JP2000317788A - Polishing method for outer circumference of work and polishing device - Google Patents

Polishing method for outer circumference of work and polishing device

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JP2000317788A
JP2000317788A JP11123402A JP12340299A JP2000317788A JP 2000317788 A JP2000317788 A JP 2000317788A JP 11123402 A JP11123402 A JP 11123402A JP 12340299 A JP12340299 A JP 12340299A JP 2000317788 A JP2000317788 A JP 2000317788A
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徹 千賀
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently polish the outer circumference of a disc shaped work with high accuracy. SOLUTION: A polishing tool 12 having a recessed shape polishing surface 13 the outer circumference of which is polished such as a semi-conductor wafer, etc., is held by a work holding fixture 15 so as to be pressed onto the polishing surface 13. The polishing surface 13 corresponds to the polished surface at the outer circumference of the work W, so that the polishing surface 13 is mutually brought into contact with the whole surface of the polished surface of the work W. When the rotor 11 is drivingly rotated, the polished surface at the outer circumference of the work can be polished without rotating the work W.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウエハなど
の円板状ワークの外周を研磨する技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for polishing the outer periphery of a disk-shaped work such as a silicon wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路はシリコン製の半導体ウ
エハやガリウムヒ素などの化合物半導体ウエハの上に一
連の製造プロセスを経て形成され、半導体ウエハからチ
ップ片を切り出すことにより半導体集積回路装置つまり
半導体ディバイスが製造されている。
2. Description of the Related Art A semiconductor integrated circuit is formed on a semiconductor wafer made of silicon or a compound semiconductor wafer such as gallium arsenide through a series of manufacturing processes, and a chip is cut out from the semiconductor wafer to form a semiconductor integrated circuit device, that is, a semiconductor device. Are manufactured.

【0003】半導体集積回路装置を製造する際には、一
連の製造プロセス間で円板状のウエハを搬送したり位置
合わせが頻繁に起こり、ウエハの外周は搬送に用いる搬
送装置に接触することになる。ウエハの外周は研削によ
り面取り加工がなされてチャンファ面が形成されるとと
もに外周面が研削加工されるが、研削面は表面が粗いた
め、接触時に外周に加わる応力が研削加工された面の凹
凸部に作用し、凹凸部を起点としてクラックが発生する
ことがある。このクラックがウエハ搬送中にワレや欠け
の原因となり、ウエハの歩留りを低下させてしまう。ま
た、ウエハの外周に凹凸部があると、その部分にパーテ
ィクルつまり微粒子が付着する原因ともなることから、
ウエハの外周は研磨加工される。
In manufacturing a semiconductor integrated circuit device, a disk-shaped wafer is frequently transferred or aligned during a series of manufacturing processes, and the outer periphery of the wafer comes into contact with a transfer device used for transfer. Become. The outer periphery of the wafer is chamfered by grinding to form a chamfer surface and the outer peripheral surface is ground, but since the ground surface is rough, the stress applied to the outer periphery at the time of contact causes the unevenness of the ground surface , And cracks may be generated starting from the uneven portions. The cracks cause cracking or chipping during the transfer of the wafer, and lower the yield of the wafer. Also, if there is an uneven portion on the outer periphery of the wafer, particles or fine particles may adhere to that portion,
The outer periphery of the wafer is polished.

【0004】研磨加工はラッピングやポリッシングとも
言われ、たとえば、特開平5-23959号公報あるいは特開
平10-296641 号公報に示されるように、内周面に研磨布
が設けられたドラムや外周面に研磨パッドが設けられた
ドラムを用いて、これらのドラムの内周面または外周面
にウエハの外周を一部食い込ませるようにして接触させ
ながら、ドラムのみならずウエハをも回転させて研磨加
工を行うようにしている。
Polishing is also called lapping or polishing. For example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-23959 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-296641, a drum having a polishing cloth on the inner peripheral surface or an outer peripheral surface is disclosed. Using a drum provided with a polishing pad, the polishing process is performed by rotating not only the drum but also the wafer while bringing the inner or outer surface of these drums into contact with the drum so that the outer periphery of the wafer is partially cut into the drum. To do.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このように、ドラムの
内周面や外周面に設けられた研磨布や研磨パッドなどの
研磨具を用い、ドラムの回転中心軸に対して傾斜させて
ウエハを研磨具に斜めに押し当ててウエハの外周を接触
させながらウエハを回転させるようにした研磨加工方式
では、研磨具に接触するのは、ウエハの外周の一部分の
みであり、外周全体を研磨加工するにはウエハを回転さ
せる必要があり、加工能率を向上させることができず、
加工に時間がかかるという問題点がある。
As described above, the wafer is tilted with respect to the rotation center axis of the drum by using a polishing tool such as a polishing cloth or a polishing pad provided on the inner peripheral surface or the outer peripheral surface of the drum. In the polishing method in which the wafer is rotated while the wafer is in contact with the polishing tool obliquely so that the wafer is in contact with the outer circumference, only a part of the outer circumference of the wafer contacts the polishing tool, and the entire outer circumference is polished. It is necessary to rotate the wafer, and the processing efficiency cannot be improved.
There is a problem that processing takes time.

【0006】また、ウエハの外周を研磨具に埋め込んで
研磨加工するようにしているため、研削加工されたウエ
ハの外周のチャンファ面と外周面とにより形成されるエ
ッジ部の形状を崩してしまうことになるだけでなく、チ
ャンファ面のうち径方向内側部は外側部に比して接触が
不十分となるので、内側部には十分な研磨面が得られな
いという問題点がある。
Further, since the outer periphery of the wafer is buried in the polishing tool for polishing, the shape of the edge formed by the chamfer surface and the outer peripheral surface of the outer periphery of the ground wafer may be broken. In addition to the above, there is a problem that the radially inner portion of the chamfer surface has insufficient contact compared with the outer portion, so that a sufficient polished surface cannot be obtained on the inner portion.

【0007】本発明の目的は、半導体ウエハなどの円板
状のワークの外周を効率的に高精度で研磨加工し得るよ
うにすることにある。
An object of the present invention is to enable the outer periphery of a disk-shaped work such as a semiconductor wafer to be efficiently polished with high precision.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のワーク外周の研
磨方法は、円板状ワークの外周の被研磨面を研磨加工す
るワーク外周の研磨方法であって、前記被研磨面に対応
した研磨面を有し回転体に設けられた研磨具の前記研磨
面に前記ワークの外周を押圧するとともに、前記研磨具
を回転させることにより、前記ワークを回転させること
なく前記被研磨面を研磨加工し得るようにしたことを特
徴とする。
According to the present invention, there is provided a method for polishing an outer periphery of a work, which is a method for polishing an outer peripheral surface of a disk-shaped work. Pressing the outer periphery of the work against the polishing surface of the polishing tool provided on the rotating body and rotating the polishing tool, thereby polishing the polished surface without rotating the work. It is characterized in that it is obtained.

【0009】本発明の研磨方法は、円板状ワークの外周
の被研磨面を研磨加工するワーク外周の研磨方法であっ
て、前記被研磨面の全面に接触する研磨面を有し回転体
に設けられた研磨具の前記研磨面に前記ワークの外周を
押圧するとともに、前記研磨具を回転させることによ
り、前記ワークを回転させることなく前記被研磨面を研
磨加工し得るようにしたことを特徴とする。
The polishing method according to the present invention is a polishing method for polishing a peripheral surface of a disk-shaped work, the polishing method comprising: a polishing surface having a polishing surface in contact with the entire surface to be polished; By pressing the outer periphery of the work against the polishing surface of the provided polishing tool and rotating the polishing tool, the surface to be polished can be polished without rotating the work. And

【0010】本発明のワーク外周の研磨方法は、円板状
ワークの外周の被研磨面を研磨加工するワーク外周の研
磨方法であって、前記ワークの外周に形成されたチャン
ファ面の全面に接触する研磨面を有する回転体を回転さ
せながら、前記ワークの一方面側のチャンファ面を前記
研磨面に押圧して一方側のチャンファ面を研磨加工する
工程と、前記回転体を回転させながら前記ワークの他方
面側のチャンファ面を前記研磨面に押圧して他方側のチ
ャンファ面を研磨加工する工程と、前記ワークの外周面
に対応した凹面形状の研磨面が形成された研磨具を有す
る複数の研磨アームが設けられた回転体を回転させて前
記ワークの外周面に前記研磨具を押圧することにより前
記外周面を研磨加工する工程とを有し、前記チャンファ
面と前記外周面とを前記ワークを回転させることなく研
磨加工し得るようにしたことを特徴とする。
[0010] The method for polishing the outer periphery of a work according to the present invention is a method for polishing the outer periphery of a work to be polished on the outer peripheral surface of a disk-shaped work. Pressing a chamfer surface on one side of the work against the polishing surface while polishing the rotating body having a polishing surface to be polished, and polishing the chamfer surface on one side while rotating the rotating body. Pressing the chamfer surface on the other surface side against the polishing surface to polish the chamfer surface on the other side, and a plurality of polishing tools having a concave polishing surface corresponding to the outer peripheral surface of the work. Polishing the outer peripheral surface by rotating a rotating body provided with a polishing arm and pressing the polishing tool against the outer peripheral surface of the work, the chamfer surface and the outer peripheral surface Characterized by being adapted to be polished without rotating the workpiece.

【0011】本発明のワーク外周の研磨装置は、円板状
ワークの外周の被研磨面を研磨加工するワーク外周の研
磨装置であって、球面形状の凹面状の研磨面を有する研
磨具が設けられた回転体と、前記回転体を回転駆動する
駆動手段と、ワークを保持して前記ワークの外周のチャ
ンファ面を前記研磨面に押圧するワーク保持具とを有
し、前記チャンファ面の全面を前記研磨面に押圧させて
研磨加工するようにしたことを特徴とする。
The polishing apparatus for polishing the outer periphery of a work according to the present invention is a polishing apparatus for polishing an outer peripheral surface of a disk-shaped work, the polishing apparatus having a concave polishing surface having a spherical shape. A rotating body, a driving unit for rotating and driving the rotating body, and a work holder for holding a work and pressing a chamfer surface on an outer periphery of the work against the polishing surface. It is characterized in that polishing is performed by pressing against the polishing surface.

【0012】本発明のワーク外周の研磨装置は、円板状
ワークの外周の被研磨面を研磨加工するワーク外周の研
磨装置であって、前記ワークの外周のチャンファ面に対
応した傾斜角度のチャンファ研磨面を有する研磨具が設
けられた回転体と、前記回転体を回転駆動する駆動手段
と、ワークを保持して前記チャンファ面を前記チャンフ
ァ研磨面に押圧するワーク保持具とを有し、前記チャン
ファ面の全面を前記チャンファ研磨面に押圧させて研磨
加工するようにしたことを特徴とする。
An apparatus for polishing an outer periphery of a work according to the present invention is a polishing apparatus for polishing an outer peripheral surface of a disk-shaped work, the chamfer having an inclination angle corresponding to a chamfer surface on the outer periphery of the work. A rotating body provided with a polishing tool having a polishing surface, a driving unit for rotationally driving the rotary body, and a work holding tool for holding a work and pressing the chamfer surface against the chamfer polishing surface, It is characterized in that the entire chamfer surface is pressed against the chamfer polishing surface for polishing.

【0013】本発明のワーク外周の研磨装置は、円板状
ワークの外周の被研磨面を研磨加工するワーク外周の研
磨装置であって、凹面形状の研磨面を有する研磨具が設
けられた複数の研磨アームを支持ピンを中心に回動自在
に支持する回転体と、前記回転体を回転駆動する駆動手
段と、前記複数の研磨アームにより形成される研磨ドラ
ム内に前記ワークを保持するワーク保持具と、前記研磨
具を前記ワークの外周から離反させる方向のばね力を付
勢するばね部材と、前記回転体を回転駆動したときにお
ける遠心力によって前記研磨具を前記ワークの外周に接
近させる重りとを有し、前記ワークの円弧状外周面を前
記複数の研磨アームによって同時に研磨加工するように
したことを特徴とする。
The polishing apparatus for polishing the outer periphery of a work according to the present invention is a polishing apparatus for polishing the outer peripheral surface of a disk-shaped work, the polishing apparatus having a polishing tool having a concave polishing surface. A rotating body that rotatably supports the polishing arm about a support pin, a driving unit that rotationally drives the rotating body, and a work holding that holds the work in a polishing drum formed by the plurality of polishing arms. Tool, a spring member for urging a spring force in a direction to separate the polishing tool from the outer periphery of the work, and a weight for bringing the polishing tool closer to the outer periphery of the work by centrifugal force when the rotating body is rotationally driven. Wherein the arc-shaped outer peripheral surface of the work is simultaneously polished by the plurality of polishing arms.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0015】図1(A)は円板状のワークWの一例であ
るシリコン製の半導体ウエハを示す平面図であり、この
ワークWの外周は円弧状部Rと、結晶方位や位置合わせ
を容易に行うための平坦なオリエンテーションフラット
つまりフラット部Fとを有している。このワークWはシ
リコンインゴットを所定の厚みで切断して形成された円
板状のウエハにフラット部Fを研削加工し、外周を研削
加工することにより形成され、円弧状部Rは図1(B)
に示すように外周面Raと、表裏両面側のチャンファ面
Rc1,Rc2とを有し、フラット部Fも同様に図1(C)
に示すように外周面Faと表裏両面側のチャンファ面F
c1、Fc2とを有している。
FIG. 1A is a plan view showing a semiconductor wafer made of silicon, which is an example of a disk-shaped work W. The outer periphery of the work W has an arcuate portion R, and the crystal orientation and alignment are easy. And a flat orientation flat or flat portion F. This work W is formed by grinding a flat portion F on a disk-shaped wafer formed by cutting a silicon ingot to a predetermined thickness and grinding the outer periphery, and the arc-shaped portion R is formed as shown in FIG. )
As shown in FIG. 1, the outer peripheral surface Ra and the chamfer surfaces Rc1 and Rc2 on both the front and back sides are provided, and the flat portion F is likewise shown in FIG.
As shown in the figure, the outer peripheral surface Fa and the chamfer surfaces F
c1 and Fc2.

【0016】図2は本発明のワークの研磨手順を示す工
程図であり、工程1から工程6の6つの研磨工程を有し
ている。まず、工程1ではワークWの円弧状部Rの一方
のチャンファ面Rc1を研磨し、工程2ではフラット部F
の一方のチャンファ面Fc1を研磨し、工程3ではフラッ
ト部Fの外周面Faを研磨し、工程4ではフラット部F
の他方のチャンファ面Fc2を研磨する。さらに、工程5
では円弧状部Rの他方のチャンファ面Rc2を研磨し、工
程6では円弧状部Rの外周面Raを研磨している。
FIG. 2 is a process chart showing a procedure for polishing a work according to the present invention, and has six polishing steps 1 to 6. First, in step 1, one chamfer surface Rc1 of the arc-shaped portion R of the workpiece W is polished, and in step 2, the flat portion Fc is polished.
Is polished, the outer peripheral surface Fa of the flat portion F is polished in step 3, and the flat portion F
The other chamfer surface Fc2 is polished. Step 5
Then, the other chamfer surface Rc2 of the arc-shaped portion R is polished, and in step 6, the outer peripheral surface Ra of the arc-shaped portion R is polished.

【0017】図3はワークWの円弧状部Rのチャンファ
面Rc1、Rc2を研磨するための研磨装置10を示す斜視
図であり、図4は図3の断面図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a polishing apparatus 10 for polishing the chamfer surfaces Rc1, Rc2 of the arc-shaped portion R of the work W, and FIG. 4 is a sectional view of FIG.

【0018】この研磨装置10は回転中心軸Pを中心に
回転する回転体11を有し、この回転体11の表面には
球面形状の凹面が形成され、この凹面には研磨具12が
設けられている。この研磨具12の表面の研磨面13は
回転体11の表面に対応した凹面となっており、この凹
面は中心点Oを中心とする曲率半径を有する球面形状と
なっている。回転体11には駆動シャフト14が取り付
けられ、これに連結された図示しないモータを駆動手段
として回転体11は回転駆動される。
The polishing apparatus 10 has a rotating body 11 that rotates about a rotation center axis P. A spherical concave surface is formed on the surface of the rotating body 11, and a polishing tool 12 is provided on the concave surface. ing. The polishing surface 13 on the surface of the polishing tool 12 is a concave surface corresponding to the surface of the rotating body 11, and the concave surface has a spherical shape having a radius of curvature centered on the center point O. A drive shaft 14 is attached to the rotating body 11, and the rotating body 11 is driven to rotate by a motor (not shown) connected to the drive shaft.

【0019】ワークWは真空チャックなどからなるワー
ク保持具15によって保持されて研磨面13に押し付け
られるようになっている。ワークWが研磨面13の一部
に接触し続けるのを防止するために、ワークWは図4に
二点鎖線で示すように中心点Oを通る半径線に対して直
角を維持できるように、ワーク保持具15はその保持中
心軸Qが傾斜移動できるようになっている。傾斜した状
態で回転体11を回転させると、ワーク保持具15の保
持中心軸Qは回転中心軸Pに対して偏心するので、偏心
防止のための調芯機構(図示せず)が設けられている。
The work W is held by a work holder 15 such as a vacuum chuck and pressed against the polishing surface 13. In order to prevent the work W from continuing to contact a part of the polishing surface 13, the work W is maintained at a right angle to a radius line passing through the center point O as shown by a two-dot chain line in FIG. The work holding tool 15 is configured so that its holding center axis Q can be inclined. When the rotating body 11 is rotated in the inclined state, the holding center axis Q of the work holder 15 is eccentric with respect to the rotation center axis P. Therefore, an alignment mechanism (not shown) for preventing eccentricity is provided. I have.

【0020】このように、研磨具12の凹面形状の研磨
面13にワークWを押し付けて研磨加工すると、研磨面
13の傾斜角度は円弧状部Rのチャンファ面Rc1、Rc2
の傾斜角度θに近似した角度となり、ワークWの円弧状
部Rのチャンファ面Rc1を被研磨面としてこれの全面に
研磨面13が接触し、ワークWを回転させることなく、
チャンファ面Rc1の全面を同時に研磨加工することがで
きる。このように、チャンファ面の全面に研磨面13が
接触することから、研磨加工を短時間で迅速に行うこと
ができ、加工能率を向上させることができる。また、ワ
ークWをワーク保持具15によって固定しておき、回転
体11のみを回転させることによって、ワークWの回転
振れに起因したワークずれが防止されて、加工精度を高
めることができる。さらに、チャンファ面は全体的に同
一の食い込み量で研磨具に押圧されることになるので、
全体的に同一の研磨量となって研磨加工される。
As described above, when the workpiece W is pressed against the concave polishing surface 13 of the polishing tool 12 and polished, the inclination angle of the polishing surface 13 becomes equal to the chamfer surfaces Rc1 and Rc2 of the arc-shaped portion R.
, The chamfer surface Rc1 of the arc-shaped portion R of the work W is the surface to be polished, and the polishing surface 13 contacts the entire surface of the chamfer surface Rc1 without rotating the work W.
The entire surface of the chamfer surface Rc1 can be simultaneously polished. As described above, since the polishing surface 13 is in contact with the entire chamfer surface, the polishing process can be performed quickly in a short time, and the processing efficiency can be improved. In addition, the work W is fixed by the work holder 15 and only the rotating body 11 is rotated, whereby the work deviation due to the rotational runout of the work W is prevented, and the processing accuracy can be improved. Furthermore, since the chamfer surface is pressed by the polishing tool with the same bite amount as a whole,
Polishing is performed with the same polishing amount as a whole.

【0021】この研磨加工に際しては、ラッピング液や
ポリッシング液などの研磨液が研磨面13に塗布される
ことになり、余分な研磨液は回転体11の底部に設けら
れた排出孔16から外部に排出されることになる。
At the time of this polishing, a polishing liquid such as a lapping liquid or a polishing liquid is applied to the polishing surface 13, and excess polishing liquid is discharged to the outside through a discharge hole 16 provided at the bottom of the rotating body 11. Will be discharged.

【0022】図5はワークWの円弧状部Rのチャンファ
面Rc1、Rc2を研磨するための他のタイプの研磨装置1
0を示す斜視図であり、図6は図5の断面図である。
FIG. 5 shows another type of polishing apparatus 1 for polishing the chamfer surfaces Rc1, Rc2 of the arc-shaped portion R of the work W.
6 is a cross-sectional view of FIG.

【0023】この研磨装置10は回転体11が円筒形状
つまりドラム形状となっており、この回転体11の内周
面には研磨具12が設けられ、研磨具12の内周面は研
磨面13となっている。回転体11は図示しないモータ
に連結された駆動シャフト14によって回転駆動され
る。研磨面13は小径の内周面13aとこれよりも径が
大きな大径の内周面13bとを有し、これらの間には傾
斜したチャンファ研磨面13cが形成され、このチャン
ファ研磨面13cは研磨具12の内周面に沿うように全
周にわたってワークWの被研磨面であるチャンファ面R
c1、Rc2の傾斜角度θに対応した傾斜角度となってい
る。
In this polishing apparatus 10, a rotating body 11 has a cylindrical shape, that is, a drum shape. A polishing tool 12 is provided on an inner peripheral surface of the rotating body 11, and an inner peripheral surface of the polishing tool 12 is a polishing surface 13 It has become. The rotating body 11 is rotationally driven by a drive shaft 14 connected to a motor (not shown). The polishing surface 13 has a small-diameter inner peripheral surface 13a and a larger-diameter inner peripheral surface 13b having a larger diameter, and an inclined chamfer polishing surface 13c is formed between them. A chamfered surface R which is a surface to be polished of the work W over the entire circumference along the inner peripheral surface of the polishing tool 12.
The inclination angle corresponds to the inclination angle θ of c1 and Rc2.

【0024】この場合には、研磨具12に形成された研
磨面13のうちチャンファ研磨面13cにワークWを押
圧つまり押し付けて研磨加工すると、ワークWの円弧状
部Rのチャンファ面Rc1の全体に研磨面13が接触し、
ワークWを回転させることなく、チャンファ面Rc1の全
面を同時に研磨加工することができる。このように、チ
ャンファ面の全面に研磨面13が接触することから、研
磨加工を短時間で迅速に行うことができる。また、ワー
クWをワーク保持具15によって固定しておき、回転体
11のみを回転させることによって加工精度を高めるこ
とができ、チャンファ面は全体的に同一の食い込み量で
研磨具に押圧されることになるので、全体的に同一の研
磨量となって研磨加工される。
In this case, when the work W is pressed or pressed against the chamfered polished surface 13c of the polished surface 13 formed on the polishing tool 12, the work W is polished, so that the entire chamfered surface Rc1 of the arc-shaped portion R of the work W The polishing surface 13 contacts,
The entire surface of the chamfer surface Rc1 can be simultaneously polished without rotating the work W. As described above, since the polishing surface 13 is in contact with the entire surface of the chamfer surface, the polishing process can be performed quickly in a short time. Further, the work accuracy can be improved by fixing the work W by the work holder 15 and rotating only the rotating body 11, so that the chamfer surface is pressed by the polishing tool with the same bite amount as a whole. Therefore, the polishing is performed with the same polishing amount as a whole.

【0025】この研磨加工に際しては、塗布された研磨
液は加工後に回転体11の底部の排出孔16から外部に
排出されることになる。
At the time of this polishing, the applied polishing liquid is discharged to the outside through a discharge hole 16 at the bottom of the rotating body 11 after the processing.

【0026】研磨装置10によってワークWの円弧状部
Rの表裏両面に形成されたチャンファ面Rc1、Rc2のう
ちの一方のチャンファ面Rc1を工程1で研磨加工した後
に、工程5では他方のチャンファ面Rc2が研磨加工され
る。
After one of the chamfer surfaces Rc1 and Rc2 formed on the front and back surfaces of the arc-shaped portion R of the work W is polished by the polishing device 10 in the step 1, the other chamfer surface is processed in the step 5. Rc2 is polished.

【0027】図7は図2における工程2〜4に示された
フラット部Fの研磨加工を行うための研磨装置20を示
す斜視図であり、図8は図7の断面図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a polishing apparatus 20 for polishing the flat portion F shown in steps 2 to 4 in FIG. 2, and FIG. 8 is a sectional view of FIG.

【0028】この研磨装置20は円柱形状ないしドラム
形状の回転体21を有し、この回転体21の外周面には
研磨具22が設けられており、この研磨具22の表面の
研磨面23は円柱状となっている。回転体21には駆動
シャフト24が取り付けられ、これに連結された図示し
ないモータを駆動手段として回転体21は回転駆動され
る。
The polishing apparatus 20 has a cylindrical or drum-shaped rotating body 21. A polishing tool 22 is provided on the outer peripheral surface of the rotating body 21. The polishing surface 23 of the polishing tool 22 has a polishing surface 23. It has a columnar shape. A drive shaft 24 is attached to the rotating body 21, and the rotating body 21 is driven to rotate by a motor (not shown) connected thereto.

【0029】ワークWは真空チャックなどからなるワー
ク保持具25によって保持されて研磨面23にフラット
部Fが押し付けられるようになっている。
The work W is held by a work holder 25 such as a vacuum chuck, and the flat portion F is pressed against the polishing surface 23.

【0030】この研磨装置20によって、図2における
工程2に示したようにフラット部Fの一方のチャンファ
面Fc1を研磨するには、図7および図8において符号W
aで示すように、フラット部Fが回転体21の回転中心
軸Pにほぼ平行となるとともに、研磨面23の接線の角
度がチャンファ面Fc1の傾斜角度θとなる位置にチャン
ファ面Fc1を接触させる。その際には、ワーク保持具2
5によってワークWaを、図8において矢印で示すよ
うに図において右方向に接近させた後に、矢印で示す
ように図において下方に押し付ける。この状態で回転体
21を回転させることにより研磨が行われる。
In order to polish one chamfer surface Fc1 of the flat portion F by the polishing apparatus 20 as shown in step 2 in FIG.
As shown by a, the chamfer surface Fc1 is brought into contact with a position where the flat portion F is substantially parallel to the rotation center axis P of the rotating body 21 and the angle of the tangent to the polishing surface 23 is the inclination angle θ of the chamfer surface Fc1. . In that case, work holder 2
5, the workpiece Wa is moved rightward in the drawing as shown by the arrow in FIG. 8, and then pressed downward in the drawing as shown by the arrow. Polishing is performed by rotating the rotating body 21 in this state.

【0031】このようにして一方のチャンファ面Fc1が
研磨加工された後に、ワークWaを研磨面23から離し
て、工程3で示したように、フラット部Fの外周面Fa
を研磨加工する。この外周面Faの研磨加工は、図7お
よび図8において符号Wbで示すように、フラット部F
が回転体21の回転中心軸Pに概ね平行となるととも
に、ワークWが回転体21の半径方向線rにほぼ一致す
るように、外周面Faを研磨面23に接触させる。その
際には、ワーク保持具25によってワークWbを半径方
向線rの延長上に位置決めした状態で矢印で示すよう
にワークWbを研磨面23に押し付ける。
After the one chamfer surface Fc1 is polished in this manner, the workpiece Wa is separated from the polished surface 23, and as shown in step 3, the outer peripheral surface Fa of the flat portion F
Is polished. The polishing of the outer peripheral surface Fa is performed by a flat portion Fb as shown by a reference symbol Wb in FIGS.
Is made substantially parallel to the rotation center axis P of the rotating body 21 and the outer peripheral surface Fa is brought into contact with the polishing surface 23 such that the work W substantially coincides with the radial line r of the rotating body 21. At this time, the work Wb is pressed against the polishing surface 23 as indicated by an arrow in a state where the work Wb is positioned on the extension of the radial line r by the work holder 25.

【0032】フラット部Fの他方のチャンファ面Fc2に
ついては、ワーク保持具25によって加工済みのチャン
ファ面Fc1側のワークWの表面を保持して図8に示すワ
ークWaと同様の手順により研磨加工を行う。このよう
に、図示する場合には、2つのワークWa,Wbの一方
のチャンファ面と外周面とを同時に研磨加工することが
できる。
With respect to the other chamfer surface Fc2 of the flat portion F, the surface of the work W on the chamfer surface Fc1 side which has been processed is held by the work holder 25 and polished by the same procedure as the work Wa shown in FIG. Do. As described above, in the case shown in the drawing, the chamfer surface and the outer peripheral surface of one of the two works Wa and Wb can be simultaneously polished.

【0033】図9(A)は図7および図8に示した研磨
装置20によって、4つのワークWa〜Wdを同時に研
磨加工している状態を示す図であり、2つのワークW
a,Wcはそれぞれフラット部Fの一方のチャンファ面
が研磨加工されている状態であり、他の2つのワークW
b,Wdはそれぞれの外周面Faが研磨加工されている
状態である。なお、ワークWcについては、二点鎖線で
示すように、ワークWaに対して対角線の位置において
研磨面23に接触させることにより、両方のチャンファ
面についてチャンファ面と研磨面23との相対的な滑り
移動の方向を同一方向に設定することができる。
FIG. 9A is a view showing a state in which four workpieces Wa to Wd are being simultaneously polished by the polishing apparatus 20 shown in FIGS.
a and Wc are states in which one chamfer surface of the flat portion F is polished, and the other two workpieces W
b and Wd are states in which the respective outer peripheral surfaces Fa are polished. As shown by the two-dot chain line, the workpiece Wc is brought into contact with the polishing surface 23 at a diagonal position with respect to the workpiece Wa, thereby causing relative slip between the chamfer surface and the polishing surface 23 for both chamfer surfaces. The direction of movement can be set to the same direction.

【0034】図9(B)は前述した研磨装置20によっ
て、同時に3枚のワークWa〜Wcを研磨加工している
状態を示す図であり、ワークWaは一方のチャンファ面
が研磨加工されている状態であり、ワークWbは外周面
が研磨加工されている状態であり、ワークWcは他方の
チャンファ面が研磨加工されている状態である。このよ
うに、研磨加工することによって、図2における工程2
〜工程4を別々のワークについて同時に行うことがで
き、1つのワークWについては、ワーク保持具25によ
ってワークWを移動することによって順次所定の部位を
研磨することができる。なお、図9(B)に示す場合に
も、図において右側の部分に3つのワークを押し付ける
ことによって、同時に6つのワークを研磨加工すること
ができる。また、この場合にも、二点鎖線で示すよう
に、ワークWcをワークWaに対して対角線の位置にお
いて研磨面23に接触させるようにしても良い。
FIG. 9B is a view showing a state where three workpieces Wa to Wc are being simultaneously polished by the above-described polishing apparatus 20, and one of the chamfer surfaces of the workpiece Wa is polished. In this state, the work Wb is in a state where the outer peripheral surface is polished, and the work Wc is in a state where the other chamfer surface is polished. As described above, by performing the polishing, step 2 in FIG.
Steps 4 to 4 can be performed simultaneously for different works, and for one work W, a predetermined part can be sequentially polished by moving the work W by the work holder 25. In the case shown in FIG. 9B, six workpieces can be polished at the same time by pressing three workpieces on the right side in the figure. Also in this case, the work Wc may be brought into contact with the polishing surface 23 at a position diagonal to the work Wa, as shown by the two-dot chain line.

【0035】図10は図2における円弧状部Rの外周面
Raを研磨加工するための研磨装置30の要部を示す斜
視図であり、図11は研磨装置30の断面図であり、図
12は図11における矢印12に沿う方向の断面図であ
る。
FIG. 10 is a perspective view showing a main part of a polishing apparatus 30 for polishing the outer peripheral surface Ra of the arcuate portion R in FIG. 2, FIG. 11 is a sectional view of the polishing apparatus 30, and FIG. FIG. 12 is a cross-sectional view in a direction along arrow 12 in FIG.

【0036】この研磨装置30は円板状の回転体31を
有し、この回転体31には複数本の連結ロッド32によ
り支持リング33が固定されている。回転体31に取り
付けられた駆動シャフト34を回転中心軸Pを中心とし
て回転駆動することにより、回転体31は支持リング3
3とともに回転駆動される。
The polishing apparatus 30 has a disk-shaped rotating body 31, and a supporting ring 33 is fixed to the rotating body 31 by a plurality of connecting rods 32. By rotating the drive shaft 34 attached to the rotating body 31 about the rotation center axis P, the rotating body 31
3 and is driven to rotate.

【0037】それぞれ回転体31の回転中心軸Pに平行
となり、回転中心軸Pから同一距離となって4本の支持
ピン35が回転体31に設けられており、それぞれの支
持ピン35は回転体31の円周方向に同一の距離だけず
れている。それぞれの支持ピン35には、支持ピン35
を中心に揺動自在に研磨アーム36が取り付けられてお
り、4つの研磨アーム36によって全体的に円筒形状の
研磨ドラムが形成されるようになっている。それぞれの
研磨アーム36の円弧状の凹面には研磨具37が設けら
れており、研磨具37はワークWの円弧状部Rの曲率に
対応した曲率の凹面状の研磨面38を有している。
Each of the four support pins 35 is provided on the rotating body 31 at the same distance from the rotating center axis P of the rotating body 31 and at the same distance from the rotating center axis P. 31 are displaced by the same distance in the circumferential direction. Each support pin 35 has a support pin 35
A polishing arm 36 is attached so as to be swingable about the center of the circle, and the four polishing arms 36 form a generally cylindrical polishing drum. A polishing tool 37 is provided on an arc-shaped concave surface of each polishing arm 36, and the polishing tool 37 has a concave polishing surface 38 having a curvature corresponding to the curvature of the arc-shaped portion R of the work W. .

【0038】それぞれの研磨アーム36に、研磨具37
が回転体31の径方向外方に向けて移動する方向のばね
力を加えるために、それぞれの研磨アーム36の基端部
に設けられたブラケット41と回転体31に固定された
ばね止め具42との間には、引張コイルばね43が装着
されている。したがって、回転体31が静止した状態で
は、それぞれの研磨アーム36はばね力によって図12
において二点鎖線で示すように、開いた状態となり、そ
れぞれの研磨アーム36の支持ピン35よりも先端側に
設けられた研磨具37は径方向外方に変位した状態とな
る。
Each polishing arm 36 has a polishing tool 37
A bracket 41 provided at the base end of each polishing arm 36 and a spring stopper 42 fixed to the rotating body 31 to apply a spring force in a direction in which the rotating body 31 moves radially outward. Between them, a tension coil spring 43 is mounted. Therefore, when the rotating body 31 is stationary, the respective polishing arms 36 are moved by the spring force as shown in FIG.
As shown by the two-dot chain line in FIG. 5, the polishing tools 37 provided on the tip side of the support pins 35 of the respective polishing arms 36 are displaced radially outward.

【0039】それぞれの研磨アーム36の基端部にはバ
ランスウエイトつまり重り44が取り付けられており、
回転体31を回転させると、それぞれの重り44に加わ
る遠心力によって、研磨具37がばね力に抗して径方向
内方に変位するように研磨アーム36は支持ピン35を
中心として回動する。これにより、図12において実線
で示すように、ワークWの円弧状部Rの外周面Raにそ
れぞれの研磨アーム36の研磨具37が接触することに
なる。
At the base end of each polishing arm 36, a balance weight or weight 44 is attached.
When the rotating body 31 is rotated, the polishing arm 36 rotates about the support pin 35 so that the polishing tool 37 is displaced radially inward against the spring force by the centrifugal force applied to each weight 44. . Thereby, as shown by the solid line in FIG. 12, the polishing tools 37 of the respective polishing arms 36 come into contact with the outer peripheral surface Ra of the arc-shaped portion R of the work W.

【0040】ワークWは前述した場合と同様に真空チャ
ックなどからなるワーク保持具45により保持されて複
数の研磨アーム36からなる研磨ドラム内に保持される
ようになっている。ワークWの外周面Raがそれぞれの
研磨アーム36の研磨具37の一部に接触し続けるのを
防止するために、ワークWはワーク保持具45によって
回転中心軸Pに沿う方向に移動自在となっている。
The work W is held by a work holder 45 formed of a vacuum chuck or the like and held in a polishing drum formed by a plurality of polishing arms 36 in the same manner as described above. In order to prevent the outer peripheral surface Ra of the work W from continuing to contact a part of the polishing tool 37 of each polishing arm 36, the work W is movable in the direction along the rotation center axis P by the work holding tool 45. ing.

【0041】このような研磨装置30を用いてワークW
を研磨加工するには、回転体31が静止した状態のもと
で、ワーク保持具45によってワークWを複数の研磨ア
ーム36により形成される研磨ドラムの内部に位置決め
する。このときには、それぞれの研磨アーム36が引張
コイルばね43によって開いた状態となるので、研磨ア
ーム36とワークWとの干渉を防止しながら、容易に位
置決め操作を行うことができる。回転体31の回転が停
止した状態のもとで、研磨アーム36を開いた状態とす
るためのばね部材としては、引張コイルばね43に限ら
れることなく、研磨具37が開く方向にばね力を加える
ばね部材であればどのようなものでも良く、たとえば、
研磨アーム36の先端側に圧縮コイルばねを装着するよ
うにしても良い。
Using such a polishing apparatus 30, the work W
In order to polish the workpiece, the workpiece W is positioned by the workpiece holder 45 inside the polishing drum formed by the plurality of polishing arms 36 while the rotating body 31 is stationary. At this time, since the respective polishing arms 36 are opened by the tension coil springs 43, the positioning operation can be easily performed while preventing interference between the polishing arms 36 and the work W. The spring member for opening the polishing arm 36 in a state where the rotation of the rotating body 31 is stopped is not limited to the tension coil spring 43, and a spring force is applied in a direction in which the polishing tool 37 opens. Any other spring member can be used. For example,
A compression coil spring may be mounted on the tip side of the polishing arm 36.

【0042】ワークWが位置決めされた状態のもとで、
回転体31を回転すると、重り44の遠心力によって研
磨具37がワークWの外周面Raに接触して所定の押圧
力が加えられて被研磨面が研磨加工される。この押圧力
は回転体31の回転数と重り44の荷重を調整すること
により設定することができる。なお、重り44を研磨ア
ーム36に取り付けることなく、回転体31に取り付け
て重り44の移動をリンクを介して研磨アーム36に伝
達するようにしても良い。
With the workpiece W positioned,
When the rotating body 31 is rotated, the polishing tool 37 comes into contact with the outer peripheral surface Ra of the work W due to the centrifugal force of the weight 44, and a predetermined pressing force is applied, whereby the surface to be polished is polished. This pressing force can be set by adjusting the rotation speed of the rotating body 31 and the load of the weight 44. Instead of attaching the weight 44 to the polishing arm 36, the weight 44 may be attached to the rotating body 31 and the movement of the weight 44 may be transmitted to the polishing arm 36 via a link.

【0043】このタイプの研磨装置30にあっては、複
数の研磨アーム36の研磨具37がワークWの外周面R
aの約2/3以上の広い範囲にわたって同時に接触する
ので、迅速に加工を行うことができ、研磨加工能率を向
上させることができる。研磨加工能率を高めるために
は、ワークWの外周面の約1/2以上の範囲に同時に接
触させることが好ましい。
In the polishing apparatus 30 of this type, the polishing tools 37 of the plurality of polishing arms 36 are connected to the outer circumferential surface R of the workpiece W.
Since the contact is made simultaneously over a wide range of about 2/3 or more of a, the processing can be performed quickly, and the polishing processing efficiency can be improved. In order to enhance the polishing efficiency, it is preferable that the workpiece W is simultaneously brought into contact with the outer peripheral surface in a range of about 2 or more.

【0044】この研磨装置30における研磨アーム36
の数は、図示する場合には4つとなっているが、ワーク
Wの外径などに応じて2つ、3つ、あるいは5つ以上の
数としても良い。また、それぞれの研磨アーム36に図
6に示すようなチャンファ研磨面を設けると、外周面R
aとチャンファ面Rc1、Rc2とを同時に研磨加工するこ
とができる。
The polishing arm 36 in the polishing apparatus 30
Is four in the illustrated case, but may be two, three, or five or more according to the outer diameter of the work W or the like. Further, when the polishing arm 36 is provided with a chamfer polishing surface as shown in FIG.
a and the chamfer surfaces Rc1 and Rc2 can be simultaneously polished.

【0045】本発明は前記実施の形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能で
あることはいうまでもない。
The present invention is not limited to the above embodiment, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

【0046】たとえば、図示する実施の形態では、半導
体ウエハを円板状のワークとしているが、半導体ウエハ
に限られず、外周面あるいはチャンファ面を研磨加工す
る円板状のワークであれば、フラット部を有しないガラ
ス板や金属製の板についても研磨加工を行うことができ
る。半導体ウエハのように、円弧状部とフラット部とを
有する部材をワークとする場合において、それぞれの外
周面とチャンファ面の加工手順としては、図2に示す順
番に限られず、任意の工程順序とすることができる。
For example, in the illustrated embodiment, the semiconductor wafer is a disc-shaped work. However, the present invention is not limited to the semiconductor wafer, and a flat work may be used for a disc-shaped work for polishing an outer peripheral surface or a chamfer surface. Polishing can also be performed on a glass plate or a metal plate having no. When a member having an arc-shaped portion and a flat portion is used as a workpiece like a semiconductor wafer, the processing procedure of the outer peripheral surface and the chamfer surface is not limited to the order shown in FIG. can do.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明にあっては、円板状のワークの外
周の被研磨面に対応した研磨面を有する研磨具を回転さ
せることによってワーク外周を研磨するようにしたの
で、研磨効率を向上させることができる。複数の研磨ア
ームのそれぞれに設けられた研磨具によって円筒形状の
研磨ドラムを形成し、ワーク外周の広い範囲に研磨具を
接触させて研磨加工を行うようにしたので、研磨効率を
向上させることができる。ワーク外周の被研磨面に対し
てはその各部位について研磨具が均一な押圧力で接触す
ることになるので、被研磨面全体で研磨加工量をほぼ同
一に設定することができ、加工精度を向上させることが
できる。研磨加工時に回転体のみならず、ワークをも回
転させることが可能であるが、ワークを回転させないで
も研磨加工することができるので、ワークの回転時にお
ける回転振れの発生を防止して高精度で研磨加工を行う
ことができる。
According to the present invention, the outer periphery of the work is polished by rotating a polishing tool having a polishing surface corresponding to the surface to be polished on the outer periphery of the disk-shaped work. Can be improved. Since a cylindrical polishing drum is formed by the polishing tools provided on each of the plurality of polishing arms, and the polishing tool is brought into contact with the polishing tool over a wide range of the outer periphery of the work, the polishing efficiency can be improved. it can. Since the polishing tool comes into contact with the surface to be polished on the outer periphery of the workpiece with a uniform pressing force, the polishing amount can be set substantially the same on the entire surface to be polished, and the processing accuracy can be improved. Can be improved. It is possible to rotate not only the rotating body but also the work at the time of polishing, but it is possible to carry out the polishing without rotating the work. Polishing can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(A)は円板状のワークの一例としての半導体
ウエハを示す平面図であり、(B)は同図(A)におけ
る1B−1B線に沿う拡大断面図であり、(C)は同図
(A)における1C−1C線に沿う拡大断面図である。
FIG. 1A is a plan view showing a semiconductor wafer as an example of a disc-shaped work, FIG. 1B is an enlarged cross-sectional view along line 1B-1B in FIG. 1A, and FIG. () Is an enlarged sectional view along line 1C-1C in FIG.

【図2】本発明の一実施の形態であるワークの研磨加工
方法の研磨手順を示す工程図である。
FIG. 2 is a process chart showing a polishing procedure of a workpiece polishing method according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施の形態である研磨装置を示す斜
視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図4】図3の拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged sectional view of FIG. 3;

【図5】他のタイプの研磨装置を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing another type of polishing apparatus.

【図6】図5の拡大断面図である。FIG. 6 is an enlarged sectional view of FIG. 5;

【図7】他のタイプの研磨装置を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing another type of polishing apparatus.

【図8】図7の断面図である。FIG. 8 is a sectional view of FIG. 7;

【図9】(A)および(B)は図7および図8に示され
た研磨装置による他の研磨加工方法を示す断面図であ
る。
FIGS. 9A and 9B are cross-sectional views showing another polishing method using the polishing apparatus shown in FIGS. 7 and 8;

【図10】他のタイプの研磨加工装置の要部を示す斜視
図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a main part of another type of polishing apparatus.

【図11】図12における11−11線に沿う拡大断面
図である。
11 is an enlarged sectional view taken along line 11-11 in FIG.

【図12】図11における12−12線に沿う断面図で
ある。
FIG. 12 is a sectional view taken along line 12-12 in FIG. 11;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 研磨装置 11 回転体 12 研磨具 13 研磨面 14 駆動シャフト 15 ワーク保持具 20 研磨装置 21 回転体 22 研磨具 23 研磨面 24 駆動シャフト 25 ワーク保持具 30 研磨装置 31 回転体 32 連結ロッド 34 駆動シャフト 35 支持ピン 36 研磨アーム 37 研磨具 38 研磨面 43 引張コイルばね 44 重り DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Polishing apparatus 11 Rotating body 12 Polishing tool 13 Polishing surface 14 Drive shaft 15 Work holding tool 20 Polishing apparatus 21 Rotating body 22 Polishing tool 23 Polishing surface 24 Drive shaft 25 Work holding tool 30 Polishing device 31 Rotating body 32 Connecting rod 34 Drive shaft 35 Support Pin 36 Polishing Arm 37 Polishing Tool 38 Polishing Surface 43 Tension Coil Spring 44 Weight

フロントページの続き (72)発明者 永尾 勝則 新潟県長岡市南陽2丁目951番地6 シス テム精工株式会社内 Fターム(参考) 3C049 AA04 AA16 AB04 CA01 CB01 CB03 Continued on the front page (72) Inventor Katsunori Nagao 2-951-6, Nanyo, Nagaoka-shi, Niigata F-term in System Seiko Co., Ltd. (Reference) 3C049 AA04 AA16 AB04 CA01 CB01 CB03

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 円板状ワークの外周の被研磨面を研磨加
工するワーク外周の研磨方法であって、前記被研磨面に
対応した研磨面を有し回転体に設けられた研磨具の前記
研磨面に前記ワークの外周を押圧するとともに、前記研
磨具を回転させることにより、前記ワークを回転させる
ことなく前記被研磨面を研磨加工し得るようにしたこと
を特徴とするワーク外周の研磨方法。
1. A method of polishing a peripheral surface of a disk-shaped work, wherein the peripheral surface of the disk-shaped workpiece is polished, wherein the polishing tool has a polishing surface corresponding to the surface to be polished and is provided on a rotating body. A method for polishing the outer periphery of a work, wherein the outer periphery of the work is pressed against a polishing surface and the polishing tool is rotated so that the surface to be polished can be polished without rotating the work. .
【請求項2】 円板状ワークの外周の被研磨面を研磨加
工するワーク外周の研磨方法であって、前記被研磨面の
全面に接触する研磨面を有し回転体に設けられた研磨具
の前記研磨面に前記ワークの外周を押圧するとともに、
前記研磨具を回転させることにより、前記ワークを回転
させることなく前記被研磨面を研磨加工し得るようにし
たことを特徴とするワーク外周の研磨方法。
2. A polishing method for polishing an outer peripheral surface of a disk-shaped work, the polishing tool having a polishing surface in contact with an entire surface of the polished surface and provided on a rotating body. Pressing the outer periphery of the work against the polishing surface,
A method for polishing the outer periphery of a work, characterized in that the surface to be polished can be polished without rotating the work by rotating the polishing tool.
【請求項3】 円板状ワークの外周の被研磨面を研磨加
工するワーク外周の研磨方法であって、 前記ワークの外周に形成されたチャンファ面の全面に接
触する研磨面を有する回転体を回転させながら、前記ワ
ークの一方面側のチャンファ面を前記研磨面に押圧して
一方側のチャンファ面を研磨加工する工程と、 前記回転体を回転させながら前記ワークの他方面側のチ
ャンファ面を前記研磨面に押圧して他方側のチャンファ
面を研磨加工する工程と、 前記ワークの外周面に対応した凹面形状の研磨面が形成
された研磨具を有する複数の研磨アームが設けられた回
転体を回転させて前記ワークの外周面に前記研磨具を押
圧することにより前記外周面を研磨加工する工程とを有
し、 前記チャンファ面と前記外周面とを前記ワークを回転さ
せることなく研磨加工し得るようにしたことを特徴とす
るワーク外周の研磨方法。
3. A polishing method of a workpiece outer periphery for polishing a surface to be polished on an outer periphery of a disk-shaped work, comprising: a rotating body having a polishing surface in contact with an entire surface of a chamfer surface formed on the outer periphery of the work. A step of pressing the chamfer surface on one side of the work against the polishing surface while rotating, and polishing the chamfer surface on one side while rotating the chamfer surface on the other surface side of the work while rotating the rotating body. A step of pressing against the polishing surface to polish the other chamfer surface; and a rotating body provided with a plurality of polishing arms having a polishing tool having a concave polishing surface corresponding to the outer peripheral surface of the work. Polishing the outer peripheral surface by pressing the polishing tool against the outer peripheral surface of the work, and rotating the work with the chamfer surface and the outer peripheral surface. The polishing method of the work outer periphery, characterized in that the Ku to be polished.
【請求項4】 円板状ワークの外周の被研磨面を研磨加
工するワーク外周の研磨装置であって、 球面形状の凹面状の研磨面を有する研磨具が設けられた
回転体と、 前記回転体を回転駆動する駆動手段と、 ワークを保持して前記ワークの外周のチャンファ面を前
記研磨面に押圧するワーク保持具とを有し、 前記チャンファ面の全面を前記研磨面に押圧させて研磨
加工するようにしたことを特徴とするワーク外周の研磨
装置。
4. A polishing apparatus for polishing an outer peripheral surface of a disk-shaped work, which is provided with a polishing tool having a spherical concave polishing surface; A driving means for driving the body to rotate; and a work holder for holding the work and pressing the chamfer surface on the outer periphery of the work against the polishing surface, and polishing the entire chamfer surface against the polishing surface. An apparatus for polishing a periphery of a work, wherein the polishing is performed.
【請求項5】 円板状ワークの外周の被研磨面を研磨加
工するワーク外周の研磨装置であって、 前記ワークの外周のチャンファ面に対応した傾斜角度の
チャンファ研磨面を有する研磨具が設けられた回転体
と、 前記回転体を回転駆動する駆動手段と、 ワークを保持して前記チャンファ面を前記チャンファ研
磨面に押圧するワーク保持具とを有し、 前記チャンファ面の全面を前記チャンファ研磨面に押圧
させて研磨加工するようにしたことを特徴とするワーク
外周の研磨装置。
5. A polishing apparatus for polishing an outer peripheral surface of a disk-shaped work, the polishing tool having a chamfer polishing surface having an inclination angle corresponding to a chamfer surface on an outer peripheral surface of the work. A rotating body, a driving unit that rotationally drives the rotating body, and a workpiece holder that holds a workpiece and presses the chamfer surface against the chamfer polishing surface, wherein the entire surface of the chamfer surface is subjected to the chamfer polishing. A polishing apparatus for the outer periphery of a work, wherein the polishing is performed by pressing the surface.
【請求項6】 円板状ワークの外周の被研磨面を研磨加
工するワーク外周の研磨装置であって、 凹面形状の研磨面を有する研磨具が設けられた複数の研
磨アームを支持ピンを中心に回動自在に支持する回転体
と、 前記回転体を回転駆動する駆動手段と、 前記複数の研磨アームにより形成される研磨ドラム内に
前記ワークを保持するワーク保持具と、 前記研磨具を前記ワークの外周から離反させる方向のば
ね力を付勢するばね部材と、 前記回転体を回転駆動したときにおける遠心力によって
前記研磨具を前記ワークの外周に接近させる重りとを有
し、 前記ワークの円弧状外周面を前記複数の研磨アームによ
って同時に研磨加工するようにしたことを特徴とするワ
ーク外周の研磨装置。
6. A polishing apparatus for polishing an outer peripheral surface of a disk-shaped workpiece, the polishing apparatus comprising: a plurality of polishing arms provided with a polishing tool having a concave-shaped polishing surface; A rotating body that rotatably supports the rotating body; a driving unit that rotationally drives the rotating body; a work holder that holds the work in a polishing drum formed by the plurality of polishing arms; A spring member for urging a spring force in a direction separating from the outer periphery of the work, and a weight for bringing the polishing tool closer to the outer periphery of the work by centrifugal force when the rotating body is rotationally driven; A polishing apparatus for the outer periphery of a workpiece, wherein an arc-shaped outer peripheral surface is simultaneously polished by the plurality of polishing arms.
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