3に示すように、
レチクル13上においてレチクルアライメント系20a
の光軸AX1およびレチクルアライメント系20bの光
軸AX2が投影光学系16の物体側視野OFの範囲内に
おいてY方向に沿った両端部に位置するように、一対の
レチクルアライメント系20aおよび20bが位置決め
されている。
【0030】各レチクルアライメント系20は、非露光
光でマークを照明するための落射照明系と、マークの像
を形成するための顕微鏡と、マークの像を光電検出する
ためのCCDとから構成され、画像処理によりマークの
位置を計測する。アライメント動作では、レチクルステ
ージ14を駆動することにより第1のレチクルアライメ
ント系20aの検出視野(光軸AX1の位置)へ第1の
レチクルアライメントマークRM1を移動させるととも
に、プレートステージ18を駆動することにより第1の
レチクルアライメントマークRM1の位置に対応する位
置へ基準マークSMを移動させる。
光でマークを照明するための落射照明系と、マークの像
を形成するための顕微鏡と、マークの像を光電検出する
ためのCCDとから構成され、画像処理によりマークの
位置を計測する。アライメント動作では、レチクルステ
ージ14を駆動することにより第1のレチクルアライメ
ント系20aの検出視野(光軸AX1の位置)へ第1の
レチクルアライメントマークRM1を移動させるととも
に、プレートステージ18を駆動することにより第1の
レチクルアライメントマークRM1の位置に対応する位
置へ基準マークSMを移動させる。
【0031】こうして、第1のレチクルアライメント系
20aにより、第1のレチクルアライメントマークRM
1を観察するとともに、プレートステージ18上に形成
された基準マークSMを投影光学系16を介して観察す
る。すなわち、第1のレチクルアライメント系20aに
より、第1のレチクルアライメントマークRM1と基準
マークSMとを同時観察し、画像処埋により第1のレチ
クルアライメントマークRM1と基準マークSMとの相
対位置計測を行う。そして、このときのレチクル干渉計
15の位置情報とプレート干渉計19の位置情報とを用
いることにより、基準マークSMに対する第1のレチク
ルアライメントマークRM1の相対位置が正確に計測さ
れる。
20aにより、第1のレチクルアライメントマークRM
1を観察するとともに、プレートステージ18上に形成
された基準マークSMを投影光学系16を介して観察す
る。すなわち、第1のレチクルアライメント系20aに
より、第1のレチクルアライメントマークRM1と基準
マークSMとを同時観察し、画像処埋により第1のレチ
クルアライメントマークRM1と基準マークSMとの相
対位置計測を行う。そして、このときのレチクル干渉計
15の位置情報とプレート干渉計19の位置情報とを用
いることにより、基準マークSMに対する第1のレチク
ルアライメントマークRM1の相対位置が正確に計測さ
れる。
【0032】次に、レチクルステージ14を駆動するこ
とにより第2のレチクルアライメント系20bの光軸A
X2の位置へ第2のレチクルアライメントマークRM2
を移動させるとともに、プレートステージ18を駆動す
ることにより第2のレチクルアライメントマークRM2
の位置に対応する位置へ基準マークSMを移動させる。
こうして、第2のレチクルアライメント系20bによ
り、第2のレチクルアライメントマークRM2と基準マ
ークSMとを同時観察する。その結果、基準マークSM
に対する第2のレチクルアライメントマークRM2の相
対位置が正確に計測される。以上により、基準マークS
Mを用いて、レチクル13の載置された状態や位置を計
測することができる。
とにより第2のレチクルアライメント系20bの光軸A
X2の位置へ第2のレチクルアライメントマークRM2
を移動させるとともに、プレートステージ18を駆動す
ることにより第2のレチクルアライメントマークRM2
の位置に対応する位置へ基準マークSMを移動させる。
こうして、第2のレチクルアライメント系20bによ
り、第2のレチクルアライメントマークRM2と基準マ
ークSMとを同時観察する。その結果、基準マークSM
に対する第2のレチクルアライメントマークRM2の相
対位置が正確に計測される。以上により、基準マークS
Mを用いて、レチクル13の載置された状態や位置を計
測することができる。
【0033】一方、プレートステージ18の上方には、
たとえば複数(たとえば3つ)のプレートアライメント
系21が配置されている。プレートアライメント系21
もレチクルアライメント系20と同様に、非露光光でマ
ークを照明するための落射照明系と、マークの像を形成
するための顕微鏡と、マーク像を光電検出するためのC
CDとから構成され、画像処理によりプレート17に形
成されたプレートアライメントマーク(不図示)の位置
を計測する。このプレートアライメント系21で基準マ
ークSMを観察し、このときのプレート干渉計19の位
置情報を用いることにより、基準マークSMに対するプ
レートアライメント系21の相対位置が正確に計測され
る。
たとえば複数(たとえば3つ)のプレートアライメント
系21が配置されている。プレートアライメント系21
もレチクルアライメント系20と同様に、非露光光でマ
ークを照明するための落射照明系と、マークの像を形成
するための顕微鏡と、マーク像を光電検出するためのC
CDとから構成され、画像処理によりプレート17に形
成されたプレートアライメントマーク(不図示)の位置
を計測する。このプレートアライメント系21で基準マ
ークSMを観察し、このときのプレート干渉計19の位
置情報を用いることにより、基準マークSMに対するプ
レートアライメント系21の相対位置が正確に計測され
る。
【0034】こうして、基準マークSMを介してレチク
ル13とプレートアライメント系21との相対位置が計
測され、いわゆるベースラインが求まったことになる。
なお、上述の説明では、基準マークSMに対する一対の
レチクルアライメントマークRM1およびRM2の相対
位置を計測した後に、基準マークSMに対するプレート
アライメント系21の相対位置を計測している。しかし
ながら、ベースラインを求めるのに際して、基準マーク
SMに対するプレートアライメント系21の相対位置を
計測した後に、基準マークSMに対する一対のレチクル
アライメントマークRM1およびRM2の相対位置を計
測することもできる。
ル13とプレートアライメント系21との相対位置が計
測され、いわゆるベースラインが求まったことになる。
なお、上述の説明では、基準マークSMに対する一対の
レチクルアライメントマークRM1およびRM2の相対
位置を計測した後に、基準マークSMに対するプレート
アライメント系21の相対位置を計測している。しかし
ながら、ベースラインを求めるのに際して、基準マーク
SMに対するプレートアライメント系21の相対位置を
計測した後に、基準マークSMに対する一対のレチクル
アライメントマークRM1およびRM2の相対位置を計
測することもできる。
【0035】続いて、プレートステージ18の上方にプ
レート17が搬入され、プレートホルダ上に載置され
る。なお、ファースト露光の場合には、プレートアライ
メントの動作は必要としないので、後述するようにステ
ップ・アンド・リピート方式にしたがって、レチクルス
テージ14上に載置されたレチクル13のパターンがプ
レート17の各単位露光領域に順次露光される。セカン
ド露光以降の露光においては、レチクル13とプレート
17との位置あわせ、すなわちプレートアライメントを
行った後に、プレート17上に既に形成されているパタ
ーンに次のレチクルパターンを重ね合わせて投影露光す
る。
レート17が搬入され、プレートホルダ上に載置され
る。なお、ファースト露光の場合には、プレートアライ
メントの動作は必要としないので、後述するようにステ
ップ・アンド・リピート方式にしたがって、レチクルス
テージ14上に載置されたレチクル13のパターンがプ
レート17の各単位露光領域に順次露光される。セカン
ド露光以降の露光においては、レチクル13とプレート
17との位置あわせ、すなわちプレートアライメントを
行った後に、プレート17上に既に形成されているパタ
ーンに次のレチクルパターンを重ね合わせて投影露光す
る。
【0036】次に、第1実施例における具体的な露光動
作について説明する。図4は、第1実施例において用い
られるレチクルのパターン領域の構成を概略的に示す図
であって、(a)はレチクルのパターン領域の全体を示
し、(b)は各単位露光領域への露光に際して使用され
るパターン部分領域を示している。また、図5は、1枚
のレチクルのパターン領域に形成された4つのパターン
部分領域を用いた画面継ぎ露光によりプレート上に形成
されるデバイスパターンを示す図である。
作について説明する。図4は、第1実施例において用い
られるレチクルのパターン領域の構成を概略的に示す図
であって、(a)はレチクルのパターン領域の全体を示
し、(b)は各単位露光領域への露光に際して使用され
るパターン部分領域を示している。また、図5は、1枚
のレチクルのパターン領域に形成された4つのパターン
部分領域を用いた画面継ぎ露光によりプレート上に形成
されるデバイスパターンを示す図である。
【0037】図4に示すように、レチクル13のパター
ン領域PAには、4つのパターン部分領域PA1〜PA
4が互いに一部重複するように形成されている。各パタ
ーン部分領域において、L字状の領域41はデバイスと
しての液晶表示素子のオンオフを行う周辺部のドライバ
ー回路に対応するパターンが形成された領域である。ま
た、各パターン部分領域において、L字状の領域41以
外の矩形状の領域42は、液晶表示素子の画面に対応す
る規則正しい繰り返しパターンが形成された領域であ
る。なお、投影光学系16の物体側視野OFが各パター
ン部分領域の全体を包含することができるように各パタ
ーン部分領域の大きさが規定されていることはいうまで
もない。換言すると、各パターン部分領域の大きさは、
6インチ角の従来のレチクルのパターン領域全体の大き
さにほぼ対応している。
ン領域PAには、4つのパターン部分領域PA1〜PA
4が互いに一部重複するように形成されている。各パタ
ーン部分領域において、L字状の領域41はデバイスと
しての液晶表示素子のオンオフを行う周辺部のドライバ
ー回路に対応するパターンが形成された領域である。ま
た、各パターン部分領域において、L字状の領域41以
外の矩形状の領域42は、液晶表示素子の画面に対応す
る規則正しい繰り返しパターンが形成された領域であ
る。なお、投影光学系16の物体側視野OFが各パター
ン部分領域の全体を包含することができるように各パタ
ーン部分領域の大きさが規定されていることはいうまで
もない。換言すると、各パターン部分領域の大きさは、
6インチ角の従来のレチクルのパターン領域全体の大き
さにほぼ対応している。
【0038】第1実施例では、ステージ制御系23は、
レチクル13のパターン領域PAのうちの第1パターン
部分領域PA1を露光転写することができるように、レ
チクルステージ14をXY平面に沿って移動させ、第1
パターン部分領域PA1を投影光学系16の物体側視野
に対して位置決めする。また、ステージ制御系23は、
プレートステージ18をXY平面に沿って移動させて、
プレート17の第1デバイスの第1単位露光領域P10
1を投影光学系16の露光視野(像側視野内において選
択された露光のためのフィールド)に対して位置決めす
る。このとき、たとえば斜入射方式のオートフォーカス
系22(図2参照)により、プレート17の露光面が投
影光学系16の像面とほぼ一致するように、プレートス
テージ18がZ方向に沿って予め位置決め調整されてい
る。こうして、レチクル13の第1パターン部分領域P
A1のパターンを、プレート17の第1デバイスの第1
単位露光領域P101に一括的に露光転写する。
レチクル13のパターン領域PAのうちの第1パターン
部分領域PA1を露光転写することができるように、レ
チクルステージ14をXY平面に沿って移動させ、第1
パターン部分領域PA1を投影光学系16の物体側視野
に対して位置決めする。また、ステージ制御系23は、
プレートステージ18をXY平面に沿って移動させて、
プレート17の第1デバイスの第1単位露光領域P10
1を投影光学系16の露光視野(像側視野内において選
択された露光のためのフィールド)に対して位置決めす
る。このとき、たとえば斜入射方式のオートフォーカス
系22(図2参照)により、プレート17の露光面が投
影光学系16の像面とほぼ一致するように、プレートス
テージ18がZ方向に沿って予め位置決め調整されてい
る。こうして、レチクル13の第1パターン部分領域P
A1のパターンを、プレート17の第1デバイスの第1
単位露光領域P101に一括的に露光転写する。
【0039】次いで、ステージ制御系23は、レチクル
13の第2パターン部分領域PA2を投影光学系16の
物体側視野に対して位置決めするためにレチクルステー
ジ14をステッピング移動させるとともに、プレート1
7の第1デバイスの第2単位露光領域P201を投影光
学系16の露光視野に対して位置決めするためにプレー
トステージ18をステッピング移動させる。こうして、
レチクル13の第2パターン部分領域PA2のパターン
を、プレート17の第1デバイスの第2単位露光領域P
201に一括的に露光転写する。同様に、ステージ制御
系23によりレチクルステージ14およびプレートステ
ージ18をステッピング移動させながら、レチクル13
の第3パターン部分領域PA3および第4パターン部分
領域PA4のパターンを、プレート17の第1デバイス
の第3単位露光領域P301および第4単位露光領域P
401に順次露光する。
13の第2パターン部分領域PA2を投影光学系16の
物体側視野に対して位置決めするためにレチクルステー
ジ14をステッピング移動させるとともに、プレート1
7の第1デバイスの第2単位露光領域P201を投影光
学系16の露光視野に対して位置決めするためにプレー
トステージ18をステッピング移動させる。こうして、
レチクル13の第2パターン部分領域PA2のパターン
を、プレート17の第1デバイスの第2単位露光領域P
201に一括的に露光転写する。同様に、ステージ制御
系23によりレチクルステージ14およびプレートステ
ージ18をステッピング移動させながら、レチクル13
の第3パターン部分領域PA3および第4パターン部分
領域PA4のパターンを、プレート17の第1デバイス
の第3単位露光領域P301および第4単位露光領域P
401に順次露光する。
【0040】次に、第1デバイスへの画面継ぎ露光と同
様に、プレート17の第2デバイスの第1単位露光領域
P102〜第4単位露光領域P402に対して、レチク
ル13の第1パターン部分領域PA1〜第4パターン部
分領域PA4のパターンを順次露光する。また、プレー
ト17の第3デバイスの第1単位露光領域P103〜第
4単位露光領域P403に対して、レチクル13の第1
パターン部分領域PA1〜第4パターン部分領域PA4
のパターンを順次露光する。最後に、プレート17の第
4デバイスの第1単位露光領域P104〜第4単位露光
領域P404に対して、レチクル13の第1パターン部
分領域PA1〜第4パターン部分領域PA4のパターン
を順次露光する。こうして、1枚のレチクル13を用い
て、プレート17に4つのデバイスパターンが画面継ぎ
露光により形成される。
様に、プレート17の第2デバイスの第1単位露光領域
P102〜第4単位露光領域P402に対して、レチク
ル13の第1パターン部分領域PA1〜第4パターン部
分領域PA4のパターンを順次露光する。また、プレー
ト17の第3デバイスの第1単位露光領域P103〜第
4単位露光領域P403に対して、レチクル13の第1
パターン部分領域PA1〜第4パターン部分領域PA4
のパターンを順次露光する。最後に、プレート17の第
4デバイスの第1単位露光領域P104〜第4単位露光
領域P404に対して、レチクル13の第1パターン部
分領域PA1〜第4パターン部分領域PA4のパターン
を順次露光する。こうして、1枚のレチクル13を用い
て、プレート17に4つのデバイスパターンが画面継ぎ
露光により形成される。
【0041】ここで、図5を参照すると、第1デバイス
において、第1単位露光領域P101と第2単位露光領
域P201との間には重複(オーバーラップ)した重複
露光領域51(図中斜線で示す)が存在する。また、第
1単位露光領域P101と第4単位露光領域P401と
の間、第2単位露光領域P201と第3単位露光領域P
301との間、および第3単位露光領域P301と第4
単位露光領域P401との間にも重複露光領域52〜5
4が存在する。この点は、他のデバイスにおいても同様
である。以上のように、第1実施例では、デバイスへの
画面継ぎ露光に際して、いわゆるオーバーラップ露光を
行っている。
において、第1単位露光領域P101と第2単位露光領
域P201との間には重複(オーバーラップ)した重複
露光領域51(図中斜線で示す)が存在する。また、第
1単位露光領域P101と第4単位露光領域P401と
の間、第2単位露光領域P201と第3単位露光領域P
301との間、および第3単位露光領域P301と第4
単位露光領域P401との間にも重複露光領域52〜5
4が存在する。この点は、他のデバイスにおいても同様
である。以上のように、第1実施例では、デバイスへの
画面継ぎ露光に際して、いわゆるオーバーラップ露光を
行っている。
【0042】オーバーラップ露光により画面合成を行う
場合、隣り合う2つの単位露光領域の間の重複露光領域
での露光量分布を一定にし、且つ重複露光領域での露光
量とそれ以外の非重複露光領域での露光量とをほぼ等し
くする必要がある。このため、第1実施例では、たとえ
ば第1パターン部分領域PA1のパターンを第1単位露
光領域に静止露光する際に、重複露光領域における露光
量分布が非重複露光領域とのエッジ55および56から
自由エッジ57および58にかけて次第に減少するよう
に構成している。このような露光量分布は、第1パター
ン部分領域PA1のうち重複露光領域51および52に
対応する領域(図4で破線と実線エッジとで囲まれた矩
形状の領域)43および44での照度分布を所望の露光
量分布と同じように規定することによって実現すること
ができる。上述のオーバーラップ露光に関連する技術
は、たとえば特開平6−244077号公報、特開平6
−302501号公報、特開平7−235466号公報
などに開示されている。
場合、隣り合う2つの単位露光領域の間の重複露光領域
での露光量分布を一定にし、且つ重複露光領域での露光
量とそれ以外の非重複露光領域での露光量とをほぼ等し
くする必要がある。このため、第1実施例では、たとえ
ば第1パターン部分領域PA1のパターンを第1単位露
光領域に静止露光する際に、重複露光領域における露光
量分布が非重複露光領域とのエッジ55および56から
自由エッジ57および58にかけて次第に減少するよう
に構成している。このような露光量分布は、第1パター
ン部分領域PA1のうち重複露光領域51および52に
対応する領域(図4で破線と実線エッジとで囲まれた矩
形状の領域)43および44での照度分布を所望の露光
量分布と同じように規定することによって実現すること
ができる。上述のオーバーラップ露光に関連する技術
は、たとえば特開平6−244077号公報、特開平6
−302501号公報、特開平7−235466号公報
などに開示されている。
【0043】以上のように、第1実施例では、投影光学
系16の物体側視野よりも大きいパターン領域PAを有
する1枚のレチクル13を用いて、レチクル交換を全く
行うことなく、1枚のプレート17に4つのデバイスパ
ターンを画面継ぎ露光により形成することができる。す
なわち、レチクルの交換をすることなく、且つ投影光学
系を大型化することなく、露光装置のスループットを向
上させることができる。しかも、第1実施例では、複数
のパターン部分領域PA1〜PA4を有するレチクル1
3のサイズ(大きさまたは面積等)は、複数の単位露光
領域(P101〜P401、P102〜P402、P1
03〜P403、P104〜P404)の合成によって
感光性基板17に形成される各デバイスパターンのサイ
ズ(大きさまたは面積等)よりも小さくなっている。従
って、感光性基板17に形成されるデバイスパターンよ
りも相対的に小さいレチクル13を用いることができ
る。換言すれば、比較的小さなサイズのレチクル13を
用いたとしても感光性基板17上に大きなサイズのデバ
イスパターンを形成することができるという利点があ
る。さらに、1つのデバイスパターンの画面継ぎ露光に
際して複数のレチクルを用いていた従来技術とは異な
り、1つのデバイスパターンの画面継ぎ露光に際して1
枚のレチクルしか用いないので、デバイスの切り替え時
間を大幅に短縮することができる。
系16の物体側視野よりも大きいパターン領域PAを有
する1枚のレチクル13を用いて、レチクル交換を全く
行うことなく、1枚のプレート17に4つのデバイスパ
ターンを画面継ぎ露光により形成することができる。す
なわち、レチクルの交換をすることなく、且つ投影光学
系を大型化することなく、露光装置のスループットを向
上させることができる。しかも、第1実施例では、複数
のパターン部分領域PA1〜PA4を有するレチクル1
3のサイズ(大きさまたは面積等)は、複数の単位露光
領域(P101〜P401、P102〜P402、P1
03〜P403、P104〜P404)の合成によって
感光性基板17に形成される各デバイスパターンのサイ
ズ(大きさまたは面積等)よりも小さくなっている。従
って、感光性基板17に形成されるデバイスパターンよ
りも相対的に小さいレチクル13を用いることができ
る。換言すれば、比較的小さなサイズのレチクル13を
用いたとしても感光性基板17上に大きなサイズのデバ
イスパターンを形成することができるという利点があ
る。さらに、1つのデバイスパターンの画面継ぎ露光に
際して複数のレチクルを用いていた従来技術とは異な
り、1つのデバイスパターンの画面継ぎ露光に際して1
枚のレチクルしか用いないので、デバイスの切り替え時
間を大幅に短縮することができる。
【0044】加えて、1つのデバイスパターンの画面継
ぎ露光に際して1枚のレチクルしか用いないので、1つ
のデバイスパターンに要するレチクルコストを低減し、
ひいては露光装置のランニングコストを低減することが
できる。また、1つのデバイスパターンの画面継ぎ露光
に際して1枚のレチクルしか用いないので、レチクル間
の線幅精度のばらつきに起因する画面合成精度の低下を
実質的に回避することができ、高精度なデバイスを製造
することが可能となる。
ぎ露光に際して1枚のレチクルしか用いないので、1つ
のデバイスパターンに要するレチクルコストを低減し、
ひいては露光装置のランニングコストを低減することが
できる。また、1つのデバイスパターンの画面継ぎ露光
に際して1枚のレチクルしか用いないので、レチクル間
の線幅精度のばらつきに起因する画面合成精度の低下を
実質的に回避することができ、高精度なデバイスを製造
することが可能となる。
【0045】図6は、本発明の第2実施例にかかる露光
装置の構成を概略的に示す斜視図である。第2実施例で
は、大型の液晶表示素子の製造に用いられるステップ・
アンド・スキャン方式の投影露光装置に本発明を適用し
ている。図2と図6とを比較するとわかるように、第2
実施例は第1実施例と類似の構成を有する。しかしなが
ら、第1実施例ではプレートの各単位露光領域に対して
レチクルパターンを静止露光するのに対し、第2実施例
ではプレートの各単位露光領域に対してレチクルパター
ンを走査露光する点が第1実施例と基本的に相違してい
る。図6において第1実施例の構成要素と同様の機能を
有する要素には、図2と同じ参照符号を付している。以
下、第1実施例との相違点に着目して第2実施例を説明
する。
装置の構成を概略的に示す斜視図である。第2実施例で
は、大型の液晶表示素子の製造に用いられるステップ・
アンド・スキャン方式の投影露光装置に本発明を適用し
ている。図2と図6とを比較するとわかるように、第2
実施例は第1実施例と類似の構成を有する。しかしなが
ら、第1実施例ではプレートの各単位露光領域に対して
レチクルパターンを静止露光するのに対し、第2実施例
ではプレートの各単位露光領域に対してレチクルパター
ンを走査露光する点が第1実施例と基本的に相違してい
る。図6において第1実施例の構成要素と同様の機能を
有する要素には、図2と同じ参照符号を付している。以
下、第1実施例との相違点に着目して第2実施例を説明
する。
【0046】図6に示す投影露光装置において、たとえ
ば超高圧水銀ランプからなる光源1から射出された照明
光束は、ミラー3を介して楕円鏡2の第2焦点位置P1
に光源像を形成する。楕円鏡2の第2焦点位置P1に形
成された光源像からの光束は、コレクターレンズ5によ
りほぼ平行な光束に変換された後、第1フライアイイン
テグレータ61に入射する。第1フライアイインテグレ
ータ61は、たとえば正方形状の断面を有する多数の正
レンズエレメントをその中心軸線が光軸に沿って延びる
ように縦横に配列することによって構成されている。し
たがって、第1フライアイインテグレータ61に入射し
た光束は、多数のレンズエレメントにより二次元的に分
割され、第1フライアイインテグレータ61の後側焦点
面(すなわち射出面の近傍)にレンズエレメントの数と
同数の光源像を形成する。
ば超高圧水銀ランプからなる光源1から射出された照明
光束は、ミラー3を介して楕円鏡2の第2焦点位置P1
に光源像を形成する。楕円鏡2の第2焦点位置P1に形
成された光源像からの光束は、コレクターレンズ5によ
りほぼ平行な光束に変換された後、第1フライアイイン
テグレータ61に入射する。第1フライアイインテグレ
ータ61は、たとえば正方形状の断面を有する多数の正
レンズエレメントをその中心軸線が光軸に沿って延びる
ように縦横に配列することによって構成されている。し
たがって、第1フライアイインテグレータ61に入射し
た光束は、多数のレンズエレメントにより二次元的に分
割され、第1フライアイインテグレータ61の後側焦点
面(すなわち射出面の近傍)にレンズエレメントの数と
同数の光源像を形成する。
【0047】第1フライアイインテグレータ61の後側
焦点面に形成された多数の光源像からの光束は、第1リ
レーレンズ62を介した後、第2フライアイインテグレ
ータ63を重畳的に照明する。こうして、第2フライア
イインテグレータ63の入射面には、第1フライアイイ
ンテグレータ61の各レンズエレメントの断面形状に相
似な正方形状の照野が形成される。なお、第1リレーレ
ンズ62は、第1フライアイインテグレータ61の後側
焦点面と第2フライアイインテグレータ63の後側焦点
面とを光学的にほぼ共役に結んでいる。
焦点面に形成された多数の光源像からの光束は、第1リ
レーレンズ62を介した後、第2フライアイインテグレ
ータ63を重畳的に照明する。こうして、第2フライア
イインテグレータ63の入射面には、第1フライアイイ
ンテグレータ61の各レンズエレメントの断面形状に相
似な正方形状の照野が形成される。なお、第1リレーレ
ンズ62は、第1フライアイインテグレータ61の後側
焦点面と第2フライアイインテグレータ63の後側焦点
面とを光学的にほぼ共役に結んでいる。
【0048】第2フライアイインテグレータ63は、正
の屈折力を有する多数のシリンドリカルレンズエレメン
トをその中心軸線が光軸に沿って延びるように縦横配列
することによって構成されている。そして、第2フライ
アイインテグレータ63を構成する各シリンドリカルレ
ンズエレメントは、その入射面と光学的に共役に配置さ
れたレチクル13上において形成すべき照野の形状(ひ
いてはプレート17上において形成すべき露光視野の形
状)とほぼ相似なスリット状(細長い矩形状)の断面を
有する。
の屈折力を有する多数のシリンドリカルレンズエレメン
トをその中心軸線が光軸に沿って延びるように縦横配列
することによって構成されている。そして、第2フライ
アイインテグレータ63を構成する各シリンドリカルレ
ンズエレメントは、その入射面と光学的に共役に配置さ
れたレチクル13上において形成すべき照野の形状(ひ
いてはプレート17上において形成すべき露光視野の形
状)とほぼ相似なスリット状(細長い矩形状)の断面を
有する。
【0049】したがって、第2フライアイインテグレー
タ63に入射した光束は多数のシリンドリカルレンズエ
レメントにより二次元的に分割され、その後側焦点面
(すなわち射出面の近傍)には第1フライアイインテグ
レータ61のレンズエレメントの数と第2フライアイイ
ンテグレータ63のシリンドリカルレンズエレメントの
数との積に等しい数の多数の光源像が形成される。すな
わち、第2フライアイインテグレータ63の後側焦点面
には、実質的な面光源が形成される。第2フライアイイ
ンテグレータ63の後側焦点面に形成された面光源から
の光束は、その近傍に配置された開口絞り(不図示)に
より制限された後、第2リレーレンズ64を介して集光
され、レチクルブラインド65に入射する。
タ63に入射した光束は多数のシリンドリカルレンズエ
レメントにより二次元的に分割され、その後側焦点面
(すなわち射出面の近傍)には第1フライアイインテグ
レータ61のレンズエレメントの数と第2フライアイイ
ンテグレータ63のシリンドリカルレンズエレメントの
数との積に等しい数の多数の光源像が形成される。すな
わち、第2フライアイインテグレータ63の後側焦点面
には、実質的な面光源が形成される。第2フライアイイ
ンテグレータ63の後側焦点面に形成された面光源から
の光束は、その近傍に配置された開口絞り(不図示)に
より制限された後、第2リレーレンズ64を介して集光
され、レチクルブラインド65に入射する。
【0050】図7は、図6のレチクルブラインド65の
要部構成を示す図である。図7(a)に示すように、レ
チクルブラインド65は、Y方向に平行な長辺(台形の
上底および下底のうち長い方の辺を長辺という)71a
および短辺71b(台形の上底および下底のうち短い方
の辺を短辺という)を有するY方向に細長い台形状の開
口部(光透過部)を有する台形ブラインド71と、Y方
向に平行な直線エッジ72aが形成された遮光部を有す
る直線エッジブラインド72とを備えている。台形ブラ
インド71および直線エッジブラインド72は、レチク
ル13のパターン面と(ひいてはプレート17の露光面
と)光学的に共役な面の近傍に配置されている。
要部構成を示す図である。図7(a)に示すように、レ
チクルブラインド65は、Y方向に平行な長辺(台形の
上底および下底のうち長い方の辺を長辺という)71a
および短辺71b(台形の上底および下底のうち短い方
の辺を短辺という)を有するY方向に細長い台形状の開
口部(光透過部)を有する台形ブラインド71と、Y方
向に平行な直線エッジ72aが形成された遮光部を有す
る直線エッジブラインド72とを備えている。台形ブラ
インド71および直線エッジブラインド72は、レチク
ル13のパターン面と(ひいてはプレート17の露光面
と)光学的に共役な面の近傍に配置されている。
【0051】なお、図7(b)に示すように、台形ブラ
インド71は、走査露光中において移動することのない
固定ブラインドであって、レチクル13およびプレート
17上での照明領域の形状を規定する視野絞りを構成し
ている。一方、直線エッジブラインド72は、Z方向に
沿って移動可能に構成された可動ブラインドであって、
露光視野の形状を変化させるための露光視野可変部材を
構成している。直線エッジブラインド72の直線エッジ
72aは、台形ブラインド71の台形状の開口部の長辺
71aおよび短辺71bに平行な状態を保持しつつZ方
向に移動する。なお、直線エッジブラインド72の走査
露光中における具体的な移動については後述する。
インド71は、走査露光中において移動することのない
固定ブラインドであって、レチクル13およびプレート
17上での照明領域の形状を規定する視野絞りを構成し
ている。一方、直線エッジブラインド72は、Z方向に
沿って移動可能に構成された可動ブラインドであって、
露光視野の形状を変化させるための露光視野可変部材を
構成している。直線エッジブラインド72の直線エッジ
72aは、台形ブラインド71の台形状の開口部の長辺
71aおよび短辺71bに平行な状態を保持しつつZ方
向に移動する。なお、直線エッジブラインド72の走査
露光中における具体的な移動については後述する。
【0052】レチクルブラインド65を介した光束は、
ブラインドリレー系11および折り曲げミラー12を介
して、レチクル13を重畳的に照明する。レチクル13
は、レチクルホルダ(不図示)を介して、レチクルステ
ージ14上においてXY平面に平行に保持されている。
レチクル13には転写すべきパターンが形成されてお
り、パターン領域全体のうちY方向に沿って長辺を有す
る細長い台形状のパターン領域が照明される。レチクル
13を透過した光束は、投影光学系16を介して、感光
性基板であるプレート17に達する。こうして、レチク
ル13上の照明領域に光学的に対応するように、プレー
ト17上ではY方向に沿って長辺を有する細長い台形状
の領域にパターン像が形成される。
ブラインドリレー系11および折り曲げミラー12を介
して、レチクル13を重畳的に照明する。レチクル13
は、レチクルホルダ(不図示)を介して、レチクルステ
ージ14上においてXY平面に平行に保持されている。
レチクル13には転写すべきパターンが形成されてお
り、パターン領域全体のうちY方向に沿って長辺を有す
る細長い台形状のパターン領域が照明される。レチクル
13を透過した光束は、投影光学系16を介して、感光
性基板であるプレート17に達する。こうして、レチク
ル13上の照明領域に光学的に対応するように、プレー
ト17上ではY方向に沿って長辺を有する細長い台形状
の領域にパターン像が形成される。
【0053】上述したように、レチクル13上の照明領
域およびプレート17上の露光視野は、Y方向に沿って
長辺を有する細長い台形状である。したがって、駆動系
および干渉計(15、19)などを用いてレチクル13
およびプレート17の位置制御を行いながら、X方向に
沿ってレチクルステージ14とプレートステージ18と
を、ひいてはレチクル13とプレート17とを同期的に
移動(走査)させることにより、プレート17上には台
形状の露光視野のY方向の長さに応じた幅を有し且つプ
レート17の走査量に応じた長さを有する単位露光領域
に対してレチクルパターンが走査露光される。
域およびプレート17上の露光視野は、Y方向に沿って
長辺を有する細長い台形状である。したがって、駆動系
および干渉計(15、19)などを用いてレチクル13
およびプレート17の位置制御を行いながら、X方向に
沿ってレチクルステージ14とプレートステージ18と
を、ひいてはレチクル13とプレート17とを同期的に
移動(走査)させることにより、プレート17上には台
形状の露光視野のY方向の長さに応じた幅を有し且つプ
レート17の走査量に応じた長さを有する単位露光領域
に対してレチクルパターンが走査露光される。
【0054】第2実施例では、第1実施例と同様に、図
4に示す構成を有するレチクル13を用いて、図5に示
すプレート17上の各デバイスの各単位露光領域への走
査露光を行う。以下、第1デバイスの各単位露光領域へ
の走査露光に着目して、第2実施例の走査露光動作を説
明する。まず、第1単位露光領域P101への走査露光
では、台形ブラインド71を介して形成される台形状の
照明領域で第1パターン部分領域PA1を照明しなが
ら、レチクル13をX方向に沿って一定の速度で移動さ
せるとともに、プレート17をX方向に沿ってレチクル
13とは逆向きに一定の速度で移動させる。こうして、
第1パターン部分領域PA1のパターンが第1単位露光
領域P101へ走査露光される。
4に示す構成を有するレチクル13を用いて、図5に示
すプレート17上の各デバイスの各単位露光領域への走
査露光を行う。以下、第1デバイスの各単位露光領域へ
の走査露光に着目して、第2実施例の走査露光動作を説
明する。まず、第1単位露光領域P101への走査露光
では、台形ブラインド71を介して形成される台形状の
照明領域で第1パターン部分領域PA1を照明しなが
ら、レチクル13をX方向に沿って一定の速度で移動さ
せるとともに、プレート17をX方向に沿ってレチクル
13とは逆向きに一定の速度で移動させる。こうして、
第1パターン部分領域PA1のパターンが第1単位露光
領域P101へ走査露光される。
【0055】このとき、第1単位露光領域P101の一
方の重複露光領域52では、台形状の照明領域のうちの
一端の三角形状の照明領域の作用により、非重複露光領
域とのエッジ56から自由エッジ58にかけて線形的に
変化する露光量分布を得ることができる。しかしなが
ら、台形ブラインド71だけを使用する構成では、他方
の重複露光領域51のエッジ55から自由エッジ57に
かけて所望の露光量分布を得ることができない。そこ
で、第2実施例では、台形状の照明領域の長辺が第1パ
ターン領域PA1のエッジ45に達したときに、図7
(b)に示すように直線エッジブラインド72で台形ブ
ラインド71の台形状の開口部の幅(開口部のX方向に
沿った長さ)を線形的に減少させて遮る動作を開始す
る。
方の重複露光領域52では、台形状の照明領域のうちの
一端の三角形状の照明領域の作用により、非重複露光領
域とのエッジ56から自由エッジ58にかけて線形的に
変化する露光量分布を得ることができる。しかしなが
ら、台形ブラインド71だけを使用する構成では、他方
の重複露光領域51のエッジ55から自由エッジ57に
かけて所望の露光量分布を得ることができない。そこ
で、第2実施例では、台形状の照明領域の長辺が第1パ
ターン領域PA1のエッジ45に達したときに、図7
(b)に示すように直線エッジブラインド72で台形ブ
ラインド71の台形状の開口部の幅(開口部のX方向に
沿った長さ)を線形的に減少させて遮る動作を開始す
る。
【0056】直線エッジブラインド72はZ方向に沿っ
て一定の速度(たとえばレチクル上での照明領域の走査
速度と同じ速度)で移動し、やがて直線エッジブライン
ド72の遮光エッジ72aが台形ブラインド71の台形
状の開口部の短辺71bと重なって開口部が完全に塞が
れたとき、台形状の照明領域の短辺が第1パターン領域
PA1の破線46の位置に達する。こうして、第1単位
露光領域P101の重複露光領域51においても、非重
複露光領域とのエッジ55から自由エッジ57にかけて
線形的に変化する所望の露光量分布を得ることができ
る。
て一定の速度(たとえばレチクル上での照明領域の走査
速度と同じ速度)で移動し、やがて直線エッジブライン
ド72の遮光エッジ72aが台形ブラインド71の台形
状の開口部の短辺71bと重なって開口部が完全に塞が
れたとき、台形状の照明領域の短辺が第1パターン領域
PA1の破線46の位置に達する。こうして、第1単位
露光領域P101の重複露光領域51においても、非重
複露光領域とのエッジ55から自由エッジ57にかけて
線形的に変化する所望の露光量分布を得ることができ
る。
【0057】次いで、第1単位露光領域P101への走
査露光と同様に、第2単位露光領域P201〜第4単位
露光領域P401に対しても、第2パターン領域PA2
〜第4パターン領域PA4のパターンを順次走査露光す
る。以上の第1デバイスの各単位露光領域への走査露光
動作は、第2デバイス〜第4デバイスの各単位露光領域
に対しても同様に繰り返される。こうして、プレート1
7の各デバイスの露光領域において、重複露光領域と非
重複露光領域とでほぼ一致する均一分布の露光量を得る
ことができる。なお、オーバーラップ走査露光において
重複露光領域と非重複露光領域とでほぼ一致する均一分
布の露光量を得る技術については、特願平11−777
01号明細書および図面にさらに詳細に開示されてい
る。
査露光と同様に、第2単位露光領域P201〜第4単位
露光領域P401に対しても、第2パターン領域PA2
〜第4パターン領域PA4のパターンを順次走査露光す
る。以上の第1デバイスの各単位露光領域への走査露光
動作は、第2デバイス〜第4デバイスの各単位露光領域
に対しても同様に繰り返される。こうして、プレート1
7の各デバイスの露光領域において、重複露光領域と非
重複露光領域とでほぼ一致する均一分布の露光量を得る
ことができる。なお、オーバーラップ走査露光において
重複露光領域と非重複露光領域とでほぼ一致する均一分
布の露光量を得る技術については、特願平11−777
01号明細書および図面にさらに詳細に開示されてい
る。
【0058】以上のように、第2実施例においても第1
実施例と同様に、投影光学系16の物体側視野よりも大
きいパターン領域PAを有する1枚のレチクル13を用
いて、レチクル交換を全く行うことなく、1枚のプレー
ト17に4つのデバイスパターンを画面継ぎ露光により
形成することができる。したがって、第2実施例におい
ても第1実施例と同様に、レチクルの交換をすることな
く且つ投影光学系を大型化することなくスループットを
向上させることができるとともに、デバイスの切り替え
時間を大幅に短縮することができる。また、レチクルコ
ストを含めたランニングコストを低減することができる
とともに、レチクル間の線幅精度のばらつきに起因する
画面合成精度の低下を実質的に回避することができる。
実施例と同様に、投影光学系16の物体側視野よりも大
きいパターン領域PAを有する1枚のレチクル13を用
いて、レチクル交換を全く行うことなく、1枚のプレー
ト17に4つのデバイスパターンを画面継ぎ露光により
形成することができる。したがって、第2実施例におい
ても第1実施例と同様に、レチクルの交換をすることな
く且つ投影光学系を大型化することなくスループットを
向上させることができるとともに、デバイスの切り替え
時間を大幅に短縮することができる。また、レチクルコ
ストを含めたランニングコストを低減することができる
とともに、レチクル間の線幅精度のばらつきに起因する
画面合成精度の低下を実質的に回避することができる。
【0059】なお、第2実施例では、ステップ・アンド
・スキャン方式を用いているので、露光視野としてほぼ
一次元的な形状であるスリット状の視野を利用すること
により、投影光学系のディストーション等の収差の影響
も小さく抑えられる。また、スリット状の露光視野の幅
で平均された像がプレートに露光されることになるた
め、収差も平均化される。その結果、パターンの転写の
忠実性が飛躍的に向上するだけでなく、投影光学系のレ
ンズ全長を小型化することができる。また、1回の走査
露光により焼き付けられる露光領域の大きさが投影光学
系の像側視野の直径によって規定されるので、結果的に
投影光学系のレンズ径を小さくすることができ、コスト
的に非常に有利である。
・スキャン方式を用いているので、露光視野としてほぼ
一次元的な形状であるスリット状の視野を利用すること
により、投影光学系のディストーション等の収差の影響
も小さく抑えられる。また、スリット状の露光視野の幅
で平均された像がプレートに露光されることになるた
め、収差も平均化される。その結果、パターンの転写の
忠実性が飛躍的に向上するだけでなく、投影光学系のレ
ンズ全長を小型化することができる。また、1回の走査
露光により焼き付けられる露光領域の大きさが投影光学
系の像側視野の直径によって規定されるので、結果的に
投影光学系のレンズ径を小さくすることができ、コスト
的に非常に有利である。
【0060】第2実施例では、細長い台形状の開口部
(光透過部)が固定的に形成された台形ブラインド71
に対して直線エッジブラインド72を移動させている。
しかしながら、使用するレチクルのパターンによって
は、台形状の開口部の長辺方向の長さを変更しなければ
ならない場合がある。したがって、走査露光時には直線
エッジブラインド72を移動させるだけでよいが、台形
状の開口部の長辺方向(レチクル上では走査直交方向)
の長さを任意に設定することができるように台形ブライ
ンド71を構成することが望ましい。
(光透過部)が固定的に形成された台形ブラインド71
に対して直線エッジブラインド72を移動させている。
しかしながら、使用するレチクルのパターンによって
は、台形状の開口部の長辺方向の長さを変更しなければ
ならない場合がある。したがって、走査露光時には直線
エッジブラインド72を移動させるだけでよいが、台形
状の開口部の長辺方向(レチクル上では走査直交方向)
の長さを任意に設定することができるように台形ブライ
ンド71を構成することが望ましい。
【0061】また、固定ブラインド71の開口部の形状
も台形だけでなく長方形や他の形状に適宜変更すること
ができれば、隣り合う単位露光領域との間でオーバーラ
ップの有る場合と無い場合とが混在しても、投影光学系
の像側視野を最大限に活用することができる。この目的
のため、台形状の開口部の斜辺(台形の上底と下底とを
結ぶ2つの辺を斜辺という)部分を直線エッジを有する
別の可動ブラインドで規定する構成を採ってもよい。さ
らに、第2実施例では、固定ブラインドの開口部の形状
を台形状に設定しているが、最終的にプレート上で得ら
れる露光領域の全体に亘る露光量分布が均一になるよう
な形状であれば、台形状に限定することなく、平行四辺
形や六角形等の形状を有する開口部を設定することがで
きることは言うまでもない。
も台形だけでなく長方形や他の形状に適宜変更すること
ができれば、隣り合う単位露光領域との間でオーバーラ
ップの有る場合と無い場合とが混在しても、投影光学系
の像側視野を最大限に活用することができる。この目的
のため、台形状の開口部の斜辺(台形の上底と下底とを
結ぶ2つの辺を斜辺という)部分を直線エッジを有する
別の可動ブラインドで規定する構成を採ってもよい。さ
らに、第2実施例では、固定ブラインドの開口部の形状
を台形状に設定しているが、最終的にプレート上で得ら
れる露光領域の全体に亘る露光量分布が均一になるよう
な形状であれば、台形状に限定することなく、平行四辺
形や六角形等の形状を有する開口部を設定することがで
きることは言うまでもない。
【0062】図8は、本発明の第3実施例にかかる露光
装置の構成を概略的に示す図である。第3実施例におい
ても第2実施例と同様に、大型の液晶表示素子の製造に
用いられるステップ・アンド・スキャン方式の投影露光
装置に本発明を適用している。第3実施例は第2実施例
と類似の構成を有するが、投影光学系の構成だけが第2
実施例と基本的に相違している。したがって、図8にお
いて第2実施例の構成要素と同様の機能を有する要素に
は、図6と同じ参照符号を付している。以下、第2実施
例との相違点に着目しながら、第3実施例を説明する。
装置の構成を概略的に示す図である。第3実施例におい
ても第2実施例と同様に、大型の液晶表示素子の製造に
用いられるステップ・アンド・スキャン方式の投影露光
装置に本発明を適用している。第3実施例は第2実施例
と類似の構成を有するが、投影光学系の構成だけが第2
実施例と基本的に相違している。したがって、図8にお
いて第2実施例の構成要素と同様の機能を有する要素に
は、図6と同じ参照符号を付している。以下、第2実施
例との相違点に着目しながら、第3実施例を説明する。
【0063】図8に示すように、第3実施例の走査型露
光装置には、プリズムミラー100と屈折レンズ101
と凹面反射鏡102とからなる反射屈折型の投影光学系
が搭載されている。したがって、第3実施例において、
レチクル13からの光は、プリズムミラー100の第1
反射面100aで反射された後、屈折レンズ101を介
して凹面反射鏡102に入射する。凹面反射鏡102で
反射された光は、屈折レンズ101を介した後、プリズ
ムミラー100の第2反射面100bで反射され、プレ
ート17上にレチクルパターンの等倍正立像を形成す
る。したがって、走査露光に際して、第2実施例ではレ
チクルとプレートとを逆の向きに走査するが、第3実施
例ではレチクルとプレートとを同じ向きに同じ速度で走
査することになる。
光装置には、プリズムミラー100と屈折レンズ101
と凹面反射鏡102とからなる反射屈折型の投影光学系
が搭載されている。したがって、第3実施例において、
レチクル13からの光は、プリズムミラー100の第1
反射面100aで反射された後、屈折レンズ101を介
して凹面反射鏡102に入射する。凹面反射鏡102で
反射された光は、屈折レンズ101を介した後、プリズ
ムミラー100の第2反射面100bで反射され、プレ
ート17上にレチクルパターンの等倍正立像を形成す
る。したがって、走査露光に際して、第2実施例ではレ
チクルとプレートとを逆の向きに走査するが、第3実施
例ではレチクルとプレートとを同じ向きに同じ速度で走
査することになる。
【0064】図9は、本発明の第4実施例にかかる露光
装置の構成を概略的に示す図である。第4実施例におい
ても第2実施例および第3実施例と同様に、大型の液晶
表示素子の製造に用いられるステップ・アンド・スキャ
ン方式の投影露光装置に本発明を適用している。第4実
施例は第3実施例と類似の構成を有するが、照明光学系
の構成および投影光学系の構成だけが第3実施例と基本
的に相違している。したがって、図9において第3実施
例の構成要素と同様の機能を有する要素には、図8と同
じ参照符号を付している。以下、第3実施例との相違点
に着目しながら、第4実施例を説明する。
装置の構成を概略的に示す図である。第4実施例におい
ても第2実施例および第3実施例と同様に、大型の液晶
表示素子の製造に用いられるステップ・アンド・スキャ
ン方式の投影露光装置に本発明を適用している。第4実
施例は第3実施例と類似の構成を有するが、照明光学系
の構成および投影光学系の構成だけが第3実施例と基本
的に相違している。したがって、図9において第3実施
例の構成要素と同様の機能を有する要素には、図8と同
じ参照符号を付している。以下、第3実施例との相違点
に着目しながら、第4実施例を説明する。
【0065】図9に示すように、第4実施例の露光装置
には、第3実施例の投影光学系と同じ構成を有する2つ
の反射屈折型結像光学系K1およびK2からなる投影光
学系が搭載されている。したがって、第4実施例におい
て、レチクル13からの光は、第1結像光学系K1のプ
リズムミラー110の第1反射面110aで反射された
後、屈折レンズ111を介して凹面反射鏡112に入射
する。凹面反射鏡112で反射された光は、屈折レンズ
111を介した後、プリズムミラー110の第2反射面
110bで反射され、レチクルパターンの中間像を形成
する。
には、第3実施例の投影光学系と同じ構成を有する2つ
の反射屈折型結像光学系K1およびK2からなる投影光
学系が搭載されている。したがって、第4実施例におい
て、レチクル13からの光は、第1結像光学系K1のプ
リズムミラー110の第1反射面110aで反射された
後、屈折レンズ111を介して凹面反射鏡112に入射
する。凹面反射鏡112で反射された光は、屈折レンズ
111を介した後、プリズムミラー110の第2反射面
110bで反射され、レチクルパターンの中間像を形成
する。
【0066】レチクルパターンの中間像からの光は、第
2結像光学系K2のプリズムミラー120の第1反射面
120aで反射された後、屈折レンズ121を介して凹
面反射鏡122に入射する。凹面反射鏡122で反射さ
れた光は、屈折レンズ121を介した後、プリズムミラ
ー120の第2反射面120bで反射され、プレート1
7上にレチクルパターンの等倍正立正像を形成する。し
たがって、走査露光に際して、第4実施例においても第
3実施例と同様に、レチクルとプレートとを同じ向きに
同じ速度で走査することになる。
2結像光学系K2のプリズムミラー120の第1反射面
120aで反射された後、屈折レンズ121を介して凹
面反射鏡122に入射する。凹面反射鏡122で反射さ
れた光は、屈折レンズ121を介した後、プリズムミラ
ー120の第2反射面120bで反射され、プレート1
7上にレチクルパターンの等倍正立正像を形成する。し
たがって、走査露光に際して、第4実施例においても第
3実施例と同様に、レチクルとプレートとを同じ向きに
同じ速度で走査することになる。
【0067】この種の投影光学系では、像側視野(収差
補正されたフィールド)がほぼ半円形状となり、露光視
野の形状を台形状に設定すれば投影光学系の像側視野を
有効に利用することができる。また、この種の投影光学
系では、中間像の形成位置がレチクルおよびプレートと
共役な位置となるので、投影光学系内において中間像の
形成位置の近傍に視野絞りを配置することができ、照明
光学系内に特にレチクルブラインドを設ける必要がな
い。その代わりに、投影光学系内において中間像が形成
される位置の近傍に固定ブラインド71と可動ブライン
ド72とを設け、第2実施例および第3実施例と同様の
手順にしたがってブラインドの駆動動作を行えばよい。
補正されたフィールド)がほぼ半円形状となり、露光視
野の形状を台形状に設定すれば投影光学系の像側視野を
有効に利用することができる。また、この種の投影光学
系では、中間像の形成位置がレチクルおよびプレートと
共役な位置となるので、投影光学系内において中間像の
形成位置の近傍に視野絞りを配置することができ、照明
光学系内に特にレチクルブラインドを設ける必要がな
い。その代わりに、投影光学系内において中間像が形成
される位置の近傍に固定ブラインド71と可動ブライン
ド72とを設け、第2実施例および第3実施例と同様の
手順にしたがってブラインドの駆動動作を行えばよい。
【0068】また、第3実施例では、正立正像を形成す
る投影光学系用いているので、以下のように照明光学系
の構成を簡素化することができる。図9を参照すると、
照明光学系において、光源1から射出された照明光束
は、ミラー3を介して、楕円鏡2の第2焦点位置P1に
光源像を形成する。楕円鏡2の第2焦点位置P1に形成
された光源像からの光束は、集光レンズ131を介し
て、光ファイバーのようなライドガイド132の入射面
に入射する。ライドガイド132の内部を伝搬してその
射出面から射出された光は、コレクターレンズ133に
よりほぼ平行な光束に変換された後、フライアイインテ
グレータ134に入射する。フライアイインテグレータ
134に入射した光束は、多数のレンズエレメントによ
り二次元的に分割され、フライアイインテグレータ13
4の後側焦点面(すなわち射出面の近傍)にレンズエレ
メントの数と同数の光源像を形成する。フライアイイン
テグレータ134の後側焦点面に形成された多数の光源
像からの光束は、折り曲げミラー135およびリレーレ
ンズ136を介した後、レチクル13を重畳的に照明す
る。
る投影光学系用いているので、以下のように照明光学系
の構成を簡素化することができる。図9を参照すると、
照明光学系において、光源1から射出された照明光束
は、ミラー3を介して、楕円鏡2の第2焦点位置P1に
光源像を形成する。楕円鏡2の第2焦点位置P1に形成
された光源像からの光束は、集光レンズ131を介し
て、光ファイバーのようなライドガイド132の入射面
に入射する。ライドガイド132の内部を伝搬してその
射出面から射出された光は、コレクターレンズ133に
よりほぼ平行な光束に変換された後、フライアイインテ
グレータ134に入射する。フライアイインテグレータ
134に入射した光束は、多数のレンズエレメントによ
り二次元的に分割され、フライアイインテグレータ13
4の後側焦点面(すなわち射出面の近傍)にレンズエレ
メントの数と同数の光源像を形成する。フライアイイン
テグレータ134の後側焦点面に形成された多数の光源
像からの光束は、折り曲げミラー135およびリレーレ
ンズ136を介した後、レチクル13を重畳的に照明す
る。
【0069】なお、第4実施例では、投影光学系内にブ
ラインド65を配置する構成としているが、当然に照明
光学系内においてプレートまたはレチクルとほぼ共役な
位置にレチクルブラインドを配置してもよい。この場
合、ブラインドの駆動系を投影光学系の外部に設けるこ
とができるため、駆動系による振動等の影響を投影光学
系に与えずに済むという利点がある。
ラインド65を配置する構成としているが、当然に照明
光学系内においてプレートまたはレチクルとほぼ共役な
位置にレチクルブラインドを配置してもよい。この場
合、ブラインドの駆動系を投影光学系の外部に設けるこ
とができるため、駆動系による振動等の影響を投影光学
系に与えずに済むという利点がある。
【0070】なお、上述の各実施例では、デバイスパタ
ーンの画面継ぎ露光に際して隣り合う単位露光領域を一
部重複させているが、隣り合う単位露光領域を正確に隣
接させることにより重複のない画面合成を行うこともで
きる。また、上述の各実施例では、4つのパターン部分
領域を順次用いて1つのデバイスのパターンを形成した
後に、再び4つのパターン部分領域を順次用いて次のデ
バイスのパターンを形成している。しかしながら、たと
えば第1パターン部分領域を用いて4つのデバイスの第
1単位露光領域を順次露光した後に、第2パターン部分
領域を用いて4つのデバイスの第2単位露光領域を順次
露光し、この露光動作を第3単位露光領域および第4単
位露光領域に対して繰り返すこともできる。また、必要
に応じて、露光の順序をさらに変更することもできる。
ーンの画面継ぎ露光に際して隣り合う単位露光領域を一
部重複させているが、隣り合う単位露光領域を正確に隣
接させることにより重複のない画面合成を行うこともで
きる。また、上述の各実施例では、4つのパターン部分
領域を順次用いて1つのデバイスのパターンを形成した
後に、再び4つのパターン部分領域を順次用いて次のデ
バイスのパターンを形成している。しかしながら、たと
えば第1パターン部分領域を用いて4つのデバイスの第
1単位露光領域を順次露光した後に、第2パターン部分
領域を用いて4つのデバイスの第2単位露光領域を順次
露光し、この露光動作を第3単位露光領域および第4単
位露光領域に対して繰り返すこともできる。また、必要
に応じて、露光の順序をさらに変更することもできる。
【0071】さらに、上述の各実施例では、1枚のレチ
クルのパターン領域に4つのパターン部分領域を形成
し、各パターン部分領域のパターンを1つのデバイスの
4つの単位露光領域の各々に順次露光している。しかし
ながら、1つのデバイスパターンを構成する単位露光領
域の数、レチクルの枚数、および1枚のレチクルのパタ
ーン領域に形成するパターン部分領域の数は各実施例に
限定されることなく本発明の範囲内において様々な変形
例が可能である。
クルのパターン領域に4つのパターン部分領域を形成
し、各パターン部分領域のパターンを1つのデバイスの
4つの単位露光領域の各々に順次露光している。しかし
ながら、1つのデバイスパターンを構成する単位露光領
域の数、レチクルの枚数、および1枚のレチクルのパタ
ーン領域に形成するパターン部分領域の数は各実施例に
限定されることなく本発明の範囲内において様々な変形
例が可能である。
【0072】また、上述の各実施例では、レチクル13
のパターン領域PAにおいて、4つのパターン部分領域
PA1〜PA4が互いに一部重複するように形成されて
いる。製造すべきデバイスの中央部に規則正しい繰り返
しパターンが存在する場合、各実施例のレチクル構成は
レチクル自体のサイズを小さく抑える上で有利である。
実際に、所定の描画精度を確保するには、レチクルのサ
イズを5インチ角〜9インチ角程度に抑えることが現状
では好ましい。また、半導体製造装置用に大量に出回っ
ている5インチ角〜9インチ角程度のサイズのレチクル
を使用することが、レチクルの製造コストの観点からも
好ましい。
のパターン領域PAにおいて、4つのパターン部分領域
PA1〜PA4が互いに一部重複するように形成されて
いる。製造すべきデバイスの中央部に規則正しい繰り返
しパターンが存在する場合、各実施例のレチクル構成は
レチクル自体のサイズを小さく抑える上で有利である。
実際に、所定の描画精度を確保するには、レチクルのサ
イズを5インチ角〜9インチ角程度に抑えることが現状
では好ましい。また、半導体製造装置用に大量に出回っ
ている5インチ角〜9インチ角程度のサイズのレチクル
を使用することが、レチクルの製造コストの観点からも
好ましい。
【0073】しかしながら、たとえば製造すべきデバイ
スの中央部に規則正しい繰り返しパターンが存在しない
場合や、デバイスのオンオフを行う周辺部のドライバー
回路などに規則正しい繰り返しパターンが存在しない場
合には、4つのパターン部分領域PA1〜PA4が互い
に正確に隣接するようにレチクル13のパターン領域P
Aを形成することもできる。また、一般に、レチクルの
パターン領域において複数のパターン部分領域を間隔を
隔てて形成することもできる。いずれにしても、従来技
術ではレチクルのパターン領域全体の大きさが投影光学
系の物体側視野によって規定されるが、本発明ではパタ
ーン部分領域の大きさが投影光学系の物体側視野によっ
て規定されるので、投影光学系の視野を最大限に利用す
ることができる。また、以上の各実施例において、比較
的小さなサイズのレチクル13を用いたとしても感光性
基板17上に大きなサイズのデバイスパターンを形成す
るには、複数の単位露光領域の合成によって感光性基板
に形成されるデバイスパターンの大きさ(サイズまたは
面積等)よりもレチクルの大きさ(サイズまたは面積
等)が小さいことが好ましい。
スの中央部に規則正しい繰り返しパターンが存在しない
場合や、デバイスのオンオフを行う周辺部のドライバー
回路などに規則正しい繰り返しパターンが存在しない場
合には、4つのパターン部分領域PA1〜PA4が互い
に正確に隣接するようにレチクル13のパターン領域P
Aを形成することもできる。また、一般に、レチクルの
パターン領域において複数のパターン部分領域を間隔を
隔てて形成することもできる。いずれにしても、従来技
術ではレチクルのパターン領域全体の大きさが投影光学
系の物体側視野によって規定されるが、本発明ではパタ
ーン部分領域の大きさが投影光学系の物体側視野によっ
て規定されるので、投影光学系の視野を最大限に利用す
ることができる。また、以上の各実施例において、比較
的小さなサイズのレチクル13を用いたとしても感光性
基板17上に大きなサイズのデバイスパターンを形成す
るには、複数の単位露光領域の合成によって感光性基板
に形成されるデバイスパターンの大きさ(サイズまたは
面積等)よりもレチクルの大きさ(サイズまたは面積
等)が小さいことが好ましい。
【0074】また、上述の各実施例では、屈折型の投影
光学系または正立像を形成する屈折反射型の投影光学系
を用いているが、いわゆるオフナー型の一回結像方式の
反射光学系などを投影光学系として用いることもでき
る。さらに、上述の各実施例では、液晶表示素子を製造
する露光方法および露光装置に本発明を適用している
が、半導体素子を製造する露光方法および露光装置に対
して本発明を適用することもできる。
光学系または正立像を形成する屈折反射型の投影光学系
を用いているが、いわゆるオフナー型の一回結像方式の
反射光学系などを投影光学系として用いることもでき
る。さらに、上述の各実施例では、液晶表示素子を製造
する露光方法および露光装置に本発明を適用している
が、半導体素子を製造する露光方法および露光装置に対
して本発明を適用することもできる。
【0075】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
1つのデバイスパターンの画面継ぎ露光に際して必要な
レチクルの枚数を大幅に低減することができるので、レ
チクルの交換速度を増大させたり投影光学系を大型化す
ることなく、スループットを向上させることができる。
また、デバイスの切り替え時間を短縮することができ
る。さらに、1つのデバイスパターンに要するレチクル
のコストを低減し、ひいては露光装置のランニングコス
トを低減することができる。加えて、レチクル間の線幅
精度のばらつきに起因する画面合成精度の低下を良好に
回避することができ、高精度なデバイスを製造すること
が可能となる。
1つのデバイスパターンの画面継ぎ露光に際して必要な
レチクルの枚数を大幅に低減することができるので、レ
チクルの交換速度を増大させたり投影光学系を大型化す
ることなく、スループットを向上させることができる。
また、デバイスの切り替え時間を短縮することができ
る。さらに、1つのデバイスパターンに要するレチクル
のコストを低減し、ひいては露光装置のランニングコス
トを低減することができる。加えて、レチクル間の線幅
精度のばらつきに起因する画面合成精度の低下を良好に
回避することができ、高精度なデバイスを製造すること
が可能となる。
【図1】本発明の第1実施例にかかる露光装置の構成を
概略的に示す図である。
概略的に示す図である。
【図2】第1実施例にかかる露光装置の構成を立体的に
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図3】第1実施例においてレチクルステージ上に載置
されたレチクルと投影光学系の物体側視野との関係を示
す図である。
されたレチクルと投影光学系の物体側視野との関係を示
す図である。
【図4】第1実施例において用いられるレチクルのパタ
ーン領域の構成を概略的に示す図であって、(a)はレ
チクルのパターン領域の全体を示し、(b)は各単位露
光領域への露光に際して使用されるパターン部分領域を
示している。
ーン領域の構成を概略的に示す図であって、(a)はレ
チクルのパターン領域の全体を示し、(b)は各単位露
光領域への露光に際して使用されるパターン部分領域を
示している。
【図5】1枚のレチクルのパターン領域に形成された4
つのパターン部分領域を用いた画面継ぎ露光によりプレ
ート上に形成されるデバイスパターンの構成を示す図で
ある。
つのパターン部分領域を用いた画面継ぎ露光によりプレ
ート上に形成されるデバイスパターンの構成を示す図で
ある。
【図6】本発明の第2実施例にかかる露光装置の構成を
概略的に示す斜視図である。
概略的に示す斜視図である。
【図7】図6のレチクルブラインド65の要部構成を示
す図である。
す図である。
【図8】本発明の第3実施例にかかる露光装置の構成を
概略的に示す図である。
概略的に示す図である。
【図9】本発明の第4実施例にかかる露光装置の構成を
概略的に示す図である。
概略的に示す図である。
1 光源 2 楕円反射鏡 3 ミラー 4 シャッター 5 コレクターレンズ 6 波長選択フィルター 7 フライアイインテグレータ 8 開口絞り 9 リレーレンズ 10 レチクルブラインド 11 ブラインドリレー系 12 ミラー 13 レチクル 14 レチクルステージ 15 レチクル干渉計 16 投影光学系 17 プレート 18 プレートステージ 19 プレート干渉計 20 レチクルアライメント系 21 プレートアライメント系 22 オートフォーカス系 23 ステージ制御系 61 第1フライアイインテグレータ 62 第1リレーレンズ 63 第2フライアイインテグレータ 64 第2リレーレンズ 65 レチクルブラインド
Claims (4)
- 【請求項1】 所望の合成パターンを得るために、投影
光学系を用いて感光性基板に互いに隣り合う複数の単位
露光領域を形成する露光方法において、 前記投影光学系の物体側視野よりも大きいパターン領域
を有するレチクルを前記投影光学系の物体面に設定する
レチクル設定工程と、 前記投影光学系の物体面に設定された前記レチクルの前
記パターン領域の一部を構成する第1パターン部分領域
を前記投影光学系に対して位置決めする第1位置決め工
程と、 前記第1位置決め工程後において、前記第1パターン部
分領域に形成されたパターンを前記複数の単位露光領域
のうちの第1単位露光領域に露光する第1露光工程と、 前記パターン領域の一部を構成するパターン部分領域で
あって前記第1パターン部分領域とは異なる第2パター
ン部分領域を前記投影光学系に対して位置決めするため
に前記投影光学系に対して前記レチクルを相対的に移動
させる第2位置決め工程と、 前記第2位置決め工程後において、前記第2パターン部
分領域に形成されたパターンを前記複数の単位露光領域
のうちの前記第1単位露光領域と隣り合う第2単位露光
領域に露光する第2露光工程とを含むことを特徴とする
露光方法。 - 【請求項2】 前記レチクルの前記パターン領域におい
て、前記第1パターン部分領域と前記第2パターン部分
領域とは互いに一部重複していることを特徴とする請求
項1に記載の露光方法。 - 【請求項3】 前記感光性基板上において、前記第1単
位露光領域と前記第2単位露光領域とは互いに一部重複
し、 前記第1露光工程および前記第2露光工程は、前記第1
単位露光領域と前記第2単位露光領域との間で重複した
重複露光領域での露光量と該重複露光領域以外の非重複
露光領域での露光量とをほぼ等しくするために、各単位
露光領域への露光に際して前記重複露光領域への露光量
分布を調整する工程を有することを特徴とする請求項1
または2に記載の露光方法。 - 【請求項4】 感光性基板に単位露光領域を形成するた
めの投影光学系を備え、所望の合成パターンを得るため
に、前記感光性基板に互いに隣り合う複数の単位露光領
域を形成する露光装置において、 前記投影光学系の物体側視野よりも大きいパターン領域
を有するレチクルを保持して移動するレチクルステージ
と、 前記レチクルステージの移動を制御するステージ制御系
とを備え、 前記ステージ制御系は、前記パターン領域の一部を構成
する第1パターン部分領域に形成されたパターンを前記
複数の単位露光領域のうちの第1単位露光領域に露光す
るために前記レチクルの前記第1パターン部分領域を前
記投影光学系に対して位置決めし、前記パターン領域の
一部を構成するパターン部分領域であって前記第1パタ
ーン部分領域とは異なる第2パターン部分領域に形成さ
れたパターンを前記複数の単位露光領域のうちの前記第
1単位露光領域と隣り合う第2単位露光領域に露光する
ために前記レチクルを移動させて前記レチクルの前記第
2パターン部分領域を前記投影光学系に対して位置決め
することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126592A JP2000321784A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 露光方法および露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11126592A JP2000321784A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 露光方法および露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000321784A true JP2000321784A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=14939008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11126592A Pending JP2000321784A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 露光方法および露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000321784A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005107504A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-04-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 露光マスク、これを含む露光装置及びこれを利用した表示装置用表示板の製造方法 |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP11126592A patent/JP2000321784A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005107504A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-04-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 露光マスク、これを含む露光装置及びこれを利用した表示装置用表示板の製造方法 |
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