JP2000321449A - 導波路型光合分波回路チップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光導波路を横切るように挿入されたフィルタ
チップ入り導波路型光合分波回路チップにおいて、光導
波路に入力する高次モードがフィルタチップの特性を劣
化させ、またフィルタチップ挿入部で発生する高次モー
ドが、出力伝搬モードの特性を不安定にし、さらに該高
次モードはフィルタチップで反射し後方散乱光として戻
り、反射減衰量を劣化させるという課題があった。 【解決手段】 光導波路を横切るように挿入されたフィ
ルタチップ４入り導波路型光合分波回路チップ８におい
て、フィルタチップ挿入部の前後の光導波路１、２Ａ、
２Ｂに伝搬モード安定化領域５を設ける構成により前述
の高次モードを除去し、安定したフィルタ入り導波路型
光合分波回路チップ８を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムに
用いられる光導波路の途中に該光導波路を横切るように
フィルタチップが挿入されている導波路型光合分波回路
チップに関し、更に詳しくは前記フィルタチップ挿入部
近傍の前後の光導波路に伝搬モード安定化領域を配置す
ることにより、フィルタ特性の安定化改善を図った導波
路型光合分波回路チップに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】高速かつ大容量である光通信システムを
高信頼性・低コストで実現するためには、例えば光波長
多重伝送システム等において、局から出ていく光信号あ
るいは局に入ってくる光信号を合分波する光合分波器、
各加入者宅からの光信号を合波する光合波器あるいは光
線路を監視するために光信号と監視光を合波あるいは分
波する光合分波器等の開発が必要である。

【０００３】前記光合分波器用の光合分波回路チップ
は、大別してファイバ型光合分波回路チップと導波路型
光合分波回路チップの２種類がある。ファイバ型光合分
波回路チップは、光ファイバそのものを溶融・延伸して
作製されるため低損失であることが利点であるが、再現
性が低い、量産性が困難、寸法が大きいといった欠点が
ある。一方、導波路型光合分波回路チップは半導体製造
工程で使用されているフォトリソグラフィ技術を利用す
るもので、光導波回路パターンを設計通り高精度に加工
でき、再現性が良く、更に量産性・小型化に適してい
る。また導波路型光合分波回路チップは多様な目的に合
わせて回路設計することが可能なため、経済的な光通信
システムを実現するものとして期待されている。

【０００４】図３は従来の導波路型光合分波回路チップ
を説明する説明図である。図３に示す従来の導波路型光
合分波回路チップ７は、シリコン（Ｓｉ）基板１０の上
に下部クラッド層２０が形成され、その上にコアパター
ンが形成され（図示せず）さらに上部クラッド層が形成
されている（図示せず）埋込型光導波路層３０が形成さ
れている。導波路型光合分波回路チップ７にはフィルタ
チップ挿入用のスリット溝３が所定の位置に設けられて
いる。スリット溝３にはSWPF(Short Wavelength Pass F
ilter)型誘電体多層膜フィルタチップ４が挿入され、接
着固定されている。前記埋込型光導波路層３０には、光
導波路１がスリット溝３の一方の端面（図示されておら
ず）と導波路型光合分波回路チップ７の一方のチップ端
面A との間に形成されており、折返型光導波回路２の２
本の光導波路２A 、２B がスリット溝３の他方の端面
（図示されておらず）と導波路型光合分波回路チップ７
の他方のチップ端面B との間に形成されている。

【０００５】光導波路１の端面１a は導波路型光合分波
回路チップ７のチップ端面A に終端している。折返型光
導波回路２の２本の光導波路２A 、２B の端面２a 、２
b は導波路型光合分波回路チップ７のチップ端面B に終
端している。光導波路１の端面１a は1.31μm 光の入出
力ポート１a'であり、光導波路２A の端面２a は1.31μ
m 光の入・出力ポート２a'兼1.55μm 光の入力ポート２
a'である。光導波路２B の端面２b は1.55μm 光の出力
ポート２b'である。

【０００６】音声信号光である1.31μm 光は導波路型光
合分波回路チップ７のチップ端面Aの入力ポート１a'
（光導波路１の端面１a ）から入力し光導波路１を伝搬
し、多層膜フィルタチップ４を透過して、光導波路２A
を伝搬していき、導波路型光合分波回路チップ７のチッ
プ端面B の出力ポート２a'（光導波路２A の端面２a ）
に出力する。前記音声信号光1.31μm は、前述の入出力
方向とは逆に、導波路型光合分波回路チップ７のチップ
端面B の入力ポート２a'（光導波路２A の端面２a ）に
入力し光導波路２Ａを伝搬し、多層膜フィルタチップ4
を透過して、光導波路1 を伝搬していき、導波路型光合
分波回路チップ７のチップ端面A の出力ポート１a'（光
導波路1 の端面１a ）に出力する。一方、映像信号光で
ある1.55μm 光は、導波路型光合分波回路チップ７のチ
ップ端面B の入力ポート２a'（光導波路2Aの端面２a ）
から入力し光導波路２Ａを伝搬し、多層膜フィルタチッ
プ4 で反射して、光導波路２B を伝搬していき、導波路
型光合分波回路チップ７のチップ端面B の出力ポート２
b'（光導波路２B の端面２b ）に出力する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】光導波路の途中に光導
波路を横切るように多層膜フィルタチップ４が挿入され
た導波路型光合分波回路チップ７では、導波路型光合分
波回路チップ７とファイバとの接続部（図示されていな
い）での導波路型光合分波回路チップ７の導波路とファ
イバコアとの軸ずれに起因して発生する高次モードが導
波路型光合分波回路チップ７の光導波路に入力・伝搬
し、多層膜フィルタチップ４に入力する。この高次モー
ドの入力により多層膜フィルタチップ４の透過・反射特
性が劣化し、所望のフィルタ特性が得られない問題があ
る。また、多層膜フィルタチップ４挿入部では、スリッ
ト溝３加工面の粗さ状態、多層膜フィルタチップ４を固
定するための接着剤と導波路型光合分波回路チップ７の
導波路との屈折率不整合、多層膜フィルタチップ４の挿
入角度ずれ及び光の回折現象等に起因する散乱光が発生
する。前記散乱光の一部は、多層膜フィルタチップ４を
透過して高次モードとして光導波路に伝搬していき、出
力伝搬モードが劣化するという問題がある。さらに、多
層膜フィルタチップ４挿入部で発生する散乱光の一部
は、多層膜フィルタチップ４で反射して後方散乱光の高
次モードとして入力してきた光導波路に戻り、反射減衰
量が劣化するという問題がある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために成されたもので、特許請求項１記載の発
明は、光導波路を横切るようにフィルタチップが挿入さ
れている導波路型光合分波回路チップにおいて、前記フ
ィルタチップ挿入部近傍の前後の光導波路に伝搬モード
安定化領域が配置されている構成をもって課題を解決す
る手段とするものである。特許請求項２記載の発明は、
前記伝搬モード安定化領域として、膨らみを持たせた曲
線光導波路が配置されている構成をもって課題を解決す
る手段とするものである。さらに、特許請求項３記載の
発明は、前記伝搬モード安定化領域として、光導波路の
幅が所定の長さに亘って細くなっている光導波路が配置
されている構成をもって課題を解決する手段とするもの
である。

【０００９】フィルタチップ挿入部近傍の前後の光導波
路に、高次モードを放射し基本モードのみ伝搬する伝搬
モード安定化領域を配置することにより、高次モードの
伝搬を除去することができる。すなわち、高次モードの
フィルタチップへの入力によりフィルタチップの透過・
反射特性が劣化するが、フィルタチップ挿入部近傍の光
導波路に配置された伝搬モード安定化領域により高次モ
ードが除去され、該フィルタチップの透過・反射特性の
劣化を防止することができる。また、フィルタチップ挿
入部で発生する散乱光の一部は、フィルタチップを透過
して高次モードとして光導波路に伝搬していくが、フィ
ルタチップ挿入部近傍の光導波路に配置された伝搬モー
ド安定化領域により高次モードの放射が促進され、基本
モードのみが伝搬する安定した出力伝搬特性を得ること
ができる。更に、フィルタチップ挿入部で発生する散乱
光の一部はフィルタチップで反射して後方散乱光の高次
モードとして入力してきた光導波路に戻り伝搬していく
が、フィルタチップ挿入部近傍の光導波路に配置された
伝搬モード安定化領域で後方散乱光の高次モードの放射
が促進され、反射減衰量の劣化を抑えることが出来る。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に係る伝搬
モード安定化領域を配置する導波路型光合分波回路チッ
プ８の実施の形態の第一の実施例を説明する説明図であ
る。なお、前述した図３に対応する部分には、同一符号
を付けて示し詳細な説明は省略する。

【００１１】導波路型光合分波回路チップ８は、シリコ
ン（Ｓｉ）基板１０上に下部クラッド層２０が形成さ
れ、その上に埋込型光導波路層３０が形成されている
（図１では省略されており、図３参照）。導波路型光合
分波回路チップ８の所定の位置にフィルタチップ挿入用
のスリット溝３が加工されており、このスリット溝３内
にSWPF型誘電体多層膜フィルタチップ４が挿入され、接
着固定されている。埋込型光導波路層３０には、光導波
路１がスリット溝３の一方の端面（図示されておらず）
と導波路型光合分波回路チップ８の一方のチップ端面A
との間に形成されている。また折返型光導波回路２の2
本の光導波路２A 、２B はスリット溝３の他方の端面
（図示されておらず）と導波路型光合分波回路チップ８
の他方のチップ端面B との間に形成されている。導波路
型光合分波回路チップ８の一方のチップ端面A には光導
波路１の端面１a が終端されており、該導波路型光合分
波回路チップ８の他方のチップ端面B には光導波路２A
、２B のそれぞれの端面２a 、２b が終端されてい
る。なお、光導波路１、２Ａ、２Ｂの断面寸法は７μmx
７μm に形成されている。

【００１２】前記多層膜フィルタチップ４挿入部近傍の
前後の光導波路１、２A 、２B には、曲率半径約１５mm
の円弧からなる膨らみを持たせた曲線光導波路５a 、５
b 、５c （図１中に丸で囲って示している部分）からな
る伝搬モード安定化領域５が設けられている。本実施例
では、曲線光導波路５a は導波路型光合分波回路チップ
８のチップ端面Ｄ側方向に膨らんでいる状態が示されて
おり、曲線光導波路５b 、５c はそれぞれ導波路型光合
分波回路チップ８のそれぞれのチップ端面Ｃ、Ｄ側方向
に膨らんでいる状態が示されている。膨らみの方向は上
記に限定されるものではない。

【００１３】導波路型光合分波回路チップ８の一方のチ
ップ端面A の光導波路端面１a は1.31μm 光の入出力ポ
ート１a'（光導波路端面１a と同一）である。導波路型
光合分波回路チップ８の他方のチップ端面B の光導波路
端面２a は1.31μm 光の入・出力ポート２a'兼1.55μm
光の入力ポート２a'（それぞれ光導波路端面２a と同
一）である。また、チップ端面B の光導波路端面２b は
1.55μm 光の出力ポート２b'（光導波路端面２b と同
一）である。

【００１４】音声信号光である1.31μm 光は導波路型光
合分波回路チップ８の一方のチップ端面A の入力ポート
１a'（光導波路１の端面１a ）から入力し光導波路１を
伝搬し、曲線光導波路５a を伝搬した後、多層膜フィル
タチップ４を透過して、曲線光導波路５b を伝搬し、光
導波路２Ａを伝搬していき、導波路型光合分波回路チッ
プ８のチップ端面B の出力ポート２a'（光導波路２A の
端面２a ）に出力する。前記音声信号光の1.31μm 光
は、前述の入出力方向とは逆に、入力ポート２a'（光導
波路２A の端面２a ）に入力し光導波路２Ａを伝搬し、
曲線光導波路５bを伝搬した後、多層膜フィルタチップ4
を透過して、曲線光導波路５a を伝搬し、光導波路１
を伝搬していき、チップ端面A の出力ポート１a'（光導
波路1 の端面１a ）に出力する。一方、映像信号光であ
る1.55μm 光はチップ端面B の入力ポート２a'（光導波
路2Aの端面２a ）から入力し光導波路２Ａを伝搬し、曲
線光導波路５b を伝搬した後、多層膜フィルタチップ4
で反射して、曲線光導波路５c を伝搬し、光導波路２Ｂ
を伝搬していき、チップ端面B の出力ポート２b'（光導
波路２B の端面２b ）に出力する。

【００１５】導波路型光合分波回路チップ８とファイバ
との接続部分での導波路とファイバコアとの軸ずれ（図
示していない）に起因して高次モードが発生する。この
高次モードは導波路型光合分波回路チップ８の光導波路
１あるいは２Ａに入力していく。本実施例では、多層膜
フィルタチップ４近傍の前後の光導波路１及び２Ａに配
置されている伝搬モード安定化領域５で高次モードが除
去され、高次モードが多層膜フィルタチップ４へ入力す
るのが防がれる。その結果、多層膜フィルタチップ４は
設計通りの所望のフィルタの透過・反射特性を維持出来
る。また、多層膜フィルタチップ４挿入部分では、前述
した通り散乱光が発生する。この散乱光の一部は多層膜
フィルタチップ４を透過して、高次モードとして光導波
路に伝搬するが、伝搬モード安定化領域５が多層膜フィ
ルタチップ４挿入部近傍の前後の光導波路１、２Ａ、２
Ｂに配置されているので、該伝搬モード安定化領域５で
高次モードの放射が促進され、基本モードのみが光導波
路１、２Ａ、２Ｂを伝搬していき良好な出力伝搬特性が
得られる。更に、多層膜フィルタチップ４挿入部分で発
生する散乱光の一部は、多層膜フィルタチップ４で反射
し後方散乱光の高次モードとして入力してきた光導波路
に戻り伝搬していくが、本発明では多層膜フィルタチッ
プ４挿入部近傍の前後の光導波路１、２Ａ、２Ｂに配置
されている伝搬モード安定化領域５で、後方散乱光の高
次モードの放射が促進され、反射減衰量の劣化が抑えら
れる。

【００１６】伝搬モード安定化領域５は、多層膜フィル
タチップ４挿入位置より約500 μmの位置から約2500μm
の位置に亘って配置されている。多層膜フィルタチッ
プ４挿入部で発生する散乱光は、多層膜フィルタチップ
４挿入部近傍で光パワーが最も強く多層膜フィルタチッ
プ４の透過光、反射光として光導波路１、２Ａ、２Ｂに
高次モードとして結合してしまうため、早い段階で完全
に除去するのが好適である。好ましくは挿入位置から数
1000μm 程度以内で高次モードを除去するのが好まし
い。

【００１７】以上の結果、本発明により導波路型光合分
波回路チップ８として所望の安定した特性が得られるこ
とになる。また、曲線光導波路５a 、５b 、５ｃを用い
た伝搬モード安定化方法は、伝搬モード安定化領域５そ
のものを光導波路として利用できることが小型化を維持
出来る特徴点でもある。

【００１８】図２には、本発明に係る伝搬モード安定化
領域を配置する実施の形態の第２の実施例が示されてお
り、図２の（ａ）は、本発明に係る伝搬モード安定化領
域を配置する実施の形態の第２の実施例を説明する説明
図であり、図２の（ｂ）は、伝搬モード安定化領域を拡
大して説明する説明図である。なお、前述した図１およ
び図３に対応する部分には、同一符号を付けて示し詳細
な説明は省略する。

【００１９】図２の（ａ）に示す導波路型光合分波回路
チップ９は、シリコン（Ｓｉ）基板１０上に下部クラッ
ド層２０が形成され、その上に埋込型光導波路層３０が
形成されている（図２の（ａ）には示されておらず、図
３参照）。導波路型光合分波回路チップ９の所定の位置
にフィルタチップ挿入用のスリット溝３が加工されてお
り、このスリット溝３内に多層膜フィルタチップ４とLW
PF（Long WavelengthPass Filter ）型誘電体多層膜フ
ィルタチップ４a が挿入されている。

【００２０】埋込型光導波路層３０には、光導波路１、
２B がそれぞれ多層膜フィルタチップ４及び多層膜フィ
ルタチップ４a と対向するスリット溝３の一方の端面
（図示されておらず）と導波路型光合分波回路チップ９
の一方のチップ端面A との間に形成されている。また、
マッハツェンダ型光干渉計の光導波回路の２本の光導波
路２A 、２C が、それぞれ多層膜フィルタチップ４及び
多層膜フィルタチップ４a と対向するスリット溝３の他
方の端面（図示されておらず）と導波路型光合分波回路
チップ９の他方のチップ端面B との間に形成されてい
る。導波路型光合分波回路チップ９の一方のチップ端面
A には光導波路１、２B の端面１a 、２b が終端されて
おり、導波路型光合分波回路チップ９の他方のチップ端
面Ｂには光導波路２A 、２C の端面２a 、２c が終端さ
れている。なお、光導波路の断面寸法は８μm x ８μm
に形成されている。

【００２１】光導波路の幅が所定の長さに亘って細くな
った導波路６a 、６b 、６c 、６d（図２の（ａ）中に
丸で囲っている部分）からなる伝搬モード安定化領域６
は、導波路型光合分波回路チップ９の多層膜フィルタチ
ップ４及び４a 挿入部近傍の前後の光導波路１、２Ｂ、
２Ａ、２Ｃに形成されている。図２（ｂ）には、伝搬モ
ード安定化領域５を拡大して示しており、光導波路の幅
が約６μm で長さが約８００μm の光導波路の幅が細く
なった導波路６a 、６b 、６c 、６d の１つを示してい
る。

【００２２】導波路型光合分波回路チップ９の一方のチ
ップ端面A には1.31μm 光の入出力ポート１a'（光導波
路１A の端面１a と同一）と1.55μm 光の出力ポート２
b'（光導波路２B の端面２b と同一）がある。導波路型
光合分波回路チップ９の他方のチップ端面B には1.31μ
m 光の入・出力ポート２a'（光導波路２A の端面２aと
同一）兼1.55μm 光の入力ポート２a'（光導波路２A の
端面２a と同一）がある。

【００２３】音声信号光の1.31μm 光は、導波路型光合
分波回路チップ９の一方のチップ端面A の入力ポート１
a'から入力し光導波路１A を伝搬し、光導波路の幅が細
くなった光導波路６a を伝搬した後、多層膜フィルタチ
ップ４を透過して、光導波路の幅が細くなった光導波路
６c を伝搬し、光導波路２A を伝搬していき出力ポート
２a'から出力する。前記音声信号光の1.31μm 光は、前
述の入出力方向とは逆に、入力ポート２a'から入力し光
導波路２A を伝搬し、光導波路の幅が細くなった光導波
路６c を伝搬した後、多層膜フィルタチップ４を透過し
て、光導波路の幅が細くなった光導波路６a を伝搬し、
光導波路１A を伝搬していき出力ポート１a'から出力す
る。

【００２４】一方、映像信号光の1.55μm 光は入力ポー
ト２a'から入力し光導波路２A を伝搬し、マッハツェン
ダ型光干渉計導波回路の結合部２' において光導波路２
A から光導波路２C に結合していき、光導波路２C を伝
搬し、光導波路の幅が細くなった光導波路６d を伝搬し
た後、、多層膜フィルタチップ４a を透過して、光導波
路の幅が細くなった光導波路６b を伝搬し、光導波路２
B を伝搬していき出力ポート２b'から出力する。

【００２５】光導波路の幅が所定の長さに亘って細い光
導波路である伝搬モード安定化領域６を多層膜フィルタ
チップ４、４a 挿入部近傍の前後のそれぞれの光導波路
に配置することにより、光導波路を伝搬してきた高次モ
ードを伝搬モード安定化領域６で除去し、多層膜フィル
タチップ４、４a へ入力することを防止できるので、フ
ィルタ透過・反射特性を安定させることができる。ま
た、多層膜フィルタチップ４、４a 挿入部近傍の前後の
それぞれの光導波路に伝搬モード安定化領域６を配置す
ることによって、フィルタ挿入部分で発生する散乱光に
起因した高次モードが多層膜フィルタチップ４、４a を
透過して光導波路に伝搬する前に除去することができる
ので、導波路型光合分波回路チップ９の出力伝搬特性の
劣化を防止することができる。

【００２６】さらに、多層膜フィルタチップ４、４a 挿
入部で発生する散乱光の一部は多層膜フィルタチップ
４、４a で反射し、後方散乱光の高次モードとして入力
してきた光導波路に戻るが、多層膜フィルタチップ４、
４a 挿入部の前後のそれぞれの光導波路に伝搬モード安
定化領域６を配置しており、該後方散乱光の高次モード
の放射が促進し、反射減衰量の劣化を抑えることができ
る。

【００２７】伝搬モード安定化領域６はフィルタ挿入位
置より約1000μm の位置から約1800μm の位置に配置さ
れている。伝搬モード安定化領域の効果を最大限引き出
すためには、フィルタ挿入位置に接している位置が望ま
しいが、フィルタ挿入用のスリット溝３の加工にマージ
ンを見込む必要があり、約1000μm 程度の余裕を持たせ
ている。

【００２８】以上の結果、本発明により導波路型光合分
波回路チップ９として所望の安定した特性が得られる。
また、光導波路の幅の細い光導波路を伝搬モード安定化
領域６として用いる方法は、比較的狭い領域で効率よく
伝搬モードを安定化できることも特徴の１つである。

【００２９】上記実施の形態の２つの実施例では、波長
帯域を記載したが、本発明は２つの実施例の波長範囲の
みに限定されるものではなく、任意の波長のフィルタ特
性に適用できる。また、フィルタとして誘電体多層膜フ
ィルタを用いたが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、バルク型結晶を用いたフィルタであってもその他
のフィルタであってもよく、その効果は全く変わらな
い。

【００３０】また、実施の形態の第１の実施例におい
て、伝搬モード安定化領域５として所定の円弧を有した
曲線光導波路を用いたが、本発明はこれに限定されるも
のではない。基本モードのみを伝搬できるような曲線形
状であればよく、例えば、三角関数、指数関数、対数関
数や高次関数等の曲線形状を用いてもよく、その効果は
変わらない。

【００３１】さらに、光導波路の構造パラメータについ
ても、２つの実施例に記載の値に限定されるものではな
く、光導波路として単一モード伝搬の光導波路であれば
よく、本発明の効果は変わらない。また、本発明は石英
系光導波路に限定されるものではなく、他の光導波路材
料、例えば、高分子ガラス導波路系やニオブ酸リチウム
導波路系にも十分適用できる。

【００３２】

【発明の効果】本発明では、光導波路を横切るようにフ
ィルタチップが挿入されている導波路型光合分波回路チ
ップにおいて、前記フィルタチップ挿入部近傍の前後の
光導波路に伝搬モード安定化領域が配置されているた
め、高次モードを放射させることができる構成となって
いる。すなわち、フィルタチップに入力する高次モード
をフィルタチップに入力する前に伝搬モード安定化領域
で除去でき、フィルタチップの透過・反射特性劣化を防
止することができる。また、フィルタチップ挿入部で発
生する散乱光の一部がフィルタチップを透過して高次モ
ードとして光導波路に伝搬していく前に伝搬モード安定
化領域で除去でき、基本モードのみ伝搬する安定した出
力伝搬特性が得られる。さらに、フィルタチップ挿入部
で発生する散乱光の一部がフィルタチップで反射し、後
方散乱光の高次モードとして入力してきた光導波路に戻
るが、光導波路に伝搬する前に伝搬モード安定化領域で
除去でき、反射減衰量の劣化を抑制することができる。
以上のように、導波路型光合分波回路チップに挿入した
フィルタチップ近傍の前後の光導波路に伝搬モード安定
化領域を配置することにより、導波路型光合分波回路チ
ップの所望の特性を安定して得ることができるという優
れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る導波路型光合分波回路チップの実
施の形態の第１の実施例を説明する説明図である。

【図２】本発明に係る導波路型光合分波回路チップの実
施の形態の第２の実施例を説明する説明図である。

【図３】従来の導波路型光合分波回路チップの説明図で
ある。

【符号の説明】 １ 1.31μm 光の入出力光導波路 ２A 1.31μm 光の入出力光導波路兼
1.55μm 光の入力光導波路 ２B 1.55μm 光の出力光導波路 ４ SWPF型誘電体多層膜フィルタチ
ップ ４a LWPF 型誘電体多層膜フィルタ
チップ ５、６ 伝搬モード安定化領域 ５a 、５b 、５c 膨らみを持たせた曲線光導波
路 ６a 、６b 、６c 、６d 光導波路の幅が細くなった光
導波路 ８、９ 導波路型光合分波回路チップ

フロントページの続き (72)発明者 中村 史朗 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H047 KA04 KA12 KB04 KB10 LA11 LA18 RA00 TA00

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光導波路を横切るようにフィルタチップ
   が挿入されている導波路型光合分波回路チップにおい
   て、前記フィルタチップ挿入部近傍の前後の光導波路に
   伝搬モード安定化領域が配置されていることを特徴とす
   る導波路型光合分波回路チップ。
2. 【請求項２】 前記伝搬モード安定化領域として、膨ら
   みを持たせた曲線光導波路が配置されていることを特徴
   とする請求項１に記載の導波路型光合分波回路チップ。
3. 【請求項３】 前記伝搬モード安定化領域として、光導
   波路の幅が所定の長さに亘って細くなっている光導波路
   が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の導
   波路型光合分波回路チップ。