JP2000311930A - 半導体検査装置と半導体検査装置におけるウエハ上の各ダイの属性を指定する方法 - Google Patents
半導体検査装置と半導体検査装置におけるウエハ上の各ダイの属性を指定する方法Info
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Abstract
ウエハ上のダイの複数の属性のデータの一元管理、同一
ツール上での実時間上での編集作業、表示を可能にす
る。 【解決手段】 ウエハ上のダイの属性を複数の属性から
選んで指定するのに際して、各ダイに関する属性データ
を3値以上のデータとして展開して保持するメモリ手段
(102)と、オペレータが各ダイについていずれの属
性をも同一表示内で選択でき、選択された属性を直ちに
ダイの特性としてディスプレイ上の表示に反映するディ
スプレイコントロール手段(101)とを含んでなる半
導体検査装置および半導体検査装置におけるウエハ上の
各ダイの属性を指定する方法。
Description
おけるウエハ上の各ダイの属性を指定する方法および半
導体検査装置に関する。
は、通常、ウエハをチップに切り出す前にウエハ上で電
気的試験/評価が行われる。このようなTEG(test el
ementgroup)を用いたパラメトリック・テストにおいて
は、まず、不良ダイの発生確率が低いウエハの中心領域
において1または複数のダイについて試験を行う。もし
ここで異常がなければ、不良の可能性がより高くなるウ
エハの周縁部にあるダイについて全数あるいはより高い
密度の試験を行う。
る半導体パラメトリック・テスタの一例を説明する。半
導体パラメトリック・テスト・システム1は、被測定物
たるウエハ2に対して電気信号を供給しウエハ2からの
電気信号を測定するテスタ本体3と、ウエハ・ロット4
から測定するウエハ2を取り出し、所定のダイ上に探針
(プローブ)を接触させるブローバ5と、テスタ本体3
およびブローバ5の制御を行い、測定データの処理を行
うコンピュータ6Aと、コンピュータ6Aを動作させる
測定プログラム群6Bを備えている。測定プログラム群
6Bは、ウエハ2やその上のデバイス等の情報ファイル
で構成されるテストプラン7と、測定アルゴリズムを定
義するファイルで構成される測定アルゴリズム8と、各
部の初期化やテストプラン7および測定アルゴリズム8
のロードや実行等を行うコアプログラム9と、リミット
・ファイル10とを具備する。また、測定プログラム群
6Bは、ディスプレイおよびキーボードを介して操作者
との情報の入出力を行うユーザーインターフェースプロ
グラム9aを含み、テストプラン7、測定アルゴリズム
8、リミットファイル10には、それぞれ、使用者が容
易にファイルを作成できるようにするための、例えば、
フィル・イン・ザ・ボックス方式のビルダが備えられて
いる。
前、位置、その他の属性を定義するウエハスペック7a
と、ダイ上のモジュールの名前と位置を定義するダイス
ペック7bと、プローバ5内のプローブカードのデバイ
スパッドとスイッチングマトリクスのピンの接続を定義
するプローブスペック7cと、デバイスのテストに使用
する測定アルゴリズムを定義するテストスペック7dを
含む。
ハスペック7aのステップにおいて、ウエハのインデッ
クスや寸法などのウエハ全体に関するデータと、1つの
ウエハ上に複数ある個々のダイの属性を指定する。ダイ
とは、半導体ウエハ上に作り込まれる複数のチップ領域
のそれぞれをいう。多くの場合、ウエハの周縁部のダイ
は、素子の製造には実際には用いられないので、他のダ
イを特定する上で役に立つ指標ダイとして自動的に指定
されるが、ウエハとダイの寸法によっては、手動でその
ような指標ダイの指定を行う必要がある。また、直流導
通試験他いろいろな試験があるが、どのダイにどのよう
な試験を行うかをダイの属性の一つとして指定する必要
がある。あるいは、予備のダイとして、あるテストがう
まくいかなかったときに、次にテストを行うダイとして
指定しておくことも必要かもしれない。
なって、一つのまとまりを構成している。個々のダイの
内部のモジュールの構成がダイスペック(7b)として
指定される。そして、このダイについて用いられるプロ
ーブの種類などに応じてプローブスペック(7c)が指
定される。そして、最後にどのような内容の試験を行う
のかが、測定アルゴリズムとして指定されるのである。
これをテストスペック(7d)と呼ぶ。このような指定
が完成してテストプランが完成すると、コアプログラム
9にロードされて、実際のテストが行われる。
り、半導体ウエハ上に多数形成された複数のチップ領域
(ダイ)に対してダイソート・テスト工程で電気的特性
の試験を行う。この試験は、テスタであるプローバのプ
ローブをダイに接触させて行われる。近年では、ダイの
歩留まりの向上にともない、全てのダイについて試験を
行う代わりに、いくつかの選ばれたダイについてのみ試
験を行い、それらに異常がなければ、先の工程へと進む
ようにして、生産性を向上させている。このときの試験
対象となるダイは、予め選択しておくが、通常、不良は
ウエハの周辺で起こりやすいので、ウエハ周辺に多くの
試験対象ダイを設定する。したがって、ウエハ全体にわ
たって等間隔に試験対象のダイを配置することはあまり
行われていない。
ために選択指示作業を行う際、ダイの数が多くなった場
合、特に周縁部での選択指示作業は適当な指標がなく困
難であった。そのため、あるきまった間隔で座標値を表
示したり、目盛りの代わりをする色や模様をウエハマッ
プ上に描いて選択作業を補助を行うようにしていた。こ
うして描かれた補助は機械的に施されており、多種の半
導体製品を一つのラインで製造する場合など、個々のウ
エハで異なるダイ配置とは有機的な関係が見られず、特
に周縁部でのダイの複雑な配置には指標としての効果が
低かった。
いる指標に関する位置情報は、試験の対象として選択す
る、しないという、試験に直接必要とされるデータとは
異なる属性のデータとして管理されていた。このように
別個のデータとして管理すると、本来の試験に必要なデ
ータと指標のためのデータとが別々になり、両者を関連
付けるデータの保持が必要であり、管理を面倒にしてい
た。そして、それらの異なる属性のデータを編集する際
には、データが別々に管理されているため、編集対象を
明確に指示して画面に呼び出してから編集することが必
要であったり、個々のデータ属性ごとに異なるツールを
使用して行う必要があったりして、面倒であった。たと
えば、指標となるダイを選択するモードと、試験対象と
なるダイを指定するモードとが別であり、切り替えてそ
れぞれの作業を行わなければならなかった。
示に関していえば、1)実際に試験対象となるダイの表示
と、2)編集作業において指標となるダイの表示と、3)プ
ローバによるダイへの電気的接続を行う際の初期位置の
表示と、4)現在編集対象としてしているダイへのカーソ
ル表示とがあり、同一画面上にこれらの重複表示を行う
例はあった。しかし、データが属性の目的ごとに用意さ
れており、それらを多重化して扱うのは表示の時だけ
で、編集の際にはデータの属性ごとに別々に行う必要が
あった。たとえば、編集作業において指標となるダイを
指定した後で、試験対象のダイを指定する場合、それぞ
れの指定されたダイは同時に表示されるが、種類の異な
るダイを指定するためにはモードを切り替える必要があ
った。
必ずしも習熟度の高くないオペレータにとっては、作業
がどのように進行しているのか把握しにくくなり、エラ
ーのもととなるという問題がある。
の問題点に鑑み、本発明は、試験自体に必要なデータ
と、試験対象のダイを特定するのに必要な一情報とを一
元的に管理し、異なる種類のデータを一括して取り扱え
るようにすることを目的とする。
つのダイに対する複数の属性のデータを多値化して一元
管理を行い、それをグラフィカルデータおよびテキスト
データとして表示する手段を提供する。また、本発明
は、それらの表示情報を通して多値化したデータをリア
ルタイムに編集する手段をも提供する。より具体的に
は、本発明の方法により、ウエハ上の個々のダイに対す
る複数のデータを三値以上に多値化して記録し、各ダイ
に関する異なる属性、例えば何も指定されていない、テ
スト対象として指定されている、予備として指定されて
いるといった属性を一元管理できるようになり、また、
指定作業の間も指定作業の結果を即時に画面に表示する
ことができる。
数の属性から選んで指定するのに際して、各ダイに関す
る属性データを3値以上のデータとして一元的に管理
し、オペレータが各ダイについていずれの属性をも同一
表示内で選択でき、選択された属性が直ちにダイの特性
としてディスプレイ上の表示に反映されることを特徴と
する、半導体検査装置におけるウエハ上の各ダイの属性
を指定する方法を提供する。
複数の属性から選んで指定するのに際して各ダイに関す
る属性データを3値以上のデータとして展開して保持す
るメモリ手段と、オペレータが各ダイについていずれの
属性をも同一表示内で選択でき、選択された属性を直ち
にダイの特性としてディスプレイ上の表示に反映するデ
ィスプレイコントロール手段とを含んでなる半導体検査
装置を提供する。
イについて属性が2以上ある場合である。例えば、属性
が2個である場合、それを表すためには、3つの値が必
要となる。すなわち、あるダイについて、属性Aのみが
指定される場合、属性Bのみが指定される場合、属性A
もBも指定されない場合を表す3つの値である。(も
し、属性AとBの両方が同時に指定されることがあるな
らば、4つ目の値が必要となろう。)そして、これらの
属性の一つを選択することは、一つの画面内でおこなう
ことができ、モードの切り替えなどは必要ではない。こ
れは、属性データを3値以上の多値データとしたことに
より可能となった。また、ここで「直ちに」とは、モー
ドの切り替えなどの作業を行うことなく、ある属性を指
定しさえすれば、その結果がディスプレイ上の表示に反
映されることをいう。また、ディスプレイという語は、
CRTや液晶などのディスプレイに限定されず、ここで
は、オペレータに対してデータを提示することができる
表示装置一般を指す意味で使用されるものである。さら
に、属性としては、個々のダイについて指定されうる全
ての特性が含まれ、特別な属性が付与されないダイか、
テスト対象か、標識ダイか、テストの予備のダイかの別
や、どのようなテストが行われるのかテストの種類の
別、ダイをグループ分けしたときに特定のダイがどのグ
ループにはいるのか、どのような順でプローブがダイを
回るのかといった情報があるが、これらに限定されるも
のではない。
ンピュータ本体6Aと、モニター6aや、キーボード6
b、マウス、プリンタなどの入出力装置からなるセット
アップにおいて実施される。上記のように、コンピュー
タ6Aは、テスタ3とプローバ5との間でデータのやり
とりができるようになっている。
行うことができる。図1に編集スタート時のコンピュー
タディスプレイ11に現れた画面を示す。この画面では
データの本体部を入力するための「Body」のタブ1
5が付いた画面が示されている。この画面11の上部が
文字形式データ表示編集部12となっており、下部がグ
ラフィック形式データ表示編集部13となっている。別
の「Attributes」のタブ16が付いた画面で
予めダイの縦と横の大きさなどのウエハの属性を入力し
ておくと、この下部のグラフィック形式のデータ表示編
集部13のウエハ表示部21には、バックグラウンドに
入力されたダイの縦横の大きさに対応する格子が表示さ
れる。キーボードの特定キーと「Add All」ボタ
ン17あるいは「Del All」ボタン18などを組
み合わせて指示することにより、ウエハ22上であって
その格子点が4つ入らないダイ、すなわち格子点が一つ
でもウエハの外にでる格子パネルに対応する部分にメッ
シュ23を表示させる。この格子上では、中央のダイを
原点(0,0)として、それから横方向(x軸方向)と
縦方向(y軸方向)にいくつ格子を移動したかによっ
て、ダイの位置を示す。図1の例では右向きと上向きを
正の方向としているが、その他の設定も可能である。そ
して、それと同時にそのようなメッシュがかかったダイ
の格子の座標における位置と、指標としてのみ用いられ
ることを示すための「#」の記号24(コメント化した
データとして取り扱うことを示す。)が、文字形式デー
タ表示編集部の右側のダイラベル表示パネル25に示さ
れる。このダイラベル表示パネル25のカーソル26と
下部のウエハ表示部21のカーソル27は対応して移動
し、対応する情報を同時に指し示すようになっている。
たとえば、図1に示すように、ウエハ表示部21のカー
ソル27が(2,4)の位置にあるとすると、ダイラベ
ル表示部25においても、カーソル26は、(2,4)
のダイに対応する位置に来ることとなる。これと同時
に、ダイ位置入力部28には、2,4の表示がでる。こ
の2,4という座標入力部28の表示をキーボードを用
いて書き換えることにより、カーソル26,27は、入
力された座標にまでジャンプする。また、ダイラベル入
力部30においては、キーボードを用いて特定のダイを
特徴づける情報を入力することができる。ダイタイプ表
示部29にはダイタイプが表示される。つまり、ダイタ
イプ入力部31に入力されたダイタイプを表示する文字
が現れる。
択した状態を示す。ウエハ22上で濃いメッシュで示さ
れているダイ((0,4)、(4,0)、(0,−
4))がそれである。カーソル27は、(0,−4)の
ダイの上にある。これに対応して、ダイラベル表示部2
5においては、カーソル26が図示の(0,−4)を示
す位置にある。ここで留意されたいのは、テストの対象
となる3つのダイについては、コメントを表す「#」が
付いていないことである。このようにテストの対象とな
るダイは、その上にカーソル27を移動して、マウスで
クリックするなどして指定することができ、あるいは、
ダイ位置入力部28においてダイの位置をキーボードか
ら入力することによっても指定できる。このようにして
指定された結果は、直ちにウエハ表示部21とダイラベ
ル表示部25の画面に反映される。
4,0)、(0,−4)、(0,4)、(4,0)、
(0,0))を選択した状態を示す。テスト対象ダイの
色は濃くなっている(ハッチがかかっている)。ダイラ
ベル表示部25には、5つのダイに関するデータが
「#」マークなしに示されている。ダイラベル表示部2
5とウエハ表示部21の両方においてカーソル26とカ
ーソル27が(0,0)を示しているのが分かる。ダイ
位置入力部には、カーソルの位置が座標で(0,0)と
示されている。
なっていた中央の(0,0)位置にあるダイをマウス操
作により指標データに変換した状態を示す。マウスの操
作は、例えば、キーボードのシフトキーを押しながら、
マウスをクリックすることにより達成される。再度同じ
操作をすると、このダイは再びテスト対象となるように
なっている。このダイは薄い色のメッシュとして表示さ
れている。ダイラベル表示部25においては、カーソル
26がある行には「#」マークが現れて、この特定のダ
イがコメント化されていることが分かるようになってい
る。
ダイをグループ分けして、左側のKIC915_LEF
Tのグループに属するダイ((−1,4)、(−4,
0)、(−1,−4))のみを表示した様子を示す。こ
の状態では、ウエハの周縁部の指標となっているダイを
表示していない。カーソル26,27は、ともに(−
1,−4)のダイを指定し、ダイタイプ表示部29で
は、KIC915_LEFTにカーソル32があり、そ
のダイタイプ入力部31ではこのグループ名が表示され
ている。このように、適当な名前を付けて、ダイをグル
ープ分けすることができる。このグループ分け機能によ
り、例えば、半導体素子がエージングに耐えるかどうか
をウエハ上でテストするウエハのバーンインを行う場合
に、有るグループのダイにある条件でバーンインを行
い、他のグループに別の条件でバーンインを行う、ある
いは、あるグループには直流通電試験を行い、別のグル
ープにはバーンインを行うといったことが容易に設定で
きる。この本発明方法の特徴は、もちろんその他の種類
の異なるテストを行う上でも有用である。また、このよ
うにして、テストの順番をグループ毎に設定してゆくこ
ともできる。
例を標準的な編集作業を仮定して説明する。テキストデ
ータの形で保持されているデータ202をコンピュータ
本体301内の本発明にかかるウエハマップエディタ2
01の作業エリア(メモリ上あるいはファイル上)に内部
3値以上のデータとして展開する。その展開したものが
テンポラリデータとしてメモリ102に一時的に保存さ
れている。
てこのテンポラリデータメモリ102内のテンポラリデ
ータをグラフィカル形式情報および文字形式情報として
取り扱い、その情報に対して作業を行う。その編集作業
を行うのがエディットコントロール部103である。キ
ーボード303またはマウスのようなポインティングデ
バイス304を用いて、あるいはそれらの両方を用い
て、テンポラリデータに対する編集作業を、ディスプレ
イコントロール部101からの信号を受けているディス
プレイ302上で行うことができる。その際、グラフィ
カルな表示と文字形式表示の双方に対して、適宜編集を
行うことができ、その結果は双方にただちにディスプレ
イ302上に反映される。
を取り扱うディスプレイコントロール101、デンポラ
リデータメモリ102、エディットコントロール部10
3は、ウエハマップエディタとして一つのソフトウエア
を構成するものである。そして表1に示すテキストデー
タ202は、テンポラリデータに対応するものである
が、このテキストデータ202は必要に応じて、外部デ
ータ記憶装置305に保存されたり、また、そこからウ
エハマップエディタ201に読み込まれたりするもので
ある。
フォーマットと実際の数値の一例を示す。[Header]で始
まるのがデータヘッダー部であり、[Body]とあるのが本
発明方法により編集されるダイについての情報を含むダ
イ定義部であり、[Attributes]がダイの大きさなどにつ
いての情報を含むウエハ属性データ部である。そして、
ダイ定義部では、従来の方法では、標識ダイであるか否
かの2値データと、テスト対象ダイであるか否かの2値
データとをそれぞれ別個に管理指定していたのに対し
て、特に何も指定しない、標識ダイとして指定する、テ
スト対象として指定するという、少なくとも3値のデー
タとしてここのダイの属性を取り扱う。例えば、テスト
が通常の直流通電試験と、バーンインテストとがある場
合には、テスト対象を、さらに直流通電試験対象と、バ
ーンインテスト対象に分けて、4値でダイの属性を管理
することが有利である。さらに、予備用のダイというの
も指定できるように5値でダイの属性を管理することも
できる。もちろん、6値以上で種々のダイ属性を管理す
ることもできる。このような属性の選択は全く任意であ
り、本発明は例示した属性に限定されるものではない。
データの表示方法として、色、模様を変化させるだけで
なく、テスト対象のダイにTを表示したり、標識ダイに
Iを表示するといったふうに、文字情報により識別する
ことや、それらを複数組み合わせることでも行える。ま
た、ダイの多値データの編集時の指示にポインティング
デバイスであるマウスなどとキーボードを用いて行う例
により説明したが、直接フラグデータをキーボードのみ
から入力することや、ポインティングデバイスの操作の
みで行う方法も十分可能である。たとえば、キーボード
の代わりにある数値や文字記号をディスプレイ上に表示
して、それらを必要に応じてマウスによりクリックする
ことにより、キーボードを省略することも可能である。
上記の実施形態においては、多値のデータの保持をテキ
ストデータの一項目としたが、保持データの形式を数値
データにしたり、一項目として独立させることなく他の
データ中にフラグとして埋め込むことも考えられる。
イソートテストの対象となるダイの複数の属性のデータ
の一元管理、同一ツール上での実時間上での編集作業、
表示が可能となるので、必ずしも高度な技能を有してい
ないオペレータによっても、容易且つ確実にテスト用と
いったダイの属性の指定が行えるようになる。また、文
字形式のデータと図形式のデータを一度に表示してお
り、また片方への操作は直ちに他方へ反映されるので、
データの確認容易に行える。特に文字形式データの並び
を、テストの際におけるプローバのダイ訪問の順として
表示しているが、その文字形式データ上での並びを順に
トレースすると図情報上でカーソルによって訪問順序を
確認することができる。多値のデータにおいて、使用者
の目的により、3値めのデータを、指標データとして用
いることもできるし、テスト対象ダイの予備のものとし
て使用することもできるというように、各値の意味付け
は自由にすることが可能である。
示す図である。自動的に指定された標識ダイのみが表示
されており、テスト対象のダイはまだ指定されていな
い。
て、本発明により3つのダイをテスト対象のダイとして
指定した様子を示す図である。
て、本発明により5つのダイをテスト対象ダイとして指
定した様子を示す図である。
て、本発明により4つのダイをテスト対象のダイとして
指定し、中央のダイを指標ダイとして指定した様子を示
す図である。
て、本発明によりグループを指定して、その一つに含ま
れるダイのみを表示した様子を示す図である。
アグラムである。
スタの一例を示す図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 ウエハ上のダイの属性を複数の属性から
選んで指定するのに際して各ダイに関する属性データを
3値以上のデータとして一元的に管理し、オペレータが
各ダイについていずれの属性をも同一表示内で選択で
き、選択された属性が直ちにダイの特性としてディスプ
レイ上の表示に反映されることを特徴とする、半導体検
査装置におけるウエハ上の各ダイの属性を指定する方
法。 - 【請求項2】 上記属性が、標識ダイ、テスト対象のダ
イ、そのいずれかでもないダイからなる群から選択され
るものである、請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 上記属性が、標識ダイ、テスト対象ダ
イ、複数のダイからなるあるグループに属するダイ、そ
のいずれでもないダイからなる群から選択されるもので
ある、請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 上記属性の選択が、キーボードのみを用
いても、あるいは、ポインティングデバイスのみを用い
ても、また両方を組み合わせて使用しても可能である、
請求項1〜3のいずれかに記載の方法。 - 【請求項5】 ウエハ上のダイの属性を複数の属性から
選んで指定するのに際して各ダイに関する属性データを
3値以上のデータとして展開して保持するメモリ手段
と、オペレータが各ダイについていずれの属性をも同一
表示内で選択でき、選択された属性を直ちにダイの特性
としてディスプレイ上の表示に反映するディスプレイコ
ントロール手段とを含んでなる半導体検査装置。 - 【請求項6】 上記属性が、標識ダイ、テスト対象のダ
イ、そのいずれかでもないダイからなる群から選択され
るものである、請求項5記載の装置。 - 【請求項7】 上記属性が、標識ダイ、テスト対象ダ
イ、複数のダイからなるあるグループに属するダイ、そ
のいずれでもないダイからなる群から選択されるもので
ある、請求項5記載の装置。
Priority Applications (2)
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Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020006624A1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-17 | Town Terence C. | Method and assay for diagnosing substance dependency |
US20020152046A1 (en) * | 2001-04-13 | 2002-10-17 | Velichko Sergey A. | Concurrent control of semiconductor parametric testing |
US7337088B2 (en) * | 2001-05-23 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Intelligent measurement modular semiconductor parametric test system |
US6782331B2 (en) * | 2001-10-24 | 2004-08-24 | Infineon Technologies Ag | Graphical user interface for testing integrated circuits |
US7162386B2 (en) * | 2002-04-25 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Dynamically adaptable semiconductor parametric testing |
US6787375B2 (en) * | 2002-05-13 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Microelectronic fabrication die electrical test method providing enhanced microelectronic fabrication die electrical test efficiency |
KR100466984B1 (ko) * | 2002-05-15 | 2005-01-24 | 삼성전자주식회사 | 테스트 소자 그룹 회로를 포함하는 집적 회로 칩 및 그것의 테스트 방법 |
DE10227332A1 (de) * | 2002-06-19 | 2004-01-15 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Ansteuervorrichtung mit verbesserten Testeneigenschaften |
JP4356915B2 (ja) * | 2002-07-22 | 2009-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置及びプローブカードのチャンネル情報作成プログラム並びにプローブカードのチャンネル情報作成装置 |
US6845278B2 (en) | 2002-08-07 | 2005-01-18 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Product attribute data mining in connection with a web converting manufacturing process |
US6959251B2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-10-25 | Kla-Tencor Technologies, Corporation | Inspection system setup techniques |
US6800495B2 (en) * | 2002-09-20 | 2004-10-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Lot-optimized wafer level burn-in |
DE10253717B4 (de) * | 2002-11-18 | 2011-05-19 | Applied Materials Gmbh | Vorrichtung zum Kontaktieren für den Test mindestens eines Testobjekts, Testsystem und Verfahren zum Testen von Testobjekten |
US7010451B2 (en) * | 2003-04-17 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Dynamic creation and modification of wafer test maps during wafer testing |
US6954711B2 (en) * | 2003-05-19 | 2005-10-11 | Applied Materials, Inc. | Test substrate reclamation method and apparatus |
US6961674B2 (en) * | 2003-08-11 | 2005-11-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for analysis of cache array test data |
US7319335B2 (en) * | 2004-02-12 | 2008-01-15 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array testing |
US20060038554A1 (en) * | 2004-02-12 | 2006-02-23 | Applied Materials, Inc. | Electron beam test system stage |
US6833717B1 (en) * | 2004-02-12 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Electron beam test system with integrated substrate transfer module |
US7355418B2 (en) * | 2004-02-12 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array test |
US7062410B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-06-13 | Intel Corporation | Transistor performance analysis system |
US7535238B2 (en) * | 2005-04-29 | 2009-05-19 | Applied Materials, Inc. | In-line electron beam test system |
US7271609B2 (en) * | 2005-05-16 | 2007-09-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of automatically creating a semiconductor processing prober device file |
US20060273815A1 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with integrated prober drive |
US7569818B2 (en) * | 2006-03-14 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | Method to reduce cross talk in a multi column e-beam test system |
US7602199B2 (en) * | 2006-05-31 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Mini-prober for TFT-LCD testing |
US7786742B2 (en) * | 2006-05-31 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Prober for electronic device testing on large area substrates |
US20080251019A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-16 | Sriram Krishnaswami | System and method for transferring a substrate into and out of a reduced volume chamber accommodating multiple substrates |
US8234597B2 (en) * | 2008-01-14 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Tool and method to graphically correlate process and test data with specific chips on a wafer |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4928002A (en) * | 1988-12-05 | 1990-05-22 | Motorola Inc. | Method of recording test results of die on a wafer |
US5355320A (en) * | 1992-03-06 | 1994-10-11 | Vlsi Technology, Inc. | System for controlling an integrated product process for semiconductor wafers and packages |
JP2724082B2 (ja) * | 1992-12-18 | 1998-03-09 | シャープ株式会社 | Vlsiプロセスのデータ解析支援システム |
KR100192216B1 (ko) * | 1996-02-29 | 1999-06-15 | 황인길 | 웨이퍼 맵 변환방법 |
US5893088A (en) * | 1996-04-10 | 1999-04-06 | Altera Corporation | System and method for performing database query using a marker table |
JP4022297B2 (ja) | 1997-12-02 | 2007-12-12 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 判定基準の動的変更可能な半導体測定装置 |
-
1999
- 1999-04-28 JP JP11121184A patent/JP2000311930A/ja active Pending
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